JP7558696B2 - 成形装置及び物品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、成形装置及び物品の製造方法に関する。

半導体デバイスやＭＥＭＳなどの物品を製造する方法として、型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置を用いたインプリント技術が知られている。インプリント技術は、基板上にインプリント材を供給し、供給されたインプリント材と型を接触させる接触工程を含む。そして、インプリント材と型を接触させた状態でインプリント材を硬化させた後、硬化したインプリント材から型を引き離すことにより、インプリント材のパターンを基板上に形成する。

また、基板上の組成物を平坦化する平坦化膜形成装置が知られている（特許文献１参照）。平坦化膜形成装置は、基板の凹凸に基づいて組成物を滴下し、滴下した組成物にパターンのない平坦な型を接触させる接触工程を含み、型と組成物を接触させた状態で組成物を硬化することで平坦化膜を形成する。

上述したインプリント装置や平坦化膜形成装置において、接触工程で組成物に気泡が残留すると、基板上に作成される組成物に欠陥が生じ得る。その対策として、型と基板との間を特定のガスで満たす方法が知られている。特定のガス（置換ガス）としては、組成物に対して溶解性が高いヘリウムや二酸化炭素等の不活性ガスが知られている。

特許文献２には、型に貫通孔を設け、接触工程中に当該孔から置換ガスを流入させることで、型と基板との間を置換ガスで満たす技術が開示されている。

特表２０１１－５２９６２６号公報 特開２０１０－１７９６５５号公報

貫通孔が設けられた型を用いて組成物を成形する際に、何らかの理由で貫通孔が適切に設けられていない場合には、型と基板との間を置換ガスで十分に満たすことができないおそれがある。そのような状態で組成物の成形を行うと、組成物の成形不良を招く可能性がある。

本発明は、組成物の成形不良の発生を低減させることが可能な成形装置を実現することを目的とする。

上記課題を解決する本発明の成形装置は、孔が設けられた型と、基板上の組成物とを接触させることで前記組成物を成形する成形装置であって、前記孔は気体を供給するための孔であり、前記孔の状態を評価した評価結果に基づいてエラー処理を実行することを特徴とする。

本発明によれば、組成物の成形不良の発生を低減させることが可能な成形装置を実現することができる。

インプリント装置の構成を示す図である。 型を示す図である。 型搬送からインプリント処理までの流れを示すフローチャートである。 型における孔の配置を示す図である。 第１実施形態における孔の状態を評価する方法を示す図である。 第１実施形態における孔の状態を評価する方法を示す図である。 孔の位置や大きさを評価する方法を示す図である。 孔の位置や大きさを評価する方法を示す図である。 第２実施形態における孔の状態を評価する方法を示す図である。 圧力調整機構の構成例を示す図である。 孔内部の圧力と気体の流量の関係を示す図である。 物品の製造方法を説明する図である。

以下、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

（第１実施形態

（インプリント装置について）
図１は、第１実施形態におけるインプリント装置１０１の構成を示した図である。図１を用いてインプリント装置１０１の構成について説明する。ここでは、基板１１１が配置される面と平行な面をＸＹ面、それに直交する方向をＺ方向として、図１に示したように各軸を決める。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材を型（モールド）と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。図１のインプリント装置１０１は、物品としての半導体デバイスなどのデバイスの製造に使用される。ここでは光硬化法を採用したインプリント装置１０１について説明する。

インプリント装置１０１は光照射部１０２と、型保持部１０３と、基板保持部１０４と、塗布部１０５と、制御部１０６と、計測手段１２２と、筺体１２３を備える。さらに、インプリント装置１０１は、型１０７を変形するための型変形機構１３０が配置されている。型変形機構１３０は、型１０７の側面に力もしくは変位を与えることによって型１０７の形状を変えることができる。さらに、インプリント装置１０１は、型１０７を型保持部１０３へ搬送する型搬送装置３００と、基板１１１を基板保持部１０４へ搬送する基板搬送機構（不図示）を備える。

光照射部１０２は、インプリント材を硬化させるための紫外線１０８を照射する。光照射部１０２は、紫外線１０８を照射する光源１０９と、光源１０９から照射された紫外線１０８をインプリントに適切な光に補正するための光学素子１１０から構成される。なお、第１実施形態では光硬化法を採用するために光照射部１０２を設置しているが、例えば熱硬化法を採用する場合には、光照射部１０２に換えて、インプリント材を硬化させるための熱源部を設置することになる。

型保持部１０３は、吸着力や静電力により型１０７を引き付けて保持する型チャック１１５と、型チャック１１５を保持し、型チャック１１５に保持された型１０７を型チャックごと移動させる駆動機構１１６を有する。型チャック１１５および駆動機構１１６は、光照射部１０２の光源１０９から照射された紫外線１０８が基板１１１に照射されるように、それぞれの中心部には開口領域１１７（開口部）を有する。

駆動機構１１６は、型１０７と基板１１１上のインプリント材１１４を接触させたり（押型）、引き離したり（離型）するために型１０７をＺ軸方向に移動させる。この駆動機構１１６に採用可能なアクチュエータとしては、例えばリニアモータまたはエアシリンダがある。また、駆動機構１１６は、型１０７の高精度な位置決めに対応するために、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。さらに、Ｚ軸方向だけでなく、Ｘ軸方向やＹ軸方向に移動させてもよい。さらに、Ｚ軸周りの回転方向であるθ方向の位置補正機能や、型１０７の傾きを補正するためのチルト機能（Ｘ軸周り及びＹ軸周りの回転方向）などを有していてもよい。

基板保持部１０４は、基板１１１を真空吸着により引き付けて保持する基板チャック１１９と、基板チャック１１９を機械的手段により保持し、基板チャック１１９に保持された基板１１１をＸＹ平面内で移動させる基板ステージ１２０を有する。基板保持部１０４は、型１０７と基板１１１上のインプリント材１１４との接触に際し、型１０７と基板１１１とのアライメントを行う。

基板チャック１１９の表面上には、型１０７をアライメントする際に利用するステージ基準マーク１２１を有する。ステージ基準マーク１２１は、基板ステージ１２０に設けられていてもよい。基板ステージ１２０（基板駆動機構）に採用可能なアクチュエータとしては、例えばリニアモータがある。また、基板ステージ１２０は、粗動駆動機構や微動駆動機構などの複数の駆動機構から構成されていてもよい。さらに、基板１１１のＺ軸方向の位置補正のための駆動系や、基板１１１のθ方向（Ｚ軸周りの回転方向）の位置補正機能、基板１１１の傾きを補正するためのチルト機能などを有していてもよい。

なお、インプリント装置１０１における押型および離型の各動作は、基板１１１を基板保持部１０４によってＺ軸方向に移動させることで実現してもよく、また、型１０７と基板１１１のその双方を相対的に移動させることによって実現してもよい。

塗布部１０５は、未硬化のインプリント材１１４を基板１１１上に供給する供給装置である。塗布部１０５には複数の吐出口（ノズル）が形成されており、吐出口からインプリント材の液滴が基板１１１上に供給される。第１実施形態の塗布部１０５は、ピエゾ素子の圧電効果を利用してインプリント材１１４を吐出口から押し出す方式とする。

後述する制御部１０６は、ピエゾ素子を駆動させる駆動信号を作成して、ピエゾ素子を吐出に適した形状に変形するように駆動させる。塗布部１０５の吐出口は複数設けられており、それぞれを独立して制御することが出来る。塗布部１０５の吐出口から基板１１１上に供給されるインプリント材１１４の量や液滴の分布は、基板１１１上に形成されるインプリント材のパターンの厚さや、形成されるパターンの密度などにより適宜決定される。

インプリント材１１４には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。

硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。

インプリント材１１４は、スピンコーターやスリットコーターにより基板上に膜状に付与される。或いは液体噴射ヘッドにより、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上、１００ｍＰａ・ｓ以下である。

基板１１１は、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板としては、具体的に、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスなどである。

計測手段１２２は代表的な計測器としてアライメント計測器１２７とインプリント材観察手段１２８がある。アライメント計測器１２７は、基板１１１上に形成されたアライメントマークと、型１０７に形成されたアライメントマークを検出することができる。また、インプリント材観察手段１２８は、例えばＣＣＤカメラなどの撮像装置であり、基板１１１に供給されたインプリント材１１４と型１０７の接触状態を撮像することができる。インプリント材観察手段１２８は、押型工程や離型工程の状態を観察することができる。

型搬送機構３００は、インプリント装置１０１に搬送された型１０７を型保持部１０３へ搬送する。また、型搬送機構３００は型１０７を型保持部１０３から搬送して、インプリント装置１０１から型１０７を搬出する。また、型搬送機構３００は搬送ハンド３１０を有しており、搬送ハンド３１０が型１０７を保持することによって搬送する。

制御部１０６は、インプリント装置１０１の各構成要素の動作および補正などを制御し得る。制御部１０６は、例えば、コンピュータなどで構成され、インプリント装置１０１の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどにしたがって各構成要素の制御を実行し得る。制御部１０６は、計測手段１２２の計測結果に基づき、型保持部１０３や基板保持部１０４、塗布部１０５の各動作を制御する。

制御部１０６はアライメント計測器１２７の検出結果に基づき、型１０７と基板１１１との相対的な位置を計測することができる。例えば、型１０７のアライメントマークと基板１１１のアライメントマークのＸ軸方向およびＹ軸方向の位置ずれを計測する。また、制御部１０６は、インプリント材観察手段１２８の撮像結果に基づき、押型工程や離型工程の良否を判定することができる。

なお、制御部１０６は、インプリント装置１０１と一体で構成してもよいし、インプリント装置１０１とは別体で構成してもよい。また、１台のコンピュータではなく複数台のコンピュータで構成されていてもよい。

筺体１２３は、基板保持部１０４を載置するベース定盤１２４と、型保持部１０３を固定するブリッジ定盤１２５と、ブリッジ定盤１２５を支持するための支柱１２６とを備える。

（型について）
次に、図２を用いて型１０７の詳細について説明する。型１０７は支持部２０１と周辺部２０５と薄板部２０６を含む。薄板部２０６の中央には基板１１１に対して凸形状のメサ２０３が形成されており、その周囲にはパターン外周部２０２が形成されている。メサ２０３には凹凸形状のパターン部２０４が形成されている。支持部２０１の中央には円形の開口が形成されており、支持部２０１と薄板部２０６とが張り合わされることで支持部２０１の開口は型１０７のキャビティ（コアアウト）として機能する。

図２に示すように本実施形態の型１０７においては、支持部２０１と薄板部２０６とは貼り合わされている。支持部２０１に形成された円形の開口の外形は、薄板部２０６の外形よりも小さい。さらに、支持部２０１に形成された円形の開口の外形は、パターン部２０４の領域よりも大きいことが望ましい。

型１０７にはキャビティ（凹部）が形成されており、型保持部１０３は型１０７を保持した状態で、このキャビティ内の圧力を周囲より高くすることで、薄板部２０６のパターン部２０４を基板１１１に向かって凸形状にたわませることができる。押型工程において型１０７のパターン部２０４をたわませることによって、パターン部２０４の中心からインプリント材１１４に接触させることができる。これにより、パターン部２０４とインプリント材１１４との間に気体（空気）が閉じ込められるのを抑制し、パターン部２０４の凹部にまでインプリント材１１４を充填させることができる。

図２に示すように、支持部２０１には、周辺部２０５と薄板部２０６によって形成される空間２０７と型外側空間を連通する孔２０８が設けられている。孔２０８に気体供給部２０９を接続し、空間２０７にヘリウムや二酸化炭素等の特定のガスを供給することができる。これらのガスは一般的な組成物に対して溶解性が高く、組成物の配置された空間をヘリウム等の気体で満たすことで、組成物に残存しやすい空気等の気泡を低減することができる。なお、接触部２０５と薄板部２０６の間の空間２０７の幅は１ｍｍ以下、好ましくは０．５ｍｍ以下に設定される。

（型の搬送及びインプリント処理について）
インプリント装置１０１に対する型１０７の搬送からインプリント処理を行うまでの流れについて、図３のフローチャートを用いて説明する。制御部１０６は、コンピュータプログラムである制御プログラムに従って、図３のフローチャートに示す制御を行う。

ステップＳ３０１において、搬送される型１０７がインプリント装置１０１における管理番号と紐づけされる。管理番号によって、孔の有無、当該孔の大きさや位置を識別することができる。例えば、管理番号ＡＬ１において、Ａが孔の有無を示し、Ｌ１が孔の大きさと位置を示すように番号を付すことができる。

続いてステップＳ３０２において、インプリント装置１０１内の型保管場所に型が搬送される。そして、ステップＳ３０３において、型における孔の状態の評価が行われる。孔の状態の評価に関しては後述する。

次に、ステップＳ３０４において、ステップＳ３０３における評価結果に基づいて、エラー処理を実行するか否かの判定が行われる。判定の結果、エラー処理が実行されない場合には、型の搬送処理を終了し、インプリント処理に備える。エラー処理が実行される場合には、ステップＳ３０５においてエラー処理が実行される。

エラー処理としては、エラーが発生したことをユーザ等に知らせる警告を発する処理や、インプリント処理を停止する処理が考えられる。警告を発する処理としては、インプリント装置１０１に設けられた操作画面等の表示部に警告内容を表示する処理を実行し得る。停止処理としては、処理中の動作を停止して基板を基板保持部から他の場所に移動させるなどの停止作業を行う。インプリント装置のオペレータは、上記警告が発せられた際には、処理された基板のパターン状態を確認し、型を装置から取り出して型の洗浄等のクリーニングを行うことができる。また、型の交換を行うこともできる。

型の搬送処理が終了し、インプリント処理を開始できる状態になると、ステップＳ３０６において、インプリント装置１０１の保管場所から型１０７が搬送され、ステップＳ３０７において、型保持部１０３に対して型１０７の位置合わせが行われる。当該位置合わせの結果に基づいて、ステップＳ３０８において、型保持部１０３に対して型１０７が搬送される。

ステップＳ３０９では、基板上のインプリント材と型１０７が接触するように、基板１１１と型１０７の相対位置が制御される。そして、ステップＳ３１０において、基板上のインプリント材を硬化させる硬化光がインプリント材に照射され、基板上にインプリント材の硬化物からなるパターンが形成される。

ステップＳ３０３における型１０７の孔の状態の評価に関して、図４乃至６を用いて説明する。図４は、図２で説明した型１０７を簡略化して示したものであり、図４（ａ）は型１０７をＹ軸方向から見た図であり、図４（ｂ）は、型１０７をＺ軸方向から見た図である。図４（ｂ）で示したように、本実施形態の型１０７では、４つの孔２０８が設けられている。４つの孔２０８は、メサ２０３を取り囲むように設けられている。

続いて、図５を用いて、孔２０８の状態の具体的な評価方法について説明する。孔２０８の状態の評価には、計測部としての距離計測センサ５０１が用いられる。距離計測センサ５０１は、計測対象物である型１０７までの距離が所定の値（図５ではＰと示す）以上である場合に、信号を発生しないように構成されている。

図５（ａ）中のＬは、距離計測センサ５０１の移動軌跡を示している。あらかじめ決められた位置に孔２０８が正しく設けられている場合に、孔２０８が存在する箇所を通るように移動軌跡が定められている。図５（ｂ）で示したように、距離計測センサ５０１を移動させながら、型１０７までの距離の計測が行われる。図５（ｃ）は、Ｘ軸方向に距離計測センサ５０１を走査したときにおける出力を示している。孔２０８が存在する箇所Ｈではセンサの出力がゼロとなっていることがわかる。図５（ｃ）の結果から、型１０７における孔２０８の位置を算出することができ、当該算出結果に基づいて、あらかじめ決められた位置に孔２０８が正しく設けられているか否かの判定が行われる。

ステップＳ３０１で付与された管理番号を参照することにより、孔２０８の理想的な位置及び大きさを定めることができ、当該位置と大きさの少なくとも一方の情報と、図５（ｃ）の計測結果を比較することで、エラー処理を実行すべきか否かの判定が行われる。図６（ａ）、（ｂ）で示したように、孔２０８が理想的な位置からずれている場合には、図６（ｃ）で示したような出力が得られる。出力がゼロとなる計測箇所が存在せず、当該計測結果に基づいて、孔２０８が正しく設けられていないと判断することができる。

距離計測センサ５０１の移動軌跡としては、図７で示したように、孔２０８の近傍のみを通るように設定しても良い。また、図８で示したように、距離計測センサ５０１のＸ軸方向の走査範囲も短くして、Ｙ軸方向に複数列の走査を行うことで、図８（ａ）のように孔２０８の形成位置がＹ軸方向にずれた場合にも、孔２０８の位置を計測することが可能となる。計測された孔２０８の位置と理想的な孔２０８の位置とのずれが、所定値よりも小さい場合には、エラー処理の実行を行わないようにしても良い。

以上説明したように、型の孔の状態を評価することで、エラー処理を実行する必要があるか否かを適切に判定することができる。孔が適切に形成されていない場合に、エラー処理を実行することで、パターンの成形不良の発生を低減させることができる。

（第２実施形態）
型１０７の孔２０８の状態の評価方法として、第１実施形態では、距離計測センサを用いて孔２０８の位置や大きさを評価する方法について記載した。本実施形態では、孔２０８内部の圧力を調整し、圧力の変化に対する気体の流量変化に基づいて孔２０８の状態の評価を行う。

図９は、型１０７の孔２０８内部の圧力を調整する機構を示している。孔２０８に対して配管９１が接続されている。配管９１は途中で不図示の流路切替弁によって二股に分かれ、一方はレギュレータを介して不図示の真空ポンプに接続され、他方はレギュレータを介して不図示のコンプレッサに接続される。配管９１には、圧力計９２と流量計９３が備えられており、これらを用いて配管９１内の圧力や気体の流量を計測することができる。

図９（ａ）は、孔２０８の内部を加圧する仕組みを示している。孔２０８の内部を加圧する場合には、流路切替弁をコンプレッサ側に切り替える。これにより、コンプレッサからの空気が配管９１を介して孔２０８の内部に供給され、孔２０８の内部が加圧される。図９（ｂ）は、孔２０８の内部を減圧する仕組みを示している。孔２０８の内部を減圧する場合には、流路切替弁を真空ポンプ側に切り替える。これにより、孔２０８の内部の空気が配管９１を介して真空ポンプへ吸引され、孔２０８の内部が減圧される。

なお、図９で示したように、孔２０８ごとに別個の圧力調整機構を用いても良いし、図１０で示したように、配管を分岐して、１つの圧力調整機構を用いる構成としても良い。また、図１０で示したように、型１０７を保持する型保持部１０３にも孔を設ける構成としても良い。

図１１は、孔２０８内部の圧力の変化と、気体の流量の変化との関係を示す図である。破線は、孔２０８が正常に形成されているときの流量変化を表しており、実線は、孔２０８の形成に何らかの不具合が生じているときや、孔２０８に異物が挟まっているときの流量変化を示している。孔の形成の不具合としては、孔２０８の形成位置が理想の位置からずれている場合や、孔の大きさが理想値と異なっている場合が考えられる。

孔２０８の形成に不具合が生じている場合には、エラー処理として型の交換等の動作が行われる。孔２０８に異物が挟まっているときには、エラー処理としてクリーニング動作等が行われる。

以上のように、孔２０８の内部の圧力を変化させながら気体の流量を計測することで、孔２０８の状態を評価することができ、評価結果に応じて適切な動作を実行することができる。

（変形例）
これまでは、孔２０８の状態の評価を、インプリント装置における型１０７の保管場所で実行する例を説明した。孔２０８の状態の評価は、型保持部１０３に型１０７が保持された状態で実行しても良い。型保持部１０３に型１０７が保持された状態で孔２０８の状態の評価を行うことで、インプリント装置１０１に備えられた距離計測センサ等を活用できるメリットがある。また、保管場所から型保持部１０３に型１０７を搬送するタイミングで孔２０８の状態の評価を行っても良い。

また、図３のステップＳ３０８における型１０７と型保持部１０３との位置合わせにおいて、孔の２０８の状態の評価結果を活用することできる。具体的には、型１０７における孔２０８の位置情報に基づいて、孔２０８の位置を基準とした型１０７と型保持部１０３との位置合わせを行うことができる。

（物品製造方法の実施形態）
本発明の実施形態に係る物品製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品製造方法は、基板上のインプリント材にインプリント装置を用いてパターンを形成する第１工程と、この第１工程でパターンが形成された基板を加工（処理）する第２工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用の型等が挙げられる。

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。

次に、物品製造方法について説明する。図１２（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコン基板等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。

図１２（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図１２（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを介して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。

図１２（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。

図１２（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチング型としてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図１２（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。

成形装置の一例として、基板の上のインプリント材をモールド（型）により成形（成型）して、基板にパターン成形を行うインプリント装置について説明したが、インプリント装置に限定されるものではない。成形装置の一例として、型として凹凸パターンがない平面部を有するモールド（ブランクテンプレート）を用いて、基板上の組成物を平坦化するように成形する平坦化処理（成形処理）を行う平坦膜形成装置であっても良い。

１０７ 型
１１１ 組成物（インプリント材）
２０８ 孔

Claims (14)

1. 孔が設けられた型と、基板上の組成物とを接触させることで前記組成物を成形する成形装置であって、
   前記孔は気体を供給するための孔であり、
   前記孔の状態を評価した評価結果に基づいてエラー処理を実行することを特徴とする成形装置。
2. 前記エラー処理は、警告を発する処理、及び、前記基板上の組成物を成形する処理を停止する処理の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載の成形装置。
3. 前記エラー処理は、前記型のクリーニングを実行する処理であることを特徴とする請求項１に記載の成形装置。
4. 前記気体はヘリウム、二酸化炭素の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載の成形装置。
5. 前記型を保持する型保持部を含み、
   前記孔の状態の評価は、前記型保持部への前記型の搬送よりも前に実行されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の成形装置。
6. 前記型を保持する型保持部を含み、
   前記孔の状態の評価は、前記型を前記型保持部に搬送するタイミングで実行されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の成形装置。
7. 前記型を保持する型保持部を含み、
   前記孔の状態の評価は、前記型保持部に前記型が保持された状態で実行されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の成形装置。
8. 前記孔の状態の評価は、前記型における前記孔の位置に関する評価であることを特徴とする請求項１又は２に記載の成形装置。
9. 前記孔の状態の評価は、前記孔の大きさに関する評価であることを特徴とする請求項１又は２に記載の成形装置。
10. 前記孔の状態は、前記型までの距離を計測する計測部の計測結果に基づいて評価されることを特徴とする請求項１又は２に記載の成形装置。
11. 前記孔の状態は、前記孔の内部における圧力と気体の流量の計測結果に基づいて評価されることを特徴とする請求項１又は２に記載の成形装置。
12. 前記成形装置は平坦膜形成装置であって、
    前記型はパターンのない平坦な型であり、
    前記型と前記基板上の組成物を接触させることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の成形装置。
13. 前記成形装置はインプリント装置であって、
    前記型は凹凸パターンを有し、
    前記型の凹凸パターンと前記基板上の組成物を接触させることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の成形装置。
14. 請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の成形装置を用いて基板上の組成物を成形する工程と、
    前記基板上の成形された組成物を処理する工程と、を有し、
    処理された基板から物品を得ることを特徴とする物品の製造方法。

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