JP6380057B2 - 導電性基板およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、導電性基板およびその製造方法に関する。

高分子フィルム上に透明導電膜としてＩＴＯ（酸化インジウム−スズ）膜を形成したタッチパネル用の透明導電性フィルムが従来から用いられている。（特許文献１参照）

ところで、近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ＩＴＯは電気抵抗値が高いため、導電性基板の大面積化に対応できないという問題があった。

このため、例えば特許文献２、３に開示されているようにＩＴＯ膜にかえて導電性が優れている銅等の金属箔を用いることが検討されている。しかし、例えば配線層に銅を用いた場合、銅は金属光沢を有しているため、反射によりディスプレイの視認性が低下するという問題がある。

そこで、上記の導電性と視認性の両特性の改善を実現するために、銅等の金属箔により構成される配線層と共に、黒色の材料により構成される黒化層を形成した導電性基板が検討されている。しかしながら、配線パターンを有する導電性基板とするためには、配線層と黒化層とを形成した後に、配線層と黒化層とをエッチングして所望のパターンを形成する必要があるが、エッチング液に対する反応性が配線層と黒化層とで異なるという問題があった。すなわち、配線層と黒化層とを同時にエッチングしようとすると、いずれかの層が目的の形状にエッチングできないという問題であった。また、配線層のエッチングと黒化層のエッチングとを別の工程で実施する場合、工程数が増加するという問題があった。

特開２００３−１５１３５８号公報 特開２０１１−０１８１９４号公報 特開２０１３−０６９２６１号公報

上記従来技術の種々の問題に鑑み、本発明の一側面では同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた導電性基板を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため本発明の一側面では、
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された銅層と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成され、酸素、窒素、銅、及びモリブデンを含有する黒化層と、を備えた導電性基板を提供する。

本発明の一側面によれば、同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた導電性基板を提供することができる。

本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた導電性基板の上面図。 図３のＡ−Ａ´線における断面図。 実験例２の導電性基板における反射率の波長依存性を示す図。

以下、本発明の導電性基板、および、導電性基板の製造方法の一実施形態について説明する。
（導電性基板）
本実施形態の導電性基板は、透明基材と、
透明基材の少なくとも一方の面側に形成された銅層と、
透明基材の少なくとも一方の面側に形成され、酸素、窒素、銅、及びモリブデンを含有する黒化層（以下、単に「黒化層」とも記載する）を備えた構成とすることができる。

なお、本実施形態における導電性基板とは、銅層等をパターニングする前の透明基材の表面に銅層や黒化層を有する基板と、銅層や黒化層をパターニングして配線の形状にした基板、すなわち、配線基板とを含む。

ここでまず、本実施形態の導電性基板に含まれる各部材について以下に説明する。

透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する絶縁体フィルムや、ガラス基板等を好ましく用いることができる。

可視光を透過する絶縁体フィルムとしては例えば、ポリアミド系フィルム、ポリエチレンテレフタレート系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、シクロオレフィン系フィルム、ポリカーボネート系フィルム等の樹脂フィルム等を好ましく用いることができる。

透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や静電容量、光の透過率等に応じて任意に選択することができる。

次に銅層について説明する。

銅層についても特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、銅層と透明基材との間、または、黒化層との間に接着剤を配置しないことが好ましい。すなわち銅層は、他の部材の上面に直接形成されていることが好ましい。

他の部材の上面に銅層を直接形成するため、銅層は銅薄膜層を有することが好ましい。また、銅層は銅薄膜層と銅めっき層とを有していてもよい。

例えば透明基材または黒化層上に、乾式めっき法により銅薄膜層を形成し該銅薄膜層を銅層とすることができる。これにより、透明基材または黒化層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できる。

また、銅層の膜厚が厚い場合には、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成することにより、銅薄膜層と銅めっき層とを有する銅層とすることもできる。銅層が銅薄膜層と銅めっき層とを有することにより、この場合も透明基材または黒化層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できる。

銅層の厚さは特に限定されるものではなく、銅層を配線として用いた場合に、該配線に供給する電流の大きさや配線幅等に応じて任意に選択することができる。特に十分に電流を供給できるように銅層は厚さが１００ｎｍ以上であることが好ましく、１５０ｎｍ以上とすることがより好ましい。銅層の厚さの上限値は特に限定されないが、銅層が厚くなると、配線を形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチが生じ、エッチングの途中でレジストが剥離する等の問題を生じ易くなる。このため、銅層の厚さは３μｍ以下であることが好ましく、７００ｎｍ以下であることがより好ましく、２００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。

なお、銅層が上述のように銅薄膜層と、銅めっき層を有する場合には、銅薄膜層の厚さと、銅めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。

次に、酸素、窒素、銅、及びモリブデンを含有する黒化層について説明する。

銅層は金属光沢を有するため、透明基材上に銅層をエッチングした配線を形成したのみでは上述のように銅が光を反射し、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合、ディスプレイの視認性が低下するという問題があった。そこで、黒化層を設ける方法が検討されてきたが、黒化層がエッチング液に対する反応性を十分に有していない場合があり、銅層と黒化層とを同時に所望の形状にエッチングすることは困難であった。そこで本発明の発明者らが検討を行ったところ、酸素、窒素、銅、及びモリブデンを含有する層は黒色であるため黒化層として使用でき、さらに、エッチング液に対して十分な反応性を示すため、銅層と同時にエッチング処理を行えることを見出したものである。

黒化層の成膜方法は特に限定されるものではなく、任意の方法により成膜することができる。ただし、比較的容易に黒化層を成膜できることから、スパッタリング法により成膜することが好ましい。

黒化層は例えば、銅のターゲットと、モリブデンのターゲットと、を用い、チャンバー内に酸素と窒素を供給しながら２元同時スパッタリング法により成膜することができる。また、銅、及びモリブデン混合焼結のターゲット（以下、「銅−モリブデン混合焼結のターゲット」とも記載する）を用い、チャンバー内に酸素と窒素を供給しながらスパッタリング法により成膜することもできる。なお、チャンバー内に供給する酸素と窒素の供給比率は特に限定されるものではないが、チャンバー内に酸素を５体積％以上２０体積％以下、窒素を３０体積％以上７０体積％以下の割合で供給しながら、スパッタリング法により成膜することが好ましい。

銅−モリブデン混合焼結のターゲットを用いる場合、銅とモリブデンは熔解することが難しく固溶しないため、銅とモリブデンの粉末をホットプレス法や熱間等方圧加工法（ＨＩＰ）で焼結体を作製し、バッキングプレートに貼りつけてターゲットとすることが好ましい。

上述のようにチャンバー内への酸素の供給の割合を５体積％以上とすることにより、黒化層の色を十分な黒色とすることができ、黒化層としての機能を十分に発揮できるため好ましい。チャンバー内への酸素の供給割合は１０体積％以上とすることがより好ましい。また、酸素の供給量を２０体積％以下とすることにより、黒化層のエッチング液に対する反応性を特に高めることができ、銅層と共にエッチングを行う際、銅層と、黒化層と、を容易に所望のパターンとすることができ好ましい。チャンバー内への酸素の供給割合は１５体積％以下とすることがより好ましい。

窒素については、黒化層を成膜する際にその雰囲気中に添加することによりエッチングし易くなるが、添加量が多くなりすぎると黒色が薄くなり、黒化層としての性能が低下する恐れがある。このため、スパッタリングの際の窒素の供給割合は３０体積％以上７０体積％以下とすることが好ましく、３５体積％以上４０体積％以下とすることがより好ましい。なお、窒素の供給割合を７０体積％以下とすることにより、黒化層のスパッタ速度を確保できるため好ましい。チャンバー内へ窒素の供給割合が４０体積％以下になるように供給した場合、さらに、黒化層のスパッタ速度が向上するため、より好ましい。

なお、スパッタリングを行う際、チャンバー内に供給するガスは、酸素と窒素以外の残部については不活性ガスとすることが好ましい。酸素と窒素以外の残部については例えばアルゴンを供給することができる。

また、スパッタリングを行う際ターゲットとして、上述のように例えば銅−モリブデン混合焼結のターゲットを用いることもできる。銅−モリブデン混合焼結のターゲットの組成は特に限定されないが、銅−モリブデン混合焼結のターゲットは、モリブデンを１０原子％以上７５原子％以下の割合で含有することが好ましく、モリブデンを１０原子％以上６０原子％以下の割合で含有することがより好ましい。これらの場合、残部は銅により構成することができる。

成膜した黒化層中には、酸素、窒素、銅、及びモリブデンが含有され、黒化層中の銅とモリブデンの金属元素の合計を１００原子％とした場合に、モリブデンの割合が４原子％以上７５原子％以下であることが好ましい。これは、モリブデンが４原子％未満では反射率の低下が十分でない場合があり好ましくなく、モリブデンが７５原子％を超えると透過光が多くなり反射率の低下が十分ではない場合があるため好ましくないからである。モリブデンの割合は７５原子％未満であることがより好ましく、６０原子％以下であることがより好ましい。

酸素、窒素、銅、及びモリブデンはどのような形態で含まれていてもよい。また、銅またはモリブデンが例えば酸化銅（Ｃｕ_２Ｏ、ＣｕＯ、Ｃｕ_２Ｏ_３）や窒化銅（Ｃｕ_３Ｎ）、酸化モリブデン（ＭｏＯ_３、ＭｏＯ_２、Ｍｏ_２Ｏ_３）や窒化モリブデン（Ｍｏ_２Ｎ、ＭｏＮ）、ＣｕＭｏＯ_４、Ｃｕ_２ＭｏＯ_５等の酸化物または窒化物を生成し、該化合物が黒化層に含まれていてもよい。

なお、黒化層は例えば酸素および窒素を含有する銅−モリブデン混合物のように、酸素、窒素、銅、及びモリブデンを同時に含有する１種類の物質のみで構成される層であってもよい。また、例えば上述した酸素および／または窒素を含有する銅−モリブデン混合物や、銅の酸化物、銅の窒化物、モリブデンの酸化物、モリブデンの窒化物から選択される１種類以上の物質を含有する層であってもよい。

黒化層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば２０ｎｍ以上であることが好ましく、３０ｎｍ以上とすることがより好ましい。黒化層は、上述のように黒色をしており、銅層による光の反射を抑制する黒化層として機能するが、黒化層の厚さが薄い場合には、十分な黒色が得られず銅層による光の反射を十分に抑制することができない場合がある。これに対して、黒化層の厚さを上記範囲とすることにより、銅層の反射をより抑制できるため好ましい。

黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、黒化層の厚さは５０ｎｍ以下とすることが好ましく、４５ｎｍ以下とすることがより好ましい。

また、黒化層はシート抵抗が十分に小さい場合、黒化層に配線等の電気部材とのコンタクト部を形成することができ、黒化層が最表面に位置する場合でも銅層を露出する必要がなくなるため好ましい。

そして、黒化層に配線等の電気部材とのコンタクト部を形成するためには、黒化層のシート抵抗としては、２．００×１０^−１Ω／□以下であることが好ましい。本発明の発明者らの検討によると、黒化層のシート抵抗は黒化層を成膜する際の雰囲気中の酸素濃度と相関を有している。そして、黒化層を成膜する際の雰囲気中の酸素濃度が低いほど黒化層のシート抵抗は低くなり好ましい。特に黒化層のシート抵抗を十分に低くする場合、黒化層を成膜する際の酸素濃度は２０体積％以下であることが好ましく、１５体積％以下であることがより好ましい。

次に、本実施形態の導電性基板の構成例について説明する。

上述のように、本実施形態の導電性基板は透明基材と、銅層と、酸素、窒素、銅、及びモリブデンを含有する黒化層と、を備えている。この際、銅層と、黒化層と、を透明基材上に配置する際の積層の順番は特に限定されるものではない。また、銅層と、黒化層と、はそれぞれ複数層形成することもできる。なお、銅層表面での光の反射の抑制のため、銅層の表面のうち光の反射を特に抑制したい面に黒化層が配置されていることが好ましい。また、銅層は黒化層に挟まれた構造を有していることがより好ましい。

さらに、上述のようにシート抵抗の小さい黒化層を含む場合、該シート抵抗の小さい黒化層は導電性基板の最表面に配置されていることが好ましい。これは、シート抵抗の小さい黒化層は配線等の電気部材と接続できるため、接続しやすいように導電性基板の最表面に配置されていることが好ましいためである。

具体的な構成例について、図１、図２を用いて以下に説明する。図１、図２は、本実施形態の導電性基板の、透明基材、銅層、黒化層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。

例えば、図１（ａ）に示した導電性基板１０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に銅層１２と、黒化層１３と、を一層ずつその順に積層することができる。また、図１（ｂ）に示した導電性基板１０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ銅層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂと、を一層ずつその順に積層することができる。なお、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）、及び、黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）を積層する順は、図１（ａ）、（ｂ）の例に限定されず、透明基材１１側から黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）の順に積層することもできる。

また、例えば黒化層を透明基材１１の１つの面側に複数層設けた構成とすることもできる。例えば図２（ａ）に示した導電性基板２０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に、第１の黒化層１３１と、銅層１２と、第２の黒化層１３２と、をその順に積層することができる。

この場合も透明基材１１の両面に銅層、第１の黒化層、第２の黒化層を積層した構成とすることができる。具体的には図２（ｂ）に示した導電性基板２０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ第１の黒化層１３１Ａ、１３１Ｂと、銅層１２Ａ、１２Ｂと、第２の黒化層１３２Ａ、１３２Ｂと、をその順に積層できる。

なお、図１（ｂ）、図２（ｂ）において、透明基材の両面に銅層と、黒化層と、を積層した場合において、透明基材１１を対称面として透明基材１１の上下に積層した層が対称になるように配置した例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば、図２（ｂ）において、透明基材１１の一方の面１１ａ側の構成を図１（ａ）の構成と同様に、銅層１２と、黒化層１３と、をその順に積層した形態とし、透明基材１１の上下に積層した層を非対称な構成としてもよい。

ここまで、本実施形態の導電性基板について説明してきたが、本実施形態の導電性基板においては、透明基材上に銅層と、黒化層と、を設けているため、銅層による光の反射を抑制することができる。

本実施形態の導電性基板の光の反射の程度については特に限定されるものではないが、例えば本実施形態の導電性基板は、波長５５０ｎｍの光の反射率は４０％以下であることが好ましく、３０％以下であることがより好ましく、２０％以下であることが特に好ましい。これは波長５５０ｎｍの光の反射率が４０％以下の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下をほとんど引き起こさないため好ましい。

反射率の測定は、黒化層に光を照射するようにして測定を行うことができる。すなわち、導電性基板に含まれる銅層及び黒化層のうち、黒化層側から測定を行うことができる。

具体的には例えば図１（ａ）のように透明基材１１の一方の面１１ａに銅層１２、黒化層１３の順に積層した場合、黒化層１３に光を照射できるように、図中Ａで示した表面側から測定できる。

また、図１（ａ）の場合と銅層１２と黒化層１３との配置を換え、透明基材１１の一方の面１１ａに黒化層１３、銅層１２の順に積層した場合、黒化層１３が最表面に位置する側である、透明基材１１の面１１ｂ側から反射率を測定できる。

なお、後述のように導電性基板は銅層及び黒化層をエッチングすることにより配線を形成できるが、上記反射率は導電性基板のうち透明基材を除いた場合に最表面に配置されている黒化層の、光が入射する側の表面における反射率を示している。このため、エッチング処理前、または、エッチング処理を行った後であれば、銅層及び黒化層が残存している部分での測定値が上記範囲を満たしていることが好ましい。

本実施形態の導電性基板は上述のように例えばタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。この場合導電性基板はメッシュ状の配線を備えた構成とすることができる。

メッシュ状の配線を備えた導電性基板は、ここまで説明した本実施形態の導電性基板の銅層及び黒化層をエッチングすることにより得ることができる。

例えば、二層の配線によりメッシュ状の配線とすることができる。具体的な構成例を図３に示す。図３はメッシュ状の配線を備えた導電性基板３０を銅層、黒化層の積層方向の上面側から見た図を示している。図３に示した導電性基板３０は、透明基材１１と、図中Ｘ軸方向に平行な複数の配線３１ＡとＹ軸方向に平行な配線３１Ｂとを有している。なお、配線３１Ａ、３１Ｂは銅層をエッチングして形成されており、該配線３１Ａ、３１Ｂの上面および／または下面には図示しない黒化層が形成されている。また、黒化層は配線３１Ａ、３１Ｂと同じ形状にエッチングされている。

透明基材１１と配線３１Ａ、３１Ｂとの配置は特に限定されない。透明基材１１と配線との配置の構成例を図４（ａ）、（ｂ）に示す。図４（ａ）、（ｂ）は図３のＡ−Ａ´線での断面図に当たる。

まず、図４（ａ）に示したように、透明基材１１の上下面にそれぞれ配線３１Ａ、３１Ｂが配置されていてもよい。なお、この場合、配線３１Ａ、３１Ｂの上面には、配線と同じ形状にエッチングされた黒化層３２Ａ、３２Ｂが配置されている。

また、図４（ｂ）に示したように、１組の透明基材１１Ａ、１１Ｂを用い、一方の透明基材１１Ａを挟んで上下面に配線３１Ａ、３１Ｂを配置し、かつ、一方の配線３１Ｂは透明基材１１Ａと透明基材１１Ｂとの間に配置されてもよい。この場合も、配線３１Ａ、３１Ｂの上面には配線と同じ形状にエッチングされた黒化層３２Ａ、３２Ｂが配置されている。なお、既述のように、黒化層と、銅層との配置は限定されるものではない。このため、図４（ａ）、（ｂ）いずれの場合でも黒化層３２Ａ、３２Ｂと配線３１Ａ、３１Ｂの配置は上下を逆にすることもできる。また、例えば黒化層を複数層設けることもできる。

ただし、黒化層は銅層表面のうち光の反射を特に抑制したい面に配置されていることが好ましい。このため、図４（ｂ）に示した導電性基板において、例えば、図中下面側からの光の反射を抑制する必要がある場合には、黒化層３２Ａ、３２Ｂの位置と、配線３１Ａ、３１Ｂの位置とをそれぞれ逆にすることが好ましい。また、黒化層３２Ａ、３２Ｂに加えて、配線３１Ａと透明基材１１Ａとの間、および／または配線３１Ｂと透明基材１１Ｂとの間に黒化層をさらに設けてもよい。

図３及び図４（ａ）に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は例えば、図１（ｂ）、図２（ｂ）のように透明基材１１の両面に銅層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂ（１３１Ａ、１３２Ａ、１３１Ｂ、１３２Ｂ）と、を備えた導電性基板から形成することができる。

図１（ｂ）の導電性基板を用いて形成した場合を例に説明すると、まず、透明基材１１の一方の面１１ａ側の銅層１２Ａ及び黒化層１３Ａを、図１（ｂ）中Ｘ軸方向に平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。図１（ｂ）中のＸ軸方向とは、図１（ｂ）中の各層の幅方向と平行な方向を意味している。

そして、透明基材１１のもう一方の面１１ｂ側の銅層１２Ｂ及び黒化層１３Ｂを図１（ｂ）中Ｙ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。なお、図１（ｂ）中のＹ軸方向は、紙面と垂直な方向を意味している。

以上の操作により図３、図４（ａ）に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板を形成することができる。なお、透明基材１１の両面のエッチングは同時に行うこともできる。すなわち、銅層１２Ａ、１２Ｂ、黒化層１３Ａ、１３Ｂのエッチングは同時に行ってもよい。

図３に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は、図１（ａ）または図２（ａ）に示した導電性基板を２枚用いることにより形成することもできる。図１（ａ）の導電性基板を用いた場合を例に説明すると、図１（ａ）に示した導電性基板２枚についてそれぞれ、銅層１２及び黒化層１３を、Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。そして、上記エッチング処理により各導電性基板に形成した線状のパターンが互いに交差するように向きをあわせて２枚の導電性基板を貼り合せることによりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。２枚の導電性基板を貼り合せる際に貼り合せる面は特に限定されるものではなく、図４（ｂ）のように銅層１２等が積層された図１（ａ）における面Ａと、銅層１２等が積層されていない図１（ａ）における面１１ｂとを貼り合せてもよい。

なお、黒化層は銅層表面のうち光の反射を特に抑制したい面に配置されていることが好ましい。このため、図４（ｂ）に示した導電性基板において、図中下面側からの光の反射を抑制する必要がある場合には、黒化層３２Ａ、３２Ｂの位置と、配線３１Ａ、３１Ｂの位置とをそれぞれ逆にすることが好ましい。また、黒化層３２Ａ、３２Ｂに加えて、配線３１Ａと透明基材１１Ａとの間、および／または配線３１Ｂと透明基材１１Ｂとの間に黒化層をさらに設けてもよい。

また、例えば透明基材１１の銅層１２等が積層されていない図１（ａ）における面１１ｂ同士を貼り合せて断面が図４（ａ）に示した構造となるように貼り合せてもよい。

なお、図３、図４に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板における配線の幅や、配線間の距離は特に限定されるものではなく、例えば、配線に流す電流量等に応じて選択することができる。

このように２層の配線から構成されるメッシュ状の配線を有する導電性基板は、例えば投影型静電容量方式のタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。
（導電性基板の製造方法）
次に本実施形態の導電性基板の製造方法の構成例について説明する。

本実施形態の導電性基板の製造方法は、
透明基材を準備する透明基材準備工程と、
透明基材の少なくとも一方の面側に銅層を形成する銅層形成工程と、
透明基材の少なくとも一方の面側に酸素、窒素、銅、及びモリブデンを含有する黒化層を形成する黒化層形成工程と、を有することが好ましい。

以下に本実施形態の導電性基板の製造方法について説明するが、以下に説明する点以外については上述の導電性基板の場合と同様の構成とすることができるため説明を省略する。

上述のように、本実施形態の導電性基板においては、銅層と、黒化層と、を透明基材上に配置する際の積層の順番は特に限定されるものではない。また、銅層と、黒化層と、はそれぞれ複数層形成することもできる。このため、上記銅層形成工程と、黒化層形成工程の順番や、実施する回数については特に限定されるものではなく、形成する導電性基板の構造に合わせて任意の回数、タイミングで実施することができる。

透明基材を準備する工程は、例えば可視光を透過する絶縁体フィルムや、ガラス基板等により構成された透明基材を準備する工程であり、具体的な操作は特に限定されるものではない。例えば後段の工程での各工程に供するため必要に応じて任意のサイズに切断等を行うことができる。

次に銅層形成工程について説明する。

銅層は既述のように、銅薄膜層を有することが好ましい。また、銅薄膜層と銅めっき層とを有することもできる。このため、銅層形成工程は、例えば乾式めっき法により銅薄膜層を形成する工程を有することができる。また、銅層形成工程は、乾式めっき法により銅薄膜層を形成する工程と、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成する工程と、を有していてもよい。

銅薄膜層の形成に用いる乾式めっき法としては、特に限定されるものではなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、又はイオンプレーティング法等を用いることができる。特に、銅薄膜層の形成に用いる乾式めっき法としては、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。

巻取式スパッタリング装置を用いた場合を例に銅薄膜層を形成する工程を説明する。まず、銅ターゲットをスパッタリング用カソードに装着し、真空チャンバー内に基材、具体的には透明基材や黒化層を形成した透明基材等をセットする。真空チャンバー内を真空排気後、Ａｒガスを導入して装置内を０．１３Ｐａ〜１.３Ｐａ程度に保持する。この状態で、巻出ロールから基材を例えば毎分１〜２０ｍ程度の速さで搬送しながら、カソードに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給し、スパッタリング放電を行い、基材上に所望の銅薄膜層を連続成膜することができる。

湿式めっき法により銅めっき層を形成する工程における条件、すなわち、電気めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、銅めっき液を入れためっき槽に銅薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、銅めっき層を形成できる。

次に、黒化層形成工程について説明する。

黒化層形成工程も特に限定されるものではないが、既述のように、スパッタリング法により、黒化層を成膜する工程とすることができる。

この際、既述のように銅と、モリブデンターゲットを用いることができる。この場合、銅のターゲットと、モリブデンのターゲットとを用いて２元同時スパッタリング法により成膜することになる。また、ターゲットとして銅−モリブデン混合焼結体のターゲットを用いることもできる。ターゲットとして、銅−モリブデン混合焼結体のターゲットを用いる場合、銅−モリブデン混合焼結体のターゲットは、モリブデンを１０原子％以上７５原子％以下の割合で含んでいることが好ましい。銅−モリブデン混合焼結体のターゲットは、モリブデンを１０原子％以上６０原子％以下の割合で含有することがより好ましい。この場合、残部は銅により構成することができる。

また、銅とモリブデンターゲットを用いる場合、銅−モリブデン混合焼結体のターゲットを用いる場合、いずれの場合でも、チャンバー内に酸素を５体積％以上２０体積％以下、窒素を３０体積％以上７０体積％以下の割合で供給しながらスパッタリング法により、スパッタリングを実施し、黒化層を成膜することが好ましい。

特に、チャンバー内への酸素の供給割合は１０体積％以上１５体積％以下とすることがより好ましい。また、チャンバー内への窒素の供給割合は３５体積％以上４０体積％以下とすることがより好ましい。

なお、スパッタリングを行う際、チャンバー内に供給するガスは、酸素と窒素以外の残部については不活性ガスとすることが好ましい。酸素と窒素以外の残部については例えばアルゴンまたはヘリウムを供給することができる。

そして、ここで説明した導電性基板の製造方法により得られる導電性基板は、既述の導電性基板と同様に、銅層は厚さが１００ｎｍ以上であることが好ましく、１５０ｎｍ以上とすることがより好ましい。また、銅層の厚さの上限値は特に限定されないが、３μｍ以下であることが好ましく、７００ｎｍ以下であることがより好ましく、２００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。

また、ここで説明した導電性基板の製造方法により得られる導電性基板においても、黒化層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば２０ｎｍ以上であることが好ましく、３０ｎｍ以上とすることがより好ましい。黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、５０ｎｍ以下とすることが好ましく、４５ｎｍ以下とすることがより好ましい。

成膜した黒化層中には、酸素、窒素、銅、及びモリブデンが含有され、黒化層中の銅とモリブデンの金属元素の合計を１００原子％とした場合に、モリブデンの割合が４原子％以上７５原子％以下であることが好ましい。これは、モリブデンが４原子％未満では反射率の低下が十分でない場合があり好ましくなく、モリブデンが７５原子％を超えると透過光が多くなり反射率の低下が十分ではない場合があるため好ましくないからである。モリブデンの割合は７５原子％未満であることがより好ましく、６０原子％以下であることがより好ましい。

酸素、窒素、銅、及びモリブデンはどのような形態で含まれていてもよい。例えば銅とモリブデンとが混合焼結を形成し、酸素および／または窒素を含有する銅モリブデン混合焼結が黒化層に含有されていてもよい。また、銅またはモリブデンが例えば酸化銅（Ｃｕ_２Ｏ、ＣｕＯ、Ｃｕ_２Ｏ_３）や窒化銅（Ｃｕ_３Ｎ）、酸化モリブデン（ＭｏＯ_３、ＭｏＯ_２、Ｍｏ_２Ｏ_３）や窒化モリブデン（Ｍｏ_２Ｎ、ＭｏＮ）、ＣｕＭｏＯ_４、Ｃｕ_２ＭｏＯ_５等の酸化物または窒化物を生成し、該化合物が黒化層に含まれていてもよい。

なお、黒化層は例えば酸素および窒素を含有する銅モリブデン混合物のように、酸素、窒素、銅、及びモリブデンを同時に含有する１種類の物質のみで構成される層であってもよい。また、例えば上述した酸素および／または窒素を含有する銅モリブデン混合焼結や、銅の酸化物、銅の窒化物、モリブデンの酸化物、モリブデンの窒化物から選択される１種類以上の物質を含有する層であってもよい。

そして成膜した黒化層はシート抵抗が十分に小さい場合、黒化層に配線等の電気部材とのコンタクト部を形成することができ、黒化層が最表面に位置する場合でも銅層を露出する必要がなくなるため好ましい

そして、黒化層に配線等の電気部材とのコンタクト部を形成するためには、黒化層のシート抵抗としては、２．００×１０^−１Ω／□以下であることが好ましい。本発明の発明者らの検討によると、黒化層のシート抵抗は黒化層を成膜する際の雰囲気中の酸素濃度と相関を有している。そして、黒化層を成膜する際の雰囲気中の酸素濃度が低いほど黒化層のシート抵抗は低くなり好ましい。特に黒化層のシート抵抗を十分に低くする場合、黒化層を成膜する際の酸素濃度は２０体積％以下であることが好ましく、１５体積％以下であることがより好ましい。

そして、ここで説明した導電性基板の製造方法により得られる導電性基板は、メッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。この場合、上述の工程に加えて、銅層と、黒化層と、をエッチングすることにより、配線を形成するエッチング工程をさらに有することができる。

係るエッチング工程は例えば、まず、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストを、導電性基板の最表面に形成する。図１（ａ）に示した導電性基板の場合、導電性基板に配置した黒化層１３の露出した面Ａ上にレジストを形成することができる。なお、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストの形成方法は特に限定されないが、例えばフォトリソグラフィー法により形成することができる。

次いで、レジスト上面からエッチング液を供給することにより、銅層１２、黒化層１３のエッチングを実施することができる。

なお、図１（ｂ）のように透明基材１１の両面に銅層、黒化層を配置した場合には、導電性基板の最表面Ａ及びＢにそれぞれ所定の形状の開口部を有するレジストを形成し、透明基材１１の両面に形成した銅層、黒化層を同時にエッチングしてもよい。

また、透明基材１１の両側に形成された銅層及び黒化層について、一方の側ずつエッチング処理を行うこともできる。すなわち、例えば、銅層１２Ａ及び黒化層１３Ａのエッチングを行った後に、銅層１２Ｂ及び黒化層１３Ｂのエッチングを行うこともできる。

本実施形態の導電性基板においては、黒化層が既述のように酸素、窒素、銅、及びモリブデンを含有し、黒化層は銅層と同様のエッチング液への反応性を示す。このため、エッチング工程において用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、一般的に銅層のエッチングに用いられるエッチング液を好ましく用いることができる。エッチング液としては例えば、塩化第二鉄と、塩酸と、の混合水溶液をより好ましく用いることができる。エッチング液中の塩化第二鉄と、塩酸との含有量は特に限定されるものではないが例えば、塩化第二鉄を５質量％以上５０質量％以下の割合で含むことが好ましく、１０質量％以上３０質量％以下の割合で含むことがより好ましい。また、エッチング液は例えば、塩酸を１質量％以上５０質量％以下の割合で含むことが好ましく、１質量％以上２０質量％以下の割合で含むことがより好ましい。なお、残部については水とすることができる。

また、エッチング液としては、４２°ボーメの塩化第二鉄溶液を用いることもできる。

エッチング液は室温で用いることもできるが、反応性を高めるため加温していることが好ましく、例えば４０℃以上５０℃以下に加熱して用いることが好ましい。

上述したエッチング工程により得られるメッシュ状の配線の具体的な形態については、既述のとおりであるため、ここでは説明を省略する。

また、既述のように、図１（ａ）、図２（ａ）に示した透明基材１１の一方の面側に銅層、黒化層を有する導電性基板を２枚貼り合せてメッシュ状の配線を備えた導電性基板とする場合には、導電性基板を貼り合せる工程をさらに設けることができる。この際、２枚の導電性基板を貼り合せる方法は特に限定されるものではなく、例えば接着剤等を用いて接着することができる。

以上に本実施形態の導電性基板及び導電性基板の製造方法について説明した。本実施形態の導電性基板、または本実施形態の導電性基板の製造方法により得られる導電性基板は、黒化層が酸素、窒素、銅、及びモリブデンを含有する。このため、黒化層は銅層と同様のエッチング液への反応性を示し、同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた導電性基板とすることができる。

そして、本実施形態の導電性基板によれば、銅層と黒化層とがエッチング液に対してほぼ同じ反応性を示すことから、容易に所望の配線を形成することができる。また、黒化層は黒色であるため、銅層による光の反射を抑制することができ、例えばタッチパネル用の導電性基板とした場合に、視認性の低下を抑制することができる。

以下に、本発明の実施例及び比較例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例によって、なんら限定されるものではない。

まず、以下の実験例、比較例において作製した試料の評価方法について説明する。
（評価方法）
（１）光学特性（反射率、明度）
以下の実験例２、及び比較例３において作製した導電性基板について、光学特性（反射率）の測定を行い、測定した光学特性（反射率）から明度を算出した。

測定は、紫外可視分光光度計（株式会社日立ハイテクノロジーズ社製 型式：Ｕ−４０００）に反射率測定ユニットを設置して行った。

以下の実験例２、及び比較例３では断面形状が図１（ａ）と同様の構造を有する導電性基板を作製した。そこで、作製した導電性基板の銅層及び黒化層（比較例３では銅の酸窒化膜）を形成した側の図１（ａ）における最表面Ａに対して、入射角５°、受光角５°として、波長３５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の光を照射した際の反射率を測定した。なお、測定に際しては波長３５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以上の範囲で、波長を１ｎｍごとに変化させた光を照射し、各波長についての反射率を測定している。

なお、測定の際にはＰＥＴフィルムの反りを矯正するためガラス基板上に各実験例、比較例の試料を載置しクランプで固定して、黒化層、または銅の酸窒化膜側から光を照射して測定した。

測定した反射率を用いて色彩計算プログラムを用い、光源Ａ視野２度の条件でＣＩＥ １９７６ （Ｌ^＊,ａ^＊,ｂ^＊）色空間上の座標を計算した。
（２）溶解試験
以下の実験例１、及び比較例１、２において作製した、透明基材上に黒化層を形成した試料をエッチング液に浸漬して黒化層の溶解試験を行った。なお、比較例１、２においては黒化層にかえて銅またはモリブデンの酸窒化膜、またはニッケル−モリブデン系の酸窒化膜を形成している。このため、これらの膜の溶解試験となる。

エッチング液としては、銅層のエッチング液として用いられる塩化第二鉄１０質量％と、塩酸１０質量％と、残部が水からなる水溶液を用い、エッチング液の温度は室温（２５℃）として溶解試験を実施した。

また、銅層のエッチング液として用いられる、４２°ボーメの塩化第二鉄溶液を用いた溶解試験も実施した。

次に溶解試験の評価方法について説明する。

溶解試験の評価を規定するため、実験例１で用いた透明基材である縦５ｃｍ、横５ｃｍ、厚さ０．０５ｍｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ樹脂）の一方の面上の全面に、厚さ３００ｎｍの銅層を形成した試料をエッチング液に浸漬する予備実験を行った。この場合、上記いずれのエッチング液でも銅層は１０秒以内に溶解することが確認できた。

このため、上記エッチング液に浸漬後１０秒以内に黒化層が全量溶解したものを◎、３０秒以内に黒化層が全量溶解したものを○、１分以内に黒化層が全量溶解したものを◇、３分以内に黒化層が全量溶解したものを△、３分を超えても黒化層が全量は溶解せず一部が残存したものを×と評価した。
（３）ＥＤＳ分析
実験例１において作製した、透明基材上に黒化層を形成した試料について、ＳＥＭ−ＥＤＳ装置（ＳＥＭ：日本電子株式会社製 型式：ＪＳＭ−７００１Ｆ、ＥＤＳ：サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製 型式：検出器 ＵｌｔｒａＤｒｙ 解析システム ＮＯＲＡＮ Ｓｙｓｔｅｍ ７）により行った。
（試料の作製条件）
以下に各実験例、比較例における試料の製造条件、及びその評価結果を説明する。
［実験例１］
実験例１においては、以下に示す実験例１−１〜実験例１−１２の試料を作製し、黒化層の組成についてのＥＤＳ分析、及び溶解試験を実施した。

なお、本実験例は後述する実験例２のための予備実験として実施したものであり、参考例となる。
（実験例１−１〜実験例１−１２）
黒化層を評価するためＰＥＴ基材上に酸素、窒素、銅、及びモリブデンを含有する黒化層を形成した試料（実験例１−１〜１−１２）を作製した。具体的な手順について、以下に説明する。

まず、縦５ｃｍ、横５ｃｍ、厚さ０．０５ｍｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ、商品名「ルミラーＵ４８」、東レ株式会社製）製の透明基材を準備した。

次に、直流スパッタリング法により黒化層を成膜した。

黒化層１３の成膜はスパッタリング装置（アルバック株式会社製 型式：ＳＩＨ−４５０）を用いて行った。

黒化層を成膜する際のスパッタリングの具体的な条件について以下に説明する。

まず、黒化層を成膜する際のターゲットとして、モリブデンと銅の２枚ターゲットを用いた。

黒化層をスパッタリングにより成膜する際、チャンバー内には窒素と酸素が４：１の比率である混合ガス（窒素と酸素）と、アルゴンガスとを合計で１０ＳＣＣＭになるように供給しながら行った。

具体的には、チャンバーに内に供給するアルゴンガスと、混合ガス（窒素と酸素）との比を５：５（条件１）、３：７（条件２）、２：８（条件３）と変えて、酸素、窒素、アルゴンの各体積％が表１に示す割合となるように供給しながらスパッタリングを行った。表１に示したチャンバー内に供給するガス比の条件を以後、条件１〜条件３と記述する。

なお、スパッタリング前のチャンバー内の到達真空度は１．５×１０^−４Ｐａとした。

次に、準備した透明基材を基板ホルダーにセットし、基板ホルダーを３０ｒｐｍの速度で回転させた。そして、銅とモリブデンのターゲットから供給する金属の金属比（ａｔ％）が８０：２０、６５：３５、５０：５０、２５：７５の４条件となるように予め計算したＤＣ電力を各ターゲットに印加して、２元同時スパッタリングにより黒化層（膜厚３００ｎｍ）を成膜した。

なお、銅とモリブデンのターゲットから供給する金属の金属比を所望の値とするためのＤＣ電力の大きさは以下の事前試験により算出した。

銅とモリブデンをそれぞれガス条件１〜条件３、ＤＣパワー４００Ｗ、スパッタ時間２０分でガラス板上に製膜し、膜厚を測定して成膜速度（Ｖai：ｎｍ/（Ｗ・ｍｉｎ）、a＝Ｃｕ、Ｍｏ、ｉ＝１，２，３）を求めた。

これから銅とモリブデンの金属比をｍ：ｎ、膜厚３００ｎｍ、スパッタ時間２０分として以下の計算式から各ターゲットに印加するＤＣ電力（Ｐａｉ）を計算した。
Ｐ_Ｃｕｉ＝３００×ｍ/（ｍ+ｎ）/（２０＊Ｖ_Ｃｕｉ）
Ｐ_Ｍｏｉ＝３００×ｎ/（ｍ+ｎ）/（２０＊Ｖ_Ｍｏｉ）
ここまで説明したように、銅とモリブデンのターゲットから供給する金属の金属比について４条件と、チャンバー内に供給するガス比の条件について３条件とを変えて、条件を組み合わせた１２種類の膜を透明基材上に成膜した。この際、透明基材上に成膜した１２種類の膜を成膜した試料を、実験例１−１〜実験例１−１２とした。

作製した１２種類の膜の作製条件と、実験例の番号との関係をまとめると表２の通りとなる。例えば実験例１−１は、チャンバー内に供給する酸素、窒素、アルゴンのガス比（体積％）が条件１（Ｏ_２：Ｎ_２：Ａｒ＝１０：４０：５０）であり、銅とモリブデンのターゲットから供給する金属の金属比（ａｔ％）が８０：２０となるようにＤＣ電力を印加している。

作製した試料の評価結果について説明する。
（黒化層の組成評価：ＥＤＳ分析結果）
ＥＤＳ分析から、実験例１−１〜実験例１−１２で作製した黒化層はいずれも銅、モリブデン、窒素、酸素から構成されていることが確認できた。表３に実験例１−１〜実験例１−１２のうち、５種類の実験例についてのＥＤＳ分析結果を示す。

（溶解試験結果）
次に実験例１−１〜実験例１−１２で作製した試料について黒化層の溶解試験を実施した。

エッチング液として塩化第二鉄１０質量％と、塩酸１０質量％と、残部が水からなる水溶液、または４２°ボーメの塩化第二鉄溶液（ＦｅＣｌ_３）を用いて、２５℃で溶解試験を行った。その結果を表４と表５に示す。

なお、表４にエッチング液として塩化第二鉄１０質量％＋塩酸１０質量％水溶液を使用した場合の溶解試験の結果を示す。また、表５にエッチング液として４２°ボーメの塩化第二鉄溶液を使用した場合の溶解試験の結果を示す。

表４に示した結果によると、エッチング液として塩化第二鉄１０質量％と、塩酸１０質量％と、残部が水からなる水溶液を用いた場合、実験例１−１〜実験例１−１２のいずれの試料においても３０秒以内に黒化層が溶解していることが確認できた。すなわち、これらの実験例の黒化層は、銅層と同等の溶解性を示すことが確認できた。

表５に示した結果によると、エッチング液として４２°ボーメの塩化第二鉄溶液を用いた場合、実験例１−７、実験例１−１０、実験例１−１２において、黒化層が溶解するのに数分程度要したものの、他の試料は数秒で溶解することが確認できた。

このため、これらの実験例の黒化層は、銅層と同等の溶解性を示すことが確認できた。

以上の結果から、実験例１−１〜実験例１−１２で作製した黒化層を銅層の上に形成し、パターニングを行った場合、銅層、及び黒化層を同時にエッチング処理できることを確認できた。このため、後述する実験例２で作製する導電性基板はいずれも同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた導電性基板であることを確認できた。
［実験例２］
次に、実験例１で行った予備実験の結果を参考に導電性基板を作製し、その評価を行った。以下に説明する実験例２−１〜実験例２−１２はいずれも実施例となる。

本実験例では、後述するように、透明基材の一方の面上に銅層、及び黒化層が形成された構造を有する導電性基板を作製した。導電性基板としては、黒化層の成膜条件の異なる９種類の試料を作製した。

具体的には、黒化層の成膜条件が、表６に○で示した９種類（実験例２−１、２−２、２−３、２−４、２−５、２−７、２−８、２−９、２−１０）の導電性基板を作製した。なお、実験例２−１の場合、チャンバー内に供給する酸素、窒素、アルゴンのガス比（体積％）が条件１（Ｏ_２：Ｎ_２：Ａｒ＝１０：４０：５０）であり、銅とモリブデンのターゲットから供給する金属の金属比（ａｔ％）が８０：２０となるようにＤＣ電力を印加して黒化層を成膜している。

また、実験例２の各実験例のうち、実験番号の実験例２−の後ろの番号が実験例１と同じ実験例については、膜厚以外は同じ条件で黒化層を成膜していることを示している。例えば実験例２−１と実験例１−１とは、膜厚以外は黒化層を同じ条件で成膜していることになる。

以下に導電性基板の作製手順について詳述する。

まず、縦５ｃｍ、横５ｃｍ、厚さ０．０５ｍｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ、商品名「ルミラーＵ４８」、東レ株式会社製）製の透明基材１１を準備した。

次に透明基材１１の一方の面の全面に銅層１２を形成した。銅層１２は、スパッタリング法により銅薄膜層を形成し、次いで、該銅薄膜層を給電層として湿式めっき法により銅めっき層を形成した。

具体的にはまず、Ｃｕターゲット（住友金属鉱山株式会社製）を用いた直流スパッタリング法により、透明基材１１の一方の面上に１００ｎｍの厚さの銅薄膜層を成膜した。その後、電気めっきにより銅めっき層を０．５μｍ積層し、銅層１２とした。

次に、銅層１２上の全面に実験例１と同様の方法で２元同時スパッタリング法により黒化層１３を成膜した。なお、既述のように各実験例について２元同時スパッタリング法により黒化層を成膜する際、チャンバー内に供給する酸素、窒素、アルゴンのガス比（体積％）、及び銅とモリブデンのターゲットから供給する金属比が表６の条件となるように設定した。

上記スパッタリング法により、各実験例において厚さ３０ｎｍの黒化層１３を成膜した。

以上の工程により得られた導電性基板のうち、実験例２−１、実験例２−３、実験例２−５、実験例２−７、実験例２−９について反射率測定実施した。

反射率の測定結果を図５に示す。

図５に示した結果から、波長５５０ｎｍの光に対する反射率はいずれの実験例でも３０％より低くなっていることが確認できた。さらに実験例２−９（銅・モリブデン金属比＝５０：５０、ガス条件３）と実験例２−５（銅・モリブデン金属比＝６５：３５、ガス条件２）は波長５５０ｎｍの反射率が０に近く、波長３５０ｎｍ〜５５０ｎｍの範囲の光に対しても反射率は２０％未満であることが確認できた。

各実験例の導電性基板について測定した反射率から計算した明度Ｌ^＊の値を表７に示す。実験例２−５（銅・モリブデン金属比＝６５：３５、ガス条件２）は２７．１と、非常に低い値が得られることが確認できた。

（シート抵抗の評価）
上述の各実験例の導電性基板を作製した際の黒化層の成膜条件について、黒化層の膜厚を５００ｎｍとした点と、銅層を形成しなかった点以外は同じ条件で透明基材上に黒化層のみを形成した試料（以下同様の試料を「シート抵抗測定用試料」とも記載する）を作製した。すなわち、透明基材上に直接黒化層が形成され、該黒化層の膜厚が５００ｎｍであるシート抵抗測定試料を作製した。

そして、該シート抵抗測定用試料について黒化層のシート抵抗の評価を行った。

シート抵抗は、四探針法を用いて測定を行った。四探針法は測定する試料の表面に四本の針状電極を同一直線上に配置し、外側の二探針間に一定電流を流し、内側の二探針間に生じる電位差を測定して抵抗を測定する方法である。測定に際しては四探針測定器（三菱化学株式会社製 型式：Ｌｏｒｅｓｔａ ＩＰ）を用いて測定を行った。

シート抵抗の評価結果を表８に示す。なお、表中の数値の単位はΩ／□となる。

表８から本実験例２−１〜実験例２−１０のいずれの試料のシート抵抗は十分小さいことが確認できた。
［比較例１］
本比較例では実験例１の黒化層にかえて、銅またはモリブデンと、窒素と、酸素とを含有する銅またはモリブデンの酸窒化膜を成膜した点以外は実験例１と同様にして試料を作製した。

銅またはモリブデンの酸窒化膜は、チャンバー内に供給するガス比の条件を、条件１または条件２となるように設定した点、及びターゲットとして銅またはモリブデンを用いた点以外は実験例１の黒化層と同様にして成膜した。

銅の酸窒化膜が比較例１−１、比較例１−２、モリブデンの酸窒化膜が比較例１−３、比較例１−４になる。

なお、透明基材については実験例１の試料と同様の条件としている。また、透明基材上に形成した銅またはモリブデンの酸窒化膜の膜厚は実験例１の場合と同様に３００ｎｍとしている。

得られた試料について、塩化第二鉄１０質量％と、塩酸１０質量％と、残部が水からなる水溶液で溶解試験を行い、エッチング性を評価した。評価結果を表９に示す。
［比較例２］
本比較例では実験例１の黒化層にかえて、ニッケルと、モリブデンと、窒素と、酸素とを含有するニッケル−モリブデン系の酸窒化膜を成膜した点以外は実験例１と同様にして試料を作製した。

ニッケル−モリブデン系の酸窒化膜は、チャンバー内に供給するガス比の条件を、条件１、条件２または条件３となるように設定した点、及びターゲットとしてニッケルターゲット、及びモリブデンターゲットを用いた点以外は実験例１の黒化層と同様にして成膜した。

なお、ニッケル−モリブデン系の酸窒化膜を成膜する際、ニッケルターゲットと、モリブデンターゲットから供給する金属の金属比が、表９に示すように８０：２０、７５：２５、５０：５０となるよう、事前に行った試験を基に各ターゲットに印加する電圧を選択した。

表９に示すように、チャンバー内に供給するガス比の条件、及びニッケルターゲット、モリブデンターゲットから供給する金属の金属比を変えて比較例２−１〜比較例２−９の導電性基板を作製した。

本比較例においても、透明基材については実験例１の試料と同様の条件としている。また、透明基材上に形成したニッケル−モリブデン系の酸窒化膜の膜厚は実験例１の場合と同様に３００ｎｍとしている。

得られた試料について、塩化第二鉄１０質量％と、塩酸１０質量％と、残部が水からなる水溶液で溶解試験を行い、エッチング性を評価した。評価結果を表９に示す。

表９から、チャンバー内に供給するガス比の条件が、条件１の銅酸窒化膜である比較例１−１が◎、条件２の銅酸窒化膜である比較例１−２と、条件２のモリブデン酸窒化膜である比較例１−４が○であるが、他の試料のエッチング速度は遅いことが分かる。

特に同じエッチング液を用いた表４の結果と比較すると、実験例１の黒化層の溶解性が非常に優れていることが確認できた。
［比較例３］
実験例２の場合の黒化層にかえて、比較例１−１の場合と同様の条件（銅ターゲットのみを用い、ガス条件１）で、銅層の上面に銅の酸窒化膜を形成した導電性基板を作製した。作製した導電性基板の銅の酸窒化膜の膜厚は３０ｎｍとなる。

次いで、作製した導電性基板について反射率の測定を行い、測定した反射率から明度Ｌ^＊を算出したところ４４であった。

表７に示した実験例２の結果と比較して明度Ｌ^＊が非常に高くなっていることが確認できた。

以上から、透明基材の少なくとも一方の面側に、銅層と、酸素、窒素、銅、及びモリブデンを含有する黒化層と、を備えた導電性基板は、同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層とを備え、従来よりもエッチング性に優れていることが確認できた。また、係る導電性基板は低明度であるため、タッチパネル用の導電性基板として好適に使用することができることを確認できた。

１０Ａ、１０Ｂ、２０Ａ、２０Ｂ、３０ 導電性基板
１１ 透明基材
１２、１２Ａ、１２Ｂ 銅層
１３、１３Ａ、１３Ｂ、１３１、１３２、１３１Ａ、１３１Ｂ、１３２Ａ、１３２Ｂ、３２Ａ、３２Ｂ 黒化層
３１Ａ、３１Ｂ 配線

Claims (7)

1. 透明基材と、
   前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された銅層と、
   前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成され、酸素、窒素、銅、及びモリブデンを含有する黒化層と、を備えた導電性基板。
2. 前記黒化層は、
   前記黒化層中の銅とモリブデンの金属元素の合計を１００原子％とした場合に、モリブデンの割合が４原子％以上７５原子％以下である請求項１に記載の導電性基板。
3. 前記銅層は厚さが１００ｎｍ以上であり。
   前記黒化層は厚さが３０ｎｍ以上である請求項１または２に記載の導電性基板。
4. 波長５５０ｎｍの光の反射率が３０％以下である請求項１乃至３のいずれか一項に記載の導電性基板。
5. 前記透明基材の一方の面の側と、前記一方の面とは反対の面である他方の面の側とに配置された前記銅層を、複数の線状のパターンとなるようにエッチングして形成されたメッシュ状の配線を備え、
   前記配線の上面および／または下面には、前記配線と同じ形状にエッチングされた黒化層を有する請求項１乃至４のいずれか一項に記載の導電性基板。
6. 透明基材を準備する透明基材準備工程と、
   前記透明基材の少なくとも一方の面側に銅層を形成する銅層形成工程と、
   前記透明基材の少なくとも一方の面側に、酸素、窒素、銅、及びモリブデンを含有する黒化層を形成する黒化層形成工程と、を有する導電性基板の製造方法。
7. 前記黒化層形成工程は、
   銅とモリブデンのターゲットを用い、
   チャンバー内に酸素を５体積％以上２０体積％以下、窒素を３０体積％以上７０体積％以下の割合で供給しながらスパッタリング法により、前記黒化層を成膜する請求項６に記載の導電性基板の製造方法。

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