JP6374871B2 - 欠陥特定情報を用いるウェハ上の欠陥の検出 - Google Patents
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Description
Claims (68)
- ウェハ上の欠陥を検出するためのコンピュータ実現方法であって、
ウェハ上のターゲットに関する情報を取得することであり、前記ターゲットは、前記ウェハ上に形成された対象パターンおよび前記対象パターンの位置に対して一意的である既知の位置にある既知の対象欠陥を備え、前記情報は、前記ウェハ上の前記ターゲットを画像化することによって取得される前記ウェハ上の前記ターゲットの画像、前記ウェハにおける前記対象パターンの前記位置、前記対象パターンに対する前記既知の対象欠陥の前記位置、ならびに前記対象パターンおよび前記既知の対象欠陥から計算される1または複数の特性を備える、取得することと、
前記対象パターンを備える、前記ウェハまたは別のウェハ上のターゲット候補を探査することと、
前記ターゲット候補の画像における潜在的な対象欠陥位置を特定すること、および前記潜在的な対象欠陥位置の画像に1または複数の検出パラメータを適用することによって前記ターゲット候補内の前記既知の対象欠陥を検出することであって、前記検出はコンピュータシステムを用いて実行される、特定することと、
を備える、コンピュータ実現方法。 - 前記取得すること、前記探査すること、および前記特定することは、前記ウェハまたは前記別のウェハを用いては行われない、請求項1記載の方法。
- 前記取得すること、前記探査すること、および前記特定することの個々に、前記ウェハまたは前記別のウェハに関する設計データを用いる、請求項1記載の方法。
- 前記ターゲットに関する前記情報を取得することは、対象欠陥サンプルの位置を取り込むことを備える、請求項1記載の方法。
- 前記ターゲットに関する前記情報を取得することは、検査システムを用いて対象欠陥の既知の位置で前記ウェハ上の前記ターゲットの前記画像を捕捉することを備える、請求項1記載の方法。
- 前記ターゲットに関する前記情報を取得することは、ケアエリアのサイズ、形状、および位置、テンプレートのサイズ、形状、および位置、ならびに、前記1または複数のパラメータが適用される前記画像における前記1または複数の特性が決定されるエリアを特定することを備える、請求項1記載の方法。
- 前記ターゲットに関する前記情報を取得することは、ユーザにグラフィックユーザインタフェースを提供することを備える、請求項1記載の方法。
- 前記ターゲットに関する前記情報を取得することは、対象欠陥の位置の高解像度画像を表示することを備える、請求項1記載の方法。
- 前記ターゲットに関する前記情報を取得することは、前記探査が実行されることになる前記ウェハまたは前記別のウェハ上の1つのダイにおける既知の対象欠陥の全てについてテンプレートを捕捉することを備える、請求項1記載の方法。
- 前記ターゲットに関する前記情報を取得することは、テンプレートと前記ターゲットの前記画像との類似性を決定することと、前記ウェハ上の他のパターンに対する前記対象パターンの一意性を決定することとを備える、請求項1記載の方法。
- 前記対象パターンは、前記ウェハまたは前記別のウェハ上に形成されたダイの幅および高さよりもそれぞれ短い幅および高さを有する、請求項1記載の方法。
- 前記潜在的な対象欠陥位置は、前記対象パターンの位置に基づき決定される、請求項1記載の方法。
- 前記1または複数の特性は、前記既知の対象欠陥の1または複数の特性を備える、請求項1記載の方法。
- 前記1または複数の特性は、前記既知の対象欠陥のサイズ、形状、強度、コントラスト、または極性を備える、請求項1記載の方法。
- 前記潜在的な対象欠陥位置のうち1または複数にわたるようにミクロケアエリアが生成される、請求項1記載の方法。
- 前記取得することおよび前記探査することは、前記検出することより前のセットアップ段階で検査システムを用いて実行される、請求項1記載の方法。
- 前記取得することおよび前記探査することは、同じ種類の異なる検査システムを用いて実行される、請求項1記載の方法。
- 前記取得することおよび前記探査することは異なるダイにおいて実行され、前記探査することは、前記ターゲット候補に関する1または複数のテンプレートを用いて1つのダイで実行される、請求項1記載の方法。
- 前記対象パターンに関するテンプレート画像と前記既知の対象欠陥を検出するために用いられる前記画像とを相関付けることによってケアエリアの位置を決定することを更に備える、請求項1記載の方法。
- 前記ターゲットの1または複数の特性を選択することと、前記1または複数の検出パラメータを選択することと、前記ターゲット候補内で前記既知の対象欠陥以外の欠陥が検出されないようにケアエリアの1または複数のパラメータを決定することと、を更に備える、請求項1記載の方法。
- 前記ウェハまたは前記別のウェハに関する他の画像を取得することと、前記ウェハまたは前記別のウェハ上の他の欠陥を検出するために前記他の画像を用いることと、を更に備える、請求項1記載の方法。
- 前記1または複数の検出パラメータが適用される前記画像は参照画像および試験画像を用いて生成された画像を含み、前記参照画像は前記対象パターンに関するテンプレートである、請求項1記載の方法。
- 前記ターゲットに関するテンプレートがダイの前記画像の異なる部分に相関するかを判定することによって、前記対象パターンについて前記ウェハまたは前記別のウェハ上の前記ダイの画像を探査することを更に備える、請求項1記載の方法。
- 前記対象パターンに関するテンプレートを作成することと、前記テンプレートの前記サイズを変更すること、または前記テンプレートを反転、回転、もしくは処理することによって前記テンプレートを修正することと、を更に備える、請求項1記載の方法。
- 前記探査することは、前記ターゲット候補の前記画像と前記対象パターンに関するテンプレートまたは画像との画像マッチングのために最適な光学モードを用いて前記ターゲット候補に関する画像を取得することを備える、請求項1記載の方法。
- 前記ウェハ上で前記ターゲットを前記画像化することは第1の光学モードを用いて実行され、前記検出のために用いられる前記ターゲット候補の前記画像は、前記第1の光学モードとは異なる第2の光学モードを用いて取得される、請求項1記載の方法。
- 前記検出することは、前記潜在的な対象欠陥位置を正確に特定するために、欠陥検出モジュールに前記ターゲットに関する前記情報を提供することを備える、請求項1記載の方法。
- 前記検出することは、セットアップ中に取得されるテンプレートと前記検出中に取得される前記ターゲット候補の前記画像とを相関付けることによって、前記ターゲット候補の前記画像における前記潜在的な対象欠陥位置を特定することを備える、請求項1記載の方法。
- 前記ターゲットに関する前記情報に基づいて前記1または複数の検出パラメータを決定することを更に備える、請求項1記載の方法。
- 前記ターゲット候補の各種類に関する画像にそれぞれ基づいて前記ターゲット候補の各種類について個別に前記1または複数の検出パラメータを決定することを更に備える、請求項1記載の方法。
- 前記1または複数の検出パラメータを適用することは、前記潜在的な対象欠陥位置の前記画像および参照画像を用いて差分画像を生成することと、前記差分画像内の信号に閾値を当てはめることとを備える、請求項1記載の方法。
- 前記潜在的な対象欠陥位置に関する差分画像の1または複数の特性を決定することを更に備え、前記1または複数の検出パラメータを適用することは、前記差分画像の前記1または複数の特性の1または複数の値に閾値を当てはめることを備える、請求項1記載の方法。
- 前記1または複数の特性は、前記既知の対象欠陥の1または複数の特性を備え、前記1または複数の検出パラメータを適用することは、前記潜在的な対象欠陥位置の前記画像から決定される前記1または複数の特性の1または複数の値に閾値を当てはめることを備える、請求項1記載の方法。
- 前記1または複数の検出パラメータが適用される前記潜在的な対象欠陥位置の前記画像は、前記潜在的な対象欠陥位置を取り巻くケアエリアの画像であり、前記ケアエリアは、前記対象パターンの前記位置に対して一意的であり既知である前記既知の対象欠陥のサイズに基づいて決定される、請求項1記載の方法。
- ウェハ上の欠陥を検出するためのコンピュータ実現方法を実行するためのコンピュータシステム上で実行可能なプログラム命令を記憶する非一時的コンピュータ読取可能媒体であって、前記コンピュータ実現方法は、
ウェハ上のターゲットに関する情報を取得することであり、前記ターゲットは、前記ウェハ上に形成された対象パターンおよび前記対象パターンの位置に対して一意的である既知の位置にある既知の対象欠陥を備え、前記情報は、前記ウェハ上の前記ターゲットを画像化することによって取得される前記ウェハ上の前記ターゲットの画像、前記ウェハにおける前記対象パターンの前記位置、前記対象パターンに対する前記既知の対象欠陥の前記位置、ならびに前記対象パターンおよび前記既知の対象欠陥から計算される1または複数の特性を備えることと、
前記対象パターンを備える、前記ウェハまたは別のウェハ上のターゲット候補を探査することと、
前記ターゲット候補の画像における潜在的な対象欠陥位置を特定すること、および前記潜在的な対象欠陥位置の画像に1または複数の検出パラメータを適用することによって前記ターゲット候補内の前記既知の対象欠陥を検出することと、
を備える、非一時的コンピュータ読取可能媒体。 - ウェハ上の欠陥を検出するように構成されたシステムであって、
ウェハ上のターゲットに関する情報を取得するように構成された検査サブシステムであって、前記ターゲットは、前記ウェハ上に形成された対象パターンおよび前記対象パターンの位置に対して一意的である既知の位置にある既知の対象欠陥を備え、前記情報は、前記ウェハ上の前記ターゲットを画像化することによって取得される前記ウェハ上の前記ターゲットの画像、前記対象パターンおよび前記既知の対象欠陥から計算される1または複数の特性を備える検査サブシステムであって、
前記検査サブシステムは、前記ウェハまたは別のウェハ上のターゲット候補を探査するように更に構成され、前記ターゲット候補は前記対象パターンを備える、検査サブシステムと、
前記ターゲット候補の画像における潜在的な対象欠陥位置を特定すること、および前記潜在的な対象欠陥位置の画像に1または複数の検出パラメータを適用することによって前記ターゲット候補内の前記既知の対象欠陥を検出するように構成されたコンピュータシステムと、を備える、システム。 - 前記検査サブシステムが、前記ウェハまたは前記別のウェハに関する設計データを用いることなく前記情報を取得し前記ターゲット候補を探査するように更に構成され、前記コンピュータシステムが、前記ウェハまたは前記別のウェハに関する設計データを用いることなく前記既知の対象欠陥を検出するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
- 前記検査サブシステムおよび前記コンピュータシステムが個々に、前記ウェハまたは前記別のウェハに関する設計データを用いて前記情報を取得し、前記ターゲット候補を探査し、前記既知の対象欠陥を検出するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
- 前記検査サブシステムが、対象欠陥サンプルの位置を取り込むことにより前記情報を取得するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
- 前記検査サブシステムが、対象欠陥の既知の位置で前記ウェハ上の前記ターゲットの前記画像を捕捉することにより前記情報を取得するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
- 前記コンピュータシステムが、ケアエリアのサイズ、形状、および位置、テンプレートのサイズ、形状、および位置、ならびに、前記1または複数のパラメータが適用される前記画像における前記1または複数の特性が決定されるエリアを特定することにより前記情報を取得するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
- 前記コンピュータシステムが、ユーザに、前記ターゲットに関して取得された前記情報を表示するグラフィックユーザインタフェースを提供するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
- 前記コンピュータシステムが、対象欠陥の位置の高解像度画像を表示することにより前記情報を取得するよう更に構成される、請求項36記載のシステム。
- 前記検査サブシステムが、前記検査サブシステムが前記ターゲット候補を探査することになる前記ウェハまたは前記別のウェハ上の1つのダイにおける既知の対象欠陥の全てについてテンプレートを捕捉することにより前記情報を取得するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
- 前記コンピュータシステムが、テンプレートと前記ターゲットの前記画像との類似性を決定することと、前記ウェハ上の他のパターンに対する前記対象パターンの一意性を決定することにより前記情報を取得するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
- 前記対象パターンは、前記ウェハまたは前記別のウェハ上に形成されたダイの幅および高さよりもそれぞれ短い幅および高さを有する、請求項36記載のシステム。
- 前記潜在的な対象欠陥位置は、前記対象パターンの位置に基づいて決定される、請求項36記載のシステム。
- 前記コンピュータシステムが、前記既知の対象欠陥の1または複数の特性を決定することにより前記情報を取得するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
- 前記コンピュータシステムが、前記既知の対象欠陥のサイズ、形状、強度、コントラスト、または極性を備える1または複数の特性を決定することにより前記情報を取得するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
- 前記コンピュータシステムが、前記潜在的な対象欠陥位置のうち1または複数にわたるようにミクロケアエリアを生成するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
- 前記検査サブシステムが、前記コンピュータシステムが前記既知の対象欠陥を検出する前のセットアップ段階で前記情報を取得し前記ターゲット候補を探査するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
- 前記検査サブシステムが、異なるダイにおいて前記情報を取得し前記ターゲット候補を探査するように更に構成され、前記検査サブシステムが、前記ターゲット候補に関する1または複数のテンプレートを用いて1つのダイで前記ターゲット候補を探査するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
- 前記コンピュータシステムが、前記対象パターンに関するテンプレート画像と前記既知の対象欠陥を検出するために用いられる前記画像とを相関付けることによってケアエリアの位置を決定するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
- 前記コンピュータシステムが、前記ターゲットの1または複数の特性を選択し、前記1または複数の検出パラメータを選択し、前記ターゲット候補内で前記既知の対象欠陥以外の欠陥が検出されないようにケアエリアの1または複数のパラメータを決定するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
- 前記検査サブシステムが、前記ウェハまたは前記別のウェハに関する他の画像を取得するように更に構成され、前記コンピュータシステムが、前記他の画像を用いて前記ウェハまたは前記別のウェハ上の他の欠陥を検出するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
- 前記1または複数の検出パラメータが適用される前記画像は参照画像および試験画像を用いて生成された画像を含み、前記参照画像は前記対象パターンに関するテンプレートである、請求項36記載のシステム。
- 前記コンピュータシステムが、前記ターゲットに関するテンプレートがダイの前記画像の異なる部分に相関するかを判定することによって、前記対象パターンについて前記ウェハまたは前記別のウェハ上の前記ダイの画像を探査するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
- 前記コンピュータシステムが、前記対象パターンに関するテンプレートを作成し、前記テンプレートの前記サイズを変更すること、または前記テンプレートを反転、回転、もしくは処理することによって前記テンプレートを修正するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
- 前記検査サブシステムが、前記ターゲット候補の前記画像と前記対象パターンに関するテンプレートまたは画像との画像マッチングのために最適な光学モードを用いて前記ターゲット候補に関する画像を取得することにより前記ターゲット候補を探査するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
- 前記ウェハ上で前記ターゲットを前記画像化することは第1の光学モードを用いて実行され、前記既知の対象欠陥の検出のために用いられる前記ターゲット候補の前記画像は、前記第1の光学モードとは異なる第2の光学モードを用いて取得される、請求項36記載のシステム。
- 前記コンピュータシステムが、前記潜在的な対象欠陥位置を正確に特定するために、欠陥検出モジュールに前記ターゲットに関する前記情報を提供することにより前記既知の対象欠陥を検出するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
- 前記コンピュータシステムが、セットアップ中に取得されるテンプレートと前記コンピュータシステムによる前記既知の対象欠陥の検出中に取得される前記ターゲット候補の前記画像とを相関付けることによって、前記ターゲット候補の前記画像における前記潜在的な対象欠陥位置を特定することによって、前記既知の対象欠陥を検出するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
- 前記コンピュータシステムが、前記ターゲットに関する前記情報に基づいて前記1または複数の検出パラメータを決定するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
- 前記コンピュータシステムが、前記ターゲット候補の各種類に関する画像にそれぞれ基づいて前記ターゲット候補の各種類について個別に前記1または複数の検出パラメータを決定するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
- 前記1または複数の検出パラメータを適用することは、前記潜在的な対象欠陥位置の前記画像および参照画像を用いて差分画像を生成することと、前記差分画像内の信号に閾値を当てはめることとを備える、請求項36記載のシステム。
- 前記コンピュータシステムが、前記潜在的な対象欠陥位置付近の差分画像の1または複数の特性を決定するように更に構成され、前記1または複数の検出パラメータを適用することは、前記差分画像の前記1または複数の特性の1または複数の値に閾値を当てはめることを備える、請求項36記載のシステム。
- 前記1または複数の検出パラメータを適用することは、前記潜在的な対象欠陥位置の前記画像から決定される前記既知の対象欠陥の前記1または複数の特性の1または複数の値に閾値を当てはめることを備える、請求項36記載のシステム。
- 前記1または複数の検出パラメータが適用される前記潜在的な対象欠陥位置の前記画像は、前記潜在的な対象欠陥位置を取り巻くケアエリアの画像であり、前記ケアエリアは、前記対象パターンの前記位置に対して一意的であり既知である位置にある前記既知の対象欠陥のサイズに基づいて決定される、請求項36記載のシステム。
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---|---|---|---|---|
US9189844B2 (en) * | 2012-10-15 | 2015-11-17 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using defect-specific information |
US9235885B2 (en) * | 2013-01-31 | 2016-01-12 | Applied Materials Israel Ltd | System, a method and a computer program product for patch-based defect detection |
US8984450B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-03-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for extracting systematic defects |
US9098891B2 (en) | 2013-04-08 | 2015-08-04 | Kla-Tencor Corp. | Adaptive sampling for semiconductor inspection recipe creation, defect review, and metrology |
US9171364B2 (en) * | 2013-06-21 | 2015-10-27 | Kla-Tencor Corp. | Wafer inspection using free-form care areas |
CN109283800B (zh) * | 2014-02-12 | 2021-01-01 | Asml荷兰有限公司 | 过程窗口的优化方法 |
US9401016B2 (en) * | 2014-05-12 | 2016-07-26 | Kla-Tencor Corp. | Using high resolution full die image data for inspection |
US9400865B2 (en) | 2014-06-13 | 2016-07-26 | Kla-Tencor Corp. | Extracting comprehensive design guidance for in-line process control tools and methods |
US10127653B2 (en) * | 2014-07-22 | 2018-11-13 | Kla-Tencor Corp. | Determining coordinates for an area of interest on a specimen |
US9816939B2 (en) | 2014-07-22 | 2017-11-14 | Kla-Tencor Corp. | Virtual inspection systems with multiple modes |
US10483081B2 (en) | 2014-10-22 | 2019-11-19 | Kla-Tencor Corp. | Self directed metrology and pattern classification |
US10267746B2 (en) | 2014-10-22 | 2019-04-23 | Kla-Tencor Corp. | Automated pattern fidelity measurement plan generation |
WO2016121073A1 (ja) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | パターンマッチング装置、及びパターンマッチングのためのコンピュータプログラム |
US9767548B2 (en) | 2015-04-24 | 2017-09-19 | Kla-Tencor Corp. | Outlier detection on pattern of interest image populations |
TWI683997B (zh) * | 2015-05-28 | 2020-02-01 | 美商克萊譚克公司 | 用於在檢測工具上之動態看護區域產生的系統及方法 |
US10018571B2 (en) | 2015-05-28 | 2018-07-10 | Kla-Tencor Corporation | System and method for dynamic care area generation on an inspection tool |
US10062543B2 (en) | 2015-06-23 | 2018-08-28 | Kla-Tencor Corp. | Determining multi-patterning step overlay error |
JP2018523820A (ja) * | 2015-07-30 | 2018-08-23 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 検査ツールへのダイナミックケアエリア生成システムおよび方法 |
US10359371B2 (en) | 2015-08-24 | 2019-07-23 | Kla-Tencor Corp. | Determining one or more characteristics of a pattern of interest on a specimen |
TWI684225B (zh) * | 2015-08-28 | 2020-02-01 | 美商克萊譚克公司 | 自定向計量和圖樣分類 |
US10535131B2 (en) * | 2015-11-18 | 2020-01-14 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for region-adaptive defect detection |
US10186028B2 (en) * | 2015-12-09 | 2019-01-22 | Kla-Tencor Corporation | Defect signal to noise enhancement by reducing die to die process noise |
US10338002B1 (en) * | 2016-02-01 | 2019-07-02 | Kla-Tencor Corporation | Methods and systems for selecting recipe for defect inspection |
KR102483787B1 (ko) * | 2016-02-25 | 2023-01-04 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치의 결함 모델링 장치 및 방법, 이를 위한 컴퓨터 프로그램과, 이를 이용한 반도체 장치의 결함 검사 시스템 |
DE112016006424T5 (de) * | 2016-03-16 | 2018-11-15 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defektinspektionsverfahren und Defektinspektionsvorrichtung |
US10339262B2 (en) * | 2016-03-29 | 2019-07-02 | Kla-Tencor Corporation | System and method for defining care areas in repeating structures of design data |
US9984454B2 (en) * | 2016-04-22 | 2018-05-29 | Kla-Tencor Corporation | System, method and computer program product for correcting a difference image generated from a comparison of target and reference dies |
US10346740B2 (en) * | 2016-06-01 | 2019-07-09 | Kla-Tencor Corp. | Systems and methods incorporating a neural network and a forward physical model for semiconductor applications |
US10304177B2 (en) * | 2016-06-29 | 2019-05-28 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods of using z-layer context in logic and hot spot inspection for sensitivity improvement and nuisance suppression |
KR102595300B1 (ko) | 2016-07-04 | 2023-10-31 | 삼성전자주식회사 | 검사 방법 및 시스템, 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법 |
US11047806B2 (en) * | 2016-11-30 | 2021-06-29 | Kla-Tencor Corporation | Defect discovery and recipe optimization for inspection of three-dimensional semiconductor structures |
CN110709887B (zh) * | 2017-01-18 | 2023-10-24 | Asml荷兰有限公司 | 级联缺陷检查 |
US10140400B2 (en) * | 2017-01-30 | 2018-11-27 | Dongfang Jingyuan Electron Limited | Method and system for defect prediction of integrated circuits |
US10600175B2 (en) * | 2017-03-24 | 2020-03-24 | Kla-Tencor Corporation | Dynamic care areas for defect detection |
US10648925B2 (en) * | 2017-06-05 | 2020-05-12 | Kla-Tencor Corporation | Repeater defect detection |
US10402963B2 (en) * | 2017-08-24 | 2019-09-03 | Kla-Tencor Corporation | Defect detection on transparent or translucent wafers |
US10997710B2 (en) * | 2017-10-18 | 2021-05-04 | Kla-Tencor Corporation | Adaptive care areas for die-die inspection |
US11222799B2 (en) * | 2017-10-18 | 2022-01-11 | Kla Corporation | Swath selection for semiconductor inspection |
US20190279914A1 (en) * | 2018-03-09 | 2019-09-12 | Kla-Tencor Corporation | Region of interest and pattern of interest generation for critical dimension measurement |
US10789703B2 (en) * | 2018-03-19 | 2020-09-29 | Kla-Tencor Corporation | Semi-supervised anomaly detection in scanning electron microscope images |
US10872406B2 (en) | 2018-04-13 | 2020-12-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Hot spot defect detecting method and hot spot defect detecting system |
US11195268B2 (en) * | 2018-05-22 | 2021-12-07 | Kla-Tencor Corporation | Target selection improvements for better design alignment |
US10697900B2 (en) * | 2018-06-19 | 2020-06-30 | Kla-Tencor Corporation | Correlating SEM and optical images for wafer noise nuisance identification |
US10605745B2 (en) * | 2018-06-28 | 2020-03-31 | Applied Materials Israel Ltd. | Guided inspection of a semiconductor wafer based on systematic defects |
US11094053B2 (en) | 2018-10-08 | 2021-08-17 | Kla Corporation | Deep learning based adaptive regions of interest for critical dimension measurements of semiconductor substrates |
WO2020083612A1 (en) * | 2018-10-23 | 2020-04-30 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for adaptive alignment |
US11430677B2 (en) * | 2018-10-30 | 2022-08-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Wafer taping apparatus and method |
US11600505B2 (en) | 2018-10-31 | 2023-03-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Systems and methods for systematic physical failure analysis (PFA) fault localization |
KR20200050497A (ko) * | 2018-11-01 | 2020-05-12 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 포토레지스트 패턴에서 프린팅 결함을 검출하는 방법 |
US10964015B2 (en) | 2019-01-15 | 2021-03-30 | International Business Machines Corporation | Product defect detection |
US20210158223A1 (en) * | 2019-11-22 | 2021-05-27 | Kla Corporation | Finding Semiconductor Defects Using Convolutional Context Attributes |
US20230067659A1 (en) * | 2021-08-24 | 2023-03-02 | Ford Global Technologies, Llc | Systems and methods for detecting vehicle defects |
CN114187294B (zh) * | 2022-02-16 | 2022-05-17 | 常州铭赛机器人科技股份有限公司 | 基于先验信息的规则晶片定位方法 |
Family Cites Families (445)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3495269A (en) | 1966-12-19 | 1970-02-10 | Xerox Corp | Electrographic recording method and apparatus with inert gaseous discharge ionization and acceleration gaps |
US3496352A (en) | 1967-06-05 | 1970-02-17 | Xerox Corp | Self-cleaning corona generating apparatus |
US3909602A (en) | 1973-09-27 | 1975-09-30 | California Inst Of Techn | Automatic visual inspection system for microelectronics |
US4015203A (en) | 1975-12-31 | 1977-03-29 | International Business Machines Corporation | Contactless LSI junction leakage testing method |
US4247203A (en) | 1978-04-03 | 1981-01-27 | Kla Instrument Corporation | Automatic photomask inspection system and apparatus |
US4347001A (en) | 1978-04-03 | 1982-08-31 | Kla Instruments Corporation | Automatic photomask inspection system and apparatus |
FR2473789A1 (fr) | 1980-01-09 | 1981-07-17 | Ibm France | Procedes et structures de test pour circuits integres a semi-conducteurs permettant la determination electrique de certaines tolerances lors des etapes photolithographiques. |
US4378159A (en) | 1981-03-30 | 1983-03-29 | Tencor Instruments | Scanning contaminant and defect detector |
US4448532A (en) | 1981-03-31 | 1984-05-15 | Kla Instruments Corporation | Automatic photomask inspection method and system |
US4475122A (en) | 1981-11-09 | 1984-10-02 | Tre Semiconductor Equipment Corporation | Automatic wafer alignment technique |
US4926489A (en) | 1983-03-11 | 1990-05-15 | Kla Instruments Corporation | Reticle inspection system |
US4579455A (en) | 1983-05-09 | 1986-04-01 | Kla Instruments Corporation | Photomask inspection apparatus and method with improved defect detection |
US4532650A (en) | 1983-05-12 | 1985-07-30 | Kla Instruments Corporation | Photomask inspection apparatus and method using corner comparator defect detection algorithm |
US4555798A (en) | 1983-06-20 | 1985-11-26 | Kla Instruments Corporation | Automatic system and method for inspecting hole quality |
US4578810A (en) | 1983-08-08 | 1986-03-25 | Itek Corporation | System for printed circuit board defect detection |
JPS6062122A (ja) | 1983-09-16 | 1985-04-10 | Fujitsu Ltd | マスクパターンの露光方法 |
US4599558A (en) | 1983-12-14 | 1986-07-08 | Ibm | Photovoltaic imaging for large area semiconductors |
US4595289A (en) | 1984-01-25 | 1986-06-17 | At&T Bell Laboratories | Inspection system utilizing dark-field illumination |
JPS60263807A (ja) | 1984-06-12 | 1985-12-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | プリント配線板のパタ−ン欠陥検査装置 |
US4633504A (en) | 1984-06-28 | 1986-12-30 | Kla Instruments Corporation | Automatic photomask inspection system having image enhancement means |
US4817123A (en) | 1984-09-21 | 1989-03-28 | Picker International | Digital radiography detector resolution improvement |
JPH0648380B2 (ja) | 1985-06-13 | 1994-06-22 | 株式会社東芝 | マスク検査方法 |
US4734721A (en) | 1985-10-04 | 1988-03-29 | Markem Corporation | Electrostatic printer utilizing dehumidified air |
US4641967A (en) | 1985-10-11 | 1987-02-10 | Tencor Instruments | Particle position correlator and correlation method for a surface scanner |
US4928313A (en) | 1985-10-25 | 1990-05-22 | Synthetic Vision Systems, Inc. | Method and system for automatically visually inspecting an article |
US5046109A (en) | 1986-03-12 | 1991-09-03 | Nikon Corporation | Pattern inspection apparatus |
US4814829A (en) | 1986-06-12 | 1989-03-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus |
US4805123B1 (en) | 1986-07-14 | 1998-10-13 | Kla Instr Corp | Automatic photomask and reticle inspection method and apparatus including improved defect detector and alignment sub-systems |
US4758094A (en) | 1987-05-15 | 1988-07-19 | Kla Instruments Corp. | Process and apparatus for in-situ qualification of master patterns used in patterning systems |
US4766324A (en) | 1987-08-07 | 1988-08-23 | Tencor Instruments | Particle detection method including comparison between sequential scans |
US4812756A (en) | 1987-08-26 | 1989-03-14 | International Business Machines Corporation | Contactless technique for semicondutor wafer testing |
US4845558A (en) | 1987-12-03 | 1989-07-04 | Kla Instruments Corporation | Method and apparatus for detecting defects in repeated microminiature patterns |
US4877326A (en) | 1988-02-19 | 1989-10-31 | Kla Instruments Corporation | Method and apparatus for optical inspection of substrates |
US5054097A (en) | 1988-11-23 | 1991-10-01 | Schlumberger Technologies, Inc. | Methods and apparatus for alignment of images |
US5155336A (en) | 1990-01-19 | 1992-10-13 | Applied Materials, Inc. | Rapid thermal heating apparatus and method |
US5124927A (en) | 1990-03-02 | 1992-06-23 | International Business Machines Corp. | Latent-image control of lithography tools |
JP3707172B2 (ja) | 1996-01-24 | 2005-10-19 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像読取装置 |
US5189481A (en) | 1991-07-26 | 1993-02-23 | Tencor Instruments | Particle detector for rough surfaces |
US5563702A (en) | 1991-08-22 | 1996-10-08 | Kla Instruments Corporation | Automated photomask inspection apparatus and method |
DE69208413T2 (de) | 1991-08-22 | 1996-11-14 | Kla Instr Corp | Gerät zur automatischen Prüfung von Photomaske |
ATE255902T1 (de) | 1992-03-09 | 2003-12-15 | San Diego Regional Cancer Ct | Ein anti-idiotypischer antikörper und seine verwendung in der diagnose und therapie von hiv- verwandten krankheiten |
US6205259B1 (en) | 1992-04-09 | 2001-03-20 | Olympus Optical Co., Ltd. | Image processing apparatus |
JP2667940B2 (ja) | 1992-04-27 | 1997-10-27 | 三菱電機株式会社 | マスク検査方法およびマスク検出装置 |
JP3730263B2 (ja) | 1992-05-27 | 2005-12-21 | ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション | 荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法 |
JP3212389B2 (ja) | 1992-10-26 | 2001-09-25 | 株式会社キリンテクノシステム | 固体上の異物検査方法 |
KR100300618B1 (ko) | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
US5448053A (en) | 1993-03-01 | 1995-09-05 | Rhoads; Geoffrey B. | Method and apparatus for wide field distortion-compensated imaging |
US5355212A (en) | 1993-07-19 | 1994-10-11 | Tencor Instruments | Process for inspecting patterned wafers |
US5453844A (en) | 1993-07-21 | 1995-09-26 | The University Of Rochester | Image data coding and compression system utilizing controlled blurring |
US5497381A (en) | 1993-10-15 | 1996-03-05 | Analog Devices, Inc. | Bitstream defect analysis method for integrated circuits |
US5544256A (en) | 1993-10-22 | 1996-08-06 | International Business Machines Corporation | Automated defect classification system |
JPH07159337A (ja) | 1993-12-07 | 1995-06-23 | Sony Corp | 半導体素子の欠陥検査方法 |
US5500607A (en) | 1993-12-22 | 1996-03-19 | International Business Machines Corporation | Probe-oxide-semiconductor method and apparatus for measuring oxide charge on a semiconductor wafer |
US5696835A (en) | 1994-01-21 | 1997-12-09 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for aligning and measuring misregistration |
US5553168A (en) | 1994-01-21 | 1996-09-03 | Texas Instruments Incorporated | System and method for recognizing visual indicia |
US5883710A (en) | 1994-12-08 | 1999-03-16 | Kla-Tencor Corporation | Scanning system for inspecting anomalies on surfaces |
US5572608A (en) | 1994-08-24 | 1996-11-05 | International Business Machines Corporation | Sinc filter in linear lumen space for scanner |
US5608538A (en) | 1994-08-24 | 1997-03-04 | International Business Machines Corporation | Scan line queuing for high performance image correction |
US5528153A (en) | 1994-11-07 | 1996-06-18 | Texas Instruments Incorporated | Method for non-destructive, non-contact measurement of dielectric constant of thin films |
US6014461A (en) | 1994-11-30 | 2000-01-11 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for automatic knowlege-based object identification |
US5694478A (en) | 1994-12-15 | 1997-12-02 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method and apparatus for detecting and identifying microbial colonies |
US5948972A (en) | 1994-12-22 | 1999-09-07 | Kla-Tencor Corporation | Dual stage instrument for scanning a specimen |
CA2139182A1 (en) | 1994-12-28 | 1996-06-29 | Paul Chevrette | Method and system for fast microscanning |
US5661408A (en) | 1995-03-01 | 1997-08-26 | Qc Solutions, Inc. | Real-time in-line testing of semiconductor wafers |
US5991699A (en) | 1995-05-04 | 1999-11-23 | Kla Instruments Corporation | Detecting groups of defects in semiconductor feature space |
TW341664B (en) | 1995-05-12 | 1998-10-01 | Ibm | Photovoltaic oxide charge measurement probe technique |
US5644223A (en) | 1995-05-12 | 1997-07-01 | International Business Machines Corporation | Uniform density charge deposit source |
US5485091A (en) | 1995-05-12 | 1996-01-16 | International Business Machines Corporation | Contactless electrical thin oxide measurements |
US6288780B1 (en) | 1995-06-06 | 2001-09-11 | Kla-Tencor Technologies Corp. | High throughput brightfield/darkfield wafer inspection system using advanced optical techniques |
US20020054291A1 (en) | 1997-06-27 | 2002-05-09 | Tsai Bin-Ming Benjamin | Inspection system simultaneously utilizing monochromatic darkfield and broadband brightfield illumination sources |
US5649169A (en) | 1995-06-20 | 1997-07-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and system for declustering semiconductor defect data |
US5594247A (en) | 1995-07-07 | 1997-01-14 | Keithley Instruments, Inc. | Apparatus and method for depositing charge on a semiconductor wafer |
US5773989A (en) | 1995-07-14 | 1998-06-30 | University Of South Florida | Measurement of the mobile ion concentration in the oxide layer of a semiconductor wafer |
US5621519A (en) | 1995-07-31 | 1997-04-15 | Neopath, Inc. | Imaging system transfer function control method and apparatus |
US5619548A (en) | 1995-08-11 | 1997-04-08 | Oryx Instruments And Materials Corp. | X-ray thickness gauge |
EP0853856B1 (en) | 1995-10-02 | 2004-12-22 | KLA-Tencor Corporation | Alignment correction prior to image sampling in inspection systems |
US5754678A (en) | 1996-01-17 | 1998-05-19 | Photon Dynamics, Inc. | Substrate inspection apparatus and method |
JPH09320505A (ja) | 1996-03-29 | 1997-12-12 | Hitachi Ltd | 電子線式検査方法及びその装置並びに半導体の製造方法及びその製造ライン |
US5673208A (en) | 1996-04-11 | 1997-09-30 | Micron Technology, Inc. | Focus spot detection method and system |
US5917332A (en) | 1996-05-09 | 1999-06-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Arrangement for improving defect scanner sensitivity and scanning defects on die of a semiconductor wafer |
US5742658A (en) | 1996-05-23 | 1998-04-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Apparatus and method for determining the elemental compositions and relative locations of particles on the surface of a semiconductor wafer |
JP3634505B2 (ja) | 1996-05-29 | 2005-03-30 | 株式会社ルネサステクノロジ | アライメントマーク配置方法 |
US6292582B1 (en) | 1996-05-31 | 2001-09-18 | Lin Youling | Method and system for identifying defects in a semiconductor |
US6205239B1 (en) | 1996-05-31 | 2001-03-20 | Texas Instruments Incorporated | System and method for circuit repair |
US6246787B1 (en) | 1996-05-31 | 2001-06-12 | Texas Instruments Incorporated | System and method for knowledgebase generation and management |
US6091846A (en) | 1996-05-31 | 2000-07-18 | Texas Instruments Incorporated | Method and system for anomaly detection |
IL118804A0 (en) | 1996-07-05 | 1996-10-31 | Orbot Instr Ltd | Data converter apparatus and method particularly useful for a database-to-object inspection system |
US5822218A (en) | 1996-08-27 | 1998-10-13 | Clemson University | Systems, methods and computer program products for prediction of defect-related failures in integrated circuits |
US5767693A (en) | 1996-09-04 | 1998-06-16 | Smithley Instruments, Inc. | Method and apparatus for measurement of mobile charges with a corona screen gun |
US6076465A (en) | 1996-09-20 | 2000-06-20 | Kla-Tencor Corporation | System and method for determining reticle defect printability |
KR100200734B1 (ko) | 1996-10-10 | 1999-06-15 | 윤종용 | 에어리얼 이미지 측정 장치 및 방법 |
US5866806A (en) | 1996-10-11 | 1999-02-02 | Kla-Tencor Corporation | System for locating a feature of a surface |
US5928389A (en) | 1996-10-21 | 1999-07-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for priority based scheduling of wafer processing within a multiple chamber semiconductor wafer processing tool |
US6259960B1 (en) | 1996-11-01 | 2001-07-10 | Joel Ltd. | Part-inspecting system |
US5852232A (en) | 1997-01-02 | 1998-12-22 | Kla-Tencor Corporation | Acoustic sensor as proximity detector |
US5978501A (en) | 1997-01-03 | 1999-11-02 | International Business Machines Corporation | Adaptive inspection method and system |
US5955661A (en) | 1997-01-06 | 1999-09-21 | Kla-Tencor Corporation | Optical profilometer combined with stylus probe measurement device |
US5795685A (en) | 1997-01-14 | 1998-08-18 | International Business Machines Corporation | Simple repair method for phase shifting masks |
US5889593A (en) | 1997-02-26 | 1999-03-30 | Kla Instruments Corporation | Optical system and method for angle-dependent reflection or transmission measurement |
US5980187A (en) | 1997-04-16 | 1999-11-09 | Kla-Tencor Corporation | Mechanism for transporting semiconductor-process masks |
US6121783A (en) | 1997-04-22 | 2000-09-19 | Horner; Gregory S. | Method and apparatus for establishing electrical contact between a wafer and a chuck |
US6097196A (en) | 1997-04-23 | 2000-08-01 | Verkuil; Roger L. | Non-contact tunnelling field measurement for a semiconductor oxide layer |
US6078738A (en) | 1997-05-08 | 2000-06-20 | Lsi Logic Corporation | Comparing aerial image to SEM of photoresist or substrate pattern for masking process characterization |
KR100308811B1 (ko) | 1997-05-10 | 2001-12-15 | 박종섭 | Gps를이용한시간및주파수발생장치의시간오차개선방법 |
US6201999B1 (en) | 1997-06-09 | 2001-03-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for automatically generating schedules for wafer processing within a multichamber semiconductor wafer processing tool |
US6011404A (en) | 1997-07-03 | 2000-01-04 | Lucent Technologies Inc. | System and method for determining near--surface lifetimes and the tunneling field of a dielectric in a semiconductor |
US6072320A (en) | 1997-07-30 | 2000-06-06 | Verkuil; Roger L. | Product wafer junction leakage measurement using light and eddy current |
US6104206A (en) | 1997-08-05 | 2000-08-15 | Verkuil; Roger L. | Product wafer junction leakage measurement using corona and a kelvin probe |
US5834941A (en) | 1997-08-11 | 1998-11-10 | Keithley Instruments, Inc. | Mobile charge measurement using corona charge and ultraviolet light |
US6191605B1 (en) | 1997-08-18 | 2001-02-20 | Tom G. Miller | Contactless method for measuring total charge of an insulating layer on a substrate using corona charge |
JP2984633B2 (ja) | 1997-08-29 | 1999-11-29 | 日本電気株式会社 | 参照画像作成方法およびパターン検査装置 |
US6578188B1 (en) | 1997-09-17 | 2003-06-10 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for a network-based mask defect printability analysis system |
US7107571B2 (en) | 1997-09-17 | 2006-09-12 | Synopsys, Inc. | Visual analysis and verification system using advanced tools |
US6757645B2 (en) | 1997-09-17 | 2004-06-29 | Numerical Technologies, Inc. | Visual inspection and verification system |
US6470489B1 (en) | 1997-09-17 | 2002-10-22 | Numerical Technologies, Inc. | Design rule checking system and method |
US5965306A (en) | 1997-10-15 | 1999-10-12 | International Business Machines Corporation | Method of determining the printability of photomask defects |
US5874733A (en) | 1997-10-16 | 1999-02-23 | Raytheon Company | Convergent beam scanner linearizing method and apparatus |
US6233719B1 (en) | 1997-10-27 | 2001-05-15 | Kla-Tencor Corporation | System and method for analyzing semiconductor production data |
US6097887A (en) | 1997-10-27 | 2000-08-01 | Kla-Tencor Corporation | Software system and method for graphically building customized recipe flowcharts |
JP4375900B2 (ja) | 1997-10-27 | 2009-12-02 | ケイエルエイ−テンコー コーポレイション | 生産分析において分類及び属性を拡張するソフトウエアシステム及び方法 |
US6110011A (en) | 1997-11-10 | 2000-08-29 | Applied Materials, Inc. | Integrated electrodeposition and chemical-mechanical polishing tool |
US6104835A (en) | 1997-11-14 | 2000-08-15 | Kla-Tencor Corporation | Automatic knowledge database generation for classifying objects and systems therefor |
JPH11162832A (ja) | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Nikon Corp | 走査露光方法及び走査型露光装置 |
US5999003A (en) | 1997-12-12 | 1999-12-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Intelligent usage of first pass defect data for improved statistical accuracy of wafer level classification |
US6614520B1 (en) | 1997-12-18 | 2003-09-02 | Kla-Tencor Corporation | Method for inspecting a reticle |
US6060709A (en) | 1997-12-31 | 2000-05-09 | Verkuil; Roger L. | Apparatus and method for depositing uniform charge on a thin oxide semiconductor wafer |
US6122017A (en) | 1998-01-22 | 2000-09-19 | Hewlett-Packard Company | Method for providing motion-compensated multi-field enhancement of still images from video |
US6175645B1 (en) | 1998-01-22 | 2001-01-16 | Applied Materials, Inc. | Optical inspection method and apparatus |
US6171737B1 (en) | 1998-02-03 | 2001-01-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Low cost application of oxide test wafer for defect monitor in photolithography process |
CN1222641C (zh) | 1998-02-12 | 2005-10-12 | Acm研究公司 | 电镀设备及方法 |
US6091845A (en) | 1998-02-24 | 2000-07-18 | Micron Technology, Inc. | Inspection technique of photomask |
US5932377A (en) | 1998-02-24 | 1999-08-03 | International Business Machines Corporation | Exact transmission balanced alternating phase-shifting mask for photolithography |
US6091257A (en) | 1998-02-26 | 2000-07-18 | Verkuil; Roger L. | Vacuum activated backside contact |
US6295374B1 (en) | 1998-04-06 | 2001-09-25 | Integral Vision, Inc. | Method and system for detecting a flaw in a sample image |
US6408219B2 (en) | 1998-05-11 | 2002-06-18 | Applied Materials, Inc. | FAB yield enhancement system |
US6282309B1 (en) | 1998-05-29 | 2001-08-28 | Kla-Tencor Corporation | Enhanced sensitivity automated photomask inspection system |
US6137570A (en) | 1998-06-30 | 2000-10-24 | Kla-Tencor Corporation | System and method for analyzing topological features on a surface |
US6987873B1 (en) | 1998-07-08 | 2006-01-17 | Applied Materials, Inc. | Automatic defect classification with invariant core classes |
JP2000089148A (ja) | 1998-07-13 | 2000-03-31 | Canon Inc | 光走査装置及びそれを用いた画像形成装置 |
US6324298B1 (en) | 1998-07-15 | 2001-11-27 | August Technology Corp. | Automated wafer defect inspection system and a process of performing such inspection |
US6266437B1 (en) | 1998-09-04 | 2001-07-24 | Sandia Corporation | Sequential detection of web defects |
US6466314B1 (en) | 1998-09-17 | 2002-10-15 | Applied Materials, Inc. | Reticle design inspection system |
US6040912A (en) | 1998-09-30 | 2000-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for detecting process sensitivity to integrated circuit layout using wafer to wafer defect inspection device |
US6122046A (en) | 1998-10-02 | 2000-09-19 | Applied Materials, Inc. | Dual resolution combined laser spot scanning and area imaging inspection |
US6535628B2 (en) | 1998-10-15 | 2003-03-18 | Applied Materials, Inc. | Detection of wafer fragments in a wafer processing apparatus |
US6393602B1 (en) | 1998-10-21 | 2002-05-21 | Texas Instruments Incorporated | Method of a comprehensive sequential analysis of the yield losses of semiconductor wafers |
JP3860347B2 (ja) | 1998-10-30 | 2006-12-20 | 富士通株式会社 | リンク処理装置 |
US6248486B1 (en) | 1998-11-23 | 2001-06-19 | U.S. Philips Corporation | Method of detecting aberrations of an optical imaging system |
US6476913B1 (en) | 1998-11-30 | 2002-11-05 | Hitachi, Ltd. | Inspection method, apparatus and system for circuit pattern |
US6529621B1 (en) | 1998-12-17 | 2003-03-04 | Kla-Tencor | Mechanisms for making and inspecting reticles |
US6539106B1 (en) | 1999-01-08 | 2003-03-25 | Applied Materials, Inc. | Feature-based defect detection |
US6373975B1 (en) | 1999-01-25 | 2002-04-16 | International Business Machines Corporation | Error checking of simulated printed images with process window effects included |
US6336082B1 (en) | 1999-03-05 | 2002-01-01 | General Electric Company | Method for automatic screening of abnormalities |
US6252981B1 (en) | 1999-03-17 | 2001-06-26 | Semiconductor Technologies & Instruments, Inc. | System and method for selection of a reference die |
US6427024B1 (en) * | 1999-04-02 | 2002-07-30 | Beltronics, Inc. | Apparatus for and method of automatic optical inspection of electronic circuit boards, wafers and the like for defects, using skeletal reference inspection and separately programmable alignment tolerance and detection parameters |
US7106895B1 (en) | 1999-05-05 | 2006-09-12 | Kla-Tencor | Method and apparatus for inspecting reticles implementing parallel processing |
AU3676500A (en) | 1999-05-07 | 2000-11-21 | Nikon Corporation | Aligner, microdevice, photomask, exposure method, and method of manufacturing device |
KR20020011416A (ko) | 1999-05-18 | 2002-02-08 | 조셉 제이. 스위니 | 마스트와 비교함으로써 물체의 검사를 수행하는 방법 및장치 |
US6526164B1 (en) | 1999-05-27 | 2003-02-25 | International Business Machines Corporation | Intelligent photomask disposition |
US6922482B1 (en) | 1999-06-15 | 2005-07-26 | Applied Materials, Inc. | Hybrid invariant adaptive automatic defect classification |
US6407373B1 (en) | 1999-06-15 | 2002-06-18 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for reviewing defects on an object |
JP2001143982A (ja) | 1999-06-29 | 2001-05-25 | Applied Materials Inc | 半導体デバイス製造のための統合臨界寸法制御 |
WO2001003380A1 (fr) | 1999-07-02 | 2001-01-11 | Fujitsu Limited | Dispositif d'attribution de services |
US6776692B1 (en) | 1999-07-09 | 2004-08-17 | Applied Materials Inc. | Closed-loop control of wafer polishing in a chemical mechanical polishing system |
US6466895B1 (en) | 1999-07-16 | 2002-10-15 | Applied Materials, Inc. | Defect reference system automatic pattern classification |
US6248485B1 (en) | 1999-07-19 | 2001-06-19 | Lucent Technologies Inc. | Method for controlling a process for patterning a feature in a photoresist |
US6754305B1 (en) | 1999-08-02 | 2004-06-22 | Therma-Wave, Inc. | Measurement of thin films and barrier layers on patterned wafers with X-ray reflectometry |
US6466315B1 (en) | 1999-09-03 | 2002-10-15 | Applied Materials, Inc. | Method and system for reticle inspection by photolithography simulation |
US20020144230A1 (en) | 1999-09-22 | 2002-10-03 | Dupont Photomasks, Inc. | System and method for correcting design rule violations in a mask layout file |
KR100335491B1 (ko) | 1999-10-13 | 2002-05-04 | 윤종용 | 공정 파라미터 라이브러리를 내장한 웨이퍼 검사장비 및 웨이퍼 검사시의 공정 파라미터 설정방법 |
US6268093B1 (en) | 1999-10-13 | 2001-07-31 | Applied Materials, Inc. | Method for reticle inspection using aerial imaging |
FR2801673B1 (fr) | 1999-11-26 | 2001-12-28 | Pechiney Aluminium | Procede de mesure du degre et de l'homogeneite de calcination des alumines |
AU1553601A (en) | 1999-11-29 | 2001-06-12 | Olympus Optical Co., Ltd. | Defect inspecting system |
US6999614B1 (en) | 1999-11-29 | 2006-02-14 | Kla-Tencor Corporation | Power assisted automatic supervised classifier creation tool for semiconductor defects |
US7190292B2 (en) | 1999-11-29 | 2007-03-13 | Bizjak Karl M | Input level adjust system and method |
US6738954B1 (en) | 1999-12-08 | 2004-05-18 | International Business Machines Corporation | Method for prediction random defect yields of integrated circuits with accuracy and computation time controls |
US6553329B2 (en) | 1999-12-13 | 2003-04-22 | Texas Instruments Incorporated | System for mapping logical functional test data of logical integrated circuits to physical representation using pruned diagnostic list |
US6771806B1 (en) | 1999-12-14 | 2004-08-03 | Kla-Tencor | Multi-pixel methods and apparatus for analysis of defect information from test structures on semiconductor devices |
US6445199B1 (en) | 1999-12-14 | 2002-09-03 | Kla-Tencor Corporation | Methods and apparatus for generating spatially resolved voltage contrast maps of semiconductor test structures |
US6701004B1 (en) | 1999-12-22 | 2004-03-02 | Intel Corporation | Detecting defects on photomasks |
US6778695B1 (en) | 1999-12-23 | 2004-08-17 | Franklin M. Schellenberg | Design-based reticle defect prioritization |
JP4419250B2 (ja) | 2000-02-15 | 2010-02-24 | 株式会社ニコン | 欠陥検査装置 |
US7120285B1 (en) | 2000-02-29 | 2006-10-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for evaluation of reticle image using aerial image simulator |
US6451690B1 (en) | 2000-03-13 | 2002-09-17 | Matsushita Electronics Corporation | Method of forming electrode structure and method of fabricating semiconductor device |
US6482557B1 (en) | 2000-03-24 | 2002-11-19 | Dupont Photomasks, Inc. | Method and apparatus for evaluating the runability of a photomask inspection tool |
US6569691B1 (en) | 2000-03-29 | 2003-05-27 | Semiconductor Diagnostics, Inc. | Measurement of different mobile ion concentrations in the oxide layer of a semiconductor wafer |
US6759255B2 (en) | 2000-05-10 | 2004-07-06 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Method and system for detecting metal contamination on a semiconductor wafer |
US6425113B1 (en) | 2000-06-13 | 2002-07-23 | Leigh C. Anderson | Integrated verification and manufacturability tool |
EP1296351A4 (en) | 2000-06-27 | 2009-09-23 | Ebara Corp | INVESTIGATION DEVICE FOR LOADED PARTICLE RAYS AND METHOD FOR PRODUCING A COMPONENT ELEVATED WITH THIS INSPECTION DEVICE |
JP2002032737A (ja) | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置のパターン観察のためのナビゲーション方法及び装置 |
US6636301B1 (en) | 2000-08-10 | 2003-10-21 | Kla-Tencor Corporation | Multiple beam inspection apparatus and method |
US6634018B2 (en) | 2000-08-24 | 2003-10-14 | Texas Instruments Incorporated | Optical proximity correction |
JP2002071575A (ja) | 2000-09-04 | 2002-03-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 欠陥検査解析方法および欠陥検査解析システム |
TW513772B (en) | 2000-09-05 | 2002-12-11 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | Apparatus for inspecting wafer surface, method for inspecting wafer surface, apparatus for judging defective wafer, method for judging defective wafer and information treatment apparatus of wafer surface |
DE10044257A1 (de) | 2000-09-07 | 2002-04-11 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Erzeugen von Masken-Layout-Daten für die Lithografiesimulation und von optimierten Masken-Layout-Daten sowie zugehörige Vorrichtung und Programme |
US6513151B1 (en) | 2000-09-14 | 2003-01-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Full flow focus exposure matrix analysis and electrical testing for new product mask evaluation |
US6919957B2 (en) | 2000-09-20 | 2005-07-19 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a critical dimension, a presence of defects, and a thin film characteristic of a specimen |
US6724489B2 (en) | 2000-09-22 | 2004-04-20 | Daniel Freifeld | Three dimensional scanning camera |
TWI256468B (en) | 2000-10-02 | 2006-06-11 | Applied Materials Inc | Defect source identifier |
EP1271605A4 (en) | 2000-11-02 | 2009-09-02 | Ebara Corp | ELECTRON BEAM APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING SAID APPARATUS |
US6753954B2 (en) | 2000-12-06 | 2004-06-22 | Asml Masktools B.V. | Method and apparatus for detecting aberrations in a projection lens utilized for projection optics |
US6602728B1 (en) | 2001-01-05 | 2003-08-05 | International Business Machines Corporation | Method for generating a proximity model based on proximity rules |
US6680621B2 (en) | 2001-01-26 | 2004-01-20 | Semiconductor Diagnostics, Inc. | Steady state method for measuring the thickness and the capacitance of ultra thin dielectric in the presence of substantial leakage current |
US6597193B2 (en) | 2001-01-26 | 2003-07-22 | Semiconductor Diagnostics, Inc. | Steady state method for measuring the thickness and the capacitance of ultra thin dielectric in the presence of substantial leakage current |
US20020145734A1 (en) | 2001-02-09 | 2002-10-10 | Cory Watkins | Confocal 3D inspection system and process |
WO2002073661A2 (en) | 2001-03-12 | 2002-09-19 | Pdf Solutions, Inc. | Extraction method of defect density and size distributions |
US6873720B2 (en) | 2001-03-20 | 2005-03-29 | Synopsys, Inc. | System and method of providing mask defect printability analysis |
JP3973372B2 (ja) | 2001-03-23 | 2007-09-12 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線を用いた基板検査装置および基板検査方法 |
US6605478B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-08-12 | Appleid Materials, Inc, | Kill index analysis for automatic defect classification in semiconductor wafers |
US6665065B1 (en) | 2001-04-09 | 2003-12-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Defect detection in pellicized reticles via exposure at short wavelengths |
JP4038356B2 (ja) | 2001-04-10 | 2008-01-23 | 株式会社日立製作所 | 欠陥データ解析方法及びその装置並びにレビューシステム |
US7113629B2 (en) * | 2001-04-11 | 2006-09-26 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Pattern inspecting apparatus and method |
JP4266082B2 (ja) | 2001-04-26 | 2009-05-20 | 株式会社東芝 | 露光用マスクパターンの検査方法 |
JP4199939B2 (ja) | 2001-04-27 | 2008-12-24 | 株式会社日立製作所 | 半導体検査システム |
US7127099B2 (en) | 2001-05-11 | 2006-10-24 | Orbotech Ltd. | Image searching defect detector |
JP2002353099A (ja) | 2001-05-22 | 2002-12-06 | Canon Inc | 位置検出方法及び装置及び露光装置及びデバイス製造方法 |
US20030004699A1 (en) | 2001-06-04 | 2003-01-02 | Choi Charles Y. | Method and apparatus for evaluating an integrated circuit model |
US20020186878A1 (en) | 2001-06-07 | 2002-12-12 | Hoon Tan Seow | System and method for multiple image analysis |
JP3551163B2 (ja) | 2001-06-08 | 2004-08-04 | 三菱住友シリコン株式会社 | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
US6779159B2 (en) | 2001-06-08 | 2004-08-17 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Defect inspection method and defect inspection apparatus |
US6581193B1 (en) | 2001-06-13 | 2003-06-17 | Kla-Tencor | Apparatus and methods for modeling process effects and imaging effects in scanning electron microscopy |
US7382447B2 (en) | 2001-06-26 | 2008-06-03 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method for determining lithographic focus and exposure |
US20030014146A1 (en) | 2001-07-12 | 2003-01-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Dangerous process/pattern detection system and method, danger detection program, and semiconductor device manufacturing method |
US6593748B1 (en) | 2001-07-12 | 2003-07-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Process integration of electrical thickness measurement of gate oxide and tunnel oxides by corona discharge technique |
JP2003031477A (ja) | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法およびシステム |
JP4122735B2 (ja) | 2001-07-24 | 2008-07-23 | 株式会社日立製作所 | 半導体デバイスの検査方法および検査条件設定方法 |
US7030997B2 (en) | 2001-09-11 | 2006-04-18 | The Regents Of The University Of California | Characterizing aberrations in an imaging lens and applications to visual testing and integrated circuit mask analysis |
US7155698B1 (en) | 2001-09-11 | 2006-12-26 | The Regents Of The University Of California | Method of locating areas in an image such as a photo mask layout that are sensitive to residual processing effects |
ES2387357T3 (es) | 2001-09-12 | 2012-09-20 | Panasonic Corporation | Aparato de transmisión y recepción |
US7133070B2 (en) | 2001-09-20 | 2006-11-07 | Eastman Kodak Company | System and method for deciding when to correct image-specific defects based on camera, scene, display and demographic data |
JP3870052B2 (ja) | 2001-09-20 | 2007-01-17 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法及び欠陥検査データ処理方法 |
JP4035974B2 (ja) | 2001-09-26 | 2008-01-23 | 株式会社日立製作所 | 欠陥観察方法及びその装置 |
JP3955450B2 (ja) | 2001-09-27 | 2007-08-08 | 株式会社ルネサステクノロジ | 試料検査方法 |
US6670082B2 (en) | 2001-10-09 | 2003-12-30 | Numerical Technologies, Inc. | System and method for correcting 3D effects in an alternating phase-shifting mask |
US7175940B2 (en) * | 2001-10-09 | 2007-02-13 | Asml Masktools B.V. | Method of two dimensional feature model calibration and optimization |
US7065239B2 (en) | 2001-10-24 | 2006-06-20 | Applied Materials, Inc. | Automated repetitive array microstructure defect inspection |
US6751519B1 (en) | 2001-10-25 | 2004-06-15 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Methods and systems for predicting IC chip yield |
US6948141B1 (en) | 2001-10-25 | 2005-09-20 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for determining critical area of semiconductor design data |
WO2003036549A1 (en) | 2001-10-25 | 2003-05-01 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for managing reliability of semiconductor devices |
US6918101B1 (en) | 2001-10-25 | 2005-07-12 | Kla -Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for determining critical area of semiconductor design data |
US6734696B2 (en) | 2001-11-01 | 2004-05-11 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Non-contact hysteresis measurements of insulating films |
JP2003151483A (ja) | 2001-11-19 | 2003-05-23 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線を用いた回路パターン用基板検査装置および基板検査方法 |
US6886153B1 (en) | 2001-12-21 | 2005-04-26 | Kla-Tencor Corporation | Design driven inspection or measurement for semiconductor using recipe |
US6658640B2 (en) | 2001-12-26 | 2003-12-02 | Numerical Technologies, Inc. | Simulation-based feed forward process control |
US6789032B2 (en) | 2001-12-26 | 2004-09-07 | International Business Machines Corporation | Method of statistical binning for reliability selection |
KR100689694B1 (ko) | 2001-12-27 | 2007-03-08 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼상에 발생된 결함을 검출하는 방법 및 장치 |
US6906305B2 (en) | 2002-01-08 | 2005-06-14 | Brion Technologies, Inc. | System and method for aerial image sensing |
US7236847B2 (en) | 2002-01-16 | 2007-06-26 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for closed loop defect reduction |
JP2003215060A (ja) | 2002-01-22 | 2003-07-30 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | パターン検査方法及び検査装置 |
US6691052B1 (en) | 2002-01-30 | 2004-02-10 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for generating an inspection reference pattern |
JP3629244B2 (ja) | 2002-02-19 | 2005-03-16 | 本多エレクトロン株式会社 | ウエーハ用検査装置 |
US7257247B2 (en) | 2002-02-21 | 2007-08-14 | International Business Machines Corporation | Mask defect analysis system |
US20030223639A1 (en) | 2002-03-05 | 2003-12-04 | Vladimir Shlain | Calibration and recognition of materials in technical images using specific and non-specific features |
US7693323B2 (en) | 2002-03-12 | 2010-04-06 | Applied Materials, Inc. | Multi-detector defect detection system and a method for detecting defects |
US20030192015A1 (en) | 2002-04-04 | 2003-10-09 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus to facilitate test pattern design for model calibration and proximity correction |
US6966047B1 (en) | 2002-04-09 | 2005-11-15 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Capturing designer intent in reticle inspection |
US6642066B1 (en) | 2002-05-15 | 2003-11-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Integrated process for depositing layer of high-K dielectric with in-situ control of K value and thickness of high-K dielectric layer |
US20030229875A1 (en) | 2002-06-07 | 2003-12-11 | Smith Taber H. | Use of models in integrated circuit fabrication |
US7363099B2 (en) | 2002-06-07 | 2008-04-22 | Cadence Design Systems, Inc. | Integrated circuit metrology |
US7124386B2 (en) | 2002-06-07 | 2006-10-17 | Praesagus, Inc. | Dummy fill for integrated circuits |
JP3826849B2 (ja) | 2002-06-07 | 2006-09-27 | 株式会社Sumco | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
US7152215B2 (en) | 2002-06-07 | 2006-12-19 | Praesagus, Inc. | Dummy fill for integrated circuits |
US7393755B2 (en) | 2002-06-07 | 2008-07-01 | Cadence Design Systems, Inc. | Dummy fill for integrated circuits |
EP1532670A4 (en) | 2002-06-07 | 2007-09-12 | Praesagus Inc | CHARACTERIZATION AND REDUCTION OF VARIATION FOR INTEGRATED CIRCUITS |
US6828542B2 (en) | 2002-06-07 | 2004-12-07 | Brion Technologies, Inc. | System and method for lithography process monitoring and control |
US7155052B2 (en) | 2002-06-10 | 2006-12-26 | Tokyo Seimitsu (Israel) Ltd | Method for pattern inspection |
JP2004031709A (ja) | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Seiko Instruments Inc | ウエハレス測長レシピ生成装置 |
US6777676B1 (en) | 2002-07-05 | 2004-08-17 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Non-destructive root cause analysis on blocked contact or via |
JP4073265B2 (ja) | 2002-07-09 | 2008-04-09 | 富士通株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
US7012438B1 (en) | 2002-07-10 | 2006-03-14 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a property of an insulating film |
EP1579274A4 (en) | 2002-07-12 | 2006-06-07 | Cadence Design Systems Inc | METHOD AND SYSTEM FOR CONTROLLING MASKS ACCORDING TO THE CONTEXT |
EP1543451A4 (en) | 2002-07-12 | 2010-11-17 | Cadence Design Systems Inc | PROCESS AND SYSTEM FOR CONTEX-SPECIFIC MASK WRITING |
EP1523696B1 (en) | 2002-07-15 | 2016-12-21 | KLA-Tencor Corporation | Defect inspection methods that include acquiring aerial images of a reticle for different lithographic process variables |
US6902855B2 (en) | 2002-07-15 | 2005-06-07 | Kla-Tencor Technologies | Qualifying patterns, patterning processes, or patterning apparatus in the fabrication of microlithographic patterns |
US6775818B2 (en) | 2002-08-20 | 2004-08-10 | Lsi Logic Corporation | Device parameter and gate performance simulation based on wafer image prediction |
US6784446B1 (en) | 2002-08-29 | 2004-08-31 | Advanced Micro Devices, Inc. | Reticle defect printability verification by resist latent image comparison |
US20040049722A1 (en) | 2002-09-09 | 2004-03-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Failure analysis system, failure analysis method, a computer program product and a manufacturing method for a semiconductor device |
US20040179738A1 (en) | 2002-09-12 | 2004-09-16 | Dai X. Long | System and method for acquiring and processing complex images |
US7043071B2 (en) | 2002-09-13 | 2006-05-09 | Synopsys, Inc. | Soft defect printability simulation and analysis for masks |
US7504182B2 (en) | 2002-09-18 | 2009-03-17 | Fei Company | Photolithography mask repair |
KR100474571B1 (ko) | 2002-09-23 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼의 패턴 검사용 기준 이미지 설정 방법과 이 설정방법을 이용한 패턴 검사 방법 및 장치 |
JP4310090B2 (ja) | 2002-09-27 | 2009-08-05 | 株式会社日立製作所 | 欠陥データ解析方法及びその装置並びにレビューシステム |
US7061625B1 (en) | 2002-09-27 | 2006-06-13 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method and apparatus using interferometric metrology for high aspect ratio inspection |
US6831736B2 (en) | 2002-10-07 | 2004-12-14 | Applied Materials Israel, Ltd. | Method of and apparatus for line alignment to compensate for static and dynamic inaccuracies in scanning |
US7027143B1 (en) | 2002-10-15 | 2006-04-11 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging at off-stepper wavelengths |
US7123356B1 (en) | 2002-10-15 | 2006-10-17 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging and die-to-database detection |
US7379175B1 (en) | 2002-10-15 | 2008-05-27 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for reticle inspection and defect review using aerial imaging |
JP4302965B2 (ja) * | 2002-11-01 | 2009-07-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体デバイスの製造方法及びその製造システム |
US6807503B2 (en) | 2002-11-04 | 2004-10-19 | Brion Technologies, Inc. | Method and apparatus for monitoring integrated circuit fabrication |
US7386839B1 (en) | 2002-11-06 | 2008-06-10 | Valery Golender | System and method for troubleshooting software configuration problems using application tracing |
WO2004044596A2 (en) | 2002-11-12 | 2004-05-27 | Fei Company | Defect analyzer |
US7457736B2 (en) | 2002-11-21 | 2008-11-25 | Synopsys, Inc. | Automated creation of metrology recipes |
WO2004055472A2 (en) | 2002-12-13 | 2004-07-01 | Smith Bruce W | Method for aberration detection and measurement |
US6882745B2 (en) | 2002-12-19 | 2005-04-19 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method and apparatus for translating detected wafer defect coordinates to reticle coordinates using CAD data |
US7162071B2 (en) | 2002-12-20 | 2007-01-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Progressive self-learning defect review and classification method |
US7525659B2 (en) | 2003-01-15 | 2009-04-28 | Negevtech Ltd. | System for detection of water defects |
KR100707817B1 (ko) | 2003-02-03 | 2007-04-13 | 가부시키가이샤 섬코 | 검사 방법, 해석편의 제작 방법, 해석 방법, 해석 장치,soi 웨이퍼의 제조 방법, 및 soi 웨이퍼 |
US6990385B1 (en) | 2003-02-03 | 2006-01-24 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Defect detection using multiple sensors and parallel processing |
US6718526B1 (en) | 2003-02-07 | 2004-04-06 | Kla-Tencor Corporation | Spatial signature analysis |
US7030966B2 (en) | 2003-02-11 | 2006-04-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for optimizing an illumination source using photolithographic simulations |
US7756320B2 (en) | 2003-03-12 | 2010-07-13 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect classification using a logical equation for high stage classification |
JP3699960B2 (ja) | 2003-03-14 | 2005-09-28 | 株式会社東芝 | 検査レシピ作成システム、欠陥レビューシステム、検査レシピ作成方法及び欠陥レビュー方法 |
US7053355B2 (en) | 2003-03-18 | 2006-05-30 | Brion Technologies, Inc. | System and method for lithography process monitoring and control |
US7508973B2 (en) | 2003-03-28 | 2009-03-24 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method of inspecting defects |
US6925614B2 (en) | 2003-04-01 | 2005-08-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and method for protecting and integrating silicon intellectual property (IP) in an integrated circuit (IC) |
US6952653B2 (en) | 2003-04-29 | 2005-10-04 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Single tool defect classification solution |
US6859746B1 (en) | 2003-05-01 | 2005-02-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Methods of using adaptive sampling techniques based upon categorization of process variations, and system for performing same |
US7739064B1 (en) | 2003-05-09 | 2010-06-15 | Kla-Tencor Corporation | Inline clustered defect reduction |
JP2004340652A (ja) | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置および陽電子線応用装置 |
US6777147B1 (en) | 2003-05-21 | 2004-08-17 | International Business Machines Corporation | Method for evaluating the effects of multiple exposure processes in lithography |
US7068363B2 (en) | 2003-06-06 | 2006-06-27 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems for inspection of patterned or unpatterned wafers and other specimen |
US7346470B2 (en) | 2003-06-10 | 2008-03-18 | International Business Machines Corporation | System for identification of defects on circuits or other arrayed products |
US9002497B2 (en) | 2003-07-03 | 2015-04-07 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspection of wafers and reticles using designer intent data |
US7135344B2 (en) | 2003-07-11 | 2006-11-14 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Design-based monitoring |
US6947588B2 (en) | 2003-07-14 | 2005-09-20 | August Technology Corp. | Edge normal process |
US7968859B2 (en) | 2003-07-28 | 2011-06-28 | Lsi Corporation | Wafer edge defect inspection using captured image analysis |
US6988045B2 (en) | 2003-08-04 | 2006-01-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dynamic metrology sampling methods, and system for performing same |
US7271891B1 (en) | 2003-08-29 | 2007-09-18 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for providing selective defect sensitivity |
US7433535B2 (en) | 2003-09-30 | 2008-10-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Enhancing text-like edges in digital images |
US7003758B2 (en) | 2003-10-07 | 2006-02-21 | Brion Technologies, Inc. | System and method for lithography simulation |
US7114143B2 (en) | 2003-10-29 | 2006-09-26 | Lsi Logic Corporation | Process yield learning |
US7103484B1 (en) | 2003-10-31 | 2006-09-05 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Non-contact methods for measuring electrical thickness and determining nitrogen content of insulating films |
JP2005158780A (ja) | 2003-11-20 | 2005-06-16 | Hitachi Ltd | パターン欠陥検査方法及びその装置 |
JP2005183907A (ja) | 2003-11-26 | 2005-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン解析方法及びパターン解析装置 |
JP4351522B2 (ja) | 2003-11-28 | 2009-10-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン欠陥検査装置およびパターン欠陥検査方法 |
US8151220B2 (en) | 2003-12-04 | 2012-04-03 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods for simulating reticle layout data, inspecting reticle layout data, and generating a process for inspecting reticle layout data |
CN1910516B (zh) | 2004-01-29 | 2011-01-12 | 克拉-坦科技术股份有限公司 | 用于检测标线设计数据中的缺陷的计算机实现方法 |
JP4426871B2 (ja) | 2004-02-25 | 2010-03-03 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | Fib/sem複合装置の画像ノイズ除去 |
US7194709B2 (en) | 2004-03-05 | 2007-03-20 | Keith John Brankner | Automatic alignment of integrated circuit and design layout of integrated circuit to more accurately assess the impact of anomalies |
JP2005283326A (ja) | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥レビュー方法及びその装置 |
JP4313755B2 (ja) | 2004-05-07 | 2009-08-12 | 株式会社日立製作所 | 再生信号の評価方法および光ディスク装置 |
US7171334B2 (en) | 2004-06-01 | 2007-01-30 | Brion Technologies, Inc. | Method and apparatus for synchronizing data acquisition of a monitored IC fabrication process |
JP4347751B2 (ja) | 2004-06-07 | 2009-10-21 | 株式会社アドバンテスト | 不良解析システム及び不良箇所表示方法 |
US7207017B1 (en) | 2004-06-10 | 2007-04-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and system for metrology recipe generation and review and analysis of design, simulation and metrology results |
US7788629B2 (en) | 2004-07-21 | 2010-08-31 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems configured to perform a non-contact method for determining a property of a specimen |
WO2006012388A2 (en) | 2004-07-22 | 2006-02-02 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Test structures and methods for monitoring or controlling a semiconductor fabrication process |
CA2573217C (en) | 2004-08-09 | 2013-04-09 | Bracco Research Sa | An image registration method and apparatus for medical imaging based on mulptiple masks |
US7310796B2 (en) | 2004-08-27 | 2007-12-18 | Applied Materials, Israel, Ltd. | System and method for simulating an aerial image |
TW200622275A (en) | 2004-09-06 | 2006-07-01 | Mentor Graphics Corp | Integrated circuit yield and quality analysis methods and systems |
JP4904034B2 (ja) | 2004-09-14 | 2012-03-28 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | レチクル・レイアウト・データを評価するための方法、システム及び搬送媒体 |
US7142992B1 (en) | 2004-09-30 | 2006-11-28 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Flexible hybrid defect classification for semiconductor manufacturing |
US7783113B2 (en) | 2004-10-08 | 2010-08-24 | Drvision Technologies Llc | Partition pattern match and integration method for alignment |
WO2006044426A2 (en) | 2004-10-12 | 2006-04-27 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Computer-implemented methods and systems for classifying defects on a specimen |
JP4045269B2 (ja) | 2004-10-20 | 2008-02-13 | 株式会社日立製作所 | 記録方法及び光ディスク装置 |
US7729529B2 (en) | 2004-12-07 | 2010-06-01 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Computer-implemented methods for detecting and/or sorting defects in a design pattern of a reticle |
KR20060075691A (ko) | 2004-12-29 | 2006-07-04 | 삼성전자주식회사 | 결함 검사 방법 |
JP2006220644A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-08-24 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン検査方法及びその装置 |
JP2006200972A (ja) | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 画像欠陥検査方法、画像欠陥検査装置及び外観検査装置 |
JP4895569B2 (ja) | 2005-01-26 | 2012-03-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 帯電制御装置及び帯電制御装置を備えた計測装置 |
US7475382B2 (en) | 2005-02-24 | 2009-01-06 | Synopsys, Inc. | Method and apparatus for determining an improved assist feature configuration in a mask layout |
US7813541B2 (en) | 2005-02-28 | 2010-10-12 | Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. | Method and apparatus for detecting defects in wafers |
US7804993B2 (en) | 2005-02-28 | 2010-09-28 | Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. | Method and apparatus for detecting defects in wafers including alignment of the wafer images so as to induce the same smear in all images |
CN1828857A (zh) * | 2005-03-02 | 2006-09-06 | 盟图科技股份有限公司 | 检测光掩膜缺陷方法 |
US7496880B2 (en) | 2005-03-17 | 2009-02-24 | Synopsys, Inc. | Method and apparatus for assessing the quality of a process model |
US7760929B2 (en) | 2005-05-13 | 2010-07-20 | Applied Materials, Inc. | Grouping systematic defects with feedback from electrical inspection |
US7760347B2 (en) | 2005-05-13 | 2010-07-20 | Applied Materials, Inc. | Design-based method for grouping systematic defects in lithography pattern writing system |
US7444615B2 (en) | 2005-05-31 | 2008-10-28 | Invarium, Inc. | Calibration on wafer sweet spots |
KR100687090B1 (ko) | 2005-05-31 | 2007-02-26 | 삼성전자주식회사 | 결함 분류 방법 |
US7564017B2 (en) | 2005-06-03 | 2009-07-21 | Brion Technologies, Inc. | System and method for characterizing aerial image quality in a lithography system |
US7853920B2 (en) | 2005-06-03 | 2010-12-14 | Asml Netherlands B.V. | Method for detecting, sampling, analyzing, and correcting marginal patterns in integrated circuit manufacturing |
US7501215B2 (en) | 2005-06-28 | 2009-03-10 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a calibration substrate |
US20070002322A1 (en) | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Yan Borodovsky | Image inspection method |
US8219940B2 (en) | 2005-07-06 | 2012-07-10 | Semiconductor Insights Inc. | Method and apparatus for removing dummy features from a data structure |
KR100663365B1 (ko) | 2005-07-18 | 2007-01-02 | 삼성전자주식회사 | 내부에 적어도 한 쌍의 빔 경로들을 갖는 렌즈 유니트를구비하는 광학적 검사장비들 및 이를 사용하여 기판의 표면결함들을 검출하는 방법들 |
US7769225B2 (en) | 2005-08-02 | 2010-08-03 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern |
US7488933B2 (en) | 2005-08-05 | 2009-02-10 | Brion Technologies, Inc. | Method for lithography model calibration |
EP1920369A2 (en) | 2005-08-08 | 2008-05-14 | Brion Technologies, Inc. | System and method for creating a focus-exposure model of a lithography process |
US7749666B2 (en) | 2005-08-09 | 2010-07-06 | Asml Netherlands B.V. | System and method for measuring and analyzing lithographic parameters and determining optimal process corrections |
KR100909474B1 (ko) | 2005-08-10 | 2009-07-28 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 결함지수를 사용하여 국부성 불량 모드를 갖는결함성 반도체 웨이퍼의 검출 방법들 및 이에 사용되는장비들 |
WO2007026361A2 (en) | 2005-09-01 | 2007-03-08 | Camtek Limited | A method and a system for establishing an inspection recipe |
JP4203498B2 (ja) | 2005-09-22 | 2009-01-07 | アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 | 画像補正装置、パターン検査装置、画像補正方法、及び、パターン欠陥検査方法 |
US7570796B2 (en) | 2005-11-18 | 2009-08-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
US8041103B2 (en) | 2005-11-18 | 2011-10-18 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a position of inspection data in design data space |
US7676077B2 (en) | 2005-11-18 | 2010-03-09 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
US7570800B2 (en) | 2005-12-14 | 2009-08-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for binning defects detected on a specimen |
KR100696276B1 (ko) | 2006-01-31 | 2007-03-19 | (주)미래로시스템 | 웨이퍼 결함 검사 장비들로부터 획득된 측정 데이터들을이용한 자동 결함 분류 시스템 |
US7801353B2 (en) | 2006-02-01 | 2010-09-21 | Applied Materials Israel, Ltd. | Method for defect detection using computer aided design data |
EP1982160A4 (en) | 2006-02-09 | 2016-02-17 | Kla Tencor Tech Corp | METHOD AND SYSTEMS FOR DETERMINING A WAFER FEATURE |
JP4728144B2 (ja) | 2006-02-28 | 2011-07-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 回路パターンの検査装置 |
US7528944B2 (en) | 2006-05-22 | 2009-05-05 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Methods and systems for detecting pinholes in a film formed on a wafer or for monitoring a thermal process tool |
JP4791267B2 (ja) | 2006-06-23 | 2011-10-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査システム |
US8102408B2 (en) | 2006-06-29 | 2012-01-24 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Computer-implemented methods and systems for determining different process windows for a wafer printing process for different reticle designs |
JP4165580B2 (ja) | 2006-06-29 | 2008-10-15 | トヨタ自動車株式会社 | 画像処理装置及び画像処理プログラム |
US7664608B2 (en) | 2006-07-14 | 2010-02-16 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect inspection method and apparatus |
JP2008041940A (ja) | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Hitachi High-Technologies Corp | Sem式レビュー装置並びにsem式レビュー装置を用いた欠陥のレビュー方法及び欠陥検査方法 |
US7904845B2 (en) | 2006-12-06 | 2011-03-08 | Kla-Tencor Corp. | Determining locations on a wafer to be reviewed during defect review |
JP5427609B2 (ja) | 2006-12-19 | 2014-02-26 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 検査レシピ作成システムおよびその方法 |
WO2008086282A2 (en) | 2007-01-05 | 2008-07-17 | Kla-Tencor Corporation | Methods and systems for using electrical information for a device being fabricated on a wafer to perform one or more defect-related functions |
US7962863B2 (en) | 2007-05-07 | 2011-06-14 | Kla-Tencor Corp. | Computer-implemented methods, systems, and computer-readable media for determining a model for predicting printability of reticle features on a wafer |
US7738093B2 (en) | 2007-05-07 | 2010-06-15 | Kla-Tencor Corp. | Methods for detecting and classifying defects on a reticle |
US8073240B2 (en) | 2007-05-07 | 2011-12-06 | Kla-Tencor Corp. | Computer-implemented methods, computer-readable media, and systems for identifying one or more optical modes of an inspection system as candidates for use in inspection of a layer of a wafer |
US7962864B2 (en) | 2007-05-24 | 2011-06-14 | Applied Materials, Inc. | Stage yield prediction |
US8799831B2 (en) | 2007-05-24 | 2014-08-05 | Applied Materials, Inc. | Inline defect analysis for sampling and SPC |
KR100877105B1 (ko) | 2007-06-27 | 2009-01-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 패턴 검증 방법 |
US7796804B2 (en) | 2007-07-20 | 2010-09-14 | Kla-Tencor Corp. | Methods for generating a standard reference die for use in a die to standard reference die inspection and methods for inspecting a wafer |
US8611639B2 (en) | 2007-07-30 | 2013-12-17 | Kla-Tencor Technologies Corp | Semiconductor device property extraction, generation, visualization, and monitoring methods |
US7711514B2 (en) | 2007-08-10 | 2010-05-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Computer-implemented methods, carrier media, and systems for generating a metrology sampling plan |
US7975245B2 (en) | 2007-08-20 | 2011-07-05 | Kla-Tencor Corp. | Computer-implemented methods for determining if actual defects are potentially systematic defects or potentially random defects |
CN101861643B (zh) | 2007-08-30 | 2012-11-21 | Bt成像股份有限公司 | 光生伏打电池制造 |
US8155428B2 (en) | 2007-09-07 | 2012-04-10 | Kla-Tencor Corporation | Memory cell and page break inspection |
US8126255B2 (en) | 2007-09-20 | 2012-02-28 | Kla-Tencor Corp. | Systems and methods for creating persistent data for a wafer and for using persistent data for inspection-related functions |
JP5022191B2 (ja) | 2007-11-16 | 2012-09-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
US7890917B1 (en) | 2008-01-14 | 2011-02-15 | Xilinx, Inc. | Method and apparatus for providing secure intellectual property cores for a programmable logic device |
US7774153B1 (en) | 2008-03-17 | 2010-08-10 | Kla-Tencor Corp. | Computer-implemented methods, carrier media, and systems for stabilizing output acquired by an inspection system |
US8139844B2 (en) | 2008-04-14 | 2012-03-20 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for determining a defect criticality index for defects on wafers |
US8049877B2 (en) | 2008-05-14 | 2011-11-01 | Kla-Tencor Corp. | Computer-implemented methods, carrier media, and systems for selecting polarization settings for an inspection system |
US8000922B2 (en) | 2008-05-29 | 2011-08-16 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for generating information to be used for selecting values for one or more parameters of a detection algorithm |
JP6185693B2 (ja) * | 2008-06-11 | 2017-08-23 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation | ウェーハー上の設計欠陥および工程欠陥の検出、ウェーハー上の欠陥の精査、設計内の1つ以上の特徴を工程監視特徴として使用するための選択、またはそのいくつかの組み合わせのためのシステムおよび方法 |
US7973921B2 (en) | 2008-06-25 | 2011-07-05 | Applied Materials South East Asia Pte Ltd. | Dynamic illumination in optical inspection systems |
US8269960B2 (en) | 2008-07-24 | 2012-09-18 | Kla-Tencor Corp. | Computer-implemented methods for inspecting and/or classifying a wafer |
JP5230740B2 (ja) | 2008-08-01 | 2013-07-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥レビュー装置および方法、並びにプログラム |
US8255172B2 (en) * | 2008-09-24 | 2012-08-28 | Applied Materials Israel, Ltd. | Wafer defect detection system and method |
KR20100061018A (ko) | 2008-11-28 | 2010-06-07 | 삼성전자주식회사 | 다수 전자빔 조건의 멀티 스캔을 연산하여 새로운 패턴 이미지를 창출하는 반도체 소자의 디펙트 검사 장치 및 방법 |
US9262303B2 (en) | 2008-12-05 | 2016-02-16 | Altera Corporation | Automated semiconductor design flaw detection system |
US8041106B2 (en) * | 2008-12-05 | 2011-10-18 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for detecting defects on a reticle |
US8094924B2 (en) | 2008-12-15 | 2012-01-10 | Hermes-Microvision, Inc. | E-beam defect review system |
SG164293A1 (en) * | 2009-01-13 | 2010-09-29 | Semiconductor Technologies & Instruments Pte | System and method for inspecting a wafer |
US8605275B2 (en) * | 2009-01-26 | 2013-12-10 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
US8223327B2 (en) | 2009-01-26 | 2012-07-17 | Kla-Tencor Corp. | Systems and methods for detecting defects on a wafer |
JP5641463B2 (ja) | 2009-01-27 | 2014-12-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置及びその方法 |
JP5619776B2 (ja) | 2009-02-06 | 2014-11-05 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | ウエハの検査のための1つまたは複数のパラメータの選択方法 |
CN102396058B (zh) * | 2009-02-13 | 2014-08-20 | 恪纳腾公司 | 检测晶片上的缺陷 |
US8112241B2 (en) | 2009-03-13 | 2012-02-07 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for generating an inspection process for a wafer |
JP2010256242A (ja) | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
US8595666B2 (en) * | 2009-07-09 | 2013-11-26 | Hitachi High-Technologies Corporation | Semiconductor defect classifying method, semiconductor defect classifying apparatus, and semiconductor defect classifying program |
US8295580B2 (en) | 2009-09-02 | 2012-10-23 | Hermes Microvision Inc. | Substrate and die defect inspection method |
JP5622398B2 (ja) * | 2010-01-05 | 2014-11-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Semを用いた欠陥検査方法及び装置 |
US8437967B2 (en) | 2010-01-27 | 2013-05-07 | International Business Machines Corporation | Method and system for inspecting multi-layer reticles |
JP5444092B2 (ja) * | 2010-04-06 | 2014-03-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査方法およびその装置 |
JP5722551B2 (ja) * | 2010-05-13 | 2015-05-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及びその装置 |
JP5553716B2 (ja) * | 2010-09-15 | 2014-07-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及びその装置 |
KR20120068128A (ko) | 2010-12-17 | 2012-06-27 | 삼성전자주식회사 | 패턴의 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 결함 검출 장치 |
JP5715873B2 (ja) | 2011-04-20 | 2015-05-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥分類方法及び欠陥分類システム |
US9201022B2 (en) | 2011-06-02 | 2015-12-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extraction of systematic defects |
JP2012255740A (ja) * | 2011-06-10 | 2012-12-27 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
US9069923B2 (en) | 2011-06-16 | 2015-06-30 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | IP protection |
US20130009989A1 (en) | 2011-07-07 | 2013-01-10 | Li-Hui Chen | Methods and systems for image segmentation and related applications |
US8611598B2 (en) | 2011-07-26 | 2013-12-17 | Harman International (China) Holdings Co., Ltd. | Vehicle obstacle detection system |
US8977035B2 (en) | 2012-06-13 | 2015-03-10 | Applied Materials Israel, Ltd. | System, method and computer program product for detection of defects within inspection images |
US9916653B2 (en) * | 2012-06-27 | 2018-03-13 | Kla-Tenor Corporation | Detection of defects embedded in noise for inspection in semiconductor manufacturing |
US9053390B2 (en) | 2012-08-14 | 2015-06-09 | Kla-Tencor Corporation | Automated inspection scenario generation |
US9189844B2 (en) * | 2012-10-15 | 2015-11-17 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using defect-specific information |
US9053527B2 (en) | 2013-01-02 | 2015-06-09 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
US9311698B2 (en) | 2013-01-09 | 2016-04-12 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using template image matching |
KR102019534B1 (ko) * | 2013-02-01 | 2019-09-09 | 케이엘에이 코포레이션 | 결함 특유의, 다중 채널 정보를 이용한 웨이퍼 상의 결함 검출 |
-
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