JP6582738B2 - 発光素子及び発光装置 - Google Patents

Description

本発明は、発光素子及び発光装置に関する。

近年、発光素子には、ＧａＮ系化合物半導体が用いられている。一般的なＧａＮ系化合物半導体からなる発光素子の構造として、サファイア単結晶基板を用いた場合、ｎ側半導体層、活性層、ｐ側半導体層がこの順で積層される。サファイア基板は絶縁体であるので、ｐ側半導体層上に形成されたｐ電極とｎ側半導体層上に形成されたｎ電極とが同一面側に存在する構造となる。このような発光素子には、透光性を有する電極をｐ電極に使用してｐ側半導体層側から光を取り出すフェイスアップ型と、Ａｇなどの光反射膜をｐ電極に使用してサファイア基板側から光を取り出すフェイスダウン型（フリップチップ型）との２種類がある。

発光素子をフェイスアップ型とする場合、透光性を有する電極として、例えばＮｉ／Ａｕなどの金属薄膜やＩＴＯなどの導電性を有する金属酸化膜などが用いられる。また、発光素子の表面は、透光性の絶縁材料からなる保護膜で被覆される（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１０−０８０５４２号公報

フェイスアップ型の発光素子では、発光素子の半導体積層体の上面側からだけでなく、保護膜を通って半導体積層体の側面からも光が取り出される。特許文献１に記載されているように、保護膜としては、絶縁性及び透光性に優れるＳｉＯ_２などの酸化物が用いられる。
ここで、半導体積層体は、例えばＧａＮの場合で屈折率が２．４程度であるが、保護膜として好適に用いられるＳｉＯ_２は、屈折率が１．５程度と、大きな屈折率差を有している。このため、半導体積層体の側面から外部に向かう光は、半導体積層体と保護膜との界面で反射される割合が多くなる。発光素子の内部で反射を繰り返すことで、光がパッド電極などに吸収され、外部への光の取り出し効率が低下することとなる。

一方で、半導体積層体の側面の近傍にｎパッド電極が設けられた領域では、当該側面から出射した光は、ｎパッド電極に比較的吸収され易い傾向にある。このため、ｎパッド電極が近傍に設けられた領域では、半導体積層体と保護膜との界面で光を反射させて、上面や他の領域の側面から光を取り出すようにする方が、光取り出し効率を高くすることができる。すなわち、単に保護膜の透過率を高くしても、必ずしも光の取り出し効率を向上させることができないと考えられる。

本発明に係る実施形態は、発光素子及びその発光素子を用いた発光装置の光取り出し効率を向上させることを課題とする。

本発明の実施形態に係る発光素子は、ｎ側半導体層と、前記ｎ側半導体層の上方であって前記ｎ側半導体層の一部の領域に設けられたｐ側半導体層と、を有する半導体積層体と、前記ｎ側半導体層の上方であって前記ｐ側半導体層が設けられた領域と異なる領域に設けられ、前記ｎ側半導体層と電気的に接続されるｎパッド電極と、前記半導体積層体の側面のうち、前記ｎパッド電極の側面と対向する第１側面に接して設けられる第１透光性膜と、前記半導体積層体の側面のうち、前記第１側面と異なる第２側面に接して設けられる第２透光性膜と、を備え、前記第２透光性膜の屈折率は、前記半導体積層体の屈折率よりも低く、前記第１透光性膜の屈折率よりも高いように構成する。

本発明の実施形態に係る発光素子によれば、半導体積層体のパッド電極と対向しない側面を、他の側面を被覆する第１透光性膜よりも屈折率の高い第２透光性膜で被覆するため、光取り出し効率を向上させることができる。

第１実施形態に係る発光素子の構成を示す平面図である。 第１実施形態に係る発光素子の構成を示す断面図であり、図１ＡのＩＢ−ＩＢ線における断面を示す。 第１実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光素子における第２透光性膜の一部を拡大して示す断面図である。 第１実施形態に係る発光素子に用いられる第１透光性膜及び第２透光性膜の透過率の波長依存性のシミュレーション結果を示すグラフである。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法において、半導体積層体形成工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法において、ｎ側半導体層露出工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法において、絶縁膜形成工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法において、透光性電極形成工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法において、第１透光性膜形成工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法において、第２透光性膜形成工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法において、第１透光性膜開口形成工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法において、パッド電極形成工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法において、個片化工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法において、発光素子実装工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法において、封止工程を示す断面図である。 第２実施形態に係る発光素子の構成を示す平面図である。 第２実施形態に係る発光素子において、第１領域と第２領域とを示す平面図である。

以下、実施形態に係る発光素子及び発光装置について説明する。
なお、以下の説明において参照する図面は、実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、平面図とその断面図において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。

また、各実施形態に係る発光素子及び発光装置において、「上」、「下」、「左」及び「右」などは、状況に応じて入れ替わるものである。本明細書において、「上」、「下」などは、説明のために参照する図面において構成要素間の相対的な位置を示すものであって、特に断らない限り絶対的な位置を示すことを意図したものではない。

＜第１実施形態＞
［発光装置の構成］
第１実施形態に係る発光素子及びその発光素子を用いた発光装置の構成について、図１Ａ〜図３を参照して説明する。
本実施形態に係る発光素子１は、図１Ａに示すように、平面視で略正方形に形成され、基板１１と、半導体積層体１２と、ｎ電極１３と、透光性電極１４と、ｐ電極１５と、絶縁膜１６と、第１透光性膜１７と、第２透光性膜１８とを備えて構成されている。発光素子１は、基板１１上に、半導体積層体１２と、半導体積層体１２の一方の面側にｎ電極１３、透光性電極１４及びｐ電極１５とを備え、フェイスアップ型の実装に適した構造を有している。
また、本実施形態に係る発光装置１００は、図２に示すように、発光素子１が実装基板２に実装され、発光素子１が封止部材４によって被覆されて構成されている。
なお、図１Ａに示した平面図において、第１透光性膜１７及び第２透光性膜１８の外形線は省略している。

基板１１は、半導体積層体１２を支持するものである。また、基板１１は、半導体積層体１２をエピタキシャル成長させるための成長基板であってもよい。基板１１としては、例えば、半導体積層体１２に窒化物半導体を用いる場合、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）基板を用いることができる。

半導体積層体１２は、基板１１の上面である一方の主面上に、ｎ側半導体層１２ｎと、ｎ側半導体層１２ｎの上方であってｎ側半導体層１２ｎの一部の領域に設けられたｐ側半導体層１２ｐと、が積層されてなる。半導体積層体１２は、ｎ側半導体層１２ｎの上方であってｐ側半導体層１２ｐが設けられた領域と異なる領域に設けられ、かつｎ側半導体層１２ｎと電気的に接続されたｎ電極１３と、ｐ側半導体層１２ｐの上方に設けられ、かつｐ側半導体層１２ｐと電気的に接続されたｐ電極１５との間に電流を通電することにより発光するようになっている。半導体積層体１２は、ｎ側半導体層１２ｎとｐ側半導体層１２ｐとの間に活性層１２ａを備えることが好ましい。
なお、発光領域（本実施形態では、活性層１２ａがこれに相当する）を基準として、ｎ電極１３が接続される側の半導体がｎ側半導体層１２ｎであり、ｐ電極１５が接続される側の半導体がｐ側半導体層１２ｐである。

半導体積層体１２には、ｐ側半導体層１２ｐ及び活性層１２ａが部分的に存在しない領域、すなわちｐ側半導体層１２ｐの表面から凹んで、上面側にｎ側半導体層１２ｎが露出した領域が形成されている。ｎ側半導体層１２ｎが露出した領域は、ｎ電極１３を設けるための第１領域１２１と、半導体積層体１２の外縁を含む第２領域１２２と、が含まれている。
なお、第１領域１２１及び第２領域１２２のそれぞれの底面及び側面は、完成した発光素子１においては、ｎ電極１３、第１透光性膜１７、第２透光性膜１８などによって被覆されているが、本明細書において半導体積層体１２の構成を説明する際に、便宜的に「露出」していると言うことがある。

第１領域１２１は、平面視において半導体積層体１２の中央領域に略Ｃ字形状に設けられている。第１領域１２１の底面には、その略Ｃ字形状に沿ってｎ電極１３が設けられている。また、第２領域１２２は、平面視において半導体積層体１２の略正方形の外縁に沿って設けられており、ウエハ状態の発光素子１を個々に区画する境界線に沿った領域である境界領域（いわゆる、ダイシングストリート）に設けられる。
第１領域１２１の側面１２１ａ及び第２領域１２２の側面１２２ａは、何れも半導体積層体１２の側面であって、ｐ側半導体層１２ｐ及び活性層１２ａが露出した端面である。このような半導体積層体１２の側面のうち、第１領域１２１の側面（第１側面）１２１ａには第１透光性膜１７が接して設けられ、第１領域１２１の側面１２１ａと異なる側面である第２領域１２２の側面（第２側面）１２２ａには第２透光性膜１８が接して設けられている。

第１領域１２１の側面１２１ａは、第１領域１２１の底面に設けられたｎ電極１３の側面と対向している。ｎ電極１３は、金属材料を用いて構成され、比較的に光の吸収率が高い。このため、側面１２１ａに、屈折率が比較的低い第１透光性膜１７を設けることで、半導体積層体１２と第１透光性膜１７との界面である側面１２１ａが光反射面として機能するように構成されている。これによって、側面１２１ａからｎ電極１３に向けて出射する光量が低減され、ｎ電極１３での光吸収による光量損失を低減することができる。

第２領域１２２にはｎ電極１３のような光取り出しの障害となる部材が設けられていない。このため、側面１２２ａから良好に光が取り出されるように、第１透光性膜１７に代えて、半導体積層体１２よりも屈折率が低く、かつ、第１透光性膜１７よりも屈折率が高い材料を用いた第２透光性膜１８を設けている。これによって、第２透光性膜１８と半導体積層体１２との屈折率差が、第１透光性膜１７と半導体積層体１２との屈折率差よりも小さくなり、第２透光性膜１８と半導体積層体１２との界面における光反射を低減することができる。言い換えれば、第２透光性膜１８の光の透過率を、第１透光性膜１７の透過率よりも高くすることができる。
なお、第１透光性膜１７及び第２透光性膜１８による光の透過率の詳細については、後記する。

半導体積層体１２を構成するｎ側半導体層１２ｎ、活性層１２ａ及びｐ側半導体層１２ｐの材料としては、例えば、Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）で表される窒化物半導体を用いることができる。

透光性電極１４は、ｐ側半導体層１２ｐの上面の略全面を覆うように設けられ、ｐ電極１５を介して外部から供給される電流を、ｐ側半導体層１２ｐの全面に拡散させるための電流拡散層としての機能を有するものである。ここで略全面とは、ｐ側半導体層１２ｐの上面において、第１領域１２１に沿った内縁の領域及び第２領域１２２に沿った外縁の領域以外の領域をいう。例えば、透光性電極１４は、ｐ側半導体層１２ｐの上面のうち９０％以上の面に設けられているのが好ましい。
なお、ｐ電極１５が配置された領域の直下領域及びその近傍領域においては、ｐ側半導体層１２ｐの上面に絶縁膜１６が配置されており、透光性電極１４は絶縁膜１６を介してｐ側半導体層１２ｐ上に設けられている。

発光素子１がフェイスアップ実装型である場合、半導体積層体１２が発光した光は、主として、透光性電極１４を介して上面側から外部に取り出される。このため、透光性電極１４は、半導体積層体１２が発する光の波長に対して良好な透光性を有することが好ましい。
透光性電極１４に用いられる透光性導電材料としては、金属薄膜や導電性金属酸化物を挙げることができる。更に、導電性金属酸化物としては、Ｚｎ（亜鉛）、Ｉｎ（インジウム）、Ｓｎ（スズ）、Ｇａ（ガリウム）及びＴｉ（チタン）からなる群から選択された少なくとも１種の元素を含む酸化物が挙げられる。なかでも、ＩＴＯ（ＳｎドープＩｎ_２Ｏ_３）は、可視光（可視領域）において高い透光性を有し、導電率の高い材料であることから、ｐ側半導体層１２ｐ上の上面の略全面を覆うのに好適な材料である。

ｎ電極１３は、半導体積層体１２の第１領域１２１において、ｎ側半導体層１２ｎと電気的に接続されるように設けられ、発光素子１に外部からの電流を供給するためのパッド電極（ｎパッド電極）である。ｎ電極１３は、ワイヤボンディングなどによる外部との接続に適するように、例えば、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ又はこれらの何れかの金属を主成分とする合金を用いることができる。また、ｎ電極１３の最下層（ｎ側半導体層１２ｎ側）として、光反射性の良好な金属材料を用いた光反射層を設けるようにしてもよい。光反射性の良好な金属材料としては、Ａｌ、Ｒｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ又はこれらの何れかの金属を主成分とする合金を有するものを挙げることができる。
なお、ｎ電極１３は、外部接続部１３ａ及び延伸部１３ｂが、ともに同じ材料で構成されている。

また、ｎ電極１３は、平面視において略Ｃ字形状の第１領域１２１の形状に倣って設けられている。ｎ電極１３は、当該Ｃ字形状の中央部近傍に円形状に形成された外部接続部１３ａと、外部接続部１３ａから円弧状に延伸する延伸部１３ｂと、から構成されている。外部接続部１３ａは、外部と接続するための領域であり、延伸部１３ｂは、外部接続部１３ａから供給される電流を、ｎ側半導体層１２ｎの全領域に効率的に拡散させるための機能を有する。

ｐ電極１５は、発光素子１に外部からの電流を供給するためのパッド電極（ｐパッド電極）であり、透光性電極１４の上面の一部に設けられている。ｐ電極１５は、透光性電極１４を介してｐ側半導体層１２ｐと電気的に接続されており、平面視で略円形状に形成された外部接続部１５ａと、外部接続部１５ａから延伸して、平面視でｐ側半導体層１２ｐ上の広範囲に配置された延伸部１５ｂと、から構成されている。外部接続部１５ａは、外部と接続するための領域であり、延伸部１５ｂは、外部接続部１５ａから供給される電流を、透光性電極１４の全領域に効率的に拡散させるための機能を有する。
なお、延伸部１５ｂは、平面視で、ｎ電極１３を囲むように円弧状に延伸した部分と、当該円弧の途中から分岐して直線状に延伸する部分と、外部接続部１５ａからｎ電極１３の外部接続部１３ａに向かって直線状に延伸する部分とを有している。また、ｎ電極１３の外部接続部１３ａとｐ電極１５の外部接続部１５ａとは、平面視で略正方形である発光素子１の一方の対角線上に離間して配置されている。
また、前記したように、平面視でｐ電極１５が配置された領域の直下領域及びその近傍領域において、ｐ側半導体層１２ｐと透光性電極１４の間に絶縁膜１６が設けられている。

ｐ電極１５は、外部接続部１５ａが、前記したｎ電極１３の外部接続部１３ａと同様に、ワイヤボンディングなどによる外部との接続に適するように、例えば、Ｃｕ、Ａｕ又はこれらの何れかの金属を主成分とする合金を用いることができる。また、ｐ電極１５は、前記したｎ電極１３と同様に、最下層（透光性電極１４側）として、光反射層を設けるようにしてもよい。
なお、ｐ電極１５は、外部接続部１５ａ及び延伸部１５ｂが、ともに同じ材料で構成されている。

絶縁膜１６は、ｐ側半導体層１２ｐ上であって、ｐ電極１５が配置された領域の直下領域及びその近傍領域に、平面視でｐ電極１５を包含するように設けられている。絶縁膜１６がｐ側半導体層１２ｐと透光性電極１４との間に設けられることにより、ｐ電極１５の直下領域のｐ側半導体層１２ｐに流れる電流を抑制し、当該領域での発光を低減させることができる。そして、ｐ電極１５に向かって伝播する光量を低減させることでｐ電極１５によって吸収される光量を低減し、その結果として、半導体積層体１２全体の発光量に対する光取り出し効率を高めることができる。

また、絶縁膜１６は、透光性を有する材料で構成されることが好ましく、更に半導体積層体１２よりも屈折率が低いことがより好ましい。このような材料を用いた絶縁膜１６をｐ側半導体層１２ｐ上に設けることにより、ｐ側半導体層１２ｐと絶縁膜１６との界面で、半導体積層体１２内を上方に伝播する光を、屈折率差に基づく界面反射に加えて、スネルの法則に基づいて全反射させることができる。従って、絶縁膜１６をｐ電極１５の直下領域及びその近傍領域に設け、ｐ電極１５に向かう光を手前で効率的に反射させることにより、ｐ電極１５による光吸収を低減させることができる。
絶縁膜１６としては、例えば、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３などの酸化物、Ｓｉ_３Ｎ_４などの窒化物、ＭｇＦ_２などのフッ化物を好適に用いることができる。これらの中で、屈折率が低いＳｉＯ_２をより好適に用いることができる。
なお、絶縁膜１６は設けないようにしてもよい。

第１透光性膜１７は、絶縁性を有し、ｎ電極１３及びｐ電極１５が設けられた領域を除く透光性電極１４の上面及び側面、並びに、第１領域１２１の上面及び側面１２１ａを被覆するように設けられている保護膜である。
また、第１透光性膜１７は、特に第１領域１２１の側面１２１ａにおいて、半導体積層体１２との界面が、第２透光性膜１８と比較して高効率な光反射面として機能するように設けられる。そのために、第１透光性膜１７は、半導体積層体１２よりも屈折率が低く、更に第２透光性膜１８よりも屈折率の低い材料が用いられる。

また、第１透光性膜１７の屈折率を半導体積層体１２よりも低くすることで、半導体積層体１２との界面を、スネルの法則に基づく全反射面として機能させることができる。
このため、第１透光性膜１７は、半導体積層体１２との界面がスネルの法則に基づく全反射面として機能するのに十分な膜厚で形成することが好ましく、発光素子１が発する光の真空中での波長をλ、第１透光性膜１７の屈折率をｎとすると、第１透光性膜１７の膜厚は、λ／（４・ｎ）の２倍以上とすることが好ましく、３倍以上とすることが更に好ましい。

ここで、屈折率の異なる２つの媒体Ａ，Ｂの界面に垂直に入射する光の反射率Ｒは、２つの媒体Ａ，Ｂの屈折率をｎ_Ａ，ｎ_Ｂとすると、式（１）によって算出することができる。
Ｒ＝｛（ｎ_Ａ−ｎ_Ｂ）／（ｎ_Ａ＋ｎ_Ｂ）｝^２ ・・・（１）
すなわち、屈折率差が大きいほど、光の反射率を高くすることができる。
また、半導体積層体１２との屈折率差が大きいほど、スネルの法則に基づく全反射の臨界角が小さくなり、様々な角度で界面に入射する光の内で、全反射される割合を高くすることができる。
従って、第１透光性膜１７の屈折率を第２透光性膜１８よりも低くすることで、第２透光性膜１８よりも光の反射率を高くすることができる。
第１透光性膜１７としては、前記した絶縁膜１６と同様の材料を用いることができるが、透光性が良好で、かつ、屈折率が比較的低いＳｉＯ_２を好適に用いることができる。

また、第１透光性膜１７は、前記したように透光性電極１４を被覆している。このため、発光素子１の上面側からは、半導体積層体１２、透光性電極１４及び第１透光性膜１７を透過して光が取り出される。このとき、半導体積層体１２、透光性電極１４、第１透光性膜１７の順で、外側ほど屈折率が低くなるように材料を選択することが好ましい。このような組み合わせとして、例えば、半導体積層体１２にＧａＮ、透光性電極１４にＩＴＯ、第１透光性膜１７にＳｉＯ_２を用いることができる。これによって、発光素子１の上面側からの光取り出し効率を向上させることができる。

ここで、前記した発光素子１の上面側の光取り出し効率の向上について説明する。半導体積層体１２から外部までの光取り出しの経路において、ＧａＮとＳｉＯ_２との界面のような屈折率差の大きな界面を有すると光透過率が低下する。反対に、界面の数が増加しても、各界面での屈折率差を小さくすることで、全経路の光透過率を高くすることができる。例えば、ＧａＮ／ＩＴＯ／ＳｉＯ_２が積層された発光素子１の上面側の光取り出し経路は、ＧａＮ／ＳｉＯ_２が積層された第１領域１２１の側面の光取り出し経路よりも、光透過率を高くすることができる。

第２透光性膜１８は、絶縁性を有し、半導体積層体１２の第２領域１２２の側面１２２ａ及び上面を被覆するように設けられる保護膜である。第２透光性膜１８は、半導体積層体１２よりも屈折率が低く、かつ、第１透光性膜１７よりも屈折率の高い材料が用いられる。これによって、半導体積層体１２との屈折率差が小さくなるため、半導体積層体１２との界面での光反射が低減される。すなわち、第２透光性膜１８の光の透過率が第１透光性膜１７よりも高くなるように構成されている。
第２領域１２２において、第１透光性膜１７よりも光の透過率が高い第２透光性膜１８を設けることで、側面１２２ａにおける半導体積層体１２からの光取り出しを効率よく行うことができる。

なお、第２透光性膜１８の端部は、第１透光性膜１７の端部を外側から被覆するように設けられている。第１透光性膜１７と第２透光性膜１８との境界で、これらの膜が重なるように設けることで、保護膜としてのバリア機能が低下しないようにすることができる。

また、第２透光性膜１８は、ＡＲ（Anti-Reflection；反射防止）膜とすることが好ましい。第２透光性膜１８の膜厚を、次のようにして定められる膜厚とすることでＡＲ膜とすることができる。
第２透光性膜１８の屈折率をｎ、発光素子１が発する光の真空中での波長をλとすると、膜厚ｔは、式（２）で定められる。
ｔ ＝ λ／（４・ｎ） ・・・（２）
式（２）に示すように、第２透光性膜１８中を伝播する際の光の波長の４分の１の膜厚とすることで、波長λの光の反射率を最小とすることができる。

また、第２透光性膜１８は、単一層に限らず、図３に示したように、屈折率の異なる透光性材料を２層以上を積層した多層膜とすることもできる。図３に示した例では、第２透光性膜１８は、膜厚ｔ_１、屈折率ｎ_１の第１層１８１と、膜厚ｔ_２、屈折率ｎ_２の第２層１８２と、が積層された２層膜である。
この場合、第１層１８１の膜厚ｔ_１及び第２層１８２の膜厚ｔ_２は、それぞれ式（２−１）及び式（２−２）に基づいて、
ｔ_１ ＝ λ／（４・ｎ_１） ・・・（２−１）
ｔ_２ ＝ λ／（４・ｎ_２） ・・・（２−２）
のように定められる。
３層以上であっても同様にして膜厚を定めることができる。
なお、第２透光性膜１８を多層膜で構成する場合は、各膜の屈折率は互いに異なる材料が用いられる。また、第２透光性膜１８を多層膜で構成する場合は、外側の層ほど順次に屈折率が低くなるように構成することが好ましい。これによって、多層膜内の各界面での屈折率差を小さくできるため、多層膜全体としての光反射を抑制することができる。その結果として、第２透光性膜１８の光の透過率を高くすることができる。

また、図２に示した発光装置１００のように、発光素子１を透光性の封止部材４を用いて封止して用いる場合は、第２透光性膜１８は、封止部材４より屈折率が高いことが好ましい。これによって、半導体積層体１２と第２透光性膜１８との屈折率差、及び第２透光性膜１８と封止部材４との屈折率差の何れもが大きくならないため、これらの界面での光反射が抑制される。その結果として、封止部材４を設けた際の、第２透光性膜１８の光の透過率を高くすることができる。

更に、第２透光性膜１８を１層構成のＡＲ膜とする場合に、その屈折率をｎ_１、半導体積層体１２の屈折率をｎ_ｓ、第２透光性膜１８が外側で接する媒質（封止部材４や空気など）の屈折率をｎ_０とすると、これらの屈折率が式（３−１）の関係を満足するように屈折率ｎ_１を定めることが好ましい。これによって、理論上は当該波長λの光の反射率を０％、すなわち光の透過率を１００％とすることができる。但し、第２透光性膜１８の媒質（材料）による光の吸収は無視するものとする。
ｎ_１・ｎ_１＝ｎ_０・ｎ_ｓ ・・・（３−１）
但し、ｎ_０＜ｎ_１＜ｎ_ｓ を満たすものとする。

同様に、２層構成のＡＲ膜の場合は、外側の層から順に屈折率をｎ_１，ｎ_２とすると、式（３−２）の関係を満足するように屈折率ｎ_１，ｎ_２を定めることが好ましい。また、３層構成のＡＲ膜の場合は、外側の層から順に屈折率をｎ_１，ｎ_２，ｎ_３とすると、式（３−３）の関係を満足するように屈折率ｎ_１，ｎ_２，ｎ_３を定めることが好ましい。
ｎ_２・ｎ_２・ｎ_０＝ｎ_１・ｎ_１・ｎ_ｓ ・・・（３−２）
ｎ_１・ｎ_３＝ｎ_２・√（ｎ_０・ｎ_ｓ） ・・・（３−３）
但し、ｎ_０＜ｎ_１＜ｎ_２＜ｎ_３＜ｎ_ｓ を満たすものとする。

（透過率のシミュレーション）
ここで、第２透光性膜１８及び第１透光性膜１７の光の透過率について、図４を参照して説明する。図４において、「保護膜」が第１透光性膜１７に対応し、「ＡＲ膜」が第２透光性膜１８に対応する。
なお、図４は、外側に透光性の封止部材４を設けた場合に、半導体積層体１２と、ＡＲ膜（第２透光性膜１８）又は保護膜（第１透光性膜１７）との界面に垂直に入射した光の、当該ＡＲ膜及び保護膜の光の透過率の波長依存性をシミュレーションによって算出した結果を示すものである。
図４において、１〜３層構成のＡＲ膜及び屈折率の異なる２種類の材料を用いた保護膜についてのシミュレーション結果を示している。また、参考のため、ＡＲ膜及び保護膜の何れも設けない場合（保護膜なし）について、半導体積層体１２と封止部材４との界面を透過する光の透過率のシミュレーション結果も示している。

各膜のシミュレーション条件を以下に示す。
（各膜のシミュレーション条件）
「膜の名称」：材料：屈折率：膜厚［ｎｍ］
「ＡＲ膜（１層）」：材料（ＮＳＯ）：屈折率（１．９４）：膜厚（５８．６）
「ＡＲ膜（２層）」：材料（ＮＳＯ（内側）／ＳｉＯＮ（外側））：屈折率（２．０８／１．６７）：膜厚（５４．７／６８．２）
「ＡＲ膜（３層）」：材料（ＮＳＯ（内側）／ＳｉＯＮ／ＳｉＯＮ（外側））：屈折率（２．０８／１．７２／１．６）：膜厚（５４．７／６６．２／７１．１）
「保護膜（ＳｉＯ_２）」：材料（ＳｉＯ_２）：屈折率（１．４９）／膜厚（２１５）
「保護膜（ＳｉＯＮ）」：材料（ＳｉＯＮ）：屈折率（１．６５）／膜厚（１４０）
「保護膜なし」：材料なし

（その他のシミュレーション条件）
半導体積層体：材料（ＧａＮ）：屈折率（２．４２）
封止部材：材料（シリコーン樹脂）：屈折率（１．５５）
真空中での光の波長λ（設計波長）：４５５［ｎｍ］

但し、材料「ＮＳＯ」は、Ｎｂ_２Ｏ_５とＳｉＯ_２の混合物を示し、材料「ＳｉＯＮ」は、ＳｉＯ_２とＳｉ_３Ｎ_４との混合物を示す。また、それぞれの混合物は組成が可変であり、混合物の組成を適宜に変更することで、「ＮＳＯ」は１．５〜２．４程度の範囲で、「ＳｉＯＮ」は１．５〜２．１程度の範囲で、それぞれ屈折率を調整することができる。
なお、ＡＲ膜の各層の膜厚ｔは、各層の屈折率をｎ_ｉ、光の真空中での波長をλとした場合に、ｔ＝λ／（４・ｎ_ｉ）で定められる厚さである。また、ＡＲ膜の各層の屈折率は、前記した式（３−１）〜式（３−３）を満足するように設定している。

（シミュレーション結果）
図４に示すように、従来の保護膜を設けた場合（「保護膜（ＳｉＯ_２）」、「保護膜（ＳｉＯＮ）」）や保護膜を設けない場合（「保護膜なし」）よりも、ＡＲ膜を設けた場合（「ＡＲ膜（１層）」、「ＡＲ膜（２層）」、「ＡＲ膜（３層）」）の方が、透過率が高いことが分かる。特に、媒質による光の吸収を無視すれば、発光素子の発光のピーク波長を想定した設計波長である４５５ｎｍにおける透過率は１００％である。また、ＡＲ膜を設けた場合は、設計波長よりも短波長側及び長波長側においても、保護膜を設けた場合及び保護膜なしの場合よりも、高い透過率を有していることが分かる。

また、ＡＲ膜は、短波長側において透過率の低下がやや大きくなるが、屈折率の異なる膜の積層数を増やすほど、４５５ｎｍよりも長波長側における透過率が高く維持されることが分かる。従って、発光装置の構成として、例えば波長変換物質（蛍光体）を含有する封止部材を備え、発光素子が発する光の一部を長波長側に光に波長変換する場合には、多層のＡＲ膜を設けることが好ましい。波長変換物質が波長変換した光の一部は、発光素子に入射されるが、多層のＡＲ膜を設けることで、発光素子内に入射した長波長光を、当該発光素子の外へ取り出し易くすることができる。

図１Ａ〜図３に戻って、第１実施形態に係る発光装置１００の構成について説明する。
実装基板２は、発光素子１を実装するための基板である。そのために、実装基板２は、絶縁性の基体２１と、基体２１の上面に発光素子１を実装するための上部配線２２と、基体２１の下面に他の回路基板などに２次実装するための下部配線２３と、上部配線２２及び下部配線２３を電気的に接続するために基体２１を厚さ方向に貫通するビア２４と、を備えている。
発光素子１は、実装基板２の上面にダイボンドされ、ｎ電極１３及びｐ電極１５が、それぞれ対応する極性の上部電極１１２とワイヤ３を用いて電気的に接続されている。また、実装基板２の上面には、発光素子１を被覆する略半球状の封止部材４が設けられている。

なお、実装基板２は一例を示したものであり、これに限定されるものではなく、発光素子１を実装し、発光素子１が封止部材４で封止可能な形態であればよい。例えば、実装基板２は、発光素子１を搭載するキャビティを備え、当該キャビティに封止部材を充填することで発光素子１を封止する構成のセラミックパッケージや樹脂パッケージであってもよい。また、一対のリードフレームに発光素子１を実装し、リードフレームの外部接続部を除いて、全体を樹脂などで封止する構成のものであってもよい。

封止部材４は、実装基板２の上面に実装された発光素子１及びワイヤ３などを、外部環境から保護するための透光性を有する部材である。
封止部材４の材料としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂などを好適に用いることができる。また、このような樹脂材料には、適宜に、波長変換物質（蛍光体）、着色剤、光拡散性物質、その他のフィラーを含有させてもよい。
また、封止部材４は樹脂材料に限定されず、ガラスなどの耐光性に優れた無機材料を用いることもできる。

波長変換物質である蛍光体材料としては、例えば、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体、ＬＡＧ（ルテチウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体、ＫＳＦ（Ｋ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ）系蛍光体などの当該分野で公知のものを使用することができる。

なお、封止部材４は、発光素子１と接するように設けられることに限らず、空気、窒素ガス、その他の不活性ガスなどの気体又は真空の層を介して発光素子１を気密封止するカバー部材であってもよい。この場合において、第２透光性膜１８としてＡＲ膜を用いるときは、ＡＲ膜の外側と接する空気層などの媒質との間で、前記した式（３−１）〜式（３−３）などの関係を満足するように材料を選択することが好ましい。従って、第２透光性膜１８の外側と接する媒質が空気などのように低屈折率の場合には、第２透光性膜１８は、その外側と接する媒質よりも高い屈折率を有する材料を用いればよい。

［発光装置の動作］
次に、第１実施形態に係る発光装置１００の動作について、図１Ａ〜図２を参照して説明する。
発光素子１は、実装基板２及びワイヤ３を介して外部接続部１３ａ及び外部接続部１５ａに外部電源が接続されると、ｎ側半導体層１２ｎ及びｐ側半導体層１２ｐ間に電流が供給されて活性層１２ａが発光する。
発光素子１の活性層１２ａが発した光は、半導体積層体１２内を伝播して、透光性電極１４及び第１透光性膜１７を通って、又は第２透光性膜１８を通って、発光素子１の上面又は側面から出射する。発光素子１から出射した光は、更に封止部材４を通って、発光装置１００の外部に取り出される。

より詳細には、半導体積層体１２の第１領域１２１の側面１２１ａに入射した光は、一部は、第１透光性膜１７を透過してｎ電極１３の側面に照射されるが、他の部分は、反射率の高い第１透光性膜１７で反射されて半導体積層体１２内に戻される。半導体積層体１２に戻された光は、上面や他の領域の側面を通って発光素子１から取り出される。
また、半導体積層体１２の第２領域１２２の側面１２２ａに入射した光は、一部は第２透光性膜１８で反射されて半導体積層体１２内に戻されるが、他の部分は、透過率の高い第２透光性膜１８を透過し、更に封止部材４を通って外部に取り出される。
このようにｎ電極１３が設けられていない第２領域１２２の側面１２２ａからは光を出射し易くするように第２透光性膜１８を配置するとともに、光を吸収し易いｎ電極１３が設けられている第１領域１２１の側面１２１ａではより多くの光を反射して半導体積層体１２に戻すように第１透光性膜１７を配置することで、光の外部への取り出し効率を高めることができる。

また、封止部材４に波長変換物質が含有されている場合は、発光素子１から取り出された光の少なくとも一部は、波長変換物質によって長波長側の光に波長変換される。波長変換され光は、封止部材４を通って外部に取り出されるが、一部は発光素子１内に入射される。従って、波長変換された光についても、その一部が半導体積層体１２の側面から取り出されることになる。
第２領域１２２の側面１２２ａに、第２透光性膜１８として、好ましくはＡＲ膜を設けることで、より好ましくは多層のＡＲ膜を設けることで、発光素子１の発光波長よりも長い波長の光を、高い透過率で透過させることができる。その結果、発光装置１００からの光取り出し効率を高めることができる。

［発光装置の製造方法］
次に、発光装置１００の製造方法について、図５を参照して説明する。
本実施形態に係る発光装置１００の製造方法は、発光素子製造工程Ｓ１０と、発光装置製造工程Ｓ２０と、が含まれている。
発光素子製造工程Ｓ１０には、半導体積層体形成工程Ｓ１０１と、ｎ側半導体層露出工程Ｓ１０２と、絶縁膜形成工程Ｓ１０３と、透光性電極形成工程Ｓ１０４と、第１透光性膜形成工程Ｓ１０５と、第２透光性膜形成工程Ｓ１０６と、第１透光性膜開口形成工程Ｓ１０７と、パッド電極形成工程Ｓ１０８と、個片化工程Ｓ１０９と、が含まれている。
発光装置製造工程Ｓ２０には、発光素子実装工程Ｓ２０１と、封止工程Ｓ２０２と、が含まれている。
以下、各工程について、図６Ａ〜図７Ｂを参照（適宜図１Ａ〜図３及び図５参照）して詳細に説明する。

（発光素子製造工程Ｓ１０）
まず、半導体積層体形成工程Ｓ１０１において、図６Ａに示すように、基板１１上に半導体積層体１２を形成する。
この工程では、例えば、サファイアからなる基板１１の一方の主面上に、前記した窒化物半導体材料を用いて、ＭＯＣＶＤ法によりｎ側半導体層１２ｎ、活性層１２ａ及びｐ側半導体層１２ｐを順次に積層することで、半導体積層体１２を形成する。
なお、発光素子製造工程Ｓ１０の各工程は、１枚の基板１１のウエハ上に、複数の発光素子１が形成されるウエハレベルプロセスで行われる。すなわち、基板１１上に複数の発光素子１が１次元又は２次元に配列するように形成される。

次に、ｎ側半導体層露出工程Ｓ１０２において、図６Ｂに示すように、ｎ電極１３を形成するための第１領域１２１と、複数の発光素子１を区画する仮想線である境界線ＢＤに沿った領域、すなわち個々の発光素子１の外縁を含む領域である第２領域１２２とに、ｎ側半導体層１２ｎが露出した領域を形成する。
第２領域１２２は、後記する個片化工程Ｓ１０９において発光素子１を切断する際の境界領域（ダイシングストリート）である。
第１領域１２１及び第２領域１２２は、例えば、フォトリソグラフィ法により、第１領域１２１及び第２領域１２２を形成する領域に開口部を有するレジストパターンを形成した後、当該レジストパターンをエッチングマスクとして、半導体積層体１２を上面側からｎ側半導体層１２ｎが露出するまでエッチングすることで形成することができる。

次に、絶縁膜形成工程Ｓ１０３において、図６Ｃに示すように、ｐ側半導体層１２ｐ上の、ｐ電極１５を配置する予定領域及びその近傍領域に、絶縁膜１６を形成する。
絶縁膜１６は、例えば、半導体積層体１２の表面全体に、ＳｉＯ_２などの材料を用いて、スパッタリング法により成膜し、その後にリフトオフ法によりパターニングすることで形成することができる。

次に、透光性電極形成工程Ｓ１０４において、図６Ｄに示すように、ｐ側半導体層１２ｐ及び絶縁膜１６の上面の略全領域を被覆するように透光性電極１４を形成する。透光性電極１４は、例えば、ＩＴＯなどの材料を用いて、スパッタリング法により成膜し、その後にフォトリソグラフィ法で形成したエッチングマスクを用いてエッチングすることで形成することができる。

次に、第１透光性膜形成工程Ｓ１０５において、図６Ｅに示すように、ＳｉＯ_２などの材料を用いて、スパッタリング法や蒸着法などにより、第１透光性膜１７を形成する。第１透光性膜１７のパターニングは、フォトリソグラフィ法によって形成されるマスクを用いたエッチング法によって行うことができる。
なお、この工程では、第１透光性膜１７は、第２領域１２２を被覆しないように形成する。

次に、第２透光性膜形成工程Ｓ１０６において、図６Ｆに示すように、ＮＳＯ、ＳｉＯＮなどの材料を用いて、スパッタリング法や蒸着法などにより、第２透光性膜１８を形成する。第２透光性膜１８のパターニングは、リフトオフ法により行うことができる。
第２透光性膜１８は、第２領域１２２を被覆するように設けられるが、その端部が第１透光性膜１７と重なるように設けることが好ましく、更に第１透光性膜１７の上面にまで延在するように設けるようにしてもよい。第２透光性膜１８の端部が、第１透光性膜１７と重なるように設けることで、保護膜としてのバリア性を高めることができる。

次に、第１透光性膜開口形成工程Ｓ１０７において、図６Ｇに示すように、第１領域１２１にｎ側半導体層１２ｎを露出させる開口部１７ｎを形成するとともに、透光性電極１４の上面に、透光性電極１４を露出させる開口部１７ｐを形成する。
この工程では、フォトリソグラフィ法によって第１領域１２１の底面及び透光性電極１４上に、ｎ電極１３及びｐ電極１５を設けるための領域に開口を有するマスクを形成し、当該マスクの開口内の第１透光性膜１７をエッチングにより除去する。これによって、第１領域１２１の底面にｎ側半導体層１２ｎを露出させるとともに、透光性電極１４の上面の一部を露出させる。

次に、パッド電極形成工程Ｓ１０８において、図６Ｈに示すように、開口部１７ｎにｎ側半導体層１２ｎと接続するｎ電極１３を、開口部１７ｐに透光性電極１４と接続するｐ電極１５を、それぞれ形成する。
この工程では、第１透光性膜開口形成工程Ｓ１０７でエッチングに用いたマスクを除去せずに、ｎ電極１３及びｐ電極１５として、前記した金属材料を用いて、スパッタリング法、蒸着法などにより金属膜を成膜する。そして、マスクを除去することで、すなわち、リフトオフ法により金属膜をパターニングすることでｎ電極１３及びｐ電極１５を形成することができる。
なお、ｎ電極１３とｐ電極１５とに同じ材料を用いる場合は、同時に形成することができる。また、ｎ電極１３とｐ電極１５とに異なる材料を用いる場合には、それぞれ別の工程で行うようにすればよい。

次に、個片化工程Ｓ１０９において、図６Ｉに示すように、第２領域１２２上に設定された境界線ＢＤに沿って、ダイシング法やスクライビング法などにより切断することで、発光素子１を個片化する。
なお、ウエハを切断する前に、基板１１の裏面を研磨して薄肉化するようにしてもよい。また、個片化する前に、又は個片化した後で、基板１１の裏面側に金属やＤＢＲ（分布ブラッグ反射鏡）膜などからなる反射層を設けるようにしてもよい。
以上の工程を行うことによって、発光素子１を形成することができる。

（発光素子製造工程Ｓ１０の変形例）
パッド電極形成工程Ｓ１０８は、第１透光性膜形成工程Ｓ１０５の前に行うようにしてもよい。すなわち、先にｎ電極１３及びｐ電極１５を形成し、その後に第１透光性膜１７及び第２透光性膜１８を形成するようにしてもよい。なお、この場合は、第１透光性膜形成工程Ｓ１０５において、パッド電極であるｎ電極１３及びｐ電極１５が露出するように第１透光性膜１７をパターニングする。

（発光装置製造工程Ｓ２０）
次に、発光素子実装工程Ｓ２０１において、図７Ａに示すように、実装基板２に、発光素子１を実装する。この工程において、発光素子１は、実装基板２の所定位置に、樹脂や半田などのダイボンド部材を用いて接合される。そして、ｎ電極１３及びｐ電極１５の外部接続部１３ａ，１５ａは、それぞれ実装基板２の対応する極性の上部配線２２と、ワイヤ３を用いて電気的に接続される。

次に、封止工程Ｓ２０２において、図７Ｂに示すように、封止部材４を用いて、発光素子１及びワイヤ３を封止する。封止部材４には、波長変換物質である蛍光体の粒子が含有されていてもよく、光反射性物質、光拡散性物質、着色剤、その他のフィラーが含有されていてもよい。
封止部材４の基材としては、好適には樹脂材料を用いることができる。樹脂材料として熱可塑性樹脂を用いる場合は射出成形法を、熱硬化性樹脂を用いる場合はトランスファーモールド法を用いて封止部材４を形成することができる。また、ポッティング法、スプレー法、インクジェット法、スクリーン印刷法など、各種の塗布法を用いて封止部材４を形成することもできる。
以上の工程を行うことによって、発光装置１００を製造することができる。

＜第２実施形態＞
［発光素子の構成］
第２実施形態に係る発光素子について、図８Ａ及び図８Ｂを参照して説明する。
第２実施形態に係る発光素子１Ａは、平面視で横長の矩形形状を有しており、当該矩形の２辺（図８Ａにおいて、左辺及び下辺）に沿って、第１領域１２１が設けられている。すなわち、ｎ電極１３は、半導体積層体１２に囲まれた領域ではなく、発光素子１Ａの外縁部の一部に沿った領域に設けられている。発光素子１Ａの外縁部の内で、ｎ電極１３が設けられる領域が第１領域１２１（図８Ｂにおいて、右上がりのハッチングを施した領域）であり、第１領域１２１を除く領域が第２領域１２２（図８Ｂにおいて、右下がりのハッチングを施した領域）である。
半導体積層体１２の第１領域１２１における側面１２１ａは、第１透光性膜１７が設けられ、第２領域１２２における側面１２２ａは、第２透光性膜１８が設けられている。
なお、図８Ａに示した平面図において、第１透光性膜１７及び第２透光性膜１８の外形線は省略している。

発光素子１Ａは、第１実施形態に係る発光素子１とは、その外形、並びに、ｎ電極１３及びｐ電極１５の配置場所及び形状が異なるが、発光素子１Ａの各部材は、発光素子１と同様の材料を用いて構成される。このため、発光素子１Ａの各部材についての詳細な説明、発光素子１Ａの動作及び製造方法についての説明は省略する。
また、前記した発光装置１００は、発光素子１に代えて、発光素子１Ａを用いても構成することができる。その際に、実装基板２や封止部材４の形状を、発光素子１Ａの形状に合わせて形成することで、発光装置１００を構成することができる。

実施例１として、第２透光性膜として単層のＡＲ膜を設けた図１Ａに示した形状の発光素子を作製し、その発光出力Ｐｏと順方向電圧Ｖｆとを測定した。また、比較例１として、第２透光性膜の代わりに第２領域の側面にも第１透光性膜を設けた実施例１と同形状の発光素子を作製し、その発光出力Ｐｏと順方向電圧Ｖｆとを測定した。
同様に、実施例２及び比較例２として、図７Ａに示した形状の発光素子を作製し、それぞれの発光出力Ｐｏと順方向電圧Ｖｆとを測定した。

各サンプルの作製条件を表１に示す。

また、表１に示した条件の他に、実施例１，２及び比較例１，２に共通の条件として、ｎ電極、ｐ電極及び絶縁膜の作製条件を以下に示す。
＜実施例１，２、比較例１，２に共通の条件＞
・ｎ電極
材料：下層側からＡｌ系多層膜／Ｃｒ−Ｒｈ系合金／Ｐｔ／Ａｕを積層
但し、Ａｌ系多層膜は、下層側からＴｉ／Ａｌ−Ｃｕ系合金／Ｔｉ／Ｒｕを積層したものである。
・ｐ電極
材料：下層側からＣｒ−Ｒｈ系合金／Ｐｔ／Ａｕを積層
・絶縁膜
材料：ＳｉＯ_２（屈折率１．４９）
膜厚：２１５ｎｍ

＜測定結果＞
各サンプルの測定結果を表２に示す。
なお、実施例１及び比較例１について、測定時にサンプルに印加する順方向電流は６５ｍＡである。また、実施例２及び比較例２について、測定時にサンプルに印加する順方向電流は２０ｍＡである。

実施例１は比較例１に対して、発光出力Ｐｏが、０．２７％向上することを確認した。
実施例２は比較例２に対して、発光出力Ｐｏが、０．４８％向上することを確認した。
また、実施例１，２ともに、それぞれに対応する比較例１，２に対して、順方向電圧Ｖｆが同等であることを確認した。
すなわち、第２領域に、第１領域に設ける第１透光性膜よりも屈折率の高い第２透光性膜を設けることで、発光出力Ｐｏを向上させる効果があることを確認できた。

以上、本発明に係る発光素子及び発光装置について、発明を実施するための形態により具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。

１ 発光素子
１１ 基板
１２ 半導体積層体
１２ｎ ｎ側半導体層
１２ａ 活性層
１２ｐ ｐ側半導体層
１２１ 第１領域
１２１ａ 側面（第１側面）
１２２ 第２領域
１２２ａ 側面（第２側面）
１３ ｎ電極（ｎパッド電極）
１３ａ 外部接続部
１３ｂ 延伸部
１４ 透光性電極
１５ ｐ電極（ｐパッド電極）
１５ａ 外部接続部
１５ｂ 延伸部
１６ 絶縁膜
１７ 第１透光性膜
１７ｎ，１７ｐ 開口部
１８ 第２透光性膜
１８１ 第１層
１８２ 第２層
１００ 発光装置
２ 実装基板
２１ 基体
２２ 上部配線
２３ 下部配線
２４ ビア
３ ワイヤ
４ 封止部材

Claims (4)

1. ｎ側半導体層と、前記ｎ側半導体層の上方であって前記ｎ側半導体層の一部の領域に設けられた活性層と、前記活性層上に設けられたｐ側半導体層と、を有する半導体積層体と、
   前記ｎ側半導体層の上方であって前記ｐ側半導体層が設けられた領域と異なる領域に設けられ、前記ｎ側半導体層と電気的に接続されるｎパッド電極と、
   前記ｐ側半導体層の上面の略全体を被覆し、前記ｐ側半導体層と電気的に接続される透光性電極と、
   前記透光性電極の上面の一部の領域に、前記透光性電極と電気的に接続されるｐパッド電極と、
   前記半導体積層体の側面のうち、前記ｎパッド電極の側面と対向する第１側面に接して設けられ、前記透光性電極の上面及び側面を被覆する第１透光性膜と、
   前記半導体積層体の側面のうち、前記第１側面と異なる第２側面に接して設けられる第２透光性膜と、を備え、
   前記第１透光性膜の前記活性層からの光の波長に対する屈折率をｎ_１とし、前記半導体積層体が発する光の真空中での波長をλとすると、前記第１透光性膜の膜厚が、λ／（４・ｎ_１）の２倍以上であり、
   前記第２透光性膜の前記活性層からの光の波長に対する屈折率をｎ_２とし、前記半導体積層体が発する光の真空中での波長をλとすると、前記第２透光性膜の膜厚が、λ／（４・ｎ_２）であり、
   前記第１透光性膜の前記活性層からの光の波長に対する屈折率は、前記透光性電極の前記活性層からの光の波長に対する屈折率よりも低く、
   前記第２透光性膜の前記活性層からの光の波長に対する屈折率は、前記半導体積層体の屈折率よりも低く、前記第１透光性膜の前記活性層からの光の波長に対する屈折率よりも高く、
   前記第２透光性膜の端部は、前記第１透光性膜のうち前記透光性電極の側面を被覆する端部と重なるように設けられている発光素子。
2. 前記第２透光性膜は、屈折率の異なる複数種類の透光性材料からなる膜が積層された多層膜であり、
   前記多層膜の各層の屈折率をｎ_ｉ（ｉは各層を識別するための添字）とすると、屈折率がｎ_ｉの層の膜厚が、λ／（４・ｎ_ｉ）である請求項１に記載の発光素子。
3. 請求項１又は請求項２に記載の発光素子と、
   前記発光素子を被覆する透光性の封止部材と、を備え、
   前記第２透光性膜の前記活性層からの光の波長に対する屈折率が、前記封止部材の前記発光素子からの光の波長に対する屈折率よりも大きい発光装置。
4. 前記封止部材は、前記発光素子が発する光を、前記発光素子が発する光の波長よりも長い波長の光に変換する波長変換物質を含有している請求項３に記載の発光装置。

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