JP6628974B2 - Transparent conductive film - Google Patents
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Description
本発明は、透明導電層形成用積層体および透明導電性フィルムに関する。
特に、低屈折率層における耐エッチング性に優れ、透明導電層のパターン形状を安定的に不可視化することができ、かつ、透明導電層等との間の密着性に優れた透明導電層形成用積層体およびそれを用いた透明導電性フィルムに関する。
The present invention relates to a transparent conductive layer-forming laminate and a transparent conductive film.
In particular, for forming a transparent conductive layer having excellent etching resistance in a low refractive index layer, capable of stably making the pattern shape of a transparent conductive layer invisible, and having excellent adhesion to a transparent conductive layer and the like. The present invention relates to a laminate and a transparent conductive film using the same.
従来、画像表示部に直接触れることにより情報を入力できるタッチパネルは、光透過性の入力装置をディスプレイ上に配置してなるものである。
かかるタッチパネルの代表的な形式としては、2枚の透明電極基板をそれぞれの透明電極層が向かい合うように隙間を設けつつ配置してなる低抵抗膜式タッチパネルや、透明電極膜と指との間に生じる静電容量の変化を利用する静電容量式タッチパネルが存在する。
2. Description of the Related Art Conventionally, a touch panel capable of inputting information by directly touching an image display unit has a light-transmitting input device arranged on a display.
As a typical form of such a touch panel, a low resistance film type touch panel in which two transparent electrode substrates are arranged while providing a gap so that respective transparent electrode layers face each other, or between a transparent electrode film and a finger There is a capacitive touch panel that utilizes a change in the generated capacitance.
このうち、静電容量式タッチパネルでは、指のタッチ位置を検出するためのセンサーとして、大別して透明導電層がガラス基材上に積層されてなるガラスセンサーと、透明導電層が透明プラスチックフィルム基材上に積層されてなるフィルムセンサーとが存在する。
特にフィルムセンサーにおいては、ライン状にパターン化された透明導電層を備えた透明導電性フィルム2枚を、それぞれのパターンが互いにクロスするように配置することにより、格子状のパターンが形成されることが多い。
Among these, in a capacitive touch panel, a sensor for detecting a touch position of a finger is roughly classified into a glass sensor in which a transparent conductive layer is laminated on a glass substrate, and a transparent conductive layer in a transparent plastic film substrate. And a film sensor laminated thereon.
In particular, in a film sensor, a grid-like pattern is formed by arranging two transparent conductive films having a transparent conductive layer patterned in a line shape so that each pattern crosses each other. There are many.
しかしながら、このように透明導電層をパターン化した場合、パターン部と非パターン部との境界部分が視認されやすくなってしまい、静電容量式タッチパネルの見栄えが悪くなるという問題が見られた。
そこで、かかる問題を解決するための技術が開示されている(例えば、特許文献1〜2参照)。
However, when the transparent conductive layer is patterned as described above, the boundary between the pattern portion and the non-pattern portion is easily visually recognized, and the problem that the appearance of the capacitive touch panel deteriorates has been observed.
Therefore, techniques for solving such a problem have been disclosed (for example, see Patent Documents 1 and 2).
すなわち、特許文献1には、ポリエステルフィルムの少なくとも片側に樹脂層が設けられた積層フィルムであって、該樹脂層は、少なくともシリカ粒子(B)とアクリル樹脂(D)を含有し、該シリカ粒子が中空粒子および/または孔を有する粒子であり、かつ、該シリカ粒子の数平均粒子径が30nm以上120nm以下であり、該アクリル樹脂(D)が、下記一般式(1)で表される(メタ)アクリレートモノマー(d−1)と、下記一般式(2)で表される(メタ)アクリレートモノマー(d−2)を用いてなる樹脂であり、積層フィルムの樹脂層側の最小反射率が2.0%以下であることを特徴とする光学用積層フィルムが開示されている。 That is, Patent Document 1 discloses a laminated film in which a resin layer is provided on at least one side of a polyester film, wherein the resin layer contains at least silica particles (B) and an acrylic resin (D), Are hollow particles and / or particles having pores, and the silica particles have a number average particle diameter of 30 nm or more and 120 nm or less, and the acrylic resin (D) is represented by the following general formula (1) ( It is a resin using a (meth) acrylate monomer (d-1) and a (meth) acrylate monomer (d-2) represented by the following general formula (2), and has a minimum reflectance on the resin layer side of the laminated film. An optical laminated film characterized by being 2.0% or less is disclosed.
(一般式(1)において、R1基は、水素原子またはメチル基を表し、また一般式(1)におけるnは、9以上34以下の整数を表す。) (In the general formula (1), the R 1 group represents a hydrogen atom or a methyl group, and n in the general formula (1) represents an integer of 9 or more and 34 or less.)
(一般式(2)において、R1基は、水素原子またはメチル基を表す、また、R2基は、飽和の炭素環を2つ以上含む官能基を表す。) (In the general formula (2), the R 1 group represents a hydrogen atom or a methyl group, and the R 2 group represents a functional group containing two or more saturated carbon rings.)
また、特許文献2には、透明なフィルム基材の片面または両面に少なくとも1層のアンダーコート層を介して、透明導電体層を有し、かつ透明導電体層はパターン化されており、かつ透明導電体層を有しない非パターン部には少なくとも1層のアンダーコート層を有する透明導電性フィルムの製造方法であって、透明なフィルム基材の片面または両面に、透明なフィルム基材に形成されたアンダーコート層を有機物により形成する工程、アンダーコート層上に、スパッタリング法により透明導電体層を形成する工程、および透明導電体層を、エッチングしてパターン化する工程を有することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法が開示されている。
また、上述したアンダーコート層が2層からなり、最表面のアンダーコート層を、シリカゾルを塗工することにより形成されたSiO2膜とすることが記載されている。
Further, Patent Document 2 has a transparent conductor layer on at least one side of a transparent film substrate via at least one undercoat layer, and the transparent conductor layer is patterned, and A method for producing a transparent conductive film having at least one undercoat layer in a non-patterned portion having no transparent conductive layer, comprising forming a transparent film substrate on one or both sides of a transparent film substrate. Forming a formed undercoat layer with an organic material, forming a transparent conductor layer on the undercoat layer by a sputtering method, and etching and patterning the transparent conductor layer. A method for producing a transparent conductive film is disclosed.
It also describes that the above-mentioned undercoat layer is composed of two layers, and the outermost undercoat layer is a SiO 2 film formed by applying silica sol.
しかしながら、特許文献1に開示されている光学用積層フィルムは、透明導電層をエッチングによりパターン化する際に、透明導電層が形成される樹脂層がエッチング液により侵食されやすく、それにより透明導電層のパターン形状を安定的に不可視化することが困難になるという問題が見られた。
より具体的には、近年、スマートフォン等の生産増加に伴い、エッチング処理の迅速化が要求されており、特に、エッチング処理の最終工程である残留したフォトレジストを除去するためのアルカリ処理には、例えば、40℃に加温した5重量%の水酸化ナトリウム水溶液を用いる場合がある。
このような過酷なアルカリ処理を行った場合、特許文献1に開示されている光学用積層フィルムでは、樹脂層におけるシリカ粒子が溶けたり、脱落したりしやすく、その結果、安定的に透明導電層のパターン形状を不可視化することが困難になるという問題が見られた。
However, when the transparent conductive layer is patterned by etching, the resin layer on which the transparent conductive layer is formed is easily eroded by the etchant when the transparent conductive layer is patterned by etching. There was a problem that it was difficult to stably invisible the pattern shape.
More specifically, in recent years, with the increase in production of smartphones and the like, rapid etching processing is required, and in particular, alkali processing for removing the remaining photoresist, which is the final step of the etching processing, For example, a 5% by weight aqueous sodium hydroxide solution heated to 40 ° C. may be used.
When such severe alkali treatment is performed, in the optical laminated film disclosed in Patent Document 1, the silica particles in the resin layer are easily melted or dropped, and as a result, the transparent conductive layer is stably formed. There is a problem that it is difficult to make the pattern shape invisible.
また、特許文献2に開示されている製造方法により得られる透明導電性フィルムの場合も、過酷なアルカリ処理を行った場合、SiO2膜におけるシリカ粒子が溶けたり、脱落したりしやすく、その結果、安定的に透明導電層のパターン形状を不可視化することが困難になるという問題が見られた。 Also, in the case of a transparent conductive film obtained by the production method disclosed in Patent Document 2, when severe alkali treatment is performed, silica particles in the SiO 2 film are easily melted or dropped off. In addition, there has been a problem that it is difficult to stably make the pattern shape of the transparent conductive layer invisible.
そこで、本発明者等は、以上のような事情に鑑み、鋭意努力したところ、透明導電層形成用積層体の最表面層である低屈折率層にシリカを含有させるとともに、低屈折率層の露出面側における、シリカ微粒子が存在しない空隙の割合を15%以上の値とすることにより、上述した問題を解決できることを見出し、本発明を完成させたものである。
すなわち、本発明の目的は、低屈折率層における耐エッチング性に優れ、過酷なエッチング処理条件であっても、透明導電層のパターン形状を安定的に不可視化することができ、かつ、透明導電層等との間の密着性に優れた透明導電層形成用積層体およびそれを用いた透明導電性フィルムを提供することにある。
Then, the present inventors, in view of the above circumstances, and made intensive efforts, while containing silica in the low refractive index layer, which is the outermost layer of the transparent conductive layer forming laminate, the low refractive index layer The inventors have found that the above-mentioned problem can be solved by setting the ratio of voids on which the silica fine particles are not present on the exposed surface side to a value of 15% or more, thereby completing the present invention.
That is, an object of the present invention is to provide a low-refractive-index layer with excellent etching resistance, which can stably make the pattern shape of the transparent conductive layer invisible even under severe etching conditions, and It is an object of the present invention to provide a transparent conductive layer-forming laminate excellent in adhesion between layers and the like, and a transparent conductive film using the same.
本発明によれば、基材の少なくとも一方の表面に光学調整層を有する透明導電層形成用積層体であって、光学調整層が、基材フィルム側から、屈折率が1.6以上の値である高屈折率層と、屈折率が1.45以下の値である低屈折率層と、を順に積層してなるとともに、低屈折率層がシリカ微粒子を含有し、かつ、低屈折率層の露出面側における、シリカ微粒子が存在しない空隙の割合を15%以上の値とすることを特徴とする透明導電層形成用積層体が提供され、上述した問題を解決することができる。
より具体的には、基材フィルムの少なくとも一方の表面に光学調整層を有する透明導電層形成用積層体であって、基材フィルムの両面もしくは片面にハードコート層が設けてあって、光学調整層が、基材フィルム側から、屈折率が1.6以上の値である高屈折率層と、屈折率が1.45以下の値である低屈折率層と、を順に積層してなるとともに、低屈折率層がシリカ微粒子を含有し、かつ、低屈折率層の露出面側における、シリカ微粒子が存在しない空隙の割合を15%以上の値とし、低屈折率層における表面自由エネルギーを37mN/m以上の値とすることを特徴とする透明導電層形成用積層体である。
すなわち、本発明の透明導電層形成用積層体であれば、透明導電層形成用積層体の最表面層である低屈折率層にシリカ微粒子を含有させるとともに、低屈折率層の露出面側における、シリカ微粒子が存在しない空隙の割合(以下、「空隙率」と称する場合がある)を15%以上の値としていることから、過酷なアルカリ処理を含むエッチング処理を行った場合であっても、その前後での低屈折率層における空隙率の変化率(以下、「空隙変化率」と称する場合がある)を効果的に小さくすることができる。
より具体的には、エッチング処理によって低屈折率層におけるシリカ微粒子が溶けたり、脱落したりすることを効果的に抑制することができる(以下、かかる効果を「耐エッチング性」と称する場合がある)。
その結果、過酷なアルカリ処理を含むエッチング処理を行った場合であっても、低屈折率層に要求される所定の屈折率を効果的に維持することができ、ひいては、透明導電層のパターン形状を安定的に不可視化することができる。
また、過酷なアルカリ処理を含むエッチング処理を行った場合であっても、その前後での低屈折率層における空隙変化率を効果的に小さくすることができることから、シリカ微粒子に起因した低屈折率層の表面における微細な凹凸も効果的に維持することができる。
その上、低屈折率層における表面自由エネルギーを37mN/m以上の値とすることによって、耐エッチング性を向上させつつも、低屈折率層に要求される透明導電層等に対する所定の密着力をより効果的に得ることができる。
したがって、低屈折率層の表面における表面自由エネルギーを所定の範囲に維持して、低屈折率層に要求される透明導電層等に対する所定の密着性を得ることができる。
According to the present invention, a transparent conductive layer-forming laminate having an optical adjustment layer on at least one surface of a substrate, wherein the optical adjustment layer has a refractive index of 1.6 or more from the base film side. And a low-refractive-index layer having a refractive index of 1.45 or less, and the low-refractive-index layer contains fine silica particles, and the low-refractive-index layer is The transparent conductive layer-forming laminate characterized in that the ratio of voids on which the silica fine particles are not present on the exposed surface side is set to a value of 15% or more, and the above-mentioned problem can be solved.
More specifically, it is a laminate for forming a transparent conductive layer having an optical adjustment layer on at least one surface of a substrate film, wherein a hard coat layer is provided on both surfaces or one surface of the substrate film, The layer is formed by sequentially stacking, from the base film side, a high refractive index layer having a refractive index of 1.6 or more and a low refractive index layer having a refractive index of 1.45 or less. The low refractive index layer contains silica fine particles, and the ratio of voids on the exposed surface side of the low refractive index layer where no silica fine particles exist is set to a value of 15% or more, and the surface free energy in the low refractive index layer is 37 mN. / M or more.
That is, if the transparent conductive layer forming laminate of the present invention, while containing the silica fine particles in the low refractive index layer that is the outermost layer of the transparent conductive layer forming laminate, on the exposed surface side of the low refractive index layer. Since the ratio of voids in which silica fine particles do not exist (hereinafter sometimes referred to as “porosity”) is set to a value of 15% or more, even when etching treatment including severe alkali treatment is performed, The rate of change of the porosity of the low refractive index layer before and after that (hereinafter, may be referred to as the “rate of change of porosity”) can be effectively reduced.
More specifically, it is possible to effectively prevent the silica fine particles in the low refractive index layer from melting or falling off by the etching treatment (hereinafter, such an effect may be referred to as “etching resistance”). ).
As a result, even when an etching process including a severe alkali process is performed, the predetermined refractive index required for the low refractive index layer can be effectively maintained, and as a result, the pattern shape of the transparent conductive layer can be maintained. Can be stably made invisible.
Further, even when etching treatment including severe alkali treatment is performed, since the rate of change of voids in the low refractive index layer before and after the etching treatment can be effectively reduced, the low refractive index caused by silica fine particles can be reduced. Fine irregularities on the surface of the layer can also be effectively maintained.
In addition, by setting the surface free energy of the low refractive index layer to a value of 37 mN / m or more, it is possible to improve the etching resistance and to achieve a predetermined adhesion to the transparent conductive layer or the like required for the low refractive index layer. It can be obtained more effectively.
Accordingly, the surface free energy on the surface of the low-refractive-index layer can be maintained in a predetermined range, and a predetermined adhesiveness to the transparent conductive layer or the like required for the low-refractive-index layer can be obtained.
また、本発明の透明導電層形成用積層体を構成するにあたり、シリカ微粒子の体積平均粒子径(D50)を20〜70nmの範囲内の値とすることが好ましい。
このように構成することにより、低屈折率層における透明性を低下させることなく、所定の屈折率を得ることができる。
Further, in constituting the laminate for forming a transparent conductive layer of the present invention, the volume average particle diameter (D50) of the silica fine particles is preferably set to a value within the range of 20 to 70 nm.
With this configuration, a predetermined refractive index can be obtained without lowering the transparency of the low refractive index layer.
また、本発明の透明導電層形成用積層体を構成するにあたり、シリカ微粒子が中空シリカ微粒子であることが好ましい。
このように構成することにより、シリカ微粒子の屈折率がさらに低下することから、少ない配合量であってもより効果的に低屈折率層の屈折率を所定の屈折率に調整することができる。
In constituting the laminate for forming a transparent conductive layer of the present invention, the silica fine particles are preferably hollow silica fine particles.
With this configuration, the refractive index of the silica fine particles is further reduced, so that the refractive index of the low refractive index layer can be more effectively adjusted to a predetermined refractive index even with a small amount.
また、本発明の透明導電層形成用積層体を構成するにあたり、シリカ微粒子が反応性シリカ微粒子であることが好ましい。
このように構成することにより、低屈折率層に対してシリカ微粒子を強固に固定することができることから、より効果的に耐エッチング性を向上させることができる。
Further, in constituting the laminate for forming a transparent conductive layer of the present invention, the silica fine particles are preferably reactive silica fine particles.
With this configuration, since the silica fine particles can be firmly fixed to the low refractive index layer, the etching resistance can be more effectively improved.
また、本発明の透明導電層形成用積層体を構成するにあたり、低屈折率層におけるマトリックス部分が活性エネルギー線硬化性樹脂の硬化物を含むことが好ましい。
このように構成することにより、低屈折率層におけるシリカ微粒子をより効果的に保護することができることから、さらに効果的に耐エッチング性を向上させることができる。
Further, in constituting the laminate for forming a transparent conductive layer of the present invention, the matrix portion in the low refractive index layer preferably contains a cured product of an active energy ray-curable resin.
With this configuration, the silica fine particles in the low refractive index layer can be more effectively protected, so that the etching resistance can be more effectively improved.
また、本発明の透明導電層形成用積層体を構成するにあたり、活性エネルギー線硬化性樹脂が、撥水性樹脂を含有することが好ましい。
このように構成することにより、低屈折率層におけるシリカ微粒子をさらに効果的に保護することができることから、より一段と効果的に耐エッチング性を向上させることができる。
In constituting the transparent conductive layer forming laminate of the present invention, the active energy ray-curable resin preferably contains a water-repellent resin.
With this configuration, the silica fine particles in the low refractive index layer can be more effectively protected, so that the etching resistance can be more effectively improved.
また、本発明の透明導電層形成用積層体を構成するにあたり、低屈折率層における表面自由エネルギーを37mN/m以上の値とすることが好ましい。
このように構成することにより、耐エッチング性を向上させつつも、低屈折率層に要求される透明導電層等に対する所定の密着力をより効果的に得ることができる。
Further, in constituting the laminate for forming a transparent conductive layer of the present invention, the surface free energy of the low refractive index layer is preferably set to a value of 37 mN / m or more.
With this configuration, it is possible to more effectively obtain a predetermined adhesion to a transparent conductive layer or the like required for the low refractive index layer while improving the etching resistance.
また、本発明の透明導電層形成用積層体を構成するにあたり、低屈折率層の膜厚を20〜80nmの範囲内の値とすることが好ましい。
このように構成することにより、十分な耐エッチング性を得ることができ、これにより、過酷なエッチング条件を経ても、透明導電層のパターン形状をより安定的に不可視化することができ、さらに、シリカ微粒子の配合量を調整することにより容易に空隙率や表面粗さを制御することができる。
In forming the transparent conductive layer-forming laminate of the present invention, the thickness of the low refractive index layer is preferably set to a value within the range of 20 to 80 nm.
With this configuration, sufficient etching resistance can be obtained, and thus, even under severe etching conditions, the pattern shape of the transparent conductive layer can be more stably invisible, and further, The porosity and the surface roughness can be easily controlled by adjusting the amount of the silica fine particles.
また、本発明の別の態様は、基材フィルムの少なくとも一方の表面に光学調整層と、透明導電層と、を順に積層してなる透明導電性フィルムであって、光学調整層が、基材フィルム側から、屈折率が1.6以上の値である高屈折率層と、屈折率が1.45以下の値である低屈折率層と、を順に積層してなるとともに、低屈折率層がシリカ微粒子を含有し、かつ、低屈折率層の露出面側における、シリカ微粒子が存在しない空隙の割合を15%以上の値とすることを特徴とする透明導電性フィルムである。
すなわち、基材フィルムの少なくとも一方の表面に光学調整層と、透明導電層と、を順に積層してなる透明導電性フィルムであって、基材フィルムの両面もしくは片面にハードコート層が設けてあり、光学調整層が、基材フィルム側から、屈折率が1.6以上の値である高屈折率層と、屈折率が1.45以下の値である低屈折率層と、を順に積層してなるとともに、低屈折率層がシリカ微粒子を含有し、かつ、低屈折率層の露出面側における、シリカ微粒子が存在しない空隙の割合を15%以上の値とし、低屈折率層における表面自由エネルギーを37mN/m以上の値とすることを特徴とする透明導電性フィルムである。
よって、本発明の透明導電性フィルムであれば、所定の透明導電層形成用積層体を用いることから、低屈折率層における耐エッチング性に優れ、透明導電層のパターン形状を安定的に不可視化することができ、かつ、透明導電層等に対する優れた密着性を得ることができる。
その上、低屈折率層における表面自由エネルギーを37mN/m以上の値とすることによって、耐エッチング性を向上させつつも、低屈折率層に要求される透明導電層等に対する所定の密着力をより効果的に得ることができる。
Another aspect of the present invention is a transparent conductive film obtained by sequentially laminating an optical adjustment layer and a transparent conductive layer on at least one surface of a base film, wherein the optical adjustment layer has From the film side, a high refractive index layer having a refractive index of 1.6 or more and a low refractive index layer having a refractive index of 1.45 or less are sequentially laminated, and a low refractive index layer is formed. Is a transparent conductive film containing silica fine particles and having a ratio of voids on the exposed surface side of the low refractive index layer where no silica fine particles are present to a value of 15% or more.
That is, a transparent conductive film obtained by sequentially laminating an optical adjustment layer and a transparent conductive layer on at least one surface of the base film, and a hard coat layer is provided on both sides or one side of the base film. The optical adjustment layer is formed by sequentially laminating, from the base film side, a high refractive index layer having a refractive index of 1.6 or more and a low refractive index layer having a refractive index of 1.45 or less. In addition, the low refractive index layer contains silica fine particles, and the ratio of voids where no silica fine particles are present on the exposed surface side of the low refractive index layer is set to a value of 15% or more. A transparent conductive film, wherein the energy is a value of 37 mN / m or more.
Therefore, in the case of the transparent conductive film of the present invention, since the predetermined transparent conductive layer forming laminate is used, the etching resistance of the low refractive index layer is excellent, and the pattern shape of the transparent conductive layer is stably invisible. And excellent adhesion to a transparent conductive layer or the like can be obtained.
In addition, by setting the surface free energy of the low refractive index layer to a value of 37 mN / m or more, it is possible to improve the etching resistance and to improve the predetermined adhesion to the transparent conductive layer and the like required for the low refractive index layer. It can be obtained more effectively.
また、本発明の透明導電性フィルムを構成するにあたり、透明導電層が、エッチングによりパターン化されていることが好ましい。
このように構成した場合であっても、低屈折率層における耐エッチング性に優れることにより、透明導電層のパターン形状を安定的に不可視化することができる。
In constituting the transparent conductive film of the present invention, the transparent conductive layer is preferably patterned by etching.
Even in the case of such a configuration, the pattern shape of the transparent conductive layer can be made invisible stably due to the excellent etching resistance of the low refractive index layer.
[第1の実施形態]
本発明の第1の実施形態は、図1(a)に示すように、基材フィルム4の少なくとも一方の表面に光学調整層2を有する透明導電層形成用積層体10であって、光学調整層2が、基材フィルム4の側から、屈折率が1.6以上の値である高屈折率層2bと、屈折率が1.45以下の値である低屈折率層2aと、を順に積層してなるとともに、低屈折率層2aがシリカ微粒子を含有し、かつ、図2に示すように、低屈折率層2aの露出面側における、シリカ微粒子20が存在しない空隙22の割合(露出面の面積に対する空隙の割合)を15%以上の値とすることを特徴とする透明導電層形成用積層体10である。
なお、図1(a)においては、基材フィルム4の両面にハードコート層3を有する態様の透明導電層形成用積層体10を一例として示しているが、ハードコート層3は省略することができる。
また、図1(a)において、各層中の粒子は、シリカ微粒子や金属酸化物粒子を示す。
以下、本発明の第1の実施形態を、図面を適宜参照して、具体的に説明する。
[First Embodiment]
The first embodiment of the present invention is a transparent conductive layer forming laminate 10 having an optical adjustment layer 2 on at least one surface of a base film 4 as shown in FIG. The layer 2 includes, from the side of the base film 4, a high refractive index layer 2 b having a refractive index of 1.6 or more and a low refractive index layer 2 a having a refractive index of 1.45 or less. As shown in FIG. 2, the low refractive index layer 2a contains silica fine particles, and as shown in FIG. 2, the ratio of the voids 22 where the silica fine particles 20 do not exist on the exposed surface side of the low refractive index layer 2a (exposed). The transparent conductive layer forming laminate 10 is characterized in that the ratio of the voids to the area of the surface) is 15% or more.
In FIG. 1A, the transparent conductive layer forming laminate 10 having the hard coat layers 3 on both sides of the base film 4 is shown as an example, but the hard coat layer 3 may be omitted. it can.
In FIG. 1A, the particles in each layer represent silica fine particles and metal oxide particles.
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be specifically described with reference to the drawings as appropriate.
1.基材フィルム
(1)種類
基材フィルムの種類としては、特に制限されるものではなく、光学用基材として公知の基材フィルムを用いることができる。
例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステルフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、セロファン、ジアセチルセルロースフィルム、トリアセチルセルロースフィルム、アセチルセルロースブチレートフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリスルホンフィルム、ポリエーテルエーテルケトンフィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルム、ポリアミドフィルム、アクリル樹脂フィルム、ノルボルネン系樹脂フィルム、シクロオレフィン樹脂フィルム等のプラスチックフィルムを好ましく挙げることができる。
1. Substrate Film (1) Type The type of the substrate film is not particularly limited, and a known substrate film can be used as an optical substrate.
For example, polyester films such as polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene films, polypropylene films, cellophane, diacetyl cellulose films, triacetyl cellulose films, acetyl cellulose butyrate films, polyvinyl chloride films , Polyvinylidene chloride film, polyvinyl alcohol film, ethylene-vinyl acetate copolymer film, polystyrene film, polycarbonate film, polymethylpentene film, polysulfone film, polyetheretherketone film, polyethersulfone film, polyetherimide film, polyimide Film, fluororesin film, polyamide film, Lil resin film, norbornene resin film, can be exemplified preferably a plastic film such as a cycloolefin resin film.
また、これらの中でも、耐熱性の観点から、ポリエステルフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、ノルボルネン系樹脂フィルム、シクロオレフィン樹脂フィルムであることがより好ましい。
また、透明性およびフィルム強度と柔軟性の両立の観点から、特にPETフィルムであることが好ましい。
Among these, from the viewpoint of heat resistance, polyester films, polycarbonate films, polyimide films, norbornene-based resin films, and cycloolefin resin films are more preferable.
Further, from the viewpoint of transparency and compatibility between film strength and flexibility, a PET film is particularly preferable.
(2)膜厚
また、基材フィルムの膜厚を20〜200μmの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、基材フィルムの膜厚が20μm未満の値となると、基材フィルムの強度が低下することにより、光学調整層における透明導電層の存在部分と非存在部分とでのアニール処理時の歪みの発生を効果的に抑制することができなくなる場合があるためである。一方、基材フィルムの膜厚が200μmを超えた値となると、基材フィルムにおける透明性等の光学特性が悪化する場合があるためである。
したがって、基材フィルムの膜厚を30〜180μmの範囲内の値とすることがより好ましく、50〜150μmの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
なお、「アニール処理」とは、透明導電性フィルムにおける透明導電層の電気伝導度を向上させるために、透明導電層形成用積層体上に積層された状態の透明導電層を加熱処理により結晶化する処理を意味する。
(2) Thickness The thickness of the substrate film is preferably set to a value within the range of 20 to 200 μm.
The reason for this is that when the thickness of the base film is less than 20 μm, the strength of the base film is reduced, so that the annealing process is performed during the presence and absence of the transparent conductive layer in the optical adjustment layer. This is because the occurrence of distortion may not be effectively suppressed. On the other hand, if the thickness of the base film exceeds 200 μm, optical properties such as transparency of the base film may be deteriorated.
Therefore, the thickness of the base film is more preferably set to a value in the range of 30 to 180 μm, and further preferably to a value in the range of 50 to 150 μm.
In addition, "annealing treatment" means that the transparent conductive layer laminated on the transparent conductive layer forming laminate is crystallized by heat treatment in order to improve the electrical conductivity of the transparent conductive layer in the transparent conductive film. Process.
2.ハードコート層
図1(a)に示すように、本発明の透明導電層形成用積層体10を構成するにあたり、基材フィルム4の両面もしくは片面にハードコート層3を設けることが好ましい。
この理由は、かかるハートコート層を設けることにより、透明導電層形成用積層体の製造工程において、基材フィルムに耐擦傷性を付与し、光学特性が低下することを防止することができるほか、基材フィルムをロール状に巻き取った場合に基材フィルム同士が貼りつく現象が発生することを抑制することができるためである(以下、かかる効果を「アンチブロッキング性」と称する場合がある)。
2. Hard Coat Layer As shown in FIG. 1A, in forming the transparent conductive layer forming laminate 10 of the present invention, it is preferable to provide the hard coat layer 3 on both sides or one side of the base film 4.
The reason for this is that by providing such a heart coat layer, in the manufacturing process of the transparent conductive layer forming laminate, it is possible to impart scratch resistance to the base film and prevent the optical properties from being lowered, This is because it is possible to suppress the occurrence of a phenomenon that the base films adhere to each other when the base film is wound up in a roll shape (hereinafter, such an effect may be referred to as “anti-blocking property”). .
(1)材料物質
また、ハードコート層が、材料物質としてシリカ微粒子および活性エネルギー線硬化性樹脂を含む組成物の硬化物からなることが好ましい。
この理由は、シリカ微粒子および活性エネルギー線硬化性樹脂を含むことにより、アンチブロッキング性を付与できるため、巻き取り性の向上が期待できるばかりか、ハードコート層の上層である高屈折率層との密着性についても向上させて、強固に積層させることができるためである。
(1) Material The hard coat layer is preferably made of a cured product of a composition containing silica fine particles and an active energy ray-curable resin as the material.
The reason for this is that, by containing the silica fine particles and the active energy ray-curable resin, the anti-blocking property can be imparted, so that not only the improvement of the winding property can be expected but also the high refractive index layer which is the upper layer of the hard coat layer. This is because the adhesiveness can be improved and the layers can be firmly laminated.
(1)−1 活性エネルギー線硬化性樹脂
また、ハードコート層の形成に用いられる活性エネルギー線硬化性樹脂とは、電磁波または荷電粒子線の中でエネルギー量子を有するもの、すなわち、紫外線または電子線等を照射することにより、架橋、硬化する重合性化合物を意味し、例えば、光重合性プレポリマーや光重合性モノマーを挙げることができる。
(1) -1 Active energy ray-curable resin The active energy ray-curable resin used for forming the hard coat layer is a resin having an energy quantum in an electromagnetic wave or a charged particle beam, that is, an ultraviolet ray or an electron beam. Irradiation means a polymerizable compound which crosslinks and cures, and includes, for example, a photopolymerizable prepolymer and a photopolymerizable monomer.
また、上述した光重合性プレポリマーには、ラジカル重合型とカチオン重合型があり、ラジカル重合型の光重合性プレポリマーとしては、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系、ウレタンアクリレート系、ポリオールアクリレート系等が挙げられる。 The photopolymerizable prepolymers described above include a radical polymerization type and a cationic polymerization type. Examples of the radical polymerization type photopolymerizable prepolymer include polyester acrylates, epoxy acrylates, urethane acrylates, and polyol acrylates. Is mentioned.
また、ポリエステルアクリレート系プレポリマーとしては、例えば、多価カルボン酸と多価アルコールとの縮合によって得られる両末端に水酸基を有するポリエステルオリゴマーの水酸基を(メタ)アクリル酸でエステル化することにより、あるいは、多価カルボン酸にアルキレンオキシドを付加して得られるオリゴマーの末端の水酸基を(メタ)アクリル酸でエステル化することにより得られる化合物が挙げられる。
また、エポキシアクリレート系プレポリマーとしては、例えば、比較的低分子量のビスフェノール型エポキシ樹脂やノボラック型エポキシ樹脂のオキシラン環に、(メタ)アクリル酸でエステル化することにより得られる化合物が挙げられる。
また、ウレタンアクリレート系プレポリマーとしては、例えば、ポリエーテルポリオールやポリエステルポリオールとポリイソシアネートの反応によって得られるポリウレタンオリゴマーを、(メタ)アクリル酸でエステル化することにより得られる化合物が挙げられる。
さらに、ポリオールアクリレート系プレポリマーとしては、ポリエーテルポリオールの水酸基を(メタ)アクリル酸でエステル化することにより得られる化合物が挙げられる。
なお、これらの重合性プレポリマーは1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
Further, as the polyester acrylate prepolymer, for example, by esterifying the hydroxyl groups of a polyester oligomer having hydroxyl groups at both ends obtained by condensation of a polyvalent carboxylic acid and a polyhydric alcohol with (meth) acrylic acid, or And a compound obtained by esterifying a hydroxyl group at a terminal of an oligomer obtained by adding an alkylene oxide to a polyvalent carboxylic acid with (meth) acrylic acid.
Examples of the epoxy acrylate prepolymer include compounds obtained by esterifying the oxirane ring of a bisphenol epoxy resin or a novolak epoxy resin having a relatively low molecular weight with (meth) acrylic acid.
Examples of the urethane acrylate prepolymer include compounds obtained by esterifying a polyurethane oligomer obtained by a reaction between a polyether polyol or a polyester polyol and a polyisocyanate with (meth) acrylic acid.
Further, examples of the polyol acrylate-based prepolymer include compounds obtained by esterifying hydroxyl groups of polyether polyol with (meth) acrylic acid.
These polymerizable prepolymers may be used alone or in combination of two or more.
一方、カチオン重合型の光重合性プレポリマーとしては、通常、エポキシ系樹脂が使用される。
かかるエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノール樹脂やノボラック樹脂等の多価フェノール類にエピクロルヒドリン等でエポキシ化して得られる化合物、直鎖状オレフィン化合物や環状オレフィン化合物を過酸化物等で酸化して得られる化合物等が挙げられる。
On the other hand, as the cationically polymerizable photopolymerizable prepolymer, an epoxy resin is usually used.
As such an epoxy resin, for example, a compound obtained by epoxidizing a polyhydric phenol such as a bisphenol resin or a novolak resin with epichlorohydrin or the like, or obtained by oxidizing a linear olefin compound or a cyclic olefin compound with a peroxide or the like. And the like.
また、光重合性モノマーとしては、例えば、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールアジペートジ(メタ)アクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニルジ(メタ)アクリレート、カプロラクトン変性ジシクロペンテニルジ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド変性リン酸ジ(メタ)アクリレート、アリル化シクロヘキシルジ(メタ)アクリレート、イソシアヌレートジ(メタ)アクリレート、プロピオン酸変性ジペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、プロピレンオキシド変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリス(アクリロキシエチル)イソシアヌレート、プロピオン酸変性ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート等の多官能アクリレートが挙げられる。
なお、これらの光重合性モノマーは1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
Examples of the photopolymerizable monomer include 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, and polyethylene glycol di (meth). Acrylate, neopentyl glycol adipate di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate hydroxypivalate, dicyclopentanyl di (meth) acrylate, caprolactone-modified dicyclopentenyl di (meth) acrylate, ethylene oxide-modified phosphoric acid Di (meth) acrylate, allylated cyclohexyldi (meth) acrylate, isocyanurate di (meth) acrylate, propionic acid-modified dipentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythri Tri (meth) acrylate, propylene oxide modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tris (acryloxyethyl) isocyanurate, propionic acid modified dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, caprolactone modified Examples include polyfunctional acrylates such as dipentaerythritol hexa (meth) acrylate.
These photopolymerizable monomers may be used alone or in combination of two or more.
(1)−2 光重合開始剤
また、活性エネルギー線硬化性樹脂を活性エネルギー線、特に紫外線によって効率的に硬化できることから、所望により光重合開始剤を併用することも好ましい。
かかる光重合開始剤としては、ラジカル重合型の光重合性プレポリマーや光重合性モノマーに対しては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾイン−n−ブチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、アセトフェノン、ジメチルアミノアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2,2−ジエトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノ−プロパン−1−オン、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル−2(ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、ベンゾフェノン、p−フェニルベンゾフェノン、4,4’−ジエチルアミノベンゾフェノン、ジクロロベンゾフェノン、2−メチルアントラキノン、2−エチルアントラキノン、2−ターシャリーブチルアントラキノン、2−アミノアントラキノン、2−メチルチオキサントン、2−エチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジメチルケタール、p−ジメチルアミン安息香酸エステル等が挙げられる。
(1) -2 Photopolymerization initiator Further, since the active energy ray-curable resin can be efficiently cured by active energy rays, particularly ultraviolet rays, it is also preferable to use a photopolymerization initiator in combination, if desired.
Examples of such a photopolymerization initiator include benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin-n-butyl ether, and benzoin with respect to radical polymerizable photopolymerizable prepolymers and photopolymerizable monomers. Isobutyl ether, acetophenone, dimethylaminoacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxy-2-phenylacetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 1- Hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-propan-1-one, 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl-2 (hydroxy-2-propyl) keto Benzophenone, p-phenylbenzophenone, 4,4'-diethylaminobenzophenone, dichlorobenzophenone, 2-methylanthraquinone, 2-ethylanthraquinone, 2-tert-butylanthraquinone, 2-aminoanthraquinone, 2-methylthioxanthone, 2-ethylthioxanthone , 2-chlorothioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, benzyldimethyl ketal, acetophenone dimethyl ketal, p-dimethylamine benzoate, and the like.
また、カチオン重合型の光重合性プレポリマーに対する光重合開始剤としては、例えば、芳香族スルホニウムイオン、芳香族オキソスルホニウムイオン、芳香族ヨードニウムイオン等のオニウムと、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロホスフェート、ヘキサフルオロアンチモネート、ヘキサフルオロアルセネート等の陰イオンからなる化合物等が挙げられる。
なお、これらは1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
また、光重合開始剤の配合量としては、上述した活性エネルギー線硬化性樹脂100重量部に対して、0.2〜10重量部の範囲内の値とすることが好ましく、1〜5重量部の範囲内の値とすることがより好ましい。
Further, as the photopolymerization initiator for the photopolymerizable prepolymer of the cationic polymerization type, for example, onium such as aromatic sulfonium ion, aromatic oxosulfonium ion, aromatic iodonium ion, tetrafluoroborate, hexafluorophosphate, hexa Compounds composed of anions such as fluoroantimonate and hexafluoroarsenate are exemplified.
In addition, these may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.
Further, the compounding amount of the photopolymerization initiator is preferably set to a value within the range of 0.2 to 10 parts by weight, preferably 1 to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the above-mentioned active energy ray-curable resin. It is more preferable to set the value within the range.
(1)−3 シリカ微粒子
また、シリカ微粒子としては、重合性不飽和基含有有機化合物が結合したシリカ微粒子、あるいは、このような重合性不飽和基含有有機化合物を有さない通常のコロイダルシリカ微粒子を用いることができる。
また、重合性不飽和基含有有機化合物が結合したシリカ微粒子としては、体積平均粒子径(D50)が0.005〜1μm程度のシリカ微粒子の表面におけるシラノール基に、該シラノール基と反応し得る官能基を有する重合性不飽和基含有有機化合物を反応させることにより得られるものが挙げられる。
なお、上述した重合性不飽和基としては、例えば、ラジカル重合性のアクリロイル基やメタクリロイル基等が挙げられる。
また、重合性不飽和基含有有機化合物を有さない通常のコロイダルシリカ微粒子としては、体積平均粒子径が0.005〜1μm程度、好ましくは0.01〜0.2μm程度のシリカ微粒子が、アルコール系やセロソルブ系の有機溶剤中にコロイド状態で懸濁してなるコロイダルシリカを好適に用いることができる。
なお、シリカ微粒子の平均粒径は、例えば、ゼータ電位測定法により求めることができるほか、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて求めることもでき、さらに、SEM画像を基に求めることもできる。
また、シリカ微粒子の配合量としては、活性エネルギー線硬化性樹脂100重量部に対して、5〜400重量部であることが好ましく、20〜150重量部であることがより好ましく、30〜100重量部であることがさらに好ましい。
(1) -3 Silica Fine Particles As the silica fine particles, silica fine particles having a polymerizable unsaturated group-containing organic compound bonded thereto, or ordinary colloidal silica fine particles not having such a polymerizable unsaturated group-containing organic compound are used. Can be used.
Further, as the silica fine particles to which the polymerizable unsaturated group-containing organic compound is bonded, a functional group capable of reacting with the silanol group on the surface of the silica fine particle having a volume average particle diameter (D50) of about 0.005 to 1 μm is used. Examples thereof include those obtained by reacting a polymerizable unsaturated group-containing organic compound having a group.
The above-mentioned polymerizable unsaturated groups include, for example, radically polymerizable acryloyl groups and methacryloyl groups.
Further, as the ordinary colloidal silica fine particles having no polymerizable unsaturated group-containing organic compound, silica fine particles having a volume average particle diameter of about 0.005 to 1 μm, preferably about 0.01 to 0.2 μm, include alcohols. Colloidal silica suspended in a colloidal state in an organic or cellosolve-based organic solvent can be suitably used.
The average particle size of the silica fine particles can be determined, for example, by a zeta potential measurement method, can also be determined by using a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring device, and can also be determined based on an SEM image. .
The amount of the silica fine particles is preferably 5 to 400 parts by weight, more preferably 20 to 150 parts by weight, and more preferably 30 to 100 parts by weight, based on 100 parts by weight of the active energy ray-curable resin. Is more preferable.
(2)ハードコート層形成用組成物
また、ハードコート層は、ハードコート層形成用組成物を予め調製し、後述の通り塗布・乾燥し、硬化することにより形成されることが好ましい。
当該組成物は、必要に応じ、適当な溶媒中に活性エネルギー線硬化性樹脂、光重合開始剤、シリカ微粒子、および所望により用いられる各種添加成分を、それぞれ所定の割合で加え、溶解または分散させることにより調製することができる。
なお、各種添加成分としては、例えば、酸化防止剤、紫外線吸収剤、(近)赤外線吸収剤、シラン系カップリング剤、光安定剤、レベリング剤、帯電防止剤、消泡剤等が挙げられる。
(2) Composition for forming a hard coat layer The hard coat layer is preferably formed by preparing a composition for forming a hard coat layer in advance, applying and drying and curing as described below.
The composition, if necessary, in an appropriate solvent, an active energy ray-curable resin, a photopolymerization initiator, silica fine particles, and various additives used as desired are added at predetermined ratios, respectively, and dissolved or dispersed. Can be prepared.
In addition, examples of the various additive components include an antioxidant, an ultraviolet absorber, a (near) infrared absorber, a silane coupling agent, a light stabilizer, a leveling agent, an antistatic agent, and an antifoaming agent.
また、用いる溶媒としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、塩化メチレン、塩化エチレン等のハロゲン化炭化水素、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール、アセトン、メチルエチルケトン、2−ペンタノン、イソホロン、シクロヘキサノン等のケトン、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶剤等が挙げられる。
このようにして調製されたハードコート層形成用組成物の濃度、粘度としては、コーティング可能なものであればよく、特に限定されず、状況に応じて適宜選定することができる。
したがって、通常、得られるハードコート層形成用組成物の膜厚を所定の範囲に調節しやすい観点から、固形分濃度0.05〜10重量%となるように希釈することが好ましく、0.1〜8重量%となるように希釈することがより好ましい。
Examples of the solvent used include, for example, aliphatic hydrocarbons such as hexane and heptane, aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene, halogenated hydrocarbons such as methylene chloride and ethylene chloride, methanol, ethanol, propanol and butanol. Examples thereof include ketones such as alcohol, acetone, methyl ethyl ketone, 2-pentanone, isophorone and cyclohexanone, esters such as ethyl acetate and butyl acetate, and cellosolve solvents such as ethyl cellosolve.
The concentration and viscosity of the composition for forming a hard coat layer thus prepared are not particularly limited as long as they can be coated, and can be appropriately selected according to the situation.
Therefore, usually, from the viewpoint of easily adjusting the thickness of the obtained composition for forming a hard coat layer to a predetermined range, it is preferable to dilute the solid composition to have a solid concentration of 0.05 to 10% by weight, and 0.1. It is more preferable to dilute so as to be 8% by weight.
(3)膜厚
また、ハードコート層の膜厚を1〜15μmの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、ハードコート層の膜厚が1μm未満の値となると、アニール処理による基材フィルムの熱収縮に対する保持機能が不十分になり、カールの発生を抑制できなくなる場合があるためである。一方、ハードコート層の膜厚が15μmを超えた値となると、アニール処理によりハードコート層からアウトガスが発生しやすくなる場合があるためである。
したがって、ハードコート層の膜厚を1.5〜10μmの範囲内の値とすることがより好ましく、2〜5μmの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
(3) Film Thickness The thickness of the hard coat layer is preferably set to a value within a range of 1 to 15 μm.
The reason for this is that when the thickness of the hard coat layer is less than 1 μm, the function of holding the substrate film against thermal shrinkage due to the annealing treatment becomes insufficient, and the occurrence of curling may not be suppressed. On the other hand, if the thickness of the hard coat layer exceeds 15 μm, outgassing may easily occur from the hard coat layer due to the annealing treatment.
Therefore, the thickness of the hard coat layer is more preferably set to a value in the range of 1.5 to 10 μm, and further preferably to a value in the range of 2 to 5 μm.
3.光学調整層
(1)高屈折率層
(1)−1 屈折率
高屈折率層の屈折率を1.6以上の値とすることを特徴とする。
この理由は、高屈折率層の屈折率が1.6未満の値となると、低屈折率層との有意な屈折率差が得られなくなり、透明導電層のパターン形状が視認されやすくなる場合があるためである。一方、高屈折率層の屈折率が過度に大きな値になると、高屈折率層の膜が脆くなる場合があるためである。
したがって、高屈折率層の屈折率を1.61〜2の範囲内の値とすることがより好ましく、1.63〜1.8の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
3. Optical adjustment layer (1) High refractive index layer (1) -1 Refractive index The high refractive index layer has a refractive index of 1.6 or more.
The reason is that when the refractive index of the high refractive index layer is less than 1.6, a significant difference in refractive index from the low refractive index layer cannot be obtained, and the pattern shape of the transparent conductive layer may be easily recognized. Because there is. On the other hand, if the refractive index of the high refractive index layer is excessively large, the film of the high refractive index layer may become brittle.
Therefore, the refractive index of the high refractive index layer is more preferably set to a value within the range of 1.61 to 2, and further preferably set to a value within the range of 1.63 to 1.8.
(1)−2 材料物質
また、高屈折率層が、材料物質としての金属酸化物微粒子および活性エネルギー線硬化性樹脂を含む組成物の硬化物からなることが好ましい。
この理由は、金属酸化物微粒子および活性エネルギー線硬化性樹脂を含むことにより、高屈折率層における屈折率の調整が容易になるためである。
(1) -2 Material Substance It is preferable that the high refractive index layer is made of a cured product of a composition containing metal oxide fine particles as a material substance and an active energy ray-curable resin.
This is because the adjustment of the refractive index in the high refractive index layer becomes easy by including the metal oxide fine particles and the active energy ray-curable resin.
また、金属酸化物の種類は、酸化タンタル、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化ハフニウム、酸化セリウム、酸化錫、酸化ニオブ、インジウム錫酸化物(ITO)、アンチモン錫酸化物(ATO)等が好ましく挙げられる。
また、透明性を低下させずに高屈折率化を実現する観点から、酸化チタンおよび酸化ジルコニウムから選択される少なくとも1種類であることが特に好ましい。
なお、これらの金属酸化物は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
また、金属酸化物微粒子の体積平均粒子径(D50)は、0.005μm〜1μmの範囲内の値とすることが好ましい。
なお、金属酸化物微粒子の体積平均粒子径(D50)は、例えば、ゼータ電位測定法を用いた測定法により求めることができるほか、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて求めることもでき、さらに、SEM画像を基に求めることもできる。
また、高屈折率層に使用される活性エネルギー線硬化性樹脂および光重合開始剤としては、ハードコート層の説明において挙げられたものを適宜使用することができる。
また、金属酸化物微粒子の配合量としては、活性エネルギー線硬化性樹脂100重量部に対して、20〜2000重量部であることが好ましく、80〜1000重量部であることがより好ましく、150〜400重量部であることがさらに好ましい。
Further, as the kind of the metal oxide, tantalum oxide, zinc oxide, indium oxide, hafnium oxide, cerium oxide, tin oxide, niobium oxide, indium tin oxide (ITO), antimony tin oxide (ATO) and the like are preferably mentioned. .
From the viewpoint of realizing a high refractive index without lowering the transparency, at least one selected from titanium oxide and zirconium oxide is particularly preferable.
These metal oxides may be used alone or in combination of two or more.
Further, the volume average particle diameter (D50) of the metal oxide fine particles is preferably set to a value in the range of 0.005 μm to 1 μm.
The volume average particle diameter (D50) of the metal oxide fine particles can be determined by, for example, a measurement method using a zeta potential measurement method, or can be determined by using a laser diffraction scattering type particle size distribution analyzer. Furthermore, it can be determined based on the SEM image.
As the active energy ray-curable resin and the photopolymerization initiator used for the high refractive index layer, those described in the description of the hard coat layer can be appropriately used.
Further, the compounding amount of the metal oxide fine particles is preferably 20 to 2,000 parts by weight, more preferably 80 to 1000 parts by weight, and more preferably 150 to 1000 parts by weight based on 100 parts by weight of the active energy ray-curable resin. More preferably, it is 400 parts by weight.
(1)−3 高屈折率層形成用組成物
また、高屈折率層は、高屈折率層形成用の組成物を予め調製し、後述の通り塗布・乾燥し、硬化することにより形成されることが好ましい。
当該組成物は、必要に応じ、適当な溶媒中に活性エネルギー線硬化性樹脂、光重合開始剤、金属酸化物微粒子、および所望により用いられる各種添加成分を、それぞれ所定の割合で加え、溶解または分散させることにより調製することができる。
なお、各種添加成分、溶媒、高屈折率層形成用の組成物の濃度、粘度等については、ハードコート層の説明における内容と同様である。
(1) -3 Composition for forming high-refractive-index layer The high-refractive-index layer is formed by preparing a composition for forming a high-refractive-index layer in advance, applying and drying and curing as described later. Is preferred.
The composition, if necessary, in an appropriate solvent, an active energy ray-curable resin, a photopolymerization initiator, metal oxide fine particles, and various additive components used as desired are added at predetermined ratios, respectively, and dissolved or dissolved. It can be prepared by dispersing.
In addition, the concentration, viscosity, and the like of the various additive components, the solvent, and the composition for forming the high refractive index layer are the same as those in the description of the hard coat layer.
(1)−4 膜厚
また、高屈折率層の膜厚を20〜130nmとすることが好ましい。
この理由は、高屈折率層の膜厚が20nm未満の値となると、高屈折率層の膜が脆くなり、層の形状を維持できなくなる場合があるためである。一方、高屈折率層の膜厚130nmを超えた値となると、透明導電層のパターン形状が視認されやすくなる場合があるためである。
したがって、高屈折率層の膜厚を23〜120nmとすることがより好ましく、30〜110nmとすることがさらに好ましい。
(1) -4 Thickness The thickness of the high refractive index layer is preferably set to 20 to 130 nm.
The reason for this is that if the thickness of the high refractive index layer is less than 20 nm, the film of the high refractive index layer may become brittle, and the shape of the layer may not be maintained. On the other hand, if the thickness of the high refractive index layer exceeds 130 nm, the pattern shape of the transparent conductive layer may be easily recognized.
Therefore, the thickness of the high refractive index layer is more preferably 23 to 120 nm, and further preferably 30 to 110 nm.
(2)低屈折率層
(2)−1 屈折率
低屈折率層の屈折率を1.45以下の値とすることを特徴とする。
この理由は、低屈折率層の屈折率が1.45を超えた値となると、高屈折率層との有意な屈折率差が得られなくなり、透明導電層のパターン形状が視認されやすくなる場合があるためである。一方、低屈折率層の屈折率が過度に小さな値となると、低屈折率層の膜が脆くなる場合があるためである。
したがって、低屈折率層の屈折率を1.3〜1.44の範囲内の値とすることがより好ましく、1.35〜1.43の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
(2) Low refractive index layer (2) -1 Refractive index The refractive index of the low refractive index layer is set to 1.45 or less.
The reason is that when the refractive index of the low refractive index layer exceeds 1.45, a significant refractive index difference from the high refractive index layer cannot be obtained, and the pattern shape of the transparent conductive layer is easily recognized. Because there is. On the other hand, if the refractive index of the low refractive index layer is excessively small, the film of the low refractive index layer may become brittle.
Therefore, the refractive index of the low refractive index layer is more preferably set to a value within a range of 1.3 to 1.44, and further preferably set to a value within a range of 1.35 to 1.43.
(2)−2 材料物質
また、本発明における低屈折率層は、材料物質として下記(A)〜(B)成分を含む低屈折率層形成用組成物を光硬化してなることが好ましい。
(A)活性エネルギー線硬化性樹脂 100重量部
(B)シリカ微粒子 2〜120重量部
この理由は、低屈折率層を形成する際に用いる低屈折率層形成用組成物が、活性エネルギー線硬化性樹脂に対し、シリカ微粒子を比較的少ない範囲で含むことにより、低屈折率層における空隙率を15%以上の値に調整することが容易になり、低屈折率層における耐エッチング性を効果的に向上させることができるためである。
また、活性エネルギー線硬化性樹脂は、硬化により低屈折率層におけるマトリックス部分を構成し、低屈折率層におけるシリカ微粒子をより効果的に保護し、さらに効果的に耐エッチング性を向上させることができる。
以下、成分ごとに説明する。
(2) -2 Material Substance The low refractive index layer in the present invention is preferably formed by photocuring a composition for forming a low refractive index layer containing the following components (A) and (B) as a material substance.
(A) 100 parts by weight of active energy ray-curable resin (B) 2 to 120 parts by weight of silica fine particles The reason for this is that the composition for forming a low refractive index layer used for forming a low refractive index layer is hardened by active energy ray curing. By containing the silica fine particles in a relatively small range with respect to the conductive resin, it becomes easy to adjust the porosity in the low refractive index layer to a value of 15% or more, and the etching resistance in the low refractive index layer is effectively improved. It is because it can be improved.
Further, the active energy ray-curable resin forms a matrix portion in the low refractive index layer by curing, more effectively protects silica fine particles in the low refractive index layer, and further effectively improves etching resistance. it can.
Hereinafter, each component will be described.
(i)(A)成分:活性エネルギー線硬化性樹脂
(A)成分は、活性エネルギー線硬化性樹脂である。
かかる(A)成分としての活性エネルギー線硬化性樹脂としては、ハードコート層の説明において挙げられた光重合性プレポリマーや光重合性モノマーを適宜使用することができる。
(I) Component (A): Active energy ray-curable resin The component (A) is an active energy ray-curable resin.
As the active energy ray-curable resin as the component (A), the photopolymerizable prepolymer and the photopolymerizable monomer described in the description of the hard coat layer can be appropriately used.
また、活性エネルギー線硬化性樹脂が、撥水性樹脂を含有することが好ましい。
この理由は、撥水性樹脂を含有することにより、低屈折率層におけるシリカ微粒子をさらに効果的に保護することができることから、より一段と効果的に耐エッチング性を向上させることができるためである。
また、撥水性樹脂であれば、主な活性エネルギー線硬化樹脂である(メタ)アクリル系紫外線硬化性樹脂と比較して屈折率が低いことから、低屈折率層の屈折率をより容易に所定の範囲にまで低下させることができるためである。
また、かかる撥水性樹脂としては、撥水性を有する樹脂であれば特に制限されるものではなく、従来公知の撥水性樹脂を用いることができる。
より具体的には、撥水性樹脂単体で形成した樹脂膜における表面自由エネルギーが10〜30mN/mの範囲内の値であれば、本発明における撥水性樹脂として好適に使用することができる。
Further, the active energy ray-curable resin preferably contains a water-repellent resin.
The reason for this is that by containing the water-repellent resin, the silica fine particles in the low refractive index layer can be more effectively protected, so that the etching resistance can be more effectively improved.
Further, in the case of a water-repellent resin, the refractive index of the low refractive index layer is more easily determined because the refractive index is lower than that of the (meth) acrylic ultraviolet curable resin which is the main active energy ray-curable resin. It is because it can be reduced to the range of.
The water-repellent resin is not particularly limited as long as it is a resin having water repellency, and a conventionally known water-repellent resin can be used.
More specifically, as long as the surface free energy of the resin film formed of the water-repellent resin alone is in the range of 10 to 30 mN / m, it can be suitably used as the water-repellent resin in the present invention.
また、撥水性樹脂の具体例としては、例えば、シリコーン樹脂や、例えば、ポリフッ化ビニリデン、フッ素系アクリル樹脂およびポリフルオロエチレン等のフッ素樹脂を挙げることができる。
また、中でも、フッ素樹脂を用いることが好ましく、特に反応性フッ素アクリル樹脂が好ましい。
この理由は、フッ素樹脂であれば、低屈折率層におけるシリカ微粒子をより効果的に保護することができることから、さらに効果的に耐エッチング性を向上させることができるためである。
Further, specific examples of the water-repellent resin include, for example, a silicone resin and a fluorine resin such as polyvinylidene fluoride, a fluorine-based acrylic resin, and polyfluoroethylene.
Further, among them, it is preferable to use a fluorine resin, and particularly preferable is a reactive fluorine acrylic resin.
The reason for this is that the fluorine resin can more effectively protect the silica fine particles in the low refractive index layer, so that the etching resistance can be more effectively improved.
また、撥水性樹脂の含有量を、(A)成分全体を100重量%とした場合に、50〜90重量%の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、撥水性樹脂の含有量が50重量%未満の値となると、低屈折率層におけるシリカ微粒子を効果的に保護することが困難になり、ひいては耐エッチング性を向上させることが困難になる場合があるためである。また、低屈折率層の屈折率を十分に低い値とすることが困難になる場合があるためである。一方、撥水性樹脂の含有量が90重量%を超えた値となると、低屈折率層の表面自由エネルギーが過度に低い値になってしまい、屈折率層に要求される透明導電層等に対する所定の密着性を得ることが困難になる場合があるためである。
したがって、撥水性樹脂の含有量を、(A)成分全体を100重量%とした場合に、60〜85重量%の範囲内の値とすることがより好ましく、70〜80重量%の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
Further, the content of the water-repellent resin is preferably set to a value within the range of 50 to 90% by weight, when the entire component (A) is 100% by weight.
The reason is that when the content of the water-repellent resin is less than 50% by weight, it becomes difficult to effectively protect the silica fine particles in the low refractive index layer, and it is difficult to improve the etching resistance. This is because it may be. In addition, it is sometimes difficult to set the refractive index of the low refractive index layer to a sufficiently low value. On the other hand, if the content of the water-repellent resin exceeds 90% by weight, the surface free energy of the low-refractive-index layer becomes excessively low, and a predetermined value for the transparent conductive layer or the like required for the refractive-index layer. This is because it may be difficult to obtain the close contact.
Therefore, when the content of the water-repellent resin is 100% by weight of the entire component (A), the content is more preferably in the range of 60 to 85% by weight, and more preferably in the range of 70 to 80% by weight. More preferably, it is set to a value.
(ii)(B)成分:シリカ微粒子
(B)成分は、シリカ微粒子である。
かかるシリカ微粒子の種類としては、特に制限されるものではないが、中空シリカ微粒子を用いることが好ましい。
この理由は、中空シリカ微粒子であれば、内部の中空部分に空気を含むことから、シリカ微粒子全体としての屈折率がさらに低下することになり、少ない配合量であってもより効率的に低屈折率層の屈折率を所定の屈折率に調整することができるためである。
なお、「中空シリカ微粒子」とは、粒子の内部に空洞を有するシリカ微粒子を意味する。
(Ii) Component (B): silica fine particles The component (B) is silica fine particles.
The type of the silica fine particles is not particularly limited, but it is preferable to use hollow silica fine particles.
The reason is that the hollow silica fine particles contain air in the hollow portion inside, so that the refractive index of the silica fine particles as a whole is further reduced, and even if the amount is small, the refractive index is reduced more efficiently. This is because the refractive index of the refractive index layer can be adjusted to a predetermined refractive index.
In addition, "hollow silica fine particles" means silica fine particles having cavities inside the particles.
また、シリカ微粒子が反応性シリカ微粒子であることが好ましい。
この理由は、反応性シリカ微粒子であれば、低屈折率層に対してシリカ微粒子を強固に固定することができることから、より効果的に耐エッチング性を向上させることができるためである。
なお、「反応性シリカ微粒子」とは、重合性不飽和基含有有機化合物が結合したシリカ微粒子であり、シリカ微粒子の表面におけるシラノール基に、該シラノール基を反応し得る官能基を有する重合性不飽和基含有有機化合物を反応させることによって得ることができる。
また、上述した重合性不飽和基としては、例えば、ラジカル重合性のアクリロイル基やメタクリロイル基等が挙げられる。
Further, the silica fine particles are preferably reactive silica fine particles.
This is because the reactive silica fine particles can firmly fix the silica fine particles to the low refractive index layer, so that the etching resistance can be more effectively improved.
The “reactive silica fine particles” are silica fine particles to which a polymerizable unsaturated group-containing organic compound is bonded, and have a functional group capable of reacting the silanol group with a silanol group on the surface of the silica fine particle. It can be obtained by reacting a saturated group-containing organic compound.
Examples of the above-mentioned polymerizable unsaturated group include a radically polymerizable acryloyl group and a methacryloyl group.
また、シリカ微粒子の体積平均粒子径(D50)を20〜70nmの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、シリカ微粒子の体積平均粒子径(D50)をかかる範囲内の値とすることにより、低屈折率層における透明性を低下させることなく、所定の屈折率を得ることができるためである。
すなわち、シリカ微粒子の体積平均粒子径(D50)が20nm未満の値となると、特に中空シリカ微粒子の場合、その構造上、粒子内部の空洞部を十分に確保することが困難になり、低屈折率層の屈折率を低下させる効果が不十分になる場合があるためである。一方、シリカ微粒子の体積平均粒子径(D50)が70nmを超えた値となると、光の散乱が生じやすくなって、低屈折率層における透明性が低下しやすくなる場合があるためである。
したがって、シリカ微粒子の体積平均粒子径(D50)を30〜60nmの範囲内の値とすることがより好ましく、40〜50nmの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
なお、シリカ微粒子の体積平均粒子径(D50)は、例えば、ゼータ電位測定法により求めることができるほか、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて求めることもでき、さらに、SEM画像を基に求めることもできる。
Further, the volume average particle diameter (D50) of the silica fine particles is preferably set to a value in the range of 20 to 70 nm.
The reason for this is that by setting the volume average particle diameter (D50) of the silica fine particles to a value within this range, a predetermined refractive index can be obtained without lowering the transparency of the low refractive index layer. .
That is, when the volume average particle diameter (D50) of the silica fine particles is less than 20 nm, in particular, in the case of hollow silica fine particles, it is difficult to sufficiently secure a cavity inside the particles due to its structure, and the low refractive index is low. This is because the effect of lowering the refractive index of the layer may be insufficient. On the other hand, when the volume average particle diameter (D50) of the silica fine particles exceeds 70 nm, light scattering is likely to occur, and the transparency of the low refractive index layer may be easily reduced.
Therefore, the volume average particle diameter (D50) of the silica fine particles is more preferably set to a value within the range of 30 to 60 nm, and even more preferably set to a value within the range of 40 to 50 nm.
The volume average particle diameter (D50) of the silica fine particles can be determined, for example, by a zeta potential measurement method or by using a laser diffraction / scattering particle size distribution analyzer, and further, based on an SEM image. You can also ask.
また、シリカ微粒子の配合量を、(A)成分としての撥水性樹脂を含有する活性エネルギー線硬化性樹脂100重量部に対して、2〜120重量部の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、シリカ微粒子の配合量が2重量部未満の値となると、低屈折率層の屈折率を十分に低下させることが困難になったり、低屈折率層の表面に十分な表面凹凸を形成することが困難になり、透明導電層等に対する所定の密着性を得ることが困難になったりする場合があるためである。一方、シリカ微粒子の配合量が120重量部を超えた値となると、低屈折率層における空隙率を15%以上の値に調整することが困難になり、過酷なアルカリ処理を含むエッチング処理を行った場合に、低屈折率層におけるシリカ微粒子が溶けたり、脱落したりしやすくなったりする場合があるためである。
したがって、シリカ微粒子の配合量を、(A)成分としての撥水性樹脂を含有する活性エネルギー線硬化性樹脂100重量部に対して、30〜110重量部の範囲内の値とすることがより好ましく、50〜100重量部の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
Further, it is preferable that the blending amount of the silica fine particles is a value within the range of 2 to 120 parts by weight based on 100 parts by weight of the active energy ray-curable resin containing the water-repellent resin as the component (A).
The reason for this is that when the amount of the silica fine particles is less than 2 parts by weight, it becomes difficult to sufficiently lower the refractive index of the low refractive index layer, or sufficient surface irregularities are formed on the surface of the low refractive index layer. This is because it may be difficult to form, and it may be difficult to obtain a predetermined adhesion to a transparent conductive layer or the like. On the other hand, when the amount of the silica fine particles exceeds 120 parts by weight, it becomes difficult to adjust the porosity in the low refractive index layer to a value of 15% or more, and etching treatment including severe alkali treatment is performed. This is because, in such a case, the silica fine particles in the low refractive index layer may be easily dissolved or dropped.
Therefore, it is more preferable to set the blending amount of the silica fine particles to a value within the range of 30 to 110 parts by weight based on 100 parts by weight of the active energy ray-curable resin containing the water-repellent resin as the component (A). , 50 to 100 parts by weight.
(2)−3 低屈折率層形成用組成物
また、低屈折率層は、低屈折率層形成用組成物を予め調製し、後述の通り塗布・乾燥し、硬化させることにより形成される。
当該組成物は、必要に応じ、適当な溶媒中に上述した(A)成分としての活性エネルギー線硬化性樹脂、および(B)成分としてのシリカ微粒子、並びに、光重合開始剤その他の各種添加成分をそれぞれ所定の割合で加え、溶解または分散させることにより調製することができる。
なお、各種添加成分、溶媒、低屈折率層形成用組成物の濃度、粘度等については、ハードコート層の説明における内容と同様である。
(2) -3 Low-refractive-index layer-forming composition The low-refractive-index layer is formed by preparing a low-refractive-index layer-forming composition in advance, coating, drying, and curing as described below.
The composition is, if necessary, in an appropriate solvent, an active energy ray-curable resin as the component (A), silica fine particles as the component (B), and a photopolymerization initiator and other various additional components. Can be prepared by adding or dissolving at predetermined ratios, respectively.
The various additives, the solvent, the concentration and the viscosity of the composition for forming the low refractive index layer, and the like are the same as those in the description of the hard coat layer.
(2)−4 膜厚
また、低屈折率層の膜厚を20〜80nmの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、低屈折率層の膜厚をかかる範囲内の値とすることにより、十分な耐エッチング性を得ることができ、これにより、透明導電層のパターン形状をより安定的に不可視化することができ、さらに、シリカ微粒子の配合量を調整することにより容易に空隙率や表面粗さを制御することができるためである。
すなわち、低屈折率層の膜厚が20nm未満の値となると、低屈折率層の膜が脆くなり、耐エッチング性が不十分になる場合があるためである。一方、低屈折率層の膜厚が80nmを超えた値となると、透明導電層のパターン形状が視認されやすくなると同時に、後述する空隙の定義上、空隙率の算出が行えなくなる場合があるためである。
したがって、低屈折率層の膜厚を25〜70nmの範囲内の値とすることがより好ましく、40〜60nmの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
(2) -4 Thickness The thickness of the low refractive index layer is preferably set to a value within the range of 20 to 80 nm.
The reason is that by setting the thickness of the low refractive index layer to a value within the above range, sufficient etching resistance can be obtained, and thereby, the pattern shape of the transparent conductive layer can be more stably invisible. This is because the porosity and the surface roughness can be easily controlled by adjusting the blending amount of the silica fine particles.
That is, when the thickness of the low-refractive-index layer is less than 20 nm, the low-refractive-index layer may become brittle, resulting in insufficient etching resistance. On the other hand, when the thickness of the low refractive index layer exceeds 80 nm, the pattern shape of the transparent conductive layer is easily recognized, and at the same time, the void ratio may not be calculated due to the definition of the void described later. is there.
Therefore, the thickness of the low refractive index layer is more preferably set to a value in the range of 25 to 70 nm, and even more preferably to a value in the range of 40 to 60 nm.
(2)−5 空隙率
本発明においては、図2に示すように、低屈折率層2aの露出面側における、シリカ微粒子20が存在しない空隙22の割合(露出面の面積に対する空隙の割合)を15%以上の値とすることを特徴とする。
この理由は、かかる空隙率を15%以上の値とすることにより、過酷なアルカリ処理を含むエッチング処理を行った場合であっても、その前後での低屈折率層における空隙変化率を効果的に小さくすることができるためである。
すなわち、エッチング処理によって、低屈折率層におけるシリカ微粒子が溶けたり、脱落したりすることを効果的に抑制することができる。
(2) -5 Porosity In the present invention, as shown in FIG. 2, the ratio of the voids 22 where the silica fine particles 20 are not present on the exposed surface side of the low refractive index layer 2a (the ratio of the voids to the area of the exposed surface). Is 15% or more.
The reason is that by setting the porosity to a value of 15% or more, even when etching treatment including severe alkali treatment is performed, the porosity change rate in the low refractive index layer before and after the etching treatment can be effectively reduced. This is because it can be made smaller.
That is, it is possible to effectively suppress the silica particles in the low refractive index layer from being melted or dropped by the etching treatment.
より具体的には、図1(a)に示すように、低屈折率層2aにおける空隙率の値が大きい場合、樹脂からなるマトリックス部分の存在割合が多くなるため、過酷なアルカリ処理を行った場合であっても、シリカ微粒子がマトリックス部分に効果的に保護され、溶けたり、脱落したりすることを効果的に抑制することができる。
一方、図1(b)に示すように、低屈折率層2a´における空隙率の値が小さい場合、樹脂からなるマトリックス部分の存在割合が少なくなるため、過酷なアルカリ処理を行った場合には、シリカ微粒子がマトリックス部分によって十分に保護されず、溶けたり、脱落したりしやすくなる。
したがって、空隙率を実験により実証された値である15%以上の値とすることにより、過酷なアルカリ処理を含むエッチング処理を行った場合であっても、低屈折率層に要求される所定の屈折率を効果的に維持することができ、ひいては、透明導電層のパターン形状を安定的に不可視化することができる。
また、過酷なアルカリ処理を含むエッチング処理を行った場合であっても、その前後での低屈折率層における空隙変化率を効果的に小さくすることができることから、シリカ微粒子に起因した低屈折率層の表面における微細な凹凸も効果的に維持することができる。
したがって、低屈折率層の表面におけるぬれ張力を所定の範囲に維持して、低屈折率層に要求される透明導電層等に対する所定の密着力を得ることができる。
More specifically, as shown in FIG. 1A, when the value of the porosity in the low refractive index layer 2a is large, the existence ratio of the matrix portion made of the resin increases, so that severe alkali treatment was performed. Even in this case, the silica fine particles are effectively protected by the matrix portion, and the melting or falling off can be effectively suppressed.
On the other hand, as shown in FIG. 1B, when the value of the porosity in the low-refractive-index layer 2a 'is small, the existence ratio of the matrix portion made of the resin becomes small. In addition, the silica fine particles are not sufficiently protected by the matrix portion, and are easily melted or dropped off.
Therefore, by setting the porosity to a value of 15% or more, which is a value proved by an experiment, even when an etching process including a severe alkali process is performed, a predetermined value required for the low refractive index layer is required. The refractive index can be effectively maintained, and the pattern shape of the transparent conductive layer can be stably made invisible.
Further, even when etching treatment including severe alkali treatment is performed, since the rate of change of voids in the low refractive index layer before and after the etching treatment can be effectively reduced, the low refractive index caused by silica fine particles can be reduced. Fine irregularities on the surface of the layer can also be effectively maintained.
Therefore, it is possible to maintain the wetting tension on the surface of the low-refractive-index layer in a predetermined range, and obtain a predetermined adhesive force to the transparent conductive layer or the like required for the low-refractive-index layer.
一方、かかる空隙率が過度に大きな値になると、低屈折率層の屈折率を十分に低下させることが困難になったり、低屈折率層の表面に十分な表面凹凸を形成することが困難になり、透明導電層等に対する所定の密着性を得ることが困難になったりする場合がある。
したがって、低屈折率層の露出面側における、シリカ微粒子が存在しない空隙の割合、すなわち空隙率を20〜70%の範囲内の値とすることがより好ましく、22〜40%の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
On the other hand, when the porosity is excessively large, it is difficult to sufficiently lower the refractive index of the low refractive index layer, or it is difficult to form sufficient surface irregularities on the surface of the low refractive index layer. In some cases, it may be difficult to obtain a predetermined adhesion to a transparent conductive layer or the like.
Therefore, it is more preferable that the ratio of the voids on which the silica fine particles are not present on the exposed surface side of the low refractive index layer, that is, the porosity is set to a value within the range of 20 to 70%, and a value within the range of 22 to 40% More preferably,
また、上述した空隙率は、例えば、走査型電子顕微鏡を用いて低屈折率層の露出面側の反射電子像を得て、得られた反射電子像について、画像処理ソフトを用いて二値化し、シリカ微粒子が存在しない空隙の割合、すなわち空隙率を測定することが好ましい。
あるいは、走査型電子顕微鏡を用いて低屈折率層の露出面側の反射電子像を得て、得られた反射電子像を拡大コピーしてプリントアウトし、シリカ微粒子が存在する領域と、シリカ微粒子が存在しない空隙の領域と、をハサミで切り分け、切り分けた紙の重量から空隙率を測定することもできる。
なお、本発明における空隙の定義としては、「シリカ微粒子が存在しない領域であって、その領域に内接する最大の円を描いた場合に、その円の直径が0.2μm以上である領域」とする。
また、シリカ微粒子が存在しないか否かは、露出面におけるその平面位置の膜厚方向において、シリカ微粒子が1つも存在しないことを意味する。
したがって、例えば、膜厚方向における表面近くにはシリカ微粒子が存在しない場合であっても、膜厚方向における底面近くにシリカ微粒子が存在するのであれば、その平面位置において「シリカ微粒子が存在する」と判断される。
The porosity described above is obtained, for example, by obtaining a reflected electron image on the exposed surface side of the low refractive index layer using a scanning electron microscope, and binarizing the obtained reflected electron image using image processing software. It is preferable to measure the ratio of voids in which silica fine particles are not present, that is, the porosity.
Alternatively, a backscattered electron image on the exposed surface side of the low refractive index layer is obtained using a scanning electron microscope, and the obtained backscattered electron image is enlarged and copied and printed out. The area of the void where no is present can be cut with scissors, and the porosity can be measured from the weight of the cut paper.
Note that the definition of the voids in the present invention is “a region where the silica fine particles do not exist, and a region where the diameter of the circle is 0.2 μm or more when the largest circle inscribed in the region is drawn”. I do.
Whether or not silica fine particles are present means that no silica fine particles are present in the film thickness direction at the plane position on the exposed surface.
Therefore, for example, even when the silica fine particles do not exist near the surface in the film thickness direction, if the silica fine particles exist near the bottom surface in the film thickness direction, “the silica fine particles exist” at the plane position. Is determined.
また、透明導電層形成用積層体を、40℃に加温した5重量%の水酸化ナトリウム水溶液に5分間浸漬させてアルカリ処理した前後での低屈折率層における空隙率の増加率(%)、すなわち空隙増加率(%)を26%以下の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる空隙増加率を26%以下の値とすることにより、過酷なアルカリ処理を含むエッチング処理に対する耐エッチング性を、より確実に向上させることができるためである。
すなわち、かかる空隙増加率が26%を超えた値となると、エッチング処理によって、低屈折率層におけるシリカ微粒子が溶けたり、脱落したりすることを効果的に抑制することが困難になる場合があるためである。一方、かかる空隙増加率の下限値は0%であることが好ましい。しかし、小さな値になると、低屈折率層の屈折率を十分に低下させることが困難になったり、低屈折率層の表面に十分な表面凹凸を形成することが困難になり、透明導電層等に対する所定の密着性を得ることが困難になったりする場合がある。
したがって、透明導電層形成用積層体を、40℃に加温した5重量%の水酸化ナトリウム水溶液に5分間浸漬させてアルカリ処理した前後での低屈折率層における空隙率の増加率、すなわち空隙増加率を10〜25%の範囲内の値とすることがより好ましく、19〜24%の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
Further, the porosity increase rate (%) in the low refractive index layer before and after the transparent conductive layer forming laminate was immersed in a 5% by weight aqueous sodium hydroxide solution heated to 40 ° C. for 5 minutes and subjected to alkali treatment. That is, it is preferable to set the void increase rate (%) to a value of 26% or less.
The reason for this is that by setting the void increase rate to a value of 26% or less, it is possible to more reliably improve the etching resistance to etching processing including severe alkali processing.
That is, when the void increase rate exceeds 26%, it may be difficult to effectively suppress melting or falling off of the silica fine particles in the low refractive index layer by the etching treatment. That's why. On the other hand, the lower limit of the rate of increase in voids is preferably 0%. However, when the value is small, it is difficult to sufficiently lower the refractive index of the low refractive index layer, or it is difficult to form sufficient surface irregularities on the surface of the low refractive index layer, and it is difficult to form the transparent conductive layer or the like. In some cases, it may be difficult to obtain a predetermined adhesiveness to the object.
Therefore, the rate of increase of the porosity in the low refractive index layer before and after the transparent conductive layer forming laminate is immersed in a 5% by weight aqueous sodium hydroxide solution heated at 40 ° C. for 5 minutes and subjected to alkali treatment, that is, the porosity The increase rate is more preferably set to a value in the range of 10 to 25%, and further preferably to a value in the range of 19 to 24%.
(2)−6 表面自由エネルギー
また、低屈折率層におけるJIS K 6768に準拠して23℃の条件下で測定される表面自由エネルギーを37mN/m以上の値とすることが好ましい。
この理由は、低屈折率層の露出面における表面自由エネルギーをかかる範囲内の値とすることにより、耐エッチング性を向上させつつも、低屈折率層に要求される透明導電層等に対する所定の密着性をより効果的に得ることができるためである。
すなわち、かかる表面自由エネルギーが37mN/m未満の値となると、透明導電層等に対する所定の密着性を得ることが困難になる場合があるためである。一方、かかる表面自由エネルギーが過度に大きな値になると、表面保護のために透明導電層形成用積層体に積層される保護フィルムとの密着性が過度に強くなって、保護フィルムの剥離工程において作業効率の低下を招く場合がある。
したがって、低屈折率層の露出面におけるJIS K 6768に準拠して測定される表面自由エネルギーを40〜65mN/mの範囲内の値とすることがより好ましく、45〜60mN/mの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
(2) -6 Surface Free Energy The surface free energy of the low refractive index layer measured at 23 ° C. in accordance with JIS K 6768 is preferably set to a value of 37 mN / m or more.
The reason for this is that by setting the surface free energy on the exposed surface of the low refractive index layer to a value within the above range, while improving the etching resistance, a predetermined value for the transparent conductive layer or the like required for the low refractive index layer is obtained. This is because adhesion can be obtained more effectively.
That is, if the surface free energy is less than 37 mN / m, it may be difficult to obtain a predetermined adhesion to a transparent conductive layer or the like. On the other hand, when the surface free energy is excessively large, the adhesion to the protective film laminated on the transparent conductive layer forming laminate for surface protection becomes excessively strong, and work in the protective film peeling step is performed. This may lead to a decrease in efficiency.
Therefore, it is more preferable to set the surface free energy of the exposed surface of the low refractive index layer measured according to JIS K 6768 to a value within a range of 40 to 65 mN / m, and a value within a range of 45 to 60 mN / m. More preferably, it is set to a value.
4.透明導電層形成用積層体の製造方法
本発明の透明導電層形成用積層体は、例えば、下記工程(a)〜(b)を含む製造方法により得ることができる。
(a)基材フィルムの両面にハードコート層を形成する工程
(b)一方のハードコート層上に、光学調整層を形成する工程
以下、これまでの内容と重複する部分は省略し、異なる部分のみを詳述する。
なお、本発明の透明導電層形成用積層体は、ハードコート層を必須の構成要件としていないが、以下の説明においては、ハードコート層を形成した場合を例に挙げて説明する。
4. Method for Producing Laminate for Forming Transparent Conductive Layer The laminate for forming a transparent conductive layer of the present invention can be obtained, for example, by a method comprising the following steps (a) and (b).
(A) Step of forming a hard coat layer on both sides of a base film (b) Step of forming an optical adjustment layer on one hard coat layer Hereinafter, portions overlapping with the above contents are omitted, and different portions are omitted. Only the details will be described.
The laminate for forming a transparent conductive layer of the present invention does not require a hard coat layer as an essential component, but in the following description, a case in which a hard coat layer is formed will be described as an example.
(1)工程(a):ハードコート層を形成する工程
基材フィルムの両面に、上述したハードコート層形成用組成物を、従来公知の方法にて塗布し塗膜を形成した後、乾燥し、これに活性エネルギー線を照射して塗膜を硬化させることにより、ハードコート層が形成される。
また、ハードコート層形成用組成物の塗布方法としては、例えば、バーコート法、ナイフコート法、ロールコート法、ブレードコート法、ダイコート法、グラビアコート法等が挙げられる。
(1) Step (a): Step of Forming a Hard Coat Layer The above-described composition for forming a hard coat layer is applied to both surfaces of a base film by a conventionally known method to form a coating film, and then dried. The hard coat layer is formed by irradiating this with an active energy ray to cure the coating film.
Examples of the method of applying the composition for forming a hard coat layer include a bar coating method, a knife coating method, a roll coating method, a blade coating method, a die coating method, and a gravure coating method.
また、乾燥条件としては、60〜150℃で10秒〜10分程度行うことが好ましい。
さらに、活性エネルギー線としては、例えば、紫外線や電子線等が挙げられる。
また、紫外線の光源としては、高圧水銀ランプ、無電極ランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ等が挙げられ、その照射量は、通常、100〜500mJ/cm2とすることが好ましい。
一方、電子線の光源としては、電子線加速器等が挙げられ、その照射量は、通常、150〜350kVとすることが好ましい。
The drying is preferably performed at 60 to 150 ° C. for about 10 seconds to 10 minutes.
Furthermore, examples of the active energy ray include an ultraviolet ray and an electron beam.
Examples of the ultraviolet light source include a high-pressure mercury lamp, an electrodeless lamp, a metal halide lamp, and a xenon lamp, and the irradiation amount is usually preferably 100 to 500 mJ / cm 2 .
On the other hand, examples of the electron beam light source include an electron beam accelerator, and the irradiation amount is usually preferably 150 to 350 kV.
(2)工程(b):光学調整層を形成する工程
次いで、形成されたハードコート層上に(ハードコート層を形成しない場合は、基材フィルム上に直接)、高屈折率層を形成する。
すなわち、高屈折率層は、基材フィルム上にハードコート層を形成するのと同様にして、上述した高屈折率層形成用組成物を塗布・乾燥するとともに、活性エネルギー線を照射して硬化させることにより形成することができる。
次いで、形成された高屈折率層上に、さらに低屈折率層を形成する。
すなわち、低屈折率層は、基材フィルム上にハードコート層を形成するのと同様にして、上述した低屈折率層形成用組成物を塗布・乾燥するとともに、活性エネルギー線を照射して硬化させることにより形成することができる。
(2) Step (b): Step of Forming Optical Adjustment Layer Next, a high refractive index layer is formed on the formed hard coat layer (or directly on the base film when the hard coat layer is not formed). .
That is, the high refractive index layer is applied and dried in the same manner as the formation of the hard coat layer on the base film, and cured by irradiating with an active energy ray. It can be formed by performing.
Next, a low refractive index layer is further formed on the formed high refractive index layer.
That is, the low-refractive-index layer is applied and dried in the same manner as forming the hard-coat layer on the base film, and cured by irradiating with an active energy ray. It can be formed by performing.
[第2の実施形態]
本発明の第2の実施形態は、図3に示すように、基材フィルム4の少なくとも一方の表面に光学調整層2と、透明導電層1と、を順に積層してなる透明導電性フィルム100であって、光学調整層2が、基材フィルム4の側から、屈折率が1.6以上の値である高屈折率層2bと、屈折率が1.45以下の値である低屈折率層2aと、を順に積層してなるとともに、低屈折率層2aがシリカ微粒子を含有し、かつ、低屈折率層2aの露出面側における、シリカ微粒子が存在しない空隙の割合を15%以上の値とすることを特徴とする透明導電性フィルム100である。
以下、本発明の第2の実施形態を、これまでの内容と重複する部分は省略し、異なる部分のみを詳述する。
[Second embodiment]
As shown in FIG. 3, a second embodiment of the present invention is a transparent conductive film 100 in which an optical adjustment layer 2 and a transparent conductive layer 1 are sequentially laminated on at least one surface of a base film 4. Wherein the optical adjustment layer 2 has, from the side of the base film 4, a high refractive index layer 2b having a refractive index of 1.6 or more and a low refractive index having a refractive index of 1.45 or less. The low refractive index layer 2a contains silica fine particles, and the ratio of voids where no silica fine particles are present on the exposed surface side of the low refractive index layer 2a is 15% or more. The transparent conductive film 100 is characterized in that the value is a value.
Hereinafter, in the second embodiment of the present invention, the same parts as those described above will be omitted, and only different parts will be described in detail.
1.透明導電層
(1)材料物質
本発明の透明導電性フィルムにおいて、透明導電層の材料物質としては、透明性と導電性とを併せ持つものであれば特に制限されるものではないが、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、インジウム錫酸化物(ITO)、錫アンチモン酸化物、亜鉛アルミニウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物等が挙げられる。
また、特に、材料物質としてITOを用いることが好ましい。
この理由は、ITOであれば、適当な造膜条件を採用することで、透明性および導電性に優れた透明導電層を形成することができるためである。
1. Transparent Conductive Layer (1) Material In the transparent conductive film of the present invention, the material of the transparent conductive layer is not particularly limited as long as it has both transparency and conductivity. Examples include indium, zinc oxide, tin oxide, indium tin oxide (ITO), tin antimony oxide, zinc aluminum oxide, and indium zinc oxide.
In particular, it is preferable to use ITO as a material.
This is because ITO can form a transparent conductive layer having excellent transparency and conductivity by adopting appropriate film forming conditions.
(2)パターン形状
また、透明導電層が、エッチングによりライン状若しくは格子状のようなパターン形状に形成されてなることが好ましい。
また、上述したパターン形状は、透明導電層の存在する部分の線幅と、透明導電層が存在しない部分の線幅とが、略等しいことが好ましい。
さらに、当該線幅は、通常、0.1〜10mmであり、好ましくは、0.2〜5mmであり、特に好ましくは0.5〜2mmである。
なお、上述したライン状若しくは格子状における線幅は一定である場合に限られず、例えば、静電容量式のタッチパネルに要求される形状に連なるもの等を自由に選択することができる。
具体的には、ひし形部分と線部が繰り返し連なったパターン形状等が挙げられ、このようなパターン形状も「ライン状」の範疇に含まれる。
(2) Pattern Shape Further, it is preferable that the transparent conductive layer is formed in a pattern shape such as a line shape or a lattice shape by etching.
In the above-described pattern shape, it is preferable that the line width of the portion where the transparent conductive layer is present is substantially equal to the line width of the portion where the transparent conductive layer is not present.
Further, the line width is usually 0.1 to 10 mm, preferably 0.2 to 5 mm, and particularly preferably 0.5 to 2 mm.
Note that the line width in the above-described line shape or grid shape is not limited to being constant, and, for example, a line having a shape required for a capacitive touch panel can be freely selected.
Specifically, a pattern shape in which a rhombus portion and a line portion are repeatedly connected, and the like are included, and such a pattern shape is also included in the category of “line shape”.
(3)膜厚
また、透明導電層の厚さは、5〜500nmであることが好ましい。
この理由は、透明導電層の厚さが5nm未満の値となると、透明導電層が脆くなるばかりか、十分な導電性が得られなくなる場合があるためである。一方、透明導電層の厚さが500nmを超えた値となると、透明導電層に起因した色味が強くなり、パターン形状が認識されやすくなる場合があるためである。
したがって、透明導電層の厚さは、15〜250nmであることがより好ましく、20〜100nmであることがさらに好ましい。
(3) Film thickness The thickness of the transparent conductive layer is preferably from 5 to 500 nm.
The reason for this is that if the thickness of the transparent conductive layer is less than 5 nm, not only the transparent conductive layer becomes brittle, but also sufficient conductivity may not be obtained. On the other hand, when the thickness of the transparent conductive layer exceeds 500 nm, the color due to the transparent conductive layer becomes strong, and the pattern shape may be easily recognized.
Therefore, the thickness of the transparent conductive layer is more preferably from 15 to 250 nm, further preferably from 20 to 100 nm.
2.透明導電性フィルムの製造方法
上述した透明導電層形成用積層体の製造方法における工程(b)で得られた光学調整層に対し、真空蒸着法、スパッタリング法、CVD法、イオンプレーティング法、スプレー法、ゾル−ゲル法等の公知の方法により、透明導電層を形成することにより、透明導電性フィルムを得ることができる。
また、スパッタリング法としては、化合物を用いた通常のスパッタリング法、あるいは金属ターゲットを用いた反応性スパッタリング法等が挙げられる。
この際、反応性ガスとして酸素、窒素、水蒸気等を導入したり、オゾン添加やイオンアシスト等を併用したりすることも好ましい。
また、透明導電層は、上述したようにして製膜した後、フォトリソグラフィー法により所定のパターンのレジストマスクを形成した後、公知の方法によりエッチング処理を施すことで、ライン状のパターン等を形成することができる。
なお、エッチング液としては、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸等の酸の水溶液等が好ましく挙げられる。
また、エッチング処理の最終工程である残留したフォトレジストを除去するためのアルカリ処理に用いられる液としては、エッチング処理の迅速化の観点から、液温10〜50℃、濃度1〜10重量%、pH13.4〜14.4の強塩基水溶液を用いることが好ましい。
また、好適な強塩基としては、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化ルビジウム、水酸化セシウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化カルシウム、水酸化ストロンチウム、水酸化バリウム、水酸化ユウロピウム(II)、水酸化タリウム(I)、グアニジン等が挙げられる。
2. Method for Producing Transparent Conductive Film The optical adjustment layer obtained in step (b) in the method for producing a laminate for forming a transparent conductive layer described above is subjected to a vacuum deposition method, a sputtering method, a CVD method, an ion plating method, and a spray method. A transparent conductive film can be obtained by forming a transparent conductive layer by a known method such as a method and a sol-gel method.
Examples of the sputtering method include a normal sputtering method using a compound and a reactive sputtering method using a metal target.
At this time, it is also preferable to introduce oxygen, nitrogen, water vapor, or the like as a reactive gas, or to use ozone addition or ion assist in combination.
Further, after the transparent conductive layer is formed as described above, a resist mask having a predetermined pattern is formed by a photolithography method, and then an etching process is performed by a known method to form a linear pattern or the like. can do.
In addition, as the etching solution, an aqueous solution of an acid such as hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid and the like are preferably exemplified.
In addition, from the viewpoint of speeding up the etching process, the solution used in the alkali process for removing the remaining photoresist, which is the final step of the etching process, has a solution temperature of 10 to 50 ° C., a concentration of 1 to 10% by weight, It is preferable to use a strong base aqueous solution having a pH of 13.4 to 14.4.
Suitable strong bases include lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, rubidium hydroxide, cesium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, calcium hydroxide, strontium hydroxide, and hydroxide. Barium, europium (II) hydroxide, thallium (I) hydroxide, guanidine and the like can be mentioned.
また、透明導電層の結晶性を高めて、抵抗率を低下させるために、アニール工程を設けて所定のアニール処理を行うことが好ましい。
すなわち、得られた透明導電性フィルムを130〜180℃の温度条件下に0.5〜2時間曝すことが好ましい。
Further, in order to increase the crystallinity of the transparent conductive layer and lower the resistivity, it is preferable to perform an annealing process by providing an annealing step.
That is, it is preferable to expose the obtained transparent conductive film at a temperature of 130 to 180 ° C. for 0.5 to 2 hours.
以下、実施例を参照して、本発明の透明導電層形成用積層体等をさらに詳細に説明する。 Hereinafter, the laminate for forming a transparent conductive layer of the present invention will be described in more detail with reference to examples.
[実施例1]
1.ハードコート層形成用組成物の調製
容器内に、アモルファスシリカ含有紫外線硬化性樹脂(昭和電工(株)製、ビニロール FC−1000)を60重量部(希釈溶剤を除いた純分を表す。以下同じ。)と、アモルファスシリカ分散液のシリカを45重量部と、架橋アクリル系共重合樹脂(積水化成品工業(株)製、テクポリマー XX−27LA)を0.03重量部と、シリコーン系レベリング剤(ビックケミー・ジャパン(株)製、BKY−3550)を0.03重量部と、を収容した後、溶剤を加えて均一に混合し、固形分濃度22重量%のハードコート層形成用組成物を調製した。
[Example 1]
1. Preparation of Composition for Forming Hard Coat Layer In a container, 60 parts by weight of an ultraviolet curable resin containing amorphous silica (manufactured by Showa Denko KK, vinylol FC-1000) (the pure content excluding the diluting solvent is represented. The same applies hereinafter). ), 45 parts by weight of the silica of the amorphous silica dispersion, 0.03 parts by weight of a crosslinked acrylic copolymer resin (Techpolymer XX-27LA, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.), and a silicone leveling agent. (BKY-3550, manufactured by BIC-Chemie Japan KK) and 0.03 parts by weight, and then a solvent was added and uniformly mixed to obtain a composition for forming a hard coat layer having a solid concentration of 22% by weight. Prepared.
2.高屈折率層形成用組成物の調製
容器内に、紫外線硬化性樹脂(大日精化工業(株)製、セイカビーム EXF−01L(NS))を100重量部と、酸化ジルコニウム分散液(CIKナノテック(株)製、ZRMIBK15WT%−F85)を200重量部と、アクリル系レベリング剤(ビックケミー・ジャパン(株)製、BYK−355)を0.05重量部と、光重合開始剤(BASFジャパン(株)製、イルガキュア 907)を3重量部と、を収容した後、溶剤を加えて均一に混合し、固形分濃度1重量%の高屈折率層形成用組成物を調製した。
2. Preparation of Composition for Forming High Refractive Index Layer In a container, 100 parts by weight of an ultraviolet curable resin (manufactured by Dainichi Seika Kogyo Co., Ltd., Seika Beam EXF-01L (NS)) and a zirconium oxide dispersion (CIK Nanotech ( Co., Ltd., 200 parts by weight of ZRMIBK15WT% -F85), 0.05 parts by weight of an acrylic leveling agent (BYK-355, manufactured by BYK Japan KK), and a photopolymerization initiator (BASF Japan Co., Ltd.) And 3 parts by weight of Irgacure 907) were added thereto, and a solvent was added thereto and uniformly mixed to prepare a composition for forming a high refractive index layer having a solid content concentration of 1% by weight.
3.低屈折率層形成用組成物の調製
容器内に、(A)成分としての撥水性樹脂を含有する活性エネルギー線硬化性樹脂と、(B)成分としてのシリカ微粒子と、(C)成分としてのレベリング剤と、(D)成分としての光重合開始剤と、を下記組成にて収容した後、溶剤を加えて均一に混合し、固形分濃度1重量%の低屈折率層形成用組成物を調製した。
なお、下記組成における配合量は、希釈溶剤を除いた純分を表す。
(A)成分:フッ素樹脂を含有する紫外線硬化性アクリル樹脂
100重量部
(フッ素樹脂の種類:反応性フッ素アクリル樹脂、フッ素樹脂の含有量:80重量%、フッ素樹脂単体の硬化樹脂塗膜の表面自由エネルギー:25mN/m)
(B)成分:反応性中空シリカ微粒子 100重量部
(体積平均粒子径(D50)45nm)
(C)成分:シリコーン系レベリング剤 0.03重量部
(ビックケミー・ジャパン(株)製、BYK−3550)
(D)成分:光重合開始剤 10重量部
(BASFジャパン(株)製、イルガキュア 184)
なお、上述した(B)成分の体積平均粒子径(D50)は、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置にて測定した。
また、以下において、上述した(D)成分としての光重合開始剤を「イルガキュア 184」と称する場合がある。
3. Preparation of composition for forming low refractive index layer In a container, an active energy ray-curable resin containing a water-repellent resin as the component (A), silica fine particles as the component (B), and a silica fine particle as the component (C) After containing the leveling agent and the photopolymerization initiator as the component (D) in the following composition, a solvent is added and uniformly mixed to obtain a composition for forming a low refractive index layer having a solid concentration of 1% by weight. Prepared.
In addition, the compounding quantity in the following composition represents the pure content except the diluting solvent.
Component (A): UV curable acrylic resin containing fluorine resin
100 parts by weight (Type of fluororesin: reactive fluoroacrylic resin, content of fluororesin: 80% by weight, surface free energy of cured resin coating film of fluororesin alone: 25 mN / m)
Component (B): 100 parts by weight of reactive hollow silica fine particles (volume average particle diameter (D50) 45 nm)
Component (C): silicone-based leveling agent 0.03 parts by weight (BYK-3550 manufactured by BYK Japan KK)
Component (D): 10 parts by weight of a photopolymerization initiator (IRGACURE 184, manufactured by BASF Japan K.K.)
The volume average particle diameter (D50) of the component (B) was measured by a laser diffraction / scattering particle size distribution analyzer.
Hereinafter, the photopolymerization initiator as the component (D) may be referred to as “Irgacure 184”.
4.ハードコート層の形成
基材フィルムとして、膜厚125μmの易接着層付きポリエステルフィルム(帝人デュポン(株)製、PET125KEL86W)を用意した。
次いで、用意した基材フィルムの表面に、ハードコート層形成用組成物をワイヤーバー#8にて塗工した。
次いで、70℃で1分間乾燥させた後、窒素雰囲気下において紫外線照射装置(ジーエスユアサコーポレーション(株)製)を用いて下記条件にて紫外線を照射し、基材フィルムの表面に膜厚2μmのハードコート層を形成した。
また、基材フィルムの反対側の面にも、同様にしてハードコート層を形成した。
光源:高圧水銀灯
照度:150mW/cm2
光量:150mJ/cm2
4. Formation of Hard Coat Layer A polyester film (PET125KEL86W, manufactured by Teijin DuPont Co., Ltd.) having a 125 μm-thick adhesive layer was prepared as a base film.
Next, the composition for forming a hard coat layer was applied to the surface of the prepared base film using a wire bar # 8.
Next, after drying at 70 ° C. for 1 minute, the substrate film was irradiated with ultraviolet rays under an atmosphere using a UV irradiation apparatus (manufactured by GS Yuasa Corporation) under a nitrogen atmosphere under the following conditions. A hard coat layer was formed.
In addition, a hard coat layer was similarly formed on the opposite surface of the base film.
Light source: High pressure mercury lamp Illuminance: 150 mW / cm 2
Light intensity: 150 mJ / cm 2
5.高屈折率層の形成
次いで、形成した一方のハードコート層上に、高屈折率形成用組成物をワイヤーバー#4にて塗工した。
次いで、50℃で1分間乾燥させた後、窒素雰囲気下において紫外線照射装置(ジーエスユアサコーポレーション(株)製)を用いてハードコート層と同じ照射条件にて紫外線を照射し、ハードコート層上に膜厚35nm、屈折率nD=1.65の高屈折率層を形成した。
5. Formation of High Refractive Index Layer Next, on one of the formed hard coat layers, a composition for forming a high refractive index was applied using a wire bar # 4.
Next, after drying at 50 ° C. for 1 minute, ultraviolet rays were irradiated under the same irradiation conditions as the hard coat layer using an ultraviolet irradiation apparatus (manufactured by GS Yuasa Corporation) under a nitrogen atmosphere, so that the hard coat layer was formed. A high refractive index layer having a thickness of 35 nm and a refractive index n D = 1.65 was formed.
6.低屈折率層の形成
次いで、形成した高屈折率層上に、低屈折率層形成用の組成物をワイヤーバー#4にて塗工した。
次いで、50℃で1分間乾燥させた後、窒素雰囲気下において紫外線照射装置(ジーエスユアサコーポレーション(株)製)を用いてハードコート層と同じ照射条件にて紫外線を照射し、高屈折率層上に膜厚50nm、屈折率nD=1.37の低屈折率層を形成し、図1(a)に示すような透明導電層形成用積層体を得た。
6. Formation of Low Refractive Index Layer Next, a composition for forming a low refractive index layer was applied on the formed high refractive index layer using a wire bar # 4.
Next, after drying at 50 ° C. for 1 minute, ultraviolet light was irradiated under a nitrogen atmosphere using a UV irradiation apparatus (manufactured by GS Yuasa Corporation) under the same irradiation conditions as the hard coat layer, and the high refractive index layer was A low-refractive-index layer having a thickness of 50 nm and a refractive index of n D = 1.37 was formed thereon to obtain a laminate for forming a transparent conductive layer as shown in FIG.
7.空隙率の測定
得られた透明導電層形成用積層体の低屈折率層の露出面側における、シリカ微粒子が存在しない空隙の割合、すなわち空隙率(%)を測定した。
すなわち、電解放出型走査型電子顕微鏡(FE−SEM)(日立ハイテクノロジーズ(株)製、S−4700)を用いて、加速電圧10kV、測定倍率5000倍の条件にて、得られた透明導電層形成用積層体における低屈折率層の露出面側の反射電子像(観察範囲:450×575μm2)を得た。
次いで、得られた反射電子像について、画像処理ソフト(Cybernetic(株)製、Image Pro−plus)を用いて二値化し、シリカ微粒子が存在しない空隙の割合、すなわち空隙率(%)を測定したところ、空隙率は24.1%であった。
なお、得られた反射電子像を図4(a)に示す。
7. Measurement of porosity On the exposed surface side of the low refractive index layer of the obtained laminate for forming a transparent conductive layer, the ratio of porosity in which no silica fine particles exist, that is, the porosity (%) was measured.
That is, using a field emission scanning electron microscope (FE-SEM) (S-4700, manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation), the obtained transparent conductive layer was obtained under the conditions of an acceleration voltage of 10 kV and a measurement magnification of 5000 times. A reflected electron image (observation range: 450 × 575 μm 2 ) on the exposed surface side of the low refractive index layer in the forming laminate was obtained.
Next, the obtained backscattered electron image was binarized using image processing software (Image Pro-plus, manufactured by Cybernetic Co., Ltd.), and the ratio of voids in which silica fine particles did not exist, that is, the porosity (%) was measured. However, the porosity was 24.1%.
FIG. 4A shows the obtained backscattered electron image.
8.評価
(1)耐エッチング性の評価1
得られた透明導電層形成用積層体における耐エッチング性を、低屈折率層における空隙率(%)の増加率(%)(以下、「空隙増加率」と称する場合がある)により評価した。
すなわち、透明導電層形成用積層体を、40℃に加温した5重量%の水酸化ナトリウム水溶液に5分間浸漬させてアルカリ処理した後、上述した条件と同条件にて低屈折率層における空隙率(%)を測定した。得られた反射電子像を図4(b)に示す。
次いで、アルカリ処理後の空隙率(%)をアルカリ処理前の空隙率(%)で割って空隙増加率(%)を算出した。得られた結果を表1に示す。
なお、空隙増加率が26%以下の値であれば、実用上、優れた耐エッチング性を有すると判断できる。
8. Evaluation (1) Evaluation of etching resistance 1
The etching resistance of the obtained laminate for forming a transparent conductive layer was evaluated based on an increase rate (%) of a porosity (%) in the low refractive index layer (hereinafter, may be referred to as a “void increase rate”).
That is, the laminate for forming a transparent conductive layer is immersed in a 5% by weight aqueous solution of sodium hydroxide heated to 40 ° C. for 5 minutes and alkali-treated, and then the voids in the low refractive index layer under the same conditions as described above. The rate (%) was measured. FIG. 4B shows the obtained reflected electron image.
Next, the porosity (%) after the alkali treatment was divided by the porosity (%) before the alkali treatment to calculate the porosity increase rate (%). Table 1 shows the obtained results.
If the rate of increase in voids is 26% or less, it can be determined that the layer has practically excellent etching resistance.
(2)耐エッチング性の評価2
得られた透明導電層形成用積層体における耐エッチング性を、透明導電層形成用積層体の反射率(%)の変化量(%)(以下、「反射率変化量」と称する場合がある)により評価した。
すなわち、得られた透明導電層形成用積層体の反射率(%)(低屈折率層側)を紫外可視近赤外(UV−vis−NIR)分光光度計(島津製作所(株)製、UV−3600)を用いて、反射角度:8°、サンプリングピッチ:1nm、測定モード:シングルの条件にて測定した。
次いで、透明導電層形成用積層体を、40℃に加温した5重量%の水酸化ナトリウム水溶液に5分間浸漬させてアルカリ処理した後、上述した条件と同条件にて反射率(%)を測定した。
次いで、アルカリ処理前の反射率(%)からアルカリ処理後の反射率(%)を引いて反射率変化量(%)を算出した。得られた結果を表1に示す。
なお、反射率変化量が0.5%以下の値であれば、実用上、優れた耐エッチング性を有すると判断できる。
また、反射率変化量(%)により耐エッチング性を評価できる理由は、エッチング処理により低屈折率層の膜厚または屈折率もしくは両方が変化すると、低屈折率層の反射率が変化するためである。
(2) Evaluation of etching resistance 2
The etching resistance of the obtained laminate for forming a transparent conductive layer is determined by the change amount (%) of the reflectance (%) of the laminate for forming a transparent conductive layer (hereinafter, may be referred to as “reflectance change amount”). Was evaluated.
That is, the reflectance (%) (low-refractive-index layer side) of the obtained laminate for forming a transparent conductive layer was measured using an ultraviolet-visible-near-infrared (UV-vis-NIR) spectrophotometer (manufactured by Shimadzu Corporation, UV -3600) under the following conditions: reflection angle: 8 °, sampling pitch: 1 nm, measurement mode: single.
Next, the laminate for forming a transparent conductive layer is immersed in a 5% by weight aqueous sodium hydroxide solution heated to 40 ° C. for 5 minutes to carry out alkali treatment, and the reflectance (%) is measured under the same conditions as described above. It was measured.
Next, the reflectance change (%) was calculated by subtracting the reflectance (%) after the alkali treatment from the reflectance (%) before the alkali treatment . Table 1 shows the obtained results.
If the change in reflectance is 0.5% or less, it can be determined that the film has excellent etching resistance in practical use.
The reason why the etching resistance can be evaluated based on the reflectance change amount (%) is that the reflectance of the low refractive index layer changes when the film thickness or the refractive index or both of the low refractive index layer changes by the etching process. is there.
(3)耐エッチング性の評価3
得られた透明導電層形成用積層体における耐エッチング性を、低屈折率層の露出面における算術平均表面粗さRa(nm)の変化量(nm)(以下、「Ra変化量」と称する場合がある)により評価した。
すなわち、を光干渉式表面粗さ計(Veeco(株)製、WYKO NT−1100)を用いて、Measurement Type:PSI(Infinite Scan)、Objective:10.0X、FOV:1.0Xの条件にて、得られた透明導電層形成用積層体における低屈折率層の露出面における算術平均粗さRa(nm)を測定した。
次いで、Terms Removal:Tilt Only(Plane Fit)、Window Filtering:Noneにてデータ解析を行い、算術平均表面粗さRa(nm)を測定した。
次いで、得られた透明導電層形成用積層体を、40℃に加温した5重量%の水酸化ナトリウム水溶液に5分間浸漬させてアルカリ処理した後、上述した条件と同条件にて算術平均表面粗さRa(nm)を測定した。
次いで、アルカリ処理前の算術平均表面粗さRa(nm)からアルカリ処理後の算術平均表面粗さRa(nm)を引いてRa変化量(nm)を算出した。得られた結果を表1に示す。
なお、算術平均表面粗さ変化量が10nm未満の値であれば、実用上、優れた耐エッチング性を有すると判断できる。
(3) Evaluation of etching resistance 3
The etching resistance of the obtained laminate for forming a transparent conductive layer is defined as the variation (nm) of the arithmetic average surface roughness Ra (nm) on the exposed surface of the low refractive index layer (hereinafter referred to as “Ra variation”). There is).
That is, using a light interference type surface roughness meter (WYKO NT-1100, manufactured by Veeco Co., Ltd.) under the conditions of Measurement Type: PSI (Infinite Scan), Objective: 10.0X, and FOV: 1.0X. The arithmetic average roughness Ra (nm) on the exposed surface of the low refractive index layer in the obtained laminate for forming a transparent conductive layer was measured.
Next, data analysis was performed using Terms Removal: Tilt Only (Plane Fit) and Window Filtering: None, and the arithmetic average surface roughness Ra (nm) was measured.
Next, the obtained laminate for forming a transparent conductive layer is immersed in a 5% by weight aqueous solution of sodium hydroxide heated to 40 ° C. for 5 minutes to carry out alkali treatment, and then subjected to the arithmetic mean surface treatment under the same conditions as described above. The roughness Ra (nm) was measured.
Next, the arithmetic average surface roughness Ra (nm) after the alkali treatment was subtracted from the arithmetic average surface roughness Ra (nm) before the alkali treatment to calculate the amount of Ra change (nm) . Table 1 shows the obtained results.
In addition, if the arithmetic average surface roughness change amount is less than 10 nm , it can be judged that it has excellent etching resistance in practical use.
(4)パターン視認性の評価
得られた透明導電層形成用積層体の低屈折率層の表面に対し、パターン化された透明導電層を形成し、その視認性を評価した。
すなわち、得られた透明導電層形成用積層体を縦90mm×横90mmにカットした後、ITOターゲット(酸化錫10重量%、酸化インジウム90重量%)を用いてスパッタリングを行い、低屈折率層上の中央部に縦60mm×横60mmの正方形状、膜厚30nmの透明導電層を形成した。
次いで、得られた透明導電層の表面上に格子状にパターン化されたフォトレジスト膜を形成した。
次いで、室温下にて、10重量%の塩酸に1分間浸漬することによりエッチング処理を行い、透明導電層を格子状にパターン化した。
次いで、40℃に加温した5重量%の水酸化ナトリウム水溶液に5分間浸漬させてアルカリ処理を行い、透明導電層上のフォトレジスト膜を除去し、パターン化された透明導電層を有する透明導電性フィルムを得た。
当該透明導電性フィルムは、線幅2mmのITOからなる線部により1辺が2mmの正方形の空隙が格子状に区画化されたパターン形状を有する30nmの透明導電層を有するものであった。
次いで、得られた透明導電性フィルムを、白色蛍光灯から1mの位置に設置し、透明導電性フィルムに白色蛍光灯を映りこませた状態で、白色蛍光灯が設置されているのと同じ側における透明導電性フィルムから30cmの位置より、目視にて透明導電層のパターン形状を観察し、下記基準に沿って評価した。得られた結果を表1に示す。
◎:透明導電層のパターン形状が視認されない
○:透明導電層のパターン形状がわずかに視認される
×:透明導電層のパターン形状が視認される
(4) Evaluation of pattern visibility A patterned transparent conductive layer was formed on the surface of the low refractive index layer of the obtained laminate for forming a transparent conductive layer, and the visibility was evaluated.
That is, after the obtained laminate for forming a transparent conductive layer is cut into a length of 90 mm and a width of 90 mm, sputtering is performed using an ITO target (tin oxide 10% by weight, indium oxide 90% by weight) to form a layer on the low refractive index layer. A transparent conductive layer having a square shape of 60 mm long × 60 mm wide and a thickness of 30 nm was formed in the center of the sample.
Next, a photoresist film patterned in a lattice pattern was formed on the surface of the obtained transparent conductive layer.
Next, etching treatment was performed by immersion in 10% by weight of hydrochloric acid at room temperature for 1 minute to pattern the transparent conductive layer into a lattice.
Next, the substrate is immersed in a 5% by weight aqueous solution of sodium hydroxide heated to 40 ° C. for 5 minutes to carry out an alkali treatment to remove the photoresist film on the transparent conductive layer and to form a transparent conductive layer having a patterned transparent conductive layer. A functional film was obtained.
The transparent conductive film had a transparent conductive layer of 30 nm having a pattern shape in which a square space having a side of 2 mm was partitioned into a lattice by a line portion made of ITO having a line width of 2 mm.
Next, the obtained transparent conductive film is placed at a position 1 m from the white fluorescent lamp, and the transparent conductive film reflects the white fluorescent lamp, on the same side where the white fluorescent lamp is placed. The pattern shape of the transparent conductive layer was visually observed from a position 30 cm from the transparent conductive film in the above, and evaluated according to the following criteria . Table 1 shows the obtained results.
◎: The pattern shape of the transparent conductive layer is not visually recognized ○: The pattern shape of the transparent conductive layer is slightly recognized ×: The pattern shape of the transparent conductive layer is visually recognized
(5)表面自由エネルギーの評価
得られた透明導電層形成用積層体におけるJIS K 6768に準拠して23℃の条件下で測定される表面自由エネルギー(mN/m)の評価をした。
すなわち、得られた透明導電層形成用積層体に最表層である低屈折率層の上面に、綿棒を用いて所定表面張力のぬれ張力試験液を、幅10mm、長さ60mmになるように塗布した。
そして、ぬれ張力試験液の塗膜がそのまま2秒間途切れなければ、その表面自由エネルギーにおいて合格と判断し、順次、より表面張力の高いぬれ張力試験液を用いて同じ作業を続け、ぬれ張力試験液の塗膜が2秒以内に途切れるまで繰り返し、合格した最も高い表面自由エネルギーを、測定結果とした。得られた結果を表1に示す。
なお、熱力学上、ぬれ張力と表面自由エネルギーは同義であることから、本発明においてはぬれ張力を表面自由エネルギーと記載する。
(5) Evaluation of Surface Free Energy The obtained transparent conductive layer forming laminate was evaluated for surface free energy (mN / m) measured at 23 ° C. in accordance with JIS K 6768.
That is, a wet tension test solution having a predetermined surface tension is applied to the obtained transparent conductive layer forming laminate on the upper surface of the low refractive index layer, which is the outermost layer, using a cotton swab so as to have a width of 10 mm and a length of 60 mm. did.
If the coating film of the wetting tension test liquid is not interrupted for 2 seconds, it is judged that the surface free energy is acceptable, and the same operation is sequentially performed using the wetting tension test liquid having a higher surface tension. This was repeated until the coating film of No. was interrupted within 2 seconds, and the highest surface free energy that passed was taken as the measurement result. Table 1 shows the obtained results.
It should be noted that the wetting tension and the surface free energy are synonymous in thermodynamics, and therefore, in the present invention, the wetting tension is described as the surface free energy.
[実施例2および比較例1〜2]
実施例2および比較例1〜2では、低屈折率層形成用組成物を調製する際に、反応性中空シリカ微粒子(体積平均粒子径(D50)45nm)の配合量を、表1に記載の通り変更することにより、得られる透明導電層形成用積層体の低屈折率層の空隙率を表1に記載の通りに変更したほかは、実施例1と同様に透明導電層形成用積層体を製造し、評価した。得られた結果を表1に示す。
なお、図5(a)は、比較例1におけるアルカリ処理前の透明導電層形成用積層体における低屈折率層の露出面の反射電子像であり、図5(b)は、比較例1におけるアルカリ処理後の透明導電層形成用積層体における低屈折率層の露出面の反射電子像である。
[Example 2 and Comparative Examples 1-2]
In Example 2 and Comparative Examples 1 and 2, when preparing the composition for forming a low refractive index layer, the blending amount of the reactive hollow silica fine particles (volume average particle diameter (D50) 45 nm) is shown in Table 1. The same procedure as in Example 1 was repeated except that the porosity of the low refractive index layer of the obtained laminate for forming a transparent conductive layer was changed as described in Table 1 by changing the porosity of the laminate for forming a transparent conductive layer. Manufactured and evaluated. Table 1 shows the obtained results.
FIG. 5A is a backscattered electron image of the exposed surface of the low refractive index layer in the transparent conductive layer forming laminate before the alkali treatment in Comparative Example 1, and FIG. It is a reflected electron image of the exposed surface of the low refractive index layer in the transparent conductive layer forming laminate after the alkali treatment.
以上、詳述したように、本発明によれば、透明導電層形成用積層体の最表面層である低屈折率層にシリカを含有させるとともに、低屈折率層の露出面側における、シリカ微粒子が存在しない空隙の割合を15%以上の値とすることにより、低屈折率層における耐エッチング性に優れた透明導電層形成用積層体を得ることができるようになった。
その結果、過酷なエッチング処理を経ても、透明導電層のパターン形状を安定的に不可視化することができ、かつ、透明導電層等との間の密着性に優れた透明導電層形成用積層体を得ることができるようになった。
したがって、本発明の透明導電層形成用積層体およびそれを用いた透明導電性フィルムは、タッチパネルの高品質化に著しく寄与することが期待される。
As described above in detail, according to the present invention, silica is contained in the low refractive index layer, which is the outermost layer of the transparent conductive layer forming laminate, and silica fine particles on the exposed surface side of the low refractive index layer. By setting the ratio of voids in which no is present to a value of 15% or more, a laminated body for forming a transparent conductive layer having excellent etching resistance in a low refractive index layer can be obtained.
As a result, the laminate for forming a transparent conductive layer can stably make the pattern shape of the transparent conductive layer invisible even after severe etching treatment, and has excellent adhesion between the transparent conductive layer and the like. Can be obtained.
Therefore, the laminate for forming a transparent conductive layer of the present invention and the transparent conductive film using the same are expected to significantly contribute to improving the quality of a touch panel.
1:透明導電層、2:光学調整層、2a:低屈折率層、2b:高屈折率層、3:ハードコート層、4:基材フィルム、10:透明導電層形成用積層体、20:シリカ微粒子、22:空隙、100:透明導電性フィルム、 1: transparent conductive layer, 2: optical adjustment layer, 2a: low refractive index layer, 2b: high refractive index layer, 3: hard coat layer, 4: base film, 10: laminate for forming a transparent conductive layer, 20: Silica fine particles, 22: void, 100: transparent conductive film,
Claims (8)
前記基材フィルムの両面もしくは片面にハードコート層が設けてあって、
前記光学調整層が、前記基材フィルム側から、屈折率が1.6以上の値である高屈折率層と、屈折率が1.45以下の値である低屈折率層と、を順に積層してなるとともに、
前記低屈折率層がシリカ微粒子を含有し、かつ、
前記低屈折率層の露出面側における、前記シリカ微粒子が存在しない空隙の割合を15%以上の値とし、
前記低屈折率層における表面自由エネルギーを37mN/m以上の値とすることを特徴とする透明導電層形成用積層体。 A transparent conductive layer forming laminate having an optical adjustment layer on at least one surface of the substrate film,
Hard coat layer is provided on both sides or one side of the base film,
The optical adjustment layer sequentially laminates, from the base film side, a high refractive index layer having a refractive index of 1.6 or more and a low refractive index layer having a refractive index of 1.45 or less. With doing
The low refractive index layer contains silica fine particles, and
On the exposed surface side of the low refractive index layer, the ratio of voids where the silica fine particles are not present is set to a value of 15% or more ,
A laminate for forming a transparent conductive layer, wherein a surface free energy of the low refractive index layer is 37 mN / m or more .
前記基材フィルムの両面もしくは片面にハードコート層が設けてあり、
前記光学調整層が、前記基材フィルム側から、屈折率が1.6以上の値である高屈折率層と、屈折率が1.45以下の値である低屈折率層と、を順に積層してなるとともに、
前記低屈折率層がシリカ微粒子を含有し、かつ、
前記低屈折率層の露出面側における、前記シリカ微粒子が存在しない空隙の割合を15%以上の値とし、
前記低屈折率層における表面自由エネルギーを37mN/m以上の値とすることを特徴とする透明導電性フィルム。 An optical adjustment layer on at least one surface of the substrate film, and a transparent conductive layer, a transparent conductive film obtained by sequentially laminating,
A hard coat layer is provided on both sides or one side of the base film,
The optical adjustment layer sequentially laminates, from the base film side, a high refractive index layer having a refractive index of 1.6 or more and a low refractive index layer having a refractive index of 1.45 or less. With doing
The low refractive index layer contains silica fine particles, and
On the exposed surface side of the low refractive index layer, the ratio of voids where the silica fine particles are not present is set to a value of 15% or more ,
A transparent conductive film, wherein the surface free energy of the low refractive index layer is 37 mN / m or more .
The transparent conductive film according to claim 7, wherein the transparent conductive layer is patterned by etching.
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