Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP6541492B2 - Liquid processing method and liquid processing apparatus - Google Patents

Liquid processing method and liquid processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP6541492B2
JP6541492B2 JP2015149652A JP2015149652A JP6541492B2 JP 6541492 B2 JP6541492 B2 JP 6541492B2 JP 2015149652 A JP2015149652 A JP 2015149652A JP 2015149652 A JP2015149652 A JP 2015149652A JP 6541492 B2 JP6541492 B2 JP 6541492B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
metal
containing impurities
treated
liquid processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015149652A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2017033991A (en
Inventor
雄大 伊藤
雄大 伊藤
土橋　和也
和也 土橋
斉藤　美佐子
美佐子 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2015149652A priority Critical patent/JP6541492B2/en
Priority to US15/219,430 priority patent/US20170032984A1/en
Priority to KR1020160095223A priority patent/KR20170015195A/en
Publication of JP2017033991A publication Critical patent/JP2017033991A/en
Priority to KR1020180170412A priority patent/KR20190002396A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6541492B2 publication Critical patent/JP6541492B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D15/00—Separating processes involving the treatment of liquids with solid sorbents; Apparatus therefor
    • B01D15/08—Selective adsorption, e.g. chromatography
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D3/00—Distillation or related exchange processes in which liquids are contacted with gaseous media, e.g. stripping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B03—SEPARATION OF SOLID MATERIALS USING LIQUIDS OR USING PNEUMATIC TABLES OR JIGS; MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
    • B03D—FLOTATION; DIFFERENTIAL SEDIMENTATION
    • B03D1/00—Flotation
    • B03D1/02—Froth-flotation processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は、被処理体を液体で処理する液処理方法および液処理装置に関する。   The present invention relates to a liquid processing method and a liquid processing apparatus for processing an object to be processed with a liquid.

半導体デバイスの製造プロセスの製造プロセスにおいては、被処理体である半導体ウエハに対して、ウエット洗浄処理、塗布処理等の液体を用いた液処理が存在する。   In the manufacturing process of the manufacturing process of a semiconductor device, there is a liquid process using a liquid such as a wet cleaning process and a coating process on a semiconductor wafer which is an object to be processed.

例えばウエット洗浄処理においては、被処理体である半導体ウエハを回転保持台に保持させ、半導体ウエハを回転させながら、アンモニア処理、フッ酸処理、硫酸処理等の薬液を供給して薬液洗浄処理を行った後、純水によるリンス処理を行い、その後、乾燥用有機溶剤としてイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を用いて被処理体に対して乾燥処理を行っている（例えば特許文献１）。   For example, in the wet cleaning process, a semiconductor wafer, which is an object to be processed, is held on a rotary holder, and a chemical cleaning process is performed by supplying a chemical solution such as ammonia treatment, hydrofluoric acid treatment, or sulfuric acid treatment while rotating the semiconductor wafer. After that, a rinse treatment with pure water is performed, and thereafter, a treatment to be treated is dried using isopropyl alcohol (IPA) as an organic solvent for drying (for example, Patent Document 1).

このような液処理に用いる液体、例えばＩＰＡ中には、不純物粒子が含まれており、これが被処理体に対し粒子状汚染を引き起こすため、このような不純物粒子をフィルタ等により除去している。   Impurity particles are contained in the liquid used for such liquid treatment, for example, IPA, and this causes particulate contamination to the object to be treated, so such impurity particles are removed by a filter or the like.

特開平１０−３０３１７３号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-303173

しかしながら、フィルタ等でＩＰＡ中の不純物粒子を除去しても、被処理体である半導体ウエハに対してフィルタ等では除去しきれない微小なメタル含有不純物が付着し、半導体デバイスの特性が劣化することがある。   However, even if the impurity particles in the IPA are removed by a filter or the like, minute metal-containing impurities that can not be completely removed by the filter or the like adhere to the semiconductor wafer as the object to be treated, thereby deteriorating the characteristics of the semiconductor device. There is.

したがって、本発明は、被処理体に液を供給して液処理する際に、被処理体への微小なメタル含有不純物の付着を抑制することができる液処理方法および液処理装置を提供することを課題とする。   Therefore, the present invention provides a liquid processing method and a liquid processing apparatus capable of suppressing the adhesion of minute metal-containing impurities to an object to be processed when supplying the liquid to the object to be processed. As an issue.

本発明者は、上記課題を解決するために、被処理体である半導体ウエハに対しＩＰＡ処理を行った際に、半導体ウエハに微小なメタル含有不純物が付着する原因について検討した。その過程で、ＩＰＡ中のメタル分析手法の見直しを行った結果、従来の分析手法では検出されなかった微小なメタル含有不純物がＩＰＡ中に存在し、このような微小なメタル含有不純物は被処理体である半導体ウエハへ静電気力によって強力に付着促進されることを見出した。このことは、ＩＰＡ中に存在する微小なメタル含有不純物が電荷を帯びていることを示唆するものである。この知見に基づいてさらに検討した結果、液処理を行うための液体中に含有される電荷を帯びた微小なメタル含有不純物が付着しないように被処理体の電位コントロールを行うこと、または液体供給ラインで静電気力やメタル吸着材料を利用して電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を除去することが有効であることを見出し、本発明を完成するに至った。   In order to solve the above-mentioned subject, the present inventor examined the cause of adhesion of minute metal-containing impurities to the semiconductor wafer when the semiconductor wafer as the object to be treated is subjected to the IPA process. In the process, as a result of reviewing the metal analysis method in IPA, minute metal-containing impurities not detected by the conventional analysis method exist in IPA, and such minute metal-containing impurities are to be treated It has been found that electrostatic force strongly promotes adhesion to a semiconductor wafer. This suggests that the minute metal-containing impurities present in IPA are charged. As a result of further investigation based on this finding, the potential control of the object to be treated is carried out so that the minute metal-containing impurities carrying a charge contained in the liquid for liquid processing do not adhere, or the liquid supply line It has been found that it is effective to remove charged fine metal-containing impurities by utilizing electrostatic force or metal adsorption material, and the present invention has been completed.

すなわち、本発明の第１の観点は、被処理体を保持する保持部と、前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給機構とを有する液処理装置を用いて、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を含む液体により被処理体を液処理する液処理方法であって、前記保持部を接地することにより、前記保持部に保持された被処理体の帯電を制御することにより、前記メタル含有不純物が前記被処理体へ静電気力で付着されることを抑制することを特徴とする液処理方法を提供する。 That is, according to a first aspect of the present invention, a charge processing is performed using a liquid processing apparatus having a holding unit for holding an object to be treated and a liquid supply mechanism for supplying a liquid to the object to be treated held by the holding unit. Liquid processing method for processing an object to be treated with a liquid containing minute metal-containing impurities , wherein the charging of the object held by the holder is controlled by grounding the holder. Thus, the present invention provides a liquid processing method characterized in that the metal-containing impurities are prevented from adhering to the object to be processed by electrostatic force.

本発明の第２の観点は、被処理体を保持する保持部と、前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給機構とを有する液処理装置を用いて、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を含む液体により被処理体を液処理する液処理方法であって、前記保持部に保持された被処理体に液体が供給される過程で、前記液体に含まれる前記メタル含有不純物を除去するとともに、前記保持部を接地することにより、前記保持部に保持された被処理体の帯電を制御することにより、前記液体中に残存する前記メタル含有不純物が前記被処理体へ静電気力で付着されることを抑制することを特徴とする液処理方法を提供する。 According to a second aspect of the present invention, there is provided a liquid processing apparatus having a holding unit for holding an object to be treated and a liquid supply mechanism for supplying a liquid to the object to be treated held by the holding unit. A liquid processing method for processing an object to be treated with a liquid containing a minute metal-containing impurity, wherein the metal contained in the liquid is supplied in the process of supplying the liquid to the object held by the holding unit. The metal-containing impurities remaining in the liquid are transferred to the object by controlling the charge of the object held by the holder by removing the contained impurities and grounding the holder. Provided is a liquid processing method characterized by suppressing adhesion by electrostatic force .

本発明の第３の観点は、被処理体を保持する保持部と、前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給機構とを有する液処理装置を用いて、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を含む液体により被処理体を液処理する液処理方法であって、前記保持部に保持された前記被処理体の裏面に純水を供給することにより、前記保持部に保持された被処理体の帯電を制御することにより、前記メタル含有不純物が前記被処理体へ静電気力で付着されることを抑制することを特徴とする液処理方法を提供する。 According to a third aspect of the present invention, there is provided a liquid processing apparatus having a holding unit for holding an object to be treated and a liquid supply mechanism for supplying a liquid to the object to be treated held by the holding unit. A liquid processing method for liquid processing an object with a liquid containing minute metal-containing impurities, wherein pure water is supplied to the back surface of the object held by the holding unit According to the present invention, there is provided a liquid processing method characterized in that the metal-containing impurities are prevented from being attached to the object to be treated by electrostatic force by controlling the charge of the object to be treated held .

本発明の第４の観点は、被処理体を保持する保持部と、前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給機構とを有する液処理装置を用いて、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を含む液体により被処理体を液処理する液処理方法であって、
前記保持部に保持された被処理体に液体が供給される過程で、前記液体に含まれる前記メタル含有不純物を除去するとともに、前記保持部に保持された前記被処理体の裏面に純水を供給することにより、前記保持部に保持された被処理体の帯電を制御することにより、前記液体中に残存する前記メタル含有不純物が前記被処理体へ静電気力で付着されることを抑制することを特徴とする液処理方法を提供する。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a liquid processing apparatus having a holding unit for holding an object to be treated and a liquid supply mechanism for supplying a liquid to the object to be treated held by the holding unit. A liquid processing method for processing an object with a liquid containing minute metal-containing impurities,
While the liquid is supplied to the object to be treated held by the holder, the metal-containing impurities contained in the liquid are removed, and pure water is applied to the back surface of the object to be treated held by the holder. The supply of the metal-containing impurities remaining in the liquid is suppressed from being attached to the object by electrostatic force by controlling the charging of the object held by the holding unit. A liquid processing method characterized by

本発明の第５の観点は、被処理体を保持する保持部と、前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給機構とを有し、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を含む液体により被処理体を液処理する液処理装置であって、
前記保持部を接地することにより、前記保持部に保持された被処理体の帯電を制御する帯電制御手段をさらに有し、前記帯電制御手段により、前記メタル含有不純物が前記被処理体へ静電気力で付着されることが抑制されることを特徴とする液処理装置を提供する。 According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a minute metal-containing electric charge having a holding portion for holding an object to be treated and a liquid supply mechanism for supplying a liquid to the object to be treated held by the holding portion. A liquid processing apparatus for processing an object with a liquid containing an impurity,
The apparatus further includes charge control means for controlling charging of the object held in the holding unit by grounding the holding unit, and the metal-containing impurities are electrostatically applied to the object by the charge control means. Providing a liquid processing apparatus characterized in that adhesion is suppressed .

本発明の第６の観点は、被処理体を保持する保持部と、前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給機構とを有し、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を含む液体により被処理体を液処理する液処理装置であって、
前記液供給機構から前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する過程で、前記液体に含まれる前記メタル含有不純物を除去するメタル含有不純物除去手段と、前記保持部を接地することにより、前記保持部に保持された被処理体の帯電を制御する帯電制御手段とをさらに有し、前記メタル含有不純物除去手段で前記液体中の前記メタル含有不純物が除去されるとともに、前記帯電制御手段により、前記液体中に残存する前記メタル含有不純物が前記被処理体へ静電気力で付着されることが抑制されることを特徴とする液処理装置を提供する。 A sixth aspect of the present invention has a holding portion for holding an object to be treated, and a liquid supply mechanism for supplying a liquid to the object to be treated held by the holding portion, and containing minute metal charged A liquid processing apparatus for processing an object with a liquid containing an impurity,
In the process of supplying a liquid from the liquid supply mechanism to the object held in the holding unit, a metal-containing impurity removing means for removing the metal-containing impurities contained in the liquid, and grounding the holding unit And charging control means for controlling charging of the object held by the holding portion, wherein the metal-containing impurities in the liquid are removed by the metal-containing impurity removing means, and the charge control means is further included. According to the present invention, there is provided a liquid processing apparatus characterized in that the metal-containing impurities remaining in the liquid are prevented from adhering to the object to be treated by electrostatic force .

本発明の第７の観点は、被処理体を保持する保持部と、前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給機構とを有し、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を含む液体により被処理体を液処理する液処理装置であって、前記保持部に保持された被処理体の帯電を制御する帯電制御手段をさらに有し、前記帯電制御手段は、前記保持部に保持された前記被処理体の裏面に純水を供給する純水供給手段を有し、前記純水供給手段から前記被処理体の裏面に純水を供給することにより前記被処理体の表面の帯電を制御し、前記帯電制御手段により、前記メタル含有不純物が前記被処理体へ静電気力で付着されることが抑制されることを特徴とする液処理装置を提供する。  A seventh aspect of the present invention has a holding portion for holding an object to be treated, and a liquid supply mechanism for supplying a liquid to the object to be treated held by the holding portion, and containing minute metal charged A liquid processing apparatus for processing an object to be processed with a liquid containing an impurity, further comprising charge control means for controlling charging of the object held by the holding unit, wherein the charge control unit The apparatus further comprises pure water supply means for supplying pure water to the back surface of the object to be treated held in a part, and supplying pure water to the back surface of the object from the pure water supply means. According to another aspect of the present invention, there is provided a liquid processing apparatus characterized in that charging of a surface is controlled, and that the metal-containing impurities are prevented from adhering to the object to be treated by electrostatic force by the charge control means.

本発明の第８の観点は、被処理体を保持する保持部と、前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給機構とを有し、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を含む液体により被処理体を液処理する液処理装置であって、前記液供給機構から前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する過程で、前記液体に含まれる前記メタル含有不純物を除去するメタル含有不純物除去手段と、前記保持部に保持された被処理体の帯電を制御する帯電制御手段とをさらに有し、前記帯電制御手段は、前記保持部に保持された前記被処理体の裏面に純水を供給する純水供給手段を有し、前記純水供給手段から前記被処理体の裏面に純水を供給することにより前記被処理体の表面の帯電を制御し、前記メタル含有不純物除去手段で前記液体中の前記メタル含有不純物が除去されるとともに、前記帯電制御手段により、前記液体中に残存する前記メタル含有不純物が前記被処理体へ静電気力で付着されることが抑制されることを特徴とする液処理装置を提供する。  An eighth aspect of the present invention comprises a holding portion for holding an object to be treated, and a liquid supply mechanism for supplying a liquid to the object to be treated held by the holding portion, and containing minute metal charged A liquid processing apparatus for processing an object to be processed with a liquid containing an impurity, wherein the metal contained in the liquid is supplied in the process of supplying the liquid from the liquid supply mechanism to the object held by the holding unit. The apparatus further includes a metal-containing impurity removal unit that removes impurities, and a charge control unit that controls charging of the object held by the holding unit, the charge control unit including the object held by the holding unit. The apparatus further comprises pure water supply means for supplying pure water to the back surface of the processing body, and supplying pure water from the pure water supply means to the back surface of the object to control charging of the surface of the object; The metal-containing impurity removing means A liquid processing apparatus characterized in that metal-containing impurities are removed, and that the metal-containing impurities remaining in the liquid are adhered to the object by electrostatic force by the charge control means. I will provide a.

前記液体を貯留部に貯留し、前記貯留部内の前記液体に一対の電極を浸漬し、これら電極間に電圧を印加して電界を形成することにより、前記液体に含まれる前記メタル含有不純物を前記電極に静電気力でトラップし、前記液体中に含まれる前記メタル含有不純物を除去することができる。この場合に、前記貯留部に貯留された前記液体中に、前記電極の下方からマイクロバブルを供給し、前記マイクロバブルが前記液体中を浮上する過程で前記マイクロバブルに前記メタル含有不純物を吸着させ、前記メタル含有不純物の前記電極へのトラップを促進することが好ましい。  The metal-containing impurities contained in the liquid are stored by storing the liquid in a storage portion, immersing a pair of electrodes in the liquid in the storage portion, and applying a voltage between the electrodes to form an electric field. The electrode can be trapped by electrostatic force to remove the metal-containing impurities contained in the liquid. In this case, microbubbles are supplied from below the electrode into the liquid stored in the storage portion, and the microbubbles adsorb the metal-containing impurities in the process of the microbubbles rising in the liquid. Preferably, the trapping of the metal-containing impurities to the electrode is promoted.

前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給配管に、電荷を帯びたメタル含有不純物を除去可能なフィルタを設けて前記メタル含有不純物を除去することができる。この場合に、前記フィルタは、陽イオン除去フィルタおよび陰イオン除去フィルタを有することが好ましい。前記液体を蒸留精製することにより前記液体から前記メタル含有不純物を除去することができる。 The metal-containing impurities can be removed by providing a filter capable of removing the metal-containing impurities that are charged in the liquid supply pipe that supplies the liquid to the object held in the holding unit. In this case, the filter preferably includes a positive ion removal filter and a negative ion removal filter. The metal-containing impurities can be removed from the liquid by purifying the liquid by distillation.

前記液体を前記被処理体に供給する液体の供給経路の少なくとも一部に液体中の前記メタル含有不純物に対して吸着性を有する材料を用いてもよい。また、前記液体を前記被処理体に供給する液体の供給経路に、液体中の前記メタル含有不純物に対して吸着性を有する材料からなる吸着部材を有するメタル含有不純物除去ユニットを設けてもよい。前記吸着部材に前記メタル含有不純物を吸着させた後、前記吸着部材から前記メタル含有不純物を除去することが好ましい。 A material having an adsorptivity for the metal-containing impurities in the liquid may be used in at least a part of a liquid supply path for supplying the liquid to the object. Further, a metal-containing impurity removing unit may be provided in a supply path of the liquid for supplying the liquid to the object to be processed, having a suction member made of a material having an adsorptivity for the metal-containing impurities in the liquid. After the metal-containing impurities are adsorbed to the adsorption member, it is preferable to remove the metal-containing impurities from the adsorption member.

前記メタル含有不純物に対して吸着性を有する材料として、前記液体中における表面電位が、前記液体中のメタル含有不純物が持つ電荷または表面電位と異符号となるものを用いる。 As the material having adsorptivity to the metal-containing impurities, a material whose surface potential in the liquid has a different sign from the charge or surface potential of the metal-containing impurities in the liquid is used.

前記表面電位の指標としては、前記メタル含有不純物に対して吸着性を有する材料を構成する粒子のゼータ電位またはゼータ電位計測から求められる等電点を用いることができる。 As the indicator of surface potential, the Ru can be used isoelectric point obtained from the zeta potential or zeta potential measurement of particles constituting the material having the adsorbing against metal-containing impurities.

本発明では、液処理に用いる液体中に、従来含まれていると認識されてなかった電荷を帯びた微小なメタル含有不純物が含まれていることを新たに見出し、それに基づいて、被処理体の帯電を制御すること、または、液体中からメタル含有不純物を除去すること、または、それらの両方を行うことにより、このようなメタル含有不純物が被処理体へ付着することを防止する。これにより、被処理体のメタル汚染を有効に抑制することができる。   In the present invention, it is newly found that the liquid used in the liquid processing contains minute metal-containing impurities which have been charged and which have not been recognized as being contained conventionally, and based on this, it is possible to Such metal-containing impurities are prevented from adhering to the object by controlling the charge of the metal, removing the metal-containing impurities from the liquid, or performing both of them. Thereby, metal contamination of a to-be-processed object can be suppressed effectively.

本発明の第１の実施形態における第１の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the liquid processing apparatus for enforcing the liquid processing method of the 1st example in the 1st Embodiment of this invention. 図１の液処理装置においてメタル含有不純物のウエハへの吸着が抑制されるメカニズムを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the mechanism by which adsorption | suction to the wafer of a metal containing impurity is suppressed in the liquid processing apparatus of FIG. 本発明の第１の実施形態における第２の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the liquid processing apparatus for enforcing the liquid processing method of the 2nd example in the 1st Embodiment of this invention. 図３の液処理装置においてメタル含有不純物のウエハへの吸着が抑制されるメカニズムを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the mechanism by which adsorption | suction to the wafer of a metal containing impurity is suppressed in the liquid processing apparatus of FIG. 本発明の第１の実施形態における第３の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the liquid processing apparatus for enforcing the liquid processing method of the 3rd example in the 1st Embodiment of this invention. 図５の液処理装置においてメタル含有不純物のウエハへの吸着が抑制されるメカニズムを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the mechanism by which adsorption | suction to the wafer of a metal containing impurity is suppressed in the liquid processing apparatus of FIG. 本発明の第２の実施形態における第１の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the liquid processing apparatus for enforcing the liquid processing method of the 1st example in the 2nd Embodiment of this invention. 図７の液処理装置において液体からメタル含有不純物を除去するメカニズムを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the mechanism which removes a metal containing impurity from the liquid in the liquid processing apparatus of FIG. 本発明の第２の実施形態における第２の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the liquid processing apparatus for enforcing the liquid processing method of the 2nd example in the 2nd Embodiment of this invention. 図９の液処理装置において液体からメタル含有不純物を除去するメカニズムを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the mechanism which removes a metal containing impurity from the liquid in the liquid processing apparatus of FIG. 本発明の第２の実施形態における第３の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the liquid processing apparatus for enforcing the liquid processing method of the 3rd example in the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施形態における第４の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the liquid processing apparatus for enforcing the liquid processing method of the 4th example in the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施形態における第５の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the liquid processing apparatus for enforcing the liquid processing method of the 5th example in the 2nd Embodiment of this invention. 材料粒子のｐＨと溶媒のｐＨの座標における材料粒子の帯電状態を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the charged state of the material particle in the coordinate of pH of material particle, and pH of a solvent. 種々の有機材料の構造式、極性、ＩＰＡ中のＦｅ不純物粒子の吸着効果を示す図である。It is a figure which shows the adsorption | suction effect of the structural formula of various organic materials, polarity, and the Fe impurity particle in IPA. 液供給配管としてＰＦＡチューブを用い、それを摩擦帯電してＩＰＡをサンプリングした実験を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the experiment which friction-charged it and sampled IPA, using a PFA tube as liquid supply piping. 本発明の第２の実施形態における第５の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the liquid processing apparatus for enforcing the liquid processing method of the 5th example in the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施形態の液処理方法を実施するための液処理装置であって、図９の液処理装置に、図１１のイオン除去フィルタを組み合わせた装置を示す概略構成図である。It is a liquid processing apparatus for enforcing the liquid processing method of the 2nd Embodiment of this invention, Comprising: It is a schematic block diagram which shows the apparatus which combined the ion removal filter of FIG. 11 with the liquid processing apparatus of FIG. 本発明の第３の実施形態の液処理方法を実施するための液処理装置の一例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows an example of the liquid processing apparatus for enforcing the liquid processing method of the 3rd Embodiment of this invention.

以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

＜第１の実施形態＞
まず、第１の実施形態について説明する。
第１の実施形態では、被処理体であるウエハの帯電を制御することにより、液処理に用いる液体中に存在する電荷を帯びた微小なメタル含有不純物が被処理体であるウエハへ静電気力で付着することを抑制する。このような微小なメタル含有不純物としては、典型的にはパーティクル状で１０ｎｍ以下のものを挙げることができるが、それに限定されない。電荷を帯びたメタル含有不純物としてはイオン状のものが含まれるが、イオン状には限定されない。 First Embodiment
First, the first embodiment will be described.
In the first embodiment, by controlling the charge of the wafer which is the object to be treated, the minute metal-containing impurities charged in the liquid used for liquid processing are transferred to the wafer which is the object to be treated by electrostatic force. Suppress adhesion. As such a minute metal-containing impurity, typically, it may be in the form of particles and 10 nm or less, but it is not limited thereto. The charged metal-containing impurities include those in ionic form, but are not limited to ionic forms.

（第１の例）
図１は、第１の実施形態における第１の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。 (First example)
FIG. 1 is a schematic configuration view showing a liquid processing apparatus for carrying out the liquid processing method of the first example in the first embodiment.

この液処理装置は、被処理体としての半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）Ｗに対して枚葉式の液処理、例えば洗浄処理、乾燥処理、塗布処理等を行うものであり、チャンバ２と、チャンバ２内でウエハＷを回転可能に保持するスピンチャック３と、スピンチャック３を回転させるモータ４と、スピンチャック３に保持されたウエハＷに液体を供給する液供給機構５と、液処理装置の各構成部を制御するための制御部６とを有している。   This liquid processing apparatus performs single-wafer liquid processing such as cleaning processing, drying processing, coating processing, etc. on a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) W as a processing object. A spin chuck 3 for rotatably holding the wafer W in the chamber 2, a motor 4 for rotating the spin chuck 3, a liquid supply mechanism 5 for supplying liquid to the wafer W held by the spin chuck 3, and liquid And a control unit 6 for controlling each component of the processing apparatus.

チャンバ２内には、スピンチャック３に保持されたウエハＷを覆うためのカップ１１が設けられている。カップ１１の底部には、排気および排液のための排気・排液管１２が、チャンバ２の下方へ延びるように設けられている。チャンバ２の側壁には、ウエハＷを搬入出するための搬入出口（図示せず）が設けられている。   In the chamber 2, a cup 11 for covering the wafer W held by the spin chuck 3 is provided. At the bottom of the cup 11, an exhaust / drain tube 12 for exhaust and drainage is provided to extend downward of the chamber 2. A loading / unloading port (not shown) for loading and unloading the wafer W is provided on the side wall of the chamber 2.

スピンチャック３は、その上面にウエハＷを水平状態で保持する。スピンチャック３の中心には筒状をなす回転軸１３が取り付けられており、回転軸１３はチャンバ２の下方に延びている。そして、モータ４により回転軸１３を回転させることにより、スピンチャック３とともにウエハＷが回転される。スピンチャック３は、接地線１４により接地されている。接地線１４は回転軸１３内を通ってチャンバ２の外部に延びている。   The spin chuck 3 holds the wafer W on its upper surface in a horizontal state. A cylindrical rotating shaft 13 is attached to the center of the spin chuck 3, and the rotating shaft 13 extends below the chamber 2. Then, by rotating the rotation shaft 13 by the motor 4, the wafer W is rotated together with the spin chuck 3. The spin chuck 3 is grounded by a grounding wire 14. The ground line 14 extends through the rotation axis 13 to the outside of the chamber 2.

液供給機構５は、チャンバ２外に設けられた液処理のための液体を貯留する液体タンク１５と、液体タンク１５からチャンバ２内のウエハＷに液体を供給する液供給配管１６と、液供給配管１６に設けられた液体送給用のポンプ１７と、液供給配管１６の先端に設けられたノズル１８とを有する。ポンプ１７の代わりにＮ２ガスやエアにより液体を圧送してもよい。また、液供給配管１６には開閉バルブ、流量制御器およびフィルター（いずれも図示せず）が設けられている。ノズル１８は、図示しない駆動機構によりウエハＷの径方向および上下方向に移動可能となっている。駆動機構は、ウエハＷの中心直上の液吐出位置と、ウエハＷから退避した退避位置との間でノズル１８を移動させる。 The liquid supply mechanism 5 includes a liquid tank 15 provided outside the chamber 2 for storing a liquid for liquid processing, a liquid supply pipe 16 for supplying the liquid from the liquid tank 15 to the wafer W in the chamber 2, and a liquid supply. It has the pump 17 for liquid supply provided in the piping 16, and the nozzle 18 provided in the front-end | tip of the liquid supply piping 16. As shown in FIG. Instead of the pump 17, the liquid may be pumped by N 2 gas or air. Further, the liquid supply pipe 16 is provided with an open / close valve, a flow rate controller and a filter (all not shown). The nozzle 18 is movable in the radial direction and the vertical direction of the wafer W by a drive mechanism (not shown). The drive mechanism moves the nozzle 18 between the liquid discharge position directly above the center of the wafer W and the retracted position retracted from the wafer W.

本例の液処理装置は、上述したように、ウエハＷ上に液体を供給することにより、ウエハＷに対して、被処理体としてのウエハＷに対して洗浄処理、乾燥処理、塗布処理等を施すものである。液処理装置１は、複数の液体により処理を行う場合、例えば洗浄処理では、薬液洗浄後に純水リンスを行う場合や、純水リンス後にＩＰＡ等による乾燥処理を行う場合があるが、ここでは、便宜的に、一種類の液体を供給する場合を示している。   As described above, the liquid processing apparatus according to the present embodiment supplies the liquid onto the wafer W to perform cleaning processing, drying processing, coating processing, and the like on the wafer W serving as the processing target. It is something to apply. In the case where the liquid processing apparatus 1 performs processing with a plurality of liquids, for example, in cleaning processing, pure water rinse may be performed after chemical solution cleaning, or drying processing by IPA or the like may be performed after pure water rinse. For convenience, the case where one type of liquid is supplied is shown.

液処理に用いる液体としては、通常の液処理に用いる液体であれば適用が可能であり、洗浄処理に用いる薬液、例えばアンモニア過水（ＡＰＭ）のようなアンモニア系薬液、希フッ酸（ＤＨＦ）のようなフッ酸系薬液、硫酸過水（ＳＰＭ）のような硫酸系薬液等の水溶液、または溶剤、リンス処理に用いる純水、乾燥処理に用いるＩＰＡ等の溶剤、塗布処理に用いるシンナー等を挙げることができる。以下の例および他の実施形態においても同様である。   As the liquid used for the liquid processing, any liquid used for the normal liquid processing can be applied, and a chemical used for the cleaning processing, for example, an ammonia chemical such as ammonia peroxide (APM), dilute hydrofluoric acid (DHF) Aqueous solutions such as hydrofluoric acid-based chemical solutions, sulfuric acid-based chemical solutions such as sulfuric acid-peroxide (SPM), or solvents, pure water used for rinsing, solvents such as IPA used for drying, thinners used for coating, etc. It can be mentioned. The same applies to the following examples and other embodiments.

制御部６は、マイクロプロセッサ（コンピュータ）を備えており、スピンチャック３の回転、液体の供給等を制御するようになっている。制御部６は、所定の処理レシピを実行するようになっており、そのために必要な制御パラメータや処理レシピを記憶した記憶部や、入力手段およびディスプレイ等を備えている。   The control unit 6 includes a microprocessor (computer), and controls rotation of the spin chuck 3, supply of liquid, and the like. The control unit 6 is configured to execute a predetermined processing recipe, and includes a storage unit storing control parameters and a processing recipe necessary for the processing recipe, an input unit, a display, and the like.

次に、このような第１の例の液処理装置による液処理方法について説明する。
まず、液処理すべきウエハＷを図示しない搬送装置によりチャンバ２内に搬入し、スピンチャック３に装着する。この状態で、ノズル１８を退避位置からウエハＷの中心直上の液吐出位置に移動させ、モータ４によりスピンチャック３とともにウエハＷを回転させながら、液体タンク１５内の液体を液供給配管１６およびノズル１８を介してウエハＷ中心に供給し、液体をウエハＷの全面に広げて液処理を行う。 Next, a liquid processing method by the liquid processing apparatus of the first example will be described.
First, a wafer W to be subjected to liquid processing is carried into the chamber 2 by a transfer device (not shown) and mounted on the spin chuck 3. In this state, the nozzle 18 is moved from the retracted position to the liquid discharge position right above the center of the wafer W, and the liquid in the liquid tank 15 is supplied to the liquid supply pipe 16 and the nozzle while rotating the wafer W together with the spin chuck 3 by the motor 4 18, a liquid is supplied to the center of the wafer W through the step 18, and the liquid is spread over the entire surface of the wafer W to perform liquid processing.

このとき、液体中に、通常のフィルタでは除去することが困難な微小なメタル含有不純物がある電荷を帯びた状態で含まれている場合、ウエハＷがそのメタル含有不純物が帯びる電荷と異符号の電位に帯電していると、ウエハＷにメタル含有不純物が静電気力で強固に付着する。   At this time, if a minute metal-containing impurity that is difficult to remove with a normal filter is contained in the liquid in a charged state, the wafer W has a different sign from the charge carried by the metal-containing impurity. When charged to a potential, metal-containing impurities adhere strongly to the wafer W by electrostatic force.

なお、メタル含有不純物は、金属単体の場合と、金属原子が錯体等の化合物を形成している場合の両方を含む。金属単体の場合は正の電荷を帯びた状態（典型的には陽イオン）として存在するが、錯体等の化合物イオンの場合は正の電荷を帯びた状態と負の電荷を帯びた状態（典型的には陰イオン）として存在している場合がある。   The metal-containing impurities include both the case of a single metal and the case where the metal atom forms a compound such as a complex. In the case of a single metal, it exists as a positively charged state (typically a cation), but in the case of a compound ion such as a complex, it has a positively charged state and a negatively charged state (typical In some cases, they may exist as anions.

これに対し、本例では、スピンチャック３に接地線１４が接続され、スピンチャック３が接地されているので、図２（ａ）に示すようにウエハＷが帯電している場合でも、ウエハＷをスピンチャック３に保持させることにより、図２（ｂ）に示すように、ウエハＷの表面の電荷が接地線１４を通ってグラウンドに流れる。このため、スピンチャック３上のウエハＷは帯電がほぼキャンセルされた状態となり、液処理時においてウエハＷに対するメタル含有不純物の静電気力による付着を抑制することができる。   On the other hand, in the present embodiment, since the ground wire 14 is connected to the spin chuck 3 and the spin chuck 3 is grounded, the wafer W is charged even when the wafer W is charged as shown in FIG. By holding the spin chuck 3 on the spin chuck 3, the charge on the surface of the wafer W flows to the ground through the ground line 14 as shown in FIG. 2 (b). Therefore, the wafer W on the spin chuck 3 is in a state where the charging is substantially cancelled, and adhesion of metal-containing impurities to the wafer W due to electrostatic force can be suppressed during liquid processing.

特に、ＩＰＡ等の自己解離定数［ｐｋａｐ］が低い溶媒（自己解離定数が１４以下）や、非プロトン性極性溶媒（例えばアセトンやシンナー）等の、イオン総数が少ない液体を用いる場合、液体中にイオン状で存在するメタル含有不純物が、帯電しているウエハＷに付着しやすくなり、メタル含有不純物が大量にウエハＷに付着する。また、同様に、液体中にプロトンやその他の陽イオンが少ない水溶液では、液体中に陽イオンとして存在するメタル含有不純物がウエハＷに付着しやすくなり、液体中にＦ−、Ｃｌ−、ＯＨ−等の陰イオンが少ない水溶液では陰イオンとして存在するメタル含有不純物がウエハＷに付着しやすくなる。したがって、本例の手法は、このような液体を用いる場合に、特に有効である。なお、この点は、以下に示す他の例および他の実施形態についても同様である。 In particular, in the case of using a liquid having a low total number of ions, such as a solvent having a low self-dissociation constant [pkap] such as IPA (self-dissociation constant of 14 or less) or an aprotic polar solvent (eg acetone or thinner) The metal-containing impurities present in the form of ions easily adhere to the charged wafer W, and a large amount of metal-containing impurities adhere to the wafer W. Similarly, in an aqueous solution containing few protons and other cations in the liquid, metal-containing impurities present as cations in the liquid tend to adhere to the wafer W, and in the liquid F − , Cl − , OH − In an aqueous solution containing few anions, etc., metal-containing impurities present as anions tend to adhere to the wafer W. Therefore, the method of the present example is particularly effective when such a liquid is used. In addition, this point is the same also about the other example shown below and another embodiment.

（第２の例）
図３は、第１の実施形態における第２の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。 (Second example)
FIG. 3 is a schematic configuration view showing a liquid processing apparatus for carrying out the liquid processing method of the second example in the first embodiment.

図１の第１の例の液処理装置では、ウエハの帯電をキャンセル手段として接地線１４を設けたが、本例の液処理装置では接地線１４に代えて、スピンチャック３に給電線２１を介して直流電源２２を接続し、スピンチャック３に電圧を印加するようにした。他は、図１の液処理装置と同様に構成されている。したがって、図１と同じ部分は説明を省略する。   In the liquid processing apparatus of the first example of FIG. 1, the ground line 14 is provided as a means for canceling the wafer charging, but in the liquid processing apparatus of this example, the feeder 21 is connected to the spin chuck 3 instead of the ground line 14. A DC power supply 22 is connected via the same to apply a voltage to the spin chuck 3. Others are configured in the same manner as the liquid processing apparatus of FIG. Therefore, the same parts as those in FIG. 1 will not be described.

給電線２１は、スピンチャック３から回転軸１３内を通ってチャンバ２の外部に延びており、給電線２１のチャンバ２の外側部分に直流電源２２が接続されている。そして、直流電源２２からスピンチャック３に、液体中に存在する付着を抑制したいメタル含有不純物と同符号の直流電圧が印加される。例えば、付着を抑制したいメタル含有不純物が陽イオン等の正の電荷を帯びたものである場合、スピンチャック３にプラスの電圧を印加する。   The feed line 21 extends from the spin chuck 3 through the inside of the rotary shaft 13 to the outside of the chamber 2, and a DC power supply 22 is connected to the outer part of the chamber 2 of the feed line 21. Then, a direct current voltage of the same sign as that of the metal-containing impurity whose presence in the liquid is to be suppressed is applied from the direct current power supply 22 to the spin chuck 3. For example, when the metal-containing impurity whose adhesion is to be inhibited is positively charged such as a cation, a positive voltage is applied to the spin chuck 3.

このようにスピンチャック３にプラスの電圧を印加することにより、図４のように、ウエハＷはプラスに帯電し、液体中に陽イオンとして存在するメタル含有不純物２３がウエハＷに対して反発するようになる。このため、第１の例よりも効果的にウエハＷへのメタル含有不純物の静電気力による付着を抑制することができる。   By thus applying a positive voltage to the spin chuck 3, as shown in FIG. 4, the wafer W is positively charged, and the metal-containing impurities 23 present as cations in the liquid repel the wafer W. It will be. Therefore, adhesion of metal-containing impurities to the wafer W due to electrostatic force can be suppressed more effectively than in the first example.

（第３の例）
図５は、第１の実施形態における第３の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。 (Third example)
FIG. 5 is a schematic configuration view showing a liquid processing apparatus for carrying out the liquid processing method of the third example in the first embodiment.

本例の液処理装置は、ウエハの帯電をキャンセルする手段として、第１の例および第２の例と異なり、バックリンスノズル２５を利用する。他の構成は基本的に図１の液処理装置と同様であるから、図１と同じものには同じ部分は説明を省略する。   The liquid processing apparatus of this embodiment utilizes the back rinse nozzle 25 as a means for canceling the charging of the wafer, unlike the first and second examples. The rest of the configuration is basically the same as that of the liquid processing apparatus of FIG. 1, so the same parts as those of FIG. 1 will not be described.

本例では、スピンチャック３はウエハＷの中心部に設けられており、ウエハＷ裏面が露出した状態でスピンチャック３に保持されるようになっている。そして、ウエハＷの裏面にリンス液として純水を供給するバックリンスノズル２５が複数設けられている。   In this example, the spin chuck 3 is provided at the center of the wafer W, and is held by the spin chuck 3 in a state where the back surface of the wafer W is exposed. A plurality of back rinse nozzles 25 for supplying pure water as a rinse liquid are provided on the back surface of the wafer W.

バックリンスノズル２５からウエハＷ裏面にリンス液として純水を供給すると、図６（ａ）に示すように、ウエハＷ裏面が負に帯電し、ウエハＷ表面は誘導帯電により正に帯電する。これにより、図６（ｂ）に示すように、液体中に陽イオン等の正の電荷を帯びた状態で存在するメタル含有不純物２３がウエハＷ表面に対して反発し、メタル含有不純物のウエハＷ表面に対する静電気力による付着を抑制することができる。   When pure water is supplied from the back rinse nozzle 25 to the back surface of the wafer W as a rinse liquid, as shown in FIG. 6A, the back surface of the wafer W is negatively charged, and the surface of the wafer W is positively charged by inductive charging. As a result, as shown in FIG. 6B, the metal-containing impurities 23 present in the liquid in the state of being positively charged such as cations repel the surface of the wafer W, and the metal-containing impurities wafer W It is possible to suppress adhesion of electrostatic force to the surface.

ウエハＷ表面の純水リンスの後、ＩＰＡによる乾燥処理を連続して行う場合を例にとって説明すると、ウエハＷ表面は純水リンスにより負に帯電するが、ＩＰＡ乾燥処理に切り替える前にバックリンスを行うことにより、ウエハＷ表面は正に帯電するようになり、ＩＰＡ乾燥処理の際には、ＩＰＡ中に陽イオン等の正の電荷を帯びた状態で存在する微小なメタル含有不純物のウエハＷ表面への付着を抑制することができる。   After the pure water rinse on the surface of the wafer W, the case where the drying process by IPA is continuously performed will be described as an example. Although the surface of the wafer W is negatively charged by the pure water rinse, back rinse is performed before switching to the IPA dry process. As a result, the surface of the wafer W becomes positively charged, and in the IPA drying process, the surface of the wafer W of a minute metal-containing impurity present in IPA in a positively charged state such as a cation. It is possible to suppress adhesion to it.

＜第２の実施形態＞
次に、第２の実施形態について説明する。
第２の実施形態では、液処理に用いる液体の供給系において、液体中に存在する電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を除去することにより、このようなメタル含有不純物が被処理体であるウエハへ付着することを抑制する。第１の実施形態と同様、微小なメタル含有不純物としては、典型的にはパーティクル状で１０ｎｍ以下のものを挙げることができるが、それに限定されない。電荷を帯びたメタル含有不純物としてはイオン状のものが含まれるが、イオン状には限定されない。 Second Embodiment
Next, a second embodiment will be described.
In the second embodiment, in a liquid supply system used for liquid processing, a wafer in which such metal-containing impurities are objects to be treated by removing minute metal-containing impurities charged in the liquid. Suppress adhesion to As in the first embodiment, the fine metal-containing impurities can be, for example, in the form of particles typically at 10 nm or less, but are not limited thereto. The charged metal-containing impurities include those in ionic form, but are not limited to ionic forms.

（第１の例）
図７は、第２の実施形態における第１の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。 (First example)
FIG. 7 is a schematic configuration view showing a liquid processing apparatus for carrying out the liquid processing method of the first example in the second embodiment.

本例の液処理装置は、第１の実施形態のウエハの帯電をコントロールする手段は設けられていないが、液体中のメタル含有不純物を除去する手段として、液体タンク１５中の液体に浸漬された一対の電極３１ａ，３１ｂと、これら電極に電圧を印加する直流電源３２とを有している。他は、基本的に図１に示す第１の実施形態における第１の例の液処理装置と同様に構成されている。したがって、図１と同じ部分は説明を省略する。   The liquid processing apparatus of this example is not provided with means for controlling the charge of the wafer according to the first embodiment, but is immersed in the liquid in the liquid tank 15 as a means for removing metal-containing impurities in the liquid. It has a pair of electrodes 31a and 31b, and a DC power supply 32 for applying a voltage to these electrodes. Others are basically configured in the same manner as the liquid processing apparatus of the first example in the first embodiment shown in FIG. Therefore, the same parts as those in FIG. 1 will not be described.

本例において、液体タンク１５に貯留された液体に一対の電極３１ａ，３１ｂが浸漬されている。電極３１ａ，３１ｂは例えばシリコン（Ｓｉ）で形成されており、電極３１ａが直流電源３２のプラス側に接続された陽極であり、電極３１ｂが直流電源３２のマイナス側に接続された陰極である。   In the present embodiment, the pair of electrodes 31 a and 31 b is immersed in the liquid stored in the liquid tank 15. The electrodes 31a and 31b are made of, for example, silicon (Si), the electrode 31a is an anode connected to the positive side of the DC power supply 32, and the electrode 31b is a cathode connected to the negative side of the DC power supply 32.

直流電源３２から電極３１ａ，３１ｂに電圧を印加し、液体タンク１５中に電界を形成することにより、静電気力により液体中の電荷を帯びた物質（イオン）をトラップすることができる。例えば、図８に示すように、液体Ｌ中に微小なメタル含有不純物が陽イオン等の正の電荷を帯びた状態で存在する場合は、メタル含有不純物２３が負に帯電している電極３１ｂにトラップ（吸着）され、液体からメタル含有不純物が除去される。これにより、液処理の際に液体中の微小なメタル含有不純物が被処理体であるウエハへ付着することを抑制することができる。   By applying a voltage from the DC power supply 32 to the electrodes 31a and 31b to form an electric field in the liquid tank 15, it is possible to trap charged substances (ions) in the liquid by electrostatic force. For example, as shown in FIG. 8, when a minute metal-containing impurity is present in the liquid L in a state of being positively charged by a cation or the like, the metal-containing impurity 23 is negatively charged to the electrode 31 b. It is trapped (absorbed) to remove metal-containing impurities from the liquid. Thus, it is possible to suppress the adhesion of minute metal-containing impurities in the liquid to the wafer to be processed during liquid processing.

なお、電極を配管に設けて液供給配管内に電界を形成することにより、メタル含有不純物をトラップするようにしてもよい。   The metal-containing impurities may be trapped by providing an electrode on the pipe and forming an electric field in the liquid supply pipe.

（第２の例）
図９は、第２の実施形態における第２の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。 (Second example)
FIG. 9 is a schematic configuration view showing a liquid processing apparatus for carrying out the liquid processing method of the second example in the second embodiment.

本例の液処理装置は、図７の第１の例の液処理装置にマイクロバブル発生器３５を付加したものである。他は、図７の液処理装置と全く同様に構成されている。   The liquid processing apparatus of this embodiment is obtained by adding a microbubble generator 35 to the liquid processing apparatus of the first embodiment of FIG. Others are configured in the same manner as the liquid processing apparatus of FIG.

マイクロバブル発生器３５は液体タンク１５に接続されており、液体タンク１５内の液体中にマイクロバブルを供給するためのものである。マイクロバブル発生器３５は、液体タンク１５の底部に接続されており、電極３１ａ，３１ｂの下端がマイクロバブル導入部分の上方に位置している。   The micro bubble generator 35 is connected to the liquid tank 15, and is for supplying micro bubbles into the liquid in the liquid tank 15. The microbubble generator 35 is connected to the bottom of the liquid tank 15, and the lower ends of the electrodes 31a and 31b are located above the microbubble introduction portion.

このようにマイクロバブル発生器３５から液体タンク１５内の液体Ｌ中にマイクロバルブを供給する。図１０に示すように、液体中のマイクロバブル４０の表面にはゼータ電位が生じるため、陽イオン等の正の電荷を帯びた状態の液体中のメタル含有不純物２３がマイクロバブル４０の表面に吸着される。そしてマイクロバブル４０はメタル含有不純物２３を吸着しつつ浮上する過程で収縮し、やがて消滅して、メタル含有不純物２３が濃縮される。このようにメタル含有不純物が濃縮された状態になるので、メタル含有不純物２３の電極３１ｂ（陰極）への移動が促進される。したがって、メタル含有不純物２３の電極３１ｂへの吸着効率が第１の例よりも向上し、第１の例よりもメタル含有不純物の除去効率が高いものとなる。これにより、液処理の際に液体中の微小なメタル含有不純物が被処理体であるウエハへ付着することをより効果的に抑制することができる。   Thus, the micro valve is supplied from the micro bubble generator 35 to the liquid L in the liquid tank 15. As shown in FIG. 10, since the zeta potential is generated on the surface of the microbubbles 40 in the liquid, the metal-containing impurities 23 in the liquid with positive charge such as cations are adsorbed on the surface of the microbubbles 40 Be done. Then, the microbubbles 40 contract in the process of floating while adsorbing the metal-containing impurity 23 and disappear eventually, and the metal-containing impurity 23 is concentrated. Since the metal-containing impurities are thus concentrated, the movement of the metal-containing impurities 23 to the electrode 31 b (cathode) is promoted. Therefore, the adsorption efficiency of the metal-containing impurity 23 to the electrode 31b is improved as compared with the first example, and the metal-containing impurity removal efficiency is higher than that of the first example. This makes it possible to more effectively suppress adhesion of minute metal-containing impurities in the liquid to the wafer to be processed during liquid processing.

（第３の例）
図１１は、第２の実施形態における第３の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。 (Third example)
FIG. 11 is a schematic configuration view showing a liquid processing apparatus for carrying out the liquid processing method of the third example in the second embodiment.

本例においては、液体タンク１５から延びる液供給配管１６に電荷を帯びたメタル含有不純物が除去可能なフィルタ５０が設けられている。このようなフィルタ５０として陽イオン除去フィルタを用いることにより陽イオン等の正の電荷を帯びた状態のメタル含有不純物を除去することができる。また、フィルタ５０として陰イオン除去フィルタを用いることにより陰イオン等の負の電荷を帯びた状態のメタル含有不純物を除去することができる。特に、フィルタ５０として陽イオン除去フィルタと陰イオン除去フィルタとを併用することが好ましい。これにより、液体から陽イオン等の正の電荷を帯びた状態のメタル含有不純物および陰イオン等の負の電荷を帯びた状態のメタル含有不純物を除去することができるので、液体中のメタル含有不純物の量をより少なくして、液処理においてメタル含有不純物がウエハＷに付着することをより効果的に抑制することができる。   In the present embodiment, the liquid supply pipe 16 extending from the liquid tank 15 is provided with the filter 50 capable of removing the metal-containing impurities charged. By using a positive ion removal filter as the filter 50, metal-containing impurities in a positively charged state such as positive ions can be removed. In addition, by using an anion removal filter as the filter 50, metal-containing impurities in a negatively charged state such as anions can be removed. In particular, it is preferable to use a positive ion removal filter and a negative ion removal filter in combination as the filter 50. As a result, metal-containing impurities in a positively charged state such as cations and metal-containing impurities in a negatively charged state such as anions can be removed from the liquid, so that metal-containing impurities in the liquid can be removed. Can be more effectively suppressed from adhering metal-containing impurities to the wafer W in liquid processing.

（第４の例）
図１２は、第２の実施形態における第４の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。 (4th example)
FIG. 12 is a schematic configuration view showing a liquid processing apparatus for carrying out the liquid processing method of the fourth example in the second embodiment.

本例においては、液体タンク１５に供給する液体を蒸留精製する蒸留精製部６０を有している。液体として溶剤や純水を用いる場合には、液体を蒸留精製することにより液体中の微小なメタル含有不純物を除去することが可能である。これにより、液処理の際にウエハＷに供給される液体中のメタル含有不純物の数を少なくすることができ、メタル含有不純物がウエハＷに付着することを抑制することができる。   In the present embodiment, the distillation / purification unit 60 for distillation / purification of the liquid supplied to the liquid tank 15 is provided. When a solvent or pure water is used as the liquid, it is possible to remove minute metal-containing impurities in the liquid by distilling and purifying the liquid. Thus, the number of metal-containing impurities in the liquid supplied to the wafer W during liquid processing can be reduced, and adhesion of the metal-containing impurities to the wafer W can be suppressed.

（第５の例）
図１３は、第２の実施形態における第５の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。 (Fifth example)
FIG. 13 is a schematic configuration view showing a liquid processing apparatus for carrying out the liquid processing method of the fifth example in the second embodiment.

本例においては、従前の例の液供給配管１６の代わりに、液体中の電荷を帯びた微小なメタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料からなる液供給配管１６′を有しており、液供給配管１６′に、同様のメタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料からなる不純物除去フィルタ４５が設けられている。   In the present embodiment, instead of the liquid supply pipe 16 of the previous example, a liquid supply pipe 16 'made of a material having high adsorptivity for small metal-containing impurities charged in the liquid is provided. The liquid supply pipe 16 'is provided with an impurity removing filter 45 made of a material having high adsorptivity to similar metal-containing impurities.

このように液体の供給経路に液体中のメタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料を用いることにより、液体中の微小なメタル含有不純物が液体の供給経路でトラップされて除去される。   As described above, by using a material having high adsorptivity for metal-containing impurities in the liquid as the liquid supply path, minute metal-containing impurities in the liquid are trapped and removed in the liquid supply path.

以下、このような構成に至った経緯について説明する。
液体がＩＰＡである場合、ＩＰＡ中に主成分としてＦｅを含む不純物（Ｆｅ不純物）が存在し、ＩＰＡをＰＦＡ（パーフルオロアルコキシアルカン）製の容器に入れるとＩＰＡ中のＦｅ不純物が高い効率で容器の内壁に吸着されることが判明した。また、シリコンウエハにＩＰＡを塗布することによりＦｅ不純物が高い効率でウエハに吸着されることが見出され、このことから容器材料としてＳｉを用いた場合にも、同様にＩＰＡ中のＦｅ不純物が高い効率で容器内壁に吸着されることが期待される。 Hereinafter, the circumstances leading to such a configuration will be described.
When the liquid is IPA, an impurity (Fe impurity) containing Fe as a main component is present in IPA, and when IPA is placed in a container made of PFA (perfluoroalkoxyalkane), the container is highly efficient at Fe impurities in IPA. Was found to be adsorbed on the inner wall of In addition, it was found that by applying IPA to a silicon wafer, Fe impurities were adsorbed to the wafer with high efficiency, and thus Fe impurities in IPA were similarly contained in the case of using Si as a container material. It is expected to be adsorbed on the inner wall of the container with high efficiency.

これに対し、ＩＰＡをＰＰ（ポリプロピレン）製の容器に入れるとＩＰＡ中のＦｅ不純物が容器内壁に吸着され難いことが判明した。また、ＩＰＡ供給ラインの材料として広く用いられている粒子除去フィルタの材料であるＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）にもＩＰＡ中のＦｅ不純物が吸着され難いことを示唆するデータも得られた。   On the other hand, it was found that when IPA was placed in a container made of PP (polypropylene), Fe impurities in IPA were less likely to be adsorbed on the inner wall of the container. Also, data suggesting that Fe impurities in IPA are difficult to be adsorbed on PTFE (polytetrafluoroethylene), which is a material of a particle removal filter widely used as a material of the IPA supply line, was also obtained.

このような液体中のメタル含有不純物に対する材料の付着性は、対象液体中の材料の表面電位（マイナスであるかプラスであるか）や、材料自体の極性（プラスやマイナスが偏在しているか）に依存する。具体的には、液体がＩＰＡの場合には、その中のＦｅ不純物が付着しやすい材料は、ＩＰＡに対して表面電位がマイナスになる材料、または材料自体に極性があり電気的にマイナスに偏在した部分がある材料である。   The adhesion of the material to such metal-containing impurities in the liquid is the surface potential (whether minus or plus) of the material in the target fluid, or the polarity of the material itself (whether plus or minus is unevenly distributed) Depends on Specifically, when the liquid is IPA, the material to which Fe impurities easily adhere is a material whose surface potential is negative with respect to IPA, or the material itself is polar and it is negatively localized. Part of the material.

材料粒子の表面電位の指標としては、材料粒子のゼータ電位またはゼータ電位計測から求められる等電点（電離後の材料粒子の電荷平均が０となるｐＨ）を挙げることができる。ＩＰＡのような有機溶媒中の粒子の帯電においても、水系溶媒で計測されるゼータ電位が表面電位の指標となる。   Examples of the index of the surface potential of the material particles include the zeta potential of the material particles or the isoelectric point (pH at which the charge average of the material particles after ionization becomes 0) obtained from the measurement of the zeta potential. Also in charging of particles in an organic solvent such as IPA, the zeta potential measured with an aqueous solvent is an indicator of surface potential.

図１４は、材料粒子のｐＨと溶媒のｐＨの座標における材料粒子の帯電状態を模式的に示す図である。この図から、ＩＰＡ溶媒中では、ＳｉＯ２表面は負の電位をもつことがわかる。ＳｉＯ２膜表面にはＩＰＡ中のＦｅ不純物が高効率で吸着することから、Ｆｅ不純物の多くは、プラス電荷を持ち、ＳｉＯ２表面に電気的に吸着していると考えられる。したがって、ＩＰＡ中のＦｅ不純物が吸着しやすい材料は、ＩＰＡに対して表面電位がマイナスになる材料である。 FIG. 14 is a view schematically showing the charged state of the material particles at the coordinates of the pH of the material particles and the pH of the solvent. From this figure, it can be seen that in the IPA solvent, the SiO 2 surface has a negative potential. Since Fe impurities in IPA are adsorbed with high efficiency on the SiO 2 film surface, it is considered that most of the Fe impurities have a positive charge and are electrically adsorbed on the SiO 2 surface. Therefore, the material that easily adsorbs the Fe impurity in IPA is a material whose surface potential is negative with respect to IPA.

図１４の横軸の指標を等電点で整理すると、以下表１に示すようになる。図１４と表１とから、ＩＰＡ中のＦｅ系不純物粒子は、ＳｉＯ２のような等電点の小さい材料には吸着しやすく、ＺｎＯのような等電点の大きい材質には吸着しにくいことが見出された。

Figure 0006541492
When the indices on the horizontal axis of FIG. 14 are arranged by isoelectric point, they are as shown in Table 1 below. From FIG. 14 and Table 1, Fe-based impurity particles in IPA are easy to be adsorbed to a material having a small isoelectric point such as SiO 2 and to be difficult to be adsorbed to a material having a large isoelectric point such as ZnO. Was found.
Figure 0006541492

なお、ウエハ表面にＳｉＯ２のような等電点が低い膜が形成されている場合は、ＩＰＡ中のＦｅ不純物が吸着しやすいため、第１の実施形態のようにウエハを接地するまたは電圧印加することによりウエハへのＦｅ不純物の付着を抑制することは効果的である。 When a film having a low isoelectric point such as SiO 2 is formed on the wafer surface, the Fe impurity in IPA is easily adsorbed, so the wafer is grounded or a voltage is applied as in the first embodiment. It is effective to suppress the adhesion of Fe impurities to the wafer by carrying out.

材料粒子の極性の指標としては、化合物組成の双極子モーメントを挙げることができる。双極子モーメントは特に有機材料における指標である。すなわち、電気陰性度の異なる元素を含み、極性を誘発して大きい双極子モーメントを有する極性物質は、電気的にマイナスに偏在する部分を有しておりＩＰＡ中のＦｅ不純物を吸着しやすい。種々の有機材料の構造式、極性、ＩＰＡ中のＦｅ不純物粒子の吸着効果を図１５にまとめて示す。   As an indicator of the polarity of the material particles, the dipole moment of the compound composition can be mentioned. Dipole moment is an indicator, especially in organic materials. That is, a polar substance containing an element of different electronegativity and inducing a polarity and having a large dipole moment has a portion which is electrically negatively localized, and easily adsorbs an Fe impurity in IPA. Structural formulas of various organic materials, polarity, and adsorption effects of Fe impurity particles in IPA are summarized in FIG.

図１５に示すように、ＰＰ（ポリプロピレン）は、構造式中に電気陰性度の大きく異なる元素を含まないため極性が弱く、ＩＰＡ中のＦｅ不純物に対する吸着能が小さい（吸着しづらい）。また、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）は、Ｆ→Ｃのベクトルを持つが、相対するＦ→Ｃのベクトルに打ち消され、極性を誘発しないため、やはりＩＰＡ中のＦｅ不純物に対する吸着能が小さい（吸着しづらい）。一方、ＰＦＡ（パーフルオロアルコキシアルカン）は、構造式中のＣ３Ｆ７で双極子モーメントを持つと予想され、ＩＰＡ中のＦｅ不純物に対する吸着能が大きい（吸着しやすい）。また、ＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）は、構造式中のＣＦ２とＣＨ２のベクトルが逆向きであり、強い双極子モーメントベクトルを有するため、ＩＰＡ中のＦｅ不純物に対する吸着能が大きい（吸着しやすい）。なお、これら材料のうち、ＰＰ、ＰＴＦＥ、ＰＦＡについては、ＩＰＡ中のＦｅ不純物に対する吸着性がほぼ実証されている。 As shown in FIG. 15, PP (polypropylene) is weak in polarity because it does not contain an element having a great difference in electronegativity in its structural formula, and its adsorption ability to Fe impurities in IPA is small (hard to adsorb). In addition, PTFE (polytetrafluoroethylene) has a vector of F → C, but is canceled by the vector of the opposite F → C and does not induce polarity, so the adsorption ability to Fe impurities in IPA is also small (adsorption) difficult). On the other hand, PFA (perfluoroalkoxyalkane) is expected to have a dipole moment at C 3 F 7 in the structural formula, and has a large adsorption capacity (facilitates adsorption) to Fe impurities in IPA. In addition, PVDF (polyvinylidene fluoride) has a large dipole moment vector in IPA because the vectors of CF 2 and CH 2 in the structural formula are opposite to each other and has a strong dipole moment vector (it is easy to be adsorbed) ). Among these materials, PP, PTFE, and PFA have almost demonstrated the adsorptivity for Fe impurities in IPA.

以上のように、本実施例では、液体の供給経路に液体中の電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を吸着しやすい材料を用いるが、それに加え、液体供給経路の材料を帯電させることで、さらに高い吸着性を期待できる。   As described above, in the present embodiment, a material that easily adsorbs the minute metal-containing impurity charged in the liquid is used as the liquid supply path, but in addition to that, the material of the liquid supply path is charged, Higher adsorptivity can be expected.

例えば、液供給配管１６′を構成する、液体中の微小なメタル含有不純物を吸着しやすい材料は、液体中で微小なメタル含有不純物と逆の極性の表面電位を有する材料であるから、これをポリエステルワイプ等で摩擦して帯電させることにより、液供給配管１６′の表面電位をさらに増加させて、メタル含有不純物をより高い効率で吸着させることができる。   For example, the material which is easy to adsorb the minute metal-containing impurities in the liquid, which constitutes the liquid supply piping 16 ', is a material having a surface potential of the opposite polarity to the minute metal-containing impurities in the liquid. The surface potential of the liquid supply pipe 16 'can be further increased by friction by charging with a polyester wipe or the like, and metal-containing impurities can be adsorbed with higher efficiency.

実際に図１６に示すように、液供給配管として、ＰＦＡチューブを用い、粒子除去フィルタとして５０ｎｍの粒子を除去可能なものを用いて、ＰＦＡチューブを摩擦帯電させた状態で容器（キャニスター）から供給配管を介して供給されたＩＰＡ中のＦｅ濃度を、摩擦帯電させない場合のＩＰＡ中のＦｅ濃度と比較した。   Actually, as shown in FIG. 16, a PFA tube is used as a liquid supply pipe, and a particle removal filter capable of removing particles of 50 nm is used to supply the PFA tube from a container (canister) in a frictionally charged state The concentration of Fe in IPA supplied via piping was compared to the concentration of Fe in IPA without tribocharging.

その結果、サンプリングしたＩＰＡ中のＦｅ濃度が、ＰＦＡチューブを摩擦帯電させない場合には６１ｐｐｔであったのに対し、摩擦帯電させた場合には２５ｐｐｔとなり、ＩＰＡ中のＦｅ系不純物粒子の量が６０％程度低減したことが確認された。   As a result, the Fe concentration in the sampled IPA was 61 ppt when the PFA tube was not frictionally charged, whereas it was 25 ppt when it was frictionally charged, and the amount of Fe-based impurity particles in the IPA was 60. It was confirmed that the reduction was about%.

なお、本例では、液体中のメタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料を液供給配管および粒子除去フィルタの両方に適用したが、いずれか一方であってもよい。また、液体タンクをメタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料で構成してもよい。   In the present example, the material having high adsorptivity to metal-containing impurities in the liquid is applied to both the liquid supply pipe and the particle removal filter, but either one may be used. In addition, the liquid tank may be made of a material having high adsorptivity to metal-containing impurities.

また、帯電させる場合は、液体中のメタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料で構成された液供給経路部材の少なくとも１個を帯電させればよい。   Further, in the case of charging, it is sufficient to charge at least one of the liquid supply path members made of a material having high adsorptivity to metal-containing impurities in the liquid.

（第６の例）
図１７は、第２の実施形態のおける第６の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。 (Sixth example)
FIG. 17 is a schematic configuration view showing a liquid processing apparatus for carrying out the liquid processing method of the sixth example in the second embodiment.

本例においては、液供給機構５に、第５の例の液体中のメタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料を利用した清浄化ユニット（メタル含有不純物除去ユニット）７０を設けた例を示す。   In this example, the liquid supply mechanism 5 is provided with a cleaning unit (metal-containing impurity removing unit) 70 using a material having high adsorptivity for metal-containing impurities in the liquid of the fifth example. Show.

具体的には、液体タンク１５からＩＰＡ等の液体を供給する第１液供給配管６１が延びており、第１液供給配管６１にポンプ１７および不純物除去フィルタ６２が介装されている。第１液供給配管６１は、清浄化ユニット７０に上方から挿入されており、液体は第１液供給配管６１を介して清浄化ユニット７０に供給され、貯留される。また、清浄化ユニット７０の上方から第２液供給配管６３が挿入されており、第２液供給配管６３はチャンバ２内に延び、その先端にノズル１８が設けられている。   Specifically, a first liquid supply pipe 61 for supplying a liquid such as IPA is extended from the liquid tank 15, and a pump 17 and an impurity removing filter 62 are interposed in the first liquid supply pipe 61. The first liquid supply pipe 61 is inserted into the cleaning unit 70 from above, and the liquid is supplied to the cleaning unit 70 via the first liquid supply pipe 61 and stored. Further, a second liquid supply pipe 63 is inserted from above the cleaning unit 70, the second liquid supply pipe 63 extends into the chamber 2, and a nozzle 18 is provided at the tip thereof.

第１液供給配管６１と第２液供給配管６３は循環ライン６４により接続されている。また、第２液供給配管６３の循環ライン６４接続部の下流側には開閉バルブ６５が設けられ、循環ライン６４には、第１液供給配管６１との接続部近傍に開閉バルブ６６、第２供給配管６３との接続部近傍に開閉バルブ６７が設けられている。したがって、これら開閉バルブ６５，６６，６７の操作により、液体をウエハに供給するモードと循環ライン６４に循環させるモードとの間で切り替え可能となっている。   The first liquid supply pipe 61 and the second liquid supply pipe 63 are connected by a circulation line 64. Further, an open / close valve 65 is provided on the downstream side of the circulation line 64 connection portion of the second liquid supply piping 63, and the circulation line 64 is provided with an opening / closing valve 66 near the connection portion with the first liquid supply piping 61. An open / close valve 67 is provided in the vicinity of the connection with the supply pipe 63. Therefore, switching between the mode of supplying the liquid to the wafer and the mode of circulating the circulation line 64 is possible by the operation of the on-off valves 65, 66 and 67.

清浄化ユニット７０は、バッチ式の清浄化ユニットとして構成され、吸着槽７１と、吸着槽７１の底部に敷き詰められた吸着部材７２とを有する。吸着部材７２は、第５の例の液体中のメタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料からなる。   The cleaning unit 70 is configured as a batch-type cleaning unit, and includes an adsorption tank 71 and an adsorption member 72 spread over the bottom of the adsorption tank 71. The adsorption member 72 is made of a material having high adsorptivity to metal-containing impurities in the liquid of the fifth example.

また、吸着槽７１には、再生用液供給ライン７３と再生用液排出ライン７５が接続されており、これらにはそれぞれ開閉バルブ７４および７６が介装されている。再生用液は、吸着部材７２にトラップされたメタル含有不純物を除去するためのものであり、典型的には酸溶液が用いられる。   In addition, a regeneration liquid supply line 73 and a regeneration liquid discharge line 75 are connected to the adsorption tank 71, and opening and closing valves 74 and 76 are interposed in these, respectively. The regeneration solution is for removing metal-containing impurities trapped in the adsorption member 72, and typically an acid solution is used.

本例の液処理装置においては、液体タンク１５から、第１液供給配管６１を介して、液体として例えばＩＰＡを清浄化ユニット７０の吸着槽７１に供給する。このとき、開閉バルブ６５，６６，６７は閉じられている。液体の供給が終了して一定時間保持した後、バルブ６５を開成して液体を第２液供給配管６３およびノズル１８を介してウエハへ液体を供給する。これにより、吸着槽７１内において、吸着部材７２に液体中のメタル含有不純物が吸着される。   In the liquid processing apparatus of this embodiment, for example, IPA as a liquid is supplied from the liquid tank 15 to the adsorption tank 71 of the cleaning unit 70 via the first liquid supply pipe 61. At this time, the on-off valves 65, 66 and 67 are closed. After the supply of the liquid is completed and held for a predetermined time, the valve 65 is opened to supply the liquid to the wafer through the second liquid supply pipe 63 and the nozzle 18. Thereby, the metal-containing impurities in the liquid are adsorbed to the adsorption member 72 in the adsorption tank 71.

このように、吸着部材７２に液体中のメタル含有不純物を吸着させることにより、液体中のメタル含有不純物を高効率で除去することができる。なお、吸着材料の形態は、例えば球状としたり、また構造をポーラス上として吸着表面積を拡大させるなど、吸着効率を高める構造としてもよい。   As described above, by causing the adsorption member 72 to adsorb the metal-containing impurities in the liquid, the metal-containing impurities in the liquid can be removed with high efficiency. The form of the adsorption material may be, for example, a spherical shape or a structure having a porous structure to increase the adsorption surface area or the like to increase the adsorption efficiency.

液処理を行わない場合は、開閉バルブ６５を閉成し、開閉バルブ６６，６７を開成して、循環ライン６４により液体を循環させておく。   When the liquid processing is not performed, the on-off valve 65 is closed, the on-off valves 66 and 67 are opened, and the liquid is circulated by the circulation line 64.

吸着部材７２は、所定量のメタル含有不純物を吸着すると、それ以上吸着することが困難となるため、吸着部材７２にトラップされたメタル含有不純物を除去して再生することが好ましい。吸着部材７２の再生には、吸着槽７１に液体が入っていない状態で、再生用液供給ライン７３を介して吸着槽７１に再生用液、例えば酸溶液を供給して、吸着部材７２に吸着したメタル含有不純物を除去する。再生処理が終了した後は、再生用液を再生用液排出ライン７５から排出させる。   Since it becomes difficult for the adsorption member 72 to adsorb a predetermined amount of metal-containing impurities any more, it is preferable to remove and regenerate the metal-containing impurities trapped in the adsorption member 72. In the regeneration of the adsorption member 72, the regeneration liquid, for example, an acid solution is supplied to the adsorption tank 71 through the regeneration liquid supply line 73 in a state where no liquid is contained in the adsorption tank 71, and the adsorption member 72 is adsorbed. Removed metal-containing impurities. After the regeneration process is completed, the regeneration solution is discharged from the regeneration solution discharge line 75.

なお、清浄化ユニットとして、吸着槽下部から液体を流入させて、吸着槽上部から液体を流出させる連続式のものを用いてもよい。また、上記第５の例の内容は、本例の吸着部材に適用することができる。   In addition, you may use the continuous thing which makes a liquid flow in from a adsorption tank lower part, and makes a liquid flow out from an adsorption tank upper part as a purification unit. The contents of the fifth example can be applied to the suction member of the present example.

（他の例）
第２の実施形態では、第１の例〜第６の例を適宜組み合わせてもよい。例えば、図７に示す第１の例の液処理装置または図９に示す第２の例の液処理装置に、第３の例のイオン除去フィルタ５０または第４の例の蒸留生成部６０を設けてもよく、またこれらの両方を設けてもよい。これにより、液体中のメタル含有不純物の除去率をより高めることができ、液処理の際にメタル含有不純物がウエハＷに付着することをより効果的に抑制することができる。 (Other example)
In the second embodiment, the first to sixth examples may be combined as appropriate. For example, the ion removal filter 50 of the third example or the distillation generation unit 60 of the fourth example is provided in the liquid treatment apparatus of the first example shown in FIG. 7 or the liquid treatment apparatus of the second example shown in FIG. Or both may be provided. Thus, the removal rate of metal-containing impurities in the liquid can be further enhanced, and adhesion of metal-containing impurities to the wafer W can be more effectively suppressed during liquid processing.

一例として、図１８に、図９の液処理装置に、図１１のイオン除去フィルタ５０を組み合わせた例を示す。   As an example, FIG. 18 shows an example in which the liquid removal apparatus of FIG. 9 is combined with the ion removal filter 50 of FIG.

＜第３の実施形態＞
次に、第３の実施形態について説明する。
第３の実施形態では、液処理に用いる液体の供給系において、液体中の電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を除去するとともに、被処理体であるウエハの帯電を制御し、液体中に残存するそのようなメタル含有不純物が被処理体であるウエハへ静電気力で付着することを抑制する。すなわち、第３の実施形態は、上記第１の実施形態と第２の実施形態と併用するものである。なお、第１の実施形態および第２の実施形態と同様、微小なメタル含有不純物としては、典型的にはパーティクル状で１０ｎｍ以下のものを挙げることができるが、それに限定されない。電荷を帯びたメタル含有不純物としてはイオン状のものが含まれるが、イオン状には限定されない。 Third Embodiment
Next, a third embodiment will be described.
In the third embodiment, in the liquid supply system used for liquid processing, the minute metal-containing impurities charged in the liquid are removed, and the charge of the wafer to be processed is controlled to leave the liquid in the liquid. Such metal-containing impurities are prevented from adhering to the wafer to be treated by electrostatic force. That is, the third embodiment is used in combination with the first embodiment and the second embodiment. As in the first embodiment and the second embodiment, the fine metal-containing impurities may typically be in the form of particles having a particle size of 10 nm or less, but are not limited thereto. The charged metal-containing impurities include those in ionic form, but are not limited to ionic forms.

組み合わせは任意であり、第１の実施形態の第１の例、第２の例または第３の例と、第２の実施形態の第１の例、第２の例、第３の例、第４の例、第５の例、または第６の例のいずれかとを併用してもよいし、第１の実施形態の第１の例、第２の例または第３の例と、第２の実施形態の第１の例〜第６の例を適宜組み合わせたものを併用してもよい。例えば、第１の実施形態の第１の例、第２の例または第３の例と、第２の実施形態の第１の例または第２の例に第３の例または／および第４の例を組み合わせたものを併用してもよい。   The combination is arbitrary, and the first example, the second example or the third example of the first embodiment and the first example, the second example, the third example, the third example of the second embodiment The fourth example, the fifth example, or any one of the sixth examples may be used in combination, and the first example, the second example or the third example of the first embodiment, and the second example. You may use together what combined the 1st example of the embodiment-the 6th example suitably. For example, the first example, the second example or the third example of the first embodiment, and the third example or / and the fourth example to the first example or the second example of the second embodiment. A combination of examples may be used in combination.

このように、液体中のメタル含有不純物の除去と、被処理体であるウエハの帯電制御とを併用することにより、液体中のメタル含有不純物の量を減少させるとともに、静電気力によりメタル含有不純物がウエハに付着すること自体を抑制するので、ウエハのメタル汚染を極めて効果的に抑制することができる。   Thus, the amount of metal-containing impurities in the liquid is reduced by using both the removal of the metal-containing impurities in the liquid and the charge control of the wafer which is the object to be treated, and the metal-containing impurities are reduced by electrostatic force. Since adhesion to the wafer itself is suppressed, metal contamination of the wafer can be extremely effectively suppressed.

これらの中で、第１の実施形態の第１の例または第２の例と、第２の実施形態の第１の例または第２の例との組み合わせは、静電気を利用した簡易な構成であり、特に有効である。図１９に、第１の実施形態の第２の例と、第２の実施形態の第２の例を組み合わせたものを例示する。もちろん、図１９の装置にさらにイオン除去フィルタまたは蒸留精製部、またはその両方を設けてもよいし、さらに第２の実施形態の第５の例または第６の例を組み合わせてもよい。   Among these, the combination of the first example or the second example of the first embodiment and the first example or the second example of the second embodiment has a simple configuration using static electricity. Yes, especially effective. FIG. 19 illustrates a combination of the second example of the first embodiment and the second example of the second embodiment. Of course, the apparatus shown in FIG. 19 may be further provided with an ion removal filter or a distillation purification unit, or both, and further, the fifth or sixth example of the second embodiment may be combined.

＜実施形態による効果＞
以上のように、本実施形態では、ＩＰＡのような液処理に用いる液体中に、従来含まれていると認識されてなかった電荷を帯びた微小なメタル含有不純物、典型的にはパーティクル状で１０ｎｍ以下のメタル含有不純物が含まれていることを新たに見出し、それに基づいて、ウエハの帯電を制御すること、または、液体中からメタル含有不純物を除去すること、または、それらの両方を行うことにより、このようなメタル含有不純物がウエハへ付着することを防止する。これにより、ウエハのメタル汚染を有効に抑制することができ、半導体デバイスの微細化に対応することができる。 <Effect of the embodiment>
As described above, in the present embodiment, the fine metal-containing impurities, typically in the form of particles, which have been charged and have not been recognized as being contained in the liquid conventionally used in liquid processing such as IPA. It is newly found that metal-containing impurities of 10 nm or less are contained, and based thereon, controlling the charge of the wafer, or removing the metal-containing impurities from the liquid, or both of them. This prevents such metal-containing impurities from adhering to the wafer. As a result, metal contamination of the wafer can be effectively suppressed, and miniaturization of semiconductor devices can be coped with.

＜他の適用＞
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、被処理体であるウエハをスピンチャックに保持させて、ウエハを回転しながら、ウエハに液体を供給してウエハの全面に液体を広げるようにして液処理を行う場合について示したが、被処理体に液体を供給して処理するものであればその形態は限定されない。 <Other application>
The present invention can be variously modified without being limited to the above embodiment. For example, in the above embodiment, the case where the wafer to be processed is held by the spin chuck and the liquid is supplied to the wafer to spread the liquid over the entire surface of the wafer while rotating the wafer. Although it has been shown, the form is not limited as long as the liquid is supplied to the object to be treated for treatment.

また、上記実施形態において、被処理体であるウエハの帯電を制御する方法および液体からメタル含有不純物を除去する方法は例示に過ぎず、他の方法を用い得ることはいうまでもない。   Further, in the above embodiment, the method of controlling the charge of the wafer to be processed and the method of removing the metal-containing impurities from the liquid are merely examples, and it is needless to say that other methods can be used.

さらに、上記実施形態では被処理体として半導体ウエハを用いた例を示したが、これに限らず、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物が付着するおそれがある被処理体であれば本発明を適用することができる。   Furthermore, although the example which used the semiconductor wafer as a to-be-processed object was shown in the said embodiment, not only this but if it is a to-be-processed object to which the fine metal-containing impurity which carried electric charge may adhere, this invention It can apply.

１；液処理装置
２；チャンバ
３；スピンチャック
４；モータ
５；液供給機構
６；制御部
１１；カップ
１２；排気・排液管
１３；回転軸
１４；接地線
１５；液体タンク
１６，１６′；液供給配管
１７；ポンプ
１８；ノズル
２１；給電線
２２；直流電源
２３；メタル含有不純物
３１ａ，３１ｂ；電極
３２；直流電源
３５；マイクロバブル発生器
４０；マイクロバブル
４５，６２；不純物除去フィルタ
５０；イオン除去フィルタ
６０；蒸留精製部
６１；第１液供給配管
６３；第２液供給配管
６４；循環ライン
６５，６６，６７；開閉バルブ
７０；清浄化ユニット
７１；吸着槽
７２；吸着部材
Ｗ；半導体ウエハ（被処理体） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1; Liquid processing apparatus 2; Chamber 3; Spin chuck 4; Motor 5; Liquid supply mechanism 6; Control part 11; Cup 12; Exhaust and drainage pipe 13; Rotating shaft 14; Grounding wire 15; Liquid tank 16, 16 ' Liquid supply piping 17; pump 18; nozzle 21; feeder 22; DC power supply 23; metal-containing impurity 31a, 31b; electrode 32; DC power supply 35; micro bubble generator 40; micro bubble 45, 62; ; Ion removal filter 60; Distillation purification part 61; First liquid supply piping 63; Second liquid supply piping 64; Circulation line 65, 66, 67; Opening / closing valve 70; Cleaning unit 71; Adsorption tank 72; Adsorption member W; Semiconductor wafer (processed object)

Claims (28)

被処理体を保持する保持部と、前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給機構とを有する液処理装置を用いて、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を含む液体により被処理体を液処理する液処理方法であって、
前記保持部を接地することにより、前記保持部に保持された被処理体の帯電を制御することにより、前記メタル含有不純物が前記被処理体へ静電気力で付着されることを抑制することを特徴とする液処理方法。 Liquid containing minute metal-containing impurities charged using a liquid processing apparatus having a holding unit for holding an object to be treated and a liquid supply mechanism for supplying liquid to the object held in the holder A liquid processing method for liquid processing of an object to be processed by
The metal-containing impurities are prevented from adhering to the object to be processed by electrostatic force by controlling the charge of the object to be processed held by the holding portion by grounding the holding portion. Liquid treatment method. 被処理体を保持する保持部と、前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給機構とを有する液処理装置を用いて、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を含む液体により被処理体を液処理する液処理方法であって、
前記保持部に保持された被処理体に液体が供給される過程で、前記液体に含まれる前記メタル含有不純物を除去するとともに、前記保持部を接地することにより、前記保持部に保持された被処理体の帯電を制御することにより、前記液体中に残存する前記メタル含有不純物が前記被処理体へ静電気力で付着されることを抑制することを特徴とする液処理方法。 Liquid containing minute metal-containing impurities charged using a liquid processing apparatus having a holding unit for holding an object to be treated and a liquid supply mechanism for supplying liquid to the object held in the holder A liquid processing method for liquid processing of an object to be processed by
In the process of supplying the liquid to the object to be treated held by the holding unit, the metal-containing impurities contained in the liquid are removed, and the holding unit is grounded to thereby hold the object held by the holding unit. A liquid processing method characterized in that the metal-containing impurities remaining in the liquid are prevented from being attached to the object to be processed by electrostatic force by controlling the charge of the object to be treated. 被処理体を保持する保持部と、前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給機構とを有する液処理装置を用いて、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を含む液体により被処理体を液処理する液処理方法であって、  Liquid containing minute metal-containing impurities charged using a liquid processing apparatus having a holding unit for holding an object to be treated and a liquid supply mechanism for supplying liquid to the object held in the holder A liquid processing method for liquid processing of an object to be processed by
前記保持部に保持された前記被処理体の裏面に純水を供給することにより、前記保持部に保持された被処理体の帯電を制御することにより、前記メタル含有不純物が前記被処理体へ静電気力で付着されることを抑制することを特徴とする液処理方法。  The metal-containing impurities are transferred to the object by controlling the charge of the object held by the holder by supplying pure water to the back surface of the object held by the holder. A liquid processing method characterized by suppressing adhesion by electrostatic force. 被処理体を保持する保持部と、前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給機構とを有する液処理装置を用いて、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を含む液体により被処理体を液処理する液処理方法であって、  Liquid containing minute metal-containing impurities charged using a liquid processing apparatus having a holding unit for holding an object to be treated and a liquid supply mechanism for supplying liquid to the object held in the holder A liquid processing method for liquid processing of an object to be processed by
前記保持部に保持された被処理体に液体が供給される過程で、前記液体に含まれる前記メタル含有不純物を除去するとともに、前記保持部に保持された前記被処理体の裏面に純水を供給することにより、前記保持部に保持された被処理体の帯電を制御することにより、前記液体中に残存する前記メタル含有不純物が前記被処理体へ静電気力で付着されることを抑制することを特徴とする液処理方法。  While the liquid is supplied to the object to be treated held by the holder, the metal-containing impurities contained in the liquid are removed, and pure water is applied to the back surface of the object to be treated held by the holder. The supply of the metal-containing impurities remaining in the liquid is suppressed from being attached to the object by electrostatic force by controlling the charging of the object held by the holding unit. A liquid processing method characterized by 前記液体を貯留部に貯留し、前記貯留部内の前記液体に一対の電極を浸漬し、これら電極間に電圧を印加して電界を形成することにより、前記液体に含まれる前記メタル含有不純物を前記電極に静電気力でトラップし、前記液体中に含まれる前記メタル含有不純物を除去することを特徴とする請求項２または請求項４に記載の液処理方法。 The metal-containing impurities contained in the liquid are stored by storing the liquid in a storage portion, immersing a pair of electrodes in the liquid in the storage portion, and applying a voltage between the electrodes to form an electric field. The liquid processing method according to claim 2, wherein the metal-containing impurities contained in the liquid are trapped on an electrode by electrostatic force and removed. 前記貯留部に貯留された前記液体中に、前記電極の下方からマイクロバブルを供給し、前記マイクロバブルが前記液体中を浮上する過程で前記マイクロバブルに前記メタル含有不純物を吸着させ、前記メタル含有不純物の前記電極へのトラップを促進することを特徴とする請求項５に記載の液処理方法。 In the liquid stored in the storage unit, microbubbles are supplied from below the electrode, and the microbubbles adsorb the metal-containing impurities in the process of the microbubbles rising in the liquid, and the metal-containing The liquid processing method according to claim 5 , which promotes the trapping of impurities to the electrode. 前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給配管に、電荷を帯びたメタル含有不純物を除去可能なフィルタを設けて前記メタル含有不純物を除去することを特徴とする請求項２、請求項４、請求項５、および請求項６のいずれか１項に記載の液処理方法。 Claim 2, wherein the the fluid supply pipe for supplying liquid to the target object held by the holding unit, to remove the metal-containing impurities is provided a filter capable of removing metal-containing impurities charged The liquid processing method according to any one of claims 4, 5, and 6 . 前記フィルタは、陽イオン除去フィルタおよび陰イオン除去フィルタを有することを特徴とする請求項７に記載の液処理方法。 The liquid processing method according to claim 7 , wherein the filter includes a positive ion removal filter and a negative ion removal filter. 前記液体を蒸留精製することにより前記液体から前記メタル含有不純物を除去することを特徴とする請求項２、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７、および請求項８のいずれか１項に記載の液処理方法。 The metal-containing impurities are removed from the liquid by distilling and purifying the liquid , any one of claims 2, 4, 5, 6, 7, and 8 . The liquid processing method according to item 1. 前記液体を前記被処理体に供給する液体の供給経路の少なくとも一部に液体中の前記メタル含有不純物に対して吸着性を有する材料を用いることを特徴とする請求項２、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７、請求項８、および請求項９のいずれか１項に記載の液処理方法。 Claim 2, claim 4, characterized in that a material having the adsorbing at least a portion relative to the metal-containing impurities in the liquid supply path of the liquid supplied to the liquid to the object to be processed, wherein The liquid processing method of any one of Claim 5, Claim 6, Claim 7, Claim 8, and Claim 9 . 前記液体を前記被処理体に供給する液体の供給経路に、液体中の前記メタル含有不純物に対して吸着性を有する材料からなる吸着部材を有するメタル含有不純物除去ユニットを設けることを特徴とする請求項２、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７、請求項８、および請求項９のいずれか１項に記載の液処理方法。 Claims, characterized in that the feed path of the liquid supplied to the liquid to the object to be processed, providing a metal-containing impurity removing unit having a suction member made of a material having an adsorptive to the metal-containing impurities in the liquid A liquid processing method according to any one of claims 2, 4, 5, 6, 7, 8, and 9 . 前記吸着部材に前記メタル含有不純物を吸着させた後、前記吸着部材から前記メタル含有不純物を除去することを特徴とする請求項１１に記載の液処理方法。 The liquid processing method according to claim 11 , wherein the metal-containing impurities are removed from the adsorption member after the metal-containing impurities are adsorbed to the adsorption member. 前記メタル含有不純物に対して吸着性を有する材料は、前記液体中における表面電位が、前記液体中のメタル含有不純物が持つ電荷または表面電位と異符号であることを特徴とする請求項１０から請求項１２のいずれか１項に記載の液処理方法。 Materials having an adsorptive to the metal-containing impurities, wherein claims 10 to surface potentials at the liquid, characterized in that a charge or surface potential and different sign metal-containing impurities in the liquid has The liquid processing method of any one of claim 12 . 前記表面電位の指標は、前記メタル含有不純物に対して吸着性を有する材料を構成する粒子のゼータ電位またはゼータ電位計測から求められる等電点であることを特徴とする請求項１３に記載の液処理方法。 The liquid according to claim 13 , wherein the index of the surface potential is a zeta potential or an isoelectric point determined from measurement of zeta potential of particles constituting a material having adsorptivity for the metal-containing impurities. Processing method. 被処理体を保持する保持部と、前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給機構とを有し、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を含む液体により被処理体を液処理する液処理装置であって、
前記保持部を接地することにより、前記保持部に保持された被処理体の帯電を制御する帯電制御手段をさらに有し、前記帯電制御手段により、前記メタル含有不純物が前記被処理体へ静電気力で付着されることが抑制されることを特徴とする液処理装置。 The object to be treated is provided with a holding portion for holding the object to be treated, and a liquid supply mechanism for supplying a liquid to the object to be treated held in the holding portion, and the object to be treated is A liquid processing apparatus for liquid processing
The apparatus further includes charge control means for controlling charging of the object held in the holding unit by grounding the holding unit, and the metal-containing impurities are electrostatically applied to the object by the charge control means. A liquid processing apparatus characterized in that adhesion is suppressed. 被処理体を保持する保持部と、前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給機構とを有し、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を含む液体により被処理体を液処理する液処理装置であって、
前記液供給機構から前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する過程で、前記液体に含まれる前記メタル含有不純物を除去するメタル含有不純物除去手段と、
前記保持部を接地することにより、前記保持部に保持された被処理体の帯電を制御する帯電制御手段と
をさらに有し、
前記メタル含有不純物除去手段で前記液体中の前記メタル含有不純物が除去されるとともに、前記帯電制御手段により、前記液体中に残存する前記メタル含有不純物が前記被処理体へ静電気力で付着されることが抑制されることを特徴とする液処理装置。 The object to be treated is provided with a holding portion for holding the object to be treated, and a liquid supply mechanism for supplying a liquid to the object to be treated held in the holding portion, and the object to be treated is A liquid processing apparatus for liquid processing
Metal-containing impurity removal means for removing the metal-containing impurities contained in the liquid in the process of supplying the liquid from the liquid supply mechanism to the object held by the holding unit;
And charging control means for controlling charging of the object held by the holding unit by grounding the holding unit.
The metal-containing impurities in the liquid are removed by the metal-containing impurity removal means, and the metal-containing impurities remaining in the liquid are attached to the object by electrostatic force while the charge control means is used. A liquid processing apparatus characterized in that 被処理体を保持する保持部と、前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給機構とを有し、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を含む液体により被処理体を液処理する液処理装置であって、  The object to be treated is provided with a holding portion for holding the object to be treated and a liquid supply mechanism for supplying a liquid to the object to be treated held in the holding portion, and the object to be treated is a liquid containing a minute metal-containing impurity charged. A liquid processing apparatus for liquid processing
前記保持部に保持された被処理体の帯電を制御する帯電制御手段をさらに有し、前記帯電制御手段は、前記保持部に保持された前記被処理体の裏面に純水を供給する純水供給手段を有し、前記純水供給手段から前記被処理体の裏面に純水を供給することにより前記被処理体の表面の帯電を制御し、前記帯電制御手段により、前記メタル含有不純物が前記被処理体へ静電気力で付着されることが抑制されることを特徴とする液処理装置。  The apparatus further comprises charge control means for controlling charging of the object held by the holding unit, wherein the charge control means is pure water for supplying pure water to the back surface of the object held by the holding unit. It has supply means, and charging of the surface of the object to be treated is controlled by supplying pure water from the pure water supply means to the back surface of the object to be treated, and the metal-containing impurities are controlled by the charge control means. A liquid processing apparatus characterized in that electrostatic adhesion to an object is suppressed. 被処理体を保持する保持部と、前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給機構とを有し、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を含む液体により被処理体を液処理する液処理装置であって、  The object to be treated is provided with a holding portion for holding the object to be treated and a liquid supply mechanism for supplying a liquid to the object to be treated held in the holding portion, and the object to be treated is a liquid containing a minute metal-containing impurity charged. A liquid processing apparatus for liquid processing
前記液供給機構から前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する過程で、前記液体に含まれる前記メタル含有不純物を除去するメタル含有不純物除去手段と、  Metal-containing impurity removal means for removing the metal-containing impurities contained in the liquid in the process of supplying the liquid from the liquid supply mechanism to the object held by the holding unit;
前記保持部に保持された被処理体の帯電を制御する帯電制御手段と  Charging control means for controlling charging of the object held by the holding unit;
をさらに有し、前記帯電制御手段は、前記保持部に保持された前記被処理体の裏面に純水を供給する純水供給手段を有し、前記純水供給手段から前記被処理体の裏面に純水を供給することにより前記被処理体の表面の帯電を制御し、The charge control means further comprises pure water supply means for supplying pure water to the back surface of the object held by the holding unit, and from the pure water supply means to the back surface of the object Control the charging of the surface of the object by supplying pure water to the
前記メタル含有不純物除去手段で前記液体中の前記メタル含有不純物が除去されるとともに、前記帯電制御手段により、前記液体中に残存する前記メタル含有不純物が前記被処理体へ静電気力で付着されることが抑制されることを特徴とする液処理装置。  The metal-containing impurities in the liquid are removed by the metal-containing impurity removal means, and the metal-containing impurities remaining in the liquid are attached to the object by electrostatic force while the charge control means is used. A liquid processing apparatus characterized in that 前記液体を貯留する貯留部と、前記貯留部内の前記液体に浸漬される一対の電極と、前記一対の電極間に直流電圧を印加して電界を形成する直流電源とをさらに有し、前記電界が形成されることにより、前記液体に含まれる前記メタル含有不純物が前記電極に静電気力でトラップされ、前記液体中に含まれる前記メタル含有不純物が除去されることを特徴とする請求項１６または請求項１８に記載の液処理装置。 The electric field further includes a storage unit for storing the liquid, a pair of electrodes immersed in the liquid in the storage unit, and a DC power supply for applying a DC voltage between the pair of electrodes to form an electric field. by but formed, the metal-containing impurities contained in the liquid is trapped by the electrostatic force to the electrode, according to claim 16, wherein said metal-containing impurities contained in the liquid is characterized in that it is removed Item 19. The liquid processing apparatus according to item 18 . 前記貯留部に貯留された液体中に、前記電極の下方からマイクロバブルを供給するマイクロバブル発生器をさらに有し、前記マイクロバブルが前記液体中を浮上する過程で前記マイクロバブルに前記メタル含有不純物が吸着され、前記メタル含有不純物の前記電極へのトラップが促進されることを特徴とする請求項１９に記載の液処理装置。 The liquid stored in the storage unit further includes a microbubble generator that supplies microbubbles from below the electrode, and the microbubbles include the metal-containing impurity in the process of floating the microbubbles in the liquid. 20. The liquid processing apparatus according to claim 19 , wherein the adsorption of the metal-containing impurities to the electrode is promoted. 前記液供給機構は、前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給配管を有し、前記液処理装置は、前記液供給配管に設けられた、電荷を帯びたメタル含有不純物を除去可能なフィルタをさらに有し、前記フィルタにより前記メタル含有不純物が除去されることを特徴とする請求項１６、請求項１８、請求項１９、および請求項２０のいずれか１項に記載の液処理装置。 The liquid supply mechanism has a liquid supply pipe for supplying a liquid to the object held by the holding unit, and the liquid processing apparatus is provided with a charged metal-containing impurity provided in the liquid supply pipe. 21. The filter according to any one of claims 16, 18, 19, and 20 , further comprising a filter that is capable of removing the metal-containing impurities by the filter. Liquid treatment equipment. 前記フィルタは、陽イオン除去フィルタおよび陰イオン除去フィルタを有することを特徴とする請求項２１に記載の液処理装置。 22. The liquid processing apparatus according to claim 21 , wherein the filter comprises a positive ion removal filter and a negative ion removal filter. 前記液体を蒸留精製する蒸留精製部をさらに有し、前記蒸留精製部により前記液体が蒸留精製されることにより前記液体から前記メタル含有不純物が除去されることを特徴とする請求項１６、請求項１８、請求項１９、請求項２０、請求項２１、および請求項２２のいずれか１項に記載の液処理装置 17. The apparatus according to claim 16, further comprising: a distillation purification unit that distills and purifies the liquid, wherein the metal-containing impurities are removed from the liquid by distilling and purifying the liquid by the distillation purification unit. The liquid processing apparatus according to any one of claims 18, 19, 20, 21, and 22. 前記液体を前記被処理体に供給する液体の供給経路の少なくとも一部に液体中の前記メタル含有不純物に対して吸着性を有する材料が用いられることを特徴とする請求項１６、請求項１８、請求項１９、請求項２０、請求項２１、請求項２２、および請求項２３のいずれか１項に記載の液処理装置。 18. A material having an adsorptivity for the metal-containing impurities in a liquid is used for at least a part of a supply path of the liquid for supplying the liquid to the object to be treated . A liquid processing apparatus according to any one of claims 19, 20, 21, 22, and 23 . 前記液体を前記被処理体に供給する液体の供給経路に、液体中の前記メタル含有不純物に対して吸着性を有する材料からなる吸着部材を有するメタル含有不純物除去ユニットが設けられていることを特徴とする請求項１６、請求項１８、請求項１９、請求項２０、請求項２１、請求項２２、および請求項２３のいずれか１項に記載の液処理装置。 A metal-containing impurity removal unit having an adsorption member made of a material having an adsorptivity for the metal-containing impurities in the liquid is provided in a supply path of the liquid for supplying the liquid to the object to be treated. The liquid processing apparatus according to any one of claims 16, 18, 19, 20, 21, 22, and 23 . 前記吸着部材に前記メタル含有不純物を吸着させた後、前記吸着部材から前記メタル含有不純物を除去する液体を供給する再生液供給ラインを有することを特徴とする請求項２５に記載の液処理装置。 The liquid processing apparatus according to claim 25 , further comprising a regenerating liquid supply line for supplying a liquid for removing the metal-containing impurities from the adsorption member after the metal-containing impurities are adsorbed to the adsorption member. 前記メタル含有不純物に対して吸着性を有する材料は、前記液体中における表面電位が、前記液体中のメタル含有不純物が持つ電荷または表面電位と異符号であることを特徴とする請求項２４から請求項２６のいずれか１項に記載の液処理装置。 Materials having an adsorptive to the metal-containing impurities, wherein claims 24 to surface potentials at the liquid, characterized in that a charge or surface potential and different sign metal-containing impurities in the liquid has The liquid processing apparatus of any one of claim 26 . 前記表面電位の指標は、前記メタル含有不純物に対して吸着性を有する材料を構成する粒子のゼータ電位またはゼータ電位計測から求められる等電点であることを特徴とする請求項２７に記載の液処理装置。 The liquid according to claim 27 , wherein the index of the surface potential is a zeta potential or an isoelectric point determined from measurement of zeta potential of particles constituting a material having adsorptivity for the metal-containing impurities. Processing unit.
JP2015149652A 2015-07-29 2015-07-29 Liquid processing method and liquid processing apparatus Active JP6541492B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015149652A JP6541492B2 (en) 2015-07-29 2015-07-29 Liquid processing method and liquid processing apparatus
US15/219,430 US20170032984A1 (en) 2015-07-29 2016-07-26 Liquid processing method and liquid processing apparatus
KR1020160095223A KR20170015195A (en) 2015-07-29 2016-07-27 Liquid processing method and liquid processing apparatus
KR1020180170412A KR20190002396A (en) 2015-07-29 2018-12-27 Liquid processing method and liquid processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015149652A JP6541492B2 (en) 2015-07-29 2015-07-29 Liquid processing method and liquid processing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017033991A JP2017033991A (en) 2017-02-09
JP6541492B2 true JP6541492B2 (en) 2019-07-10

Family

ID=57883010

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015149652A Active JP6541492B2 (en) 2015-07-29 2015-07-29 Liquid processing method and liquid processing apparatus

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20170032984A1 (en)
JP (1) JP6541492B2 (en)
KR (2) KR20170015195A (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160057966A (en) 2014-11-14 2016-05-24 가부시끼가이샤 도시바 Processing apparatus, nozzle and dicing apparatus
JP6545511B2 (en) * 2015-04-10 2019-07-17 株式会社東芝 Processing unit
KR102267914B1 (en) * 2019-10-31 2021-06-22 세메스 주식회사 Apparatus for suppying chemical, method for removing particle of chemical, nozzle unit and apparatus for treating substrate
JP7337989B1 (en) 2022-03-18 2023-09-04 セメス カンパニー，リミテッド Liquid supply unit and liquid supply method

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61239628A (en) * 1985-04-17 1986-10-24 Tokuyama Soda Co Ltd Cleaning of semiconductor substrate
US4732661A (en) * 1985-10-24 1988-03-22 Mercer International, Inc. Electrolytic purification system
US4908109A (en) * 1985-10-24 1990-03-13 Mercer International, Inc. Electrolytic purification system utilizing rapid reverse current plating electrodes
JP2524020B2 (en) * 1990-08-20 1996-08-14 株式会社日立製作所 Liquid particle adhesion control method
US5464480A (en) * 1993-07-16 1995-11-07 Legacy Systems, Inc. Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid
JPH0731810A (en) * 1993-07-23 1995-02-03 Sony Corp Purification of filter in washing process
JP2743823B2 (en) * 1994-03-25 1998-04-22 日本電気株式会社 Semiconductor substrate wet treatment method
JPH08102456A (en) * 1994-09-30 1996-04-16 Kobe Steel Ltd Electronic material cleaning method and cleaning equipment
JPH09167752A (en) * 1995-12-14 1997-06-24 Mitsubishi Electric Corp Method and device for chemical solution treatment
JPH10303173A (en) 1997-04-25 1998-11-13 Sony Corp Wafer dryer and drying method of the same
JP4426036B2 (en) * 1999-12-02 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing equipment
JP2004121962A (en) * 2002-10-01 2004-04-22 National Institute Of Advanced Industrial & Technology Method and apparatus for using nanometer-bubble
US20040226654A1 (en) * 2002-12-17 2004-11-18 Akihisa Hongo Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR100583430B1 (en) * 2004-03-08 2006-05-24 양경숙 Wheel-exchangeable scooter
US7981286B2 (en) * 2004-09-15 2011-07-19 Dainippon Screen Mfg Co., Ltd. Substrate processing apparatus and method of removing particles
KR20060074767A (en) * 2004-12-28 2006-07-03 동부일렉트로닉스 주식회사 Apparatus and method for manufacturing in semiconductor device
EP2036864A4 (en) * 2006-05-31 2012-06-20 Yaskawa Denki Seisakusho Kk Water treatment apparatus
JP4168068B2 (en) * 2006-09-25 2008-10-22 シャープ株式会社 Micro-nano bubble-containing liquid manufacturing method, micro-nano-bubble-containing liquid manufacturing apparatus, and micro-nano-bubble-containing liquid application apparatus
SG144040A1 (en) * 2006-12-27 2008-07-29 Siltronic Ag Cleaning liquid and cleaning method for electronic material
JP5023705B2 (en) * 2007-01-10 2012-09-12 東京エレクトロン株式会社 Semiconductor device manufacturing method, semiconductor manufacturing apparatus, and storage medium
JP5182989B2 (en) * 2008-03-07 2013-04-17 株式会社豊田自動織機 Liquid plasma film forming apparatus, liquid plasma electrode, and film forming method using liquid plasma
JP2009246000A (en) * 2008-03-28 2009-10-22 Shibaura Mechatronics Corp Processing equipment and method of substrate
US8202348B2 (en) * 2008-07-01 2012-06-19 Lawrence Curtin Method of separating carbon dioxide
KR20100049857A (en) * 2008-11-04 2010-05-13 주식회사 실트론 Method and apparatus for improving metallic impurity by using electric charge
JP5408982B2 (en) * 2008-12-09 2014-02-05 芝浦メカトロニクス株式会社 Substrate charge removal device and charge removal method
JP5893823B2 (en) * 2009-10-16 2016-03-23 東京エレクトロン株式会社 SUBSTRATE LIQUID TREATMENT DEVICE, SUBSTRATE LIQUID TREATMENT METHOD, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM CONTAINING SUBSTRATE LIQUID TREATMENT PROGRAM
JP5732199B2 (en) * 2010-01-04 2015-06-10 旭硝子株式会社 Substrate cleaning method
JP5795159B2 (en) * 2010-11-17 2015-10-14 有限会社ターレス Cleaning method for goods
CN103429539B (en) * 2011-05-17 2016-03-02 松下知识产权经营株式会社 Plasma generating device and method of generating plasma
US9539586B2 (en) * 2011-07-06 2017-01-10 Empire Technology Development Llc Air purifier
JP2013074252A (en) * 2011-09-29 2013-04-22 Shibaura Mechatronics Corp Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN106471602A (en) * 2014-03-31 2017-03-01 独立行政法人产业技术综合研究所 Method for making semiconductor and the cleaning method of wafer substrates
JP6502198B2 (en) * 2015-07-02 2019-04-17 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing method and storage medium

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170015195A (en) 2017-02-08
US20170032984A1 (en) 2017-02-02
JP2017033991A (en) 2017-02-09
KR20190002396A (en) 2019-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6541492B2 (en) Liquid processing method and liquid processing apparatus
US10998186B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium
JP2007165935A (en) Method of removing metals in scrubber
JP4498893B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR102448228B1 (en) Substrate processing method, substrate processing apparatus, and storage medium
US20120298158A1 (en) Microelectronic substrate cleaning systems with polyelectrolyte and associated methods
KR20140148330A (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
EP3555907A1 (en) Composition and method for removing residue from chemical-mechanical planarization substrate
JP6441176B2 (en) Substrate processing method, substrate processing apparatus, and storage medium
JP2018056385A (en) Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and roll sponge for substrate cleaning apparatus
JP6971676B2 (en) Board processing equipment and board processing method
TWI529789B (en) Method and device for cleaning a brush surface having a contamination
JP2007266210A (en) Apparatus and method for manufacturing semiconductor
JP6430322B2 (en) Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and storage medium
TWI576170B (en) Wafer cleaning system and method of cleaning a wafer using a wafer cleaning system
US20240341465A1 (en) Brush cleaning device and chemical mechanical polishing apparatus
US7410814B1 (en) Process and apparatus for cleaning silicon wafers
JP2010165757A (en) Wet processing device
JPH0253899A (en) Cleaning fluid and cleaning method using same
EP1250712A2 (en) Process and apparatus for cleaning silicon wafers
JP6556525B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP4860950B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
CN115246099A (en) Method for removing impurities during chemical mechanical planarization
JP5262306B2 (en) Semiconductor wafer cleaning method
TW436333B (en) Process and apparatus for cleaning semiconductor wafer/thin film

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180501

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190131

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190205

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190326

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190514

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190611

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6541492

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250