JP6947032B2 - 樹脂組成物、それを用いたシート、積層体、パワー半導体装置、プラズマ処理装置および半導体の製造方法 - Google Patents
樹脂組成物、それを用いたシート、積層体、パワー半導体装置、プラズマ処理装置および半導体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6947032B2 JP6947032B2 JP2017547010A JP2017547010A JP6947032B2 JP 6947032 B2 JP6947032 B2 JP 6947032B2 JP 2017547010 A JP2017547010 A JP 2017547010A JP 2017547010 A JP2017547010 A JP 2017547010A JP 6947032 B2 JP6947032 B2 JP 6947032B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- resin
- group
- heat
- heat conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims description 121
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 100
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 40
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 129
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 123
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 claims description 50
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 41
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 41
- -1 methylol group Chemical group 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 30
- 125000004427 diamine group Chemical group 0.000 claims description 29
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 23
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 22
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 20
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 16
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 14
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 11
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 5
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 5
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 51
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 39
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 38
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 38
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 32
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 30
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 25
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 12
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 11
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 10
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 10
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 9
- ZIUHHBKFKCYYJD-UHFFFAOYSA-N n,n'-methylenebisacrylamide Chemical compound C=CC(=O)NCNC(=O)C=C ZIUHHBKFKCYYJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- BCJIMAHNJOIWKQ-UHFFFAOYSA-N 4-[(1,3-dioxo-2-benzofuran-4-yl)oxy]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound O=C1OC(=O)C2=C1C=CC=C2OC1=CC=CC2=C1C(=O)OC2=O BCJIMAHNJOIWKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N bpda Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 7
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000008065 acid anhydrides Chemical group 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- FVCSARBUZVPSQF-UHFFFAOYSA-N 5-(2,4-dioxooxolan-3-yl)-7-methyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C(C(OC2=O)=O)C2C(C)=CC1C1C(=O)COC1=O FVCSARBUZVPSQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 4
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 4
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 4
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 3
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 3
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 125000003258 trimethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 3
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 3
- MTZUIIAIAKMWLI-UHFFFAOYSA-N 1,2-diisocyanatobenzene Chemical compound O=C=NC1=CC=CC=C1N=C=O MTZUIIAIAKMWLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MSTZGVRUOMBULC-UHFFFAOYSA-N 2-amino-4-[2-(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phenol Chemical compound C1=C(O)C(N)=CC(C(C=2C=C(N)C(O)=CC=2)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)=C1 MSTZGVRUOMBULC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LJGHYPLBDBRCRZ-UHFFFAOYSA-N 3-(3-aminophenyl)sulfonylaniline Chemical compound NC1=CC=CC(S(=O)(=O)C=2C=C(N)C=CC=2)=C1 LJGHYPLBDBRCRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 150000005690 diesters Chemical class 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 2
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 2
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 2
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 2
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N methanol Natural products OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKYNWXNXXHWHLL-UHFFFAOYSA-N 1,3-diisocyanatopropane Chemical compound O=C=NCCCN=C=O IKYNWXNXXHWHLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DFPJRUKWEPYFJT-UHFFFAOYSA-N 1,5-diisocyanatopentane Chemical compound O=C=NCCCCCN=C=O DFPJRUKWEPYFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-methoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOC CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOZKAJLKRJDJLL-UHFFFAOYSA-N 2,4-diaminotoluene Chemical compound CC1=CC=C(N)C=C1N VOZKAJLKRJDJLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRUWUSOUUMPANJ-UHFFFAOYSA-N 2-amino-5-[(4-amino-3-carboxyphenyl)methyl]benzoic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C(C(O)=O)=C1 QRUWUSOUUMPANJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YHMDIRXBIAWCFD-UHFFFAOYSA-N 3-(2-propylphenoxy)phthalic acid Chemical compound CCCC1=CC=CC=C1OC1=CC=CC(C(O)=O)=C1C(O)=O YHMDIRXBIAWCFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXJLFVRAWOOQDR-UHFFFAOYSA-N 3-(3-aminophenoxy)aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=C(N)C=CC=2)=C1 LXJLFVRAWOOQDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFEXPVDGVLNUSC-UHFFFAOYSA-N 3-(3-aminophenyl)sulfanylaniline Chemical compound NC1=CC=CC(SC=2C=C(N)C=CC=2)=C1 JFEXPVDGVLNUSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKOFBUUFHALZGK-UHFFFAOYSA-N 3-[(3-aminophenyl)methyl]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(CC=2C=C(N)C=CC=2)=C1 CKOFBUUFHALZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKKYOQYISDAQER-UHFFFAOYSA-N 3-[3-(3-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=C(OC=3C=C(N)C=CC=3)C=CC=2)=C1 DKKYOQYISDAQER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBPVOEHZEWAJKQ-UHFFFAOYSA-N 3-[4-(3-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=CC(OC=3C=C(N)C=CC=3)=CC=2)=C1 LBPVOEHZEWAJKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POXPSTWTPRGRDO-UHFFFAOYSA-N 3-[4-(3-aminophenyl)phenyl]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=C(N)C=CC=2)=C1 POXPSTWTPRGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJYFSLSKSQRVGS-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-2-(hydroxymethyl)-N-phenylpropanamide Chemical compound C(O)C(C(=O)NC1=CC=CC=C1)CO LJYFSLSKSQRVGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICNFHJVPAJKPHW-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Thiodianiline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1SC1=CC=C(N)C=C1 ICNFHJVPAJKPHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIBWEPNXTOWAHK-UHFFFAOYSA-N 4-(3,4-diformylphenyl)phthalaldehyde Chemical compound C1=C(C=O)C(C=O)=CC=C1C1=CC=C(C=O)C(C=O)=C1 NIBWEPNXTOWAHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BEKFRNOZJSYWKZ-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-aminophenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(N)C=C1 BEKFRNOZJSYWKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYEDGEXYGKWJPB-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-aminophenyl)propan-2-yl]aniline Chemical compound C=1C=C(N)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(N)C=C1 ZYEDGEXYGKWJPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWOIWTRRPFHBSI-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[3-[2-(4-aminophenyl)propan-2-yl]phenyl]propan-2-yl]aniline Chemical compound C=1C=CC(C(C)(C)C=2C=CC(N)=CC=2)=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(N)C=C1 KWOIWTRRPFHBSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCRRFJIVUPSNTA-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 JCRRFJIVUPSNTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QBSMHWVGUPQNJJ-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-aminophenyl)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(N)=CC=2)C=C1 QBSMHWVGUPQNJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HHLMWQDRYZAENA-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[2-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(C(C=2C=CC(OC=3C=CC(N)=CC=3)=CC=2)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)C=C1 HHLMWQDRYZAENA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMKWGXGSGPYISJ-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[2-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propan-2-yl]phenoxy]aniline Chemical compound C=1C=C(OC=2C=CC(N)=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 KMKWGXGSGPYISJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CLTKUJYQLVTZSS-UHFFFAOYSA-N 4-[9-(4-aminophenyl)anthracen-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C(C=3C=CC(N)=CC=3)=C12 CLTKUJYQLVTZSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIFDSGGWDIVQGN-UHFFFAOYSA-N 4-[9-(4-aminophenyl)fluoren-9-yl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1(C=2C=CC(N)=CC=2)C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 KIFDSGGWDIVQGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 5-[(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)oxy]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(OC=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZHBXLZQQVCDGPA-UHFFFAOYSA-N 5-[(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)sulfonyl]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(S(=O)(=O)C=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 ZHBXLZQQVCDGPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C(C)=CN=C1C1=CC=CC=C1 TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVERADGGGBYHNP-UHFFFAOYSA-N 5-phenylbenzene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1C(O)=O JVERADGGGBYHNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 1
- ZQJFDGNSIQETDE-UHFFFAOYSA-N C(C1=C(C=CC(=C1CO)C)O)C1=C(C=CC(=C1CO)C)O Chemical compound C(C1=C(C=CC(=C1CO)C)O)C1=C(C=CC(=C1CO)C)O ZQJFDGNSIQETDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZMDDVQYIDMPRL-UHFFFAOYSA-N C(C1=C(C=CC(=C1CO)CO)O)C1=C(C=CC(=C1CO)CO)O Chemical compound C(C1=C(C=CC(=C1CO)CO)O)C1=C(C=CC(=C1CO)CO)O YZMDDVQYIDMPRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFBUDNCLYLODSL-UHFFFAOYSA-N COC(=O)C1=CC=CC(CO)=C1CO Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC(CO)=C1CO CFBUDNCLYLODSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000202785 Calyptronoma Species 0.000 description 1
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N N,N‐diethylformamide Chemical compound CCN(CC)C=O SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOCAQVNBVONWCJ-UHFFFAOYSA-N OC=1C(=C(C(=C(C1)CC1=C(C(=C(C=C1)O)C1CCCCC1)CC1=C(C(=C(C(=C1)O)CO)C)C)C)C)CO Chemical compound OC=1C(=C(C(=C(C1)CC1=C(C(=C(C=C1)O)C1CCCCC1)CC1=C(C(=C(C(=C1)O)CO)C)C)C)C)CO ZOCAQVNBVONWCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMUZQOKACOLCSS-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)phenyl]methanol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1CO XMUZQOKACOLCSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GGQKSERDXSAHCN-UHFFFAOYSA-N [dimethoxy(methyl)silyl] 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC(=O)C(C)=C GGQKSERDXSAHCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- ZVSKZLHKADLHSD-UHFFFAOYSA-N benzanilide Chemical group C=1C=CC=CC=1C(=O)NC1=CC=CC=C1 ZVSKZLHKADLHSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229930188620 butyrolactone Natural products 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- FIKWCGXPSSPVMD-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone;1,4-dioxane Chemical compound C1COCCO1.O=C1CCCCC1 FIKWCGXPSSPVMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006159 dianhydride group Chemical group 0.000 description 1
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KORSJDCBLAPZEQ-UHFFFAOYSA-N dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate Chemical compound C1CC(N=C=O)CCC1CC1CCC(N=C=O)CC1 KORSJDCBLAPZEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 229940042795 hydrazides for tuberculosis treatment Drugs 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical group 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 150000003951 lactams Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- AYLRODJJLADBOB-QMMMGPOBSA-N methyl (2s)-2,6-diisocyanatohexanoate Chemical compound COC(=O)[C@@H](N=C=O)CCCCN=C=O AYLRODJJLADBOB-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- FCJSHPDYVMKCHI-UHFFFAOYSA-N phenyl benzoate Chemical group C=1C=CC=CC=1C(=O)OC1=CC=CC=C1 FCJSHPDYVMKCHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 229920001184 polypeptide Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 102000004196 processed proteins & peptides Human genes 0.000 description 1
- 108090000765 processed proteins & peptides Proteins 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical group 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O sulfonium Chemical class [SH3+] RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 125000006158 tetracarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- RKFCDGOVCBYSEW-AUUKWEANSA-N tmeg Chemical compound COC=1C(OC)=CC(C(OC(C=2OC)=C34)=O)=C3C=1OC(=O)C4=CC=2O[C@@H]1O[C@H](CO)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H]1O RKFCDGOVCBYSEW-AUUKWEANSA-N 0.000 description 1
- YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N triglyme Chemical compound COCCOCCOCCOC YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
- C08L79/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08L79/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
- C08G59/22—Di-epoxy compounds
- C08G59/26—Di-epoxy compounds heterocyclic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
- C08G59/22—Di-epoxy compounds
- C08G59/30—Di-epoxy compounds containing atoms other than carbon, hydrogen, oxygen and nitrogen
- C08G59/306—Di-epoxy compounds containing atoms other than carbon, hydrogen, oxygen and nitrogen containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
- C08G59/32—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups
- C08G59/3236—Heterocylic compounds
- C08G59/3245—Heterocylic compounds containing only nitrogen as a heteroatom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
- C08G59/32—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups
- C08G59/3254—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups containing atoms other than carbon, hydrogen, oxygen or nitrogen
- C08G59/3281—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups containing atoms other than carbon, hydrogen, oxygen or nitrogen containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1057—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain
- C08G73/106—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1067—Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/18—Manufacture of films or sheets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32642—Focus rings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
- H01J37/32724—Temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
- B32B9/005—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising one layer of ceramic material, e.g. porcelain, ceramic tile
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
- B32B9/04—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B9/045—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
BPDA:3,3’−4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(三菱化学(株)製)
ODPA:4,4’−オキシジフタル酸二無水物(マナック(株)製)
6FDA:4,4’−(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(ダイキン工業(株)製)
BAHF:2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロイソプロピリデン
MBAA:ビス(4−アミノ−3−カルボキシフェニル)メタン
NJM−06:1,3’−ビス(4−アミノ−2−カルボキシフェノキシ)ベンゼン(日本純良薬品(株)製)
APB:1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン
X−22−161A:ジアミノポリシロキサン(信越化学(株)製)(平均分子量1600:式(1)のジアミノポリシロキサン:m=19)(R1〜R4はメチル基、R5およびR6はトリメチレン基)
X−22−161B:ジアミノポリシロキサン(信越化学(株)製)(平均分子量3000:式(1)のジアミノポリシロキサン:m=37)(R1〜R4はメチル基、R5およびR6はトリメチレン基)
KF8010:ジアミノポリシロキサン(信越化学(株)製)(平均分子量860:式(1)のジアミノポリシロキサン:m=9)。(R1〜R4はメチル基、R5およびR6はトリメチレン基)。
X−40−2695B:シロキサン骨格を有する液状エポキシ樹脂(信越化学(株)製)
JER630:グリシジルアミン型液状エポキシ樹脂(三菱化学(株)製)
HP4032:ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂(DIC(株)製)
TEPIC−PAS B22:トリアジン骨格を有する液状エポキシ樹脂(日産化学(株)製)
JER828:ビスフェノールA型液状エポキシ樹脂(三菱化学(株)製)
ニカラックMX270:アルキル化尿素メチロール化合物。
FAN−10:窒化アルミニウム粒子(平均粒子径:10μm、比重:3.3g/cm3、熱伝導率:170W/m・K)(古河電子(株)製)
DAW−45:アルミナ粒子(平均粒子径:45μm、比重:4.0g/cm3熱伝導率:26W/m・K)(電気化学工業(株)製)
AA18:アルミナ粒子(平均粒子径:18μm、比重:4.0g/cm3熱伝導率:20W/m・K)(住友化学(株)製:)
AA3:アルミナ粒子(平均粒子径:3μm、比重:4.0g/cm3熱伝導率:20W/m・K)(住友化学(株)製)
AA07:アルミナ粒子(平均粒子径:0.7μm、比重:4.0g/cm3熱伝導率:20W/m・K)(住友化学(株)製:商標名)。
2P4MZ:2−フェニル−4−メチルイミダゾール
<溶剤>
トリグライム:トリエチレングリコールジメチルエーテル
各実施例および比較例における評価方法を以下に示す。
各実施例および比較例に記載の方法により得られたポリイミド樹脂をN−メチル−2−ピロリドン(以下、NMPとする)に溶解した樹脂濃度0.1重量%の溶液を測定サンプルとして、下に示す構成のGPC装置Waters2690(Waters(株)製)を用いて測定し、ポリスチレン換算の重量平均分子量を算出した。GPC測定条件は、移動層をLiClとリン酸をそれぞれ濃度0.05mol/lで溶解したNMPとし、展開速度を0.4ml/分とした。
検出器:Waters996
システムコントローラー:Waters2690
カラムオーブン:Waters HTR−B
サーモコントローラー:Waters TCM
カラム:TOSOH guard column(測定対象物に混入している粗大粒子を補足してカラムが詰まるのを防ぐ為に設置)
カラム:TOSOH TSK−GEL α−4000(排除限界分子量が1,000,000のカラム)
カラム:TOSOH TSK−GEL α−2500(排除限界分子量が10,000のカラム)
以上3つのカラムを、この順に直列に接続した。
各実施例および比較例に記載の方法により得られたポリイミド樹脂の赤外吸収スペクトルを測定し、イミド構造の吸収ピーク(1780cm−1付近および1377cm−1付近)の存在を確認した。次に、ポリイミド樹脂を350℃で1時間熱処理した後、再度、赤外吸収スペクトルを測定し、熱処理前後の1377cm−1付近のピーク強度を比較した。熱処理後のポリイミド樹脂のイミド化率を100%として、熱処理前のポリマーのイミド化率を求めた。
各実施例および比較例に用いた熱伝導性フィラーを、SEM(走査型電子顕微鏡)を用いて倍率:5000倍の条件で観察し、無作為に選択した200個の粒子について粒子径を測定し、その数平均値を算出した。なお、観察画像における断面が円形の場合は、円の直径を粒子径とし、観察画像における断面が円形以外の場合は、観察される断面の中心を通る最も長い対角線を粒子径とした。
各実施例および比較例に用いた各成分の重量を比重で割って体積を算出し、ポリイミド樹脂、熱硬化性樹脂、および熱伝導性フィラーの合計100体積部に対する熱伝導性フィラーの含有量を算出した。
各実施例および比較例により得られた樹脂組成物を、厚さ38μmのPETフィルム上にコンマロールコーターを用いて、硬化後の熱伝導シートの膜厚が250μmとなるように樹脂組成物を塗布し、100℃で30分間乾燥を行った後、180℃で4時間熱硬化し、熱伝導シート積層体を得た。その後、PETフィルムを剥離し、ネッチ(株)製のレーザーフラッシュ法熱拡散率測定装置LFA447を用いて、熱伝導シートの熱拡散率を測定した。また、アルキメデス法により熱伝導シートの比重を測定し、DSC法により熱伝導シートの比熱を測定した。得られた測定値から、熱拡散率(m2/s)×比重(kg/m3)×比熱(J/kg・K)の計算式により熱伝導率を算出した。
上記の方法により得られた熱伝導シート積層体のPETフィルムを剥離した後、熱伝導シートを30mm×5mmの四角形状にカットして、アイティー計測制御(株)製の動的粘弾性測定装置DVA−200を用いて、熱伝導シートの弾性率を測定した。測定条件は、昇温速度:5℃/分、測定周波数:1Hzとし、−70℃〜300℃までの範囲で各温度における貯蔵弾性率を測定し、25℃における貯蔵弾性率の値を弾性率とした。
上記の方法により得られた熱伝導シート積層体のPETフィルムを剥離した後、熱伝導シートを50mm×50mmの四角形状にカットした。熱伝導シートの上に、サイズが30mm×30mmで厚みが5mmの銅板を載せて10分間保持した後、銅板のみを持ち上げた時、熱伝導シートが銅板に粘着するか否かを目視により観察し、タック性を評価した。粘着したものを「良」、粘着せずに熱伝導シートと銅板がはなれたものを「不良」とした。
上記の方法により得られた熱伝導シート積層体のPETフィルムを剥がし、熱伝導シートを55mm×55mmの四角形状にカットした。サイズが60mm×60mmで厚みが2mmのアルミ板に、カットされた熱伝導シートを室温で、ゴムロールを用いて貼り付けた。さらに、熱伝導シート上に、サイズが50mm×50mmで厚みが2mmの銅板を載せて室温にて0.5MPaの圧力で加圧して積層し、サンプルを得た。250℃に設定されたホットプレート上に、サンプルをアルミ板を下にして載せて、サンプルの銅板最上部の温度を接触温度計を用いて測定した。ホットプレート上にサンプル載せてから、銅板最上部の温度が150℃に到達するまでの時間を測定した。
上記の方法により得られた熱伝導シート積層体のPETフィルムを剥離した後、熱伝導シートを50mm×50mmの四角形状にカットして、直径3mm、高さ100mmのアルミ製円柱に沿わせて巻きつけた。巻きつけた熱伝導シートを目視観察し、靭性を評価した。クラックが認められないものを「良」、クラックが入ったものを「不良」とした。
上記の方法により得られた熱伝導シート積層体のPETフィルムを剥離した後、熱伝導シートを30mm×30mmの四角形状にカットして、サイズが60mm×60mmで厚みが1mmのアルミ板を熱伝導シートの両側に積層し、サンプルを得た。サンプルを250℃の熱風循環式恒温槽中に168時間静置した。168時間後、サンプルを取り出し、アルミ板と熱伝導シートの間にスパチュラを入れて、剥離できるか否かにより耐熱性を評価した。スパチュラにより剥離できるものを「良」、固着が進んで剥離できないものを「不良」とした。
上記の方法により得られた熱伝導シート積層体のPETフィルムを剥離した後、熱伝導シートを24mm×90mmの四角形状にカットして、シリコンウェハー上に室温でゴムロールを用いて貼り付けた。その後、このシリコンウェハーを、250℃のホットプレート上において、10時間静置した。その後、室温に冷却して熱伝導シートを90°方向に引き剥がし、島津製作所製の万能試験機AGS−Xで剥離強度を測定した。ロードセルは50N、引っ張り速度は10mm/分で測定した。
300mlの4つ口フラスコに撹拌機、温度計、窒素導入管および滴下ロートを設置して、窒素雰囲気下、トリグライム 88.39g、BPDA 14.56gを仕込み、60℃で撹拌し、溶解させた。その後、60℃で撹拌しながらBAHF 1.83g、X−22−161A 72.00gを添加して、さらに1時間撹拌した。その後180℃まで昇温させて3時間撹拌した後、室温まで冷却してトリグライムに溶解したポリイミド樹脂Aの溶液(固形分濃度50.0重量%)を得た。ポリイミド樹脂Aの重量平均分子量を測定した結果、45,300であり、イミド化率を測定した結果、99%であった。
300mlの4つ口フラスコに撹拌機、温度計、窒素導入管および滴下ロートを設置して、窒素雰囲気下、トリグライム 87.99g、BPDA 14.56gを仕込み、60℃で撹拌し、溶解させた。その後、60℃で撹拌しながらMBAA 1.43g、X−22−161A 72.00gを添加して、さらに1時間撹拌した。その後180℃まで昇温させて3時間撹拌した後、室温まで冷却してポリイミド樹脂Bの溶液(固形分濃度50.0重量%)を得た。ポリイミド樹脂Bの重量平均分子量を測定した結果、36,800であり、イミド化率を測定した結果、99%であった。ポリイミド樹脂Aの溶液5.04gに代えてポリイミド樹脂Bの溶液5.04gを用いたこと以外は実施例1と同様の方法により樹脂組成物を得た。別途、ポリイミド樹脂BおよびX−40−2695Bのみを同じ比率で混合して、硬化させ、比重を測定したところ、1.2g/cm3であった。得られた樹脂組成物について、上記の方法により、熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度を評価した。
300mlの4つ口フラスコに撹拌機、温度計、窒素導入管および滴下ロートを設置して、窒素雰囲気下、トリグライム 88.46g、BPDA 14.56gを仕込み、60℃で撹拌し、溶解させた。その後、60℃で撹拌しながらNJM−06 1.90g、X−22−161A 72.00gを添加して、さらに1時間撹拌した。その後180℃まで昇温させて3時間撹拌した後、室温まで冷却してトリグライムに溶解したポリイミド樹脂Cの溶液(固形分濃度50.0重量%)を得た。ポリイミド樹脂Cの重量平均分子量を測定した結果、35,580であり、イミド化率を測定した結果、99%であった。ポリイミド樹脂Aの溶液5.04gに代えてポリイミド樹脂Cの溶液5.04gを用いたこと以外は実施例1と同様の方法により樹脂組成物を得た。別途、ポリイミド樹脂CおよびX−40−2695Bのみを同じ比率で混合して、硬化させ、比重を測定したところ、1.2g/cm3であった。得られた樹脂組成物について、上記の方法により、熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度を評価した。
300mlの4つ口フラスコに撹拌機、温度計、窒素導入管および滴下ロートを設置して、窒素雰囲気下、トリグライム 88.79g、ODPA 15.36gを仕込み、60℃で撹拌し、溶解させた。その後、60℃で撹拌しながらMBAA 1.43g、X−22−161A 72.00gを添加して、さらに1時間撹拌した。その後180℃まで昇温させて3時間撹拌した後、室温まで冷却してトリグライムに溶解したポリイミド樹脂Dの溶液(固形分濃度50.0重量%)を得た。ポリイミド樹脂Dの重量平均分子量を測定した結果、39,820であり、イミド化率を測定した結果、99%であった。ポリイミド樹脂Aの溶液5.04gに代えてポリイミド樹脂Dの溶液5.04gを用いたこと以外は実施例1と同様の方法により樹脂組成物を得た。別途、ポリイミド樹脂DおよびX−40−2695Bのみを同じ比率で混合して、硬化させ、比重を測定したところ、1.2g/cm3であった。得られた樹脂組成物について、上記の方法により熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度を評価した。
300mlの4つ口フラスコに撹拌機、温度計、窒素導入管および滴下ロートを設置して、窒素雰囲気下、トリグライム 95.42g、6FDA 21.99gを仕込み、60℃で撹拌し、溶解させた。その後、60℃で撹拌しながらMBAA 1.43g、X−22−161A 72.00gを添加して、さらに1時間撹拌した。その後180℃まで昇温させて3時間撹拌した後、室温まで冷却してトリグライムに溶解したポリイミド樹脂Eの溶液(固形分濃度50.0重量%)を得た。ポリイミド樹脂Eの重量平均分子量を測定した結果、36,620であり、イミド化率を測定した結果、99%であった。ポリイミド樹脂Aの溶液5.04gに代えてポリイミド樹脂Eの溶液5.04gを用いたこと以外は実施例1と同様の方法により樹脂組成物を得た。別途、ポリイミド樹脂EおよびX−40−2695Bのみを同じ比率で混合して、硬化させ、比重を測定したところ、1.2g/cm3であった。得られた樹脂組成物について、上記の方法により熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度を評価した。
X−40−2695B 0.28gに代えてJER630 0.28gを添加したこと以外は実施例4と同様の方法により、粘性液体である樹脂組成物を得た。別途、ポリイミド樹脂DおよびJER630のみを同じ比率で混合して、硬化させ、比重を測定したところ、1.2g/cm3であった。得られた樹脂組成物について、上記の方法により熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度を評価した。
X−40−2695B 0.28gに代えてHP4032 0.28gを添加したこと以外は実施例4と同様の方法により、粘性液体である樹脂組成物を得た。別途、ポリイミド樹脂DおよびHP4032のみを同じ比率で混合して、硬化させ、比重を測定したところ、1.2g/cm3であった。得られた樹脂組成物について、上記の方法により熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度を評価した。
X−40−2695B 0.28gに代えてTEPIC−PAS B22 0.28gを添加したこと以外は実施例4と同様の方法により、粘性液体である樹脂組成物を得た。別途、ポリイミド樹脂DおよびTEPIC−PAS B22のみを同じ比率で混合して、硬化させ、比重を測定したところ、1.2g/cm3であった。得られた樹脂組成物について、上記の方法により熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度を評価した。
X−40−2695B 0.28gに代えてJER828 0.28gを添加したこと以外は実施例4と同様の方法により、粘性液体である樹脂組成物を得た。別途、ポリイミド樹脂DおよびJER828のみを同じ比率で混合して、硬化させ、比重を測定したところ、1.2g/cm3であった。得られた樹脂組成物について、上記の方法により熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度を評価した。
X−40−2695B 0.28gに代えてニカラックMX270 0.28gを添加したこと以外は実施例4と同様の方法により、粘性液体である樹脂組成物を得た。別途、ポリイミド樹脂DおよびニカラックMX270のみを同じ比率で混合して、硬化させ、比重を測定したところ、1.2g/cm3であった。得られた樹脂組成物について、上記の方法により熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度を評価した。
X−40−2695B 0.28gに代えてJER630 0.28gを添加したこと以外は実施例5と同様の方法により、粘性液体である樹脂組成物を得た。別途、ポリイミド樹脂EおよびJER630のみを同じ比率で混合して、硬化させ、比重を測定したところ、1.2g/cm3であった。得られた樹脂組成物について、上記の方法により熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性および耐熱性耐熱試験後の剥離強度を評価した。
X−40−2695B 0.28gに代えてJER630 0.28gを添加したこと以外は実施例2と同様の方法により、粘性液体である樹脂組成物を得た。別途、ポリイミド樹脂BおよびJER630のみを同じ比率で混合して、硬化させ、比重を測定したところ、1.2g/cm3であった。得られた樹脂組成物について、上記の方法により熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度を評価した。
ポリイミド樹脂Dの溶液を5.30g用い、X−40−2695Bの添加量を0.15gに変更したこと以外は実施例4と同様の方法により、粘性液体である樹脂組成物を得た。別途、ポリイミド樹脂DおよびX−40−2695Bのみを同じ比率で混合して、硬化させ、比重を測定したところ、1.2g/cm3であった。得られた樹脂組成物について、上記の方法により熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度を評価した。
ポリイミド樹脂Dの溶液を5.46g用い、X−40−2695Bの添加量を0.07gに変更したこと以外は実施例4と同様の方法により、粘性液体である樹脂組成物を得た。別途、ポリイミド樹脂DおよびX−40−2695Bのみを同じ比率で混合して、硬化させ、比重を測定したところ、1.2g/cm3であった。得られた樹脂組成物について、上記の方法により熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度を評価した。
ポリイミド樹脂Dの溶液を4.30g用い、X−40−2695Bの添加量を0.65gに変更したこと以外は実施例4と同様の方法により、粘性液体である樹脂組成物を得た。別途、ポリイミド樹脂DおよびX−40−2695Bのみを同じ比率で混合して、硬化させ、比重を測定したところ、1.2g/cm3であった。得られた樹脂組成物について、上記の方法により熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度を評価した。
X−40−2695B 0.65gに代えてJER630 0.65gを添加したこと以外は実施例15と同様の方法により、粘性液体である樹脂組成物を得た。別途、ポリイミド樹脂DおよびJER630のみを同じ比率で混合して、硬化させ、比重を測定したところ、1.2g/cm3であった。得られた樹脂組成物について、上記の方法で熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度を評価した。
X−40−2695B 0.65gに代えてTEPIC−PAS B22 0.65gを添加したこと以外は実施例15と同様の方法により、粘性液体である樹脂組成物を得た。別途、ポリイミド樹脂DおよびTEPIC−PAS B22のみを同じ比率で混合して、硬化させ、比重を測定したところ、1.2g/cm3であった。得られた樹脂組成物について、上記の方法で熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度を評価した。
AA3 9gに代えてAA18 9gを添加したこと以外は実施例4と同様の方法により、粘性液体である樹脂組成物を得た。得られた樹脂組成物について、上記の方法により熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度を評価した。
AA3 9gに代えてDAW45 9gを添加したこと以外は実施例4と同様の方法により、粘性液体である樹脂組成物を得た。得られた樹脂組成物について、上記の方法により熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度を評価した。
AA3 9gに代えてFAN−10 7gを添加したこと以外は実施例4と同様にして、粘性液体である樹脂組成物を得た。得られた樹脂組成物について、上記の方法により熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度を評価した。
AA3 9g、AA07 7gに代えてAA07 16gを添加したこと以外は実施例4と同様にして、粘性液体である樹脂組成物を得た。得られた樹脂組成物について、上記の方法により熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度について測定した。
AA07 16gに代えてAA18 16gを添加したこと以外は実施例20と同様にして、粘性液体である樹脂組成物を得た。得られた樹脂組成物について、上記の方法により熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度について測定した。
AA3 9gに代えてFAN−10 7gを添加したこと以外は実施例6と同様にして、粘性液体である樹脂組成物を得た。得られた樹脂組成物について、上記の方法により熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度について測定した。
AA3 9g、AA07 7gに代えてAA07 16gを添加したこと以外は実施例6と同様にして、粘性液体である樹脂組成物を得た。得られた樹脂組成物について、上記の方法により熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度について測定した。
AA07 16gに代えてAA18 16gを添加したこと以外は実施例23と同様にして、粘性液体である樹脂組成物を得た。得られた樹脂組成物について、上記の方法により熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度について測定した。
300mlの4つ口フラスコに撹拌機、温度計、窒素導入管および滴下ロートを設置して、窒素雰囲気下、トリグライム 69.08g、ODPA 15.36gを仕込み、60℃で撹拌し、溶解させた。その後、60℃で撹拌しながらMBAA 5.73g、X−22−161A 48.00gを添加して、さらに1時間撹拌した。その後180℃まで昇温させて3時間撹拌した後、室温まで冷却してトリグライムに溶解したポリイミド樹脂Hの溶液(固形分濃度50.0重量%)を得た。ポリイミド樹脂Hの重量平均分子量を測定した結果、49,820であり、イミド化率を測定した結果、99%であった。ポリイミド樹脂Aに代えて、ポリイミド樹脂Hを用いたこと以外は実施例1と同様にして粘性液体である樹脂組成物を得た。別途、ポリイミド樹脂HおよびX−40−2695Bのみを同じ比率で混合して、硬化させ、比重を測定したところ、1.2g/cm3であった。得られた樹脂組成物について、上記の方法により熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度について測定した。
300mlの4つ口フラスコに撹拌機、温度計、窒素導入管および滴下ロートを設置して、窒素雰囲気下、トリグライム 82.22g、ODPA 15.36gを仕込み、60℃で撹拌し、溶解させた。その後、60℃で撹拌しながらMBAA 2.86g、X−22−161A 64.00gを添加して、さらに1時間撹拌した。その後180℃まで昇温させて3時間撹拌した後、室温まで冷却してトリグライムに溶解したポリイミド樹脂Iの溶液(固形分濃度50.0重量%)を得た。ポリイミド樹脂Iの重量平均分子量を測定した結果、44,320であり、イミド化率を測定した結果、99%であった。ポリイミド樹脂Aに代えて、ポリイミド樹脂Iを用いたこと以外は実施例1と同様にして、粘性液体である樹脂組成物を得た。別途、ポリイミド樹脂IおよびX−40−2695Bのみを同じ比率で混合して、硬化させ、比重を測定したところ、1.2g/cm3であった。得られた樹脂組成物について、上記の方法により熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度について測定した。
300mlの4つ口フラスコに撹拌機、温度計、窒素導入管および滴下ロートを設置して、窒素雰囲気下、トリグライム 151.79g、ODPA 15.36gを仕込み、60℃で撹拌し、溶解させた。その後、60℃で撹拌しながらMBAA 1.43g、X−22−161B 135.00gを添加して、さらに1時間撹拌した。その後180℃まで昇温させて3時間撹拌した後、室温まで冷却してトリグライムに溶解したポリイミド樹脂Jの溶液(固形分濃度50.0重量%)を得た。ポリイミド樹脂Jの重量平均分子量を測定した結果、36,820であり、イミド化率を測定した結果、99%であった。ポリイミド樹脂Aに代えて、ポリイミド樹脂Jを用いたこと以外は実施例1と同様にして、粘性液体である樹脂組成物を得た。別途、ポリイミド樹脂JおよびX−40−2695Bのみを同じ比率で混合して、硬化させ、比重を測定したところ、1.2g/cm3であった。得られた樹脂組成物について、上記の方法により熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度について測定した。
X−40−2695B 0.65gに代えてTEPIC−PAS B22 0.65gを添加したこと以外は実施例28と同様の方法により、粘性液体である樹脂組成物を得た。別途、ポリイミド樹脂JおよびTEPIC−PAS B22のみを同じ比率で混合して、硬化させ、比重を測定したところ、1.2g/cm3であった。得られた樹脂組成物について、上記の方法で熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度を評価した。
300mlの4つ口フラスコに撹拌機、温度計、窒素導入管および滴下ロートを設置して、窒素雰囲気下、トリグライム 151.79g、ODPA 15.36gを仕込み、60℃で撹拌し、溶解させた。その後、60℃で撹拌しながらMBAA 1.43g、X−22−161B 135.00gを添加して、さらに1時間撹拌した。その後180℃まで昇温させて3時間撹拌した後、室温まで冷却してトリグライムに溶解したポリイミド樹脂Kの溶液(固形分濃度50.0重量%)を得た。ポリイミド樹脂Kの重量平均分子量を測定した結果、35,540であり、イミド化率を測定した結果、99%であった。ポリイミド樹脂Aに代えて、ポリイミド樹脂Kを用いた以外は実施例1と同様にして、粘性液体である樹脂組成物を得た。別途、ポリイミド樹脂KおよびX−40−2695Bのみを同じ比率で混合して、硬化させ、比重を測定したところ、1.2g/cm3であった。得られた樹脂組成物について、上記の方法により熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度について測定した。
トリグライム2.8gにJER828を2.8g、2P4MZを0.005g添加して混合した。これにAA3を9g、AA07を7g添加して3本ロールミルで5回繰り返し混練して、粘性液体である樹脂組成物を得た。別途、JER828を硬化させ、比重を測定したところ、1.2g/cm3であった。得られた樹脂組成物について、上記の方法により熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度について測定した。剥離強度は、熱伝導シートの固着がひどく、脆弱化していたため、引き剥がすことができなかった。
300mlの4つ口フラスコに撹拌機、温度計、窒素導入管および滴下ロートを設置して、窒素雰囲気下、トリグライム 55.15g、BPDA 14.56gを仕込み、60℃で撹拌し、溶解させた。その後、60℃で撹拌しながらMBAA 8.59g、X−22−161A 32.00gを添加して、さらに1時間撹拌した。その後180℃まで昇温させて3時間撹拌した後、室温まで冷却してトリグライムに溶解したポリイミド樹脂Fの溶液(固形分濃度50.0重量%)を得た。ポリイミド樹脂Fの重量平均分子量を測定した結果、66,800であり、イミド化率を測定した結果、99%であった。ポリイミド樹脂Aに代えて、ポリイミド樹脂Fを用いた以外は実施例1と同様にして、粘性液体である樹脂組成物を得た。別途、ポリイミド樹脂FおよびX−40−2695Bのみを同じ比率で混合して、硬化させ、比重を測定したところ、1.2g/cm3であった。得られた樹脂組成物について、上記の方法により熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度について測定した。
300mlの4つ口フラスコに撹拌機、温度計、窒素導入管および滴下ロートを設置して、窒素雰囲気下、トリグライム 54.69g、BPDA 14.56gを仕込み、60℃で撹拌し、溶解させた。その後、60℃で撹拌しながらMBAA 1.43g、KF8010 38.70gを添加して、さらに1時間撹拌した。その後180℃まで昇温させて3時間撹拌した後、室温まで冷却してポリイミド樹脂Gの溶液(固形分濃度50.0重量%)を得た。ポリイミド樹脂Gの重量平均分子量を測定した結果、42,200であり、イミド化率を測定した結果、99%であった。ポリイミド樹脂Aに代えて、ポリイミド樹脂Gを用いた以外は実施例1と同様にして、粘性液体である樹脂組成物を得た。別途、ポリイミド樹脂GおよびX−40−2695Bのみを同じ比率で混合して、硬化させ、比重を測定したところ、1.2g/cm3であった。得られた樹脂組成物について、上記の方法により熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度について測定した。
ポリイミド樹脂Dの溶液5.60gにAA3を9g、AA07を7g添加して3本ロールミルで5回繰り返し混練して、粘性液体である樹脂組成物を得た。別途、ポリイミド樹脂Dを硬化させ、比重を測定したところ、1.2g/cm3であった。得られた樹脂組成物について、上記の方法より熱伝導率、弾性率、タック性、熱応答性、靭性、耐熱性および耐熱試験後の剥離強度について測定した。剥離強度は、熱伝導シートの固着がひどく、脆弱化していたため、引き剥がすことができなかった。
Claims (12)
- (A)下記一般式(1)で表される構造を有するジアミン残基を全ジアミン残基中60モル%以上含有するポリイミド樹脂、(B)熱硬化性樹脂および(C)熱伝導性フィラーを含有する樹脂組成物であって、前記(A)ポリイミド樹脂100重量部に対して、(B)熱硬化性樹脂を0.1〜15重量部含有し、かつ、(A)ポリイミド樹脂、(B)熱硬化性樹脂および(C)熱伝導性フィラーの合計100体積部に対して、(C)熱伝導性フィラーを60体積部以上含有する樹脂組成物;
- 前記(B)熱硬化性樹脂が、エポキシ基、イソシアネート基およびメチロール基から選ばれた基を有する請求項1に記載の樹脂組成物。
- 前記(B)熱硬化性樹脂がシロキサン骨格を有するエポキシ樹脂である請求項2に記載の樹脂組成物。
- 前記(B)熱硬化性樹脂がトリアジン骨格を有するエポキシ樹脂である請求項2に記載の樹脂組成物。
- ヒートシンクとパワー半導体モジュールを有するパワー半導体装置であって、ヒートシンクとパワー半導体モジュールの間に、請求項1から4のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物からなるシートが設けられたパワー半導体装置。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物からなるシート。
- 厚みが100〜400μmである請求項6に記載のシート。
- 金属基板およびセラミック基板から選ばれた基材上に、請求項6に記載のシートが積層された積層体。
- 発熱体の上に、請求項6に記載のシートが積層された積層体。
- プラズマ源、温調機構を有する載置台、および、温度制御プレートを有するプラズマ処理装置であって、前記温調機構を有する載置台と温度制御プレートとの間に請求項6に記載のシートが設けられたプラズマ処理装置。
- 温度制御プレートがフォーカスリングである、請求項10に記載のプラズマ処理装置。
- 請求項10または11に記載のプラズマ処理装置を使用して、ドライエッチングをおこなう工程を有する半導体の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016155236 | 2016-08-08 | ||
JP2016155236 | 2016-08-08 | ||
PCT/JP2017/025885 WO2018030079A1 (ja) | 2016-08-08 | 2017-07-18 | 樹脂組成物、それを用いたシート、積層体、パワー半導体装置、プラズマ処理装置および半導体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018030079A1 JPWO2018030079A1 (ja) | 2019-06-06 |
JP6947032B2 true JP6947032B2 (ja) | 2021-10-13 |
Family
ID=61162061
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017547010A Active JP6947032B2 (ja) | 2016-08-08 | 2017-07-18 | 樹脂組成物、それを用いたシート、積層体、パワー半導体装置、プラズマ処理装置および半導体の製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10793718B2 (ja) |
EP (1) | EP3498776B1 (ja) |
JP (1) | JP6947032B2 (ja) |
KR (1) | KR102287542B1 (ja) |
CN (1) | CN109563343B (ja) |
SG (1) | SG11201810798PA (ja) |
TW (1) | TWI733865B (ja) |
WO (1) | WO2018030079A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6562147B2 (ja) * | 2018-02-05 | 2019-08-21 | 三菱マテリアル株式会社 | 絶縁膜、絶縁導体、金属ベース基板 |
US11482467B2 (en) * | 2018-08-23 | 2022-10-25 | Showa Denko Materials Co., Ltd. | Thermally conductive sheet and method of manufacturing semiconductor device |
US11482466B2 (en) * | 2018-08-23 | 2022-10-25 | Showa Denko Materials Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device, thermally conductive sheet, and method of manufacturing thermally conductive sheet |
EP3864077A1 (en) * | 2018-10-12 | 2021-08-18 | PPG Industries Ohio Inc. | Compositions containing thermally conductive fillers |
JP7215164B2 (ja) * | 2018-12-28 | 2023-01-31 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | 熱伝導性絶縁接着シート、及び該シートの製造方法 |
CN111057270B (zh) * | 2019-12-04 | 2021-08-31 | 广东盈骅新材料科技有限公司 | 改性炭黑及其制备方法、树脂组合物、覆铜板 |
JP6923108B1 (ja) * | 2019-12-09 | 2021-08-18 | 住友ベークライト株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物、樹脂シートおよび金属ベース基板 |
JP2021091784A (ja) * | 2019-12-10 | 2021-06-17 | 東レ株式会社 | 硬化物、多層シート、放熱部品、並びに電子部品 |
JP7613063B2 (ja) | 2020-11-24 | 2025-01-15 | artience株式会社 | 硬化性組成物、硬化物、及び積層体 |
CN114517074A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-05-20 | 广东全宝科技股份有限公司 | 一种聚酰亚胺树脂组合物及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2716611B2 (ja) | 1991-10-29 | 1998-02-18 | 住友ベークライト株式会社 | 熱圧着可能な高熱伝導性フィルム状接着剤 |
JP2004319823A (ja) | 2003-04-17 | 2004-11-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用接着フィルム、半導体装置、及び半導体装置の製造方法。 |
JP4695606B2 (ja) | 2007-01-09 | 2011-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理基板の載置装置におけるフォーカスリングの熱伝導改善方法 |
JP5038007B2 (ja) | 2007-04-17 | 2012-10-03 | 電気化学工業株式会社 | 組成物、それを用いた金属ベース回路基板 |
CN101681104A (zh) | 2007-06-06 | 2010-03-24 | 日立化成工业株式会社 | 感光性粘结剂组合物、膜状粘结剂、粘结片、粘结剂图案的形成方法、具有粘结剂层的半导体晶片、半导体装置、以及半导体装置的制造方法 |
JP4771100B2 (ja) | 2008-08-27 | 2011-09-14 | 信越化学工業株式会社 | 無溶剤型ポリイミドシリコーン系樹脂組成物及びその硬化物 |
JP5562574B2 (ja) | 2009-04-14 | 2014-07-30 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性接着剤 |
WO2011046181A1 (ja) * | 2009-10-15 | 2011-04-21 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物、半導体ウエハー接合体および半導体装置 |
JP2011137085A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Sekisui Chem Co Ltd | 樹脂組成物 |
JP5422413B2 (ja) | 2010-01-25 | 2014-02-19 | 電気化学工業株式会社 | 放熱部材及びその製造方法 |
JP2011157447A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Sekisui Chem Co Ltd | 樹脂組成物 |
KR101957532B1 (ko) * | 2010-12-01 | 2019-03-12 | 도레이 카부시키가이샤 | 접착제 조성물, 접착제 시트 및 이들을 사용한 반도체 장치 |
JP5541613B2 (ja) * | 2011-06-08 | 2014-07-09 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性接着剤組成物、接着用シートおよび熱伝導性ダイシング・ダイアタッチフィルム |
JP5650084B2 (ja) * | 2011-06-22 | 2015-01-07 | 新日鉄住金化学株式会社 | 熱伝導性基板及び熱伝導性ポリイミドフィルム |
JP6299607B2 (ja) * | 2013-01-22 | 2018-03-28 | 東レ株式会社 | 接着剤組成物、接着剤シートならびにこれらを用いた硬化物および半導体装置 |
JP6221252B2 (ja) | 2013-02-21 | 2017-11-01 | 東レ株式会社 | ポリイミド樹脂、これを含有する樹脂組成物、これを用いた積層フィルムおよび積層体 |
JP2015048400A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | 学校法人 関西大学 | エポキシ樹脂、エポキシ樹脂組成物およびエポキシ樹脂の製造方法 |
JP6342263B2 (ja) * | 2014-08-27 | 2018-06-13 | 住友電工プリントサーキット株式会社 | カバーレイ、フレキシブルプリント配線板及びledモジュール |
JP6487829B2 (ja) | 2015-11-20 | 2019-03-20 | 株式会社巴川製紙所 | 熱伝導性熱硬化型接着剤組成物及び熱伝導性熱硬化型接着シート |
-
2017
- 2017-07-18 US US16/315,486 patent/US10793718B2/en active Active
- 2017-07-18 WO PCT/JP2017/025885 patent/WO2018030079A1/ja unknown
- 2017-07-18 KR KR1020187037124A patent/KR102287542B1/ko active IP Right Grant
- 2017-07-18 JP JP2017547010A patent/JP6947032B2/ja active Active
- 2017-07-18 SG SG11201810798PA patent/SG11201810798PA/en unknown
- 2017-07-18 EP EP17839152.0A patent/EP3498776B1/en active Active
- 2017-07-18 CN CN201780048049.6A patent/CN109563343B/zh active Active
- 2017-07-26 TW TW106125013A patent/TWI733865B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201819535A (zh) | 2018-06-01 |
CN109563343B (zh) | 2021-03-23 |
EP3498776B1 (en) | 2023-03-08 |
TWI733865B (zh) | 2021-07-21 |
KR20190040138A (ko) | 2019-04-17 |
US10793718B2 (en) | 2020-10-06 |
US20190345332A1 (en) | 2019-11-14 |
SG11201810798PA (en) | 2018-12-28 |
WO2018030079A1 (ja) | 2018-02-15 |
EP3498776A1 (en) | 2019-06-19 |
JPWO2018030079A1 (ja) | 2019-06-06 |
EP3498776A4 (en) | 2020-04-22 |
CN109563343A (zh) | 2019-04-02 |
KR102287542B1 (ko) | 2021-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6947032B2 (ja) | 樹脂組成物、それを用いたシート、積層体、パワー半導体装置、プラズマ処理装置および半導体の製造方法 | |
TWI571501B (zh) | 黏著劑組成物、黏著劑片及使用其之半導體裝置 | |
JP6299607B2 (ja) | 接着剤組成物、接着剤シートならびにこれらを用いた硬化物および半導体装置 | |
JP6528404B2 (ja) | 半導体用樹脂組成物および半導体用樹脂フィルムならびにこれらを用いた半導体装置 | |
JP2010132793A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、それを用いたアンダーフィル剤および半導体装置 | |
JP2017128637A (ja) | 接着剤組成物、接着剤シートならびにそれを有する積層版、基板およびledモジュール | |
JP6504050B2 (ja) | 接着組成物ならびにそれを有する接着フィルム、接着組成物付き基板、半導体装置およびその製造方法 | |
TW202317706A (zh) | 樹脂組成物及其硬化物以及使用其的積層體、靜電吸盤及電漿處理裝置 | |
WO2022138160A1 (ja) | 樹脂組成物、シート状組成物、シート硬化物、積層体、積層部材、ウエハ保持体および半導体製造装置 | |
JP2020084103A (ja) | 樹脂組成物、接着シートおよび多層基板 | |
JP2023010620A (ja) | 樹脂組成物、それを用いたシート状組成物、硬化物、積層体、積層部材、ウエハ保持体、および半導体製造装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200702 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210601 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210618 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210803 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210804 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210817 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210830 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6947032 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |