JP6536283B2 - 高周波モジュール及び高周波モジュールの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は高周波モジュール及び高周波モジュールの製造方法に関するものであり、例えば、主にミリ波帯以上の周波数を用いた無線通信装置、レーダー装置、或いはイメージング装置等に用いられる高周波モジュールに関する。

ミリ波帯（３０ＧＨｚ）以上の超高周波モジュールでは導波管同士を接続するためにフランジ等を利用した導波管インターフェースが用いられる。また、高周波信号を半導体チップに入出力するために、導波管-マイクロストリップ線路変換器が用いられる（例えば、非特許文献１或いは非特許文献２参照）。

図６は、従来の導波管-マイクロストリップ線路変換器を用いた高周波モジュールの概略的透視斜視図であり、導波管５１_１，５１_２に窓を開けて、マイクロストリップ線路５５を備えた実装用基板５４をプローブとして導波管５１_１，５１_２に突き差して接続空洞５３で覆った構造となっている。この場合は、プローブ結合型の導波管-マイクロストリップ線路変換器５７_１，５７_２となっている。

図７は、導波管-マイクロストリップ線路変換器の説明図であり、図７（ａ）は概略的斜視図であり、図７（ｂ）は等価回路図である。導波管５１_１に設けた窓の大きさやマイクロストリップ線路５５を備えた実装用基板５４の形状、突き出し量によって導波管−マイクロストリップ線路変換器５７_１の性能が大きく変化するため、製作においては加工・組立てに非常に厳しい精度が求められる。

この場合、導波管５１_１の下部に高周波信号の波長λの１／４の深さを有するバックショート導波管５２_１を設けており、図７（ｂ）に示す等価回路におけるλ／４ショートスタブ５６を形成する。このような導波管−マイクロストリップ線路変換器５７_１を用いて高周波モジュールを形成する場合には、実装用基板５４に半導体チップを実装することになる。

図８は、従来のフェースアップ実装型高周波モジュールの説明図であり、図８（ａ）は透視平面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）におけるＡ−Ａ′を結ぶ一点鎖線に沿った断面図である。バックショート導波管５２_１を備えた導波管５１_１とバックショート導波管５２_２を備えた導波管５１_２を接続空洞５３で接続し、その内部に実装用基板５４_１，５４_２を導波管５１_１，５１_２に突き出すように取り付ける。この実装用基板５４_１，５４_２に設けたマイクロストリップ線路５５_１，５５_２に半導体チップ５９をボンディングワイヤ６０により接続する。この時、半導体チップ５９に設けた接地用パッド（図示は省略）と実装用基板５４に設けた接地用パッド５８_１，５８_２とを同じくボンディングワイヤ６０で接続する。

このようなフェースアップ実装は、誘導性となるボンディングワイヤ６０を用いているので、高周波信号の損失が大きくなる。そこで、高周波信号の損失を低減するためにフリップチップ実装が行われている。図９は、従来のフリップチップ型実装高周波モジュールの説明図であり、図９（ａ）は半導体チップを搭載する前の透視平面図であり、図９（ｂ）は半導体チップを搭載したのちの図９（ａ）におけるＡ−Ａ′を結ぶ一点鎖線に沿った断面図である。

図に示すように、半導体チップ５９は、実装用基板７１に設けたマイクロストリップ線路７５_１，７２_２とバンプ７５によって接続される。この場合、実装用基板７１の両端の突き出し部が導波管−マイクロストリップ線路変換器導波管変換器７４_１，７４_２となる。なお、接地用パッド７３も半導体チップ５９に設けられた接地用バンプによって接続されている。

図１０は、従来のフリップチップ実装型高周波モジュールの等価回路図であり、導波管５１_１，５１_２とマイクロストリップ線路７２_１，７２_２との間は導波管−マイクロストリップ線路変換器７４_１，７４_２で接続される。また、マイクロストリップ線路７２_１，７２_２と半導体チップ５９との間は、パンプ７５と寄生容量７６により接地される。なお、寄生容量７６は、マイクロストリップ線路７２_１，７２_２と接地用パッド７３との間に形成される寄生容量である。

図１１は、従来の高周波モジュールの製造フロー図である。まず、フリップチップ実装用基板を用意し、検査が済んで良品と判定された半導体チップをフリップチップ実装用基板へフリップチップボンディングする。次いで、半導体チップを実装した高周波モジュールの検査を行い良品と判定された高周波モジュールを出荷することになる。

特開平０６−２３６９３７号公報 特開２００５−２４４３４９号公報

Ａ. Ｔｅｓｓｍａｎｎ, ｅｔ ａｌ. "Ａ Ｂｒｏａｄｂａｎｄ ２２０−３２０ ＧＨｚ Ｍｅｄｉｕｍ Ｐｏｗｅｒ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ Ｍｏｄｕｌｅ," Ｃｏｍｐｏｕｎｄ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ （ＣＳＩＣｓ）, ２０１４ Ａ. Ｔｅｓｓｍａｎｎ, ｅｔ ａｌ. "Ａ ２４３ ＧＨｚ Ｌｏｗ−Ｎｏｉｓｅ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ Ｍｏｄｕｌｅ ｆｏｒ Ｕｓｅ ｉｎ Ｎｅｘｔ−Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ｄｉｒｅｃｔ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ Ｒａｄｉｏｍｅｔｅｒｓ," Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ８ｔｈ Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ, ｐｐ. ２２０, ２０１３

しかし、従来の製造方法では、モジュールに実装用基板を固定した後、あらかじめ検査しておいた半導体チップをフリップチップ実装する。導波管−マイクロストリップ線路変換器の検査は、モジュールの最終検査まで行うことができない。しかも、半導体チップやバンプ接続部も含めた特性として検査するため、不具合があった場合に不良個所の切り分けが難しい。

一度接着した実装用基板は動かすことができないため、導波管−マイクロストリップ線路変換器の特性に不良があった場合でも、固定位置を調整することが困難である。導電性接着剤で一度固定した半導体チップは、無理にはがすと破損して、再利用できないという問題がある。特に、超高周波帯向け半導体チップは高価なため、半導体チップの実装前に導波管-マイクロストリップ線路変換器の検査を行いたいという要請がある。

したがって、高周波用フリップチップ実装用基板、高周波モジュール、及び、高周波モジュールの製造方法において、導波管‐マイクロストリップ線路変換器を単体で検査することを目的とする。

開示する一観点からは、基板と基板の両端に設けられて互いに対向する一対の入出力マイクロストリップ線路と、前記一対の入出力マイクロストリップ線路を接続するスルー線路と、前記スルー線路を挟んで両側に設けられた複数の接地用パッドとを備えたことを特徴とする高周波用フリップチップ実装用基板が提供される。

また、開示する別の観点からは、２つの導波管と、前記２つの導波管を接続する接続空洞と、前記接続空洞に固着されてその両端部が前記導波管の接続部とともに導波管‐マイクロストリップ線路変換器となるとともに、互いに対向する一対の入出力マイクロストリップ線路と、前記一対の入出力マイクロストリップ線路を接続するスルー線路とを備えた高周波用フリップチップ実装用基板と、前記入出力マイクロストリップ線路に信号用バンプが接続されるとともに、前記信号用バンプの接続部から信号の波長の１／４の位置で前記スルー線路を接地している電子デバイスチップとを備えたことを特徴とする高周波モジュールが提供される。

また、開示するさらに別の観点からは、電子デバイスチップの特性を試験する工程と、互いに対向する一対の入出力マイクロストリップ線路と、前記一対の入出力マイクロストリップ線路を接続するスルー線路とを備えた高周波用フリップチップ実装用基板を２つの導波管を接続する接続空洞内に固着して、前記導波管とフリップチップ実装用基板との接続部近傍を前記導波管‐マイクロストリップ線路変換器とする工程と、前記導波管に高周波信号を導入して前記導波管‐マイクロストリップ線路変換器の特性を試験する工程と、前記導波管‐マイクロストリップ線路変換器の特性を試験した後の前記高周波用フリップチップ実装用基板の前記入出力マイクロストリップ線路に前記特性を試験したのちの電子デバイスチップの信号用バンプが接続されるとともに、前記信号用バンプの接続部から信号の波長の１／４の位置で前記スルー線路と接地するようにフリップチップボンディングして高周波モジュールを形成する工程と、前記高周波モジュールの特性を試験する工程とを備えたことを特徴とする高周波モジュールの製造方法が提供される。

開示の高周波用フリップチップ実装用基板、高周波モジュール、及び、高周波モジュールの製造方法によれば、導波管‐マイクロストリップ線路変換器を単体で検査することが可能になる。

本発明の実施の形態の高周波モジュールの説明図である。 本発明の実施例１の高周波モジュールに用いるフリップチップ実装用基板及び半導体チップの説明図である。 本発明の実施例１の高周波モジュールの製造フロー図である。 本発明の実施例１の高周波モジュールの製造工程の途中までの説明図である。 本発明の実施例１の高周波モジュールの製造工程の図４以降の説明図である。 従来の導波管−マイクロストリップ線路変換器を用いた高周波モジュールの概略的透視斜視図である。 従来の導波管−マイクロストリップ線路変換器の説明図である。 従来のフェースアップ実装型高周波モジュールの説明図である。 従来のフリップチップ実装型高周波モジュールの説明図である。 従来のフリップチップ実装型高周波モジュールの等価回路図である。 従来の実施例１の高周波モジュールの製造フロー図である。

ここで、図１を参照して、本発明の実施の形態の高周波モジュールを説明する。図１は、本発明の実施の形態の高周波モジュールの説明図であり、図１（ａ）は電子デバイスチップを実装する前の透視平面図であり、図１（ｂ）は、電子デバイスチップを実装したのちの図１（ａ）におけるＡ−Ａ′を結ぶ一点鎖線に沿った断面図である。

図１（ａ）に示すように、高周波用フリップチップ実装用基板１０には、左右の入出力用マイクロストリップ線路１１とそれを接続するスルー線路１２が設けられており、スルー線路１２を挟んで両側に多数の接地用パッド１３が設けられている。なお、入出力用マイクロストリップ線路１１とスルー線路１２とは、通常は一体のものとして形成され、実際には両者の間に境界や区別はない。

この高周波用フリップチップ実装用基板１０を導波管１_１,１_２に突き出すように固定し、接続空洞２で覆う。この時、高周波用フリップチップ実装用基板１０の両端の突き出し部と導波管１_１,１_２の一部により導波管−マイクロストリップ線路変換器１４_１，１４_２が形成される。この状態で導波管−マイクロストリップ線路変換器１４_１，１４_２の特性検査を行う。

図１（ｂ）に示すように、特性検査を終えた高周波用フリップチップ実装用基板１０に電子デバイスチップ２０を実装する。電子デバイスチップ２０は、信号用バンプ２１により入出力マイクロストリップ線路１１と接続するとともに、そこから使用する高周波信号の波長λの１／４の位置で接地用バンプ２２によってスルー線路１２に接続される。したがって、スルー線路１２はλ／４ショートスタブとなり、波長λの信号に対してインピーダンスが無限大になる。その結果、導波管５１_１，５１_２から入出力マイクロストリップ線路１１に伝達された高周波信号は、スルー線路１２を伝播することなく電子デバイスチップ２０に入力される。

なお、導波管１_１,１_２の接続空洞と接続している側と反対側にはフランジ等を備えた導波管インターフェースが設けられており、少なくとも２つの導波管インターフェースを介して高周波信号が入出力される。なお、導波管インターフェースの代わりにアンテナを接続しても良い。また、２つの導波管１_１,１_２には、信号損失を低減するために、λ／４ショートスタブを形成するためのバックショート導波管を設けることが望ましい。

電子デバイスチップ２０の信号用パッドを設けた面は、信号用パッドとの絶縁分離部を除いて接地導体をベタパターンで設けておくことが望ましく、高周波用フリップチップ実装基板１０の実装面側にスルー線路１２を挟んで設けた複数の接地用パッド１３との接続が容易になる。なお、信号用バンプ２１及び接地用バンプ２２は、電子デバイスチップ２０側に設けても良いし、高周波用フリップチップ実装用基板１０側に設けても良い。電子デバイスチップ２０としては、半導体チップが典型的であるが、超電導デバイスチップ等の他の電子デバイスチップを用いても良い。

本発明の実施の形態の高周波モジュールの製造方法としては、まず、電子デバイスチップ２０の特性を試験する。また、互いに対向する一対の入出力マイクロストリップ線路１１と、それを接続するスルー線路１２とを備えた高周波用フリップチップ実装用基板１０を２つの導波管１_１,１_２を接続する空洞筐体部２内に固着する。この時、導波管１_１,１_２と高周波用フリップチップ実装用基板１０との接続部近傍が導波管‐マイクロストリップ線路変換器１４_１，１４_２となる。

次いで、導波管１_１,１_２に高周波信号を導入して前記導波管‐マイクロストリップ線路変換器１４_１，１４_２の特性を試験する。導波管−マイクロストリップ線路変換器１４_１，１４_２の特性を試験した後の高周波用フリップチップ実装用基板１０の入出力マイクロストリップ線路１１に特性を試験したのちの電子デバイスチップ２０の信号用バンプ２１を接続する。この時、信号用バンプ２１の接続部から高周波信号の波長λの１／４の位置でスルー線路１２と接地用バンプ２２により接続して高周波モジュールとする、最後に、高周波モジュールの特性を試験する。

このように、本発明の実施の形態においては、フリップチップ実装用基板１０に入出力マイクロストリップ線路１１を接続するスルー線路１２を設けているので、導波管−マイクロストリップ線路変換器１４_１，１４_２の特性を単体で検査することが可能になる。高価な電子デバイスチップ２０を実装する前に検査することで、チップのロスを無くし、コストを低減することができる。また、評価にあたっては、導波管インターフェースでスルー特性を測定することが可能であり、伝送線路基板にプロービングする必要がないため、簡便である。

また、導波管−マイクロストリップ線路変換器１４_１，１４_２の特性検査後は、電子デバイスチップ２０を実装する際に、スルー線路１２がλ／４ショートスタブとなるように接地しているので、スルー線路１２が高周波モジュールの特性に影響を与えることはない。

次に、図２乃至図５を参照して、本発明の実施例１の高周波モジュールの製造工程を説明する。図２は、本発明の実施例１の高周波モジュールに用いるフリップチップ実装用基板と半導体チップの説明図である。図２（ａ）はフリップチップ実装用基板の平面図である。フリップチップ実装用基板３１に設けた入出力マイクロストリップ線路３２とそれを接続するスルー線路３３とを一体のものとしてパターニングする。また、スルー線路３３は挟んだ両側には複数の接地用パッド３４を設けておく。

図２（ｂ）は、半導体チップ３６の接続側の面を示す平面図であり、左右に設けた信号パッド３７を囲むように、ベタパターンの接地導体パターン３８を設ける。また、信号用パッド３７には予め信号用バンプ３９を設けて置き、また、接地導体パターン３８にも接地用バンプ４０を予め設けておく。なお、信号の伝搬方向に沿って信号用バンプ３７からλ／４の位置に必ず接地用バンプ４０を設けておく。

図３は、本発明の実施例１の高周波モジュールの製造フローである。まず、フリップチップ実装用基板を用意し、フリップチップ実装用基板を導波管に取り付けて、導波管−マイクロストリップ線路変換器の特性の検査を行う。この状態を図４を参照して説明する。

図４は、本発明の実施例１の高周波モジュールの製造工程の途中までの説明図であり、図４（ａ）は取り付け状態を示す透視平面図であり、図４（ｂ）はその等価回路図である。図４（ａ）に示すように、フリップチップ実装用基板３１を導波管４１_１,４１_２に突き出すように固定し、接続空洞４３で覆う。この時、フリップチップ実装用基板３１の両端の突き出し部と導波管４１_１,４１_２の一部により導波管−マイクロストリップ線路変換器３５が形成される。この状態で導波管−マイクロストリップ線路変換器３５の特性検査を行う。なお、この場合も導波管４１_１，４１_２の下部にλ／４ショートスタブを形成するためのバックショート導波管４２_１，４２_２を設けておく。

この状態では、図４（ｂ）に示すように、導波管４１_１，４１_２と入出力マイクロストリップ線路３２との間は導波管−マイクロストリップ線路変換器３５で接続される。また、マイクロストリップ線路３２とスルー線路３３が接続され、両者の間は寄生容量４４により接地される。この寄生容量４４は、マイクロストリップ線路３２と接地用パッド３４との間に形成される寄生容量である。したがって、両側のマイクロストリップ線路３２がスルー線路３３により接続されているので、導波管インターフェースから高周波信号を送り込むことにより、半導体チップを実装する前に、導波管−マイクロストリップ線路変換器３５を単体として検査することができる。

再び、図３を参照すると、検査の結果、導波管−マイクロストリップ線路変換器３５の特性が良と判定された場合には、別途特性の検査を行い良品と判定された半導体チップをフリップチップ実装用基板３１に実装して、高周波モジュールの検査を行う。この状態を図５を参照して説明する。

図５は、本発明の実施例１の高周波モジュールの製造工程の図４以降の説明図であり、図５（ａ）は半導体チップ実装後の断面図であり、図５（ｂ）はその等価回路図である。図５（ａ）に示すように、半導体チップ３６は、信号用バンプ３９により入出力マイクロストリップ線路３２と接続するとともに、そこから使用する高周波信号の波長λの１／４の位置で接地用バンプ４０によってスルー線路３３に接続される。したがって、スルー線路３３はλ／４ショートスタブ４５となり、波長λの信号に対してインピーダンスが無限大になる。

この状態では、図５（ｂ）に示すように、導波管４１_１，４１_２と入出力マイクロストリップ線路３２との間は導波管−マイクロストリップ線路変換器３５で接続される。また、マイクロストリップ線路３２と半導体チップ３６とは信号用バンプ３９により接続され、信号用バンプ３９とマイクロストリップ線路３２との間は、スルー線路３３によるλ／４ショートスタブ４５と寄生容量４４により接地されている。したがって、スルー線路３３に高周波信号は伝搬することなく、半導体チップ３６に入力される。この検査で良品と判定されたによる高周波モジュールを出荷することになる。

このように、本発明の実施例１においては、フリップチップ実装用基板にスルー線路を設けているので、半導体チップを実装する前に、導波管−マイクロストリップ線路変換器の特性だけの特性を単独で検査することができる。実装において最も高い精度が必要な導波管−マイクロストリップ線路変換器部を先に検査することで、最もコストが高い半導体チップのロスを低減することができる。

ここで、実施例１を含む本発明の実施の形態に関して、以下の付記を付す。
（付記１）基板と前記基板の両端に設けられて互いに対向する一対の入出力マイクロストリップ線路と、前記一対の入出力マイクロストリップ線路を接続するスルー線路と、前記スルー線路を挟んで両側に設けられた複数の接地用パッドとを備えたことを特徴とする高周波用フリップチップ実装用基板。
（付記２）前記スルー線路が、前記一対の入出力マイクロストリップ線路と一体に形成されていることを特徴とする付記１に記載の高周波用フリップチップ実装用基板。
（付記３）２つの導波管と、前記２つの導波管を接続する接続空洞と、前記接続空洞に固着されてその両端部が前記導波管の接続部とともに導波管−マイクロストリップ線路変換器となるとともに、互いに対向する一対の入出力マイクロストリップ線路と、前記一対の入出力マイクロストリップ線路を接続するスルー線路とを備えた高周波用フリップチップ実装用基板と、前記高周波用フリップチップ実装用基板に前記入出力マイクロストリップ線路に信号等バンプが接続されるとともに、前記信号用バンプの接続部から信号の波長の１／４の位置で前記スルー線路を接地している電子デバイスチップとを備えたことを特徴とする高周波モジュール。
（付記４）前記２つの導波管が、前記導波管−マイクロストリップ線路変換器となる部分と反対側に導波管インターフェースを備えていることを特徴とする付記３に記載の高周波モジュール。
（付記５）前記２つの導波管が、バックショート導波管を有していることを特徴とする付記３または付記４に記載の高周波モジュール。
（付記６）前記電子デバイスチップの信号用パッドを設けた面が、前記信号用パッド及び前記信号用パッドとの絶縁分離部を除いて接地導体が設けられており、前記接地導体が、前記フリップチップ実装基板の実装面側に前記スルー線路を挟んで設けられた複数の接地用パッドと電気的に接続していることを特徴とする付記３乃至付記５のいずれか１に記載の高周波モジュール。
（付記７）前記電子デバイスチップが、半導体チップまたは超電導デバイスチップのいずれかであることを特徴とする付記３乃至付記６のいずれか１に記載の高周波モジュール。
（付記８）電子デバイスチップの特性を試験する工程と、互いに対向する一対の入出力マイクロストリップ線路と、前記一対の入出力マイクロストリップ線路を接続するスルー線路とを備えた高周波用フリップチップ実装用基板を２つの導波管を接続する接続空洞内に固着して、前記導波管と高周波用フリップチップ実装用基板との接続部近傍を前記導波管−マイクロストリップ線路変換器とする工程と、前記導波管に高周波信号を導入して前記導波管−マイクロストリップ線路変換器の特性を試験する工程と、前記導波管−マイクロストリップ線路変換器の特性を試験した後の前記高周波用フリップチップ実装用基板の前記入出力マイクロストリップ線路に前記特性を試験したのちの電子デバイスチップの信号用バンプが接続されるとともに、前記信号用バンプの接続部から信号の波長の１／４の位置で前記スルー線路と接地するようにフリップチップボンディングして高周波モジュールを形成する工程と、前記高周波モジュールの特性を試験する工程とを備えたことを特徴とする高周波モジュールの製造方法。

１^１，１^２ 導波管
２ 接続空洞
１０ 高周波用フリップチップ実装用基板
１１ 入出力マイクロストリップ線路
１２ スルー線路
１３ 接地用パッド
１４^１，１４^２ 導波管−マイクロストリップ線路変換器
２０ 電子デバイスチップ
２１ 信号用バンプ
２２ 接地用バンプ
３１ フリップチップ実装用基板
３２ 入出力マイクロストリップ線路
３３ スルー線路
３４ 接地用パッド
３５ 導波管−マイクロストリップ線路変換部
３６ 半導体チップ
３７ 信号用パッド
３８ 接地導体パターン
３９ 信号用バンプ
４０ 接地用バンプ
４１_１，４１_２ 導波管
４２_１，４２_２ バックショート導波管
４３ 接続空洞
４４ 寄生容量
４５ λ／４ショートスタブ
５１_１，５１_２ 導波管
５２_１，５２_２ バックショート導波管
５３ 接続空洞
５４，５４_１，５４_２ 実装用基板
５５，５５_１，５５_２ マイクロストリップ線路
５６ λ／４ショートスタブ
５７_１，５７_２ 導波管−マイクロストリップ線路変換器
５８_１，５８_２ 接地用パッド
５９ 半導体チップ
６０ ボンディングワイヤ
７１ 実装用基板
７２_１，７２_２ マイクロストリップ線路
７３ 接地用パッド
７４_１，７４_２ 導波管−マイクロストリップ線路変換器
７５ バンプ
７６ 寄生容量

Claims (3)

1. ２つの導波管と、
   前記２つの導波管を接続する接続空洞と、
   前記接続空洞に固着されてその両端部が前記導波管の接続部とともに導波管‐マイクロストリップ線路変換器となるとともに、互いに対向する一対の入出力マイクロストリップ線路と、前記一対の入出力マイクロストリップ線路を接続するスルー線路とを備えた高周波用フリップチップ実装用基板と、
   前記高周波用フリップチップ実装用基板に前記入出力マイクロストリップ線路に信号用バンプが接続されるとともに、前記信号用バンプの接続部から信号の波長の１／４の位置で前記スルー線路を接地している電子デバイスチップと
   を備えたことを特徴とする高周波モジュール。
2. 前記電子デバイスチップの入出力パッドを設けた面が、前記入出力パッド及び前記入出力パッドとの絶縁分離部を除いて接地導体が設けられており、
   前記接地導体が、前記フリップチップ実装基板の実装面側に前記スルー線路を挟んで設けられた複数の接地用パッドと電気的に接続していることを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
3. 電子デバイスチップの特性を試験する工程と、
   互いに対向する一対の入出力マイクロストリップ線路と、前記一対の入出力マイクロストリップ線路を接続するスルー線路とを備えた高周波用フリップチップ実装用基板を２つの導波管を接続する接続空洞内に固着して、前記導波管と高周波用フリップチップ実装用基板との接続部近傍を前記導波管‐マイクロストリップ線路変換器とする工程と、
   前記導波管に高周波信号を導入して前記導波管‐マイクロストリップ線路変換器の特性を試験する工程と、
   前記導波管‐マイクロストリップ線路変換器の特性を試験した後の前記高周波用フリップチップ実装用基板の前記入出力マイクロストリップ線路に前記特性を試験したのちの電子デバイスチップの信号用バンプが接続されるとともに、前記信号用バンプの接続部から信号の波長の１／４の位置で前記スルー線路と接地するようにフリップチップボンディングして高周波モジュールを形成する工程と、
   前記高周波モジュールの特性を試験する工程と
   を備えたことを特徴とする高周波モジュールの製造方法。

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