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JP6924588B2 - Manufacturing method of liquid crystal display device and liquid crystal table device - Google Patents

Manufacturing method of liquid crystal display device and liquid crystal table device Download PDF

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JP6924588B2 JP2017036779A JP2017036779A JP6924588B2 JP 6924588 B2 JP6924588 B2 JP 6924588B2 JP 2017036779 A JP2017036779 A JP 2017036779A JP 2017036779 A JP2017036779 A JP 2017036779A JP 6924588 B2 JP6924588 B2 JP 6924588B2
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Description

本発明は、液晶表示装置及び液晶表装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device and a liquid crystal surface device.

液晶パネルの表示方式として、ガラス基板に形成された電極に電圧を印加して基板面と水平な方向の電界を形成することにより表示を制御するIPS(In−Plane Switching)方式が知られている。IPS方式では、液晶パネルの視野角方向によらず見かけの液晶分子の長さ(屈折率楕円体)がほぼ一定となるため視野角特性に優れる。 As a display method for a liquid crystal panel, an IPS (In-Plane Switching) method is known in which a voltage is applied to an electrode formed on a glass substrate to form an electric field in a direction horizontal to the substrate surface to control the display. .. In the IPS system, the apparent length of the liquid crystal molecules (refractive index ellipsoid) is almost constant regardless of the viewing angle direction of the liquid crystal panel, so that the viewing angle characteristics are excellent.

液晶パネルでは、電界が印加されていない状態において液晶分子が所定の方向に沿って配向されるように、液晶分子の配向方向が強制されている。IPS方式の液晶パネルにおいて液晶分子の配向方向を強制するための方法としては、ラビング法、光配向法等が知られている。ラビング法は、基板上にポリイミド等からなる配向膜を形成し、その配向膜の表面を布で擦るものである。光配向法は、ポリイミド膜等からなる配向膜の表面に対して直線偏光の紫外線を照射することにより、配向膜の表面に異方性を持たせるものである。従来のIPS方式の液晶パネルにおいては、液晶組成物を挟持する一対の基板の内側のそれぞれに配向膜が形成される(特許文献1)。 In the liquid crystal panel, the orientation direction of the liquid crystal molecules is forced so that the liquid crystal molecules are oriented along a predetermined direction in a state where no electric field is applied. A rubbing method, a photo-alignment method, and the like are known as methods for forcing the orientation direction of liquid crystal molecules in an IPS liquid crystal panel. In the rubbing method, an alignment film made of polyimide or the like is formed on a substrate, and the surface of the alignment film is rubbed with a cloth. In the photo-alignment method, the surface of an alignment film made of a polyimide film or the like is irradiated with linearly polarized ultraviolet rays to give anisotropy to the surface of the alignment film. In a conventional IPS liquid crystal panel, an alignment film is formed on each of the insides of a pair of substrates that sandwich the liquid crystal composition (Patent Document 1).

しかしながら、特許文献1に記載されるような従来のIPS方式の液晶パネルでは、液晶層を挟持する一対の基板にそれぞれ形成された配向膜の配向方向に微妙なずれが生じることがある。配向膜の配向方向のずれは、例えば、ラビング処理の際のずれや、両基板の貼り合わせの際のずれに起因する。このような配向方向のずれが存在すると、電圧オフ時にも液晶層の液晶分子に微小なツイストが生じる。電源オフ時の液晶分子の微小なツイストは、黒表示での光漏れの原因となり、コントラスト比の低下を招く。また、従来のIPS方式の液晶パネルでは、基板面と水平な方向の横電界を形成するための櫛歯電極上には、電圧オン時に基板面に垂直な方向の縦電界が形成される。このため、液晶分子が横方向に十分にツイストせず、その結果、櫛歯電極上での光の透過が困難となり、液晶パネルの光透過率が低下することになる。すなわち、液晶パネルの開口率が低下することになる。 However, in the conventional IPS type liquid crystal panel as described in Patent Document 1, a slight deviation may occur in the orientation direction of the alignment films formed on the pair of substrates sandwiching the liquid crystal layer. The deviation of the alignment film in the orientation direction is caused by, for example, a deviation during the rubbing treatment or a deviation during bonding of both substrates. If such a deviation in the orientation direction exists, a minute twist is generated in the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer even when the voltage is turned off. The minute twist of the liquid crystal molecules when the power is turned off causes light leakage in the black display and causes a decrease in the contrast ratio. Further, in the conventional IPS type liquid crystal panel, a longitudinal electric field in a direction perpendicular to the substrate surface is formed on the comb tooth electrode for forming a transverse electric field in the direction horizontal to the substrate surface when the voltage is turned on. Therefore, the liquid crystal molecules are not sufficiently twisted in the lateral direction, and as a result, it becomes difficult for light to be transmitted on the comb tooth electrode, and the light transmittance of the liquid crystal panel is lowered. That is, the aperture ratio of the liquid crystal panel is reduced.

そこで、特許文献2には、対向配置された一方の基板に弱アンカリング配向膜が形成され、他方の基板に強アンカリング配向膜が形成された液晶パネルが提案されている。特許文献2に記載された液晶パネルにおいて、弱アンカリング配向膜は、電界を印加したときの液晶分子の配向方向を拘束する拘束力が、強アンカリング配向膜よりも小さくなっている。このような構成により、特許文献2に記載された液晶パネルでは、光透過率の高い表示が実現されている。 Therefore, Patent Document 2 proposes a liquid crystal panel in which a weak anchoring alignment film is formed on one of the opposed substrates and a strong anchoring alignment film is formed on the other substrate. In the liquid crystal panel described in Patent Document 2, the weak anchoring alignment film has a smaller binding force that constrains the orientation direction of the liquid crystal molecules when an electric field is applied than the strong anchoring alignment film. With such a configuration, the liquid crystal panel described in Patent Document 2 realizes a display having high light transmittance.

特許第2940354号公報Japanese Patent No. 2940354 特開2016−170389号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-170389

しかしながら、特許文献2に記載された液晶パネルでは、対向配置された一方の基板に形成された弱アンカリング配向膜の全域でアンカリングエネルギーが小さくなっているため、電圧オフ時の復元力が弱くなっている。このため、電圧オフ時の応答性が低下し、電圧オフ時の応答時間(ターンオフ時間)τoffが長くなる。 However, in the liquid crystal panel described in Patent Document 2, since the anchoring energy is small in the entire area of the weak anchoring alignment film formed on one of the substrates arranged to face each other, the restoring force at the time of voltage off is weak. It has become. Therefore, the responsiveness at the time of voltage off is lowered, and the response time (turn-off time) τ off at the time of voltage off becomes long.

本発明は、光透過率及びコントラスト比を向上しつつ、電圧オフ時の応答性を改善することができる液晶表示装置を提供することを目的とする。また、本発明は、そのような液晶表示装置を工程の複雑化を伴うことなく容易に製造することができる液晶表示装置の製造方法を提供することをも目的とする。 An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of improving the responsiveness at the time of voltage off while improving the light transmittance and the contrast ratio. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a liquid crystal display device, which can easily manufacture such a liquid crystal display device without complicating the process.

本発明の一観点によれば、第1の基板と、前記第1の基板に対向する第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板とに挟まれた液晶層と、前記第1の基板の前記液晶層側の面上に形成され、前記第1の基板と水平な面内に電界を形成可能に構成された複数の電極と、前記複数の電極のうちの一部の直上に形成された第1の配向膜と、前記複数の電極の間の前記第1の基板上、及び前記複数の電極のうちの残部の上に形成された第2の配向膜と、前記第2の基板の前記液晶層側に形成された第3の配向膜とを有し、前記第1の配向膜のアンカリングエネルギーが、前記第2及び第3の配向膜のアンカリングエネルギーよりも小さいことを特徴とする液晶表示装置が提供される。 According to one aspect of the present invention, the first substrate, the second substrate facing the first substrate, the liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate, and the above. A plurality of electrodes formed on the surface of the first substrate on the liquid crystal layer side and configured to be able to form an electric field in a plane horizontal to the first substrate, and a part of the plurality of electrodes. A first alignment film formed directly above, a second alignment film formed on the first substrate between the plurality of electrodes, and on the rest of the plurality of electrodes, and the first alignment film. It has a third alignment film formed on the liquid crystal layer side of the second substrate, and the anchoring energy of the first alignment film is smaller than the anchoring energy of the second and third alignment films. A liquid crystal display device characterized by this is provided.

本発明の他の観点によれば、第1の基板と;前記第1の基板に対向する第2の基板と;前記第1の基板と前記第2の基板とに挟まれた液晶層と;前記第1の基板の前記液晶層側の面上に形成され、前記第1の基板と水平な面内に電界を形成可能に構成された複数の電極と;前記複数の電極のうちの一部の直上に形成された第1の配向膜と;前記複数の電極の間の前記第1の基板上、及び前記複数の電極のうちの残部の上に形成された第2の配向膜と;前記第2の基板の前記液晶層側に形成された第3の配向膜とを有し、前記第1の配向膜のアンカリングエネルギーが、前記第2及び第3の配向膜のアンカリングエネルギーよりも小さい液晶表示装置の製造方法であって、前記第1の基板の前記液晶層側となる面上に、導電膜を形成する工程と、前記導電膜上にフォトレジスト膜を形成する工程と、互いに露光光の透過率が異なる第1のパターン及び第2のパターンを含む前記複数の電極のパターンを有するマスクを用い、前記第1のパターン及び前記第2のパターンを前記フォトレジスト膜に露光する工程と、前記フォトレジスト膜を現像することにより、前記導電膜上に、前記第1のパターンを有する第1のフォトレジスト膜及び前記第2のパターンを有する第2のフォトレジスト膜を形成する工程と、前記第1のフォトレジスト膜及び前記第2のフォトレジスト膜をマスクとして前記導電膜をエッチングすることにより、前記導電膜からなる前記複数の電極を形成する工程と、前記第1のフォトレジスト膜を残存させつつ、前記第2のフォトレジスト膜を除去することにより、前記複数の電極のうちの一部の直上に、前記第1のフォトレジスト膜からなる前記第1の配向膜を形成する工程と、前記複数の電極の間の前記第1の基板上、及び前記複数の電極のうちの残部の上に前記第2の配向膜を形成する工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法が提供される。 According to another aspect of the present invention, the first substrate; the second substrate facing the first substrate; and the liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate; A plurality of electrodes formed on the surface of the first substrate on the liquid crystal layer side and configured to be able to form an electric field in a plane horizontal to the first substrate; a part of the plurality of electrodes. With a first alignment film formed directly above; a second alignment film formed on the first substrate between the plurality of electrodes and on the rest of the plurality of electrodes; It has a third alignment film formed on the liquid crystal layer side of the second substrate, and the anchoring energy of the first alignment film is higher than the anchoring energy of the second and third alignment films. A method for manufacturing a small liquid crystal display device, wherein a conductive film is formed on a surface of the first substrate on the liquid crystal layer side, and a photoresist film is formed on the conductive film. A step of exposing the first pattern and the second pattern to the photoresist film using a mask having the patterns of the plurality of electrodes including the first pattern and the second pattern having different transmission light transmission rates. By developing the photoresist film, a first photoresist film having the first pattern and a second photoresist film having the second pattern are formed on the conductive film. The step of forming the plurality of electrodes made of the conductive film by etching the conductive film using the first photoresist film and the second photoresist film as masks, and the first photoresist film. The step of forming the first alignment film made of the first photoresist film directly above a part of the plurality of electrodes by removing the second photoresist film while leaving the above. A liquid crystal display device comprising the step of forming the second alignment film on the first substrate between the plurality of electrodes and on the rest of the plurality of electrodes. A manufacturing method is provided.

本発明によれば、液晶表示装置において、光透過率及びコントラスト比を向上しつつ、電圧オフ時の応答性を改善することができる。また、本発明によれば、光透過率及びコントラスト比を向上しつつ、電圧オフ時の応答性を改善することができる液晶表示装置を工程の複雑化を伴うことなく容易に製造することができる。 According to the present invention, in a liquid crystal display device, it is possible to improve the responsiveness at the time of voltage off while improving the light transmittance and the contrast ratio. Further, according to the present invention, it is possible to easily manufacture a liquid crystal display device capable of improving the responsiveness at the time of voltage off while improving the light transmittance and the contrast ratio without complicating the process. ..

図1は、本発明の一実施形態による誘電率異方性が正(ポジ型)の液晶を用いた場合の液晶表示装置の構造を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a liquid crystal display device when a liquid crystal having a positive dielectric anisotropy according to an embodiment of the present invention is used. 図2は、本発明の一実施形態による誘電率異方性が正(ポジ型)の液晶を用いた場合の液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図(その1)である。FIG. 2 is a process cross-sectional view (No. 1) showing a method of manufacturing a liquid crystal display device when a liquid crystal having a positive dielectric anisotropy (positive type) according to an embodiment of the present invention is used. 図3は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図(その2)である。FIG. 3 is a process cross-sectional view (No. 2) showing a method of manufacturing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. 図4は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図(その3)である。FIG. 4 is a process cross-sectional view (No. 3) showing a method of manufacturing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. 図5は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図(その4)である。FIG. 5 is a process cross-sectional view (No. 4) showing a method of manufacturing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. 図6は、本発明の一実施形態の変形例による液晶表示装置の構造を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing the structure of a liquid crystal display device according to a modified example of the embodiment of the present invention. 図7は、実施例及び比較例による誘電率異方性が正(ポジ型)の液晶を用いた場合の液晶表示装置のセル構成を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a cell configuration of a liquid crystal display device when a liquid crystal having a positive dielectric anisotropy (positive type) is used according to Examples and Comparative Examples. 図8は、本発明の実施例及び比較例による液晶表示装置について駆動電圧と液晶パネルの光透過率との関係を示す駆動電圧−光透過率曲線を測定した結果を示すグラフである。FIG. 8 is a graph showing the results of measuring a drive voltage-light transmittance curve showing the relationship between the drive voltage and the light transmittance of the liquid crystal panel for the liquid crystal display device according to the examples and comparative examples of the present invention.

[一実施形態]
本発明の一実施形態による液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法について図1乃至図5を用いて説明する。
[One Embodiment]
A liquid crystal display device and a method for manufacturing the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 5.

まず、本実施形態による液晶表示装置の構造について図1を用いて説明する。図1は、本実施形態による液晶表示装置の構造を示す断面図である。なお、図1は、ポジ型の液晶材料を用いて液晶層を構成した場合を例示している。 First, the structure of the liquid crystal display device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a liquid crystal display device according to the present embodiment. Note that FIG. 1 illustrates a case where a liquid crystal layer is formed by using a positive liquid crystal material.

本実施形態による液晶表示装置は、IPS方式の液晶パネルを有し、基板面と水平な方向の電界を形成することにより表示を制御するものである。図1に示すように、本実施形態による液晶表示装置10は、IPS方式の液晶パネル12と、バックライトユニット14とを有している。液晶パネル12は、画素を含む表示領域16と、パッド領域18とを含んでいる。 The liquid crystal display device according to the present embodiment has an IPS type liquid crystal panel, and controls the display by forming an electric field in a direction horizontal to the substrate surface. As shown in FIG. 1, the liquid crystal display device 10 according to the present embodiment includes an IPS type liquid crystal panel 12 and a backlight unit 14. The liquid crystal panel 12 includes a display area 16 including pixels and a pad area 18.

液晶パネル12は、対向するように配置された一対の基板20、22を有している。基板20、22は、表示領域16において液晶層24を挟むように対向して配置されている。基板20、22は、表示領域16の周縁部に配されたシール材26により所定の間隔を空けて互いに貼り合わされている。シール材26により基板20、22の間に液晶層24を構成する液晶が封止されている。基板20、22は、それぞれ透光性を有する基板であれば特にその材料が限定されるものではないが、例えばガラス基板である。また、液晶層24を構成する液晶材料としては、例えば、誘電率異方性が正のネマティック液晶材料を用いることができ、また、誘電率異方性が負のネマティック液晶材料を用いることもできる。なお、図1では、後述の線状電極28に対する電圧オフ時の液晶層24における液晶分子242を模式的に示している。 The liquid crystal panel 12 has a pair of substrates 20 and 22 arranged so as to face each other. The substrates 20 and 22 are arranged so as to face each other so as to sandwich the liquid crystal layer 24 in the display area 16. The substrates 20 and 22 are bonded to each other at predetermined intervals by a sealing material 26 arranged on the peripheral edge of the display area 16. The liquid crystal forming the liquid crystal layer 24 is sealed between the substrates 20 and 22 by the sealing material 26. The materials of the substrates 20 and 22 are not particularly limited as long as they are translucent substrates, but they are, for example, glass substrates. Further, as the liquid crystal material constituting the liquid crystal layer 24, for example, a nematic liquid crystal material having a positive dielectric anisotropy can be used, or a nematic liquid crystal material having a negative dielectric anisotropy can also be used. .. Note that FIG. 1 schematically shows liquid crystal molecules 242 in the liquid crystal layer 24 when the voltage with respect to the linear electrode 28 described later is off.

例えば、基板20は、画素をスイッチングするための薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、TFT)、ゲートライン、ソースライン等が形成されたTFT基板になっている。基板22は、カラーフィルタ(Color Filter、CF)が形成されたCF基板になっている。 For example, the substrate 20 is a TFT substrate on which a thin film transistor (TFT) for switching pixels, a gate line, a source line, and the like are formed. The substrate 22 is a CF substrate on which a color filter (Color Filter, CF) is formed.

表示領域16において、基板20、22のうち、バックライトユニット14側の基板20の液晶層24側の面上には、複数の線状電極28が形成されている。複数の線状電極28は、互いに所定の間隔を空けて平行に配置されており、櫛歯電極を構成している。より具体的には、複数の線状電極28は、櫛歯状の画素電極及び櫛歯状の共通電極を構成している。図1は、線状電極28の長手方向に直交する断面を示している。複数の線状電極28は、基板20の基板面と水平な方向の電界を形成可能、すなわち基板20と水平な面内に電界を形成可能に構成されている。 In the display area 16, among the substrates 20 and 22, a plurality of linear electrodes 28 are formed on the surface of the substrate 20 on the backlight unit 14 side on the liquid crystal layer 24 side. The plurality of linear electrodes 28 are arranged in parallel with a predetermined distance from each other to form a comb tooth electrode. More specifically, the plurality of linear electrodes 28 constitute a comb-shaped pixel electrode and a comb-shaped common electrode. FIG. 1 shows a cross section orthogonal to the longitudinal direction of the linear electrode 28. The plurality of linear electrodes 28 are configured to be capable of forming an electric field in a direction horizontal to the substrate surface of the substrate 20, that is, to form an electric field in a plane horizontal to the substrate 20.

線状電極28は、例えば88%の高い光透過率Tを有するITO(Indium Tin Oxide)からなる透明電極である。なお、線状電極28の主材料は、ITOに限定されるものではない。線状電極28は、透明導電膜又は高い光透過率を有する導電膜であることが望ましい。線状電極28の主材料としては、ITOの代わりに、例えば、IZO(Indium Zinc Oxide、T=85%)、AZO(Aluminum doped Zinc Oxide、T=92%)を用いることができる。また、GZO(Gallium doped Zinc Oxide、T=92%)、ATO(Antimony Tin Oxide、T=87%)等を用いることもできる。 The linear electrode 28 is, for example, a transparent electrode made of ITO (Indium Tin Oxide) having a high light transmittance T of 88%. The main material of the linear electrode 28 is not limited to ITO. The linear electrode 28 is preferably a transparent conductive film or a conductive film having a high light transmittance. As the main material of the linear electrode 28, for example, IZO (Indium Zinc Oxide, T = 85%) or AZO (Aluminum Doped Zinc Oxide, T = 92%) can be used instead of ITO. Further, GZO (Gallium Doped Zinc Oxide, T = 92%), ATO (Antimony Tin Oxide, T = 87%) and the like can also be used.

液晶表示装置10の制御部(図示せず)は、基板20の線状電極28に電圧を印加して基板20の基板面と水平な方向の電界を形成して液晶層24の液晶分子を回転させることにより、液晶パネル12の表示を制御する。 The control unit (not shown) of the liquid crystal display device 10 applies a voltage to the linear electrodes 28 of the substrate 20 to form an electric field in a direction horizontal to the substrate surface of the substrate 20 to rotate the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 24. By doing so, the display of the liquid crystal panel 12 is controlled.

一方、パッド領域18において、基板20上には、複数の線状電極28と同層に、複数の電極パッド30が形成されている。複数の電極パッド30は、表示領域16における線状電極28と同一材料で形成されている。複数の電極パッド30は、表示領域16における基板20に形成された図示しないゲートライン、ソースライン等に接続されている。複数の電極パッド30には、COF(Chip On Film)、TAB(Tape Automated Bonding)、COG(Chip On Glass)等の実装技術により、図示しないドライバIC(Integrated Circuit)が接続される。 On the other hand, in the pad region 18, a plurality of electrode pads 30 are formed on the substrate 20 in the same layer as the plurality of linear electrodes 28. The plurality of electrode pads 30 are made of the same material as the linear electrodes 28 in the display region 16. The plurality of electrode pads 30 are connected to a gate line, a source line, etc. (not shown) formed on the substrate 20 in the display area 16. A driver IC (Integrated Circuit) (not shown) is connected to the plurality of electrode pads 30 by mounting technology such as COF (Chip On Film), TAB (Tape Automated Bonding), and COG (Chip On Glass).

液晶パネル12には、基板20、22を挟み込むように、偏光板32、34が外側のそれぞれの面に設けられている。偏光板32、34の偏光軸の向きは、線状電極28に電圧が印加されたときにバックライトユニット14から照明される光が通過するように設定されている。例えば、偏光板32、34の偏光軸の向きは互いに直交している。なお、偏光板32、34の偏光軸の向きは、線状電極28に電圧が印加されたときにバックライトユニット14から照明される光が遮断されるように設定されていてもよい。 Polarizing plates 32 and 34 are provided on the outer surfaces of the liquid crystal panel 12 so as to sandwich the substrates 20 and 22. The orientation of the polarization axes of the polarizing plates 32 and 34 is set so that the light illuminated from the backlight unit 14 passes when a voltage is applied to the linear electrodes 28. For example, the directions of the polarization axes of the polarizing plates 32 and 34 are orthogonal to each other. The orientation of the polarization axes of the polarizing plates 32 and 34 may be set so that the light illuminated by the backlight unit 14 is blocked when a voltage is applied to the linear electrodes 28.

基板22の液晶層24側の面には、液晶層24の全面にわたって、配向膜として、強アンカリング膜36が形成されている。強アンカリング膜36は、例えば、ラビング法による配向処理が行われたポリイミド膜からなるものである。強アンカリング膜36は、後述の基板20側の強アンカリング膜40とともに、線状電極28に対する電圧オフ時の液晶層24の液晶分子の配向を揃える。電圧オフ時の液晶層24の液晶分子の配向方向は、例えば、線状電極28の長手方向に沿った方向又は線状電極28の長手方向に対して所定の角度をなす方向である。 A strong anchoring film 36 is formed as an alignment film on the surface of the substrate 22 on the liquid crystal layer 24 side over the entire surface of the liquid crystal layer 24. The strong anchoring film 36 is made of, for example, a polyimide film that has been oriented by a rubbing method. The strong anchoring film 36 aligns the orientation of the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 24 with respect to the linear electrode 28 when the voltage is off, together with the strong anchoring film 40 on the substrate 20 side described later. The orientation direction of the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 24 when the voltage is off is, for example, a direction along the longitudinal direction of the linear electrode 28 or a direction forming a predetermined angle with respect to the longitudinal direction of the linear electrode 28.

一方、基板20と液晶層24との間において、基板20上に形成された複数の線状電極28のうちの一部の上には、配向膜として、弱アンカリング膜38が形成されている。弱アンカリング膜38は、複数の線状電極28のうちの一部の直上に形成されている。弱アンカリング膜38は、基板22側の強アンカリング膜36及び以下に述べる強アンカリング膜40よりもアンカリングエネルギーが小さい配向膜である。なお、強アンカリング膜36、40、弱アンカリング膜38にいうアンカリングは方位角方向のアンカリングに関するものであり、アンカリングエネルギーの大小関係は方位角方向のアンカリングエネルギーに関する大小関係である。弱アンカリング膜38は、互いに平行に配置された複数の線状電極28のうちの例えば1本おきの線状電極28の直上に形成されている。弱アンカリング膜38は、樹脂膜からなるものあり、より具体的には、後述するように線状電極28をパターニングするエッチングの際のマスクとして用いられたフォトレジスト膜52aからなるものである。 On the other hand, between the substrate 20 and the liquid crystal layer 24, a weak anchoring film 38 is formed as an alignment film on a part of the plurality of linear electrodes 28 formed on the substrate 20. .. The weak anchoring film 38 is formed directly above a part of the plurality of linear electrodes 28. The weak anchoring film 38 is an alignment film having an anchoring energy smaller than that of the strong anchoring film 36 on the substrate 22 side and the strong anchoring film 40 described below. The anchoring referred to in the strong anchoring films 36 and 40 and the weak anchoring film 38 is related to anchoring in the azimuth direction, and the magnitude relationship of the anchoring energy is the magnitude relationship related to the anchoring energy in the azimuth direction. .. The weak anchoring film 38 is formed directly above, for example, every other linear electrode 28 among the plurality of linear electrodes 28 arranged in parallel with each other. The weak anchoring film 38 is made of a resin film, and more specifically, it is made of a photoresist film 52a used as a mask during etching for patterning the linear electrode 28 as described later.

なお、線状電極28と同層に形成されたパッド領域18における複数の電極パッド30のいずれの上にも、弱アンカリング膜38は形成されていない。複数の電極パッド30のそれぞれの表面は露出している。 The weak anchoring film 38 is not formed on any of the plurality of electrode pads 30 in the pad region 18 formed in the same layer as the linear electrode 28. The surface of each of the plurality of electrode pads 30 is exposed.

弱アンカリング膜38が上に形成された線状電極28の間の基板20上には、配向膜として、強アンカリング膜40が形成されている。また、弱アンカリング膜38が上に形成された線状電極28以外の線状電極28上、すなわち複数の線状電極28のうちの残部の上にも、強アンカリング膜40が形成されている。強アンカリング膜40のアンカリングエネルギーは、例えば、強アンカリング膜36のアンカリングエネルギーと同程度となっている。強アンカリング膜40は、例えば、光配向法による配向処理が行われたポリイミド膜である。 A strong anchoring film 40 is formed as an alignment film on the substrate 20 between the linear electrodes 28 on which the weak anchoring film 38 is formed. Further, a strong anchoring film 40 is also formed on the linear electrodes 28 other than the linear electrodes 28 on which the weak anchoring film 38 is formed, that is, on the rest of the plurality of linear electrodes 28. There is. The anchoring energy of the strong anchoring film 40 is, for example, about the same as the anchoring energy of the strong anchoring film 36. The strong anchoring film 40 is, for example, a polyimide film that has been subjected to an orientation treatment by a photoalignment method.

上述のように、基板22側では、配向膜として強アンカリング膜36が形成されている。一方、基板20側では、複数の線状電極28のうちの一部の直上に配向膜として弱アンカリング膜38が形成されている。また、基板20側では、複数の線状電極28のうちの残部の上、すなわち弱アンカリング膜38が直上に形成された線状電極28以外の線状電極28の上及び基板20上に配向膜として強アンカリング膜40が形成されている。 As described above, the strong anchoring film 36 is formed as the alignment film on the substrate 22 side. On the other hand, on the substrate 20 side, a weak anchoring film 38 is formed as an alignment film directly above a part of the plurality of linear electrodes 28. Further, on the substrate 20 side, the orientation is on the rest of the plurality of linear electrodes 28, that is, on the linear electrodes 28 other than the linear electrodes 28 on which the weak anchoring film 38 is formed and on the substrate 20. A strong anchoring film 40 is formed as a film.

弱アンカリング膜38のアンカリングエネルギーは、強アンカリング膜36、40のアンカリングエネルギーよりも小さく、好ましくは10−6J/m以下である。強アンカリング膜36、40のアンカリングエネルギーは、弱アンカリング膜38のアンカリングエネルギーよりも大きく、好ましくは10−4J/m以上である。 The anchoring energy of the weak anchoring film 38 is smaller than the anchoring energy of the strong anchoring films 36 and 40, preferably 10-6 J / m 2 or less. The anchoring energy of the strong anchoring films 36 and 40 is larger than the anchoring energy of the weak anchoring films 38, preferably 10 -4 J / m 2 or more.

基板22と強アンカリング膜36との間には、カラーフィルタ42が設けられている。カラーフィルタ42は、カラーレジストのR(赤)/G(緑)/B(青)の3原色のパターン、ブラックマトリックス、保護膜等により構成され、バックライトユニット14から照明される光のうちR/G/Bの3原色の波長域の光を通過させる。 A color filter 42 is provided between the substrate 22 and the strong anchoring film 36. The color filter 42 is composed of a pattern of the three primary colors of R (red) / G (green) / B (blue) of the color resist, a black matrix, a protective film, and the like, and R of the light emitted from the backlight unit 14. Passes light in the wavelength range of the three primary colors of / G / B.

バックライトユニット14は、液晶パネル12を照明する光を発する照明装置である。バックライトユニット14は、エッジライト方式であってもよいし、直下型方式であってもよい。なお、バックライトユニット14と液晶パネル12との間には、光拡散シートやプリズムシートが配置されていてもよい。 The backlight unit 14 is a lighting device that emits light that illuminates the liquid crystal panel 12. The backlight unit 14 may be of an edge light type or a direct type. A light diffusion sheet or a prism sheet may be arranged between the backlight unit 14 and the liquid crystal panel 12.

本実施形態による液晶表示装置10は、基板20の基板面と水平な方向の横電界を形成し、液晶分子を液晶層24の面内で回転させて表示を制御するIPS方式のものである。しかし、仮に、上記の構成において、前述の特許文献1に記載される従来の構成のように線状電極28の直上を含む基板20側の全面に強アンカリング膜を形成した場合、線状電極28の直上の液晶分子を十分に回転させることができない。これは、電界を形成するための線状電極28の直上における電界の基板面に水平方向の成分が、強アンカリング膜の束縛に打ち勝って液晶分子を回転させることができる程に大きくないためである。したがって、この場合、白表示における光透過率が低下してしまう。 The liquid crystal display device 10 according to the present embodiment is an IPS system that controls display by forming a horizontal electric field in a horizontal direction with the substrate surface of the substrate 20 and rotating liquid crystal molecules in the plane of the liquid crystal layer 24. However, in the above configuration, if a strong anchoring film is formed on the entire surface of the substrate 20 side including directly above the linear electrode 28 as in the conventional configuration described in the above-mentioned Patent Document 1, the linear electrode The liquid crystal molecule directly above 28 cannot be sufficiently rotated. This is because the component in the horizontal direction on the substrate surface of the electric field directly above the linear electrode 28 for forming the electric field is not large enough to overcome the binding of the strong anchoring film and rotate the liquid crystal molecules. be. Therefore, in this case, the light transmittance in the white display is lowered.

一方、仮に、上記の構成において、前述の特許文献2に記載される従来の構成のように基板20側の全面に弱アンカリング膜を形成した場合、基板20側の配向規制力を弱めることで、高い光透過率を実現して白表示における十分な光透過率を確保しうる。しかしながら、この場合、線状電極28に対する電圧オフ時における液晶分子の復元力が低下するため、電圧オフ時の応答性が低下し、電圧オフ時の応答時間τoffが長くなる。 On the other hand, in the above configuration, when a weak anchoring film is formed on the entire surface of the substrate 20 side as in the conventional configuration described in Patent Document 2 described above, the orientation restricting force on the substrate 20 side is weakened. , High light transmittance can be realized and sufficient light transmittance in white display can be secured. However, in this case, since the restoring force of the liquid crystal molecules with respect to the linear electrode 28 at the time of voltage off decreases, the responsiveness at the time of voltage off decreases, and the response time τ off at the time of voltage off becomes long.

上記従来の構成に対して、本実施形態による液晶表示装置10では、複数の線状電極28のうちの一部の直上に、アンカリングエネルギーが比較的に小さい弱アンカリング膜38が形成されている。弱アンカリング膜38が形成された線状電極28上では、強アンカリング膜40が形成された領域と比較して配向規制力が弱くなっている。このため、本実施形態による液晶表示装置10では、電界の横方向成分が小さい場合であっても、弱アンカリング膜38が形成された線状電極28の直上の液晶分子が回転するため、その線状電極28の直上においても十分な光透過率を確保することができる。これにより、本実施形態による液晶表示装置10は、光透過率を向上することができる。 In contrast to the conventional configuration, in the liquid crystal display device 10 according to the present embodiment, a weak anchoring film 38 having a relatively small anchoring energy is formed directly above a part of the plurality of linear electrodes 28. There is. On the linear electrode 28 on which the weak anchoring film 38 is formed, the orientation regulating force is weaker than in the region where the strong anchoring film 40 is formed. Therefore, in the liquid crystal display device 10 according to the present embodiment, even when the lateral component of the electric field is small, the liquid crystal molecules directly above the linear electrode 28 on which the weak anchoring film 38 is formed rotate. Sufficient light transmittance can be secured even immediately above the linear electrode 28. As a result, the liquid crystal display device 10 according to the present embodiment can improve the light transmittance.

また、弱アンカリング膜38が形成されていることにより、弱アンカリング膜38が形成されている線状電極28の直上では、基板20側での液晶分子の配向方向と基板22側での液晶分子の配向方向のずれによる電圧オフ時の液晶分子の微小ツイストを抑制することができる。これにより、黒輝度を低減することができ、光透過率の向上と相俟って、コントラスト比を向上することができる。 Further, since the weak anchoring film 38 is formed, the orientation direction of the liquid crystal molecules on the substrate 20 side and the liquid crystal display on the substrate 22 side are directly above the linear electrode 28 on which the weak anchoring film 38 is formed. It is possible to suppress minute twists of liquid crystal molecules when the voltage is turned off due to the deviation of the orientation direction of the molecules. As a result, the black brightness can be reduced, and the contrast ratio can be improved in combination with the improvement of the light transmittance.

しかも、弱アンカリング膜38は、後述するように、フォトレジスト膜の露光工程においてハーフトーンマスクを用いてフォトレジスト膜の露光量を領域毎に制御することにより形成する。このため、本実施形態による液晶表示装置10は、工程数が増加することがなく、工程の複雑化を伴うことなく容易に製造することができる。 Moreover, the weak anchoring film 38 is formed by controlling the exposure amount of the photoresist film for each region by using a halftone mask in the exposure step of the photoresist film, as will be described later. Therefore, the liquid crystal display device 10 according to the present embodiment can be easily manufactured without increasing the number of steps and without complicating the steps.

さらに、本実施形態による液晶表示装置10では、弱アンカリング膜38が直上に形成された線状電極28の間の基板20上、及び弱アンカリング膜38が直上に形成された線状電極28以外の線状電極28上に、強アンカリング膜40が形成されている。このように複数の線状電極28のうちの一部の直上以外の領域にアンカリングエネルギーが比較的に大きい強アンカリング膜40が形成されていることで、線状電極28に対する電圧オフ時における液晶分子の復元力はほとんど低下しない。したがって、本実施形態による液晶表示装置10は、特許文献2に記載されるように基板20側の全面に弱アンカリング膜が形成された従来の構成と比較して、電圧オフ時の液晶表示の応答性を改善することができ、電圧オフ時の応答時間τoffを短縮することができる。 Further, in the liquid crystal display device 10 according to the present embodiment, the linear electrode 28 on which the weak anchoring film 38 is formed directly above the substrate 20 between the linear electrodes 28 and the weak anchoring film 38 is formed directly above. A strong anchoring film 40 is formed on the linear electrodes 28 other than the above. As described above, the strong anchoring film 40 having a relatively large anchoring energy is formed in a region other than directly above a part of the plurality of linear electrodes 28, so that when the voltage on the linear electrodes 28 is off, The restoring force of the liquid crystal molecules is hardly reduced. Therefore, the liquid crystal display device 10 according to the present embodiment has a liquid crystal display when the voltage is off, as compared with a conventional configuration in which a weak anchoring film is formed on the entire surface of the substrate 20 side as described in Patent Document 2. The responsiveness can be improved, and the response time τ off when the voltage is off can be shortened.

こうして、本実施形態による液晶表示装置10は、光透過率及びコントラスト比を向上しつつ、電圧オフ時の応答性を改善することができ、液晶表示の明るさと応答性とを両立することができる。 In this way, the liquid crystal display device 10 according to the present embodiment can improve the responsiveness at the time of voltage off while improving the light transmittance and the contrast ratio, and can achieve both the brightness and the responsiveness of the liquid crystal display. ..

次に、本実施形態による液晶表示装置の製造方法について図2乃至図5を用いて説明する。図2乃至図5は、本実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図である。 Next, a method of manufacturing the liquid crystal display device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 2 to 5. 2 to 5 are process cross-sectional views showing a method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present embodiment.

まず、表示領域16及びパッド領域18における基板20の液晶層24側となる面上に、基板20の基板面と水平な方向に電界(横電界)を形成するための櫛歯電極として、例えばITOからなる透明導電膜50を形成する(図2(a))。なお、基板20には、画素をスイッチングするためのTFT、ゲートライン、ソースライン等が形成されている。 First, as a comb-tooth electrode for forming an electric field (transverse electric field) in a direction horizontal to the substrate surface of the substrate 20, for example, ITO on the surface of the substrate 20 on the liquid crystal layer 24 side of the substrate 20 in the display region 16 and the pad region 18. A transparent conductive film 50 made of the above is formed (FIG. 2A). The substrate 20 is formed with a TFT, a gate line, a source line, and the like for switching pixels.

次いで、表示領域16及びパッド領域18における透明導電膜50上に、例えばスピンコート法によりネガ型のフォトレジスト材料を塗布してプリベークを行い、フォトレジスト膜52を形成する(図2(b))。フォトレジスト膜52は、弱アンカリング膜38として機能しうる材料から構成されている。 Next, a negative type photoresist material is applied onto the transparent conductive film 50 in the display region 16 and the pad region 18 by, for example, a spin coating method and prebaked to form a photoresist film 52 (FIG. 2B). .. The photoresist film 52 is made of a material that can function as a weak anchoring film 38.

次いで、ハーフトーンマスク54をマスクとして用い、フォトレジスト膜52にハーフトーンマスク54のマスクパターンを露光する(図3(a))。ハーフトーンマスク54は、マスクパターンとして、複数の線状電極28のパターン542a、542bと、複数の電極パッド30のパターン544とを有している。複数の線状電極28のパターン542a、542bのうち、パターン542aは、弱アンカリング膜38が直上に形成される線状電極28のパターンである。パターン542bは、弱アンカリング膜38が直上に形成される線状電極28以外の線状電極28のパターンである。パターン542a、542b、544の露光光の透過率は、互いに異なっている。すなわち、パターン542aの露光光の透過率は、パターン542bの露光光の透過率及びパターン544の露光光の透過率よりも高くなっている。また、パターン542bの露光光の透過率は、パターン544の露光光の透過率と等しくなっている。なお、露光光としては、フォトレジスト膜52の種類に応じて紫外光等を選択することができる。 Next, using the halftone mask 54 as a mask, the mask pattern of the halftone mask 54 is exposed on the photoresist film 52 (FIG. 3A). The halftone mask 54 has patterns 542a and 542b of a plurality of linear electrodes 28 and patterns 544 of a plurality of electrode pads 30 as mask patterns. Of the patterns 542a and 542b of the plurality of linear electrodes 28, the pattern 542a is a pattern of the linear electrodes 28 on which the weak anchoring film 38 is formed directly above. The pattern 542b is a pattern of the linear electrodes 28 other than the linear electrodes 28 on which the weak anchoring film 38 is formed. The transmittances of the exposure light of the patterns 542a, 542b, and 544 are different from each other. That is, the transmittance of the exposure light of the pattern 542a is higher than the transmittance of the exposure light of the pattern 542b and the transmittance of the exposure light of the pattern 544. Further, the transmittance of the exposure light of the pattern 542b is equal to the transmittance of the exposure light of the pattern 544. As the exposure light, ultraviolet light or the like can be selected depending on the type of the photoresist film 52.

このように露光光の透過率が異なるハーフトーンマスク54を用いた露光により、フォトレジスト膜52のうちのパターン542a、542b、544が露光されるフォトレジスト膜52a、52b、52cの露光量が異なる。すなわち、パターン542aが露光されるフォトレジスト膜52aの露光量が、パターン542bが露光されるフォトレジスト膜52bの露光量及びパターン544が露光されるフォトレジスト膜52cの露光量よりも多くなる。このように、ハーフトーンマスク54を用いた露光によりフォトレジスト膜52a、52b、52cの露光量を制御することで、フォトレジスト膜52a、52b、52cの硬化度を調整する。 The exposure amounts of the photoresist films 52a, 52b, 52c to which the patterns 542a, 542b, and 544 of the photoresist film 52 are exposed differ depending on the exposure using the halftone mask 54 having different transmittances of the exposure light. .. That is, the exposure amount of the photoresist film 52a to which the pattern 542a is exposed is larger than the exposure amount of the photoresist film 52b to which the pattern 542b is exposed and the exposure amount of the photoresist film 52c to which the pattern 544 is exposed. In this way, the degree of curing of the photoresist films 52a, 52b, 52c is adjusted by controlling the exposure amount of the photoresist films 52a, 52b, 52c by exposure using the halftone mask 54.

次いで、フォトレジスト膜52を現像して未露光のフォトレジスト膜52を除去し、その後、ポストベークを行う。これにより、透明導電膜50上に、フォトレジスト膜52a、52b、52cが形成される(図3(b))。上述のように、フォトレジスト膜52aの露光量はフォトレジスト膜52b、52cの露光量よりも多いため、フォトレジスト膜52aの硬化度は、フォトレジスト膜52b、52cの硬化度よりも高くなっている。このため、現像後において、フォトレジスト膜52aの膜厚は、フォトレジスト膜52b、52cの膜厚よりも厚くなっている。 Next, the photoresist film 52 is developed to remove the unexposed photoresist film 52, and then post-baking is performed. As a result, the photoresist films 52a, 52b, and 52c are formed on the transparent conductive film 50 (FIG. 3 (b)). As described above, since the exposure amount of the photoresist film 52a is larger than the exposure amount of the photoresist films 52b and 52c, the curing degree of the photoresist film 52a is higher than the curing degree of the photoresist films 52b and 52c. There is. Therefore, after development, the film thickness of the photoresist film 52a is thicker than the film thickness of the photoresist films 52b and 52c.

次いで、フォトレジスト膜52a、52b、52cをマスクとして、例えばウェットエッチングにより、透明導電膜50をエッチングしてパターニングする。これにより、表示領域16において、透明導電膜50からなる複数の線状電極28を形成するとともに、パッド領域18において、透明導電膜50からなる複数の電極パッド30を形成する(図4(a))。 Next, using the photoresist films 52a, 52b, and 52c as masks, the transparent conductive film 50 is etched and patterned by, for example, wet etching. As a result, a plurality of linear electrodes 28 made of the transparent conductive film 50 are formed in the display region 16, and a plurality of electrode pads 30 made of the transparent conductive film 50 are formed in the pad region 18 (FIG. 4A). ).

次いで、例えば剥離液中に浸漬させたりすることにより、フォトレジスト膜52aを線状電極28の直上に残存させつつ、線状電極28上のフォトレジスト膜52b及び電極パッド30上のフォトレジスト膜52cを除去する。フォトレジスト膜52aは、フォトレジスト膜52b、52cよりも膜厚が厚いため、線状電極28の直上に選択的に残存させることができる。こうして、複数の線状電極28のうちの一部の直上に、フォトレジスト膜52aからなる弱アンカリング膜38を形成する(図4(b))。なお、上記剥離工程により、フォトレジスト膜52b、53cを完全に除去することができない場合には、プラズマアッシング等により除去する。 Then, for example, by immersing the photoresist film 52a in a stripping solution, the photoresist film 52a remains directly above the linear electrode 28, and the photoresist film 52b on the linear electrode 28 and the photoresist film 52c on the electrode pad 30 are left. To remove. Since the photoresist film 52a is thicker than the photoresist films 52b and 52c, it can be selectively left directly above the linear electrode 28. In this way, a weak anchoring film 38 made of a photoresist film 52a is formed directly above a part of the plurality of linear electrodes 28 (FIG. 4B). If the photoresist films 52b and 53c cannot be completely removed by the peeling step, they are removed by plasma ashing or the like.

なお、上記図4(a)に示すエッチングプロセスにおいてフォトレジスト膜52a、52b、52cのうちのフォトレジスト膜52b、52cが選択的に消失するように、フォトレジスト膜52a、52b、52cの膜厚を設定することができる。この場合、上記図4(b)に示す剥離プロセスおよびアッシングプロセスを省略することができる。 The thickness of the photoresist films 52a, 52b, 52c so that the photoresist films 52b, 52c among the photoresist films 52a, 52b, 52c disappear selectively in the etching process shown in FIG. 4A. Can be set. In this case, the peeling process and the ashing process shown in FIG. 4B can be omitted.

次いで、表示領域16における基板20上に、例えば印刷法により、ポリイミド膜を形成する。ここで、弱アンカリング膜38を構成するフォトレジスト膜52aは、ポリイミド膜に対して親和性を有しない。このため、ポリイミド膜は、フォトレジスト膜52aからなる弱アンカリング膜38上には形成されず、線状電極28間の基板20上、及び弱アンカリング膜38が直上に形成されてない線状電極28上に形成される。続いて、このポリイミド膜に対して、例えば光配向法による配向処理を行う。こうして、線状電極28間の基板20上、及び弱アンカリング膜38が直上に形成されてない線状電極28上に、ポリイミド膜からなる強アンカリング膜40が形成される(図5(a))。 Next, a polyimide film is formed on the substrate 20 in the display region 16 by, for example, a printing method. Here, the photoresist film 52a constituting the weak anchoring film 38 does not have an affinity for the polyimide film. Therefore, the polyimide film is not formed on the weak anchoring film 38 made of the photoresist film 52a, and is linear on the substrate 20 between the linear electrodes 28 and on the weak anchoring film 38 not directly above. It is formed on the electrode 28. Subsequently, the polyimide film is subjected to an orientation treatment by, for example, a photo-alignment method. In this way, the strong anchoring film 40 made of the polyimide film is formed on the substrate 20 between the linear electrodes 28 and on the linear electrodes 28 on which the weak anchoring film 38 is not formed directly above (FIG. 5 (a). )).

一方、表示領域16における基板22上には、カラーフィルタ42を形成する。続いて、カラーフィルタ42上に、ポリイミド膜を形成する。続いて、ポリイミド膜に対して、例えば、ラビング法、光配向法等による配向処理を行う。こうして、カラーフィルタ42上に、ポリイミド膜からなる強アンカリング膜36を形成する。 On the other hand, a color filter 42 is formed on the substrate 22 in the display area 16. Subsequently, a polyimide film is formed on the color filter 42. Subsequently, the polyimide film is subjected to an orientation treatment by, for example, a rubbing method, a photo-alignment method, or the like. In this way, a strong anchoring film 36 made of a polyimide film is formed on the color filter 42.

次いで、ODF(One Drop Fill)法により、基板20、22間に液晶層24を封止する。まず、表示領域16の周縁部における基板20、22のうちの一方の上に、紫外線硬化性樹脂からなるシール材26を塗布する。続いて、シール材26を塗布した基板20、22のうちの一方の上に液晶材料を滴下する。続いて、液晶材料が滴下された基板20、22のうちの一方と、基板20、22のうちの他方とをシール材26により貼り合わせる。基板20、22間には、滴下した液晶材料からなる液晶層24が形成される。続いて、紫外光を照射することにより、シール材26を硬化させる。こうして、ODF法により、液晶材料からなる液晶層24を挟むように基板20と基板22とを貼り合わせて、基板20、22間に液晶層24を封止する(図5(b))。 Next, the liquid crystal layer 24 is sealed between the substrates 20 and 22 by the ODF (One Drop Fill) method. First, a sealing material 26 made of an ultraviolet curable resin is applied onto one of the substrates 20 and 22 at the peripheral edge of the display area 16. Subsequently, the liquid crystal material is dropped onto one of the substrates 20 and 22 coated with the sealing material 26. Subsequently, one of the substrates 20 and 22 on which the liquid crystal material is dropped and the other of the substrates 20 and 22 are bonded to each other by the sealing material 26. A liquid crystal layer 24 made of a dropped liquid crystal material is formed between the substrates 20 and 22. Subsequently, the sealing material 26 is cured by irradiating with ultraviolet light. In this way, the substrate 20 and the substrate 22 are bonded together so as to sandwich the liquid crystal layer 24 made of the liquid crystal material by the ODF method, and the liquid crystal layer 24 is sealed between the substrates 20 and 22 (FIG. 5B).

以後、通常のプロセスにより、基板20、22への偏光板32、34の貼り付け、ドライバICの実装、バックライトユニット14の配置等を行う。こうして、図1に示す本実施形態による液晶表示装置10が製造される。 After that, the polarizing plates 32 and 34 are attached to the substrates 20 and 22 by a normal process, the driver IC is mounted, the backlight unit 14 is arranged, and the like. In this way, the liquid crystal display device 10 according to the present embodiment shown in FIG. 1 is manufactured.

このように、本実施形態では、ハーフトーンマスク54をマスクとして用いた露光により、線状電極28を構成する透明導電膜50をエッチングする際のマスクとして用いるフォトレジスト膜52a、52b、52cの露光量を制御する。これにより、フォトレジスト膜52aからなる弱アンカリング膜38を複数の線状電極28のうちの一部の直上に形成する。したがって、本実施形態では、弱アンカリング膜38を形成するために別途フォトレジスト膜をパターニングする工程等の追加の工程を必要とせず、工程数が増加することもない。したがって、本実施形態によれば、工程の複雑化を伴うことなく、図1に示す液晶表示装置10を容易に製造することができる。 As described above, in the present embodiment, the exposure using the halftone mask 54 as a mask exposes the photoresist films 52a, 52b, 52c used as a mask when etching the transparent conductive film 50 constituting the linear electrode 28. Control the amount. As a result, the weak anchoring film 38 made of the photoresist film 52a is formed directly above a part of the plurality of linear electrodes 28. Therefore, in the present embodiment, an additional step such as a separate step of patterning the photoresist film is not required to form the weak anchoring film 38, and the number of steps does not increase. Therefore, according to the present embodiment, the liquid crystal display device 10 shown in FIG. 1 can be easily manufactured without complicating the process.

このように、本実施形態によれば、液晶表示装置10において、光透過率及びコントラスト比を向上しつつ、電圧オフ時の応答性を改善することができる。また、本実施形態によれば、光透過率及びコントラスト比を向上しつつ、電圧オフ時の応答性を改善することができる液晶表示装置10を工程の複雑化を伴うことなく容易に製造することができる。 As described above, according to the present embodiment, in the liquid crystal display device 10, it is possible to improve the responsiveness at the time of voltage off while improving the light transmittance and the contrast ratio. Further, according to the present embodiment, the liquid crystal display device 10 capable of improving the responsiveness at the time of voltage off while improving the light transmittance and the contrast ratio can be easily manufactured without complicating the process. Can be done.

(変形例)
次に、本実施形態の変形例による液晶表示装置について図6を用いて説明する。図6は、本実施形態の変形例による液晶表示装置の構造を示す断面図である。
(Modification example)
Next, a liquid crystal display device according to a modified example of the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a cross-sectional view showing the structure of the liquid crystal display device according to the modified example of the present embodiment.

上記図1に示す液晶表示装置10では、弱アンカリング膜38が、互いに平行に配置された複数の線状電極28のうちの1本おきの線状電極28の直上に形成されていたが、これに限定されるものではない。弱アンカリング膜38は、互いに平行に配置された複数の線状電極28のうちの複数本おきの線状電極28の直上に形成されていてもよい。 In the liquid crystal display device 10 shown in FIG. 1, the weak anchoring film 38 was formed directly above every other linear electrode 28 among the plurality of linear electrodes 28 arranged in parallel with each other. It is not limited to this. The weak anchoring film 38 may be formed directly above the plurality of linear electrodes 28 among the plurality of linear electrodes 28 arranged in parallel with each other.

例えば、弱アンカリング膜38は、複数の線状電極28のうちの2本おきの線状電極28の直上に形成することができる。図6に示す変形例による液晶表示装置100では、弱アンカリング膜38が、互いに平行に配置された複数の線状電極28のうちの2本おきの線状電極28の直上に形成されている。 For example, the weak anchoring film 38 can be formed directly above every two linear electrodes 28 among the plurality of linear electrodes 28. In the liquid crystal display device 100 according to the modification shown in FIG. 6, the weak anchoring film 38 is formed directly above every two linear electrodes 28 among the plurality of linear electrodes 28 arranged in parallel with each other. ..

このように、複数の線状電極28のうちの直上に弱アンカリング膜38が形成されている線状電極28の割合を変更することができる。これにより、液晶表示の明るさ及び応答性を調整することができる。 In this way, the ratio of the linear electrodes 28 in which the weak anchoring film 38 is formed directly above the plurality of linear electrodes 28 can be changed. Thereby, the brightness and responsiveness of the liquid crystal display can be adjusted.

また、上記では、ハーフトーンマスク54を用いた露光によりフォトレジスト膜52a、52b、52cの露光量を制御することで、複数の線状電極28のうちの一部の直上に弱アンカリング膜38を選択的に形成したが、これに限定されるものではない。例えば、インクジェット法等の印刷法等により弱アンカリング膜38の材料を塗り分けることにより、複数の線状電極28のうちの一部の直上に弱アンカリング膜38を選択的に形成することもできる。 Further, in the above, by controlling the exposure amount of the photoresist films 52a, 52b, 52c by exposure using the halftone mask 54, the weak anchoring film 38 is directly above a part of the plurality of linear electrodes 28. Was selectively formed, but is not limited to this. For example, the weak anchoring film 38 may be selectively formed directly above a part of the plurality of linear electrodes 28 by separately coating the materials of the weak anchoring film 38 by a printing method such as an inkjet method. can.

(評価結果)
次に、本実施形態による液晶表示装置の評価結果について説明する。
(Evaluation results)
Next, the evaluation result of the liquid crystal display device according to the present embodiment will be described.

まず、実施例1、2及び比較例1、2、3による液晶表示装置のそれぞれについて、 電圧オフ時の応答時間toffを測定して応答速度を評価した。各実施例及び比較例による液晶表示装置のセル構成は、以下のとおりである。なお、図7(a)は、実施例1のセル構成を示す断面図である。図7(b)は、比較例1のセル構成を示す断面図である。 First, for each of the liquid crystal display device according to Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1, 2 and 3, and evaluating the response speed by measuring the response time t off when the voltage is turned off. The cell configuration of the liquid crystal display device according to each Example and Comparative Example is as follows. Note that FIG. 7A is a cross-sectional view showing the cell configuration of the first embodiment. FIG. 7B is a cross-sectional view showing the cell configuration of Comparative Example 1.

実施例1のセル構成は、次のとおりである。基板20、22としてそれぞれガラス基板を用いた。櫛歯電極を構成する線状電極28の材料としてはITOを用いた。また、線状電極28が形成された基板20上に、強アンカリング膜40を形成した。強アンカリング膜40の材料としては、ポリイミドを用い、ラビング法による配向処理を行った。強アンカリング膜40上には、インクジェット法により弱アンカリング膜38を形成した。弱アンカリング膜38は、複数の線状電極28のうちの1本おきの線状電極28の直上に形成した。基板20、22間のギャップ、すなわち液晶層24の厚さは、3.0μmとした。基板22側の強アンカリング膜36の材料としては、強アンカリング膜40と同じくポリイミドを用い、ラビング法による配向処理を行った。基板20の外側の面には、ITO膜60を形成した。 The cell configuration of the first embodiment is as follows. Glass substrates were used as the substrates 20 and 22, respectively. ITO was used as the material of the linear electrode 28 constituting the comb tooth electrode. Further, a strong anchoring film 40 was formed on the substrate 20 on which the linear electrode 28 was formed. Polyimide was used as the material of the strong anchoring film 40, and the orientation treatment was performed by the rubbing method. A weak anchoring film 38 was formed on the strong anchoring film 40 by an inkjet method. The weak anchoring film 38 was formed directly above every other linear electrode 28 among the plurality of linear electrodes 28. The gap between the substrates 20 and 22, that is, the thickness of the liquid crystal layer 24 was set to 3.0 μm. As the material of the strong anchoring film 36 on the substrate 22 side, the same polyimide as the strong anchoring film 40 was used, and the orientation treatment was performed by the rubbing method. An ITO film 60 was formed on the outer surface of the substrate 20.

実施例2のセル構成は、弱アンカリング膜38を、複数の線状電極28のうちの2本おきの線状電極28の直上に形成した点を除き、実施例1のセル構成と同様である。 The cell configuration of Example 2 is the same as the cell configuration of Example 1 except that the weak anchoring film 38 is formed directly above every two linear electrodes 28 among the plurality of linear electrodes 28. be.

比較例1のセル構成は、強アンカリング膜40を形成せずに、弱アンカリング膜38を全面に形成した点を除き、実施例1のセル構成と同様である。 The cell configuration of Comparative Example 1 is the same as that of Example 1 except that the weak anchoring film 38 is formed on the entire surface without forming the strong anchoring film 40.

比較例2のセル構成は、弱アンカリング膜38を、複数の線状電極28のそれぞれの直上に形成した点を除き、実施例1のセル構成と同様である。 The cell configuration of Comparative Example 2 is the same as the cell configuration of Example 1 except that the weak anchoring film 38 is formed directly above each of the plurality of linear electrodes 28.

比較例3のセル構成は、弱アンカリング膜38を形成していない点、すなわち、強アンカリング膜40を全面に形成した点を除き、実施例1のセル構成と同様である。 The cell configuration of Comparative Example 3 is the same as that of Example 1 except that the weak anchoring film 38 is not formed, that is, the strong anchoring film 40 is formed on the entire surface.

上記の実施例1、2及び比較例1、2、3のセル構成、並びにそれぞれについて 、電圧オフ時の応答時間toffを測定した結果を表1に示す。 Cell configuration of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1, 2, 3, and each show the result of measuring the response time t off when the voltage off Table 1.

Figure 0006924588
Figure 0006924588

表1に示されるように、弱アンカリング膜38を全面に形成した比較例1と比較して、実施例1、2では、電圧オフ時の応答時間toffが短縮されており、電圧オフ時の応答性が改善されていることがわかる。 As shown in Table 1, the response time to off at the time of voltage off is shortened in Examples 1 and 2 as compared with Comparative Example 1 in which the weak anchoring film 38 is formed on the entire surface, and the response time at the time of voltage off is shortened. It can be seen that the responsiveness of is improved.

また、実施例1、2及び比較例1、2、3による液晶表示装置のそれぞれについて、駆動電圧と液晶パネルの光透過率との関係を示す駆動電圧−光透過率曲線(V−T曲線)を測定した。図8は、V−T曲線を測定した結果を示すグラフである。 Further, for each of the liquid crystal display devices according to Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1, 2 and 3, a drive voltage-light transmittance curve (VT curve) showing the relationship between the drive voltage and the light transmittance of the liquid crystal panel. Was measured. FIG. 8 is a graph showing the results of measuring the VT curve.

図8から明らかなように、実施例1、2のいずれにおいても、強アンカリング膜40を全面に形成した比較例3よりも高い光透過率であって、弱アンカリング膜38を全面に形成した比較例1と同程度の光透過率が得られている。 As is clear from FIG. 8, in both Examples 1 and 2, the light transmittance is higher than that of Comparative Example 3 in which the strong anchoring film 40 is formed on the entire surface, and the weak anchoring film 38 is formed on the entire surface. A light transmittance similar to that of Comparative Example 1 was obtained.

上記評価結果により、実施例1、2では、光透過率を向上するとともに、電圧オフ時の応答性を改善することができたことわかる。 From the above evaluation results, it can be seen that in Examples 1 and 2, the light transmittance could be improved and the responsiveness at the time of voltage off could be improved.

[変形実施形態]
本発明は、上記実施形態に限らず、種々の変形が可能である。
[Modification Embodiment]
The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible.

例えば、上記実施形態では、複数の線状電極28を形成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。複数の線状電極28に代えて、種々の形状を有する電極を形成することができる。 For example, in the above embodiment, the case where a plurality of linear electrodes 28 are formed has been described as an example, but the present invention is not limited to this. Instead of the plurality of linear electrodes 28, electrodes having various shapes can be formed.

また、上記実施形態では、強アンカリング膜36、40として、ポリイミド膜からなる配向膜を形成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。強アンカリング膜36、40として、種々の材料からなる配向膜を形成することができる。 Further, in the above embodiment, the case where the alignment film made of the polyimide film is formed as the strong anchoring films 36 and 40 has been described as an example, but the present invention is not limited to this. As the strong anchoring films 36 and 40, alignment films made of various materials can be formed.

10…液晶表示装置
12…液晶パネル
16…表示領域
18…パッド領域
20…基板
22…基板
24…液晶層
28…線状電極
30…電極パッド
36…強アンカリング膜
38…弱アンカリング膜
40…強アンカリング膜
10 ... Liquid crystal display device 12 ... Liquid crystal panel 16 ... Display area 18 ... Pad area 20 ... Substrate 22 ... Substrate 24 ... Liquid crystal layer 28 ... Linear electrode 30 ... Electrode pad 36 ... Strong anchoring film 38 ... Weak anchoring film 40 ... Strong anchoring film

Claims (14)

第1の基板と、
前記第1の基板に対向する第2の基板と、
前記第1の基板と前記第2の基板とに挟まれた液晶層と、
前記第1の基板の前記液晶層側の面上に形成され、前記第1の基板と水平な面内に電界を形成可能に構成された複数の電極と、
前記複数の電極のうちの一部の電極の直上に形成された第1の配向膜と、
前記複数の電極の間の前記第1の基板上、及び前記複数の電極のうちの前記一部の電極以外の電極の上に形成された第2の配向膜と、
前記第2の基板の前記液晶層側に形成された第3の配向膜とを有し、
前記第1の配向膜のアンカリングエネルギーが、前記第2及び第3の配向膜のアンカリングエネルギーよりも小さいことを特徴とする液晶表示装置。
The first board and
A second substrate facing the first substrate and
A liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate,
It formed on the surface of the liquid crystal layer side of the first substrate, and a plurality of electrodes formed configured to be capable of field before Symbol first substrate and a horizontal plane,
A first alignment layer formed directly on the part of the electrode of the plurality of electrodes,
A second alignment film formed on the first substrate between the plurality of electrodes and on an electrode other than the part of the plurality of electrodes.
It has a third alignment film formed on the liquid crystal layer side of the second substrate, and has a third alignment film.
A liquid crystal display device characterized in that the anchoring energy of the first alignment film is smaller than the anchoring energy of the second and third alignment films.
前記複数の電極が、それぞれ線状電極であり、櫛歯電極を構成することを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to claim 1, wherein each of the plurality of electrodes is a linear electrode and constitutes a comb tooth electrode. 前記第1の配向膜が、1本おき又は複数本おきの前記線状電極の直上に形成されていることを特徴とする請求項2記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to claim 2, wherein the first alignment film is formed immediately above the linear electrodes every other or a plurality of electrodes. 前記第1の基板上に形成された電極パッドを有し、
前記電極パッド上には、前記第1の配向膜が形成されていないことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
It has an electrode pad formed on the first substrate and has an electrode pad.
The liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 3, wherein the first alignment film is not formed on the electrode pad.
前記電極パッドが、前記複数の電極と同層に形成されていることを特徴とする請求項4記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to claim 4, wherein the electrode pad is formed in the same layer as the plurality of electrodes. 前記電極パッドが、前記複数の電極と同一材料で形成されていることを特徴とする請求項4又は5に記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to claim 4 or 5, wherein the electrode pad is made of the same material as the plurality of electrodes. 前記第1の配向膜が、フォトレジスト膜からなることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 6, wherein the first alignment film is made of a photoresist film. 前記第1の配向膜のアンカリングエネルギーが、10−6J/m以下であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 7, wherein the anchoring energy of the first alignment film is 10-6 J / m 2 or less. 前記第2の配向膜のアンカリングエネルギーが、前記第3の配向膜のアンカリングエネルギーと等しいことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 8, wherein the anchoring energy of the second alignment film is equal to the anchoring energy of the third alignment film. 前記複数の電極の主材料が、ITO、IZO、AZO、GZO及びATOのうちのいずれかであることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 9, wherein the main material of the plurality of electrodes is any one of ITO, IZO, AZO, GZO and ATO. 第1の基板と;前記第1の基板に対向する第2の基板と;前記第1の基板と前記第2の基板とに挟まれた液晶層と;前記第1の基板の前記液晶層側の面上に形成され、前記第1の基板と水平な面内に電界を形成可能に構成された複数の電極と;前記複数の電極のうちの一部の電極の直上に形成された第1の配向膜と;前記複数の電極の間の前記第1の基板上、及び前記複数の電極のうちの前記一部の電極以外の電極の上に形成された第2の配向膜と;前記第2の基板の前記液晶層側に形成された第3の配向膜とを有し、前記第1の配向膜のアンカリングエネルギーが、前記第2及び第3の配向膜のアンカリングエネルギーよりも小さい液晶表示装置の製造方法であって、
前記第1の基板の前記液晶層側となる面上に、導電膜を形成する工程と、
前記導電膜上にフォトレジスト膜を形成する工程と、
互いに露光光の透過率が異なる第1のパターン及び第2のパターンを含む前記複数の電極のパターンを有するマスクを用い、前記第1のパターン及び前記第2のパターンを前記フォトレジスト膜に露光する工程と、
前記フォトレジスト膜を現像することにより、前記導電膜上に、前記第1のパターンを有する第1のフォトレジスト膜及び前記第2のパターンを有する第2のフォトレジスト膜を形成する工程と、
前記第1のフォトレジスト膜及び前記第2のフォトレジスト膜をマスクとして前記導電膜をエッチングすることにより、前記導電膜からなる前記複数の電極を形成する工程と、
前記第1のフォトレジスト膜を残存させつつ、前記第2のフォトレジスト膜を除去することにより、前記複数の電極のうちの一部の電極直上に、前記第1のフォトレジスト膜からなる前記第1の配向膜を形成する工程と、
前記複数の電極の間の前記第1の基板上、及び前記複数の電極のうちの前記一部の電極以外の電極の上に前記第2の配向膜を形成する工程と
を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
A first substrate; a second substrate facing the first substrate; a liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate; the liquid crystal layer side of the first substrate. is formed on the surface, the first substrate and the horizontal in a plurality of formed configured to be capable of field on the surface electrode; first formed directly on a part of electrodes of the plurality of electrodes Alignment film; and a second alignment film formed on the first substrate between the plurality of electrodes and on electrodes other than the partial electrodes of the plurality of electrodes; It has a third alignment film formed on the liquid crystal layer side of the second substrate, and the anchoring energy of the first alignment film is smaller than the anchoring energy of the second and third alignment films. It is a manufacturing method of a liquid crystal display device.
A step of forming a conductive film on a surface of the first substrate on the liquid crystal layer side,
The step of forming a photoresist film on the conductive film and
The photoresist film is exposed to the first pattern and the second pattern by using a mask having the patterns of the plurality of electrodes including the first pattern and the second pattern having different transmittances of exposure light from each other. Process and
A step of forming a first photoresist film having the first pattern and a second photoresist film having the second pattern on the conductive film by developing the photoresist film.
A step of forming the plurality of electrodes made of the conductive film by etching the conductive film using the first photoresist film and the second photoresist film as masks.
While leaving the first photoresist film, by removing the second photoresist film, the part of the electrode directly above one of said plurality of electrodes, the first consisting of the first photoresist film The step of forming the alignment film of 1 and
It is characterized by having a step of forming the second alignment film on the first substrate between the plurality of electrodes and on electrodes other than the partial electrodes among the plurality of electrodes. A method of manufacturing a liquid crystal display device.
前記フォトレジスト膜を露光する工程では、前記第1のパターンとは前記露光光の透過率が異なる第3のパターンをさらに有する前記マスクを用い、前記第3のパターンをさらに露光し、
前記フォトレジスト膜を現像する工程では、前記導電膜上に、前記第3のパターンを有する第3のフォトレジスト膜をさらに形成し、
前記複数の電極を形成する工程では、前記第3のフォトレジスト膜をマスクとして前記導電膜をエッチングすることにより、前記導電膜からなる電極パッドをさらに形成し、
前記第1の配向膜を形成する工程では、前記第3のフォトレジスト膜をさらに除去することを特徴とする請求項11記載の液晶表示装置の製造方法。
In the step of exposing the photoresist film, the third pattern is further exposed by using the mask further having a third pattern having a different transmittance of the exposure light from the first pattern.
In the step of developing the photoresist film, a third photoresist film having the third pattern is further formed on the conductive film.
In the step of forming the plurality of electrodes, the conductive film is etched using the third photoresist film as a mask to further form an electrode pad made of the conductive film.
The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 11, wherein in the step of forming the first alignment film, the third photoresist film is further removed.
前記第1の配向膜を形成する工程では、アッシングにより前記第2のフォトレジスト膜を除去することを特徴とする請求項11又は12に記載の液晶表示装置の製造方法。 The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 11 or 12, wherein in the step of forming the first alignment film, the second photoresist film is removed by ashing. 前記第2の配向膜を形成する工程では、前記複数の電極の間の前記第1の基板上、及び前記複数の電極のうちの前記一部の電極以外の電極の上にポリイミド膜を形成し、前記ポリイミド膜に対して光配向法による配向処理を行い、前記ポリイミド膜からなる第2の配向膜を形成することを特徴とする請求項11乃至13のいずれか1項に記載の液晶表示装置の製造方法。 In the step of forming the second alignment film, a polyimide film is formed on the first substrate between the plurality of electrodes and on an electrode other than the part of the plurality of electrodes. The liquid crystal display device according to any one of claims 11 to 13, wherein the polyimide film is subjected to an alignment treatment by a photoalignment method to form a second alignment film made of the polyimide film. Manufacturing method.
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