JP6535977B2

JP6535977B2 - 発光素子の製造方法

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Publication number: JP6535977B2
Application number: JP2014067151A
Authority: JP
Inventors: 佐合　拓己; 拓己佐合; 内田　昌宏; 昌宏内田; 紘平石田; 昭太朗渡辺
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2014-03-27
Filing date: 2014-03-27
Publication date: 2019-07-03
Anticipated expiration: 2034-03-27
Also published as: US9595675B2; JP2015191739A; US20150280130A1

Description

本発明は、発光素子の製造方法に関する。

有機エレクトロルミネセンス素子（いわゆる有機ＥＬ素子）は、陽極と陰極との間に少なくとも１層の発光性有機層（発光層）を介挿した構造を有する発光素子である。このような発光素子では、陰極と陽極との間に電界を印加することにより、発光層に陰極側から電子が注入されるとともに陽極側から正孔が注入され、発光層中で電子と正孔が再結合することにより励起子が生成し、この励起子が基底状態に戻る際に、そのエネルギー分が光として放出される。

このような有機ＥＬ素子の製造方法として、発光層をインクジェット法のような液相プロセスを用いて形成する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。例えば、特許文献１では、基板上に設けられたバンク内に、インクジェット法を用いて正孔注入層を形成した後に、その正孔注入層上にインクジェット法を用いて発光層を形成する。そして、特許文献１では、発光層の平坦性を高めることが行われている。

しかし、発光層の下地層となる正孔注入層の外周部の厚さが中央部よりも厚くなってしまうため、その後に形成される発光層の厚さを単に均一にしても、発光層の実質的な厚さを均一化することができず、その結果、発光輝度分布が不均一になるという問題があった。

特開２０１１−２９６６６号公報

本発明の目的は、液相プロセスを用いて製造しても、優れた発光特性を有する発光素子を製造することができる発光素子の製造方法を提供することにある。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］
本発明の発光素子の製造方法は、第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の一方の面側に、液相プロセスを用いて第１層を形成する工程と、
前記第１層上に、液相プロセスを用いて第２層を形成する工程と、
前記第２層の前記第１層とは反対側に、第２電極を形成する工程と、を有し、
前記第１層を形成する工程は、バンク内において、前記第１層の前記第２層側の面が、前記第１電極に沿った基準面との間の距離が連続的または段階的に変化している部分を有する形状をなすように行い、
前記第２層を形成する工程は、前記第２層の幅方向において、前記第１層の前記第２層側の面と前記基準面との間の距離と、前記第２層の前記第１層とは反対側の面と前記基準面との間の距離との差分を求めたとき、
前記第２層の全幅に対して９０％以上の幅の範囲内における前記差分がその平均値に対して±１０％以下の範囲内となるように行い、
前記第２層を形成する工程は、前記バンク内において、前記第２層を構成する材料またはその前駆体を含む液体を前記第１層上に付与した後に固化することにより行い、
前記第２層を形成する工程において、前記第１層に対する前記液体の接触角が前記バンクに対する前記液体の接触角と同じかまたはそれよりも小さいことを特徴とする。

このような発光素子の製造方法によれば、第２層の実質的な膜厚を均一にすることができる。これにより、発光素子の特性を高めることができる。
また、第１層および第２層が区画された同一のバンク内に形成される場合、第１層の外周部の厚さが中央部よりも厚くなりやすく、その後に形成される第２層の外周部の厚さも中央部よりも厚くなりやすい。しかも、第２層の実質的な厚さは、第１層の第２層側の面の形状の影響を受けるため、第２層の厚さを単に均一にしても、外周部の厚さが中央部よりも厚くなってしまう。したがって、このような場合に、本発明の発光素子の製造方法を適用すると、その効果が顕著に発揮される。
さらに、本発明の発光素子の製造方法では、第２層を形成する工程は、第２層を構成する材料またはその前駆体を含む液体を第１層上に付与した後に固化することにより行い、第２層を形成する工程において、第１層に対する液体の接触角がバンクに対する液体の接触角と同じかまたはそれよりも小さいことにより、第２層の外周部の厚さが中央部よりも厚くなってしまうのを低減することができる。その結果、第１層の外周部の厚さが中央部よりも厚くなっている場合に、第２層の実質的な膜厚を均一にすることができる。

［適用例２］
本発明の発光素子の製造方法では、前記バンク内の平面視での面積をＡ［μｍ^２］とし、前記第２層を形成する際に前記第１層上に付与される前記液体の量をＢ［ｎｇ］としたとき、Ｂ／Ａは、０．００３ｎｇ／μｍ^２以上０．００６ｎｇ／μｍ^２以下であることが好ましい。

これにより、第２層の外周部の厚さが中央部よりも厚くなってしまうのを効果的に低減することができる。

［適用例３］
本発明の発光素子の製造方法では、前記第１層上に前記液体を付与した後の５分間以内に常圧から５Ｐａまで減圧して乾燥を行うことが好ましい。

発光装置（表示装置）の実施形態を示す断面図である。（ａ）は、図１に示す発光装置が備えるバンクの平面図、（ｂ）は、図１に示す発光装置が備える発光素子の断面図である。（ａ）は、従来の発光素子の発光層の断面形状を説明するための模式図、（ｂ）は、図２（ｂ）に示す発光素子の発光層の断面形状を説明するための模式図である。図２（ａ）に示す発光素子の製造方法を説明するための図である。図２（ａ）に示す発光素子の製造方法を説明するための図である。図２（ａ）に示す発光素子の製造方法を説明するための図である。図２（ａ）に示す発光素子の製造方法を説明するための図である。電子機器の一例であるモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。電子機器の一例である携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。電子機器の一例であるディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。（ａ）は、本発明の実施例１に係る発光素子の発光層の形状を示すグラフ、（ｂ）は、その発光層の膜厚分布を示すグラフである。バンク内の平面視での状態を示す写真であって、（ａ）は、正孔注入層形成後、正孔輸送層形成前の状態、（ｂ）は、実施例１の発光層形成用インク滴下後の状態、（ｃ）は、比較例の発光層形成用インク滴下後の状態を示す。（ａ）は、比較例に係る発光素子の発光層の形状を示すグラフ、（ｂ）は、その発光層の膜厚分布を示すグラフである。（ａ）は、本発明の実施例１に係る発光素子の発光層の発光状態を示す図、（ｂ）は、その発光層の輝度分布を示すグラフである。（ａ）は、比較例に係る発光素子の発光層の発光状態を示す図、（ｂ）は、その発光層の輝度分布を示すグラフである。本発明の実施例および参考例に係る発光素子の発光層の発光状態を示す図である。

以下、本発明の発光素子の製造方法について、図面に示す好適な実施形態に基づいて説明する。なお、各図では、説明の便宜上、各部の縮尺が適宜変更されており、図示の構成は実際の縮尺と必ずしも一致するわけではない。

（発光装置）
まず、発光装置の一例である表示装置について説明する。

図１は、発光装置（表示装置）の実施形態を示す断面図である。なお、以下では、説明の都合上、図１中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。

図１に示す表示装置１００は、複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂがサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに対応して設けられ、ボトムエミッション構造のディスプレイパネルを構成している。なお、本実施形態では表示装置の駆動方式としてアクティブマトリックス方式を採用した例に説明するが、パッシブマトリックス方式を採用したものであってもよい。

表示装置１００は、回路基板２０と、回路基板２０上に設けられた複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂと、封止基板４０と、を有している。

回路基板２０は、基板２１と、基板２１上に設けられた層間絶縁膜２２、複数のスイッチング素子２３および配線２４と、を有している。

基板２１は、実質的に透明（無色透明、着色透明または半透明）とされる。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂからの光を基板２１側から光を取り出すことができる。基板２１の構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料や、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

なお、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂからの光を基板２１とは反対側から取り出すトップエミッション構造とする場合は、基板２１は、不透明基板であってもよく、かかる不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料で構成された基板、ステンレス鋼のような金属基板の表面に酸化膜（絶縁膜）を形成したもの、樹脂材料で構成された基板等が挙げられる。

このような基板２１上には、複数のスイッチング素子２３がマトリクス状に配列されている。各スイッチング素子２３は、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに対応して設けられ、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを駆動するための駆動用トランジスタである。

このような各スイッチング素子２３は、シリコンからなる半導体層２３１と、半導体層２３１上に形成されたゲート絶縁層２３２と、ゲート絶縁層２３２上に形成されたゲート電極２３３と、ソース電極２３４と、ドレイン電極２３５と、を有している。

このような複数のスイッチング素子２３を覆うように、絶縁材料で構成された層間絶縁膜２２が形成されている。この層間絶縁膜２２には、配線２４が設けられている。

層間絶縁膜２２上には、各スイッチング素子２３に対応して発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが設けられている。発光素子１Ｒは、層間絶縁膜２２上に、陽極３（第１電極）、積層体１０（１０Ｒ）、１１、陰極９（第２電極）がこの順に積層されている。本実施形態では、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの陽極３は、画素電極を構成し、各スイッチング素子２３のドレイン電極２３５に配線２４を介して電気的に接続されている。また、発光素子１Ｒの陰極９は、発光素子１Ｇ、１Ｂの陰極９と共通電極とされている。また、発光素子１Ｒの積層体１１は、発光素子１Ｇ、１Ｂと共通となっている。

また、発光素子１Ｇ、１Ｂの構成は、それぞれ、発光素子１Ｒと同様に構成することができる。ここで、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの積層体１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂ（特に発光層）を互いに異ならせることにより、異なる色を発光させることができる。例えば、発光素子１Ｒは、赤色発光し、発光素子１Ｇは、緑色発光し、発光素子１Ｂは、青色発光する。

隣接する発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ同士の間には、隔壁３１（バンク）が設けられている。また、このような発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂは、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で構成された樹脂層３２を介して、封止基板４０が接合されている。

前述したように本実施形態の各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂはボトムエミッション型であるため、封止基板４０は、透明基板であっても、不透明基板であってもよく、封止基板４０の構成材料としては、前述した基板２１と同様の材料を用いることができる。

（発光素子）
次に、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを詳細に説明する。

図２（ａ）は、図１に示す発光装置が備えるバンクの平面図、図２（ｂ）は、図１に示す発光装置が備える発光素子の断面図である。

図２に示す発光素子（エレクトロルミネッセンス素子）１は、前述した発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを構成するものであり、前述したように、陽極３（第１電極）と陰極９（第２電極）との間に積層体１０、１１が介挿されている。この積層体１０は、図２に示すように、陽極３側から陰極９側へ、正孔注入層４と正孔輸送層５（第１層）と発光層６（第２層）とがこの順で積層されている。また、積層体１１は、陽極３側から陰極９側へ、電子輸送層７と電子注入層８とがこの順に積層されている。

すなわち、発光素子１は、陽極３と陰極９との間に、陽極３側から陰極９側へ、正孔注入層４と正孔輸送層５と発光層６と電子輸送層７と電子注入層８とがこの順に積層されている。

このような発光素子１にあっては、発光層６に対し、陰極９側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３側から正孔が供給（注入）される。そして、発光層６では、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。

以下、発光素子１の各部の構成を簡単に説明する。
（陽極）
陽極３は、正孔注入層４を介して正孔輸送層５に正孔を注入する電極である。この陽極３の構成材料としては、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料を用いるのが好ましい。

陽極３の構成材料としては、例えば、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、Ｉｎ_３Ｏ_３、ＳｎＯ_２、Ｓｂ含有ＳｎＯ_２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

（陰極）
一方、陰極９は、電子注入層８を介して電子輸送層７に電子を注入する電極である。この陰極９の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。

陰極９の構成材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体等）用いることができる。

特に、陰極９の構成材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極９の構成材料として用いることにより、陰極９の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。

また、本実施形態の発光素子１は、ボトムエミッション型であるため、陰極９は、光透過性を有していなくてもよい。

（正孔注入層）
正孔注入層４は、陽極３からの正孔注入効率を向上させる機能を有するものである。

この正孔注入層４の構成材料（正孔注入材料）としては、特に限定されないが、例えば、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）のようなポリチオフォン系正孔注入材料や、ポリアニリン−ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡＮＩ／ＰＳＳ）のようなポリアニリン系正孔注入材料のような導電性高分子材料や、ＴＡＰＣ（(1,1-ビス[4-(ジ-p-トリル)アミ.ノフェニル]シクロヘキサン)) ：4,4'-Cyclohexylidenebis[N,N-bis(4-methylphenyl)aniline]）、ＴＰＤ（N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス-(3-メチルフェニル)-１,１’ビフェニル-4,4’-ジアミン）、α−ＮＰＤ（N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス-(1-ナフチル)-１,１’ビフェニル-4,4’-ジアミン）、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（4，4’，4”−トリス（Ｎ−３−メチルフェニルアミノ）−トリフェニルアミン：4,4’,4”-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenylamino)-triphenylamine）、２−ＴＮＡＴＡ（４，４’，４”−トリス（Ｎ, Ｎ−（２−ナフチル）フェニルアミノ）トリフェニルアミン）、ＴＣＴＡ（4，4’，4”−トリ（Ｎ−カルバゾル基）トリフェニルアミン：Tris-(4-carbazoyl-9-yl-phenyl)-amine）、ＴＤＡＰＢ（１，３，５−トリス−（Ｎ，Ｎ−ビス−（４−メトキシ−フェニル）−アミノフェニル）−ベンゼン：1,3,5-tris[4-(diphenylamino)phenyl]benzene）、スピローＴＡＤ、ＨＴＭ１（Tri-p-tolylamineHTM2,1,1-bis[(di-4-tolylamino) phenyl]cyclohexane）、ＨＴＭ２（1,1-bis[(di-4-tolylamino) phenyl]cyclohexane）、ＴＰＴ１（1,3,5-tris(4-pyridyl)-2,4,6-triazin）、ＴＰＴＥ（Triphenylamine-tetramer）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

このような正孔注入層４の平均厚さは、特に限定されないが、５〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。

（正孔輸送層）
正孔輸送層５は、陽極３から正孔注入層４を介して注入された正孔を発光層６まで輸送する機能を有するものである。

この正孔輸送層５の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、ＴＦＢ（poly(9,9-dioctyl-fluorene-co-N-(4- butylphenyl)-diphenylamine)）等のアミン系化合物、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）やポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）を含むポリシラン系などの高分子有機材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。また、前述した正孔注入層４の構成材料を正孔輸送層５の構成材料として用いることもできる。

このような正孔輸送層５の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。

なお、正孔輸送層５は、省略することができる。この場合、正孔注入層４が正孔輸送層５の機能も兼ねることとなる。

（発光層）
発光層６は、正孔輸送層５に接して設けられている。この発光層６は、発光材料を含んで構成されている。

この発光材料としては、特に限定されず、各種蛍光材料、燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。発光素子１を前述した発光素子１Ｒに用いる場合には、発光材料として赤色蛍光材料または赤色燐光材料が用いられ、発光素子１を前述した発光素子１Ｇに用いる場合には、発光材料として緑色蛍光材料または緑色燐光材料が用いられ、発光素子１を発光素子１Ｂとして用いる場合には、発光材料として青色蛍光材料または青色燐光材料が用いられる。

赤色蛍光材料としては、赤色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、ジインデノペリレン誘導体等のペリレン誘導体、ユーロピウム錯体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、ポルフィリン誘導体、ナイルレッド、２−（１，１−ジメチルエチル）−６−（２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ（ｉｊ）キノリジン−９−イル）エテニル）−４Ｈ−ピラン−４Ｈ−イリデン）プロパンジニトリル（ＤＣＪＴＢ）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）等を挙げられる。

赤色燐光材料としては、赤色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、これら金属錯体の配位子の内の少なくとも１つがフェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格、ポルフィリン骨格等を持つものも挙げられる。より具体的には、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム（アセチルアセトネート）（ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−１２Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン−白金（ＩＩ）、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム、ビス（２−フェニルピリジン）イリジウム（アセチルアセトネート）が挙げられる。

緑色蛍光材料としては、緑色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、クマリン誘導体、キナクリドン誘導体等のキナクリドンおよびその誘導体、９，１０−ビス［（９−エチル−３−カルバゾール）−ビニレニル］−アントラセン、ポリ（９，９−ジヘキシル−２，７−ビニレンフルオレニレン）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（１，４−ジフェニレン−ビニレン−２−メトキシ−５−｛２−エチルヘキシルオキシ｝ベンゼン）］、ポリ［（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−（２−エトキシルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン）］等が挙げられる。

緑色燐光材料としては、緑色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、具体的には、ファク−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（アセチルアセトネート）、ファク−トリス［５−フルオロ−２−（５−トリフルオロメチル−２−ピリジン）フェニル−Ｃ，Ｎ］イリジウム等が挙げられる。

青色蛍光材料としては、青色の蛍光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、ジスチリルジアミン系化合物等のジスチリルアミン誘導体、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、ペリレンおよびペリレン誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）、ポリ［（９．９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（２，５−ジメトキシベンゼン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジヘキシルオキシフルオレン−２，７−ジイル）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−｛２−エトキシヘキシルオキシ｝フェニレン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（エチルニルベンゼン）］等が挙げられる。

青色燐光材料としては、青色の燐光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、具体的には、ビス［４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ^２’］−ピコリネート−イリジウム、トリス［２−（２，４−ジフルオロフェニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム、ビス［２−（３，５−トリフルオロメチル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ^２’］−ピコリネート−イリジウム、ビス（４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（アセチルアセトネート）等が挙げられる。

以上のような発光材料は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、発光層６中には、前述した発光材料の他に、発光材料がゲスト材料として添加されるホスト材料が含まれていてもよい。このホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを発光材料に移動（フェルスター移動またはデクスター移動）させて、発光材料を励起する機能を有する。このようなホスト材料を用いる場合、例えば、ゲスト材料である発光材料をドーパントとしてホスト材料にドープして用いることができる。

このようなホスト材料としては、用いる発光材料に対して前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されないが、例えば、ナフタセン誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体のようなアセン誘導体（アセン系材料）、ジスチリルアリーレン誘導体、ペリレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアミン誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ_３）等のキノリノラト系金属錯体、トリフェニルアミンの４量体等のトリアリールアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、シロール誘導体、ジカルバゾール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ベンゾピラン誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、キノリン誘導体、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。

前述したような発光材料（ゲスト材料）およびホスト材料を用いる場合、発光層６中における発光材料の含有量（ドープ量）は、０．０１〜１０ｗｔ％であるのが好ましく、０．１〜５ｗｔ％であるのがより好ましい。発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができる。

このような発光層６の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。また、発光層６は、積層された複数の発光層で構成されていてもよく、その場合、任意の発光層間に発光しない中間層が介在していてもよい。

（電子輸送層）
電子輸送層７は、陰極９から電子注入層８を介して注入された電子を発光層６に輸送する機能を有するものである。

電子輸送層７の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）等の８−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

電子輸送層７の平均厚さは、特に限定されないが、０．５〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、この電子輸送層７は、省略することができる。

（電子注入層）
電子注入層８は、陰極９からの電子注入効率を向上させる機能を有するものである。

この電子注入層８の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、各種の無機絶縁材料、各種の無機半導体材料が挙げられる。

このような無機絶縁材料としては、例えば、アルカリ金属カルコゲナイド（酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物）、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらを主材料として電子注入層を構成することにより、電子注入性をより向上させることができる。特にアルカリ金属化合物（アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物等）は仕事関数が非常に小さく、これを用いて電子注入層８を構成することにより、発光素子１は、高い輝度が得られるものとなる。

アルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ_２Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ_２Ｓ、Ｎａ_２Ｓｅ、ＮａＯ等が挙げられる。アルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＭｇＯ、ＣａＳｅ等が挙げられる。アルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣｓＦ、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌ等が挙げられる。アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、ＳｒＦ_２、ＭｇＦ_２、ＢｅＦ_２等が挙げられる。

また、無機半導体材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎのうちの少なくとも１つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

電子注入層８の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、０．２〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましく、０．２〜５０ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
なお、この電子注入層８は、省略することができる。

以上のように構成されている発光素子１は、積層体１０の各層（正孔注入層４、正孔輸送層５および発光層６）が図２（ａ）に示すような隔壁３１内に液相プロセスを用いて形成される。そのため、正孔輸送層５の外周部の厚さが中央部よりも厚くなりやすく、図３に示すように、正孔輸送層５の上側の面５１は、基準面Ｐとの間の距離が連続的または段階的に変化している部分を有する形状をなしている。

従来の発光層６Ｘの正孔輸送層５とは反対側の面６１Ｘは、正孔輸送層５の発光層６Ｘ側の面５１と異なっている。そのため、発光層６Ｘの中央部側の実質的な厚さｔ１と外周部側の実質的な厚さｔ２とが異なってしまい、その結果、発光分布が不均一となったり、発光領域が狭くなったりするという問題があった。

そこで、発光素子１では、発光層６の正孔輸送層５とは反対側の面６１は、正孔輸送層５の発光層６Ｘ側の面５１と同一形状となるように形成されている。すなわち、正孔輸送層５の発光層６側の面５１と基準面Ｐとの間の距離と、発光層６の正孔輸送層５とは反対側の面６１と基準面Ｐとの間の距離との差分（すなわち、厚さｔ１、ｔ２）が一定となるように構成されている。これにより、発光層６の中央部側の実質的な厚さｔ１と外周部側の実質的な厚さｔ２とを等しくすることができ、その結果、発光分布を均一化するとともに、発光領域を拡げることができる。ここで、基準面Ｐは、陽極３に沿った平坦面であり、図３では、正孔輸送層５の上面の中央部を通り、かつ、陽極３に平行な平坦面である。

ここで、上記差分は、発光層６の幅方向での所定範囲において一定となっていればよく、具体的には、発光層６の全幅に対して９０％以上の幅の範囲内において一定となっていればよい。また、「前記差分が一定」とは、上記差分がその平均値に対して±１０％以下の範囲内にあることをいう。これにより、発光層６の膜厚を実質的に均一化にすることができる。

また、本実施形態では、図２（ａ）に示すように、陽極３および陰極９が重なる方向から見たとき（すなわち平面視で）、隔壁３１内が長手形状をなしていることから、それに応じて、発光層６も長手形状をなしている。そして、発光層６の長手方向での全幅に対して９０％以上の幅の範囲内における前記差分がその平均値に対して±１０以下の範囲内にあることが好ましい。これにより、発光層６の膜厚を実質的に均一化にすることができる。

また、隔壁３１内の平面視での面積（一画素の面積）が小さいほど、前述したように隔壁３１内に液相プロセスによって形成された膜（正孔輸送層５等）の中央部よりも厚さが厚い外周部の占める面積が大きくなるため、前述したような問題が顕著となる。一方、近年、ディスプレイの高精細化等に伴って、一画素の面積を小さくすることが求められている。隔壁３１内の平面視での長手方向（長軸方向）での長さは、特に限定されないが、１０μｍ以上１０００μｍ以下程度であることが好ましく、３０μｍ以上６００μｍ以下であることがより好ましい。また、隔壁３１内の平面視での幅方向（短軸方向）での長さは、３μｍ以上４００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。

以上説明したような発光素子１によれば、正孔輸送層５の外周部の厚さが中央部よりも厚くなっている場合であっても、発光層６の実質的な膜厚を均一にすることができる。これにより、液相プロセスを用いて製造しても、優れた発光特性を有する発光素子１を提供することができる。

（発光素子の製造方法）
次に、本発明の発光素子の製造方法について、前述した発光素子１を製造する場合を例に説明する。

図４〜図７は、それぞれ、図２（ａ）に示す発光素子の製造方法を説明するための図である。

発光素子１の製造方法は、［１］陽極３を形成する工程と、［２］正孔注入層４を形成する工程と。［３］正孔輸送層５を形成する工程と、［４］発光層６を形成する工程と、［５］電子輸送層７、電子注入層８および陰極９を形成する工程と、を有する。以下、各工程を順次説明する。

［１］
まず、基板２１を用意し、図４（ａ）に示すように、この基板２１上に陽極３を形成した後、隔壁３１を形成する。

陽極３は、例えば、基板２１上に、蒸着法、ＣＶＤ法等の気相成膜法を用いて電極材料を成膜した後、これをエッチング等を用いてパターニングすることにより得られる。

また、隔壁３１は、陽極３が露出するようにフォトリソグラフィー法等を用いてパターニングすること等により形成することができる。

ここで、隔壁３１の構成材料は、耐熱性、撥液性、インク溶剤耐性、基板２１等との密着性等を考慮して選択される。具体的には、隔壁３１の構成材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂のような有機材料や、ＳｉＯ_２のような無機材料が挙げられる。

また、陽極３および隔壁３１の形成後、必要に応じて、陽極３および隔壁３１の表面に酸素プラズマ処理を施してもよい。これにより、陽極３の表面に親液性を付与すること、陽極３および隔壁３１の表面に付着する有機物を除去（洗浄）すること、陽極３の表面付近の仕事関数を調整すること等を行うことができる。

ここで、酸素プラズマ処理の条件としては、例えば、プラズマパワー１００〜８００Ｗ程度、酸素ガス流量５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ程度、被処理部材（陽極３）の搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ程度、基板２１の温度７０〜９０℃程度とするのが好ましい。

また、この酸素プラズマ処理の後、ＣＦ_４等のフッ素系ガスを処理ガスとしてプラズマ処理するのが好ましい。これにより、有機材料である感光性樹脂からなる隔壁３１の表面のみにフッ素系ガスが反応して撥液化される。これによって、隔壁３１内に付与される液体が不本意に濡れ拡がるのを低減することができる。

［２］
次に、図４（ｂ）に示すように、インクジェットヘッド２００から正孔注入層形成用のインク４ａを隔壁３１内の陽極３上に付与する。

インク４ａは、正孔注入層４の構成材料またはその前駆体を溶媒に溶解または分散媒に分散させてなるものである。溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。

その後、陽極３上のインク４ａを乾燥（脱溶媒または脱分散媒）し、必要に応じて加熱処理することにより、図５（ａ）に示すように、正孔注入層４を形成する。

乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができる。

以上のように、インク４ａを用いた液相プロセスにより、正孔注入層４が形成される。なお、正孔注入層４を蒸着法、ＣＶＤ法等の気相プロセスによって形成してもよい。

［３］
次に、図５（ｂ）に示すように、インクジェットヘッド２００Ａから正孔輸送層形成用のインク５ａを隔壁３１内の正孔注入層４上に付与する。

インク５ａは、正孔輸送層５の構成材料またはその前駆体を溶媒に溶解または分散媒に分散させてなるものである。溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。

その後、正孔注入層４上のインク５ａを乾燥（脱溶媒または脱分散媒）し、必要に応じて加熱処理することにより、図６（ａ）に示すように、正孔輸送層５を形成する。

以上のように、インク５ａを用いた液相プロセスにより、正孔輸送層５が形成される。なお、正孔輸送層５を蒸着法、ＣＶＤ法等の気相プロセスによって形成してもよい。

［４］
次に、図６（ｂ）に示すように、インクジェットヘッド２００Ｂから発光層形成用のインク６ａ（液体）を隔壁３１内の正孔輸送層５上に付与する。

ここで、隔壁３１内に形成された正孔輸送層５の外周部の厚さが中央部よりも厚くなりやすく、その後に隔壁３１内に形成される発光層６の外周部の厚さも中央部よりも厚くなりやすい。しかも、発光層６の実質的な厚さは、正孔輸送層５の発光層６側の面の形状の影響を受けるため、発光層６の厚さを単に均一にしても、発光層６の外周部が湾曲し、外周部の実質的な厚さが中央部よりも厚くなってしまう。

そこで、本工程は、発光層６の正孔輸送層５とは反対側の面が正孔輸送層５の発光層６側の面と同一形状となるように行う。これにより、発光層６の実質的な膜厚を均一にすることができる。これにより、発光素子１の特性を高めることができる。

具体的には、本工程において、正孔輸送層５に対するインク６ａの接触角が隔壁３１に対するインク６ａの接触角と同じかまたはそれよりも小さくする。これにより、発光層６の外周部の厚さが中央部よりも厚くなってしまうのを低減することができる。その結果、正孔輸送層５の外周部の厚さが中央部よりも厚くなっている場合に、発光層６の実質的な膜厚を均一にすることができる。例えば、正孔輸送層５の構成材料または溶媒（分散媒）の種類を適宜選択することにより、上述したような接触角の関係を得ることができる。

インク６ａは、発光層６の構成材料またはその前駆体を溶媒に溶解または分散媒に分散させてなるものである。溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。

その後、正孔輸送層５上のインク６ａを乾燥（脱溶媒または脱分散媒）し、必要に応じて加熱処理することにより、図７（ａ）に示すように、発光層６を形成する。

また、隔壁３１の平面視での面積をＡ［μｍ^２］とし、発光層６を形成する際に正孔輸送層５上に付与されるインク６ａの量をＢ［ｎｇ］としたとき、Ｂ／Ａは、０．００３ｎｇ／μｍ^２以上０．００６ｎｇ／μｍ^２以下であるであることが好ましく、０．００３ｎｇ／μｍ^２以上０．００５ｎｇ／μｍ^２以下であるであることがより好ましく、０．００４ｎｇ／μｍ^２以上０．００５ｎｇ／μｍ^２以下であるであることがさらに好ましい。これにより、発光層６の外周部の厚さが中央部よりも厚くなってしまうのを効果的に低減することができる。

また、正孔輸送層５上にインク６ａを付与した後の５分間以内に常圧から５Ｐａまで減圧して乾燥を行うことが好ましい。これにより、発光層６の外周部の厚さが中央部よりも厚くなってしまうのを低減することができる。
以上のように、インク６ａを用いた液相プロセスにより、発光層６が形成される。

［５］
次に、発光層６上に、電子輸送層７、電子注入層８および陰極９をこの順で形成する。これにより、発光素子１が得られる。

電子輸送層７、電子注入層８および陰極９は、それぞれ、例えば、真空蒸着等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。なお、電子輸送層７、電子注入層８および陰極９は、それぞれ、液相プロセスを用いて形成してもよい。
以上のような工程を経て、発光素子１が得られる。

図８は、電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。

この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。

このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述の表示装置１００で構成されている。

図９は、電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。

この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述の表示装置１００で構成されている。

図１０は、電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。

ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。

ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。

ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述の表示装置１００で構成されている。

ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。

また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。

撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。

また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
このような電子機器は、優れた信頼性を有する。

なお、電子機器は、図８のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図９の携帯電話機、図１０のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。

以上、本発明の発光素子の製造方法を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。

例えば、前述した実施形態では、発光素子が１層の発光層を有するものについて説明したが、発光層が２層以上であってもよい。また、発光層の発光色としては、前述した実施形態のＲ、Ｇ、Ｂに限定されない。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．発光素子の製造

（実施例１）
＜１＞まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。その後、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁（バンク）を形成した。この隔壁の平面視形状は、長さ３００μｍ、幅１００μｍの長方形とし、隔壁の高さを２μｍとした。

そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。

＜２＞次に、正孔注入層形成用インクを、隔壁内にインクジェット法により充填してＩＴＯ電極上付与した後に、これを減圧乾燥した後に加熱処理（焼成）することにより、平均厚さ５０ｎｍの正孔注入層を形成した。

ここで、正孔注入層形成用インクとして、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ分散溶液（インク濃度１．０ｗｔ％）を用いた。また、焼成は、大気圧下で行い、焼成温度を２００℃とし、焼成時間を１０分間とした。

＜３＞次に、正孔輸送層形成用インクを、隔壁内にインクジェット法により充填して正孔注入層上に付与した後に、これを減圧乾燥した後に加熱処理（焼成）することにより、平均厚さ３０ｎｍの正孔輸送層を形成した。

ここで、正孔輸送層形成用インクとして、アリールアミン系ポリマーである化合物Ａを０．４５ｇを、１００ｇの3-Phenoxytolueneに溶解した溶液（インク濃度０．４５ｗｔ％）を用いた。また、焼成は、窒素で満たされたグローブボックス内で行い、焼成温度を１８０℃とし、焼成時間を３０分間とした。

また、正孔輸送層形成後に、触芯式の表面計測器で、正孔輸送層の表面の形状を測定した。その測定結果を図１１（ａ）に示す（図中のＨＴＬ）。

＜４＞次に、発光層形成用インクを、隔壁内にインクジェット法により充填して正孔輸送層上に付与した後に、これを減圧乾燥した後に加熱処理（焼成）することにより、平均厚さ２０ｎｍの発光層を形成した。

ここで、発光層形成用インクとして、ＣＢＰ（４，４’−ビス（９−ジカルバゾイル）−２，２’−ビフェニル）、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（Ｆａｃ−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム）を重量比９０：１０で混合したテトラロン溶液（濃度１ｗｔ％）を用いた。また、発光層形成用インクの付与は、１ショットあたり１０ｎｇで、１６ショット行うことで、充填量を１６０ｎｇとした。また、乾燥は、発光層形成用インク付与直後に常圧から５Ｐａまで５分間かけて減圧した。また、焼成は、窒素で満たされたグローブボックス内で行い、焼成温度を１００℃とし、焼成時間を２０分間とした。

また、発光層形成後に、触芯式の表面計測器で、発光層の表面の形状を測定した。その測定結果を図１１（ａ）に示す（図中のＥＭＬ）。また、正孔輸送層の表面形状と発光層の表面形状との差分の結果を図１１（ｂ）に示す。

＜５＞次に、発光層上に、Ａｌｑ_３を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層を形成した。

＜６＞次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ０．５ｎｍの電子注入層を形成した。

＜７＞次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される平均厚さ１５０ｎｍの陰極を形成した。
以上の工程により、発光素子を製造した。

（比較例）
正孔輸送層形成用インクとして、フルオレンを含有するアミン系ポリマーである化合物Ｂを用いた以外は、前述した実施例１と同様にして、発光素子を製造した。

ここで、正孔輸送層上に滴下した発光層形成用インクの状態を図１２（ｃ）に示す。なお、図１２は、バンク内の平面視での状態を示す写真であって、図１２（ａ）は、正孔注入層形成後、正孔輸送層形成前の状態、図１２（ｂ）は、実施例１の発光層形成用インク滴下後の状態、図１２（ｃ）は、比較例の発光層形成用インク滴下後の状態を示す。

図１２に示すように、比較例では、発光層形成用インクの濡れ拡がり方が実施例１とは異なる。具体的には、実施例１では、画素中心付近にもインク残りがみられるのに対し、比較例では、バンクに沿ってインクが拡がっていることがわかる。これは、比較例において、化合物Ｂを用いて形成された正孔輸送層に対して発光層形成用インクの濡れ性がバンクに比べて低いためであり、一方、実施例１において、化合物Ａを用いて形成された正孔輸送層に対して発光層形成用インクの濡れ性がバンクと同等かまたはそれよりも高いためである。

また、正孔輸送層および発光層の表面形状を実施例１と同様にして測定した結果を図１３（ａ）に示す。また、正孔輸送層の表面形状と発光層の表面形状との差分の結果を図１３（ｂ）に示す。

（実施例２）
発光層形成用インクの付与を１２ショット行うことで充填量を１２０ｎｇとした以外は、前述した実施例１と同様にして、発光素子を製造した。

（参考例１）
発光層形成用インクの付与を２０ショット行うことで充填量を２００ｎｇとした以外は、前述した実施例１と同様にして、発光素子を製造した。

（参考例２）
発光層形成用インクの付与を２４ショット行うことで充填量を２４０ｎｇとした以外は、前述した実施例１と同様にして、発光素子を製造した。

（実施例３）
発光層形成用インク付与直後に常圧から５Ｐａまで１分間かけて減圧して乾燥を行った以外は、前述した実施例１と同様にして、発光素子を製造した。

（参考例３）
発光層形成用インク付与直後に常圧から５Ｐａまで１２分間かけて減圧して乾燥を行った以外は、前述した実施例１と同様にして、発光素子を製造した。

（実施例４）
発光層形成用インクの付与を１２ショット行うことで充填量を１２０ｎｇとし、発光層形成用インク付与直後に常圧から５Ｐａまで１分間かけて減圧して乾燥を行った以外は、前述した実施例１と同様にして、発光素子を製造した。

（参考例４）
発光層形成用インクの付与を２０ショット行うことで充填量を２００ｎｇとし、発光層形成用インク付与直後に常圧から５Ｐａまで１２分間かけて減圧して乾燥を行った以外は、前述した実施例１と同様にして、発光素子を製造した。

（参考例５）
発光層形成用インクの付与を２０ショット行うことで充填量を２００ｎｇとし、発光層形成用インク付与直後に常圧から５Ｐａまで１分間かけて減圧して乾燥を行った以外は、前述した実施例１と同様にして、発光素子を製造した。

（参考例６）
発光層形成用インクの付与を２４ショット行うことで充填量を２４０ｎｇとし、発光層形成用インク付与直後に常圧から５Ｐａまで１分間かけて減圧して乾燥を行った以外は、前述した実施例１と同様にして、発光素子を製造した。

２．評価
上述したようにして製造した各発光素子を発光させて、輝度分布を測定したところ、図１４〜図１６に示す結果を得た。

図１４（ａ）は、本発明の実施例１に係る発光素子の発光層の発光状態を示す図、図１４（ｂ）は、その発光層の輝度分布を示すグラフである。また、図１５（ａ）は、比較例に係る発光素子の発光層の発光状態を示す図、図１５（ｂ）は、その発光層の輝度分布を示すグラフである。また、図１６は、本発明の実施例および参考例に係る発光素子の発光層の発光状態を示す図である。

これらの図からわかるように、各実施例の発光素子は、比較例および各参考例の発光素子に比べて、輝度分布が均一である。これは、各実施例の発光素子は、発光層の実質的な膜厚が均一であるため（図１１（ｂ）参照）、輝度分布が均一化されるのに対し、比較例および各参考例の発光素子は、発光層の実質的な膜厚が均一でないため（図１３（ｂ）参照）、輝度分布も不均一になるものと推察される。

ここで、各実施例の発光素子は、発光層の形成時に、発光層形成インクに対する正孔輸送層の濡れ性が隔壁と同等以上である上に、インクの充填量が抑えられたりインク付与後の乾燥速度が速かったりすることによって、インクの拡がりが抑えられ、その結果、発光層の実質的な膜厚の均一化が図られると推察される。これに対し、各参考例の発光素子は、発光層の形成時にインクの充填量が多かったりインク付与後に乾燥速度が遅かったりすることによって、インクが拡がりやすく、その結果、発光層の実質的な膜厚の不均一になると推察される。

１‥‥発光素子
１Ｒ‥‥発光素子
１Ｇ‥‥発光素子
１Ｂ‥‥発光素子
３‥‥陽極
４‥‥正孔注入層
４ａ‥‥インク
５‥‥正孔輸送層
５ａ‥‥インク
６‥‥発光層
６Ｘ‥‥発光層
６ａ‥‥インク
７‥‥電子輸送層
８‥‥電子注入層
９‥‥陰極
１０‥‥積層体
１０Ｒ‥‥積層体
１０Ｇ‥‥積層体
１０Ｂ‥‥積層体
１１‥‥積層体
２０‥‥回路基板
２１‥‥基板
２２‥‥層間絶縁膜
２３‥‥スイッチング素子
２４‥‥配線
３１‥‥隔壁
３２‥‥樹脂層
４０‥‥封止基板
５１‥‥面
６１‥‥面
６１Ｘ‥‥面
１００‥‥表示装置
１００Ｒ‥‥サブ画素
１００Ｇ‥‥サブ画素
１００Ｂ‥‥サブ画素
２００‥‥インクジェットヘッド
２００Ａ‥‥インクジェットヘッド
２００Ｂ‥‥インクジェットヘッド
２３１‥‥半導体層
２３２‥‥ゲート絶縁層
２３３‥‥ゲート電極
２３４‥‥ソース電極
２３５‥‥ドレイン電極
１１００‥‥パーソナルコンピュータ
１１０２‥‥キーボード
１１０４‥‥本体部
１１０６‥‥表示ユニット
１２００‥‥携帯電話機
１２０２‥‥操作ボタン
１２０４‥‥受話口
１２０６‥‥送話口
１３００‥‥ディジタルスチルカメラ
１３０２‥‥ケース
１３０４‥‥受光ユニット
１３０６‥‥シャッタボタン
１３０８‥‥回路基板
１３１２‥‥ビデオ信号出力端子
１３１４‥‥入出力端子
１４３０‥‥テレビモニタ
１４４０‥‥パーソナルコンピュータ

Claims

第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の一方の面側に、液相プロセスを用いて第１層を形成する工程と、
前記第１層上に、液相プロセスを用いて第２層を形成する工程と、
前記第２層の前記第１層とは反対側に、第２電極を形成する工程と、を有し、
前記第１層を形成する工程は、バンク内において、前記第１層の前記第２層側の面が、前記第１電極に沿った基準面との間の距離が連続的または段階的に変化している部分を有する形状をなすように行い、
前記第２層を形成する工程は、前記第２層の幅方向において、前記第１層の前記第２層側の面と前記基準面との間の距離と、前記第２層の前記第１層とは反対側の面と前記基準面との間の距離との差分を求めたとき、
前記第２層の全幅に対して９０％以上の幅の範囲内における前記差分がその平均値に対して±１０％以下の範囲内となるように行い、
前記第２層を形成する工程は、前記バンク内において、前記第２層を構成する材料またはその前駆体を含む液体を前記第１層上に付与した後に固化することにより行い、
前記第２層を形成する工程において、前記第１層に対する前記液体の接触角が前記バンクに対する前記液体の接触角と同じかまたはそれよりも小さいことを特徴とする発光素子の製造方法。
前記バンク内の平面視での面積をＡ［μｍ^２］とし、前記第２層を形成する際に前記第１層上に付与される前記液体の量をＢ［ｎｇ］としたとき、Ｂ／Ａは、０．００３ｎｇ／μｍ^２以上０．００６ｎｇ／μｍ^２以下である請求項１に記載の発光素子の製造方法。
前記第１層上に前記液体を付与した後の５分間以内に常圧から５Ｐａまで減圧して乾燥を行う請求項１または２に記載の発光素子の製造方法。