JP6926330B2 - 被試験デバイスを試験するためのプローブシステム - Google Patents
被試験デバイスを試験するためのプローブシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP6926330B2 JP6926330B2 JP2020518767A JP2020518767A JP6926330B2 JP 6926330 B2 JP6926330 B2 JP 6926330B2 JP 2020518767 A JP2020518767 A JP 2020518767A JP 2020518767 A JP2020518767 A JP 2020518767A JP 6926330 B2 JP6926330 B2 JP 6926330B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- probe system
- test head
- assembly
- platen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims description 281
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims description 116
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 54
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 48
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000967294 Swertia japonica Species 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
- G01R31/2863—Contacting devices, e.g. sockets, burn-in boards or mounting fixtures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
- G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
- G01R1/0416—Connectors, terminals
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06705—Apparatus for holding or moving single probes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06794—Devices for sensing when probes are in contact, or in position to contact, with measured object
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
- G01R31/2865—Holding devices, e.g. chucks; Handlers or transport devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
- G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
- G01R31/2887—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks involving moving the probe head or the IC under test; docking stations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Description
上面、反対側の下面、および当該上面と当該下面との間に延在するプラテン開口部を画定する、プラテンと;
被試験デバイス(DUT)を含む基板を支持するように構成された支持面を画定する、チャックと;
プラテンの下面から延びる下部エンクロージャであって、下部エンクロージャおよびプラテンの下面がともに下部容積を画定し、さらに、チャックの支持面が下部容積内に延在する、下部エンクロージャと;
プラテンの上面から延びる上部エンクロージャであって、上部エンクロージャおよびプラテンの上面がともに上部容積を画定し、上部容積と下部容積との間にプラテン開口部が延在し、さらに、上部エンクロージャが側壁開口部を画定する側壁を含み、側壁およびプラテンが、少なくとも10度および最大80度の交角を画定する、上部エンクロージャと;
プラテンの上面と動作可能に取り付けられ、プローブシャフトマウントとテストヘッドマウントとを含むマニピュレータであって、プローブシャフトマウントおよびテストヘッドマウントの両方を含む操作されるアセンブリを、プラテンに対して、2つの少なくとも実質的に垂直な並進軸に沿って、動作可能に並進させるように構成されている、マニピュレータと;
マニピュレータ近位端とマニピュレータ遠位端とを画定するプローブシャフトアームであって、プローブシャフトマウントから側壁開口部を通って延び、さらに、プローブシャフトアームのマニピュレータ遠位端がプローブマウントを画定する、プローブシャフトアームと;
プローブマウントに動作可能に取り付けられ、DUTと接触するように構成されたプローブチップを含むプローブアセンブリであって、プローブ電気接続部を含み、さらに、プローブアセンブリの少なくとも一部が、プローブチップとDUTとの間の接触を容易にするためにプラテン開口部を通って延在する、プローブアセンブリと;
テストヘッドマウントに動作可能に取り付けられ、テストヘッド電気接続部を画定するテストヘッドであって、テストヘッド電気接続部に試験信号を提供すること、およびテストヘッド電気接続部から結果として得られる信号を受信すること、の少なくとも1つを行うように構成された、テストヘッドと;
側壁開口部を通って、テストヘッド電気接続部とプローブ電気接続部との間に延在する、導電体と、を備える。
(i)単一のプラテン;および
(ii)複数の別個のプラテン構成要素を含むプラテンアセンブリ。
(i)チャックを選択的に冷却して、DUTの温度を選択的に調整すること;および
(ii)チャックを選択的に加熱して、DUTの温度を選択的に調整すること。
(i)プローブシステムを取り囲む周囲環境から下部容積を熱的に隔離するように構成された、熱シールドを含む;
(ii)周囲環境から下部容積を電磁的に隔離するように構成された、電磁シールドを含む;
(iii)周囲環境から下部容積を光学的に隔離するように構成された、光学シールドを含む;および
(iv)周囲環境から下部エンクロージャへの周囲ガスの流れに抵抗するように構成されている。
(i)導電性の下部エンクロージャ;および
(ii)電気的に接地された下部エンクロージャ。
(i)耐熱窓材;
(ii)熱膨張係数が低い窓材;
(iii)ガラス;および
(iv)ホウケイ酸ガラス。
(i)光学的に透明なコーティング;
(ii)電磁シールドコーティング;
(iii)導電性コーティング;および
(iv)酸化インジウムスズコーティング。
(i)不透明なカバー;
(ii)金属カバー;および
(iii)アルミニウムカバー。
(i)少なくとも15度、少なくとも20度、少なくとも25度、少なくとも30度、少なくとも35度、少なくとも40度、少なくとも45度、少なくとも50度、少なくとも55度、または少なくとも60度;
(ii)最大75度、最大70度、最大65度、最大60度、最大55度、最大50度、または最大45度;および
(iii)公称45度。
(i)手動マニピュレータ;および
(ii)電気制御マニピュレータ。
(i)直線、または少なくとも実質的に直線;
(ii)線形、または少なくとも実質的に線形;および
(iii)テストヘッド電気接続部とプローブ電気接続部との間の直線軌道に沿って延びる。
(i)側壁開口部を介した上部容積内への光の進入を制限すること;
(ii)側壁開口部を介した上部容積内への電磁放射線の進入を制限すること;
(iii)側壁開口部を介した上部容積内への周囲雰囲気の進入を制限すること;
(iv)側壁開口部を介した、上部容積と周囲環境との間の熱エネルギーの伝達を制限すること;および
(v)光を吸収すること。
(i)高分子可撓性シーリングアセンブリ;
(ii)金属製可撓性シーリングアセンブリ;
(iii)織物製可撓性シーリングアセンブリ;および
(iv)ベローズ構造。
Claims (20)
- プローブシステムであって、
上面、反対側の下面、および前記上面と前記下面との間に延びるプラテン開口部を画定する、プラテンと、
被試験デバイス(DUT)を含む基板を支持するように構成された支持面を画定する、チャックと、
前記プラテンの前記下面から延びる下部エンクロージャであって、前記下部エンクロージャおよび前記プラテンの下面がともに下部容積を画定し、さらに、前記チャックの前記支持面が前記下部容積内に延在する、下部エンクロージャと;
前記プラテンの前記上面から延びる上部エンクロージャであって、前記上部エンクロージャおよび前記プラテンの上面がともに上部容積を画定し、前記プラテン開口部が前記上部容積および前記下部容積の間に延び、さらに、前記上部エンクロージャが側壁開口部を画定する側壁を含み、前記側壁および前記プラテンが、少なくとも30度および最大60度の交角を画定する、上部エンクロージャと、
前記プラテンの前記上面と動作可能に取り付けられ、プローブシャフトマウントおよびテストヘッドマウントを含むマニピュレータであって、前記プローブシャフトマウントおよび前記テストヘッドマウントの両方を含み操作されるアセンブリを、前記プラテンに対して、2つの少なくとも実質的に垂直な並進軸に沿って、動作可能に並進させるように構成されている、マニピュレータと、
マニピュレータ近位端およびマニピュレータ遠位端を画定するプローブシャフトアームであって、前記プローブシャフトマウントから前記側壁開口部を通って延び、さらに、前記プローブシャフトアームの前記マニピュレータ遠位端がプローブマウントを画定する、プローブシャフトアームと、
前記プローブマウントに動作可能に取り付けられ、前記DUTと接触するように構成されたプローブチップを含むプローブアセンブリであって、プローブ電気接続部を含み、さらに、前記プローブアセンブリの少なくとも一部が、前記プローブチップおよび前記DUTの間の接触を容易にするために前記プラテン開口部を通って延在する、プローブアセンブリと、
前記テストヘッドマウントに動作可能に取り付けられ、テストヘッド電気接続部を画定するテストヘッドであって、前記テストヘッド電気接続部に試験信号を提供すること、および前記テストヘッド電気接続部から結果として得られる信号を受信すること、の少なくとも1つを行うように構成された、テストヘッドと、
前記側壁開口部を通って、前記テストヘッド電気接続部および前記プローブ電気接続部の間に延在する、導電体と、を備える、プローブシステム。 - 前記上部エンクロージャが複数の側壁を含む、請求項1に記載のプローブシステム。
- 前記複数の側壁のうち少なくとも2つの側壁が対応する側壁開口部を含み、さらに、前記プローブシステムが、前記少なくとも2つの側壁の各々に関連する、対応するマニピュレータ、対応するプローブシャフトアーム、対応するプローブアセンブリ、対応するテストヘッド、および対応する導電体を含む、請求項2に記載のプローブシステム。
- 前記複数の側壁が少なくとも部分的にピラミッド形状を画定する、請求項2または3に記載のプローブシステム。
- 前記上部エンクロージャは、前記プローブシステムのユーザが前記プローブアセンブリおよび前記DUTの少なくとも一方を観察できるように構成された観察窓をさらに含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載のプローブシステム。
- 前記観察窓が電磁シールド構造を含む、請求項5に記載のプローブシステム。
- 前記プローブシステムが前記観察窓のための光学カバーをさらに含む、請求項5または6に記載のプローブシステム。
- 前記上部エンクロージャが上壁をさらに含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載のプローブシステム。
- 前記上壁が上部開口部を含み、前記プローブシステムは、光学アセンブリが前記上部開口部を介して前記プローブアセンブリおよび前記DUTの少なくとも一方を観察できるように構成され、さらに、前記プローブシステムが前記光学アセンブリを含む、請求項8に記載のプローブシステム。
- 前記上部エンクロージャが、前記上壁と前記側壁との間の流体シールを形成するように構成されたシーリング構造をさらに含む、請求項8または9に記載のプローブシステム。
- 前記側壁と前記プラテンとの間の前記交角が、少なくとも40度および最大50度である、請求項1〜10のいずれか一項に記載のプローブシステム。
- 前記マニピュレータが、前記プローブシャフトマウントおよび前記テストヘッドマウントの両方を、3つの少なくとも実質的に直交する軸に沿って、動作可能に並進させるように構成されている、請求項1〜11のいずれか一項に記載のプローブシステム。
- 前記マニピュレータは、前記プローブシャフトマウントおよび前記テストヘッドマウントの並進動作中に、前記プローブシャフトアーム、前記プローブアセンブリ、前記テストヘッド、および前記導電体の間の、少なくとも実質的に固定された相対的な向きを維持するように構成されている、請求項1〜12のいずれか一項に記載のプローブシステム。
- 前記プローブシャフトアームが、少なくとも部分的に前記上部容積の外部に、および少なくとも部分的に前記上部容積の内部に延在する、請求項1〜13のいずれか一項に記載のプローブシステム。
- (i)前記プローブアセンブリが、少なくとも50ギガヘルツ(GHz)の周波数で、前記試験信号および前記結果として得られる信号の少なくとも一方を含む電気信号を伝達するように構成され、
(ii)前記テストヘッドが、少なくとも50GHzの1つの信号周波数で、前記試験信号を生成すること、および前記結果として得られる信号を受信すること、の少なくとも一方を行うように構成され、
(iii)前記導電体が、少なくとも50GHzの周波数で前記電気信号を伝達するように構成された高周波導電体である、請求項1〜14のいずれか一項に記載のプローブシステム。 - 前記プローブアセンブリが、前記上部容積および前記下部容積の両方の内部に少なくとも部分的に延在する、請求項1〜15のいずれか一項に記載のプローブシステム。
- 前記テストヘッドが前記上部容積および前記下部容積の両方の外部にある、請求項1〜16のいずれか一項に記載のプローブシステム。
- 前記導電体が、15センチメートルの最大長さを有する、請求項1〜17のいずれか一項に記載のプローブシステム。
- 前記導電体が、前記テストヘッド電気接続部と前記プローブ電気接続部との間の直線軌道に沿って延在する、請求項1〜18のいずれか一項に記載のプローブシステム。
- 前記プローブシステムは、前記マニピュレータと前記上部エンクロージャとの間に延在する可撓性シーリングアセンブリをさらに含み、前記可撓性シーリングアセンブリが、シーリングアセンブリ容積を少なくとも部分的に画定し、前記プローブシャフトアームおよび前記導電体の両方が、前記シーリングアセンブリ容積内に少なくとも部分的に延在する、請求項1〜19のいずれか一項に記載のプローブシステム。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201762566641P | 2017-10-02 | 2017-10-02 | |
US62/566,641 | 2017-10-02 | ||
US16/143,856 US10698002B2 (en) | 2017-10-02 | 2018-09-27 | Probe systems for testing a device under test |
US16/143,856 | 2018-09-27 | ||
PCT/US2018/053331 WO2019070518A1 (en) | 2017-10-02 | 2018-09-28 | PROBE SYSTEMS FOR TESTING A DEVICE AT TESTING |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020536242A JP2020536242A (ja) | 2020-12-10 |
JP6926330B2 true JP6926330B2 (ja) | 2021-08-25 |
Family
ID=65896007
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020518767A Active JP6926330B2 (ja) | 2017-10-02 | 2018-09-28 | 被試験デバイスを試験するためのプローブシステム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10698002B2 (ja) |
JP (1) | JP6926330B2 (ja) |
DE (1) | DE112018004391T5 (ja) |
TW (1) | TWI666455B (ja) |
WO (1) | WO2019070518A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11204383B2 (en) * | 2019-09-30 | 2021-12-21 | Formfactor, Inc. | Methods for maintaining gap spacing between an optical probe of a probe system and an optical device of a device under test, and probe systems that perform the methods |
US11874301B2 (en) * | 2019-11-06 | 2024-01-16 | Formfactor, Inc. | Probe systems including imaging devices with objective lens isolators, and related methods |
US11378619B2 (en) * | 2019-12-18 | 2022-07-05 | Formfactor, Inc. | Double-sided probe systems with thermal control systems and related methods |
US11598789B2 (en) | 2021-01-27 | 2023-03-07 | Formfactor, Inc. | Probe systems configured to test a device under test and methods of operating the probe systems |
CN113125811B (zh) * | 2021-03-05 | 2024-03-26 | 深圳市福浪电子有限公司 | 一种晶振测试装置 |
TWI814491B (zh) * | 2022-07-18 | 2023-09-01 | 財團法人國家實驗研究院 | 檢測裝置之可拆卸保護結構 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3710251A (en) | 1971-04-07 | 1973-01-09 | Collins Radio Co | Microelectric heat exchanger pedestal |
US4115736A (en) | 1977-03-09 | 1978-09-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Probe station |
US4856904A (en) | 1985-01-21 | 1989-08-15 | Nikon Corporation | Wafer inspecting apparatus |
US5077523A (en) | 1989-11-03 | 1991-12-31 | John H. Blanz Company, Inc. | Cryogenic probe station having movable chuck accomodating variable thickness probe cards |
US5266889A (en) | 1992-05-29 | 1993-11-30 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station with integrated environment control enclosure |
US6313649B2 (en) | 1992-06-11 | 2001-11-06 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having environment control enclosure |
US6380751B2 (en) | 1992-06-11 | 2002-04-30 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having environment control enclosure |
US5345170A (en) | 1992-06-11 | 1994-09-06 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having integrated guarding, Kelvin connection and shielding systems |
US6700397B2 (en) | 2000-07-13 | 2004-03-02 | The Micromanipulator Company, Inc. | Triaxial probe assembly |
US7589512B2 (en) * | 2006-06-12 | 2009-09-15 | Yazaki Corporation | Load control device |
DE102008047337B4 (de) * | 2008-09-15 | 2010-11-25 | Suss Microtec Test Systems Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Prüfung eines Testsubstrats in einem Prober unter definierten thermischen Bedingungen |
JP5970218B2 (ja) * | 2012-03-26 | 2016-08-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブ装置 |
TWM438631U (en) * | 2012-03-30 | 2012-10-01 | Mpi Corp | Probe, probe and probe seat assembly, and edge finder using the same |
TWM453850U (zh) * | 2012-08-22 | 2013-05-21 | Mpi Corp | 探針、探針與針座之總成以及使用該總成之尋邊器 |
TWM472849U (zh) * | 2013-10-03 | 2014-02-21 | Chips Best Technology Co Ltd | 晶片自動檢測系統 |
TWI525325B (zh) * | 2014-04-24 | 2016-03-11 | Elastic probe and its manufacturing method | |
US10060950B2 (en) | 2016-01-15 | 2018-08-28 | Formfactor Beaverton, Inc. | Shielded probe systems |
CN205373641U (zh) * | 2016-03-07 | 2016-07-06 | 安徽电气工程职业技术学院 | 三维微纳米触发式探头 |
US9784763B1 (en) * | 2016-04-08 | 2017-10-10 | Cascade Microtech, Inc. | Shielded probe systems with controlled testing environments |
CN106405167B (zh) * | 2016-08-23 | 2018-11-02 | 南安市弈诚机械科技有限公司 | 一种用于测试集成电路的探针卡 |
-
2018
- 2018-09-27 US US16/143,856 patent/US10698002B2/en active Active
- 2018-09-28 WO PCT/US2018/053331 patent/WO2019070518A1/en active Application Filing
- 2018-09-28 DE DE112018004391.6T patent/DE112018004391T5/de active Pending
- 2018-09-28 JP JP2020518767A patent/JP6926330B2/ja active Active
- 2018-10-01 TW TW107134696A patent/TWI666455B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10698002B2 (en) | 2020-06-30 |
DE112018004391T5 (de) | 2020-05-14 |
US20190101567A1 (en) | 2019-04-04 |
WO2019070518A1 (en) | 2019-04-11 |
TWI666455B (zh) | 2019-07-21 |
JP2020536242A (ja) | 2020-12-10 |
TW201923360A (zh) | 2019-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6926330B2 (ja) | 被試験デバイスを試験するためのプローブシステム | |
US10281492B2 (en) | Shielded probe systems with controlled testing environments | |
US10060950B2 (en) | Shielded probe systems | |
US10062597B2 (en) | High voltage chuck for a probe station | |
CN101300495B (zh) | 导电性触头支架的制造方法及导电性触头支架 | |
US20190041454A1 (en) | Inspection system | |
JP2011220924A (ja) | 試験装置および接続装置 | |
EP2159580A1 (en) | Probe tip | |
US7579854B2 (en) | Probe station and method for measurements of semiconductor devices under defined atmosphere | |
JP2012503304A (ja) | 定義された熱条件の下で試験器内の試験物質を検査する方法 | |
EP3734305A1 (en) | Cryogenic wafer prober with movable thermal radiation shield | |
US11598789B2 (en) | Probe systems configured to test a device under test and methods of operating the probe systems | |
US11262400B2 (en) | Shielding for probing system | |
US10637179B1 (en) | Hermetic RF connection for on-wafer operation | |
US11125777B1 (en) | Shielded RF and thermal connection for on-wafer load pull | |
WO2022132331A1 (en) | Rf functional probe | |
US11639957B2 (en) | Planar ring radiation barrier for cryogenic wafer test system | |
CN112563102A (zh) | 试样保持架和带电粒子束装置 | |
US11598790B1 (en) | Hermetic load and source pull wafer probe station | |
RU2514083C2 (ru) | Сканирующий зондовый микроскоп, совмещенный с космическим аппаратом | |
CN116908504A (zh) | 测试用电磁屏蔽装置及半导体测试设备 | |
KR20160146043A (ko) | 프로빙 챔버 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200430 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200430 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210615 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20210709 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210804 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6926330 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |