JP7038125B2 - 表示デバイス、表示デバイスの製造方法 - Google Patents
表示デバイス、表示デバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7038125B2 JP7038125B2 JP2019532328A JP2019532328A JP7038125B2 JP 7038125 B2 JP7038125 B2 JP 7038125B2 JP 2019532328 A JP2019532328 A JP 2019532328A JP 2019532328 A JP2019532328 A JP 2019532328A JP 7038125 B2 JP7038125 B2 JP 7038125B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- layer
- display device
- bent portion
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 30
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 30
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 28
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 20
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 10
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 156
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 16
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 15
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/06—Electrode terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
本発明は表示デバイスに関する。
特許文献１には、表示装置の周辺領域を折り曲げる構成が開示されている。
表示デバイスの周縁に折り曲げ部を形成する場合に、折り曲げ部を通る端子配線が断線するおそれがある。
本発明の一態様に係る表示デバイスは、樹脂層と、前記樹脂層よりも上層のＴＦＴ層とを備え、周縁に折り曲げ部が設けられている表示デバイスであって、前記ＴＦＴ層の端子に接続し、前記折り曲げ部を通る端子配線を有し、前記端子配線は、前記折り曲げ部の両側に位置する第１配線および第２配線と、前記折り曲げ部を通り、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第３配線と、前記第３配線とは異なる層に形成され、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第４配線とを含む。
本発明の一態様によれば、折り曲げ部を通る端子配線が断線するおそれが低減する。
図１は表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。図２は表示デバイスの表示部の構成例を示す断面図である。図３は、表示デバイスの構成例を示す平面図である。以下においては、「同層」とは同一プロセスにて同材料で形成されていることを意味し、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。
フレキシブルな表示デバイスを製造する場合、図１～図３に示すように、まず、透光性の支持基板（例えば、マザーガラス基板）上に樹脂層１２を形成する（ステップＳ１）。次いで、バリア層３を形成する（ステップＳ２）。次いで、端子ＴＭおよび端子配線ＴＷを含むＴＦＴ層４を形成する（ステップＳ３）。次いで、トップエミッション型の発光素子層（例えば、ＯＬＥＤ素子層）５を形成する（ステップＳ４）。次いで、封止層６を形成する（ステップＳ５）。次いで、封止層６上に上面フィルムを貼り付ける（ステップＳ６）。
次いで、支持基板越しに樹脂層１２の下面にレーザ光を照射して支持基板および樹脂層１２間の結合力を低下させ、支持基板を樹脂層１２から剥離する（ステップＳ７）。次いで、樹脂層１２の下面に下面フィルム１０を貼り付ける（ステップＳ８）。次いで、下面フィルム１０、樹脂層１２、バリア層３、ＴＦＴ層４、発光素子層５、封止層６を含む積層体を分断し、複数の個片を得る（ステップＳ９）。次いで、得られた個片に機能フィルム３９を貼り付ける（ステップＳ１０）。次いで、外部接続用の端子に電子回路基板（例えば、ＩＣチップ）をマウントする（ステップＳ１１）。次いで、縁折り加工（図３の折り曲げ部ＣＬを１８０度折り曲げる加工）を施し、表示デバイス２とする（ステップＳ１２）。次いで、断線検査を行い、断線があれば修正を行う（ステップＳ１３）。なお、前記各ステップは、後述の表示デバイス製造装置が行う。
樹脂層１２の材料としては、例えば、ポリイミド、エポキシ、ポリアミド等が挙げられる。下面フィルム１０の材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が挙げられる。
バリア層３は、表示デバイスの使用時に、水分や不純物が、ＴＦＴ層４や発光素子層５に到達することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
ＴＦＴ層４は、半導体膜１５と、半導体膜１５よりも上層の無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）と、無機絶縁膜１６よりも上層のゲート電極ＧＥと、ゲート電極ＧＥよりも上層の無機絶縁膜１８と、無機絶縁膜１８よりも上層の容量配線ＣＥと、容量配線ＣＥよりも上層の無機絶縁膜２０と、無機絶縁膜２０よりも上層の、ソース配線ＳＨおよび端子ＴＭと、ソース配線ＳＨおよび端子ＴＭよりも上層の平坦化膜２１とを含む。
半導体膜１５、無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）、およびゲート電極ＧＥを含むように薄層トランジスタＴｒ（ＴＦＴ）が構成される。
ＴＦＴ層４の非アクティブ領域ＮＡには、ＩＣチップ、ＦＰＣ等の電子回路基板との接続に用いられる端子ＴＭと、端子ＴＭとアクティブ領域ＤＡの配線等を繋ぐ端子配線ＴＷ（後に詳述）とが形成される。
半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体で構成される。なお、図２では、半導体膜１５をチャネルとするＴＦＴがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい（例えば、ＴＦＴのチャネルが酸化物半導体の場合）。
ゲート電極ＧＥ、容量電極ＣＥ、ソース配線ＳＨ、端子配線ＴＷ、および端子ＴＭは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。
無機絶縁膜１６・１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。
平坦化膜（層間絶縁膜）２１は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
発光素子層５（例えば、有機発光ダイオード層）は、平坦化膜２１よりも上層のアノード２２と、アノード２２のエッジを覆うバンク２３と、アノード２２よりも上層のＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層２４と、ＥＬ層２４よりも上層のカソード２５とを含み、サブピクセルごとに、島状のアノード２２、ＥＬ層２４、およびカソード２５を含む発光素子（例えば、ＯＬＥＤ：有機発光ダイオード）と、これを駆動するサブ画素回路とが設けられる。バンク２３（アノードエッジカバー）は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
ＥＬ層２４は、例えば、下層側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。発光層は、蒸着法あるいはインクジェット法によって、サブピクセルごとに島状に形成されるが、その他の層はベタ状の共通層とすることもできる。また、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のうち１以上の層を形成しない構成も可能である。
アノード（陽極）２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する（後に詳述）。カソード２５は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zincum Oxide）等の透光性の導電材で構成することができる。
発光素子層５がＯＬＥＤ層である場合、アノード２２およびカソード２５間の駆動電流によって正孔と電子がＥＬ層２４内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に落ちることによって、光が放出される。カソード２５が透光性であり、アノード２２が光反射性であるため、ＥＬ層２４から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。
発光素子層５は、ＯＬＥＤ素子を構成する場合に限られず、無機発光ダイオードあるいは量子ドット発光ダイオードを構成してもよい。
封止層６は透光性であり、カソード２５を覆う第１無機封止膜２６と、第１無機封止膜２６よりも上側に形成される有機封止膜２７と、有機封止膜２７を覆う第２無機封止膜２８とを含む。発光素子層５を覆う封止層６は、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防いでいる。
第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８はそれぞれ、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜２７は、第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８よりも厚い、透光性有機膜であり、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
下面フィルム１０は、支持基板を剥離した後に樹脂層１２の下面に貼り付けることで、柔軟性に優れた表示デバイスを実現するためのものであり、その材料としては、ＰＥＴ等が挙げられる。機能フィルム３９は、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能等を有する。
以上、フレキシブルな表示デバイスを製造する場合について説明したが、非フレキシブルな表示デバイスを製造する場合は、基板の付け替え等が不要であるため、例えば、図１のステップＳ５からステップＳ９に移行する。
〔実施形態１〕
図４は、実施形態１の表示デバイスの周縁を示すものであり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ－Ａ’ラインでの断面図、（ｃ）はＢ－Ｂ’ラインでの断面図である。図５は、表示デバイスの非アクティブ領域の折り曲げ例を示す断面図である。
図４は、実施形態１の表示デバイスの周縁を示すものであり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ－Ａ’ラインでの断面図、（ｃ）はＢ－Ｂ’ラインでの断面図である。図５は、表示デバイスの非アクティブ領域の折り曲げ例を示す断面図である。
図４・図５に示すように、表示デバイス２の周縁（非表示領域）ＮＡは、下面フィルム１０、樹脂層１２、バリア層３、無機絶縁膜１６・１８・２０、補強膜ＥＺ、発光素子層５の下地となる平坦化膜２１、端子配線ＴＷ、および端子ＴＭを含み、この周縁ＮＡには折り曲げ部ＣＬが設けられる。端子ＴＭは、折り曲げ部ＣＬを通る端子配線ＴＷによって表示領域ＤＡに接続される。補強膜ＥＺは、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材で構成され、無機絶縁膜２０よりも上層かつ平坦化膜２１よりも下層に形成される。図５に示すように、表示デバイス２は、折り曲げ部ＣＬで１８０度折り曲げられ、これによって下面側に配された端子ＴＭと電子回路基板５０（ＩＣチップやフレキシブルプリント基板）とが接続される。
図４に示すように、折り曲げ部ＣＬでは、下面フィルム１０、バリア層３、無機絶縁膜１６・１８・２０が貫かれている。具体的には、下面フィルム１０に貫き部Ｎｘが形成され、バリア層３に貫き部Ｎａが形成され、無機絶縁膜１６（第１絶縁膜）に貫き部Ｎｂが形成され、無機絶縁膜１８（第２絶縁膜）に貫き部Ｎｃが形成され、無機絶縁膜２０（第３絶縁膜）に貫き部Ｎｄが形成され、平面視においては、貫き部Ｎｘ・Ｎｂ・Ｎｃ・Ｎｄが整合し、折り曲げ部ＣＬに整合する貫き部Ｎａが、貫き部Ｎｘ・Ｎｂ・Ｎｃ・Ｎｄの内側に位置する。第４配線ＷＳ４は、貫き部Ｎａ（第１スリット）および貫き部Ｎｂ・Ｎｃ・Ｎｄ（第２スリットＳＳ）を通り、補強膜ＥＺは、貫き部Ｎａ（第１スリット）および貫き部Ｎｂ・Ｎｃ・Ｎｄ（第２スリットＳＳ）によって生じる空間に設けられる。
端子配線ＴＷは、折り曲げ部ＣＬの両側に位置する第１配線ＷＳ１および第２配線ＷＳ２と、折り曲げ部ＣＬを通り、第１配線ＷＳ１および第２配線ＷＳ２それぞれと電気的に接続する第３配線ＷＳ３と、補強膜ＥＺ（可撓性絶縁膜）を介して第３配線ＷＳ３と重畳し、第１配線ＷＳ１および第２配線ＷＳ２それぞれと電気的に接続する第４配線ＷＳ４とを含む。
具体的には、第１配線ＷＳ１および第２配線ＷＳ２は、ＴＦＴ層４に含まれるゲート電極ＧＥ（図２参照）と同層に形成され、第３配線ＷＳ３は、ＴＦＴ層４に含まれるソース配線ＳＨ（図２参照）および端子ＴＭと同層に形成され、第４配線ＷＳ４は、ＴＦＴ層４に含まれる容量電極ＣＥ（図２参照）と同層（端子ＴＭよりも下層でゲート電極ＧＥよりも上層）に形成されている。第３配線ＷＳ３は第４配線ＷＳ４よりも幅広であり、平面視においては、第３配線ＷＳ３のエッジ内に第４配線ＷＳ４が位置する。
第３配線ＷＳ３は、折り曲げ部ＣＬの一方の側から、補強膜ＥＺ上を通って折り曲げ部ＣＬの他方の側へ到り、折り曲げ部ＣＬにおいては、補強膜ＥＺおよび平坦化膜２１で挟まれている。第４配線ＷＳ４は、折り曲げ部ＣＬの一方の側から、貫き部Ｎａ・Ｎｂ・Ｎｃを通って折り曲げ部ＣＬの他方の側へ到り、折り曲げ部ＣＬにおいては、樹脂層１２および補強膜ＥＺで挟まれている。補強膜ＥＺおよび平坦化膜２１は同一の有機材料（例えば、ポリイミド）で構成してもよい。
第４配線ＷＳ４は、その一端が、無機絶縁膜１８に形成されたコンタクトホールＨｃ１によって第１配線ＷＳ１に接続されるとともに、無機絶縁膜２０に形成されたコンタクトホールＨｄ１によって第３配線ＷＳ３の一端に接続される。第４配線ＷＳ４の他端は、無機絶縁膜１８に形成されたコンタクトホールＨｃ２によって第２配線ＷＳ２に接続されるとともに、無機絶縁膜２０に形成されたコンタクトホールＨｄ２によって第３配線ＷＳ３の他端に接続される。
平面視においては、貫き部Ｎｂ・Ｎｃ・Ｎｄからなる第２スリットＳＳの開口の内側に貫き部Ｎａ（第１スリット）の開口が配され、第２スリットＳＳにおいて第４配線ＷＳ４がバリア層３に接する。
図６は、実施形態１におけるＴＦＴ層の形成例を示すフローチャートである。図１のステップＳ１に次いでステップＳ２ではバリア層３を形成する。次のステップＳ３ａでは、半導体膜１５（図２参照）を形成する。次のステップＳ３ｂでは、無機絶縁膜１６を形成する。次のステップＳ３ｃでは、ゲート電極、第１配線ＷＳ１および第２配線ＷＳ２を形成する。次のステップＳ３ｄでは、無機絶縁膜１８を形成する。次のステップＳ３ｅでは、容量電極ＣＥ（図２参照）および第４配線ＷＳ４を形成する。次のステップＳ３ｆでは、無機絶縁膜２０を形成する。次のステップＳ３ｇでは、補強膜ＥＺを形成する。次のステップＳ３ｈでは、ソース配線ＳＨ（図２参照）、第３配線ＷＳ３および端子ＴＭを形成する。次のステップＳ３ｉでは、平坦化膜２１を形成する（この後の工程は図１を参照）。なお、貫き部Ｎｂ・Ｎｃの形成（パターニング）は連続プロセスで行ってもよい。
図７は、表示デバイス製造装置の構成を示すブロック図である。図７に示すように、表示デバイス製造装置７０は、成膜装置７６と、折り曲げ装置７７と、実装装置８０と、これらの装置を制御するコントローラ７２とを含んでおり、成膜装置７６が図６のステップＳ３ａ～Ｓ３ｉを行い、折り曲げ装置７７が図１のステップＳ１０を行い、実装装置８０が図１のステップＳ１２を行う。
実施形態１では、端子配線ＴＷが、折り曲げ部ＣＬを通る第３配線ＷＳ３および第４配線ＷＳ４を含んでいるため、仮に第３配線ＷＳ３が破断しても、第４配線ＷＳ４によって第１配線ＷＳ１から第２配線ＷＳ２への電気的な経路を維持することができ、端子配線ＴＷが折り曲げ部ＣＬで断線するおそれが低減する。
また、ＣＶＤ法で形成される（緻密で硬い）バリア層３および無機絶縁膜１６・１８・２０が折り曲げ部ＣＬにおいて貫かれているため、折り曲げ時の応力が低減し、第３配線ＷＳ３および第４配線ＷＳ４の破断が生じにくい。
また、折り曲げ部ＣＬの第３配線ＷＳ３および第４配線ＷＳ４それぞれが、ＣＶＤ形成の無機材料よりも可撓性の高い塗付形成の有機材料で挟まれているため、第３配線ＷＳ３および第４配線ＷＳ４の破断が生じにくい。
〔実施形態２〕
実施形態１では第４配線ＷＳ４を容量電極と同層に設けているがこれに限定されない。図８は、実施形態２の表示デバイスの周縁を示すものであり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ－Ａ’ラインでの断面図、（ｃ）はＢ－Ｂ’ラインでの断面図である。図９は、表示デバイスの非アクティブ領域の折り曲げ例を示す断面図である。
実施形態１では第４配線ＷＳ４を容量電極と同層に設けているがこれに限定されない。図８は、実施形態２の表示デバイスの周縁を示すものであり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ－Ａ’ラインでの断面図、（ｃ）はＢ－Ｂ’ラインでの断面図である。図９は、表示デバイスの非アクティブ領域の折り曲げ例を示す断面図である。
図８・図９に示すように、実施形態２の端子配線ＴＷは、折り曲げ部ＣＬの両側に位置する第１配線ＷＳ１および第２配線ＷＳ２と、折り曲げ部ＣＬを通り、第１配線ＷＳ１および第２配線ＷＳ２それぞれと電気的に接続する第３配線ＷＳ３と、平坦化膜２１（可撓性絶縁膜）を介して第３配線ＷＳ３と重畳し、第１配線ＷＳ１および第２配線ＷＳ２それぞれと電気的に接続する第４配線ＷＳ４とを含む。
具体的には、第１配線ＷＳ１および第２配線ＷＳ２は、ＴＦＴ層４に含まれるゲート電極ＧＥ（図２参照）と同層に形成され、第３配線ＷＳ３は、ＴＦＴ層４に含まれるソース配線ＳＨ（図２参照）および端子ＴＭと同層に形成され、第４配線ＷＳ４は、発光素子層５のアノード２２と同層に、同一材料にて形成されている。第３配線ＷＳ３は第４配線ＷＳ４よりも幅広であり、平面視においては、第３配線ＷＳ３のエッジ内に第４配線ＷＳ４が位置する。
第３配線ＷＳ３は、折り曲げ部ＣＬの一方の側から、補強膜ＥＺ上を通って折り曲げ部ＣＬの他方の側へ到り、折り曲げ部ＣＬにおいては、補強膜ＥＺと平坦化膜２１とで挟まれている。第４配線ＷＳ４は、折り曲げ部ＣＬの一方の側から、平坦化膜２１上を通って折り曲げ部ＣＬの他方の側へ到り、折り曲げ部ＣＬにおいては、平坦化膜２１と、バンク（アノードエッジカバー）２３（図２参照）と同層の有機絶縁膜２３ｚとで挟まれている。補強膜ＥＺ、平坦化膜２１および有機絶縁膜２３ｚは同一の有機材料（例えば、ポリイミド）で構成してもよい。
第３配線ＷＳ３は、その一端が、無機絶縁膜１８に形成されたコンタクトホールＨｃ１と、無機絶縁膜２０に形成され、コンタクトホールＨｃ１に連通するコンタクトホールＨｄ１とによって第１配線ＷＳ１に接続されるとともに、平坦化膜２１に形成されたコンタクトホールＨｅ１によって第４配線ＷＳ４の一端に接続され、第３配線ＷＳ３の他端は、無機絶縁膜１８に形成されたコンタクトホールＨｃ２と、無機絶縁膜２０に形成され、コンタクトホールＨｃ２に連通するコンタクトホールＨｄ２とによって第２配線ＷＳ２に接続されるとともに、平坦化膜２１に形成されたコンタクトホールＨｅ２によって第４配線ＷＳ４の他端に接続される。
図１０は、実施形態２におけるＴＦＴ層の形成例を示すフローチャートである。図１のステップＳ１に次いでステップＳ２ではバリア層３を形成する。次のステップＳ３ａでは、半導体膜１５（図２参照）を形成する。次のステップＳ３ｂでは、無機絶縁膜１６を形成する。次のステップＳ３ｃでは、ゲート電極、第１配線ＷＳ１および第２配線ＷＳ２を形成する。次のステップＳ３ｄでは、無機絶縁膜１８を形成する。次のステップＳ３ｅでは、容量電極ＣＥ（図２参照）を形成する。次のステップＳ３ｆでは、無機絶縁膜２０を形成する。次のステップＳ３ｇでは、補強膜ＥＺを形成する。次のステップＳ３ｈでは、ソース配線ＳＨ（図２参照）、第３配線ＷＳ３および端子ＴＭを形成する。次のステップＳ３ｉでは、平坦化膜２１を形成する。次のステップＳ３ｊでは、アノード２２（図２参照）および第４配線ＷＳ４を形成する。次のステップＳ３ｋでは、バンク２３と同層の有機絶縁膜２３ｚを形成する（この後の工程は図１を参照）。なお、貫き部Ｎｂ・Ｎｃ・Ｎｄの形成（パターニング）は連続プロセスで行ってもよい。
〔実施形態３〕
第４配線ＷＳ４を、第１配線ＷＳ１および第２配線ＷＳ２と同層に設けることもできる。図１１は、実施形態３の表示デバイスの周縁を示す断面図である。
第４配線ＷＳ４を、第１配線ＷＳ１および第２配線ＷＳ２と同層に設けることもできる。図１１は、実施形態３の表示デバイスの周縁を示す断面図である。
図１１に示すように、実施形態３の端子配線ＴＷは、折り曲げ部ＣＬの両側に位置する第１配線ＷＳ１および第２配線ＷＳ２と、折り曲げ部ＣＬを通り、第１配線ＷＳ１および第２配線ＷＳ２それぞれと電気的に接続する第３配線ＷＳ３と、補強膜ＥＺ（可撓性絶縁膜）を介して第３配線ＷＳ３と重畳し、第１配線ＷＳ１および第２配線ＷＳ２それぞれと電気的に接続する第４配線ＷＳ４とを含む。
具体的には、第１配線ＷＳ１、第２配線ＷＳ２および第４配線ＷＳ４は、ＴＦＴ層４に含まれるゲート電極ＧＥ（図２参照）と同層に形成され、第３配線ＷＳ３は、ＴＦＴ層４に含まれるソース配線ＳＨ（図２参照）および端子ＴＭと同層に形成されている。
第３配線ＷＳ３は、折り曲げ部ＣＬの一方の側から、補強膜ＥＺ上を通って折り曲げ部ＣＬの他方の側へ到り、折り曲げ部ＣＬにおいては、補強膜ＥＺおよび平坦化膜２１で挟まれている。第４配線ＷＳ４は、折り曲げ部ＣＬの一方の側から、貫き部Ｎａ・Ｎｂを通って折り曲げ部ＣＬの他方の側へ到り、折り曲げ部ＣＬにおいては、樹脂層１２および補強膜ＥＺで挟まれている。補強膜ＥＺおよび平坦化膜２１は同一の有機材料（例えば、ポリイミド）で構成してもよい。
第３配線ＷＳ３は、その一端が、無機絶縁膜１８に形成されたコンタクトホールＨｃ１と、無機絶縁膜２０に形成され、コンタクトホールＨｃ１に連通するコンタクトホールＨｄ１とによって第１配線ＷＳ１および第４配線ＷＳ４の一端に接続され、第３配線ＷＳ３の他端は、無機絶縁膜１８に形成されたコンタクトホールＨｃ２と、無機絶縁膜２０に形成され、コンタクトホールＨｃ２に連通するコンタクトホールＨｄ２とによって第２配線ＷＳ２および第４配線ＷＳ４の他端に接続される。
図１２は、実施形態３におけるＴＦＴ層の形成例を示すフローチャートである。図１のステップＳ１に次いでステップＳ２ではバリア層３を形成する。次のステップＳ３ａでは、半導体膜１５（図２参照）を形成する。次のステップＳ３ｂでは、無機絶縁膜１６を形成する。次のステップＳ３ｃでは、ゲート電極、第１配線ＷＳ１、第２配線ＷＳ２および第４配線ＷＳ４を形成する。次のステップＳ３ｄでは、無機絶縁膜１８を形成する。次のステップＳ３ｅでは、容量電極ＣＥ（図２参照）を形成する。次のステップＳ３ｆでは、無機絶縁膜２０を形成する。次のステップＳ３ｇでは、補強膜ＥＺを形成する。次のステップＳ３ｈでは、ソース配線ＳＨ（図２参照）、第３配線ＷＳ３および端子ＴＭを形成する。次のステップＳ３ｉでは、平坦化膜２１を形成する（この後の工程は図１を参照）。なお、貫き部Ｎｃ・Ｎｄの形成（パターニング）は連続プロセスで行ってもよい。
〔まとめ〕
本実施形態にかかる表示デバイスが備える電気光学素子（電流によって輝度や透過率が制御される電気光学素子）は特に限定されるものではない。本実施形態にかかる表示装置としては、例えば、電気光学素子としてＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えた有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、電気光学素子として無機発光ダイオードを備えた無機ＥＬディスプレイ、電気光学素子としてＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えたＱＬＥＤディスプレイ等が挙げられる。
本実施形態にかかる表示デバイスが備える電気光学素子（電流によって輝度や透過率が制御される電気光学素子）は特に限定されるものではない。本実施形態にかかる表示装置としては、例えば、電気光学素子としてＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えた有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、電気光学素子として無機発光ダイオードを備えた無機ＥＬディスプレイ、電気光学素子としてＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えたＱＬＥＤディスプレイ等が挙げられる。
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
〔態様１〕
樹脂層と、前記樹脂層よりも上層のＴＦＴ層と、前記ＴＦＴ層よりも上層の発光素子層とを備え、周縁に折り曲げ部が設けられている表示デバイスであって、
前記ＴＦＴ層の端子に接続し、前記折り曲げ部を通る端子配線を有し、
前記端子配線は、前記折り曲げ部の両側に位置する第１配線および第２配線と、前記折り曲げ部を通り、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第３配線と、前記第３配線とは異なる層に形成され、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第４配線とを含む表示デバイス。
樹脂層と、前記樹脂層よりも上層のＴＦＴ層と、前記ＴＦＴ層よりも上層の発光素子層とを備え、周縁に折り曲げ部が設けられている表示デバイスであって、
前記ＴＦＴ層の端子に接続し、前記折り曲げ部を通る端子配線を有し、
前記端子配線は、前記折り曲げ部の両側に位置する第１配線および第２配線と、前記折り曲げ部を通り、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第３配線と、前記第３配線とは異なる層に形成され、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第４配線とを含む表示デバイス。
〔態様２〕
前記第４配線は、可撓性絶縁膜を介して前記第３配線と重畳する例えば態様１記載の表示デバイス。
前記第４配線は、可撓性絶縁膜を介して前記第３配線と重畳する例えば態様１記載の表示デバイス。
〔態様３〕
前記ＴＦＴ層には複数の無機絶縁膜が含まれ、
前記折り曲げ部では、前記複数の無機絶縁膜が貫かれている例えば態様２記載の表示デバイス。
前記ＴＦＴ層には複数の無機絶縁膜が含まれ、
前記折り曲げ部では、前記複数の無機絶縁膜が貫かれている例えば態様２記載の表示デバイス。
〔態様４〕
前記樹脂層と前記ＴＦＴ層との間にバリア層を備え、
前記折り曲げ部には、前記バリア層が貫かれて形成される第１スリットが設けられている例えば態様３に記載の表示デバイス。
前記樹脂層と前記ＴＦＴ層との間にバリア層を備え、
前記折り曲げ部には、前記バリア層が貫かれて形成される第１スリットが設けられている例えば態様３に記載の表示デバイス。
〔態様５〕
前記折り曲げ部には、前記複数の無機絶縁膜が貫かれて形成される第２スリットが、前記第１スリットに重なるように設けられ、
前記第１スリットおよび前記第２スリットを埋めるように補強膜が形成されている例えば態様４に記載の表示デバイス。
前記折り曲げ部には、前記複数の無機絶縁膜が貫かれて形成される第２スリットが、前記第１スリットに重なるように設けられ、
前記第１スリットおよび前記第２スリットを埋めるように補強膜が形成されている例えば態様４に記載の表示デバイス。
〔態様６〕
前記折り曲げ部においては、前記第３配線が前記補強膜と前記発光素子層の下地となる平坦化膜とで挟まれている例えば態様５に記載の表示デバイス。
前記折り曲げ部においては、前記第３配線が前記補強膜と前記発光素子層の下地となる平坦化膜とで挟まれている例えば態様５に記載の表示デバイス。
〔態様７〕
前記補強膜および前記平坦化膜が同一の有機材料で構成されている例えば態様６に記載の表示デバイス。
前記補強膜および前記平坦化膜が同一の有機材料で構成されている例えば態様６に記載の表示デバイス。
〔態様８〕
前記第３配線は、前記端子と同層に形成されている例えば態様６に記載の表示デバイス。
前記第３配線は、前記端子と同層に形成されている例えば態様６に記載の表示デバイス。
〔態様９〕
前記第１配線および前記第２配線が、前記ＴＦＴ層に含まれるゲート電極と同層に形成されている例えば態様８に記載の表示デバイス。
前記第１配線および前記第２配線が、前記ＴＦＴ層に含まれるゲート電極と同層に形成されている例えば態様８に記載の表示デバイス。
〔態様１０〕
前記第４配線は、前記ＴＦＴ層のゲート電極よりも上層かつ前記端子よりも下層に形成されている例えば態様９に記載の表示デバイス。
前記第４配線は、前記ＴＦＴ層のゲート電極よりも上層かつ前記端子よりも下層に形成されている例えば態様９に記載の表示デバイス。
〔態様１１〕
前記第４配線は、前記第１スリットおよび前記第２スリットを通る例えば態様１０に記載の表示デバイス。
前記第４配線は、前記第１スリットおよび前記第２スリットを通る例えば態様１０に記載の表示デバイス。
〔態様１２〕
前記第１スリットにおいて、前記第４配線と前記樹脂層とが接する例えば態様１１に記載の表示デバイス。
前記第１スリットにおいて、前記第４配線と前記樹脂層とが接する例えば態様１１に記載の表示デバイス。
〔態様１３〕
前記折り曲げ部においては、前記第４配線が前記樹脂層と前記補強膜とで挟まれている例えば態様１２に記載の表示デバイス。
前記折り曲げ部においては、前記第４配線が前記樹脂層と前記補強膜とで挟まれている例えば態様１２に記載の表示デバイス。
〔態様１４〕
平面視においては前記第２スリットの開口の内側に前記第１スリットの開口が配され、
前記第２スリットにおいて前記第４配線が前記バリア層に接する例えば態様１１に記載の表示デバイス。
平面視においては前記第２スリットの開口の内側に前記第１スリットの開口が配され、
前記第２スリットにおいて前記第４配線が前記バリア層に接する例えば態様１１に記載の表示デバイス。
〔態様１５〕
前記複数の無機絶縁膜は、第１絶縁膜、第２絶縁膜、および第３絶縁膜であり、
前記第３配線は、前記ＴＦＴ層のソース電極と同層に形成され、
前記第１絶縁膜は、前記バリア層よりも上層かつ前記第１配線および第２配線よりも下層に形成され、
前記第２絶縁膜は、前記第１配線および第２配線よりも上層かつ前記第４配線よりも下層に形成され、
前記第３絶縁膜は、前記第４配線よりも上層かつ前記第３配線よりも下層に形成され、
前記折り曲げ部の両側において前記第２絶縁膜に形成された２つのコンタクトホールの一方によって前記第１配線および前記第４配線が接触し、他方によって前記第２配線および前記第４配線が接触し、
前記折り曲げ部の両側において前記第３絶縁膜に形成された２つのコンタクトホールそれぞれによって前記第３配線および前記第４配線が接触する例えば態様１１に記載の表示デバイス。
前記複数の無機絶縁膜は、第１絶縁膜、第２絶縁膜、および第３絶縁膜であり、
前記第３配線は、前記ＴＦＴ層のソース電極と同層に形成され、
前記第１絶縁膜は、前記バリア層よりも上層かつ前記第１配線および第２配線よりも下層に形成され、
前記第２絶縁膜は、前記第１配線および第２配線よりも上層かつ前記第４配線よりも下層に形成され、
前記第３絶縁膜は、前記第４配線よりも上層かつ前記第３配線よりも下層に形成され、
前記折り曲げ部の両側において前記第２絶縁膜に形成された２つのコンタクトホールの一方によって前記第１配線および前記第４配線が接触し、他方によって前記第２配線および前記第４配線が接触し、
前記折り曲げ部の両側において前記第３絶縁膜に形成された２つのコンタクトホールそれぞれによって前記第３配線および前記第４配線が接触する例えば態様１１に記載の表示デバイス。
〔態様１６〕
前記第４配線は、前記発光素子層に含まれる下側電極と同層に形成されている例えば態様９に記載の表示デバイス。
前記第４配線は、前記発光素子層に含まれる下側電極と同層に形成されている例えば態様９に記載の表示デバイス。
〔態様１７〕
前記折り曲げ部においては、前記第４配線が、前記平坦化膜と、前記発光素子層のアノードエッジカバーと同層の絶縁膜とで挟まれている例えば態様１６に記載の表示デバイス。
前記折り曲げ部においては、前記第４配線が、前記平坦化膜と、前記発光素子層のアノードエッジカバーと同層の絶縁膜とで挟まれている例えば態様１６に記載の表示デバイス。
〔態様１８〕
前記第４配線は、前記第１配線および前記第２配線と同層に形成されている例えば態様９に記載の表示デバイス。
前記第４配線は、前記第１配線および前記第２配線と同層に形成されている例えば態様９に記載の表示デバイス。
〔態様１９〕
前記発光素子層がトップエミッション型であり、
前記折り曲げ部で折り曲げられることによって下面側に配された前記端子と電子回路基板とが接続される例えば態様１～１８のいずれか１項に記載の表示デバイス。
前記発光素子層がトップエミッション型であり、
前記折り曲げ部で折り曲げられることによって下面側に配された前記端子と電子回路基板とが接続される例えば態様１～１８のいずれか１項に記載の表示デバイス。
〔態様２０〕
樹脂層と、前記樹脂層よりも上層のＴＦＴ層と、前記ＴＦＴ層よりも上層の発光素子層とを備え、周縁に折り曲げ部が設けられている表示デバイスの製造方法であって、
前記折り曲げ部の両側に位置する第１配線および第２配線を形成する工程と、前記折り曲げ部を通り、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第３配線を形成する工程と、前記第３配線とは異なる層に配され、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第４配線を形成する工程とを含む表示デバイスの製造方法。
樹脂層と、前記樹脂層よりも上層のＴＦＴ層と、前記ＴＦＴ層よりも上層の発光素子層とを備え、周縁に折り曲げ部が設けられている表示デバイスの製造方法であって、
前記折り曲げ部の両側に位置する第１配線および第２配線を形成する工程と、前記折り曲げ部を通り、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第３配線を形成する工程と、前記第３配線とは異なる層に配され、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第４配線を形成する工程とを含む表示デバイスの製造方法。
〔態様２１〕
樹脂層と、前記樹脂層よりも上層のＴＦＴ層と、前記ＴＦＴ層よりも上層の発光素子層とを備え、周縁に折り曲げ部が設けられている表示デバイスの製造装置であって、
前記折り曲げ部の両側に位置する第１配線および第２配線を形成する工程と、前記折り曲げ部を通り、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第３配線を形成する工程と、前記第３配線とは異なる層に配され、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第４配線を形成する工程とを行う表示デバイスの製造装置。
樹脂層と、前記樹脂層よりも上層のＴＦＴ層と、前記ＴＦＴ層よりも上層の発光素子層とを備え、周縁に折り曲げ部が設けられている表示デバイスの製造装置であって、
前記折り曲げ部の両側に位置する第１配線および第２配線を形成する工程と、前記折り曲げ部を通り、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第３配線を形成する工程と、前記第３配線とは異なる層に配され、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第４配線を形成する工程とを行う表示デバイスの製造装置。
２ 表示デバイス
３ バリア層
４ ＴＦＴ層
５ 発光素子層
６ 封止層
１２ 樹脂層
１６・１８・２０ 無機絶縁膜
２１ 平坦化膜
２３ バンク（アノードエッジカバー）
２３ｚ 有機絶縁膜
２４ ＥＬ層
７０ 表示デバイス製造装置
ＥＺ 補強膜
ＴＭ 端子
ＴＷ 端子配線
ＷＳ１～ＷＳ４ 第１配線～第４配線
３ バリア層
４ ＴＦＴ層
５ 発光素子層
６ 封止層
１２ 樹脂層
１６・１８・２０ 無機絶縁膜
２１ 平坦化膜
２３ バンク（アノードエッジカバー）
２３ｚ 有機絶縁膜
２４ ＥＬ層
７０ 表示デバイス製造装置
ＥＺ 補強膜
ＴＭ 端子
ＴＷ 端子配線
ＷＳ１～ＷＳ４ 第１配線～第４配線
Claims (20)
- 樹脂層と、前記樹脂層よりも上層のＴＦＴ層と、前記ＴＦＴ層よりも上層の発光素子層とを備え、周縁に折り曲げ部が設けられている表示デバイスであって、
前記ＴＦＴ層の端子に接続し、前記折り曲げ部を通る端子配線を有し、
前記端子配線は、
前記折り曲げ部を挟んで、前記折り曲げ部の一方の側に位置する第１配線および他方の側に位置する第２配線と、
前記折り曲げ部を通り、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第３配線と、
前記第３配線とは異なる層に形成され、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第４配線とを含み、
前記第４配線は、前記一方の側で、前記第１配線と前記第３配線との間に挟まれ、前記第１配線および前記第３配線と直接に電気的に接続し、前記他方の側で、前記第２配線と前記第３配線との間に挟まれ、前記第２配線および前記第３配線と直接に電気的に接続する表示デバイス。 - 前記第４配線は、可撓性絶縁膜を介して前記第３配線と重畳する請求項１記載の表示デバイス。
- 前記ＴＦＴ層には複数の無機絶縁膜が含まれ、
前記折り曲げ部では、前記複数の無機絶縁膜が貫かれている請求項２記載の表示デバイス。 - 前記樹脂層と前記ＴＦＴ層との間にバリア層を備え、
前記折り曲げ部には、前記バリア層が貫かれて形成される第１スリットが設けられている請求項３に記載の表示デバイス。 - 前記折り曲げ部には、前記複数の無機絶縁膜が貫かれて形成される第２スリットが、前記第１スリットに重なるように設けられ、
前記第１スリットおよび前記第２スリットを埋めるように補強膜が形成されている請求項４に記載の表示デバイス。 - 前記折り曲げ部においては、前記第３配線が前記補強膜と前記発光素子層の下地となる平坦化膜とで挟まれている請求項５に記載の表示デバイス。
- 前記補強膜および前記平坦化膜が同一の有機材料で構成されている請求項６に記載の表示デバイス。
- 前記第３配線は、前記端子と同層に形成されている請求項６に記載の表示デバイス。
- 前記第１配線および前記第２配線が、前記ＴＦＴ層に含まれるゲート電極と同層に形成されている請求項８に記載の表示デバイス。
- 前記第４配線は、前記ＴＦＴ層のゲート電極よりも上層かつ前記端子よりも下層に形成されている請求項９に記載の表示デバイス。
- 前記第４配線は、前記第１スリットおよび前記第２スリットを通る請求項１０に記載の表示デバイス。
- 前記第１スリットにおいて、前記第４配線と前記樹脂層とが接する請求項１１に記載の表示デバイス。
- 前記折り曲げ部においては、前記第４配線が前記樹脂層と前記補強膜とで挟まれている請求項１２に記載の表示デバイス。
- 平面視においては前記第２スリットの開口の内側に前記第１スリットの開口が配され、
前記第２スリットにおいて前記第４配線が前記バリア層に接する請求項１１に記載の表示デバイス。 - 前記複数の無機絶縁膜は、第１絶縁膜、第２絶縁膜、および第３絶縁膜であり、
前記第３配線は、前記ＴＦＴ層のソース電極と同層に形成され、
前記第１絶縁膜は、前記バリア層よりも上層かつ前記第１配線および第２配線よりも下層に形成され、
前記第２絶縁膜は、前記第１配線および第２配線よりも上層かつ前記第４配線よりも下層に形成され、
前記第３絶縁膜は、前記第４配線よりも上層かつ前記第３配線よりも下層に形成され、
前記折り曲げ部の両側において前記第２絶縁膜に形成された２つのコンタクトホールの一方によって前記第１配線および前記第４配線が接触し、他方によって前記第２配線および前記第４配線が接触し、
前記折り曲げ部の両側において前記第３絶縁膜に形成された２つのコンタクトホールそれぞれによって前記第３配線および前記第４配線が接触する請求項１１に記載の表示デバイス。 - 前記第４配線は、前記発光素子層に含まれる下側電極と同層に形成されている請求項９に記載の表示デバイス。
- 前記折り曲げ部においては、前記第４配線が、前記平坦化膜と、前記発光素子層のアノードエッジカバーと同層の絶縁膜とで挟まれている請求項１６に記載の表示デバイス。
- 前記第４配線は、前記第１配線および前記第２配線と同層に形成されている請求項９に記載の表示デバイス。
- 前記発光素子層がトップエミッション型であり、
前記折り曲げ部で折り曲げられることによって下面側に配された前記端子と電子回路基板とが接続される請求項１～１８のいずれか１項に記載の表示デバイス。 - 樹脂層と、前記樹脂層よりも上層のＴＦＴ層と、前記ＴＦＴ層よりも上層の発光素子層とを備え、周縁に折り曲げ部が設けられている表示デバイスの製造方法であって、
前記折り曲げ部を挟んで、前記折り曲げ部の一方の側に位置する第１配線および他方の側に位置する第２配線を形成する工程と、
前記折り曲げ部を通り、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続する第３配線を形成する工程と、
前記第３配線とは異なる層に配され、前記第１配線および前記第２配線それぞれと電気的に接続し、前記一方の側で、前記第１配線と前記第３配線との間に挟まれ、前記第１配線および前記第３配線と直接に電気的に接続し、前記他方の側で、前記第２配線と前記第３配線との間に挟まれ、前記第２配線および前記第３配線と直接に電気的に接続する第４配線を形成する工程とを含む表示デバイスの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2017/027477 WO2019021466A1 (ja) | 2017-07-28 | 2017-07-28 | 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2019021466A1 JPWO2019021466A1 (ja) | 2020-07-27 |
| JP7038125B2 true JP7038125B2 (ja) | 2022-03-17 |
Family
ID=65039526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019532328A Active JP7038125B2 (ja) | 2017-07-28 | 2017-07-28 | 表示デバイス、表示デバイスの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10847600B2 (ja) |
| JP (1) | JP7038125B2 (ja) |
| CN (1) | CN110892469B (ja) |
| WO (1) | WO2019021466A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11422631B2 (en) | 2016-03-31 | 2022-08-23 | Sensel, Inc. | Human-computer interface system |
| US11460926B2 (en) | 2016-03-31 | 2022-10-04 | Sensel, Inc. | Human-computer interface system |
| JP6843710B2 (ja) * | 2017-07-12 | 2021-03-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、および表示装置の製造方法 |
| WO2019026280A1 (ja) * | 2017-08-04 | 2019-02-07 | シャープ株式会社 | 樹脂基板および表示デバイス |
| JP7068800B2 (ja) * | 2017-10-30 | 2022-05-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN111819614B (zh) * | 2018-03-09 | 2022-03-04 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
| US11640771B2 (en) * | 2018-08-24 | 2023-05-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
| CN109785754B (zh) * | 2019-02-01 | 2021-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示模组、柔性显示装置 |
| CN110928004A (zh) * | 2019-12-12 | 2020-03-27 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示屏及显示装置 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002299773A (ja) | 2001-03-28 | 2002-10-11 | Seiko Epson Corp | フレキシブル配線基板及び電気光学装置 |
| JP2008233452A (ja) | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Epson Imaging Devices Corp | 実装構造体、電気光学装置、電子機器及び電気光学装置の製造方法 |
| JP2008298828A (ja) | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Panasonic Corp | プラズマディスプレイ装置 |
| JP2016009118A (ja) | 2014-06-25 | 2016-01-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置および表示装置の製造方法 |
| WO2016204056A1 (ja) | 2015-06-16 | 2016-12-22 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造方法及び表示装置 |
| US20170040406A1 (en) | 2015-08-06 | 2017-02-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display device and manufacturing method thereof |
| JP2017097163A (ja) | 2015-11-24 | 2017-06-01 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| US20170194411A1 (en) | 2015-12-31 | 2017-07-06 | Lg Display Co., Ltd. | Electronic device with flexible display panel |
| JP2018063386A (ja) | 2016-10-14 | 2018-04-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BRPI0920725A2 (pt) * | 2008-10-02 | 2019-09-24 | Sharp Kk | substrato de dispositivo visor, método de fabricação de substrato de dispositivo visor, dispositivo visor, dispositivo visor de cristal líquido, método de fabricação de dispositivo de cristal líquido e dispositivo visor orgânico eletroluminescente |
| CN202534323U (zh) * | 2012-04-24 | 2012-11-14 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种显示面板及显示器 |
| JP6419608B2 (ja) | 2015-03-12 | 2018-11-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| JP6329925B2 (ja) * | 2015-06-26 | 2018-05-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| KR102631257B1 (ko) * | 2016-11-18 | 2024-01-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
-
2017
- 2017-07-28 JP JP2019532328A patent/JP7038125B2/ja active Active
- 2017-07-28 WO PCT/JP2017/027477 patent/WO2019021466A1/ja active Application Filing
- 2017-07-28 CN CN201780093231.3A patent/CN110892469B/zh active Active
- 2017-07-28 US US16/466,360 patent/US10847600B2/en active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002299773A (ja) | 2001-03-28 | 2002-10-11 | Seiko Epson Corp | フレキシブル配線基板及び電気光学装置 |
| JP2008233452A (ja) | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Epson Imaging Devices Corp | 実装構造体、電気光学装置、電子機器及び電気光学装置の製造方法 |
| JP2008298828A (ja) | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Panasonic Corp | プラズマディスプレイ装置 |
| JP2016009118A (ja) | 2014-06-25 | 2016-01-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置および表示装置の製造方法 |
| WO2016204056A1 (ja) | 2015-06-16 | 2016-12-22 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造方法及び表示装置 |
| US20170040406A1 (en) | 2015-08-06 | 2017-02-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display device and manufacturing method thereof |
| JP2017097163A (ja) | 2015-11-24 | 2017-06-01 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| US20170194411A1 (en) | 2015-12-31 | 2017-07-06 | Lg Display Co., Ltd. | Electronic device with flexible display panel |
| JP2018063386A (ja) | 2016-10-14 | 2018-04-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110892469B (zh) | 2021-11-02 |
| US20200066821A1 (en) | 2020-02-27 |
| WO2019021466A1 (ja) | 2019-01-31 |
| CN110892469A (zh) | 2020-03-17 |
| JPWO2019021466A1 (ja) | 2020-07-27 |
| US10847600B2 (en) | 2020-11-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7038125B2 (ja) | 表示デバイス、表示デバイスの製造方法 | |
| US10754387B2 (en) | Flexible display device | |
| WO2019058501A1 (ja) | 表示デバイス、及び、表示デバイスの製造方法 | |
| WO2019187137A1 (ja) | 表示装置 | |
| US11653547B2 (en) | Display device | |
| US11227553B2 (en) | Display device | |
| WO2019187159A1 (ja) | 表示デバイス | |
| WO2019021467A1 (ja) | 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置 | |
| JPWO2018179168A1 (ja) | 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置、成膜装置 | |
| US10672854B2 (en) | Display device | |
| WO2019150503A1 (ja) | 表示装置 | |
| US20200152910A1 (en) | Display device | |
| WO2019187151A1 (ja) | 表示デバイス | |
| CN112425264B (zh) | 显示装置 | |
| US11462700B2 (en) | Display device comprising flexible display panel | |
| WO2019026280A1 (ja) | 樹脂基板および表示デバイス | |
| US10777633B2 (en) | Display device, display device manufacturing method, and display device manufacturing apparatus | |
| CN112753059B (zh) | 显示装置 | |
| US11404525B2 (en) | Display device and method for manufacturing display device | |
| CN111527793A (zh) | 显示设备 | |
| WO2020255350A1 (ja) | 表示装置 | |
| WO2019187161A1 (ja) | 表示デバイス | |
| WO2020065938A1 (ja) | 表示デバイス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200108 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210309 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210329 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210928 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211108 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220301 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220307 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7038125 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |