JP6204185B2 - 表示装置および表示装置の欠陥修正方法 - Google Patents

Description

本発明は、表示装置および表示装置の欠陥修正方法に関するものである。特に本発明は、表示装置における画素欠陥を目立たなくすることによって表示装置の品質を向上させる技術に関係する。特に、本発明は、常時輝点となるタイプの表示画素欠陥の修正に関するものである。

近年、表示装置は大型化、高精細化しており、製造工程においてはきわめて厳しい品質管理が行なわれている。一方、製品の低価格化が進んでおり、歩留りの向上が求められている。そのような状況下で、製造された表示装置を検査し、表示画素に欠陥が見つかった場合でも、表示欠陥部分をリペアすることで、この表示装置を出荷可能な品質とすることができる場合がしばしばある。そうすることで、表示装置の良品歩留り率向上と、低価格化につなげることができる。

一般的に、表示装置が液晶表示装置である場合、２枚の基板の間に封入された液晶に対してこの液晶を挟むように２枚の基板にそれぞれ設けられた画素電極と対向電極との間に電圧を印加するか否かを画素領域ごとに制御することで表示を行なっている。

画素欠陥は、ＬＳＩ（Large Scale Integration）不良などによって液晶に対して正常な電圧制御ができなくなる状態で生じうる。このような場合、たとえば、画素単位で常時黒表示状態になったり常時白表示状態となったりしてしまう。特に常時白表示状態となるタイプの画素欠陥の場合、この画素は黒の背景に対して輝点になるので、見た目からしても品質が劣ってしまう。しかも、その画素においては黒を正しく表示することができず、輝度値が上がってしまう。いわゆる黒浮きしてしまう。

これらの問題に対しては、画素欠陥に対応した位置の基板表面に遮光膜を形成し、画素欠陥を観察者側から見えないように遮蔽する技術が考案されているが、画素が微細な場合には、それに応じて遮光膜も微細かつ高精度に形成しなければならず、使用する遮光材料や塗布装置が制限されるといった問題がある。

そのような問題を解消した欠陥修正方法が、特開平７−１８１４３８号公報（特許文献１）に記載されている。特許文献１に記載された欠陥修正方法は、画素欠陥に対応した位置の基板表面に、光重合型フォトポリマーに有機顔料または染料を分散した樹脂を塗布することによって遮光膜を形成した後、この遮光膜にレーザ光を照射することで任意のパターン形状に外形をトリミングするものである。

また、特開２０１０−１７５９１２号公報（特許文献２）には再形成用インクにレーザ光を照射してトリミングを行なう方法が記載されている。特開平９−２４４０２０号公報（特許文献３）には、液晶表示装置に対してマスクガラスを介してレーザ光を照射することが記載されている。

特開平７−１８１４３８号公報 特開２０１０−１７５９１２号公報 特開平９−２４４０２０号公報

特許文献１に記載された欠陥修正方法では、欠陥画素から斜め方向に出射される光を遮ることができない。したがって、欠陥画素が、正面方向（表示面の法線の方向）から見たときには輝点として視認されなくても、斜め方向（表示面の法線から傾斜した方向）から見たときには輝点として視認されてしまうことがある。一方で、斜め方向に出射される光を遮るために、欠陥画素に対応する領域を含みこの領域よりも広い領域に遮光膜を形成すると、これはすなわち、他の画素に対応する領域の一部も覆うように遮光膜を形成することとなってしまうので、他の画素から出射される光までもが遮られてしまう。こうなると、大きな黒点となって視認されてしまい、表示品位が低下する。

そこで、本発明は、表示品位をなるべく低下させることなく、常時輝点となるタイプの表示画素欠陥を修正することができる、表示装置および表示装置の欠陥修正方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明に基づく表示装置は、平面的に見て複数の画素領域を有する第１基板と、上記第１基板から離隔して上記第１基板に対向する透明な第２基板と、上記第１基板および上記第２基板の間に配置された表示媒体層とを備える表示装置であって、上記複数の画素領域には、欠陥が生じている欠陥画素領域が含まれており、上記第２基板の外表面には、上記欠陥画素領域に対応する第１領域と上記第１領域に隣接して上記第１領域を取り囲む第２領域とを覆うように遮光膜が形成されており、上記第２領域における上記遮光膜の透過率は上記第１領域における上記遮光膜の透過率に比べて大きい。

本発明によれば、遮光膜に第１領域と第２領域との２種類の領域を設け、第２領域では第１領域に比べて透過率が大きくなるように透過率に差を設けているので、画素欠陥を目立たなくすることができ、表示品位をなるべく低下させることなく、常時輝点となるタイプの表示画素欠陥を修正することができる。

表示領域に欠陥画素領域を含む一般的な表示装置の分解図である。 本発明に基づく実施の形態１における表示装置の断面図である。 本発明に基づく実施の形態１における表示装置の遮光膜近傍の拡大平面図である。 本発明に基づく実施の形態１における表示装置の遮光膜近傍の拡大断面図である。 遮光膜が欠陥画素領域の第１領域だけに設けられていた場合の光の進行の説明図である。 本発明に基づく実施の形態２における表示装置の遮光膜近傍部分の拡大断面図である。 本発明に基づく実施の形態２における表示装置の遮光膜の一部分における光の進行の説明図である。 本発明に基づく実施の形態２における表示装置の第１の例の遮光膜近傍の拡大平面図である。 本発明に基づく実施の形態２における表示装置の第２の例の遮光膜近傍の拡大平面図である。 本発明に基づく実施の形態３における表示装置の遮光膜近傍部分の拡大断面図である。 本発明に基づく実施の形態７における表示装置の欠陥修正方法のフローチャートである。 本発明に基づく実施の形態７における表示装置の欠陥修正方法の第１の工程の説明図である。 本発明に基づく実施の形態７における表示装置の欠陥修正方法の第２の工程の説明図である。

本発明者らは、上述の課題を解決すべく鋭意研究した結果、透明基板の外表面において欠陥画素の投影領域よりも広い領域を覆うように形成された遮光膜を形成し、その遮光膜の透過率を部分によって変化させることで、欠陥画素以外の正常画素から出射される光は透過させることができ、かつ、斜め方向から見た時に輝点として視認されない表示装置を開発した。以下に詳しく説明する。

（実施の形態１）
まず、図１を参照して一般的な表示装置の基本的な構成について説明する。表示装置は、第１基板１１と、第２基板１２とを備えている。第１基板１１の主表面には表示領域２が区画されており、表示領域２内には規則正しく配列された複数の画素領域３が含まれている。図１では、他の層を図示省略している。実際には第１基板１１および第２基板１２の表面にはそれぞれいくつかの層が設けられるが、図１では、説明の便宜のためにいくつかの層を図示省略し、２枚の基板だけを表示している。図１では、一例として、複数の画素領域３の中に欠陥画素領域３ｘが混入している様子が示されている。

図１に示した表示装置は、本発明に基づく実施の形態１における表示装置そのものではなく、あくまで一般的な、表示領域に欠陥画素領域を含む表示装置である。図１に示した表示装置が組み立てられて、さらに欠陥の修正が行なわれた後のものが、本発明に基づく実施の形態１における表示装置である。

（構成）
図２〜図４を参照して、本発明に基づく実施の形態１における表示装置について説明する。組み立てられた状態の表示装置１０１の断面図を図２に示す。第１基板１１は、たとえばシリコン基板である。第２基板１２は透明であり、たとえばガラス基板である。第１基板１１と第２基板１２との間には、表示媒体層としてたとえば液晶層４が配置されている。第１基板１１と第２基板１２とは表示媒体層を挟み込むようにしてシール材５によって張り合わせられている。シール材５は液晶を内部に封止するように枠状に配置されている。液晶層４の厚みは、液晶層４の中に配置されたガラスファイバなどのスペーサ（図示せず）によって所定の厚みとなるように定められている。

シリコン基板である第１基板１１には、液晶駆動素子としてのＬＳＩと電気的に接続されたアルミニウムなどからなる複数の画素電極２１が反射型電極として形成されている。画素電極２１の各々が１つの画素領域３を規定している。第１基板１１の画素電極２１が配列されている層をさらに覆うように、配向膜３１が形成されている。配向膜３１は液晶層４を配向させるためのものである。なお、画素電極２１と配向膜３１との間の密着性を上げるために、これらの間に密着層が設けられていてもよい。

透明な基板である第２基板１２の液晶層４側の表面には、いわゆるベタ状の透明電極２２が形成されている。また、透明電極２２上には、液晶層４を配向させるための配向膜３２が形成されている。透明電極２２の材料は、可視光の波長範囲において透過率が高い材料であることが好ましい。透明電極２２の材料としては、たとえばインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）が用いられる。

配向膜３１，３２の材料としては、たとえばポリイミド膜などの有機膜が採用可能である。配向膜３１，３２は、薄膜として形成された後にラビング処理が施されている。

表示装置１０１は、画素電極２１と透明電極２２との間に供給する電気信号を制御することによって、配向膜３１，３２同士の間に配置された液晶層４の液晶分子の配向状態をスイッチングさせる。液晶分子のスイッチングによって液晶層４を透過する光量を制御することで画像の表示を行なう。透明な第２基板１２側から入射した偏光光は、液晶層４を通り、画素電極２１で反射され、再び液晶層４を通り、第２基板１２の外側表面に配置された偏光板などの偏光素子（図示せず）で透過または遮断されて画像として表示される。

ここで、複数ある画素電極２１の中には、正常に動作しない電極として欠陥画素電極が存在している。欠陥画素電極は、ＬＳＩの不良などが原因で生じたものであり、完全になくすということは難しく、高精細化ならびに微細化が進むにつれて、発生確率は必然的に増えていってしまう。欠陥画素電極に対応する画素領域３が欠陥画素領域３ｘである。

欠陥画素領域３ｘでは、液晶層４に印加する電気信号が制御不能になり、常時白表示となって輝点として見えたり、常時黒表示となって暗点として見えてしまうことになる。特に、輝点の場合には、暗い画像を表示する際に目立ってしまうとともに黒浮きとなる要因ともなり、画像品質を大きく劣化させる。

そのような欠陥画素領域３ｘによる画像品質の劣化を防止するために、本実施の形態では、第２基板１２の外表面の欠陥画素領域３ｘに対応する位置に遮光膜７が形成されている。遮光膜７のサイズは画素領域３のサイズよりも大きい。遮光膜７およびその近傍を平面的に見たところを図３に示す。遮光膜７は、第１領域７１と第２領域７２とを含む。図３では、第１領域７１および第２領域７２の範囲を明確にするために、各領域にそれぞれ異なるハッチングを付している。

遮光膜７およびその近傍の断面図を図４に示す。図４では、画素電極、透明電極、配向膜などを図示省略している。図４に示すように、複数ある画素領域３のうち欠陥を有するものが欠陥画素領域３ｘであり、これの両隣りに隣接するように、画素領域３ａ，３ｂが並んでいる。画素領域３ａ，３ｂは画素として欠陥がなく正常な状態であるものとする。欠陥画素領域３ｘは不所望に輝点となる性質を有するものである。

遮光膜７は、欠陥画素領域３ｘにおける輝点を遮蔽して、暗点とするためのものである。遮光膜７は、第１領域７１および第２領域７２を覆うように形成されている。第１領域７１は、欠陥画素領域３ｘの外形を第２基板１２の表面に投影した領域である。第２領域７２は第１領域７２の周辺の領域である。第２領域７２は第１領域７１に隣接している。遮光膜７の形成に当たっては、公知技術を用いることができる。遮光膜７の形成方法は特に限定しない。遮光膜７を形成するためには、たとえば遮光性インクをディスペンサやインクジェットなどにより塗布したのち、硬化させることとしてもよい。

遮光膜７は、第１領域７１に比べて第２領域７２において、透過率が大きくなっている。このように透過率に差をつけるための方法としては、たとえば、スリットを設けることや、部分的に膜厚を小さくすることが挙げられる。膜厚を小さくする方法は限定されない。スリットを設けたり膜厚を小さくしたりする方法としては、レーザ光照射、ウェットエッチング、ドライエッチングなどが挙げられる。

既に述べた事項も含めて、表示装置１０１の構成を整理すると、以下のように表現することができる。表示装置１０１は、平面的に見て複数の画素領域３を有する第１基板１１と、第１基板１１から離隔して第１基板１１に対向する透明な第２基板１２と、第１基板１１および第２基板１２の間に配置された表示媒体層としての液晶層４とを備える表示装置である。複数の画素領域３には、欠陥が生じている欠陥画素領域３ｘが含まれている。第２基板１２の外表面には、欠陥画素領域３ｘに対応する第１領域７１と第１領域７１に隣接して第１領域７１を取り囲む第２領域７２とを覆うように遮光膜７が形成されている。第２領域７２における遮光膜７の透過率は第１領域７１における遮光膜７の透過率に比べて大きい。

（作用・効果）
本実施の形態では、遮光膜７に第１領域７１と第２領域との２種類を設け、第２領域７２では第１領域７１に比べて透過率が大きくなるように透過率に差を設けているので、画素欠陥を目立たなくすることができる。また一方、遮光膜７が大きな黒点として認識される度合いも低下させることができる。したがって、画像品質が向上する。言い換えれば、本実施の形態における表示装置は、表示品位をなるべく低下させることなく、常時輝点となるタイプの表示画素欠陥を修正することができる表示装置である。

図５に示すように、もし遮光膜７が欠陥画素領域３ｘの投影領域すなわち第１領域７１だけに設けられていた場合、第２基板１２の屈折率および厚さの影響で、欠陥画素領域３ｘから出射した光であっても、斜めに進行する光は、表示装置を斜めから見た観察者にとっては視認でき、輝点として認識できてしまう。これとは異なり、本実施の形態では、図４に示したように、第１領域７１に加えて第２領域７２までをも覆うように遮光膜７が設けられているので、欠陥画素領域３ｘから出射して斜めに進行する光は、遮光膜７の第２領域７２によって適度に遮断されるので、斜めから見た観察者にとっても輝点として認識されにくい。一方、画素領域３ａ，３ｂから正面に向かって進行する光は、遮光膜７の第２領域７２をある程度透過することができるので、完全に遮断されるわけではない。

遮光膜７の第２領域７２をどの程度広く設定するかは、表示装置を斜めから見た時に輝点と認識できない視野角度をどの程度に設定したいかによって、適宜決めることができる。

（実施の形態２）
（構成）
図６〜図７を参照して、本発明に基づく実施の形態２における表示装置について説明する。本実施の形態における表示装置は、基本的な構成については実施の形態１で説明した表示装置１０１と同様であるが、以下の点で異なる。

図６〜図７に示すように、本実施の形態における表示装置１０２では、第２領域７２においては、遮光膜７にスリットまたは溝が形成されている。ただし、表示装置１０２の例では、「スリットまたは溝」のうちスリットが選択され、形成されている。スリット８１が形成されることによって、第２領域７２における透過率が第１領域７１における透過率より高くなっている。図６では、画素電極、透明電極、配向膜などを図示省略している。遮光膜７の第２領域７２の断面のごく一部を拡大したところを図７に示す。

スリット８１は平行に複数本設けられている。遮光膜７の第２領域７２では、スリット８１が形成されていることによって、微視的に見れば、遮光膜７の厚みがそのまま残り、光の透過率が全く変化していない箇所と、開口部となって光をそのまま通す箇所との周期的な繰返しとなっている。第２領域７２の全体として見れば、非開口部と開口部とがそれぞれもたらす透過率を組み合わせたものとして第２領域７２としての透過率を把握することができる。したがって、第２領域７２としての透過率は第１領域７１の透過率に比べてやや上がっているといえる。

スリット８１は一定幅で一定ピッチで設けられていてもよい。第２領域７２としての透過率の大きさは、スリット８１の幅およびピッチを適宜設定することによって調整することができる。スリット８１を形成するための方法としては、レーザ光照射、ウェットエッチング、ドライエッチングなどが挙げられる。

スリット８１の幅Ｗの大きさは、図７に示すように、表示面を斜めから見たときに輝点として認識できないようにすべきである最大角度の大きさと、遮光膜７の膜厚とを考慮して決定される。表示面の法線から傾斜した角度をθ（°）、遮光膜７の膜厚をｔ（μｍ）とすると、幅Ｗ≦ｔ・ｔａｎθで表わされる。

たとえば、表示面法線から４５°傾斜した方向までの範囲で輝点と認識できないようにすべきである場合、遮光膜７の膜厚ｔが約５μｍであるとすると、スリット８１の幅Ｗを５μｍ以下とする必要がある。

スリット８１のピッチについては限定しないが、加工精度、タクト、材料の強度などを考慮して適宜設定すればよい。

（作用・効果）
本実施の形態では、遮光膜７が欠陥画素領域３ｘからはみ出すように形成されており、そのはみ出した部分は第２領域７２となっており、第２領域７２はスリット８１が設けられることによって第１領域７１に比べて透過率が高くなっているので、画素欠陥を目立たなくすることができ、しかも遮光膜７が大きな黒点として認識される度合いも低下させることができる。したがって、画像品質が向上する。すなわち、本実施の形態における表示装置は、実施の形態１で説明したのと同様に、表示品位をなるべく低下させることなく、常時輝点となるタイプの表示画素欠陥を修正することができる表示装置である。

欠陥画素領域３ｘが長方形である場合、スリット８１は欠陥画素領域３ｘの各辺に対して平行に複数本ずつ設けられることが好ましい。この場合、図８に示すように、１つの辺について２本ずつのスリット８１が設けられてもよい。あるいは、図９に示すように、１つの辺について３本ずつのスリット８１が設けられてもよい。

なお、遮光膜に「スリットまたは溝」として設けられているものはスリットであり、スリットの幅は前記遮光膜の厚み以下であることが好ましい。この構成を採用することにより、当該欠陥画素領域は、表示面法線から４５°傾斜した方向までの範囲で輝点と認識できないようにすることができる。

（実施の形態３）
（構成）
図１０を参照して、本発明に基づく実施の形態３における表示装置について説明する。本実施の形態における表示装置は、基本的な構成については実施の形態２で説明した表示装置１０２と同様であるが、以下の点で異なる。

図１０に示すように、本実施の形態における表示装置１０３では、第２領域７２においては、遮光膜７にスリットまたは溝が形成されている。ただし、表示装置１０３の例では、「スリットまたは溝」のうち溝が選択され、形成されている。

溝８２は平行に複数本設けられている。溝８２においては遮光膜７の厚みが局所的に薄くなるので、光の透過率がやや高まっている。遮光膜７の第２領域７２では、溝８２が形成されていることによって、微視的に見れば、遮光膜７の厚みがそのまま残り、光の透過率が全く変化していない箇所と、溝８２によって遮光膜７が薄くなっている箇所との繰返しとなっている。第２領域７２の全体として見れば、厚い部分と薄い部分との組合せとなっているので、第２領域７２の透過率はやや高くなっているといえる。このようにして、第２領域７２の透過率は第１領域７１の透過率よりも高くなっている。

溝８２の幅、ピッチ、形成方法などについては、実施の形態２でスリット８１について説明したものと同様である。

（作用・効果）
本実施の形態では、遮光膜７が欠陥画素領域３ｘからはみ出すように形成されており、そのはみ出した部分は第２領域７２となっており、第２領域７２は溝８２が設けられることによって第１領域７１に比べて透過率が高くなっているので、画素欠陥を目立たなくすることができる。したがって、画像品質が向上する。すなわち、本実施の形態においても、実施の形態１または２で説明したような効果を得ることができる。

実施の形態２および３で示したように、第２領域においては、前記遮光膜に複数本の平行なスリットまたは溝が形成されていることが好ましい。このような構成を採用することにより、第２領域内における透過率をなるべく均一にすることができる。また、斜め方向から見たときの輝点として視認できない範囲の広さを保ったまま、遮光膜がもたらす黒点をより小さく見せることができる。

以下、実施の形態４〜６では、発明者らが実験したいくつかの例について、具体的な数値と共に、説明する。

（実施の形態４）
欠陥画素領域を有するガラス基板の表面にディスペンサでＵＶ硬化性の黒インクを塗布した後、紫外光で硬化させることによって、遮光膜７を形成した。画素サイズ１００μｍ×１００μｍに対して、径１５０μｍ、高さ５〜１０μｍの遮光膜７となった。

次に、この遮光膜７の外周から内側に向かって２０μｍだけ入り込んだ領域に、波長２６６ｎｍのレーザ光を幅５μｍ、ピッチ１０μｍで照射し、遮光膜７の溝加工を行なった。第２領域７２において欠陥画素領域３ｘの各辺にそれぞれ平行となるように２本ずつの溝８２を形成した。この構成は、図８においてスリット８１を溝８２に置き換えた構造に相当する。

この遮光膜７がもたらす黒点サイズを評価したところ、溝加工されていない場合と比較して、黒点サイズが小さくなることを確認した。本実施の形態では、黒点サイズは１．５画素分となった。

（実施の形態５）
欠陥画素領域を有するガラス基板の表面にインクジェットで熱硬化性の黒インクを塗布した後、８０℃に加熱することによって黒インクを硬化させた。こうして遮光膜７を形成した。画素サイズ５０μｍ×５０μｍに対して、径１００μｍ、高さ５〜７μｍの遮光膜となった。

次に、この遮光膜７の外周から内側に向かって２０μｍだけ入り込んだ領域に、波長２６６ｎｍのレーザ光を幅５μｍ、ピッチ８μｍで照射し、遮光膜７の溝加工を行なった。第２領域７２において欠陥画素領域３ｘの各辺にそれぞれ平行となるように２本ずつの溝８２を形成した。

この遮光膜７がもたらす黒点サイズを評価したところ、溝加工されていない場合と比較して、黒点サイズが小さくなることを確認した。本実施の形態では、黒点サイズは１．５画素分となった。

（実施の形態６）
欠陥画素領域を有するガラス基板の表面にインクジェットで熱硬化性の黒インクを塗布した後、８０℃に加熱することによって黒インクを硬化させた。こうして遮光膜７を形成した。画素サイズ５０μｍ×５０μｍに対して、径１００μｍ、高さ５〜７μｍの遮光膜となった。

次に、この遮光膜７の外周から内側に向かって２０μｍだけ入り込んだ領域に、フォトリソグラフィによって幅３μｍ、ピッチ６μｍの溝パターンを３本作製した。この構成は、図９においてスリット８１を溝８２に置き換えた構造に相当する。

この遮光膜７がもたらす黒点サイズを評価したところ、溝加工されていない場合と比較して、黒点サイズが小さくなることを確認した。本実施の形態では、黒点サイズは１．２画素分となった。

（比較例１）
欠陥画素領域を有するガラス基板の表面にインクジェットで熱硬化性の黒インクを塗布した後、８０度に加熱することによって黒インクを硬化させた。こうして遮光膜を形成した。画素サイズ５０μｍ×５０μｍに対して、径１００μｍ、高さ５〜７μｍの遮光膜となった。

この遮光膜がもたらす黒点サイズを評価したところ、黒点サイズは３画素分となった。
実施の形態４〜６と、比較例１とを比較すると、いずれの場合も、欠陥画素領域に起因する輝点が見えてしまうことを防ぐために欠陥画素領域に遮光膜を設けていながら、実施の形態４〜６の方が比較例１に比べて、遮光膜がもたらす黒点サイズを大幅に小さくできていることがわかった。このように黒点サイズが大きく異なることから、実施の形態４〜６の方が比較例１に比べて、黒点を目立たないようにすることができ、画像品質を向上させることができる。よって、本発明は十分に効果を奏していることがわかった。

（実施の形態７）
（表示装置の欠陥修正方法）
図１１〜図１３を参照して、本発明に基づく実施の形態７における表示装置の欠陥修正方法について説明する。本実施の形態における表示装置の欠陥修正方法のフローチャートを図１１に示す。

本実施の形態における表示装置の欠陥修正方法は、平面的に見て複数の画素領域を有する第１基板と、前記第１基板から離隔して前記第１基板に対向する透明な第２基板と、前記第１基板および前記第２基板の間に配置された表示媒体層とを備える表示装置の前記複数の画素領域のいずれかに生じた欠陥に対処する表示装置の修正方法であって、前記複数の画素領域の中で欠陥が生じている欠陥画素領域に対して、前記第２基板の外表面において、前記欠陥画素領域に対応する第１領域と前記第１領域に隣接して前記第１領域を取り囲む第２領域とを覆うように遮光膜を形成する工程Ｓ１と、前記第２領域における前記遮光膜の透過率が前記第１領域における前記遮光膜の透過率に比べて大きくなるように、前記遮光膜の前記第２領域にスリットまたは溝を形成する工程Ｓ２とを含む。

本実施の形態における表示装置の欠陥修正方法を行なうに当たっては、前もって、欠陥画素領域の位置を特定しておくことが前提となる。欠陥画素領域の位置を特定するためには、公知の検査方法が採用可能である。

工程Ｓ１の様子を図１２に示す。ここでは、第２基板１２の外表面に向けてディスペンサ１５によって遮光性インク１６を供給している。第２基板１２の外表面のうち欠陥画素領域３ｘを中心とした領域が遮光膜形成予定領域１４となっており、遮光性インク１６はこの領域を覆うように塗布される。この例では遮光膜形成予定領域１４は円形となっているが、あくまで一例であり、遮光膜形成予定領域１４は円形以外の形状であってもよい。また、１粒の液滴の吐出のみで塗布を完了するとは限らず、所望の形状をスキャンするようにして塗布してもよい。

工程Ｓ２の様子を図１３に示す。既に遮光膜７が形成されており、遮光膜７の第２領域である外周近傍に対して、レーザ光源１７からレーザ光１８を照射することによって、スリット８１を形成している。スリットの代わりに溝を形成してもよい。形成すべきものをスリットにするか溝にするかは、レーザ光の強度、スキャン速度などを適宜調整することによって選択することができる。

工程Ｓ２を完了することによって、図８または図９に例示したようにスリットまたは溝が形成された遮光膜が得られる。こうして、表示装置の修正が完了する。このようにして修正を完了することによって、実施の形態２で説明したような表示装置が得られる。なお、ここで示しているのはあくまで一例であり、たとえば、工程Ｓ２を完了した後に、何らかの後処理を行なってから修正が完了するものとしてもよい。

なお、ここまで、説明の便宜のため、１つの画素領域は正方形であるものとして説明してきたが、画素領域の形状は正方形とは限らない。画素領域は正方形以外の長方形であってもよく、さらに他の任意の形状であってもよい。

なお、上記実施の形態のうち複数を適宜組み合わせて採用してもよい。
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。

２ 表示領域、３ 画素領域、３ｘ 欠陥画素領域、４ 液晶層、５ シール材、７ 遮光膜、１１ 第１基板、１２ 第２基板、１４ 遮光膜形成予定領域、１５ ディスペンサ、１６ 遮光性インク、１７ レーザ光源、１８ レーザ光、２１ 画素電極、２２ 透明電極、３１，３２ 配向膜、７１ 第１領域、７２ 第２領域、８１ スリット、８２ 溝、１０１ 液晶表示装置。

Claims (4)

1. 平面的に見て複数の画素領域を有する第１基板と、
   前記第１基板から離隔して前記第１基板に対向する透明な第２基板と、
   前記第１基板および前記第２基板の間に配置された表示媒体層とを備える表示装置であって、
   前記複数の画素領域には、欠陥が生じている欠陥画素領域が含まれており、
   前記第２基板の外表面には、前記欠陥画素領域に対応する第１領域と前記第１領域に隣接して前記第１領域を取り囲む第２領域とを覆うように遮光膜が形成されており、
   前記第２領域における前記遮光膜の透過率は前記第１領域における前記遮光膜の透過率に比べて大きく、
   前記第２領域においては、前記遮光膜にスリットまたは溝が形成されている、表示装置。
2. 平面的に見て複数の画素領域を有する第１基板と、
   前記第１基板から離隔して前記第１基板に対向する透明な第２基板と、
   前記第１基板および前記第２基板の間に配置された表示媒体層とを備える表示装置であって、
   前記複数の画素領域には、欠陥が生じている欠陥画素領域が含まれており、
   前記第２基板の外表面には、前記欠陥画素領域に対応する第１領域と前記第１領域に隣接して前記第１領域を取り囲む第２領域とを覆うように遮光膜が形成されており、
   前記第２領域における前記遮光膜の透過率は前記第１領域における前記遮光膜の透過率に比べて大きく、
   前記第２領域においては、前記遮光膜に複数本の平行なスリットまたは溝が形成されている、表示装置。
3. 前記スリットまたは溝はスリットであり、前記スリットの幅は前記遮光膜の厚み以下である、請求項１または２に記載の表示装置。
4. 平面的に見て複数の画素領域を有する第１基板と、
   前記第１基板から離隔して前記第１基板に対向する透明な第２基板と、
   前記第１基板および前記第２基板の間に配置された表示媒体層とを備える表示装置の前記複数の画素領域のいずれかに生じた欠陥に対処する表示装置の修正方法であって、
   前記複数の画素領域の中で欠陥が生じている欠陥画素領域に対して、前記第２基板の外表面において、前記欠陥画素領域に対応する第１領域と前記第１領域に隣接して前記第１領域を取り囲む第２領域とを覆うように遮光膜を形成する工程と、
   前記第２領域における前記遮光膜の透過率が前記第１領域における前記遮光膜の透過率に比べて大きくなるように、前記遮光膜の前記第２領域にスリットまたは溝を形成する工程とを含む、表示装置の欠陥修正方法。

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