JP6259795B2 - はんだ組成物および電子基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、はんだ組成物および電子基板の製造方法に関する。

はんだ組成物は、はんだ粉末にフラックス組成物（ロジン系樹脂、活性剤および溶剤など）を混練してペースト状にした混合物である（例えば、特許文献１）。このはんだ組成物においては、はんだ溶融性やはんだが濡れ広がりやすいという性質（はんだ濡れ広がり）などのはんだ付け性とともに、チップ脇ボールの抑制やダレ性が要求されている。

一方で、電子機器の機能の多様化により、大型の電子部品から小型の電子部品まで、一つの電子基板に搭載されるようになっている。また、大型の電子部品の中には、電子部品の下面に電極端子を有する下面電極部品（例えば、ＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）、ＱＦＮ（クワッドフラットノーリードパッケージ））がある。このような下面電極部品では、ランドサイズが大きいために、ボイドが発生しやすい傾向にある。

特許第５７５６０６７号

大型の電子部品から小型の電子部品まで一つの電子基板に搭載する場合に用いるはんだ組成物においては、はんだ付け性だけでなく、多種多様な課題があり、これらの課題の解決が求められている。具体的には、プリヒート時におけるダレ、フラックス残さのべたつき、チップ脇ボールおよびボイドの抑制などが求められている。

そこで、本発明は、プリヒート時におけるダレ、フラックス残さのべたつき、チップ脇ボールおよびボイドを十分に抑制できるはんだ組成物、並びにそれを用いた電子基板の製造方法を提供することを目的とする。

前記課題を解決すべく、鋭意検討した結果、本発明者らは、フラックス組成物において用いる溶剤として、沸点が３６０℃以上４５０℃以下である溶剤と、沸点が２６０℃以上２９０℃以下である溶剤とを組み合わせて用いた場合には、プリヒート時におけるダレ、フラックス残さのべたつき、チップ脇ボールおよびボイドという多種多様な課題を解決できることを見出した。本発明は、このような知見に基づいて完成されたものであり、以下のようなはんだ組成物および電子基板の製造方法を提供するものである。
本発明のはんだ組成物は、（Ａ）ロジン系樹脂、（Ｂ）活性剤、（Ｃ）溶剤および（Ｄ）チクソ剤を含有するフラックス組成物と、（Ｅ）はんだ粉末とを含有し、前記（Ｃ）溶剤が、（Ｃ１）沸点が３６０℃以上４５０℃以下である溶剤、および、（Ｃ２）沸点が２６０℃以上２９０℃以下である溶剤を含有し、前記（Ｃ１）沸点が３６０℃以上４５０℃以下である溶剤の配合量が、前記（Ｃ）溶剤１００質量％に対して、４５質量％以上７５質量％以下であり、前記（Ｅ）はんだ粉末におけるはんだの融点が、２００℃以上２５０℃以下であることを特徴とするものである。

本発明のはんだ組成物においては、前記（Ｃ１）沸点が３６０℃以上４５０℃以下である溶剤の配合量が、前記（Ｃ）溶剤１００質量％に対して、４５質量％以上６５質量％以下であることが好ましい。
本発明のはんだ組成物においては、前記（Ｄ）チクソ剤の配合量が、３質量％以上７質量％以下であることが好ましい。
本発明の電子基板の製造方法は、前記はんだ組成物を用いて、電子部品を電子基板に実装することを特徴とする方法である。

本発明によれば、プリヒート時におけるダレ、フラックス残さのべたつき、チップ脇ボールおよびボイドを十分に抑制できるはんだ組成物、並びにそれを用いた電子基板の製造方法を提供できる。

本発明のはんだ組成物は、以下説明するフラックス組成物と、以下説明する（Ｅ）はんだ粉末とを含有するものである。

［フラックス組成物］
まず、本発明に用いるフラックス組成物について説明する。本発明に用いるフラックス組成物は、はんだ組成物におけるはんだ粉末以外の成分であり、（Ａ）ロジン系樹脂、（Ｂ）活性剤、（Ｃ）溶剤および（Ｄ）チクソ剤を含有するものである。

［（Ａ）成分］
本発明に用いる（Ａ）ロジン系樹脂としては、ロジン類およびロジン系変性樹脂が挙げられる。ロジン類としては、ガムロジン、ウッドロジン、トール油ロジン、不均化ロジン、重合ロジン、水素添加ロジンおよびこれらの誘導体などが挙げられる。ロジン系変性樹脂としては、ディールス・アルダー反応の反応成分となり得る前記ロジン類の不飽和有機酸変性樹脂（（メタ）アクリル酸などの脂肪族の不飽和一塩基酸、フマル酸、マレイン酸などのα，β−不飽和カルボン酸などの脂肪族不飽和二塩基酸、桂皮酸などの芳香族環を有する不飽和カルボン酸などの変性樹脂）およびアビエチン酸の変性樹脂、並びに、これらの変性物を主成分とするものなどが挙げられる。これらのロジン系樹脂は１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。

前記（Ａ）成分の配合量は、フラックス組成物１００質量％に対して、２０質量％以上６０質量％以下であることが好ましく、２５質量％以上５０質量％以下であることがより好ましい。（Ａ）成分の配合量が前記下限未満では、はんだ付ランドの銅箔面の酸化を防止してその表面に溶融はんだを濡れやすくする、いわゆるはんだ付性が低下し、はんだボールが生じやすくなる傾向にあり、他方、前記上限を超えると、フラックス残さ量が多くなる傾向にある。

［（Ｂ）成分］
本発明に用いる（Ｂ）活性剤としては、有機酸、非解離性のハロゲン化化合物からなる非解離型活性剤、アミン系活性剤などが挙げられる。これらの活性剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。なお、これらの中でも、環境対策の観点や、はんだ付け部分での腐食を抑制するという観点からは、有機酸、アミン系活性剤（ハロゲンを含有しないもの）を用いることが好ましく、有機酸を用いることがより好ましい。
前記有機酸としては、以下説明する（Ｂ１）重合脂肪酸および（Ｂ２）脂肪族ジカルボン酸を用いることが好ましい。
本発明に用いる（Ｂ１）重合脂肪酸としては、不飽和脂肪酸の重合によって生成される脂肪酸が挙げられる。この（Ｂ１）成分により、はんだ粉末の再酸化を防止できる傾向があるために、他の活性剤の作用を相乗的に高めることができる。
この不飽和脂肪酸の炭素数は、特に限定されないが、８以上２０以下であることが好ましく、１２以上１８以下であることがより好ましく、１８であることが特に好ましい。また、この重合脂肪酸としては、特に限定されないが、二塩基酸または三塩基酸を主成分とするものが好ましい。具体的には、ダイマー酸、トリマー酸などが挙げられる。
前記（Ｂ１）成分の配合量は、前記フラックス組成物１００質量％に対して、０．１質量％以上１２質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以上１０質量％以下であることがより好ましい。配合量が前記下限未満では、はんだ付け性が低下する傾向にあり、他方、前記上限を超えると、絶縁性が低下し、フラックス残さのべたつきが発生しやすくなる傾向にある。

本発明に用いる（Ｂ２）脂肪族ジカルボン酸は、アルキレン基を有する二塩基酸である。この脂肪族ジカルボン酸の炭素数は、特に限定されないが、３以上２０以下であることが好ましく、５以上２０以下であることがより好ましい。この脂肪族ジカルボン酸としては、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、およびセバシン酸などが挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
前記（Ｂ２）成分の配合量は、前記フラックス組成物１００質量％に対して、０．１質量％以上１０質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以上８質量％以下であることがより好ましい。配合量が前記下限未満では、はんだ付け性が低下する傾向にあり、他方、前記上限を超えると、絶縁信頼性が低下する傾向にある。

前記（Ｂ）成分においては、前記（Ｂ１）成分および前記（Ｂ２）成分以外のその他の有機酸（以下（Ｂ３）成分という）をさらに含有してもよい。
（Ｂ３）成分としては、モノカルボン酸、その他の有機酸が挙げられる。
モノカルボン酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ブチリック酸、バレリック酸、カプロン酸、エナント酸、カプリン酸、ラウリル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、ツベルクロステアリン酸、アラキジン酸、ベヘニン酸、およびリグノセリン酸などが挙げられる。
その他の有機酸としては、グリコール酸、レブリン酸、乳酸、アクリル酸、アニス酸、クエン酸、およびピコリン酸などが挙げられる。
これらの（Ｂ３）成分は１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
前記（Ｂ３）成分の配合量は、前記フラックス組成物１００質量％に対して、０．１質量％以上８質量％以下であることが好ましく、０．２質量％以上５質量％以下であることがより好ましい。

前記（Ｂ）成分においては、（Ｂ４）非解離性のハロゲン化化合物からなる非解離型活性剤をさらに含有してもよい。この（Ｂ４）成分は、前記（Ｂ１）成分〜前記（Ｂ３）成分の活性作用にほとんど影響を与えずに、（Ｂ４）成分としての活性作用を付与できる。

前記（Ｂ４）成分としては、ハロゲン原子が共有結合により結合した非塩系の有機化合物が挙げられる。このハロゲン化化合物としては、塩素化物、臭素化物、フッ化物のように塩素、臭素、フッ素の各単独元素の共有結合による化合物でもよいが、塩素、臭素およびフッ素の任意の２つまたは全部のそれぞれの共有結合を有する化合物でもよい。これらの化合物は、水性溶媒に対する溶解性を向上させるために、例えばハロゲン化アルコールやハロゲン化カルボキシル化合物のように水酸基やカルボキシル基などの極性基を有することが好ましい。ハロゲン化アルコールとしては、例えば２，３−ジブロモプロパノール、２，３−ジブロモブタンジオール、トランス−２，３−ジブロモ−２−ブテン−１，４−ジオール、１，４−ジブロモ−２−ブタノール、トリブロモネオペンチルアルコールなどの臭素化アルコール、１，３−ジクロロ−２−プロパノール、１，４−ジクロロ−２−ブタノールなどの塩素化アルコール、３−フルオロカテコールなどのフッ素化アルコール、その他これらに類する化合物が挙げられる。ハロゲン化カルボキシル化合物としては、２−ヨード安息香酸、３−ヨード安息香酸、２−ヨードプロピオン酸、５−ヨードサリチル酸、５−ヨードアントラニル酸などのヨウ化カルボキシル化合物、２−クロロ安息香酸、３−クロロプロピオン酸などの塩化カルボキシル化合物、２，３−ジブロモプロピオン酸、２，３−ジブロモコハク酸、２−ブロモ安息香酸などの臭素化カルボキシル化合物、その他これらに類する化合物が挙げられる。これらの活性剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。

前記（Ｂ４）成分の配合量としては、フラックス組成物１００質量％に対して、０．１質量％以上１０質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以上５質量％以下であることがより好ましく、１質量％以上３質量％以下であることが特に好ましい。（Ｂ４）成分の配合量が前記下限未満では、はんだ濡れ広がりが低下する傾向にあり、他方、前記上限を超えると、フラックス組成物の絶縁性が低下する傾向にある。

前記（Ｂ）成分の合計配合量としては、フラックス組成物１００質量％に対して、１質量％以上３０質量％以下であることが好ましく、５質量％以上２５質量％以下であることがより好ましく、８質量％以上２２質量％以下であることが特に好ましい。（Ｂ）成分の配合量が前記下限未満では、はんだボールが生じやすくなる傾向にあり、他方、前記上限を超えると、フラックス組成物の絶縁性が低下する傾向にある。

［（Ｃ）成分］
本発明に用いる（Ｃ）溶剤は、（Ｃ１）沸点が３６０℃以上４５０℃以下である溶剤、および、（Ｃ２）沸点が２６０℃以上２９０℃以下である溶剤を含有することが必要である。（Ｃ１）成分として、沸点が３６０℃未満のもの用いた場合、或いは、（Ｃ２）成分として、沸点が２６０℃未満のものを用いた場合には、下面電極基板におけるボイドが発生してしまう。他方、（Ｃ１）成分として、沸点が４５０℃を超えるものを用いた場合、或いは、（Ｃ２）成分として、沸点が２９０℃を超えるものを用いた場合には、プリヒート時におけるダレ、フラックス残さのべたつき、チップ脇ボールが発生し、またボイドの抑制効果も不十分となる。
また、上記のような観点から、前記（Ｃ１）成分の沸点は、３７０℃以上４４０℃以下であることがより好ましい。また、前記（Ｃ２）成分の沸点は、２７０℃以上２８５℃以下であることがより好ましい。
なお、本明細書において、沸点とは、１０１３ｈＰａにおける沸点のことをいう。

また、本発明において、前記（Ｃ１）成分の配合量は、（Ｃ）成分１００質量％に対して、４５質量％以上７５質量％以下であることが必要である。（Ｃ１）成分が４５質量％未満の場合には、下面電極基板におけるボイドの抑制効果が不十分となる。他方、（Ｃ１）成分が７５質量％を超える場合には、プリヒート時におけるダレ、フラックス残さのべたつき、チップ脇ボールが発生してしまう。
さらに、プリヒート時におけるダレ、フラックス残さのべたつき、チップ脇ボールおよびボイドなどをバランスよく抑制するという観点から、前記（Ｃ１）成分の配合量は、（Ｃ）成分１００質量％に対して、４５質量％以上６５質量％以下であることが好ましく、５０質量％以上６２．５質量％以下であることがより好ましい。
なお、前記（Ｃ）成分は、本発明の効果を達成できる範囲において、前記（Ｃ１）成分および前記（Ｃ２）成分以外の他の溶剤を含有できる。ただし、この場合に、他の溶剤の含有量は、前記（Ｃ）成分１００質量％に対して、１質量％以下であることが好ましく、０．１質量％以下であることがより好ましい。

前記（Ｃ１）成分としては、例えば、トリメリット酸トリス（２−エチルヘキシル）（４００℃）、フタル酸ビス（２−エチルヘキシル）（３８６℃）、フタル酸ジイソノニル（４０３℃）、セバシン酸ビス（２-エチルヘキシル）（４３６℃）、およびアジピン酸ビス（２−エチルヘキシル）（３７４℃）などのエステル系溶剤が挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。なお、括弧内に記載の温度は、上記の溶剤の沸点である。

前記（Ｃ２）成分としては、例えば、テトラエチレングリコールジメチルエーテル（２７６℃）、ジエチレングリコールモノ２−ヘキシルエーテル（２７２℃）、トリエチレングリコールモノブチルエーテル（２７１℃）、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル（２８３℃）、およびトリプロピレングリコールモノブチルエーテル（２７４℃）などのグリコールエーテル系溶剤が挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。なお、括弧内に記載の温度は、上記の溶剤の沸点である。

前記（Ｃ）成分の配合量は、フラックス組成物１００質量％に対して、２０質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、２５質量％以上５０質量％以下であることがより好ましい。溶剤の配合量が前記範囲内であれば、得られるはんだ組成物の粘度を適正な範囲に適宜調整できる。

［（Ｄ）成分］
本発明に用いる（Ｄ）チクソ剤としては、硬化ひまし油、アミド類、カオリン、コロイダルシリカ、有機ベントナイト、ガラスフリットなどが挙げられる。これらのチクソ剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。

前記（Ｄ）成分を用いる場合、その配合量は、フラックス組成物１００質量％に対して、３質量％以上１５質量％以下であることが好ましく、３質量％以上７質量％以下であることがより好ましい。配合量が前記下限未満では、チクソ性が得られず、ダレが生じやすくなる傾向にあり、他方、前記上限を超えると、チクソ性が高すぎて、印刷不良となりやすい傾向にある。

［他の成分］
本発明に用いるフラックス組成物には、前記（Ａ）成分、前記（Ｂ）成分、前記（Ｃ）成分および前記（Ｄ）成分の他に、必要に応じて、その他の添加剤、更には、その他の樹脂を加えることができる。その他の添加剤としては、消泡剤、酸化防止剤、改質剤、つや消し剤、発泡剤などが挙げられる。その他の樹脂としては、アクリル系樹脂などが挙げられる。

［はんだ組成物］
次に、本発明のはんだ組成物について説明する。本発明のはんだ組成物は、前記本発明のフラックス組成物と、以下説明する（Ｅ）はんだ粉末とを含有するものである。
前記フラックス組成物の配合量は、はんだ組成物１００質量％に対して、５質量％以上３５質量％以下であることが好ましく、７質量％以上１５質量％以下であることがより好ましく、８質量％以上１２質量％以下であることが特に好ましい。フラックス組成物の配合量が５質量％未満の場合（はんだ粉末の配合量が９５質量％を超える場合）には、バインダーとしてのフラックス組成物が足りないため、フラックス組成物とはんだ粉末とを混合しにくくなる傾向にあり、他方、フラックス組成物の配合量が３５質量％を超える場合（はんだ粉末の配合量が６５質量％未満の場合）には、得られるはんだ組成物を用いた場合に、十分なはんだ接合を形成できにくくなる傾向にある。

［（Ｅ）成分］
本発明に用いる（Ｅ）はんだ粉末は、鉛フリーはんだ粉末のみからなることが好ましいが、有鉛のはんだ粉末であってもよい。このはんだ粉末におけるはんだ合金としては、スズ（Ｓｎ）を主成分とする合金が好ましい。また、この合金の第二元素としては、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）およびアンチモン（Ｓｂ）などが挙げられる。さらに、この合金には、必要に応じて他の元素（第三元素以降）を添加してもよい。他の元素としては、銅、銀、ビスマス、インジウム、アンチモン、およびアルミニウム（Ａｌ）などが挙げられる。
ここで、鉛フリーはんだ粉末とは、鉛を添加しないはんだ金属または合金の粉末のことをいう。ただし、鉛フリーはんだ粉末中に、不可避的不純物として鉛が存在することは許容されるが、この場合に、鉛の量は、１００質量ｐｐｍ以下であることが好ましい。

鉛フリーのはんだ粉末としては、具体的には、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ｚｎ−Ａｌ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ−Ｉｎ−Ｓｂ、Ｉｎ−Ａｇなどが挙げられる。これらの中でも、はんだ接合の強度の観点から、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のはんだ合金が好ましく用いられている。そして、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のはんだの融点は、通常２００℃以上２５０℃以下である。なお、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のはんだの中でも、銀含有量が低い系のはんだの融点は、２１０℃以上２５０℃以下である。

前記（Ｅ）成分の平均粒子径は、通常１μｍ以上４０μｍ以下であるが、はんだ付けパッドのピッチが狭い電子基板にも対応するという観点から、１μｍ以上２５μｍ以下であることがより好ましく、２μｍ以上２０μｍ以下であることがさらにより好ましく、３μｍ以上１５μｍ以下であることが特に好ましい。なお、平均粒子径は、動的光散乱式の粒子径測定装置により測定できる。

［はんだ組成物の製造方法］
本発明のはんだ組成物は、上記説明したフラックス組成物と上記説明した（Ｅ）はんだ粉末とを上記所定の割合で配合し、撹拌混合することで製造できる。

［電子基板］
次に、本発明の電子基板について説明する。本発明の電子基板は、以上説明したはんだ組成物を用いて電子部品を電子基板（プリント配線基板など）に実装したことを特徴とするものである。
ここで用いる塗布装置としては、スクリーン印刷機、メタルマスク印刷機、ディスペンサー、ジェットディスペンサーなどが挙げられる。
また、前記塗布装置にて塗布したはんだ組成物上に電子部品を配置し、リフロー炉により所定条件にて加熱して、前記電子部品をプリント配線基板に実装するリフロー工程により、電子部品を電子基板に実装できる。

リフロー工程においては、前記はんだ組成物上に前記電子部品を配置し、リフロー炉により所定条件にて加熱する。このリフロー工程により、電子部品およびプリント配線基板の間に十分なはんだ接合を行うことができる。その結果、前記電子部品を前記プリント配線基板に実装することができる。
リフロー条件は、はんだの融点に応じて適宜設定すればよい。例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のはんだ合金を用いる場合には、プリヒートを温度１５０〜２００℃で６０〜１２０秒行い、ピーク温度を２３０〜２７０℃に設定すればよい。

また、本発明のはんだ組成物および電子基板は、前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良などは本発明に含まれるものである。
例えば、前記電子基板では、リフロー工程により、プリント配線基板と電子部品とを接着しているが、これに限定されない。例えば、リフロー工程に代えて、レーザー光を用いてはんだ組成物を加熱する工程（レーザー加熱工程）により、プリント配線基板と電子部品とを接着してもよい。この場合、レーザー光源としては、特に限定されず、金属の吸収帯に合わせた波長に応じて適宜採用できる。レーザー光源としては、例えば、固体レーザー（ルビー、ガラス、ＹＡＧなど）、半導体レーザー（ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰなど）、液体レーザー（色素など）、気体レーザー（Ｈｅ−Ｎｅ、Ａｒ、ＣＯ_２、エキシマーなど）が挙げられる。

次に、本発明を実施例および比較例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。なお、実施例および比較例にて用いた材料を以下に示す。
（（Ａ）成分）
ロジン系樹脂：水添酸変性ロジン、商品名「パインクリスタルＫＥ−６０４」、荒川化学工業社製
（（Ｂ１）成分）
活性剤Ａ：ダイマー酸、商品名「ＵＮＩＤＹＭＥ１４」、アリゾナケミカル社製
（（Ｂ２）成分）
活性剤Ｂ：スベリン酸
活性剤Ｃ：エイコサン二酸、商品名「ＳＬ−２０」、岡村製油社製
（（Ｃ１）成分）
溶剤Ａ：トリメリット酸トリス（２−エチルヘキシル）（沸点４００℃）
溶剤Ｂ：フタル酸ビス（２−エチルヘキシル）（沸点３８６℃）
溶剤Ｃ：フタル酸ジイソノニル（沸点４０３℃）
溶剤Ｄ：セバシン酸ビス（２-エチルヘキシル）（沸点４３６℃）
溶剤Ｅ：アジピン酸ビス（２−エチルヘキシル）（沸点３７４℃）
（（Ｃ２）成分）
溶剤Ｆ：テトラエチレングリコールジメチルエーテル（沸点２７６℃）
溶剤Ｇ：ジエチレングリコールモノ２−ヘキシルエーテル（沸点２７２℃）
（（Ｄ）成分）
チクソ剤：商品名「スリパックスＺＨＨ」、日本化成社製
（（Ｅ）成分）
はんだ粉末：粒子径５〜１５μｍ（平均粒子径１０μｍ）、はんだ融点２２０℃、はんだ組成Ｓｎ／Ａｇ３．０／Ｃｕ０．５
（他の成分）
溶剤Ｈ：ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（沸点２５９℃）
溶剤Ｉ：ジエチレングリコールジメチルエーテル（沸点１６２℃）
液状ポリマー：ポリエチレンポリプロピレングリコール、商品名「プロノン＃１０４」、日油社製
酸化防止剤：商品名「ナウガードＸＬ−１」、和光純薬工業社製

［実施例１］
ロジン系樹脂３５質量部、活性剤Ａ１０質量部、活性剤Ｂ３質量部、活性剤Ｃ５質量部、チクソ剤５質量部、溶剤Ａ３０質量部、溶剤Ｆ１０質量部および酸化防止剤２質量部を容器に投入し、プラネタリーミキサーを用いて混合してフラックス組成物を得た。
その後、得られたフラックス組成物１１質量％およびはんだ粉末８９質量％（合計で１００質量％）を容器に投入し、プラネタリーミキサーにて混合することではんだ組成物を調製した。

［実施例２〜７］
表１に示す組成に従い各材料を配合した以外は実施例１と同様にして、はんだ組成物を得た。
［比較例１〜７］
表１に示す組成に従い各材料を配合した以外は実施例１と同様にして、はんだ組成物を得た。

＜はんだ組成物の評価＞
はんだ組成物の評価（プリヒート時におけるダレ、フラックス残さのべたつき、チップ脇ボール、ＬＧＡボイド）を以下のような方法で行った。得られた結果を表１に示す。
（１）プリヒート時におけるダレ
清浄した銅張積層基板（大きさ：２５ｍｍ×５０ｍｍ、厚み：１．６ｍｍ）を準備する。３．０ｍｍ×１．５ｍｍのパターン孔を有し、それを０．１ｍｍから１．２ｍｍまで０．１ｍｍステップで配置しているパターン孔を有する厚み０．２ｍｍ（誤差は０．００１ｍｍ以内）のメタルマスクを使用し、この銅張積層基板上にはんだ組成物を印刷して試験基板とする。なお、試験基板は２枚作成する。そして、１５０℃に加熱された炉中に試験基板を入れ、１分間加熱する。加熱後の試験基板２枚をそれぞれ観察し、パターン孔のうち、印刷されたはんだ組成物が一体にならない最小間隔を測定する。そして、下記の基準に従って、プリヒート時におけるダレを評価した。
◎：最小間隔が、０．３ｍｍ以下であり、印刷形状が完全に維持されている。
○：最小間隔が、０．３ｍｍ以下であるが、印刷形状が若干だれ気味である。
△：最小間隔が、０．３ｍｍ以下であるが、印刷形状がだれ気味である。
×：最小間隔が、０．３ｍｍ超である。
（２）フラックス残さのべたつき
上記（１）プリヒート時におけるダレと同様の条件にて試験基板を作製する。そして、試験基板に対し、プリヒート１５０〜１８０℃を８０秒間とピーク温度２４０℃で溶融時間を１０秒間の条件でリフロー（大気中）を行った。そして、試験基板のフラックス残さを指触して、フラックス残さのべたつきを、下記の基準にて評価した。
◎：指触の貼り付き跡が生じない。
○：指触の貼り付き跡が若干生じる。
△：指触の貼り付き跡が生じる。
×：指に樹脂成分が付着する。
（３）チップ脇ボール
チップ（大きさ：１．６ｍｍ×０．８ｍｍ）を実装できる電極（大きさ：０．５ｍｍ×０．８ｍｍ）を有する基板上に、対応するパターンを有するメタルマスク（厚み：１５０μｍ）を用い、はんだ組成物を印刷した。その後、はんだ組成物上にチップを搭載して、プリヒート１５０〜１８０℃を８０秒間とピーク温度２４０℃で溶融時間を１０秒間の条件でリフロー（大気中）を行い、試験基板を作製した。試験基板を目視にて観察して、チップ脇にあるはんだボールの数（チップ脇ボール数）を測定した。
（４）ＬＧＡボイド
ＬＧＡ（大きさ：１．５ｍｍ×１．５ｍｍ、ランド：金めっき、ランドの直径：０．８ｍｍφ）を実装できる電極を有する基板上に、対応するパターンを有するメタルマスク（厚み：１５０μｍ）を用い、はんだ組成物を印刷した。その後、はんだ組成物上にＬＧＡを搭載して、プリヒート１５０〜１８０℃を８０秒間とピーク温度２３０℃で溶融時間を１０秒間の条件でリフロー（大気中）を行い、試験基板を作製した。得られた試験基板を、Ｘ線検査装置（「ＮＬＸ−５０００」、ＮＡＧＯＹＡ ＥＲＥＣＴＲＩＣ ＷＯＲＫＳ社製）を用いて観察した。そして、ボイドの占有面積率［（ボイド面積／ランド面積）×１００］を測定するとともにその個数を数え、以下の（i）〜（iii）を評価した。
（i）占有面積率が２０％未満のボイドの数（単位：個）
（ii）占有面積率が２０％以上のボイドの数（単位：個）
（iii）最大占有面積率（観察された中で最大のボイドの占有面積率）（単位：％）

表１に示す結果からも明らかなように、（Ｃ１）成分および（Ｃ２）成分を所定量含有する本発明のはんだ組成物（実施例１〜７）を用いた場合には、プリヒート時におけるダレ、フラックス残さのべたつき、チップ脇ボールおよびＬＧＡボイドの全てが良好であることが確認された。従って、本発明のはんだ組成物は、プリヒート時におけるダレ、フラックス残さのべたつき、チップ脇ボールおよびボイドを十分に抑制できることが確認された。
これに対し、（Ｃ１）成分および（Ｃ２）成分のいずれかを含有しない場合や、（Ｃ１）成分が多過ぎたり、少な過ぎる場合（比較例１〜７）を用いた場合には、プリヒート時におけるダレ、フラックス残さのべたつき、チップ脇ボールおよびＬＧＡボイドの少なくともいずれかが不十分となることが分かった。

本発明のはんだ組成物は、電子機器のプリント配線基板などの電子基板に電子部品を実装するための技術として好適に用いることができる。

Claims (4)

1. （Ａ）ロジン系樹脂、（Ｂ）活性剤、（Ｃ）溶剤および（Ｄ）チクソ剤を含有するフラックス組成物と、（Ｅ）はんだ粉末とを含有し、
   前記（Ｃ）溶剤が、（Ｃ１）沸点が３６０℃以上４５０℃以下である溶剤、および、（Ｃ２）沸点が２６０℃以上２９０℃以下である溶剤を含有し、
   前記（Ｃ１）沸点が３６０℃以上４５０℃以下である溶剤の配合量が、前記（Ｃ）溶剤１００質量％に対して、４５質量％以上７５質量％以下であり、
   前記（Ｅ）はんだ粉末におけるはんだの融点が、２００℃以上２５０℃以下である
   ことを特徴とするはんだ組成物。
2. 請求項１に記載のはんだ組成物において、
   前記（Ｃ１）沸点が３６０℃以上４５０℃以下である溶剤の配合量が、前記（Ｃ）溶剤１００質量％に対して、４５質量％以上６５質量％以下である
   ことを特徴とするはんだ組成物。
3. 請求項１または請求項２に記載のはんだ組成物において、
   前記（Ｄ）チクソ剤の配合量が、３質量％以上７質量％以下である
   ことを特徴とするはんだ組成物。
4. 請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のはんだ組成物を用いて、電子部品を電子基板に実装することを特徴とする電子基板の製造方法。