JP6746898B2 - 異方性導電フィルム及びその製造方法、並びに接続構造体及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 38
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 349
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 116
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 116
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 83
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 43
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 27
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 15
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 7
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 89
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 16
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 6
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 6
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- -1 etc. Substances 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 3
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010539 anionic addition polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000000556 factor analysis Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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Description
導電粒子が2個以上集まって導電粒子群を構成し、
導電粒子群が平面格子パターンの格子点領域に配置されている異方性導電フィルムを提供する。
導電粒子が2個以上集まって導電粒子群を構成し、
導電粒子群が平面格子パターンの格子点領域に配置されている異方性導電フィルムを提供する。
<工程(イ)>
平面格子パターンの格子点領域に相当する凸部が表面に形成された転写体を用意する工程;
<工程(ロ)>
転写体の凸部の天面に少なくとも2個以上の微粘着部を形成する工程;
<工程(ハ)>
該転写体の凸部の微粘着部に導電粒子を付着させる工程;及び
<工程(ニ)>
該転写体の導電粒子が付着した側の表面に絶縁性接着ベース層を重ねて押圧することにより、絶縁性接着ベース層に導電粒子を転着させる工程
を有する製造方法を提供する。なお、この工程(ニ)において、転着した導電粒子を更に絶縁性接着ベース層11に押し込んでもよい。
<工程(イ)>
平面格子パターンの格子点領域に相当する凸部が表面に形成された転写体を用意する工程;
<工程(ロ)>
転写体の凸部の天面に少なくとも2個以上の微粘着部を形成する工程;
<工程(ハ)>
該転写体の凸部の微粘着部に導電粒子を付着させる工程;
<工程(ニ)>
該転写体の導電粒子が付着した側の表面に絶縁性接着ベース層を重ねて押圧することにより、絶縁性接着ベース層に導電粒子を転着させる工程;及び
<工程(ホ)>
導電粒子が転着した絶縁性接着ベース層に対し、導電粒子転着面側から絶縁性接着カバー層を積層する工程
を有する製造方法を提供する。
本発明の異方性導電フィルムを図1A(断面図)又は図1B(断面図)と図2A(平面透視図)とに示す。図1Aの場合、本発明の異方性導電フィルム10は、絶縁性接着ベース層11の表面又は表面近傍に導電粒子13が配置された単層構造を有する。ここで、「導電粒子13が絶縁性接着ベース層11の表面に配置されている」とは、導電粒子13の一部が絶縁性接着ベース層11に押し込まれて配置されていることを表し、導電粒子が絶縁性接着バース層の表面近傍に配置されているとは、絶縁性接着ベース層11に導電粒子13が完全に押し込まれて埋設配置されていることを表す。また、図1Bの場合には、本発明の異方性導電フィルム10は、絶縁性接着ベース層11と絶縁性接着カバー層12とが積層され、それらの界面近傍に導電粒子13が配置された積層構造を有する。ここで、「導電粒子13が絶縁性接着ベース層11と絶縁性接着カバー層12との界面近傍に配置されている」とは、導電粒子13が両層の界面に位置しているか、又は導電粒子13が絶縁性接着ベース層11又は絶縁性接着カバー層12のいずれかに完全に押し込まれて埋設配置されていることを表す。
異方性導電フィルムに想定される平面格子パターンとしては、斜方格子、六方格子、正方格子、矩形格子、平行体格子が挙げられる。中でも、最密充填可能な六方格子が好ましい。
平面格子パターンの格子点領域15の形状としては、種々の形状を取ることができ、例えば、円形、三角形、四角形、多角形、無定形を取ることができる。中でも、平面視における導電粒子との相似性を持つことで、端部にある導電粒子の脱落が防止されやすい点から、格子点領域の中心(重心)は、平面格子パターンの格子点Pと一致していることが好ましく、特に格子点Pを中心とする円形が好ましい。
また、平面格子パターンにおける隣接格子点領域間最短距離、即ち、隣接格子点領域の中心(重心)間最短距離は、導電粒子13の平均粒子径の好ましくは2倍以上もしくは格子点領域15の等倍以上である。隣接格子点領域間最短距離の上限はバンプレイアウトによって適宜設定されるものであるが、フィルムの長手方向において、導電粒子の平均粒子径の200倍未満、より好ましくは100倍未満、さらにより好ましくは34倍未満の間隔を設けるようにしてもよい。L/S=1でバンプ幅が200μmである場合に、バンプ幅方向に沿って格子線が必ず存在できるようになるからである。また、導電粒子を十分に捕捉させるには、バンプ幅方向に沿って格子線が2本以上、もしくは3本以上存在させるようにすることができるからでもある(尚、この格子線はバンプ幅方向と平行でなくともよい)。複数本存在させる場合、例えば格子点に存在する導電粒子が1個になるような抜けが存在したとても、実用上問題なく使用できる。これは歩留まりが上げやすくなるので、製造コスト上のメリットがある。導電粒子が1個になるような格子点が、一つの格子軸方向で3個以上連続していなければ、配列設計にマージンを持って設計することで対応可能であり、実用上問題ない。なお、FOG(Film on Glass)などのようにバンプが冗長であると片当たりになるので、隣接格子点領域間最短距離は、より好ましくは導電粒子径の2倍以上20倍未満である。この範囲であれば、本発明の異方性導電フィルムを異方性導電接続に適用した場合にも、より良好な初期導通性(初期導通抵抗)とエージング後の導通信頼性とを実現でき、ショートの発生もいっそう抑制できる。
格子点領域が円形である場合、その半径は、導電粒子13の平均粒子径の好ましくは2倍以上7倍以下、より好ましくは2倍以上5倍以下である。この数値はバンプレイアウトで適宜設定できる。この範囲であれば、ひとつのバンプとひとつのバンプ間スペースにのみまたがり、複数のバンプをまたがらず、ショートの発生を回避させ易いという効果が得られる。また、バンプやバンプ間スペースが導電粒子径に対して十分に大きい場合は、1辺が粒子径の100倍未満、好ましくは50倍以内、更に好ましくは33倍以内の矩形状であってもよい。
本発明において、2個以上の導電粒子13から「導電粒子群」14を構成させる理由は、複数のバンプにまたがらない導電粒子の集合を作成すること(換言すると、一つのバンプと一つのバンプ間スペースまでにしかまたがらない導電粒子の集合に留めて作成すること)で、ショートを防止することだからである。導電粒子群を構成する導電粒子の数は、導電粒子の平均粒子径や平面格子パターンの格子点ピッチ等により異なるが、2個以上200個以下が好ましい。尚、導電粒子は一つの平面にのみ存在しており、重畳していないことが好ましい。
また、格子点領域内15の導電粒子群14を構成する複数の導電粒子13は、ランダムに配置されてもよく、規則的に配置されてもよいが、互いに過度に接触しないことが好ましい。ショート抑制のためである。導電粒子が互いに接触していない場合の隣接導電粒子間最短距離は、導電粒子の平均粒子径の25%以上である。
また、導電粒子群を評価する指標として、任意の導電粒子の周囲に近接配置されている導電粒子の個数を採用することができる。ここで、導電粒子の周囲とは、導電粒子を球と擬制しその平均粒子径をrとしたとき、フィルムの平面に描ける半径2.5rの同心円である。また、近接とは、その同心円に接触もしくは少なくとも一部が重なっている状態を意味する。導電粒子近接個数は、平面視の観察結果により測定することができる。その個数は、好ましくは1個以上14個以下、より好ましくは1個以上10個以下である。このような個数が好ましい理由は、ファインピッチとする場合のバンプ間の最短距離が、一例として、導電粒子径の4倍未満となるからでもある。換言すれば、過度な導電粒子の密集によるショート発生の抑止と、導電粒子が疎になりすぎることによる異方性接続の不良発生の回避の、これらの両立を図るためである。
導電粒子13としては、公知の異方性導電フィルムにおいて使用されているものを適宜選択して使用することができる。例えば、ニッケル、銅、銀、金、パラジウムなどの金属粒子、ポリアミド、ポリベンゾグアナミン等の樹脂粒子の表面をニッケルなどの金属で被覆した金属被覆樹脂粒子等を挙げることができる。また、その平均粒子径は、1μm以上30μm以下でもよく、製造時の取り扱い性の観点から、好ましくは1μm以上10μm以下、より好ましくは2μm以上6μm以下である。平均粒子径は、前述したように、画像型ないしはレーザー式の粒度分布計により測定することができる。
絶縁性接着ベース層11としては、公知の異方性導電フィルムにおいて絶縁性接着ベース層として使用されているものを適宜選択して使用することができる。例えば、アクリレート化合物と光ラジカル重合開始剤とを含む光ラジカル重合性樹脂層、アクリレート化合物と熱ラジカル重合開始剤とを含む熱ラジカル重合性樹脂層、エポキシ化合物と熱カチオン重合開始剤とを含む熱カチオン重合性樹脂層、エポキシ化合物と熱アニオン重合開始剤とを含む熱アニオン重合性樹脂層等、又はそれらの硬化樹脂層を使用することができる。また、これらの樹脂層には、必要に応じてシランカップリング剤、顔料、酸化防止剤、紫外線吸収剤等を適宜選択して含有させることができる。
絶縁性接着カバー層12としては、公知の異方性導電フィルムにおいて絶縁性接着カバー層として使用されているものを適宜選択して使用することができる。また、先に説明した絶縁性接着ベース層11と同じ材料から形成したものも使用することができる。
なお、導電粒子13を挟んで絶縁性接着ベース層11と絶縁性カバー層12とを積層する場合、公知の手法により行うことができる。この場合、導電粒子13は、これらの層の界面近傍に存在する。ここで、「界面近傍に存在」とは、導電粒子の一部が一方の層に食い込み、残部が他方の層に食い込んでいることを示している。
次に、本発明の異方性導電フィルム、即ち、絶縁性接着ベース層の表面又は表面近傍に導電粒子が配置された構造の異方性導電フィルム(図1A)、又は絶縁性接着ベース層と絶縁性接着カバー層とが積層され、それらの界面近傍に導電粒子が配置された構造の異方性導電フィルムであって、導電粒子が2個以上集まって導電粒子群を構成し、その導電粒子群が平面格子パターンの格子点領域に配置されている異方性導電フィルム(図1B)の製造方法を説明する。絶縁性接着ベース層の表面又は表面近傍に導電粒子が配置された構造の異方性導電フィルムの製造方法は、以下の工程(イ)〜(ニ)を有し、絶縁性接着ベース層と絶縁性接着カバー層とが積層され、それらの界面近傍に導電粒子が配置された構造の異方性導電フィルムの製造方法は、以下の工程(イ)〜(ホ)を有する。図面を参照しながら、工程毎に詳細に説明する。なお、本発明は特にこの製造方法に限定されるものではない。
まず、図3Aに示すように、平面格子パターンの格子点領域に相当する凸部101が表面に形成されている転写体100を用意する。凸部101の形状は略柱状、略半球状、ロッド状等の種々の形状を取ることができる。「略」としたのは、凸部が高さ方向に常に同じ巾である場合だけでなく、上方に向かって巾が狭まる場合等も有り得るからである。ここで、略柱状とは、略円柱状もしくは略角柱状(三角柱、四角柱、六角柱等)である。好ましくは略円柱状である。
この工程(イ)で用意すべき転写体は、公知の手法を利用して作成することができ、例えば、金属プレートを加工して原盤を作成し、それに硬化性樹脂組成物を塗布し、硬化させて作成することができる。具体的には、平坦な金属板を切削加工して、凸部に対応した凹部を形成した転写体原盤も作成し、この原盤の凹部形成面に転写体を構成する樹脂組成物を塗布し、硬化させた後、原盤から引き離すことにより転写体が得られる。この凸部を平面視した際に認識できる輪郭で囲まれた領域が平面格子パターンの格子点領域に相当する。
次に、図3Bに示すように、表面に複数の凸部101が平面格子パターンで形成された転写体100の凸部101の天面に少なくとも2個の微粘着部102を形成する。微粘着部102同士の最短距離は、適用する導電粒子の平均粒子径の好ましくは0.25倍以上、より好ましくは0.5倍以上となるように設定する。
微粘着部102は、異方性導電フィルムを構成する絶縁性接着ベース層に導電粒子が転着されるまで、導電粒子を一時的に保持できる粘着力を示す部分であり、凸部101の少なくとも天面に形成される。従って、凸部101全体が微粘着性であってもよいが、導電粒子の意図しない凝集が生じてしまうことを避けるために、本発明では、互いに離間した2個以上の微粘着部102を設ける。また、微粘着部102の厚みは、微粘着部102の材質、導電粒子の粒子径等に応じて適宜決定することができる。また、“微粘着”とは、絶縁性接着ベース層に導電粒子を転着する際に、絶縁性接着ベース層よりも粘着力が弱いという意味である。
次に、図3C示すように、転写体100の凸部101の微粘着部102に導電粒子103を付着させる。具体的には、転写体100の凸部101の上方から導電粒子103を散布し、微粘着部102に付着しなかった導電粒子103をブロアを用いて吹き飛ばせばよい。ここで、一つの突部101に複数の導電粒子103が付着し、それらから導電粒子群114が構成される。
次に、図3Dに示すように、転写体100の導電粒子群114が付着した側の表面に、異方性導電フィルムを構成すべき絶縁性接着ベース層104を重ねて押圧することにより、絶縁性接着ベース層104の片面に導電粒子群114を転着させる(図3E)。この場合、転写体100を、その凸部101が下向きになるように絶縁性接着ベース層104に重ねて押圧することが好ましい。下向きにしてブロアすることで、凸部の天面に貼着されていない導電粒子を除去し易くさせるためである。なお、この工程において、転着した導電粒子を更に絶縁性接着ベース層11に押し込んでよい。例えば、転写体で更に押圧してもよく、あるいは絶縁性接着ベース層の導電粒子転着面を一般的に加熱押圧平板で押圧してもよい。これにより、絶縁性接着ベース層の表面又は表面近傍に導電粒子が配置された構造の図1Aの異方性導電フィルムが得られる。
更に、図3Fに示すように、導電粒子103が転着した絶縁性接着ベース層104に対し、導電粒子転着面側から絶縁性接着カバー層105を積層する。これにより本発明の異方性導電フィルム200(図1B)が得られる。
本発明の異方性導電フィルムは、第1の電子部品(例えば、ICチップ)の端子(例えばバンプ)と、第2の電子部品(例えば配線基板)の端子(例えばバンプ、パッド)との間に配置し、第1又は第2の電子部品側から熱圧着により本硬化させて異方性導電接続することにより、ショートや導通不良が抑制された、いわゆるCOG(chip on glass)やFOG(film on glass)等の接続構造体を得ることができる。
厚さ2mmのニッケルプレートを用意し、四方格子パターンで円柱状の凹部(内径8μm、最大深さ8μm)を形成し、更に底部に深さ1μm、幅1μmの直線な溝をランダムに形成し(溝の全面積は底部全面積の70%以内)、転写体原盤とした。隣接凹部間距離は12μmであった。従って、凹部の密度は2500個/mm2であった。この凹部の内径と隣接凹部間距離が転写体の凸部径と隣接凸部間最短距離に対応する。
微粘着層は、転写体原盤の底部に設けられた溝によって、ドット状に形成されている。
転写体原盤を作成する際に、隣接凹部間距離を8μmに変更すること以外、実施例1を繰り返すことにより異方性導電フィルムを得た。なお、転写体原盤の凹部の密度は3900個/mm2であった。
転写体原盤を作成する際に、凹部内径を12μmとし且つ隣接凹部間距離を8μmに変更すること以外、実施例1を繰り返すことにより異方性導電フィルムを得た。なお、転写体原盤の凹部の密度は2500個/mm2であった。
転写体原盤を作成する際に、凹部内径を20μmとし且つ隣接凹部間距離を20μmに変更すること以外、実施例1を繰り返すことにより異方性導電フィルムを得た。なお、転写体原盤の凹部の密度は625個/mm2であった。
転写体原盤を作成する際に、凹部内径を12μmとし且つ隣接凹部間距離を4μmに変更すること以外、実施例1を繰り返すことにより異方性導電フィルムを得た。なお、転写体原盤の凹部の密度は3900個/mm2であった。
実施例2において、導電粒子の散布・ブロア処理を2回行うこと以外、実施例2を繰り返すことにより異方性導電フィルムを得た。
転写体原盤を作成する際に、凹部内径を8μmとし且つ隣接凹部間距離を80μmに変更すること以外、実施例1を繰り返すことにより異方性導電フィルムを得た。凹部の密度は130個/mm2であった。
(格子点領域に関連する評価)
実施例及び比較例の異方性導電フィルムの格子点領域(円形)における隣接導電粒子間最短距離、隣接格子点領域最短距離、格子点領域径を、光学顕微鏡(MX50、オリンパス(株))を用いて測定した。得られた結果を表1に示す。
実施例及び比較例の異方性導電フィルムの任意の導電粒子を100個選び、それぞれの導電粒子を球と擬制しその平均粒子径をrとしたときの水平方向における半径2.5rの同心円に一部でも重なっている導電粒子の個数を、光学顕微鏡(MX50、オリンパス(株))を用いて測定した。得られた結果(最小個数(MIN)と最大個数(MAX))を表1に示す。実用上10個以下であることが好ましい。
実施例及び比較例の異方性導電フィルムを用いて、バンプ間スペースが12μmで、高さ15μm、直径30×50μmの金バンプを有するICチップと、12μmスペースの配線が設けられたガラス基板とを、180℃、60MPa、5秒という条件で異方性導電接続し、接続構造体を得た。得られた接続構造体について、抵抗測定器(デジタルマルチメーター、横河電機(株))を用いて初期導通抵抗値を測定した。得られた結果を表1に示す。1Ω以下であることが望まれる。
初期導通抵抗値の測定に使用した接続構造体を、温度85℃、湿度85%に設定されたエージング試験器中に投入し、500時間放置した後の導通抵抗値を、初期導通抵抗と同様に測定した。得られた結果を表1に示す。5Ω以下であることが望まれる。
初期導通抵抗で使用したものと同じ接続構造体を作成し、隣接する配線間のショートの発生の有無を調べた。得られた結果を表1に示す。ショート発生率が50ppm以下であることが望まれる。
絶縁性接着カバー層を使用することなく、実施例1からフェノキシ樹脂(YP−50、新日鉄住金化学(株))を40質量部から50質量部に、シリカ微粒子フィラー(アエロジルRY200、日本アエロジル(株))を20質量部から10質量部に、厚みを5μから20μmにする以外は実施例1と同様にして絶縁性接着ベース層を作製し、導電粒子を転写および押圧させることにより、図1Aに示すような、絶縁性接着ベース層に導電粒子が配置された異方性導電フィルムを得た。この異方性導電フィルムを使用した接続構造体は、実施例1の場合と同様に、初期導通性(初期導通抵抗)、導通信頼性、ショート発生率の各評価項目について、良好な結果を示した。
導電粒子が図2Bに示した規則配列している異方性導電フィルムを製造するために、凹部(寸法14μm×14μm(凹部の各角には、転写体の対応各角にのみ微粘着層が設けられるように段差が設けられている)、凹部密度125個/mm2、隣接凹部間距離75μmの転写体原盤を使用し、導電粒子群の導電粒子数が4個、導電粒子群における導電粒子間距離が4μmとなるように、転写体の凸部の天面の角に微粘着層を設け、実施例1の絶縁性接着ベース層のフェノキシ樹脂(YP−50、新日鉄住金化学(株))を40質量部から50質量部に、シリカ微粒子フィラー(アエロジルRY200、日本アエロジル(株))を20質量部から10質量部にしたこと以外、実施例1と同様にして異方性導電フィルムを得た。導電粒子の個数密度は500個/mm2となった。
導電粒子の個数密度が2000個/mm2となるように、凹部密度500個/mm2、隣接凹部間距離31μmの転写体原盤を使用した以外は、実施例6と同様にして異方性導電フィルムを得た。
導電粒子が図2Cに示した規則配列している異方性導電フィルムを製造するために、凹部寸法20μm×20μm(凹部には、転写体の所定箇所にのみ微粘着層が設けられるように段差が設けられている)、凹部密度125個/mm2、隣接中心間距離69μmの転写体原盤を使用し、導電粒子群の導電粒子数が6個、5個、4個、3個と連続的に変化するようにし、且つ導電粒子群内における導電粒子間最短距離が、いずれの形状でも3μm以上になるように設定した。なお、いずれの形状もその外形が略等しくなるように設定している。また形状は正六角形、正五角形、正方形、正三角形のいずれかの辺の長さを適宜調節し、これらに近似した形状となっている。転写体の凸部の天面の微粘着層を設けたこと以外、実施例6と同様にして異方性導電フィルムを得た。導電粒子の個数密度は500個/mm2となった。
導電粒子の個数密度が2000個/mm2となるように、凹部密度500個/mm2、隣接凹部間距離25μmの転写体原盤を使用した以外は、実施例8と同様にして異方性導電フィルムを得た。
導電粒子が図2Dに示した規則配列している異方性導電フィルムを製造するために、凹部寸法20μm×20μm(凹部には、転写体の所定箇所にのみ微粘着層が設けられるように段差が設けられている)、凹部密度167個/mm2、隣接凹部間距離57μmの転写体原盤を使用し、導電粒子群の導電粒子数が3個、導電粒子群の形状が2等辺3角形形状であって導電粒子間距離が(4μm、12μmおよび12μm)、又は(8μm、13μmおよび13μm)となるように、転写体の凸部の天面の微粘着層を設けたこと以外、実施例6と同様にして異方性導電フィルムを得た。導電粒子の個数密度は500個/mm2となった。
導電粒子の個数密度が2000個/mm2となるように、凹部密度667個/mm2、隣接凹部間距離19μmの転写体原盤を使用した以外は、実施例10と同様にして異方性導電フィルムを得た。
導電粒子が図2Eに示した規則配列している異方性導電フィルムを製造するために、フィルムの長手方向および短手方向に向かってそれぞれ矩形の導電粒子群の傾斜が15度づつ増加している転写体原盤を使用する以外、実施例6と同様にして異方性導電フィルムを得た。導電粒子の個数密度は500個/mm2となった。
導電粒子の個数密度が2000個/mm2となるように、凹部密度500個/mm2、隣接凹部間距離31μmの転写体原盤を使用した以外、実施例12と同様にして異方性導電フィルムを得た。
11、104 絶縁性接着ベース層
12、105 絶縁性接着カバー層
13、103 導電粒子
14、114 導電粒子群
15 平面格子パターンの格子点領域
100 転写体
101 凸部
102 微粘着部
P 格子点
Claims (22)
- 絶縁性接着ベース層の表面又は表面近傍に導電粒子が配置された構造の異方性導電フィルムであって、
導電粒子が2個以上集まって導電粒子群を構成し、
導電粒子群が平面格子パターンの格子点領域に配置され、導電粒子群内において導電粒子が規則的に配置されており、
平面格子パターンの格子点領域が、格子点を中心とする円であって、その半径が導電粒子の平均粒子径の2倍以上7倍以下であり、
隣接する格子点領域同士の最短距離が、導電粒子の平均粒子径の2倍以上もしくは格子点領域の等倍以上のいずれかである異方性導電フィルム。 - 絶縁性接着ベース層の表面又は表面近傍に導電粒子が配置された構造の異方性導電フィルムであって、
導電粒子が2個以上集まって導電粒子群を構成し、
導電粒子群が平面格子パターンの格子点領域に配置され、導電粒子群内において導電粒子が規則的に配置されており、
平面格子パターンの格子点領域が、一辺が導電粒子の平均粒子径の2倍以上100倍未満の矩形であり、
隣接する格子点領域同士の最短距離が、導電粒子の平均粒子径の2倍以上もしくは格子点領域の等倍以上のいずれかである異方性導電フィルム。 - 絶縁性接着ベース層の表面又は表面近傍に導電粒子が配置された構造の異方性導電フィルムであって、
導電粒子が2個以上集まって導電粒子群を構成し、
導電粒子群が平面格子パターンの格子点領域に配置され、導電粒子群内において導電粒子が規則的に配置されており、
平面格子パターンが、斜方格子、六方格子、正方格子、矩形格子又は平行体格子であり、
隣接する格子点領域同士の最短距離が、導電粒子の平均粒子径の2倍以上もしくは格子点領域の等倍以上のいずれかである異方性導電フィルム。 - 絶縁性接着ベース層に、更に絶縁性接着カバー層が積層され、それらの界面近傍に導電粒子が配置された構造を有する請求項1〜3のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
- 格子点領域に配置された導電粒子群を構成する2個以上の導電粒子が、互いに接触していない請求項1〜4のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
- 互いに接触していない導電粒子について、隣接導電粒子間の最短距離が平均粒子径の25%以上である請求項5記載の異方性導電フィルム。
- 導電粒子群内の導電粒子数が、導電粒子群毎に規則的に変化している請求項1〜6のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
- 導電粒子群内の導電粒子間距離が、導電粒子群毎に規則的に変化している請求項1〜7のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
- 導電粒子が3個以上集まって導電粒子群を構成している請求項1〜8のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
- 導電粒子群内の導電粒子からなる多角形状の少なくとも2辺が、フィルムの長手方向及びそれに直交する方向と平行ではない請求項9記載の異方性導電フィルム。
- 導電粒子群内の導電粒子からなる多角形状のフィルム長手方向に対する角度が規則的に変化している請求項9又は10記載の異方性導電フィルム。
- 絶縁性接着ベース層がフィラーを含有する請求項1〜11のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
- 絶縁性接着ベース層又は絶縁性接着カバー層の少なくとも一方がフィラーを含有する請求項2〜11のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
- 格子点領域の重心が平面格子パターンの格子点と一致している請求項1〜13のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
- 導電粒子が金属粒子又は金属被覆樹脂粒子である請求項1〜14のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
- 格子点間距離が導電粒子群の大きさよりも大きい請求項1〜15のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
- 請求項1記載の異方性導電フィルムの製造方法であって、以下の工程(イ)〜(ニ):
<工程(イ)>
平面格子パターンの格子点領域に相当する凸部が表面に形成された転写体を用意する工程;
<工程(ロ)>
転写体の凸部の天面に少なくとも2個以上の微粘着部を形成する工程;
<工程(ハ)>
該転写体の凸部の微粘着部に導電粒子を付着させる工程;及び
<工程(ニ)>
該転写体の導電粒子が付着した側の表面に絶縁性接着ベース層を重ねて押圧することにより、絶縁性接着ベース層に導電粒子を転着させる工程
を有する製造方法。 - 請求項4記載の異方性導電フィルムの製造方法であって、以下の工程(イ)〜(ホ):
<工程(イ)>
平面格子パターンの格子点領域に相当する凸部が表面に形成された転写体を用意する工程;
<工程(ロ)>
転写体の凸部の天面に少なくとも2個以上の微粘着部を形成する工程;
<工程(ハ)>
該転写体の凸部の微粘着部に導電粒子を付着させる工程;
<工程(ニ)>
該転写体の導電粒子が付着した側の表面に絶縁性接着ベース層を重ねて押圧することにより、絶縁性接着ベース層に導電粒子を転着させる工程;及び
<工程(ホ)>
導電粒子が転着した絶縁性接着ベース層に対し、導電粒子転着面側から絶縁性接着カバー層を積層する工程
を有する製造方法。 - 工程(イ)で用いる転写体が、金属プレートを加工して原盤を作成し、それに硬化性樹脂組成物を塗布し、硬化させて作成したものである請求項17又は18記載の製造方法。
- 工程(イ)の転写体の凸部の高さが、導電粒子の平均粒子径の1.2倍以上4倍未満であり、凸部の半値巾が、導電粒子の平均粒子径の2倍以上7倍以下である請求項17〜19のいずれかに記載の製造方法。
- 第1の電子部品の端子と、第2の電子部品の端子とが、請求項1〜16のいずれかに記載の異方性導電フィルムにより異方性導電接続された接続構造体。
- 第1の電子部品の端子と、第2の電子部品の端子とを、請求項1〜16のいずれかに記載の異方性導電フィルムにより異方性導電接続する、接続構造体の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014232934 | 2014-11-17 | ||
JP2014232934 | 2014-11-17 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020131520A Division JP7140162B2 (ja) | 2014-11-17 | 2020-08-03 | 異方性導電フィルム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016103476A JP2016103476A (ja) | 2016-06-02 |
JP2016103476A5 JP2016103476A5 (ja) | 2018-11-22 |
JP6746898B2 true JP6746898B2 (ja) | 2020-08-26 |
Family
ID=56013914
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015224474A Active JP6746898B2 (ja) | 2014-11-17 | 2015-11-17 | 異方性導電フィルム及びその製造方法、並びに接続構造体及びその製造方法 |
JP2020131520A Active JP7140162B2 (ja) | 2014-11-17 | 2020-08-03 | 異方性導電フィルム |
JP2022142088A Active JP7440789B2 (ja) | 2014-11-17 | 2022-09-07 | 異方性導電フィルム並びに接続構造体及びその製造方法 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020131520A Active JP7140162B2 (ja) | 2014-11-17 | 2020-08-03 | 異方性導電フィルム |
JP2022142088A Active JP7440789B2 (ja) | 2014-11-17 | 2022-09-07 | 異方性導電フィルム並びに接続構造体及びその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US10026709B2 (ja) |
JP (3) | JP6746898B2 (ja) |
KR (3) | KR102362816B1 (ja) |
CN (5) | CN112421263B (ja) |
TW (5) | TWI733504B (ja) |
WO (1) | WO2016080379A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170044766A (ko) | 2012-08-01 | 2017-04-25 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 이방성 도전 필름의 제조 방법, 이방성 도전 필름, 및 접속 구조체 |
KR20170081295A (ko) | 2012-08-29 | 2017-07-11 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 이방성 도전 필름 및 그 제조 방법 |
CN110265843B (zh) * | 2014-10-28 | 2021-05-11 | 迪睿合株式会社 | 各向异性导电膜 |
CN112421263B (zh) * | 2014-11-17 | 2022-10-25 | 迪睿合株式会社 | 各向异性导电膜、连接结构体及其制造方法 |
CN118325319A (zh) * | 2016-05-05 | 2024-07-12 | 迪睿合株式会社 | 填充剂配置膜 |
JP7274810B2 (ja) * | 2016-05-05 | 2023-05-17 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電フィルム |
WO2017191779A1 (ja) | 2016-05-05 | 2017-11-09 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電フィルム |
JP7081097B2 (ja) * | 2016-09-13 | 2022-06-07 | デクセリアルズ株式会社 | フィラー含有フィルム |
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KR102478199B1 (ko) * | 2016-10-18 | 2022-12-15 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 필러 함유 필름 |
JP7087305B2 (ja) * | 2017-04-23 | 2022-06-21 | デクセリアルズ株式会社 | フィラー含有フィルム |
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JP7035370B2 (ja) * | 2016-10-31 | 2022-03-15 | デクセリアルズ株式会社 | フィラー含有フィルム |
JP7319578B2 (ja) * | 2017-04-23 | 2023-08-02 | デクセリアルズ株式会社 | フィラー含有フィルム |
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JP6476747B2 (ja) * | 2014-10-28 | 2019-03-06 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電フィルム及び接続構造体 |
JP6661969B2 (ja) * | 2014-10-28 | 2020-03-11 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電フィルム及び接続構造体 |
CN107078419B (zh) * | 2014-10-31 | 2021-11-23 | 迪睿合株式会社 | 各向异性导电膜 |
CN112421263B (zh) * | 2014-11-17 | 2022-10-25 | 迪睿合株式会社 | 各向异性导电膜、连接结构体及其制造方法 |
US10389088B2 (en) * | 2015-03-13 | 2019-08-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor light emitting element |
JP7095227B2 (ja) * | 2016-05-05 | 2022-07-05 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電フィルム |
-
2015
- 2015-11-17 CN CN202011324300.7A patent/CN112421263B/zh active Active
- 2015-11-17 TW TW109121589A patent/TWI733504B/zh active
- 2015-11-17 TW TW111144850A patent/TW202312190A/zh unknown
- 2015-11-17 TW TW110121248A patent/TWI785642B/zh active
- 2015-11-17 TW TW104137995A patent/TWI732746B/zh active
- 2015-11-17 CN CN202210283888.9A patent/CN114512832B/zh active Active
- 2015-11-17 CN CN202011324120.9A patent/CN112421262B/zh active Active
- 2015-11-17 CN CN201580058276.8A patent/CN107078420B/zh active Active
- 2015-11-17 CN CN201911284496.9A patent/CN111029875B/zh active Active
- 2015-11-17 KR KR1020197018608A patent/KR102362816B1/ko active IP Right Grant
- 2015-11-17 KR KR1020177006100A patent/KR101996737B1/ko active IP Right Grant
- 2015-11-17 WO PCT/JP2015/082221 patent/WO2016080379A1/ja active Application Filing
- 2015-11-17 TW TW111104942A patent/TW202219987A/zh unknown
- 2015-11-17 JP JP2015224474A patent/JP6746898B2/ja active Active
- 2015-11-17 US US15/523,438 patent/US10026709B2/en active Active
- 2015-11-17 KR KR1020227004452A patent/KR102677632B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-05-24 US US15/988,065 patent/US10304796B2/en active Active
-
2019
- 2019-04-12 US US16/383,234 patent/US12087722B2/en active Active
-
2020
- 2020-08-03 JP JP2020131520A patent/JP7140162B2/ja active Active
-
2022
- 2022-03-09 US US17/690,276 patent/US11923333B2/en active Active
- 2022-09-07 JP JP2022142088A patent/JP7440789B2/ja active Active
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JP6682804B2 (ja) | 異方性導電フィルム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181009 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181009 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190621 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190709 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190905 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200114 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20200309 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200514 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200707 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200720 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6746898 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |