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JP7347578B2 - Exposure equipment, flat panel display manufacturing method, and device manufacturing method - Google Patents

Exposure equipment, flat panel display manufacturing method, and device manufacturing method Download PDF

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JP7347578B2 JP2022075671A JP2022075671A JP7347578B2 JP 7347578 B2 JP7347578 B2 JP 7347578B2 JP 2022075671 A JP2022075671 A JP 2022075671A JP 2022075671 A JP2022075671 A JP 2022075671A JP 7347578 B2 JP7347578 B2 JP 7347578B2
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Description

本発明は、露光装置に係り、更に詳しくは、物体上に投影光学系を介して所定パターンを形成する露光装置に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus, and more particularly to an exposure apparatus that forms a predetermined pattern on an object via a projection optical system.

従来、液晶表示素子(液晶パネル)、半導体素子等の電子デバイス(マイクロデバイス)を製造するリソグラフィ工程では、マスク又はレチクル(以下、「マスク」と総称する)と、ガラスプレート又はウエハ等(以下、「基板」と総称する)とを所定の走査方向に沿って同期移動させつつ、マスクに形成されたパターンを、エネルギビームを用いて基板上に転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置(いわゆるスキャニング・ステッパ(スキャナとも呼ばれる))などが用いられている。 Conventionally, in the lithography process for manufacturing electronic devices (microdevices) such as liquid crystal display elements (liquid crystal panels) and semiconductor elements, a mask or reticle (hereinafter collectively referred to as "mask") and a glass plate or wafer (hereinafter referred to as A step-and-scan exposure device (generally referred to as a "substrate") transfers a pattern formed on a mask onto a substrate using an energy beam while synchronously moving the substrate along a predetermined scanning direction. A scanning stepper (also called a scanner) is used.

この種の露光装置を用いて基板上にパターンを形成する方法としては、マスクに形成されたパターン(マスクパターン)の周期性を利用して、マスクパターンを基板上で継ぎ合わせる、いわゆる繋ぎ露光が知られている(特許文献1参照)。 A method for forming patterns on a substrate using this type of exposure equipment is so-called splicing exposure, in which the periodicity of the pattern formed on the mask (mask pattern) is used to join the mask patterns on the substrate. known (see Patent Document 1).

従来の露光装置で上記繋ぎ露光を行う場合、上記繋ぎ合わせの自由度が十分ではなかった。 When performing the splicing exposure using a conventional exposure apparatus, the degree of freedom in the splicing was not sufficient.

特開2004-335864号公報Japanese Patent Application Publication No. 2004-335864

第1の実施形態では、所定パターンを物体に投影する投影光学系に対して、前記物体を第1方向に相対移動させて露光する露光装置であって、前記投影光学系を介して前記物体上に投影される投影領域のうち、前記第1方向の位置に応じて、前記物体上の照明量が前記第1方向に交差する前記第2方向に沿って変化する所定領域を遮光する遮光部と、前記遮光部を、前記照明量を変化させるように駆動する駆動部と、を備える露光装置が、提供される。 In a first embodiment, an exposure apparatus exposes a predetermined pattern by moving the object in a first direction relative to a projection optical system that projects a predetermined pattern onto the object. a light shielding section that shields a predetermined region in which the amount of illumination on the object changes along the second direction intersecting the first direction, depending on the position in the first direction, of the projection area projected on the object; An exposure apparatus is provided, comprising: a drive section that drives the light shielding section so as to change the amount of illumination.

第2の実施形態では、第1の実施形態に係る露光装置を用いて、前記基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法。が、提供される。 In a second embodiment, a method for manufacturing a flat panel display includes exposing the substrate to light using the exposure apparatus according to the first embodiment and developing the exposed substrate. is provided.

第3の実施形態では、第1の実施形態に係る露光装置を用いて、前記基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。 A third embodiment provides a device manufacturing method including exposing the substrate to light using the exposure apparatus according to the first embodiment and developing the exposed substrate.

第4の実施形態では、所定パターンを物体に投影する投影光学系に対して前記物体を第1方向に相対移動させて走査露光する露光装置に用いられる遮光装置であって、前記投影光学系を介して前記物体上に投影される投影領域のうち、前記第1方向の位置に応じて、前記物体上の照明量が前記第1方向に交差する前記第2方向に沿って変化する所定領域を遮光する遮光部と、前記遮光部を、前記照明量を変化させるように駆動する駆動部と、を備える遮光装置が、提供される。 In a fourth embodiment, a light shielding device is provided for use in an exposure apparatus that scans and exposes an object by moving the object in a first direction relative to a projection optical system that projects a predetermined pattern onto an object, A predetermined region in which the amount of illumination on the object changes along the second direction intersecting the first direction, according to the position in the first direction, of the projection region projected onto the object through the A light blocking device is provided that includes a light blocking section that blocks light and a driving section that drives the light blocking section so as to change the amount of illumination.

第5の実施形態では、所定パターンを物体に投影する投影光学系に対して前記物体を第1方向に相対移動させて走査露光する露光方法であって、前記投影光学系を介して前記物体上に投影される投影領域のうち、前記第1方向の位置に応じて、前記物体上の照明量が前記第1方向に交差する前記第2方向に沿って変化する所定領域を、遮光部によって遮光することと、前記遮光部を、前記照明量を変化させるように駆動することと、を含む露光方法が、提供される。 In a fifth embodiment, there is provided an exposure method in which the object is scanned and exposed by moving the object in a first direction relative to a projection optical system that projects a predetermined pattern onto the object. out of the projection area projected on the object, a predetermined area in which the amount of illumination on the object changes along the second direction intersecting the first direction, depending on the position in the first direction, is shielded from light by a light shielding part. An exposure method is provided that includes: and driving the light shielding section so as to change the amount of illumination.

第6の実施形態では、所定パターンを物体に投影する投影光学系に対して前記物体を第1方向に相対移動させて走査露光する露光方法であって、前記投影光学系を介して前記物体上に投影される投影領域のうち、前記第1方向の位置に応じて、前記物体上の照明量が前記第1方向に交差する前記第2方向に沿って変化する所定領域を、遮光部によって遮光することと、前記遮光部を、前記照明量を変化させるように駆動することと、を含む露光方法が、提供される。 The sixth embodiment is an exposure method in which the object is scanned and exposed by moving the object in a first direction relative to a projection optical system that projects a predetermined pattern onto the object, out of the projection area projected on the object, a predetermined area in which the amount of illumination on the object changes along the second direction intersecting the first direction, depending on the position in the first direction, is shielded from light by a light shielding part. An exposure method is provided that includes: and driving the light shielding section so as to change the amount of illumination.

第7の実施形態では、第6の実施形態に係る露光方法を用いて前記基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法が、提供される。 In a seventh embodiment, a method for manufacturing a flat panel display is provided, which includes exposing the substrate using the exposure method according to the sixth embodiment and developing the exposed substrate. Ru.

第8の実施形態では、第6の実施形態に係る露光方法を用いて前記基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。 The eighth embodiment provides a device manufacturing method that includes exposing the substrate using the exposure method according to the sixth embodiment and developing the exposed substrate.

一実施形態に係る露光装置の構成を概略的に示す図である。1 is a diagram schematically showing the configuration of an exposure apparatus according to an embodiment. 図1の露光装置が有する照明光学系、及び投影光学系の構造を説明するための図である。2 is a diagram for explaining the structure of an illumination optical system and a projection optical system included in the exposure apparatus of FIG. 1. FIG. 図3(a)は、投影光学系が有する視野絞りと遮光板の配置を示す平面図、図3(b)は、視野絞りと遮光板との光軸方向の位置関係を示す図である。FIG. 3(a) is a plan view showing the arrangement of a field stop and a light shielding plate included in the projection optical system, and FIG. 3(b) is a diagram showing the positional relationship between the field stop and the light shielding plate in the optical axis direction. 図4(a)は、遮光板の第1の傾斜配置を示す図であり、図4(b)は、遮光板の第2の傾斜配置を示す図である。FIG. 4(a) is a diagram showing a first inclined arrangement of the light shielding plate, and FIG. 4(b) is a diagram showing a second inclined arrangement of the light shielding plate. 図5(a)は、遮光板を用いて投影領域の中央に継ぎ部を形成する場合を示す図であり、図5(b)は、遮光板を用いて投影領域の端部近傍に継ぎ部を形成する場合を示す図である。FIG. 5(a) is a diagram showing a case where a joint is formed in the center of the projection area using a light shielding plate, and FIG. 5(b) is a diagram showing a case where a joint is formed near the edge of the projection area using a light shielding plate. It is a figure which shows the case where it forms. 図6(a)は、2枚の遮光板を用いて継ぎ部を形成する場合を示す図であり、図6(b)は、1枚の遮光板で図6(a)と同様の継ぎ部を形成する場合を示す図である。FIG. 6(a) is a diagram showing a case where a joint is formed using two light-shielding plates, and FIG. 6(b) is a diagram showing a joint formed using one light-shielding plate. It is a figure which shows the case where it forms. 図7(a)は、従来の遮光板を示す図であり、図7(b)は実施形態の遮光板を示す図であり、図7(c)は、実施形態の遮光板を複数備えた場合を示す図である。FIG. 7(a) is a diagram showing a conventional light-shielding plate, FIG. 7(b) is a diagram showing a light-shielding plate according to an embodiment, and FIG. 7(c) is a diagram showing a light-shielding plate according to an embodiment. It is a figure showing a case. 図8(a)~図8(d)は、視野絞りと遮光板とによって形成される開口の態様(第1のモード~第4のモード)を説明するための図である。FIGS. 8(a) to 8(d) are diagrams for explaining modes (first mode to fourth mode) of the aperture formed by the field stop and the light shielding plate. 基板上に生成される投影領域を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a projection area generated on a substrate. 繋ぎ露光の概念図である。FIG. 3 is a conceptual diagram of continuous exposure. 図11(a)は、第1の露光方法に係る基板とマスクとの関係を示す図であり、図11(b)は、第1の露光方法でA領域を走査露光する際の図であり、図11(c)は、第1の露光方法でB領域を走査露光する際の図である。FIG. 11(a) is a diagram showing the relationship between the substrate and the mask according to the first exposure method, and FIG. 11(b) is a diagram when scanning and exposing area A with the first exposure method. , FIG. 11(c) is a diagram when area B is scanned and exposed using the first exposure method. 図12(a)は、第2の露光方法に係る基板とマスクとの関係を示す図であり、図12(b)は、第2の露光方法でA領域を走査露光する際の図であり、図12(c)は、第2の露光方法でB領域を走査露光する際の図である。FIG. 12(a) is a diagram showing the relationship between the substrate and the mask according to the second exposure method, and FIG. 12(b) is a diagram when scanning and exposing area A with the second exposure method. , FIG. 12(c) is a diagram when area B is scanned and exposed using the second exposure method. 図13(a)は、第3の露光方法に係る基板とマスクとの関係を示す図であり、図13(b)は、第3の露光方法でA領域を走査露光する際の図である。FIG. 13(a) is a diagram showing the relationship between the substrate and the mask according to the third exposure method, and FIG. 13(b) is a diagram when scanning and exposing area A with the third exposure method. . 図14(a)は、第3の露光方法でB領域を走査露光する際の図であり、図14(b)は、第3の露光方法でC領域を走査露光する際の図である。FIG. 14(a) is a diagram when area B is scanned and exposed using the third exposure method, and FIG. 14(b) is a diagram when area C is scanned and exposed using the third exposure method. 図15(a)は、第4の露光方法に係る基板とマスクとの関係を示す図であり、図15(b)は、第4の露光方法でA領域を走査露光する際の図である。FIG. 15(a) is a diagram showing the relationship between the substrate and the mask according to the fourth exposure method, and FIG. 15(b) is a diagram when scanning and exposing area A with the fourth exposure method. . 第4の露光方法でB領域を走査露光する際の図である。It is a figure when scanning exposure of B area by the 4th exposure method. 図17(a)は、第5の露光方法に係る基板とマスクとの関係を示す図であり、図17(b)は、第5の露光方法でA1領域を走査露光する際の図である。FIG. 17(a) is a diagram showing the relationship between the substrate and the mask according to the fifth exposure method, and FIG. 17(b) is a diagram when scanning and exposing the A1 area with the fifth exposure method. . 図18(a)は、第5の露光方法でB1領域を走査露光する際の図であり、図18(b)は、第5の露光方法でA2領域を走査露光する際の図である。FIG. 18(a) is a diagram when area B1 is scanned and exposed using the fifth exposure method, and FIG. 18(b) is a diagram when area A2 is scanned and exposed using the fifth exposure method. 第5の露光方法でB2領域を走査露光する際の図である。It is a figure when scanning exposure of B2 area by the 5th exposure method. 繋ぎ露光を行う際のフローチャートである。It is a flowchart when performing continuous exposure. 遮光板の駆動機構の変形例(その1)を示す図である。It is a figure which shows the modification (1) of the drive mechanism of a light-shielding plate. 遮光板の駆動機構の変形例(その2)を示す図である。It is a figure which shows the modification (part 2) of the drive mechanism of a light-shielding plate. 図23(a)及び図23(b)は、遮光板の駆動機構の変形例(その3)を示す図(その1及びその2)である。FIGS. 23(a) and 23(b) are diagrams (parts 1 and 2) showing a modification (part 3) of the drive mechanism for the light shielding plate. 図24(a)は、遮光板の変形例を示す図であり、図24(b)~図24(e)は、図24(a)の遮光板の動作を示す図(その1~その4)である。24(a) is a diagram showing a modified example of the light shielding plate, and FIGS. 24(b) to 24(e) are diagrams (parts 1 to 4) showing the operation of the light shielding plate in FIG. 24(a). ). 遮光板の駆動機構の詳細を示す図である。It is a figure showing the details of the drive mechanism of a light shielding plate. 光学フィルタを用いた繋ぎ露光を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining continuous exposure using an optical filter.

以下、一実施形態について、図1~図20を用いて説明する。図1は、一実施形態に係る露光装置EXの構成を示す斜視図である。図1において、露光装置EXは、マスクMを支持するマスクステージMSTと、感光基板P(以下、単に「基板P」と称する)を支持する基板ステージPSTと、マスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、マスクMに形成されたパターンの投影像(以下、パターン像と呼ぶ)を基板Pに転写し、このパターン像に対応する潜像としての転写パターンを基板P上に形成する投影光学系PLと、露光装置EXの動作を統括制御する制御装置CONT(図1では不図示。図2参照)とを備えている。基板Pは、ガラス基板に感光剤(フォトレジスト)を塗布したものであり、転写パターンは、この感光剤中に形成される。投影光学系PLは並設された複数(図1では7つ)の投影光学モジュールPLa~PLgにより構成され、本実施形態における露光装置EXは、この投影光学系PLに対してマスクMと基板Pとを同期移動(同期走査)しつつマスクMを露光光ELで照明し、マスクMのパターン像を基板Pに転写する。 One embodiment will be described below using FIGS. 1 to 20. FIG. 1 is a perspective view showing the configuration of an exposure apparatus EX according to an embodiment. In FIG. 1, the exposure apparatus EX illuminates a mask stage MST that supports a mask M, a substrate stage PST that supports a photosensitive substrate P (hereinafter simply referred to as "substrate P"), and a mask M with exposure light EL. The illumination optical system IL and the projection image of the pattern formed on the mask M (hereinafter referred to as a pattern image) are transferred onto the substrate P, and a transfer pattern as a latent image corresponding to this pattern image is formed on the substrate P. It includes a projection optical system PL and a control device CONT (not shown in FIG. 1; see FIG. 2) that centrally controls the operation of the exposure apparatus EX. The substrate P is a glass substrate coated with a photosensitive agent (photoresist), and the transfer pattern is formed in this photosensitive agent. The projection optical system PL is composed of a plurality of (seven in FIG. 1) projection optical modules PLa to PLg arranged in parallel, and the exposure apparatus EX in this embodiment has a mask M and a substrate P for this projection optical system PL. The pattern image of the mask M is transferred onto the substrate P by illuminating the mask M with the exposure light EL while synchronously moving (synchronizing scanning).

ここで、以下の説明において、マスクMと基板Pとの同期移動方向(走査方向)をX軸方向、水平面内において走査方向と直交する方向をY軸方向(非走査方向)、X軸方向及びY軸方向に直交する方向をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸の軸線まわり方向を、それぞれθX、θY、及びθZ方向とする。 Here, in the following explanation, the synchronous movement direction (scanning direction) of the mask M and the substrate P is the X-axis direction, and the direction perpendicular to the scanning direction in the horizontal plane is the Y-axis direction (non-scanning direction), the X-axis direction and The direction perpendicular to the Y-axis direction is the Z-axis direction. Further, directions around the axes of the X-axis, Y-axis, and Z-axis are defined as θX, θY, and θZ directions, respectively.

本実施形態のマスクステージ装置は、マスクMを支持するマスクステージMSTと、X軸方向に長いストロークを有するリニアガイド(不図示)と、リニアモータ、ボイスコイルモータ(VCM)等により構成されるマスクステージ駆動部MSTDとを備える。マスクステージ駆動部MSTDは、制御装置CONT(図2参照)の制御の下、マスクMと基板Pとを同期移動させる際に、マスクMを有するマスクステージMSTをX軸方向に長いストロークで駆動可能であるとともに、X軸方向及びY軸方向を含む水平面内におけるマスクMの位置を微調整するために、マスクステージMSTをX軸方向、Y軸方向、Z軸方向及びθZ方向に駆動可能である。また、マスクステージMSTの水平面内の位置は、レーザ干渉計を用いて測定され、例えば0.5~1nm程度の分解能で常時検出される。このレーザ干渉計の計測値は、制御装置CONTに送られ、マスクステージMSTのX軸方向、Y軸方向、Z軸方向及びθZ方向の位置を制御する。 The mask stage device of this embodiment includes a mask stage MST that supports a mask M, a linear guide (not shown) having a long stroke in the X-axis direction, a linear motor, a voice coil motor (VCM), etc. A stage drive unit MSTD is provided. The mask stage drive unit MSTD is capable of driving the mask stage MST having the mask M with a long stroke in the X-axis direction when moving the mask M and the substrate P synchronously under the control of the control device CONT (see FIG. 2). In addition, in order to finely adjust the position of the mask M in the horizontal plane including the X-axis direction and the Y-axis direction, the mask stage MST can be driven in the X-axis direction, the Y-axis direction, the Z-axis direction, and the θZ direction. . Further, the position of mask stage MST in the horizontal plane is measured using a laser interferometer, and is constantly detected with a resolution of, for example, about 0.5 to 1 nm. Measured values from this laser interferometer are sent to control device CONT, which controls the positions of mask stage MST in the X-axis direction, Y-axis direction, Z-axis direction, and θZ direction.

マスクMを透過した露光光ELは、投影光学モジュールPLa~PLgにそれぞれ入射する。投影光学モジュールPLa~PLgは定盤150に支持され、露光光ELによるマスクM上の照射領域に対応するパターン像を基板Pに結像させる。投影光学モジュールPLa、PLc、PLe、PLgと、投影光学モジュールPLb、PLd、PLfとは、それぞれY軸方向に所定間隔で配置されている。また、投影光学モジュールPLa、PLc、PLe、PLgの列と、投影光学モジュールPLb、PLd、PLfの列とは、X軸方向に離れて配置されており、全体でY軸方向に沿って千鳥状に配置されている。投影光学モジュールPLa~PLgのそれぞれは、複数の光学素子(レンズ等)を有している。各投影光学モジュールPLa~PLgを透過した露光光ELは、基板P上の異なる投影領域50a~50gごとにマスクM上の照射領域に対応したパターン像を結像する。 The exposure light EL transmitted through the mask M enters the projection optical modules PLa to PLg, respectively. The projection optical modules PLa to PLg are supported by a surface plate 150 and form a pattern image on the substrate P corresponding to the irradiation area on the mask M by the exposure light EL. The projection optical modules PLa, PLc, PLe, and PLg and the projection optical modules PLb, PLd, and PLf are arranged at predetermined intervals in the Y-axis direction, respectively. Furthermore, the rows of projection optical modules PLa, PLc, PLe, and PLg and the rows of projection optical modules PLb, PLd, and PLf are arranged apart from each other in the X-axis direction, and are arranged in a staggered manner as a whole along the Y-axis direction. It is located in Each of the projection optical modules PLa to PLg has a plurality of optical elements (lenses, etc.). The exposure light EL transmitted through each of the projection optical modules PLa to PLg forms a pattern image corresponding to the irradiation area on the mask M for each different projection area 50a to 50g on the substrate P.

基板ステージPSTは基板ホルダPHを有しており、この基板ホルダPHを介して基板Pを保持する。基板ステージPSTは、マスクステージMSTと同様に、X軸方向、Y軸方向及びZ軸方向に移動可能であり、更に、θX、θY、及びθZ方向にも移動可能である。基板ステージPSTは、制御装置CONT(図2参照)の制御の下、リニアモータ等により構成される基板ステージ駆動部PSTDにより駆動される。 Substrate stage PST has a substrate holder PH, and holds the substrate P via this substrate holder PH. Like mask stage MST, substrate stage PST is movable in the X-axis direction, Y-axis direction, and Z-axis direction, and is also movable in the θX, θY, and θZ directions. The substrate stage PST is driven by a substrate stage drive section PSTD configured by a linear motor or the like under the control of a control device CONT (see FIG. 2).

また、-X側の投影光学モジュールPLa、PLc、PLe、PLgの列と、+X側の投影光学モジュールPLb、PLd、PLfの列との間には、マスクMのパターン面及び基板Pの露光面のZ軸方向における位置を検出するフォーカス検出系110が配置されている。フォーカス検出系110は、斜入射方式の焦点検出系を複数配置して構成される。フォーカス検出系110の検出結果は、制御装置CONT(図2参照)に出力され、制御装置CONTは、フォーカス検出系110の検出結果に基づいて、マスクMのパターン面と基板Pの露光面とが所定の間隔および平行度をなすように制御する。 Furthermore, between the row of projection optical modules PLa, PLc, PLe, and PLg on the −X side and the row of projection optical modules PLb, PLd, and PLf on the +X side, there is a pattern surface of the mask M and an exposure surface of the substrate P. A focus detection system 110 is arranged to detect the position of the lens in the Z-axis direction. The focus detection system 110 is configured by arranging a plurality of oblique incidence type focus detection systems. The detection result of the focus detection system 110 is output to the control device CONT (see FIG. 2), and the control device CONT determines whether the pattern surface of the mask M and the exposure surface of the substrate P are aligned based on the detection result of the focus detection system 110. Control to achieve predetermined spacing and parallelism.

制御装置CONTは、記憶部120(それぞれ図2参照)と接続されており、記憶部120に記憶されているレシピ情報等に基づいて、マスクステージMST及び基板ステージPSTの位置をモニタしながら、基板ステージ駆動部PSTD及びマスクステージ駆動部MSTDを制御することにより、マスクMと基板PとをX軸方向に同期移動させる。 The control device CONT is connected to the storage section 120 (see FIG. 2, respectively), and controls the substrate while monitoring the positions of the mask stage MST and the substrate stage PST based on the recipe information stored in the storage section 120. By controlling the stage drive unit PSTD and the mask stage drive unit MSTD, the mask M and the substrate P are synchronously moved in the X-axis direction.

図2は、照明光学系IL及び投影光学系PLの構成を示す図である。図2に示されるように、照明光学系ILは、超高圧水銀ランプ等からなる光源1と、光源1から射出された光を集光する楕円鏡1aと、この楕円鏡1aによって集光された光のうち露光に必要な波長の光を反射し、その他の波長の光を透過させるダイクロイックミラー2と、ダイクロイックミラー2で反射した光のうち更に露光に必要な波長(通常は、g、h、i線のうち少なくとも1つの帯域)のみ含んだ光を露光光として通過させる波長選択フィルタ3と、波長選択フィルタ3からの露光光を複数本(本実施形態では7本)に分岐して、反射ミラー5を介して各照明系モジュールIMa~IMgに入射させるライトガイド4とを備えている。ここで、照明光学系ILを構成する照明系モジュールIMとして、本実施形態では、7つの投影光学モジュールPLa~PLgに対応して7つの照明系モジュールIMa~IMgが設けられている。ただし、図2においては、便宜上、投影光学モジュールPLfに対応する照明系モジュールIMfのみが示されている。照明系モジュールIMa~IMgのそれぞれは、X軸方向とY軸方向とに所定の間隔を持って、投影光学モジュールPLa~PLgのそれぞれに対応して配置されている。そして、照明系モジュールIMa~IMgのそれぞれから射出した露光光ELは、投影光学モジュールPLa~PLgに対応させてマスクM上の異なる照射領域をそれぞれ照明する。 FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the illumination optical system IL and the projection optical system PL. As shown in FIG. 2, the illumination optical system IL includes a light source 1 made of an ultra-high pressure mercury lamp or the like, an elliptical mirror 1a that collects light emitted from the light source 1, and a light source 1 that collects light emitted from the light source 1. A dichroic mirror 2 reflects light of a wavelength necessary for exposure and transmits light of other wavelengths; A wavelength selection filter 3 that passes light containing only at least one band of the i-line as exposure light, and a wavelength selection filter 3 that branches the exposure light from the wavelength selection filter 3 into a plurality of lights (seven in this embodiment) and reflects the light. It includes a light guide 4 that allows the light to enter each of the illumination system modules IMa to IMg via a mirror 5. Here, as the illumination system modules IM constituting the illumination optical system IL, in this embodiment, seven illumination system modules IMa to IMg are provided corresponding to the seven projection optical modules PLa to PLg. However, in FIG. 2, for convenience, only the illumination system module IMf corresponding to the projection optical module PLf is shown. Each of the illumination system modules IMa to IMg is arranged at a predetermined interval in the X-axis direction and the Y-axis direction, corresponding to each of the projection optical modules PLa to PLg. The exposure light EL emitted from each of the illumination system modules IMa to IMg illuminates different irradiation areas on the mask M in correspondence with the projection optical modules PLa to PLg, respectively.

照明系モジュールIMa~IMgのそれぞれは、照明シャッタ6と、リレーレンズ7と、オプティカルインテグレータとしてのフライアイレンズ8と、コンデンサレンズ9とを備えている。照明シャッタ6は、ライトガイド4の光路下流側に、光路に対して挿脱自在に配置されている。照明シャッタ6は、光路内に配置されたときに露光光を遮光し、光路から退避したときにその遮光を解除する。照明シャッタ6には、シャッタ駆動部6aが接続されている。シャッタ駆動部6aは制御装置CONTによって制御される。 Each of the illumination system modules IMa to IMg includes an illumination shutter 6, a relay lens 7, a fly's eye lens 8 as an optical integrator, and a condenser lens 9. The illumination shutter 6 is disposed downstream of the light guide 4 in the optical path so as to be freely inserted into and removed from the optical path. The illumination shutter 6 blocks exposure light when placed in the optical path, and releases the blocking when retreated from the optical path. A shutter driving section 6a is connected to the illumination shutter 6. The shutter drive section 6a is controlled by a control device CONT.

また、照明系モジュールIMa~IMgのそれぞれは、光量調整機構10を有している。光量調整機構10は、光路毎に露光光の照度を設定することによって露光量を調整するものであって、ハーフミラー11と、ディテクタ12と、フィルタ13と、フィルタ駆動部14とを備えている。ハーフミラー11は、フィルタ13とリレーレンズ7との間の光路中に配置され、フィルタ13を透過した露光光の一部をディテクタ12へ入射させる。ディテクタ12は、入射した露光光の照度を独立して検出し、検出した照度信号を制御装置CONTへ出力する。フィルタ13は、透過率がX軸方向に沿って所定範囲で線形に漸次変化するように形成されており、各光路中の照明シャッタ6とハーフミラー11との間に配置されている。フィルタ駆動部14は、制御装置CONTの指示に基づいてフィルタ13をX軸方向に沿って移動することにより、光路ごとに露光量を調整する。 Furthermore, each of the illumination system modules IMa to IMg has a light amount adjustment mechanism 10. The light amount adjustment mechanism 10 adjusts the exposure amount by setting the illuminance of the exposure light for each optical path, and includes a half mirror 11, a detector 12, a filter 13, and a filter drive section 14. . The half mirror 11 is placed in the optical path between the filter 13 and the relay lens 7 , and allows a portion of the exposure light that has passed through the filter 13 to enter the detector 12 . The detector 12 independently detects the illuminance of the incident exposure light and outputs the detected illuminance signal to the control device CONT. The filter 13 is formed so that its transmittance gradually changes linearly in a predetermined range along the X-axis direction, and is disposed between the illumination shutter 6 and the half mirror 11 in each optical path. The filter drive unit 14 adjusts the exposure amount for each optical path by moving the filter 13 along the X-axis direction based on instructions from the control device CONT.

光量調整機構10を透過した光束はリレーレンズ7を介してフライアイレンズ8に達する。フライアイレンズ8は射出面側に二次光源を形成し、この二次光源からの露光光ELは、コンデンサレンズ9を通過し、直角プリズム16と、レンズ系17と、凹面鏡18とを備えた反射屈折型光学系15を通過した後、マスクM上の照射領域を均一に照明する。なお、反射屈折型光学系15を省略しても良い。すなわち、コンデンサレンズ9を通過した光束をマスクMに直接照射しても良い。これによって、照明光学系IL、ひいては露光装置EXを小型化できる。 The light beam transmitted through the light amount adjustment mechanism 10 reaches the fly's eye lens 8 via the relay lens 7. The fly-eye lens 8 forms a secondary light source on the exit surface side, and the exposure light EL from this secondary light source passes through a condenser lens 9, which includes a right-angle prism 16, a lens system 17, and a concave mirror 18. After passing through the catadioptric optical system 15, the irradiation area on the mask M is uniformly illuminated. Note that the catadioptric optical system 15 may be omitted. That is, the mask M may be directly irradiated with the light beam that has passed through the condenser lens 9. This allows the illumination optical system IL and, by extension, the exposure apparatus EX to be miniaturized.

投影光学モジュールPLa~PLgのそれぞれは、像シフト機構19と、フォーカス位置調整機構31と、2組の反射屈折型光学系21、22と、視野絞り20と、倍率調整機構23とを備えている。像シフト機構19は、2枚の平行平面板ガラスをそれぞれθY方向もしくはθX方向に回転させることで、マスクMのパターン像をX軸方向もしくはY軸方向にシフトさせる。また、フォーカス位置調整機構31は、1対の楔プリズムを備え、光路中の楔プリズムの厚さの総和を変化させることによりパターン像の像面位置を変化させ、少なくとも一方の楔プリズムを光軸回りに回転させることによりパターン像の像面の傾斜角度を変化させる。マスクMを透過した露光光ELは像シフト機構19、フォーカス位置調整機構31を透過した後、1組目の反射屈折型光学系21に入射する。反射屈折型光学系21は、マスクMのパターンの中間像を形成するものであって、直角プリズム24とレンズ系25と凹面鏡26とを備えている。直角プリズム24はθZ方向に回転自在となっており、マスクMのパターン像を回転可能となっている。 Each of the projection optical modules PLa to PLg includes an image shift mechanism 19, a focus position adjustment mechanism 31, two catadioptric optical systems 21 and 22, a field stop 20, and a magnification adjustment mechanism 23. . The image shift mechanism 19 shifts the pattern image of the mask M in the X-axis direction or the Y-axis direction by rotating the two parallel plane glass plates in the θY direction or the θX direction, respectively. The focus position adjustment mechanism 31 includes a pair of wedge prisms, changes the image plane position of the pattern image by changing the total thickness of the wedge prisms in the optical path, and moves at least one of the wedge prisms along the optical axis. By rotating the pattern image, the inclination angle of the image plane of the pattern image is changed. The exposure light EL that has passed through the mask M passes through the image shift mechanism 19 and the focus position adjustment mechanism 31, and then enters the first set of catadioptric optical system 21. The catadioptric optical system 21 forms an intermediate image of the pattern of the mask M, and includes a right-angle prism 24, a lens system 25, and a concave mirror 26. The right angle prism 24 is rotatable in the θZ direction, and the pattern image of the mask M can be rotated.

視野絞り20は、反射屈折型光学系21が形成する中間像の像面もしくはその近傍に配置されている。視野絞り20は、基板P上での投影領域を設定する。視野絞り20を透過した露光光ELは、2組目の反射屈折型光学系22に入射する。反射屈折型光学系22は、反射屈折型光学系21と同様に、直角プリズム27とレンズ系28と凹面鏡29とを備えている。直角プリズム27もθZ方向に回転自在となっており、マスクMのパターン像を回転可能となっている。 The field stop 20 is arranged at or near the image plane of the intermediate image formed by the catadioptric optical system 21. The field stop 20 sets a projection area on the substrate P. The exposure light EL transmitted through the field stop 20 enters a second catadioptric optical system 22 . Like the catadioptric optical system 21, the catadioptric optical system 22 includes a right-angle prism 27, a lens system 28, and a concave mirror 29. The right angle prism 27 is also rotatable in the θZ direction, so that the pattern image of the mask M can be rotated.

反射屈折型光学系22から射出した露光光ELは、倍率調整機構23を通過し、基板P上にマスクMのパターン像を正立等倍で結像する。倍率調整機構23は、第1平凸レンズ、両凸レンズおよび第2平凸レンズをZ軸に沿ってこの順に有しており、両凸レンズをZ軸方向に移動させることにより、マスクMのパターン像の倍率を変化させる。 The exposure light EL emitted from the catadioptric optical system 22 passes through the magnification adjustment mechanism 23 and forms a pattern image of the mask M on the substrate P in an erect, same-size image. The magnification adjustment mechanism 23 has a first plano-convex lens, a biconvex lens, and a second plano-convex lens in this order along the Z-axis, and by moving the biconvex lens in the Z-axis direction, the magnification of the pattern image of the mask M can be adjusted. change.

図3(a)は、各投影光学モジュールPLa~PLgが備える視野絞り20を示す図である。視野絞り20は、マスクM及び基板Pに対して略共役な位置に配置されている。各投影光学モジュールPLa~PLgは、それぞれ視野絞り20を有しており、各投影光学モジュールPLa~PLgの基板P上における投影領域50a~50gは、それぞれ対応する視野絞り20に形成された開口Kによって設定される。本実施形態において、各開口Kは、Y軸方向に平行な2辺を有する等脚台形状、もしくはY軸方向に平行な2辺とX軸方向に平行な1辺とを有する台形状に形成されており、投影領域50a~50gは、それぞれ対応する開口Kと共役関係となる台形形状に設定される。 FIG. 3(a) is a diagram showing the field stop 20 provided in each of the projection optical modules PLa to PLg. The field stop 20 is arranged at a position substantially conjugate with respect to the mask M and the substrate P. Each of the projection optical modules PLa to PLg has a field stop 20, and the projection areas 50a to 50g on the substrate P of each of the projection optical modules PLa to PLg are formed by an aperture K formed in the corresponding field stop 20. Set by. In this embodiment, each opening K is formed into an isosceles trapezoid shape having two sides parallel to the Y-axis direction, or a trapezoid shape having two sides parallel to the Y-axis direction and one side parallel to the X-axis direction. The projection areas 50a to 50g are each set to have a trapezoidal shape that is conjugate with the corresponding aperture K.

なお、図3(a)では、視野絞り20は、台形状の開口が形成された平面視矩形の板状部材として図示されているが、実際には、図3(b)に示されるように、開口KのY軸方向の幅を設定するエッジ(端部)を含む絞り部材20yと、開口KのX軸方向の幅を設定するエッジ(端部)を含む絞り部材20xとが別部材とされている。そして、上記絞り部材20y、20xのうち、絞り部材20yが、マスクM及び基板Pに対する共役面CP上に配置されており、絞り部材20xは、共役面CPよりも幾分露光光ELの入射側(+Z側)に配置されている。 Note that in FIG. 3(a), the field stop 20 is illustrated as a rectangular plate-like member in plan view in which a trapezoidal aperture is formed, but in reality, it is as shown in FIG. 3(b). , the aperture member 20y including an edge (end) that sets the width of the aperture K in the Y-axis direction, and the aperture member 20x including an edge (end) that sets the width of the aperture K in the X-axis direction are separate members. has been done. Of the diaphragm members 20y and 20x, the diaphragm member 20y is arranged on the conjugate plane CP with respect to the mask M and the substrate P, and the diaphragm member 20x is located on the incident side of the exposure light EL rather than the conjugate plane CP. (+Z side).

図3(a)に戻り、投影光学モジュールPLa~PLgのうち、投影光学モジュールPLfは、遮光板30を有している。遮光板30は、平面視(Z軸方向から見て)で略長方形の板部材であって、図3(b)に示されるように、投影光学モジュールPLfが備える視野絞り20に対して露光光ELの出射側(-Z側)に配置されている。 Returning to FIG. 3A, among the projection optical modules PLa to PLg, the projection optical module PLf has a light shielding plate 30. The light shielding plate 30 is a substantially rectangular plate member in a plan view (viewed from the Z-axis direction), and as shown in FIG. It is placed on the emission side (-Z side) of the EL.

図3(a)に戻り、遮光板30は、後述する駆動機構80(図8(a)など参照)によって、+Y側の長辺が、視野絞り20の開口Kを形成する+Y側の端部(斜辺)と略平行になる第1の傾斜配置(図4(a)参照)と、-Y側の長辺が、視野絞り20の開口Kを形成する-Y側の端部(斜辺)と略平行となる第2の傾斜配置(図4(b)参照)との間で駆動可能となっている。このように、遮光部材30は、第1の傾斜配置(第1の傾斜角度)と第2の傾斜配置(第2の傾斜角度)との間を移動することにより、投影光学モジュールPLfによって生成される投影領域50fの形状を変更することが可能となっている。なお、第1の傾斜角度及び第2の傾斜角度は、台形状の投影領域の傾斜角度によって定められる。例えば、図4(a)に示される第1の傾斜角度は、遮光板30のY軸方向に対する傾斜角度が、台形状の投影領域50fの+Y軸方向の端辺の傾斜角度と平行である。また、図4(b)に示される第2の傾斜角度は、遮光板30のY軸方向に対する傾斜角度が、台形状の投影領域50fの-Y軸方向の端辺の傾斜角度と平行である。すなわち、投影領域の形状を踏まえて、遮光板30の傾斜角度(第1の傾斜角度及び第2の傾斜角度)は任意に定めることができる。 Returning to FIG. 3(a), the light shielding plate 30 is moved by a drive mechanism 80 (see FIG. 8(a) etc.) to be described later, so that the long side on the +Y side forms the aperture K of the field stop 20. (see FIG. 4(a)), and the long side on the -Y side forms the aperture K of the field stop 20. It is possible to drive between the second inclined arrangement (see FIG. 4(b)) which is substantially parallel to the second inclined arrangement (see FIG. 4(b)). In this way, the light shielding member 30 is generated by the projection optical module PLf by moving between the first inclined arrangement (first inclined angle) and the second inclined arrangement (second inclined angle). It is possible to change the shape of the projection area 50f. Note that the first inclination angle and the second inclination angle are determined by the inclination angle of the trapezoidal projection area. For example, in the first inclination angle shown in FIG. 4A, the inclination angle of the light shielding plate 30 with respect to the Y-axis direction is parallel to the inclination angle of the end side of the trapezoidal projection area 50f in the +Y-axis direction. Further, the second inclination angle shown in FIG. 4(b) is such that the inclination angle of the light shielding plate 30 with respect to the Y-axis direction is parallel to the inclination angle of the end side of the trapezoidal projection area 50f in the −Y-axis direction. . That is, the inclination angle (the first inclination angle and the second inclination angle) of the light shielding plate 30 can be arbitrarily determined based on the shape of the projection area.

また、遮光板30は、駆動機構80(図8(a)など参照)によってY軸方向に直進移動可能とされており、投影光学モジュールPLfによって生成される投影領域50fのY軸方向の幅を設定変更することができる。また、遮光板30は、Y軸方向に直進移動することによって、開口Kと重ならない位置、すなわち開口Kが視野絞り20のみによって設定される位置に移動することも可能である。 Further, the light shielding plate 30 is capable of moving linearly in the Y-axis direction by a drive mechanism 80 (see FIG. 8(a) etc.), and can control the width in the Y-axis direction of the projection area 50f generated by the projection optical module PLf. Settings can be changed. Further, by moving the light shielding plate 30 straight in the Y-axis direction, it is also possible to move the light shielding plate 30 to a position where it does not overlap with the aperture K, that is, a position where the aperture K is set only by the field stop 20.

ここで、従来の遮光板を用いた実施例と遮光板30を用いた本実施形態との相違について説明する。 Here, differences between an example using a conventional light shielding plate and this embodiment using a light shielding plate 30 will be explained.

図5(a)~図6(b)には、繋ぎ露光を行う際の投影領域と遮光部との位置関係を示した図が記載されている。図5(a)~図6(b)における紙面右側には、上記実施形態で用いられる複数の投影光学モジュールによって基板上に投影される投影領域の一部(投影領域50e~50g)と、露光光を遮光することによって投影領域を規定する遮光板30とが示されている。また、図5(a)~図6(b)における紙面左側には、投影領域を一列に配置した形態が示されている。 FIGS. 5(a) to 6(b) are diagrams showing the positional relationship between the projection area and the light shielding portion when performing continuous exposure. On the right side of the paper in FIGS. 5(a) to 6(b), a part of the projection area (projection areas 50e to 50g) projected onto the substrate by the plurality of projection optical modules used in the above embodiment, and the exposure A light shielding plate 30 is shown that defines a projection area by blocking light. Further, on the left side of the paper in FIGS. 5(a) to 6(b), a configuration in which the projection areas are arranged in a line is shown.

図5(a)に示されるように、投影領域50eのX軸方向の投影幅がY軸方向においてほぼ一定である領域、すなわち台形状の投影領域50eの中心部においてパターン継ぎを行う場合、遮光板30を投影領域50eの中心部に配置することによって、Y軸方向に沿って投影幅が変化する露光量の傾斜部G(継ぎ部)を形成することができる。 As shown in FIG. 5(a), when pattern joining is performed in an area where the projection width in the X-axis direction of the projection area 50e is approximately constant in the Y-axis direction, that is, in the center of the trapezoidal projection area 50e, the light shielding By arranging the plate 30 at the center of the projection area 50e, it is possible to form a sloped portion G (joint portion) of exposure amount in which the projection width changes along the Y-axis direction.

しかしながら、図5(b)に示されるように、投影領域50eのX軸方向の投影幅がY軸方向に沿って変化する領域、すなわち台形状の投影領域のうちの端部領域においてパターン継ぎを行う場合、投影領域50eを規定する遮光部30だけで露光量の傾斜部Gを形成しようとすると、傾斜部Gで露光量が多くなり過ぎて、パターン継ぎを行うことができない。 However, as shown in FIG. 5(b), pattern joining is not performed in a region where the projection width in the X-axis direction of the projection region 50e changes along the Y-axis direction, that is, in the end region of the trapezoidal projection region. In this case, if an attempt is made to form the sloped portion G of exposure amount using only the light shielding portion 30 that defines the projection area 50e, the amount of exposure at the sloped portion G becomes too large, making it impossible to perform pattern splicing.

そこで、図6(a)に示されるように、投影領域50eの遮光板30に加えて、投影領域50fに同様の遮光板30Aを配置すれば、露光量の傾斜部Gを形成することができ、パターン継ぎを行うことができる。遮光板30Aは、遮光板30と傾斜角度が等しくなるように配置される。なお、遮光板30と遮光板30Aとは、別部材であっても良いし、共通の部材により形成されていても良い。 Therefore, as shown in FIG. 6(a), in addition to the light shielding plate 30 in the projection area 50e, if a similar light shielding plate 30A is arranged in the projection area 50f, a slope G of the exposure amount can be formed. , pattern splicing can be performed. The light shielding plate 30A is arranged so that the inclination angle is equal to that of the light shielding plate 30. Note that the light shielding plate 30 and the light shielding plate 30A may be separate members or may be formed of a common member.

さらに、図6(a)に示されるように、遮光板30Aを配置しなくても、図6(b)に示されるように、遮光板30の傾斜角度を変更することによって、投影領域50eを規定する1つの遮光板30のみで傾斜部Gを形成することができる。遮光板30の傾斜角度を、投影領域50eの端部領域の角度と平行となるように変更する。つまり、遮光板30の傾斜角度を、投影領域50fの端部領域の角度と平行となるように変更する。これにより、投影領域50eの端部領域と投影領域50fの端部領域とのパターン継ぎを行うことができる。投影領域50fの端部領域が、あたかも+Y方向に移動されたように、パターン継ぎが行われる。これによって、遮光板を増やす必要がないとともに、図6(a)の場合と比較して、投影領域50eの遮光板と投影領域50fの遮光板とを同期させる必要がないので、露光装置を簡素化できる。 Furthermore, as shown in FIG. 6(a), even if the light shielding plate 30A is not disposed, the projection area 50e can be expanded by changing the inclination angle of the light shielding plate 30, as shown in FIG. 6(b). The sloped portion G can be formed using only one defined light shielding plate 30. The inclination angle of the light shielding plate 30 is changed to be parallel to the angle of the end region of the projection area 50e. That is, the inclination angle of the light shielding plate 30 is changed to be parallel to the angle of the end region of the projection area 50f. Thereby, the pattern can be spliced between the end region of the projection region 50e and the end region of the projection region 50f. Pattern splicing is performed as if the end region of the projection region 50f was moved in the +Y direction. As a result, there is no need to increase the number of light shielding plates, and there is no need to synchronize the light shielding plates in the projection area 50e and the light shielding plates in the projection area 50f compared to the case of FIG. 6(a), thereby simplifying the exposure apparatus. can be converted into

また、従来の遮光板を用いた実施例と遮光板30を用いた本実施形態との相違については、次のように説明することもできる。 Further, the difference between the embodiment using the conventional light shielding plate and this embodiment using the light shielding plate 30 can be explained as follows.

図7(a)に示されるように、従来の実施例では、投影領域50fに対する傾斜配置が一方向にのみ傾斜した遮光板を用いていたため、Y軸方向に関するT領域及びα領域、β領域でのみ1回の走査移動で露光できるY軸方向の走査幅を設定することが可能であった。例えば、T領域及びβ領域内で繋ぎ露光を行う際には、遮光板をY軸方向に移動させることで走査幅を設定することができ、α領域又はγ領域で繋ぎ露光を行う際には、照明系モジュールIMfまたは照明系モジュールIMgの照明シャッタ6(図2参照)で露光光を遮光することによって走査幅を設定することができた。しかしながら、領域U内に遮光板を配置した場合、露光量が均一にならず、繋ぎ露光を行える領域に制限があった。 As shown in FIG. 7(a), in the conventional embodiment, a light shielding plate that is inclined in only one direction with respect to the projection area 50f is used. It was possible to set the scan width in the Y-axis direction that could be exposed with only one scan movement. For example, when performing continuous exposure in the T area and β area, the scanning width can be set by moving the light shielding plate in the Y-axis direction, and when performing continuous exposure in the α area or γ area, The scanning width could be set by blocking the exposure light with the illumination shutter 6 (see FIG. 2) of the illumination system module IMf or the illumination system module IMg. However, when a light shielding plate is placed within the area U, the amount of exposure is not uniform, and there is a limit to the area in which continuous exposure can be performed.

これに対して、遮光板30を用いた本実施形態では、図7(b)に示されるように遮光板30を第1の傾斜配置及び第2の傾斜配置の間で移動させることができるため、U領域内に遮光板30を配置した場合であっても、露光量を均一にして、繋ぎ露光を行うことができる。例えば、T領域内で繋ぎ露光を行う際には、遮光板30を第1の傾斜配置で用い、U領域内で繋ぎ露光を行う際には、遮光板30を第2の傾斜配置に移動させて用いることができる。 In contrast, in the present embodiment using the light shielding plate 30, the light shielding plate 30 can be moved between the first inclined arrangement and the second inclined arrangement, as shown in FIG. 7(b). , even if the light shielding plate 30 is placed within the U area, continuous exposure can be performed with a uniform exposure amount. For example, when performing continuous exposure in the T area, the light shielding plate 30 is used in the first inclined arrangement, and when performing continuous exposure in the U area, the light shielding plate 30 is moved to the second inclined arrangement. It can be used as

また、図7(c)に示されるように、遮光板30を投影領域50fに加えて、投影領域50e及び投影領域50gを遮光できるように配置すれば、S領域においても繋ぎ露光を行うことができる。すなわち、本実施形態の遮光板30を用いれば、Y軸方向のあらゆる領域で繋ぎ露光を行うことができる。 Further, as shown in FIG. 7(c), if the light shielding plate 30 is added to the projection area 50f and placed so as to shield the projection area 50e and the projection area 50g, continuous exposure can also be performed in the S area. can. That is, by using the light shielding plate 30 of this embodiment, continuous exposure can be performed in any area in the Y-axis direction.

次に、駆動機構80を用いて、本実施形態の遮光板30を第1の傾斜配置又は第2の傾斜配置に移動させることによって、開口Kを設定変更する手法について説明する。 Next, a method of changing the setting of the aperture K by using the drive mechanism 80 to move the light shielding plate 30 of this embodiment to the first inclined arrangement or the second inclined arrangement will be described.

図8(a)に示されるように、駆動機構80は、一対のアクチュエータ82、84を、開口Kを挟んで(開口Kの-X側、+X側に)備えている。アクチュエータ82は、モータ(サーボモータ)82aと、該モータ82aによって駆動されるネジ82bと、該ネジ82bに螺合する円筒状のナット82cとを備えた、いわゆる送りネジ装置であり、ナット82cをY軸方向に関して開口Kよりも長いストロークで往復駆動することができる。遮光板30の-X側の端部近傍には、平面視U字状の切り欠き30aが形成されており、該切り欠き30a内にナット82cが挿入されている。アクチュエータ84も、アクチュエータ82と同様な構成(モータ84a、ネジ84b、ナット84c)の送りネジ装置であるが、ナット84cが遮光板30の+X側の端部近傍に、遮光板30に対してθZ方向に回転自在に取り付けられている点が異なる。駆動機構80が有する一対のアクチュエータ82、84は、それぞれ独立に制御装置CONT(図2参照)により制御される。 As shown in FIG. 8(a), the drive mechanism 80 includes a pair of actuators 82 and 84 with an opening K in between (on the −X side and the +X side of the opening K). The actuator 82 is a so-called feed screw device that includes a motor (servo motor) 82a, a screw 82b driven by the motor 82a, and a cylindrical nut 82c that is screwed onto the screw 82b. It is possible to reciprocate with a stroke longer than the opening K in the Y-axis direction. A notch 30a that is U-shaped in plan view is formed near the -X side end of the light shielding plate 30, and a nut 82c is inserted into the notch 30a. The actuator 84 is also a feed screw device with the same configuration as the actuator 82 (motor 84a, screw 84b, nut 84c), but the nut 84c is located near the +X side end of the light shielding plate 30, and is at an angle of θZ with respect to the light shielding plate 30. The difference is that it is attached so that it can rotate freely in any direction. A pair of actuators 82 and 84 included in the drive mechanism 80 are each independently controlled by a control device CONT (see FIG. 2).

駆動機構80は、図8(a)に示されるように、遮光板30の+Y側のエッジ(端部)が、視野絞り20(図8(a)では不図示。図3(a)参照)の開口Kを形成するエッジ(端部)のうち、+Y側のエッジと平行となる位置に遮光板30を位置決めし、遮光板30の-Y側に露光光の光路を形成することによって、基板P(図1参照)上に生成される投影領域50fを、平面視で台形(等脚台形)とすることができる。遮光板30の位置、及び角度は、不図示の計測装置(位置計測装置、光量計測装置など)の出力、あるいはアクチュエータ82、84に対する入力信号に基づいて計測される。この際、開口Kのうち、遮光板30よりも+Y側の領域は、露光光が通過しないように、可動式のブラインド装置60によって遮光される。以下、図8(a)に示されるように、遮光板30の-Y側に露光光の光路が形成され、且つ該光路を通過した露光光によって基板P上に平面視台形の投影領域50fが生成される状態を、遮光板30の第1のモードと称して説明する。 As shown in FIG. 8(a), the driving mechanism 80 has an edge (end) on the +Y side of the light shielding plate 30 that connects to the field stop 20 (not shown in FIG. 8(a); see FIG. 3(a)). By positioning the light shielding plate 30 at a position parallel to the edge on the +Y side among the edges (ends) forming the opening K of the substrate, and forming the optical path of the exposure light on the −Y side of the light shielding plate 30, The projection area 50f generated on P (see FIG. 1) can be made into a trapezoid (isosceles trapezoid) in plan view. The position and angle of the light shielding plate 30 are measured based on the output of a measuring device (such as a position measuring device or a light amount measuring device) (not shown) or input signals to the actuators 82 and 84. At this time, a region of the opening K on the +Y side of the light shielding plate 30 is shielded by a movable blind device 60 so that the exposure light does not pass therethrough. Hereinafter, as shown in FIG. 8(a), an optical path of exposure light is formed on the -Y side of the light shielding plate 30, and a projection area 50f having a trapezoidal shape in plan view is formed on the substrate P by the exposure light that has passed through the optical path. The generated state will be referred to as the first mode of the light shielding plate 30 and will be described.

また、駆動機構80は、図8(a)に示される状態から、一対のアクチュエータ82、84それぞれのナット82c、84cを同じストローク(移動量)でY軸方向に駆動することによって、開口Kの面積、すなわち基板P(図1参照)上に生成される投影領域50f(平面視で台形)の幅(面積)を設定変更することができる。この際、遮光板30の位置に応じてブラインド装置60もY軸方向に駆動される。 Further, the drive mechanism 80 opens the opening K by driving the nuts 82c and 84c of the pair of actuators 82 and 84 in the Y-axis direction with the same stroke (movement amount) from the state shown in FIG. 8(a). The area, that is, the width (area) of the projection region 50f (trapezoidal in plan view) generated on the substrate P (see FIG. 1) can be changed. At this time, the blind device 60 is also driven in the Y-axis direction according to the position of the light shielding plate 30.

なお、上述したブラインド装置60は、遮光板30を備えていない投影光学モジュールPLa~PLe、PLg(図1参照)それぞれにも対応して備えられており、該投影光学モジュールPLa~PLe、PLgそれぞれが備える視野絞り20に形成された開口K(図3(a)参照)を開放すること、及び遮蔽することが任意に選択可能となっている。なお、本実施形態において、ブラインド装置60は、照明光学系IL(図1参照)が有しているが、これに限定されず、露光光ELの光路上であれば、他の位置に配置されていても良い。 Note that the blind device 60 described above is also provided corresponding to each of the projection optical modules PLa to PLe, PLg (see FIG. 1) that are not equipped with the light shielding plate 30, and The aperture K formed in the field stop 20 (see FIG. 3(a)) can be opened or closed as desired. Note that in this embodiment, the blind device 60 is included in the illumination optical system IL (see FIG. 1), but the blind device 60 is not limited to this, and may be placed in any other position as long as it is on the optical path of the exposure light EL. You can leave it there.

また、駆動機構80は、上記第1のモード(一例として図8(a)参照)から、図8(b)に示されるように、アクチュエータ82のナット82cがアクチュエータ84のナット84cよりも+Y側に位置するようにナット82c、84cそれぞれのY位置を制御することによって、遮光板30の-Y側のエッジ(端部)が、視野絞り20(図8(b)では不図示。図3(a)参照)の開口Kを形成するエッジ(端部)のうち、-Y側のエッジと平行となる位置に遮光板30を位置決めすることができる。これによって、基板P(図1参照)上に生成される投影領域50fを平面視で平行四辺形とすることができる。以下、図8(b)に示されるように、遮光板30の-Y側に露光光の光路が形成され、且つ該光路を通過した露光光によって基板P上に平面視平行四辺形の投影領域50fが生成される状態を、遮光板30の第2のモードと称して説明する。本第2のモードにおいても、一対のナット82c、84cをY軸方向に同期駆動することによって、開口Kの面積、すなわち基板P(図1参照)上に生成される投影領域50f(平面視で平行四辺形)の幅(面積)を設定変更することができる。また、開口Kにおける遮光板30よりも+Y側の領域は、遮光板30の位置に応じてブラインド装置60によって適宜遮光される。 Further, in the drive mechanism 80, the nut 82c of the actuator 82 is on the +Y side more than the nut 84c of the actuator 84, as shown in FIG. By controlling the Y position of each nut 82c, 84c so that the -Y side edge (end) of the light shielding plate 30 is located at the field stop 20 (not shown in FIG. 8(b), FIG. 3( The light shielding plate 30 can be positioned at a position parallel to the edge on the −Y side among the edges (ends) forming the opening K in (see a)). Thereby, the projection area 50f generated on the substrate P (see FIG. 1) can be made into a parallelogram in plan view. Hereinafter, as shown in FIG. 8(b), an optical path of exposure light is formed on the -Y side of the light shielding plate 30, and a projection area of a parallelogram in plan view is formed on the substrate P by the exposure light that has passed through the optical path. The state in which 50f is generated will be described as the second mode of the light shielding plate 30. Also in this second mode, by driving the pair of nuts 82c and 84c synchronously in the Y-axis direction, the area of the opening K, that is, the projection area 50f (in plan view) generated on the substrate P (see FIG. 1) is You can change the width (area) of the parallelogram. Further, a region of the opening K on the +Y side of the light shielding plate 30 is appropriately shielded from light by the blind device 60 depending on the position of the light shielding plate 30.

また、駆動機構80は、上記第2のモード(一例として図8(b)参照)から、図8(c)に示されるように、ブラインド装置60の位置を遮光板30の-Y側に移動させることによって、遮光板30の+Y側に露光光の光路を形成することができる。遮光板30の+Y側のエッジ(端部)は、視野絞り20(図8(c)では不図示。図3(a)参照)の開口Kを形成するエッジ(端部)のうち、-Y側のエッジと平行であるため、上記光路を通過した露光光によって基板P上に生成される投影領域50fは、平面視で台形(等脚台形)となる。以下、図8(c)に示されるように、遮光板30の+Y側に露光光の光路が形成され、且つ該光路を通過した露光光によって基板P上に平面視台形の投影領域50fが生成される状態を、遮光板30の第3のモードと称して説明する。本第3のモードにおいても、一対のナット82c、84cをY軸方向に同期駆動することによって、開口Kの面積、すなわち基板P(図1参照)上に生成される投影領域50f(平面視で台形)の幅(面積)を設定変更することができる。また、開口Kにおける遮光板30よりも-Y側の領域は、遮光板30の位置に応じてブラインド装置60によって適宜遮光される。 Further, the drive mechanism 80 moves the position of the blind device 60 from the second mode (see FIG. 8(b) as an example) to the -Y side of the light shielding plate 30, as shown in FIG. 8(c). By doing so, an optical path of exposure light can be formed on the +Y side of the light shielding plate 30. The +Y side edge (end) of the light shielding plate 30 is the −Y side edge (end) of the edge (end) forming the aperture K of the field stop 20 (not shown in FIG. 8(c), see FIG. 3(a)). Since it is parallel to the side edge, the projection area 50f generated on the substrate P by the exposure light that has passed through the optical path becomes a trapezoid (isosceles trapezoid) in plan view. Hereinafter, as shown in FIG. 8(c), an optical path of exposure light is formed on the +Y side of the light shielding plate 30, and a projection area 50f having a trapezoidal shape in plan view is generated on the substrate P by the exposure light that has passed through the optical path. This state will be described as the third mode of the light shielding plate 30. Also in the third mode, by driving the pair of nuts 82c and 84c synchronously in the Y-axis direction, the area of the opening K, that is, the projection area 50f (in plan view) generated on the substrate P (see FIG. 1) is You can change the width (area) of the trapezoid. Further, a region of the opening K on the −Y side with respect to the light shielding plate 30 is appropriately shielded from light by the blind device 60 depending on the position of the light shielding plate 30.

また、駆動機構80は、上記第3のモード(一例として図8(c)参照)から、図8(d)に示されるように、ナット84cがナット82cよりも+Y側に位置するようにナット82c、84cのY位置を制御することによって、遮光板30の+Y側のエッジ(端部)が、視野絞り20(図8(b)では不図示。図3(a)参照)の開口Kを形成するエッジ(端部)のうち、+Y側のエッジと平行となる位置に遮光板30を位置決めすることができる。これによって、基板P(図1参照)上に生成される投影領域50fを平面視で平行四辺形とすることができる。以下、図8(d)に示されるように、遮光板30の+Y側に露光光の光路が形成され、且つ該光路を通過した露光光によって基板P上に平面視平行四辺形の投影領域50fが生成される状態を遮光板30の第4のモードと称して説明する。本第4のモードにおいても、一対のナット82c、84cをY軸方向に同期駆動することによって、開口Kの面積、すなわち基板P(図1参照)上に生成される投影領域50f(平面視で平行四辺形)の幅(面積)を設定変更することができる。また、開口Kにおける遮光板30よりも-Y側の領域は、遮光板30の位置に応じてブラインド装置60によって適宜遮光される。 Further, the drive mechanism 80 moves the nut 84c from the third mode (see FIG. 8(c) as an example) so that the nut 84c is located on the +Y side relative to the nut 82c, as shown in FIG. 8(d). By controlling the Y positions of 82c and 84c, the edge (end) on the +Y side of the light shielding plate 30 opens the aperture K of the field stop 20 (not shown in FIG. 8(b), see FIG. 3(a)). The light shielding plate 30 can be positioned at a position parallel to the edge on the +Y side among the edges (ends) to be formed. Thereby, the projection area 50f generated on the substrate P (see FIG. 1) can be made into a parallelogram in plan view. Hereinafter, as shown in FIG. 8(d), an optical path of exposure light is formed on the +Y side of the light shielding plate 30, and the exposure light that has passed through the optical path forms a projection area 50f of a parallelogram in plan view on the substrate P. The state in which this is generated will be referred to as the fourth mode of the light shielding plate 30 and will be described. In the fourth mode as well, by driving the pair of nuts 82c and 84c synchronously in the Y-axis direction, the area of the opening K, that is, the projection area 50f (in plan view) generated on the substrate P (see FIG. 1) is You can change the width (area) of the parallelogram. Further, a region of the opening K on the −Y side with respect to the light shielding plate 30 is appropriately shielded from light by the blind device 60 depending on the position of the light shielding plate 30.

このように、本実施形態では、遮光板30に対して開口Kの-Y方向(第1及び第2のモード)、及び+Y方向(第3及び第4のモード)の双方向に露光光の光路を形成することができ、且つ第1~第4のモードそれぞれにおいて、開口Kの幅を任意に調節することができる。すなわち、視野絞り20、遮光板30、駆動機構80、及びブラインド装置60は、投影光学モジュールPLfが基板P上に生成する投影領域50fの形状、及び位置を任意に変化させる可変視野絞り装置を構成している。 As described above, in this embodiment, the exposure light is directed to the light shielding plate 30 in both the -Y direction (first and second modes) and the +Y direction (third and fourth modes) of the aperture K. An optical path can be formed, and the width of the aperture K can be arbitrarily adjusted in each of the first to fourth modes. That is, the field stop 20, the light shielding plate 30, the drive mechanism 80, and the blind device 60 constitute a variable field stop device that arbitrarily changes the shape and position of the projection area 50f generated on the substrate P by the projection optical module PLf. are doing.

図9は、基板P上に生成される投影領域50a~50gを示す平面図である。投影領域50a~50gは、Y軸方向に隣り合う投影領域の端部同士、すなわち端部51aと51b、端部51cと51d、端部51eと51f、端部51gと51h、端部51iと51j、端部51kと51lが、Y軸方向に重なり合うように(Y軸方向の位置が重複するように)設定されている。このため、投影領域50a~50gに対して基板PをX軸方向へ走査しながら露光(走査露光)を行うことで、重複して露光(二重露光)される重複領域52a~52f(図9において二点差線で挟まれた領域)が形成される。 FIG. 9 is a plan view showing the projection areas 50a to 50g generated on the substrate P. The projection areas 50a to 50g are the ends of adjacent projection areas in the Y-axis direction, that is, the ends 51a and 51b, the ends 51c and 51d, the ends 51e and 51f, the ends 51g and 51h, and the ends 51i and 51j. , the end portions 51k and 51l are set to overlap in the Y-axis direction (so that their positions in the Y-axis direction overlap). Therefore, by exposing the projection areas 50a to 50g while scanning the substrate P in the X-axis direction (scanning exposure), overlapping areas 52a to 52f (FIG. 9) are exposed in duplicate (double exposure). A region between two dotted lines) is formed.

また、図9において破線で示されるように、遮光板30は、上記第1及び第2の位置、並びにY軸方向への移動によって、投影領域50fの実効的な大きさを適宜設定する。これによって、遮光板30は、基板PをX軸方向へ走査して走査露光を行う場合、投影領域50fを介して転写されるマスクMのパターン像のY軸方向の幅、及び形状を適宜設定することができ、そのパターン像に対応する潜像として基板P上に形成される転写パターンのY軸方向のパターン幅、及びパターン形状を適宜設定することができる。 Moreover, as shown by the broken line in FIG. 9, the light shielding plate 30 appropriately sets the effective size of the projection area 50f by moving in the first and second positions and in the Y-axis direction. Thereby, when performing scanning exposure by scanning the substrate P in the X-axis direction, the light-shielding plate 30 appropriately sets the width and shape in the Y-axis direction of the pattern image of the mask M transferred via the projection area 50f. The pattern width in the Y-axis direction and the pattern shape of the transfer pattern formed on the substrate P as a latent image corresponding to the pattern image can be set as appropriate.

次に、露光装置EX(図1参照)を用いて複数回の走査露光を行い、マスクMのパターン像に対応する複数の転写パターンを基板P上で継ぎ合わせる繋ぎ露光方法について説明する。以下の説明では、図10に示されるように、マスクM上に形成されているパターンPPAのうち、Y軸方向に長さLAを有する部分パターンPAと、Y軸方向に長さLBを有する部分パターンPBとの2つの領域のパターン像を、2回の走査露光(第1及び第2走査露光)に分けて基板P上に順次転写し、これらのパターン像に対応する転写パターンMA、MBを基板P上で継ぎ合わせてパターン合成を行うものとする。その際、部分パターンPA、PBのそれぞれの境界部45、46に対応する転写パターンMA、MBの境界部を、重複して露光することで継ぎ部MCを形成する。これによって、基板P上の全体の転写パターンMPAは、部分パターンPAの転写パターンMAと、部分パターンPBの転写パターンMBとが継ぎ合わされたものとなる。 Next, a description will be given of a splicing exposure method in which scanning exposure is performed a plurality of times using the exposure apparatus EX (see FIG. 1) and a plurality of transfer patterns corresponding to the pattern image of the mask M are spliced onto the substrate P. In the following description, as shown in FIG. 10, of the pattern PPA formed on the mask M, a partial pattern PA having a length LA in the Y-axis direction and a portion having a length LB in the Y-axis direction will be described. The pattern images of the two areas with the pattern PB are sequentially transferred onto the substrate P in two scan exposures (first and second scan exposure), and the transfer patterns MA and MB corresponding to these pattern images are transferred. It is assumed that pattern synthesis is performed by splicing on the substrate P. At this time, the joint portion MC is formed by overlappingly exposing the boundary portions of the transfer patterns MA and MB corresponding to the respective boundary portions 45 and 46 of the partial patterns PA and PB. As a result, the entire transfer pattern MPA on the substrate P is a combination of the transfer pattern MA of the partial pattern PA and the transfer pattern MB of the partial pattern PB.

ここで、本実施形態では、投影光学モジュールPLfによって基板P上に生成される投影領域50fのY軸方向に関する位置、及び幅を、上記第1~第4の4つのモードを用いて適宜設定変更することができる。これによって、第1走査露光で転写パターンMAにおける継ぎ部を、投影光学モジュールPLfを用いて形成する場合に、部分パターンPAのY軸方向に長さLA、及びその端部形状を任意に設定すること、又は第2走査露光で転写パターンMBおける継ぎ部を、投影光学モジュールPLfを用いて形成する場合に、部分パターンPBのY軸方向の長さLB、及びその端部形状を任意に設定することができる。 Here, in the present embodiment, the position and width in the Y-axis direction of the projection area 50f generated on the substrate P by the projection optical module PLf are changed as appropriate using the above four modes. can do. With this, when forming a joint part in the transfer pattern MA in the first scanning exposure using the projection optical module PLf, the length LA in the Y-axis direction of the partial pattern PA and the shape of the end thereof can be arbitrarily set. Alternatively, when forming the joint portion of the transfer pattern MB in the second scanning exposure using the projection optical module PLf, the length LB of the partial pattern PB in the Y-axis direction and the shape of the end thereof are arbitrarily set. be able to.

ここで、実際には、露光装置EXを用いて1枚のマザーガラス基板から製品としての液晶パネルを複数枚製造する場合、液晶パネルのサイズ、枚数などは、様々な種類のものが要求される。例えば一枚のガラス基板上に、互いに異なるサイズの製品(液晶パネル等の回路パターン)を作成することが要求される。従って、実際には、繋ぎ露光の回数(継ぎ部MCの数)、転写パターンMA、MBの長さなどには、設計に応じて様々な態様が要求される。以下、本実施形態の遮光板30を用いて繋ぎ露光を行う際の露光方法について具体的に説明する。なお、以下の第1の露光方法及び第2の露光方法では、投影光学系モジュールが7本の場合について説明し、第3~第5の露光方法では、投影光学系モジュールが11本の場合について説明するが、投影光学系モジュールの本数は、適宜変更可能なものであり、繋ぎ露光の概念、方法などに関しては、投影光学系モジュールの本数にかかわらず、図6に説明した例と同一である。 In reality, when manufacturing multiple liquid crystal panels as products from one mother glass substrate using exposure equipment EX, various types of liquid crystal panels are required in terms of size, number, etc. . For example, it is required to create products (circuit patterns such as liquid crystal panels) of different sizes on a single glass substrate. Therefore, in reality, various aspects are required for the number of joint exposures (the number of joint portions MC), the lengths of the transfer patterns MA and MB, etc., depending on the design. Hereinafter, an exposure method when performing continuous exposure using the light shielding plate 30 of this embodiment will be specifically described. In addition, in the following first exposure method and second exposure method, the case where there are 7 projection optical system modules will be explained, and in the third to fifth exposure methods, the case where there are 11 projection optical system modules will be explained. As will be explained, the number of projection optical system modules can be changed as appropriate, and the concept and method of continuous exposure are the same as the example explained in FIG. 6 regardless of the number of projection optical system modules. .

図11(a)には、第1の露光方法に係る基板PとマスクMとが図示されている。第1の露光方法では、1枚の基板Pから2枚のパネルPN1、PN2を製造する。パネルPN1、PN2のサイズは同一であり、使用されるマスクパターンも同一である。第1の露光方法では、図10に説明した場合と同様であり、2回の露光動作(1回の繋ぎ露光動作)で、各パネルPN1、PN2への露光動作を完了することができる。 FIG. 11A shows a substrate P and a mask M according to the first exposure method. In the first exposure method, two panels PN1 and PN2 are manufactured from one substrate P. The sizes of panels PN1 and PN2 are the same, and the mask patterns used are also the same. The first exposure method is similar to the case described in FIG. 10, and the exposure operation for each panel PN1 and PN2 can be completed with two exposure operations (one continuous exposure operation).

第1の露光方法では、図11(b)に示されるように、遮光板30を第2の傾斜配置に移動させるとともに、+Y軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板30を移動させる。この状態で、マスクMと基板PとをX軸方向(第1方向)に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのA領域のパターンを基板Pに形成する第1の走査露光が行われる。次に、基板Pを基板ステージ駆動部PSTDによってY軸方向(第2方向)に移動させるステップ移動が行われる。そして、図11(c)に示されるように、遮光板30を第1の傾斜配置に移動させるとともに、-Y軸方向側に露光光の光路が形成されるように遮光板30をY軸方向に沿って移動させる。この際、基板P上の各パネル領域において、A領域に対応する転写パターンとB領域に対応する転写パターンとの間には、継ぎ部が形成されることになる。この継ぎ部において、露光量が均一になるように遮光板30及びブラインド装置60の位置決めが行われる。その後、マスクMと基板PとをX軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのB領域のパターンを基板Pに形成する第2の走査露光が行われる。これによって、マスクMのパターン領域PPA(図10参照)よりも大きなサイズのパネルを基板Pに形成することができる。 In the first exposure method, as shown in FIG. 11(b), the light shielding plate 30 is moved to the second inclined arrangement, and the light shielding plate 30 is moved so that the optical path of the exposure light is formed on the +Y-axis side. move it. In this state, by relatively moving the mask M and the substrate P along the X-axis direction (first direction), a first scanning exposure is performed to form a pattern in area A of the mask pattern on the substrate P. be exposed. Next, step movement is performed to move the substrate P in the Y-axis direction (second direction) by the substrate stage drive unit PSTD. Then, as shown in FIG. 11(c), the light shielding plate 30 is moved to the first inclined arrangement, and the light shielding plate 30 is moved in the Y-axis direction so that the optical path of the exposure light is formed on the -Y-axis direction side. move it along. At this time, in each panel area on the substrate P, a joint portion is formed between the transfer pattern corresponding to the A area and the transfer pattern corresponding to the B area. At this joint, the light shielding plate 30 and the blind device 60 are positioned so that the amount of exposure becomes uniform. Thereafter, a second scanning exposure is performed in which a pattern in area B of the mask pattern is formed on the substrate P by relatively moving the mask M and the substrate P along the X-axis direction. Thereby, a panel larger in size than the pattern area PPA of the mask M (see FIG. 10) can be formed on the substrate P.

図12(a)には、第2の露光方法に係る基板PとマスクMとが図示されている。第2の露光方法では、1枚の基板Pから2枚のパネルPN1、PN2を製造する。パネルPN1、PN2のサイズは同一であり、使用されるマスクパターンも同一である。第2の露光方法では、第1の露光方法よりも大きなパネルを製造することができる。また、第1の露光方法と同様に、2回の露光動作(1回の繋ぎ露光動作)で、各パネルPN1、PN2への露光動作を完了することができる。 FIG. 12A shows a substrate P and a mask M according to the second exposure method. In the second exposure method, two panels PN1 and PN2 are manufactured from one substrate P. The sizes of panels PN1 and PN2 are the same, and the mask patterns used are also the same. With the second exposure method, larger panels can be manufactured than with the first exposure method. Further, similarly to the first exposure method, the exposure operation for each panel PN1 and PN2 can be completed with two exposure operations (one continuous exposure operation).

第2の露光方法では、図12(b)に示されるように、投影光学モジュールPLf(図1参照)によって生成される投影領域50fを規定する遮光板30を第2の傾斜配置に移動させるとともに、+Y軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板30を移動させる。この状態で、マスクMと基板PとをX軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのA領域のパターンを基板Pに形成する第1の走査露光が行われる。次に、基板Pを基板ステージ駆動部PSTDによってY軸方向に移動させるステップ移動が行われる。そして、図12(c)に示されるように、投影光学モジュールPLb(図1参照)によって生成される投影領域50bを規定する遮光板30を第1の傾斜配置に移動させるとともに、-Y軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板30を移動させる。この際、基板P上の各パネル領域において、A領域に対応する転写パターンとB領域に対応する転写パターンとの間には、継ぎ部が形成されることになる。この継ぎ部において、露光量が均一になるように遮光板30及びブラインド装置60の位置決めが行われる。その後、マスクMと基板PとをX軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのB領域のパターンを基板Pに形成する第2の走査露光が行われる。これによって、マスクMのパターン領域PPAよりも大きなサイズのパネルを基板Pに形成することができる。 In the second exposure method, as shown in FIG. 12(b), the light shielding plate 30 that defines the projection area 50f generated by the projection optical module PLf (see FIG. 1) is moved to a second inclined arrangement, and , the light shielding plate 30 is moved so that the optical path of the exposure light is formed on the +Y-axis side. In this state, by relatively moving the mask M and the substrate P along the X-axis direction, a first scanning exposure is performed to form a pattern in area A of the mask pattern on the substrate P. Next, step movement is performed to move the substrate P in the Y-axis direction by the substrate stage drive unit PSTD. Then, as shown in FIG. 12(c), the light shielding plate 30 that defines the projection area 50b generated by the projection optical module PLb (see FIG. 1) is moved to the first inclined arrangement, and the -Y-axis side The light shielding plate 30 is moved so that an optical path of the exposure light is formed. At this time, in each panel area on the substrate P, a joint portion is formed between the transfer pattern corresponding to the A area and the transfer pattern corresponding to the B area. At this joint, the light shielding plate 30 and the blind device 60 are positioned so that the amount of exposure becomes uniform. Thereafter, a second scanning exposure is performed in which a pattern in area B of the mask pattern is formed on the substrate P by relatively moving the mask M and the substrate P along the X-axis direction. Thereby, a panel larger in size than the pattern area PPA of the mask M can be formed on the substrate P.

図13(a)には、第3の露光方法に係る基板PとマスクMとが図示されている。第3の露光方法では、1枚の基板Pから2枚のパネルPN1、PN2を製造する。パネルPN1、PN2のサイズは同一であり、使用されるマスクパターンも同一である。第3の露光方法では、パネルPN1、PN2のY軸方向の長さが、マスクMのY軸方向の長さのほぼ2倍であり、図10に説明した場合と異なり、2回の露光動作(1回の繋ぎ露光動作)では、各パネルPN1、PN2への露光動作が完了しない。そこで、マスクM上に、A領域、B領域、及びC領域を設定し、1枚のパネル(製品)につき、合計で3回の露光動作(2回の繋ぎ露光動作)を行う。 FIG. 13A shows a substrate P and a mask M according to the third exposure method. In the third exposure method, two panels PN1 and PN2 are manufactured from one substrate P. The sizes of panels PN1 and PN2 are the same, and the mask patterns used are also the same. In the third exposure method, the length of the panels PN1 and PN2 in the Y-axis direction is approximately twice the length of the mask M in the Y-axis direction, and unlike the case described in FIG. 10, two exposure operations are required. (One continuous exposure operation) does not complete the exposure operation for each panel PN1 and PN2. Therefore, areas A, B, and C are set on the mask M, and a total of three exposure operations (two continuous exposure operations) are performed for one panel (product).

第3の露光方法では、図13(b)に示されるように、投影光学モジュールPL10によって生成される投影領域5010を規定する遮光板30を第1の傾斜配置に移動させるとともに、+Y軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板30を移動させる。この状態で、マスクMと基板PとをX軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのA領域のパターンを基板Pに形成する第1の走査露光が行われる。次に、基板Pを基板ステージ駆動部PSTDによってY軸方向に移動させる第1のステップ移動が行われる。そして、図14(a)に示されるように、投影光学モジュールPL10によって生成される投影領域5010を規定する遮光板30を第2の傾斜配置に移動させるとともに、+Y軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板30を移動させる。この際、基板P上の各パネル領域において、A領域に対応する転写パターンとB領域に対応する転写パターンとの間には、継ぎ部が形成されることになる。この継ぎ部において、露光量が均一になるように遮光板30及びブラインド装置60の位置決めが行われる。その後、マスクMと基板PとをX軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのB領域のパターンを基板Pに形成する第2の走査露光が行われる。さらに、基板Pを基板ステージ駆動部PSTDによってY軸方向に移動させる第2のステップ移動が行われる。そして、図14(b)に示されるように、投影光学モジュールPLによって生成される投影領域50を規定する遮光板30を第1の傾斜配置に移動させるとともに、-Y軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板30を移動させる。この際、基板P上の各パネル領域において、B領域に対応する転写パターンとC領域に対応する転写パターンとの間には、継ぎ部が形成されることになる。この継ぎ部において、露光量が均一になるように遮光板30及びブラインド装置60の位置決めが行われる。その後、マスクMと基板PとをX軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのC領域のパターンを基板Pに形成する第3の走査露光が行われる。これによって、マスクMのパターン領域PPAよりも大きなサイズのパネルを基板Pに形成することができる。 In the third exposure method, as shown in FIG. 13(b), the light shielding plate 30 defining the projection area 50 10 generated by the projection optical module PL 10 is moved to the first inclined arrangement, and the +Y axis The light shielding plate 30 is moved so that the optical path of the exposure light is formed on the side. In this state, by relatively moving the mask M and the substrate P along the X-axis direction, a first scanning exposure is performed to form a pattern in area A of the mask pattern on the substrate P. Next, a first step movement is performed in which the substrate P is moved in the Y-axis direction by the substrate stage drive unit PSTD. Then, as shown in FIG. 14A, the light shielding plate 30 that defines the projection area 50 10 generated by the projection optical module PL 10 is moved to the second inclined arrangement, and the exposure light is directed toward the +Y-axis side. The light shielding plate 30 is moved so that an optical path is formed. At this time, in each panel area on the substrate P, a joint portion is formed between the transfer pattern corresponding to the A area and the transfer pattern corresponding to the B area. At this joint, the light shielding plate 30 and the blind device 60 are positioned so that the amount of exposure becomes uniform. Thereafter, a second scanning exposure is performed in which a pattern in area B of the mask pattern is formed on the substrate P by relatively moving the mask M and the substrate P along the X-axis direction. Furthermore, a second step movement is performed in which the substrate P is moved in the Y-axis direction by the substrate stage drive unit PSTD. Then, as shown in FIG. 14(b), the light shielding plate 30 that defines the projection area 504 generated by the projection optical module PL4 is moved to the first inclined arrangement, and the exposure light is directed toward the −Y-axis side. The light shielding plate 30 is moved so that an optical path of 1 is formed. At this time, in each panel area on the substrate P, a joint portion is formed between the transfer pattern corresponding to the B area and the transfer pattern corresponding to the C area. At this joint, the light shielding plate 30 and the blind device 60 are positioned so that the amount of exposure becomes uniform. Thereafter, a third scanning exposure is performed in which a pattern in area C of the mask pattern is formed on the substrate P by relatively moving the mask M and the substrate P along the X-axis direction. Thereby, a panel larger in size than the pattern area PPA of the mask M can be formed on the substrate P.

また、図15(a)には、第4の露光方法に係る基板PとマスクMとが図示されている。第4の露光方法では、1枚の基板Pから3枚のパネルPN1~PN3を製造する。パネルPN1~PN3のサイズは同一であり、使用されるマスクパターンも同一である。第4の露光方法では、パネルPN1~PN3のY軸方向の長さが、マスクMのY軸方向の長さの1.3倍程度であり、上記第3の露光方法とは異なり、2回の露光動作(1回の繋ぎ露光動作)で各パネルPN1~3への露光動作が完了する。第4の露光方法では、マスクM上に、A領域、及びB領域の2つの領域を設定し、1枚のパネル(製品)につき、合計で2回の露光動作(1回の繋ぎ露光動作)を行う。 Further, FIG. 15A shows a substrate P and a mask M according to the fourth exposure method. In the fourth exposure method, three panels PN1 to PN3 are manufactured from one substrate P. The sizes of panels PN1 to PN3 are the same, and the mask patterns used are also the same. In the fourth exposure method, the length of the panels PN1 to PN3 in the Y-axis direction is about 1.3 times the length of the mask M in the Y-axis direction, and unlike the third exposure method described above, the length of the panels PN1 to PN3 in the Y-axis direction is The exposure operation for each panel PN1 to PN3 is completed with the exposure operation (one continuous exposure operation). In the fourth exposure method, two areas, A area and B area, are set on the mask M, and a total of two exposure operations (one continuous exposure operation) are performed for one panel (product). I do.

第4の露光方法では、図15(b)に示されるように、投影光学モジュールPL10によって生成される投影領域5010を規定する遮光板30を第1の傾斜配置に移動させるとともに、+Y軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板30を移動させる。この状態で、マスクMと基板PとをX軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのA領域のパターンを基板Pに形成する第1の走査露光が行われる。次に、基板Pを基板ステージ駆動部PSTDによってY軸方向に移動させるステップ移動が行われる。そして、図16に示されるように、投影光学モジュールPLによって生成される投影領域50を規定する遮光板30を第2の傾斜配置に移動させるとともに、-Y軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板30を移動させる。この際、基板P上の各パネル領域において、A領域に対応する転写パターンとB領域に対応する転写パターンとの間には、継ぎ部が形成されることになる。この継ぎ部において、露光量が均一になるように遮光板30及びブラインド装置60の位置決めが行われる。その後、マスクMと基板PとをX軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのB領域のパターンを基板Pに形成する第2の走査露光が行われる。これによって、マスクMのパターン領域PPA(図10参照)よりも大きなサイズのパネルを基板Pに形成することができる。 In the fourth exposure method, as shown in FIG. 15(b), the light shielding plate 30 that defines the projection area 50 10 generated by the projection optical module PL 10 is moved to the first inclined arrangement, and the +Y axis The light shielding plate 30 is moved so that the optical path of the exposure light is formed on the side. In this state, by relatively moving the mask M and the substrate P along the X-axis direction, a first scanning exposure is performed to form a pattern in area A of the mask pattern on the substrate P. Next, step movement is performed to move the substrate P in the Y-axis direction by the substrate stage drive unit PSTD. Then, as shown in FIG. 16, the light shielding plate 30 that defines the projection area 50 7 generated by the projection optical module PL 7 is moved to the second inclined arrangement, and the optical path of the exposure light is directed to the -Y axis side. The light shielding plate 30 is moved so that the light shielding plate 30 is formed. At this time, in each panel area on the substrate P, a joint portion is formed between the transfer pattern corresponding to the A area and the transfer pattern corresponding to the B area. At this joint, the light shielding plate 30 and the blind device 60 are positioned so that the amount of exposure becomes uniform. Thereafter, a second scanning exposure is performed in which a pattern in area B of the mask pattern is formed on the substrate P by relatively moving the mask M and the substrate P along the X-axis direction. Thereby, a panel larger in size than the pattern area PPA of the mask M (see FIG. 10) can be formed on the substrate P.

また、図17(a)には、第5の露光方法に係る基板PとマスクMとが図示されている。第5の露光方法では、1枚の基板Pから3枚のパネルPN1~PN3を製造する。パネルPN1は、パネルPN2、PN3に比べてサイズが小さく、Y軸方向の長さも短い。また、パネルPN1の露光には、マスクM上に形成されたマスクパターンMP1を用い、パネルPN2、PN3の露光には、上記マスクパターンMP1とは異なるマスクパターンMP2を用いる。 Further, FIG. 17(a) shows a substrate P and a mask M according to the fifth exposure method. In the fifth exposure method, three panels PN1 to PN3 are manufactured from one substrate P. Panel PN1 is smaller in size and shorter in length in the Y-axis direction than panels PN2 and PN3. Furthermore, a mask pattern MP1 formed on the mask M is used for exposing the panel PN1, and a mask pattern MP2 different from the mask pattern MP1 is used for exposing the panels PN2 and PN3.

第5の露光方法では、図17(b)に示されるように、投影光学モジュールPL10によって生成される投影領域5010を規定する遮光板30を第2の傾斜配置に移動させるとともに、+Y軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板30を移動させる。この状態で、マスクMと基板PとをX軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのA1領域のパターンを基板Pに形成する第1の走査露光が行われる。次に、基板Pを基板ステージ駆動部PSTDによってY軸方向に移動させる第1のステップ移動が行われる。そして、図18(a)に示されるように、投影光学モジュールPLによって生成される投影領域50を規定する遮光板30を第2の傾斜配置に移動させるとともに、-Y軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板30を移動させる。この際、基板P上の各パネル領域において、A1領域に対応する転写パターンとB1領域に対応する転写パターンとの間には、継ぎ部が形成されることになる。この継ぎ部において、露光量が均一になるように遮光板30及びブラインド装置60の位置決めが行われる。その後、マスクMと基板PとをX軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのB1領域のパターンを基板Pに形成する第2の走査露光が行われる。これによって、マスクパターンMP1を基板Pに転写することができ、基板PにパネルPN1を形成することができる。 In the fifth exposure method, as shown in FIG. 17(b), the light shielding plate 30 that defines the projection area 50 10 generated by the projection optical module PL 10 is moved to the second inclined arrangement, and the +Y axis The light shielding plate 30 is moved so that the optical path of the exposure light is formed on the side. In this state, by relatively moving the mask M and the substrate P along the X-axis direction, first scanning exposure is performed to form a pattern in the A1 area of the mask pattern on the substrate P. Next, a first step movement is performed in which the substrate P is moved in the Y-axis direction by the substrate stage drive unit PSTD. Then, as shown in FIG. 18(a), the light shielding plate 30 that defines the projection area 507 generated by the projection optical module PL7 is moved to the second inclined arrangement, and the exposure light is directed toward the −Y-axis side. The light shielding plate 30 is moved so that an optical path of 1 is formed. At this time, in each panel area on the substrate P, a joint portion is formed between the transfer pattern corresponding to the A1 area and the transfer pattern corresponding to the B1 area. At this joint, the light shielding plate 30 and the blind device 60 are positioned so that the amount of exposure becomes uniform. Thereafter, by relatively moving the mask M and the substrate P along the X-axis direction, a second scanning exposure is performed to form a pattern in the B1 region of the mask pattern on the substrate P. Thereby, the mask pattern MP1 can be transferred to the substrate P, and the panel PN1 can be formed on the substrate P.

さらに、基板P上にパネルPN2を形成するために、基板Pを基板ステージ駆動部PSTDによってX軸方向及びY軸方向に移動させる第2のステップ移動が行われる。また、第2のステップ移動では、マスクパターンMP2を基板Pに転写するために、マスクMをマスクステージ駆動部MSTDによって移動させる。そして、図18(b)に示されるように、投影光学モジュールPL10によって生成される投影領域5010を規定する遮光板30を第1の傾斜配置に移動させるとともに、+Y軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板30を移動させる。この状態で、マスクMと基板PとをX軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのA2領域のパターンを基板Pに形成する第3の走査露光が行われる。次に、基板Pを基板ステージ駆動部PSTDによってY軸方向に移動させる第3のステップ移動が行われる。そして、図19に示されるように、投影光学モジュールPLによって生成される投影領域50を規定する遮光板30を第2の傾斜配置に移動させるとともに、-Y軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板30を移動させる。この際、基板P上の各パネル領域において、A2領域に対応する転写パターンとB2領域に対応する転写パターンとの間には、継ぎ部が形成されることになる。この継ぎ部において、露光量が均一になるように遮光板30及びブラインド装置60の位置決めが行われる。その後、マスクMと基板PとをX軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのB2領域のパターンを基板Pに形成する第4の走査露光が行われる。これによって、マスクパターンMP2を基板Pに転写することができ、基板PにパネルPN2を形成することができる。 Furthermore, in order to form the panel PN2 on the substrate P, a second step movement is performed in which the substrate P is moved in the X-axis direction and the Y-axis direction by the substrate stage drive unit PSTD. Furthermore, in the second step movement, in order to transfer the mask pattern MP2 onto the substrate P, the mask M is moved by the mask stage drive unit MSTD. Then, as shown in FIG. 18(b), the light shielding plate 30 that defines the projection area 50 10 generated by the projection optical module PL 10 is moved to the first inclined arrangement, and the exposure light is directed toward the +Y-axis side. The light shielding plate 30 is moved so that an optical path is formed. In this state, by relatively moving the mask M and the substrate P along the X-axis direction, third scanning exposure is performed to form a pattern in the A2 area of the mask pattern on the substrate P. Next, a third step movement is performed in which the substrate P is moved in the Y-axis direction by the substrate stage drive unit PSTD. Then, as shown in FIG. 19, the light shielding plate 30 that defines the projection area 507 generated by the projection optical module PL 7 is moved to the second inclined arrangement, and the optical path of the exposure light is directed to the −Y-axis side. The light shielding plate 30 is moved so that the light shielding plate 30 is formed. At this time, in each panel area on the substrate P, a joint portion is formed between the transfer pattern corresponding to the A2 area and the transfer pattern corresponding to the B2 area. At this joint, the light shielding plate 30 and the blind device 60 are positioned so that the amount of exposure becomes uniform. Thereafter, a fourth scanning exposure is performed in which a pattern in area B2 of the mask pattern is formed on the substrate P by relatively moving the mask M and the substrate P along the X-axis direction. Thereby, the mask pattern MP2 can be transferred to the substrate P, and the panel PN2 can be formed on the substrate P.

以下、不図示であるが同様にして、基板P上にパネルPN3を形成するために、基板Pを基板ステージ駆動部PSTDによってX軸方向及びY軸方向に移動させる第4のステップ移動が行われる。そして、投影光学モジュールPL10によって生成される投影領域5010を規定する遮光板30を第1の傾斜配置に移動させるとともに、+Y軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板30を移動させる。この状態で、マスクMと基板PとをX軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのA2領域のパターンを基板Pに形成する第5の走査露光が行われる。次に、基板Pを基板ステージ駆動部PSTDによってY軸方向に移動させる第5のステップ移動が行われる。そして、投影光学モジュールPLによって生成される投影領域50を規定する遮光板30を第2の傾斜配置に移動させるとともに、-Y軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板30を移動させる。この際、基板P上の各パネル領域において、A2領域に対応する転写パターンとB2領域に対応する転写パターンとの間には、継ぎ部が形成されることになる。この継ぎ部において、露光量が均一になるように遮光板30及びブラインド装置60の位置決めが行われる。その後、マスクMと基板PとをX軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのB2領域のパターンを基板Pに形成する第6の走査露光が行われる。これによって、マスクパターンMP3を基板Pに転写することができ、基板PにパネルPN3を形成することができる。以上により、基板P上に、パネルPN1、パネルPN2、パネルPN3を形成することができる。 Hereinafter, although not shown, in order to form the panel PN3 on the substrate P, a fourth step movement is performed in which the substrate P is moved in the X-axis direction and the Y-axis direction by the substrate stage drive unit PSTD. . Then, the light shielding plate 30 that defines the projection area 50 10 generated by the projection optical module PL 10 is moved to the first inclined arrangement, and the light shielding plate 30 is moved so that the optical path of the exposure light is formed on the +Y-axis side. move it. In this state, by relatively moving the mask M and the substrate P along the X-axis direction, a fifth scanning exposure is performed to form a pattern in the A2 area of the mask pattern on the substrate P. Next, a fifth step movement is performed in which the substrate P is moved in the Y-axis direction by the substrate stage drive unit PSTD. Then, the light shielding plate 30 that defines the projection area 507 generated by the projection optical module PL7 is moved to the second inclined arrangement, and the light shielding plate 30 is moved so that the optical path of the exposure light is formed on the −Y-axis side. move. At this time, in each panel area on the substrate P, a joint portion is formed between the transfer pattern corresponding to the A2 area and the transfer pattern corresponding to the B2 area. At this joint, the light shielding plate 30 and the blind device 60 are positioned so that the amount of exposure becomes uniform. Thereafter, a sixth scanning exposure is performed in which a pattern in area B2 of the mask pattern is formed on the substrate P by relatively moving the mask M and the substrate P along the X-axis direction. Thereby, the mask pattern MP3 can be transferred to the substrate P, and the panel PN3 can be formed on the substrate P. Through the above steps, panel PN1, panel PN2, and panel PN3 can be formed on substrate P.

なお、上記第1~第5の露光方法は、一例であって、これら以外にも、露光装置EXにおいて行われる繋ぎ露光には、様々な態様が考えられる。従って、要求されるパネルのサイズに応じて、その都度、マスクパターンをどのように複数の領域に分割して繋ぎ露光を行うかその都度設計しなければならない。 Note that the first to fifth exposure methods described above are just examples, and in addition to these, various modes can be considered for the continuous exposure performed in the exposure apparatus EX. Therefore, depending on the required panel size, it is necessary to design each time how to divide the mask pattern into a plurality of regions and connect them for exposure.

ただし、マスクパターンの分割箇所の設計には、各種の制約がある。すなわち、露光装置EXでは、マスクステージMST(マスクM)と各投影光学系モジュールとのステップ(Y軸)方向の相対位置が不変であることから、各転写パターンのY軸方向の長さは、各投影光学系モジュールによって形成される投影領域の長さの整数倍がベースとなり、その合計長さを遮光板30で調整するようになっている。これに対し、遮光板30を有する投影光学モジュールは、一部のみ(本実施形態では、投影光学系モジュールPLf)であり、投影領域のY軸方向の合計長さを設計する上で制約となる。また、パネルの製造工程において、各パネルには、繰り返しパターンが形成される液晶表示面とは別に、周辺部に各パネルと駆動回路とを接続するための引き出し線(タブ領域と称される)が形成される。このタブ領域に形成される引き出し線は、繰り返しのパターンではないので、繋ぎ露光を行う際の制約となる。また、スループットの観点から、繋ぎ露光の回数は、少ないことが好ましく、この点もマスクパターンを複数の領域に分割する際の制約となる。また、マスクサイズにも、マスクステージMSTの大きさにより物理的な制限があるので、この点もマスクパターンを複数の領域に分割する際の制約となる。 However, there are various restrictions in designing the division locations of the mask pattern. That is, in exposure apparatus EX, since the relative position of mask stage MST (mask M) and each projection optical system module in the step (Y-axis) direction remains unchanged, the length of each transfer pattern in the Y-axis direction is The base is an integral multiple of the length of the projection area formed by each projection optical system module, and the total length is adjusted by the light shielding plate 30. On the other hand, only a part of the projection optical module (in this embodiment, the projection optical system module PLf) has the light shielding plate 30, which is a constraint in designing the total length of the projection area in the Y-axis direction. . In addition, in the panel manufacturing process, in addition to the liquid crystal display surface on which a repeated pattern is formed, each panel has lead lines (referred to as tab areas) in the periphery for connecting each panel and the drive circuit. is formed. Since the lead line formed in this tab area is not a repeating pattern, it becomes a constraint when performing continuous exposure. Further, from the viewpoint of throughput, it is preferable that the number of continuous exposures be small, and this point also becomes a constraint when dividing the mask pattern into a plurality of regions. Furthermore, since there is a physical limit to the mask size due to the size of mask stage MST, this point also becomes a constraint when dividing the mask pattern into a plurality of regions.

これに対し、本実施形態の露光装置EXでは、上記視野絞り20、遮光板30、駆動機構80、及びブラインド装置60により構成される可変絞り装置によって、繋ぎ露光を行う際に継ぎ部を形成する一対の投影領域のうち、一方の投影領域(本実施形態では、投影領域50f)の長さ、及び端部形状を、遮光板30を上記第1~第4のモードの何れかを用いることによって、任意に調整することができる。従って、繋ぎ露光で製品を製造する際の設計(マスク上に形成された回路パターンのどの部分を繋ぎ露光を用いてガラス基板上に形成するのか、その繋ぎ露光処理が施される回路パターン上の位置や、更には互いに大きさの異なる複数種類の回路パターンをガラス基板上に露光する際に用いられるマスク上における当該複数種類の回路パターンの配置等)の自由度が向上し、上記各種の制約を緩和することが可能となる。一例をあげると、仮に遮光板30の傾斜方向が固定であるとした場合、図4(a)あるいは図4(c)に示されるような台形状の開口Kを形成可能なように遮光板30を配置すると、図4(b)あるいは図4(d)に示されるように、平行四辺形状、且つスリット状の開口Kを形成することができない(遮光板30の斜辺と開口Kを形成する端部(斜辺)とが交差する)ので、設計上の制約となるが、本実施形態では、上述の設計の自由度が向上する。 On the other hand, in the exposure apparatus EX of the present embodiment, a variable diaphragm device constituted by the field stop 20, a light shielding plate 30, a drive mechanism 80, and a blind device 60 forms a joint part when performing a joint exposure. The length and end shape of one of the pair of projection areas (in this embodiment, the projection area 50f) can be adjusted by using the light shielding plate 30 in any of the first to fourth modes. , can be adjusted arbitrarily. Therefore, when manufacturing products using continuous exposure, the design (which part of the circuit pattern formed on the mask is to be formed on the glass substrate using continuous exposure, and the part of the circuit pattern to be subjected to the continuous exposure process) This improves the degree of freedom (e.g., positioning and arrangement of multiple types of circuit patterns on a mask used when exposing multiple types of circuit patterns with different sizes on a glass substrate), and eliminates the various constraints mentioned above. It becomes possible to alleviate the To give an example, if the inclination direction of the light shielding plate 30 is fixed, the light shielding plate 30 is arranged such that a trapezoidal opening K as shown in FIG. 4(a) or FIG. 4(c) can be formed. 4(b) or 4(d), it is not possible to form a parallelogram-shaped and slit-shaped opening K (the oblique side of the light shielding plate 30 and the end forming the opening K cannot be formed). However, in this embodiment, the above-mentioned degree of freedom in design is improved.

本実施形態の露光装置EXを用いて繋ぎ露光を行う際には、要求される製品の設計(上記第1の露光方法~第5の露光方法参照)に応じて、遮光板30の位置、及び傾き(上記第1~第4のモードの何れか)を決定する。例えば、図20に示されるように、ステップS10では、パネル(製品)サイズ、マスクサイズ、タブ領域の幅(位置)、遮光板30の位置(本実施形態では、投影領域50fに対応する位置)、最善の走査露光の回数などの諸条件に応じて、マスクM上に複数の領域(上記第1の露光方法のA及びB領域、第3の露光方法のA~C領域など)を設定する。また、ステップS12において、上記ステップS10で決定されたマスクM上の領域のY軸方向の長さに応じた遮光板30のY軸方向の位置を決定する。 When performing continuous exposure using the exposure apparatus EX of this embodiment, the position of the light shielding plate 30 and The slope (any of the first to fourth modes) is determined. For example, as shown in FIG. 20, in step S10, the panel (product) size, the mask size, the width (position) of the tab area, the position of the light shielding plate 30 (in this embodiment, the position corresponding to the projection area 50f) , multiple areas are set on the mask M (areas A and B in the first exposure method, areas A to C in the third exposure method, etc.) on the mask M according to various conditions such as the optimal number of scanning exposures. . Further, in step S12, the position of the light shielding plate 30 in the Y-axis direction is determined according to the length of the region on the mask M in the Y-axis direction determined in step S10.

そして、ステップS14で、ステップS12で決定された遮光板30の位置が、所望の繋ぎ露光の条件を満たすか否かを判定する。例えば、現状の遮光板30の傾斜方向で繋ぎ露光を行った場合に、基板P上に形成される継ぎ部MC(図10参照)の総露光量が所望の露光条件を満たすか否かを判定する。ステップS14の判定でYes判定である場合には、ステップS16に進み、繋ぎ露光を行う。また、ステップS14でNo判定の場合には、ステップS18に進み、遮光板30のモード切り替え(第1モードと第2モードとの切り替え、又は第3モードと第4モードとの切り替え)を繋ぎ露光の工程に追加した後(実際に遮光板30のモード切り替えを行うのは、基板PのYステップ動作中)、ステップS16に進み、繋ぎ露光を行う。 Then, in step S14, it is determined whether the position of the light shielding plate 30 determined in step S12 satisfies the desired continuous exposure conditions. For example, when joint exposure is performed in the current direction of inclination of the light shielding plate 30, it is determined whether the total exposure amount of the joint portion MC (see FIG. 10) formed on the substrate P satisfies the desired exposure condition. do. If the determination in step S14 is YES, the process advances to step S16 and continuous exposure is performed. In addition, in the case of No determination in step S14, the process proceeds to step S18, where the mode switching of the light shielding plate 30 (switching between the first mode and the second mode, or switching between the third mode and the fourth mode) is connected and exposed. After addition to the step S16 (the mode switching of the light shielding plate 30 is actually performed during the Y step operation of the substrate P), the process advances to step S16 to perform continuous exposure.

なお、あらかじめ、パネル(製品)サイズ、マスクサイズ、タブ領域の幅(位置)、走査露光の回数等を踏まえて、繋ぎ露光を行う際の露光条件がわかっていれば、遮光板30の位置を第1の走査露光と第2の走査露光とで切り替え可能に構成しても良い。これによって、上述したステップ(ステップS14、S18)を省略することができるので、露光処理を簡素化できる。 Note that if the exposure conditions for continuous exposure are known in advance, taking into account the panel (product) size, mask size, width (position) of the tab area, number of scanning exposures, etc., the position of the light shielding plate 30 can be determined. The first scanning exposure and the second scanning exposure may be configured to be switchable. As a result, the above-mentioned steps (steps S14 and S18) can be omitted, so that the exposure process can be simplified.

以上説明したように、本実施形態では、開口Kを形成するY軸方向に離間した一対のエッジのうちの一方(+Y側又は-Y側)と、遮光板30のY軸方向に関する一対のエッジのうちの一方(+Y側又は-Y側)とによって、遮光板30の一側又は他側(+Y側又は-Y側)に露光光の光路が形成され、且つ該光路を通過した露光光によって、基板P上には、平面視台形又は平行四辺形の投影領域50fが生成される。そして、上記平面視台形又は平行四辺形の投影領域50fのY軸方向に関する幅は、遮光板30のY位置によって、適宜設定変更することができる。 As explained above, in this embodiment, one of the pair of edges (+Y side or −Y side) of the pair of edges that form the opening K and spaced apart in the Y-axis direction, and the pair of edges of the light shielding plate 30 in the Y-axis direction An optical path of exposure light is formed on one side or the other side (+Y side or -Y side) of the light shielding plate 30 by one side (+Y side or -Y side), and the exposure light passing through the optical path , on the substrate P, a trapezoidal or parallelogram-shaped projection area 50f in plan view is generated. The width of the trapezoidal or parallelogram-shaped projection area 50f in the Y-axis direction can be changed as appropriate depending on the Y position of the light shielding plate 30.

このように、遮光板30のモードを切り替えることによって、投影領域50fの位置及び形状を変化させることができるので、投影領域50fを含む複数の投影光学モジュールによって基板P上に形成される投影領域のY軸方向の長さ、及びその端部形状(傾斜方向)を任意に設定することができる。したがって、繋ぎ露光によって基板P上に形成される転写パターンMPA、又はMPB(図10参照)の幅の設計の自由度が向上し、1枚のマザーガラス基板上に任意の幅の液晶パネルを形成することが可能となる。 In this way, by switching the mode of the light shielding plate 30, the position and shape of the projection area 50f can be changed, so that the projection area formed on the substrate P by the plurality of projection optical modules including the projection area 50f can be changed. The length in the Y-axis direction and the end shape (inclination direction) can be set arbitrarily. Therefore, the degree of freedom in designing the width of the transfer pattern MPA or MPB (see FIG. 10) formed on the substrate P by continuous exposure is improved, and a liquid crystal panel of any width can be formed on a single mother glass substrate. It becomes possible to do so.

なお、以上説明した一実施形態の構成は、一例であって、適宜変更が可能である。すなわち、上記実施形態において、遮光板30(可変視野絞り装置)は、1つのみ設けられたが、これに限られず、複数設けられても良い。また、遮光板30(可変視野絞り装置)が設けられる投影光学モジュールの数、及び位置は、特に限定されない。この場合、繋ぎ露光によって基板P上に形成される転写パターンMPA、又はMPB(図10参照)の幅の設計の自由度が更に向上する。 Note that the configuration of the embodiment described above is an example, and can be modified as appropriate. That is, in the above embodiment, only one light shielding plate 30 (variable field diaphragm device) is provided, but the invention is not limited to this, and a plurality of light shielding plates 30 may be provided. Further, the number and position of the projection optical modules in which the light shielding plate 30 (variable field diaphragm device) is provided are not particularly limited. In this case, the degree of freedom in designing the width of the transfer pattern MPA or MPB (see FIG. 10) formed on the substrate P by continuous exposure is further improved.

また、遮光板30を駆動するための機構も、適宜変更が可能である。すなわち、図21に示される変形例のように、1つの開口K(視野絞り20(図3参照))に対して、2枚の遮光板30を設けても良い。2枚の遮光板30を独立に駆動するための駆動機構80Aは、上記実施形態と同様に一対のアクチュエータ82A、84Bを有しており、該一対のアクチュエータ82A、84Aそれぞれのナット82c、84cに遮光板30が固定されている。上記実施形態では、1枚の遮光板30を回転駆動することによって、その角度が変更したが、本変形例では、2枚の遮光板30それぞれの端部が開口Kを形成するY軸方向に離間した一対のエッジと平行となるように取り付け角度が予め設定されており、視野絞り20の一対の端部のいずれかと、2枚の遮光板30の、合計で4つの端部のいずれかを組み合わせることによって、上記実施形態と同様に第1~第4のモードを実現することができる。なお、図21は、模式図であり、図25には、本変形例の詳細が示されている。図25に示される駆動機構では、Y軸方向に延びる一対のアーム88に沿って、各遮光板30が所定の可動範囲(図25の破線矢印参照)内で独立に往復駆動される。このようなアーム88を往復駆動するタイプの駆動機構は、上記実施形態の遮光板30の駆動機構として用いることも可能である。 Further, the mechanism for driving the light shielding plate 30 can also be changed as appropriate. That is, as in the modification shown in FIG. 21, two light shielding plates 30 may be provided for one aperture K (field stop 20 (see FIG. 3)). The drive mechanism 80A for independently driving the two light shielding plates 30 has a pair of actuators 82A and 84B as in the above embodiment, and nuts 82c and 84c of the pair of actuators 82A and 84A are connected to each other. A light shielding plate 30 is fixed. In the above embodiment, the angle is changed by rotationally driving one light shielding plate 30, but in this modification, the ends of each of the two light shielding plates 30 are aligned in the Y-axis direction forming the opening K. The mounting angle is set in advance so as to be parallel to a pair of spaced apart edges, and one of the pair of ends of the field stop 20 and one of the four ends of the two light shielding plates 30 are connected in advance. By combining them, the first to fourth modes can be realized similarly to the above embodiment. Note that FIG. 21 is a schematic diagram, and FIG. 25 shows details of this modification. In the drive mechanism shown in FIG. 25, each light shielding plate 30 is independently reciprocated within a predetermined movable range (see broken line arrows in FIG. 25) along a pair of arms 88 extending in the Y-axis direction. Such a drive mechanism that reciprocates the arm 88 can also be used as a drive mechanism for the light shielding plate 30 of the above embodiment.

また、図22に示される変形例の駆動機構80Bのように、アクチュエータ84Bのナット84cが遮光板30を回転駆動するための回転モータ84dを有していても良い。回転モータ84dは、遮光板30を回転駆動し、ナット84cに固定された一対のストッパ84eに当接させることによって、遮光板30の位置決めを行う。本変形例では、上記実施形態の駆動機構80(図4(a)など参照)がリニアアクチュエータを一対有していたのに対し、リニアアクチュエータが1つのみで良く、構成が簡単である。 Furthermore, as in a modified drive mechanism 80B shown in FIG. 22, the nut 84c of the actuator 84B may include a rotation motor 84d for rotationally driving the light shielding plate 30. The rotary motor 84d rotates the light shielding plate 30, and positions the light shielding plate 30 by bringing it into contact with a pair of stoppers 84e fixed to a nut 84c. In this modification, whereas the drive mechanism 80 of the above embodiment (see FIG. 4A, etc.) had a pair of linear actuators, only one linear actuator is required, and the configuration is simple.

また、図23(a)に示される変形例の駆動機構80Cのように、遮光板30がアクチュエータ84Cのナット84cに対して軸84fを介して回転自在に支持されていても良い。駆動機構80Cは、開口Kに対する位置が固定の一対のピン84hを有しており、該一対のピン84hの一方に遮光板30を当接させた状態でナット84cをY軸方向に移動させることによって、遮光板30を回転させる(図23(b)参照)。また、ナット84cは、遮光板30を一対のストッパ84eのいずれかに押圧する板ばね84gを有しており、遮光板30は、常に一対のストッパ84eのいずれかに当接した状態が保たれる。本変形例では、遮光板30を回転駆動するアクチュエータが不要であり、駆動機構80Cの構成が簡単である。 Further, as in a modified drive mechanism 80C shown in FIG. 23(a), the light shielding plate 30 may be rotatably supported with respect to a nut 84c of an actuator 84C via a shaft 84f. The drive mechanism 80C has a pair of pins 84h whose positions relative to the opening K are fixed, and moves the nut 84c in the Y-axis direction with the light shielding plate 30 in contact with one of the pair of pins 84h. to rotate the light shielding plate 30 (see FIG. 23(b)). Further, the nut 84c has a leaf spring 84g that presses the light shielding plate 30 against either of the pair of stoppers 84e, so that the light shielding plate 30 is always kept in contact with either of the pair of stoppers 84e. It will be done. In this modification, an actuator for rotationally driving the light shielding plate 30 is not required, and the configuration of the drive mechanism 80C is simple.

また、上記実施形態の遮光板30は、平面視矩形(長方形)に形成され、回転によって角度が変更されたが、遮光板の形状は、これに限定されない。すなわち、図24(a)に示される変形例の遮光板130のように、+X側に開口する平面視U字状(逆C字状)に形成されていても良い。遮光板130は、Y軸方向に延びる板状部材から成り、+Y側の端部が視野絞り20(図3参照)の開口Kを形成する端部のうち、+Y側の端部と平行に形成されている。また、遮光板130は、-Y側の端部が視野絞り20の開口Kを形成する端部のうち、-Y側の端部と平行に形成されている。また、遮光板130の+X側に開口した切り欠き132を形成するY軸方向に離間した一対の端部のうち、+Y側の端部は、視野絞り20の開口Kを形成する端部のうち、+Y側の端部と平行(すなわち遮光板130の+Y側の端部と平行)に形成されている。また、切り欠き132を形成するY軸方向に離間した一対の端部のうち、-Y側の端部は、視野絞り20の開口Kを形成する端部のうち、-Y側の端部と平行(すなわち遮光板130の-Y側の端部と平行)に形成されている。 Further, although the light shielding plate 30 of the above embodiment is formed in a rectangular shape in plan view, and the angle is changed by rotation, the shape of the light shielding plate is not limited to this. That is, like the modified light shielding plate 130 shown in FIG. 24(a), it may be formed in a U-shape (inverted C-shape) in plan view that opens on the +X side. The light shielding plate 130 is made of a plate-shaped member extending in the Y-axis direction, and the +Y side end is formed parallel to the +Y side end of the ends forming the aperture K of the field stop 20 (see FIG. 3). has been done. The light shielding plate 130 has an end on the −Y side parallel to an end on the −Y side of the ends forming the aperture K of the field stop 20. Furthermore, among the pair of ends spaced apart in the Y-axis direction that form the notch 132 opened on the +X side of the light shielding plate 130, the end on the +Y side is one of the ends forming the aperture K of the field stop 20. , parallel to the +Y side end (that is, parallel to the +Y side end of the light shielding plate 130). Also, of the pair of ends that form the notch 132 and are spaced apart in the Y-axis direction, the end on the -Y side is the same as the end on the -Y side of the end that forms the aperture K of the field stop 20. They are formed parallel to each other (that is, parallel to the -Y side end of the light shielding plate 130).

図24(a)に示される変形例に係る遮光板130は、アクチュエータ86によってY軸方向に駆動される。これによって、図24(b)~図24(e)に示されるように、上記実施形態と同様に、第1~第4のモードを実現できる。なお、上記実施形態と同様に、開口Kのうち、露光光の光路を形成しない部分は、可動のブラインド装置60によって遮光される。本変形例によれば、1つのアクチュエータ86によって遮光板130を直進駆動するだけで第1~第4モードを実現できるので、構成が簡単である。 The light shielding plate 130 according to the modification shown in FIG. 24(a) is driven in the Y-axis direction by the actuator 86. As a result, as shown in FIGS. 24(b) to 24(e), the first to fourth modes can be realized similarly to the above embodiment. Note that, similarly to the above embodiment, a portion of the aperture K that does not form the optical path of the exposure light is blocked by a movable blind device 60. According to this modification, the first to fourth modes can be achieved by simply driving the light shielding plate 130 in a straight line using one actuator 86, so the configuration is simple.

また、上記実施形態では、視野絞り20と、板状部材から成る遮光板30との協働によって露光光の光路(開口K)が形成されたが、視野絞り20と協働して露光光の光路を形成する部材は、これに限られない。すなわち、図26に示されるように、光学フィルタ230a、230bを用いて開口Kの一部を遮光しても良い。光学フィルタ230aは、光の透過率が+Y側の端部から-Y側に向けて低くなるように設定されている。光学フィルタ230bは、光学フィルタ230aに対して紙面左右対称に構成されている。光学フィルタ230a、230bは、それぞれ独立にY軸方向の駆動可能になっており、露光光の遮光範囲、及び露光光の光路の位置を任意に設定できるようになっている。本変形例によっても、上記実施形態と同様の繋ぎ露光を行うことができる。なお、光学フィルタ230a、230bにおける遮光部(フィルタ部)を形成する微小なドットが基板P上に転写されないように、光学フィルタ230a、230bは、マスクM及び基板Pに対する共役面から光軸方向に幾分ずれた位置に配置すると良い。 Further, in the above embodiment, the optical path (aperture K) of the exposure light is formed by the cooperation of the field stop 20 and the light shielding plate 30 made of a plate-like member. The member forming the optical path is not limited to this. That is, as shown in FIG. 26, a part of the aperture K may be shielded from light using optical filters 230a and 230b. The optical filter 230a is set so that the light transmittance decreases from the end on the +Y side toward the -Y side. The optical filter 230b is configured symmetrically with respect to the optical filter 230a in the drawing. The optical filters 230a and 230b can be driven independently in the Y-axis direction, so that the exposure light shielding range and the position of the exposure light optical path can be set arbitrarily. Also in this modification, continuous exposure similar to the above embodiment can be performed. Note that the optical filters 230a, 230b are arranged in the optical axis direction from the conjugate plane with respect to the mask M and the substrate P so that the minute dots forming the light shielding part (filter part) in the optical filters 230a, 230b are not transferred onto the substrate P. It is best to place it in a slightly shifted position.

また、上記実施形態(及びその変形例)では、遮光板30を駆動する駆動機構として送りネジ装置を用いる場合を説明したが、駆動機構の構成は、これに限定されない。すなわち、遮光板30を駆動するためのアクチュエータとして、公知のシャフトモータなどを用いても良い。シャフトモータは、ひとつの固定子に対して複数の可動子を独立に駆動することができるので、図21に示される変形例のように、一対の遮光板30を独立に位置制御するタイプに好適である。また、アクチュエータとしては、リニアモータのような電磁モータ、あるいは超音波モータ、エアシリンダのような機械アクチュエータを用いても良い。 Further, in the above embodiment (and variations thereof), a case has been described in which a feed screw device is used as a drive mechanism for driving the light shielding plate 30, but the configuration of the drive mechanism is not limited to this. That is, a known shaft motor or the like may be used as an actuator for driving the light shielding plate 30. Since the shaft motor can independently drive a plurality of movers with respect to one stator, it is suitable for a type in which the position of a pair of light shielding plates 30 is controlled independently, as in the modification shown in FIG. 21. It is. Further, as the actuator, an electromagnetic motor such as a linear motor, or a mechanical actuator such as an ultrasonic motor or an air cylinder may be used.

また、図21に示される変形例では、一対の遮光板30それぞれが独立したアクチュエータによって駆動されたが、アクチュエータの一部は共通であっても良い。すなわち、一対の遮光板30が共通の第1ステージ(粗動ステージ)上に載置され、且つ該第1ステージ上に一対の遮光板30それぞれの位置を独立に制御可能な第2ステージ(微動ステージ)が載置されるような構成であっても良い。 Further, in the modification shown in FIG. 21, each of the pair of light shielding plates 30 is driven by an independent actuator, but some of the actuators may be common. That is, a pair of light shielding plates 30 are placed on a common first stage (coarse movement stage), and a second stage (fine movement stage) is mounted on the first stage that can independently control the position of each of the pair of light shielding plates 30. It may also be configured such that a stage) is placed thereon.

また、遮光板30を駆動するためのアクチュエータは、上記実施形態では、Y軸方向に沿って配置されたが、これに限られず、その他の方向(X軸方向、Z軸方向など)に沿って配置されても良い。 Further, although the actuator for driving the light shielding plate 30 is arranged along the Y-axis direction in the above embodiment, the actuator is not limited thereto, and may be arranged along other directions (such as the X-axis direction and the Z-axis direction). It may be placed.

また、遮光板30、及びその駆動機構80は、基板P上に生成される投影領域(露光領域)を規定するために設けられたが、これに限られず、照明光学系ILのブラインド装置に上記実施形態と同様の構成の遮光板、及びその駆動機構を設けても良い。 Further, the light shielding plate 30 and its drive mechanism 80 are provided to define a projection area (exposure area) generated on the substrate P, but the invention is not limited to this, and the above-mentioned light shielding plate 30 and its driving mechanism 80 are A light shielding plate having the same configuration as the embodiment and its driving mechanism may be provided.

また、遮光板30は、投影光学系PLを構成する投影光学モジュールに設けられたが、露光光ELの光路上であれば配置位置は特に限定されず、照明光学系ILなどに設けても良い。 Furthermore, although the light shielding plate 30 is provided in the projection optical module that constitutes the projection optical system PL, its placement position is not particularly limited as long as it is on the optical path of the exposure light EL, and it may be provided in the illumination optical system IL or the like. .

また、上記実施形態において、遮光板30、及びその駆動機構80は、露光装置EXの一部を構成する装置であったが、これに限られず、遮光板30、及び駆動機構80(ドライバなどのソフトウェアを含む)を、遮光装置(可変視野絞り装置)として既存の露光装置に追加的に設けることも可能である。 Further, in the above embodiment, the light shielding plate 30 and its driving mechanism 80 are devices that constitute a part of the exposure apparatus EX, but the invention is not limited to this. It is also possible to additionally provide a light shielding device (including software) to an existing exposure device as a light shielding device (variable field diaphragm device).

また、上記実施形態では、遮光板30を含む可変視野絞り装置によって、基板P上に形成される投影領域の位置及び形状を変更したが、これに限られず、マスクMと投影光学系PLとをY軸方向に相対移動可能に構成し、該マスクMと投影光学系PLとのY軸方向への相対移動によって、投影領域の位置及び形状を変更しても良い。 Further, in the above embodiment, the position and shape of the projection area formed on the substrate P are changed by the variable field diaphragm device including the light shielding plate 30, but the present invention is not limited to this, and the mask M and the projection optical system PL are changed. The mask M may be configured to be relatively movable in the Y-axis direction, and the position and shape of the projection area may be changed by relative movement of the mask M and the projection optical system PL in the Y-axis direction.

また、照明光は、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)、KrFエキシマレーザ光(波長248nm)などの紫外光や、Fレーザ光(波長157nm)などの真空紫外光であっても良い。また、照明光としては、例えばDFB半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(又はエルビウムとイッテルビウムの両方)がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。また、固体レーザ(波長:355nm、266nm)などを使用しても良い。 Further, the illumination light may be ultraviolet light such as ArF excimer laser light (wavelength 193 nm), KrF excimer laser light (wavelength 248 nm), or vacuum ultraviolet light such as F2 laser light (wavelength 157 nm). In addition, as illumination light, for example, single wavelength laser light in the infrared region or visible region oscillated from a DFB semiconductor laser or fiber laser is amplified by a fiber amplifier doped with, for example, erbium (or both erbium and ytterbium). However, harmonics whose wavelength is converted into ultraviolet light using a nonlinear optical crystal may also be used. Alternatively, a solid-state laser (wavelength: 355 nm, 266 nm) or the like may be used.

また、投影光学系PLが複数本の投影光学モジュールを備えたマルチレンズ方式の投影光学系である場合について説明したが、投影光学モジュールの本数はこれに限らず、1本以上あれば良い。また、投影光学系PLとしては、拡大系、又は縮小系であっても良い。 Further, although the case has been described in which the projection optical system PL is a multi-lens type projection optical system including a plurality of projection optical modules, the number of projection optical modules is not limited to this, and it is sufficient if there is one or more. Furthermore, the projection optical system PL may be an enlargement system or a reduction system.

また、露光装置の用途としては角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置に限定されることなく、例えば有機EL(Electro-Luminescence)パネル製造用の露光装置、半導体製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン及びDNAチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるマスク又はレチクルを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも適用できる。 In addition, the application of the exposure device is not limited to a liquid crystal exposure device that transfers a liquid crystal display element pattern onto a rectangular glass plate; for example, an exposure device for manufacturing organic EL (Electro-Luminescence) panels, and semiconductor manufacturing. The present invention can also be widely applied to exposure devices for manufacturing thin film magnetic heads, micromachines, DNA chips, etc. In addition, in order to manufacture masks or reticles used not only in microdevices such as semiconductor elements, but also in optical exposure equipment, EUV exposure equipment, X-ray exposure equipment, electron beam exposure equipment, etc., glass substrates or silicon wafers, etc. It can also be applied to exposure equipment that transfers circuit patterns to images.

また、露光対象となる物体はガラスプレートに限られず、例えばウエハ、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど、他の物体でも良い。また、露光対象物がフラットパネルディスプレイ用の基板である場合、その基板の厚さは特に限定されず、例えばフィルム状(可撓性を有するシート状の部材)のものも含まれる。なお、本実施形態の露光装置は、一辺の長さ、又は対角長が500mm以上の基板が露光対象物である場合に特に有効である。 Further, the object to be exposed is not limited to a glass plate, and may be other objects such as a wafer, a ceramic substrate, a film member, or a mask blank. Furthermore, when the object to be exposed is a substrate for a flat panel display, the thickness of the substrate is not particularly limited, and includes, for example, a film-like (flexible sheet-like member). Note that the exposure apparatus of this embodiment is particularly effective when the exposure target is a substrate having a side length or diagonal length of 500 mm or more.

液晶表示素子(あるいは半導体素子)などの電子デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたマスク(あるいはレチクル)を製作するステップ、ガラス基板(あるいはウエハ)を製作するステップ、上述した各実施形態の露光装置、及びその露光方法によりマスク(レチクル)のパターンをガラス基板に転写するリソグラフィステップ、露光されたガラス基板を現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップ、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の露光装置を用いて前述の露光方法が実行され、ガラス基板上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。 Electronic devices such as liquid crystal display elements (or semiconductor elements) are manufactured through the steps of designing the functions and performance of the device, manufacturing a mask (or reticle) based on this design step, and manufacturing a glass substrate (or wafer). , a lithography step of transferring a pattern of a mask (reticle) onto a glass substrate using the exposure apparatus of each embodiment described above and its exposure method; a development step of developing the exposed glass substrate; The device is manufactured through an etching step in which exposed parts are removed by etching, a resist removal step in which unnecessary resist is removed after etching, a device assembly step, an inspection step, and the like. In this case, in the lithography step, the above-described exposure method is performed using the exposure apparatus of the above embodiment, and a device pattern is formed on the glass substrate, so that highly integrated devices can be manufactured with high productivity. .

なお、これまでの記載で引用した露光装置などに関する全ての公報(国際公開を含む)の開示を援用して本明細書の記載の一部とする。 Note that the disclosures of all publications (including international publications) regarding exposure apparatuses and the like cited in the description up to now are incorporated into the description of this specification.

以上説明したように、本発明の露光装置は、マスクのパターンを基板に露光するのに適している。 As explained above, the exposure apparatus of the present invention is suitable for exposing a mask pattern onto a substrate.

20…視野絞り、30…遮光板、50…投影領域、80…駆動機構、CONT…制御装置、EX…露光装置、K…開口、P…基板、PLa~PLg…投影光学モジュール。
20... Field stop, 30... Light shielding plate, 50... Projection area, 80... Drive mechanism, CONT... Control device, EX... Exposure device, K... Aperture, P... Substrate, PLa to PLg... Projection optical module.

Claims (17)

所定パターンを物体に投影する投影光学系に対して、前記物体を第1方向に相対移動させて露光する露光装置であって、
前記投影光学系に設けられ、前記物体上の投影領域の形状を設定する開口を備える視野絞りと、
前記視野絞りとは独立して前記投影光学系に設けられ、前記開口に重なることで前記投影領域の形状を変更する遮光部と、
前記遮光部を前記第1方向と交差する第2方向に駆動する駆動部と、を備え、
前記開口は、平面視で前記第2方向に平行な2辺を有する台形状であり、
前記駆動部は、前記第1方向及び前記第2方向と交差す第3方向を回転軸として前記遮光部を回転させ、前記開口の台形状の脚の一方と前記遮光部の一辺とを平行、または前記開口の台形状の脚の他方と前記遮光部の一辺とを平行にする、露光装置。
An exposure apparatus that exposes an object by moving the object in a first direction relative to a projection optical system that projects a predetermined pattern onto the object,
a field stop provided in the projection optical system and having an aperture that sets the shape of a projection area on the object;
a light shielding part that is provided in the projection optical system independently of the field stop and changes the shape of the projection area by overlapping with the aperture;
a drive unit that drives the light shielding unit in a second direction intersecting the first direction,
The opening has a trapezoidal shape having two sides parallel to the second direction in plan view,
The drive unit rotates the light shielding part about a third direction that intersects the first direction and the second direction as a rotation axis , and aligns one of the trapezoidal legs of the opening and one side of the light shielding part in parallel. , or an exposure apparatus in which the other trapezoidal leg of the opening and one side of the light shielding part are made parallel .
請求項1に記載の露光装置において、 The exposure apparatus according to claim 1,
前記駆動部が、前記開口の台形状の脚の一方と前記遮光部の一辺とを平行にするときは、前記開口の脚の一方と前記遮光部の前記一辺は交差せず、 When the driving unit makes one of the trapezoidal legs of the opening parallel to one side of the light shielding part, one of the legs of the opening and the one side of the light shielding part do not intersect,
前記駆動部が、前記開口の台形状の脚の他方と前記遮光部の一辺とを平行にするときは、前記開口の脚の他方と前記遮光部の前記一辺は交差しない、露光装置。 When the drive unit makes the other trapezoidal leg of the opening parallel to one side of the light shielding part, the other leg of the opening and the one side of the light shielding part do not intersect.
請求項1に記載の露光装置において、 The exposure apparatus according to claim 1,
光源と、マスクステージと、前記投影光学系と、前記物体を載せるステージとを、前記光源から射出された光の光軸に沿って順に備える、露光装置。 An exposure apparatus comprising: a light source, a mask stage, the projection optical system, and a stage on which the object is placed in order along an optical axis of light emitted from the light source.
請求項1に記載の露光装置において、 The exposure apparatus according to claim 1,
前記投影光学系は、前記視野絞りを複数備え、 The projection optical system includes a plurality of the field stops,
前記駆動部は、前記遮光部が前記第2方向に所定の間隔で配置されている前記視野絞りの前記開口のいずれとも重なるように、前記遮光部を移動する、露光装置。 The driving section is an exposure apparatus that moves the light shielding section so that the light shielding section overlaps with any of the apertures of the field stop arranged at predetermined intervals in the second direction.
請求項1に記載の露光装置において、
前記駆動部は、平面視において前記開口の前記平行な2辺を挟んで前記第2方向に延びる第1のアクチュエータ第2のアクチュエータとを備え、
前記第1のアクチュエータと前記第2のアクチュエータとは前記遮光部に接続し、
前記駆動部は、前記第1のアクチュエータおよび前記第2のアクチュエータを用いて前記遮光部を駆動する、露光装置。
The exposure apparatus according to claim 1,
The drive unit includes a first actuator and a second actuator that extend in the second direction across the two parallel sides of the opening in plan view ,
the first actuator and the second actuator are connected to the light shielding part,
In the exposure apparatus, the drive section drives the light shielding section using the first actuator and the second actuator.
請求項に記載の露光装置において、
前記駆動部は、前記第1のアクチュエータと前記第2のアクチュエータとを同じ移動量で前記第2方向に駆動することによって前記遮光部を前記第2方向に移動させる、露光装置。
The exposure apparatus according to claim 5 ,
The driving section is an exposure apparatus that moves the light shielding section in the second direction by driving the first actuator and the second actuator in the second direction by the same amount of movement.
請求項またはに記載の露光装置において、
前記駆動部は、前記第1のアクチュエータと前記第2のアクチュエータとを異なる移動量で前記第2方向に駆動することによって前記遮光部を回転させる、露光装置。
The exposure apparatus according to claim 5 or 6 ,
The driving section is an exposure apparatus that rotates the light shielding section by driving the first actuator and the second actuator in the second direction by different moving amounts.
請求項のいずれかに記載の露光装置において、
前記第1のアクチュエータおよび前記第2のアクチュエータは、モータと、前記モータによって駆動されるネジと、前記ネジに螺合するナットとを備えた送りネジ装置である、露光装置。
The exposure apparatus according to any one of claims 5 to 7 ,
The exposure apparatus is characterized in that the first actuator and the second actuator are feed screw devices including a motor, a screw driven by the motor, and a nut screwed onto the screw.
請求項1~のいずれかに記載の露光装置において、
前記駆動部は、前記投影領域の前記第2方向の端部が遮光されるように、前記遮光部を駆動する、露光装置。
The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 8 ,
The driving section is an exposure apparatus that drives the light shielding section so that an end of the projection area in the second direction is shielded from light.
請求項1~のいずれかに記載の露光装置において、
前記視野絞りは、前記物体上に投影される所定パターンを有するマスクと前記物体とに対する共役面の近傍に配置される、露光装置。
The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 9 ,
The field stop is arranged near a conjugate plane of the object and a mask having a predetermined pattern projected onto the object.
請求項10に記載の露光装置において、
前記遮光部は、前記第3方向に関して、前記共役面に設けられた前記視野絞りよりも前記物体側に設けられる、露光装置。
The exposure apparatus according to claim 10 ,
In the exposure apparatus, the light shielding portion is provided closer to the object than the field stop provided on the conjugate plane with respect to the third direction.
請求項1~11のいずれかに記載の露光装置において、
前記投影光学系は、前記第1方向に複数設けられ、
前記遮光部は、前記第1方向に離れて設けられた前記投影光学系にそれぞれ設けられる、露光装置。
The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 11 ,
A plurality of the projection optical systems are provided in the first direction,
The light shielding section is an exposure device provided in each of the projection optical systems provided apart from each other in the first direction.
請求項1~12のいずれかに記載の露光装置において、
前記第1方向の異なる位置に設けられた前記投影光学系は、前記第2方向に関して、前記投影領域が一部異なる、露光装置。
The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 12 ,
In the exposure apparatus, the projection optical systems provided at different positions in the first direction have partially different projection areas with respect to the second direction.
請求項1~13のいずれかに記載の露光装置において、
前記物体は、フラットパネルディスプレイの製造に用いられる基板である、露光装置。
The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 13 ,
The object is an exposure apparatus that is a substrate used for manufacturing a flat panel display.
請求項1~14のいずれかに記載の露光装置において、
前記物体は、少なくとも一辺の長さ又は対角長が500mm以上の基板である、露光装置。
The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 14 ,
The exposure apparatus is characterized in that the object is a substrate having at least one side length or diagonal length of 500 mm or more.
請求項14または15に記載の露光装置を用いて、前記基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法。
exposing the substrate using the exposure apparatus according to claim 14 or 15 ;
Developing the exposed substrate. A method for manufacturing a flat panel display.
請求項1~15の何れかに記載の露光装置を用いて、前記物体を露光することと、
露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。
exposing the object using the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 15 ;
Developing the exposed object.
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