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JP6433264B2 - 透過レーザービームの検出方法 - Google Patents

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Description

本発明は、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザービームを被加工物に照射した際、被加工物を透過したレーザービームを検出する透過レーザービームの検出方法に関する。
半導体ウェーハや光デバイスウェーハ等の板状の被加工物に対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を被加工物の内部に位置づけてレーザービームを被加工物に照射し、被加工物内部に破断起点となる改質層を形成し、被加工物に外力を付与して被加工物を個々のチップに分割する加工方法が知られている。
この加工方法では、被加工物の内部でレーザービームのほとんどが吸収されるが、レーザービームの照射面(第1面)と反対側の被加工物の第2面へと透過する所謂抜け光が発生する(例えば、特開2012−59989号公報参照)。
レーザービームは、レーザー発振器により発振され、各種光学部品から構成される光学系及び集光器を経て被加工物へと照射されるが、光学系のセッティングによっては、レーザービームの断面の強度分布が半径方向に対称ではないいびつな分布となってしまうことがある。
そのようなレーザービームで被加工物を加工すると、破断されにくい改質層が形成されてしまったり、抜け光の発生範囲が広がってしまい、抜け光が分割予定ラインをはみ出してデバイスに悪影響を及ぼす恐れがある。
特開2012−59989号公報
従来は、抜け光を直接確認することができないため、デバイスチップの不良率で抜け光の影響を確認していたが、各デバイスチップの電気的特性の評価は非常に工数のかかる評価であるため、抜け光の状態を確認するのは容易ではなかった。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、抜け光の状態を容易にしかも安価に確認することのできる透過レーザービームの検出方法を提供することである。
本発明によると、第1の面と該第1の面と反対側の第2の面を有する板状の被加工物に対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を被加工物の内部に位置づけて、該レーザービームを第1の面側から照射し、該第2の面側へ透過したレーザービームを検出する透過レーザービームの検出方法であって、感光層を有する感光シートの該感光層を被加工物の該第2の面に対面させて、該感光シートを介して被加工物をチャックテーブルの保持面で保持する感光シート位置づけステップと、該感光シート位置づけステップを実施した後、被加工物の該第1の面側から該レーザービームを照射するレーザービーム照射ステップと、該レーザービーム照射ステップを実施した後、該感光シートの該感光層に形成された感光反応領域を観察することにより透過レーザービームの状態を確認する確認ステップと、を備えたことを特徴とする透過レーザービームの検出方法が提供される。
好ましくは、該感光シート位置づけステップでは、該感光シートは透光性を有する液体の層を介して被加工物の第2の面に接着されている。
本発明によると、感光シートの感光層を被加工物の第2の面に対面させるように位置づけて第1の面からレーザービームを照射した後感光シートを観察することで、被加工物の第1の面にレーザービームを照射する際の透過レーザービーム(抜け光)の状態を容易にしかも安価に確認することができる。その結果、抜け光が抑制できる加工条件の選定を効率的に行うことができる。
感光層の種類によっては、感光層の色の変化によって抜け光のエネルギー分布を確認できるため、被加工物に照射されるレーザービームのエネルギー分布のチェックに用いることができ、光学系のセッティングの調整にも非常に有効である。
本発明の透過レーザービームの検出方法を実施するのに適したレーザー加工装置の斜視図である。 レーザービーム照射ステップを説明するブロック図である。 半導体ウェーハの表面側斜視図である。 図4(A)は感光シート位置づけステップを説明する分解斜視図、図4(B)はその斜視図である。 レーザービーム照射ステップを示す断面図である。 図6(A)は抜け光による感光層の感光反応の一例を示す平面図、図6(B)は抜け光のエネルギー分布を示す図である。 図7(A)は抜け光による感光層の感光反応の他の例を示す平面図、図7(B)は抜け光のエネルギーを示す図である。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明の透過レーザービームの検出方法を実施するのに適したレーザー加工装置2の斜視図が示されている。レーザー加工装置2は、静止基台4上にX軸方向に移動可能に搭載された第1スライドブロック6を含んでいる。
第1スライドブロック6は、ボールねじ8及びパルスモータ10から構成される加工送り手段12により、一対のガイドレール14に沿って加工送り方向、即ちX軸方向に移動される。
第1スライドブロック6上には、第2スライドブロック16がY軸方向に移動可能に搭載されている。即ち、第2スライドブロック16はボールねじ18及びパルスモータ20から構成される割り出し送り手段22により、一対のガイドレール24に沿って割り出し方向、即ちY軸方向に移動される。
第2スライドブロック16上には円筒支持部材26を介してチャックテーブル28が搭載されており、チャックテーブル28は回転可能であると共に、加工送り手段12及び割り出し送り手段22によりX軸方向及びY軸方向に移動可能である。
チャックテーブル28には、チャックテーブル28に吸引保持された半導体ウェーハをダイシングテープを介して支持する環状フレームをクランプするクランプ30が設けられている。
静止基台4にはコラム32が立設されており、このコラム32にレーザービーム照射ユニット34が取り付けられている。レーザービーム照射ユニット34は、図2に示すように、ケーシング33中に収容されたレーザービーム発生ユニット35と、光学系68と、ケーシング33の先端に取り付けられた集光器36とを含んでいる。
レーザービーム発生ユニット35は、YAGレーザー又はYVO4レーザーを発振するレーザー発振器62と、繰り返し周波数設定手段64と、パルス幅調整手段66とを含んでいる。特に図示しないが、レーザー発振器62はブリュースター窓を有しており、レーザー発振器62から出射されるレーザービームは直線偏光のレーザービームである。
レーザービーム発生ユニット35のレーザー発振器62から発振されるパルスレーザービームLBは、図3に示す半導体ウェーハ11に対して透過性を有する波長のレーザービームであり、例えば1064nmの波長を有している。レーザービーム発生ユニット35のレーザー発振器62から発振されたパルスレーザービームLBは複数の光学部品からなる光学系68を通過して集光器36に入射される。
集光器36に入射されたパルスレーザービームLBはミラー70で反射され、マスク72のピンホール73を通過して集光レンズ74によりチャックテーブル28に保持された半導体ウェーハ11に照射される。
図1を再び参照すると、ケーシング33の先端部には、集光器36とX軸方向に整列してレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像ユニット38が配設されている。撮像ユニット38は、可視光によって半導体ウェーハの加工領域を撮像する通常のCCD等の撮像素子を含んでいる。
撮像ユニット38は更に、半導体ウェーハに赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段によって照射された赤外線を捉える光学系と、この光学系によって捉えられた赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線CCD等の赤外線撮像素子から構成される赤外線撮像手段を含んでおり、撮像した画像はコントローラ(制御手段)40に送信される。
コントローラ40はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置(CPU)42と、制御プログラム等を格納するリードオンリーメモリ(ROM)44と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ(RAM)46と、カウンタ48と、入力インタフェース50と、出力インタフェース52とを備えている。
56は案内レール14に沿って配設されたリニアスケール54と、第1スライドブロック6に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される加工送り量検出手段であり、加工送り量検出手段56の検出信号はコントローラ40の入力インタフェース50に入力される。
60はガイドレール24に沿って配設されたリニアスケール58と第2スライドブロック16に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される割り出し送り量検出手段であり、割り出し送り量検出手段60の検出信号はコントローラ40の入力インタフェース50に入力される。
撮像ユニット38で撮像した画像信号もコントローラ40の入力インタフェース50に入力される。一方、コントローラ40の出力インタフェース52からはパルスモータ10、パルスモータ20、レーザービーム照射ユニット34等に制御信号が出力される。
図3を参照すると、レーザー加工装置2の加工対象である板状の被加工物の一例としての半導体ウェーハ11の表面側斜視図が示されている。半導体ウェーハ(以下、単にウェーハと略称することがある)11の表面11aには、格子状に形成された複数の分割予定ライン(ストリート)13によって区画された各領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。
半導体ウェーハ11は複数のデバイス15が形成されたデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19とを有している。ウェーハ11の外周には、シリコンから形成された半導体ウェーハ11の結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。
以下、上述したように構成されたレーザー加工装置2による本発明実施形態に係る透過レーザービームの検出方法について、図4乃至図7を参照して説明する。本発明実施形態の透過レーザービーム検出方法では、まず図4に示すように、感光シート23の基材25上に形成された感光層27をウェーハ11の表面(第2面)に対面させて、感光シート23を介してウェーハ11をレーザー加工装置2のチャックテーブル28で吸引保持する感光シート位置づけステップを実施する。
この感光シート位置づけステップでは、図4(A)に示すように、感光シート23の感光層27を透光性を有する液体の層を介してウェーハ11の表面(第2面)に接着し、図4(B)に示すように、感光シート23の基材25を外周部が環状フレームFに装着されたダイシングテープTに貼着する。
これにより、ウェーハ11は感光シート23及びダイシングテープTを介して環状フレームFに支持されたことになり、ウェーハ11の裏面(第1面)11bが露出する。透光性を有する(透明な)液体の層としては、水溶性樹脂を使用することができる。
感光シート23としては、例えば、KENTEK社製の5mJ/cm−20J/cm対応のアライメントシート、ZAP−ITを使用することができる。
感光シート位置づけステップを実施した後、図5に示すように、ウェーハ11に対して透過性を有する波長のパルスレーザービームLBの集光点Pをウェーハ11の内部に位置づけて、パルスレーザービームLBをウェーハ11の裏面(第1面)から照射するレーザービーム照射ステップを実施する。ウェーハ11に対して透過性を有するパルスレーザービームLBは、例えば1064nmの波長を有している。
パルスレーザービームLBの集光点Pをウェーハ11の内部に位置づけてパルスレーザービームLBをウェーハ11の裏面11b側から照射して、チャックテーブル28を矢印X1方向に加工送りすると、多光子吸収によりウェーハ11の内部に改質層29が形成される。
パルスレーザービームLBは集光点Pでそのほとんどが吸収されるが、一部のパルスレーザービームLBは抜け光(透過レーザービーム)31となってウェーハ11の表面(第2面)11aから出射する。
この抜け光31によりウェーハ11の表面(第2面)11aに接着されている感光シート23の感光層27が反応して、感光層27に感光反応領域27aが形成される。感光反応領域27aは、例えば図6(A)に示すように、抜け光31の中心に対してY軸方向に対称に形成される。
図6(A)で、白色は抜け光の強度分布が強い部分を示し、グレーは抜け光の強度分布が弱い部分を示している。即ち、図6(B)に示すように、透過レーザービーム(抜け光)31の断面の強度分布が抜け光31の中心に対して半径方向に対称となっている。
この場合には、パルスレーザービームLBの中心がマスク72に形成されたピンホール73の中心に合致して、パルスレーザービームLBがウェーハ11に照射されていることになり、光学系68は最適に設定されていることになる。
一方、抜け光31の強度分布が図7(B)に示すように偏っている場合には、感光層27の感光反応領域27aが図7(A)に示したような状態となり、感光反応領域27aを観察することにより抜け光31の状態を確認することができる。
このように抜け光(透過レーザービーム)の強度分布が抜け光31の中心に対して対称でない場合には、ウェーハ11に照射されるパルスレーザービームLBの中心がマスク72に形成されたピンホール73の中心に合致していないためであると判断することができ、光学系68の各種光学部品をパルスレーザービームLBの中心がマスク72のピンホール73の中心に合致するように調整する。
光学系68の各種光学部品のセッティングを調整した後、再び感光層27の感光反応領域27aを観察することにより、抜け光31の強度分布が抜け光31の中心に対して半径方向に対称となるまで光学系68の調整を繰り返す。
上述した実施形態では、本発明の透過レーザービームの検出方法を半導体ウェーハ11に対して適用した例について説明したが、被加工物は半導体ウェーハ11に限定されるものではなく、光デバイスウェーハ等の他の板状の被加工物にも同様に適用することができる。また、レーザービームとピンホールとの位置合わせ確認の他、各種光学部品とレーザービームのずれを確認するために用いる事もできる。
2 レーザー加工装置
11 半導体ウェーハ
23 感光シート
27 感光層
27a 感光反応領域
28 チャックテーブル
29 改質層
31 抜け光(透過レーザービーム)
68 光学系
72 マスク
73 ピンホール
74 集光レンズ

Claims (2)

  1. 第1の面と該第1の面と反対側の第2の面を有する板状の被加工物に対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を被加工物の内部に位置づけて、該レーザービームを第1の面側から照射し、該第2の面側へ透過したレーザービームを検出する透過レーザービームの検出方法であって、
    感光層を有する感光シートの該感光層を被加工物の該第2の面に対面させて、該感光シートを介して被加工物をチャックテーブルの保持面で保持する感光シート位置づけステップと、
    該感光シート位置づけステップを実施した後、被加工物の該第1の面側から該レーザービームを照射するレーザービーム照射ステップと、
    該レーザービーム照射ステップを実施した後、該感光シートの該感光層に形成された感光反応領域を観察することにより透過レーザービームの状態を確認する確認ステップと、
    を備えたことを特徴とする透過レーザービームの検出方法。
  2. 該感光シート位置づけステップでは、該感光シートは透光性を有する液体の層を介して被加工物の該第2の面に接着されていることを特徴とする請求項1記載の透過レーザービームの検出方法。
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