JP7505184B2 - 電気光学装置、および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、電気光学装置、および電子機器に関する。

プロジェクター等の電子機器に、液晶装置等の電気光学装置が用いられている。特許文献１には、素子基板と、対向基板と、これらの間に配置される液晶とを有する電気光学装置が開示される。

特許文献１に記載の素子基板は、石英基板と、マトリクス状に配置される複数の画素電極と、画素電極ごとに対応して設けられるＴＦＴ（Thin Film Transistor）とを備える。また、特許文献１に記載の素子基板は、ＴＦＴへの光の入射を抑制するため、金属等で構成される遮光膜を備える。

特開２００５－２５０２３４号公報

特許文献１に記載の遮光膜について、遮光性を高めるには、遮光膜の厚さを厚くすることが考えられる。しかし、特許文献１に記載の素子基板において、遮光膜の厚さを単に均一に厚くすると、基材に生じる応力が過度に大きくなってしまう。この結果、基材の反りおよび遮光膜の剥がれ等の不具合が発生してしまう。このため、従来の素子基板では、このような不具合の発生を低減しつつ、遮光膜の遮光性を高めることが難しいという問題がある。

本発明の電気光学装置の一態様は、表示領域と、平面視で前記表示領域の外側に位置する周辺領域とを有する電気光学装置であって、前記表示領域に存在する透光性の画素電極、前記表示領域に存在し、前記画素電極に電気的に接続されるトランジスター、および前記周辺領域に存在し、前記トランジスターを駆動する回路を有する第１基板と、共通電極を有する第２基板と、前記画素電極と前記共通電極との間に配置され、電界によって光学的特性が変化する電気光学層と、を備え、前記第１基板、または前記第２基板は、透光性、および絶縁性を有する第１層と、透光性、および絶縁性を有し、前記第１層に接触し、前記第１層よりも前記電気光学層の近くに存在する第２層と、前記第１層と前記第２層との間に配置され、タングステンを含む遮光膜と、を備え、前記遮光膜は、前記第２層に接触する凹面を有する。

本発明の電子機器の一態様は、前述の電気光学装置と、当該電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有する。

第１実施形態に係る電気光学装置の平面図である。 図１に示すＡ－Ａ線断面を示す図である。 素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。 素子基板の一部を示す平面図である。 図４中のＢ－Ｂ線断面を示す図である。 図４中のＣ－Ｃ線断面を示す図である。 素子基板が有するトランジスターを示す平面図である。 素子基板が有する走査線および第１導通部を示す平面図である。 素子基板が有する遮光膜を示す図である。 表示領域に存在する遮光膜を示す平面図である。 ダミー画素領域に存在する遮光膜を示す平面図である。 周辺領域に存在する遮光膜を示す平面図である。 素子基板が有する遮光膜を拡大した断面図である。 第２実施形態における遮光膜を拡大した断面図である。 第３実施形態にかかる電気光学装置が有する画素を示す図である。 第３実施形態における素子基板の表示領域を示す平面図である。 第３実施形態における遮光膜を拡大した断面図である。 第４実施形態における遮光膜を拡大した断面図である。 第４実施形態における表示領域に存在する遮光膜を示す平面図である。 第５実施形態における遮光膜を拡大した断面図である。 電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。 電子機器の一例であるスマートフォンを示す平面図である。 電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。 電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。

以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法または縮尺は実際と適宜に異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。また、本明細書に記載の「要素Ａと要素Ｂとが等しい」とは、要素Ａと要素Ｂとが実質的に等しいことを意味し、製造誤差を含む。

１．電気光学装置
１Ａ．第１実施形態
１Ａ－１．基本構成
図１は、第１実施形態に係る電気光学装置１００の平面図である。図２は、図１に示すＡ－Ａ線断面を示す図である。なお、図１では、対向基板３００の図示を省略する。また、以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向といい、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向という。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向といい、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向という。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向といい、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向という。

図１および図２に示す電気光学装置１００は、アクティブマトリクス駆動方式の透過型の液晶装置である。図２に示すように、電気光学装置１００は、透光性を有する素子基板２００と、透光性を有する対向基板３００と、枠状のシール部材４００と、液晶層５００とを有する。シール部材４００は、素子基板２００と対向基板３００との間に配置される。液晶層５００は、素子基板２００、対向基板３００およびシール部材４００によって囲まれる領域内に配置される。素子基板２００は「第１基板」の例示であり、対向基板３００は「第２基板」の例示であり、液晶層５００は「電気光学層」の例示である。

図２に示すように、素子基板２００、液晶層５００および対向基板３００は、Ｚ軸に沿って並ぶ。素子基板２００が有する後述の第１基体２１０の表面がＸ－Ｙ平面に平行である。以下では、Ｚ１方向またはＺ２方向からみることを「平面視」と言う。また、素子基板２００、液晶層５００、および対向基板３００が重なる方向は、Ｚ１方向またはＺ２方向に平行である。

本実施形態の電気光学装置１００では、例えば光源から発生される光は、素子基板２００に入射し、液晶層５００を透過して対向基板３００から出射される。なお、光は、対向基板３００に入射し、液晶層５００を透過して素子基板２００から出射されてもよい。また、光は可視光である。「透光性」とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。遮光性とは、可視光に対する遮光性を意味し、好ましくは、可視光の透過率が５０％未満であることをいい、より好ましくは、１０％以下であることをいう。また、図１に示す電気光学装置１００は、平面視で四角形状をなすが、電気光学装置１００の平面視形状は、これに限定されず、例えば、円形等であってもよい。

図２に示すように、素子基板２００は、第１基体２１０と、複数の画素電極２２０と、複数のダミー画素電極２２０ｄと、第１配向膜２３０と、を有する。第１基体２１０は、透光性および絶縁性を有する平板で構成される。複数の画素電極２２０および複数のダミー画素電極２２０ｄのそれぞれは、透光性を有しており、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電材料で構成される。第１配向膜２３０は、素子基板２００において最も液晶層５００側に位置しており、液晶層５００の液晶分子を配向させる。第１配向膜２３０の構成材料としては、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等が挙げられる。なお、素子基板２００の詳細な構成については、後で説明する。

図２に示すように、対向基板３００は、第２基体３１０と、絶縁層３２０と、共通電極３３０と、第２配向膜３４０と、見切部３５０と、を有する。第２基体３１０、絶縁層３２０、共通電極３３０および第２配向膜３４０は、この順に並ぶ。このうち第２配向膜３４０が最も液晶層５００側に位置する。第２基体３１０は、透光性および絶縁性を有する平板で構成される。第２基体３１０は、例えば、ガラスまたは石英等で構成される。絶縁層３２０は、例えば、酸化ケイ素等の透光性および絶縁性を有するケイ素系の無機材料で構成される。絶縁層３２０内には、枠状の見切部３５０が配置される。見切部３５０は、遮光性を有する金属材料等で構成される。共通電極３３０は、例えばＩＴＯまたはＩＺＯ等の透明導電材料で構成される。また、第２配向膜３４０は、液晶層５００の液晶分子を配向させる。第２配向膜３４０の構成材料としては、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等が挙げられる。

シール部材４００は、例えばエポキシ樹脂等の各種硬化性樹脂を含む接着剤等を用いて形成される枠状の部材である。シール部材４００は、ギャップ材を含んでもよい。当該ギャップ材は、例えば、ガラス等の無機材料で構成されるファイバー、またはガラス等の無機材料で構成されるビーズである。シール部材４００は、素子基板２００および対向基板３００のそれぞれに対して固着される。

液晶層５００は、複数の画素電極２２０と共通電極３３０との間に配置され、電界によって光学的特性が変化する。より具体的には、液晶層５００は、正または負の誘電異方性を有する液晶分子を含む。液晶層５００は、液晶分子が第１配向膜２３０および第２配向膜３４０の双方に接するように素子基板２００および対向基板３００によって挟持される。液晶層５００が有する液晶分子の配向は、液晶層５００に印加される電圧に応じて変化する。

図１に示すように、素子基板２００には、駆動回路１５０と複数の外部端子１３０とが配置される。駆動回路１５０は、「回路」の例示であり、複数の走査線駆動回路１１０と信号線駆動回路１２０とを有する。各外部端子１３０には、走査線駆動回路１１０または信号線駆動回路１２０から引き回される図示しない引回し配線が接続される。駆動回路１５０は、後述の図３に示す複数のトランジスター２３に各種信号を供給することにより、各トランジスター２３を駆動する。

以上の構成の電気光学装置１００は、画像を表示する表示領域Ａ１０と、周辺領域Ａ２０とを有する。周辺領域Ａ２０は、平面視で、表示領域Ａ１０の外側に位置し、表示領域Ａ１０を囲む。表示領域Ａ１０は、行列状に配列される複数の画素Ｐを有する。表示領域Ａ１０には、複数の画素電極２２０が配置される。複数の画素電極２２０は、複数の画素Ｐに１対１で配置される。前述の見切部３５０は、平面視で表示領域Ａ１０を囲む。見切部３５０によって、不要な迷光が表示領域Ａ１０に入射することを防ぐことができる。また、周辺領域Ａ２０は、ダミー画素領域Ａ２１を有する。ダミー画素領域Ａ２１は、２行２列の枠状に配列される複数のダミー画素Ｐｄを有する。ダミー画素領域Ａ２１は、平面視で表示領域Ａ１０を囲む。なお、複数のダミー画素Ｐｄの配列は、２行２列に限定されず、任意である。複数のダミー画素電極２２０ｄは、複数のダミー画素Ｐｄに１対１で配置される。また、ダミー画素Ｐｄの構成は、画素Ｐの構成と同様である。

１Ａ－２．素子基板２００の電気的な構成
図３は、素子基板２００の電気的な構成を示す等価回路図である。図３に示すように、素子基板２００は、ｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２とｎ本の第１定電位線２４３とを有する。ｎおよびｍはそれぞれ２以上の整数である。ｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２との各交差に対応してトランジスター２３が配置される。各トランジスター２３は、例えばスイッチング素子として機能するＴＦＴである。各トランジスター２３は、ゲート、ソースおよびドレインを含む。

ｎ本の走査線２４１のそれぞれはＸ軸に沿って延在し、ｎ本の走査線２４１はＹ軸に沿って等間隔で並ぶ。ｎ本の走査線２４１のそれぞれは、全てのトランジスター２３のうちの幾つかのトランジスター２３のそれぞれのゲートに電気的に接続される。ｎ本の走査線２４１は、図１に示す走査線駆動回路１１０に電気的に接続される。１～ｎ本の走査線２４１には、走査線駆動回路１１０から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが線順次で供給される。

図３に示すｍ本の信号線２４２のそれぞれはＹ軸に沿って延在し、ｍ本の信号線２４２はＸ軸に沿って等間隔で並ぶ。ｍ本の信号線２４２のそれぞれは、全てのトランジスター２３のうちの幾つかのトランジスター２３のそれぞれのソースに電気的に接続される。ｍ本の信号線２４２は、図１に示す信号線駆動回路１２０に電気的に接続される。１～ｍ本の信号線２４２には、信号線駆動回路１２０から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが並行に供給される。

図３に示すｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２とは、互いに電気的に絶縁されており、平面視で格子状に配置される。隣り合う２つの走査線２４１と隣り合う２つの信号線２４２とで囲まれる領域が画素Ｐに対応する。各画素電極２２０は、対応するトランジスター２３のドレインに電気的に接続される。

ｎ本の第１定電位線２４３のそれぞれはＸ軸に沿って延在し、ｎ本の第１定電位線２４３はＹ軸に沿って等間隔で並ぶ。また、ｎ本の第１定電位線２４３は、ｍ本の信号線２４２およびｎ本の走査線２４１に対して電気的に絶縁されており、これらに対して間隔を隔てて配置される。各第１定電位線２４３には、例えばグランド電位等の固定電位が印加される。ｎ本の第１定電位線２４３のそれぞれは、全ての容量２５のうちの幾つかの容量２５に電気的に接続される。各第１定電位線２４３は、容量２５に電気的に接続される容量線である。複数の容量２５は、複数の画素電極２２０に１対１で電気的に接続される。また、複数の容量２５は、複数のトランジスター２３のドレインに１対１で電気的に接続される。各容量２５は、画素電極２２０の電位を保持するための容量素子である。

走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが順次アクティブとなり、ｎ本の走査線２４１が順次選択されると、選択される走査線２４１に接続されるトランジスター２３がオン状態となる。すると、ｍ本の信号線２４２を介して表示すべき階調に応じた大きさの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが、選択される走査線２４１に対応する画素Ｐに取り込まれ、画素電極２２０に印加される。これにより、画素電極２２０と図２に示す対向基板３００が有する共通電極３３０との間に形成される液晶容量に、表示すべき階調に応じた電圧が印加され、印加される電圧に応じて液晶分子の配向が変化する。また、容量２５によって、印加される電圧が保持される。このような液晶分子の配向の変化によって光が変調され階調表示が可能となる。

また、前述の図２に示すダミー画素電極２２０ｄには、一定の電位が与えられる。当該一定の電位は、例えば、電気光学装置１００がノーマリーブラックモードである場合、黒表示となる電位である。これによって、ダミー画素領域Ａ２１を電子見切部として機能させることができる。

１Ａ－３．素子基板２００
図４は、素子基板２００の一部を拡大した平面図である。図４は、図２中の領域Ｄを拡大した図に相当する。なお、図４では、第１配向膜２３０の図示が省略される。

図４に示すように、複数の画素電極２２０のそれぞれの形状は、平面視でほぼ四角形状である。複数の画素電極２２０は、平面視で、前述の画素Ｐに対応して行列状に配置される。また、画素電極２２０に電気的に接続されるトランジスター２３は、画素電極２２０と同様に表示領域Ａ１０に配置される。各トランジスター２３は、走査線２４１と信号線２４２との交差位置に配置される。複数のトランジスター２３は、複数の画素電極２２０に１対１で配置される。例えば、複数のトランジスター２３のうちの任意の１個のトランジスター２３ａは、複数の画素電極２２０のうちの任意の１個の画素電極２２０ａに対応して配置される。なお、以下では、複数のトランジスター２３のうちの任意のトランジスター２３ａとこれに関連する要素を中心に説明する。

図４に示すように、複数のダミー画素電極２２０ｄのそれぞれの形状は、平面視でほぼ四角形状である。図示はしないが、複数のダミー画素電極２２０ｄは、平面視で、前述のダミー画素Ｐｄに対応して２行２列に配置される。また、ダミー画素電極２２０ｄに電気的に接続されるトランジスター２３ｄは、ダミー画素電極２２０ｄと同様にダミー画素領域Ａ２１に配置される。

図５は、図４中のＢ－Ｂ線断面を示す図である。図６は、図４中のＣ－Ｃ線断面を示す図である。以下の説明では、Ｚ１方向を上方とし、Ｚ２方向を下方として説明する。また、以下では、図５および図６に加え、後述の図７および図８を参照しつつ素子基板２００を説明する。

図５および図６に示すように、素子基板２００は、前述の第１基体２１０、複数の画素電極２２０および第１配向膜２３０のほか、積層体２０を有する。第１基体２１０、積層体２０、複数の画素電極２２０および第１配向膜２３０は、この順に積層される。本実施形態では、第１基体２１０は「第１層」に相当する。

第１基体２１０、凹部２１１を有する。凹部２１１は、第１基体２１０に形成された窪みである。なお、凹部２１１は、トランジスター２３ごとに存在する。図５および図６に示すように、凹部２１１内には、遮光膜６１が配置される。遮光膜６１は、トランジスター２３への光の入射を遮る。遮光膜６１がトランジスター２３に入射する光を遮ることにより、トランジスター２３のスイッチング動作が不安定になることが抑制される。遮光膜６１については後で詳述する。

第１基体２１０上には、遮光膜６１を覆って積層体２０が配置される。積層体２０は、透光性および絶縁性を有する。積層体２０は、複数の絶縁層２２１、２２２、２２３、２２４、２２５、２２６、２２７、２２８および２２９を有する。本実施形態では、絶縁層２２１は「第２層」に相当する。複数の絶縁層２２１、２２２、２２３、２２４、２２５、２２６、２２７、２２８および２２９は、この順に、第１基体２１０から遠ざかる方向に向かって積層される。複数の絶縁層２２１～２２９のそれぞれは、透光性および絶縁性を有しており、例えば、酸化シリコン等のケイ素を含む無機材料で構成される。複数の絶縁層２２１～２２９のそれぞれは、例えば、熱酸化またはＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等で形成される。また、絶縁層２２９は、画素電極２２０ａと接触する。絶縁層２２９は、例えばＢＳＧ（borosilicate glass）等のガラス等で構成される層を含んでもよい。

図５または図６に示すように、積層体２０には、走査線２４１と、信号線２４２と、第１定電位線２４３と、容量２５と、トランジスター２３ａと、中継電極２４５と、第２定電位線２４４とが配置される。また、積層体２０には、第１導通部２７１と、第２導通部２７２と、第３導通部２７３と、第４導通部２７４と、第５導通部２７５と、第６導通部２７６と、第７導通部２７７と、第８導通部２７８と、シールド部２７０とが配置される。第１導通部２７１は、「コンタクト部」の例示である。

図５および図６に示すように、絶縁層２２１は、第１基体２１０上に存在する。よって、絶縁層２２１は、第１基体２１０よりも前述の液晶層５００の近くに存在する。また、絶縁層２２１は、第１基体２１０に接触する。絶縁層２２１上にはトランジスター２３が配置される。トランジスター２３は、半導体層２３１、ゲート電極２３２およびゲート絶縁層２３３を有する。半導体層２３１は、絶縁層２２１と絶縁層２２２との間に配置される。ゲート電極２３２は、絶縁層２２２と絶縁層２２３との間に配置される。ゲート絶縁層２３３は、ゲート電極２３２とチャネル領域２３１ｃとの間に介在する。

図５に示すように、半導体層２３１は、ソース領域２３１ａ、ドレイン領域２３１ｂ、チャネル領域２３１ｃ、第１ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域２３１ｄ、および第２ＬＤＤ領域２３１ｅを有する。チャネル領域２３１ｃは、ソース領域２３１ａとドレイン領域２３１ｂとの間に配置される。第１ＬＤＤ領域２３１ｄは、チャネル領域２３１ｃとソース領域２３１ａとの間に位置する。第２ＬＤＤ領域２３１ｅは、チャネル領域２３１ｃとドレイン領域２３１ｂとの間に位置する。半導体層２３１は、例えば、ポリシリコンを成膜して形成され、チャネル領域２３１ｃを除く領域には、導電性を高める不純物がドープされる。第１ＬＤＤ領域２３１ｄおよび第２ＬＤＤ領域２３１ｅの不純物濃度は、ソース領域２３１ａおよびドレイン領域２３１ｂの不純物濃度よりも低い。なお、第１ＬＤＤ領域２３１ｄおよび第２ＬＤＤ領域２３１ｅのうちの少なくとも一方、特に第１ＬＤＤ領域２３１ｄは、省略されてもよい。

図７は、素子基板２００が有するトランジスター２３ａを示す平面図である。図７に示すように、ゲート電極２３２は、平面視で半導体層２３１のチャネル領域２３１ｃに重なる。また、ゲート電極２３２は、例えば、ポリシリコンに導電性を高める不純物がドープされることにより形成される。なお、ゲート電極２３２は、金属、金属シリサイドおよび金属化合物の導電性を有する材料を用いて形成されてもよい。また、図５に示すゲート絶縁層２３３は、例えば、熱酸化またはＣＶＤ法等で成膜される酸化ケイ素で構成される。

図５に示すように、絶縁層２２３と絶縁層２２４との間には、走査線２４１が配置される。絶縁層２２３には、第１導通部２７１が配置される。走査線２４１と第１導通部２７１とは別体であってもよいし、一体であってもよい。第１導通部２７１は、走査線２４１からＺ２方向に突出する壁状の部分である。第１導通部２７１は、走査線２４１とゲート電極２３２とを接続する。また、図６に示すように、第１導通部２７１は、絶縁層２２１、２２２および２２３を貫通し、遮光膜６１に接触する。第１導通部２７１は、走査線２４１と遮光膜６１とを接続する。

図８は、素子基板２００が有する走査線２４１および第１導通部２７１を示す平面図である。図８中では、便宜上、第１導通部２７１にドットパターンを付す。図８に示すように、走査線２４１は、Ｘ軸に沿って延び、平面視でゲート電極２３２に重なる。また、走査線２４１は、平面視で、半導体層２３１の第２ＬＤＤ領域２３１ｅに重ならず、第２ＬＤＤ領域２３１ｅの周囲に配置される。具体的には、第１導通部２７１は、平面視で、第２ＬＤＤ領域２３１ｅに対してＸ１方向に位置する部分と、第２ＬＤＤ領域２３１ｅに対してＸ２方向に位置する部分と、第２ＬＤＤ領域２３１ｅに対してＹ２方向に位置する部分と、を有する。

前述のように、第１導通部２７１は、「配線」としての走査線２４１と遮光膜６１とを接続する。第１導通部２７１は、遮光性を有しており、半導体層２３１の遮光部として機能する。また、図６に示すように、第１導通部２７１は、Ｙ軸の沿った方向からみて、半導体層２３１の両側に位置する。かかる第１導通部２７１が存在することで、第１導通部２７１が存在しない場合に比べ、半導体層２３１に対する遮光性を高めることができる。そのため、半導体層２３１への光の入射によりトランジスター２３のスイッチング動作が不安定になることを効果的に抑制することができる。また、前述のように、第１導通部２７１は、走査線２４１に接続される。よって、第１導通部２７１は、バックゲートとして機能する。なお、走査線２４１は、駆動回路１５０が有する走査線駆動回路１１０に電気的に接続される。

また、本実施形態では、ゲート電極２３２と第１導通部２７１とは電気的に接続されていなくてもよい。

図５に示すように、絶縁層２２４と絶縁層２２５との間には、第１定電位線２４３が配置される。第１定電位線２４３にはシールド部２７０が接続される。シールド部２７０は、絶縁層２２４を貫通して絶縁層２２３の厚さ方向の途中まで配置される。また、図８に示すように、シールド部２７０は、平面視で第２ＬＤＤ領域２３１ｅと重なる。シールド部２７０は、第１導通部２７１からの漏れ電界がトランジスター２３に影響することを抑制するシールドとして機能する。かかるシールド部２７０が存在することで、漏れ電界の影響を抑制しつつ、半導体層２３１の遮光性を向上させることができる。よって、表示異常の発生が抑制される。また、シールド部２７０は、半導体層２３１の遮光部としても機能する。

また、図８に示すように、前述の走査線２４１は、平面視で半導体層２３１の第２ＬＤＤ領域２３１ｅおよびドレイン領域２３１ｂに重ならない。このため、走査線２４１の漏れ電界が第２ＬＤＤ領域２３１ｅに作用することが抑制される。

図５および図６に示すように、絶縁層２２５上には、容量２５が配置される。容量２５は、第１容量２５１および第２容量２５２を有する。第１容量２５１は、絶縁層２２５と絶縁層２２６との間に配置される。第１容量２５１は、下部容量電極２５１１、上部容量電極２５１２、およびこれらの間に配置される誘電体層２５１３を有する。下部容量電極２５１１は、絶縁層２２５を貫通する第２導通部２７２を介して第１定電位線２４３に接続される。また、第２容量２５２は、絶縁層２２６と絶縁層２２７との間に配置される。第２容量２５２は、下部容量電極２５２１、上部容量電極２５２２、およびこれらの間に配置される誘電体層２５２３を有する。下部容量電極２５２１は、絶縁層２２６を貫通する第３導通部２７３を介して第１容量２５１の上部容量電極２５１２に接続される。また、下部容量電極２５２１は、絶縁層２２２～２２６を貫通する第４導通部２７４を介してトランジスター２３ａのドレイン領域２３１ｂに電気的に接続される。なお、下部容量電極２５１１、上部容量電極２５１２、下部容量電極２５２１、および上部容量電極２５２２は、例えば窒化チタン膜で構成される。

図６に示すように、絶縁層２２７と絶縁層２２８との間には、信号線２４２および中継電極２４５が配置される。図５に示すように、信号線２４２は、絶縁層２２２～２２７を貫通する第５導通部２７５を介してトランジスター２３のソース領域２３１ａに電気的に接続される。図６に示す中継電極２４５は、第１定電位線２４３と画素電極２２０ａとを電気的に接続するための電極である。中継電極２４５は、絶縁層２２６および２２７を貫通する第７導通部２７７を介して第１容量２５１の上部容量電極２５１２に接続される。また、中継電極２４５は、絶縁層２２８および２２９を貫通する第８導通部２７８を介して画素電極２２０ａに接続される。

図５および図６に示すように、絶縁層２２８と絶縁層２２９との間には、第２定電位線２４４が配置される。第２定電位線２４４は、Ｘ軸に沿って延びる。第２定電位線２４４には、第１定電位線２４３と同様に、例えばグランド電位等の固定電位が印加される。第１定電位線２４３に供給される固定電位と第２定電位線２４４に供給される固定電位とは、同電位である。なお、第２定電位線２４４と第１定電位線２４３とは、例えば、図１に示す周辺領域Ａ２０で結線されてもよい。

前述の走査線２４１、第１定電位線２４３、信号線２４２および第２定電位線２４４等の各種配線の材料は、導電性を有する材料であればよく、例えば、ポリシリコン、金属、金属窒化物、または金属シリサイドが挙げられる。当該金属としては、例えば、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）およびアルミニウム（Ａｌ）が挙げられる。具体的には、各種配線は、例えば、アルミニウム膜と窒化チタン膜との積層体で構成される。アルミニウム膜を含むことで、窒化チタン膜のみで構成される場合に比べて低抵抗化を図ることができる。なお、各種配線は、単一材料で構成されてもよいし、複数の材料を含んでいてもよい。

第１～第８導通部２７１～２７８およびシールド部２７０の各材料は、導電性を有する材料であればよく、例えば、金属、金属窒化物、または金属シリサイドが挙げられる。各材料は、特に、タングステンを含むことが好ましい。タングステンは遮光性および耐熱性に優れる。このため、タングステンを含むことで、第１～第８導通部２７１～２７８およびシールド部２７０のそれぞれ遮光性を向上させることができる。また、素子基板２００の製造時のおける熱処理により、第１～第８導通部２７１～２７８およびシールド部２７０のそれぞれが変質することが抑制される。また、各導通部は、単一材料で構成されてもよいし、複数の材料を含んでいてもよい。例えば、第１～第８導通部２７１～２７８およびシールド部２７０のそれぞれは、タングステンを主とする層と、タングステンナイトライドを含む層との積層構造であってもよい。

また、第２～第８導通部２７２～２７８およびシールド部２７０のそれぞれは、柱状のプラグであること好ましい。プラグであることで、トレンチである場合に比べ、各導通部の配置スペースを小さくすることができる。このため、各導通部の存在によって開口率が低下することを抑制することができる。

以上説明した素子基板２００は、図示しないが、光を収束または発散させるマイクロレンズアレイ等の光学部材を備えていてもよい。当該光学部材を備えることで、光の利用効率を充分に高めることができる。したがって、明るい電気光学装置１００を実現することができる。

１Ａ－４．遮光膜６１、６２および６３
図９は、素子基板２００が有する遮光膜６１、６２および６３を示す図である。図９は、図１中のＥ－Ｅ線断面に相当する。図９に示すように、素子基板２００は、複数の遮光膜６１と、複数の遮光膜６２と、複数の遮光膜６３とを有する。複数の遮光膜６１、複数の遮光膜６２および複数の遮光膜６３のそれぞれは、遮光性を有する。図９に示すように、複数の遮光膜６１は、表示領域Ａ１０に存在する。複数の遮光膜６２および複数の遮光膜６３のそれぞれは、周辺領域Ａ２０に存在する。また、複数の遮光膜６２は、周辺領域Ａ２０のうちのダミー画素領域Ａ２１に存在する。

なお、遮光膜６１は、前述のようにバックゲートとして機能する。これに対し、遮光膜６２および６３のそれぞれは、各種配線に電気的に接続されていない。しかし、遮光膜６２および６３のそれぞれは、任意の各種配線に電気的に接続されていてもよい。

図１０は、表示領域Ａ１０に存在する遮光膜６１を示す平面図である。図１０に示すように、複数の遮光膜６１は、複数のトランジスター２３に１対１で対応して配置される。各遮光膜６１は、平面視で、対応するトランジスター２３と重なる。特に、各遮光膜６１の平面視での面積は、対応する半導体層２３１の平面視での面積よりも大きい。また、トランジスター２３が平面視でＸ軸およびＹ軸に沿って行列状に配置されているため、複数の遮光膜６１は、平面視でＸ軸およびＹ軸に沿って行列状に配置される。また、図示の例では、遮光膜６１は、平面視で、Ｙ軸に沿って延びる長手形状をなす。遮光膜６１は、その長手方向の途中に、その長手方向における両端よりも幅が広い部分を有する。当該部分は、平面視でゲート電極２３２と重なる。

かかる各遮光膜６１は、トランジスター２３への光の入射を遮る。特に、図９に示すように、各遮光膜６１は、対応するトランジスター２３に対してＺ２方向に位置する。このため、素子基板２００側から入射される光が半導体層２３１に入射することを抑制することができる。このため、トランジスター２３のスイッチング動作が不安定になることが抑制される。よって、表示領域Ａ１０での表示品質が低下することが抑制される。

図１１は、ダミー画素領域Ａ２１に存在する遮光膜６２を示す平面図である。図１１に示すように、複数の遮光膜６２は、複数のダミー画素電極２２０ｄに１対１で対応して配置される。各遮光膜６２は、平面視で、対応するダミー画素電極２２０ｄと重なる。ダミー画素電極２２０ｄが２行２列で配置されているため、図示はしないが、複数の遮光膜６２は、２行２列で配置される。また、複数の遮光膜６２は、図示はしないが、平面視で、表示領域Ａ１０を囲む枠状に配置される。

各遮光膜６２は、ダミー画素電極２２０ｄへの光の入射を遮る。各遮光膜６２は、ダミー画素Ｐｄでの光の反射を抑制する。特に、図９に示すように、各遮光膜６２は、対応するダミー画素電極２２０ｄに対してＺ２方向に位置する。このため、素子基板２００側から入射される光の戻り光等により表示領域Ａ１０での表示品質が低下することが抑制される。

図１２は、周辺領域Ａ２０に存在する遮光膜６３を示す平面図である。図１２に示すように、複数の遮光膜６３は、駆動回路１５０に対応して配置される。具体的には、２個の走査線駆動回路１１０のうちの一方に平面視で重なる１個の遮光膜６３と、２個の走査線駆動回路１１０のうちの他方に平面視で重なる１個の遮光膜６３と、信号線駆動回路１２０に平面視で重なる１個の遮光膜６３とが存在する。

複数の遮光膜６３は、駆動回路１５０への光の入射を遮る。特に、図９に示すように、遮光膜６３は、駆動回路１５０に対してＺ２方向に位置する。このため、素子基板２００から対向基板３００に向かって入射する光が駆動回路１５０に入射することを抑制することができる。よって、駆動回路１５０に光が入射することによって誤動作が生じるおそれが抑制される。また、不必要な迷光が表示領域Ａ１０に入射することが回避される。よって、高いコントラストを確保することができるので、表示領域Ａ１０での表示品質が低下することが抑制される。

図１３は、素子基板２００が有する遮光膜６１、６２および６３のそれぞれを拡大した断面図である。図１３に示すように、遮光膜６１、６２および６３のそれぞれは、第１基体２１０に配置される。よって、遮光膜６１、６２および６３は、同層に位置する。本実施形態では、前述のように、第１基体２１０が「第１層」に相当し、絶縁層２２１が「第２層」に相当する。

図１３に示すように、第１基体２１０は、複数の凹部２１１と、複数の凹部２１２と、複数の凹部２１３とを有する。なお、図１３では、複数の凹部２１１のうちの１個、複数の凹部２１２のうちの１個、および複数の凹部２１３のうちの１個が代表して図示される。凹部２１１、凹部２１２、および凹部２１３のそれぞれは、第１基体２１０に形成される窪みである。凹部２１１は、表示領域Ａ１０に存在する。凹部２１２は、周辺領域Ａ２０のうちのダミー画素領域Ａ２１に存在する。凹部２１３は、周辺領域Ａ２０のうちのダミー画素領域Ａ２１を除く領域に存在する。凹部２１１内には、遮光膜６１が配置される。凹部２１２内には、遮光膜６２が配置される。凹部２１３内には、遮光膜６３が配置される。なお、凹部２１１は、遮光膜６１ごとに形成される。凹部２１２は、遮光膜６２ごとに形成される。凹部２１３は、遮光膜６３ごとに形成される。

凹部２１１は、底面２１１１と、側面２１１２とを有する。本実施形態では、底面２１１１は、Ｘ－Ｙ平面に沿った段差の無い連続的な平坦面である。側面２１１２は、底面２１１１と上面２１５とを繋ぐ。上面２１５は、第１基体２１０のうち絶縁層２２１に接触する平坦な部分である。また、本実施形態では、側面２１１２は、第１基体２１０の厚さ方向に平行なＺ軸に沿った面である。また、底面２１１１と側面２１１２とのなす角度は、ほぼ９０°である。なお、底面２１１１と側面２１１２とのなす角度は、９０°に限定されない。側面２１１２は、底面２１１１に対して傾斜していてもよい。また、底面２１１１と側面２１１２と接続部分は丸みを帯びていていもよい。同様に、側面２１１２と上面２１５との接続部分は丸みを帯びていていもよい。

同様に、凹部２１２は、底面２１２１と、側面２１２２とを有する。本実施形態では、底面２１２１は、Ｘ－Ｙ平面に沿った段差の無い連続的な平坦面である。側面２１２２は、底面２１２１と上面２１５とを繋ぐ。また、本実施形態では、側面２１２２は、Ｚ軸に沿った面である。また、底面２１２１と側面２１２２とのなす角度は、ほぼ９０°である。なお、底面２１２１と側面２１２２とのなす角度は、９０°に限定されない。側面２１２２は、底面２１２１に対して傾斜していてもよい。また、底面２１２１と側面２１２２と接続部分は丸みを帯びていていもよい。同様に、側面２１２２と上面２１５との接続部分は丸みを帯びていていもよい。

また、凹部２１３は、底面２１３１と、側面２１３２とを有する。本実施形態では、底面２１３１は、Ｘ－Ｙ平面に沿った段差の無い連続的な平坦面である。側面２１３２は、底面２１３１と上面２１５とを繋ぐ。また、本実施形態では、側面２１３２は、Ｚ軸に沿った面である。また、底面２１３１と側面２１３２とのなす角度は、ほぼ９０°である。なお、底面２１３１と側面２１３２とのなす角度は、９０°に限定されない。側面２１３２は、底面２１３１に対して傾斜していてもよい。また、底面２１３１と側面２１３２と接続部分は丸みを帯びていていもよい。同様に、側面２１３２と上面２１５との接続部分は丸みを帯びていていもよい。

凹部２１１の深さＤ１０と、凹部２１２の深さＤ２０と、凹部２１３の深さＤ３０とは、互いに等しい。また、これら凹部２１１、２１２および２１３は、例えば、シリコン等で構成されるハードマスクを用いてエッチングにより一括で形成される。また、遮光膜６１、６２および６３のそれぞれは、いわゆるダマシン法を用いて形成される。

遮光膜６１、６２および６３のそれぞれは、第１金属膜６０１と、第２金属膜６０２と、第３金属膜６０３とを有する。第３金属膜６０３は、第１基体２１０上に配置される。第２金属膜６０２は、第３金属膜６０３上に配置される。第１金属膜６０１は、第２金属膜６０２上に配置される。すなわち、第３金属膜６０３と、第２金属膜６０２と、第１金属膜６０１とは、第１基体２１０からこの順に積層される。以下の第１金属膜６０１、第２金属膜６０２および第３金属膜６０３については、遮光膜６１を代表的に説明する。

第３金属膜６０３は、例えばタングステンシリサイドで構成される。第２金属膜６０２は、例えばタングステンナイトライド（ＷＮ）またはチタンナイトライド（ＴｉＮ）で構成される。第１金属膜６０１は、タングステンで構成される。タングステンは、各種金属の中でも、耐熱性に優れ、かつ、例えば製造時の熱処理によってもＯＤ（Optical Density）値が低下し難い。よって、第１金属膜６０１がタングステンを含むことで、遮光膜６１の遮光性を高めることができる。

第２金属膜６０２および第３金属膜６０３が存在することで、これらが存在しない場合に比べ、第１基体２１０と遮光膜６１との密着性を高めることができる。特に、第３金属膜６０３は、ケイ素原子を含むため、ケイ素系の無機化合物で構成される第１基体２１０との密着性に優れる。

また、タングステンに比べてタングステンシリサイドは、熱処理によりＯＤ値が低下し易い。このため、第３金属膜６０３と第１金属膜６０１とが直接的に接触していると、第３金属膜６０３に含まれるタングステンシリサイドの影響で第１金属膜６０１のＯＤ値が低下するおそれがある。これに対し、第３金属膜６０３と第１金属膜６０１との間に第２金属膜６０２が存在すので、タングステンシリサイドの影響により第１金属膜６０１のＯＤ値が低下することが抑制される。つまり、第２金属膜６０２は、第３金属膜６０３に含まれるタングステンシリサイドが第１金属膜６０１に拡散しないようにするバリア層として機能する。

なお、第２金属膜６０２は、タングステンナイトライドとチタンナイトライドの両方を含む構成、および、タングステンナイトライドを含む金属窒化膜とチタンナイトライドを含む金属窒化膜の積層構造のいずれであってもよい。また、第１金属膜６０１、第２金属膜６０２および第３金属膜６０３は、それぞれ、前述の金属以外の材料で構成されてもよい。第１金属膜６０１、第２金属膜６０２および第３金属膜６０３は、それぞれ、少なくとも遮光性を有すればよく、例えば、前述の金属以外の金属または樹脂材料を含んで構成されてもよい。また、第２金属膜６０２および第３金属膜６０３の一方または両方は省略されてもよい。

遮光膜６１は、絶縁層２２１に接触する凹面６１０を有する。遮光膜６２は、絶縁層２２１に接触する凹面６２０を有する。遮光膜６３は、絶縁層２２１に接触する凹面６３０を有する。凹面６１０は、遮光膜６１に形成された窪みであり、Ｚ２方向に向かって凹む湾曲面である。凹面６１０の中央は、外縁よりも凹んでいる。同様に、凹面６２０は、遮光膜６２に形成された窪みであり、Ｚ２方向に向かって凹む湾曲面である。凹面６２０の中央は、外縁よりも凹んでいる。また、凹面６３０は、遮光膜６３に形成された窪みであり、Ｚ２方向に向かって凹む湾曲面である。凹面６３０の中央は、外縁よりも凹んでいる。

凹面６２０の深さＤ２は、凹面６１０の深さＤ１よりも深く、凹面６３０の深さＤ３より浅い。よって、深さＤ１、Ｄ２およびＤ３の関係は、Ｄ１＜Ｄ２＜Ｄ３を満たす。なお、深さＤ１、Ｄ２およびＤ３のそれぞれは、最大の深さである。

また、別の見方をすると、平面視で、素子基板２００における外縁よりも中央の近くに存在する遮光膜６１の深さＤ１は、素子基板２００の中央よりも外縁の近くに存在する遮光膜６３の深さＤ３よりも浅い。

前述のように、深さＤ１、Ｄ２およびＤ３の関係はＤ１＜Ｄ２＜Ｄ３を満たし、かつ、深さＤ１０、Ｄ２０および３０は互いに等しい。このため、遮光膜６２の厚さＴ２は、遮光膜６１の厚さＴ１よりも薄く、遮光膜６３の厚さＴ３よりも厚い。よって、厚さＴ１、Ｔ２およびＴ３の関係は、Ｔ３＜Ｔ２＜Ｔ１を満たす。なお、厚さＴ１、Ｔ２およびＴ３のそれぞれは、最小の厚さである。また、前述の第１金属膜６０１の厚さは、遮光膜６１、６２および６３で互いに異なる。

また、遮光膜６１、６２および６３のそれぞれでは、前述の第３金属膜６０３の厚さは、第２金属膜６０２の厚さよりも厚く、第１金属膜６０１の厚さよりも薄い。なお、第１金属膜６０１、第２金属膜６０２および第３金属膜６０３のそれぞれの厚さは、平均の厚さである。第１金属膜６０１の厚さが最も厚いことで、遮光膜６１、６２および６３の各遮光性を高めることができる。また、第３金属膜６０３は、第１基体２１０に対する密着性に特に優れるので、第３金属膜６０３の厚さが第２金属膜６０２よりも厚いことで、薄い場合に比べ、遮光膜６１、６２および６３のそれぞれの第１基体２１０に対する密着性を高めることができる。

なお、第１金属膜６０１、第２金属膜６０２および第３金属膜６０３の各厚さの大小関係は、前述した関係に限定されない。また、当該各厚さの大小関係は、遮光膜６１、６２および６３のそれぞれで互いに異なっていてもよい。

第１金属膜６０１の厚さは、特に限定されないが、例えば、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。第２金属膜６０２の厚さは、特に限定されないが、例えば、０．１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。第３金属膜６０３の厚さは、特に限定されないが、例えば、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。当該各厚さが前述の範囲を満足することで、遮光膜６１の全体の厚さＴ１を抑えつつ、遮光膜６１の密着性を高めるとともに遮光膜６１の遮光性を高めるという効果を特に顕著に発揮できる。なお、遮光膜６２および６３についても同様の効果が発揮される。

また、前述のように遮光膜６１は平面視でトランジスター２３と重なり、遮光膜６２は平面視でダミー画素電極２２０ｄと重なり、遮光膜６３は平面視で例えば走査線駆動回路１１０と重なる。遮光膜６２の平面視での面積は、遮光膜６１の平面視での面積よりも大きく、遮光膜６３の平面視での面積よりも小さい。

以上説明のように、遮光膜６１、６２および６３のそれぞれは、「第１層」としての第１基体２１０と、「第２層」としての絶縁層２２１との間に配置される。また、遮光膜６１、６２および６２のそれぞれは、タングステンを含む。タングステンを含むことで、前述のように、遮光膜６１、６２および６２のそれぞれ遮光性を高めることができる。

また、前述のように、遮光膜６１は凹面６１０を有し、遮光膜６２は凹面６２０を有し、遮光膜６３は凹面６３０を有する。このため、厚さＴ１の一定でなく、厚さＴ２は一定でなく、厚さＴ３は一定ではない。ここで、厚さＴ１、Ｔ２よびＴ３のそれぞれが厚いほど、遮光性は高くなる。また、タングステンは遮光性に優れる。しかし、遮光膜６１、６２および６３のそれぞれを過度に厚くしすぎると、膜ストレスによって、第１基体２１０の反りの増大、および遮光膜６１、６２および６３の各クラックの発生等の不具合が生じるおそれがある。そこで、凹面６１０、６２０および６３０を設けることで、遮光膜６１、６２および６３の平面視での各面積を確保しつつ、厚さＴ１、Ｔ２およびＴ３のそれぞれが過度に厚くなることが抑制される。それゆえ、当該不具合の発生を抑制しつつ、トランジスター２３等への光の入射を抑制することができる。したがって、表示領域Ａ１０での表示品質が低下することが抑制される。

また、例えば、遮光性が著しく低下しない程度に遮光膜６１の厚さＴ１を均一に薄くすることで、第１基体２１０にかかる応力を低減し、よって、第１基体２１０の反りを抑制することが考えられる。これに対し、本実施形態では、遮光膜６１に凹面６１０を設けることにより遮光膜６１の厚さＴ１を薄くしている。これにより、遮光膜６１の厚さＴ１を均一に薄くする場合に比べ、遮光膜６１と第１基体２１０との接触面積を増やすことができる。このため、製造時等において、遮光膜６１が第１基体２１０から剥がれることが抑制される。例えば、厚さＴ１を均一に薄くする場合、例えば凹部２１１の深さＤ１０が浅くなるので、遮光膜６１と第１基体２１０との接触面積が減ってしまう。これに対し、本実施形態では、凹部２１１の深さＤ１０を確保することで遮光膜６１と第１基体２１０との接触面積を増加させ、かつ、遮光膜６１に凹面６１０を設けることで厚さＴ１を薄くしている。これにより、第１基体２１０の反り、および遮光膜６１の剥がれの双方を効果的に抑制することができる。なお、遮光膜６２および６３についても同様のことがいえる。

本実施形態では、遮光膜６１が「第１遮光膜」に相当し、遮光膜６２および６３のそれぞれが「第２遮光膜」に相当する。遮光膜６１は表示領域Ａ１０に存在し、遮光膜６２および６３のそれぞれは周辺領域Ａ２０に存在する。また、凹面６１０は「第１凹面」に相当し、凹面６２０および凹面６３０のそれぞれは「第２凹面」に相当する。そして、前述のように、凹面６１０の深さＤ１と、凹面６２０の深さＤ２とは、互いに異なる。同様に、凹面６１０の深さＤ１と、凹面６３０の深さＤ３とは、互いに異なる。本実施形態では、凹面６１０の深さＤ１は、凹面６２０の深さＤ２よりも浅い。同様に、凹面６１０の深さＤ１は、凹面６３０の深さＤ３よりも浅い。

表示領域Ａ１０は画像を表示する領域である。このため、表示領域Ａ１０は、周辺領域Ａ２０に比べ、光の透過量が多い。また、表示領域Ａ１０に存在するトランジスター２３の誤作動は、表示の品質の劣化に関わる。よって、表示領域Ａ１０に存在する遮光膜６１は遮光膜６２および６３よりも遮光性に優れることが好ましい。また、素子基板２００に存在する全ての遮光膜６１、６２および６３を厚くすると、第１基体２１０に生じる応力が大きくなってしまう。そこで、本実施形態では、凹面６１０の深さＤ１を凹面６２０の深さＤ２および凹面６３０の深さＤ３のそれぞれよりも浅くすることにより、厚さＴ１よりも厚さＴ２およびＴ３のそれぞれを薄くしている。この結果、第１基体２１０に生じる応力が大きくなることを抑制することができる。よって、表示領域Ａ１０での遮光性を特に高めることができるとともに、第１基体２１０の反りの増大を抑制することができる。このように、遮光性を高めたい箇所に応じて、厚さを調整することで、当該箇所に対する遮光性を高めつつ、第１基体２１０の反りの増大を抑制することができる。

また、前述のように、遮光膜６１の平面視での面積と、遮光膜６２の平面視での面積とは、互いに異なる。同様に、遮光膜６１の平面視での面積と、遮光膜６３の平面視での面積とは、互いに異なる。本実施形態では、遮光膜６１の平面視での面積は、遮光膜６２の平面視での面積よりも小さい。同様に、遮光膜６１の平面視での面積は、遮光膜６３の平面視での面積よりも小さい。また、遮光膜６１の厚さＴ１は、遮光膜６２の厚さＴ２よりも厚い。同様に、遮光膜６１の厚さＴ１は、遮光膜６３の厚さＴ３よりも厚い。つまり、平面視での面積が大きい方が、厚さが薄い。このため、平面視での面積が大きい方が、厚さが厚い場合に比べ、第１基体２１０に生じる応力が大きくなることが抑制される。よって、第１基体２１０の反りの増大を抑制することができる。

また、本実施形態では、遮光膜６２が「第３遮光膜」に相当し、遮光膜６３が「第４遮光膜」に相当する。また、凹面６２０が「第３凹面」に相当し、凹面６３０が「第４凹面」に相当する。そして、凹面６２０の深さＤ２と、凹面６３０の深さＤ３とは、互いに異なる。本実施形態では、凹面６２０の深さＤ２は、凹面６３０の深さＤ３よりも浅い。遮光膜６２は、前述のようにダミー画素電極２２０ｄに対応して配置される。一方、遮光膜６３は、駆動回路１５０に対応して配置される。駆動回路１５０が有する走査線駆動回路１１０および信号線駆動回路１２０のそれぞれは、図示しない複数の半導体素子を有する。当該複数の半導体素子に跨って遮光膜６３を配置すると、平面視での面積が増大し易い。この結果、第１基体２１０に生じる応力が大きくなり易い。したがって、凹面６３０の深さＤ３を凹面６２０の深さＤ２よりも深くすることにより、遮光膜６３の厚さＴ３を遮光膜６２の厚さよりも薄くすることで、厚さＴ３が過度に厚くなることが抑制される。よって、第１基体２１０の反りの増大をより効果的に抑制することができる。

また、本実施形態では、第１基体２１０に設けられる凹部２１１は「第１凹部」に相当し、第１基体２１０に設けられる凹部２１２は「第２凹部」に相当する。また、凹部２１２は「第３凹部」に相当し、第１基体２１０に設けられる凹部２１３は「第４凹部」に相当する。前述のように、凹部２１１内には遮光膜６１が配置され、凹部２１２内には遮光膜６２が配置され、凹部２１３内には遮光膜６３が配置される。

凹部２１１内に遮光膜６１が配置されることで、遮光膜６１が第１基体２１０の上面２１５に配置される場合に比べ、遮光膜６１の厚さを厚く形成し易く、かつ、遮光膜６１と第１基体２１０との密着性を向上させることができる。つまり、ダマシン法により遮光膜６１を形成することで、厚さＴ１を厚く形成し易く、かつ遮光膜６１と第１基体２１０との密着性を高めることができる。そのため、遮光膜６１の剥がれ等が抑制されるとともに、遮光性の向上を図ることができる。なお、凹部２１２および凹部２１３についても同様である。また、小型で品質の高い素子基板２００を形成するためには、遮光膜６１は、微細でかつ形状精度に優れることが望まれる。ダマシン法を用いて凹部２１１内に遮光膜６１を形成することで、遮光膜６１の微細化を図ることができる。なお、凹部２１２および凹部２１３についても同様である。

また、図１３に示すように、凹部２１１の底面２１１１は、段差の無い連続的な平坦面である。底面２１１１に段差がないことで、段差での光の乱反射を抑制することができる。このため、トランジスター２３に光が入射するおそれをより低減することができる。

また、例えば、遮光膜６１、６２および６３は以下のようにして同一工程で形成される。まず、タングステンを含む金属膜が第１基体２１０上にＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等により成膜される。その後、ＣＭＰ（chemical mechanical polishing）等を施す。これにより、遮光膜６１、６２および６３が形成される。遮光膜６１、６２および６３の製造条件を調整することで、例えばディッシング等を利用して、深さＤ１、Ｄ２およびＤ３を調整することができる。また、例えば、凹部２１１、凹部２１２および凹部２１３の平面視での各面積を異ならせることで、深さＤ１、Ｄ２およびＤ３を調整することができる。つまり、遮光膜６１、６２および６３の平面視での各面積を異ならせることで、深さＤ１、Ｄ２およびＤ３を調整することができる。したがって、遮光膜６１、６２および６３の平面視での各面積を調整することで、厚さＴ１、Ｔ２およびＴ３を調整することができる。

また、複数の遮光膜６１は連結しておらず、遮光膜６１はトランジスター２３ごとに配置される。そのため、遮光膜６１の膜ストレスにより第１基体２１０の反りの増大を抑制することができる。なお、複数の遮光膜６１は連結されていてもよい。

また、本実施形態では、遮光膜６１、６２および６３は、素子基板２００に存在する。素子基板２００には、複数のトランジスター２３、および図示しない複数の半導体素子が存在する。このため、これら複数のトランジスター２３等に対する遮光性を確保するために、遮光膜６１、６２および６３は、対向基板３００に存在するよりも素子基板２００に存在する方が好ましい。複数のトランジスター２３等に対する遮光性を確保することで、表示品質をより高めることができる。

また、例えば、素子基板２００における表示領域Ａ１０および周辺領域Ａ２０の各割合、第１基体２１０の反り具合、および遮光性を確保したい箇所に応じて、各厚さＴ１、Ｔ２およびＴ３等が調整される。

１Ｂ．第２実施形態
第２実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

図１４は、第２実施形態における遮光膜６１、６２および６３を拡大した断面図である。本実施形態では、遮光膜６１、６２および６３の平面視での各面積の大小関係等が、第１実施形態の当該大小関係等と異なる。当該大小関係が異なること以外、図１４に示す遮光膜６１、６２および６３は第１実施形態と同様である。

図１４に示すように、遮光膜６１の凹面６１０の深さＤ１は、遮光膜６２の凹面６２０の深さＤ２とよりも深い。同様に、遮光膜６１の凹面６１０の深さＤ１は、遮光膜６３の凹面６３０の深さＤ３とよりも深い。深さＤ１を、深さＤ２およびＤ３のそれぞれよりも深くすることで、厚さＴ２およびＴ３のそれぞれが、厚さＴ１よりも厚く形成され易い。この結果、第１実施形態に比べて周辺領域Ａ２０における遮光性を高めることができる。例えば、素子基板２００における周辺領域Ａ２０の面積の割合によっては、厚さＴ２およびＴ３のそれぞれが厚さＴ１よりも厚くなっても、第１基体２１０の反りの増大が抑制される。また、例えば、遮光膜６１の平面視での面積が充分に大きい場合、遮光膜６１の厚さＴ１を、厚さＴ２またはＴ３よりも薄くしても、トランジスター２３への光の入射を充分に遮ることができる。

また、本実施形態では、遮光膜６１の平面視での面積は、遮光膜６２の平面視での面積よりも大きい。同様に、遮光膜６１の平面視での面積は、遮光膜６３の平面視での面積よりも大きい。また、遮光膜６１の厚さＴ１は、遮光膜６２の厚さＴ２よりも薄い。同様に、遮光膜６１の厚さＴ１は、遮光膜６３の厚さＴ３よりも薄い。つまり、平面視での面積が大きい方が、厚さが薄い。このため、平面視での面積が大きい方が、厚さが厚い場合に比べ、第１基体２１０に生じる応力が大きくなることが抑制される。よって、第１基体２１０の反りの増大を抑制することができる。

なお、図示はしないが、例えば、本実施形態の各遮光膜６２は、平面視で、ダミー画素電極２２０ｄとは重ならず、ダミー画素電極２２０ｄに電気的に接続されるトランジスター２３ｄに重なる。この場合、遮光膜６２の平面視での面積は、遮光膜６１の平面視での面積よりも小さくてもよい。

また、図示はしないが、例えば、本実施形態の複数の遮光膜６３は、駆動回路１５０が有る複数の半導体素子のそれぞれに個別に対応して配置される。このため、半導体素子のサイズ等によっては、遮光膜６１の平面視での面積よりも遮光膜６３の平面視での面積が小さくてもよい。

また、本実施形態では、凹面６２０の深さＤ２は、凹面６３０の深さＤ３よりも深い。よって、遮光膜６２の厚さＴ２は、遮光膜６３の厚さＴ３よりも薄い。例えば、ダミー画素領域Ａ２１の平面視での面積が、駆動回路１５０の平面視での面積よりも大きい場合、厚さＴ２が厚さＴ３よりも薄いことで、厚さＴ２が厚さＴ３よりも厚い場合に比べ、第１基体２１０の反りの増大を抑制することができる。

以上の第２実施形態の遮光膜６１、６２および６３によっても、第１実施形態と同様に、遮光性の向上を図ることができる。

１Ｃ．第３実施形態
第３実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

図１５は、第３実施形態にかかる電気光学装置１００Ａが有する第１画素ＰＢ、第２画素ＰＧおよび第３画素ＰＲを示す図である。本実施形態における電気光学装置１００Ａは、第１画素ＰＢ、第２画素ＰＧおよび第３画素ＰＲを有すること以外、第１実施形態の電気光学装置１００と同様である。また、電気光学装置１００Ａは、例えば、後述の図２４に示す単板式のプロジェクターに適用される。この場合、例えば、第１画素ＰＢは青色の波長域に対応し、第２画素ＰＧは緑色の波長域に対応し、第３画素ＰＲは赤色の波長域に対応する。

図１５に示すように、電気光学装置１００Ａが有する表示領域Ａ１０は、複数の第１画素ＰＢと、複数の第２画素ＰＧと、複数の第３画素ＰＲと、を有する。複数の第１画素ＰＢ、複数の第２画素ＰＧおよび複数の第３画素ＰＲは、Ｙ軸に沿ってスタライプ状に並ぶ。なお、第１画素ＰＢ、第２画素ＰＧおよび第３画素ＰＲの配列は、図示の例に限定されず、例えばスタガ状であってもよい。

図１５に示す例では、各第３画素ＰＲの平面視での面積は、各第１画素ＰＢの平面視での面積よりも大きく、各第２画素ＰＧの平面視での面積よりも小さい。なお、第１画素ＰＢ、第２画素ＰＧおよび第３画素ＰＲの各平面視での面積の大小関係は、図示の例に限定されず、任意である。例えば、各第１画素ＰＢの平面視での面積は、各第３画素ＰＲの平面視での面積よりも大きく、各第２画素ＰＧの平面視での面積よりも大きくてもよい。

第１画素ＰＢ、第２画素ＰＧおよび第３画素ＰＲのそれぞれは、各配置および平面視での面積が異なること以外、第１実施形態における画素Ｐと同様の構成である。以下では、第１画素ＰＢに関連する要素の符号に「ｂ」の添え字を付し、第２画素ＰＧに関連する要素の符号に「ｇ」の添え字を付し、第３画素ＰＲに関連する要素の符号に「ｒ」の添え字を付す。また、第１画素ＰＢ、第２画素ＰＧおよび第３画素ＰＲを区別する必要が無い場合、画素Ｐと称する。また、第１画素ＰＢ、第２画素ＰＧおよび第３画素ＰＲを区別する必要が無い場合、第１画素ＰＢ、第２画素ＰＧおよび第３画素ＰＲのそれぞれに対応する要素には添え字を付さない。

図１６は、第３実施形態における素子基板２００Ａの表示領域Ａ１０を示す平面図である。図１６に示すように、素子基板２００Ａでは、画素電極２００ｒ、画素電極２００ｇおよび画素電極２００ｒの平面視での各面積が互いに異なる。具体的には、図１６に示すように、画素電極２００ｒの平面視での面積は、画素電極２００ｂの平面視での面積よりも大きく、画素電極２００ｇの平面視での面積よりも小さい。

同様に、素子基板２００Ａでは、トランジスター２３ｒ、トランジスター２３ｇおよびトランジスター２３ｒの平面視での各面積が互いに異なる。具体的には、図１６に示すように、トランジスター２３ｒが有する半導体層２３１のＸ軸に沿った長さは、トランジスター２３ｂが有する半導体層２３１のＸ軸に沿った長さよりも大きく、トランジスター２３ｇが有する半導体層２３１のＸ軸に沿った長さよりも小さい。よって、トランジスター２３ｒの平面視での面積は、トランジスター２３ｂの平面視での面積よりも大きく、トランジスター２３ｇの平面視での面積よりも小さい。

また、素子基板２００Ａでは、遮光膜６１ｂ、６２ｇおよび６１ｒの平面視での各面積が互いに異なる。具体的には、遮光膜６１ｒの平面視での面積は、遮光膜６１ｂの平面視での面積よりも大きく、遮光膜６１ｇの平面視での面積よりも小さい。ここで、遮光膜６１ｂ、６２ｇおよび６１ｒのうちのいずれか１つが「第５遮光膜」に相当し、遮光膜６１ｂ、６２ｇおよび６１ｒのうちの他の１つが「第６遮光膜」に相当する。例えば、遮光膜６１ｂが「第５遮光膜」に相当し、遮光膜６１ｇが「第６遮光膜」に相当する。この場合、遮光膜６１ｂの凹面６１０ｂが「第５凹面」に相当し、遮光膜６１ｇの凹面６１０ｇが「第６凹面」に相当する。

図１７は、第３実施形態における遮光膜６１ｂ、６２ｇおよび６１ｒを拡大した断面図である。図１７に示すように、素子基板２００Ａでは、遮光膜６１ｂの凹面６１０ｂの深さＤ１ｂ、遮光膜６１ｇの凹面６１０ｇの深さＤ１ｇ、および遮光膜６１ｒの凹面６１０ｒの深さＤ１ｒは、互いに異なる。よって、素子基板２００Ａでは、遮光膜６１ｂの厚さＴ１ｂ、遮光膜６１ｇの厚さＴ１ｇ、および遮光膜６１ｒの厚さＴ１ｒは、互いに異なる。具体的には、図１７に示すように、凹面６１０ｒの深さＤ１ｒは、凹面６１０ｂの深さＤ１ｂとよりも深く、凹面６１０ｇの深さＤ１ｇとよりも浅い。遮光膜６１ｒの厚さＴ１ｒは、遮光膜６１ｂの厚さＴ１ｂとよりも薄く、遮光膜６１ｇの厚さＴ１ｇとよりも厚い。

このように、本実施形態では、遮光膜６１の平面視での面積は、トランジスター２３の半導体層２３１の平面視での面積に対応している。半導体層２３１の平面視での面積に応じて、遮光膜６１の平面視での面積を調整することで、半導体層２３１への光の入射を効果的に抑制することができ、よって、トランジスター２３のスイッチング動作が不安定になることが抑制される。また、遮光膜６１の平面視での面積に応じて、遮光膜６１の厚さを調整することで、第１基体２１０の反りを抑制することができる。

また、本実施形態では、第１基体２１０が有する凹部２１１ｂ、２１１ｇおよび２１１ｒのいずれか１つが「第５凹部」に相当し、遮光膜６１ｂ、６２ｇおよび６１ｒのうちの他の１つが「第６凹部」に相当する。例えば、遮光膜６１ｂが「第５遮光膜」に相当し、遮光膜６１ｇが「第６遮光膜」に相当する場合、凹部２１１ｂが「第５凹部」に相当し、凹部２１１ｇが「第６凹部」に相当する。

本実施形態においても第１実施形態と同様に、凹部２１１内に遮光膜６１が配置されることで、遮光膜６１が第１基体２１０の上面２１５に配置される場合に比べ、遮光膜６１の厚さを厚く形成し易く、かつ、遮光膜６１と第１基体２１０との密着性を向上させることができる。よって、遮光膜６１の遮光性を高めることができ、かつ、遮光膜６１の剥がれを抑制することができる。

以上の第３実施形態の遮光膜６１ｂ、６１ｇおよび６１ｒによっても、第１実施形態と同様に、遮光性の向上を図ることができる。

１Ｄ．第４実施形態
第４実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

図１８は、第４実施形態における遮光膜６１Ｂ、６２Ｂおよび６３Ｂを拡大した断面図である。図１９は第４実施形態における表示領域Ａ１０に存在する遮光膜６１Ｂを示す平面図である。本実施形態では、遮光膜６１Ｂ、６２Ｂおよび６３Ｂの各形状が、第１実施形態における遮光膜６１、６２および６３の各形状と異なる。当該形状が異なること以外、遮光膜６１、６２Ｂおよび６３Ｂは遮光膜６１、６２および６３と同様の構成である。また、本実施形態では、凹部２１１Ｂ、２１２Ｂおよび２１３Ｂの形状は、第１実施形態における凹部２１１、２１２および２１３の形状と異なる。当該形状が異なること以外、凹部２１１Ｂ、２１２Ｂおよび２１３Ｂは凹部２１１、２１２および２１３と同様の構成である。

図１８に示すように、第１基体２１０Ｂが有する凹部２１１Ｂの底面２１１１Ｂは、段差２１１５を有する。同様に、凹部２１２Ｂの底面２１２１Ｂは、段差２１２５を有する。また、凹部２１３Ｂの底面２１３１Ｂは、段差２１３５を有する。よって、「第１凹部」、および「第２凹部」の各底面は、段差を有する。また、「第３凹部」、および「第４凹部」の各底面は、段差を有する。

図１８および図１９に示すように、段差２１１５の存在によって、平面視における凹部２１１Ｂの底面２１１１Ｂの中央は、その外縁よりも凹んでいる。同様に、図示はしないが、段差２１２５の存在によって、平面視における凹部２１２Ｂの底面２１２１Ｂの中央は、その外縁よりも凹んでいる。また、図示はしないが、段差２１３５の存在によって、平面視における凹部２１３Ｂの底面２１３１Ｂの中央は、その外縁よりも凹んでいる。なお、凹部２１３Ｂは、駆動回路１５０が有する半導体素子ごとに段差２１３５が形成されてもよい。すなわち、１個の凹部２１３Ｂには、複数の段差２１３５が存在していてもよい。

図１８に示すように、遮光膜６１Ｂにおける第１基体２１０Ｂとの接触面の形状は、凹部２１１Ｂの形状に対応している。よって、遮光膜６１Ｂにおける第１基体２１０Ｂとの接触面は、段差面を有する。同様に、遮光膜６２Ｂにおける第１基体２１０Ｂとの接触面の形状は、凹部２１２Ｂの形状に対応している。よって、遮光膜６２Ｂにおける第１基体２１０Ｂとの接触面は、段差面を有する。また、遮光膜６３Ｂにおける第１基体２１０Ｂとの接触面の形状は、凹部２１３Ｂの形状に対応している。よって、遮光膜６３Ｂにおける第１基体２１０Ｂとの接触面は、段差面を有する。

遮光膜６１Ｂ、６２Ｂおよび６３Ｂのそれぞれは、いわゆるデュアルダマシン法を用いて形成される。デュアルダマシン法を用いることで、ダマシン法を用いる場合に比べ、遮光膜６１Ｂ、６２Ｂ、および６２Ｂの各クラック耐性をさらに高めることができる。また、遮光膜６１Ｂの中央部分の厚さは、段差２１１５の存在によって、外周部分の厚さに比べて厚い。当該中央部分は、平面視で、図７に示すチャネル領域２３１ｃ、第１ＬＤＤ領域２３１ｄ、および第２ＬＤＤ領域２３１ｅと重なる。よって、遮光膜６１Ｂによって、トランジスター２３のスイッチング動作が不安定になることをより効果的に抑制することができる。

図示はしないが、本実施形態で示すデュアルダマシン法は第３実施形態に適用可能である。つまり、図１７に示す凹部２１１ｂの底面２１１１、凹部２１１ｇの底面２１１１、および凹部２１１ｒの底面２１１１のそれぞれは、段差２１１５を有してもよい。したがって、例えば、図１７に示す凹部２１１ｂが「第５凹部」に相当し、凹部２１１ｇが「第６凹部」に相当する場合、凹部２１１ｂの底面２１１１、および凹部２１１ｇの底面２１１１のそれぞれが段差２１１５を有してもよい。段差２１１５を有することで、有さない場合に比べ、前述のように遮光膜６１のクラック耐性を高めることができる。

以上の第４実施形態の遮光膜６１Ｂ、６２Ｂおよび６３Ｂによっても、第１実施形態と同様に、遮光性の向上を図ることができる。なお、前述の説明では、遮光膜６１Ｂ、６２Ｂおよび６３Ｂの全てが、デュアルダマシン法で形成されたが、これらのうちのいずれかは、例えば、ダマシン法で形成されてもよい。

１Ｅ．第５実施形態
第５実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

図２０は、第５実施形態における遮光膜６１、６２および６３を拡大した断面図である。本実施形態では、遮光膜６１の厚さＴ１、遮光膜６２の厚さＴ２および遮光膜の厚さＴ３が互いに等しい。厚さＴ１、厚さＴ２および厚さＴ３が互いに等しいこと以外、図２０に示す遮光膜６１、６２および６３は第１実施形態と同様である。また、本実施形態では、凹部２１１の深さＤ１０、凹部２１２の深さＤ２０、凹部２１３の深さＤ３０が、互いに異なる。深さＤ１０、Ｄ２０およびＤ３０が互いに異なること以外、図２０に示す凹部２１１、２１２および２１３は第１実施形態と同様である。

図２０に示すように、凹部２１２の深さＤ２０は、凹部２１１の深さＤ１０よりも深く、凹部２１３の深さＤ３０よりも浅い。よって、深さＤ１０、Ｄ２０およびＤ３０の関係は、Ｄ１０＜Ｄ２０＜Ｄ３０を満たす。また、本実施形態では、第１実施形態と同様に、凹面６２０の深さＤ２は、凹面６２０の深さＤ１よりも深く、凹面６３０の深さＤ３より浅い。また、本実施形態では、第１実施形態と同様に、遮光膜６２の平面視での面積は、遮光膜６１の平面視での面積よりも大きく、遮光膜６３の平面視での面積よりも小さい。そして、本実施形態では、厚さＴ１、Ｔ２およびＴ３は、互いに等しい。

本実施形態のように、凹部２１１、２１２および２１３の平面積での各面積がこの順に広くなることに応じて、凹面６１０の深さＤ１、凹面６２０の深さＤ２および凹面６３０の深さＤ３がこの順に深くなる。深さＤ１、Ｄ２およびＤ３の各深さに応じて、あらかじめ深さＤ１０、Ｄ２０およびＤ３０の各深さを調整することで、厚さＴ１、Ｔ２およびＴ３を等しくすることができる。よって、各遮光膜６１、６２および６３の各遮光性のばらつきを抑制することができる。

以上の第５実施形態の遮光膜６１、６２および６３によっても、第１実施形態と同様に、遮光性の向上を図ることができる。

１Ｆ．変形例
以上に例示した各形態は多様に変形され得る。前述の各形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。また、以下の第１実施形態の各変形の態様は、相互に矛盾しない範囲で第２～第５実施形態に適宜適用される。

前述した第１実施形態では、遮光膜６１の平面視での面積、遮光膜６２の平面視での面積、および遮光膜６３の平面視での面積はこの順に大きくなるが、平面視での各面積の大小関係は、当該順に限定されない。同様に、深さＤ１、Ｄ２およびＤ３はこの順に深くなるが、深さＤ１、Ｄ２およびＤ３の大小関係は、当該順に限定されない。また、厚さＴ３、Ｔ２およびＴ１はこの順に厚くなるが、厚さＴ１、Ｔ２およびＴ３の大小関係は、当該順に限定されない。

前述した第１実施形態では、遮光膜の平面視での各面積は互いに異なるが、互いに等しくてもよい。同様に、深さＤ１、Ｄ２およびＤ３は互いに異なるが、互いに等しくてもよい。厚さＴ１、Ｔ２およびＴ３は互いに異なるが、互いに等しくてもよい。深さＤ１０、Ｄ２０およびＤ３０は互いに等しいが、異なっていてもよい。

前述した第１実施形態では、第１基体２１０が「第１層」に相当し、絶縁層２２１が「第２層」に相当する。しかし、「第１層」は第１基体２１０以外であってもよく、「第２層」は絶縁層２２１以外であってもよい。例えば、「第１層」は絶縁層２２１であり、「第２層」は絶縁層２２２でもよい。また、遮光膜６１は、トランジスター２３よりも上層に位置してもよい。

前述した第１実施形態では、素子基板２００が「遮光膜」を有するが、対向基板３００が「遮光膜」と有してもよい。この場合、例えば、図示しないが、対向基板３００が複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分するブラックマトリクスを有する場合、当該ブラックマトリクスが「遮光膜」に相当してもよい。また、対向基板３００が有る見切部３５０が「遮光膜」に相当してもよい。

前述した第１実施形態では、遮光膜６１、６２および６３が存在するが、遮光膜６１、６２および６３のいずれかは省略されてもよい。例えば、遮光膜６２および６３は省略されてもよい。また、凹部２１１、２１２および２１３のそれぞれは、省略されてもよい。よって、例えば、遮光膜６１、６２および６３のそれぞれは、第１基体２１０の上面２１５に存在していてもよい。

前述した第１実施形態では、凹面６１０、６２０および６３０のそれぞれは、湾曲状であるが、段差を有する形状であってもよい。前述した第１実施形態では、凹部２１１の底面２１１１、凹部２１２の底面２１２１、および凹部２１３の底面２１３１のそれぞれは、平坦面であるが、湾曲面であってもよい。前述した第１実施形態では、凹部２１１の側面２１１２、凹部２１２の側面２１２２、および凹部２１３の側面２１３２のそれぞれは、平坦面であるが、湾曲面であってもよい。

前述の第１実施形態では、トランジスター２３としてＴＦＴを用いる場合を例に説明したが、トランジスター２３はＴＦＴに限定されず、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）等であってもよい。

前述の第１実施形態では、アクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置１００が例示されるが、これに限定されず、電気光学装置の駆動方式は、例えば、パッシブマトリクス駆動方式等でもよい。

２．電子機器
電気光学装置１００は、各種電子機器に用いることができる。

図２１は、電子機器の一例であるパーソナルコンピューター２０００を示す斜視図である。パーソナルコンピューター２０００は、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設置される本体部２０１０と、制御部２００３と、を有する。制御部２００３は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。パーソナルコンピューター２０００では、電気光学装置１００の代わりに電気光学装置１００Ａが用いられてもよい。

図２２は、電子機器の一例であるスマートフォン３０００を示す平面図である。スマートフォン３０００は、操作ボタン３００１と、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、制御部３００２と、を有する。操作ボタン３００１の操作に応じて電気光学装置１００に表示される画面内容が変更される。制御部３００２は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。スマートフォン３０００では、電気光学装置１００の代わりに電気光学装置１００Ａた用いられてもよい。

図２３は、電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。投射型表示装置４０００は、例えば、３板式のプロジェクターである。電気光学装置１ｒは、赤色の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｇは、緑の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｂは、青色の表示色に対応する電気光学装置１００である。すなわち、投射型表示装置４０００は、赤、緑および青の表示色に各々対応する３個の電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂを有する。制御部４００５は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

照明光学系４００１は、光源である照明装置４００２からの出射光のうち赤色成分ｒを電気光学装置１ｒに供給し、緑色成分ｇを電気光学装置１ｇに供給し、青色成分ｂを電気光学装置１ｂに供給する。各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂは、照明光学系４００１から供給される各単色光を表示画像に応じて変調するライトバルブ等の光変調器として機能する。投射光学系４００３は、各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂからの出射光を合成して投射面４００４に投射する。

なお、投射型表示装置４０００では、電気光学装置１００の代わりに電気光学装置１００Ａが用いられてもよい。

図２４は、電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。投射型表示装置５０００は、例えば、単板式のプロジェクターである。

投射型表示装置５０００は、照明装置５００２と、レンズ５００３と、ダイクロイックミラー５００１ｒ、５００１ｇ、および５００１ｂと、電気光学装置１００Ａと、投射光学系５００４と、スクリーン５００５と、制御部５００１と、を有する。

照明装置５００２は、白色光を発する光源である。レンズ５００３は例えばコンデンサレンズであり、当該白色光を平行光にする。ダイクロイックミラー５００１ｒ、５００１ｇまたは５００１ｂは、赤、緑または青の各波長域の光を選択的に反射し、各波長域の光を透過する。具体的には、赤色の波長域の光は、ダイクロイックミラー５００１ｒに反射される。そして、当該赤色の波長域の光は、電気光学装置１００Ａに入射する。緑色の波長域の光は、ダイクロイックミラー５００１ｒを透過した後、ダイクロイックミラー５００１ｇによって反射され、その後、再びダイクロイックミラー５００１ｒを透過する。そして、当該緑色の波長域の光は、前述の赤色の波長域の光とは異なる角度で、電気光学装置１００Ａに入射する。また、青色の波長域の光は、ダイクロイックミラー５００１ｒおよび５００１ｇを透過した後、ダイクロイックミラー５００１ｂによって反射され、その後、再びダイクロイックミラー５００１ｒおよび５００１ｇを透過する。そして、当該青色の波長域の光は、前述の赤色の波長域の光および青色の波長域の光のそれぞれとは異なる角度で、電気光学装置１００Ａに入射する。

電気光学装置１００Ａは、各単色光を表示画像に応じて変調するライトバルブ等の光変調器として機能する。電気光学装置１００Ａから出射される出射光は、投射光学系５００４を通り、スクリーン５００５が有する投射面に投射される。また、制御部５００１は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００Ａの動作を制御する。

なお、投射型表示装置５０００では、電気光学装置１００Ａの代わりに電気光学装置１００が用いられてもよい。

以上の電子機器は、前述の電気光学装置１００または１００Ａと、制御部２００３、３００２または４００５と、を備える。前述の電気光学装置１００および１００Ａは、トランジスター２３等に対する遮光性に優れる。このため、パーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００、投射型表示装置４０００、または投射型表示装置５０００の表示品質を高めることができる。

なお、本発明の電気光学装置が適用される電子機器としては、例示した機器に限定されず、例えば、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、およびＰＯＳ（Point of sale）端末等が挙げられる。さらに、本発明が適用される電子機器としては、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、またはタッチパネルを備えた機器等が挙げられる。

以上、好適な各実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は前述の実施形態に限定されない。また、本発明の各部の構成は、前述の各実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。また、前述の各実施形態は、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合され得る。例えば、第１実施形態と第３実施形態とが併合されてもよいし、第２実施形態と第３実施形態とが併合されてもよい。

また、前述した説明では、本発明の電気光学装置の一例として液晶装置について説明したが、本発明の電気光学装置はこれに限定されない。例えば、本発明の電気光学装置は、イメージセンサー等にも適用することができる。また、例えば、有機ＥＬ（electro luminescence）、無機ＥＬまたは発光ポリマー等の発光素子を用いた表示パネルに対しても前述の実施形態と同様に本発明が適用され得る。また、着色された液体と当該液体に分散された白色の粒子とを含むマイクロカプセルを用いた電気泳動表示パネルに対しても前述の実施形態と同様に本発明が適用され得る。

２０…積層体、２３…トランジスター、２５…容量、６１…遮光膜、６２…遮光膜、６３…遮光膜、１００…電気光学装置、１１０…走査線駆動回路、１２０…信号線駆動回路、１３０…外部端子、１５０…駆動回路、２００…素子基板、２１０…第１基体、２１０Ｂ…第１基体、２１１…凹部、２１２…凹部、２１３…凹部、２１５…上面、２２０…画素電極、２２０ｄ…ダミー画素電極、２２１…絶縁層、２３０…第１配向膜、２３１…半導体層、２３１ａ…ソース領域、２３１ｂ…ドレイン領域、２３１ｃ…チャネル領域、２３１ｄ…第１ＬＤＤ領域、２３１ｅ…第２ＬＤＤ領域、２３２…ゲート電極、２３３…ゲート絶縁層、２４１…走査線、２４２…信号線、２４３…第１定電位線、２４４…第２定電位線、２４５…中継電極、２５１…第１容量、２５２…第２容量、２７０…シールド部、２７１…第１導通部、３００…対向基板、３１０…第２基体、３２０…絶縁層、３３０…共通電極、３４０…第２配向膜、３５０…見切部、４００…シール部材、５００…液晶層、６０１…第１金属膜、６０２…第２金属膜、６０３…第３金属膜、６１０…凹面、６２０…凹面、６３０…凹面、２０００…パーソナルコンピューター、２００１…電源スイッチ、２００２…キーボード、２００３…制御部、２０１０…本体部、２１１１…底面、２１１５…段差、２１２１…底面、２１２５…段差、２１３１…底面、２１３５…段差、２５１１…下部容量電極、２５１２…上部容量電極、２５１３…誘電体層、２５２１…下部容量電極、２５２２…上部容量電極、２５２３…誘電体層、Ａ１０…表示領域、Ａ２０…周辺領域、Ａ２１…ダミー画素領域、Ｄ１…深さ、Ｄ１０…深さ、Ｄ２…深さ、Ｄ２０…深さ、Ｄ３…深さ、Ｄ３０…深さ、Ｐ…画素、Ｐｄ…ダミー画素、Ｔ１…厚さ、Ｔ２…厚さ、Ｔ３…厚さ。

Claims (13)

1. トランジスターと、
   透光性、および絶縁性を有する第１層と、
   透光性、および絶縁性を有し、前記第１層に接触し、前記第１層と前記トランジスターとの間に配置された第２層と、
   表示領域において、前記第１層と前記第２層との間に配置され、タングステンを含む第１遮光膜と、
   表示領域の外側において、前記第１層と前記第２層との間に配置され、タングステンを含む第２遮光膜と、を備え、
   前記第１遮光膜は、前記第２層に接触する第１凹面を有し、
   前記第２遮光膜は、前記第２層に接触する第２凹面を有し、
   前記第１凹面の深さは、前記第２凹面の深さよりも浅いことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記第１遮光膜の平面視での面積と、前記第２遮光膜の平面視での面積とは、互いに異なる請求項１に記載の電気光学装置。
3. トランジスターと、
   透光性、および絶縁性を有する第１層と、
   透光性、および絶縁性を有し、前記第１層に接触し、前記第１層と前記トランジスターとの間に配置された第２層と、
   表示領域において、前記第１層と前記第２層との間に配置され、タングステンを含む第１遮光膜と、
   表示領域の外側において、前記第１層と前記第２層との間に配置され、タングステンを含む第２遮光膜と、を備え、
   前記第１遮光膜の平面視での面積は、前記第２遮光膜の平面視での面積よりも小さく、
   前記第１遮光膜の厚さは、前記第２遮光膜の厚さよりも厚いことを特徴とする電気光学装置。
4. 前記第１層は、前記第１遮光膜が配置される第１凹部と、前記第２遮光膜が配置される第２凹部と、を有する請求項１から３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
5. 前記第１凹部および前記第２凹部のそれぞれは、段差を有する底面を備える請求項４に記載の電気光学装置。
6. トランジスターと、
   透光性、および絶縁性を有する第１層と、
   透光性、および絶縁性を有し、前記第１層に接触し、前記第１層と前記トランジスターとの間に配置された第２層と、
   表示領域の外側において、前記第１層と前記第２層との間に配置され、タングステンを含む第３遮光膜と、
   表示領域の外側において、前記第１層と前記第２層との間に配置され、タングステンを含む第４遮光膜と、を備え、
   前記第３遮光膜は、前記第２層に接触する第３凹面を有し、
   前記第４遮光膜は、前記第２層に接触する第４凹面を有し、
   前記第３遮光膜の平面視での面積と、前記第４遮光膜の平面視での面積とは、互いに異なり、
   前記第３凹面の深さと、前記第４凹面の深さとは、互いに異なることを特徴とする電気光学装置。
7. 前記第１層は、前記第３遮光膜が配置される第３凹部と、前記第４遮光膜が配置される第４凹部と、を有する請求項６に記載の電気光学装置。
8. 前記第３凹部および前記第４凹部のそれぞれは、段差を有する底面を備える請求項７に記載の電気光学装置。
9. トランジスターと、
   透光性、および絶縁性を有する第１層と、
   透光性、および絶縁性を有し、前記第１層に接触し、前記第１層と前記トランジスターとの間に配置された第２層と、
   表示領域において、前記第１層と前記第２層との間に配置され、タングステンを含む第５遮光膜と、
   表示領域において、前記第１層と前記第２層との間に配置され、タングステンを含む第６遮光膜と、を備え、
   前記第５遮光膜は、前記第２層に接触する第５凹面を有し、
   前記第６遮光膜は、前記第２層に接触する第６凹面を有し、
   前記第５遮光膜の平面視での面積と、前記第６遮光膜の平面視での面積とは、互いに異なり、
   前記第５凹面の深さと、前記第６凹面の深さとは、互いに異なることを特徴とする電気光学装置。
10. 前記第１層は、前記第５遮光膜が配置される第５凹部と、前記第６遮光膜が配置される第６凹部と、を有する請求項９に記載の電気光学装置。
11. 前記第５凹部および前記第６凹部のそれぞれは、段差を有する底面を備える請求項１０に記載の電気光学装置。
12. トランジスターと、
    前記トランジスターのゲート電極に電気的に接続された走査線と、
    透光性、および絶縁性を有するとともに、凹部を有する第１層と、
    前記第１層の凹部内に配置され、タングステンを含む遮光膜と、
    透光性、および絶縁性を有し、前記第１層および前記遮光膜に接触し、前記第１層と前記トランジスターとの間に配置された第２層と、
    前記走査線と前記遮光膜とを電気的に接続するコンタクト部と、を備え、
    前記遮光膜は、前記第１層の凹部内において、中央部の厚さが外縁部の厚さよりも薄くなるように湾曲した凹面を有し、
    前記トランジスターの半導体層は、前記走査線と前記遮光膜との間に配置されていることを特徴とする電気光学装置。
13. 請求項１から１２のいずれか１項に記載の電気光学装置と、
    前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有することを特徴とする電子機器。

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