JP6371473B2 - 照明システム - Google Patents
照明システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP6371473B2 JP6371473B2 JP2017513133A JP2017513133A JP6371473B2 JP 6371473 B2 JP6371473 B2 JP 6371473B2 JP 2017513133 A JP2017513133 A JP 2017513133A JP 2017513133 A JP2017513133 A JP 2017513133A JP 6371473 B2 JP6371473 B2 JP 6371473B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sub
- beams
- image
- element array
- illumination
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 241
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 205
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 109
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 58
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 51
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 46
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 36
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 19
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 19
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 18
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 7
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 6
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 38
- 230000008859 change Effects 0.000 description 31
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 6
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133526—Lenses, e.g. microlenses or Fresnel lenses
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70133—Measurement of illumination distribution, in pupil plane or field plane
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
Description
[0001] 本願は、2014年9月25日に出願した欧州特許出願第14186403.3号の優先権を主張し、その全体を本願に参考として組み込む。
を備える。
‐放射ビームPB(例えば、UV放射又はEUV放射)を調整する照明システム(イルミネータ)ILと、
‐パターニングデバイス(例えば、マスク)MAを支持し、かつパターニングデバイスをアイテムPLに対して正確に位置決めする第1位置決めデバイスPMに連結されたサポート構造(例えば、サポート構造)MTと、
‐基板(例えば、レジストコートウェーハ)Wを保持し、かつ基板をアイテムPLに対して正確に位置決めする第2位置決めデバイスPWに連結された基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WTと、
‐パターニングデバイスMAによって放射ビームPBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ以上のダイを含む)上に結像するように構成された投影システム(例えば、屈折投影レンズシステム)PLとを備える。
1.ステップモードにおいては、サポート構造MT及び基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、ビームPBに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一静的露光)。その後、基板テーブルWTは、X及び/又はY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Cのサイズが限定される。
2.スキャンモードにおいては、サポート構造MT及び基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、ビームPBに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一動的露光)。サポート構造MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの(縮小)拡大率及び像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅(非スキャン方向)が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ(スキャン方向)が決まる。
3.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造MTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、又はスキャンする一方で、ビームPBに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、又はスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
[0149.1] ある実施形態では、リソグラフィ装置用の照明システムが提供され、この照明システムは、放射ビームを受けるとともに放射ビームを複数のサブビームへと合焦させるように構成されたレンズアレイと、照明ビームを形成するためにサブビームを受けるとともにサブビームを反射させるように構成された反射要素アレイと、照明ビームを第1部と第2部に分割するように構成されたビーム分割デバイスであって、第1部はリソグラフィパターニングデバイスに入射するように誘導される、ビーム分割デバイスと、イメージが検出面に形成されるように照明ビームの第2部を検出面上に合焦させるように構成された合焦ユニットであって、イメージは反射要素アレイの上流に位置する平面における複数のサブビームのイメージであり、サブビームはイメージ内で互い重なり合わない、合焦ユニットと、検出面に入射する放射の強度を測定するように構成された検出器要素アレイと
を備える。
[0149.2] ある実施形態では、リソグラフィ装置用の照明システムが提供され、この照明システムは、照明ビームを形成するために放射ビームを受けるとともに放射ビームの複数のサブビームを反射させるように構成された反射要素アレイと、照明ビームを第1部と第2部に分割するように構成されたビーム分割デバイスであって、第1部はリソグラフィパターニングデバイスに入射するように誘導される、ビーム分割デバイスと、イメージが検出面に形成されるように照明ビームの第2部を検出面上に合焦させるように構成された合焦ユニットであって、イメージは反射要素アレイの下流に位置する平面における複数のサブビームのイメージであり、サブビームはイメージ内で互い重なり合わない、合焦ユニットと、検出面に入射する放射の強度を測定するように構成された検出器要素アレイとを備える。
[0149.3] ある実施形態では、照明システムは、放射ビームを受け、放射ビームを複数のサブビームへと合焦させるとともに複数のサブビームを反射要素アレイ上に誘導するように構成されたレンズアレイをさらに備える。ある実施形態では、検出器要素アレイは、複数の検出器要素が各サブビームに対応する放射を受けるように配置される。ある実施形態では、照明システムは、各サブビームの空間強度分布を決定するとともに空間強度分布を用いて反射要素アレイの各反射要素の向きを決定するように構成されたコントローラをさらに備える。ある実施形態では、合焦ユニットは、各検出器要素が複数のサブビームのうちの1つに対応する放射を受けるように照明ビームの第2部を検出面上に合焦させるように構成される。ある実施形態では、照明システムは、複数のサブビームの各々の強度を決定するように構成されたコントローラをさらに備える。ある実施形態では、照明システムは、反射要素アレイの反射要素の向きを調節するように構成された複数のアクチュエータをさらに備える。ある実施形態では、コントローラは、照明期間中、所望の空間強度分布を有する照明ビームを形成するために、複数のサブビームの決定された強度に応答してアクチュエータを制御するように動作可能である。ある実施形態では、コントローラは、さらに、照明期間中以外のとき、反射要素を方向付けるためにアクチュエータを制御するように動作可能であり、それによって、検出面上に結像されたときにサブビームが重ならないサブビームのイメージを形成する平面の範囲が、照明期間中の平面の範囲と比較して拡大される。ある実施形態では、合焦ユニットは、検出面上に結像される平面を調節するように動作可能である。ある実施形態では、照明システムは、反射要素アレイの上流に位置決めされたフィルタ要素をさらに含み、フィルタ要素は、放射が反射要素アレイに入射するように放射を透過させるように構成される。ある実施形態では、フィルタ要素は、放射が1つ以上の反射要素に入射することを防止するためにフィルタ要素の1つ以上の領域を塞ぐように動作可能である。ある実施形態では、検出器要素アレイは、実質的に検出面に位置決めされる。ある実施形態では、照明システムは、実質的に検出面に位置決めされた蛍光プレートをさらに備え、検出器要素アレイは、蛍光プレートから放出される放射の強度を測定するように構成される。ある実施形態では、照明システムは、照明ビームの第2部を第1検出ビームと第2検出ビームに分割するように構成された第2ビーム分割デバイスをさらに備え、第1検出ビームは検出システムに誘導され、第2検出ビームは第2合焦ユニット及び第2検出器要素アレイを含む第2検出システムに誘導され、第2合焦ユニットは、第2イメージが第2検出面に形成されるように第2検出ビームを第2検出面上に合焦させるように構成され、第2イメージは、第1検出ビームを受ける検出システムによって結像される平面とは異なる第2平面における複数のサブビームのイメージである。ある実施形態では、合焦ユニットは、検出面と実質的に平行に方向付けされる。ある実施形態では、合焦ユニットは、反射要素アレイと実質的に平行に方向付けされる。ある実施形態では、照明システムは、反射要素アレイの反射要素に対する欠陥を、検出器要素アレイによって得られた測定値から決定するように構成されたコントローラをさらに備える。ある実施形態では、リソグラフィ装置は、本明細書中に記載した照明システムと、パターニングデバイスを支持するためのサポート構造であって、パターニングデバイスは、照明ビームの第1部の断面にパターンを付与することによってパターン付き放射ビームを形成する役割を果たす、サポート構造と、基板を保持するための基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するための投影システムとを備える。
[0149.4] ある実施形態では、放射ビームを結像する方法が提供され、この方法は、放射ビームを提供することと、レンズアレイを用いて放射ビームを複数のサブビームへと合焦させることと、照明ビームを形成するために反射要素アレイを用いて複数のサブビームを反射させることと、照明ビームを第1部と第2部に分割することと、リソグラフィパターニングデバイスに入射するように照明ビームの第1部を誘導することと、イメージが検出面に形成されるように照明ビームの第2部を合焦させることであって、イメージは反射要素アレイの上流に位置する平面における複数のサブビームのイメージであり、サブビームはイメージ内で互い重なり合わない、合焦させることと、検出器要素アレイを用いて検出面に入射する放射の強度を測定することとを含む。
[0149.5] ある実施形態では、放射ビームを結像する方法が提供され、この方法は、放射ビームを提供することと、照明ビームを形成するために反射要素アレイを用いて放射ビームの複数のサブビームを反射させることと、照明ビームを第1部と第2部に分割することと、リソグラフィパターニングデバイスに入射するように照明ビームの第1部を誘導することと、イメージが検出面に形成されるように照明ビームの第2部を合焦させることであって、イメージは反射要素アレイの下流に位置する平面における複数のサブビームのイメージであり、サブビームはイメージ内で互い重なり合わない、合焦させることと、検出器要素アレイを用いて検出面に入射する放射の強度を測定することとを含む。
[0149.6] ある実施形態では、方法は、レンズアレイを用いて放射ビームを複数のサブビームへと合焦させることと、複数のサブビームを反射要素アレイ上に誘導することとをさらに含む。ある実施形態では、検出器要素アレイは、複数の検出器要素が各サブビームに対応する放射を受けるように配置される。ある実施形態では、方法は、各サブビームの空間強度分布を決定することと、空間強度分布を用いて反射要素アレイの各反射要素の向きを決定することとをさらに含む。ある実施形態では、照明ビームの第2部は、各検出器要素が複数のサブビームのうちの1つに対応する放射を受けるように検出面上に合焦される。ある実施形態では、方法は、複数のサブビームの各々の強度を決定することをさらに含む。ある実施形態では、方法は、照明期間中、所望の空間強度分布を有する照明ビームを形成するために、複数のサブビームの決定された強度に応答して反射要素アレイの反射要素の向きを調節することをさらに含む。ある実施形態では、方法は、照明期間中以外のときに反射要素アレイの反射要素の向きを調節することをさらに含み、それによって、検出面上に結像されたときにサブビームが重ならないサブビームのイメージを形成する平面の範囲が、照明期間中の平面の範囲と比較して拡大される。ある実施形態では、方法は、照明期間中以外のときに複数のサブビームの各々の強度を決定することをさらに含む。ある実施形態では、方法は、照明期間中以外のときに反射要素の向きを決定することをさらに含む。ある実施形態では、方法は、検出面上に結像される平面を調節することをさらに含む。ある実施形態では、方法は、検出器要素アレイによって得られた測定値に従って反射要素アレイの上流に位置決めされたフィルタ要素を位置合わせすることをさらに含み、フィルタ要素は、反射要素アレイに入射する放射を透過させるように構成される。ある実施形態では、方法は、放射が1つ以上の反射要素に入射することを防止するようにフィルタ要素の1つ以上の領域を塞ぐことをさらに含む。ある実施形態では、方法は、反射要素アレイの反射要素に対する欠陥を、検出面に入射する放射の強度の測定値から決定することをさらに含む。ある実施形態では、方法は、照明ビームの第2部を第1検出ビームと第2検出ビームに分割することであって、第1検出ビームは検出システムに誘導される、分割することと、第2イメージが第2検出面に形成されるように第2検出ビームを合焦させることであって、第2イメージは、第1検出ビームを受ける検出システムによって結像される平面とは異なる第2平面における複数のサブビームのイメージである、合焦させることとをさらに含む。
[0149.7] ある実施形態では、リソグラフィ装置用の照明システムが提供され、この照明システムは、放射ビームを受けるとともに放射ビームを複数のサブビームへと合焦させるように構成されたレンズアレイと、照明ビームを形成するためにサブビームを受けるとともにサブビームを反射させるように構成された反射要素アレイと、照明ビームを第1部と第2部に分割するように構成されたビーム分割デバイスであって、第1部はリソグラフィパターニングデバイスに入射するように誘導される、ビーム分割デバイスと、イメージが検出面に形成されるように照明ビームの第2部を検出面上に合焦させるように構成された合焦ユニットであって、イメージは、サブビームが互いに重なり合わない複数のサブビームのイメージである、合焦ユニットと、検出面に入射する放射の強度を測定するように構成された検出器要素アレイとを備える。
[0149.8] ある実施形態では、放射ビームを結像する方法が提供され、この方法は、放射ビームを提供することと、レンズアレイを用いて放射ビームを複数のサブビームへと合焦させることと、照明ビームを形成するために反射要素アレイを用いて複数のサブビームを反射させることと、照明ビームを第1部と第2部に分割することと、リソグラフィパターニングデバイスに入射するように照明ビームの第1部を誘導することと、イメージが検出面に形成されるように照明ビームの第2部を合焦させることであって、イメージは、複数のサブビームのサブビームが互いに重なり合わない複数のサブビームのイメージである、合焦させることと、検出器要素アレイを用いて検出面に入射する放射の強度を測定することとを含む。
Claims (18)
- リソグラフィ装置用の照明システムであって、前記照明システムは、
照明ビームを形成するために放射入射を受けるとともに前記放射入射を複数のサブビームとして反射させるように構成された反射要素アレイと、
前記照明ビームを第1部と第2部に分割するように構成されたビーム分割デバイスであって、前記第1部はリソグラフィパターニングデバイスに入射するように誘導される、ビーム分割デバイスと、
イメージが検出面に形成されるように前記照明ビームの前記第2部を前記検出面上に合焦させるように構成された合焦ユニットであって、前記イメージは前記複数のサブビームのイメージであり、前記サブビームは前記イメージ内で互いに重なり合わない、合焦ユニットと、
前記検出面に入射する放射の強度を測定するように構成された検出器要素アレイと
を備える、照明システム。 - 前記反射要素アレイの上流に位置するレンズアレイをさらに備え、前記レンズアレイは、前記放射入射を受け、前記反射要素アレイへの前記放射入射が複数のサブビームを含むように、前記放射入射を合焦させて複数のサブビームを形成するように構成され、前記複数のサブビームは前記反射要素アレイによって、前記照明ビームを形成する前記複数のサブビームとして反射される、請求項1に記載の照明システム。
- 前記検出器要素アレイは、複数の検出器要素が各サブビームに対応する放射を受けるように配置される、請求項1に記載の照明システム。
- 各サブビームの空間強度分布を決定するとともに前記空間強度分布を用いて前記反射要素アレイの各反射要素の向きを決定するように構成されたコントローラをさらに備える、請求項3に記載の照明システム。
- 前記合焦ユニットは、各検出器要素が前記複数のサブビームのうちの1つに対応する放射を受けるように前記照明ビームの前記第2部を前記検出面上に合焦させるように構成される、請求項1に記載の照明システム。
- 前記複数のサブビームの各々の強度を決定するように構成されたコントローラをさらに備える、請求項1に記載の照明システム。
- 前記コントローラは、照明期間中、所望の空間強度分布を有する照明ビームを形成するために、前記複数のサブビームの決定された強度に応答して前記反射要素の向きを制御するように動作可能である、請求項6に記載の照明システム。
- 前記コントローラは、さらに、前記照明期間中以外のとき、前記反射要素を方向付けるために前記反射要素の向きを制御するように動作可能であり、それによって、前記検出面上に結像されたときに前記サブビームが重ならない前記サブビームのイメージを形成する平面の範囲が、前記照明期間中の前記平面の範囲と比較して拡大される、請求項7に記載の照明システム。
- 前記合焦ユニットは、前記検出面上に結像される平面を調節するように動作可能である、請求項1に記載の照明システム。
- 前記反射要素アレイの反射要素に対する欠陥を、前記検出器要素アレイによって得られた測定値から決定するように構成されたコントローラをさらに備える、請求項1に記載の照明システム。
- 前記イメージは、前記反射要素アレイの上流に位置する平面における前記複数のサブビームのイメージである、請求項1に記載の照明システム。
- 前記イメージは、前記反射要素アレイの下流に位置する平面における前記複数のサブビームのイメージである、請求項1に記載の照明システム。
- 請求項1に記載の照明システムと、
パターニングデバイスを支持するように構成されたサポート構造であって、前記パターニングデバイスは、前記照明ビームの前記第1部の断面にパターンを付与することによってパターン付き放射ビームを形成する役割を果たす、サポート構造と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと
を備える、リソグラフィ装置。 - 放射のビームを結像する方法であって、前記方法は、
反射要素アレイへ放射入射を提供することと、
照明ビームを形成するために前記反射要素アレイを使用して複数のサブビームとして前記放射入射を反射させることと、
前記照明ビームを第1部と第2部に分割することと、
リソグラフィパターニングデバイスに入射するように前記照明ビームの前記第1部を誘導することと、
イメージが検出面に形成されるように前記照明ビームの前記第2部を合焦させることであって、前記イメージは前記複数のサブビームのイメージであり、前記サブビームは前記イメージ内で互い重なり合わないことと、
検出器要素アレイを用いて前記検出面に入射する放射の強度を測定することと
を含む、方法。 - 前記反射要素アレイへの前記放射入射が複数のサブビームを含むように、前記放射入射を合焦させて複数のサブビームを形成するために、前記反射要素アレイの上流のレンズアレイを使用することをさらに含み、前記複数のサブビームは前記反射要素アレイによって、前記照明ビームを形成する前記複数のサブビームとして反射される、請求項14に記載の方法。
- 前記検出器要素アレイは、複数の検出器要素が各サブビームに対応する放射を受けるように配置される、請求項14に記載の方法。
- 前記イメージは、前記反射要素アレイの上流に位置する平面における前記複数のサブビームのイメージである、請求項14に記載の方法。
- 前記イメージは、前記反射要素アレイの下流に位置する平面における前記複数のサブビームのイメージである、請求項14に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP14186403.3 | 2014-09-25 | ||
EP14186403 | 2014-09-25 | ||
PCT/EP2015/069508 WO2016045897A1 (en) | 2014-09-25 | 2015-08-26 | Illumination system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017530398A JP2017530398A (ja) | 2017-10-12 |
JP6371473B2 true JP6371473B2 (ja) | 2018-08-08 |
Family
ID=51589214
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017513133A Active JP6371473B2 (ja) | 2014-09-25 | 2015-08-26 | 照明システム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10146134B2 (ja) |
JP (1) | JP6371473B2 (ja) |
KR (1) | KR101938723B1 (ja) |
CN (1) | CN106716256B (ja) |
TW (1) | TWI575338B (ja) |
WO (1) | WO2016045897A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7083821B2 (ja) * | 2016-06-17 | 2022-06-13 | ソルボンヌ・ユニヴェルシテ | 制御された光強度で対象物を照明するための装置および関連する方法 |
US10451890B2 (en) | 2017-01-16 | 2019-10-22 | Cymer, Llc | Reducing speckle in an excimer light source |
US20200241117A1 (en) * | 2017-09-28 | 2020-07-30 | Pioneer Corporation | Ranging device and optical scanning device |
JP7020859B2 (ja) * | 2017-10-24 | 2022-02-16 | キヤノン株式会社 | 照明光学系、露光装置および物品の製造方法 |
WO2020126389A1 (en) | 2018-12-19 | 2020-06-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus with thermal conditioning system for conditioning the wafer |
CN109581827B (zh) * | 2019-01-10 | 2020-06-09 | 中国科学院光电技术研究所 | 光刻投影物镜最佳焦面检测装置及方法 |
KR102150194B1 (ko) * | 2019-04-24 | 2020-08-31 | 양승주 | 광학 모듈 및 이를 포함하는 초근접 얼라인 패턴 검사용 광학장치 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6171631A (ja) * | 1984-09-15 | 1986-04-12 | Canon Inc | 露光装置 |
KR20040047816A (ko) * | 2001-09-12 | 2004-06-05 | 마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비 | 공간광변조기를 이용한 개선된 방법 및 장치 |
EP1426823A1 (en) | 2002-12-02 | 2004-06-09 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7388647B2 (en) * | 2005-01-06 | 2008-06-17 | Asml Holding N.V. | Method and system for real time uniformity feedback |
WO2008061681A2 (de) | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik für die projektions-mikrolithografie sowie mess- und überwachungsverfahren für eine derartige beleuchtungsoptik |
JP5211487B2 (ja) | 2007-01-25 | 2013-06-12 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法 |
KR101695034B1 (ko) | 2008-05-28 | 2017-01-10 | 가부시키가이샤 니콘 | 공간 광 변조기의 검사 장치, 조명 광학계, 노광 장치, 검사 방법, 조명 광학계의 조정 방법, 조명 방법, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
US8164046B2 (en) * | 2009-07-16 | 2012-04-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic projection exposure apparatus |
NL2004942A (en) * | 2009-07-30 | 2011-01-31 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and monitoring method. |
WO2012060099A1 (ja) | 2010-11-04 | 2012-05-10 | 株式会社ニコン | 光源調整方法、露光方法、デバイス製造方法、照明光学系、及び露光装置 |
WO2013094733A1 (ja) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | 株式会社ニコン | 計測方法、メンテナンス方法及びその装置 |
DE102012205181B4 (de) | 2012-03-30 | 2015-09-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Messvorrichtung zum Vermessen einer Beleuchtungseigenschaft |
DE102012208514A1 (de) | 2012-05-22 | 2013-11-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Justagevorrichtung sowie Masken-Inspektionsvorrichtung mit einer derartigen Justagevorrichtung |
-
2015
- 2015-08-26 JP JP2017513133A patent/JP6371473B2/ja active Active
- 2015-08-26 US US15/511,570 patent/US10146134B2/en active Active
- 2015-08-26 WO PCT/EP2015/069508 patent/WO2016045897A1/en active Application Filing
- 2015-08-26 KR KR1020177011102A patent/KR101938723B1/ko active IP Right Grant
- 2015-08-26 CN CN201580051928.5A patent/CN106716256B/zh active Active
- 2015-09-11 TW TW104130191A patent/TWI575338B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101938723B1 (ko) | 2019-01-15 |
CN106716256A (zh) | 2017-05-24 |
CN106716256B (zh) | 2018-08-03 |
TWI575338B (zh) | 2017-03-21 |
TW201614386A (en) | 2016-04-16 |
KR20170063797A (ko) | 2017-06-08 |
US10146134B2 (en) | 2018-12-04 |
JP2017530398A (ja) | 2017-10-12 |
US20170293229A1 (en) | 2017-10-12 |
WO2016045897A1 (en) | 2016-03-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6371473B2 (ja) | 照明システム | |
JP4034262B2 (ja) | リソグラフ装置およびデバイス製造方法 | |
KR100650946B1 (ko) | 방사선 시스템, 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법, 및그에 의해 제조된 디바이스 | |
JP5059916B2 (ja) | リソグラフィ装置および監視方法 | |
JP2009290210A (ja) | 基板内の欠陥を判定する方法およびリソグラフィプロセスにおいて基板を露光するための装置 | |
JP2005354066A (ja) | 整列マーカ、リソグラフィ装置およびそれを使うデバイス製造方法 | |
JP2011097056A (ja) | リソグラフィ方法および装置 | |
JPWO2006126444A1 (ja) | センサの校正方法、露光方法、露光装置、デバイス製造方法、および反射型マスク | |
KR20170121253A (ko) | 검사와 계측을 위한 방법 및 장치 | |
JP5060464B2 (ja) | デバイス製造方法 | |
TW201316132A (zh) | 用於光蝕刻系統的可程式控制照射器 | |
JP2007049165A (ja) | リソグラフィ装置及びメトロロジ・システムを使用するデバイス製造方法 | |
JP2007194600A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP3986492B2 (ja) | リソグラフィ装置並びにビームサイズおよび発散性を決めるための方法 | |
JP2018521319A (ja) | 位置測定システム及びリソグラフィ装置 | |
JP5650272B2 (ja) | リソグラフィ方法および装置 | |
TWI437379B (zh) | 照明系統及微影裝置 | |
JP4414327B2 (ja) | 回折格子パッチ構造、リソグラフィ装置及び試験方法 | |
JP2005020005A (ja) | リソグラフィ装置及び集積回路製造方法 | |
JP5390577B2 (ja) | リソグラフィ装置および方法 | |
JP5437353B2 (ja) | リソグラフィ装置および方法 | |
KR20040078902A (ko) | 메트롤로지의 라우팅 및 조종을 위한 디바이스 및 방법 | |
JP6952136B2 (ja) | リソグラフィの方法及び装置 | |
JP2014203905A (ja) | 照明方法及び装置、並びに露光方法及び装置 | |
KR20200030117A (ko) | 리소그래피 방법 및 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170418 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170418 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180308 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180705 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180712 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6371473 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |