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JP6900947B2 - 高周波モジュールおよび通信装置 - Google Patents

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JP6900947B2 JP2018247192A JP2018247192A JP6900947B2 JP 6900947 B2 JP6900947 B2 JP 6900947B2 JP 2018247192 A JP2018247192 A JP 2018247192A JP 2018247192 A JP2018247192 A JP 2018247192A JP 6900947 B2 JP6900947 B2 JP 6900947B2
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Description

本発明は、高周波モジュールおよび通信装置に関する。
携帯電話などの移動体通信機器では、特に、マルチバンド化の進展に伴い、高周波フロントエンド回路を構成する回路素子の配置構成が複雑化されている。
特許文献１には、実装基板上に増幅素子を含む半導体チップおよび容量素子が実装された高周波モジュールの断面構成が開示されている。半導体チップは、互いに背向する主面の一方が、実装基板または他の半導体チップと平面電極を介して接続され、互いに背向する主面の他方が、ボンディングワイヤを介して実装基板上の電極と接続されている。また、実装基板を断面視した場合、容量素子にはボンディングワイヤが跨っている。
特開２００４−３４２８４９号公報
特許文献１に開示された高周波モジュールを、送受信回路を含むコンパクトなモジュールにする場合、送信回路と受信回路とが近接し、送信回路を含むアンテナ接続端子までの送信経路に配置された回路素子のインダクタンス成分と、アンテナ接続端子から受信回路までの受信経路に配置された回路素子のインダクタンス成分とが磁界結合することが想定される。この場合、送信回路の電力増幅器で増幅された高出力の高周波送信信号、その高調波成分、または、当該高周波送信信号と他の高周波信号との相互変調歪成分が、上記磁界結合を介して受信回路に流入し、受信回路の受信感度が劣化するという問題が発生する。この磁界結合を抑制する手段としては、磁界結合をする２つの回路素子のいずれか一方を磁界シールドすることが挙げられる。
しかしながら、特許文献１に開示された高周波モジュールでは、容量素子を跨ぐボンディングワイヤが開示されているが、インダクタンス成分の磁界結合を抑制することはできないので、受信回路の受信感度が劣化してしまう。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、受信感度の劣化が抑制された高周波モジュールおよび通信装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波モジュールは、共通端子、送信端子、および受信端子と、実装基板上に配置され、前記送信端子から入力された高周波信号を処理して前記共通端子に出力する送信回路と、前記実装基板上に配置され、前記共通端子から入力された高周波信号を処理して前記受信端子に出力する受信回路と、を備えた高周波モジュールであって、前記送信回路および前記受信回路の少なくとも１つは、第１インダクタと、グランドに接続されたボンディングワイヤと、を含み、前記ボンディングワイヤは前記第１インダクタを跨いでいる。
本発明によれば、受信感度の劣化が抑制された高周波モジュールおよび通信装置を提供することが可能となる。
実施の形態１に係る高周波モジュールおよび通信装置の回路構成図である。 実施の形態１に係る高周波モジュールの断面構成概略図および平面構成概略図である。 実施の形態１の変形例１に係る高周波モジュールの断面構成概略図および平面構成概略図である。 実施の形態１の変形例２に係る高周波モジュールの断面構成概略図および平面構成概略図である。 実施の形態１の変形例３に係る高周波モジュールの断面構成概略図および平面構成概略図である。 実施の形態１の変形例４に係る高周波モジュールの平面構成概略図である。 実施の形態１の変形例５に係る高周波モジュールの断面構成概略図である。 実施の形態１の変形例６に係る高周波モジュールの断面構成概略図および平面構成概略図である。 実施の形態２に係る高周波モジュールの平面構成概略図および断面構成概略図である。 実施の形態２の変形例７に係る高周波モジュールの平面構成概略図および断面構成概略図である。 実施の形態２の変形例８に係る高周波モジュールの平面構成概略図および断面構成概略図である。 実施の形態２の変形例９に係る高周波モジュールの平面構成概略図および断面構成概略図である。 実施の形態２の変形例１０に係る高周波モジュールの平面構成概略図および断面構成概略図である。 実施の形態２の変形例１１に係る高周波モジュールの平面構成概略図および断面構成概略図である。
以下、本発明の実施の形態およびその変形例について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態およびその変形例は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態およびその変形例で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態およびその変形例における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。
なお、本明細書において、「ＡがＢを跨ぐ」とは、Ｂの一主面部および当該一主面部を挟んで互いに背向するＢの２つの側面部に、Ａが対向するように配置されていることを指すものと定義される。ただし、Ｂの一主面部および側面部は、厳密に平面でなくてもよく、曲面および段差などを含んでいてもよい。
また、本明細書において、基板上に実装されたＡ、ＢおよびＣにおいて、「当該基板（または当該基板の主面）を平面視した場合に、ＡとＢとの間にＣが配置されている」とは、当該基板を平面視した場合に投影されるＡの領域内の任意の点と、当該基板を平面視した場合に投影されるＢの領域内の任意の点とを結ぶ線に、当該基板を平面視した場合に投影されるＣの領域の少なくとも一部が重複していることを指すものと定義される。
（実施の形態１）
［１．１ 高周波モジュール１および通信装置５の回路構成］
図１は、実施の形態１に係る高周波モジュール１および通信装置５の回路構成図である。同図に示すように、通信装置５は、高周波モジュール１と、アンテナ２と、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）３と、ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）４と、を備える。
ＲＦＩＣ３は、アンテナ２で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１の受信信号経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ４へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ４から入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号を、高周波モジュール１の送信信号経路に出力する。
ＢＢＩＣ４は、高周波モジュール１を伝搬する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理する回路である。ＢＢＩＣ４で処理された信号は、例えば、画像表示のための画像信号として使用され、または、スピーカを介した通話のために音声信号として使用される。
また、ＲＦＩＣ３は、使用される通信バンド（周波数帯域）に基づいて、高周波モジュール１が有するスイッチ５１Ａ、５１Ｂ、５２Ａ、５２Ｂ、および５５の接続を制御する制御部としての機能も有する。具体的には、ＲＦＩＣ３は、制御信号（図示せず）によって、高周波モジュール１が有するスイッチ５１Ａ〜５５の接続を切り替える。なお、制御部は、ＲＦＩＣ３の外部に設けられていてもよく、例えば、高周波モジュール１またはＢＢＩＣ４に設けられていてもよい。
アンテナ２は、高周波モジュール１の共通端子１００に接続され高周波モジュール１から出力された高周波信号を放射し、また、外部からの高周波信号を受信して高周波モジュール１へ出力する。
なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ２およびＢＢＩＣ４は、必須の構成要素ではない。
次に、高周波モジュール１の詳細な構成について説明する。
図１に示すように、高周波モジュール１は、共通端子１００と、送信端子１１０Ａおよび１１０Ｂと、低雑音増幅回路３０と、電力増幅回路４０と、デュプレクサ２１、２２、２３および２４と、送信整合回路５４Ａおよび５４Ｂと、受信整合回路５３Ａおよび５３Ｂと、整合回路６１、６２、６３および６４と、スイッチ５１Ａ、５１Ｂ、５２Ａ、５２Ｂ、および５５と、を備える。
共通端子１００は、アンテナ２に接続される。
低雑音増幅回路３０は、低雑音増幅器３０Ａおよび３０Ｂを有している。低雑音増幅器３０Ａは、通信バンドＡ（第１通信バンド）および通信バンドＢの高周波信号を低雑音で増幅する第１低雑音増幅器である。また、低雑音増幅器３０Ｂは、通信バンドＣ（第２通信バンド）および通信バンドＤの高周波信号を低雑音で増幅する第２低雑音増幅器である。
電力増幅回路４０は、電力増幅器４０Ａおよび４０Ｂを有している。電力増幅器４０Ａは、通信バンドＡ（第１通信バンド）および通信バンドＢの高周波信号を増幅する第１電力増幅器である。また、電力増幅器４０Ｂは、通信バンドＣ（第２通信バンド）および通信バンドＤの高周波信号を増幅する第２電力増幅器である。
デュプレクサ２１は、送信フィルタ２１Ｔおよび受信フィルタ２１Ｒを有する。デュプレクサ２２は、送信フィルタ２２Ｔおよび受信フィルタ２２Ｒを有する。デュプレクサ２３は、送信フィルタ２３Ｔおよび受信フィルタ２３Ｒを有する。デュプレクサ２４は、送信フィルタ２４Ｔおよび受信フィルタ２４Ｒを有する。
送信フィルタ２１Ｔは、電力増幅器４０Ａと共通端子１００とを結ぶ送信経路に配置され、電力増幅器４０Ａで増幅された高周波送信信号のうち、通信バンドＡの送信帯域の高周波送信信号を通過させる。また、送信フィルタ２２Ｔは、電力増幅器４０Ａと共通端子１００とを結ぶ送信経路に配置され、電力増幅器４０Ａで増幅された高周波送信信号のうち、通信バンドＢの送信帯域の高周波送信信号を通過させる。また、送信フィルタ２３Ｔは、電力増幅器４０Ｂと共通端子１００とを結ぶ送信経路に配置され、電力増幅器４０Ｂで増幅された高周波送信信号のうち、通信バンドＣの送信帯域の高周波送信信号を通過させる。また、送信フィルタ２４Ｔは、電力増幅器４０Ｂと共通端子１００とを結ぶ送信経路に配置され、電力増幅器４０Ｂで増幅された高周波送信信号のうち、通信バンドＤの送信帯域の高周波送信信号を通過させる。
受信フィルタ２１Ｒは、低雑音増幅器３０Ａと共通端子１００とを結ぶ受信経路に配置され、共通端子１００から入力された高周波受信信号のうち、通信バンドＡの受信帯域の高周波受信信号を通過させる。また、受信フィルタ２２Ｒは、低雑音増幅器３０Ａと共通端子１００とを結ぶ受信経路に配置され、共通端子１００から入力された高周波受信信号のうち、通信バンドＢの受信帯域の高周波受信信号を通過させる。また、受信フィルタ２３Ｒは、低雑音増幅器３０Ｂと共通端子１００とを結ぶ受信経路に配置され、共通端子１００から入力された高周波受信信号のうち、通信バンドＣの受信帯域の高周波受信信号を通過させる。また、受信フィルタ２４Ｒは、低雑音増幅器３０Ｂと共通端子１００とを結ぶ受信経路に配置され、共通端子１００から入力された高周波受信信号のうち、通信バンドＤの受信帯域の高周波受信信号を通過させる。
なお、上記の送信フィルタ２１Ｔ〜２４Ｔおよび受信フィルタ２１Ｒ〜２４Ｒは、例えば、弾性表面波フィルタ、ＢＡＷ（Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）を用いた弾性波フィルタ、ＬＣ共振フィルタ、および誘電体フィルタのいずれかであってもよく、さらには、これらには限定されない。
送信整合回路５４Ａは、電力増幅器４０Ａと送信フィルタ２１Ｔおよび２２Ｔとを結ぶ送信経路に配置され、電力増幅器４０Ａと送信フィルタ２１Ｔおよび２２Ｔとのインピーダンス整合をとる。送信整合回路５４Ｂは、電力増幅器４０Ｂと送信フィルタ２３Ｔおよび２４Ｔとを結ぶ送信経路に配置され、電力増幅器４０Ｂと送信フィルタ２３Ｔおよび２４Ｔとのインピーダンス整合をとる。
送信整合回路５４Ａは、電力増幅器４０Ａの出力端子に接続された１以上の第１インダクタ（第１送信整合用インダクタ）を含む。送信整合回路５４Ｂは、電力増幅器４０Ｂの出力端子に接続された１以上の第１インダクタ（第１送信整合用インダクタ）を含む。なお、送信整合回路５４Ａおよび５４Ｂは、１以上の第１インダクタのほか、１以上の整合用キャパシタを含んでもよい。
受信整合回路５３Ａは、低雑音増幅器３０Ａと受信フィルタ２１Ｒおよび２２Ｒとを結ぶ受信経路に配置され、低雑音増幅器３０Ａと受信フィルタ２１Ｒおよび２２Ｒとのインピーダンス整合をとる。受信整合回路５３Ｂは、低雑音増幅器３０Ｂと受信フィルタ２３Ｒおよび２４Ｒとを結ぶ受信経路に配置され、低雑音増幅器３０Ｂと受信フィルタ２３Ｒおよび２４Ｒとのインピーダンス整合をとる。
受信整合回路５３Ａは、低雑音増幅器３０Ａの入力端子に接続された１以上の第１インダクタ（第１受信整合用インダクタ）を含む。受信整合回路５３Ｂは、低雑音増幅器３０Ｂの入力端子に接続された１以上の第１インダクタ（第１受信整合用インダクタ）を含む。なお、受信整合回路５３Ａおよび５３Ｂは、１以上の第１インダクタのほか、１以上の整合用キャパシタを含んでもよい。
スイッチ５１Ａは、送信整合回路５４Ａと送信フィルタ２１Ｔおよび２２Ｔとを結ぶ送信経路に配置され、電力増幅器４０Ａと送信フィルタ２１Ｔとの接続、および、電力増幅器４０Ａと送信フィルタ２２Ｔとの接続、を切り替える。スイッチ５１Ａは、例えば、共通端子が送信整合回路５４Ａに接続され、一方の選択端子が送信フィルタ２１Ｔに接続され、他方の選択端子が送信フィルタ２２Ｔに接続された、ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｐｏｌｅ Ｄｏｕｂｌｅ Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチ回路で構成される。スイッチ５１Ｂは、送信整合回路５４Ｂと送信フィルタ２３Ｔおよび２４Ｔとを結ぶ送信経路に配置され、電力増幅器４０Ｂと送信フィルタ２３Ｔとの接続、および、電力増幅器４０Ｂと送信フィルタ２４Ｔとの接続、を切り替える。スイッチ５１Ｂは、例えば、共通端子が送信整合回路５４Ｂに接続され、一方の選択端子が送信フィルタ２３Ｔに接続され、他方の選択端子が送信フィルタ２４Ｔに接続されたＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。
スイッチ５２Ａは、受信整合回路５３Ａと受信フィルタ２１Ｒおよび２２Ｒとを結ぶ受信経路に配置され、低雑音増幅器３０Ａと受信フィルタ２１Ｒとの接続、および、低雑音増幅器３０Ａと受信フィルタ２２Ｒとの接続、を切り替える。スイッチ５２Ａは、例えば、共通端子が受信整合回路５３Ａに接続され、一方の選択端子が受信フィルタ２１Ｒに接続され、他方の選択端子が受信フィルタ２２Ｒに接続されたＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。スイッチ５２Ｂは、受信整合回路５３Ｂと受信フィルタ２３Ｒおよび２４Ｒとを結ぶ受信経路に配置され、低雑音増幅器３０Ｂと受信フィルタ２３Ｒとの接続、および、低雑音増幅器３０Ｂと受信フィルタ２４Ｒとの接続、を切り替える。スイッチ５２Ｂは、例えば、共通端子が受信整合回路５３Ｂに接続され、一方の選択端子が受信フィルタ２３Ｒに接続され、他方の選択端子が受信フィルタ２４Ｒに接続されたＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。
スイッチ５５は、共通端子１００と送信フィルタ２１Ｔ〜２４Ｔおよび受信フィルタ２１Ｒ〜２４Ｒとを結ぶ信号経路に配置され、（１）共通端子１００と送信フィルタ２１Ｔおよび受信フィルタ２１Ｒとの接続、（２）共通端子１００と送信フィルタ２２Ｔおよび受信フィルタ２２Ｒとの接続、（３）共通端子１００と送信フィルタ２３Ｔおよび受信フィルタ２３Ｒとの接続、ならびに、（４）共通端子１００と送信フィルタ２４Ｔおよび受信フィルタ２４Ｒとの接続、を切り替える。なお、スイッチ５５は、上記（１）〜（４）のうちの２以上の接続を同時に行うことが可能なマルチ接続型のスイッチ回路で構成される。
整合回路６１は、スイッチ５５と送信フィルタ２１Ｔおよび受信フィルタ２１Ｒとを結ぶ経路に配置され、アンテナ２およびスイッチ５５と、送信フィルタ２１Ｔおよび受信フィルタ２１Ｒとのインピーダンス整合をとる。整合回路６２は、スイッチ５５と送信フィルタ２２Ｔおよび受信フィルタ２２Ｒとを結ぶ経路に配置され、アンテナ２およびスイッチ５５と、送信フィルタ２２Ｔおよび受信フィルタ２２Ｒとのインピーダンス整合をとる。整合回路６３は、スイッチ５５と送信フィルタ２３Ｔおよび受信フィルタ２３Ｒとを結ぶ経路に配置され、アンテナ２およびスイッチ５５と、送信フィルタ２３Ｔおよび受信フィルタ２３Ｒとのインピーダンス整合をとる。整合回路６４は、スイッチ５５と送信フィルタ２４Ｔおよび受信フィルタ２４Ｒとを結ぶ経路に配置され、アンテナ２およびスイッチ５５と、送信フィルタ２４Ｔおよび受信フィルタ２４Ｒとのインピーダンス整合をとる。
整合回路６１〜６４は、それぞれ、１以上の第１インダクタを含む。なお、整合回路６１〜６４は、１以上の第１インダクタのほか、１以上の整合用キャパシタを含んでもよい。
上記高周波モジュール１の構成において、電力増幅器４０Ａ、送信整合回路５４Ａ、および送信フィルタ２１Ｔは、共通端子１００に向けて通信バンドＡ（第１通信バンド）の高周波送信信号を出力する第１送信回路を構成する。また、電力増幅器４０Ｂ、送信整合回路５４Ｂ、および送信フィルタ２３Ｔは、共通端子１００に向けて通信バンドＣ（第２通信バンド）の高周波送信信号を出力する第２送信回路を構成する。第１送信回路および第２送信回路は、送信端子１１０Ａまたは１１０Ｂから入力された高周波信号を処理して共通端子１００に出力する送信回路を構成する。
また、低雑音増幅器３０Ａ、受信整合回路５３Ａ、および受信フィルタ２１Ｒは、アンテナ２から共通端子１００を介して通信バンドＡ（第１通信バンド）の高周波受信信号を入力する第１受信回路を構成する。また、低雑音増幅器３０Ｂ、受信整合回路５３Ｂ、および受信フィルタ２３Ｒは、アンテナ２から共通端子１００を介して通信バンドＣ（第２通信バンド）の高周波受信信号を入力する第２受信回路を構成する。第１受信回路および第２受信回路は、共通端子１００から入力された高周波信号を処理して受信端子１２０Ａまたは１２０Ｂに出力する受信回路を構成する。
上記回路構成によれば、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、通信バンドＡ、Ｂ、ＣおよびＤのいずれかの通信バンドの高周波信号を送受信することが可能である。さらに、通信バンドＡおよび通信バンドＢのいずれかの通信バンドの高周波信号と、通信バンドＣおよび通信バンドＤのいずれかの通信バンドの高周波信号とを、同時送信、同時受信、および同時送受信の少なくともいずれかを実行することが可能である。
なお、本発明に係る高周波モジュールは、必須の回路構成として、電力増幅器４０Ａ、送信整合回路５４Ａ、および送信フィルタ２１Ｔのうちの少なくとも１つを有する送信回路、ならびに、低雑音増幅器３０Ａ、受信整合回路５３Ａ、および受信フィルタ２１Ｒのうちの少なくとも１つを有する受信回路を備え、さらに、送信整合回路５４Ａ、受信整合回路５３Ａ、および整合回路６１のうちの少なくとも１つを備える。送信整合回路５４Ａ、受信整合回路５３Ａ、および整合回路６１は、高周波モジュール１が有する２つの回路素子間のインピーダンス整合をとる第１インダクタを含む。
ここで、上記高周波モジュール１を構成する各回路素子を、コンパクトなフロントエンド回路として１つのモジュールで構成する場合、例えば、送信回路と受信回路とが近接し、送信回路（例えば、送信整合回路５４Ａまたは５４Ｂ）のインダクタンス成分と受信回路（例えば、受信整合回路５３Ａまたは５３Ｂ）のインダクタンス成分とが磁界結合することが想定される。この場合、電力増幅器４０Ａまたは４０Ｂで増幅された高出力の高周波送信信号、その高調波成分、または、当該高周波送信信号と他の高周波信号との相互変調歪成分が、上記磁界結合を介して受信回路に流入すると、受信回路の受信感度が劣化してしまう。
これに対して、本実施の形態に係る高周波モジュール１では、送信回路のインダクタンス成分と受信回路のインダクタンス成分とが磁界結合することを抑制する構成を有している。以下では、本実施の形態に係る高周波モジュール１の上記磁界結合を抑制する構成について説明する。
［１．２ 高周波モジュール１の回路素子配置構成］
図２は、実施の形態１に係る高周波モジュール１の断面構成概略図および平面構成概略図である。図２の（ａ）は、高周波モジュール１の断面構成概略図であり、具体的には、図２の（ｂ）のＩＩ−ＩＩ線における断面図である。
図２に示すように、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、図１に示された回路構成に加えて、さらに、実装基板８０と、ボンディングワイヤ７１Ｇおよび７２Ｇと、樹脂部材９０と、を有している。ボンディングワイヤ７１Ｇおよび７２Ｇは、送信回路に含まれる。
実装基板８０は、上記送信回路および上記受信回路を実装する基板である。実装基板８０としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）基板、または、プリント基板等が用いられる。
図２に示すように、低雑音増幅回路３０、電力増幅回路４０、受信整合回路５３Ａおよび５３Ｂ、送信整合回路５４Ａおよび５４Ｂ、ならびに、デュプレクサ２１〜２４は、実装基板８０の主面に表面実装されている。
電力増幅回路４０は、例えば、電力増幅器４０Ａおよび４０Ｂが内蔵された半導体ＩＣで構成されている。この半導体ＩＣは、電力増幅器４０Ａおよび４０Ｂのほか、スイッチ５１Ａ〜５５およびディジタル制御回路を内蔵していてもよい。
低雑音増幅回路３０は、例えば、低雑音増幅器３０Ａおよび３０Ｂが内蔵された半導体ＩＣで構成されている。この半導体ＩＣは、低雑音増幅器３０Ａおよび３０Ｂのほか、スイッチ５１Ａ〜５５およびディジタル制御回路を内蔵していてもよい。
上記半導体ＩＣは、例えば、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）で構成されている。これにより、半導体ＩＣを安価に製造することが可能となる。なお、半導体ＩＣは、ＧａＡｓで構成されていてもよい。これにより、高品質な増幅性能および雑音性能を有する高周波信号を出力することが可能となる。
樹脂部材９０は、実装基板８０上に配置され、上記送信回路および上記受信回路の少なくとも一部を覆っており、上記送信回路および上記受信回路を構成する回路素子の機械強度および耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。なお、樹脂部材９０は、本発明に係る高周波モジュールに必須の構成要素ではない。
ボンディングワイヤ７２Ｇは、その両端が、電力増幅回路４０の互いに背向する主面のうちの実装基板８０から遠い方の主面（以下、天面と記す）に形成されたグランド電極４２Ｇ、および、実装基板８０上に形成されたグランド電極８２Ｇに接触して接続されている。
ボンディングワイヤ７１Ｇは、その両端が、実装基板８０上に形成されたグランド電極８１Ｇ１および８１Ｇ２に接触して接続されている。つまり、ボンディングワイヤ７１Ｇは、グランドに接続されている。図２の（ａ）に示すように、ボンディングワイヤ７１Ｇは、送信整合回路５４Ｂ（の第１インダクタ）を跨いでいる。より具体的には、図２の（ｂ）に示すように、実装基板８０を平面視した場合、ボンディングワイヤ７１Ｇと送信整合回路５４Ｂ（の第１インダクタ）とは重複している。また、図２の（ａ）に示すように、実装基板８０を断面視した場合、ボンディングワイヤ７１Ｇは、送信整合回路５４Ｂ（の第１インダクタ）を跨いでいる。
このボンディングワイヤ７１Ｇの構成によれば、送信回路のインダクタンス成分となる送信整合回路５４Ｂの第１インダクタと、受信回路のインダクタンス成分とが磁界結合することを抑制できる。これにより、電力増幅器４０Ａまたは４０Ｂで増幅された高出力の高周波送信信号、その高調波成分、または、当該高周波送信信号と他の高周波信号との相互変調歪成分が、上記磁界結合を介して受信回路に流入することを抑制できる。よって、送受信回路間のアイソレーション特性を向上でき、受信回路の受信感度劣化を抑制できる。
なお、本実施の形態に係るボンディングワイヤ７１Ｇの構成は、受信回路におけるノイズ成分の発生源である送信回路からの磁界発生を抑制するものである。
なお、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、図２の（ａ）に示すように、ボンディングワイヤ７１Ｇは、送信整合回路５４Ｂ（の第１インダクタ）のみを跨いでいる。
これによれば、グランド接続されたボンディングワイヤ７１Ｇを、送信整合回路５４Ｂの第１インダクタに、より接近して配置できるので、当該第１インダクタから発生する磁界を、より効果的に遮蔽することが可能となる。よって、送受信回路間のアイソレーション特性を向上でき、受信回路の受信感度劣化を効果的に抑制できる。
また、図２の（ｂ）に示すように、グランドに接続された互いに平行な複数のボンディングワイヤ７１Ｇ（複数の第１ボンディングワイヤ）が配置されていてもよい。
これによれば、互いに平行な複数のボンディングワイヤ７１Ｇにより、当該第１インダクタから発生する磁界を、より強力に遮蔽することが可能となる。よって、送受信回路間のアイソレーション特性を向上でき、受信回路の受信感度劣化を抑制できる。
さらに、図２には図示していないが、送信整合回路５４Ｂの第１インダクタを跨ぐボンディングワイヤは、実装基板８０を平面視した場合に、グランドに接続された互いに平行な複数のボンディングワイヤ７１Ｇ（複数の第１ボンディングワイヤ）と、複数のボンディングワイヤ７１Ｇと交差する複数の第２ボンディングワイヤとで構成されていてもよい。この場合、複数の第１ボンディングワイヤは送信整合回路５４Ｂ（の第１インダクタ）を跨いでおり、かつ、複数の第２ボンディングワイヤは送信整合回路５４Ｂ（の第１インダクタ）を跨いでいてもよい。
これによれば、互いに交差する複数のボンディングワイヤにより、当該第１インダクタから発生する磁界を、より強力に遮蔽することが可能となる。よって、送受信回路間のアイソレーション特性を向上でき、受信回路の受信感度劣化を抑制できる。
また、本実施の形態に係る高周波モジュール１では、送信回路は、送信フィルタ２１Ｔ〜２４Ｔを有し、受信回路は、受信フィルタ２１Ｒ〜２４Ｒを有している。ここで、図２の（ｂ）に示すように、実装基板８０を平面視した場合に、送信フィルタ２１Ｔ〜２４Ｔおよび受信フィルタ２１Ｒ〜２４Ｒは、送信回路が配置された領域と、受信回路が配置された領域との境界領域に配置されていてもよい。
上記構成によれば、低雑音増幅回路３０、受信整合回路５３Ａおよび５３Ｂと、電力増幅回路４０、送信整合回路５４Ａおよび５４Ｂとの間に、導電部材を有する回路素子である送信フィルタ２１Ｔ〜２４Ｔおよび受信フィルタ２１Ｒ〜２４Ｒが配置されている。デュプレクサ２１〜２４のそれぞれを構成する送信フィルタおよび受信フィルタは、信号取り出し電極などの導電部材を複数有しており、例えば、複数の信号取り出し電極のうちの少なくとも１つは、実装基板８０に配置されたグランドパターンと接続されている。これにより、送信回路から発生するインダクタンス成分および受信回路から発生するインダクタンス成分をデュプレクサ２１〜２４の少なくとも１つで遮蔽できる。よって、送信回路と受信回路との磁界結合を抑制でき、送受信回路間のアイソレーション特性を向上できる。
また、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、送信整合回路５４Ｂ（の第１インダクタ）の磁束方向（巻回軸方向）は、実装基板８０の主面に垂直な方向であってもよい。
これによれば、送信整合回路５４Ｂ（の第１インダクタ）の磁束が伸びる方向に、グランド接続されたボンディングワイヤ７１Ｇが配置されているので、当該第１インダクタから発生する磁界を、より強力に遮蔽することが可能となる。よって、受信回路の受信感度劣化を抑制でき、送受信回路間のアイソレーション特性を向上できる。
なお、本実施の形態に係る高周波モジュール１では、図２の（ｂ）に示すように、高周波信号を伝送するボンディングワイヤ（ＨＯＴ）と、魏ランド接続されたボンディングワイヤ（ＧＮＤ）とを略平行させて配置する場合には、電力増幅回路４０および低雑音増幅器３０の天面に配置された信号用パッド電極（ＨＯＴ）を外周側に配置し、グランド用パッド電極（ＧＮＤ））を内周側（中心側）に配置した構造としている。
信号用ボンディングワイヤに高周波信号が流れると当該ワイヤ周囲に磁界が発生する。この磁界が高周波モジュール１内で広がると不要な干渉を発生する場合がある。
これに対して、上記構成により、信号用ボンディングワイヤ（ＨＯＴ）をグランド用ボンディングワイヤ（ＧＮＤ）で覆う（グランド用ボンディングワイヤ（ＧＮＤ）が信号用ボンディングワイヤ（ＨＯＴ）を跨ぐ）ような配置構成とすることができるので、上記磁界の広がりを抑制することができ、信号の干渉を防止することができる。また、外部からの信号が、信号用ボンディングワイヤを介して電力増幅回路４０および低雑音増幅器３０へ漏洩することも防止できる。
［１．３ 高周波モジュール１Ａの回路素子配置構成］
図３は、実施の形態１の変形例１に係る高周波モジュール１Ａの断面構成概略図および平面構成概略図である。図３の（ａ）は、高周波モジュール１Ａの断面構成概略図であり、具体的には、図３の（ｂ）のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。本変形例に係る高周波モジュール１Ａは、実施の形態１に係る高周波モジュール１と比較して、送信整合回路５４Ｂを跨ぐボンディングワイヤの配置構成のみが異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ａについて、実施の形態１に係る高周波モジュール１と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
ボンディングワイヤ７３Ｇは、送信回路に含まれ、その両端が、実装基板８０上に形成されたグランド電極８１Ｇ１および８１Ｇ２に接触して接続されている。つまり、ボンディングワイヤ７３Ｇは、グランドに接続されている。また、図３の（ａ）に示すように、ボンディングワイヤ７３Ｇは、送信整合回路５４Ｂ（の第１インダクタ）および電力増幅回路４０を跨いでいる。より具体的には、図３の（ｂ）に示すように、実装基板８０を平面視した場合、ボンディングワイヤ７３Ｇと送信整合回路５４Ｂ（の第１インダクタ）および電力増幅回路４０とは、重複している。また、図３の（ａ）に示すように、実装基板８０を断面視した場合、ボンディングワイヤ７３Ｇは、送信整合回路５４Ｂ（の第１インダクタ）および電力増幅回路４０を跨いでいる。
このボンディングワイヤ７３Ｇの構成によれば、送信回路のインダクタンス成分となる送信整合回路５４Ｂの第１インダクタと、受信回路のインダクタンス成分とが磁界結合することを抑制できる。また、電力増幅回路４０から放射される高周波送信信号が、ボンディングワイヤ７３Ｇのシールド効果により、外部へ漏洩することを抑制できる。これにより、電力増幅器４０Ａおよび４０Ｂで増幅された高出力の高周波送信信号、その高調波成分、または、当該高周波送信信号と他の高周波信号との相互変調歪成分が、上記磁界結合を介して受信回路に流入することを抑制できる。よって、送受信回路間のアイソレーション特性を向上でき、受信回路の受信感度劣化を抑制できる。
［１．４ 高周波モジュール１Ｂの回路素子配置構成］
図４は、実施の形態１の変形例２に係る高周波モジュール１Ｂの断面構成概略図および平面構成概略図である。図４の（ａ）は、高周波モジュール１Ｂの断面構成概略図であり、具体的には、図４の（ｂ）のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。本変形例に係る高周波モジュール１Ｂは、実施の形態１に係る高周波モジュール１と比較して、送信整合回路５４Ｂを跨ぐボンディングワイヤの配置構成のみが異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｂについて、実施の形態１に係る高周波モジュール１と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
ボンディングワイヤ７２Ｇは、送信回路に含まれ、一端が、実装基板８０上に形成されたグランド電極８２Ｇに接触して接続され、他端が、電力増幅回路４０の天面に形成されたグランド電極４２Ｇに接続されている。
ボンディングワイヤ７１Ｇは、送信回路に含まれ、一端が、実装基板８０上に形成されたグランド電極８１Ｇに接触して接続され、他端が、電力増幅回路４０の天面に形成されたグランド電極４１Ｇに接続されている。また、ボンディングワイヤ７１Ｇは、図４の（ａ）に示すように、ボンディングワイヤ７１Ｇは、送信整合回路５４Ｂ（の第１インダクタ）を跨いでいる。より具体的には、ボンディングワイヤ７１Ｇは、図４の（ｂ）に示すように、実装基板８０を平面視した場合、ボンディングワイヤ７１Ｇと送信整合回路５４Ｂ（の第１インダクタ）とは重複している。また、図４の（ａ）に示すように、実装基板８０を断面視した場合、ボンディングワイヤ７１Ｇは、送信整合回路５４Ｂ（の第１インダクタ）を跨いでいる。
このボンディングワイヤ７１Ｇの構成によれば、送信回路のインダクタンス成分となる送信整合回路５４Ｂの第１インダクタと、受信回路のインダクタンス成分とが磁界結合することを抑制できる。これにより、電力増幅器４０Ａまたは４０Ｂで増幅された高出力の高周波送信信号、その高調波成分、または、当該高周波送信信号と他の高周波信号との相互変調歪成分が、上記磁界結合を介して受信回路に流入することを抑制できる。よって、送受信回路間のアイソレーション特性を向上でき、受信回路の受信感度劣化を抑制できる。
［１．５ 高周波モジュール１Ｃの回路素子配置構成］
図５は、実施の形態１の変形例３に係る高周波モジュール１Ｃの断面構成概略図および平面構成概略図である。本変形例に係る高周波モジュール１Ｃは、変形例２に係る高周波モジュール１Ｂと比較して、電力増幅回路４０の電極配置構成のみが異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｃについて、変形例２に係る高周波モジュール１Ｂと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
変形例２に係る高周波モジュール１Ｂでは、電力増幅回路４０の信号を取り出すための電極は、その天面に形成されていたのに対して、本変形例に係る高周波モジュール１Ｃでは、電力増幅回路４０の天面ではなく、実装基板８０と対向する主面に信号を取り出すための電極およびグランド電極が形成されている。つまり、本変形例に係る電力増幅回路４０は、実装基板８０に対してフリップチップ（フェイスダウン）実装が可能な構成となっている。
本変形例に係るボンディングワイヤ７１Ｇの構成によっても、送信回路のインダクタンス成分となる送信整合回路５４Ｂの第１インダクタと、受信回路のインダクタンス成分とが磁界結合することを抑制できる。これにより、電力増幅器４０Ａまたは４０Ｂで増幅された高出力の高周波送信信号、その高調波成分、または、当該高周波送信信号と他の高周波信号との相互変調歪成分が、上記磁界結合を介して受信回路に流入することを抑制できる。よって、送受信回路間のアイソレーション特性を向上でき、受信回路の受信感度劣化を抑制できる。
［１．６ 高周波モジュール１Ｄの回路素子配置構成］
図６は、実施の形態１の変形例４に係る高周波モジュール１Ｄの断面構成概略図および平面構成概略図である。本変形例に係る高周波モジュール１Ｄは、実施の形態１に係る高周波モジュール１と比較して、受信フィルタ２４Ｒを跨ぐボンディングワイヤ８８Ｇの配置構成のみが異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｄについて、実施の形態１に係る高周波モジュール１と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
ボンディングワイヤ８８Ｇは、一端が、実装基板８０上に形成されたグランド電極８９Ｇに接触して接続され、他端が、電力増幅回路４０の天面に形成されたグランド電極４３Ｇに接続された第３ボンディングワイヤである。また、ボンディングワイヤ８８Ｇは、図６に示すように、受信フィルタ２４Ｒを跨いでいる。
このボンディングワイヤ８８Ｇの構成によれば、電力増幅回路４０から放射される高周波送信信号が、ボンディングワイヤ８８Ｇのシールド効果により、受信フィルタ２４Ｒへ到達することを抑制できる。これにより、電力増幅器４０Ａまたは４０Ｂで増幅された高出力の高周波送信信号、その高調波成分、または、当該高周波送信信号と他の高周波信号との相互変調歪成分が、受信回路に流入することを抑制できるので、送受信回路間のアイソレーション特性を向上でき、受信回路の受信感度劣化を抑制できる。
なお、ボンディングワイヤ８８Ｇは、両端が、実装基板８０に形成されたグランド電極で接触して接続され、受信フィルタ２４Ｒを跨いでいてもよい。
また、上記接続構成を有するボンディングワイヤ８８Ｇは、受信フィルタ２４Ｒだけでなく、受信フィルタ２１Ｒ〜２３Ｒに対して配置されていてもよい。つまり、上記接続構成を有するボンディングワイヤ８８Ｇは、受信フィルタ２１Ｒ〜２４Ｒの少なくとも１つに対して配置されていればよい。
［１．７ 高周波モジュール１Ｅの回路素子配置構成］
図７は、実施の形態１の変形例５に係る高周波モジュール１Ｅの断面構成概略図である。本変形例に係る高周波モジュール１Ｅは、実施の形態１に係る高周波モジュール１と比較して、シールド電極層９５が配置されている点、および、送信整合回路５４Ｂ（の第１インダクタ）を跨ぐボンディングワイヤ７１Ｇの配置構成が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｅについて、実施の形態１に係る高周波モジュール１と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
シールド電極層９５は、樹脂部材９０の天面および側面を覆うように形成されたグランド電極である。なお、シールド電極層９５は、実装基板８０に形成されたグランド電極パターンと、実装基板８０の側面で接触して接続されている。
ボンディングワイヤ７１Ｇは、送信回路に含まれ、一端が、実装基板８０上に形成されたグランド電極８１Ｇ２に接触して接続され、他端が、シールド電極層９５に接触して接続されている。
このボンディングワイヤ７１Ｇの構成によれば、送信回路のインダクタンス成分となる送信整合回路５４Ｂの第１インダクタと、受信回路のインダクタンス成分とが磁界結合することを抑制できる。これにより、電力増幅器４０Ａまたは４０Ｂで増幅された高出力の高周波送信信号、その高調波成分、または、当該高周波送信信号と他の高周波信号との相互変調歪成分が、上記磁界結合を介して受信回路に流入することを抑制できるので、送受信回路間のアイソレーション特性を向上でき、受信回路の受信感度劣化を抑制できる。
［１．８ 高周波モジュール１Ｆの回路素子配置構成］
図８は、実施の形態１の変形例６に係る高周波モジュール１Ｆの断面構成概略図および平面構成概略図である。図８の（ａ）は、高周波モジュール１Ｆの断面構成概略図であり、具体的には、図８の（ｂ）のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線における断面図である。本変形例に係る高周波モジュール１Ｆは、実施の形態１に係る高周波モジュール１と比較して、受信回路側に配置されたボンディングワイヤの配置構成が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｆについて、実施の形態１に係る高周波モジュール１と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
ボンディングワイヤ７３Ｇは、受信回路に含まれ、その両端が、低雑音増幅回路３０の天面に形成されたグランド電極３２Ｇ、および、実装基板８０上に形成されたグランド電極８３Ｇに接触して接続されている。
ボンディングワイヤ７４Ｇは、受信回路に含まれ、その両端が、実装基板８０上に形成されたグランド電極８４Ｇ１および８４Ｇ２に接触して接続されている。つまり、ボンディングワイヤ７４Ｇは、グランドに接続されている。図８の（ａ）に示すように、ボンディングワイヤ７４Ｇは、受信整合回路５３Ｂ（の第１インダクタ）を跨いでいる。より具体的には、図８の（ｂ）に示すように、実装基板８０を平面視した場合、ボンディングワイヤ７４Ｇと受信整合回路５３Ｂ（の第１インダクタ）とは重複している。また、図８の（ａ）に示すように、実装基板８０を断面視した場合、ボンディングワイヤ７４Ｇは、受信整合回路５３Ｂ（の第１インダクタ）を跨いでいる。
このボンディングワイヤ７４Ｇの構成によれば、受信回路のインダクタンス成分となる受信整合回路５３Ｂの第１インダクタと、送信回路のインダクタンス成分とが磁界結合することを抑制できる。これにより、電力増幅器４０Ａまたは４０Ｂで増幅された高出力の高周波送信信号、その高調波成分、または、当該高周波送信信号と他の高周波信号との相互変調歪成分が、上記磁界結合を介して受信回路に流入することを抑制できる。よって、送受信回路間のアイソレーション特性を向上でき、受信回路の受信感度劣化を抑制できる。
なお、本変形例では、上記磁界結合を受信回路側で抑制する構成となっている。
なお、本変形例に係る高周波モジュール１Ｆは、図８の（ｂ）に示すように、ボンディングワイヤ７４Ｇは、受信整合回路５３Ｂ（の第１インダクタ）のみを跨いでいる。
これによれば、グランド接続されたボンディングワイヤ７４Ｇを、受信整合回路５３Ｂの第１インダクタに、より接近配置できるので、当該第１インダクタの磁界が外部の磁界と結合することを、より効果的に抑制することが可能となる。よって、送受信回路間のアイソレーション特性を向上でき、受信回路の受信感度劣化を効果的に抑制できる。
また、図８の（ｂ）に示すように、グランドに接続された互いに略平行な複数のボンディングワイヤ７４Ｇ（複数の第１ボンディングワイヤ）が配置されていてもよい。
これによれば、互いに略平行な複数のボンディングワイヤ７４Ｇにより、当該第１インダクタの磁界が外部の磁界と結合することを、より強力に抑制することが可能となる。よって、送受信回路間のアイソレーション特性を向上でき、受信回路の受信感度劣化を抑制できる。
さらに、図８には図示していないが、受信整合回路５３Ｂの第１インダクタを跨ぐボンディングワイヤは、実装基板８０を平面視した場合に、グランドに接続された互いに略平行な複数のボンディングワイヤ７４Ｇ（複数の第１ボンディングワイヤ）と、複数のボンディングワイヤ７４Ｇと交差する複数の第２ボンディングワイヤとで構成されていてもよい。この場合、複数のボンディングワイヤ７４Ｇは受信整合回路５３Ｂ（の第１インダクタ）を跨いでおり、かつ、複数の第２ボンディングワイヤは受信整合回路５３Ｂ（の第１インダクタ）を跨いでいてもよい。
これによれば、互いに交差する複数のボンディングワイヤにより、当該第１インダクタの磁界が外部の磁界と結合することを、より強力に遮蔽することが可能となる。よって、送受信回路間のアイソレーション特性を向上でき、受信回路の受信感度劣化を抑制できる。
また、本変形例に係る高周波モジュール１Ｆにおいて、受信整合回路５３Ｂ（の第１インダクタ）の磁束方向（巻回軸方向）は、実装基板８０の主面に垂直な方向であることが望ましい。
これによれば、受信整合回路５３Ｂ（の第１インダクタ）の磁束が伸びる方向に、グランド接続されたボンディングワイヤ７４Ｇが配置されているので、当該第１インダクタの磁界が外部の磁界と結合することを、より強力に抑制することが可能となる。よって、送受信回路間のアイソレーション特性を向上でき受信回路の受信感度劣化を抑制できる。
また、ボンディングワイヤ７４Ｇは、受信整合回路５３Ｂ（の第１インダクタ）および低雑音増幅回路３０を跨いでいてもよい。
これによれば、受信回路のインダクタンス成分となる受信整合回路５３Ｂの第１インダクタと、送信回路のインダクタンス成分とが磁界結合することを抑制できる。また、送信回路から放射される高周波送信信号が、ボンディングワイヤ７４Ｇのシールド効果により、低雑音増幅器３０Ａおよび３０Ｂに侵入することを抑制できる。これにより、電力増幅器４０Ａまたは４０Ｂで増幅された高出力の高周波送信信号、その高調波成分、または、当該高周波送信信号と他の高周波信号との相互変調歪成分が、上記磁界結合を介して受信回路に流入することを抑制できる。よって、送受信回路間のアイソレーション特性を向上でき、受信回路の受信感度劣化を抑制できる。
また、ボンディングワイヤ７４Ｇは、一端が、実装基板８０上に形成されたグランド電極に接触して接続され、他端が、低雑音増幅回路３０の天面に形成されたグランド電極に接続されていてもよい。
これによれば、受信回路のインダクタンス成分となる受信整合回路５３Ｂの第１インダクタと、送信回路のインダクタンス成分とが磁界結合することを抑制できる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、異なる通信バンドの高周波信号を伝送する送信回路および受信回路の間での磁界結合を抑制する高周波モジュールの構成について示す。
［２．１ 高周波モジュール１Ｇの回路素子配置構成］
図９は、実施の形態２に係る高周波モジュール１Ｇの平面構成概略図および断面構成概略図である。なお、本実施の形態およびその変形例に係る高周波モジュールは、実施の形態１に係る高周波モジュール１と同様に、図１に示された回路構成を有している。
本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｇは、共通端子１００と、送信端子１１０Ａおよび１１０Ｂと、低雑音増幅回路３０（低雑音増幅器３０Ａおよび３０Ｂ）と、電力増幅回路４０（電力増幅器４０Ａおよび４０Ｂ）と、デュプレクサ２１、２２、２３および２４と、送信整合回路５４Ａおよび５４Ｂと、受信整合回路５３Ａおよび５３Ｂと、整合回路６１、６２、６３および６４と、スイッチ５１Ａ、５１Ｂ、５２Ａ、５２Ｂ、および５５と、実装基板８０と、ボンディングワイヤ７５および７６と、樹脂部材９１および９２と、を有している。
電力増幅器４０Ａ、送信整合回路５４Ａ、および送信フィルタ２１Ｔは、共通端子１００に向けて通信バンドＡ（第１通信バンド）の高周波送信信号を出力する第１送信回路を構成する。また、電力増幅器４０Ｂ、送信整合回路５４Ｂ、および送信フィルタ２３Ｔは、共通端子１００に向けて通信バンドＣ（第２通信バンド）の高周波送信信号を出力する第２送信回路を構成する。
また、低雑音増幅器３０Ａ、受信整合回路５３Ａ、および受信フィルタ２１Ｒは、アンテナ２から共通端子１００を介して通信バンドＡ（第１通信バンド）の高周波受信信号を入力する第１受信回路を構成する。また、低雑音増幅器３０Ｂ、受信整合回路５３Ｂ、および受信フィルタ２３Ｒは、アンテナ２から共通端子１００を介して通信バンドＣ（第２通信バンド）の高周波受信信号を入力する第２受信回路を構成する。
なお、図９の（ａ）および（ｂ）には、高周波モジュール１Ｇが備える回路素子のうちの一部の回路素子が示されている。
図９の（ｂ）に示すように、実装基板８０は、互いに背向する第１主面および第２主面を有している。実装基板８０の第１主面には、電力増幅器４０Ａ、低雑音増幅器３０Ｂ、送信整合回路５４Ａ、受信整合回路５３Ｂ、および、ボンディングワイヤ７５が実装されている。また、実装基板８０の第２主面には、電力増幅器４０Ｂ、低雑音増幅器３０Ａ（図示せず）、送信整合回路５４Ｂ（図示せず）、受信整合回路５３Ａ、および、ボンディングワイヤ７６が実装されている。
ボンディングワイヤ７５は、受信回路に含まれ、その両端が、実装基板８０の第１主面上に形成されたグランド電極に接触して接続されている。つまり、ボンディングワイヤ７５は、グランドに接続されている。図９の（ｂ）に示すように、ボンディングワイヤ７５は、受信整合回路５３Ｂ（の第１インダクタ）を跨いでいる。より具体的には、図９の（ａ）に示すように、実装基板８０を平面視した場合、ボンディングワイヤ７５と受信整合回路５３Ｂ（の第１インダクタ）とは重複している。また、図９の（ｂ）に示すように、実装基板８０を断面視した場合、ボンディングワイヤ７５は、受信整合回路５３Ｂ（の第１インダクタ）を跨いでいる。つまり、受信整合回路５３Ｂは、ボンディングワイヤ７５が跨がっている第１インダクタを含む。
このボンディングワイヤ７５の構成によれば、第２受信回路のインダクタンス成分となる受信整合回路５３Ｂの第１インダクタと、第１送信回路の送信整合回路５４Ａのインダクタンス成分とが磁界結合することを抑制できる。また、第１送信回路の電力増幅器４０Ａから放射される高周波送信信号が、ボンディングワイヤ７５のシールド効果により、受信整合回路５３Ｂに侵入することを抑制できる。これにより、第１送信回路の電力増幅器４０Ａで増幅された高出力の高周波送信信号、その高調波成分、または、当該高周波送信信号と他の高周波信号との相互変調歪成分が、上記磁界結合を介して第２受信回路に流入することを抑制できる。よって、送受信回路間のアイソレーション特性を向上でき、第２受信回路の受信感度劣化を抑制できる。
ボンディングワイヤ７６は、受信回路に含まれ、その両端が、実装基板８０の第２主面上に形成されたグランド電極に接触して接続されている。つまり、ボンディングワイヤ７６は、グランドに接続されている。図９の（ｂ）に示すように、ボンディングワイヤ７６は、受信整合回路５３Ａ（の第１インダクタ）を跨いでいる。より具体的には、実装基板８０を平面視した場合、ボンディングワイヤ７６と受信整合回路５３Ａ（の第１インダクタ）とは重複している。また、図９の（ｂ）に示すように、実装基板８０を断面視した場合、ボンディングワイヤ７６は、受信整合回路５３Ａ（の第１インダクタ）を跨いでいる。つまり、受信整合回路５３Ａは、ボンディングワイヤ７６が跨がっている第１インダクタを含む。
このボンディングワイヤ７６の構成によれば、第１受信回路のインダクタンス成分となる受信整合回路５３Ａの第１インダクタと、第２送信回路の送信整合回路５４Ｂのインダクタンス成分とが磁界結合することを抑制できる。また、第２送信回路の電力増幅器４０Ｂから放射される高周波送信信号が、ボンディングワイヤ７６のシールド効果により、受信整合回路５３Ａに侵入することを抑制できる。これにより、第２送信回路の電力増幅器４０Ｂで増幅された高出力の高周波送信信号、その高調波成分、または、当該高周波送信信号と他の高周波信号との相互変調歪成分が、上記磁界結合を介して第１受信回路に流入することを抑制できる。よって、送受信回路間のアイソレーション特性を向上でき、第１受信回路の受信感度劣化を抑制できる。
なお、本実施の形態では、受信整合回路５３Ａおよび５３Ｂにボンディングワイヤ７６が跨っている構成を示したが、この構成に代えて、送信整合回路５４Ａおよび５４Ｂにボンディングワイヤが跨っている構成であってもよい。
これによれば、送信回路のインダクタンス成分となる送信整合回路５４Ａまたは５４Ｂの第１インダクタと、受信回路のインダクタンス成分とが磁界結合することを抑制できる。これにより、電力増幅器４０Ａまたは４０Ｂで増幅された高出力の高周波送信信号、その高調波成分、または、当該高周波送信信号と他の高周波信号との相互変調歪成分が、上記磁界結合を介して受信回路に流入することを抑制できる。よって、送受信回路間のアイソレーション特性を向上でき、受信回路の受信感度劣化を抑制できる。
［２．２ 高周波モジュール１Ｈの回路素子配置構成］
図１０は、実施の形態２の変形例７に係る高周波モジュール１Ｈの平面構成概略図および断面構成概略図である。本変形例に係る高周波モジュール１Ｈは、実施の形態２に係る高周波モジュール１Ｇと比較して、低雑音増幅器３０Ｂに配置されたボンディングワイヤの配置構成が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｈについて、実施の形態２に係る高周波モジュール１Ｇと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
ボンディングワイヤ７７は、受信回路に含まれ、実施の形態２に係る高周波モジュール１Ｇのボンディングワイヤ７５と同じ配置構成を有する。ボンディングワイヤ７９は、実施の形態２に係る高周波モジュール１Ｇのボンディングワイヤ７６と同じ配置構成を有する。
ボンディングワイヤ７８は、受信回路に含まれ、その両端が、実装基板８０の第１主面上に形成されたグランド電極に接触して接続されている。つまり、ボンディングワイヤ７８は、グランドに接続されている。図１０の（ｂ）に示すように、ボンディングワイヤ７８は、低雑音増幅器３０Ｂを跨いでいる。より具体的には、図１０の（ａ）に示すように、実装基板８０を平面視した場合、ボンディングワイヤ７８と低雑音増幅器３０Ｂとは重複している。また、図１０の（ｂ）に示すように、実装基板８０を断面視した場合、ボンディングワイヤ７８は、低雑音増幅器３０Ｂを跨いでいる。
このボンディングワイヤ７７および７８の構成によれば、第１送信回路の電力増幅器４０Ａから放射される高周波送信信号が、ボンディングワイヤ７７および７８のシールド効果により、第２受信回路に侵入することを抑制できる。これにより、第１送信回路の電力増幅器４０Ａで増幅された高出力の高周波送信信号、その高調波成分、または、当該高周波送信信号と他の高周波信号との相互変調歪成分が、上記磁界結合を介して第２受信回路に流入することを抑制できる。よって、送受信回路間のアイソレーション特性を向上でき、第２受信回路の受信感度劣化を抑制できる。
なお、図示していないが、グランド電極に接触されたボンディングワイヤが、上記平面視において、低雑音増幅器３０Ａと重複し、上記断面視において、当該ボンディングワイヤが低雑音増幅器３０Ａを跨いでいてもよい。
また、図１０の（ａ）の右側に示すように、グランド電極に接触されたボンディングワイヤが、上記平面視において、受信整合回路５３Ｂおよび低雑音増幅器３０Ｂと重複し、上記断面視において、当該ボンディングワイヤが受信整合回路５３Ｂおよび低雑音増幅器３０Ｂを跨いでいてもよい。
［２．３ 高周波モジュール１Ｊの回路素子配置構成］
図１１は、実施の形態２の変形例８に係る高周波モジュール１Ｊの平面構成概略図および断面構成概略図である。本変形例に係る高周波モジュール１Ｊは、実施の形態２に係る高周波モジュール１Ｇと比較して、受信整合回路５３Ａおよび５３Ｂに配置されたボンディングワイヤの配置構成が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｊについて、実施の形態２に係る高周波モジュール１Ｇと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
ボンディングワイヤ８５は、受信回路に含まれ、その両端が、実装基板８０の第１主面上に形成されたグランド電極に接触して接続されている。つまり、ボンディングワイヤ８５は、グランドに接続されている。図１１の（ｂ）に示すように、ボンディングワイヤ８５は受信整合回路５３Ｂ（の第１インダクタ）を跨いでいる。より具体的には、図１１の（ａ）に示すように、実装基板８０を平面視した場合、ボンディングワイヤ８５と受信整合回路５３Ｂ（の第１インダクタ）とは重複している。また、図１１の（ｂ）に示すように、実装基板８０を断面視した場合、ボンディングワイヤ８５は受信整合回路５３Ｂ（の第１インダクタ）を跨いでいる。さらに、ボンディングワイヤ８５は、互いに平行な複数の第１のボンディングワイヤと、当該複数の第１のボンディングワイヤと交差し、互いに平行な複数の第２のボンディングワイヤと、を含む。なお、複数の第１のボンディングワイヤと複数の第２のボンディングワイヤとは、上記平面視で交差する箇所において接触していてもよい。
このボンディングワイヤ８５の構成によれば、第２受信回路のインダクタンス成分となる受信整合回路５３Ｂの第１インダクタと、第１送信回路の送信整合回路５４Ａのインダクタンス成分とが磁界結合することを抑制できる。また、第１送信回路の電力増幅器４０Ａから放射される高周波送信信号が、ボンディングワイヤ８５のシールド効果により、受信整合回路５３Ｂに侵入することを抑制できる。
ボンディングワイヤ８６は、受信回路に含まれ、その両端が、実装基板８０の第２主面上に形成されたグランド電極に接触して接続されている。つまり、ボンディングワイヤ８６は、グランドに接続されている。図１１の（ｂ）に示すように、ボンディングワイヤ８６は受信整合回路５３Ａ（の第１インダクタ）を跨いでいる。より具体的には、上記平面視において、ボンディングワイヤ８６と受信整合回路５３Ａ（の第１インダクタ）とは重複している。また、図１１の（ｂ）に示すように、実装基板８０を断面視した場合、ボンディングワイヤ８６は受信整合回路５３Ａ（の第１インダクタ）を跨いでいる。さらに、ボンディングワイヤ８６は、互いに平行な複数の第１のボンディングワイヤと、当該複数の第１のボンディングワイヤと交差し、互いに平行な複数の第２のボンディングワイヤと、を含む。なお、複数の第１のボンディングワイヤと複数の第２のボンディングワイヤとは、上記平面視で交差する箇所において接触していてもよい。
このボンディングワイヤ８６の構成によれば、第１受信回路のインダクタンス成分となる受信整合回路５３Ａの第１インダクタと、第２送信回路の送信整合回路５４Ｂのインダクタンス成分とが磁界結合することを抑制できる。また、第２送信回路の電力増幅器４０Ｂから放射される高周波送信信号が、ボンディングワイヤ８６のシールド効果により、受信整合回路５３Ａに侵入することを抑制できる。
［２．４ 高周波モジュール１Ｋの回路素子配置構成］
図１２は、実施の形態２の変形例９に係る高周波モジュール１Ｋの平面構成概略図および断面構成概略図である。本変形例に係る高周波モジュール１Ｋは、実施の形態２に係る高周波モジュール１Ｇと比較して、受信整合回路５３Ａおよび５３Ｂにボンディングワイヤが配置されず導電キャップが配置されている点が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｋについて、実施の形態２に係る高周波モジュール１Ｇと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
導電キャップ９６は、グランドに接続された導電部材であり、第２受信回路の受信整合回路５３Ｃを構成する回路素子のうちの第１インダクタのみを、実装基板８０とで覆っている。
この導電キャップ９６の構成によれば、第２受信回路のインダクタンス成分となる受信整合回路５３Ｃの第１インダクタと、第１送信回路の送信整合回路５４Ａのインダクタンス成分とが磁界結合することを抑制できる。また、第１送信回路の電力増幅器４０Ａから放射される高周波送信信号が、導電キャップ９６のシールド効果により、受信整合回路５３Ｃに侵入することを抑制できる。これにより、第１送信回路の電力増幅器４０Ａで増幅された高出力の高周波送信信号、その高調波成分、または、当該高周波送信信号と他の高周波信号との相互変調歪成分が、上記磁界結合を介して第２受信回路に流入することを抑制できる。よって、送受信回路間のアイソレーション特性を向上でき、第２受信回路の受信感度劣化を抑制できる。
導電キャップ９７は、グランドに接続された導電部材であり、第１受信回路の受信整合回路５３Ｄを構成する回路素子のうちの第１インダクタのみを、実装基板８０とで覆っている。
この導電キャップ９７の構成によれば、第１受信回路のインダクタンス成分となる受信整合回路５３Ｄの第１インダクタと、第２送信回路の送信整合回路５４Ｂのインダクタンス成分とが磁界結合することを抑制できる。また、第２送信回路の電力増幅器４０Ｂから放射される高周波送信信号が、導電キャップ９７のシールド効果により、受信整合回路５３Ｄに侵入することを抑制できる。これにより、第２送信回路の電力増幅器４０Ｂで増幅された高出力の高周波送信信号、その高調波成分、または、当該高周波送信信号と他の高周波信号との相互変調歪成分が、上記磁界結合を介して第１受信回路に流入することを抑制できる。よって、送受信回路間のアイソレーション特性を向上でき、第１受信回路の受信感度劣化を抑制できる。
［２．５ 高周波モジュール１Ｌの回路素子配置構成］
図１３は、実施の形態２の変形例１０に係る高周波モジュール１Ｌの平面構成概略図および断面構成概略図である。本変形例に係る高周波モジュール１Ｌは、実施の形態２に係る高周波モジュール１Ｇと比較して、送信回路と受信回路との間にボンディングワイヤ８７が配置されている点が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｌについて、実施の形態２に係る高周波モジュール１Ｇと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
ボンディングワイヤ８７は、その両端が、実装基板８０上のグランド電極に接触して接続され、実装基板の第１主面を平面視した場合に、電力増幅器４０Ａおよび送信整合回路５４Ａと、低雑音増幅器３０Ｂおよび受信整合回路５３Ｂとの間に配置されている。
また、ボンディングワイヤ８７は、その両端が、実装基板８０上のグランド電極に接触して接続され、実装基板の第２主面を平面視した場合に、電力増幅器４０Ｂおよび送信整合回路５４Ｂと、低雑音増幅器３０Ａおよび受信整合回路５３Ａとの間に配置されている。
つまり、ボンディングワイヤ８７は、実装基板を平面視した場合、第１送信回路と第２受信回路との間、および、第２送信回路と第１受信回路との間に形成されている。
なお、ボンディングワイヤ８７は、第１送信回路と第２受信回路との間、および、第２送信回路と第１受信回路との間、のいずれか一方のみに配置されていてもよい。
これによれば、送信回路のインダクタ成分と受信回路のインダクタ成分とが磁界結合することを抑制できる。また、送信回路の電力増幅器から放射される高周波送信信号が、ボンディングワイヤ８７のシールド効果により、受信回路に侵入することを抑制できる。これにより、送信回路の電力増幅器で増幅された高出力の高周波送信信号、その高調波成分、または、当該高周波送信信号と他の高周波信号との相互変調歪成分が、上記磁界結合を介して受信回路に流入することを抑制できる。よって、送受信回路間のアイソレーション特性を向上でき、受信回路の受信感度劣化を抑制できる。
［２．６ 高周波モジュール１Ｍの回路素子配置構成］
図１４は、実施の形態２の変形例１１に係る高周波モジュール１Ｍの平面構成概略図および断面構成概略図である。本変形例に係る高周波モジュール１Ｍは、変形例１０に係る高周波モジュール１Ｌと比較して、シールド電極層９５が配置されており、ボンディングワイヤ７５Ａがシールド電極層９５と接触している点が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｍについて、変形例１０に係る高周波モジュール１Ｌと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
シールド電極層９５は、樹脂部材９１の天面および側面、ならびに、樹脂部材９２の側面を覆うように形成されたグランド電極である。なお、シールド電極層９５は、実装基板８０に形成されたグランド電極パターンと、実装基板８０の側面で接触して接続されている。
ボンディングワイヤ７５Ａは、その両端が、実装基板８０の第１主面上に形成されたグランド電極に接触して接続されている。つまり、ボンディングワイヤ７５Ａは、グランドに接続されている。図１４の（ｂ）に示すように、ボンディングワイヤ７５Ａは、受信整合回路５３Ｂ（の第１インダクタ）を跨いでいる。より具体的には、図１４の（ａ）に示すように、実装基板８０を平面視した場合、ボンディングワイヤ７５Ａと受信整合回路５３Ｂ（の第１インダクタ）とは重複している。また、図１４の（ｂ）に示すように、実装基板８０を断面視した場合、ボンディングワイヤ７５Ａは、受信整合回路５３Ｂ（の第１インダクタ）を跨いでいる。さらに、ボンディングワイヤ７５Ａは、シールド電極層９５と接触している。さらに、ボンディングワイヤ７５Ａは、シールド電極層９５と接触している。
これによれば、第２受信回路のインダクタンス成分となる受信整合回路５３Ｂの第１インダクタと、第１送信回路の送信整合回路５４Ａのインダクタンス成分とが磁界結合することを抑制できる。さらに、ボンディングワイヤ７５Ａが、シールド電極層９５と接触しているので、上記磁界結合の抑制が強化される。これにより、第１送信回路の電力増幅器４０Ａで増幅された高出力の高周波送信信号、その高調波成分、または、当該高周波送信信号と他の高周波信号との相互変調歪成分が、上記磁界結合を介して第２受信回路に流入することを抑制できる。よって、送受信回路間のアイソレーション特性を向上でき、第２受信回路の受信感度劣化を抑制できる。
（その他の実施の形態など）
以上、本発明の実施の形態に係る高周波モジュールおよび通信装置について、実施の形態１、２およびその変形例を挙げて説明したが、本発明に係る高周波モジュールおよび通信装置は、上記実施の形態およびその変形例に限定されるものではない。上記実施の形態およびその変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態およびその変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波モジュールおよび通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
なお、実施の形態１および２およびその変形例では、送信回路を構成する送信整合回路および受信回路を構成する受信整合回路の少なくとも一方の第１インダクタに対して、グランド接続され、実装基板の平面視において当該第１インダクタと重複し、実装基板の断面視において当該第１インダクタを跨ぐボンディングワイヤを示した。しかしながら、本発明に係る高周波モジュールは、送信回路または受信回路を構成する整合回路に上記ボンディングワイヤが配置されず、図１に示された整合回路６１〜６４の少なくとも１つが有する第１インダクタに対して、グランド接続され、実装基板の平面視において当該第１インダクタと重複し、実装基板の断面視において当該第１インダクタを跨ぐボンディングワイヤが配置されていてもよい。
つまり、実装基板８０上に配置された送信回路および受信回路を備えた高周波モジュールは、送信回路および受信回路の接続ノードと共通端子１００との間に接続された、インピーダンスを整合させるための第１インダクタと、グランドに接続されたボンディングワイヤと、を含み、上記ボンディングワイヤは当該第１インダクタを跨いでいる構成を有していればよい。
なお、この場合、整合回路６１〜６４は、共通端子１００に接続される回路素子（アンテナ２）と、送信フィルタおよび受信フィルタとのインピーダンス整合をとる第１インダクタを含む。
このボンディングワイヤの構成によれば、高周波送信信号が通過する整合回路６１〜６４のいずれかの第１インダクタと、受信回路のインダクタンス成分とが磁界結合することを抑制できる。あるいは、送信回路のインダクタンス成分と、高周波受信信号が通過する整合回路６１〜６４のいずれかの第１インダクタとが磁界結合することを抑制できる。
これにより、電力増幅器４０Ａまたは４０Ｂで増幅された高出力の高周波送信信号、その高調波成分、または、当該高周波送信信号と他の高周波信号との相互変調歪成分が、上記磁界結合を介して受信回路に流入することを抑制できる。よって、送受信回路間のアイソレーション特性を向上でき、受信回路の受信感度劣化を抑制できる。
なお、実施の形態１および２およびその変形例に係る高周波モジュールおよび通信装置において、図面に開示された各回路素子および信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子および配線などが挿入されていてもよい。
本発明は、マルチバンド対応のフロントエンド部に配置される高周波モジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ、１Ｇ、１Ｈ、１Ｊ、１Ｋ、１Ｌ、１Ｍ 高周波モジュール
２ アンテナ
３ ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
４ ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）
５ 通信装置
２１、２２、２３、２４ デュプレクサ
２１Ｒ、２２Ｒ、２３Ｒ、２４Ｒ 受信フィルタ
２１Ｔ、２２Ｔ、２３Ｔ、２４Ｔ 送信フィルタ
３０ 低雑音増幅回路
３０Ａ、３０Ｂ 低雑音増幅器
３２Ｇ、４１Ｇ、４２Ｇ、４３Ｇ、８１Ｇ、８１Ｇ１、８１Ｇ２、８２Ｇ、８３Ｇ、８４Ｇ１、８４Ｇ２、８９Ｇ グランド電極
４０ 電力増幅回路
４０Ａ、４０Ｂ 電力増幅器
６５、６６、７１Ｇ、７２Ｇ、７３Ｇ、７４Ｇ、７５、７５Ａ、７６、７７、７８、７９、８５、８６、８７、８８Ｇ ボンディングワイヤ
４１Ａ、４１Ｂ、４２Ａ、４２Ｂ、８１Ａ、８２Ａ 電極
５１Ａ、５１Ｂ、５２Ａ、５２Ｂ、５５ スイッチ
５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ、５３Ｄ 受信整合回路
５４Ａ、５４Ｂ 送信整合回路
６１、６２、６３、６４ 整合回路
８０ 実装基板
９０、９１、９２ 樹脂部材
９５ シールド電極層
９６、９７ 導電キャップ
１００ 共通端子
１１０Ａ、１１０Ｂ 送信端子
１２０Ａ、１２０Ｂ 受信端子

Claims (19)

  1. 共通端子、送信端子、および受信端子と、
    実装基板上に配置され、前記送信端子から入力された高周波信号を処理して前記共通端子に出力する送信回路と、
    前記実装基板上に配置され、前記共通端子から入力された高周波信号を処理して前記受信端子に出力する受信回路と、を備えた高周波モジュールであって、
    前記送信回路および前記受信回路の少なくとも１つは、
    第１インダクタと、
    グランドに接続されたボンディングワイヤと、を含み、
    前記ボンディングワイヤは前記第１インダクタを跨いでいる、
    高周波モジュール。
  2. 前記第１インダクタは、
    前記送信端子から入力された高周波信号を増幅する電力増幅器の出力端子に接続されたインダクタ、および、増幅した高周波信号を受信端子に出力する低雑音増幅器の入力端子に接続されたインダクタ、の少なとも１つである、
    請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 前記受信回路は、
    前記低雑音増幅器と、
    前記第１インダクタと、を有し、
    前記ボンディングワイヤは、前記低雑音増幅器および前記第１インダクタを跨いでいる、
    請求項２に記載の高周波モジュール。
  4. 前記送信回路は、
    前記電力増幅器と、
    前記第１インダクタと、を有し、
    前記ボンディングワイヤは、前記電力増幅器および前記第１インダクタを跨いでいる、
    請求項２に記載の高周波モジュール。
  5. 前記受信回路は、
    前記低雑音増幅器と、
    前記第１インダクタと、を有し、
    前記ボンディングワイヤの一端は、前記低雑音増幅器の互いに背向する主面のうち実装基板から遠いほうの主面に形成されたグランド電極に接触接続され、前記ボンディングワイヤの他端は、前記実装基板に形成されたグランド電極に接触接続されている、
    請求項２に記載の高周波モジュール。
  6. 前記送信回路は、
    前記電力増幅器と、
    前記第１インダクタと、を有し、
    前記ボンディングワイヤの一端は、前記電力増幅器の互いに背向する主面のうち実装基板から遠いほうの主面に形成されたグランド電極に接触接続され、前記ボンディングワイヤの他端は、前記実装基板に形成されたグランド電極に接触接続されている、
    請求項２に記載の高周波モジュール。
  7. 前記送信回路は、
    第１通信バンドの高周波信号を伝送する第１送信回路と、
    前記第１通信バンドと周波数が異なる第２通信バンドの高周波信号を伝送する第２送信回路と、を備え、
    前記受信回路は、
    前記第１通信バンドの高周波信号を伝送する第１受信回路と、
    前記第２通信バンドの高周波信号を伝送する第２受信回路と、を備え、
    前記第１受信回路は、
    前記第１通信バンドの高周波信号を第１受信端子に出力する第１低雑音増幅器と、
    前記第１低雑音増幅器の入力端子に接続された第１受信整合用インダクタと、を備え、
    前記第１受信整合用インダクタは、前記第１インダクタである、
    請求項１に記載の高周波モジュール。
  8. 前記実装基板は、互いに背向する第１主面および第２主面を有し、
    前記第１送信回路および前記第２受信回路は、前記第１主面に実装され、
    前記第２送信回路および前記第１受信回路は、前記第２主面に実装され、
    前記高周波モジュールは、さらに、
    前記実装基板を平面視した場合、前記第１送信回路と前記第２受信回路との間に形成された、グランドに接続されたボンディングワイヤを備える、
    請求項７に記載の高周波モジュール。
  9. 共通端子、送信端子、および受信端子と、
    実装基板上に配置され、前記送信端子から入力された高周波信号を処理して前記共通端子に出力する送信回路と、
    前記実装基板上に配置され、前記共通端子から入力された高周波信号を処理して前記受信端子に出力する受信回路と、を備えた高周波モジュールであって、
    前記高周波モジュールは、さらに、
    前記送信回路および前記受信回路の接続ノードと前記共通端子との間に接続された第１インダクタと、
    グランドに接続されたボンディングワイヤと、を含み、
    前記ボンディングワイヤは前記第１インダクタを跨いでいる、
    高周波モジュール。
  10. 前記第１インダクタは、
    送信フィルタの出力端子および受信フィルタの入力端子に接続されたインダクタである、
    請求項９に記載の高周波モジュール。
  11. 前記ボンディングワイヤは、グランドに接続された互いに平行な複数の第１ボンディングワイヤで構成され、
    前記複数の第１ボンディングワイヤは前記第１インダクタを跨いでいる、
    請求項１〜１０のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  12. 前記ボンディングワイヤは、グランドに接続された互いに平行な複数の第１ボンディングワイヤと、前記複数の第１ボンディングワイヤと交差する複数の第２ボンディングワイヤとで構成され、
    前記複数の第１ボンディングワイヤは前記第１インダクタを跨いでおり、かつ、前記複数の第２ボンディングワイヤは前記第１インダクタを跨いでいる、
    請求項１〜１０のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  13. 前記ボンディングワイヤは、前記第１インダクタのみを跨いでいる、
    請求項１〜１２のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  14. 前記高周波モジュールは、さらに、
    前記実装基板上に配置され、前記送信回路および前記受信回路の少なくとも一部を覆う樹脂部材と、
    前記樹脂部材の天面および側面を覆うように形成されたシールド電極層と、を備え、
    前記ボンディングワイヤの一端は、前記シールド電極層に接触接続されている、
    請求項１〜１３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  15. 前記送信回路は、送信フィルタを有し、
    前記受信回路は、受信フィルタを有し、
    前記実装基板を平面視した場合に、前記送信フィルタおよび前記受信フィルタは、前記送信回路が配置された領域と、前記受信回路が配置された領域との境界領域に配置されている、
    請求項２〜６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  16. さらに、グランドに接続された第３ボンディングワイヤ、を含み、
    前記実装基板を平面視した場合、前記第３ボンディングワイヤと前記受信フィルタとは重複し、
    前記実装基板を断面視した場合、前記第３ボンディングワイヤは前記受信フィルタを跨いでいる、
    請求項１５に記載の高周波モジュール。
  17. 前記第１インダクタの磁束方向は、前記実装基板の主面に垂直な方向である、
    請求項１〜１６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  18. 共通端子、送信端子、および受信端子と、
    実装基板上に配置され、前記送信端子から入力された高周波信号を処理して前記共通端子に出力する送信回路と、
    前記実装基板上に配置され、前記共通端子から入力された高周波信号を処理して前記受信端子に出力する受信回路と、を備えた高周波モジュールであって、
    前記高周波モジュールは、
    第１インダクタと、
    前高周波モジュールを構成する回路素子のうちの前記第１インダクタのみを前記実装基板とで覆う、グランドに接続された導電キャップとを含む、
    高周波モジュール。
  19. アンテナで送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、
    前記アンテナと前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する請求項１〜１８のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、を備える、
    通信装置。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6729790B2 (ja) * 2017-03-14 2020-07-22 株式会社村田製作所 高周波モジュール
WO2019138904A1 (ja) * 2018-01-11 2019-07-18 株式会社村田製作所 スイッチモジュール
WO2020250734A1 (ja) * 2019-06-10 2020-12-17 株式会社村田製作所 高周波回路、高周波モジュール及び通信装置
WO2021039325A1 (ja) * 2019-08-23 2021-03-04 株式会社村田製作所 モジュール
CN114521290A (zh) * 2019-09-27 2022-05-20 株式会社村田制作所 模块
JP2021150849A (ja) * 2020-03-19 2021-09-27 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
WO2022034818A1 (ja) * 2020-08-13 2022-02-17 株式会社村田製作所 高周波モジュール
DE112021004240T5 (de) * 2020-08-13 2023-06-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Hochfrequenzmodul und Kommunikationsvorrichtung
WO2022034817A1 (ja) * 2020-08-13 2022-02-17 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
WO2022034819A1 (ja) * 2020-08-13 2022-02-17 株式会社村田製作所 高周波モジュール
CN116097569A (zh) * 2020-09-24 2023-05-09 株式会社村田制作所 高频模块以及通信装置
WO2022071235A1 (ja) * 2020-10-02 2022-04-07 株式会社村田製作所 回路モジュール
US11239158B1 (en) * 2020-10-08 2022-02-01 Qualcomm Incorporated Wire bond inductor structures for flip chip dies
JP2022090557A (ja) * 2020-12-07 2022-06-17 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
WO2023089988A1 (ja) * 2021-11-22 2023-05-25 株式会社村田製作所 モジュール

Family Cites Families (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49145565U (ja) * 1973-04-13 1974-12-16
NL8300513A (nl) * 1983-02-11 1984-09-03 Philips Nv Hoogfrequentspoel met aansluitpennen.
JPS6265898U (ja) * 1985-10-16 1987-04-23
EP0531125B1 (en) * 1991-09-04 1997-01-29 Nec Corporation Radio transceiver
JPH07212077A (ja) * 1994-01-24 1995-08-11 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
JPH10200062A (ja) 1997-01-04 1998-07-31 T I F:Kk 半導体装置
US6816037B2 (en) * 1998-11-27 2004-11-09 Mark Allan Hoffman Helical filters and methods for specifying assembly thereof
JP3745156B2 (ja) * 1999-04-02 2006-02-15 シャープ株式会社 光通信用半導体受光デバイス
JP2001177081A (ja) 1999-12-15 2001-06-29 Toshiba Corp 半導体装置
US6586309B1 (en) * 2000-04-24 2003-07-01 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. High performance RF inductors and transformers using bonding technique
US6429536B1 (en) * 2000-07-12 2002-08-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device
US6608375B2 (en) * 2001-04-06 2003-08-19 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor apparatus with decoupling capacitor
US6740959B2 (en) * 2001-08-01 2004-05-25 International Business Machines Corporation EMI shielding for semiconductor chip carriers
CN1309178C (zh) * 2001-08-10 2007-04-04 日立金属株式会社 高通滤波器和多频带天线开关电路、使用它们的通信仪器
TW522764B (en) * 2001-08-28 2003-03-01 Via Tech Inc Power layout structure on host bridge chip substrate and motherboard
TW523894B (en) * 2001-12-24 2003-03-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
US8258616B1 (en) * 2002-01-16 2012-09-04 Marvell International Ltd. Semiconductor dice having a shielded area created under bond wires connecting pairs of bonding pads
KR20030091519A (ko) * 2002-05-28 2003-12-03 삼성전기주식회사 접지와이어 본딩 벽을 갖는 파워 앰프 모듈 및 파워 앰프모듈 기판 제조방법
CN1327733C (zh) * 2002-08-08 2007-07-18 松下电器产业株式会社 高频器件
JP2004079886A (ja) * 2002-08-21 2004-03-11 Toshiba Corp 実装体の製造方法、半導体装置及び実装体
JP2004297455A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Kyocera Corp 高周波モジュール
US6787896B1 (en) * 2003-05-15 2004-09-07 Skyworks Solutions, Inc. Semiconductor die package with increased thermal conduction
JP4174008B2 (ja) 2003-05-15 2008-10-29 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
TWM244576U (en) * 2003-07-16 2004-09-21 Via Tech Inc Chip package structure
US7088009B2 (en) * 2003-08-20 2006-08-08 Freescale Semiconductor, Inc. Wirebonded assemblage method and apparatus
US8399972B2 (en) 2004-03-04 2013-03-19 Skyworks Solutions, Inc. Overmolded semiconductor package with a wirebond cage for EMI shielding
KR100643461B1 (ko) * 2005-09-12 2006-11-10 엘지이노텍 주식회사 프론트앤드모듈의 기판 구조
US7768792B2 (en) * 2005-09-12 2010-08-03 Lg Innotek Co., Ltd. Front end module
JP5262413B2 (ja) * 2008-08-12 2013-08-14 株式会社村田製作所 マルチバンドデュプレクサモジュール
US8129824B1 (en) * 2008-12-03 2012-03-06 Amkor Technology, Inc. Shielding for a semiconductor package
JP5170139B2 (ja) * 2010-03-23 2013-03-27 株式会社村田製作所 回路モジュール
KR101713930B1 (ko) * 2010-04-22 2017-03-09 삼성전자주식회사 휴대 단말기의 송신 장치 및 그의 운용 방법
US7939864B1 (en) * 2010-06-01 2011-05-10 Nxp B.V. Inductive bond-wire circuit
JP2012156741A (ja) * 2011-01-26 2012-08-16 Panasonic Corp アンテナ共用器
US20130016633A1 (en) * 2011-07-14 2013-01-17 Lum Nicholas W Wireless Circuitry for Simultaneously Receiving Radio-frequency Transmissions in Different Frequency Bands
WO2013021626A1 (ja) * 2011-08-08 2013-02-14 パナソニック株式会社 フィルタモジュール
US20130043961A1 (en) * 2011-08-15 2013-02-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte.Ltd Duplexer with shielding bondwires between filters
US9325353B2 (en) * 2011-09-16 2016-04-26 Rf Micro Devices, Inc. Architecture for a radio frequency front-end
JP6114198B2 (ja) * 2011-11-28 2017-04-12 スカイワークスフィルターソリューションズジャパン株式会社 高周波フィルタ
JP5512740B2 (ja) * 2012-05-11 2014-06-04 シャープ株式会社 高周波回路およびそれを備えた高周波モジュール
CN103597742A (zh) * 2012-06-14 2014-02-19 西凯渥资讯处理科技公司 包含相关系统、装置及方法的功率放大器模块
US10027287B1 (en) * 2013-02-20 2018-07-17 Micro Mobio Corporation World band frequency front end module, system and method thereof
JP5677499B2 (ja) * 2013-04-11 2015-02-25 太陽誘電株式会社 高周波回路モジュール
US9722571B2 (en) * 2013-05-30 2017-08-01 Mediatek, Inc. Radio frequency transmitter, power combiners and terminations therefor
JP6325799B2 (ja) * 2013-11-11 2018-05-16 太陽誘電株式会社 圧電薄膜共振器、フィルタおよびデュプレクサ
JP5949753B2 (ja) * 2013-12-27 2016-07-13 株式会社村田製作所 フロントエンド回路
WO2015191880A1 (en) * 2014-06-11 2015-12-17 Skyworks Solutions, Inc. Systems and methods related to time-division and frequency-division duplex protocols for wireless applications
CN106664076B (zh) * 2014-08-12 2019-05-10 株式会社村田制作所 高频模块
US9761537B2 (en) * 2014-09-30 2017-09-12 Skyworks Solutions, Inc. Shielded radio-frequency module having reduced area
JP6176411B2 (ja) * 2014-12-04 2017-08-09 株式会社村田製作所 ラダー型フィルタ、弾性波フィルタモジュール及びデュプレクサ
US9906204B2 (en) * 2015-05-15 2018-02-27 Nokia Technologies Oy Tunable filter off-states for noise rejection
US10432235B2 (en) * 2015-06-09 2019-10-01 Skyworks Solutions, Inc. Carrier aggregation using diplexers
WO2016208670A1 (ja) * 2015-06-24 2016-12-29 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、送信装置、受信装置、高周波フロントエンド回路、通信装置、およびマルチプレクサのインピーダンス整合方法
CN107710615B (zh) * 2015-06-25 2021-10-08 株式会社村田制作所 多工器、高频前端电路以及通信装置
US9490222B1 (en) 2015-10-12 2016-11-08 Invensas Corporation Wire bond wires for interference shielding
JP6488985B2 (ja) * 2015-10-26 2019-03-27 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP6358238B2 (ja) * 2015-11-18 2018-07-18 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
EP3203641B1 (en) * 2016-02-08 2018-12-05 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft A filter and a method for isolating terminals in a transceiver front end
US10021790B2 (en) 2016-02-26 2018-07-10 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Module with internal wire fence shielding
KR101815754B1 (ko) * 2016-03-10 2018-01-08 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 디바이스
CN109075131A (zh) * 2016-03-31 2018-12-21 株式会社村田制作所 电路模块
WO2017171859A1 (en) 2016-04-01 2017-10-05 Intel Corporation Semiconductor package with electromagnetic interference shielding structures
US10263647B2 (en) * 2016-04-09 2019-04-16 Skyworks Solutions, Inc. Multiplexing architectures for wireless applications
JP6556668B2 (ja) * 2016-06-22 2019-08-07 太陽誘電株式会社 フィルタおよびマルチプレクサ
US10103772B2 (en) * 2016-08-10 2018-10-16 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for filter bypass for radio frequency front-ends
US10396750B2 (en) * 2016-08-26 2019-08-27 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Radio frequency transmitter having improved receive band rejection function
US10498521B2 (en) * 2016-08-31 2019-12-03 Skyworks Solutions, Inc. Switched-filter duplexing architecture for front-end systems
JP6750681B2 (ja) * 2016-09-09 2020-09-02 株式会社村田製作所 電子部品
WO2018061949A1 (ja) * 2016-09-29 2018-04-05 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
US10271421B2 (en) 2016-09-30 2019-04-23 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Systems and methods for providing electromagnetic interference (EMI) shielding between inductors of a radio frequency (RF) module
JP2018088678A (ja) * 2016-11-29 2018-06-07 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. 位相をキャンセルするループ回路を含むフィルタ
US10230418B2 (en) 2017-05-19 2019-03-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multiplexer, high-frequency front end circuit, and communication device

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