JP6617067B2 - 配線回路基板およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線回路基板およびその製造方法、詳しくは、配線回路基板の製造方法、および、それに得られる配線回路基板に関する。

配線回路基板は、絶縁層と、その上に配線パターンとを設けることにより得られることが知られている。

例えば、絶縁層に第１の厚みを有する第１の部分と第１の厚みよりも小さい第２の厚みを有する第２の部分とを形成する工程と、絶縁層の第１の部分上および第２の部分上に延びるように配線パターンを形成する工程とを備える回路付きサスペンション基板の製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

詳しくは、特許文献１に記載される製造方法では、配線パターンを形成する工程において、第１の部分の上面と境界面との境界線が第１の方向に延び、配線パターンの側辺が第１の方向に交差する第２の方向に延び、第２の方向が第１の方向に対して６０度以上９０度以下の角度をなすように、絶縁層の上面に配線パターンを形成している。

第１の部分の上面と第２の部分の上面との間に境界面が形成されるため、フォトリソグラフィ技術により絶縁層上に配線パターンを形成する工程において、境界面で露光光の反射が発生し、反射光が他の領域に間接的に照射される。しかし、特許文献１に記載の方法によれば、露光光は、境界面で配線パターンが延びる方向に近い方向に反射されるため、反射光が本来の露光光のパターンにほとんど影響を与えない。それにより、フォトリソグラフィ技術により形成される配線パターンに断線または短絡を防止している。

特開２０１４−１２７２１６号公報

近年、配線回路基板を小型化する場合には、配線パターンを複雑なパターンで配置する場合がある。そのような場合には、特許文献１のように、配線パターンを、第２の方向が第１の方向に対して６０度以上９０度以下の角度をなすように、形成することができない場合がある。その場合には、配線パターンの形状不良を防止することができないという不具合がある。

本発明の目的は、導体パターンの形状不良を抑制することのできる配線回路基板の製造方法およびそれにより得られる配線回路基板を提供することにある。

本発明（１）は、絶縁層と、導体パターンとを備える配線回路基板の製造方法であり、斜面を有する前記絶縁層を設ける工程（１）と、金属薄膜を、少なくとも前記絶縁層の斜面に設ける工程（２）と、フォトレジストを前記金属薄膜の表面に設ける工程（３）と、フォトマスクの遮光部分を、前記フォトレジストにおいて前記導体パターンが設けられるべき第１部分が遮光されるように配置して、前記フォトレジストを、前記フォトマスクを介して露光する工程（４）と、前記フォトレジストの前記第１部分を除去して、前記第１部分に対応する前記金属薄膜を露出させる工程（５）と、前記導体パターンを、前記フォトレジストから露出する前記金属薄膜の表面に設ける工程（６）とを備え、前記斜面は、平面視略円弧形状を有し、前記工程（４）において、前記円弧に対応する前記金属薄膜において反射した反射光は、前記円弧に沿う仮想円の中心に対応する前記フォトレジストに集光し、前記工程(４)において、前記フォトマスクの前記遮光部分が、前記中心から外れ、少なくとも前記仮想円と重複するように配置される、配線回路基板の製造方法を含む。

しかるに、工程（４）において、円弧に対応する金属薄膜において反射した反射光は、円弧に沿う仮想円の中心に対応するフォトレジストに集光する。そのため、円弧に沿う仮想円の中心に対応するフォトレジストにおける光量が相対的に高くなる。

すると、工程（５）において、フォトレジストにおいて導体パターンが設けられるべき部分を除去できず、そのため、かかる部分に対応する金属薄膜を露出させることができず、それに起因して、工程（６）において、形状不良を有する導体パターンが設けられる。

しかし、この製造方法によれば、工程(４)において、フォトマスクの遮光部分を、中心から外れるように、配置するので、円弧に対応する金属薄膜において反射した反射光は、円弧に沿う仮想円の中心に対応するフォトレジストに集光しても、フォトレジストにおいて導体パターンが設けられるべき部分に集光することを回避（抑制）することができる。

そのため、工程（５）において、フォトレジストにおいて導体パターンが設けられるべき部分を確実に除去でき、そのため、かかる部分に対応する金属薄膜を露出させることができる。そのため、工程（６）において、形状不良が抑制された導体パターンを設けることができる。

その結果、接続信頼性に優れる配線回路基板を得ることができる。

本発明（２）は、絶縁層と、導体パターンとを備える配線回路基板の製造方法であり、
斜面を有する前記絶縁層を設ける工程（１）と、導体層を、少なくとも前記絶縁層の斜面に設ける工程（２）と、フォトレジストを前記導体層の表面に設ける工程（３）と、
フォトマスクの遮光部分を、前記フォトレジストにおいて前記導体パターンが設けられるべき第１部分が遮光されるように配置して、前記フォトレジストを、前記フォトマスクを介して露光する工程（４）と、前記フォトレジストの前記第１部分を残すように、前記第１部分以外の前記フォトレジストを除去する工程（５）と、前記フォトレジストから露出する前記導体層を除去して、前記導体パターンを形成する工程（６）とを備え、前記斜面は、平面視略円弧形状を有し、前記工程（４）において、前記円弧に対応する前記導体層において反射した反射光は、前記円弧に沿う仮想円の中心に対応する前記フォトレジストに集光し、前記工程(４)において、前記フォトマスクの前記遮光部分が、前記中心から外れ、少なくとも前記仮想円と重複するように配置される、配線回路基板の製造方法を含む。

しかるに、工程（４）において、円弧に対応する導体層において反射した反射光は、円弧に沿う仮想円の中心に対応するフォトレジストに集光する。そのため、円弧に沿う仮想円の中心に対応するフォトレジストにおける光量が相対的に高くなる。

すると、工程（５）において、フォトレジストにおいて導体パターンが設けられるべき部分を除去できず、そのため、かかる部分に対応する導体層を残すことができず、それに起因して、工程（６）において、形状不良を有する導体パターンが設けられる。

しかし、この製造方法によれば、工程(４)において、フォトマスクの遮光部分を、中心から外れるように、配置するので、円弧に対応する導体層において反射した反射光は、円弧に沿う仮想円の中心に対応するフォトレジストに集光しても、フォトレジストにおいて導体パターンが設けられるべき部分に集光することを回避（抑制）することができる。

そのため、工程（５）において、フォトレジストにおいて導体パターンが設けられるべき部分を確実に残すことができ、そのため、かかる部分に対応する導体層をパターンに形成することができる。そのため、工程（６）において、形状不良が抑制された導体パターンを設けることができる。

その結果、接続信頼性に優れる配線回路基板を得ることができる。

本発明（３）は、前記導体パターンが、前記中心を通過することなく、前記仮想円を通過する、（１）または（２）に記載の配線回路基板の製造方法を含む。

この方法では、導体パターンが、中心を通過することなく、仮想円を通過するので、導体パターンを高密度で設けることができる。

本発明（４）は、前記導体パターンは、部分的に切り欠かれた切欠部を有し、前記切欠部は、平面視において、前記中心と重複する、（１）〜（３）のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法を含む。

この製造方法によれば、導体パターンに切欠部を設ける簡易な構成で、フォトマスクにおける集光を回避することができる。

本発明（５）は、前記導体パターンの外形が、平面視において、前記中心を包含する一方、前記導体パターンが、前記中心を含む開口部を有する、（１）〜（３）のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法を含む。

この製造方法によれば、導体パターンに開口部を設ける簡易な構成で、フォトマスクにおける集光を回避することができる。

本発明（６）は、前記工程（６）では、前記導体パターンを、前記絶縁層の上下に設ける、（１）〜（５）のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法を含む。

この製造方法によれば、２層の導体パターンを、絶縁層によって、電気的に絶縁することができる。

本発明（７）は、前記配線回路基板は、さらに、金属支持基板を備え、前記工程（６）では、前記導体パターンを、前記金属支持基板の上に設ける、（１）〜（５）のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法を含む。

この製造方法によれば、導体パターンを金属支持基板と導通を図ることができる。

本発明（８）は、斜面を有する絶縁層と、導体パターンとを備え、前記斜面は、平面視略円弧形状を有し、前記導体パターンは、前記円弧に沿う仮想円の中心から外れており、少なくとも前記仮想円内に配置される円内部分を有する、配線回路基板を含む。

しかるに、導体パターンが、円弧に沿う仮想円の中心と重複すると、配線回路基板の製造工程のフォト加工において、円弧に対応する意図しない反射光に起因して、フォトレジストにおいて導体パターンが設けられるべき部分に集光し、かかる集光に起因して、導体パターンの形状不良を生じる。

しかし、この配線回路基板では、導体パターンが、円内部分を有していても、円弧に沿う仮想円の中心から外れるので、フォトレジストにおいて導体パターンが設けられるべき部分に集光しても、中心から外れる導体パターンの形状不良を回避することができる。

そのため、この配線回路基板は、接続信頼性に優れる。

本発明の配線回路基板の製造方法によれば、接続信頼性に優れる配線回路基板を得ることができる。

本発明の配線回路基板は、接続信頼性に優れる。

図１は、本発明の配線回路基板の第１実施形態の平面図を示す。 図２は、図１に示す配線回路基板のａ−ａ線に沿う断面図を示す。 図３Ａ〜図３Ｃは、本発明の配線回路基板の製造方法の第１実施形態であって、図２に示す配線回路基板の製造方法の工程図を示し、図３Ａが、ベース絶縁層を用意する工程（ｉ）、図３Ｂが、第１導体パターンを設ける工程（ｉｉ）、図３Ｃが、中間絶縁層を設ける工程（１）を示す。 図４Ｄ〜図４Ｆは、図３Ｃに引き続き、本発明の配線回路基板の製造方法の第１実施形態であって、第１実施形態の配線回路基板の製造方法の工程図を示し、図４Ｄが、金属薄膜を設ける工程（２）、図４Ｅが、フォトレジストを設ける工程（３）、図４Ｆが、フォトレジストを露光する工程（４）を示す。 図５Ｇ〜図５Ｉは、図４Ｆに引き続き、本発明の配線回路基板の製造方法の第１実施形態であって、第１実施形態の配線回路基板の製造方法の工程図を示し、図５Ｇが、フォトレジストの第１部分を除去する工程（４）、図５Ｈが、第２導体パターンを設ける工程（５）、図５Ｉが、フォトレジストを除去する工程（ｉｉｉ）を示す。 図６Ｊおよび図６Ｋは、図５Ｉに引き続き、本発明の配線回路基板の製造方法の第１実施形態であって、第１実施形態の配線回路基板の製造方法の工程図を示し、図６Ｊが、フォトレジストに対応する金属薄膜を除去する工程（ｉｖ）、図６Ｋが、カバー絶縁層を設ける工程（ｖ）を示す。 図７は、従来技術（比較例）に相当する配線回路基板の平面図を示す。 図８は、図１に示す配線回路基板のａ−ａ線に沿う断面図を示す。 図９Ａ〜図９Ｃは、図８に示す配線回路基板の製造方法の工程図であって、図９Ａが、フォトレジストを露光する工程（４）、図９Ｂが、フォトレジストの第１部分を除去しようとする工程（５）、図９Ｃが、第２導体パターンを設けようとする工程（６）を示す。 図１０Ａ〜図１０Ｃは、本発明の配線回路基板の製造方法の第２実施形態である配線回路基板の製造方法の工程図であって、図１０Ａが、導体層を設ける工程（２）、図１０Ｂが、フォトレジストを設け、フォトマスクを配置し、フォトレジストを露光する工程（３）、図１０Ｃが、フォトレジストにおける第１部分以外の部分を除去する工程（４）を示す。 図１１Ｄ〜図１１Ｆは、図１０Ｃに引き続き、本発明の配線回路基板の製造方法の第２実施形態である配線回路基板の製造方法の工程図であって、図１１Ｄが、フォトレジストから露出する導体層を除去して、第２導体パターンを形成する工程（５）、図１１Ｅが、フォトレジストを除去する工程、図１１Ｆが、カバー絶縁層を設ける工程（ｖ）を示す。 図１２Ａ〜図１２Ｃは、第２実施形態に対応する従来技術（比較例）に相当する配線回路基板の製造工程であり、図１２Ａが、フォトレジストを設け、フォトマスクを配置し、フォトレジストを露光する工程（４）、図１２Ｂが、フォトレジストにおける第１部分以外の部分を除去する工程（４）、図１２Ｃが、形状不良の第２導体パターンを形成する工程（５）を示す。 図１３は、本発明の配線回路基板の第３実施形態の平面図を示す。 図１４は、本発明の配線回路基板の第４実施形態の平面図を示す。 図１５は、本発明の配線回路基板の第５実施形態の平面図を示す。 図１６は、図１５に示す配線回路基板のａ−ａ線に沿う断面図を示す。 図１７は、本発明の配線回路基板の第６実施形態の平面図を示す。 図１８は、本発明の配線回路基板の第７実施形態の平面図を示す。 図１９は、図１８に示す配線回路基板のａ−ａ線に沿う断面図を示す。 図２０は、第１実施形態の配線回路基板の変形例の断面図を示す。 図２１は、本発明の配線回路基板の第８実施形態の平面図を示す。 図２２Ａおよび図２２Ｂは、図２１に示す配線回路基板の断面図であり、図２２Ａが、ａ−ａ線に沿う断面図、図２２Ｂが、ｂ−ｂ線に沿う断面図を示す。 図２３Ａ〜図２３Ｃは、図２２Ａに示す配線回路基板の製造工程図であり、図２３Ａが、金属支持基板にベース絶縁層を設ける工程（ｉ）、図２３Ｂが、金属薄膜を設ける工程（２）、図２３Ｃが、フォトレジストを設ける工程（３）を示す。 図２４Ｄ〜図２４Ｆは、図２３Ｃに引き続き、図２２Ａに示す配線回路基板の製造工程図であり、図２４Ｄが、フォトレジストを露光する工程（４）、図２４Ｅが、フォトレジストの第１部分を除去する工程（４）、図２４Ｆが、第１導体パターンを形成する工程を示す。 図２５は、第８実施形態に対応する従来技術（比較例）の配線回路基板の平面図を示す。 図２６Ａ〜図２６Ｃは、図２５に示す配線回路基板の製造工程図であり、図２６Ａが、フォトレジストを露光する工程（４）、図２６Ｂが、フォトレジストの第１部分を除去しようとする工程（４）、図２６Ｃが、第１導体パターンを設けようとする工程（６）を示す。 図２７は、本発明の配線回路基板の第８実施形態の平面図を示す。 図２８は、図２７に示す配線回路基板のａ−ａ線に沿う断面図を示す。 図２９Ａ〜図２９Ｃは、図２８に示す配線回路基板の製造工程図であり、図２９Ａが、フォトレジストを露光する工程（４）、図２９Ｂが、フォトレジストの第１部分を除去する工程（４）、図２９Ｃが、導体開口部を有する第２導体パターンを設ける工程（６）を示す。

図１において、紙面上下方向は、前後方向（第１方向）であり、下側が前側（第１方向一方側）、紙面上側が後側（第１方向他方側）である。

図１において、紙面左右方向は、幅方向（第１方向に直交する第２方向）であり、紙面左側が幅方向一方側（第２方向一方側）、紙面右側が幅方向他方側（第２方向他方側）である。

図１において、紙面紙厚方向は、上下方向（第１方向および第２方向に直交する第３方向、厚み方向）であり、紙面手前側が上側（第３方向一方側、厚み方向一方側）、紙面奥側を下側（第３方向他方側、厚み方向他方側）である。方向は、具体的には、各図に記載の方向矢印従う。

また、図１、図７、図１３〜図１５、図１７、図１８、図２０において、後述する第１導体パターン４および第２導体パターン６の相対位置を明確に示すため、後述するベース絶縁層３、中間絶縁層５およびカバー絶縁層７を省略している。但し、中間絶縁層５におけるベース円弧部１７のみを、ハーフトーンで示している。

また、図２１、図２５、図２７において、ベース絶縁層３および第１導体パターン４の相対配置を明確に示すため、後述するカバー絶縁層７を省略している。但し、ベース絶縁層３におけるベース円弧部１７のみを、ハーフトーンで示している。

＜第１実施形態＞
本発明の配線回路基板は、導体パターンを単数層あるいは複数層有しており、その層構成は、特に限定されない。また、配線回路基板は、金属支持基板を備える回路付サスペンション基板や、金属支持基板を備えないフレキシブル配線回路基板（ＦＰＣ）を含む。

以下、本発明の第１実施形態である配線回路基板およびその製造方法を順次説明する。

１．配線回路基板
図１および図２に示すように、この配線回路基板１は、ベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に設けられる導体パターンの一例としての第１導体パターン４と、ベース絶縁層３の上に設けられ、第１導体パターン４を被覆する絶縁層の一例としての中間絶縁層５と、中間絶縁層５の上に配置される導体パターンの一例としての第２導体パターン６と、中間絶縁層５の上に設けられ、第２導体パターン６を被覆するカバー絶縁層７とを備える。

ベース絶縁層３は、前後方向に延びる略平板（シート）形状を有する。ベース絶縁層３は、絶縁材料からなる。絶縁材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテル樹脂、ニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が挙げられ、好ましくは、ポリイミド樹脂が挙げられる。ベース絶縁層３の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上、例えば、２５μｍ以下、好ましくは、１５μｍ以下である。

第１導体パターン４は、第１配線１０と、第１配線１０の両端に設けられる第１端子（図示せず）とを一体的に有する。

第１配線１０は、平面視略Ｌ字形状部分を含む。具体的には、第１配線１０は、円弧形状を有する第１円弧部１１と、第１円弧部１１の両端に連続する２つの第１直線部１２とを一体的に有する。

第１円弧部１１は、後方に向かうに従って幅方向一方側に湾曲している。

第１円弧部１１に沿う仮想円ＶＣ１（詳しくは、第１円弧部１１の幅Ｗ１の中心に沿う仮想円ＶＣ１）の半径Ｒ１は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、また、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

第１円弧部１１の中心角αは、特に限定されず、例えば、０度超過以上、好ましくは、３０度以上、より好ましくは、４５度以上であり、また、例えば、１８０度以下、好ましくは、９０度以下である。

２つの第１直線部１２は、それらの延長線が交差（具体的には、直交）するように、配置されている。２つの第１直線部１２のうち、一方は、平面視において、第１円弧部１１の前端部から前側に向かって延び、他方は、平面視において、第１円弧部１１の幅方向一端部から幅方向一方側に向かって延びる。

第１配線１０（第１円弧部１１および第１直線部１２のそれぞれ）は、断面略矩形状を有する。第１配線１０は、上端部に２つの稜線部１３を有する。

第１導体パターン４の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、１２μｍ以下である。第１配線１０の幅Ｗ１は、特に限定されず、具体的には、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

中間絶縁層５は、ベース絶縁層３の上面において、第１導体パターン４の側面および上面１６を被覆するように、配置されている。なお、図示しないが、中間絶縁層５は、第１導体パターン４の第１端子（図示せず）を露出している。また、中間絶縁層５は、第１平坦面１４と、斜面１５と、第２平坦面１６とを含む上面を有する。

第１平坦面１４は、面方向（ベース絶縁層３の表面に沿う方向）に平行する面であって、第１導体パターン４から露出するベース絶縁層３の上面と、厚み方向に対向する面である。

斜面１５は、第１配線１０に対応しており、第１平坦面１４に連続し、面方向に対して傾斜する面である。具体的には、斜面１５は、第１配線１０の２つの稜線部１３に対応して、第１平坦面１４から上方に向かって傾斜（隆起）する面である。

斜面１５と第１平坦面１４とのなす角度β’の補角β、すなわち、斜面１５の第１平坦面１４に対する斜度βは、特に限定されず、例えば、５度以上、好ましくは、２０度以上であり、また、例えば、９０度未満、好ましくは、６０度以下である。

また、斜面１５は、後述するが、図７および図９Ａに示すように、金属薄膜３３における反射光Ｂ’が、フォトレジスト２５において第２導体パターン６が設けられるべき部分の一例である第１部分２３に至るようなベース円弧部１７を含む。

詳しくは、ベース円弧部１７は、第１円弧部１１における２つの稜線部１３に対応する２つの斜面１５のうちの幅方向一方側部分（内側部分）である。ベース円弧部１７は、平面視において、稜線部１３の円弧形状に相似する円弧形状を有する。ベース円弧部１７は、幅方向一方側に向かって連続的に曲がっている。また、ベース円弧部１７に沿う仮想円ＶＣ２の中心Ｃ２と、第１円弧部１１に沿う仮想円ＶＣ１の中心Ｃ１とは、平面視において、同一位置にある。ベース円弧部１７に沿う仮想円ＶＣ２（詳しくは、ベース円弧部１７の幅方向中心に沿う仮想円ＶＣ２）の半径Ｒ２は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、また、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

第２平坦面１６は、第１配線１０の２つの稜線部１３を連結する上面１８に対応しており、上面１８の上側に間隔を隔てて対向配置されている。第２平坦面１６は、２つの斜面１５の上端部を連結する。第２平坦面１６は、第１平坦面１４と平行している。

中間絶縁層５は、ベース絶縁層３で例示した絶縁材料からなる。中間絶縁層５の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、例えば、３５μｍ以下、好ましくは、３３μｍ以下である。

第２導体パターン６は、第２配線２０と、第２配線２０の両端に設けられる第２端子（図示せず）とを一体的に有する。

第２配線２０は、前後方向に延びる第２直線部２２を含む。第２直線部２２は、厚み方向に投影したときに、第１導体パターン４における前側の第１直線部１２（前後方向に沿う第１直線部１２）と平行する。

第２直線部２２は、厚み方向に投影したときに、第１導体パターン４における後側の第１直線部１２（左右方向に沿う第１直線部１２）と交差している。また、第２直線部２２は、平面視においてベース円弧部１７に沿う仮想円ＶＣ２の内側部分に位置する円内部分の一例としての内側部分４１と、平面視において仮想円ＶＣ２の外側に位置する外側部分４２とを有する。

また、第２直線部２２は、ベース円弧部１７の円弧の中心Ｃ２（第１円弧部１１に沿う仮想円ＶＣ１の中心Ｃ１）に対して間隔を隔てて配置されている。具体的には、内側部分４１は、ベース円弧部１７の円弧の中心Ｃ２に対して幅方向一方側に間隔を隔てて配置されている。また、第２直線部２２は、平面視において、第１円弧部１１に沿う仮想円ＶＣ１の中心Ｃ１を通過することなく、ベース円弧部１７に沿う仮想円ＶＣ２を通過している。

第２直線部２２は、中間絶縁層５の第１平坦面１４の上面に配置されている。第２配線２０は、断面視略矩形状を有する。

第２導体パターン６は、第１導体パターン４と同一の導体材料からなる。

第２導体パターン６の寸法は適宜設定されている。第２導体パターン６の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、１２μｍ以下である。第２配線２０の幅Ｗ２は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

内側部分４１と、第１円弧部１１に沿う仮想円ＶＣ１の中心Ｃ１（ベース円弧部１７に沿う仮想円ＶＣ２の中心Ｃ２）との間隔は、例えば、２μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上、より好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下、より好ましくは、１００μｍ以下である。

カバー絶縁層７は、中間絶縁層５の上面において、第２導体パターン６の側面およびを被覆するように、配置されている。なお、図示しないが、カバー絶縁層７は、第２導体パターン６の第２端子（図示せず）を露出している。カバー絶縁層７は、ベース絶縁層３で例示した絶縁材料からなる。中間絶縁層５の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、例えば、４０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。

２．配線回路基板の製造方法
次に、配線回路基板１の製造方法を、図３Ａ〜図６Ｋを参照して説明する。

この配線回路基板１の製造方法は、ベース絶縁層３を用意する工程（ｉ）（図３Ａ参照）と、第１導体パターン４をベース絶縁層３の上に設ける工程（ｉｉ）（図３Ｂ参照）と、中間絶縁層５を、第１導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に設ける工程（１）（図３Ｃ参照）とを備える。

また、配線回路基板１の製造方法は、金属薄膜３３を中間絶縁層５の少なくとも斜面１５の上に設ける工程（２）（図４Ｄ参照）と、フォトレジスト２５を金属薄膜３３の上に設ける工程（３）（図４Ｅ参照）と、フォトマスク２４を、フォトレジスト２５において第２導体パターン６が設けられべき部分の一例としての第１部分２３が遮光されるように配置して、フォトレジスト２５を、フォトマスク２４を介して露光する工程（４）（図４Ｆ参照）とを備える。

さらに、配線回路基板１の製造方法は、第１部分２３を除去して、第１部分２３に対応する金属薄膜３３を露出させる工程（５）（図５Ｇ参照）と、第２導体パターン６を、フォトレジスト２５から露出する金属薄膜３３の上に設ける工程（６）（図５Ｈの仮想線参照）とを備える。

さらにまた、配線回路基板１の製造方法は、フォトレジスト２５を除去する工程（ｉｉｉ）（図５Ｉ参照）と、フォトレジスト２５に対応する金属薄膜３３を除去する工程（ｉｖ）（図６Ｊ参照）と、カバー絶縁層７を、第２導体パターン６を被覆するように、中間絶縁層５の上に設ける工程（ｖ）（図６Ｋ参照）とを備える。

配線回路基板１の製造方法では、工程（ｉ）〜工程（ｉｉ）、工程（１）〜工程（６）、工程（ｉｉｉ）〜工程（ｖ）が順次実施される。以下、上記した各工程を詳述する。

２−１．工程（ｉ）
図３Ａに示すように、工程（ｉ）では、ベース絶縁層３を用意する。

２−２．工程（ｉｉ）
図３Ｂに示すように、工程（ｉｉ）では、第１導体パターン４をベース絶縁層３の上に設ける。

２−３．工程（１）
図３Ｃに示すように、工程（１）では、中間絶縁層５を、第１導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に設ける。

中間絶縁層５をベース絶縁層３の上に設けるには、例えば、感光性の絶縁材料のワニスをベース絶縁層３の上面に塗布し、露光および現像し、その後、必要により加熱する。あるいは、図示しない第１端子を露出するパターンに予め形成された中間絶縁層５を、図示しない接着剤を介して、ベース絶縁層３の上に接着する。

このとき、第１導体パターン４に対応する中間絶縁層５には、第１平坦面１４、ベース円弧部１７（図１参照）を含む斜面１５および第２平坦面１６が生じる。

２−４．工程（２）
図４Ｄに示すように、工程（２）では、金属薄膜３３を中間絶縁層５の少なくとも斜面１５の上に設ける。

金属薄膜３３は、工程（６）（後述、図５Ｈ参照）におけるアディティブ法の種膜（給電層）として役することができる。また、金属薄膜３３は、アディティブ法で第２導体パターン６が得られたときには、第２導体パターン６と一体化することができる層である（図２参照）。

金属薄膜３３は、例えば、中間絶縁層５の上面（第１平坦面１４、斜面１５（ベース円弧部１７を含む）および第２平坦面１６を含む）全面に設けられている。

金属薄膜３３は、金属材料からなる。金属材料としては、例えば、銅、クロム、ニッケルおよびそれらの合金が挙げられ、好ましくは、銅、クロムが挙げられる。金属薄膜３３は、単層および複層（図４Ｄにおいて図示されず）のいずれの層からなっていてもよい。好ましくは、金属薄膜３３は、第１薄膜（具体的には、クロム薄膜）と、その上に設けられる第２薄膜（銅薄膜）との２層からなる。

また、金属薄膜３３は、中間絶縁層５の上面に追従している。そのため、金属薄膜３３において、中間絶縁層５の第１平坦面１４および第２平坦面１６のそれぞれに対応する部分の上面が、第１平坦面１４および第２平坦面１６のそれぞれに平行し、つまり、面方向に沿っている。一方、金属薄膜３３において、斜面１５（ベース円弧部１７を含む）に対応する部分の上面が、中間絶縁層５の斜面１５（ベース円弧部１７を含む）に平行し、つまり、面方向に対して傾斜している。

金属薄膜３３の厚みは、例えば、１０ｎｍ以上、好ましくは、３０ｎｍ以上であり、また、例えば、３００ｎｍｎｍ以下、好ましくは、２００ｎｍ以下である。また、金属薄膜３３が、第１薄膜および第２薄膜の２層からなる場合には、第１薄膜の厚みが、例えば、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であり、第２薄膜の厚みが、例えば、５０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下である。

金属薄膜３３を中間絶縁層５の上に設けるには、例えば、スパッタリング法、めっき法などが用いられ、好ましくは、スパッタリング法が用いられる。

２−５．工程（３）
図４Ｅに示すように、工程（３）では、フォトレジスト２５を金属薄膜３３の上に設ける。

フォトレジスト２５は、ネガ型のフォトレジスト（ネガティブフォトレジスト）である。ネガ型のフォトレジストは、露光時に所定光量以上の光が照射された箇所が、その後の現像で残り、一方、露光時に光が遮光された箇所（所定光量以上の光が照射されなかった箇所、すなわち、所定光量未満の光の照射が許容された箇所）が、その後の現像で除去されるレジストである。フォトレジスト２５は、例えば、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を含んでいる。また、フォトレジスト２５は、図５Ｈに示すように、工程（６）におけるめっきにおいてめっきレジストとして役することができる。

また、フォトレジスト２５は、工程（４）（図４Ｆ参照）における光（例えば、紫外線など）を部分的に透過することができ、具体的には、フォトレジスト２５の紫外線に対する透過率が、例えば、１０％以上、好ましくは、２０％以上であり、また、例えば、５０％以下、好ましくは、６０％以下である。

上記したフォトレジスト２５を、金属薄膜３３の上面全面に配置する。

その際、ドライフィルムレジストを、例えば、平板などを用いて、押圧する（押し付ける）。そのため、フォトレジスト２５の上面は、平坦面となる。

フォトレジスト２５の厚みは、特に限定されず、例えば、１０μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。

２−６．工程（４）
図４Ｆに示すように、工程（４）では、フォトマスク２４を、フォトレジスト２５における第１部分２３が遮光されるように配置して、フォトレジスト２５を、フォトマスク２４を介して露光する。

第１部分２３は、工程（４）で、フォトレジスト２５において、遮光されるべき部分である。また、第１部分２３は、図５Ｇが参照されるように、次の工程（５）において、除去されるべき部分である。さらに、第１部分２３は、図５Ｈが参照されるように、後の工程（６）において、フォトレジスト２５の開口部３０（後述）において第２配線２０が設けられる（充填される）べき部分である。具体的には、第１部分２３は、後の工程（６）において、フォトレジスト２５の開口部３０において第２配線２０および第２端子（図示せず）が設けられる（充填される）べき部分である。

そして、フォトマスク２４は、上側からの光を下方に透光できる透光部分２６と、上側からの光を下方に対して遮光できる遮光部分２７とを有する。

透光部分２６は、第２導体パターン６を形成しない部分であり、遮光部分２７は、第２導体パターン６を形成する部分である。また、遮光部分２７は、第１部分２３に対応する。

工程（４）では、フォトマスク２４を、厚み方向に投影したときに、遮光部分２７が第１部分２３と対向し、透光部分２６が、フォトレジスト２５において第１部分２３以外の部分と対向するように、配置する。

また、遮光部分２７が、ベース円弧部１７に沿う仮想円ＶＣ２の中心Ｃ２から外れ、かつ、仮想円ＶＣ２と重複するように、フォトマスク２４を配置する。

フォトマスク２４を、フォトレジスト２５の上側に間隔を隔てて対向配置する。なお、図４Ｆで図示されないが、フォトマスク２４を、フォトレジスト２５の上面に直接接触させることもできる。

これにより、フォトマスク２４を、フォトレジスト２５における第１部分２３が遮光されるように配置する。また、フォトマスク２４を、フォトレジスト２５における第１部分２３以外の部分が透光されるように配置する。

続いて、工程（４）では、フォトレジスト２５を、フォトマスク２４を介して露光する。

フォトレジスト２５を露光するには、フォトマスク２４の上方に配置された光源（図示せず）からフォトマスク２４に対して光を照射する。光の波長は、例えば、１００ｎｍ以上、好ましくは、好ましくは、３５０ｎｍ以上であり、また、例えば、８００ｎｍ以下、好ましくは、４５０ｎｍ以下である。照射（露光）量は、例えば、例えば、１００ｍＪ／ｃｍ^２以上、８００ｍＪ／ｃｍ^２以下である。

［１］ すると、フォトマスク２４の遮光部分２７に対して照射された光Ａは、遮光部分２７によって遮光され、フォトレジスト２５の第１部分２３に至らない。

［２］ 一方、フォトマスク２４の透光部分２６に対して照射された光Ｂは、透光部分２６を透過して、フォトレジスト２５における第１部分２３以外の部分に至る。

２−７．工程（５）
図５Ｇに示すように、工程（５）では、フォトレジスト２５における第１部分２３（図４Ｆ参照）を除去する。

具体的には、まず、必要により、露光後のフォトレジスト２５を加熱する（露光後加熱）。

続いて、フォトレジスト２５を現像液によって現像する。これによって、フォトレジスト２５において第１部分２３以外の部分を残しつつ、第１部分２３のみを除去する。つまり、フォトレジスト２５において、第１部分２３に対応する開口部３０を形成する。開口部３０は、フォトレジスト２５を厚み方向に貫通する。

これによって、第１部分２３に対応する金属薄膜３３、つまり、開口部３０に臨む金属薄膜３３を露出させる。

その後、必要により、フォトレジスト２５を加熱により硬化させる。

２−８．工程（６）
図５Ｈの仮想線に示すように、工程（６）では、まず、第２導体パターン６を、フォトレジスト２５から露出する金属薄膜３３の上に設ける。

第２導体パターン６を金属薄膜３３の上に設けるには、金属薄膜３３から給電する電解めっきが用いられる。

この際、フォトレジスト２５は、めっきレジストとして利用される。また、金属薄膜３３は、給電層として利用される。

これにより、第２導体パターン６を、第２配線２０および第２端子を有するパターンで、形成する。

２−９．工程（ｉｉｉ）
図５Ｉに示すように、工程（ｉｉｉ）では、フォトレジスト２５を除去する。

具体的には、フォトレジスト２５を、例えば、ウェットエッチングにより除去する。

２−１０．工程（ｉｖ）
図６Ｊに示すように、工程（ｉｖ）では、フォトレジスト２５（図５Ｈ参照）に対応する金属薄膜３３を除去する。

具体的には、フォトレジスト２５の下に位置していた金属薄膜３３を、例えば、剥離により除去する。

２−１１．工程（ｖ）
図６Ｋに示すように、工程（ｖ）では、カバー絶縁層７を、第２導体パターン６の第２配線２０を被覆し、第２端子（図示せず）を露出するパターンで、設ける。

これにより、ベース絶縁層３と、第１導体パターン４と、中間絶縁層５と、金属薄膜３３および第２導体パターン６と、カバー絶縁層７とを備える配線回路基板１を得る。

なお、この配線回路基板１では、金属薄膜３３が第２導体パターン６と一体化、具体的には、金属薄膜３３が第２導体パターン６の一部として取り込まれていてもよい。その際には、図１に示すように、金属薄膜３３が第２導体パターン６と判然と区別できない場合がある。

また、このような配線回路基板１の用途は、特に限定されず、例えば、ハードディスクドライブに搭載され、金属支持基板２（図２の仮想線参照）を備える回路付サスペンション基板や、金属支持基板２を備えず、可撓性を有するフレキシブル配線回路基板などの、各種配線回路基板として用いられる。とくに、この配線回路基板１は、高密度配線（導体パターン）が必要とされる回路付サスペンション基板であって、第１円弧部１１をヘッド搭載領域に有する回路付サスペンション基板に好適に用いられる。

３．第１実施形態の作用効果
しかるに、図７および図８に示す、第２配線２０が、平面視において、ベース円弧部１７に沿う仮想円ＶＣ２の中心Ｃ２と重複する配線回路基板１を製造しようとする場合でも、図９Ａおよび図９Ｂに示すように、工程（４）および工程（５）が実施される。

なお、配線回路基板１において、第２配線２０は、平面視において、ベース円弧部１７に沿う仮想円ＶＣ２の中心Ｃ２と重複する。

［１］ 図９Ａに示すように、工程（４）において、光Ｂの一部は、透光部分２６を透過して、ベース円弧部１７に対応する金属薄膜３３に対応する部分に至ってしまう。そうすると、光Ｂは、ベース円弧部１７に対応する金属薄膜３３の上面で反射して、反射光Ｂ’を生成する。反射光Ｂ’は、断面視において、フォトレジスト２５を上方斜め幅方向一方側に向かって透過しながら、フォトレジスト２５の第１部分２３に至ってしまう。

［２］ 同時に、図７に示すように、反射光Ｂ’が、平面視において、ベース円弧部１７に対応する金属薄膜３３から、ベース円弧部１７に沿う円弧ＶＣ２の中心Ｃ２と重複する第１部分２３に向かって集光する。つまり、平面視において、ベース円弧部１７に対応する金属薄膜３３が凹レンズのようになって、反射光Ｂ’が第１部分２３、すなわち、ベース円弧部１７に沿う円弧ＶＣ２の中心Ｃ２（第１円弧部１１に沿う仮想円ＶＣ１の中心Ｃ１）に点状に集光する。そのため、第１部分２３における光量が相対的に高くなる。具体的には、第１部分２３における光量が、図９Ｂに示す工程（５）において、第１部分２３が残ることができる光量以上の光量となる。

［３］ すると、図９Ｂに示すように、工程（５）において、第１部分２３に対応する金属薄膜３３を露出させることができず、図９Ｃに示すように、工程（６）において、第２導体パターン６を適切に設けられない。つまり、湾曲部１７に対応する反射光Ｂ’の、フォトレジスト２５の第１部分２３への集光により、第２配線２０の形状不良を生じる。

しかし、この製造方法によれば、図４Ｆに示すように、工程(４)において、フォトマスク２４の遮光部分２７を、ベース円弧部１７に沿う仮想円ＶＣ２の中心Ｃ２から外れるように、配置するので、図１に示すように、ベース円弧部１７に対応する金属薄膜３３において反射した反射光Ｂ’は、フォトレジスト２５の中心Ｃ１に集光しても、フォトレジスト２５において第２導体パターン６が設けられるべき第１部分２３に集光することを回避（抑制）することができる。

そのため、図５Ｇに示すように、工程（５）において、フォトレジスト２５における第１部分２３を確実に除去できる。そのため、かかる第１部分２３に対応する金属薄膜３３を露出させることができ、すると、図５Ｈに示すように、工程（６）において、形状不良が抑制された第２配線２０を有する第２導体パターン６を設けることができる。

その結果、接続信頼性に優れる配線回路基板１を得ることができる。

また、この方法では、図１に示すように、第２配線２０が、ベース円弧部１７に沿う仮想円ＶＣ２の中心Ｃ２を通過することなく、ベース円弧部１７に沿う仮想円ＶＣ２を通過するので、第２配線２０を含む第２導体パターン６を高密度で設けることができる。

また、この方法では、図６Ｊに示すように、工程（６）では、第２導体パターン６および第１導体パターン４を、中間絶縁層５の上下に設けるので、第２導体パターン６および第１導体パターン４を、中間絶縁層５によって、電気的に絶縁することができる。

＜第２実施形態＞
第２実施形態において、第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

第１実施形態では、ネガ型のフォトレジスト２５を用いて、アディティブ法で、第２導体パターン６を形成している。

しかし、第２実施形態では、ポジ型のフォトレジスト２５を用いて、サブトラクティブ法で、第２導体パターン６を形成する。

４−１．配線回路基板の製造方法
第２実施形態の配線回路基板１の製造方法は、第１実施形態のベース絶縁層３を用意する工程（ｉ）（図３Ａ参照）と、第１導体パターン４を設ける工程（ｉｉ）（図３Ｂ参照）と、中間絶縁層５を設ける工程（１）（図３Ｃ参照）とを備える。

また、第２実施形態の配線回路基板１の製造方法は、導体層３４を中間絶縁層５の少なくとも斜面１５の上に設ける工程（２）（図１０Ａ参照）と、フォトレジスト２５を導体層３４の上に設ける工程（３）（図１０Ｂ参照）と、フォトマスク２４を、フォトレジスト２５の第１部分２３が遮光されるように配置して、フォトレジスト２５を、フォトマスク２４を介して露光する工程（４）（図１０Ｂの矢印参照）とを備える。

さらに、第２実施形態の配線回路基板１の製造方法は、第１部分２３を残すように、フォトレジスト２５において第１部分２３以外の部分を除去する工程（５）（図１０Ｃ参照）と、フォトレジスト２５から露出する導体層３４を除去して、第２導体パターン６を形成する工程（６）（図１１Ｄの仮想線参照）とを備える。

また、配線回路基板１の製造方法は、フォトレジスト２５を除去する工程（ｉｉｉ）（図１１Ｅ参照）と、カバー絶縁層７を設ける工程（ｖ）（図１１Ｆ参照）とを備える。

４−２．工程（１）および工程（２）
第２実施形態では、図１０Ａおよび図１０Ｂに示すように、工程（１）および工程（２）を順次実施する。あるいは、工程（１）および工程（２）を、例えば、同時に実施する。その場合には、中間絶縁層５および導体層３４が積層された２層基材を、ベース絶縁層３の上に、第１導体パターン４を被覆するように、設ける。

導体層３４は、中間絶縁層５の第１平坦面１４、斜面１５および第２平坦面１６を含む上面全面に配置される。導体層３４は、中間絶縁層５の上面に沿って、面方向に沿って延びる。導体層３４は、第２導体パターン６と同一の導体材料からなる。導体層３４の厚みは、第２導体パターン６の厚みと同一である。

４−３．工程（４）
図１０Ｂに示すように、工程（４）において、フォトマスク２４を、フォトレジスト２５において第１部分２３が遮光されるように配置する。

フォトレジスト２５は、ポジ型のフォトレジスト（ポジディブフォトレジスト）である。ポジ型のフォトレジストは、露光時に所定光量以上の光が照射された箇所が、その後の現像で除去され、一方、露光時に光が遮光された箇所（所定光量以上の光が照射されなかった箇所、すなわち、所定光量未満の光の照射が許容された箇所）が、その後の現像で残ることができるレジストである。

その後、図１０Ｂの矢印で示すように、フォトレジスト２５を、フォトマスク２４を介して露光する。

［１］ すると、フォトマスク２４の遮光部分２７に対して照射された光Ａは、遮光部分２７によって遮光され、第１部分２３に至らない。

［２］ 一方、フォトマスク２４の透光部分２６に対して照射された光Ｂは、透光部分２６を透過して、フォトレジスト２５における第１部分２３以外の部分に至る。そうすると、光Ｂは、ベース円弧部１７に対向する導体層３４に至る。

４−４．工程（５）
図１０Ｃに示すように、工程（５）では、露光後のフォトレジスト２５を、例えば、現像液によって現像して、第１部分２３を残すように、第１部分２３以外のフォトレジスト２５を除去する。

４−５．工程（６）
図１１Ｄに示すように、工程（６）では、フォトレジスト２５から露出する導体層３４を除去する。

例えば、フォトレジスト２５をエッチングレジストとして用いて、導体層３４をエッチングする。

これにより、第２配線２０、第２端子（図示せず）を有する第２導体パターン６を形成する。

４−６．工程（ｉｉｉ）
図１１Ｅに示すように、工程（ｉｉｉ）では、フォトレジスト２５を、例えば、剥離などによって、除去する。

５．配線回路基板
上記した製造方法により得られた配線回路基板１は、ベース絶縁層３と、第１導体パターン４と、中間絶縁層５と、第２導体パターン６と、第２導体パターン６を被覆するカバー絶縁層７とを備える。また、第２実施形態の配線回路基板１は、第１実施形態と異なり、金属薄膜３３（図２参照）を備えない。

一方、第２実施形態の配線回路基板１は、第２導体パターン６および中間絶縁層５の間に、それらを接着する接着剤層（図示せず）を備えていてもよい。

６．第２実施形態の作用効果
しかるに、図７および図８に示す、第２配線２０が、平面視において、第１円弧部１１に沿う仮想円ＶＣ１の中心Ｃ１と重複する第２導体パターン６を、ポジ型のフォトレジスト２５を用いて、サブトラクティブ法で形成しようとする場合でも、図１２Ａ〜図１２Ｃに示すように、工程（４）および工程（５）が実施される。

［１］ 図１２Ａに示すように、工程（４）において、光Ｂの一部は、透光部分２６を透過して、ベース円弧部１７に対応する導体層３４に至ってしまう。そうすると、光Ｂは、ベース円弧部１７に対応する導体層３４の上面で反射して、反射光Ｂ’を生成する。反射光Ｂ’は、断面視において、フォトレジスト２５を上方斜め幅方向一方側に向かって透過しながら、フォトレジスト２５の第１部分２３に至ってしまう。

［２］ 同時に、図７に示すように、反射光Ｂ’が、平面視において、ベース円弧部１７に対応する導体層３４から、ベース円弧部１７に沿う仮想円ＶＣ２のＣ２と重複する第１部分２３に向かって集光する。つまり、平面視において、ベース円弧部１７に対応する導体層３４が凹レンズのようになって、反射光Ｂ’が第１部分２３、すなわち、ベース円弧部１７に沿う仮想円ＶＣ２の中心Ｃ２（第１円弧部１１に沿う仮想円ＶＣ１の中心Ｃ１）に点状に集光する。そのため、第１部分２３における光量が相対的に高くなる。具体的には、第１部分２３における光量が、図１２Ａに示す工程（５）において、第１部分２３の少なくとも一部を除去できる光量以上の光量となる。

［３］ すると、図１２Ｂに示すように、工程（５）において、第１部分２３の少なくとも一部が残り、そのため、図１２Ｃに示すように、第１部分２３に対応する導体層３４を所定形状に形成することができず、つまり、第２導体パターン６の形状不良を生じる。

しかし、この製造方法によれば、図１０Ｂに示すように、工程(４)において、フォトマスク２４の遮光部分２７を、ベース円弧部１７に沿う仮想円ＶＣ２の中心Ｃ２から外れるように、配置するので、ベース円弧部１７に対応する金属薄膜３３において反射した反射光Ｂ’は、フォトレジスト２５において中心Ｃ１に集光しても、フォトレジスト２５において導体パターンが設けられるべき第１部分２３に集光することを回避（抑制）することができる。

そのため、図１０Ｃに示すように、工程（５）において、フォトレジスト２５における第１部分２３を確実に残すことができ、そのため、かかる第１部分２３に対応する導体層３４を残すことができる。そのため、図１１Ｄに示すように、工程（６）において、形状不良が抑制された第２配線２０を有する第２導体パターン６を設けることができる。

その結果、接続信頼性に優れる配線回路基板１を得ることができる。

＜第３実施形態＞
第３実施形態において、第１および第２実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

図１および図２に示すように、第１実施形態の配線回路基板１において、第２配線２０は、第１直線部１２と交差している。

しかし、図１３に示すように、第３実施形態では、第２配線２０は、第１直線部１２と交差しないＬ字形状部分を有する。つまり、第２配線２０は、平面視において、第１配線１０の内側に間隔を隔てて配置されている。

第２配線２０は、屈曲部１９と、その両端に接続される２つの第２直線部２２とを一体的に有する。

屈曲部１９は、第１円弧部１１に沿う仮想円ＶＣ２の内側に位置する内円部分の一例としての内側部分４１である。屈曲部１９は、後方に向かうに従って幅方向一方側に湾曲している。

２つの第２直線部２２は、それらの延長線が交差（具体的には、直交）するように、配置されている。２つの第２直線部２２のそれぞれは、２つの第１直線部１２のそれぞれと平行している。

第３実施形態によっても、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。

＜第４実施形態＞
第４実施形態において、第１〜第３実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

図１４に示すように、第４実施形態では、第２配線２０は、切欠部５１を有する。

切欠部５１は、第２直線部２２の前後方向途中の右側部分に位置している。切欠部５１は、第２直線部２２の第２直線部２２の右側部分を平面視略矩形状に切り欠いた形状を有する。切欠部５１は、切欠部５１を幅方向他方側に臨む第１内側面５３と、第１内側面５３の前後方向両端部から幅方向他方側に延びる２つの第２内側面５４とから形成されている。

切欠部５１は、平面視において、ベース円弧部１７に沿う仮想円ＶＣ２の中心Ｃ２と重複している。なお、前後方向に投影したときに、ベース円弧部１７に沿う仮想円ＶＣ２の中心Ｃ２（第１円弧部１１に沿う仮想円ＶＣ１の中心Ｃ１）は、第１内側面５３と、切欠部５１の前後両側における第２直線部２２の幅方向他端面５５との間に位置している。また、ベース円弧部１７に沿う仮想円ＶＣ２の中心Ｃ２（第１円弧部１１に沿う仮想円ＶＣ１の中心Ｃ１）は、２つの第２内側面５４の間に位置している。

第４実施形態によれば、第２配線２０に切欠部５１を設ける簡易な構成で、フォトマスク２４における集光を回避ことができる。

＜第５実施形態＞
第５実施形態において、第１〜第４実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

第５実施形態では、図１５および図１６に示すように、第１導体パターン４は、さらに、第３配線４５を有する。つまり、第１導体パターン４は、第１配線１０と、第３配線４５とを有する。

第３配線４５は、第１配線１０と独立して設けられている。第３配線４５は、第１配線１０と間隔を隔てて配置されている。具体的には、幅方向に延びる第１直線部１２の前側に間隔を隔てて配置されている。第３配線４５は、幅方向に延びる略直線形状を有する。一方、第３配線４５は、平面視において、第２導体パターン６の第２配線２０と部分的に重複する。具体的には、平面視において、第３配線４５の幅方向他端部は、第２配線２０の後端部と重複している。

第２配線２０において、第２直線部２２の後端部は、内側部分４１であって、平面視において、ベース円弧部１７に沿う仮想円ＶＣ２内に配置される。内側部分４１は、平面視において、ベース円弧部１７に沿う仮想円ＶＣ２の中心Ｃ２と重複しておらず、外れている。

第２配線２０の後端部には、中間絶縁層５に設けられた中間貫通孔５２に充填される導通部５６が設けられている。導通部５６は、平面視略円形状を有する。導通部５６の下端部は、第３配線４５の幅方向他端部の上面に直接接触している。導通部５６によって、第２配線２０および第３配線４５は、電気的に接続されている。第２配線２０および第３配線４５は、平面視において、略Ｌ字形状を有する。つまり、第２配線２０および第３配線４５は、平面視略Ｌ字形状の電気パスを形成している。

内側部分４１は、第２配線２０の後端部を含んでいる。

第５実施形態の配線回路基板１は、ネガ型のフォトレジスト２５およびポジ型のフォトレジスト２５のいずれを使用しても製造することができる。

第５実施形態によっても、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。

＜第６実施形態＞
第６実施形態において、第１〜第５実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

第６実施形態では、図１７に示すように、第１導体パターン４は、さらに、第４配線４６を有する。つまり、第２導体パターン６は、第１配線１０と、第３配線４５と、第４配線４６とを有する。

第４配線４６は、第１配線１０および第３配線４５と独立して設けられている。第４配線４６は、第３配線４５と平行する。第４配線４６は、第３配線４５の前側に間隔を隔てて配置されている。第４配線４６は、第３配線４５と同様の構成を有する。

第２配線２０における第２直線部２２は、平面視においてベース円弧部１７に沿う仮想円ＶＣ２の内側部分に位置する内側部分４１である。内側部分４１は、平面視において、ベース円弧部１７に沿う仮想円ＶＣ２の中心Ｃ２と重複しておらず、外れている。第２直線部２２は、前後方向に延びる略直線形状を有する。また、第２配線２０は、前後両端部のそれぞれに、導通部５６を有している。

第２配線２０、第３配線４５および第４配線４６は、平面視において、幅方向一方側に開放される略Ｕ字（コ字）形状を有している。つまり、第２配線２０、第３配線４５および第４配線４６は、平面視略Ｕ字（コ字）形状の電気パスを形成している。

第６実施形態の配線回路基板１は、ネガ型のフォトレジスト２５およびポジ型のフォトレジスト２５のいずれを使用しても製造することができる。

第６実施形態によっても、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。

＜第７実施形態＞
第７実施形態において、第１〜第６実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

第７実施形態では、図１８および図１９に示すように、第１導体パターン４において第２配線２０は、前後方向に分断する隙間５７を有している。具体的には、第２配線２０は、前後に方向に２つ分割されている。詳しくは、第２配線２０は、隙間５７の前側に位置する第５配線５８と、隙間５７の後側に位置する第６配線５９とを互いに独立して有する。

第５配線５８の後端部、および、第６配線５９の前端部のそれぞれには、導通部５６が設けられている。

隙間５７は、ベース円弧部１７に沿う仮想円ＶＣ２の中心Ｃ２（第１円弧部１１に沿う仮想円ＶＣ１の中心Ｃ１）と重複している。

第３配線４５は、平面視において、第５配線５８および第６配線５９を連結するよう第５配線５８に配置されている。第３配線４５は、前後方向に延びる略直線形状を有する。第３配線４５は、平面視において、隙間５７を跨ぎ、第５配線５８の後端部、および、第６配線５９の前端部を連結する。第３配線４５の前後両端部の上面は、２つの導通部５６の下端部と接触している。第３配線４５は、内側部分４１である。

第２配線２０（第５配線５８、第６配線５９）および第３配線４５は、平面視略直線形状を有する。つまり、第２配線２０（第５配線５８、第６配線５９）および第３配線４５は、平面視略直線形状の電気パスを形成している。

第７実施形態の配線回路基板１は、ネガ型のフォトレジスト２５およびポジ型のフォトレジスト２５のいずれを使用しても製造することができる。

第７実施形態によっても、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。

＜第１〜第７実施形態の変形例＞
第１〜第７実施形態の中間絶縁層５の斜面１５は、第１導体パターン４の稜線部１３に対応している。

しかし、例えば、図２０に示すように、斜面１５が、第１導体パターン４に対応せず、単に、絶縁層の一例としてのベース絶縁層３が複数の厚みＴ１およびＴ２を有することによって、ベース絶縁層３が斜面１５を有することもできる。なお、厚みＴ１は、第１平坦面１４におけるベース絶縁層３の厚みである。厚みＴ２は、第２平坦面１６におけるベース絶縁層３の厚みである。

なお、この配線回路基板１は、ベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に設けられ、導体パターンの一例としての第１導体パターン４と、ベース絶縁層３の上に、第１導体パターン４を被覆するように設けられるカバー絶縁層７とを備える。

一方、配線回路基板１は、中間絶縁層５、および、第２導体パターン６を備えない。

この変形例によっても、第１〜７実施形態と同様の作用効果を奏することができる。

また、本発明の配線回路基板として配線回路基板１を挙げて説明しているが、これに限定されず、金属支持基板２を備える回路付サスペンション基板とすることもできる。その場合には、回路付サスペンション基板は、金属支持基板２と、ベース絶縁層３、第１導体パターン４、中間絶縁層５、第２導体パターン６およびカバー絶縁層７を備える。

また、中間絶縁層５は、第２平坦面１６を有しているが、少なくとも斜面１５を有していればよく、第２平坦面１６を有していなくてもよい。

＜第８実施形態＞
第８実施形態において、第１〜第７実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

図２１、図２２Ａおよび図２２Ｂに示すように、配線回路基板１は、金属支持基板２と、ベース絶縁層３と、第１導体パターン４と、カバー絶縁層７とを備える。

ベース絶縁層３は、ベース開口部６０を有する。ベース開口部６０は、ベース絶縁層３を厚み方向に貫通する。ベース開口部６０は、幅方向一方側から他方側に延びる形状を有する。ベース開口部６０の先端縁は、ベース円弧部１７を形成する。なお、ベース絶縁層３の厚みは、第１実施形態におけるベース絶縁層３の厚み対して厚くてもよく、具体的には、図２４Ｄに示すように、ベース円弧部１７に対応する金属薄膜３３における反射光Ｂ’が下方斜め方向に向いて、ベース円弧部１７に沿う仮想円ＶＣ２の中心Ｃ２（第１円弧部１１に沿う仮想円ＶＣ１の中心Ｃ１）に向かうような厚みであって、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、また、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、２５μｍ以下である。

第１導体パターン４は、前後方向に延びる第２配線２０を有する。第２配線２０は、その前後方向途中において、ベース開口部６０から露出する金属支持基板２に直接接触するグランド部４７を有する。グランド部４７は、ベース絶縁層３の上に形成される第２配線２０と、金属支持基板２との電気的接続を確保する。あるいは、グランド部４７は、金属支持基板２に直接接触されることにより、電解めっき時におけるめっきの偏りを抑制する層として役する。

この配線回路基板１の製造方法は、金属支持基板２を用意し、続いて、ベース絶縁層３を金属支持基板２の上に設ける工程（ｉ）（図２３Ａ参照）と、金属薄膜３３を、ベース開口部６０から露出する金属支持基板２、および、中間絶縁層５の上面に設ける工程（２）（図２３Ｂ参照）とを備える。

また、この配線回路基板１の製造方法は、フォトレジスト２５を金属薄膜３３の上に設ける工程（３）（図２３Ｃ参照）と、フォトマスク２４を、フォトレジスト２５における第１部分２３が遮光されるように配置して、フォトレジスト２５を、フォトマスク２４を介して露光する工程（４）（図２４Ｄ参照）とを備える。

さらに、配線回路基板１の製造方法は、第１部分２３を除去して、第１部分２３に対応する金属薄膜３３を露出させる工程（５）（図２４Ｅ参照）と、第２導体パターン６を、フォトレジスト２５から露出する金属薄膜３３の上に設ける工程（６）（図２４Ｆ参照）とを備える。

さらにまた、配線回路基板１の製造方法は、フォトレジスト２５を除去する工程（ｉｉｉ）（図２４Ｆ参照）と、フォトレジスト２５に対応する金属薄膜３３を除去する工程（ｉｖ）と、カバー絶縁層７を、第２導体パターン６を被覆するように、中間絶縁層５の上に設ける工程（ｖ）（図２２Ａおよび図２２Ｂ参照）とを備える。

金属支持基板２は、例えば、ステンレスなどの金属材料からなる。金属支持基板２の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。

［１］ 図２４Ｄに示すように、工程（４）において、フォトマスク２４の遮光部分２７に対して照射された光Ａは、遮光部分２７によって遮光され、フォトレジスト２５の第１部分２３に至らない。

［２］ 一方、フォトマスク２４の透光部分２６に対して照射された光Ｂは、透光部分２６を透過して、フォトレジスト２５における第１部分２３以外の部分に至る。また、ベース円弧部１７に対応する金属薄膜３３において、反射光Ｂ’を生じる。反射光Ｂ’は、下方斜め幅方向一方側に向かう。

３．第８実施形態の作用効果
しかるに、図２５および図２６Ｃの仮想線で示す、グランド部４７が、平面視において、ベース円弧部１７に沿う仮想円ＶＣ２の中心Ｃ２と重複する配線回路基板１を製造しようとする場合でも、図２６Ａおよび図２６Ｂに示すように、工程（４）および工程（５）が実施される。

なお、配線回路基板１において、第２配線２０は、平面視において、ベース円弧部１７に沿う仮想円の中心Ｃ２と重複する。

［１］ 図２６Ａに示すように、工程（４）において、光Ｂの一部は、透光部分２６を透過して、ベース円弧部１７に対応する金属薄膜３３に至ってしまう。そうすると、光Ｂは、ベース円弧部１７に対応する金属薄膜３３の上面で反射して、反射光Ｂ’を生成する。反射光Ｂ’は、断面視において、フォトレジスト２５を下方斜め幅方向一方側に向かって透過しながら、フォトレジスト２５の第１部分２３に至ってしまう。

［２］ 同時に、図２５に示すように、反射光Ｂ’が、平面視において、ベース円弧部１７から、ベース円弧部１７に沿う仮想円の中心Ｃ２（第１円弧部１１に沿う仮想円ＶＣ１の中心Ｃ１）と重複する第１部分２３に向かって集光する。つまり、平面視において、ベース円弧部１７に対応する金属薄膜３３が凹レンズのようになって、反射光Ｂ’が第１部分２３、すなわち、第１円弧部１１に沿う仮想円ＶＣ１の中心Ｃ１（ベース円弧部１７に沿う仮想円の中心Ｃ２）に点状に集光する。そのため、第１部分２３における光量が相対的に高くなる。具体的には、第１部分２３における光量が、図２２Ｂに示す工程（５）において、第１部分２３が残ることができる光量以上の光量となる。

［３］ すると、図２６Ｂに示すように、工程（５）において、第１部分２３に対応する金属薄膜３３を露出させることができず、図２６Ｃに示すように、工程（６）において、形状不良を有する第２導体パターン６が設けられる（あるいは第２導体パターン６が全く設けられない）。つまり、湾曲部１７に対応する反射光Ｂ’の、フォトレジスト２５の第１部分２３への集光により、第２配線２０の形状不良を生じる。

しかし、この製造方法によれば、図２４Ｄに示すように、工程(４)において、フォトマスク２４の遮光部分２７を、第１円弧部１１に沿う仮想円ＶＣ１の中心Ｃ１から外れるように、配置するので、図２１に示すように、ベース円弧部１７に対応する金属薄膜３３において反射した反射光Ｂ’は、フォトレジスト２５の中心Ｃ１に集光しても、フォトレジスト２５において導体パターンが設けられるべき第１部分２３に集光することを回避（抑制）することができる。

そのため、図２４Ｅに示すように、工程（５）において、フォトレジスト２５における第１部分２３を確実に除去でき、そのため、かかる第１部分２３に対応する金属薄膜３３を露出させることができる。そのため、図２４Ｆに示すように、工程（６）において、形状不良が抑制された第２配線２０を有する第１導体パターン４を設けることができる。

その結果、接続信頼性に優れる配線回路基板１を得ることができる。

また、この配線回路基板１では、グランド部４７を金属支持基板２と導通を図ることができる。あるいは、グランド部４７を、電解めっき時におけるめっきの偏りを抑制する層使用することができる。

なお、第８実施形態では、ポジ型のフォトレジスト２５を用いて、サブトラクティブ法で、第１導体パターン４を形成することもできる。

＜第９実施形態＞
第９実施形態において、第１〜第８実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

図２７および図２８に示すように、第９実施形態では、第２配線２０において、グランド部４７は、開口部の一例としての導体開口部４８を有する。

導体開口部４８は、グランド部４７（第２配線２０）を厚み方向に貫通する。導体開口部４８は、平面視略円形状を有する。導体開口部４８は、平面視において、ベース円弧部１７に沿う仮想円の中心Ｃ２（第１円弧部１１に沿う仮想円ＶＣ１の中心Ｃ１）と重複する。

導体開口部４８の内径（開口径における最大長さ）は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、４０μｍ以下である。また、導体開口部４８の内径（開口径における最大長さ）は、第２配線２０の幅Ｗ２に対して、例えば、５％以上、好ましくは、１０％以上であり、また、例えば、９０％以下、好ましくは、８０％以下である。

また、第２配線２０は、前後方向に投影したときに、ベース円弧部１７に沿う仮想円の中心Ｃ２（第１円弧部１１に沿う仮想円ＶＣ１の中心Ｃ１）と重複している。第２配線２０の幅Ｗ２は、例えば、８μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１５０μｍ以下である。

［１］ 図２９Ａに示すように、配線回路基板１の製造方法の工程（４）において、フォトマスク２４の遮光部分２７に対して照射された光Ａは、遮光部分２７によって遮光され、フォトレジスト２５の第１部分２３に至らない。

［２］ 一方、フォトレジスト２５において導体開口部４８が形成されるべき部分は、開口形成部分４９である。開口形成部分４９には、透光部分２６が対向配置される。そして、かかる透光部分２６に対して照射された光Ｃは、透光部分２６を透過して、フォトレジスト２５における開口形成部分４９に至る。

［３］ 他方、フォトマスク２４の透光部分２６に対して照射された光Ｂは、透光部分２６を透過して、フォトレジスト２５における第１部分２３以外の部分に至り、ベース円弧部１７に対応する金属薄膜３３において、反射光Ｂ’を生じる。反射光Ｂ’は、下方斜め幅方向一方側に向かう。この反射光Ｂ’は、ベース円弧部１７に沿う仮想円の中心Ｃ２（第１円弧部１１に沿う仮想円ＶＣ１の中心Ｃ１）に集光する。しかし、中心Ｃ１（Ｃ２）は、開口形成部分４９に含まれるものであり、上記［２］において、開口形成部分４９が光Ｃが至っていることから、図２３Ｂに示されるように、工程（５）において、開口形成部分４９を残すことの障害とならない。

つまり、工程（５）において、フォトレジスト２５における第１部分２３を除去する一方、フォトレジスト２５における開口形成部分４９を残す。

図２９Ｂにおいて、工程（６）において、第１部分２３に対応する金属薄膜３３の上に、第２配線２０を形成する。その後、フォトレジスト２５およびフォトレジスト２５に対応する金属薄膜３３を除去する。これにより、第２配線２０に、開口形成部分４９に対応する導体開口部４８を形成する。

この第９実施形態では、第２配線２０に導体開口部４８を設ける簡易な構成で、フォトマスク２４における集光を回避することができる。

＜第１〜第９実施形態の変形例＞
第１〜第９実施形態では、ベース円弧部１７は、平面視円弧形状である。しかし、ベース円弧部１７は、厳密に、平面視円弧形状でなく、平面視略円弧形状であってよく、具体的には、反射光が、ベース円弧部１７に沿う仮想円ＶＣ２の中心Ｃ２に向かうような平面視略円弧形状であればよい。

上記した第１〜第９実施形態を適宜組み合わせることができる。

１ 配線回路基板
２ 金属支持基板
３ ベース絶縁層
４ 第１導体パターン
５ 中間絶縁層
６ 第２導体パターン
１５ 斜面
１７ ベース円弧部
２３ 第１部分
２４ フォトマスク
２５ フォトレジスト
３３ 金属薄膜
３４ 導体層
４１ 内側部分
５１ 切欠部
Ｃ２ 中心
ＶＣ２ 仮想円
Ｂ’ 反射光

Claims (8)

1. 絶縁層と、導体パターンとを備える配線回路基板の製造方法であり、
   斜面を有する前記絶縁層を設ける工程（１）と、
   金属薄膜を、少なくとも前記絶縁層の斜面に設ける工程（２）と、
   フォトレジストを前記金属薄膜の表面に設ける工程（３）と、
   フォトマスクの遮光部分を、前記フォトレジストにおいて前記導体パターンが設けられるべき第１部分が遮光されるように配置して、前記フォトレジストを、前記フォトマスクを介して露光する工程（４）と、
   前記フォトレジストの前記第１部分を除去して、前記第１部分に対応する前記金属薄膜を露出させる工程（５）と、
   前記導体パターンを、前記フォトレジストから露出する前記金属薄膜の表面に設ける工程（６）とを備え、
   前記斜面は、平面視略円弧形状を有し、
   前記工程（４）において、前記円弧に対応する前記金属薄膜において反射した反射光は、前記円弧に沿う仮想円の中心に対応する前記フォトレジストに集光し、
   前記工程(４)において、前記フォトマスクの前記遮光部分が、前記中心から外れ、少なくとも前記仮想円と重複するように配置されることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
2. 絶縁層と、導体パターンとを備える配線回路基板の製造方法であり、
   斜面を有する前記絶縁層を設ける工程（１）と、
   導体層を、少なくとも前記絶縁層の斜面に設ける工程（２）と、
   フォトレジストを前記導体層の表面に設ける工程（３）と、
   フォトマスクの遮光部分を、前記フォトレジストにおいて前記導体パターンが設けられるべき第１部分が遮光されるように配置して、前記フォトレジストを、前記フォトマスクを介して露光する工程（４）と、
   前記フォトレジストの前記第１部分を残すように、前記第１部分以外の前記フォトレジストを除去する工程（５）と、
   前記フォトレジストから露出する前記導体層を除去して、前記導体パターンを形成する工程（６）とを備え、
   前記斜面は、平面視略円弧形状を有し、
   前記工程（４）において、前記円弧に対応する前記導体層において反射した反射光は、前記円弧に沿う仮想円の中心に対応する前記フォトレジストに集光し、
   前記工程(４)において、前記フォトマスクの前記遮光部分が、前記中心から外れ、少なくとも前記仮想円と重複するように配置されることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
3. 前記導体パターンが、前記中心を通過することなく、前記仮想円を通過することを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板の製造方法。
4. 前記導体パターンは、部分的に切り欠かれた切欠部を有し、
   前記切欠部は、平面視において、前記中心と重複することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
5. 前記導体パターンの外形が、平面視において、前記中心を包含する一方、
   前記導体パターンが、前記中心を含む開口部を有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
6. 前記工程（６）では、前記導体パターンを、前記絶縁層の上下に設ける
   ことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
7. 前記配線回路基板は、さらに、金属支持基板を備え、
   前記工程（６）では、前記導体パターンを、前記金属支持基板の上に設ける
   ことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
8. 斜面を有する絶縁層と、導体パターンとを備え、
   前記斜面は、平面視略円弧形状を有し、
   前記導体パターンは、前記円弧に沿う仮想円の中心から外れており、少なくとも前記仮想円内に配置される円内部分を有することを特徴とする、配線回路基板。

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