JP6511550B1 - 電磁波シールドフィルム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電磁波シールドフィルム101は、絶縁保護層112と、絶縁保護層112の表面を覆う剥離フィルム115と、絶縁保護層112の剥離フィルム115と反対側に設けられた導電性接着剤層111とを備えている。剥離フィルム115は、波長535nmにおける透過率が20%以上、80%以下であり、以下の式1により表される密着確認性指数Iaが11以上、以下の式2により表される存在視認性指数Ivが11以上である。
Ia=(ΔL*1 2+Δa*1 2+Δb*1 2)0.5・・・(式1)
Iv=(ΔL*2 2+Δa*2 2+Δb*2 2)0.5・・・(式2)
【選択図】図1
Description
Iv=(ΔL*2 2+Δa*2 2+Δb*2 2)0.5・・・(式2)
但し、ΔL*1は剥離前の剥離フィルム表面のL*値と剥離後の剥離フィルム表面のL*値との差であり、Δa*1は剥離前の剥離フィルム表面のa*値と剥離後の剥離フィルム表面のa*値との差であり、Δb*1は剥離前の剥離フィルム表面のb*値と剥離後の剥離フィルム表面のb*値との差である。ΔL*2は剥離前の剥離フィルム表面のL*値と剥離フィルムを剥離後の絶縁保護層表面のL*値との差であり、Δa*2は剥離前の剥離フィルム表面のa*値と剥離フィルムを剥離後の絶縁保護層表面のa*値との差であり、Δb*2は剥離前の剥離フィルム表面のb*値と剥離フィルムを剥離後の絶縁保護層表面のb*値との差である。なお、剥離後の剥離フィルムの表面とは、絶縁保護層と接していた面と反対側の面である。
Iv=(ΔL*2 2+Δa*2 2+Δb*2 2)0.5 ・・・ (式2)
但し、ΔL*1は剥離前の剥離フィルム表面のL*値と剥離後の剥離フィルム表面のL*値との差であり、Δa*1は剥離前の剥離フィルム表面のa*値と剥離後の剥離フィルム表面のa*値との差であり、Δb*1は剥離前の剥離フィルム表面のb*値と剥離後の剥離フィルム表面のb*値との差である。ΔL*2は剥離前の剥離フィルム表面のL*値と剥離フィルムを剥離後の絶縁保護層表面のL*値との差であり、Δa*2は剥離前の剥離フィルム表面のa*値と剥離フィルムを剥離後の絶縁保護層表面のa*値との差であり、Δb*2は剥離前の剥離フィルム表面のb*値と剥離フィルムを剥離後の絶縁保護層表面のb*値との差である。なお、剥離後の剥離フィルムの表面は、絶縁保護層と接していた面と反対側の面である。
所定の剥離フィルムの表面に、非シリコン系の離型剤を塗布して離型剤層を形成した。次に、絶縁保護層用組成物を、ワイヤーバーを用いて塗布し、加熱乾燥して絶縁保護層を形成した。次に、絶縁保護層の上に所定の導電性接着剤層用組成物をワイヤーバーにより塗布した後、100℃×3分の乾燥を行い、電磁波シールドフィルムを得た。
積分球を取り付けた紫外可視分光光度計(島津製作所製、UV−2600)を用い535nmにおける透過率を測定した。
ポータブル積分球分光測色計(X-Rite社製、Ci64)を用いて測定した。光源はD65光源とした。
得られた測定結果から、以下の式1及び式2により密着性確認指数Ia及び存在視認性指数Ivを算出した。
Ia=(ΔL*1 2+Δa*1 2+Δb*1 2)0.5 ・・・ (式1)
Iv=(ΔL*2 2+Δa*2 2+Δb*2 2)0.5 ・・・ (式2)
但し、ΔL*1は剥離前の剥離フィルム表面のL*値と剥離後の剥離フィルム表面のL*値との差であり、Δa*1は剥離前の剥離フィルム表面のa*値と剥離後の剥離フィルム表面のa*値との差であり、Δb*1は剥離前の剥離フィルム表面のb*値と剥離後の剥離フィルム表面のb*値との差である。ΔL*2は剥離前の剥離フィルム表面のL*値と剥離フィルムを剥離後の絶縁保護層表面のL*値との差であり、Δa*2は剥離前の剥離フィルム表面のa*値と剥離フィルムを剥離後の絶縁保護層表面のa*値との差であり、Δb*2は剥離前の剥離フィルム表面のb*値と剥離フィルムを剥離後の絶縁保護層表面のb*値との差である。なお、剥離後の剥離フィルムについては、絶縁保護層と接していた面と反対側の面について測定を行った。
得られた電磁波シールドフィルムについて、絶縁保護層の表面において反射した光が、剥離フィルムと絶縁保護層との間の隙間空間において屈折・散乱することにより生じる外観差異が認められるか否かについて、目視により確認できる場合を密着確認性が良好であるとした。また、絶縁保護層の表面に均一に密着させた剥離フィルムの存在を目視により判別できるか否かを確認し、判別できる場合を存在視認性が良好であるとした。
剥離フィルムとして、波長535nmの透過率が51.0%のポリエチレンテレフタレートフィルムを用いた。Iaは15.1、Ivは38.4であり、密着確認性及び存在視認性は共に良好であった。
剥離フィルムとして、波長535nmの透過率が47.6%のポリエチレンテレフタレートフィルムを用いた。Iaは11.7、Ivは42.8であり、密着確認性及び存在視認性は共に良好であった。
剥離フィルムとして、波長535nmの透過率が68.1%のポリエチレンテレフタレートフィルムを用いた。Iaは18.9、Ivは24.7であり、密着確認性及び存在視認性は共に良好であった。
剥離フィルムとして、波長535nmの透過率が56.7%のポリエチレンテレフタレートフィルムを用いた。Iaは11.9、Ivは38.8あり、密着確認性及び存在視認性は共に良好であった。
剥離フィルムとして、波長535nmの透過率が50.1%のポリエチレンテレフタレートフィルムを用いた。Iaは12.4、Ivは39.0であり、密着確認性及び存在視認性は共に良好であった。
剥離フィルムとして、波長535nmの透過率が50.0%のポリエチレンテレフタレートフィルムを用いた。Iaは14.2、Ivは37.6であり、密着確認性及び存在視認性は共に良好であった。
剥離フィルムとして、波長535nmの透過率が61.8%のポリエチレンテレフタレートフィルムを用いた。Iaは10.2、Ivは39.2であり、密着確認性は不良であったが、存在視認性は良好であった。
剥離フィルムとして、波長535nmの透過率が90.8%のポリエチレンテレフタレートフィルムを用いた。Iaは27.7、Ivは8.8であり、密着確認性は良好であったが、存在視認性は不良であった。
剥離フィルムとして、波長535nmの透過率が89.2%のポリエチレンテレフタレートフィルムを用いた。Iaは30.4、Ivは9.1であり、密着確認性は良好であったが、存在視認性は不良であった。
剥離フィルムとして、波長535nmの透過率が87.5%のポリエチレンテレフタレートフィルムを用いた。Iaは22.0、Ivは7.5であり、密着確認性は良好であったが、存在視認性は不良であった。
剥離フィルムとして、波長535nmの透過率が10.7%のポリエチレンテレフタレートフィルムを用いた。Iaは0.7、Ivは69.3であり、密着確認性は不良であったが、存在視認性は良好であった。
102 プリント配線基板
103 シールド配線基板
110 絶縁保護層
111 導電性接着剤層
112 絶縁保護層
113 シールド層
115 剥離フィルム
121 絶縁フィルム
122 ベース部材
123 接着剤層
125 グランド回路
128 開口部
Claims (3)
- 絶縁保護層と、
前記絶縁保護層の表面を覆う剥離フィルムと、
前記絶縁保護層の前記剥離フィルムと反対側に設けられた導電性接着剤層とを備え、
前記剥離フィルムは、波長535nmにおける透過率が20%以上、80%以下であり、以下の式1により表される密着確認性指数Iaが11以上、以下の式2により表される存在視認性指数Ivが11以上である、電磁波シールドフィルム。
Ia=(ΔL*1 2+Δa*1 2+Δb*1 2)0.5 ・・・ (式1)
Iv=(ΔL*2 2+Δa*2 2+Δb*2 2)0.5 ・・・ (式2)
但し、ΔL*1は剥離前の剥離フィルム表面のL*値と剥離後の剥離フィルム表面のL*値との差であり、Δa*1は剥離前の剥離フィルム表面のa*値と剥離後の剥離フィルム表面のa*値との差であり、Δb*1は剥離前の剥離フィルム表面のb*値と剥離後の剥離フィルム表面のb*値との差である。ΔL*2は剥離前の剥離フィルム表面のL*値と剥離フィルムを剥離後の絶縁保護層表面のL*値との差であり、Δa*2は剥離前の剥離フィルム表面のa*値と剥離フィルムを剥離後の絶縁保護層表面のa*値との差であり、Δb*2は剥離前の剥離フィルム表面のb*値と剥離フィルムを剥離後の絶縁保護層表面のb*値との差である。なお、剥離後の剥離フィルムの表面とは、絶縁保護層と接していた面と反対側の面である。 - 前記絶縁保護層と前記導電性接着剤層との間に設けられたシールド層をさらに備えている、請求項1に記載の電磁波シールドフィルム。
- グランド回路を有するプリント配線基板と、
前記導電性接着剤層が前記グランド回路と接続されるように前記プリント配線基板の表面に接着された、請求項1又は2に記載の電磁波シールドフィルムとを備えている、シールド配線基板。
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