JP6265021B2 - タッチパネルセンサ、タッチパネル装置および表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、電極を有したタッチパネルセンサ、タッチパネルセンサを含むタッチパネル装置、タッチパネルセンサを含む表示装置、並びに、タッチパネルセンサの製造方法に関する。

今日、入力手段として、タッチパネル装置が広く用いられている。タッチパネル装置は、多くの場合、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等の画像表示機構が組み込まれた種々の装置等（例えば、券売機、ＡＴＭ装置、携帯電話、ゲーム機）に対する入力手段として、画像表示機構とともに用いられている。このような装置において、タッチパネルセンサは画像表示機構の表示面上に配置され、これにより、タッチパネル装置は表示装置に対する極めて直接的な入力を可能にする。タッチパネルセンサのうちの画像表示機構の表示領域に対面する領域は透明になっており、タッチパネルセンサのこの領域が、接触位置（接近位置）を検出し得るアクティブエリアを構成するようになる。

タッチパネル装置は、タッチパネルセンサ上への接触位置（接近位置）を検出する原理に基づいて、種々の形式に区別され得る。昨今では、種々の利点から、投影型容量結合方式のタッチパネル装置が普及している。投影型の容量結合方式のタッチパネル装置は、アクティブエリア内に配置された一対の検出電極群を含んでいる。例えば特許文献１に開示されたタッチパネルセンサでは、アクティブエリア内に位置する検出電極が、金属材料からなる導線で形成されている。このタッチパネルセンサでは、金属材料の導電率が高いことから、面抵抗率（単位：Ω／□）を十分小さくすることができる。その一方で、導電性に優れた金属材料は、不透明である。したがって、各検出電極は、多数の開口領域を画成するメッシュパターンにて金属導線を配置してなる導電体メッシュとして、構成され、アクティブエリアでのタッチパネルセンサの可視光透過性を確保している。ただし、このような導電体メッシュは、モアレや濃淡むらといった不具合を引き起こすことが知られている。そして、このような不具合を解消するため、種々の研究が行われてきた。

特許第５２２４２０３号

モアレは、明暗の筋模様が視認されるようになる現象であり、導電体メッシュのメッシュパターンの規則性（周期性）と、導電体メッシュと重ねられる他の部材のパターンの規則性（例えば、画像表示機構の画素配列の規則性）との干渉によって生じるとされている。このため、一般的には、導電体メッシュのメッシュパターンを不規則化することが、モアレの不可視化に有効であるとされてきた。

一方、濃淡むらは、導電体メッシュの透過光量や導電体メッシュからの外光反射量が面内で不均一となり、明るく観察される部分が局所的に存在するようになる現象である。濃淡むらの発生は、導電体メッシュのメッシュパターンの局所的な不均一性が原因であると考えられている。

すなわち、モアレの不可視化には、導電体メッシュのメッシュパターンの不規則化が有効であり、濃淡むらの不可視化には、導電体メッシュのメッシュパターンの規則化が有効である。このため、従来の技術では、モアレ及び濃淡むらの両方に対処できる導電体メッシュは存在しなかった。本発明は、以上の点を考慮してなされたものであり、モアレ及び濃淡むらの両方を目立たなくさせるメッシュパターンにて形成された検出電極を有するタッチパネルセンサを提供することを目的とする。また、本発明は、このタッチパネルセンサを含むタッチパネル装置及び表示装置を提供することを目的とする。

本発明によるタッチパネルセンサは、
複数の開口領域を画成するメッシュパターンを形成する検出電極を備え、
平面スキャナを用いて作成した前記メッシュパターンのスキャンデータに、フーリエ変換および極座標変換を施すことによって得られた前記メッシュパターンのパワースペクトルの各角度での積算値分布において、０°以上１８０°未満の範囲内でパワースペクトル積算値が最も大きくなる第１ピーク角度θ_ｐ１〔°〕を中心とした６０°の範囲内（θ_ｐ１±３０〔°〕）でのパワースペクトル積算値の標準偏差σ_ｐ１と、
前記メッシュパターンの前記パワースペクトル積算値分布において、０°以上１８０°未満の範囲内でパワースペクトル積算値が二番目に大きくなる第２ピーク角度θ_ｐ２〔°〕を中心とした６０°の範囲内（θ_ｐ２±３０〔°〕）でのパワースペクトル積算値の標準偏差σ_ｐ２と、
前記メッシュパターンの前記パワースペクトルの積算値分布における前記第１ピーク角度θ_ｐ１〔°〕及び第２ピーク角度θ_ｐ２〔°〕と、前記第１ピーク角度θ_ｐ１〔°〕における前記メッシュパターンの前記パワースペクトルの各空間周波数での分布において基本周波数よりも高周波数側に位置する一つ目のピークを形成する第１空間周波数と、前記第２ピーク角度θ_ｐ２〔°〕における前記メッシュパターンの前記パワースペクトルの各空間周波数での分布において基本周波数よりも高周波数側に位置する一つ目のピークを形成する第２空間周波数と、に基づいて決定された規則パターンの画像データに、フーリエ変換および極座標変換を施すことによって得られた前記規則パターンのパワースペクトルの各角度での積算値分布において、前記第１ピーク角度θ_ｐ１〔°〕を中心とした６０°の範囲内（θ_ｐ１±３０〔°〕）でのパワースペクトル積算値の標準偏差σ_ａｐ１、及び、前記第２ピーク角度θ_ｐ２〔°〕を中心とした６０°の範囲内（θ_ｐ２±３０〔°〕）でのパワースペクトル積算値の標準偏差σ_ａｐ２とが、次の条件を満たし、
１．０２ ≦ σ_ｐ１／σ_ａｐ１ ≦ １．１６
１．０２ ≦ σ_ｐ２／σ_ａｐ２ ≦ １．１６
前記規則パターンは、前記メッシュパターンのスキャンデータから当該メッシュパターンの前記パワースペクトルを特定する際と同様に座標系を設定し、第１ピーク角度θ_ｐ１〔°〕となる方向に、前記第１空間周波数に対応する長さとなる一定ピッチで配列された第１直線群と、第２ピーク角度θ_ｐ２〔°〕となる方向に、前記第２の空間周波数に対応する長さとなる一定ピッチで配列された第２直線群と、によって形成されている。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記メッシュパターンの前記パワースペクトルの前記積算値分布において、パワースペクトル積算値の極大値は０°以上１８０°未満の範囲内に二つだけ存在するようにしてもよい。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、
６０°≦｜θ_ｐ１−θ_ｐ２｜≦８０°、又は、１００°≦｜θ_ｐ１−θ_ｐ２｜≦１２０°
であるようにしてもよい。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記開口領域は、交差する二つの方向に配列されていてもよい。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記開口領域は、四角形形状であるようにしてもよい。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、
前記メッシュパターンは、二つの分岐点の間を延びて前記開口領域を画成する導電性の接続要素を含み、
前記メッシュパターンの各分岐点は、二つの交点の間を延びて開口領域を画成する複数の線分から形成され前記開口領域が規則的に配列されてなる参照パターンの一つの交点上または所定長さ以下となる長さだけ当該一つの交点からずれた位置に位置しており、且つ、前記メッシュパターンの各接続要素は、一つの線分の両端に位置する二つの交点にそれぞれ対応する二つの分岐点の間を延びていてもよい。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記参照パターンでは、一定形状の開口領域が交差する二つの方向に規則的に配列されていてもよい。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記参照パターンでは、一定の四角形形状の開口領域が交差する二つの方向に規則的に配列されていてもよい。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記メッシュパターンの前記スキャンデータは、前記メッシュパターンをなす導線の線幅が複数ピクセルによって構成され且つメッシュパターンの３ｃｍ×３ｃｍ以上となる領域の二次元画像として、前記メッシュパターンを画像データ化したものであってもよい。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記スキャンデータは、フーリエ変換される前に、二値化処理を施されていてもよい。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、二値化処理された前記スキャンデータは、フーリエ変換される前に、細線化処理を施されていてもよい。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記メッシュパターンの前記パワースペクトルの前記積算値分布に関する前記標準偏差は、当該積算値分布を、ガウシアンフィルタを用いて±１０°の角度範囲内にてぼかし処理を行った後に、特定された値であってもよい。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記規則パターンの前記パワースペクトルの前記積算値分布に関する前記標準偏差は、当該積算値分布を、ガウシアンフィルタを用いて±１０°の角度範囲内にてぼかし処理を行った後に、特定された値であってもよい。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、
前記検出電極は、第１検出電極と、前記第１検出電極と重ねて配置された第２検出電極と、を含み、
前記メッシュパターンは、前記第１検出電極によって形成されていてもよい。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、
前記検出電極は、第１検出電極と、前記第１検出電極と重ねて配置された第２検出電極と、を含み、
前記メッシュパターンの一部分が、前記第１検出電極によって形成され、前記メッシュパターンの他の部分が、前記第２検出電極によって形成されていてもよい。

本発明によるタッチパネル装置は、上述した本発明によるタッチパネルセンサのいずれかを備える。

本発明による表示装置は、
上述した本発明によるタッチパネルセンサのいずれかと、
前記タッチパネルセンサと重ねて配置された画像表示機構と、を備える。

本発明によれば、モアレ及び濃淡むらの両方を目立たなくさせることができる。

図１は、本発明の一実施の形態を説明するための図であり、表示装置及びタッチパネル装置を模式的に示す図である。 図２は、タッチパネル装置のタッチパネルセンサを示す平面図である。 図３は、タッチパネルセンサの層構成の一例を示す図である。 図４は、タッチパネルセンサの層構成の他の例を示す図である。 図５は、タッチパネルセンサの第１電極に含まれた第１検出電極をなす導電体メッシュのメッシュパターンを示す平面図である。 図６は、タッチパネルセンサの第２電極に含まれた第２検出電極をなす導電体メッシュのメッシュパターンを示す平面図である。 図７は、第１検出電極の導電体メッシュと第２検出電極の導電体メッシュとを重ねた状態で形成されるメッシュパターン示す平面図である。 図８は、導電体メッシュのメッシュパターンの決定方法を説明するための図であって、導電体メッシュのメッシュパターンを参照パターンとともに示す平面図である。 図９は、導電体メッシュのメッシュパターンの決定方法を説明するための図であって、第１検出電極をなす導電体メッシュのメッシュパターン及び第２検出電極をなす導電体メッシュのメッシュパターンを、各メッシュパターンに関する参照パターンとともに、重ねた状態で示す平面図である。 図１０は、メッシュパターンのスキャンデータの一部を示す拡大図である。 図１１は、二値化処理された図１０のスキャンデータの一部を示す拡大図である。 図１２は、細線化処理前後のスキャンデータを示す図である。 図１３は、メッシュパターンのフーリエ変換パワースペクトル画像を示す図である。 図１４は、図１３のフーリエ変換パワースペクトル画像を極座標変換して示す図である。 図１５は、メッシュパターンのパワースペクトルの各角度での積算値分布を示すグラフである。 図１６は、メッシュパターンのパワースペクトルの各空間周波数での分布を示すグラフである。 図１７は、メッシュパターンのパワースペクトル変換画像に基づいて特定された規則パターンを示す平面図である。 図１８は、複数のパターンに関するパワースペクトルの各角度での積算値分布を示すグラフである。 図１９は、画像表示機構の画素配列の典型例を示す平面図である。 図２０は、図２に対応する図であって、タッチパネルセンサの電極の一変形例を説明するための図である。

以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。

なお、本明細書において、「板（基板）」、「シート」、「フィルム」の用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「板」はシートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念であり、呼称の違いのみにおいて区別され得ない。

さらに、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。

図１〜図１７は、本発明による一実施の形態を説明するための図である。このうち図１はタッチパネル装置を画像表示機構とともに概略的に示す図であり、図２はタッチパネル装置を示す平面図であり、図３及び図４はタッチパネル装置の層構成を例示する図面である。図５〜７は、タッチパネルセンサの検出電極により形成されるメッシュパターンを示す平面図であり、図８及び図９は、導電体メッシュのメッシュパターンの設計方法の一例を説明するための図である。図１０〜図１４は、導電体メッシュのメッシュパターンを評価する方法を説明するためのメッシュパターンに関する写真であり、図１５、図１６及び図１８は、メッシュパターンのパワースペクトルに関連したグラフであり、図１７は、メッシュパターンのパワースペクトルから特定された規則パターンを示す平面図である。

図１に示すように、タッチパネル装置２０は、画像表示機構（例えば液晶表示装置）１２とともに組み合わせられて用いられ、表示装置１０を構成している。画像表示機構１２は、画像を表示することができる表示領域Ａ１と、表示領域Ａ１を取り囲むようにして表示領域Ａ１の外側に配置された非表示領域（額縁領域とも呼ばれる）Ａ２と、を含んでいる。タッチパネル装置２０は、タッチパネルセンサ２５と、タッチパネルセンサ２５の観察者側に配置された透明カバー２２と、タッチパネルセンサ２５に接続された図示しない回路と、を含む。透明カバー２２は、タッチパネル装置２０によって外部導体の接触（接近）位置の検出を実施されるタッチ面を形成する。透明カバー２２は、接合層を介してタッチパネルセンサ２５と接合されている。

タッチパネルセンサ２５は、位置検出に利用される電極を有する位置検出電極基板３０を含んでいる。位置検出電極基板３０は、画像表示機構１２の表示面１２ａに対面する位置に配置され、位置を検知するための電極４０を有している。以下においては、タッチパネル装置２０が、投影型容量結合方式のタッチパネル装置として構成された例について説明する。

図２に示すように、投影型容量結合方式として構成されたタッチパネルセンサ２５は、その法線方向に沿って離間して配置された第１電極４０及び第２電極５０を有している。投影型容量結合方式のタッチパネルセンサ２５は、図３に示すように、各々が電極４０ａ，４０ｂを有した二つの位置検出電極基板３０ａ，３０ｂを含むようにしてもよい。図３に示された例において、第１の位置検出電極基板３０ａは、基材シート３５と、基材シート３５上に設けられた第１電極４０ａと、を有している。第２の位置検出電極基板３０ｂも同様に、基材シート３５と、基材シート３５上に設けられた第２電極４０ｂと、を有している。

その一方で、投影型容量結合方式のタッチパネルセンサ２５は、図４に示すように、単一の位置検出電極基板３０のみを有するようにしてもよい。この位置検出電極基板３０は、単一の基材シート３５と、基材シート３５の両側にそれぞれ設けられた第１電極４０ａ及び第２電極４０ｂと、を有している。

以下においては、図３に示された層構成について説明していく。ただし、第１位置検出電極基板３０ａと第２位置検出電極基板３０ｂは、電極４０ａ，４０ｂの平面視における配列パターン等は相違するが、材料、層構成、寸法等のその他において同様に構成することができる。したがって、第１位置検出電極基板３０ａと第２位置検出電極基板３０ｂに共通する説明については、「第１」及び「第２」を区別することなく、符号「３０」を用いて説明する。

位置検出電極基板３０に用いられる基材シート３５は、電極４０ａ，４０ｂを支持する基材として機能し、且つ、タッチパネルセンサ２５における誘電体としても機能する。図２に示すように、基材シート３５は、外部導体（例えば、指）の接触（接近）位置を検出され得る領域に対応するアクティブエリアＡａ１と、アクティブエリアＡａ１に隣接する非アクティブエリアＡａ２と、を含んでいる。図１に示すように、位置検出電極基板３０のアクティブエリアＡａ１は、画像表示機構１２の表示領域Ａ１に対面する領域を占めている。一方、非アクティブエリアＡａ２は、矩形状のアクティブエリアＡａ１を四方から周状に取り囲むように、言い換えると、額縁状に形成されている。この非アクティブエリアＡａ２は、画像表示機構１２の非表示領域Ａ２に対面する領域に形成されている。

アクティブエリアＡａ１を介して画像表示機構１２の画像を観察することができるよう、基材シート３５は、透明または半透明となっている。基材シート３５は、可視光領域における透過率が８０％以上であることが好ましく、８４％以上であることがより好ましい。なお、基材シート３５の可視光透過率は、分光光度計（（株）島津製作所製「ＵＶ−３１００ＰＣ」、ＪＩＳＫ０１１５準拠品）を用いて測定波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲内で測定したときの、各波長における透過率の平均値として特定される。

基材シート３５は、例えば、誘電体として機能し得るガラスや樹脂フィルムから構成され得る。樹脂フィルムとしては、光学部材の基材として使用されている種々の樹脂フィルムを好適に用いることができる。一例として、複屈折性を有さない光学等方性のフィルム、典型的には、トリアセチルセルロースに代表されるセルロースエステルからなるフィルムを、基材シート３５として用いることができる。その一方で、複屈折性を有する光学等方性のフィルムも、基材シート３５として用いることができる。例えば、安価で安定性に優れたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステルフィルムを、基材シート３５として用いることができる。ポリエステルフィルムは、吸湿性が低く、高温多湿の環境化においても変形等が生じ難いといった利点を、有している。

次に、基材シート３５上に設けられた第１電極４０ａ及び第２電極４０ｂについて説明する。図２に示すように、第１電極４０ａは、位置検出に用いられる第１検出電極４５ａと、第１検出電極４５ａに接続された第１取出電極（取出配線）４２ａと、を有している。同様に、第２電極４０ｂは、位置検出に用いられる第２検出電極４５ｂと、第２検出電極４５ｂに接続された第２取出電極（取出配線）４２ｂと、を有している。各検出電極４５ａ，４５ｂは、パターンをなすようにしてアクティブエリアＡａ１内に配置されている。一方、取出電極４２ａ，５２ａは、非アクティブエリアＡａ２内に配置されている。

なお、以下の説明において、第１電極４０ａ及び第２電極４０ｂに共通する説明については、「第１」及び「第２」を区別することなく、符号「４０」を用いて説明する。同様に、第１検出電極４５ａ及び第２検出電極４５ｂに共通する説明については、「第１」及び「第２」を区別することなく、符号「４５」を用いて説明し、さらに、第１取出電極４２ａ及び第２取出電極４２ｂに共通する説明については、「第１」及び「第２」を区別することなく、符号「４２」を用いて説明する。

取出電極４２は、検出電極４５の各々に対し、接触位置の検出方法に応じて一つまたは二つ設けられている。各取出電極４２は、対応する検出電極４５に接続されて配線を形成している。取出電極４２は、基材シート３５の非アクティブエリアＡａ２内を、対応する検出電極４５から基材シート３５の端縁まで延びている。そして、取出電極４２の検出電極４５とは反対側の端部に、端子部４３が形成されている。取出電極４２は、その端子部４３にて、図示しない外部接続配線（例えば、ＦＰＣ）を介し、制御回路（図示せず）に接続される。

図３に示された例では、第１検出電極４５ａ及び第２検出電極４５ｂは、対応する基材シート３５の観察者側の面上に互いに異なる所定のパターンで配置されている。具体的には、図２に示すように、第１検出電極４５ａは、長方形の輪郭形状を有して線状に延び、且つ、その長手方向と交差する方向に配列されている。同様に、第２検出電極４５ｂも、長方形の輪郭形状を有して線状に延び、且つ、その長手方向と交差する方向に配列されている。ただし、第１検出電極４５ａの配列方向と第２検出電極４５ｂの配列方向とは非平行となっている。図示された例において、第１検出電極４５ａは、ストライプ状となるよう、図２における上下に並べられ且つその配列方向に直交する方向（図２における左右）に直線状に延びている。また、第２検出電極４５ｂも、ストライプ状となるよう、図２における左右に並べられ且つその配列方向に直交する方向（図２における上下）に直線状に延びている。さらに、第１検出電極４５ａの配列方向と第２検出電極４５ｂの配列方向とは直交している。

検出電極４５は、外部導体がタッチパネルセンサ２５に接触または接近した際に生じる、電磁的な変化または静電容量の変化を検知するために設けられるものである。従って、検出電極４５には、電磁的な変化または静電容量の変化に起因する電流を検知可能なレベルで流すことができる程度の導電性が求められる。このような検出電極４５を構成するための材料として、優れた導電性を有する金属材料、例えば、金、銀、銅、白金、アルミニウム、クロム、モリブデン、ニッケル、チタン、パラジウム、インジウム、及び、これらの合金の一以上を用いることができる。

一方、これらの金属材料は、可視光に対して遮光性を有している。そこで、検出電極４５は、図５及び図６に示すように、導線が多数の開口領域５１を画成するメッシュパターン５０にて配置されてなる導電体メッシュ４６を含んでいる。とりわけ図２に示された例においては、各検出電極４５が、細長い領域に形成された導電体メッシュ４６から形成されている。導電体メッシュ４６をなす導線の線幅は、１μｍ以上３０μｍ以下とすることができる。また、導電体メッシュ４６の開口率は、９０％以上９９％以下とすることができる。また、開口領域５１のピッチは、２００μｍ以上１０００μｍ以下とすることができる。

アクティブエリアＡａ１の全域にメッシュ状導電体が設けられ、各電極４０の検出電極４５の輪郭に対応して、メッシュ状導電体をなす導線を断線させることにより、各電極４０の複数の検出電極４５の各々をなす導電体メッシュ４６が形成され得る。すなわち、導電体メッシュ４６は、アクティブエリアＡａ１の全域に広がるメッシュ状導電体を断線部にて断線していくことによって区画される複数のメッシュパターンの各々に対応している。各導電体メッシュ４６は、多数の開口領域５１を画成するメッシュパターン５０を形成する。図５〜図７に示すように、このメッシュパターン５０は、二つの分岐点５２の間を延びて開口領域５１を画成する多数の接続要素５３から形成されている。すなわち、分岐点５２は、三つ以上の接続要素５３の一端が合流している点である。

ところで、図１９に示すように、タッチパネルセンサ２５と重ねて配置される画像表示機構１２の表示領域Ａ１には、画像を形成するための画素Ｐが規則的に配列されている。一般的には、画像表示機構１２の設置状態における水平方向（図１９における方向ｄ_ｘ）及び水平方向に直交する方向ｄ_ｙ（例えば鉛直方向）の両方に、一定のピッチで画素Ｐが配列されている。なお、図１９に示された例のように、一般的に、各画素Ｐは、複数のサブ画素ＲＰ，ＧＰ，ＢＰを含んでいる。画素配列を有する画像表示機構１２に導電体メッシュ４６を有したタッチパネルセンサ２５が積層されると、導電体メッシュ４６の開口領域５１が規則的に配列されている場合、画素Ｐの規則的（周期的）パターンと導電体メッシュ４６の開口領域５１の配列パターンとに起因した縞状の模様、すなわちモアレが視認される可能性がある。

このため、導電体メッシュのパターンを不規則化することが、モアレの不可視化に有効であると考えられてきた。しかしながら、本件発明者らの研究によれば、単に導電体メッシュのパターンの形状及び配列ピッチを不規則化したとしても、常に、モアレを十分に目立たなくさせることはできなかった。また、導電体メッシュ４６の開口領域５１の配列の規則性を大きく崩すことによって、すなわち、開口領域５１を不規則的に配列することによってモアレを目立たなくすることができたとしても、開口領域５１の密度バラツキに起因した濃淡のむらが視認される可能性もある。そして、背景技術の節で説明したように、モアレ又は濃淡むらの不可視化対策が種々研究されてきたが、モアレ及び濃淡むらの双方を効果的に目立たなくさせるには至っていなかった。

そして、本件発明者は、検出電極４５によって形成されるメッシュパターン５０が、規則的なパターンの規則性を或る程度崩したパターンになっていれば、モアレ及び濃淡むらの両方を目立たなくさせることができると考えた。本件発明者は、さらにこの点について検討を重ねた結果として、最終的に得られたタッチパネルセンサ２５の検出電極４５によって形成されるメッシュパターン５０についてのフーリエ変換パワースペクトル画像が、所定の条件を満たす場合に、モアレを極めて効果的に目立たなくさせること、及び、濃淡むらを極めて効果的に目立たなくさせることの両方が同時に可能となることを知見した。

以下において、まず、規則的なパターンの規則性を或る程度崩したパターンとしてメッシュパターン５０を形成された検出電極４５の導電体メッシュについて説明する。そしてその後に、規則性を持ったパターンの規則性を消失させることによって形成されたメッシュパターン５０が、モアレ及び濃淡むらの両方を効果的に不可視化するために満たすべき条件について、説明する。

図５には、第１検出電極４５ａをなす導電体メッシュ４６の一例が示されており、図６には、第２検出電極４５ｂをなす導電体メッシュ４６の一例が示されている。これらの導電体メッシュ４６のパターンは、共に、二つの交点６２の間を延びて開口領域（開口部）６１を画成する複数の線分６３から形成された参照パターン６０（図８及び図９参照）を基礎にして、決定されている。より具体的には、これらの導電体メッシュ４６のメッシュパターン５０は、開口領域６１が規則的に配列されてなる、言い換えると、開口領域６１が周期性を持って配列されてなる参照パターン６０を基礎として、濃淡むらを引き起こさないように開口領域６１の配置位置の均一性を維持しつつ、その一方でモアレを十分に不可視化できる程度に、開口領域６１の形状を変化させて当該開口領域６１の開口面積をばらつかせることにより、決定されている。

そして、図５及び図６に示された例において、第１検出電極４５ａをなす導電体メッシュ４６及び第２検出電極４５ｂをなす導電体メッシュ４６は、同一パターンの参照パターン６０を基礎として、そのパターンを決定されている。したがって、図５及び図６に示すように、参照パターン６０の規則性が大きく崩されていない状態において、第１検出電極４５ａをなす導電体メッシュ４６及び第２検出電極４５ｂをなす導電体メッシュ４６は、概ね同様のパターンとなっている。

図２に示された例において、第１検出電極４５ａをなす導電体メッシュ４６及び第２検出電極４５ｂをなす導電体メッシュ４６は、大部分において、重なり合って配置される。そして、このように重なり合う部分において、第１検出電極４５ａをなす導電体メッシュ４６及び第２検出電極４５ｂをなす導電体メッシュ４６は、それぞれに関する参照パターン６０が、開口領域６１の配列方向に、当該開口領域６１の配列ピッチの半分の長さだけずれて配置されるようにして、互いに対して位置決めされている。結果として、図７に示すように、第１検出電極４５ａをなす導電体メッシュ４６及び第２検出電極４５ｂをなす導電体メッシュ４６は、互いに重ね合わされた状態において、或る程度の規則性を残したパターンを形成している。

なお、モアレは、第１検出電極４５ａによって形成されるメッシュパターン及び第２検出電極４５ｂによって形成されるメッシュパターンを重ねたメッシュパターン５０と、他の部材の規則的なパターン（例えば、画像表示機構１２の画素Ｐの配列パターン）との干渉によって生じるとともに、各電極４０の検出電極４５によって形成されるメッシュパターン５０と、他の部材の規則的なパターンとの干渉によっても生じる。同様に、濃淡むらは、第１検出電極４５ａによって形成されるメッシュパターン及び第２検出電極４５ｂによって形成されるメッシュパターンを重ねたメッシュパターン５０の局所的な不均一性によっても生じるし、また、各電極４０の検出電極４５によって形成されるメッシュパターン５０の局所的な不均一性によっても生じ得る。したがって、後述するフーリエ変換パワースペクトル画像に関連した条件は、第１検出電極４５ａによって形成されるメッシュパターン及び第２検出電極４５ｂによって形成されるメッシュパターンを重ねたメッシュパターン５０により満たされる場合に、モアレ及び濃淡むらの両方を目立たなくさせる上で有効であるとともに、各電極４０をなす検出電極４５によって形成されるメッシュパターン５０のいずれかが一以上により単独で満たされる場合にも、モアレ及び濃淡むらの両方を目立たなくさせる上で有効である。

次に、以上に説明した導電体メッシュ４６のパターンの決定方法の一具体例について説明する。以下に説明する方法では、二つの交点６２の間を延びて開口領域６１を画成する複数の線分６３から形成された参照パターン６０を決定する工程と、参照パターン６０の交点６２に基づいてメッシュパターン５０の分岐点５２の位置を決定する工程と、決定された分岐点５２及び参照パターン６０の線分６３に基づき、メッシュパターン５０の接続要素５３の位置を決定する工程と、を有している。以下、各工程について順に説明していく。

まず、参照パターン６０を決定する工程において、導電体メッシュ４６の基礎となる規則的なパターン、すなわち、参照パターン６０を決定する。ここで決定される参照パターン６０は、二つの交点６２の間を延びて開口領域６１を画成する複数の線分６３から形成されている。図８及び図９に示されたこの参照パターン６０において、一定形状の開口領域６１が交差する二以上の方向ｄ_ｒ１，ｄ_ｒ２に規則的に配列されている。なお、参照パターン６０に複数種類の開口領域６１が含まれ、各種の開口領域６１が交差する二以上の方向に規則的に配列されるようにしてもよい。

図８及び図９に示された参照パターン６０では、一定の四角形形状の開口領域６１が、隙間なく敷き詰められたパターンとなっている。開口領域６１は、互いに交差する第１基準方向ｄ_ｒ１及び第２基準方向ｄ_ｒ２にそれぞれ一定ピッチで配列されている。とりわけ、図示された参照パターン６０は、各々が第１基準方向ｄ_ｒ１に直線状に延び且つ第１基準方向ｄ_ｒ１に直交する方向に一定ピッチｐ_ｂ１で配列された複数の第１直線６６ａからなる第１平行線群６６と、各々が第２基準方向ｄ_ｒ２に直線状に延び且つ第２基準方向ｄ_ｒ２に直交する方向に前記一定ピッチｐ_ｒ１と同一の一定ピッチｐ_ｒ２で配列された第２の直線６７ａからなる第２平行線群６７と、によって画成されている。結果として、参照パターン６０に含まれる開口領域６１は、すべて同一の四角形形状、とりわけ菱形形状に形成されている。

また、図９に示すように、図示された例において、第１検出電極４５ａが形成するメッシュパターンに関する参照パターンと、第２検出電極４５ｂが形成するメッシュパターンに関する参照パターンとは同一のパターンとなっている。図９に示すように、各検出電極４５ａ，４５ｂのメッシュパターンに関する参照パターンは、それぞれの第１基準方向ｄ_ｒ１が互いに平行となるように配置されている。また、各検出電極４５ａ，４５ｂのメッシュパターンに関する参照パターンは、それぞれの第２基準方向ｄ_ｒ２が互いに平行となるように配置されている。各検出電極４５ａ，４５ｂのメッシュパターンに関する参照パターンは、それぞれの第１平行線群６６の群が、第１基準方向ｄ_ｒ１に直交する方向に、一定ピッチｐ_ｒ１の半分（ｐ_ｒ１／２）だけ互いからずれて配置されている。加えて、各検出電極４５ａ，４５ｂのメッシュパターンに関する参照パターンは、それぞれの第２平行線群６７が、第２基準方向ｄ_ｒ２に直交する方向に、一定ピッチｐ_ｒ２の半分（ｐ_ｒ２／２）だけ互いからずれて配置されている。この参照パターン６０の決定によれば、参照パターン６０に基づいて作製される二つの導電体メッシュ４６が互いに重なり合って、開口している領域が或る程度の規則性を残しながらその一方で一定ではない形状を持つようになるメッシュパターン５０を示すようになる。すなわち、導電体メッシュ４６は、単独の状態だけでなく重ね合わせた状態においても、開口領域が或る程度均一に分散したパターンを呈するようになる。

ところで、一般に、画像表示機構１２の画素配列とタッチパネルセンサ２５の導電体メッシュ４６との干渉によるモアレを不可視化する観点からは、画像表示機構１２における画素の配列方向ｄ_ｘ，ｄ_ｙに対し、タッチパネルセンサ２５の開口領域５１の配列方向を傾斜させることが好ましいとされている。一方、本件発明者らが実験を繰り返したところ、図１９に示された正方格子配列された画素Ｐとのモアレを不可視化する上では、さらに、画素の対角線方向ｄ_ｏに対しても、タッチパネルセンサ２５の開口領域５１の配列方向を傾斜させることが有効であった。これは、図１９に示すように、画素Ｐの対角線上となる位置に、画素Ｐを画成する遮光部（例えばブラックマトリクス）１３の幅太部１３ａが並び、一定間隔で並べられた遮光部１３の幅太部１３ａと開口領域５１とのモアレが生じ易くなるためと考えられる。

正方格子配列された一般的な画素Ｐは、平面視において正方形形状を有している。このような画素Ｐを用いた場合、対角線方向ｄ_ｏは、画素配列方向ｄ_ｘ，ｄ_ｙに対して４５°傾斜する。そして、本件発明者が確認したところ、正方形形状の画素Ｐとのモアレを不可視化する上で、開口領域５１の配列方向が、直交する画素配列方向ｄ_ｘ，ｄ_ｙのうちの一方ｄ_ｘに対してなす角度が３０°以上４０°以下であることが好ましく、３３°以上３７°以下であることより好ましく、３５°であることが最も好ましかった。言い換えると、正方形形状の画素Ｐとのモアレを不可視化する上で、開口領域５１の配列方向が、直交する画素の配列方向ｄ_ｘ，ｄ_ｙのうちの他方ｄ_ｙに対してなす角度が５０°以上６０°以下であることが好ましく、５３°以上５７°以下であることより好ましく、５５°であることが最も好ましかった。

一方、ここで説明する導電体メッシュ４６のパターン決定方法において、導電体メッシュ４６の開口領域５１は、概ね、参照パターン６０の開口領域６１の配列方向に従うようになる。そして、参照パターン６０における開口領域６１の配列方向は、第１基準方向ｄ_ｒ１及び第２基準方向ｄ_ｒ２（或いは、これらと直交する方向）となる。したがって、参照パターン６０に含まれる開口領域６１の向きを決める第１基準方向ｄ_ｒ１及び第２基準方向ｄ_ｒ２は、直交する画素Ｐの配列方向ｄ_ｘ，ｄ_ｙのうちの一方ｄ_ｘに対して３０°以上４０°以下の角度をなすことが好ましく、３３°以上３７°以下の角度をなすことがより好ましく、図８及び図９に示すように３５°の角度θ_ｒ１ｘ，θ_ｒ２ｘをなすことが最も好ましい。したがって、第１基準方向ｄ_ｒ１及び第２基準方向ｄ_ｒ２が互いに対してなす角度θ_ｒｘは、６０°以上８０°以下であることが好ましく、６６°以上７４°以下であることがより好ましく、図８及び図９に示すように７０°であることが最も好ましい。また、参照パターン６０に含まれる開口領域６１の向きを決める第１基準方向ｄ_ｒ１及び第２基準方向ｄ_ｒ２は、直交する画素の配列方向のうちの他方ｄ_ｙに対して５０°以上６０°以下の角度をなすことが好ましく、５３°以上５７°以下の角度をなすことがより好ましく、図８及び図９に示すように５５°の角度θ_ｒ１ｙ，θ_ｒ２ｙをなすことが最も好ましい。

次に、参照パターン６０の交点６２に基づいて分岐点５２の位置を決定する工程について説明する。この工程では、参照パターン６０の一つの交点６２から、一つの分岐点５２の位置を決定する。具体的には、各分岐点５２は、参照パターン６０の対応する交点６２上、或いは、当該対応する交点６２上から所定長さ以下の長さだけずれた位置に、配置される。この際、各分岐点５２の対応する交点６２からのずれ量およびずれる方向を不規則的に決定することにより、最終的に得られる導電体メッシュ４６の開口領域５１の形状が一定とはならず、モアレを効果的に目立たなくさせることができる。なお、不規則的に選択されるずれ量が０となった場合に、分岐点５２が対応する交点６２上に位置するようにしてもよい。

なお、各分岐点５２の対応する交点６２からのずれ量は、接続要素５３が他の接続要素に接触することを回避すべく、開口領域６１の配列ピッチの半分未満となっていることが好ましい。一つの接続要素５３が他の接続要素と重なってしまうと、当該部分が視認されてしまい濃淡むらの原因となってしまう可能性があるからである。具体的には、接続要素５３が他の接続要素に接触することを回避すべく、各分岐点５２の対応する交点６２からのずれ量は、第１基準方向ｄ_ｒ１に直交する方向における第１平行線群６６の配列ピッチｐ_ｒ１の半分未満、且つ、第２基準方向ｄ_ｒ２に直交する方向における第２平行線群６７の配列ピッチｐ_ｒ２の半分未満とすることができる。

また、上述したように、図示された例では、各検出電極４５ａ，４５ｂのメッシュパターンに関する参照パターンは、それぞれの第１平行線群６６が、第１基準方向ｄ_ｒ１に直交する配列方向に、一定ピッチｐ_ｒ１の半分（ｐ_１／２）だけずれて配置されている。加えて、各検出電極４５ａ，４５ｂのメッシュパターンに関する参照パターンは、それぞれの第２平行線群６７が、第２基準方向ｄ_ｒ２に直交する配列方向に、一定ピッチｐ_ｒ２の半分（ｐ_ｒ２／２）だけずれて配置されている。このような例においては、第１検出電極４５ａの導電体メッシュ４６に関する接続要素４８と、第２検出電極４５ｂの導電体メッシュ４６に関する接続要素５８とが接触してしまうことを回避すべく、各分岐点５２の対応する交点６２からのずれ量は、開口領域６１の配列ピッチの１／４未満となっていることが好ましい。第１検出電極４５ａのメッシュパターン５０に関する接続要素４８と、第２検出電極４５ｂのメッシュパターン５０に関する接続要素５８とが接触してしまうと、当該部分が視認されてしまい濃淡むらの原因となってしまう可能性があるからである。具体的には、第１検出電極４５ａのメッシュパターン５０に関する接続要素４８と、第２検出電極４５ｂのメッシュパターン５０に関する接続要素５８とが接触してしまうことを回避すべく、各分岐点５２の対応する交点６２からのずれ量は、第１基準方向ｄ_ｒ１に直交する方向における第１平行線群６６の配列ピッチｐ_ｒ１の１／４未満、且つ、第２基準方向ｄ_ｒ２に直交する方向における第２平行線群６７の配列ピッチｐ_ｒ２での１／４未満とすることができる。

さらに、各分岐点５２について、対応する交点６２からのずれ量およびずれる方向の両方をそれぞれ決定していくことに代えて、各分岐点５２について、対応する交点６２からの予め設定した二方向へのずれ量をそれぞれ決定していくようにしてもよい。一例として、画像表示機構１２の画素Ｐの配列方向ｄ_ｘ，ｄ_ｙへの対応する交点６２からのずれ量δ_ｒｘ，δ_ｒｙ（図８参照）を、分岐点５２毎に決定していくようにしてもよい。この例において、濃淡むらの発生を抑制する観点から画素Ｐの一方の配列方向ｄ_ｘに沿った開口領域６１の配列ピッチｐ_ｒｘの一定割合以下（例えば１５％以下）となり且つモアレの発生を防止する観点から画素Ｐの一方の配列方向ｄ_ｘに沿った開口領域６１の配列ピッチｐ_ｒｘの一定割合以上（例えば２％以上）となるようにずれ量δ_ｒｘが決定されるようにし、且つ、濃淡むらの発生を抑制する観点から画素Ｐの他方の配列方向ｄ_ｙに沿った開口領域６１の配列ピッチｐ_ｒｙの一定割合以下（例えば１５３０％以下）となり且つモアレの発生を防止する観点から画素Ｐの一方の配列方向ｄ_ｙに沿った開口領域６１の配列ピッチｐ_ｒｙの一定割合以上（例えば２％以上）となるようにずれ量δ_ｒｙが決定されるようにすることで、対応する交点６２からの分岐点５２のずれ量に制約を課してもよい。

次に、接続要素５３の位置を決定する工程について説明する。以上のようにして、導電体メッシュ４６における分岐点５２の位置が決定すると、次に、決定された分岐点５２に基づき、接続要素５３の位置を決定する。具体的には、参照パターン６０の或る一つ線分６３の両端に位置する二つの交点６２にそれぞれ対応する二つの分岐点５２の間を延びるように、導電体メッシュ４６の一つの接続要素５３の位置を決定する。二つの分岐点５２の間における接続要素５３の経路は、直線であってもよいし、曲線であってもよいし、折れ線であってもよいし、直線及び曲線の組み合わせであってもよい。また、接続要素５３の線幅は、上述したように０．２μｍ以上２μｍ以下とすることができるし、或いは、この範囲外の太さとしてもよい。

このようにして、電極４０の検出電極４５をなす導電体メッシュ４６のメッシュパターン５０が設計される。メッシュパターン５０の分岐点５２の位置が、規則性を有した参照パターン６０の交点６２の位置に基づいて決定されているため、得られた導電体メッシュ４６において開口領域５１が或る程度均一に分散して、濃淡むらの発生を抑制することが可能となる。ただし、分岐点５２の位置は対応する交点６２の位置から不規則的に選択された所定範囲内の量だけずれている。したがって、得られた導電体メッシュ４６において開口領域５１の形状または開口面積の規則性または一定性が失われ、モアレによる不具合も回避することができる。

以上のようにしてメッシュパターン５０を決定された導電体メッシュ４６は、基材シート３５上に形成された金属薄膜を、フォトリソグラフィー技術を用いてパターニングすることにより、基材シート３５上に作製され得る。

上述したように、規則性を持ったパターンの規則性を或る程度消失させることによって形成されたメッシュパターン５０は、モアレ及び濃淡むらの両方を目立たなくさせることが可能となる。しかしながら、規則性を大きく崩し過ぎてしまうと、濃淡むらが視認されて問題となり、規則性を崩しきれていないとモアレが視認されて問題となる。そして、本件発明者は、検討を重ねた結果として、最終的に得られたタッチパネルセンサ２５の検出電極４５によって形成されるメッシュパターン５０についてのフーリエ変換パワースペクトル画像が、所定の条件を満たす場合に、モアレを極めて効果的に目立たなくさせること及び濃淡むらを極めて効果的に目立たなくさせることの両方が同時に可能となることを知見した。すなわち、規則性をどの程度崩すかを定量的に評価し、これにより、モアレ及び濃淡むらの両者を効果的に目立たなくし得ることを見出した。

具体的に説明すると、メッシュパターン５０に関する標準偏差σ_ｐ１，σ_ｐ２と、メッシュパターン５０に関連した規則パターン７０に関する標準偏差σ_ａｐ１，σ_ａｐ２とが、次の条件（ａ）及び（ｂ）を満たす場合、モアレ及び濃淡むらの両者を効果的に目立たなくすることができた。
１．０２ ≦ σ_ｐ１／σ_ａｐ１ ≦ １．１６ ・・・（ａ）
１．０２ ≦ σ_ｐ２／σ_ａｐ２ ≦ １．１６ ・・・（ｂ）
ここで、メッシュパターン５０に関する標準偏差σ_ｐ１，σ_ｐ２は、メッシュパターン５０のフーリエ変換パワースペクトル画像に基づき、メッシュパターン５０の規則性の程度を示す指標として、メッシュパターン５０の特定のパワースペクトル積算値についての標準偏差である。一方、規則パターン７０は、メッシュパターン５０のフーリエ変換パワースペクトル画像から、メッシュパターン５０に類似する規則的なパターンとして特定される。そして、規則パターン７０に関する標準偏差σ_ａｐ１，σ_ａｐ２は、メッシュパターン５０に関する標準偏差σ_ｐ１，σ_ｐ２と同様の条件にて、規則パターン７０のフーリエ変換パワースペクトル画像に基づき特定される。

したがって、規則パターン７０に関する標準偏差σ_ａｐ１，σ_ａｐ２に対するメッシュパターン５０に関する標準偏差σ_ｐ１，σ_ｐ２の比は、メッシュパターン５０が、当該メッシュパターン５０に類似する規則パターン７０からどの程度規則性を消失したものであるかを示す指標となる。そして、この指標が所定の範囲となっている場合に、メッシュパターン５０が、規則的なパターンから適切な程度に規則性を崩したパターンとなり、モアレ及び濃淡むらの双方に適切に対処できると考えられる。

以下、規則性を持ったパターンの規則性を消失させることによって形成されたメッシュパターン５０が、モアレ及び濃淡むらの両方を効果的に不可視化するために満たすべき条件についてより詳細に説明する。

まず、メッシュパターン５０に関する標準偏差σ_ｐ１，σ_ｐ２の特定方法について、図１０〜図１５を参照しながら、説明する。なお、図１０〜図１５は、図８及び図９を参照して説明した上述の方法により決定された第１検出電極４５ａのメッシュパターン５０にて導電体メッシュ４６を実際に作製し、当該作製された第１検出電極４５ａの導電体メッシュ４６についてのデータである。

まず、第１標準偏差σ_ｐ１は、平面スキャナを用いて作成したメッシュパターン５０のスキャンデータに、フーリエ変換および極座標変換を施すことによって得られたメッシュパターン５０のパワースペクトルの各角度での積算値分布（図１５参照）において、０°以上１８０°未満の範囲内でパワースペクトル積算値が最も大きくなる第１ピーク角度θ_ｐ１〔°〕を中心とした６０°の範囲内（θ_ｐ１±３０〔°〕）でのパワースペクトル積算値の標準偏差である。また、第２標準偏差σ_ｐ２は、メッシュパターン５０のパワースペクトル積算値分布において、０°以上１８０°未満の範囲内でパワースペクトル積算値が二番目に大きくなる第２ピーク角度θ_ｐ２〔°〕を中心とした６０°の範囲内（θ_ｐ２±３０〔°〕）でのパワースペクトル積算値の標準偏差である。

したがって、メッシュパターン５０に関する標準偏差σ_ｐ１，σ_ｐ２を特定するにあたり、最初に、導電体メッシュ４６を平面スキャナでスキャンすることにより、メッシュパターン５０に関するスキャンデータを二次元画像として作成する。この際、実際に流通しているタッチパネルセンサ２５の開口領域５１のピッチ等を考慮して、メッシュパターン５０のスキャンデータを作成されるべき導電体メッシュ４６の領域は、３ｃｍ×３ｃｍ以上の領域とすることが好ましい。また、メッシュパターン５０をなす導線（接続要素５３）の線幅が複数ピクセルで構成されるよう、解像度を調整することが好ましい。線幅が複数ピクセルで構成されるような解像度であれば、実物には存在しない断線箇所がスキャンデータに形成されてしまうことを効果的に防止することができる。図１０には、メッシュパターン５０のスキャンデータの一部が示されている。

メッシュパターン５０のスキャンデータを画像処理することにより、メッシュパターン５０のフーリエ変換パワースペクトル画像が作成される。この際、フーリエ変換パワースペクトル画像の作成精度を向上させるため、いくつかの画像上の処理が行われることが好ましい。

例えば、導電体メッシュ４６をなす金属導線以外を示す低周波成分をスキャンデータから除去するため、スキャンデータに二値化処理を行うことが好ましい。除去されるべき低周波成分としては、必然的に生じてしまう照明むらを例示することができる。図１１には、図１０に示された画像データを二値化処理した画像データが示されている。

また、フーリエ変換パワースペクトル画像の作成精度を向上させる上で、フーリエ変換前に細線化処理を行っておくことも有効である。とりわけ上述したように、メッシュパターン５０をなす導線（接続要素５３）の線幅が複数ピクセルで構成されている場合には、細線化処理が有効となる。

図１２には、二値化処理および細線化処理を行った後のスキャンデータが示されている。このスキャンデータは、実際に作製された第１検出電極４５ａの導電体メッシュ４６の４１５５μｍ×４１５５μｍについての画像データである。そして、図１３には、図１２に示されたスキャンデータにフーリエ変換を施すことによって得られたフーリエ変換パワースペクトル画像が、示されている。また、図１４は、図１３のフーリエ変換パワースペクトル画像を極座標変換して示している。なお、図１２〜図１４における座標系は、互いに同様に設定されており、図５〜図９に示された座標系とも同様に設定されている。また、図１４における座標系の設定は、図１３に示したとおりである。

図１３及び図１４の画像データから、各角度θ〔°〕での、メッシュパターン５０のパワースペクトルの分布が特定され得る。次に、各角度θ〔°〕毎にパワースペクトルを積分した値としてのパワースペクトルの積算値を特定する。図１５には、メッシュパターンのパワースペクトルの各角度での積算値分布が示されている。このパワースペクトル積算値分布において、０°以上１８０°未満の範囲内でパワースペクトル積算値が最も大きくなる角度を第１ピーク角度θ_ｐ１〔°〕とし、０°以上１８０°未満の範囲内でパワースペクトル積算値が二番目に大きくなる角度を第２ピーク角度θ_ｐ２〔°〕とする。ただし、パワースペクトル積算値分布において、積算値が最も大きくなる角度と二番面に大きくなる角度の区別が付かない場合には、いずれか一方を第１ピーク角度θ_ｐ１とし、他方を第２ピーク角度θ_ｐ２とすればよい。

なお、第１ピーク角度θ_ｐ１及び第２ピーク角度θ_ｐ２、さらには後に後述の標準偏差σ_ｐ１，σ_ｐ２を高精度に特定するため、いくつかの処理が積算値分布に対して行われてもよい。例えば、パワースペクトル積算値分布に対して、周囲±１０°の範囲でぼかし処理を行うようにし、特定の高周波成分を除去するようにしてもよい。このような処理によれば、パワースペクトルの積算値分布において極大値がより明確に現れるようになる。ぼかし処理には、ガウシアンフィルタを用いることができる。図１５に示されたパワースペクトル積算値分布は、ガウシアンフィルタを用いて±１０°の角度範囲内にてぼかし処理を行った後の積算値分布である。

図１５の積算値分布において、第１ピーク角度θ_ｐ１は１２５°となっており、第２ピーク角度θ_ｐ２は５５°となっている。メッシュパターン５０のパワースペクトルの積算値分布では、積算値のピークが現れる角度方向に、メッシュパターン５０をなす金属導線が配列されていることを意味する。したがって、ピーク角度θ_ｐ１，θ_ｐ２が５５°および１２５°に出現するから、対象となるメッシュパターン５０が、図５〜図９に示された導電体メッシュ４６と同様のパターンとなっていること、並びに、図８及び図９に示された参照パターン６０に類似したパターンとなっていることが予測される。

なお、図１９に示された画像表示機構１２との間でのモアレを目立たなくさせる観点から、参照パターン６０の第１基準方向ｄ_ｒ１及び第２基準方向ｄ_ｒ２が互いに対してなす角度θ_ｒｘが、６０°以上８０°以下であることが好ましく、６６°以上７４°以下であることがより好ましく、７０°であることが最も好ましいことを説明した。この点からすれば、メッシュパターン５０のパワースペクトルの積算値分布において、パワースペクトル積算値の極大値が０°以上１８０°未満の範囲内に二つだけ存在するという前提において、第１ピーク角度θ_ｐ１及び第２ピーク角度θ_ｐ２が、次の条件を満たすことが好ましく、
６０°≦｜θ_ｐ１-θ_ｐ２｜≦８０°、又は、１００°≦｜θ_ｐ１-θ_ｐ２｜≦１２０°
次の条件を満たすことがより好ましく、
６６°≦｜θ_ｐ１-θ_ｐ２｜≦７４°、又は、１０６°≦｜θ_ｐ１-θ_ｐ２｜≦１１４°
さらに、次の条件を満たすことが最も好ましい。
｜θ_ｐ１−θ_ｐ２｜＝７０°、又は、｜θ_ｐ１−θ_ｐ２｜＝１１０°

上述したように、第１標準偏差σ_ｐ１は、第１ピーク角度θ_ｐ１を中心とした６０°の範囲内（θ_ｐ１±３０〔°〕）での、メッシュパターン５０のパワースペクトル積算値の標準偏差の値である。したがって、図１５に示された例において、第１標準偏差σ_ｐ１は、９５°以上１５５°以下の範囲内におけるパワースペクトル積算値の標準偏差の値となる。一方、第２標準偏差σ_ｐ２は、第２ピーク角度θ_ｐ２を中心とした６０°の範囲内（θ_ｐ２±３０〔°〕）での、メッシュパターン５０のパワースペクトル積算値の標準偏差の値である。したがって、図１５に示された例において、第２標準偏差σ_ｐ２は、２５°以上８５°以下の範囲内におけるパワースペクトル積算値の標準偏差の値となる。第１標準偏差σ_ｐ１及び第２標準偏差σ_ｐ２が小さければ、対象となるメッシュパターン５０をなす金属導線が、第１ピーク角度θ_ｐ１又は第２ピーク角度θ_ｐ２に対応する方向に規則的に配列されていること、すなわち対象となるメッシュパターン５０の規則性が強いことを意味する。反対に、第１標準偏差σ_ｐ１及び第２標準偏差σ_ｐ２が大きければ、対象となるメッシュパターン５０をなす金属導線が、第１ピーク角度θ_ｐ１又は第２ピーク角度θ_ｐ２に対応する方向への規則配列性が弱いこと、すなわち対象となるメッシュパターン５０の規則性が弱いことを意味する。

次に、規則パターン７０の特定方法について説明する。上述したように、規則パターン７０は、メッシュパターン５０のフーリエ変換パワースペクトル画像から、メッシュパターン５０に類似する規則的なパターンとして特定される。例えば、図８及び図９を参照して説明した上述の方法でメッシュパターン５０が決定されている場合、規則パターン７０の特定は、メッシュパターン５０を決定する上での基準となった規則的な参照パターン６０を推定することになる。

規則パターン７０は、メッシュパターン５０のパワースペクトルの積算値分布における第１ピーク角度θ_ｐ１及び第２ピーク角度θ_ｐ２と、第１ピーク角度θ_ｐ１におけるメッシュパターン５０のパワースペクトルの空間周波数に対する分布において基本周波数よりも高周波数側に位置する一つ目のパワースペクトルのピーク（極大値）を形成する第１空間周波数と、第２ピーク角度θ_ｐ２におけるメッシュパターン５０のパワースペクトルの空間周波数に対する分布において基本周波数よりも高周波数側に位置する一つ目のピークを形成する第２空間周波数と、に基づいて決定される。より具体的には、規則パターン７０は、メッシュパターン５０のスキャンデータから当該メッシュパターン５０のフーリエ変換パワースペクトル画像を特定する際と同様に座標系を設定し、極座標における第１ピーク角度θ_ｐ１〔°〕となる方向に、第１空間周波数に対応する長さとなる一定ピッチで配列された第１直線群７６と、極座標における第２ピーク角度θ_ｐ２〔°〕となる方向に、第２空間周波数に対応する長さとなる一定ピッチで配列された第２直線群７７と、によって形成される。

図１６は、図１０〜図１５で対象としたメッシュパターン５０に関し、極座標において５５°となる方向での、空間周波数に対するパワースペクトルの分布を示している。つまり、図１６は、第２ピーク角度θ_ｐ２におけるメッシュパターン５０のパワースペクトルの各空間周波数での分布を示している。上述したように、図示された例において、フーリエ変換パワースペクトル画像を取得した元の導電体メッシュ４６の領域は、４１５５μｍ×４１５５μｍの領域である。そして、基本周波数に対応する長さ、すなわち基本周波数（１〔ｃｙｃｌｅ〕／４．１５５〔ｍｍ〕＝０．２４〔ｃｙｃｌｅ／ｍｍ〕）での波長は４１５５μｍとなる。一方、図１６のパワースペクトル分布において、基本周波数よりも高周波数側に位置する一つ目のパワースペクトルピークが現れる第２空間周波数は、１．９９７６〔ｃｙｃｌｅ／ｍｍ〕である。したがって、第２空間周波数での波長は約５００．６μｍ＝１０００μｍ／１．９９７６周期となる。図１７に示すように、第２直線群７７の配列方向ｄ_ａａ２は、極座標における基準方向（０°方向）となっていたｘ軸方向に対し、第２ピーク角度θ_ｐ２である５５°だけ反時計回り方向に傾斜した方向となる。そして、第２直線群７７をなす第２直線７７ａは、その配列方向ｄ_ａａ２に、第２空間周波数での波長（第２空間周波数に対応する長さ）となる５００．６μｍのピッチＰ_ａ２で配列される。

なお、図１７に示された規則パターン７０では、第２直線群７７と同様にして特定された第１直線群７６も示されている。すなわち、第１直線群７６の配列方向ｄ_ａａ１は、極座標における基準方向（０°方向）となっていたｘ軸方向に対し、第１ピーク角度θ_ｐ１である１２５°だけ反時計回り方向に傾斜した方向となっている。そして、第１直線群７６をなす第１直線７６ａは、その配列方向ｄ_ａａ１に、第１空間周波数に対応する長さと同一のピッチＰ_ａ１で配列される。

次に、特定された規則パターン７０に関する標準偏差σ_ａｐ１，σ_ａｐ２の特定方法について説明する。規則パターン７０に関する標準偏差σ_ａｐ１，σ_ａｐ２は、メッシュパターン５０のスキャンデータから標準偏差σ_ｐ１，σ_ｐ２と概ね同様にして特定することができる。

まず、規則パターン７０を画像データとして作製するが、この際、メッシュパターン５０のスキャンデータと同様に、３ｃｍ×３ｃｍ以上の領域のデータとして作製されることが好ましい。また、規則パターン７０をなす第１直線群７６の第１直線７６ａ及び第２直線群７７の第２直線７７ａは、細線化されていることが好ましい。

規則パターン７０の画像データにフーリエ変換および極座標変換を施すことによって、規則パターン７０のフーリエ変換パワースペクトル画像を取得する。規則パターン７０に関する第１の標準偏差σ_ａｐ１は、規則パターン７０のパワースペクトルの各角度での積算値分布において、前記第１ピーク角度θ_ｐ１〔°〕（図１５に示された例においては１２５°）を中心とした６０°の範囲内（θ_ｐ１±３０〔°〕）でのパワースペクトル積算値の標準偏差の値として特定される。また、規則パターン７０に関する第２の標準偏差σ_ａｐ２は、規則パターン７０のパワースペクトルの各角度での積算値分布において、前記第２ピーク角度θ_ｐ２〔°〕（図１５に示された例においては５５°）を中心とした６０°の範囲内（θ_ｐ１±３０〔°〕）でのパワースペクトル積算値の標準偏差の値として特定される。

なお、規則パターン７０に関する標準偏差σ_ａｐ１，σ_ａｐ２を高精度に特定するため、いくつかの処理が行われてもよい。例えば、パワースペクトル積算値分布に対して、周囲±１０°の範囲でぼかし処理を行うようにし、特定の高周波成分を除去するようにしてもよい。このような処理によれば、パワースペクトルの積算値分布において極大値がより明確に現れるようになる。ぼかし処理には、ガウシアンフィルタを用いることができる。

以上のようにして特定されたメッシュパターン５０に関する標準偏差σ_ｐ１，σ_ｐ２と、メッシュパターン５０に関連した規則パターン７０に関する標準偏差σ_ａｐ１，σ_ａｐ２とが、次の条件（ａ）及び（ｂ）を満たす場合、上述したように、モアレ及び濃淡むらの両者を効果的に目立たなくすることができる。
１．０２ ≦ σ_ｐ１／σ_ａｐ１ ≦ １．１６ ・・・（ａ）
１．０２ ≦ σ_ｐ２／σ_ａｐ２ ≦ １．１６ ・・・（ｂ）

なお、既に説明したように、モアレは、第１検出電極４５ａによって形成されるメッシュパターン（例えば、図５のメッシュパターン）及び第２検出電極４５ｂによって形成されるメッシュパターン（例えば、図６のメッシュパターン）を重ねたメッシュパターン５０（例えば、図７のメッシュパターン）と、他の部材の規則的なパターン（例えば、画像表示機構１２の画素Ｐの配列パターン）との干渉によって生じるとともに、各電極４０ａ，４０ｂの検出電極４５ａ，４５ｂによって形成されるメッシュパターン５０（例えば、図５のメッシュパターン又は図６のメッシュパターン）と、他の部材の規則的なパターンとの干渉によっても生じる。同様に、濃淡むらは、第１検出電極４５ａによって形成されるメッシュパターン及び第２検出電極４５ｂによって形成されるメッシュパターンを重ねたメッシュパターン５０の局所的な不均一性によっても生じるし、また、各電極４０ａ，４０ｂの検出電極４５ａ，４５ｂによって形成されるメッシュパターン５０の局所的な不均一性によっても生じ得る。そして、メッシュパターンのフーリエ変換パワースペクトル画像に関連した条件（ａ）及び（ｂ）は、第１検出電極４５ａによって形成されるメッシュパターン及び第２検出電極４５ｂによって形成されるメッシュパターンを重ねたメッシュパターン５０により満たされる場合に、モアレ及び濃淡むらの両方を目立たなくさせる上で有効であるとともに、各電極４０ａ，４０ｂをなす検出電極４５ａ，４５ｂによって形成されるメッシュパターン５０のいずれか一以上により単独で満たされる場合にも、モアレ及び濃淡むらの両方を目立たなくさせる上で有効である。

ここで、本件発明者が行った実験の一例について説明する。まず、サンプル１〜７に係る導電体メッシュを作製した。

サンプル１の導電体メッシュは、図７に示された参照パターン６０と同一のメッシュパターンとした。すなわち、ｘ軸方向（基準方向）に対して１４５°傾斜した方向に延びる第１の平行線群と、ｘ軸方向（基準方向）に対して３５°傾斜した方向に延びる第２の平行線群と、からなるパターンとした。第１の平行線群に含まれる直線は、その長手方向に直交する方向に５００μｍのピッチで配列され、第２の平行線群に含まれる直線は、その長手方向に直交する方向に５００μｍのピッチで配列されるようにした。したがって、サンプル１の導電体メッシュのメッシュパターンは、一定の菱形形状の開口領域が規則的に配列されてなるパターンとなっている。

一方、サンプル２〜７の導電体メッシュのメッシュパターンは、上述した参照パターンの規則性を崩すことにより作製した。参照パターンは、サンプル１の導電体メッシュのメッシュパターンとした。各サンプルのメッシュパターンの分岐点は、参照パターンの対応する交点をｘ軸方向およびｙ軸方向のそれぞれ独立したずれ量δ_ｒｘ，δ_ｒｙ（図８参照）だけずらすことにより決定していった。ｘ軸方向へのずれ量δ_ｒｘは、開口領域の一方の対角線の長さに相当する開口領域のｘ軸方向への配列ピッチｐ_ｒｘに基づいた制限を課して乱数表に従ってランダムに決定し、ｙ軸方向へのずれ量δ_ｒｙは、開口領域の他方の対角線の長さに相当する開口領域のｙ軸方向への配列ピッチｐ_ｒｙに基づいた制限を課して乱数表に従ってランダムに決定した。

具体的には、サンプル２のメッシュパターンでは、「０≦δ_ｒｘ≦０．０５×ｐ_ｒｘ」及び「０≦δ_ｒｙ≦０．０５×ｐ_ｒｙ」とした。サンプル３のメッシュパターンでは、「０≦δ_ｒｘ≦０．１×ｐ_ｒｘ」及び「０≦δ_ｒｙ≦０．１×ｐ_ｒｙ」とした。サンプル４のメッシュパターンでは、「０≦δ_ｒｘ≦０．２×ｐ_ｒｘ」及び「０≦δ_ｒｙ≦０．２×ｐ_ｒｙ」とした。サンプル５のメッシュパターンでは、「０≦δ_ｒｘ≦０．３×ｐ_ｒｘ」及び「０≦δ_ｒｙ≦０．３×ｐ_ｒｙ」とした。サンプル６のメッシュパターンでは、「０≦δ_ｒｘ≦０．４×ｐ_ｒｘ」及び「０≦δ_ｒｙ≦０．４×ｐ_ｒｙ」とした。サンプル７のメッシュパターンでは、「０≦δ_ｒｘ≦０．５×ｐ_ｒｘ」及び「０≦δ_ｒｙ≦０．５×ｐ_ｒｙ」とした。

次に、各サンプルのメッシュパターンの接続要素は、参照パターンの一つの線分の両端に位置する二つの交点に対応する二つの分岐点の間を直線状に延びるようにした。そして、以上のようにして決定したメッシュパターンにて、サンプル２〜７に係る導電体メッシュを作製した。

作製されたサンプル１〜７に係る導電体メッシュから、上述したようにして、メッシュパターンに関する標準偏差σ_ｐ１，σ_ｐ２と、各メッシュパターンに関連した規則パターンに関する標準偏差σ_ａｐ１，σ_ａｐ２とを求め、これらの比（σ_ｐ１／σ_ａｐ１）及び比（σ_ｐ２／σ_ａｐ２）を算出した。これらの比の値を、次の条件（ａ）及び（ｂ）を満たすか否かとともに、表１に示す。
１．０２ ≦ σ_ｐ１／σ_ａｐ１ ≦ １．１６ ・・・（ａ）
１．０２ ≦ σ_ｐ２／σ_ａｐ２ ≦ １．１６ ・・・（ｂ）

各サンプルに係る導電体メッシュを、市販されている液晶表示装置の表示面上に配置して、モアレ及び濃淡むらの有無を確認した。液晶表示装置は、図１９に示された画素配列と同様に、画素がｘ軸方向およびｙ軸方向の両方に同一の一定のピッチで配列されていた。モアレ及び濃淡むらの有無の確認は、液晶表示装置が全面白色を表示した状態で行った。確認結果を表１に示す。表１の評価の欄は、次の基準で判断した結果を示している。
「×：モアレ又は濃淡むらが通常の使用において、問題となる程度に確認された。」
「○：モアレ又は濃淡むらが通常の使用において、問題となる程度に確認されなかった。
」

なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、適宜図面を参照しながら、変形の一例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。

上述した実施の形態の図２に示されたタッチパネルセンサ２５では、各検出電極４５がアクティブエリアＡａ１内に配置された細長い矩形状の導電体メッシュ４６として形成されているが、これに限られない。検出電極４５の構成は、種々の変更が可能である。図２０に示された例では、各第１検出電極４５ａが、その長手方向に間隔を明けて配列された多数の導電体メッシュ４６と、隣り合う二つの導電体メッシュ４６の間を接続する接続部４８と、を有している。各検出電極４５は、導電体メッシュ４６および接続部４８により、アクティブエリアＡａ１内を直線状に延びている。各検出電極４５が配置されている領域の幅は、導電体メッシュ４６が設けられている部分において太くなっている。第１電極４０ａに含まれる各第１検出電極４５ａは、第２電極４０ｂに含まれる多数の第２検出電極４５ｂと交差している。そして、図２０に示すように、第１電極４０ａの第１検出電極４５ａは、その接続部４３において、第２電極４０ｂの第２検出電極４５ｂの接続部４８と交差している。したがって、第１検出電極４５ａの導電体メッシュ４６は、隣り合う二つの第２検出電極４５ｂの間に配置され、第２検出電極４５ｂの導電体メッシュ４６は、隣り合う二つの第１検出電極４５ａの間に配置されている。

なお、図２０に示された変形例においては、第１電極４０ａの導電体メッシュ４６と、第２電極４０ｂの導電体メッシュ４６とが、タッチパネルセンサ２５の法線方向に重なっていない。したがって、各電極４０ａ，４０ｂをなす導電体メッシュ４６のメッシュパターン５０が単独で上述の条件（ａ）及び（ｂ）を満たすことで、モアレ及び濃淡むらの両方を効果的に目立たなくさせることが可能となる。

また、上述した実施の形態において、参照パターン６０の一例を示したが、上述した例に限られず、種々のパターンを採用することができる。例えば、参照パターン６０がハニカムパターンとして形成されていてもよい。また、上述したように、参照パターン６０が、二種類以上の開口領域６１を含み、各種の開口領域６１が規則的に配列されているようにしてもよい。

なお、以上において上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。

１０ 表示装置
１２ 画像表示機構
１３ 遮光部
１３ａ 幅太部
２０ タッチパネル装置
２２ 透明カバー
２５ タッチパネルセンサ
３０ 位置検知電極基板
３０ａ 第１位置検知電極基板
３０ｂ 第２位置検知電極基板
３５ 基材シート
４０ 電極
４０ａ 第１電極
４０ｂ 第２電極
４２ 取出電極
４２ａ 第１取出電極
４２ｂ 第２取出電極
４３ 端子部
４５ 検出電極
４５ａ 第１検出電極
４５ｂ 第２検出電極
４６ 導電体メッシュ
４８ 接続部
５０ メッシュパターン
５１ 開口領域
５２ 分岐点
５３ 接続要素
６０ 参照パターン
６１ 開口領域
６２ 交点
６３ 線分
６６ 第１平行線群
６６ａ 第１直線
６７ 第２平行線群
６７ａ 第２直線
７０ 規則パターン
７６ 第１直線群
７６ａ 第１直線
７７ 第２直線群
７７ａ 第２直線

Claims (17)

1. 複数の開口領域を画成するメッシュパターンを形成する検出電極を備え、
   平面スキャナを用いて作成した前記メッシュパターンのスキャンデータに、フーリエ変換および極座標変換を施すことによって得られた前記メッシュパターンのパワースペクトルの各角度での積算値分布において、０°以上１８０°未満の範囲内でパワースペクトル積算値が最も大きくなる第１ピーク角度θ_ｐ１〔°〕を中心とした６０°の範囲内（θ_ｐ１±３０〔°〕）でのパワースペクトル積算値の標準偏差σ_ｐ１と、
   前記メッシュパターンの前記パワースペクトル積算値分布において、０°以上１８０°未満の範囲内でパワースペクトル積算値が二番目に大きくなる第２ピーク角度θ_ｐ２〔°〕を中心とした６０°の範囲内（θ_ｐ２±３０〔°〕）でのパワースペクトル積算値の標準偏差σ_ｐ２と、
   前記メッシュパターンの前記パワースペクトルの積算値分布における前記第１ピーク角度θ_ｐ１〔°〕及び第２ピーク角度θ_ｐ２〔°〕と、前記第１ピーク角度θ_ｐ１〔°〕における前記メッシュパターンの前記パワースペクトルの各空間周波数での分布において基本周波数よりも高周波数側に位置する一つ目のピークを形成する第１空間周波数と、前記第２ピーク角度θ_ｐ２〔°〕における前記メッシュパターンの前記パワースペクトルの各空間周波数での分布において基本周波数よりも高周波数側に位置する一つ目のピークを形成する第２空間周波数と、に基づいて決定された規則パターンの画像データに、フーリエ変換および極座標変換を施すことによって得られた前記規則パターンのパワースペクトルの各角度での積算値分布において、前記第１ピーク角度θ_ｐ１〔°〕を中心とした６０°の範囲内（θ_ｐ１±３０〔°〕）でのパワースペクトル積算値の標準偏差σ_ａｐ１、及び、前記第２ピーク角度θ_ｐ２〔°〕を中心とした６０°の範囲内（θ_ｐ２±３０〔°〕）でのパワースペクトル積算値の標準偏差σ_ａｐ２とが、次の条件を満たし、
   １．０２ ≦ σ_ｐ１／σ_ａｐ１ ≦ １．１６
   １．０２ ≦ σ_ｐ２／σ_ａｐ２ ≦ １．１６
   前記規則パターンは、前記メッシュパターンのスキャンデータから当該メッシュパターンの前記パワースペクトルを特定する際と同様に座標系を設定し、第１ピーク角度θ_ｐ１〔°〕となる方向に、前記第１空間周波数に対応する長さとなる一定ピッチで配列された第１直線群と、第２ピーク角度θ_ｐ２〔°〕となる方向に、前記第２の空間周波数に対応する長さとなる一定ピッチで配列された第２直線群と、によって形成されている、タッチパネルセンサ。
2. 前記メッシュパターンの前記パワースペクトルの前記積算値分布において、パワースペクトル積算値の極大値は０°以上１８０°未満の範囲内に二つだけ存在する、請求項１に記載のタッチパネルセンサ。
3. ６０°≦｜θ_ｐ１−θ_ｐ２｜≦８０°、又は、１００°≦｜θ_ｐ１−θ_ｐ２｜≦１２０°である、請求項１又は２に記載のタッチパネルセンサ。
4. 前記開口領域は、交差する二つの方向に配列されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載のタッチパネルセンサ。
5. 前記開口領域は、四角形形状である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のタッチパネルセンサ。
6. 前記メッシュパターンは、二つの分岐点の間を延びて前記開口領域を画成する導電性の接続要素を含み、
   前記メッシュパターンの各分岐点は、二つの交点の間を延びて開口領域を画成する複数の線分から形成され前記開口領域が規則的に配列されてなる参照パターンの一つの交点上または所定長さ以下となる長さだけ当該一つの交点からずれた位置に位置しており、且つ、前記メッシュパターンの各接続要素は、一つの線分の両端に位置する二つの交点にそれぞれ対応する二つの分岐点の間を延びている、請求項１〜５のいずれか一項に記載のタッチパネルセンサ。
7. 前記参照パターンでは、一定形状の開口領域が交差する二つの方向に規則的に配列されている、請求項６に記載のタッチパネルセンサ。
8. 前記参照パターンでは、一定の四角形形状の開口領域が交差する二つの方向に規則的に配列されている、請求項６又は７に記載のタッチパネルセンサ。
9. 前記メッシュパターンの前記スキャンデータは、前記メッシュパターンをなす導線の線幅が複数ピクセルによって構成され且つメッシュパターンの３ｃｍ×３ｃｍ以上となる領域の二次元画像として、前記メッシュパターンを画像データ化したものである、請求項１〜８のいずれか一項に記載のタッチパネルセンサ。
10. 前記スキャンデータは、フーリエ変換される前に、二値化処理を施されている、請求項１〜９のいずれか一項に記載のタッチパネルセンサ。
11. 二値化処理された前記スキャンデータは、フーリエ変換される前に、細線化処理を施されている、請求項１０に記載のタッチパネルセンサ。
12. 前記メッシュパターンの前記パワースペクトルの前記積算値分布に関する前記標準偏差は、当該積算値分布を、ガウシアンフィルタを用いて±１０°の角度範囲内にてぼかし処理を行った後に、特定された値である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のタッチパネルセンサ。
13. 前記規則パターンの前記パワースペクトルの前記積算値分布に関する前記標準偏差は、当該積算値分布を、ガウシアンフィルタを用いて±１０°の角度範囲内にてぼかし処理を行った後に、特定された値である、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のタッチパネルセンサ。
14. 前記検出電極は、第１検出電極と、前記第１検出電極と重ねて配置された第２検出電極と、を含み、
    前記メッシュパターンは、前記第１検出電極によって形成されている、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のタッチパネルセンサ。
15. 前記検出電極は、第１検出電極と、前記第１検出電極と重ねて配置された第２検出電極と、を含み、
    前記メッシュパターンの一部分が、前記第１検出電極によって形成され、前記メッシュパターンの他の部分が、前記第２検出電極によって形成されている、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のタッチパネルセンサ。
16. 請求項１〜１５のいずれか一項に記載されたタッチパネルセンサを備える、タッチパネル装置。
17. 請求項１〜１６のいずれか一項に記載されたタッチパネルセンサと、
    前記タッチパネルセンサと重ねて配置された画像表示機構と、を備える、表示装置。