JP6134539B2 - Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern formation method, and electronic device manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いた感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、電子デバイス及び電子デバイスの製造方法に関する。より詳細には、本発明は、超LSI及び高容量マイクロチップの製造プロセス、ナノインプリント用モールド作成プロセス並びに高密度情報記録媒体の製造プロセス等に適用可能な超マイクロリソグラフィプロセス、並びにその他のフォトファブリケーションプロセスに好適に用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いた感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、電子デバイス及び電子デバイスの製造方法に関する。 The present invention relates to an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film using the same, a pattern forming method, an electronic device, and an electronic device manufacturing method. More specifically, the present invention relates to an ultra-microlithographic process applicable to a manufacturing process of a VLSI and a high-capacity microchip, a process for producing a mold for nanoimprinting, a manufacturing process of a high-density information recording medium, and other photofabrication. The present invention relates to an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition suitably used in a process, an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film using the same, a pattern formation method, an electronic device, and a method for manufacturing an electronic device.
従来、ICやLSIなどの半導体デバイスの製造プロセスにおいては、フォトレジスト組成物を用いたリソグラフィーによる微細加工が行われている。近年、集積回路の高集積化に伴い、サブミクロン領域やクオーターミクロン領域の超微細パターン形成が要求されるようになってきている。それに伴い、露光波長もg線からi線に、更にKrFエキシマレーザー光に、というように短波長化の傾向が見られ、現在では193nm波長を有するArFエキシマレーザーを光源とする露光機が開発されている。また、更に解像力を高める技術として、従来から投影レンズと試料の間に高屈折率の液体(以下、「液浸液」ともいう)で満たす、所謂、液浸法の開発が進み、例えば、特許文献1及び2には、液浸露光用として好適な疎水性を有する化学増幅型レジスト組成物が開示されている。 Conventionally, in the manufacturing process of semiconductor devices such as IC and LSI, fine processing by lithography using a photoresist composition has been performed. In recent years, with the high integration of integrated circuits, the formation of ultrafine patterns in the submicron region and the quarter micron region has been required. Along with this trend, the trend of shortening the exposure wavelength from g-line to i-line and further to KrF excimer laser light has been observed. Currently, an exposure machine using an ArF excimer laser having a 193 nm wavelength as a light source has been developed. ing. Further, as a technique for further increasing the resolving power, development of a so-called immersion method, in which a high refractive index liquid (hereinafter also referred to as “immersion liquid”) is filled between the projection lens and the sample, has been developed. Documents 1 and 2 disclose chemically amplified resist compositions having hydrophobicity suitable for immersion exposure.
また、現在では、エキシマレーザー光以外にも、電子線、X線及び極紫外線(EUV光)等を用いたリソグラフィーも開発が進んでいる。これに伴い、各種の放射線に有効に感応し、感度及び解像度に優れた化学増幅型レジスト組成物が開発されている。これら電子線やX線、あるいはEUVリソグラフィーは、次世代若しくは次々世代のパターン形成技術として位置付けられ、高感度、高解像性のレジスト組成物が望まれている。特にウェハー処理時間の短縮化のため、高感度化は非常に重要な課題であるが、高感度化を追求しようとすると、0.25μm以下の超微細領域では、解像力が低下するだけでなく、パターン微細化に伴うパターン倒れの問題が顕著となる。 At present, in addition to excimer laser light, lithography using electron beams, X-rays, extreme ultraviolet rays (EUV light), and the like is also being developed. Accordingly, a chemically amplified resist composition that is sensitive to various types of radiation and has excellent sensitivity and resolution has been developed. These electron beams, X-rays, or EUV lithography are positioned as next-generation or next-generation pattern forming techniques, and high-sensitivity and high-resolution resist compositions are desired. In particular, high sensitivity is a very important issue for shortening the wafer processing time, but when trying to achieve high sensitivity, not only does the resolution decrease in the ultrafine region of 0.25 μm or less, The problem of pattern collapse accompanying pattern miniaturization becomes significant.
更に、EUV光リソグラフィーにおいては、露光光源からのアウトバンド光(EUVの波長以外の紫外線)が発生し、パターン形状を劣化させることが知られている(例えば、非特許文献1および2を参照)。 Furthermore, in EUV lithography, it is known that out-of-band light (ultraviolet light other than the wavelength of EUV) is generated from an exposure light source and the pattern shape is deteriorated (see, for example, Non-Patent Documents 1 and 2). .
パターンの超微細化に伴うパターン倒れの問題を改善するために、レジスト組成物を疎水化した場合、疎水化の方法によってはリソグラフィー特性に対する悪影響がみられる場合があり、例えば、アルカリ現像液との親和性、浸透性が低下し、感度低下やラフネス特性が悪化したり、現像欠陥が引き起こされる場合があることが本発明者らにより見出された。 When the resist composition is hydrophobized in order to improve the problem of pattern collapse due to ultrafine patterning, there is a case where an adverse effect on lithography properties may be observed depending on the hydrophobizing method. It has been found by the present inventors that the affinity and penetrability are lowered, the sensitivity is lowered and roughness characteristics are deteriorated, and development defects are sometimes caused.
したがって、感度、解像性、ラフネス特性、パターン形状及び現像欠陥の抑制能に優れ、且つ、EUV露光に対してはアウトバンド光によるパターン形状の劣化(膜べり)を抑制することが可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の開発が望まれる。 Therefore, it has excellent sensitivity, resolution, roughness characteristics, pattern shape and ability to suppress development defects, and for EUV exposure, it is possible to suppress pattern shape deterioration (film slippage) due to out-of-band light. Development of an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition is desired.
本発明は、感度、解像性、ラフネス特性、パターン形状及び現像欠陥の抑制能に優れ、且つ、特にEUV露光に対してはアウトバンド光によるパターン形状の劣化(膜べり)の抑制能に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法、並びに、電子デバイス及び電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。 The present invention is excellent in sensitivity, resolution, roughness characteristics, pattern shape and ability to suppress development defects, and particularly excellent in suppression of pattern shape deterioration (film slippage) due to out-of-band light for EUV exposure. It is an object of the present invention to provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, a pattern formation method, an electronic device, and a method for manufacturing the electronic device.
本発明は、例えば、以下の通りである。
[1] 一般式(KA−1)又は(KB−1)で表される構造における−COO−で表される基を少なくとも2つ以上有する繰り返し単位(c)を含有する樹脂(Aa)、一般式(A)で表される繰り返し単位を有し、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂(Ab)、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
[1] Resin (Aa) containing a repeating unit (c) having at least two groups represented by —COO— in the structure represented by the general formula (KA-1) or (KB-1), A resin (Ab) having a repeating unit represented by formula (A), the solubility of which changes in the developer by the action of an acid, and a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation; Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.
一般式(KA−1)中、
Zkaは、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基、ラクトン環基、又は電子求引性基を表す。Zkaが複数存在する場合、複数のZkaは同じでも異なっていてもよく、Zka同士が連結して環を形成してもよい。
nkaは0〜10の整数を表す。
Qは、式中の原子と共にラクトン環を形成するのに必要な原子群を表す。
In general formula (KA-1),
Z ka represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an ether group, a hydroxyl group, an amide group, an aryl group, a lactone ring group, or an electron withdrawing group. If Z ka there are a plurality, the plurality of Z ka may be the same or different, may be connected to form a ring Z ka each other.
nka represents an integer of 0 to 10.
Q represents an atomic group necessary for forming a lactone ring together with atoms in the formula.
一般式(KB−1)中、
Xkb1及びXkb2は、各々独立して電子求引性基を表す。
nkb及びnkb’は、各々独立して0又は1を表す。
Rkb1、Rkb2、Rkb3及びRkb4は、各々独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又は電子求引性基を表す。Rkb1、Rkb2及びXkb1の少なくとも2つが互いに連結して環を形成していてもよく、Rkb3、Rkb4及びXkb2の少なくとも2つが互いに連結して環を形成していてもよい。
X kb1 and X kb2 each independently represent an electron withdrawing group.
nkb and nkb ′ each independently represent 0 or 1.
R kb1 , R kb2 , R kb3 and R kb4 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or an electron withdrawing group. At least two of R kb1 , R kb2 and X kb1 may be connected to each other to form a ring, and at least two of R kb3 , R kb4 and X kb2 may be connected to each other to form a ring.
式中、
R21、R22及びR23は、各々独立に、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。但し、R22はAr2と結合して環を形成していてもよく、その場合のR22は単結合又はアルキレン基を表す。
X2は、単結合、−COO−、又は−CONR30−を表し、R30は、水素原子又はアルキル基を表す。
L2は、単結合又はアルキレン基を表す。
Ar2は、(n+1)価の芳香環基を表し、R22と結合して環を形成する場合には(n+2)価の芳香環基を表す。
nは、1〜4の整数を表す。
Where
R 21 , R 22 and R 23 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group. However, R 22 may be bonded to Ar 2 to form a ring, in which case R 22 represents a single bond or an alkylene group.
X 2 represents a single bond, —COO—, or —CONR 30 —, and R 30 represents a hydrogen atom or an alkyl group.
L 2 represents a single bond or an alkylene group.
Ar 2 represents an (n + 1) -valent aromatic ring group, and represents an (n + 2) -valent aromatic ring group when bonded to R 22 to form a ring.
n represents an integer of 1 to 4.
[2] 樹脂(Aa)が有する繰り返し単位(c)が下記一般式(KY−3)で表される構造を含む、[1]に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
一般式(KY−3)中、
Rsは、鎖状若しくは環状アルキレン基を表し、複数個ある場合は、同じでも異なっていてもよい。
Lsは、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表し、複数ある場合は、同じでも異なっていてもよい。
nsは、−(Rs−Ls)−で表される連結基の繰り返し数を表し、0〜5の整数を表す。
Lkyはアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。
Zkaは、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基、ラクトン環基、又は電子求引性基を表す。Zkaが複数存在する場合、複数のZkaは同じでも異なっていてもよく、Zka同士が連結して環を形成してもよい。
nkaは、0〜10の整数を表す。
Rkb1及びRkb2は、各々独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又は電子求引性基を表し、Rkb1、Rkb2及びRky5の少なくとも2つが互いに連結して環を形成していてもよい。
nkbは、0又は1を表す。
Rky5は電子求引性基を表す。
In general formula (KY-3),
Rs represents a chain or cyclic alkylene group, and when there are a plurality of Rs, they may be the same or different.
Ls represents a single bond, an ether bond, an ester bond, an amide bond, a urethane bond or a urea bond, and when there are a plurality of Ls, they may be the same or different.
ns represents the number of repeating linking groups represented by-(Rs-Ls)-, and represents an integer of 0 to 5.
L ky represents an alkylene group, an oxygen atom or a sulfur atom.
Z ka represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an ether group, a hydroxyl group, an amide group, an aryl group, a lactone ring group, or an electron withdrawing group. If Z ka there are a plurality, the plurality of Z ka may be the same or different, may be connected to form a ring Z ka each other.
nka represents an integer of 0 to 10.
R kb1 and R kb2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or an electron withdrawing group, and at least two of R kb1 , R kb2, and R ky5 are connected to each other. A ring may be formed.
nkb represents 0 or 1.
R ky5 represents an electron withdrawing group.
[3] 樹脂(Aa)が、さらに、フッ素原子、フッ素原子を有する基、珪素原子を有する基、炭素数が6以上のアルキル基、炭素数が5以上のシクロアルキル基、炭素数が6以上のアリール基、及び、炭素数が7以上のアラルキル基からなる群より選択される1つ以上の基を有する繰り返し単位(Aa3)を含む、[1]又は[2]に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。 [3] The resin (Aa) is further a fluorine atom, a group having a fluorine atom, a group having a silicon atom, an alkyl group having 6 or more carbon atoms, a cycloalkyl group having 5 or more carbon atoms, or 6 or more carbon atoms. The actinic ray-sensitive material according to [1] or [2], comprising a repeating unit (Aa3) having one or more groups selected from the group consisting of an aryl group of 1 and an aralkyl group having 7 or more carbon atoms Or a radiation sensitive resin composition.
[4] 樹脂(Aa)が、さらに下記一般式(Aa4)で表される繰り返し単位を含む、[1]〜[3]のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
一般式(aa2−1)中、
Rbは、水素原子、アルキル基又はハロゲン原子を表す。
S1aは置換基を表し、複数存在する場合は各々独立である。
pは0〜5の整数を表す。
In general formula (aa2-1),
Rb represents a hydrogen atom, an alkyl group or a halogen atom.
S 1a represents a substituent, and when a plurality of S 1a are present, each is independent.
p represents an integer of 0 to 5.
[5] 樹脂(Aa)が、さらに、酸の作用により分解する基を有する繰り返し単位を含む、[1]〜[4]のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。 [5] The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of [1] to [4], wherein the resin (Aa) further includes a repeating unit having a group that is decomposed by the action of an acid. object.
[6] 酸の作用により分解する基を有する前記繰り返し単位が下記一般式(Aa1)又は(Aa2)で表される、[5]に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
一般式(Aa1)中、
R’は水素原子又はアルキル基を表す。
Lは単結合又は2価の連結基を表す。
R1は水素原子又は1価の置換基を表す。
R2は1価の置換基を表す。R1とR2とが互いに結合し、式中の酸素原子と共に環を形成してもよい。
R3は水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
In general formula (Aa1),
R ′ represents a hydrogen atom or an alkyl group.
L represents a single bond or a divalent linking group.
R 1 represents a hydrogen atom or a monovalent substituent.
R 2 represents a monovalent substituent. R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a ring together with the oxygen atom in the formula.
R 3 represents a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group.
一般式(Aa2)中、
Raは水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
L1は単結合又は2価の連結基を表す。
R1及びR2はそれぞれ独立にアルキル基を表す。
R11及びR12はそれぞれ独立にアルキル基を表し、R13は水素原子又はアルキル基を表す。R11、R12及びR13のいずれか2つは互いに連結して環を形成してもよい。
In general formula (Aa2),
Ra represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group, or a halogen atom.
L 1 represents a single bond or a divalent linking group.
R 1 and R 2 each independently represents an alkyl group.
R 11 and R 12 each independently represents an alkyl group, and R 13 represents a hydrogen atom or an alkyl group. Any two of R 11 , R 12 and R 13 may be connected to each other to form a ring.
[7] 樹脂(Ab)が、一般式(A)で表される繰り返し単位として少なくとも下記式(Ab1)又は(Ab2)で表される繰り返し単位を含む、[1]〜[6]のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
式(A2)中、R23は、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。 In Formula (A2), R 23 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a halogen atom, a cyano group, or an alkoxycarbonyl group.
[8] 樹脂(Aa)の含有率が、該組成物中の全固形分を基準として0.01〜30質量%の範囲である、[1]〜[7]のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
[9] 樹脂(Aa)の含有率が、該組成物中の全固形分を基準として0.01〜20質量%の範囲である、[1]〜[7]のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
[10] 樹脂(Aa)の含有率が、該組成物中の全固形分を基準として0.01〜10質量%の範囲である、[1]〜[7]のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
[11] 樹脂(Aa)の含有率が、該組成物中の全固形分を基準として0.01〜5質量%の範囲である、[1]〜[7]のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
[8] The content of the resin (Aa) according to any one of [1] to [7], in which the content is in the range of 0.01 to 30% by mass based on the total solid content in the composition. An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.
[9] The content of the resin (Aa) according to any one of [1] to [7], in which the content is in a range of 0.01 to 20% by mass based on the total solid content in the composition. An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.
[10] The content of the resin (Aa) according to any one of [1] to [7], in which the content is in a range of 0.01 to 10% by mass based on the total solid content in the composition. An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.
[11] The content of the resin (Aa) according to any one of [1] to [7], in which the content is in a range of 0.01 to 5% by mass based on the total solid content in the composition. An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.
[12] [1]〜[11]のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射性樹脂組成物を用いて形成された感活性光線性又は感放射線性膜。 [12] An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film formed using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of [1] to [11].
[13] [1]〜[11]のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて感活性光線性又は感放射線性膜を形成すること、前記感活性光線性又は感放射線性膜に活性光線又は放射線を照射して露光すること、露光した前記感活性光線性または感放射線性膜を現像することを含むパターン形成方法。
[14] 前記活性光線又は放射線として電子線又は極紫外線が用いられる、[13]に記載のパターン形成方法。
[13] Forming an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition described in any one of [1] to [11], the actinic ray A pattern forming method comprising exposing a light-sensitive or radiation-sensitive film by irradiating with actinic light or radiation and developing the exposed light-sensitive or radiation-sensitive film.
[14] The pattern forming method according to [13], wherein an electron beam or extreme ultraviolet rays is used as the actinic ray or radiation.
[15] [13]又は[14]に記載のパターン形成方法を含む工程を経て製造される半導体デバイス。
[16] [13]又は[14]に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
[15] A semiconductor device manufactured through a process including the pattern forming method according to [13] or [14].
[16] A method for manufacturing an electronic device, comprising the pattern forming method according to [13] or [14].
本発明により、感度、解像性、ラフネス特性、パターン形状及び現像欠陥の抑制能に優れ、且つ、特にEUV露光に対してはアウトバンド光によるパターン形状の劣化(膜べり)の抑制能に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法、並びに、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供することが可能となった。 According to the present invention, the sensitivity, resolution, roughness characteristics, pattern shape and development defect suppressing ability are excellent, and especially for EUV exposure, the pattern shape deterioration (film slippage) due to out-band light is excellent. It has become possible to provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film and a pattern formation method, an electronic device manufacturing method, and an electronic device.
本明細書に於ける基(原子団)の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。 In the description of the group (atomic group) in this specification, the description which does not indicate substitution and non-substitution includes not only a substituent but also a substituent. For example, the “alkyl group” includes not only an alkyl group having no substituent (unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).
なお、ここで「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外(EUV)線、X線、軟X線、電子線(EB)等を意味する。また、本発明において光とは、活性光線又は放射線を意味する。 Here, “active light” or “radiation” refers to, for example, an emission line spectrum of a mercury lamp, far ultraviolet rays represented by excimer laser, extreme ultraviolet (EUV) rays, X rays, soft X rays, electron rays (EB). Etc. In the present invention, light means actinic rays or radiation.
また、ここで「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、X線、EUV光などによる露光のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線による描画も露光に含める。
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
<感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物>
本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物(以下、「本発明の組成物」などともいう)は、後述する極性変換基を少なくとも2つ以上有する繰り返し単位(c)を含有する樹脂(Aa)、後述する一般式(A)で表される繰り返し単位を有し、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂(Ab)、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する。
The term “exposure” as used herein refers to not only exposure with far ultraviolet rays, X-rays, EUV light, etc., typified by mercury lamps and excimer lasers, but also drawing with particle beams such as electron beams and ion beams unless otherwise specified. Include in exposure.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
<Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition>
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to the present invention (hereinafter also referred to as “the composition of the present invention”) contains a repeating unit (c) having at least two or more polar conversion groups described below. Resin (Aa), resin (Ab) having a repeating unit represented by the general formula (A) described later, the solubility of which changes in the developer by the action of an acid, and an acid upon irradiation with actinic rays or radiation Contains generated compounds.
本発明の組成物は、一態様において、酸増殖剤、溶剤、塩基性化合物、界面活性剤及びその他の添加物から選択される少なくとも1つを更に含有する。
以下、これら各成分について説明する。
In one embodiment, the composition of the present invention further contains at least one selected from an acid proliferating agent, a solvent, a basic compound, a surfactant, and other additives.
Hereinafter, each of these components will be described.
[1]樹脂(Aa)
<繰り返し単位(c)>
樹脂(Aa)は、後掲の一般式(KA−1)又は(KB−1)で表される構造における−COO−で表される基(以下において、「極性変換基」ともいう。)を少なくとも2つ以上有する繰り返し単位(c)を含有する。樹脂(Aa)は、後述する樹脂(Ab)との親疎水性の差によって、製膜により膜の表面に偏在し、保護膜を形成することができる。極性変換基は、アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基であり、膜表層部にアルカリ現像液の作用により分解する成分が偏在することにより、アルカリ現像液との親和性が高くなり、高感度化、ラフネス特性及び現像欠陥の改善を図ることが可能となった。また、EUVリソグラフィーにおけるアウトバンド光によるパターン形状劣化(膜ベリ)も同時に改善することができる。なお、製膜により膜表面に偏在し、保護膜を形成したかどうかは、例えば、樹脂(Aa)を添加しない組成物膜の表面静止接触角(純水による接触角)と、樹脂(Aa)を添加した組成物膜の表面静止接触角とを比較して、その接触角が上昇した場合、保護層が形成されたとみなすことができる。
[1] Resin (Aa)
<Repeating unit (c)>
Resin (Aa) is a group represented by —COO— in the structure represented by the following general formula (KA-1) or (KB-1) (hereinafter also referred to as “polar conversion group”). It contains at least two or more repeating units (c). The resin (Aa) is unevenly distributed on the surface of the film by film formation due to the difference in hydrophilicity / hydrophobicity from the resin (Ab) described later, and a protective film can be formed. The polarity conversion group is a group that decomposes by the action of an alkali developer and increases the solubility in the alkali developer, and the component that decomposes by the action of the alkali developer is unevenly distributed in the surface layer portion of the film. It has become possible to improve sensitivity, roughness characteristics, and development defects. In addition, pattern shape degradation (film verification) due to out-band light in EUV lithography can be improved at the same time. Note that whether or not the protective film is formed unevenly on the film surface by film formation depends on, for example, the surface static contact angle (contact angle with pure water) of the composition film to which no resin (Aa) is added and the resin (Aa). When the contact angle of the composition film to which the composition is added is increased, it can be considered that a protective layer has been formed.
繰り返し単位(c)が、1つの側鎖上に、少なくとも2つ以上の極性変換基と、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかと、を有する繰り返し単位(c')であることが好ましい。即ち、複数の極性変換基を有する側鎖上に、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する構造をもつ繰り返し単位である。なお、フッ素原子は、後述する極性変換基における電子求引性基としてのフッ素原子であっても、該電子求引性基としてのフッ素原子とは異なるフッ素原子であってもよい。 The repeating unit (c) is preferably a repeating unit (c ′) having at least two or more polar conversion groups and at least one of a fluorine atom and a silicon atom on one side chain. That is, it is a repeating unit having a structure having at least one of a fluorine atom and a silicon atom on a side chain having a plurality of polarity converting groups. The fluorine atom may be a fluorine atom as an electron withdrawing group in a polarity conversion group described later, or may be a fluorine atom different from the fluorine atom as the electron withdrawing group.
また、繰り返し単位(c)が、少なくとも2つ以上の極性変換基を有し、かつ、フッ素原子及び珪素原子を有さない繰り返し単位(c*)であり、樹脂(Aa)がフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する後掲の繰り返し単位(Aa3)を更に有することも好ましい。 Further, the repeating unit (c) is a repeating unit (c *) having at least two or more polar conversion groups and having no fluorine atom and silicon atom, and the resin (Aa) is a fluorine atom and silicon. It is also preferable to further have the following repeating unit (Aa3) having at least one of atoms.
あるいは、繰り返し単位(c)が、1つの側鎖上に少なくとも2つ以上の極性変換基を有し、かつ、同一繰り返し単位内の前記側鎖と異なる側鎖上に、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位(c'')であることも好ましい。この場合、極性変換基を有する側鎖とフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する側鎖とは、主鎖の炭素原子を介してα位の位置関係、すなわち下記式(4)のような位置関係にあることが好ましい。式中、B1は極性変換基を有する部分構造、B2はフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する部分構造を表す。
これら樹脂(Aa)の態様のうち、繰り返し単位(c')を有することがより好ましい。
ここで、極性変換基とは、上述したように、アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基であり、後掲の一般式(KA−1)又は(KB−1)で示す構造における−COO−で表される部分構造である。
Of these embodiments of the resin (Aa), it is more preferable to have a repeating unit (c ′).
Here, as described above, the polar conversion group is a group that decomposes by the action of an alkali developer and increases the solubility in the alkali developer, and is represented by the following general formula (KA-1) or (KB). It is a partial structure represented by -COO- in the structure represented by -1).
一般式(KA−1)で表すラクトン構造は、ラクトン環を有していればいずれの基でも用いることができるが、好ましくは5〜7員環ラクトン構造を有する基であり、5〜7員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。 The lactone structure represented by the general formula (KA-1) may be any group as long as it has a lactone ring, but is preferably a group having a 5- to 7-membered ring lactone structure, and 5 to 7-membered. Those in which other ring structures are condensed so as to form a bicyclo structure or a spiro structure in the ring lactone structure are preferred.
なお、繰り返し単位における樹脂の主鎖に直結のエステル基(例えばアクリレートにおける−COO−)は極性変換基としての機能が劣るため、本件における極性変換基には含まれない。 In addition, since the ester group (for example, -COO- in acrylate) directly bonded to the main chain of the resin in the repeating unit has a poor function as a polarity conversion group, it is not included in the polarity conversion group in this case.
また、繰り返し単位(c)は、(KA−1)又は(KB−1)で表される構造全体を別個に2つ有していなくてもよく、一部を重複して、例えば1つの電子求引性基を2つのエステル構造が挟む形であっても、後述する式(KY−1)の形態であっても、2つの極性変換基を含むと解する。 Further, the repeating unit (c) may not have two separate entire structures represented by (KA-1) or (KB-1). It is understood that two attracting groups are included, whether in a form in which two ester structures are sandwiched or in a form of formula (KY-1) described later.
また、繰り返し単位(c*)及び繰り返し単位(c'')においては、極性変換基が、一般式(KA−1)で示す構造における−COO−で表される部分構造であることがより好ましい。
一般式(KA−1)中、
Zkaは、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基、ラクトン環基、又は電子求引性基を表す。Zkaが複数存在する場合、複数のZkaは同じでも異なっていてもよく、Zka同士が連結して環を形成してもよい。Zka同士が連結して形成する環としては、例えば、シクロアルキル環、ヘテロ環(環状エーテル環、ラクトン環など)が挙げられる。
nkaは0〜10の整数を表す。nkaは、好ましくは0〜8の整数であり、より好ましくは0〜5の整数であり、更に好ましくは1〜4の整数であり、最も好ましくは1〜3の整数である。
Qは、式中の原子と共にラクトン環を形成するのに必要な原子群を表す。ラクトン環は、上述したように、ラクトン構造を有する基であれば特に限定されないが、好ましくは5〜7員環ラクトン構造を有する基であり、5〜7員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。
In general formula (KA-1),
Z ka represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an ether group, a hydroxyl group, an amide group, an aryl group, a lactone ring group, or an electron withdrawing group. If Z ka there are a plurality, the plurality of Z ka may be the same or different, may be connected to form a ring Z ka each other. Examples of the ring formed by linking Z ka together include a cycloalkyl ring and a hetero ring (a cyclic ether ring, a lactone ring, etc.).
nka represents an integer of 0 to 10. nka is preferably an integer of 0 to 8, more preferably an integer of 0 to 5, still more preferably an integer of 1 to 4, and most preferably an integer of 1 to 3.
Q represents an atomic group necessary for forming a lactone ring together with atoms in the formula. The lactone ring is not particularly limited as long as it is a group having a lactone structure as described above, but is preferably a group having a 5- to 7-membered ring lactone structure, and the bicyclo structure or spiro structure is added to the 5- to 7-membered ring lactone structure. Those in which other ring structures are condensed in a form to form are preferable.
一般式(KB−1)中、
Xkb1及びXkb2は、各々独立して電子求引性基を表す。
nkb及びnkb’は、各々独立して0又は1を表す。なお、nkb、nkb’が0の場合、Xkb1、Xkb2はエステル基(−COO−)と直結していることを表す。
In general formula (KB-1),
X kb1 and X kb2 each independently represent an electron withdrawing group.
nkb and nkb ′ each independently represent 0 or 1. When nkb and nkb ′ are 0, X kb1 and X kb2 are directly connected to an ester group (—COO—).
Rkb1、Rkb2、Rkb3及びRkb4は、各々独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又は電子求引性基を表す。Rkb1、Rkb2及びXkb1の少なくとも2つが互いに連結して環を形成していてもよく、Rkb3、Rkb4及びXkb2の少なくとも2つが互いに連結して環を形成していてもよい。 R kb1 , R kb2 , R kb3 and R kb4 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or an electron withdrawing group. At least two of R kb1 , R kb2 and X kb1 may be connected to each other to form a ring, and at least two of R kb3 , R kb4 and X kb2 may be connected to each other to form a ring.
Rkb3、Rkb4及びXkb2の少なくとも2つが互いに連結して形成してもよい環としては、好ましくはシクロアルキル基又はヘテロ環基が挙げられ、ヘテロ環基としてはラクトン環基が好ましい。ラクトン環としては、例えば後述する式(KA−1−1)〜(KA−1−17)で表わされる構造が挙げられる。 The ring that may be formed by linking at least two of R kb3 , R kb4, and X kb2 is preferably a cycloalkyl group or a heterocyclic group, and the heterocyclic group is preferably a lactone ring group. Examples of the lactone ring include structures represented by formulas (KA-1-1) to (KA-1-17) described later.
なお、一般式(KA−1)又は(KB−1)で表される構造は、一般式(KA−1)で表される構造、Xkb1、Xkb2が1価である場合の(KB−1)で表される構造の場合のように、結合手を有しない場合は、該構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の部分構造である。 Note that the structure represented by the general formula (KA-1) or (KB-1) is the structure represented by the general formula (KA-1) ( KB- ) when X kb1 and X kb2 are monovalent. When it does not have a bond as in the structure represented by 1), it is a monovalent or higher-valent partial structure obtained by removing at least one arbitrary hydrogen atom in the structure.
Zka、Xkb1、Xkb2、Rkb1〜Rkb4における電子求引性基としては、ハロゲン原子、シアノ基、オキシ基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、ニトリル基、ニトロ基、スルホニル基、スルフィニル基、又は、−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基、及びこれらの組み合わせをあげることができる。 As an electron withdrawing group in Z ka , X kb1 , X kb2 , R kb1 to R kb4 , a halogen atom, a cyano group, an oxy group, a carbonyl group, a carbonyloxy group, an oxycarbonyl group, a nitrile group, a nitro group, a sulfonyl group A halo (cyclo) alkyl group or a haloaryl group represented by a group, a sulfinyl group, or —C (R f1 ) (R f2 ) —R f3 , and combinations thereof.
なお、「ハロ(シクロ)アルキル基」とは、少なくとも一部がハロゲン化したアルキル基及びシクロアルキル基を表す。電子求引性基が2価以上の基である場合、残る結合手は、任意の原子又は置換基との結合を形成するものであり、更なる置換基を介して樹脂(Aa)の主鎖に連結していてもよい。 The “halo (cyclo) alkyl group” represents an alkyl group or a cycloalkyl group that is at least partially halogenated. When the electron-withdrawing group is a divalent or higher valent group, the remaining bond forms a bond with an arbitrary atom or substituent, and the main chain of the resin (Aa) through a further substituent It may be connected to.
ここでRf1はハロゲン原子、パーハロアルキル基、パーハロシクロアルキル基、又はパーハロアリール基を表し、より好ましくはフッ素原子、パーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基、更に好ましくはフッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。 Here, R f1 represents a halogen atom, a perhaloalkyl group, a perhalocycloalkyl group, or a perhaloaryl group, more preferably a fluorine atom, a perfluoroalkyl group, or a perfluorocycloalkyl group, still more preferably a fluorine atom or a trialkyl group. Represents a fluoromethyl group.
Rf2、Rf3は各々独立して水素原子、ハロゲン原子又は有機基を表し、Rf2とRf3とが連結して環を形成してもよい。有機基としては例えばアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基等を表す。 R f2 and R f3 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom or an organic group, and R f2 and R f3 may be linked to form a ring. Examples of the organic group include an alkyl group, a cycloalkyl group, and an alkoxy group.
Rf1〜Rf3の少なくとも2つは連結して環を形成してもよく、形成する環としては、(ハロ)シクロアルキル環、(ハロ)アリール環等が挙げられる。 At least two of R f1 to R f3 may be linked to form a ring, and examples of the ring formed include a (halo) cycloalkyl ring and a (halo) aryl ring.
Rf1〜Rf3における(ハロ)アルキル基としては、例えば前記Zkaにおけるアルキル基、及びこれがハロゲン化した構造が挙げられる。 Examples of the (halo) alkyl group in R f1 to R f3 include an alkyl group in Z ka and a structure in which this is halogenated.
Rf1〜Rf3における、又は、Rf2とRf3とが連結して形成する環における(パー)ハロシクロアルキル基及び(パー)ハロアリール基としては、例えば前記Zkaにおけるシクロアルキル基がハロゲン化した構造、より好ましくは−C(n)F(2n−2)Hで表されるフルオロシクロアルキル基、及び、−C(n)F(n−1)で表されるパーフルオロアリール基が挙げられる。ここで炭素数nは特に限定されないが、5〜13のものが好ましく、6がより好ましい。 In R f1 to R f3, or, as the (per) halocycloalkyl groups and (per) haloaryl groups in the ring and R f2 and R f3 is formed by connecting, halogenated cycloalkyl groups such as in the Z ka And more preferably a fluorocycloalkyl group represented by -C (n) F (2n-2) H and a perfluoroaryl group represented by -C (n) F (n-1). It is done. Although carbon number n is not specifically limited here, the thing of 5-13 is preferable and 6 is more preferable.
Rf2、はRf1と同様の基を表すか、又はRf3と連結して環を形成していることがより好ましい。 More preferably, R f2 represents the same group as R f1 or is linked to R f3 to form a ring.
電子求引性基としては、好ましくはハロゲン原子、又は、−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基であり、より好ましくは−C(CF3)2H又は−C(CF3)2CH3である。 The electron withdrawing group is preferably a halogen atom, or a halo (cyclo) alkyl group or haloaryl group represented by —C (R f1 ) (R f2 ) —R f3 , more preferably —C ( CF 3) 2 H or -C (CF 3) a 2 CH 3.
なお、上記電子求引性基は、一部のフッ素原子が別の電子求引性基で置換されていてもよい。 In the electron withdrawing group, a part of fluorine atoms may be substituted with another electron withdrawing group.
Zkaは好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、又は電子求引性基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又は電子求引性基である。なお、エーテル基としては、アルキル基又はシクロアルキル基等で置換されたもの、すなわち、アルキルエーテル基等が好ましい。電子求引性基は前記と同義である。 Z ka is preferably an alkyl group, a cycloalkyl group, an ether group, a hydroxyl group or an electron withdrawing group, more preferably an alkyl group, a cycloalkyl group or an electron withdrawing group. In addition, as an ether group, the thing substituted by the alkyl group or the cycloalkyl group, ie, the alkyl ether group, etc. are preferable. The electron withdrawing group has the same meaning as described above.
Zkaとしてのハロゲン原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。 Examples of the halogen atom as Z ka include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
Zkaとしてのアルキル基は置換基を有していてもよく、直鎖、分岐のいずれでもよい。直鎖アルキル基としては、好ましくは炭素数1〜30、更に好ましくは1〜20であり、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デカニル基等が挙げられる。分岐アルキル基としては、好ましくは炭素数3〜30、更に好ましくは3〜20であり、例えば、i−プロピル基、i−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、i−ペンチル基、t−ペンチル基、i−ヘキシル基、t−ヘキシル基、i−ヘプチル基、t−ヘプチル基、i−オクチル基、t−オクチル基、i−ノニル基、t−デカノイル基等が挙げられる。メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、t−ブチル基などの炭素数1〜4のものが好ましい。 The alkyl group as Z ka may have a substituent and may be linear or branched. The linear alkyl group preferably has 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl. Group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decanyl group and the like. As a branched alkyl group, Preferably it is C3-C30, More preferably, it is 3-20, for example, i-propyl group, i-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, i-pentyl group, Examples include t-pentyl group, i-hexyl group, t-hexyl group, i-heptyl group, t-heptyl group, i-octyl group, t-octyl group, i-nonyl group, t-decanoyl group and the like. C1-C4 things, such as a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, t-butyl group, are preferable.
Zkaのシクロアルキル基は、単環型であってもよく、多環型であってもよい。後者の場合、シクロアルキル基は、有橋式であってもよい。即ち、この場合、シクロアルキル基は、橋かけ構造を有していてもよい。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部は、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。 The cycloalkyl group of Z ka may be monocyclic or polycyclic. In the latter case, the cycloalkyl group may be bridged. That is, in this case, the cycloalkyl group may have a bridged structure. A part of carbon atoms in the cycloalkyl group may be substituted with a hetero atom such as an oxygen atom.
単環型のシクロアルキル基としては、炭素数が3〜8のものが好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基及びシクロオクチル基が挙げられる。 The monocyclic cycloalkyl group preferably has 3 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cyclooctyl group.
多環型のシクロアルキル基としては、例えば、炭素数が5以上のビシクロ、トリシクロ又はテトラシクロ構造を有する基が挙げられる。この多環型のシクロアルキル基は、炭素数が6〜20であることが好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基及びアンドロスタニル基が挙げられる。
これらシクロアルキル基としては、例えば、下式により表されるものが挙げられる。
Examples of these cycloalkyl groups include those represented by the following formula.
上記脂環部分の好ましいものとしては、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることができる。より好ましくは、アダマンチル基、デカリン基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基、トリシクロデカニル基である。 Preferred examples of the alicyclic moiety include adamantyl group, noradamantyl group, decalin group, tricyclodecanyl group, tetracyclododecanyl group, norbornyl group, cedrol group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cyclodecanyl group. And cyclododecanyl group. More preferred are an adamantyl group, a decalin group, a norbornyl group, a cedrol group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclodecanyl group, a cyclododecanyl group, and a tricyclodecanyl group.
これらの脂環式構造の置換基としては、アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基が挙げられる。アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基を表す。上記アルコキシ基としては、好ましくはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものを挙げることができる。アルキル基及びアルコキシ基が有してもよい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜4)等を挙げることができる。 Examples of the substituent of these alicyclic structures include an alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, a carboxyl group, and an alkoxycarbonyl group. The alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, or a butyl group, and more preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, or an isopropyl group. Preferred examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group. Examples of the substituent that the alkyl group and the alkoxy group may have include a hydroxyl group, a halogen atom, and an alkoxy group (preferably having 1 to 4 carbon atoms).
Zkaのアリール基としては、例えば、フェニル基及びナフチル基が挙げられる。
Zkaのアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が更に有し得る置換基としては、例えば、水酸基;ハロゲン原子;ニトロ基;シアノ基;上記のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基及びt−ブトキシ基等のアルコキシ基;メトキシカルボニル基及びエトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;ベンジル基、フェネチル基及びクミル基等のアラルキル基;アラルキルオキシ基;ホルミル基、アセチル基、ブチリル基、ベンゾイル基、シアナミル基及びバレリル基等のアシル基;ブチリルオキシ基等のアシロキシ基;アルケニル基;ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、アリルオキシ基及びブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基;上記のアリール基;フェノキシ基等のアリールオキシ基;並びに、ベンゾイルオキシ基等のアリールオキシカルボニル基が挙げられる。
Examples of the Z ka aryl group include a phenyl group and a naphthyl group.
Examples of the substituent that the alkyl group, cycloalkyl group, and aryl group of Z ka may further include, for example, a hydroxyl group; a halogen atom; a nitro group; a cyano group; the above alkyl group; a methoxy group, an ethoxy group, a hydroxyethoxy group, Alkoxy groups such as propoxy group, hydroxypropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group and t-butoxy group; alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl group and ethoxycarbonyl group; benzyl group, phenethyl group and cumyl group Aralkyloxy group; Aralkyloxy group; Acyl group such as formyl group, acetyl group, butyryl group, benzoyl group, cyanamyl group and valeryl group; Acyloxy group such as butyryloxy group; Alkenyl group; Vinyloxy group, propenyloxy group, allyloxy group And butenylo An alkenyloxy group such as a xy group; the above aryl group; an aryloxy group such as a phenoxy group; and an aryloxycarbonyl group such as a benzoyloxy group.
極性変換基がアルカリ現像液の作用により分解し極性変換がなされることによって、アルカリ現像後の樹脂組成物膜の水との後退接触角を下げることが出来る。 When the polarity conversion group is decomposed by the action of an alkali developer and converted in polarity, the receding contact angle with water of the resin composition film after alkali development can be lowered.
アルカリ現像後の樹脂組成物膜の水との後退接触角は、露光時の温度、通常室温23±3℃、湿度45±5%において50°以下であることが好ましく、より好ましくは40°以下、更に好ましくは35°以下、最も好ましくは30°以下である。 The receding contact angle with water of the resin composition film after alkali development is preferably 50 ° or less, more preferably 40 ° or less at the temperature at the time of exposure, usually room temperature 23 ± 3 ° C. and humidity 45 ± 5%. More preferably, it is 35 ° or less, and most preferably 30 ° or less.
後退接触角とは、液滴−基板界面での接触線が後退する際に測定される接触角であり、動的な状態での液滴の移動しやすさをシミュレートする際に有用であることが一般に知られている。簡易的には、針先端から吐出した液滴を基板上に着滴させた後、その液滴を再び針へと吸い込んだときの、液滴の界面が後退するときの接触角として定義でき、一般に拡張収縮法と呼ばれる接触角の測定方法を用いて測定することができる。 The receding contact angle is a contact angle measured when the contact line at the droplet-substrate interface recedes, and is useful for simulating the ease of movement of the droplet in a dynamic state. It is generally known. In simple terms, it can be defined as the contact angle when the droplet interface recedes when the droplet discharged from the needle tip is deposited on the substrate and then sucked into the needle again. It can be measured by using a contact angle measuring method generally called an expansion / contraction method.
樹脂(Aa)のアルカリ現像液に対する加水分解速度は0.001nm/sec以上であることが好ましく、0.01nm/sec以上であることがより好ましく、0.1nm/sec以上であることが更に好ましく、1nm/sec以上であることが最も好ましい。 The hydrolysis rate of the resin (Aa) with respect to the alkaline developer is preferably 0.001 nm / sec or more, more preferably 0.01 nm / sec or more, and further preferably 0.1 nm / sec or more. Most preferably, it is 1 nm / sec or more.
ここで樹脂(Aa)のアルカリ現像液に対する加水分解速度は23℃のTMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液)(2.38質量%)に対して、樹脂(Aa)のみで樹脂膜を製膜した際の膜厚が減少する速度である。 Here, the hydrolysis rate of the resin (Aa) with respect to the alkaline developer was 23.degree. C. TMAH (tetramethylammonium hydroxide aqueous solution) (2.38 mass%), and the resin film was formed only with the resin (Aa). This is the rate at which the film thickness decreases.
一般式(KA−1)におけるラクトン環構造としては、下記(KA−1−1)〜(KA−1−17)のいずれかで表されるラクトン構造を有する基がより好ましい。また、ラクトン構造を有する基が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造としては、(KA−1−1)、(KA−1−4)、(KA−1−5)、(KA−1−6)、(KA−1−13)、(KA−1−14)、(KA−1−17)である。
以下、ラクトン構造を有する骨格の具体例を示すが、これに限定されるものではない。
Specific examples of the skeleton having a lactone structure are shown below, but are not limited thereto.
ラクトン構造部分は、置換基を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基としては、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数4〜7のシクロアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数2〜8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数1〜4のアルキル基、炭素数5〜6のシクロアルキル基、シアノ基、炭素数2〜4のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、酸分解性基である。置換基が複数存在する場合は、同一でも異なっていてもよく、置換基同士が結合して環を形成してもよい。 The lactone structure portion may or may not have a substituent. Preferred substituents include alkyl groups having 1 to 8 carbon atoms, cycloalkyl groups having 4 to 7 carbon atoms, alkoxy groups having 1 to 8 carbon atoms, alkoxycarbonyl groups having 2 to 8 carbon atoms, carboxyl groups, halogen atoms, Examples include a hydroxyl group, a cyano group, and an acid-decomposable group. More preferred are an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a cycloalkyl group having 5 to 6 carbon atoms, a cyano group, an alkoxycarbonyl group having 2 to 4 carbon atoms, a carboxyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, and an acid-decomposable group. When a plurality of substituents are present, they may be the same or different, and the substituents may be bonded to form a ring.
ラクトン構造は光学活性体が存在するものもあるが、いずれの光学活性体を用いてもよい。また、1種の光学活性体を単独で用いても、複数の光学活性体を混合して用いてもよい。1種の光学活性体を主に用いる場合、その光学純度(ee)が90%以上のものが好ましく、より好ましくは95%以上、最も好ましくは98%以上である。 Some lactone structures have optically active substances, but any optically active substance may be used. One optically active substance may be used alone or a plurality of optically active substances may be mixed and used. When one kind of optically active substance is mainly used, its optical purity (ee) is preferably 90% or more, more preferably 95% or more, and most preferably 98% or more.
上記(KB−1)で表される構造は、エステル構造に近い位置に電子求引性基が存在する構造を有するため、高い極性変換能を有する。
Xkb2は好ましくはハロゲン原子、又は、前記−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基である。
Since the structure represented by (KB-1) has a structure in which an electron withdrawing group is present at a position close to the ester structure, it has a high polarity conversion ability.
X kb2 is preferably a halogen atom, or a halo (cyclo) alkyl group or haloaryl group represented by the above-mentioned —C (R f1 ) (R f2 ) —R f3 .
繰り返し単位(c)が有する少なくとも2つの極性変換基は、下記一般式(KY−1)で示す、2つの極性変換基を有する部分構造であることがより好ましい。なお、一般式(KY−1)で表される構造は、該構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。
一般式(KY−1)において、
Rky1、Rky4はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミド基、又はアリール基を表す。或いは、Rky1、Rky4が同一の原子と結合して二重結合を形成していてもよく、例えばRky1、Rky4が同一の酸素原子と結合してカルボニル基の一部(=O)を形成してもよい。
In general formula (KY-1),
R ky1 and R ky4 are each independently a hydrogen atom, halogen atom, alkyl group, cycloalkyl group, carbonyl group, carbonyloxy group, oxycarbonyl group, ether group, hydroxyl group, cyano group, amide group, or aryl group Represents. Alternatively, R ky1 and R ky4 may be bonded to the same atom to form a double bond. For example, R ky1 and R ky4 are bonded to the same oxygen atom to form a part of a carbonyl group (═O). May be formed.
Rky2、Rky3はそれぞれ独立して電子求引性基であるか、又はRky1とRky3が連結してラクトン環を形成するとともにRky2が電子求引性基である。形成するラクトン環としては、前記(KA−1−1)〜(KA−1−17)の構造が好ましい。電子求引性基としては、前記式(KB−1)におけるXkb1と同様のものが挙げられ、好ましくはハロゲン原子、又は、前記−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基である。 R ky2 and R ky3 are each independently an electron withdrawing group, or R ky1 and R ky3 are linked to form a lactone ring, and R ky2 is an electron withdrawing group. As the lactone ring to be formed, the structures (KA-1-1) to (KA-1-17) are preferable. Examples of the electron withdrawing group include the same groups as those of X kb1 in the formula (KB-1), and are preferably a halogen atom or represented by -C (R f1 ) (R f2 ) -R f3. A halo (cyclo) alkyl group or a haloaryl group.
Rky1、Rky3及びRky4の少なくとも2つが互いに連結して単環又は多環構造を形成しても良い。 At least two of R ky1 , R ky3 and R ky4 may be linked to each other to form a monocyclic or polycyclic structure.
Rkb1〜Rkb4、nkb、nkb’は各々前記式(KB−1)におけるものと同義である。 R kb1 to R kb4 , nkb, and nkb ′ are respectively synonymous with those in the formula (KB-1).
Rky1、Rky4は具体的には式(KA−1)におけるZkaと同様の基が挙げられる。
Rky1とRky3が連結して形成するラクトン環としては、前記(KA−1−1)〜(KA−1−17)の構造が好ましい。電子求引性基としては、前記式(KB−1)におけるXkb1と同様のものが挙げられる。
Specific examples of R ky1 and R ky4 include the same groups as Z ka in formula (KA-1).
As the lactone ring formed by linking R ky1 and R ky3 , the structures (KA-1-1) to (KA-1-17) are preferable. Examples of the electron withdrawing group include the same groups as those in X kb1 in the formula (KB-1).
一般式(KY−1)で表わされる構造としては、下記一般式(KY−2)で示す構造であることがより好ましい。なお、一般式(KY−2)で表される構造は、該構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。
式(KY−2)中、
Rky6〜Rky10は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミド基、又はアリール基を表す。
Rky6〜Rky10は、2つ以上が互いに連結して単環又は多環構造を形成しても良い。
In formula (KY-2),
R ky6 to R ky10 are each independently a hydrogen atom, halogen atom, alkyl group, cycloalkyl group, carbonyl group, carbonyloxy group, oxycarbonyl group, ether group, hydroxyl group, cyano group, amide group, or aryl. Represents a group.
Two or more of R ky6 to R ky10 may be connected to each other to form a monocyclic or polycyclic structure.
Rky5は電子求引性基を表す。電子求引性基は前記式(KB−1)におけるXkb1におけるものと同様のものが挙げられ、好ましくはハロゲン原子、又は、前記−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基である。
Rkb1、Rkb2、nkbは各々前記式(KB−1)におけるものと同義である。
Rky5〜Rky10は具体的には式(KA−1)におけるZkaと同様の基が挙げられる。
R ky5 represents an electron withdrawing group. Examples of the electron withdrawing group include the same groups as those described above for X kb1 in the formula (KB-1), and are preferably a halogen atom or represented by -C (R f1 ) (R f2 ) -R f3. A halo (cyclo) alkyl group or a haloaryl group.
R kb1 , R kb2 and nkb have the same meanings as those in formula (KB-1).
Specific examples of R ky5 to R ky10 include the same groups as Z ka in formula (KA-1).
式(KY−2)で表される構造は、下記一般式(KY−3)で示す部分構造であることがより好ましい。
一般式(KY−3)中、
Rsは、鎖状若しくは環状アルキレン基を表し、複数個ある場合は、同じでも異なっていてもよい。
Lsは、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表し、複数ある場合は、同じでも異なっていてもよい。
nsは、−(Rs−Ls)−で表される連結基の繰り返し数を表し、0〜5の整数を表す。
Lkyはアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。
In general formula (KY-3),
Rs represents a chain or cyclic alkylene group, and when there are a plurality of Rs, they may be the same or different.
Ls represents a single bond, an ether bond, an ester bond, an amide bond, a urethane bond or a urea bond, and when there are a plurality of Ls, they may be the same or different.
ns represents the number of repeating linking groups represented by-(Rs-Ls)-, and represents an integer of 0 to 5.
L ky represents an alkylene group, an oxygen atom or a sulfur atom.
Zkaは、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基、ラクトン環基、又は電子求引性基を表す。Zkaが複数存在する場合、複数のZkaは同じでも異なっていてもよく、Zka同士が連結して環を形成してもよい。
nkaは、0〜10の整数を表す。
Rkb1及びRkb2は、各々独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又は電子求引性基を表し、Rkb1、Rkb2及びRky5の少なくとも2つが互いに連結して環を形成していてもよい。
nkbは、0又は1を表す。
Rky5は電子求引性基を表す。
*は、繰り返し単位の残部との結合部位を表す。
Z ka represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an ether group, a hydroxyl group, an amide group, an aryl group, a lactone ring group, or an electron withdrawing group. If Z ka there are a plurality, the plurality of Z ka may be the same or different, may be connected to form a ring Z ka each other.
nka represents an integer of 0 to 10.
R kb1 and R kb2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or an electron withdrawing group, and at least two of R kb1 , R kb2, and R ky5 are connected to each other. A ring may be formed.
nkb represents 0 or 1.
R ky5 represents an electron withdrawing group.
* Represents a binding site with the remainder of the repeating unit.
一般式(KY−3)について更に詳細に説明する。
Zka、nkaは各々、前記一般式(KA−1)と同義である。Rky5は前記式(KY−2)と同義である。
Rkb1、Rkb2、nkbは各々前記式(KB−1)におけるものと同義である。
Lkyは、上述の通り、アルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。Lkyのアルキレン基としてはメチレン基、エチレン基等が挙げられる。Lkyは酸素原子又はメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることが更に好ましい。
General formula (KY-3) will be described in more detail.
Z ka and nka are each synonymous with the formula (KA-1). R ky5 has the same meaning as in formula (KY-2).
R kb1 , R kb2 and nkb have the same meanings as those in formula (KB-1).
L ky represents an alkylene group, an oxygen atom, or a sulfur atom as described above. Examples of the alkylene group for L ky include a methylene group and an ethylene group. L ky is preferably an oxygen atom or a methylene group, and more preferably a methylene group.
Rsは、上述の通り、鎖状若しくは環状アルキレン基を表し、複数個ある場合は、同じでも異なっていてもよい。
Lsは、上述の通り、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表し、複数ある場合は、同じでも異なっていてもよい。
nsは、−(Rs−Ls)−で表される連結基の繰り返し数を表し、0〜5の整数を表す。nsは、好ましくは0又は1である。
As described above, Rs represents a chain or cyclic alkylene group, and when there are a plurality of Rs, they may be the same or different.
As described above, Ls represents a single bond, an ether bond, an ester bond, an amide bond, a urethane bond or a urea bond, and when there are a plurality of Ls, they may be the same or different.
ns represents the number of repeating linking groups represented by-(Rs-Ls)-, and represents an integer of 0 to 5. ns is preferably 0 or 1.
繰り返し単位(c)は式(K0)で示される構造を有することが好ましい。
式中、Rk1は水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は極性変換基を有する基を表す。
Rk2はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は極性変換基を有する基を表す。但し、Rk1、Rk2は、全体として、極性変換基を2つ以上有する。
なお、一般式(K0)に示されている繰り返し単位の主鎖に直結しているエステル基は、前述したように、本発明における極性変換基には含まれない。
In the formula, R k1 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or a group having a polarity converting group.
R k2 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or a group having a polarity converting group. However, R k1 and R k2 as a whole have two or more polarity conversion groups.
In addition, as described above, the ester group directly connected to the main chain of the repeating unit represented by the general formula (K0) is not included in the polar conversion group in the present invention.
繰り返し単位(c)は、付加重合、縮合重合、付加縮合、等、重合により得られる繰り返し単位であれば限定されるものではないが、炭素−炭素2重結合の付加重合により得られる繰り返し単位であることが好ましい。例として、アクリレート系繰り返し単位(α位、β位に置換基を有する系統も含む)、スチレン系繰り返し単位(α位、β位に置換基を有する系統も含む)、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位、マレイン酸誘導体(マレイン酸無水物やその誘導体、マレイミド、等)の繰り返し単位、等を挙げることが出来、アクリレート系繰り返し単位、スチレン系繰り返し単位、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位が好ましく、アクリレート系繰り返し単位、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位が好ましく、アクリレート系繰り返し単位が最も好ましい。 The repeating unit (c) is not limited as long as it is a repeating unit obtained by polymerization such as addition polymerization, condensation polymerization, addition condensation, etc., but is a repeating unit obtained by addition polymerization of a carbon-carbon double bond. Preferably there is. Examples include acrylate-based repeating units (including those having substituents at the α-position and β-position), styrene-based repeating units (including those having substituents at the α-position and β-position), vinyl ether-based repeating units, norbornene-based Repeating units, maleic acid derivatives (maleic anhydride and derivatives thereof, maleimides, etc.), and the like, acrylate-based repeating units, styrene-based repeating units, vinyl ether-based repeating units, norbornene-based repeating units Preferred are acrylate repeat units, vinyl ether repeat units, and norbornene repeat units, with acrylate repeat units being most preferred.
本発明の一形態において、樹脂(Aa)として、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有することで、レジスト表面の疎水性(水追従性)が向上し、現像残渣(スカム)が低減する。 In one embodiment of the present invention, the resin (Aa) contains at least one of a fluorine atom and a silicon atom, whereby the hydrophobicity (water followability) of the resist surface is improved and the development residue (scum) is reduced.
なお、本発明の一形態において、樹脂(Aa)は極性変換基を複数有し、かつ、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂であり得るが、該フッ素原子は、一般式(KB−1)におけるXkb1、Xkb2の電子求引性基であってもよいし、後述する繰り返し単位(Aa−3)に含有されていてもよい。 Note that in one embodiment of the present invention, the resin (Aa) may be a resin having a plurality of polarity conversion groups and at least one of a fluorine atom and a silicon atom, and the fluorine atom has the general formula (KB) The electron withdrawing group of X kb1 and X kb2 in -1) may be included, or may be contained in the repeating unit (Aa-3) described later.
本発明の一形態において、樹脂(Aa)に於けるフッ素原子又は珪素原子は、樹脂の主鎖中に有していても、側鎖に置換していてもよい。 In one embodiment of the present invention, the fluorine atom or silicon atom in the resin (Aa) may be present in the main chain of the resin or may be substituted on the side chain.
以下、繰り返し単位(c)の具体例を示すが、本発明は、これに限定されるものではない。Raは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。
樹脂(Aa)が繰り返し単位(c)を含有する場合、繰り返し単位(c)の含有率は、樹脂(Aa)中の全繰り返し単位に対し、10〜90mol%が好ましく、より好ましくは30〜85mol%、更に好ましくは50〜80mol%である。 When the resin (Aa) contains the repeating unit (c), the content of the repeating unit (c) is preferably from 10 to 90 mol%, more preferably from 30 to 85 mol, based on all repeating units in the resin (Aa). %, More preferably 50 to 80 mol%.
繰り返し単位(c’)の含有率は、樹脂(Aa)中の全繰り返し単位に対し、10〜90mol%が好ましく、より好ましくは30〜85mol%、更に好ましくは50〜80mol%である。 As for the content rate of a repeating unit (c '), 10-90 mol% is preferable with respect to all the repeating units in resin (Aa), More preferably, it is 30-85 mol%, More preferably, it is 50-80 mol%.
繰り返し単位(c*)の含有率は、樹脂(Aa)中の全繰り返し単位に対し、10〜90mol%が好ましく、より好ましくは30〜85mol%、更に好ましくは50〜80mol%である。 As for the content rate of a repeating unit (c *), 10-90 mol% is preferable with respect to all the repeating units in resin (Aa), More preferably, it is 30-85 mol%, More preferably, it is 50-80 mol%.
繰り返し単位(c”)の含有率は、樹脂(Aa)中の全繰り返し単位に対し、10〜90mol%が好ましく、より好ましくは30〜85mol%、更に好ましくは50〜80mol%である。 As for the content rate of a repeating unit (c ''), 10-90 mol% is preferable with respect to all the repeating units in resin (Aa), More preferably, it is 30-85 mol%, More preferably, it is 50-80 mol%.
<繰り返し単位(Aa3)>
本発明の一形態において、樹脂(Aa)は、フッ素原子、フッ素原子を有する基、珪素原子を有する基、炭素数が6以上のアルキル基、炭素数が5以上のシクロアルキル基、炭素数が6以上のアリール基、及び、炭素数が7以上のアラルキル基からなる群より選択される1つ以上の基を有する繰り返し単位(Aa3)を更に含んでもよい。この繰り返し単位(Aa3)は、上述した繰り返し単位(c)とは異なる繰り返し単位である。
<Repeating unit (Aa3)>
In one embodiment of the present invention, the resin (Aa) includes a fluorine atom, a group having a fluorine atom, a group having a silicon atom, an alkyl group having 6 or more carbon atoms, a cycloalkyl group having 5 or more carbon atoms, and a carbon number It may further include a repeating unit (Aa3) having one or more groups selected from the group consisting of 6 or more aryl groups and an aralkyl group having 7 or more carbon atoms. This repeating unit (Aa3) is a repeating unit different from the above-mentioned repeating unit (c).
感度の観点から、繰り返し単位(Aa3)は、フッ素原子、又は、フッ素原子を有する基を有することが好ましい。樹脂(Aa)がフッ素原子、又は、フッ素原子を有する基を有することにより、樹脂(Aa)の極紫外線に対する吸収係数が向上し、また樹脂(Aa)はレジスト膜表面に偏在する性質を有しているため、露光時に極紫外線がより強く照射される膜表面において、上記極紫外線のエネルギーを効率的に吸収することが可能となり、結果として感度が向上するものと考えられる。 From the viewpoint of sensitivity, the repeating unit (Aa3) preferably has a fluorine atom or a group having a fluorine atom. Since the resin (Aa) has a fluorine atom or a group having a fluorine atom, the absorption coefficient of the resin (Aa) with respect to extreme ultraviolet rays is improved, and the resin (Aa) has a property of being unevenly distributed on the resist film surface. Therefore, it is considered that the energy of the extreme ultraviolet light can be efficiently absorbed on the film surface to which the extreme ultraviolet light is more strongly irradiated at the time of exposure, and as a result, the sensitivity is considered to be improved.
フッ素原子を有する基としては、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基などが挙げられる。 Examples of the group having a fluorine atom include an alkyl group having a fluorine atom, a cycloalkyl group having a fluorine atom, and an aryl group having a fluorine atom.
フッ素原子を有するアルキル基としては、好ましくは炭素数1〜10、より好ましくは炭素数1〜4のフッ素原子を有するアルキル基が挙げられ、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖又は分岐アルキル基であり、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。 The alkyl group having a fluorine atom preferably includes an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms, and a straight chain in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom. Or it is a branched alkyl group and may have substituents other than a fluorine atom.
フッ素原子を有するシクロアルキル基としては、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された単環又は多環のシクロアルキル基であり、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。 The cycloalkyl group having a fluorine atom is a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and may further have a substituent other than a fluorine atom.
フッ素原子を有するアリール基としては、フェニル基、ナフチル基などのアリール基の少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられ、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。 Examples of the aryl group having a fluorine atom include those in which at least one hydrogen atom of an aryl group such as a phenyl group or a naphthyl group is substituted with a fluorine atom, and may further have a substituent other than a fluorine atom. .
フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、及びフッ素原子を有するアリール基として、好ましくは、下記一般式(F2)〜(F4)で表される基を挙げることができるが、本発明は、これに限定されるものではない。
一般式(F2)〜(F4)中、
R57〜R68は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基(直鎖若しくは分岐)を表す。但し、R57〜R61少なくとも1つ、R62〜R64の少なくとも1つ、及びR65〜R68の少なくとも1つは、それぞれ独立に、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基(好ましくは炭素数1〜4)を表す。
In general formulas (F2) to (F4),
R 57 to R 68 each independently represent a hydrogen atom, a fluorine atom or an alkyl group (straight or branched). However, at least one of R 57 to R 61, at least one of R 62 to R 64 , and at least one of R 65 to R 68 are each independently substituted with a fluorine atom or at least one hydrogen atom. Represents an alkyl group (preferably having 1 to 4 carbon atoms).
R57〜R61及びR65〜R67は、全てがフッ素原子であることが好ましい。R62、R63及びR68は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基(好ましくは炭素数1〜4)が好ましく、炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基であることが更に好ましい。R62とR63は、互いに連結して環を形成してもよい。 R 57 to R 61 and R 65 to R 67 are preferably all fluorine atoms. R 62 , R 63 and R 68 are preferably an alkyl group (preferably having 1 to 4 carbon atoms) in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and preferably a perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Further preferred. R 62 and R 63 may be connected to each other to form a ring.
一般式(F2)で表される基の具体例としては、例えば、p−フルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、3,5−ジ(トリフルオロメチル)フェニル基等が挙げられる。 Specific examples of the group represented by the general formula (F2) include a p-fluorophenyl group, a pentafluorophenyl group, and a 3,5-di (trifluoromethyl) phenyl group.
一般式(F3)で表される基の具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロブチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ(2−メチル)イソプロピル基、ノナフルオロブチル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロヘキシル基、ノナフルオロ−t−ブチル基、パーフルオロイソペンチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロ(トリメチル)ヘキシル基、2,2,3,3−テトラフルオロシクロブチル基、パーフルオロシクロヘキシル基などが挙げられる。ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ(2−メチル)イソプロピル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロ−t−ブチル基、パーフルオロイソペンチル基が好ましく、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基が更に好ましい。 Specific examples of the group represented by the general formula (F3) include trifluoromethyl group, pentafluoropropyl group, pentafluoroethyl group, heptafluorobutyl group, hexafluoroisopropyl group, heptafluoroisopropyl group, hexafluoro (2 -Methyl) isopropyl group, nonafluorobutyl group, octafluoroisobutyl group, nonafluorohexyl group, nonafluoro-t-butyl group, perfluoroisopentyl group, perfluorooctyl group, perfluoro (trimethyl) hexyl group, 2,2 , 3,3-tetrafluorocyclobutyl group, perfluorocyclohexyl group and the like. Hexafluoroisopropyl group, heptafluoroisopropyl group, hexafluoro (2-methyl) isopropyl group, octafluoroisobutyl group, nonafluoro-t-butyl group and perfluoroisopentyl group are preferable, and hexafluoroisopropyl group and heptafluoroisopropyl group are preferable. Further preferred.
一般式(F4)で表される基の具体例としては、例えば、−C(CF3)2OH、−C(C2F5)2OH、−C(CF3)(CH3)OH、−CH(CF3)OH等が挙げられ、−C(CF3)2OHが好ましい。 Specific examples of the group represented by the general formula (F4) include, for example, —C (CF 3 ) 2 OH, —C (C 2 F 5 ) 2 OH, —C (CF 3 ) (CH 3 ) OH, -CH (CF 3) OH and the like, -C (CF 3) 2 OH is preferred.
珪素原子を有する基としては、アルキルシリル構造(好ましくはトリアルキルシリル基)、環状シロキサン構造などが挙げられる。 Examples of the group having a silicon atom include an alkylsilyl structure (preferably a trialkylsilyl group) and a cyclic siloxane structure.
W3〜W6についてのアルキルシリル構造、又は環状シロキサン構造としては、具体的には、下記一般式(CS−1)〜(CS−3)で表される基などが挙げられる。
一般式(CS−1)〜(CS−3)に於いて、
R12〜R26は、各々独立に、直鎖若しくは分岐アルキル基(好ましくは炭素数1〜20)又はシクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)を表す。
In general formulas (CS-1) to (CS-3),
R 12 to R 26 each independently represent a linear or branched alkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms) or a cycloalkyl group (preferably having 3 to 20 carbon atoms).
L3〜L5は、単結合又は2価の連結基を表す。2価の連結基としては、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、及びウレア結合よりなる群から選択される単独或いは2つ以上の組み合わせ(好ましくは総炭素数12以下)が挙げられる。 L < 3 > -L < 5 > represents a single bond or a bivalent coupling group. Examples of the divalent linking group include an alkylene group, a phenylene group, an ether bond, a thioether bond, a carbonyl group, an ester bond, an amide bond, a urethane bond, and a urea bond, or a combination of two or more ( Preferably, the total carbon number is 12 or less).
nは、1〜5の整数を表す。nは、好ましくは、2〜4の整数である。 n represents an integer of 1 to 5. n is preferably an integer of 2 to 4.
炭素数が6以上のアルキル基としては、好ましくは炭素数6〜20、より好ましくは炭素数6〜15の直鎖又は分岐アルキル基を挙げられ、更に、置換基(ただし、フッ素原子、フッ素原子を有する基、及び、珪素原子を有する基には相当しない)を有していてもよい。 The alkyl group having 6 or more carbon atoms is preferably a linear or branched alkyl group having 6 to 20 carbon atoms, more preferably 6 to 15 carbon atoms, and a substituent (however, a fluorine atom or a fluorine atom) And does not correspond to a group having a silicon atom).
炭素数が5以上のシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数5〜20、より好ましくは炭素数5〜15のシクロアルキル基が挙げられ、更に、置換基(ただし、フッ素原子、フッ素原子を有する基、及び、珪素原子を有する基には相当しない)を有していてもよい。 The cycloalkyl group having 5 or more carbon atoms is preferably a cycloalkyl group having 5 to 20 carbon atoms, more preferably 5 to 15 carbon atoms, and further a substituent (provided that a fluorine atom or a fluorine atom is substituted). Or a group having a silicon atom).
炭素数が6以上のアリール基としては、好ましくは、炭素数6〜20、より好ましくは、炭素数6〜15のアリール基が挙げられ、更に、置換基(ただし、フッ素原子、フッ素原子を有する基、及び、珪素原子を有する基には相当しない)を有していてもよい。 The aryl group having 6 or more carbon atoms is preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, more preferably an aryl group having 6 to 15 carbon atoms, and further a substituent (provided that it has a fluorine atom or a fluorine atom). Or a group having a silicon atom).
このアリール基は、少なくとも1つの炭素数3以上のアルキル基、又は、少なくとも1つの炭素数5以上のシクロアルキル基で置換されていてもよく、更にこれら以外の他の置換基(ただし、フッ素原子、フッ素原子を有する基、及び、珪素原子を有する基には相当しない)で置換されていてもよい。 The aryl group may be substituted with at least one alkyl group having 3 or more carbon atoms, or at least one cycloalkyl group having 5 or more carbon atoms, and may be substituted with other substituents (however, a fluorine atom). Or a group having a fluorine atom or a group having a silicon atom).
上記炭素数3以上のアルキル基としては、好ましくは、炭素数3〜15、より好ましくは炭素数3〜10の直鎖又は分岐アルキル基が挙げられる。少なくとも1個の炭素数3以上のアルキル基で置換されたアリール基において、アリール基は、1〜9個の炭素数3以上のアルキル基により置換されることが好ましく、1〜7個の炭素数3以上のアルキル基により置換されることがより好ましく、1〜5個の炭素数3以上のアルキル基により置換されることが更に好ましい。 The alkyl group having 3 or more carbon atoms is preferably a linear or branched alkyl group having 3 to 15 carbon atoms, more preferably 3 to 10 carbon atoms. In the aryl group substituted with at least one alkyl group having 3 or more carbon atoms, the aryl group is preferably substituted with 1 to 9 alkyl groups having 3 or more carbon atoms, and preferably has 1 to 7 carbon atoms. It is more preferably substituted by 3 or more alkyl groups, and further preferably substituted by 1 to 5 alkyl groups having 3 or more carbon atoms.
上記炭素数5以上のシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数5〜20、より好ましくは炭素数5〜15のシクロアルキル基が挙げられる。少なくとも1個の炭素数5以上のシクロアルキル基で置換されたアリール基において、アリール基は、1〜5個の炭素数5以上のシクロアルキル基により置換されることが好ましく、1〜4個の炭素数5以上のシクロアルキル基により置換されることがより好ましく、1〜3個の炭素数5以上のシクロアルキル基により置換されることが更に好ましい。 The cycloalkyl group having 5 or more carbon atoms is preferably a cycloalkyl group having 5 to 20 carbon atoms, more preferably 5 to 15 carbon atoms. In the aryl group substituted with at least one cycloalkyl group having 5 or more carbon atoms, the aryl group is preferably substituted with 1 to 5 cycloalkyl groups having 5 or more carbon atoms, and 1 to 4 It is more preferably substituted with a cycloalkyl group having 5 or more carbon atoms, and further preferably substituted with 1 to 3 cycloalkyl groups having 5 or more carbon atoms.
炭素数が7以上のアラルキル基としては、好ましくは、炭素数7〜20、より好ましくは炭素数7〜15のアラルキル基が挙げられ、更に、置換基(ただし、フッ素原子、フッ素原子を有する基、及び、珪素原子を有する基には相当しない)を有していてもよい。 The aralkyl group having 7 or more carbon atoms is preferably an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms, more preferably 7 to 15 carbon atoms, and a substituent (however, a group having a fluorine atom or a fluorine atom). And a group having a silicon atom).
樹脂(Aa)は、上記繰り返し単位(Aa3)として、下記一般式(C−Ia)〜(C−Id)のいずれかで表される繰り返し単位を少なくとも1種有することが好ましい。
式中、R10及びR11は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又は、アルキル基を表す。該アルキル基は、好ましくは炭素数1〜4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる。R10及びR11は、各々独立に、水素原子、又は、メチル基であることが好ましい。 In the formula, R 10 and R 11 each independently represent a hydrogen atom, a fluorine atom, or an alkyl group. The alkyl group is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, which may have a substituent, and examples of the alkyl group having a substituent include a fluorinated alkyl group. it can. R 10 and R 11 are preferably each independently a hydrogen atom or a methyl group.
W3、W5及びW6は、それぞれ独立して、フッ素原子を有する基、珪素原子を有する基、炭素数6以上のアルキル基、炭素数5以上のシクロアルキル基、炭素数6以上のアリール基、及び、炭素数7以上のアラルキル基からなる群より選択される1つ以上を有する有機基を表す。 W 3 , W 5 and W 6 are each independently a group having a fluorine atom, a group having a silicon atom, an alkyl group having 6 or more carbon atoms, a cycloalkyl group having 5 or more carbon atoms, or an aryl having 6 or more carbon atoms. And an organic group having at least one selected from the group consisting of a group and an aralkyl group having 7 or more carbon atoms.
W4は、フッ素原子を有する基、珪素原子を有する基、炭素数3以上のアルキル基、及び、炭素数5以上のシクロアルキル基からなる群より選択される1つ以上を有する有機基を表す。 W 4 represents an organic group having one or more selected from the group consisting of a group having a fluorine atom, a group having a silicon atom, an alkyl group having 3 or more carbon atoms, and a cycloalkyl group having 5 or more carbon atoms. .
Ar11は、(r+1)価の芳香環基を表す。 Ar 11 represents an (r + 1) -valent aromatic ring group.
rは、1〜10の整数を表す。 r represents an integer of 1 to 10.
(r+1)価の芳香環基Ar11として、rが1である場合における2価の芳香環基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基などの炭素数6〜18のアリーレン基などが挙げられる。 As the (r + 1) -valent aromatic ring group Ar 11 , the divalent aromatic ring group when r is 1 may have a substituent, for example, a phenylene group, a tolylene group, a naphthylene group, an anthracenylene group And an arylene group having 6 to 18 carbon atoms such as
rが2以上の整数である場合における(r+1)価の芳香環基の具体例としては、2価の芳香環基の上記した具体例から、(r−1)個の任意の水素原子を除してなる基を好適に挙げることができる。 Specific examples of the (r + 1) -valent aromatic ring group in the case where r is an integer of 2 or more include (r-1) arbitrary hydrogen atoms removed from the above-described specific examples of the divalent aromatic ring group. The group formed can be preferably mentioned.
W3〜W6についてのフッ素原子を有する基としては、前記したフッ素原子を有する基で挙げたものと同様である。 Examples of the group having a fluorine atom for W 3 to W 6 are the same as those described above for the group having a fluorine atom.
W3〜W6についてのフッ素原子を有する基は、前記一般式(C−Ia)〜(C−Id)で表される繰り返し単位に直接結合しても良く、更に、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合及びウレイレン結合よりなる群から選択される基、或いはこれらの2つ以上を組み合わせた基を介して前記一般式(C−Ia)〜(C−Id)で表される繰り返し単位に結合しても良い。 The group having a fluorine atom for W 3 to W 6 may be directly bonded to the repeating units represented by the general formulas (C-Ia) to (C-Id), and further includes an alkylene group, a phenylene group, Through the group selected from the group consisting of an ether bond, a thioether bond, a carbonyl group, an ester bond, an amide bond, a urethane bond and a ureylene bond, or a combination of two or more thereof, the above general formula (C-Ia) You may couple | bond with the repeating unit represented by-(C-Id).
W3〜W6についての珪素原子を有する基としては、前記した珪素原子を有する基で挙げたものと同様である。 Examples of the group having a silicon atom for W 3 to W 6 are the same as those described above for the group having a silicon atom.
W3、W5、W6についての炭素数6以上のアルキル基、炭素数5以上のシクロアルキル基、炭素数6以上のアリール基、及び、炭素数7以上のアラルキル基は、それぞれ、前述したものと同様である。 The alkyl group having 6 or more carbon atoms, the cycloalkyl group having 5 or more carbon atoms, the aryl group having 6 or more carbon atoms, and the aralkyl group having 7 or more carbon atoms for W 3 , W 5 , and W 6 are described above. It is the same as that.
W4についての炭素数3以上のアルキル基、及び、炭素数5以上のシクロアルキル基は、それぞれ、前記の少なくとも1個の炭素数3以上のアルキル基で置換された芳香環基における「炭素数3以上のアルキル基」、及び、前記の少なくとも1個の炭素数5以上のシクロアルキル基で置換された芳香環基における「炭素数5以上のシクロアルキル基」に関して説明したものと同様である。 The alkyl group having 3 or more carbon atoms and the cycloalkyl group having 5 or more carbon atoms for W 4 are each represented by “the number of carbon atoms in the aromatic ring group substituted with at least one alkyl group having 3 or more carbon atoms”. This is the same as that described for the “3 or more alkyl group” and the “cycloalkyl group having 5 or more carbon atoms” in the aromatic ring group substituted with at least one cycloalkyl group having 5 or more carbon atoms.
露光源が極紫外線(EUV光)である場合は、上記した理由により、W3、W5及びW6は、それぞれ独立して、珪素原子を有する基、炭素数6以上のアルキル基、炭素数5以上のシクロアルキル基、炭素数6以上のアリール基、及び、炭素数7以上のアラルキル基からなる群より選択される1つ以上を有する有機基を表すことも好ましく、W4は、珪素原子を有する基、炭素数3以上のアルキル基、及び、炭素数5以上のシクロアルキル基からなる群より選択される1つ以上を有する有機基を表すことも好ましい。 When the exposure source is extreme ultraviolet (EUV light), for the reasons described above, W 3 , W 5 and W 6 are each independently a group having a silicon atom, an alkyl group having 6 or more carbon atoms, or a carbon number. It is also preferable to represent an organic group having one or more selected from the group consisting of a cycloalkyl group having 5 or more, an aryl group having 6 or more carbon atoms, and an aralkyl group having 7 or more carbon atoms, and W 4 represents a silicon atom It is also preferable to represent an organic group having one or more selected from the group consisting of a group having an alkyl group, an alkyl group having 3 or more carbon atoms, and a cycloalkyl group having 5 or more carbon atoms.
W3、W5及びW6は、それぞれ独立して、フッ素原子を有する有機基、珪素原子を有する有機基、炭素数6以上のアルキル基、炭素数5以上のシクロアルキル基、炭素数6以上のアリール基、又は、炭素数7以上のアラルキル基であることが好ましく、露光源が極紫外線(EUV光)である場合は、上記した理由により、珪素原子を有する有機基、炭素数6以上のアルキル基、炭素数5以上のシクロアルキル基、炭素数6以上のアリール基、又は、炭素数7以上のアラルキル基であることも好ましい。 W 3 , W 5 and W 6 are each independently an organic group having a fluorine atom, an organic group having a silicon atom, an alkyl group having 6 or more carbon atoms, a cycloalkyl group having 5 or more carbon atoms, or a carbon number having 6 or more. In the case where the exposure source is extreme ultraviolet light (EUV light), an organic group having a silicon atom, 6 carbon atoms or more is preferable. It is also preferably an alkyl group, a cycloalkyl group having 5 or more carbon atoms, an aryl group having 6 or more carbon atoms, or an aralkyl group having 7 or more carbon atoms.
W4は、フッ素原子を有する有機基、珪素原子を有する有機基、炭素数3以上のアルキル基、又は、炭素数5以上のシクロアルキル基であることが好ましく、露光源が極紫外線(EUV光)である場合は、上記した理由により、珪素原子を有する有機基、炭素数3以上のアルキル基、又は、炭素数5以上のシクロアルキル基であることも好ましい。 W 4 is preferably an organic group having a fluorine atom, an organic group having a silicon atom, an alkyl group having 3 or more carbon atoms, or a cycloalkyl group having 5 or more carbon atoms, and the exposure source is extreme ultraviolet light (EUV light). ) Is preferably an organic group having a silicon atom, an alkyl group having 3 or more carbon atoms, or a cycloalkyl group having 5 or more carbon atoms.
以下、前記一般式(C−Ia)〜(C−Id)のいずれかで表される繰り返し単位の具体例を示すが、本発明は、これに限定されるものではない。
具体例中、X1は、水素原子、−CH3、−F又は−CF3を表す。
In specific examples, X 1 represents a hydrogen atom, —CH 3 , —F or —CF 3 .
樹脂(Aa)は、アリール基を有することが好ましく、アリール基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。樹脂(Aa)がアリール基を有することにより、アリール基が、EUV光のアウトオブバンド光を吸収し、露光部の表面のみが、アウトオブバンド光によって感光して、パターンの表面が荒れたり(特に、EUV露光の場合)、パターンの断面形状がT−top形状や逆テーパ形状になったり、分離すべきパターンの表面同士が分離せずに、ブリッジ部が発生するという不具合をより抑制できる。 The resin (Aa) preferably has an aryl group, and more preferably has a repeating unit having an aryl group. Since the resin (Aa) has an aryl group, the aryl group absorbs the out-of-band light of EUV light, and only the surface of the exposed portion is exposed to the out-of-band light, and the surface of the pattern becomes rough ( In particular, in the case of EUV exposure), the cross-sectional shape of the pattern becomes a T-top shape or a reverse taper shape, or the surface of the pattern to be separated is not separated from each other, and a problem that a bridge portion is generated can be further suppressed.
この場合、前記繰り返し単位(Aa3)がアリール基を有してもよく、あるいは、樹脂(Aa)が更に前記繰り返し単位(Aa3)以外の繰り返し単位を有するとともに、該繰り返し単位がアリール基を有していてもよい。 In this case, the repeating unit (Aa3) may have an aryl group, or the resin (Aa) further has a repeating unit other than the repeating unit (Aa3), and the repeating unit has an aryl group. It may be.
前記繰り返し単位(Aa3)がアリール基を有する場合における繰り返し単位(Aa3)は、下記一般式(C−II)で表される繰り返し単位であることが好ましい。
上記一般式中、
R12は水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、又は、フッ素原子を表す。
W7は、フッ素原子を有する基、珪素原子を有する基、炭素数3以上のアルキル基、炭素数5以上のシクロアルキル基からなる群より選択される1つ以上を有する有機基を表す。
In the above general formula,
R 12 represents a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group, or a fluorine atom.
W 7 represents an organic group having one or more selected from the group consisting of a group having a fluorine atom, a group having a silicon atom, an alkyl group having 3 or more carbon atoms, and a cycloalkyl group having 5 or more carbon atoms.
L1は単結合、又は、−COOL2−基を表す。L2は、単結合又はアルキレン基を表す。 L 1 represents a single bond or a —COOL 2 — group. L 2 represents a single bond or an alkylene group.
nは、1〜5の整数を表す。 n represents an integer of 1 to 5.
W7についてのフッ素原子を有する基、及び、珪素原子を有する基としては、それぞれ、前記したフッ素原子を有する基、及び、珪素原子を有する基で挙げたものと同様である。 W7についての炭素数3以上のアルキル基、及び、炭素数5以上のシクロアルキル基は、それぞれ、前記の少なくとも1個の炭素数3以上のアルキル基で置換された芳香環基における「炭素数3以上のアルキル基」、及び、前記の少なくとも1個の炭素数5以上のシクロアルキル基で置換された芳香環基における「炭素数5以上のシクロアルキル基」に関して説明したものと同様である。 The group having a fluorine atom and the group having a silicon atom for W 7 are the same as those described above for the group having a fluorine atom and the group having a silicon atom, respectively. The alkyl group having 3 or more carbon atoms and the cycloalkyl group having 5 or more carbon atoms for W 7 are each represented by “the number of carbon atoms in the aromatic ring group substituted with at least one alkyl group having 3 or more carbon atoms”. This is the same as that described for the “3 or more alkyl group” and the “cycloalkyl group having 5 or more carbon atoms” in the aromatic ring group substituted with at least one cycloalkyl group having 5 or more carbon atoms.
W7はトリアルキルシリル基、トリアルコキシシリル基、トリアルキルシリル基を有するアルキル基、トリアルコキシシリル基を有するアルキル基、炭素数3以上のアルキル基、又は、炭素数5以上のシクロアルキル基であることが好ましい。 W 7 is a trialkylsilyl group, a trialkoxysilyl group, an alkyl group having a trialkylsilyl group, an alkyl group having a trialkoxysilyl group, an alkyl group having 3 or more carbon atoms, or a cycloalkyl group having 5 or more carbon atoms. Preferably there is.
W7としてのトリアルキルシリル基、トリアルコキシシリル基、トリアルキルシリル基を有するアルキル基、及び、トリアルコキシシリル基を有するアルキル基において、珪素原子に結合するアルキル基又はアルコキシ基の炭素数は、1〜5であることが好ましく、1〜3であることがより好ましい。 In the alkyl group having a trialkylsilyl group, trialkoxysilyl group, trialkylsilyl group, and alkyl group having a trialkoxysilyl group as W 7 , the carbon number of the alkyl group or alkoxy group bonded to the silicon atom is It is preferable that it is 1-5, and it is more preferable that it is 1-3.
また、W7としてのトリアルキルシリル基を有するアルキル基、及び、トリアルコキシシリル基を有するアルキル基において、トリアルキルシリル基又はトリアルコキシシリル基に結合するアルキル基の炭素数は、1〜5であることが好ましく、1〜3であることがより好ましい。 In the alkyl group having a trialkylsilyl group as W 7 and the alkyl group having a trialkoxysilyl group, the alkyl group bonded to the trialkylsilyl group or trialkoxysilyl group has 1 to 5 carbon atoms. It is preferable that it is 1 to 3, and more preferably 1 to 3.
R12は水素原子またはメチル基であることが好ましい。
L2としてのアルキレン基は、炭素数1〜5のアルキレン基であることが好ましく、炭素数1〜3のアルキレン基であることがより好ましい。L2は単結合であることが好ましい。
R 12 is preferably a hydrogen atom or a methyl group.
The alkylene group as L 2 is preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and more preferably an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms. L 2 is preferably a single bond.
W7は、フッ素原子を有する有機基、珪素原子を有する有機基、炭素数3以上のアルキル基、又は、炭素数5以上のシクロアルキル基であることが好ましい。
以下に一般式(C−II)で表される繰り返し単位の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
Specific examples of the repeating unit represented by formula (C-II) are shown below, but are not limited thereto.
樹脂(Aa)が繰り返し単位(Aa3)を含有する場合、繰り返し単位(Aa3)の樹脂(Aa)の全繰り返し単位に対する含有率は、1〜95モル%であることが好ましく、3〜65モル%であることがより好ましく、5〜35モル%であることが更に好ましい。 When the resin (Aa) contains the repeating unit (Aa3), the content of the repeating unit (Aa3) with respect to all the repeating units of the resin (Aa) is preferably 1 to 95 mol%, preferably 3 to 65 mol%. It is more preferable that it is 5 to 35 mol%.
<繰り返し単位(Aa4)>
本発明の一形態において、樹脂(Aa)は、下記一般式(Aa4)で表される繰り返し単位(以下、「繰り返し単位(Aa4)」ともいう)を更に含有してもよい。樹脂(Aa)が繰り返し単位(Aa4)を含有することにより、疎水性が向上して偏在性をさらに向上させることができ、アウトバンド光の吸収を向上させることができる。
In one embodiment of the present invention, the resin (Aa) may further contain a repeating unit represented by the following general formula (Aa4) (hereinafter also referred to as “repeating unit (Aa4)”). When the resin (Aa) contains the repeating unit (Aa4), the hydrophobicity can be improved and the uneven distribution can be further improved, and the absorption of the out-band light can be improved.
一般式(Aa4)中、
Rbは、水素原子、アルキル基又はハロゲン原子を表す。
S1aは置換基を表し、複数存在する場合は各々独立である。
pは0〜5の整数を表す。
In general formula (Aa4),
Rb represents a hydrogen atom, an alkyl group or a halogen atom.
S 1a represents a substituent, and when a plurality of S 1a are present, each is independent.
p represents an integer of 0 to 5.
一般式(Aa4)について詳細に説明する。
式中のRbは、上述したように、水素原子、アルキル基又はハロゲン原子を表し、アルキル基は置換基を有していてもよい。
Rbとして、好ましくは、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、フッ素原子が挙げられ、より好ましくは水素原子である。
The general formula (Aa4) will be described in detail.
Rb in the formula represents a hydrogen atom, an alkyl group or a halogen atom as described above, and the alkyl group may have a substituent.
Rb is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group or a fluorine atom, more preferably a hydrogen atom.
S1aは、上述したように、置換基を表す。
S1aにより表される置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、珪素原子を含む有機基、アリール基、アリールオキシ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基等が挙げられる。
S 1a represents a substituent as described above.
Examples of the substituent represented by S 1a include an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an acyl group, an acyloxy group, a halogen atom, a cyano group, an organic group containing a silicon atom, an aryl group, an aryloxy group, and an aralkyl. Group, aralkyloxy group, hydroxy group, nitro group, sulfonylamino group, alkylthio group, arylthio group, aralkylthio group and the like.
S1aにより表される置換基は、また、上述した基が、2価の連結基に結合した基であってもよく、2価の連結基としては、例えば、置換又は無置換のアルキレン基、置換又は無置換のシクロアルキレン基、−O−、もしくはこれらの複数を組み合わせた2価の連結基が挙げられる。 The substituent represented by S 1a may be a group in which the above-described group is bonded to a divalent linking group. Examples of the divalent linking group include a substituted or unsubstituted alkylene group, Examples thereof include a substituted or unsubstituted cycloalkylene group, —O—, or a divalent linking group obtained by combining a plurality of these.
S1aにより表されるアルキル基としては、例えば、炭素原子数が1〜20個のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基などが挙げられる。アルキル基は、更に置換基を有していてもよい。更に有し得る好ましい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基、シクロアルキル基、水酸基、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、チオフェンカルボニルオキシ基、チオフェンメチルカルボニルオキシ基、ピロリドン残基等のヘテロ環残基などが挙げられ、好ましくは、炭素数12以下の置換基である。 As the alkyl group represented by S 1a , for example, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms is preferable, and specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group. Group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group and the like. The alkyl group may further have a substituent. Further preferred substituents that may have, for example, halogen atom, alkoxy group, cycloalkyl group, hydroxyl group, nitro group, acyl group, acyloxy group, acylamino group, sulfonylamino group, alkylthio group, arylthio group, aralkylthio group, Examples thereof include heterocyclic residues such as a thiophenecarbonyloxy group, a thiophenemethylcarbonyloxy group, and a pyrrolidone residue, and a substituent having 12 or less carbon atoms is preferable.
S1aにより表されるシクロアルキル基としては、例えば、炭素原子数が3〜10個のシクロアルキル基が好ましく、具体的には、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルネル基、アダマンチル基等が挙げられる。シクロアルキル基は、更に置換基を有していてもよい。更に有し得る好ましい置換基としては、例えば、上述したS1aとしてのアルキル基が有し得る置換基に加え、アルキル基が挙げられる。 As the cycloalkyl group represented by S 1a , for example, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms is preferable, and specific examples include a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a norbornel group, an adamantyl group, and the like. Can be mentioned. The cycloalkyl group may further have a substituent. Furthermore, as a preferable substituent which may have, in addition to the substituent which the alkyl group as S1a mentioned above may have, an alkyl group is mentioned.
S1aにより表されるアルコキシ基としては、例えば、炭素原子数が1〜10個のアルコキシ基が好ましく、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。アルコキシ基は、更なる置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、例えば、上述したS1aとしてのアルキル基が有し得る好ましい置換基と同様の基が挙げられる。 As the alkoxy group represented by S 1a , for example, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms is preferable, and specific examples include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group. The alkoxy group may have a further substituent, and examples of such a substituent include the same groups as the preferred substituent that the alkyl group as S 1a described above may have.
S1aにより表されるアシル基としては、例えば、炭素原子数2〜10個のものが好ましく、具体的には、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基等が挙げられる。アシル基は、更なる置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、例えば、上述したS1aとしてのアルキル基が有し得る好ましい置換基と同様の基が挙げられる。 As the acyl group represented by S 1a , for example, an acyl group having 2 to 10 carbon atoms is preferable, and specific examples include an acetyl group, a propionyl group, a butyryl group, and an isobutyryl group. The acyl group may have a further substituent, and examples of such a substituent include the same groups as the preferable substituent that the alkyl group as S 1a described above may have.
S1aにより表されるアシルオキシ基としては、例えば、炭素原子数2〜10個のものが好ましい。アシルオキシ基におけるアシル基としては、例えば、上述したアシル基と同様の具体例が挙げられ、有し得る置換基も同様である。 As the acyloxy group represented by S 1a , for example, those having 2 to 10 carbon atoms are preferable. Examples of the acyl group in the acyloxy group include the same specific examples as those of the acyl group described above, and the substituents that can be included are also the same.
S1aにより表されるアリール基としては、例えば、炭素原子数6〜10個のものが好ましく、具体的には、フェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル基等が挙げられる。アリール基は、更なる置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、例えば、上述したS1aとしてのアルキル基又はシクロアルキル基が有し得る好ましい置換基と同様の基が挙げられる。 As the aryl group represented by S 1a , for example, an aryl group having 6 to 10 carbon atoms is preferable, and specific examples include phenyl group, xylyl group, toluyl group, cumenyl group, naphthyl group, anthracenyl group and the like. It is done. The aryl group may have a further substituent, and examples of such a substituent include a group similar to the preferable substituent that the alkyl group or cycloalkyl group as S 1a described above may have. Can be mentioned.
S1aにより表されるアリールオキシ基、アリールチオ基としては、例えば、炭素原子数2〜10個のものが好ましい。アリールオキシ基及びアリールチオ基におけるアリール基としては、例えば、上述したアリール基と同様の具体例が挙げられ、有し得る置換基も同様である。 As the aryloxy group and arylthio group represented by S 1a , for example, those having 2 to 10 carbon atoms are preferable. Examples of the aryl group in the aryloxy group and the arylthio group include specific examples similar to the above-described aryl group, and the substituents that can be included are also the same.
S1aにより表されるアラルキル基としては、例えば、炭素原子数7〜15個のものが好ましく、具体的には、ベンジル基等が挙げられる。これらの基は、更なる置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、例えば、上述したS1aとしてのアルキル基又はシクロアルキル基が有し得る好ましい置換基と同様の基が挙げられる。 As the aralkyl group represented by S 1a , for example, those having 7 to 15 carbon atoms are preferred, and specific examples include a benzyl group. These groups may further have a substituent. Examples of such a substituent include the same groups as the preferable substituents that the alkyl group or cycloalkyl group as S 1a described above may have. Is mentioned.
S1aにより表されるアラルキルオキシ基、アラルキルチオ基としては、例えば、炭素原子数7〜15個のものが好ましい。アラルキルオキシ基及びアラルキルチオ基におけるアラルキル基としては、例えば、上述したアラルキルと同様の具体例が挙げられ、有し得る置換基も同様である。 As the aralkyloxy group and aralkylthio group represented by S 1a , for example, those having 7 to 15 carbon atoms are preferable. Examples of the aralkyl group in the aralkyloxy group and the aralkylthio group include specific examples similar to the above-described aralkyl, and the substituents that may be included are also the same.
S1aにより表されるアルキルチオ基としては、例えば、炭素原子数1〜10個のものが好ましい。アルキルチオ基におけるアルキル基としては、例えば、上述したアルキルと同様の具体例が挙げられ、有し得る置換基も同様である。 As the alkylthio group represented by S 1a , for example, an alkylthio group having 1 to 10 carbon atoms is preferable. Examples of the alkyl group in the alkylthio group include the same specific examples as the alkyl described above, and the substituents that can be included are also the same.
S1aにより表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子が挙げられ、フッ素原子及び塩素原子が好ましく、フッ素原子が最も好ましい。 Examples of the halogen atom represented by S 1a include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. A fluorine atom and a chlorine atom are preferable, and a fluorine atom is most preferable.
S1aにより表される、珪素原子を含む有機基における有機基は、炭素原子を少なくとも1つ含む基であり、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、珪素原子、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等)などのヘテロ原子を含んでいてもよい。この有機基は、炭素原子数が1〜30個であることが好ましい。 The organic group in the organic group containing a silicon atom represented by S 1a is a group containing at least one carbon atom, and an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, a silicon atom, a halogen atom (for example, a fluorine atom, a chlorine atom) A hetero atom such as an atom or a bromine atom). This organic group preferably has 1 to 30 carbon atoms.
珪素原子を含む有機基は、一態様において、下記一般式(S)で表されることが好ましい。
式中、
R1、R2及びR3は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン原子を表す。
Lは単結合又は2価の連結基を表す。
Where
R 1 , R 2 and R 3 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aralkyl group or a halogen atom.
L represents a single bond or a divalent linking group.
R1、R2及びR3におけるアルキル基としては、例えば、炭素原子数が1〜20のアルキル基が好ましく、置換基を有していてもよい。
R1、R2及びR3におけるアルケニル基としては、例えば、炭素原子数が2〜10のアルケニル基が好ましく、置換基を有していてもよい。
R1、R2及びR3におけるシクロアルキル基としては、例えば、炭素原子数が3〜10のシクロアルキル基が好ましく、置換基を有していてもよい。
R1、R2及びR3におけるアルコキシ基としては、例えば、炭素原子数が1〜10のアルコキシ基が好ましく、置換基を有していてもよい。
R1、R2及びR3におけるアリール基としては、例えば、炭素原子数が6〜10のアリール基が好ましく、置換基を有していてもよい。
R1、R2及びR3におけるアラルキル基としては、例えば、炭素原子数が7〜15のアラルキル基が好ましく、置換基を有していてもよい。
Lにより表される2価の連結基としては、例えば、置換又は無置換のアルキレン基、−O−、−S−、−(C=O)−、又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基が挙げられる。
The alkyl group in R 1, R 2 and R 3, for example, preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, which may have a substituent.
The alkenyl group for R 1, R 2 and R 3, for example, carbon atoms preferably an alkenyl group having 2 to 10, which may have a substituent.
The cycloalkyl group in R 1, R 2 and R 3, for example, carbon atoms preferably a cycloalkyl group having from 3 to 10, which may have a substituent.
The alkoxy group in R 1, R 2 and R 3, for example, preferably an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, which may have a substituent.
As an aryl group in R < 1 >, R < 2 > and R < 3 >, a C6-C10 aryl group is preferable, for example, and you may have a substituent.
As the aralkyl group in R 1 , R 2 and R 3 , for example, an aralkyl group having 7 to 15 carbon atoms is preferable and may have a substituent.
Examples of the divalent linking group represented by L include a substituted or unsubstituted alkylene group, —O—, —S—, — (C═O) —, or a divalent linking in which a plurality of these are combined. Groups.
S1aは、一態様において、置換基を有していてもよいアルキル基、ハロゲン原子又は珪素原子を含む有機基であることが好ましく、アルキル基、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、又は珪素原子を含む有機基であることがより好ましく、アルキル基又は下記一般式(S−1)で表される基であることが更に好ましい。
式中、
R11、R21及びR31は、各々独立に、アルキル基を表す。
L1は単結合又は2価の連結基を表す。
Where
R 11 , R 21 and R 31 each independently represents an alkyl group.
L 1 represents a single bond or a divalent linking group.
R11、R21及びR31としてのアルキル基は、先に述べた一般式(S)におけるR1、R2及びR3としてのアルキル基と同義であり、L1としての2価の連結基は、一般式(S)におけるLとしての2価の連結基と同義である。
pは、上述したように、0〜5の整数を表す。pは、好ましくは1〜5の整数である。
The alkyl group as R 11 , R 21 and R 31 has the same definition as the alkyl group as R 1 , R 2 and R 3 in the general formula (S) described above, and a divalent linking group as L 1. Is synonymous with the divalent linking group as L in formula (S).
p represents an integer of 0 to 5 as described above. p is preferably an integer of 1 to 5.
以下に、繰り返し単位(Aa4)の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではなく、また、ベンゼン環上の置換基(S1a基に対応)の位置も下記具体例に限定されるものでない。
樹脂(Aa)が繰り返し単位(Aa4)を含有する場合、繰り返し単位(Aa4)の含有率は、樹脂(Aa)中の全繰り返し単位に対し、1〜99mol%が好ましく、より好ましくは1〜70mol%であり、更に好ましくは1〜50mol%であり、特に好ましくは1〜30mol%である。 When the resin (Aa) contains a repeating unit (Aa4), the content of the repeating unit (Aa4) is preferably from 1 to 99 mol%, more preferably from 1 to 70 mol, based on all repeating units in the resin (Aa). %, More preferably 1 to 50 mol%, and particularly preferably 1 to 30 mol%.
<酸の作用により分解する基を有する繰り返し単位>
本発明の一形態において、樹脂(Aa)は、酸の作用により分解する基(以下、「酸分解性基」という)を有する繰り返し単位を更に含有することが好ましい。
この繰り返し単位が有する酸分解性基は、酸分解後にフェノール又はカルボン酸を生成する基であることが好ましく、カルボン酸を生成する基であることが基であることがより好ましい。そして、酸分解後にフェノールを生成する酸分解性基は、アセタール基であることが好ましい。
<Repeating unit having a group decomposable by the action of an acid>
In one embodiment of the present invention, the resin (Aa) preferably further contains a repeating unit having a group capable of decomposing by the action of an acid (hereinafter referred to as “acid-decomposable group”).
The acid-decomposable group contained in this repeating unit is preferably a group that generates phenol or carboxylic acid after acid decomposition, and more preferably a group that generates carboxylic acid. The acid-decomposable group that generates phenol after acid decomposition is preferably an acetal group.
本発明の一形態において、樹脂(Aa)が含有し得る酸分解性基を有する繰り返し単位としては、例えば、後述する樹脂(Ab)において説明する一般式(A1)、(A2)又は(A3)で表される繰り返し単位が挙げられる。 In one embodiment of the present invention, the repeating unit having an acid-decomposable group that can be contained in the resin (Aa) includes, for example, the general formula (A1), (A2), or (A3) described in the resin (Ab) described later. The repeating unit represented by these is mentioned.
また、本発明の一形態において、酸分解後にカルボン酸を生成する酸分解性基を有する繰り返し単位は、下記一般式(Aa1)又は(Aa2)で表される繰り返し単位であることが好ましい。
一般式(Aa1)中、
R’は水素原子又はアルキル基を表す。
Lは単結合又は2価の連結基を表す。
R1は水素原子又は1価の置換基を表す。
R2は1価の置換基を表す。R1とR2とが互いに結合し、式中の酸素原子と共に環を形成してもよい。
R3は水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
In general formula (Aa1),
R ′ represents a hydrogen atom or an alkyl group.
L represents a single bond or a divalent linking group.
R 1 represents a hydrogen atom or a monovalent substituent.
R 2 represents a monovalent substituent. R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a ring together with the oxygen atom in the formula.
R 3 represents a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group.
一般式(Aa2)中、
Raは水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
L1は単結合又は2価の連結基を表す。
R1及びR2はそれぞれ独立にアルキル基を表す。
R11及びR12はそれぞれ独立にアルキル基を表し、R13は水素原子又はアルキル基を表す。R11、R12及びR13のいずれか2つは互いに連結して環を形成してもよい。
In general formula (Aa2),
Ra represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group, or a halogen atom.
L 1 represents a single bond or a divalent linking group.
R 1 and R 2 each independently represents an alkyl group.
R 11 and R 12 each independently represents an alkyl group, and R 13 represents a hydrogen atom or an alkyl group. Any two of R 11 , R 12 and R 13 may be connected to each other to form a ring.
一般式(Aa1)で表される繰り返し単位(以下、「繰り返し単位(Aa1)」ともいう。)と、一般式(Aa2)で表される繰り返し単位(以下、「繰り返し単位(Aa2)」ともいう。は、上述した通り、いずれも酸の作用に対する反応速度が高いが、繰り返し単位(Aa1)の方が酸の作用に対する反応速度がより高い。したがって、高感度化の観点からは、樹脂(Aa)は繰り返し単位(Aa1)を含むことがより好ましい。
以下、繰り返し単位(Aa1)及び繰り返し単位(Aa2)について詳細に説明する。
A repeating unit represented by the general formula (Aa1) (hereinafter also referred to as “repeating unit (Aa1)”) and a repeating unit represented by the general formula (Aa2) (hereinafter also referred to as “repeating unit (Aa2)”). As described above, the reaction rate for the action of the acid is high, but the repeating unit (Aa1) has a higher reaction rate for the action of the acid, so from the viewpoint of increasing the sensitivity, the resin (Aa ) More preferably contains a repeating unit (Aa1).
Hereinafter, the repeating unit (Aa1) and the repeating unit (Aa2) will be described in detail.
<繰り返し単位(Aa1)>
まず、一般式(Aa1)で表される繰り返し単位について説明する。
First, the repeating unit represented by formula (Aa1) will be described.
上記一般式(Aa1)において、R’のアルキル基は、炭素数1〜10のアルキル基であることが好ましく、炭素数1〜5のアルキル基であることがより好ましく、炭素数1〜3のアルキル基であることが更に好ましく、炭素数1又は2のアルキル基(すなわち、メチル基又はエチル基)であることが好ましい。R’のアルキル基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、及び、t−ブチル基などを挙げることができる。 In the general formula (Aa1), the alkyl group represented by R ′ is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. An alkyl group is more preferable, and an alkyl group having 1 or 2 carbon atoms (that is, a methyl group or an ethyl group) is preferable. Specific examples of the alkyl group for R ′ include, for example, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, and a t-butyl group. Can do.
R’は、水素原子、又は、炭素数1〜5のアルキル基であることが好ましく、水素原子、又は、炭素数1〜3のアルキル基であることがより好ましく、水素原子、メチル基又はエチル基であることが更に好ましく、水素原子であることが特に好ましい。 R ′ is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, a hydrogen atom, a methyl group or ethyl. It is more preferably a group, and particularly preferably a hydrogen atom.
Lで表される2価の連結基としては、アルキレン基、芳香環基、シクロアルキレン基、−COO−L1’−、−O−L1’−、−CONH−、これらの2つ以上を組み合わせて形成される基等が挙げられる。ここで、L1’はアルキレン基(好ましくは炭素数1〜20)、シクロアルキレン基(好ましくは炭素数3〜20)、ラクトン構造を有する基、芳香環基、アルキレン基と芳香環基を組み合わせた基を表す。 Examples of the divalent linking group represented by L, an alkylene group, aromatic ring group, a cycloalkylene group, -COO-L 1 '-, - O-L 1' -, - CONH-, these two or more Examples include groups formed in combination. Here, L 1 ′ is an alkylene group (preferably having 1 to 20 carbon atoms), a cycloalkylene group (preferably having 3 to 20 carbon atoms), a group having a lactone structure, an aromatic ring group, or a combination of an alkylene group and an aromatic ring group. Represents a group.
Lで表される2価の連結基としてのアルキレン基としては、好ましくはメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1〜8のアルキレン基が挙げられる。炭素数1〜4のアルキレン基がより好ましく、炭素数1又は2のアルキレン基が特に好ましい。 The alkylene group as the divalent linking group represented by L is preferably an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms such as a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a hexylene group or an octylene group. An alkylene group having 1 to 4 carbon atoms is more preferable, and an alkylene group having 1 or 2 carbon atoms is particularly preferable.
Lで表される2価の連結基としてのシクロアルキレン基は、炭素数3〜20のシクロアルキレン基であることが好ましく、例えば、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基、シクロオクチレン基、ノルボルニレン基又はアダマンチレン基が挙げられる。 The cycloalkylene group as the divalent linking group represented by L is preferably a cycloalkylene group having 3 to 20 carbon atoms, such as a cyclopropylene group, a cyclobutylene group, a cyclopentylene group, or a cyclohexylene group. , Cycloheptylene group, cyclooctylene group, norbornylene group or adamantylene group.
Lで表される2価の連結基としての芳香環基は、ベンゼン環、ナフタレン環基などの炭素数6〜18(より好ましくは炭素数6〜10)の芳香環基、あるいは、例えば、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾピロール環、トリアジン環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、トリアゾール環、チアジアゾール環、チアゾール環等のヘテロ環を含む芳香環基を好ましい例として挙げることができ、ベンゼン環基であることが特に好ましい。 The aromatic ring group as the divalent linking group represented by L is an aromatic ring group having 6 to 18 carbon atoms (more preferably 6 to 10 carbon atoms) such as a benzene ring or a naphthalene ring group, or, for example, thiophene. Preferred examples include aromatic ring groups including hetero rings such as rings, furan rings, pyrrole rings, benzothiophene rings, benzofuran rings, benzopyrrole rings, triazine rings, imidazole rings, benzimidazole rings, triazole rings, thiadiazole rings, and thiazole rings. A benzene ring group is particularly preferable.
L1’が表すアルキレン基、シクロアルキレン基及び芳香環基の定義及び好ましい範囲は、Lで表される2価の連結基としてのアルキレン基、シクロアルキレン基及び芳香環基におけるものと同様である。 The definitions and preferred ranges of the alkylene group, cycloalkylene group and aromatic ring group represented by L 1 ′ are the same as those in the alkylene group, cycloalkylene group and aromatic ring group as the divalent linking group represented by L. .
L1’が表すラクトン構造を有する基としては、ラクトン構造を有していればいずれでも用いることができるが、好ましくは5〜7員環ラクトン構造であり、5〜7員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。例えば、後述のKA−1−1〜KA−1−17を挙げることができるが、KA−1−1、KA−1−4、KA−1−5、KA−1−17好ましい。 As the group having a lactone structure represented by L 1 ′, any group having a lactone structure can be used. However, a 5- to 7-membered ring lactone structure is preferable, and a bicyclo lactone structure is added to the 5- to 7-membered ring lactone structure. A structure in which another ring structure is condensed to form a structure or a spiro structure is preferable. For example, KA-1-1 to KA-1-17 described later can be mentioned, but KA-1-1, KA-1-4, KA-1-5, and KA-1-17 are preferable.
L1’が表すアルキレン基と芳香環基を組み合わせた基におけるアルキレン基及び芳香族基の定義及び好ましい範囲は、Lで表される2価の連結基としてのアルキレン基及び芳香環基におけるものと同様である。 The definitions and preferred ranges of the alkylene group and aromatic group in the group in which the alkylene group and the aromatic ring group represented by L 1 ′ are combined are those in the alkylene group and aromatic ring group as the divalent linking group represented by L It is the same.
Lは、単結合、芳香環基、ノルボルナン環基又はアダマンタン環基であることが好ましく、単結合、ノルボルナン環基又はアダマンタン環基がより好ましく、単結合又はノルボルナン環基が更に好ましく、単結合が特に好ましい。 L is preferably a single bond, aromatic ring group, norbornane ring group or adamantane ring group, more preferably a single bond, norbornane ring group or adamantane ring group, more preferably a single bond or norbornane ring group, and a single bond Particularly preferred.
R1の1価の置換基としては、*−C(R111)(R112)(R113)で表される基であることが好ましい。*は一般式(Aa1)で表される繰り返し単位内の炭素原子に連結する結合手を表す。R111〜R113はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ環基を表す。 The monovalent substituent for R 1 is preferably a group represented by * —C (R 111 ) (R 112 ) (R 113 ). * Represents a bond linked to a carbon atom in the repeating unit represented by the general formula (Aa1). R 111 to R 113 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group or a heterocyclic group.
R111〜R113のアルキル基は、炭素数1〜15のアルキル基であることが好ましく、炭素数1〜10のアルキル基であることがより好ましく、炭素数1〜6のアルキル基であることが更に好ましい。R111〜R113のアルキル基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基及びドデシル基などを挙げることができ、R111〜R113のアルキル基は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基又はt−ブチル基であることが好ましい。 The alkyl group of R 111 to R 113 is preferably an alkyl group having 1 to 15 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. Is more preferable. Specific examples of the alkyl group of R 111 to R 113 include, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, neopentyl group, hexyl group, 2 - ethylhexyl group, and a octyl group and a dodecyl group, an alkyl group of R 111 to R 113 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and an isopropyl group or t- butyl group.
R111〜R113の少なくとも2つは、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ環基を表し、R111〜R113の全てが、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ環基を表すことが好ましい。 At least two of R 111 to R 113 each independently represent an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group or a heterocyclic group, and all of R 111 to R 113 are an alkyl group, a cycloalkyl group, It preferably represents an aryl group, an aralkyl group or a heterocyclic group.
R111〜R113のシクロアルキル基は、単環型であっても、多環型であってもよく、炭素数3〜15のシクロアルキル基であることが好ましく、炭素数3〜10のシクロアルキル基であることがより好ましく、炭素数3〜6のシクロアルキル基であることが更に好ましい。R111〜R113のシクロアルキル基の具体例としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、デカヒドロナフチル基、シクロデシル基、1−アダマンチル基、2−アダマンチル基、1−ノルボルニル基、及び、2−ノルボルニル基などを挙げることができる。R111〜R113のシクロアルキル基は、シクロプロピル基、シクロペンチル基、又は、シクロヘキシル基であることが好ましい。 The cycloalkyl group of R 111 to R 113 may be monocyclic or polycyclic, and is preferably a cycloalkyl group having 3 to 15 carbon atoms, and a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms. It is more preferably an alkyl group, and further preferably a cycloalkyl group having 3 to 6 carbon atoms. Specific examples of the cycloalkyl group represented by R 111 to R 113 include, for example, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a decahydronaphthyl group, a cyclodecyl group, and a 1-adamantyl group. , 2-adamantyl group, 1-norbornyl group, 2-norbornyl group and the like. The cycloalkyl group of R 111 to R 113 is preferably a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, or a cyclohexyl group.
R111〜R113のアリール基は、炭素数6〜15のアリール基であることが好ましく、炭素数6〜12のアリール基であることがより好ましく、複数の芳香環が単結合を介して互いに連結された構造(例えば、ビフェニル基、ターフェニル基)も含む。R111〜R113のアリール基の具体例としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、ビフェニル基、ターフェニル基等が挙げられる。R111〜R113のアリール基は、フェニル基、ナフチル基、又は、ビフェニル基であることが好ましい。 The aryl group of R 111 to R 113 is preferably an aryl group having 6 to 15 carbon atoms, more preferably an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and a plurality of aromatic rings are mutually bonded via a single bond. It also includes linked structures (eg, biphenyl group, terphenyl group). Specific examples of the aryl group of R 111 to R 113 include a phenyl group, a naphthyl group, an anthranyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, and the like. The aryl group of R 111 to R 113 is preferably a phenyl group, a naphthyl group, or a biphenyl group.
R111〜R113のアラルキル基は、炭素数6〜20のアラルキル基であることが好ましく、炭素数7〜12のアラルキル基であることより好ましい。R111〜R113のアラルキル基の具体例としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。 The aralkyl group of R 111 to R 113 is preferably an aralkyl group having 6 to 20 carbon atoms, and more preferably an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms. Specific examples of the aralkyl group of R 111 to R 113 include a benzyl group, a phenethyl group, a naphthylmethyl group, a naphthylethyl group, and the like.
R111〜R113のヘテロ環基は、炭素数6〜20のヘテロ環基であることが好ましく、炭素数6〜12のヘテロ環基であることがより好ましい。R111〜R113のヘテロ環基の具体例としては、例えば、ピリジル基、ピラジル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオフェン基、ピペリジル基、ピペラジル基、フラニル基、ピラニル基、クロマニル基等が挙げられる。 The heterocyclic group of R 111 to R 113 is preferably a heterocyclic group having 6 to 20 carbon atoms, and more preferably a heterocyclic group having 6 to 12 carbon atoms. Specific examples of the heterocyclic group of R 111 to R 113 include, for example, a pyridyl group, a pyrazyl group, a tetrahydrofuranyl group, a tetrahydropyranyl group, a tetrahydrothiophene group, a piperidyl group, a piperazyl group, a furanyl group, a pyranyl group, and a chromanyl group. Etc.
R111〜R113としてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基及びヘテロ環基は、置換基を更に有していてもよい。 The alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, aralkyl group and heterocyclic group as R 111 to R 113 may further have a substituent.
R111〜R113としてのアルキル基が更に有し得る置換基としては、例えば、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基及びニトロ基などが挙げられる。上記置換基同士が互いに結合して環を形成してもよく、上記置換基同士が互いに結合して環を形成するときの環は、炭素数3〜10のシクロアルキル基又はフェニル基が挙げられる。 Examples of the substituent that the alkyl group as R 111 to R 113 may further have include a cycloalkyl group, an aryl group, an amino group, an amide group, a ureido group, a urethane group, a hydroxy group, a carboxy group, a halogen atom, and an alkoxy group. Group, aralkyloxy group, thioether group, acyl group, acyloxy group, alkoxycarbonyl group, cyano group, nitro group and the like. The above substituents may be bonded to each other to form a ring, and examples of the ring when the above substituents are bonded to each other to form a ring include a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms or a phenyl group. .
R111〜R113としてのシクロアルキル基が更に有し得る置換基としては、アルキル基、及び、R111〜R113としてのアルキル基が更に有し得る置換基の具体例として前述した各基が挙げられる。 Examples of the substituent which the cycloalkyl group may further have as R 111 to R 113, an alkyl group, and, in each group described above as specific examples of the substituent which the alkyl group may further have as R 111 to R 113 Can be mentioned.
なお、シクロアルキル基が更に有し得る置換基の炭素数は、好ましくは、1〜8である。 In addition, carbon number of the substituent which the cycloalkyl group may further have is preferably 1-8.
R111〜R113としてのアリール基、アラルキル基及びヘテロ環基が更に有し得る置換基としては、例えば、ニトロ基、フッ素原子等のハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルキル基(好ましくは炭素数1〜15)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜15)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜15)、アリール基(好ましくは炭素数6〜14)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜7)、アシル基(好ましくは炭素数2〜12)、及びアルコキシカルボニルオキシ基(好ましくは炭素数2〜7)などが挙げられる。 Examples of the substituent that the aryl group, aralkyl group and heterocyclic group as R 111 to R 113 may further have include a halogen atom such as a nitro group and a fluorine atom, a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, a cyano group, and an alkyl group. Group (preferably having 1 to 15 carbon atoms), alkoxy group (preferably having 1 to 15 carbon atoms), cycloalkyl group (preferably having 3 to 15 carbon atoms), aryl group (preferably having 6 to 14 carbon atoms), alkoxycarbonyl Examples include a group (preferably having 2 to 7 carbon atoms), an acyl group (preferably having 2 to 12 carbon atoms), an alkoxycarbonyloxy group (preferably having 2 to 7 carbon atoms), and the like.
R111〜R113の少なくとも2つは、互いに環を形成していてもよい。
R111〜R113の少なくとも2つが互いに結合して環を形成する場合、形成される環としては、例えばテトラヒドロピラン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、アダマンタン環、ノルボルネン環、ノルボルナン環などが挙げられる。これらの環は置換基を有しても良く、有し得る置換基としては、アルキル基、及び、R111〜R113としてのアルキル基が更に有し得る置換基の具体例として前述した各基が挙げられる。
At least two of R 111 to R 113 may form a ring with each other.
When at least two of R 111 to R 113 are bonded to each other to form a ring, examples of the ring formed include a tetrahydropyran ring, a cyclopentane ring, a cyclohexane ring, an adamantane ring, a norbornene ring, and a norbornane ring. . These rings may have a substituent, and examples of the substituent that may be included include the alkyl groups and the groups described above as specific examples of the substituent that the alkyl groups as R 111 to R 113 may further have. Is mentioned.
R111〜R113の全てが互いに結合して環を形成する場合、形成される環としては、例えばアダマンタン環、ノルボルナン環、ノルボルネン環、ビシクロ[2,2,2]オクタン環、ビシクロ[3,1,1]ヘプタン環が挙げられる。中でもアダマンタン環が特に好ましい。これらは置換基を有しても良く、有し得る置換基としては、アルキル基、及び、R111〜R113としてのアルキル基が更に有し得る置換基の具体例として前述した各基が挙げられる。 When all of R 111 to R 113 are bonded to each other to form a ring, examples of the formed ring include an adamantane ring, norbornane ring, norbornene ring, bicyclo [2,2,2] octane ring, bicyclo [3, 1,1] heptane ring. Of these, an adamantane ring is particularly preferred. These may have a substituent, and examples of the substituent that may be included include the alkyl groups and the groups described above as specific examples of the substituent that the alkyl groups as R 111 to R 113 may further have. It is done.
本発明の一形態において、R2の1価の置換基は、*−M−Qで表される基であることが好ましい。*は一般式(Aa1)中の酸素原子に連結する結合手を表す。Mは、単結合又は2価の連結基を表す。Qは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はヘテロ環基を表す。本発明の一形態において、R2はフッ素原子を含まないことが好ましい。 In one embodiment of the present invention, the monovalent substituent represented by R 2 is preferably a group represented by * -MQ. * Represents a bond connected to an oxygen atom in the general formula (Aa1). M represents a single bond or a divalent linking group. Q represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or a heterocyclic group. In one embodiment of the present invention, R 2 preferably does not contain a fluorine atom.
Mとしての2価の連結基は、例えば、アルキレン基(好ましくは炭素数1〜8のアルキレン基、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基又はオクチレン基)、シクロアルキレン基(好ましくは炭素数3〜15のシクロアルキレン基、例えば、シクロペンチレン基又はシクロヘキシレン基)、−S−、−O−、−CO−、−CS−、−SO2−、−N(R0)−、又はこれらの2種以上の組み合わせであり、総炭素数が20以下のものが好ましい。ここで、R0は、水素原子又はアルキル基(例えば炭素数1〜8のアルキル基であって、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル基及びオクチル基等)である。 The divalent linking group as M is, for example, an alkylene group (preferably an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms, such as a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a hexylene group or an octylene group), a cycloalkylene group. (preferably cycloalkylene group having 3 to 15 carbon atoms, e.g., a cyclopentylene group or a cyclohexylene group), - S -, - O -, - CO -, - CS -, - SO 2 -, - N (R 0 )-, or a combination of two or more thereof, and those having a total carbon number of 20 or less are preferred. Here, R 0 is a hydrogen atom or an alkyl group (for example, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, Hexyl group and octyl group).
Mは、単結合、アルキレン基、又は、アルキレン基と−O−、−CO−、−CS−及び−N(R0)−の少なくとも一つとの組み合わせからなる2価の連結基が好ましく、単結合、アルキレン基、又はアルキレン基と−O−との組み合わせからなる2価の連結基がより好ましい。ここで、R0は上述のR0と同義である。 M is preferably a single bond, an alkylene group, or a divalent linking group composed of a combination of an alkylene group and at least one of —O—, —CO—, —CS—, and —N (R 0 ) —. A divalent linking group composed of a bond, an alkylene group, or a combination of an alkylene group and —O— is more preferable. Here, R 0 has the same meaning as R 0 described above.
Mは置換基を更に有していてもよく、Mが更に有し得る置換基は、上述したR111〜R113のアルキル基が有し得る置換基と同様である。 M may further have a substituent, and the substituent that M may further have is the same as the substituent that the alkyl group of R 111 to R 113 described above may have.
Qとしてのアルキル基の具体例及び好ましい例は、例えば、上述したR111〜R113としてのアルキル基について記載したものと同様である。 Specific examples and preferred examples of the alkyl group as Q are the same as those described for the alkyl groups as R 111 to R 113 described above, for example.
Qとしてのシクロアルキル基は、単環型であってもよく、多環型であってもよい。このシクロアルキル基の炭素数は、好ましくは3〜10とする。このシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、1−アダマンチル基、2−アダマンチル基、1−ノルボルニル基、2−ノルボルニル基、ボルニル基、イソボルニル基、4−テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデシル基、8−トリシクロ[5.2.1.02,6]デシル基、2−ビシクロ[2.2.1]ヘプチル基が挙げられる。中でも、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、2−アダマンチル基、8−トリシクロ[5.2.1.02,6]デシル基、2−ビシクロ[2.2.1]ヘプチル基が好ましい。 The cycloalkyl group as Q may be monocyclic or polycyclic. This cycloalkyl group preferably has 3 to 10 carbon atoms. Examples of the cycloalkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a 1-adamantyl group, a 2-adamantyl group, a 1-norbornyl group, a 2-norbornyl group, Bornyl group, isobornyl group, 4-tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodecyl group, 8-tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decyl group, 2-bicyclo [2.2.1] heptyl group. Of these, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a 2-adamantyl group, an 8-tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decyl group, and a 2-bicyclo [2.2.1] heptyl group are preferable.
Qとしてのアリール基の具体例及び好ましい例は、例えば、上述したR111〜R113としてのアリール基について説明したものと同様である。 Specific examples and preferred examples of the aryl group as Q are the same as those described for the aryl group as R 111 to R 113 described above, for example.
Qとしてのヘテロ環基の具体例及び好ましい例は、例えば、上述したR111〜R113としてのヘテロ環基について説明したものと同様である。 Specific examples and preferred examples of the heterocyclic group as Q are the same as those described for the heterocyclic group as R 111 to R 113 described above, for example.
Qとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びヘテロ環基は、置換基を有していてもよく、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、シアノ基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基が挙げられる。 The alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and heterocyclic group as Q may have a substituent, for example, an alkyl group, a cycloalkyl group, a cyano group, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, a carboxyl group. And an alkoxycarbonyl group.
R2は、アルキル基、シクロアルキル基で置換されたアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリールオキシアルキル基又はヘテロ環基であることが好ましく、アルキル基又はシクロアルキル基であることがより好ましい。R2としてのアルキル基、R2としての「シクロアルキル基」及び「シクロアルキル基で置換されたアルキル基」におけるシクロアルキル基、並びに、R2で表される基としての「アラルキル基(アリールアルキル基)」及び「アリールオキシアルキル基」におけるアリール基の具体例及び好ましい例は、それぞれ、Qとしてのアルキル基、シクロアルキル基、及び、アリール基で説明したものと同様である。 R 2 is preferably an alkyl group, an alkyl group substituted with a cycloalkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, an aryloxyalkyl group or a heterocyclic group, and more preferably an alkyl group or a cycloalkyl group. . Alkyl group, a cycloalkyl group of the "cycloalkyl group" and "alkyl group substituted with a cycloalkyl group" as R 2 as R 2, and "aralkyl group as the group represented by R 2 (arylalkyl Specific examples and preferred examples of the aryl group in the “group)” and “aryloxyalkyl group” are the same as those described for the alkyl group, cycloalkyl group and aryl group as Q, respectively.
R2としての「シクロアルキル基で置換されたアルキル基」、「アラルキル基(アリールアルキル基)」及び「アリールオキシアルキル基」におけるアルキル部位の具体例及び好ましい例は、それぞれ、Mとしてのアルキレン基で説明したものと同様である。 Specific examples and preferred examples of the alkyl moiety in the “alkyl group substituted by a cycloalkyl group”, “aralkyl group (arylalkyl group)” and “aryloxyalkyl group” as R 2 are the alkylene group as M, respectively. This is the same as that described in.
R2としてのヘテロ環基の具体例及び好ましい例は、Qとしてのヘテロ環基で説明したものと同様である。 Specific examples and preferred examples of the heterocyclic group as R 2 are the same as those described for the heterocyclic group as Q.
R2が表す置換基には、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルエチル基、2−アダマンチル基、8−トリシクロ[5.2.1.02,6]デシル基、2−ビシクロ[2.2.1]ヘプチル基、ベンジル基、2−フェネチル基、2−フェノキシエチレン基等が挙げられる。 Specific examples of the substituent represented by R 2 include a methyl group, an ethyl group, an isopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclohexylethyl group, a 2-adamantyl group, and 8-tricyclo [5.2.1. 0 2,6 ] decyl group, 2-bicyclo [2.2.1] heptyl group, benzyl group, 2-phenethyl group, 2-phenoxyethylene group and the like.
R1とR2とは互いに結合し、式中の酸素原子と共に環(含酸素複素環)を形成してもよい。含酸素複素環構造としては、単環、多環又はスピロ環のいずれであっても良く、好ましくは、単環の含酸素複素環構造であり、その炭素数は好ましくは3〜10、より好ましくは4又は5である。 R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a ring (oxygen-containing heterocycle) together with the oxygen atom in the formula. The oxygen-containing heterocyclic structure may be any of a monocyclic, polycyclic, or spiro ring, and is preferably a monocyclic oxygen-containing heterocyclic structure, preferably having 3 to 10 carbon atoms, more preferably Is 4 or 5.
また、上記したように、Mが2価の連結基である場合、Qは単結合又は別の連結基を介してMに結合し、環を形成しても良い。上記別の連結基としては、アルキレン基(好ましくは炭素数1〜3のアルキレン基)が挙げられ、形成される環は、5又は6員環であることが好ましい。 Further, as described above, when M is a divalent linking group, Q may be bonded to M via a single bond or another linking group to form a ring. As said another coupling group, an alkylene group (preferably C1-C3 alkylene group) is mentioned, It is preferable that the ring formed is a 5- or 6-membered ring.
R3は、水素原子、又は、炭素数1〜5のアルキル基であることが好ましく、水素原子、又は、炭素数1〜3のアルキル基であることがより好ましく、水素原子、メチル基又はエチル基であることが更に好ましく、水素原子であることが特に好ましい。 R 3 is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, a hydrogen atom, a methyl group or ethyl. It is more preferably a group, and particularly preferably a hydrogen atom.
本発明の一形態において、R1及びR3の一方は、炭素原子を2以上含む基であることが好ましい。 In one embodiment of the present invention, one of R 1 and R 3 is preferably a group containing 2 or more carbon atoms.
一般式(Aa1)で表される繰り返し単位は、下記一般式(Aa1−1)〜(Aa1−4)のいずれか1つで表される繰り返し単位であることが好ましい。
一般式(Aa1−1)中、
R’1は水素原子又はメチル基を表し、メチル基であることが好ましい。
In general formula (Aa1-1),
R ′ 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a methyl group.
R11、R12及びR13の各々は、上記一般式(Aa1)におけるR1、R2及びR3と同義である。
一般式(Aa1−2)中、
R’2は水素原子又はメチル基を表し、メチル基であることが好ましい。
R21、R22及びR23の各々は、上記一般式(Aa1)におけるR1、R2及びR3と同義である。
R ′ 2 represents a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a methyl group.
Each of R 21 , R 22 and R 23 has the same meaning as R 1 , R 2 and R 3 in the general formula (Aa1).
一般式(Aa1−3)中、
R’3は水素原子又はメチル基を表し、メチル基であることが好ましい。
In general formula (Aa1-3),
R ′ 3 represents a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a methyl group.
R31、R32及びR33の各々は、上記一般式(Aa1)におけるR1、R2及びR3と同義である。
一般式(Aa1−4)中、
L’は単結合、又は2価の連結基を表す。L’の2価の連結基としては、例えば、アルキレン基、芳香環基、シクロアルキレン基、−COO−L1’−、−O−L1’−、−CONH−、これらの2つ以上を組み合わせて形成される基等が挙げられる。ここで、L1’はアルキレン基(好ましくは炭素数1〜20)、シクロアルキレン基(好ましくは炭素数3〜20)、芳香環基、アルキレン基と芳香環基を組み合わせた基を表す。L’は、単結合であることが好ましい。
In general formula (Aa1-4),
L ′ represents a single bond or a divalent linking group. 'Examples of the divalent linking group include an alkylene group, aromatic ring group, a cycloalkylene group, -COO-L 1' L - , - O-L 1 '-, - CONH-, these two or more Examples include groups formed in combination. Here, L 1 ′ represents an alkylene group (preferably having 1 to 20 carbon atoms), a cycloalkylene group (preferably having 3 to 20 carbon atoms), an aromatic ring group, or a group in which an alkylene group and an aromatic ring group are combined. L ′ is preferably a single bond.
R41、R42及びR43の各々は、上記一般式(Aa1)におけるR1、R2及びR3と同義である。 Each of R 41 , R 42 and R 43 has the same meaning as R 1 , R 2 and R 3 in the general formula (Aa1).
本発明の一態様において、一般式(Aa1)で表される繰り返し単位は、一般式(Aa1−1)〜(Aa1−4)のいずれかで表される繰り返し単位であることが好ましく、一般式(Aa1−1)〜(Aa1−3)のいずれかで表される繰り返し単位であることがより好ましく、一般式(Aa1−1)又は(Aa1−3)で表される繰り返し単位であることが更に好ましく、一般式(Aa1−1)で表される繰り返し単位であることが特に好ましい。 In one embodiment of the present invention, the repeating unit represented by General Formula (Aa1) is preferably a repeating unit represented by any one of General Formulas (Aa1-1) to (Aa1-4). The repeating unit represented by any one of (Aa1-1) to (Aa1-3) is more preferable, and the repeating unit represented by the general formula (Aa1-1) or (Aa1-3). More preferred is a repeating unit represented by formula (Aa1-1).
一般式(Aa1)で表される繰り返し単位は、下記(Aa1−a)〜(Aa1−f)のいずれかで表される繰り返し単位であることも好ましい。
一般式(Aa1−a)中、
Ra’、La、R2a及びR1aの各々は一般式(Aa1)におけるR’、L、R2及びR1と同様であり、また好ましい範囲も同様である。
Each of R a ′, L a , R 2a and R 1a is the same as R ′, L, R 2 and R 1 in formula (Aa1), and the preferred ranges are also the same.
一般式(Aa1―b)中、
Rb’、Lb、R2b及びR3bの各々は一般式(Aa1)におけるR’、L、R2及びR3と同様であり、また好ましい範囲も同様である。
Each of R b ′, L b , R 2b and R 3b is the same as R ′, L, R 2 and R 3 in the general formula (Aa1), and preferred ranges are also the same.
一般式(Aa1−c)中、
Rc’、Lc、R2c及びR3cの各々は一般式(Aa1)におけるR’、L、R2及びR3と同様であり、また好ましい範囲も同様である。
R1a’は一般式(Aa1)におけるR111と同様であり、また好ましい範囲も同様である。
Each of R c ′, L c , R 2c and R 3c is the same as R ′, L, R 2 and R 3 in formula (Aa1), and the preferred ranges are also the same.
R 1a ′ is the same as R 111 in formula (Aa1), and the preferred range is also the same.
一般式(Aa1―d)中、
Rd’、Ld、R2d及びR3dの各々は一般式(Aa1)におけるR’、L、R2及びR3と同様であり、また好ましい範囲も同様である。
R2a’及びR2b’の各々は、一般式(Aa1)におけるR111及びR112と同様であり、また好ましい範囲も同様である。
Each of R d ′, L d , R 2d and R 3d is the same as R ′, L, R 2 and R 3 in the general formula (Aa1), and preferred ranges are also the same.
Each of R 2a ′ and R 2b ′ is the same as R 111 and R 112 in General Formula (Aa1), and the preferred range is also the same.
一般式(Aa1−e)中、
Re’、Le、R2e及びR3eの各々は一般式(Aa1)におけるR’、L、R2及びR3と同様であり、また好ましい範囲も同様である。
R3a’、R3b’及びR3c’の各々は、一般式(Aa1)におけるR111、R112及びR113と同様であり、また好ましい範囲も同様である。
Each of R e ′, L e , R 2e and R 3e is the same as R ′, L, R 2 and R 3 in formula (Aa1), and the preferred range is also the same.
Each of R 3a ′, R 3b ′ and R 3c ′ is the same as R 111 , R 112 and R 113 in General Formula (Aa1), and the preferred range is also the same.
一般式(Aa1―f)中、
Rf’及びLfは一般式(Aa1)におけるR’及びLと同様であり、また好ましい範囲も同様である。
In general formula (Aa1-f),
R f ′ and L f are the same as R ′ and L in the general formula (Aa1), and preferred ranges are also the same.
R3fは、一般式(Aa1)におけるR3と同様であり、また好ましい範囲も同様である。 R 3f is the same as R 3 in formula (Aa1), and the preferred range is also the same.
R4fは、式中の炭素原子及び酸素原子とともに含酸素複素環を形成するのに必要な原子団を表す。R4fが炭素原子及び酸素原子とともに形成する含酸素複素環構造としては、好ましくは、単環の含酸素複素環構造であり、含酸素複素環の炭素数は好ましくは3〜10、より好ましくは4又は5である。 R 4f represents an atomic group necessary for forming an oxygen-containing heterocyclic ring together with the carbon atom and the oxygen atom in the formula. The oxygen-containing heterocyclic structure formed by R 4f together with the carbon atom and the oxygen atom is preferably a monocyclic oxygen-containing heterocyclic structure, and the oxygen-containing heterocyclic ring preferably has 3 to 10 carbon atoms, more preferably 4 or 5.
本発明の一態様において、一般式(Aa1)で表される繰り返し単位は、一般式(Aa1−c)〜(Aa1−f)のうちいずれか1つで表される繰り返し単位であることがより好ましく、一般式(Aa1−e)又は(Aa1−f)で表される繰り返し単位であることが更に好ましい。 In one embodiment of the present invention, the repeating unit represented by General Formula (Aa1) is more preferably a repeating unit represented by any one of General Formulas (Aa1-c) to (Aa1-f). A repeating unit represented by formula (Aa1-e) or (Aa1-f) is more preferable.
上記一般式(Aa1)における、各部分構造及び各基の好ましい具体例を以下に示す。
上記一般式(Aa1)における、下記一般式(Aa1’)で表される部分構造の好ましい具体例は以下の通りである。一般式(Aa1’)及び具体例中、*は上記一般式(Aa1)におけるR1及びR3が結合した炭素原子に連結する結合手を表し、R’及びLは各々、一般式(Aa1)中のR’及びLを表す。
Preferred specific examples of the partial structure represented by the following general formula (Aa1 ′) in the above general formula (Aa1) are as follows. In the general formula (Aa1 ′) and specific examples, * represents a bond connected to the carbon atom to which R1 and R3 in the general formula (Aa1) are bonded, and R ′ and L are each in the general formula (Aa1). R ′ and L are represented.
上記一般式(Aa1)におけるR1の1価の置換基の具体例としては、以下のものが挙げられる。*は一般式(Aa1)中の炭素原子に連結する結合手を表す。
上記一般式(Aa1)におけるR2の具体例を示す。以下の具体例中、*は、一般式(Aa1)における酸素原子に結合する結合手を表す。
上記一般式(Aa1)で表される繰り返し単位が、上記一般式(Aa1−f)で表される繰り返し単位である場合における、R4fが、式中の炭素原子及び酸素原子と共に形成する含酸素複素環の具体例を以下に示す。*は、一般式(Aa1−f)における酸素原子に連結する結合手を表す。R3fは、一般式(Aa1−f)におけるものと同様である。
以下に、上記一般式(Aa1)で表される繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
樹脂(Aa)における上記一般式(Aa1)で表される繰り返し単位の含有率(複数種類含有する場合はその合計)は、前記樹脂(Aa)中の全繰り返し単位に対して5〜80モル%であることが好ましく、5〜60モル%であることがより好ましく、10〜40モル%であることが更に好ましい。 The content of the repeating unit represented by the above general formula (Aa1) in the resin (Aa) (the total when there are a plurality of types) is 5 to 80 mol% with respect to all the repeating units in the resin (Aa). It is preferable that it is 5-60 mol%, and it is still more preferable that it is 10-40 mol%.
<繰り返し単位(Aa2)>
次に、一般式(Aa2)で表される繰り返し単位について詳細に説明する。
Next, the repeating unit represented by formula (Aa2) will be described in detail.
一般式(Aa2)おいて、R1、R2、R11〜R13としてのアルキル基は、炭素数1〜10のアルキル基であることが好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基及びドデシル基などが挙げられる。 In general formula (Aa2), the alkyl group as R 1 , R 2 , R 11 to R 13 is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, Examples include isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, neopentyl group, hexyl group, 2-ethylhexyl group, octyl group and dodecyl group.
R1及びR2についてのアルキル基としては、本発明の効果をより確実に達成する観点から、炭素数2〜10のアルキル基であることがより好ましく、R1及びR2のいずれもがエチル基であることが更に好ましい。 The alkyl group for R 1 and R 2, from the viewpoint of achieving the effects of the present invention more reliably, more preferably an alkyl group having 2 to 10 carbon atoms, ethyl none of R 1 and R 2 More preferably, it is a group.
R11及びR12についてのアルキル基としては、炭素数1〜4のアルキル基であることがより好ましく、メチル基又はエチル基であることが更に好ましく、メチル基であることが特に好ましい。
R13としては水素原子又はメチル基であることがより好ましい。
The alkyl group for R 11 and R 12 is more preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, further preferably a methyl group or an ethyl group, and particularly preferably a methyl group.
R 13 is more preferably a hydrogen atom or a methyl group.
上述したように、R11及びR12は互いに連結して環を形成してもよく、R11及びR13は互いに連結して環を形成してもよい。形成される環としては、例えば、単環又は多環の脂環式炭化水素基が好ましく、特にR11及びR12が互いに結合して単環又は多環の脂環式炭化水素基を形成することが好ましい。 As described above, R 11 and R 12 may be connected to each other to form a ring, and R 11 and R 13 may be connected to each other to form a ring. As the ring to be formed, for example, a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon group is preferable, and in particular, R 11 and R 12 are bonded to each other to form a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon group. It is preferable.
R11及びR12が連結して形成する環としては、3〜8員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましい。 The ring formed by connecting R 11 and R 12 is preferably a 3- to 8-membered ring, more preferably a 5- or 6-membered ring.
R11及びR13が連結して形成する環としては、3〜8員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましい。 The ring formed by connecting R 11 and R 13 is preferably a 3- to 8-membered ring, more preferably a 5- or 6-membered ring.
R11及びR12、もしくは、R11及びR13が連結して形成する環としては、一般式(Aa2−1)のXとして後述する脂環式基であることが更に好ましい。 The ring formed by connecting R 11 and R 12 or R 11 and R 13 is more preferably an alicyclic group described later as X in the general formula (Aa2-1).
R1、R2及びR11〜R13としてのアルキル基は、置換基を更に有していてもよい。このような置換基としては、例えば、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基及びニトロ基などが挙げられる。 The alkyl group as R < 1 >, R < 2 > and R < 11 > -R < 13 > may further have a substituent. Examples of such substituents include cycloalkyl groups, aryl groups, amino groups, hydroxy groups, carboxy groups, halogen atoms, alkoxy groups, aralkyloxy groups, thioether groups, acyl groups, acyloxy groups, alkoxycarbonyl groups, cyano groups. Groups and nitro groups.
本発明の一形態において、R1およびR2の少なくとも一方のアルキル基が有する炭素数は2以上であることが好ましい。 In one embodiment of the present invention, it is preferable that at least one alkyl group of R 1 and R 2 has 2 or more carbon atoms.
また、R11及びR12が連結して形成する環、並びに、R11及びR13が連結して形成する環は、置換基を更に有していてもよく、そのような置換基としては、アルキル基(メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、パーフルオロアルキル基(例えば、トリフルオロメチル基)等)、及び、R1、R2及びR11〜R13としてのアルキル基が更に有し得る置換基の具体例として上述した各基が挙げられる。 Moreover, the ring formed by connecting R 11 and R 12 and the ring formed by connecting R 11 and R 13 may further have a substituent, and as such a substituent, Alkyl groups (methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, perfluoroalkyl group (for example, trifluoromethyl group) etc.) and alkyl groups as R 1 , R 2 and R 11 to R 13 are further present. Specific examples of substituents that can be used include the groups described above.
上記置換基同士が互いに結合して環を形成してもよく、上記置換基同士が互いに結合して環を形成するときの環は、炭素数3〜10のシクロアルキル基又はフェニル基が挙げられる。 The above substituents may be bonded to each other to form a ring, and examples of the ring when the above substituents are bonded to each other to form a ring include a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms or a phenyl group. .
Raは、上述したように、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。 As described above, Ra represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group, or a halogen atom.
Raについてのアルキル基は、炭素数1〜4のアルキル基であることが好ましく、置換基を有していてもよい。
Raのアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、例えば、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。
The alkyl group for Ra is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and may have a substituent.
Preferable substituents that the alkyl group of Ra may have include, for example, a hydroxyl group and a halogen atom.
Raのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。 Examples of the halogen atom for Ra include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
Raとして、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基(例えば、トリフルオロメチル基)であることが好ましく、樹脂(A)のガラス転移点(Tg)を向上させ、解像力、スペースウィズスラフネスを向上させる観点からメチル基であることが特に好ましい。 Ra is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group, or a perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms (for example, a trifluoromethyl group), and the glass transition point (Tg) of the resin (A). ) And a methyl group is particularly preferable from the viewpoint of improving resolution and space width roughness.
ただし、以下に説明するL1がフェニレン基の場合、Raは水素原子であることも好ましい。 However, when L 1 described below is a phenylene group, Ra is preferably a hydrogen atom.
L1は、上述したように、単結合又は2価の連結基を表す。
L1で表される2価の連結基としては、アルキレン基、2価の芳香環基、−COO−L11−、−O−L11−、これらの2つ以上を組み合わせて形成される基等が挙げられる。ここで、L11はアルキレン基、シクロアルキレン基、2価の芳香環基、アルキレン基と2価の芳香環基を組み合わせた基を表す。
L 1 represents a single bond or a divalent linking group as described above.
Examples of the divalent linking group represented by L 1, an alkylene group, a divalent aromatic ring group, -COO-L 11 -, - O-L 11 -, group formed by combining two or more of these Etc. Here, L 11 represents an alkylene group, a cycloalkylene group, a divalent aromatic ring group, or a group in which an alkylene group and a divalent aromatic ring group are combined.
L1及びL11についてのアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1〜8のアルキレン基が挙げられる。炭素数1〜4のアルキレン基がより好ましく、炭素数1又は2のアルキレン基が特に好ましい。 Examples of the alkylene group for L 1 and L 11 include alkylene groups having 1 to 8 carbon atoms such as a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a hexylene group, and an octylene group. An alkylene group having 1 to 4 carbon atoms is more preferable, and an alkylene group having 1 or 2 carbon atoms is particularly preferable.
L11についてのシクロアルキレン基は、炭素数3〜20のシクロアルキレン基であることが好ましく、例えば、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基、シクロオクチレン基、ノルボルニレン基又はアダマンチレン基が挙げられる。 The cycloalkylene group for L 11 is preferably a cycloalkylene group having 3 to 20 carbon atoms, such as a cyclopropylene group, a cyclobutylene group, a cyclopentylene group, a cyclohexylene group, a cycloheptylene group, and a cyclooctylene group. , Norbornylene group or adamantylene group.
L11についてのシクロアルキレン基は、環を構成する炭素(環形成に寄与する炭素)は、カルボニル炭素であってもよく、酸素原子等のヘテロ原子であってもよく、エステル結合を含有しラクトン環を形成していても良い。 In the cycloalkylene group for L 11 , the carbon constituting the ring (carbon contributing to ring formation) may be a carbonyl carbon, a heteroatom such as an oxygen atom, an ester bond, and a lactone A ring may be formed.
L1及びL11についての2価の芳香環基としては、1,4−フェニレン基、1,3−フェニレン基、1,2−フェニレン基等のフェニレン基、1,4−ナフチレン基が好ましく、1,4−フェニレン基がより好ましい。 The divalent aromatic ring group for L 1 and L 11 is preferably a phenylene group such as 1,4-phenylene group, 1,3-phenylene group, 1,2-phenylene group, or 1,4-naphthylene group, A 1,4-phenylene group is more preferred.
L1は、単結合、2価の芳香環基、ノルボルニレン基を有する2価の基又はアダマンチレン基を有する2価の基であることが好ましく、単結合であることが特に好ましい。 L 1 is preferably a single bond, a divalent aromatic ring group, a divalent group having a norbornylene group or a divalent group having an adamantylene group, and particularly preferably a single bond.
L1についての2価の連結基として好ましい具体例を以下に例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明の一形態において、前記一般式(Aa2)で表される繰り返し単位は、下記一般式(Aa2−1)で表される繰り返し単位であることが好ましい。
上記一般式(Aa2−1)中、
Xは、脂環式基を表す。
In the general formula (Aa2-1),
X represents an alicyclic group.
R1、R2、Ra及びL1は、それぞれ、一般式(Aa2)におけるR1、R2、Ra及びL1と同義であり、具体例、好ましい例についても一般式(Aa2)におけるR1、R2、Ra及びL1と同様である。 R 1, R 2, Ra and L 1, respectively, have the same meaning as R 1, R 2, Ra and L 1 in the general formula (Aa2), specific examples, R 1 also in the general formula (Aa2) for preferred embodiments , R 2 , Ra and L 1 are the same.
Xとしての脂環式基は、単環、多環、有橋式であってもよく、好ましくは炭素数3〜25の脂環式基を表す。 The alicyclic group as X may be monocyclic, polycyclic or bridged, and preferably represents an alicyclic group having 3 to 25 carbon atoms.
また、脂環式基は置換基を有してもよく、置換基としては、例えば、R11及びR12が連結して形成する環が有し得る置換基として前述した置換基と同様のものを挙げることができる。 In addition, the alicyclic group may have a substituent, and examples of the substituent are the same as the substituents described above as the substituent that the ring formed by connecting R 11 and R 12 may have. Can be mentioned.
Xは、好ましくは炭素数3〜25の脂環式基を表し、より好ましくは炭素数5〜20の脂環式基を表し、特に好ましくは炭素数5〜15のシクロアルキル基である。
また、Xは3〜8員環の脂環式基又はその縮合環基であることが好ましく、5又は6員環又はその縮合環基であることが更に好ましい。
以下に、Xとしての脂環基の構造例を示す。
X is preferably a 3- to 8-membered alicyclic group or a condensed ring group thereof, more preferably a 5- or 6-membered ring or a condensed ring group thereof.
Below, the structural example of the alicyclic group as X is shown.
上記脂環式基の好ましいものとしては、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン残基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることができる。シクロヘキシル基、シクロペンチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基であることがより好ましく、シクロヘキシル基、シクロペンチル基であることが更に好ましく、シクロヘキシル基であることが特に好ましい。 Preferred examples of the alicyclic group include an adamantyl group, a noradamantyl group, a decalin residue, a tricyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group, a norbornyl group, a cedrol group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, A cyclooctyl group, a cyclodecanyl group, and a cyclododecanyl group can be exemplified. A cyclohexyl group, a cyclopentyl group, an adamantyl group and a norbornyl group are more preferred, a cyclohexyl group and a cyclopentyl group are more preferred, and a cyclohexyl group is particularly preferred.
以下に、上記一般式(Aa2)又は(Aa2−1)で表される繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
樹脂(Aa)における上記一般式(Aa2)で表される繰り返し単位の含有率(複数種類含有する場合はその合計)は、樹脂(Aa)中の全繰り返し単位に対して5〜80モル%であることが好ましく、5〜60モル%であることがより好ましく、10〜40モル%であることが更に好ましい。 The content of the repeating unit represented by the general formula (Aa2) in the resin (Aa) (the total when there are a plurality of types) is 5 to 80 mol% with respect to all the repeating units in the resin (Aa). Preferably, it is 5 to 60 mol%, more preferably 10 to 40 mol%.
<繰り返し単位(Aa5)>
本発明の一形態において、樹脂(Aa)は、下記一般式(aa1−1)で表されるモノマーに由来する少なくとも1種の繰り返し単位(Aa5)を更に含有してもよい。
In one embodiment of the present invention, the resin (Aa) may further contain at least one repeating unit (Aa5) derived from a monomer represented by the following general formula (aa1-1).
一般式(aa1−1)中、
Q1は、重合性基を含む有機基を表す。
L1及びL2は、各々独立して、単結合または2価の連結基を表す。
Rfはフッ素原子を有する有機基を表す。
式中のQ1により表される重合性基を含む有機基は、重合性基を含む基であれば特に限定されるものではない。重合性基として、例えば、アクリル基、メタクリル基、スチリル基、ノルボルネニル基、マレイミド基、ビニルエーテル基等が挙げられ、アクリル基、メタクリル基、及びスチリル基が特に好ましい。
In general formula (aa1-1),
Q 1 represents an organic group containing a polymerizable group.
L 1 and L 2 each independently represents a single bond or a divalent linking group.
Rf represents an organic group having a fluorine atom.
The organic group containing a polymerizable group represented by Q 1 in the formula is not particularly limited as long as it is a group containing a polymerizable group. Examples of the polymerizable group include an acryl group, a methacryl group, a styryl group, a norbornenyl group, a maleimide group, and a vinyl ether group, and an acryl group, a methacryl group, and a styryl group are particularly preferable.
L1及びL2により表される2価の連結基としては、例えば、置換又は無置換のアリーレン基、置換又は無置換のアルキレン基、置換又は無置換のシクロアルキレン基、−O−、−CO−、又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基が挙げられる。 Examples of the divalent linking group represented by L 1 and L 2 include a substituted or unsubstituted arylene group, a substituted or unsubstituted alkylene group, a substituted or unsubstituted cycloalkylene group, —O—, and —CO. -Or a divalent linking group obtained by combining a plurality of these.
アリーレン基としては、例えば、炭素数が6〜14個のものが好ましく、具体例としては、フェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、フェナントリレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基等が挙げられる。 As an arylene group, a C6-C14 thing is preferable, for example, and a phenylene group, a naphthylene group, an anthrylene group, a phenanthrylene group, a biphenylene group, a terphenylene group etc. are mentioned as a specific example.
アルキレン基及びシクロアルキレン基としては、例えば、炭素数が1〜15のものが好ましく、具体例としては、次に挙げる直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基中の水素原子を1個引き抜いた形式のものが挙げられる:メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、tert−アミル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロペンチルエチル基、シクロペンチルブチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、シクロヘキシルブチル基、アダマンチル基。 As an alkylene group and a cycloalkylene group, for example, those having 1 to 15 carbon atoms are preferable. As a specific example, one hydrogen atom in a linear, branched or cyclic alkyl group described below is extracted. Examples include: methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, tert-amyl group, n-pentyl group, and n-hexyl group. N-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cyclopentylmethyl group, cyclopentylethyl group, cyclopentylbutyl group, cyclohexylmethyl group, cyclohexylethyl group, cyclohexylbutyl group An adamantyl group.
上記アリーレン基、アルキレン基及びシクロアルキレン基が有し得る置換基としては、例えば、アルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、フッ素原子等が挙げられる。 Examples of the substituent that the arylene group, alkylene group, and cycloalkylene group may have include an alkyl group, an aralkyl group, an alkoxy group, and a fluorine atom.
本発明の一態様において、L1は、単結合、フェニレン基、エーテル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基がより好ましく、L2は、アルキレン基、エーテル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基がより好ましい。 In one embodiment of the present invention, L 1 is more preferably a single bond, a phenylene group, an ether group, a carbonyl group, or a carbonyloxy group, and L 2 is more preferably an alkylene group, an ether group, a carbonyl group, or a carbonyloxy group.
Rfとしてのフッ素原子を有する有機基における有機基は、炭素原子を少なくとも1つ含む基であり、炭素−水素結合部分を含む有機基が好ましい。Rfは、例えば、フッ素原子で置換されたアルキル基又はフッ素原子で置換されたシクロアルキル基である。 The organic group in the organic group having a fluorine atom as Rf is a group containing at least one carbon atom, and an organic group containing a carbon-hydrogen bond portion is preferable. Rf is, for example, an alkyl group substituted with a fluorine atom or a cycloalkyl group substituted with a fluorine atom.
繰り返し単位(Aa5)は、一態様において、下記一般式(aa1−2−1)又は(aa1−3−1)で表される繰り返し単位であることが好ましい。
一般式(aa1−2−1)及び(aa1−3−1)中、
Ra1及びRa2は、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。Ra1及びRa2は、好ましくは、水素原子又はメチル基である。
L21及びL22は、各々独立に、単結合または2価の連結基を表し、先に説明した一般式(aa1−1)におけるL2と同義である。
Rf1及びRf2は、各々独立に、フッ素原子を有する有機基を表し、一般式(aa1−1)におけるRfと同義である。
In general formulas (aa1-2-1) and (aa1-3-1),
Ra 1 and Ra 2 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group. Ra 1 and Ra 2 are preferably a hydrogen atom or a methyl group.
L 21 and L 22 each independently represent a single bond or a divalent linking group, and have the same meaning as L 2 in General Formula (aa1-1) described above.
Rf 1 and Rf 2 each independently represent an organic group having a fluorine atom, and have the same meaning as Rf in formula (aa1-1).
また、繰り返し単位(Aa5)は、一態様において、下記一般式(aa1−2−2)又は(aa1−3−2)で表される繰り返し単位であることが好ましい。
一般式(aa1−2−2)及び(aa1−3−2)中、
Ra1及びRa2は、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。
R1、R2、R3及びR4は、各々独立に、水素原子またはアルキル基を表す。
m1及びm2は、各々独立に、0〜5の整数を表す。
Rf1及びRf2は、各々独立に、フッ素原子を有する有機基を表す。
In general formulas (aa1-2-2) and (aa1-3-2),
Ra 1 and Ra 2 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group.
R 1 , R 2 , R 3 and R 4 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group.
m 1 and m 2 each independently represents an integer of 0 to 5.
Rf 1 and Rf 2 each independently represents an organic group having a fluorine atom.
Ra1及びRa2は、好ましくは、水素原子又はメチル基である。
R1、R2、R3及びR4により表されるアルキル基としては、例えば、炭素数1〜10の直鎖又は分岐鎖のアルキル基が好ましく、具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、t−ブチル基等が挙げられる。このアルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルコキシ基、アリール基、ハロゲン原子等が挙げられる。
Ra 1 and Ra 2 are preferably a hydrogen atom or a methyl group.
As the alkyl group represented by R 1 , R 2 , R 3 and R 4 , for example, a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable, and specific examples include a methyl group, an ethyl group, A propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a t-butyl group, etc. are mentioned. This alkyl group may have a substituent, and examples of the substituent include an alkoxy group, an aryl group, and a halogen atom.
m1及びm2は、好ましくは0〜3の整数であり、より好ましくは0又は1であり、最も好ましくは1である。
Rf1及びRf2としてのフッ素原子を有する有機基は、一般式(aa1−1)におけるRfと同義である。
m 1 and m 2 are preferably integers of 0 to 3, more preferably 0 or 1, and most preferably 1.
The organic group having a fluorine atom as Rf 1 and Rf 2 has the same meaning as Rf in formula (aa1-1).
また、繰り返し単位(Aa5)は、一態様において、下記一般式(aa1−2−3)又は(aa1−3−3)で表される繰り返し単位であることが好ましい。
一般式(aa1−2−3)及び(aa1−3−3)中、
Ra1は水素原子又はメチル基を表す。
Rf1及びRf2は、各々独立に、フッ素原子を有する有機基を表し、一般式(aa1−1)におけるRfと同義である。
In general formulas (aa1-2-3) and (aa1-3-3),
Ra 1 represents a hydrogen atom or a methyl group.
Rf 1 and Rf 2 each independently represent an organic group having a fluorine atom, and have the same meaning as Rf in formula (aa1-1).
以下に、繰り返し単位(Aa5)の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
樹脂(Aa)が繰り返し単位(Aa5)を含有している場合、繰り返し単位(Aa5)の含有率は、樹脂(Aa)中の全繰り返し単位に対し、10〜90mol%であることが好ましく、より好ましくは30〜85mol%であり、更に好ましくは50〜80mol%である。 When the resin (Aa) contains the repeating unit (Aa5), the content of the repeating unit (Aa5) is preferably 10 to 90 mol% with respect to all the repeating units in the resin (Aa). Preferably it is 30-85 mol%, More preferably, it is 50-80 mol%.
<繰り返し単位(Aa6)>
本発明の一形態において、樹脂(Aa)は、下記一般式(ca−1)又は(cb−1)で表される重合性化合物に対応する繰り返し単位を更に含有していてもよい。
In one embodiment of the present invention, the resin (Aa) may further contain a repeating unit corresponding to the polymerizable compound represented by the following general formula (ca-1) or (cb-1).
一般式(ca−1)及び(cb−1)において、Aは、置換基を有していてもよいメタクリル基、置換基を有していてもよいアクリル基又は置換基を有していてもよいノルボルネン基を表す。 In General Formulas (ca-1) and (cb-1), A may have a methacryl group which may have a substituent, an acrylic group which may have a substituent, or a substituent. Represents a good norbornene group.
Z1は、それぞれ独立に、単結合、エーテル結合(−O−)、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。qが2以上の場合、Z1で表される複数の基は、同一であっても異なっていてもよい。 Z 1 each independently represents a single bond, an ether bond (—O—), an ester bond, an amide bond, a urethane bond or a urea bond. When q is 2 or more, the plurality of groups represented by Z 1 may be the same or different.
Z2は、それぞれ独立に、単結合又は置換基を有していてもよい鎖状若しくは環状アルキレン基を表す。qが2以上の場合、Z2で表される複数の基は、同一であっても異なっていてもよい。 Z 2 each independently represents a single bond or a chain or cyclic alkylene group which may have a substituent. When q is 2 or more, the plurality of groups represented by Z 2 may be the same or different.
Ta及びTbは、それぞれ独立に、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルキルオキシカルボニル基、カルボキシ基、ニトリル基、ヒドロキシル基、置換基を有していてもよいアミド基又は置換基を有していてもよいアリール基を表す。 Ta and Tb are each independently a halogen atom, an alkyl group which may have a substituent, a cycloalkyl group which may have a substituent, an alkoxy group which may have a substituent, a substituent An acyl group which may have a group, an alkyloxycarbonyl group which may have a substituent, a carboxy group, a nitrile group, a hydroxyl group, an amide group which may have a substituent or a substituent. Represents an optionally substituted aryl group.
Taが複数個ある場合には、Ta同士が結合して、環を形成しても良い。
Tbが複数個ある場合には、Tb同士が結合して、Tbが置換するベンゼン環とともに、ヘテロ原子を含んでいてもよい縮合環を形成しても良い。
When there are a plurality of Tas, Tas may be bonded to form a ring.
When there are a plurality of Tb, Tb may be bonded to each other to form a condensed ring which may contain a hetero atom together with the benzene ring substituted by Tb.
Tcは、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、ニトリル基、ヒドロキシル基、置換基を有していてもよいアミド基又は置換基を有していてもよいアリール基を表す。 Tc is a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group which may have a substituent, a cycloalkyl group which may have a substituent, a nitrile group, a hydroxyl group or an amide which may have a substituent. Represents an aryl group which may have a group or a substituent.
Lはカルボニル基、カルボニルオキシ基又はエーテル結合(−O−)を表す。rが2以上の整数である場合には、(L)rは、Lがr個で組み合わされてなる基を示し、複数のLは同一であっても、異なっていてもよい。 L represents a carbonyl group, a carbonyloxy group or an ether bond (—O—). When r is an integer of 2 or more, (L) r represents a group formed by combining L with r, and a plurality of L may be the same or different.
mは、1〜28の整数を表す。
nは、0〜11の整数を表す。
pは、0〜5の整数を表す。
qは、0〜5の整数を表す。
rは、0〜5の整数を表す。
m represents an integer of 1 to 28.
n represents an integer of 0 to 11.
p represents an integer of 0 to 5.
q represents an integer of 0 to 5.
r represents an integer of 0 to 5.
一般式(ca−1)及び(cb−1)で表される重合性化合物の好ましい形態、製造方法、並びに、具体例については、特開2010−159413号公報の段落[0026]〜[0053]の記載を参照することができる。 Paragraphs [0026] to [0053] of JP 2010-159413 A are preferred forms, production methods, and specific examples of the polymerizable compounds represented by the general formulas (ca-1) and (cb-1). Can be referred to.
樹脂(Aa)が繰り返し単位(Aa6)を含有している場合、繰り返し単位(Aa6)の含有率は、樹脂(Aa)中の全繰り返し単位に対し、10〜90mol%であることが好ましく、より好ましくは30〜85mol%であり、更に好ましくは50〜80mol%である。 When the resin (Aa) contains the repeating unit (Aa6), the content of the repeating unit (Aa6) is preferably 10 to 90 mol% with respect to all the repeating units in the resin (Aa). Preferably it is 30-85 mol%, More preferably, it is 50-80 mol%.
樹脂(Aa)は、一形態において、更に下記(x)〜(z)の群から選ばれる基の少なくとも1つを有していてもよい。 In one embodiment, the resin (Aa) may further have at least one group selected from the following groups (x) to (z).
(x)アルカリ可溶性基、
(y)アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基、
(z)酸の作用により分解する基。
(X) an alkali-soluble group,
(Y) a group that decomposes by the action of an alkali developer and increases the solubility in the alkali developer;
(Z) A group that decomposes by the action of an acid.
(x)〜(z)の基については、特開2011−118318号公報の段落[0323]〜[0358]の記載を参照することができる。 Regarding the groups (x) to (z), the description in paragraphs [0323] to [0358] of JP2011-118318A can be referred to.
樹脂(Aa)がフッ素原子を有する場合、フッ素原子の含有率は、樹脂(Aa)の分子量に対し、5〜80質量%であることが好ましく、10〜80質量%であることがより好ましい。また、フッ素原子を含む繰り返し単位が、樹脂(Aa)中の全繰り返し単位に対し、10〜100質量%であることが好ましく、30〜100質量%であることがより好ましい。 When resin (Aa) has a fluorine atom, it is preferable that the content rate of a fluorine atom is 5-80 mass% with respect to the molecular weight of resin (Aa), and it is more preferable that it is 10-80 mass%. Moreover, it is preferable that the repeating unit containing a fluorine atom is 10-100 mass% with respect to all the repeating units in resin (Aa), and it is more preferable that it is 30-100 mass%.
樹脂(Aa)が珪素原子を有する場合、珪素原子の含有率は、樹脂(Aa)の分子量に対し、2〜50質量%であることが好ましく、2〜30質量%であることがより好ましい。また、珪素原子を含む繰り返し単位は、樹脂(Aa)の全繰り返し単位に対し、10〜90質量%であることが好ましく、20〜80質量%であることがより好ましい。 When resin (Aa) has a silicon atom, it is preferable that the content rate of a silicon atom is 2-50 mass% with respect to the molecular weight of resin (Aa), and it is more preferable that it is 2-30 mass%. Moreover, it is preferable that it is 10-90 mass%, and, as for the repeating unit containing a silicon atom with respect to all the repeating units of resin (Aa), it is more preferable that it is 20-80 mass%.
樹脂(Aa)の標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、好ましくは1,000〜100,000で、より好ましくは1,000〜50,000、更により好ましくは2,000〜20,000である。 The weight average molecular weight in terms of standard polystyrene of the resin (Aa) is preferably 1,000 to 100,000, more preferably 1,000 to 50,000, and still more preferably 2,000 to 20,000.
樹脂(Aa)がフッ素原子及びケイ素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位を含有する場合、感活性光線性又は感放射線性樹脂膜表層に樹脂(Aa)が偏在化し、液浸媒体が水の場合、感活性光線性又は感放射線性樹脂膜とした際の水に対するレジスト膜表面の後退接触角を向上させ、液浸水追随性を向上させることができる。 When the resin (Aa) contains a repeating unit having at least one of a fluorine atom and a silicon atom, the resin (Aa) is unevenly distributed on the surface layer of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin film, and the immersion medium is water It is possible to improve the receding contact angle of the resist film surface with respect to water when an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin film is used, and improve immersion water followability.
感活性光線性又は感放射線性樹脂膜の後退接触角は露光時の温度、通常室温23±3℃、湿度45±5%において60°〜90°が好ましく、より好ましくは65°以上、更に好ましくは70°以上である。 The receding contact angle of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin film is preferably 60 ° to 90 °, more preferably 65 ° or more, even more preferably at the temperature at the time of exposure, usually room temperature 23 ± 3 ° C. and humidity 45 ± 5%. Is 70 ° or more.
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の樹脂(Aa)の含有率は、感活性光線性又は感放射線性樹脂膜の後退接触角が前記範囲になるよう適宜調整して使用できるが、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分を基準として、0.01〜30質量%であることが好ましく、0.01〜20質量%であることがより好ましく、0.01〜10質量%であることが更に好ましく、特に好ましくは0.1〜5質量%である。樹脂(Aa)は前述のように界面に遍在するものであるが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくても良い。 The content of the resin (Aa) in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition can be appropriately adjusted and used so that the receding contact angle of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin film falls within the above range, Based on the total solid content of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, 0.01 to 30% by mass is preferable, 0.01 to 20% by mass is more preferable, and 0.01 to More preferably, it is 10 mass%, Most preferably, it is 0.1-5 mass%. The resin (Aa) is ubiquitous at the interface as described above, but unlike the surfactant, it does not necessarily have a hydrophilic group in the molecule, and the polar / nonpolar substance is mixed uniformly. You don't have to contribute.
液浸露光工程に於いては、露光ヘッドが高速でウエハ上をスキャンし露光パターンを形成していく動きに追随して、液浸液がウエハ上を動く必要があるので、動的な状態に於けるレジスト膜に対する液浸液の接触角が重要になり、液滴が残存することなく、露光ヘッドの高速なスキャンに追随する性能がレジストには求められる。 In the immersion exposure process, the immersion head needs to move on the wafer following the movement of the exposure head to scan the wafer at high speed to form the exposure pattern. In this case, the contact angle of the immersion liquid with respect to the resist film is important, and the resist is required to follow the high-speed scanning of the exposure head without remaining droplets.
樹脂(Aa)は、後述する樹脂(Ab)と同様、金属等の不純物が少ないのは当然のことながら、残留単量体やオリゴマー成分が0〜10質量%であることが好ましく、より好ましくは0〜5質量%、0〜1質量%が更により好ましい。それにより、液中異物や感度等の経時変化のないレジスト組成物が得られる。また、解像度、レジスト形状、レジストパターンの側壁、ラフネスなどの点から、分子量分布(Mw/Mn、分散度ともいう)は、1〜3の範囲が好ましく、より好ましくは1〜2、更に好ましくは1〜1.8、最も好ましくは1〜1.5の範囲である。 As with the resin (Ab) described later, the resin (Aa) preferably has 0 to 10% by mass of residual monomer and oligomer components, and more preferably has few impurities such as metals. 0-5 mass% and 0-1 mass% are still more preferable. Thereby, a resist composition having no change over time such as foreign matter in liquid or sensitivity can be obtained. The molecular weight distribution (Mw / Mn, also referred to as dispersity) is preferably in the range of 1 to 3, more preferably 1 to 2, and still more preferably, in terms of resolution, resist shape, resist pattern side walls, roughness, and the like. It is in the range of 1 to 1.8, most preferably 1 to 1.5.
樹脂(Aa)は、各種市販品を利用することもできるし、常法に従って(例えばラジカル重合又はアニオン重合)合成することができる。例えば、後述する樹脂(Ab)において記載する樹脂(Ab)の一般的な合成方法と同様の方法で合成することが可能である。 Various commercially available products can be used as the resin (Aa), and the resin (Aa) can be synthesized according to a conventional method (for example, radical polymerization or anionic polymerization). For example, it can be synthesized by the same method as the general synthesis method of the resin (Ab) described in the resin (Ab) described later.
以下に樹脂(Aa)の具体例を示すが、本発明はこれに限定されない。
[2]酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂(Ab)
本発明に係る組成物は、後掲の一般式(A)で表される繰り返し単位を有し、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂(Ab)を含有する。
[2] Resin (Ab) whose solubility in a developing solution is changed by the action of an acid
The composition according to the present invention contains a resin (Ab) having a repeating unit represented by the following general formula (A) and having solubility in a developing solution changed by the action of an acid.
樹脂(Ab)は、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するする樹脂であり、具体的には、酸の作用により、アルカリ現像液に対する溶解度が増大し、あるいは、有機溶剤を主成分とする現像液に対する溶解度が減少する。 Resin (Ab) is a resin whose solubility in a developing solution is changed by the action of an acid. Specifically, the solubility in an alkali developing solution is increased by the action of an acid, or an organic solvent is a main component. Solubility in developing solution decreases.
樹脂(Ab)は好ましくはアルカリ現像液に不溶又は難溶性である。
樹脂(Ab)は、フェノール性水酸基を有する、下記一般式(A)で表される繰り返し単位を有する。
The resin (Ab) has a repeating unit represented by the following general formula (A) having a phenolic hydroxyl group.
上記一般式中、
R21、R22及びR23は、各々独立に、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。但し、R22はAr2と結合して環を形成していてもよく、その場合のR22は単結合又はアルキレン基を表す。
In the above general formula,
R 21 , R 22 and R 23 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group. However, R 22 may be bonded to Ar 2 to form a ring, in which case R 22 represents a single bond or an alkylene group.
X2は、単結合、−COO−、又は−CONR30−を表し、R30は、水素原子又はアルキル基を表す。 X 2 represents a single bond, —COO—, or —CONR 30 —, and R 30 represents a hydrogen atom or an alkyl group.
L2は、単結合又はアルキレン基を表す。 L 2 represents a single bond or an alkylene group.
Ar2は、(n+1)価の芳香環基を表し、R22と結合して環を形成する場合には(n+2)価の芳香環基を表す。 Ar 2 represents an (n + 1) -valent aromatic ring group, and represents an (n + 2) -valent aromatic ring group when bonded to R 22 to form a ring.
nは、1〜4の整数を表す。 n represents an integer of 1 to 4.
上記一般式(A)におけるR21、R22及びR23のアルキル基としては、好ましくは置換基を有していても良いメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基、ドデシル基など炭素数20以下のアルキル基が挙げられ、より好ましくは炭素数8以下のアルキル基、特に好ましくは炭素数3以下のアルキル基が挙げられる。 The alkyl group of R 21 , R 22 and R 23 in the general formula (A) is preferably a methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec, which may have a substituent. -Alkyl groups having 20 or less carbon atoms such as butyl group, hexyl group, 2-ethylhexyl group, octyl group and dodecyl group are mentioned, more preferably alkyl groups having 8 or less carbon atoms, particularly preferably alkyl groups having 3 or less carbon atoms. Is mentioned.
アルコキシカルボニル基に含まれるアルキル基としては、上記R21、R22及びR23におけるアルキル基と同様のものが好ましい。 As the alkyl group contained in the alkoxycarbonyl group, the same alkyl groups as those described above for R 21 , R 22 and R 23 are preferable.
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子が特に好ましい。 Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.
上記各基における好ましい置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基等を挙げることができ、置換基の炭素数は8以下が好ましい。 Preferred substituents in each of the above groups include, for example, alkyl groups, cycloalkyl groups, aryl groups, amino groups, amide groups, ureido groups, urethane groups, hydroxyl groups, carboxyl groups, halogen atoms, alkoxy groups, thioether groups, acyls. Groups, acyloxy groups, alkoxycarbonyl groups, cyano groups, nitro groups and the like, and the substituent preferably has 8 or less carbon atoms.
Ar2は、(n+1)価の芳香環基を表す。nが1である場合における2価の芳香環基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基などの炭素数6〜18のアリーレン基、あるいは、例えば、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール等のヘテロ環を含む芳香環基を好ましい例として挙げることができる。 Ar 2 represents an (n + 1) -valent aromatic ring group. The divalent aromatic ring group in the case where n is 1 may have a substituent, for example, an arylene group having 6 to 18 carbon atoms such as a phenylene group, a tolylene group, a naphthylene group, and an anthracenylene group, or Examples of preferred aromatic ring groups include heterocycles such as thiophene, furan, pyrrole, benzothiophene, benzofuran, benzopyrrole, triazine, imidazole, benzimidazole, triazole, thiadiazole, thiazole.
nが2以上の整数である場合における(n+1)価の芳香環基の具体例としては、2価の芳香環基の上記した具体例から、(n−1)個の任意の水素原子を除してなる基を好適に挙げることができる。
(n+1)価の芳香環基は、更に置換基を有していても良い。
Specific examples of the (n + 1) -valent aromatic ring group in the case where n is an integer of 2 or more include (n-1) arbitrary hydrogen atoms removed from the above-described specific examples of the divalent aromatic ring group. The group formed can be preferably mentioned.
The (n + 1) -valent aromatic ring group may further have a substituent.
X2により表わされる−CONR30−(R30は、水素原子、アルキル基を表す)におけるR30のアルキル基としては、R21〜R23のアルキル基と同様のものが挙げられる。 -CONR 30 represented by X 2 - (R 30 represents a hydrogen atom, an alkyl group) The alkyl group for R 30 in, the same as the alkyl group of R 21 to R 23.
X2としては、単結合、−COO−、−CONH−が好ましく、単結合、−COO−がより好ましい。 X 2 is preferably a single bond, —COO—, or —CONH—, and more preferably a single bond or —COO—.
L2におけるアルキレン基としては、好ましくは置換基を有していてもよいメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1〜8個のものが挙げられる。 The alkylene group for L 2 is preferably an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms, such as an optionally substituted methylene group, ethylene group, propylene group, butylene group, hexylene group, and octylene group.
Ar2としては、置換基を有していても良い炭素数6〜18の芳香環基がより好ましく、ベンゼン環基、ナフタレン環基、ビフェニレン環基が特に好ましい。 Ar 2 is more preferably an aromatic ring group having 6 to 18 carbon atoms which may have a substituent, and particularly preferably a benzene ring group, a naphthalene ring group or a biphenylene ring group.
この繰り返し単位は、ヒドロキシスチレン構造を備えていることが好ましい。即ち、Ar2は、ベンゼン環基であることが好ましい。 This repeating unit preferably has a hydroxystyrene structure. That is, Ar 2 is preferably a benzene ring group.
以下に、一般式(A)で表される繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。式中、aは1又は2を表す。
一般式(A)で表される繰り返し単位は、下記式(Ab1)又は(Ab2)で表される繰り返し単位であることが好ましい。本発明の一形態において、式(Ab1)であることが好ましい。
式(Ab2)中、R23は、一般式(A)におけるR23と同義である。
樹脂(Ab)は、一般式(A)で表される繰り返し単位を2種類以上含んでいてもよい。
Wherein (Ab2), R 23 has the same meaning as R 23 in the general formula (A).
The resin (Ab) may contain two or more types of repeating units represented by the general formula (A).
樹脂(Ab)は、一態様において、下記一般式(Ab3)で表される繰り返し単位を含有することが好ましい。
式中、nは1〜5の整数を表し、mは1≦m+n≦5なる関係を満足する0〜4の整数を表す。nは、好ましくは1又は2であり、より好ましくは1である。mは、好ましくは0〜2であり、より好ましくは0又は1であり、特に好ましくは0である。 In the formula, n represents an integer of 1 to 5, and m represents an integer of 0 to 4 that satisfies the relationship 1 ≦ m + n ≦ 5. n is preferably 1 or 2, more preferably 1. m is preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1, and particularly preferably 0.
S1は置換基を表す。mが2以上の場合、複数のS1は互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
S1により表される置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基が挙げられる。
S 1 represents a substituent. When m is 2 or more, the plurality of S 1 may be the same as or different from each other.
Examples of the substituent represented by S 1 include an alkyl group, an alkoxy group, an acyl group, an acyloxy group, an aryl group, an aryloxy group, an aralkyl group, an aralkyloxy group, a hydroxy group, a halogen atom, a cyano group, and a nitro group. , A sulfonylamino group, an alkylthio group, an arylthio group, and an aralkylthio group.
たとえばアルキル基、シクロアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、ドデシル基などの炭素数1〜20個の直鎖若しくは分岐状アルキル基、シクロアルキル基が好ましい。これらの基は更に置換基を有していても良い。 For example, as an alkyl group and a cycloalkyl group, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a t-butyl group, a pentyl group, a cyclopentyl group, a hexyl group, a cyclohexyl group, an octyl group, A linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms such as a dodecyl group or a cycloalkyl group is preferable. These groups may further have a substituent.
更に有し得る好ましい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、チオフェンカルボニルオキシ基、チオフェンメチルカルボニルオキシ基、ピロリドン残基等のヘテロ環残基などが挙げられ、好ましくは、炭素数12以下の置換基である。 Further preferred substituents that may be included are alkyl group, alkoxy group, hydroxyl group, halogen atom, nitro group, acyl group, acyloxy group, acylamino group, sulfonylamino group, alkylthio group, arylthio group, aralkylthio group, thiophenecarbonyloxy Group, a thiophenemethylcarbonyloxy group, a heterocyclic residue such as a pyrrolidone residue, and the like, and a substituent having 12 or less carbon atoms is preferable.
置換基を有するアルキル基として、例えばシクロヘキシルエチル基、アルキルカルボニルオキシメチル基、アルキルカルボニルオキシエチル基、シクロアルキルカルボニルオキシメチル基、シクロアルキルカルボニルオキシエチル基、アリールカルボニルオキシエチル基、アラルキルカルボニルオキシエチル基、アルキルオキシメチル基、シクロアルキルオキシメチル基、アリールオキシメチル基、アラルキルオキシメチル基、アルキルオキシエチル基、シクロアルキルオキシエチル基、アリールオキシエチル基、アラルキルオキシエチル基、アルキルチオメチル基、シクロアルキルチオメチル基、アリールチオメチル基、アラルキルチオメチル基、アルキルチオエチル基、シクロアルキルチオエチル基、アリールチオエチル基、アラルキルチオエチル基等が挙げられる。 Examples of the alkyl group having a substituent include a cyclohexylethyl group, an alkylcarbonyloxymethyl group, an alkylcarbonyloxyethyl group, a cycloalkylcarbonyloxymethyl group, a cycloalkylcarbonyloxyethyl group, an arylcarbonyloxyethyl group, and an aralkylcarbonyloxyethyl group. , Alkyloxymethyl group, cycloalkyloxymethyl group, aryloxymethyl group, aralkyloxymethyl group, alkyloxyethyl group, cycloalkyloxyethyl group, aryloxyethyl group, aralkyloxyethyl group, alkylthiomethyl group, cycloalkylthiomethyl Group, arylthiomethyl group, aralkylthiomethyl group, alkylthioethyl group, cycloalkylthioethyl group, arylthioethyl group, aralkyl Oechiru group, and the like.
これらの基におけるアルキル基、シクロアルキル基は特に限定されず、更に前述のアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基等の置換基を有してもよい。 The alkyl group and cycloalkyl group in these groups are not particularly limited, and may further have a substituent such as the aforementioned alkyl group, cycloalkyl group, or alkoxy group.
上記アルキルカルボニルオキシエチル基、シクロアルキルカルボニルオキシエチル基の例としては、シクロヘキシルカルボニルオキシエチル基、t−ブチルシクロヘキシルカルボニルオキシエチル基、n−ブチルシクロヘキシルカルボニルオキシエチル基等を挙げることができる。 Examples of the alkylcarbonyloxyethyl group and cycloalkylcarbonyloxyethyl group include cyclohexylcarbonyloxyethyl group, t-butylcyclohexylcarbonyloxyethyl group, n-butylcyclohexylcarbonyloxyethyl group, and the like.
アリール基も特に限定されないが、一般的にフェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル基等の炭素数6〜14のものが挙げられ、更に前述のアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基等の置換基を有してもよい。
上記アリールオキシエチル基の例としては、フェニルオキシエチル基、シクロヘキシルフェニルオキシエチル基等を挙げることができる。これらの基はさらに置換基を有していても良い。
The aryl group is not particularly limited, but generally includes those having 6 to 14 carbon atoms such as a phenyl group, a xylyl group, a toluyl group, a cumenyl group, a naphthyl group, an anthracenyl group, and the above-mentioned alkyl groups and cycloalkyl groups. And may have a substituent such as an alkoxy group.
Examples of the aryloxyethyl group include a phenyloxyethyl group, a cyclohexylphenyloxyethyl group, and the like. These groups may further have a substituent.
アラルキルも特に限定されないが、ベンジル基などを挙げることができる。
上記アラルキルカルボニルオキシエチル基の例としては、ベンジルカルボニルオキシエチル基等を挙げることができる。これらの基はさらに置換基を有していても良い。
Aralkyl is not particularly limited, and examples thereof include a benzyl group.
Examples of the aralkylcarbonyloxyethyl group include a benzylcarbonyloxyethyl group. These groups may further have a substituent.
一般式(Ab3)により表される繰り返し単位としては、例えば、以下のものが挙げられる。
樹脂(Ab)における一般式(A)で表される繰り返し単位の含有率(複数種類含有する場合はその合計)は、高い解像力、感度、PEB温度依存性及びドライエッチング耐性、並びに良好なパターン形状をより確実に達成する観点から、前記樹脂(Ab)中の全繰り返し単位に対して10モル%以上75モル%以下であることが好ましく、15モル%以上70モル%以下であることがより好ましく、20モル%以上65モル%以下であることが更に好ましい。 The content of the repeating unit represented by the general formula (A) in the resin (Ab) (the total when there are plural types) is high resolution, sensitivity, PEB temperature dependency and dry etching resistance, and good pattern shape. Is more preferably from 10 mol% to 75 mol%, and more preferably from 15 mol% to 70 mol%, based on all the repeating units in the resin (Ab). More preferably, it is 20 mol% or more and 65 mol% or less.
樹脂(Ab)における、一般式(Ab3)で表される繰り返し単位の含有率は、樹脂(Ab)中の全繰り返し単位に対し、0〜90mol%が好ましく、より好ましくは5〜80mol%であり、更に好ましくは10〜70mol%であり、特に好ましくは20〜60mol%である。 The content of the repeating unit represented by the general formula (Ab3) in the resin (Ab) is preferably 0 to 90 mol%, more preferably 5 to 80 mol%, based on all repeating units in the resin (Ab). More preferably, it is 10-70 mol%, Most preferably, it is 20-60 mol%.
樹脂(Ab)においては、下記一般式で表される繰り返し単位を有することも好ましい。下記一般式中、jは0〜3の整数を表し、好ましくは0〜2の整数であり、より好ましくは0又は1である。
これら一般式により表される繰り返し単位として、以下の具体例が挙げられる。
樹脂(Ab)は、更に、酸分解性基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。 The resin (Ab) preferably further has a repeating unit having an acid-decomposable group.
酸分解性基としては、例えば、カルボキシル基、フェノール性水酸基、スルホン酸基、チオール基等のアルカリ可溶性基の水素原子が、酸の作用により脱離する基で保護された基を挙げることができる。 Examples of the acid-decomposable group include a group in which a hydrogen atom of an alkali-soluble group such as a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group, a sulfonic acid group, or a thiol group is protected with a group capable of leaving by the action of an acid. .
酸の作用により脱離する基としては、例えば、−C(R36)(R37)(R38)、−C(R36)(R37)(OR39)、−C(=O)−O−C(R36)(R37)(R38)、−C(R01)(R02)(OR39)、−C(R01)(R02)−C(=O)−O−C(R36)(R37)(R38)等を挙げることができる。 Examples of the group capable of leaving by the action of an acid include —C (R 36 ) (R 37 ) (R 38 ), —C (R 36 ) (R 37 ) (OR 39 ), —C (═O) — O-C (R 36) ( R 37) (R 38), - C (R 01) (R 02) (OR 39), - C (R 01) (R 02) -C (= O) -O- C (R 36 ) (R 37 ) (R 38 ) and the like can be mentioned.
式中、R36〜R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。R01〜R02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。 In the formula, R 36 to R 39 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, or an alkenyl group. R 36 and R 37 may be bonded to each other to form a ring. R 01 and R 02 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group or an alkenyl group.
樹脂(Ab)は、一態様において、下記一般式(A1)及び(A2)で表される繰り返し単位の少なくとも1種を含有することが好ましい。
一般式(A1)中、
nは1〜5の整数を表し、mは1≦m+n≦5なる関係を満足する0〜4の整数を表す。
S1は、置換基(水素原子を除く)を表し、mが2以上の場合には、複数のS1は互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
A1は、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。但し、少なくとも1つのA1は酸の作用により脱離する基を表す。n≧2の場合には、複数のA1は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
In general formula (A1),
n represents an integer of 1 to 5, and m represents an integer of 0 to 4 that satisfies the relationship 1 ≦ m + n ≦ 5.
S 1 represents a substituent (excluding a hydrogen atom), and when m is 2 or more, the plurality of S 1 may be the same as or different from each other.
A 1 represents a hydrogen atom or a group capable of leaving by the action of an acid. However, at least one A 1 represents a group capable of leaving by the action of an acid. When n ≧ 2, the plurality of A 1 may be the same as or different from each other.
一般式(A2)中、
Xは、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、カルボキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基を表す。
Tは、単結合又は2価の連結基を表す。
A2は、酸の作用により脱離する基を表す。
In general formula (A2),
X is hydrogen atom, alkyl group, hydroxyl group, alkoxy group, halogen atom, cyano group, nitro group, acyl group, acyloxy group, cycloalkyl group, cycloalkyloxy group, aryl group, carboxy group, alkyloxycarbonyl group, alkyl Represents a carbonyloxy group or an aralkyl group.
T represents a single bond or a divalent linking group.
A 2 represents a group capable of leaving by the action of an acid.
まず、一般式(A1)により表される繰り返し単位について説明する。
nは、上述したように、1〜5の整数を表し、好ましくは1又は2であり、特に好ましくは1である。
mは、上述したように、1≦m+n≦5なる関係を満足する0〜4の整数を表し、好ましくは0〜2であり、より好ましくは0又は1であり、特に好ましくは0である。
S1は、上述したように、置換基(水素原子を除く)を表す。この置換基としては、例えば、上述した一般式(Ab3)におけるS1について説明する置換基と同様のものが挙げられる。
First, the repeating unit represented by formula (A1) will be described.
As described above, n represents an integer of 1 to 5, preferably 1 or 2, and particularly preferably 1.
As described above, m represents an integer of 0 to 4 that satisfies the relationship of 1 ≦ m + n ≦ 5, preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1, and particularly preferably 0.
S 1 represents a substituent (excluding a hydrogen atom) as described above. Examples of the substituent include those similar to the substituents described for S 1 in formula (Ab3).
A1は、上述したように、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表し、少なくとも1つのA1は酸の作用により脱離する基である。 As described above, A 1 represents a hydrogen atom or a group capable of leaving by the action of an acid, and at least one A 1 is a group capable of leaving by the action of an acid.
酸の作用により脱離する基としては、例えば、t−ブチル基及びt−アミル基等の3級アルキル基、t−ブトキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニルメチル基、並びに、式−C(L1)(L2)−O−Z2により表されるアセタール基が挙げられる。 Examples of the group capable of leaving by the action of an acid include tertiary alkyl groups such as t-butyl group and t-amyl group, t-butoxycarbonyl group, t-butoxycarbonylmethyl group, and formula -C (L 1 ) (L 2 ) —O—Z 2 represents an acetal group.
以下、式−C(L1)(L2)−O−Z2により表されるアセタール基について説明する。式中、L1及びL2は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。Z2は、アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。なお、Z2とL1とは、互いに結合して、5員又は6員環を形成していてもよい。 Hereinafter, the acetal group represented by the formula —C (L 1 ) (L 2 ) —O—Z 2 will be described. In the formula, L 1 and L 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aralkyl group. Z 2 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aralkyl group. Z 2 and L 1 may be bonded to each other to form a 5-membered or 6-membered ring.
アルキル基は、直鎖アルキル基であってもよく、分岐鎖アルキル基であってもよい。
直鎖アルキル基としては、炭素数が1〜30のものが好ましく、炭素数が1〜20のものがより好ましい。このような直鎖アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基及びn−デカニル基が挙げられる。
The alkyl group may be a linear alkyl group or a branched alkyl group.
As a linear alkyl group, a C1-C30 thing is preferable and a C1-C20 thing is more preferable. Examples of such linear alkyl groups include methyl, ethyl, n-propyl, n-butyl, sec-butyl, t-butyl, n-pentyl, n-hexyl, and n- A heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, and n-decanyl group are mentioned.
分岐鎖アルキル基としては、炭素数が3〜30のものが好ましく、炭素数が3〜20のものがより好ましい。このような分岐鎖アルキル基としては、例えば、i−プロピル基、i−ブチル基、t−ブチル基、i−ペンチル基、t−ペンチル基、i−ヘキシル基、tヘキシル基、i−ヘプチル基、t−ヘプチル基、i−オクチル基、t−オクチル基、iノニル基及びt−デカノイル基が挙げられる。 As a branched alkyl group, a C3-C30 thing is preferable and a C3-C20 thing is more preferable. Examples of such branched alkyl groups include i-propyl group, i-butyl group, t-butyl group, i-pentyl group, t-pentyl group, i-hexyl group, thexyl group, i-heptyl group. , T-heptyl group, i-octyl group, t-octyl group, inonyl group and t-decanoyl group.
これらアルキル基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、水酸基;フッ素、塩素、臭素及びヨウ素原子等のハロゲン原子;ニトロ基;シアノ基;アミド基;スルホンアミド基;メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基及びドデシル基等のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基及びブトキシ基等のアルコキシ基;メトキシカルボニル基及びエトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;ホルミル基、アセチル基及びベンゾイル基等のアシル基;アセトキシ基及びブチリルオキシ基等のアシロキシ基、並びにカルボキシ基が挙げられる。 These alkyl groups may further have a substituent. Examples of the substituent include a hydroxyl group; a halogen atom such as fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms; a nitro group; a cyano group; an amide group; a sulfonamide group; a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, n- Alkyl groups such as butyl, sec-butyl, hexyl, 2-ethylhexyl, octyl and dodecyl; alkoxy groups such as methoxy, ethoxy, hydroxyethoxy, propoxy, hydroxypropoxy and butoxy; Examples include alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl group and ethoxycarbonyl group; acyl groups such as formyl group, acetyl group and benzoyl group; acyloxy groups such as acetoxy group and butyryloxy group, and carboxy group.
アルキル基としては、エチル基、イソプロピル基、イソブチル基、シクロヘキシルエチル基、フェニルメチル基又はフェニルエチル基が特に好ましい。 As the alkyl group, an ethyl group, an isopropyl group, an isobutyl group, a cyclohexylethyl group, a phenylmethyl group, or a phenylethyl group is particularly preferable.
シクロアルキル基は、単環型であってもよく、多環型であってもよい。後者の場合、シクロアルキル基は、有橋式であってもよい。即ち、この場合、シクロアルキル基は、橋かけ構造を有していてもよい。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部は、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。 The cycloalkyl group may be monocyclic or polycyclic. In the latter case, the cycloalkyl group may be bridged. That is, in this case, the cycloalkyl group may have a bridged structure. A part of carbon atoms in the cycloalkyl group may be substituted with a hetero atom such as an oxygen atom.
単環型のシクロアルキル基としては、炭素数3〜8のものが好ましい。このようなシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基及びシクロオクチル基が挙げられる。 As the monocyclic cycloalkyl group, those having 3 to 8 carbon atoms are preferable. Examples of such a cycloalkyl group include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclobutyl group, and a cyclooctyl group.
多環型のシクロアルキル基としては、例えば、ビシクロ、トリシクロ又はテトラシクロ構造を有する基が挙げられる。多環型のシクロアルキル基としては、炭素数が6〜20のものが好ましい。このようなシクロアルキル基としては、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、 α−ピナニル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基及びアンドロスタニル基が挙げられる。 Examples of the polycyclic cycloalkyl group include groups having a bicyclo, tricyclo or tetracyclo structure. The polycyclic cycloalkyl group preferably has 6 to 20 carbon atoms. Examples of such a cycloalkyl group include an adamantyl group, norbornyl group, isobornyl group, camphanyl group, dicyclopentyl group, α-pinanyl group, tricyclodecanyl group, tetocyclododecyl group, and androstanyl group.
L1、L2及びZ2におけるアラルキル基としては、例えば、ベンジル基及びフェネチル基等の炭素数が7〜15のものが挙げられる。 Examples of the aralkyl group in L 1 , L 2 and Z 2 include those having 7 to 15 carbon atoms such as a benzyl group and a phenethyl group.
これらアラルキル基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、好ましくは、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基及びアラルキルチオ基が挙げられる。置換基を有するアラルキル基としては、例えば、アルコキシベンジル基、ヒドロキシベンジル基及びフェニルチオフェネチル基が挙げられる。なお、これらアラルキル基が有し得る置換基の炭素数は、好ましくは12以下である。 These aralkyl groups may further have a substituent. Preferred examples of the substituent include an alkoxy group, a hydroxyl group, a halogen atom, a nitro group, an acyl group, an acylamino group, a sulfonylamino group, an alkylthio group, an arylthio group, and an aralkylthio group. Examples of the aralkyl group having a substituent include an alkoxybenzyl group, a hydroxybenzyl group, and a phenylthiophenethyl group. In addition, carbon number of the substituent which these aralkyl groups may have is preferably 12 or less.
Z2とL1とが互いに結合して形成し得る5員又は6員環としては、例えば、テトラヒドロピラン環及びテトラヒドロフラン環が挙げられる。これらのうち、テトラヒドロピラン環が特に好ましい。 Examples of the 5-membered or 6-membered ring that can be formed by bonding Z 2 and L 1 to each other include a tetrahydropyran ring and a tetrahydrofuran ring. Of these, a tetrahydropyran ring is particularly preferred.
Z2は、直鎖又は分岐鎖状のアルキル基であることが好ましい。これにより、本発明の効果が一層顕著になる。
以下に、一般式(A1)により表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
Although the specific example of the repeating unit represented by general formula (A1) below is given, it is not limited to these.
次に、一般式(A2)により表される繰り返し単位について説明する。
Xは、上述したように、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、カルボキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基を表す。
Next, the repeating unit represented by general formula (A2) is demonstrated.
X is hydrogen atom, alkyl group, hydroxyl group, alkoxy group, halogen atom, cyano group, nitro group, acyl group, acyloxy group, cycloalkyl group, cycloalkyloxy group, aryl group, carboxy group, alkyl as described above. An oxycarbonyl group, an alkylcarbonyloxy group or an aralkyl group is represented.
Xとしてのアルキル基は、置換基を有していてもよく、直鎖、分岐のいずれでもよい。直鎖アルキル基としては、好ましくは炭素数1〜30、さらに好ましくは1〜20であり、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デカニル基等が挙げられる。分岐アルキル基としては、好ましくは炭素数3〜30、さらに好ましくは3〜20であり、例えば、i−プロピル基、i−ブチル基、t−ブチル基、i−ペンチル基、t−ペンチル基、i−ヘキシル基、t−ヘキシル基、i−ヘプチル基、t−ヘプチル基、i−オクチル基、t−オクチル基、i−ノニル基、t−デカノイル基等が挙げられる。 The alkyl group as X may have a substituent, and may be linear or branched. As a linear alkyl group, Preferably it is C1-C30, More preferably, it is 1-20, For example, a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, t-butyl Group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decanyl group and the like. As a branched alkyl group, Preferably it is C3-C30, More preferably, it is 3-20, for example, i-propyl group, i-butyl group, t-butyl group, i-pentyl group, t-pentyl group, Examples include i-hexyl group, t-hexyl group, i-heptyl group, t-heptyl group, i-octyl group, t-octyl group, i-nonyl group, t-decanoyl group and the like.
Xとしてのアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば炭素数1〜8の上記アルコキシ基であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等を挙げることができる。 The alkoxy group as X may have a substituent, for example, the above alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, for example, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, a pentyloxy group, a hexyloxy group. And a cyclohexyloxy group.
Xとしてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子が好ましい。 Examples of the halogen atom as X include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is preferred.
Xとしてのアシル基は、置換基を有していてもよく、例えば炭素数2〜8個のアシル基であって、具体的には、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブタノイル基、ピバロイル基、ベンゾイル基等を好ましく挙げることができる。 The acyl group as X may have a substituent, for example, an acyl group having 2 to 8 carbon atoms, specifically, a formyl group, an acetyl group, a propanoyl group, a butanoyl group, a pivaloyl group. Preferred examples include benzoyl group.
Xとしてのアシロキシ基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数2〜8のアシロキシ基であり、例えば、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチルリオキシ基、バレリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ヘキサノイルオキシ基、オクタノイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等を挙げることができる。 The acyloxy group as X may have a substituent, and is preferably an acyloxy group having 2 to 8 carbon atoms. For example, an acetoxy group, a propionyloxy group, a butyllioxy group, a valeryloxy group, a pivaloyloxy group, hexanoyl An oxy group, an octanoyloxy group, a benzoyloxy group, etc. can be mentioned.
Xとしてのシクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、単環型でもよく、多環型でもよく、有橋式であってもよい。例えば、シクロアルキル基は橋かけ構造を有していてもよい。単環型としては、炭素数3〜8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数5以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数6〜20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピナニル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基、アンドロスタニル基等を挙げることができる。尚、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。 The cycloalkyl group as X may have a substituent, may be monocyclic, polycyclic, or bridged. For example, the cycloalkyl group may have a bridged structure. The monocyclic type is preferably a cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclobutyl group, and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic type include groups having a bicyclo, tricyclo, tetracyclo structure or the like having 5 or more carbon atoms, and a cycloalkyl group having 6 to 20 carbon atoms is preferable. For example, an adamantyl group, norbornyl group, isobornyl group, Examples thereof include a camphanyl group, a dicyclopentyl group, an α-pinanyl group, a tricyclodecanyl group, a tetocyclododecyl group, and an androstanyl group. A part of carbon atoms in the cycloalkyl group may be substituted with a hetero atom such as an oxygen atom.
Xとしてのアリール基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数6〜14であり、例えば、フェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル基等が挙げられる。 The aryl group as X may have a substituent, and preferably has 6 to 14 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group, a xylyl group, a toluyl group, a cumenyl group, a naphthyl group, and an anthracenyl group. .
Xとしてのアルキルオキシカルボニル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数2〜8であり、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基を挙げることができる。 The alkyloxycarbonyl group as X may have a substituent, and preferably has 2 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, and a propoxycarbonyl group.
Xとしてのアルキルカルボニルオキシ基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数2〜8であり、例えば、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基を挙げることができる。 The alkylcarbonyloxy group as X may have a substituent, and preferably has 2 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a methylcarbonyloxy group and an ethylcarbonyloxy group.
Xとしてのアラルキル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数7〜16のアラルキル基である、例えば、ベンジル基を挙げることができる。 The aralkyl group as X may have a substituent and is preferably an aralkyl group having 7 to 16 carbon atoms, for example, a benzyl group.
Xとしてのアルキル基、アルコキシ基、アシル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アラルキル基が更に有していてもよい置換基としては、水酸基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、アリール基、カルボキシル基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基などが挙げられる。 Substituents that the alkyl group, alkoxy group, acyl group, cycloalkyl group, aryl group, alkyloxycarbonyl group, alkylcarbonyloxy group, aralkyl group as X may further have include a hydroxyl group, a fluorine atom, chlorine Atom, bromine atom, iodine atom, alkyl group, hydroxyl group, alkoxy group, halogen atom, cyano group, nitro group, acyl group, acyloxy group, cycloalkyl group, aryl group, carboxyl group, alkyloxycarbonyl group, alkylcarbonyloxy group Or an aralkyl group etc. are mentioned.
Tは、上述したように、単結合又は2価の連結基を表す。
Tの2価の連結基としては、アルキレン基、−COO−Rt−基、−O−Rt−基等が挙げられる。式中、Rtは、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。
Tは、単結合又は−COO−Rt−基が好ましい。Rtは、炭素数1〜5のアルキレン基が好ましく、−CH2−基、−(CH2)3−基がより好ましい。
T represents a single bond or a divalent linking group as described above.
Examples of the divalent linking group for T include an alkylene group, —COO—Rt— group, —O—Rt— group, and the like. In the formula, Rt represents an alkylene group or a cycloalkylene group.
T is preferably a single bond or a —COO—Rt— group. Rt is preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a —CH 2 — group or a — (CH 2 ) 3 — group.
A2は、上述したように、酸の作用により脱離する基を表す。即ち、一般式(A2)により表される繰り返し単位は、酸分解性基として、「−COOA2」により表される基を備えている。A2としては、例えば、先に一般式(A1)におけるA1について説明したのと同様のものが挙げられる。 A 2 represents a group capable of leaving by the action of an acid as described above. That is, the repeating unit represented by the general formula (A2) includes a group represented by “—COOA 2 ” as an acid-decomposable group. The A 2, for example, those previously described for A 1 in the general formula (A1) similar to the.
A2は炭化水素基(好ましくは炭素数20以下、より好ましくは4〜12)であることが好ましく、t−ブチル基、t−アミル基、脂環構造を有する炭化水素基(例えば、脂環基自体、及び、アルキル基に脂環基が置換した基)がより好ましい。
A2は、3級のアルキル基又は3級のシクロアルキル基であることが好ましい。
A 2 is preferably a hydrocarbon group (preferably having a carbon number of 20 or less, more preferably 4 to 12), and a t-butyl group, a t-amyl group, or a hydrocarbon group having an alicyclic structure (for example, an alicyclic ring). The group itself and a group in which an alicyclic group is substituted on the alkyl group) are more preferable.
A 2 is preferably a tertiary alkyl group or a tertiary cycloalkyl group.
脂環構造は、単環でも、多環でもよい。具体的には、炭素数5以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を挙げることができる。その炭素数は6〜30個が好ましく、特に炭素数7〜25個が好ましい。これらの脂環構造を有する炭化水素基は置換基を有していてもよい。
脂環構造の例としては、上掲の樹脂(Aa)において、一般式(KA−1)中のZkaのシクロアルキル基の例として挙げた脂環構造(1)〜(50)が挙げられる。また、好ましい脂環構造の具体例、並びに、脂環構造が有し得る置換基の具体例としても、一般式(KA−1)中のZkaとしての脂環構造において説明した具体例と同様の例が挙げられる。
The alicyclic structure may be monocyclic or polycyclic. Specific examples include monocyclo, bicyclo, tricyclo, and tetracyclo structures having 5 or more carbon atoms. The carbon number is preferably 6-30, and particularly preferably 7-25. These hydrocarbon groups having an alicyclic structure may have a substituent.
Examples of the alicyclic structure include the alicyclic structures (1) to (50) listed as examples of the cycloalkyl group of Z ka in the general formula (KA-1) in the above resin (Aa). . Further, specific examples of preferable alicyclic structures and specific examples of substituents that the alicyclic structures may have are the same as the specific examples described in the alicyclic structures as Z ka in the general formula (KA-1). Examples are given.
脂環構造を有する酸分解性基としては、下記一般式(pI)〜一般式(pV)で示される基が好ましい。
上記一般式(pI)〜(pV)中、
R11は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基又はsec−ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
In the general formulas (pI) to (pV),
R 11 represents a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group or a sec-butyl group, and Z forms an alicyclic hydrocarbon group together with a carbon atom. Represents the necessary atomic group.
R12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の直鎖もしくは分岐のアルキル基、又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしくはR15、R16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。 R 12 to R 16 each independently represents a linear or branched alkyl group, or an alicyclic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 12 to R 14, or Either R 15 or R 16 represents an alicyclic hydrocarbon group.
R17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の直鎖もしくは分岐のアルキル基、又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1〜4個の直鎖もしくは分岐のアルキル基、又は脂環式炭化水素基を表す。 R 17 to R 21 each independently represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms , or an alicyclic hydrocarbon group, provided that at least one of R 17 to R 21 Represents an alicyclic hydrocarbon group. Further, any of R 19, R 21 represents a linear or branched alkyl group, or an alicyclic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms.
R22〜R25は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の直鎖もしくは分岐のアルキル基、又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R22〜R25のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R23とR24は、互いに結合して環を形成していてもよい。
R 22 to R 25 each independently represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms , or an alicyclic hydrocarbon group, provided that at least one of R 22 to R 25 Represents an alicyclic hydrocarbon group. R 23 and R 24 may be bonded to each other to form a ring.
一般式(pI)〜(pV)において、R12〜R25におけるアルキル基としては、置換もしくは非置換のいずれであってもよい、1〜4個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。そのアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基等が挙げられる。 In the general formulas (pI) to (pV), the alkyl group in R 12 to R 25 may be either substituted or unsubstituted, and a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms Represents. Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, and a t-butyl group.
また、上記アルキル基の更なる置換基としては、炭素数1〜4個のアルコキシ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、アシル基、アシロキシ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基等を挙げることができる。 Further, the further substituent of the alkyl group includes an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a halogen atom (a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom), an acyl group, an acyloxy group, a cyano group, a hydroxyl group, A carboxy group, an alkoxycarbonyl group, a nitro group, etc. can be mentioned.
R11〜R25における脂環式炭化水素基或いはZと炭素原子が形成する脂環式炭化水素基としては、先に脂環構造として述べたものが挙げられる。 Examples of the alicyclic hydrocarbon group in R 11 to R 25 or the alicyclic hydrocarbon group formed by Z and a carbon atom include those described above as the alicyclic structure.
一般式(A2)で表される繰り返し単位は、一形態において、下式で表される繰り返し単位である場合が好ましい。
また、一般式(A2)で表される繰り返し単位は、他の形態において、以下に示す一般式(A3)で表される繰り返し単位である場合も好ましい。
一般式(A3)中、
ARは、アリール基を表す。
In general formula (A3),
AR represents an aryl group.
Rnは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。RnとARとは互いに結合して非芳香族環を形成してもよい。
Rは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキルオキシカルボニル基を表す。
一般式(A3)により表される繰り返し単位について詳細に説明する。
ARは、上述したようにアリール基を表す。ARのアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、又は、フルオレン基等の炭素数6〜20のものが好ましく、炭素数6〜15のものがより好ましい。
Rn represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group. Rn and AR may be bonded to each other to form a non-aromatic ring.
R represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkyloxycarbonyl group.
The repeating unit represented by formula (A3) will be described in detail.
AR represents an aryl group as described above. The aryl group for AR is preferably a group having 6 to 20 carbon atoms such as a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, or a fluorene group, and more preferably a group having 6 to 15 carbon atoms.
ARがナフチル基、アントリル基又はフルオレン基である場合、Rnが結合している炭素原子とARとの結合位置には、特に制限はない。例えば、ARがナフチル基である場合、この炭素原子は、ナフチル基のα位に結合していてもよく、β位に結合していてもよい。或いは、ARがアントリル基である場合、この炭素原子は、アントリル基の1位に結合していてもよく、2位に結合していてもよく、9位に結合していてもよい。 When AR is a naphthyl group, anthryl group, or fluorene group, the bonding position between the carbon atom to which Rn is bonded and AR is not particularly limited. For example, when AR is a naphthyl group, this carbon atom may be bonded to the α-position of the naphthyl group or may be bonded to the β-position. Alternatively, when AR is an anthryl group, this carbon atom may be bonded to the 1-position, the 2-position, or the 9-position of the anthryl group.
ARとしてのアリール基は、1以上の置換基を有していてもよい。このような置換基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及びドデシル基等の炭素数が1〜20の直鎖又は分岐鎖アルキル基、これらアルキル基部分を含んだアルコキシ基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基等のシクロアルキル基、これらシクロアルキル基部分を含んだシクロアルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、アリール基、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、チオフェンカルボニルオキシ基、チオフェンメチルカルボニルオキシ基、及びピロリドン残基等のヘテロ環残基が挙げられる。この置換基としては、炭素数1〜5の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基、これらアルキル基部分を含んだアルコキシ基が好ましく、パラメチル基又はパラメトキシ基がより好ましい。 The aryl group as AR may have one or more substituents. Specific examples of such substituents include, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group and dodecyl group. A linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group containing these alkyl group parts, a cycloalkyl group such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group, a cycloalkoxy group containing these cycloalkyl group parts, a hydroxyl group , Halogen atom, aryl group, cyano group, nitro group, acyl group, acyloxy group, acylamino group, sulfonylamino group, alkylthio group, arylthio group, aralkylthio group, thiophenecarbonyloxy group, thiophenemethylcarbonyloxy group, and pyrrolidone residue And heterocyclic residues such as groups. As this substituent, a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms and an alkoxy group containing the alkyl group portion are preferable, and a paramethyl group or a paramethoxy group is more preferable.
ARとしてのアリール基が、複数の置換基を有する場合、複数の置換基のうちの少なくとも2つが互いに結合して環を形成しても良い。環は、5〜8員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましい。また、この環は、環員に酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含むヘテロ環であってもよい。 When the aryl group as AR has a plurality of substituents, at least two of the plurality of substituents may be bonded to each other to form a ring. The ring is preferably a 5- to 8-membered ring, and more preferably a 5- or 6-membered ring. Moreover, this ring may be a heterocycle containing a heteroatom such as an oxygen atom, a nitrogen atom, or a sulfur atom as a ring member.
更に、この環は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、Rnが有していてもよい更なる置換基について後述するものと同様のものが挙げられる。 Furthermore, this ring may have a substituent. As this substituent, the thing similar to what is mentioned later about the further substituent which Rn may have is mentioned.
また、一般式(A3)により表される繰り返し単位は、ラフネス性能の観点から、2個以上の芳香環を含有ことが好ましい。この繰り返し単位が有する芳香環の個数は、通常、5個以下であることが好ましく、3個以下であることがより好ましい。 Moreover, it is preferable that the repeating unit represented by general formula (A3) contains two or more aromatic rings from a viewpoint of roughness performance. The number of aromatic rings contained in this repeating unit is usually preferably 5 or less, and more preferably 3 or less.
また、一般式(A3)により表される繰り返し単位において、ラフネス性能の観点から、ARは2個以上の芳香環を含有することがより好ましく、ARがナフチル基又はビフェニル基であることが更に好ましい。ARが有する芳香環の個数は、通常、5個以下であることが好ましく、3個以下であることがより好ましい。 In the repeating unit represented by formula (A3), from the viewpoint of roughness performance, AR preferably contains two or more aromatic rings, and AR is more preferably a naphthyl group or a biphenyl group. . The number of aromatic rings possessed by AR is usually preferably 5 or less, and more preferably 3 or less.
Rnは、上述したように、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
Rnのアルキル基は、直鎖アルキル基であってもよく、分岐鎖アルキル基であってもよい。このアルキル基としては、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基及びドデシル基等の炭素数が1〜20のものが挙げられる。Rnのアルキル基は、炭素数1〜5のものが好ましく、炭素数1〜3のものがより好ましい。
As described above, Rn represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group.
The alkyl group of Rn may be a straight chain alkyl group or a branched chain alkyl group. The alkyl group is preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a t-butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a cyclohexyl group, an octyl group or a dodecyl group. A thing with 1-20 carbon atoms is mentioned. The alkyl group of Rn preferably has 1 to 5 carbon atoms, and more preferably has 1 to 3 carbon atoms.
Rnのシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基等の炭素数が3〜15のものが挙げられる。 Examples of the cycloalkyl group represented by Rn include those having 3 to 15 carbon atoms such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.
Rnのアリール基としては、例えば、フェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基及びアントリル基等の炭素数が6〜14のものが好ましい。 As the aryl group of Rn, for example, those having 6 to 14 carbon atoms such as phenyl group, xylyl group, toluyl group, cumenyl group, naphthyl group and anthryl group are preferable.
Rnとしてのアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の各々は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、チオフェンカルボニルオキシ基、チオフェンメチルカルボニルオキシ基、及びピロリドン残基等のヘテロ環残基が挙げられる。中でも、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基及びスルホニルアミノ基が特に好ましい。 Each of the alkyl group, cycloalkyl group and aryl group as Rn may further have a substituent. Examples of the substituent include an alkoxy group, a hydroxyl group, a halogen atom, a nitro group, an acyl group, an acyloxy group, an acylamino group, a sulfonylamino group, a dialkylamino group, an alkylthio group, an arylthio group, an aralkylthio group, and a thiophenecarbonyloxy group. , Thiophenemethylcarbonyloxy group, and heterocyclic residues such as pyrrolidone residues. Among these, an alkoxy group, a hydroxyl group, a halogen atom, a nitro group, an acyl group, an acyloxy group, an acylamino group, and a sulfonylamino group are particularly preferable.
Rは、上述したように、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキルオキシカルボニル基を表す。 As described above, R represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkyloxycarbonyl group.
Rのアルキル基及びシクロアルキル基としては、例えば、先にRnについて説明したのと同様のものが挙げられる。これらアルキル基及びシクロアルキル基の各々は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、先にRnについて説明したのと同様のものが挙げられる。 Examples of the alkyl group and cycloalkyl group of R include the same as those described above for Rn. Each of these alkyl groups and cycloalkyl groups may have a substituent. Examples of this substituent include the same as those described above for Rn.
Rが置換基を有するアルキル基又はシクロアルキル基である場合、特に好ましいRとしては、例えば、トリフルオロメチル基、アルキルオキシカルボニルメチル基、アルキルカルボニルオキシメチル基、ヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基が挙げられる。 When R is an alkyl group or a cycloalkyl group having a substituent, particularly preferable R is, for example, a trifluoromethyl group, an alkyloxycarbonylmethyl group, an alkylcarbonyloxymethyl group, a hydroxymethyl group, or an alkoxymethyl group. Can be mentioned.
Rのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。中でも、フッ素原子が特に好ましい。 Examples of the halogen atom for R include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. Among these, a fluorine atom is particularly preferable.
Rのアルキルオキシカルボニル基に含まれるアルキル基部分としては、例えば、先にRのアルキル基として挙げた構成を採用することができる。 As the alkyl group moiety contained in the alkyloxycarbonyl group of R, for example, the configuration described above as the alkyl group of R can be employed.
RnとARとが互いに結合して非芳香族環を形成することが好ましく、これにより、特に、ラフネス性能をより向上させることができる。
RnとARとは互いに結合して形成しても良い非芳香族環としては、5〜8員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましい。
Rn and AR are preferably bonded to each other to form a non-aromatic ring, and in particular, roughness performance can be further improved.
The non-aromatic ring that may be formed by bonding Rn and AR to each other is preferably a 5- to 8-membered ring, more preferably a 5- or 6-membered ring.
非芳香族環は、脂肪族環であっても、環員として酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含むヘテロ環であってもよい。
非芳香族環は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、Rnが有していてもよい更なる置換基について先に説明したのと同様のものが挙げられる。
以下に、一般式(A2)により表される繰り返し単位に対応したモノマーの具体例、及び、該繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
The non-aromatic ring may have a substituent. As this substituent, the thing similar to having demonstrated previously about the further substituent which Rn may have is mentioned, for example.
Although the specific example of the monomer corresponding to the repeating unit represented by general formula (A2) and the specific example of this repeating unit are given to the following, it is not limited to these.
以下に、一般式(A3)により表される繰り返し単位の構造の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
中でも、下記に示す繰り返し単位がより好ましい。
一般式(A2)により表される繰り返し単位は、一形態において、t−ブチルメタクリレート又はエチルシクロペンチルメタクリレートの繰り返し単位であることが好ましい。 In one embodiment, the repeating unit represented by formula (A2) is preferably a repeating unit of t-butyl methacrylate or ethylcyclopentyl methacrylate.
一般式(A2)で表される繰り返し単位に対応するモノマーは、THF、アセトン、塩化メチレン等の溶媒中、(メタ)アクリル酸クロリドとアルコール化合物を、トリエチルアミン、ピリジン、DBU等の塩基性触媒存在下でエステル化させることにより合成することができる。なお、市販のものを用いてもよい。 The monomer corresponding to the repeating unit represented by the general formula (A2) includes (meth) acrylic acid chloride and an alcohol compound in a solvent such as THF, acetone and methylene chloride, and a basic catalyst such as triethylamine, pyridine and DBU. It can be synthesized by esterification below. A commercially available product may be used.
樹脂(Ab)は、更に、下記一般式(A5)で表される繰り返し単位を含有していてもよい。
式(A5)中、
Xは、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、アリール基、カルボキシル基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、又はアラルキル基を表し、一般式(A2b)に於けるXと同様のものである。
A4は、酸の作用により脱離しない炭化水素基を表す。
In formula (A5),
X is a hydrogen atom, alkyl group, hydroxyl group, alkoxy group, halogen atom, cyano group, nitro group, acyl group, acyloxy group, cycloalkyl group, aryl group, carboxyl group, alkyloxycarbonyl group, alkylcarbonyloxy group, or Represents an aralkyl group and is the same as X in formula (A2b).
A 4 represents a hydrocarbon group that is not eliminated by the action of an acid.
一般式(A5)に於ける、A4の酸の作用により脱離しない炭化水素基としては、上記の酸分解性基以外の炭化水素基が挙げられ、例えば、酸の作用により脱離しないアルキル基(好ましくは炭素数1〜15)、酸の作用により脱離しないシクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜15)、酸の作用により脱離しないアリール基(好ましくは炭素数6〜15)等を挙げることができる。 In the general formula (A5), examples of the hydrocarbon group that is not eliminated by the action of the acid A 4 include hydrocarbon groups other than the acid-decomposable groups, such as an alkyl that is not eliminated by the action of the acid. A group (preferably having 1 to 15 carbon atoms), a cycloalkyl group (preferably having 3 to 15 carbon atoms) which is not eliminated by the action of an acid, an aryl group (preferably having 6 to 15 carbon atoms) which is not eliminated by the action of an acid, etc. Can be mentioned.
A4の酸の作用により脱離しない炭化水素基は、更に、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基等で置換されていてもよい。 The hydrocarbon group that is not eliminated by the action of the acid of A 4 may be further substituted with a hydroxyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or the like.
樹脂(Ab)は、更に一般式(A6)で表される繰り返し単位を有することも好ましい。
一般式(A6)中、
R2は、水素原子、メチル基、シアノ基、ハロゲン原子又は炭素数1〜4のペルフルオロ基を表す。
R3は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、アリール基、アルコキシ基又はアシル基を表す。
qは、0〜4の整数を表す。
Arは、q+2価の芳香環を表す。
Wは、酸の作用により分解しない基又は水素原子を表す。
In general formula (A6),
R 2 represents a hydrogen atom, a methyl group, a cyano group, a halogen atom, or a perfluoro group having 1 to 4 carbon atoms.
R 3 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, an aryl group, an alkoxy group or an acyl group.
q represents an integer of 0 to 4.
Ar represents a q + 2 valent aromatic ring.
W represents a group or a hydrogen atom that is not decomposed by the action of an acid.
Arにより表される芳香環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環が好ましく、ベンゼン環であることがより好ましい。 As the aromatic ring represented by Ar, a benzene ring, a naphthalene ring and an anthracene ring are preferable, and a benzene ring is more preferable.
Wは酸の作用により分解しない基(酸安定基ともいう)を表すが、上記の酸分解性基以外の基が挙げられ、具体的にはハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アシル基、アルキルアミド基、アリールアミドメチル基、アリールアミド基等が挙げられる。酸安定基としては、好ましくはアシル基、アルキルアミド基であり、より好ましくはアシル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基である。 W represents a group that is not decomposed by the action of an acid (also referred to as an acid-stable group), and examples include groups other than the above-mentioned acid-decomposable groups. Specifically, a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, An aryl group, an acyl group, an alkylamide group, an arylamidomethyl group, an arylamide group, etc. are mentioned. The acid stabilizing group is preferably an acyl group or an alkylamide group, more preferably an acyl group, an alkylcarbonyloxy group, an alkyloxy group, a cycloalkyloxy group, or an aryloxy group.
Wの酸安定基において、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基の様な炭素数1〜4個のものが好ましく、シクロアルキル基としてはシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基の様な炭素数3〜10個のものが好ましく、アルケニル基としてはビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基の様な炭素数2〜4個のものが好ましく、アルケニル基としてはビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基の様な炭素数2〜4個のものが好ましく、アリール基としてはフェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル基の様な炭素数6〜14個のものが好ましい。Wはベンゼン環上のどの位置にあってもよいが、好ましくはスチレン骨格のメタ位かパラ位であり、特に好ましくはパラ位である。
以下に、一般式(A6)で表される繰り返し単位の具体例を挙げるがこれらに限定するものではない。
Specific examples of the repeating unit represented by formula (A6) are shown below, but are not limited thereto.
樹脂(Ab)は、更に酸の作用により分解しない(メタ)アクリル酸誘導体からなる繰り返し単位を有することも好ましい。以下に具体例を挙げるがこれに限定するものではない。
樹脂(Ab)における酸分解性基を有する繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単位中、5〜95モル%が好ましく、より好ましくは10〜60モル%であり、特に好ましくは15〜50モル%である。 The content of the repeating unit having an acid-decomposable group in the resin (Ab) is preferably 5 to 95 mol%, more preferably 10 to 60 mol%, and particularly preferably 15 to 50 mol% in all repeating units. It is.
樹脂(Ab)における一般式(A1)で表される繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単位中、0〜90モル%が好ましく、より好ましくは10〜70モル%であり、特に好ましくは20〜50モル%である。
樹脂(Ab)における一般式(A2)で表される繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単位中、0〜90モル%が好ましく、より好ましくは5〜75モル%であり、特に好ましくは10〜60モル%である。
The content of the repeating unit represented by the general formula (A1) in the resin (Ab) is preferably from 0 to 90 mol%, more preferably from 10 to 70 mol%, particularly preferably from 20 to 20 in all repeating units. 50 mol%.
The content of the repeating unit represented by the general formula (A2) in the resin (Ab) is preferably 0 to 90 mol%, more preferably 5 to 75 mol%, and particularly preferably 10 to 10 mol% in all repeating units. 60 mol%.
樹脂(Ab)における一般式(A3)で表される繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単位中、0〜90モル%が好ましく、より好ましくは5〜75モル%であり、特に好ましくは10〜60モル%である。 The content of the repeating unit represented by the general formula (A3) in the resin (Ab) is preferably 0 to 90 mol%, more preferably 5 to 75 mol%, and particularly preferably 10 to 10 mol% in all repeating units. 60 mol%.
樹脂(Ab)における一般式(A5)で表される繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単位中、0〜50モル%が好ましく、より好ましくは0〜40モル%であり、特に好ましくは0〜30モル%である。 The content of the repeating unit represented by the general formula (A5) in the resin (Ab) is preferably 0 to 50 mol%, more preferably 0 to 40 mol%, and particularly preferably 0 to 40 mol% in all repeating units. 30 mol%.
樹脂(Ab)は、更に一般式(A6)で表される繰返し単位を有していてもよく、膜質向上、未露光部の膜減り抑制等の観点から好ましい。一般式(A5)で表される繰り返し単位の含有率は、それぞれの全繰り返し単位中、0〜50モル%であることが好ましく、より好ましくは0〜40モル%であり、特に好ましくは0〜30モル%である。 The resin (Ab) may further have a repeating unit represented by the general formula (A6), which is preferable from the viewpoints of improving the film quality and suppressing the decrease in the film thickness of the unexposed area. The content of the repeating unit represented by the general formula (A5) is preferably 0 to 50 mol%, more preferably 0 to 40 mol%, and particularly preferably 0 to 40 mol% in each of all the repeating units. 30 mol%.
また、樹脂(Ab)は、アルカリ現像液に対する良好な現像性を維持するために、アルカリ可溶性基、例えばフェノール性水酸基、カルボキシル基が導入され得るように適切な他の重合性モノマーが共重合されていてもよいし、膜質向上のためにアルキルアクリレートやアルキルメタクリレートのような疎水性の他の重合性モノマーが共重合されてもよい。 In addition, the resin (Ab) is copolymerized with other polymerizable monomers suitable so that an alkali-soluble group such as a phenolic hydroxyl group or a carboxyl group can be introduced in order to maintain good developability for an alkali developer. In order to improve the film quality, other hydrophobic polymerizable monomers such as alkyl acrylate and alkyl methacrylate may be copolymerized.
一般式(A2)で表される繰り返し単位に対応するモノマーは、THF、アセトン、塩化メチレン等の溶媒中、(メタ)アクリル酸クロリドとアルコール化合物を、トリエチルアミン、ピリジン、DBU等の塩基性触媒存在下でエステル化させることにより合成することができる。なお、市販のものを用いてもよい。 The monomer corresponding to the repeating unit represented by the general formula (A2) includes (meth) acrylic acid chloride and an alcohol compound in a solvent such as THF, acetone and methylene chloride, and a basic catalyst such as triethylamine, pyridine and DBU. It can be synthesized by esterification below. A commercially available product may be used.
一般式(A1)で表される繰り返し単位に対応するモノマーは、THF、塩化メチレン等の溶媒中、ヒドロキシ置換スチレンモノマーとビニルエーテル化合物を、p−トルエンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸ピリジン塩等の酸性触媒存在下でアセタール化させること、または、二炭酸t−ブチルを用いてトリエチルアミン、ピリジン、DBU等の塩基性触媒存在下でt−Boc保護化する事により合成することができる。なお、市販のものを用いてもよい。 The monomer corresponding to the repeating unit represented by the general formula (A1) is a hydroxy-substituted styrene monomer and a vinyl ether compound in a solvent such as THF and methylene chloride, such as p-toluenesulfonic acid and p-toluenesulfonic acid pyridine salt. It can be synthesized by acetalization in the presence of an acidic catalyst or by t-Boc protection using t-butyl dicarbonate in the presence of a basic catalyst such as triethylamine, pyridine, DBU or the like. A commercially available product may be used.
樹脂(Ab)の重量平均分子量(Mw)は、それぞれ1000〜200,000の範囲であることが好ましい。樹脂自体のアルカリに対する溶解速度、感度の点から200,000以下が好ましい。分散度(Mw/Mn)は、1.0〜3.0であることが好ましく、より好ましくは1.0〜2.5、特に好ましくは、1.0〜2.0である。 The weight average molecular weight (Mw) of the resin (Ab) is preferably in the range of 1000 to 200,000, respectively. 200,000 or less is preferable from the viewpoint of the dissolution rate and sensitivity of the resin itself with respect to alkali. The dispersity (Mw / Mn) is preferably 1.0 to 3.0, more preferably 1.0 to 2.5, and particularly preferably 1.0 to 2.0.
その中で、樹脂の重量平均分子量(Mw)は、1,000〜200,000の範囲であることが好ましく、さらに好ましくは1,000〜100,000の範囲であり、特に好ましくは1,000〜50,000の範囲であり、最も好ましくは1,000〜25,000の範囲である。
ここで、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値をもって定義される。詳細には、樹脂(Ab)の重量平均分子量(Mw)及び数平均分子量(Mn)は、例えば、HLC−8120(東ソー(株)製)を用い、カラムとしてTSK gel Multipore HXL−M(東ソー(株)製、7.8mmID×30.0cmを、溶離液としてTHF(テトラヒドロフラン)を用いることによって求めることができる。
Among them, the weight average molecular weight (Mw) of the resin is preferably in the range of 1,000 to 200,000, more preferably in the range of 1,000 to 100,000, and particularly preferably 1,000. Is in the range of ~ 50,000, most preferably in the range of 1,000-25,000.
Here, the weight average molecular weight is defined by a polystyrene conversion value of gel permeation chromatography. Specifically, the weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn) of the resin (Ab) are, for example, HLC-8120 (manufactured by Tosoh Corporation), and TSK gel Multipore HXL-M (Tosoh ( 7.8 mm ID × 30.0 cm can be obtained by using THF (tetrahydrofuran) as an eluent.
(Ab)は、各種市販品を利用することもできるし、常法に従って(例えばラジカル重合又はアニオン重合法)合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1〜10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、更には後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA、別名1−メトキシ−2−アセトキシプロパン)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME、別名1−メトキシ−2−プロパノール)、シクロヘキサノンのような本発明の組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。 (Ab) can use various commercially available products, and can be synthesized according to a conventional method (for example, radical polymerization or anionic polymerization method). For example, as a general synthesis method, a monomer polymerization method in which a monomer species and an initiator are dissolved in a solvent and heating is performed, and a solution of the monomer species and the initiator is dropped into the heating solvent over 1 to 10 hours. The dropping polymerization method is added, and the dropping polymerization method is preferable. Examples of the reaction solvent include ethers such as tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, diisopropyl ether, ketones such as methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone, ester solvents such as ethyl acetate, amide solvents such as dimethylformamide and dimethylacetamide, Further, the composition of the present invention such as propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA, also known as 1-methoxy-2-acetoxypropane), propylene glycol monomethyl ether (PGME, also known as 1-methoxy-2-propanol), and cyclohexanone described later is used. Solvents that dissolve are mentioned. More preferably, the polymerization is performed using the same solvent as the solvent used in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention. Thereby, generation | occurrence | production of the particle at the time of a preservation | save can be suppressed.
樹脂(Ab)は、公知のアニオン重合法またはラジカル重合法などで重合することが好ましい。
アニオン重合法は、アルカリ金属又は有機アルカリ金属を重合開始剤として、通常、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下、有機溶媒中において、−100〜90℃の温度で行なわれる。そして、共重合においては、モノマー類を反応系に逐次添加して重合することによりブロック共重合体が、また、各モノマー類の混合物を反応系に添加して重合することによりランダム共重合体が得られる。
The resin (Ab) is preferably polymerized by a known anionic polymerization method or radical polymerization method.
The anionic polymerization method is usually performed at a temperature of −100 to 90 ° C. in an organic solvent in an inert gas atmosphere such as nitrogen or argon using an alkali metal or an organic alkali metal as a polymerization initiator. In the copolymerization, a block copolymer is obtained by sequentially adding monomers to the reaction system for polymerization, and a random copolymer is obtained by adding a mixture of monomers to the reaction system for polymerization. can get.
上記重合開始剤のアルカリ金属としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等が挙げられ、有機アルカリ金属としては、上記アルカリ金属のアルキル化物、アリル化物およびアリール化物が使用することができ、具体的には、エチルリチウム、n−ブチルリチウム、sec−ブチルリチウム、tert−ブチルリチウム、エチルナトリウム、リチウムビフェニル、リチウムナフタレン、リチウムトリフェニル、ナトリウムナフタレン、α−メチルスチレンナトリウムジアニオン、1、1−ジフェニルヘキシルリチウム、1、1−ジフェニル−3−メチルペンチルリチウム等を挙げることができる。 Examples of the alkali metal of the polymerization initiator include lithium, sodium, potassium, cesium and the like, and examples of the organic alkali metal include alkylated products, allylated products and arylated products of the alkali metals, specifically Is ethyl lithium, n-butyl lithium, sec-butyl lithium, tert-butyl lithium, ethyl sodium, lithium biphenyl, lithium naphthalene, lithium triphenyl, sodium naphthalene, α-methylstyrene sodium dianion, 1,1-diphenylhexyl lithium 1,1-diphenyl-3-methylpentyl lithium and the like can be mentioned.
ラジカル重合法は、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスイソバレロニトリル等のアゾ化合物や、過酸化ベンゾイル、メチルエチルケトンパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、等の有機化酸化物のような公知のラジカル重合開始剤を用い、必要に応じて、1−ドデカンチオール等の公知の連鎖移動剤を併用して、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下、有機溶媒中において、50〜200℃の温度で行なわれる。 The radical polymerization method is a known radical polymerization start such as azo compounds such as azobisisobutyronitrile and azobisisovaleronitrile, and organic oxides such as benzoyl peroxide, methyl ethyl ketone peroxide and cumene hydroperoxide. If necessary, a known chain transfer agent such as 1-dodecanethiol is used in combination with an inert gas atmosphere such as nitrogen or argon in an organic solvent at a temperature of 50 to 200 ° C. .
有機溶媒としては、n−ヘキサン、n−ヘプタン等の脂肪族炭化水素類、シクロヘキサン、シクロペンタン等の脂環族炭化水素類、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル等の多価アルコール誘導体類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、アニソール、ヘキサメチルホスホルアミド等の通常アニオン重合において使用される有機溶媒を挙げることができ、これらは単独溶媒又は二種以上の混合溶媒として使用される。より好ましい溶剤として、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンが挙げられる。 Examples of organic solvents include aliphatic hydrocarbons such as n-hexane and n-heptane, alicyclic hydrocarbons such as cyclohexane and cyclopentane, aromatic hydrocarbons such as benzene and toluene, and ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone. Propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether, etc. Polyhydric alcohol derivatives, ethers such as diethyl ether, tetrahydrofuran and dioxane, anisole, hex It can be mentioned organic solvents which are usually used in anionic polymerization such as methyl phosphoramide, which are used as a single solvent or two or more kinds of mixed solvents. More preferable solvents include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, and cyclohexanone.
ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)などが挙げられる。反応の濃度は通常5〜50質量%であり、好ましくは30〜50質量%である。反応温度は、通常10℃〜150℃であり、好ましくは30℃〜120℃、更に好ましくは60〜100℃である。アゾ系重合開始剤を用いてラジカル重合を行うことで分散度2.0以下の樹脂(Ab)を合成することができる。さらに好ましい分散度1.0〜1.5の樹脂(Ab)は例えばリビングラジカル重合によって合成可能である。 As the radical initiator, an azo initiator is preferable, and an azo initiator having an ester group, a cyano group, or a carboxyl group is preferable. Preferred initiators include azobisisobutyronitrile, azobisdimethylvaleronitrile, dimethyl 2,2'-azobis (2-methylpropionate) and the like. The concentration of the reaction is usually 5 to 50% by mass, preferably 30 to 50% by mass. The reaction temperature is usually from 10 ° C to 150 ° C, preferably from 30 ° C to 120 ° C, more preferably from 60 ° C to 100 ° C. Resin (Ab) having a dispersity of 2.0 or less can be synthesized by performing radical polymerization using an azo polymerization initiator. A resin (Ab) having a more preferable dispersity of 1.0 to 1.5 can be synthesized by living radical polymerization, for example.
反応終了後、室温まで放冷し、精製する。精製は、水洗や適切な溶媒を組み合わせることにより残留単量体やオリゴマー成分を除去する液々抽出法、特定の分子量以下のもののみを抽出除去する限外濾過等の溶液状態での精製方法や、樹脂溶液を貧溶媒へ滴下することで樹脂を貧溶媒中に凝固させることにより残留単量体等を除去する再沈澱法やろ別した樹脂スラリーを貧溶媒で洗浄する等の固体状態での精製方法等の通常の方法を適用できる。たとえば、上記樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒(貧溶媒)を、該反応溶液の10倍以下の体積量、好ましくは10〜5倍の体積量で、接触させることにより樹脂を固体として析出させる。 After completion of the reaction, the mixture is allowed to cool to room temperature and purified. Purification can be accomplished by a liquid-liquid extraction method that removes residual monomers and oligomer components by combining water and an appropriate solvent, and a purification method in a solution state such as ultrafiltration that extracts and removes only those having a specific molecular weight or less. , Reprecipitation method that removes residual monomer by coagulating resin in poor solvent by dripping resin solution into poor solvent and purification in solid state such as washing filtered resin slurry with poor solvent A normal method such as a method can be applied. For example, the resin is precipitated as a solid by contacting a solvent (poor solvent) in which the resin is hardly soluble or insoluble in a volume amount of 10 times or less, preferably 10 to 5 times that of the reaction solution.
ポリマー溶液からの沈殿又は再沈殿操作の際に用いる溶媒(沈殿又は再沈殿溶媒)としては、該ポリマーの貧溶媒であればよく、ポリマーの種類に応じて、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、ニトロ化合物、エーテル、ケトン、エステル、カーボネート、アルコール、カルボン酸、水、これらの溶媒を含む混合溶媒等の中から適宜選択して使用できる。これらの中でも、沈殿又は再沈殿溶媒として、少なくともアルコール(特に、メタノールなど)又は水を含む溶媒が好ましい。 The solvent (precipitation or reprecipitation solvent) used in the precipitation or reprecipitation operation from the polymer solution may be a poor solvent for the polymer, and may be a hydrocarbon, halogenated hydrocarbon, nitro, depending on the type of polymer. A compound, ether, ketone, ester, carbonate, alcohol, carboxylic acid, water, a mixed solvent containing these solvents, and the like can be appropriately selected for use. Among these, as a precipitation or reprecipitation solvent, a solvent containing at least an alcohol (particularly methanol or the like) or water is preferable.
沈殿又は再沈殿溶媒の使用量は、効率や収率等を考慮して適宜選択できるが、一般には、ポリマー溶液100質量部に対して、100〜10000質量部、好ましくは200〜2000質量部、更に好ましくは300〜1000質量部である。 The amount of the precipitation or reprecipitation solvent used can be appropriately selected in consideration of efficiency, yield, and the like, but generally 100 to 10000 parts by mass, preferably 200 to 2000 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer solution, More preferably, it is 300-1000 mass parts.
沈殿又は再沈殿する際の温度としては、効率や操作性を考慮して適宜選択できるが、通常0〜50℃程度、好ましくは室温付近(例えば20〜35℃程度)である。沈殿又は再沈殿操作は、攪拌槽などの慣用の混合容器を用い、バッチ式、連続式等の公知の方法により行うことができる。 The temperature for precipitation or reprecipitation can be appropriately selected in consideration of efficiency and operability, but is usually about 0 to 50 ° C., preferably around room temperature (for example, about 20 to 35 ° C.). The precipitation or reprecipitation operation can be performed by a known method such as a batch method or a continuous method using a conventional mixing vessel such as a stirring tank.
沈殿又は再沈殿したポリマーは、通常、濾過、遠心分離等の慣用の固液分離に付し、乾燥して使用に供される。濾過は、耐溶剤性の濾材を用い、好ましくは加圧下で行われる。乾燥は、常圧又は減圧下(好ましくは減圧下)、30〜100℃程度、好ましくは30〜50℃程度の温度で行われる。 The precipitated or re-precipitated polymer is usually subjected to conventional solid-liquid separation such as filtration and centrifugation, and dried before use. Filtration is performed using a solvent-resistant filter medium, preferably under pressure. Drying is performed at a temperature of about 30 to 100 ° C., preferably about 30 to 50 ° C. under normal pressure or reduced pressure (preferably under reduced pressure).
なお、一度、樹脂を析出させて、分離した後に、再び溶媒に溶解させ、該樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒と接触させてもよい。即ち、上記ラジカル重合反応終了後、該ポリマーが難溶あるいは不溶の溶媒を接触させ、樹脂を析出させ(工程a)、樹脂を溶液から分離し(工程b)、改めて溶媒に溶解させ樹脂溶液Aを調製(工程c)、その後、該樹脂溶液Aに、該樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒を、樹脂溶液Aの10倍未満の体積量(好ましくは5倍以下の体積量)で、接触させることにより樹脂固体を析出させ(工程d)、析出した樹脂を分離する(工程e)ことを含む方法でもよい。 In addition, once the resin is precipitated and separated, it may be dissolved again in a solvent, and the resin may be brought into contact with a hardly soluble or insoluble solvent. That is, after completion of the radical polymerization reaction, a solvent in which the polymer is hardly soluble or insoluble is brought into contact, the resin is precipitated (step a), the resin is separated from the solution (step b), and dissolved again in the solvent. (Step c), and then contact the resin solution A with a solvent in which the resin is hardly soluble or insoluble in a volume amount less than 10 times that of the resin solution A (preferably 5 times or less volume). This may be a method including precipitating a resin solid (step d) and separating the precipitated resin (step e).
また、本発明のポジ型レジストをArFエキシマレーザーで露光する際には、ArFエキシマレーザーに対する透明性の観点から、樹脂(Ab)として芳香環を有さない樹脂を用いることが好ましい。ArFエキシマレーザー露光に好適な樹脂(Ab)としては、例えば、特開2013−15590号公報の段落0446〜0477に記載の樹脂(A‘)を用いることができる。 Moreover, when exposing the positive resist of this invention with an ArF excimer laser, it is preferable to use resin which does not have an aromatic ring as resin (Ab) from a transparency viewpoint with respect to ArF excimer laser. As a resin (Ab) suitable for ArF excimer laser exposure, for example, the resin (A ′) described in paragraphs 0446 to 0477 of JP2013-15590A can be used.
樹脂(Ab)は、2種類以上組み合わせて使用してもよい。
樹脂(Ab)の添加量は、総量として、本発明の組成物の全固形分に対し、通常10〜99質量%であり、好ましくは20〜99質量%であり、特に好ましくは30〜99質量%である。
以下に樹脂(Ab)の具体例を以下に示すがこれらに限定するものではない。
The total amount of the resin (Ab) added is generally 10 to 99% by mass, preferably 20 to 99% by mass, particularly preferably 30 to 99% by mass, based on the total solid content of the composition of the present invention. %.
Although the specific example of resin (Ab) is shown below, it is not limited to these.
樹脂(Ab)が酸発生繰り返し単位(B)を含有しない場合は、フッ素原子を含む繰り返し単位の含有率は1モル%以下であることが好ましく、フッ素原子は含有しないことがより好ましい。樹脂(Ab)が繰り返し単位(B)を有する場合は、繰り返し単位(B)以外の繰り返し単位であって、フッ素原子を含む繰り返し単位の含有率は1モル%以下であることが更に好ましく、フッ素原子は含有しないことが最も好ましい。 When the resin (Ab) does not contain the acid generating repeating unit (B), the content of the repeating unit containing a fluorine atom is preferably 1 mol% or less, and more preferably no fluorine atom is contained. When the resin (Ab) has a repeating unit (B), the content of the repeating unit other than the repeating unit (B) and containing a fluorine atom is more preferably 1 mol% or less. Most preferably, no atoms are contained.
[3]活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
本発明の組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(以下、「酸発生剤」ともいう)を含有する。
酸発生剤としては、公知のものであれば特に限定されないが、活性光線又は放射線の照射により、有機酸、例えば、スルホン酸、ビス(アルキルスルホニル)イミド、又はトリス(アルキルスルホニル)メチドの少なくともいずれかを発生する化合物が好ましい。
[3] Compound that generates acid upon irradiation with actinic ray or radiation The composition of the present invention contains a compound that generates acid upon irradiation with actinic ray or radiation (hereinafter also referred to as “acid generator”).
The acid generator is not particularly limited as long as it is a publicly known acid generator, but upon irradiation with actinic rays or radiation, at least any of organic acids such as sulfonic acid, bis (alkylsulfonyl) imide, and tris (alkylsulfonyl) methide. Compounds that generate such are preferred.
より好ましくは下記一般式(ZI)、(ZII)、(ZIII)で表される化合物を挙げることができる。
上記一般式(ZI)において、
R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。
R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1〜30、好ましくは1〜20である。
また、R201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
Z−は、非求核性アニオン(求核反応を起こす能力が著しく低いアニオン)を表す。
In the general formula (ZI),
R 201 , R 202 and R 203 each independently represents an organic group.
The carbon number of the organic group as R 201 , R 202 and R 203 is generally 1 to 30, preferably 1 to 20.
Two of R 201 to R 203 may be bonded to form a ring structure, and the ring may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, an amide bond, or a carbonyl group. Examples of the group formed by combining two of R 201 to R 203 include an alkylene group (eg, butylene group, pentylene group).
Z − represents a non-nucleophilic anion (an anion having an extremely low ability to cause a nucleophilic reaction).
非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン(脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなど)、カルボン酸アニオン(脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなど)、スルホニルイミドアニオン、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチドアニオン等を挙げられる。 Non-nucleophilic anions include, for example, sulfonate anions (aliphatic sulfonate anions, aromatic sulfonate anions, camphor sulfonate anions, etc.), carboxylate anions (aliphatic carboxylate anions, aromatic carboxylate anions, aralkyls). Carboxylate anion, etc.), sulfonylimide anion, bis (alkylsulfonyl) imide anion, tris (alkylsulfonyl) methide anion and the like.
脂肪族スルホン酸アニオン及び脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位は、アルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数1〜30の直鎖又は分岐のアルキル基及び炭素数3〜30のシクロアルキル基が挙げられる。 The aliphatic moiety in the aliphatic sulfonate anion and the aliphatic carboxylate anion may be an alkyl group or a cycloalkyl group, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 30 carbon atoms and a carbon number. 3-30 cycloalkyl groups are mentioned.
芳香族スルホン酸アニオン及び芳香族カルボン酸アニオンにおける芳香族基としては、好ましくは炭素数6〜14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。 The aromatic group in the aromatic sulfonate anion and aromatic carboxylate anion is preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms such as a phenyl group, a tolyl group, and a naphthyl group.
上記で挙げたアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。この具体例としては、ニトロ基、フッ素原子などのハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜15)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜15)、アリール基(好ましくは炭素数6〜14)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜7)、アシル基(好ましくは炭素数2〜12)、アルコキシカルボニルオキシ基(好ましくは炭素数2〜7)、アルキルチオ基(好ましくは炭素数1〜15)、アルキルスルホニル基(好ましくは炭素数1〜15)、アルキルイミノスルホニル基(好ましくは炭素数2〜15)、アリールオキシスルホニル基(好ましくは炭素数6〜20)、アルキルアリールオキシスルホニル基(好ましくは炭素数7〜20)、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基(好ましくは炭素数10〜20)、アルキルオキシアルキルオキシ基(好ましくは炭素数5〜20)、シクロアルキルアルキルオキシアルキルオキシ基(好ましくは炭素数8〜20)等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基として更にアルキル基(好ましくは炭素数1〜15)を挙げることができる。 The alkyl group, cycloalkyl group and aryl group mentioned above may have a substituent. Specific examples thereof include nitro groups, halogen atoms such as fluorine atoms, carboxyl groups, hydroxyl groups, amino groups, cyano groups, alkoxy groups (preferably having 1 to 15 carbon atoms), cycloalkyl groups (preferably having 3 to 15 carbon atoms). ), An aryl group (preferably 6 to 14 carbon atoms), an alkoxycarbonyl group (preferably 2 to 7 carbon atoms), an acyl group (preferably 2 to 12 carbon atoms), an alkoxycarbonyloxy group (preferably 2 to 2 carbon atoms). 7), an alkylthio group (preferably 1 to 15 carbon atoms), an alkylsulfonyl group (preferably 1 to 15 carbon atoms), an alkyliminosulfonyl group (preferably 2 to 15 carbon atoms), an aryloxysulfonyl group (preferably carbon) Number 6-20), alkylaryloxysulfonyl group (preferably C7-20), cycloalkylary Examples thereof include an oxysulfonyl group (preferably having 10 to 20 carbon atoms), an alkyloxyalkyloxy group (preferably having 5 to 20 carbon atoms), a cycloalkylalkyloxyalkyloxy group (preferably having 8 to 20 carbon atoms), and the like. . About the aryl group and ring structure which each group has, an alkyl group (preferably C1-C15) can further be mentioned as a substituent.
アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数7〜12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基等を挙げることができる。 The aralkyl group in the aralkyl carboxylate anion is preferably an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms, such as a benzyl group, a phenethyl group, a naphthylmethyl group, a naphthylethyl group, and a naphthylbutyl group.
スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。 Examples of the sulfonylimide anion include saccharin anion.
ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチドアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1〜5のアルキル基が好ましい。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基等を挙げることができ、フッ素原子又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。 The alkyl group in the bis (alkylsulfonyl) imide anion and tris (alkylsulfonyl) methide anion is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Examples of substituents for these alkyl groups include halogen atoms, alkyl groups substituted with halogen atoms, alkoxy groups, alkylthio groups, alkyloxysulfonyl groups, aryloxysulfonyl groups, cycloalkylaryloxysulfonyl groups, and the like. A fluorine atom or an alkyl group substituted with a fluorine atom is preferred.
また、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオンにおけるアルキル基は、互いに結合して環構造を形成してもよい。これにより、酸強度が増加する。 The alkyl groups in the bis (alkylsulfonyl) imide anion may be bonded to each other to form a ring structure. This increases the acid strength.
その他の非求核性アニオンとしては、例えば、弗素化燐(例えば、PF6 −)、弗素化硼素(例えば、BF4 −)、弗素化アンチモン(例えば、SbF6 −)等を挙げることができる。 Examples of other non-nucleophilic anions include fluorinated phosphorus (eg, PF 6 − ), fluorinated boron (eg, BF 4 − ), and fluorinated antimony (eg, SbF 6 − ). .
非求核性アニオンとしては、スルホン酸の少なくともα位がフッ素原子で置換された脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換された芳香族スルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたトリス(アルキルスルホニル)メチドアニオンが好ましい。非求核性アニオンとして、より好ましくはパーフロロ脂肪族スルホン酸アニオン(更に好ましくは炭素数4〜8)、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸アニオン、更により好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロベンゼンスルホン酸アニオン、3,5−ビス(トリフロロメチル)ベンゼンスルホン酸アニオンである。
酸強度の観点からは、発生酸のpKaが−1以下であることが、感度向上のために好ましい。
Examples of the non-nucleophilic anion include an aliphatic sulfonate anion in which at least α-position of the sulfonic acid is substituted with a fluorine atom, an aromatic sulfonate anion substituted with a fluorine atom or a group having a fluorine atom, and an alkyl group having a fluorine atom And a tris (alkylsulfonyl) methide anion in which the alkyl group is substituted with a fluorine atom. The non-nucleophilic anion is more preferably a perfluoroaliphatic sulfonate anion (more preferably 4 to 8 carbon atoms), a benzenesulfonate anion having a fluorine atom, still more preferably a nonafluorobutanesulfonate anion, or perfluorooctane. A sulfonate anion, a pentafluorobenzenesulfonate anion, and a 3,5-bis (trifluoromethyl) benzenesulfonate anion.
From the viewpoint of acid strength, the pKa of the generated acid is preferably −1 or less in order to improve sensitivity.
また、非求核性アニオンとしては、以下の一般式(AN1)で表されるアニオンも好ましい態様として挙げられる。
式中、
Xfは、それぞれ独立に、フッ素原子、又は少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。
R1、R2は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は、アルキル基を表し、複数存在する場合のR1、R2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Lは、二価の連結基を表し、複数存在する場合のLは同一でも異なっていてもよい。
Aは、環状の有機基を表す。
xは1〜20の整数を表し、yは0〜10の整数を表し、zは0〜10の整数を表す。
Where
Xf each independently represents a fluorine atom or an alkyl group substituted with at least one fluorine atom.
R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, a fluorine atom or an alkyl group, and when there are a plurality of R 1 and R 2 , they may be the same or different.
L represents a divalent linking group, and when there are a plurality of L, L may be the same or different.
A represents a cyclic organic group.
x represents an integer of 1 to 20, y represents an integer of 0 to 10, and z represents an integer of 0 to 10.
一般式(AN1)について、更に詳細に説明する。
Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基におけるアルキル基としては、好ましくは炭素数1〜10であり、より好ましくは炭素数1〜4である。また、Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。
The general formula (AN1) will be described in more detail.
The alkyl group in the alkyl group substituted with the fluorine atom of Xf preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms. The alkyl group substituted with a fluorine atom of Xf is preferably a perfluoroalkyl group.
Xfとして好ましくは、フッ素原子又は炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基である。Xfの具体的としては、フッ素原子、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、CH2CH2C4F9が挙げられ、中でもフッ素原子、CF3が好ましい。特に、双方のXfがフッ素原子であることが好ましい。 Xf is preferably a fluorine atom or a perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Specific examples of Xf include fluorine atom, CF 3 , C 2 F 5 , C 3 F 7 , C 4 F 9 , CH 2 CF 3 , CH 2 CH 2 CF 3 , CH 2 C 2 F 5 , CH 2 CH 2 C 2 F 5 , CH 2 C 3 F 7 , CH 2 CH 2 C 3 F 7 , CH 2 C 4 F 9 , CH 2 CH 2 C 4 F 9 may be mentioned, among which a fluorine atom and CF 3 are preferable. In particular, it is preferable that both Xf are fluorine atoms.
R1、R2のアルキル基は、置換基(好ましくはフッ素原子)を有していてもよく、炭素数1〜4のものが好ましい。更に好ましくは炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基である。R1、R2の置換基を有するアルキル基の具体例としては、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F15、C8F17、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、CH2CH2C4F9が挙げられ、中でもCF3が好ましい。
R1、R2としては、好ましくはフッ素原子又はCF3である。
The alkyl group of R 1 and R 2 may have a substituent (preferably a fluorine atom), and preferably has 1 to 4 carbon atoms. More preferably, it is a C1-C4 perfluoroalkyl group. Specific examples of the alkyl group having a substituent for R 1 and R 2 include CF 3 , C 2 F 5 , C 3 F 7 , C 4 F 9 , C 5 F 11 , C 6 F 13 , and C 7 F 15. , C 8 F 17, CH 2 CF 3, CH 2 CH 2 CF 3, CH 2 C 2 F 5, CH 2 CH 2 C 2 F 5, CH 2 C 3 F 7, CH 2 CH 2 C 3 F 7, CH 2 C 4 F 9 and CH 2 CH 2 C 4 F 9 can be mentioned, among which CF 3 is preferable.
R 1 and R 2 are preferably a fluorine atom or CF 3 .
xは1〜10が好ましく、1〜5がより好ましい。
yは0〜4が好ましく、0がより好ましい。
zは0〜5が好ましく、0〜3がより好ましい。
Lの2価の連結基としては特に限定されず、―COO−、−OCO−、−CO−、−O−、−S―、−SO―、―SO2−、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基又はこれらの複数が連結した連結基などを挙げることができ、総炭素数12以下の連結基が好ましい。このなかでも―COO−、−OCO−、−CO−、−O−が好ましく、―COO−、−OCO−がより好ましい。
x is preferably 1 to 10, and more preferably 1 to 5.
y is preferably 0 to 4, and more preferably 0.
z is preferably 0 to 5, and more preferably 0 to 3.
The divalent linking group of L is not particularly limited, and is —COO—, —OCO—, —CO—, —O—, —S—, —SO—, —SO 2 —, an alkylene group, a cycloalkylene group, An alkenylene group or a linking group in which a plurality of these groups are linked can be exemplified, and a linking group having a total carbon number of 12 or less is preferred. Among these, —COO—, —OCO—, —CO—, and —O— are preferable, and —COO— and —OCO— are more preferable.
Aの環状の有機基としては、環状構造を有するものであれば特に限定されず、脂環基、アリール基、複素環基(芳香族性を有するものだけでなく、芳香族性を有さないものも含む)等が挙げられる。 The cyclic organic group of A is not particularly limited as long as it has a cyclic structure, and is not limited to alicyclic groups, aryl groups, and heterocyclic groups (not only those having aromaticity but also aromaticity). And the like).
脂環基としては、単環でも多環でもよく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基等の炭素数7以上のかさ高い構造を有する脂環基が、露光後加熱工程での膜中拡散性を抑制でき、MEEF向上の観点から好ましい。 The alicyclic group may be monocyclic or polycyclic, and may be a monocyclic cycloalkyl group such as a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, or a cyclooctyl group, a norbornyl group, a tricyclodecanyl group, a tetracyclodecanyl group, or a tetracyclododecane group. A polycyclic cycloalkyl group such as a nyl group and an adamantyl group is preferred. Among them, an alicyclic group having a bulky structure having 7 or more carbon atoms, such as a norbornyl group, a tricyclodecanyl group, a tetracyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group, an adamantyl group, or the like is present in the film in the post-exposure heating step. Diffusivity can be suppressed, which is preferable from the viewpoint of improving MEEF.
アリール基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナンスレン環、アントラセン環が挙げられる。
複素環基としては、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ピリジン環由来のものが挙げられる。中でもフラン環、チオフェン環、ピリジン環由来のものが好ましい。
Examples of the aryl group include a benzene ring, a naphthalene ring, a phenanthrene ring, and an anthracene ring.
Examples of the heterocyclic group include those derived from a furan ring, a thiophene ring, a benzofuran ring, a benzothiophene ring, a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring, and a pyridine ring. Of these, those derived from a furan ring, a thiophene ring and a pyridine ring are preferred.
また、環状の有機基としては、ラクトン構造も挙げることができ、具体例としては、前述の樹脂(P)が有していてもよい一般式(LC1−1)〜(LC1−17)で表されるラクトン構造を挙げることができる。 In addition, examples of the cyclic organic group may include a lactone structure, and specific examples include those represented by the general formulas (LC1-1) to (LC1-17) that the above-described resin (P) may have. Can be mentioned.
上記環状の有機基は、置換基を有していてもよく、該置換基としては、アルキル基(直鎖、分岐、環状のいずれであっても良く、炭素数1〜12が好ましい)、シクロアルキル基(単環、多環、スピロ環のいずれであっても良く、炭素数3〜20が好ましい)、アリール基(炭素数6〜14が好ましい)、ヒドロキシ基、アルコキシ基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基、チオエーテル基、スルホンアミド基、スルホン酸エステル基等が挙げられる。なお、環状の有機基を構成する炭素(環形成に寄与する炭素)はカルボニル炭素であっても良い。 The cyclic organic group may have a substituent, and examples of the substituent include an alkyl group (which may be linear, branched or cyclic, preferably 1 to 12 carbon atoms), cyclo Alkyl group (which may be monocyclic, polycyclic or spirocyclic, preferably 3 to 20 carbon atoms), aryl group (preferably 6 to 14 carbon atoms), hydroxy group, alkoxy group, ester group, amide Group, urethane group, ureido group, thioether group, sulfonamide group, sulfonic acid ester group and the like. The carbon constituting the cyclic organic group (carbon contributing to ring formation) may be a carbonyl carbon.
R201、R202及びR203の有機基としては、アリール基、アルキル基、シクロアルキル基などが挙げられる。 Examples of the organic group for R 201 , R 202, and R 203 include an aryl group, an alkyl group, and a cycloalkyl group.
R201、R202及びR203のうち、少なくとも1つがアリール基であることが好ましく、三つ全てがアリール基であることがより好ましい。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基などの他に、インドール残基、ピロール残基などのヘテロアリール基も可能である。R201〜R203のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1〜10の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基を挙げることができる。アルキル基として、より好ましくはメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基等を挙げることができる。シクロアルキル基として、より好ましくは、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基等を挙げることができる。これらの基は更に置換基を有していてもよい。その置換基としては、ニトロ基、フッ素原子などのハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜15)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜15)、アリール基(好ましくは炭素数6〜14)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜7)、アシル基(好ましくは炭素数2〜12)、アルコキシカルボニルオキシ基(好ましくは炭素数2〜7)等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。 Of R 201 , R 202 and R 203 , at least one is preferably an aryl group, more preferably all three are aryl groups. As the aryl group, in addition to a phenyl group, a naphthyl group, and the like, a heteroaryl group such as an indole residue and a pyrrole residue can be used. Preferred examples of the alkyl group and cycloalkyl group represented by R 201 to R 203 include a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms and a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms. More preferable examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, and an n-butyl group. More preferable examples of the cycloalkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cycloheptyl group. These groups may further have a substituent. Examples of the substituent include halogen atoms such as nitro groups and fluorine atoms, carboxyl groups, hydroxyl groups, amino groups, cyano groups, alkoxy groups (preferably having 1 to 15 carbon atoms), cycloalkyl groups (preferably having 3 to 15 carbon atoms). ), An aryl group (preferably 6 to 14 carbon atoms), an alkoxycarbonyl group (preferably 2 to 7 carbon atoms), an acyl group (preferably 2 to 12 carbon atoms), an alkoxycarbonyloxy group (preferably 2 to 2 carbon atoms). 7) and the like, but are not limited thereto.
また、R201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成する場合、以下の一般式(A1)で表される構造であることが好ましい。
一般式(A1)中、
R1a〜R13aは、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。
In general formula (A1),
R 1a to R 13a each independently represents a hydrogen atom or a substituent.
R1a〜R13aのうち、1〜3つが水素原子でないことが好ましく、R9a〜R13aのいずれか1つが水素原子でないことがより好ましい。 It is preferable that 1-3 are not a hydrogen atom among R < 1a > -R < 13a >, and it is more preferable that any one of R < 9a > -R < 13a > is not a hydrogen atom.
Zaは、単結合又は2価の連結基である。 Za is a single bond or a divalent linking group.
X−は、一般式(ZI)におけるZ−と同義である。 X − has the same meaning as Z − in formula (ZI).
R1a〜R13aが水素原子でない場合の具体例としては、ハロゲン原子、直鎖、分岐、環状のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基(アニリノ基を含む)、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基(−B(OH)2)、ホスファト基(−OPO(OH)2)、スルファト基(−OSO3H)、その他の公知の置換基が例として挙げられる。 Specific examples when R 1a to R 13a are not a hydrogen atom include a halogen atom, a linear, branched, cyclic alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, heterocyclic group, cyano group, nitro group, carboxyl group , Alkoxy group, aryloxy group, silyloxy group, heterocyclic oxy group, acyloxy group, carbamoyloxy group, alkoxycarbonyloxy group, aryloxycarbonyloxy group, amino group (including anilino group), ammonio group, acylamino group, amino Carbonylamino group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group, sulfamoylamino group, alkyl and arylsulfonylamino group, mercapto group, alkylthio group, arylthio group, heterocyclic thio group, sulfamoyl group, sulfo group, alkyl And arylsulfinyl groups, alkyl and arylsulfonyl groups, acyl groups, aryloxycarbonyl groups, alkoxycarbonyl groups, carbamoyl groups, aryl and heterocyclic azo groups, imide groups, phosphino groups, phosphinyl groups, phosphinyloxy groups, phosphini Ruamino group, phosphono group, silyl group, hydrazino group, ureido group, boronic acid group (—B (OH) 2 ), phosphato group (—OPO (OH) 2 ), sulfato group (—OSO 3 H), other Known substituents are listed as examples.
R1a〜R13aが水素原子でない場合としては、水酸基で置換された直鎖、分岐、環状のアルキル基であることが好ましい。 As a case where R 1a to R 13a are not a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group substituted with a hydroxyl group is preferable.
Zaの2価の連結基としては、アルキレン基、アリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、カルボニルオキシ基、カルボニルアミノ基、スルホニルアミド基、エーテル結合、チオエーテル結合、アミノ基、ジスルフィド基、−(CH2)n−CO−、−(CH2)n−SO2−、−CH=CH−、アミノカルボニルアミノ基、アミノスルホニルアミノ基等が挙げられる(nは1〜3の整数)。 Examples of the divalent linking group for Za include an alkylene group, an arylene group, a carbonyl group, a sulfonyl group, a carbonyloxy group, a carbonylamino group, a sulfonylamide group, an ether bond, a thioether bond, an amino group, a disulfide group, and — (CH 2 ) n -CO -, - (CH 2) n -SO 2 -, - CH = CH-, an aminocarbonylamino group, and an amino sulfonylamino group (n is an integer of 1 to 3).
なお、R201、R202及びR203のうち、少なくとも1つがアリール基でない場合の好ましい構造としては、特開2004−233661号公報の段落0046、0047、0048、特開2003−35948号公報の段落0040〜0046、米国特許出願公開第2003/0224288A1号明細書に式(I−1)〜(I−70)として例示されている化合物、米国特許出願公開第2003/0077540A1号明細書に式(IA−1)〜(IA−54)、式(IB−1)〜(IB−24)として例示されている化合物等のカチオン構造を挙げることができる。 In addition, as a preferable structure when at least one of R 201 , R 202 and R 203 is not an aryl group, paragraphs 0046, 0047 and 0048 of JP-A-2004-233661, paragraphs of JP-A-2003-35948 0040-0046, compounds exemplified as formulas (I-1) to (I-70) in US 2003/0224288 A1, US Pat. No. 2003/0077540 A1 in formula (IA) -1) to (IA-54) and cation structures such as compounds exemplified as formulas (IB-1) to (IB-24).
一般式(ZII)、(ZIII)中、
R204〜R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
In general formulas (ZII) and (ZIII),
R 204 to R 207 each independently represents an aryl group, an alkyl group or a cycloalkyl group.
R204〜R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基としては、前述の化合物(ZI)におけるR201〜R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基として説明したアリール基と同様である。 The aryl group, alkyl group, and cycloalkyl group of R 204 to R 207 are the same as the aryl group described as the aryl group, alkyl group, and cycloalkyl group of R 201 to R 203 in the aforementioned compound (ZI).
R204〜R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としても、前述の化合物(ZI)におけるR201〜R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよいものが挙げられる。 The aryl group, alkyl group, and cycloalkyl group of R 204 to R 207 may have a substituent. Even the substituent, an aryl group of R 201 to R 203 in the above compound (ZI), alkyl groups include those which may have a cycloalkyl group.
Z−は、非求核性アニオンを表し、一般式(ZI)に於けるZ−の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。 Z − represents a non-nucleophilic anion, and examples thereof include the same as the non-nucleophilic anion of Z − in formula (ZI).
酸発生剤として、更に、下記一般式(ZIV)、(ZV)、(ZVI)で表される化合物も挙げられる。
一般式(ZIV)〜(ZVI)中、
Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。
R208、R209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。
Ar3、Ar4、R208、R209及びR210のアリール基の具体例としては、上記一般式(ZI)におけるR201、R202及びR203としてのアリール基の具体例と同様のものを挙げることができる。
In general formulas (ZIV) to (ZVI),
Ar 3 and Ar 4 each independently represents an aryl group.
R 208 , R 209 and R 210 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group.
A represents an alkylene group, an alkenylene group or an arylene group.
Specific examples of the aryl group represented by Ar 3 , Ar 4 , R 208 , R 209, and R 210 are the same as the specific examples of the aryl group represented by R 201 , R 202, and R 203 in the general formula (ZI). Can be mentioned.
R208、R209及びR210のアルキル基及びシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ、上記一般式(ZI)におけるR201、R202及びR203としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例と同様のものを挙げることができる。 Specific examples of the alkyl group and cycloalkyl group represented by R 208 , R 209 and R 210 include specific examples of the alkyl group and cycloalkyl group represented by R 201 , R 202 and R 203 in the general formula (ZI), respectively. The same can be mentioned.
Aのアルキレン基としては、炭素数1〜12のアルキレン基(例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基など)を、Aのアルケニレン基としては、炭素数2〜12のアルケニレン基(例えば、エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基など)を、Aのアリーレン基としては、炭素数6〜10のアリーレン基(例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基など)を、それぞれ挙げることができる。
酸発生剤の中で、特に好ましい例を以下に挙げる。
Among acid generators, particularly preferred examples are given below.
酸発生剤は、1種類単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。
また、光酸発生剤の含有率は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは0.1〜50質量%であり、より好ましくは0.5〜45質量%であり、更に好ましくは1〜40質量%である。
An acid generator can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
The content of the photoacid generator is preferably 0.1 to 50% by mass, more preferably 0.5 to 45% by mass, and still more preferably 1 based on the total solid content of the composition. -40 mass%.
[4]酸の作用により分解して酸を発生する化合物
本発明の感活性光線性又は感放射線性組成物は、更に、酸の作用により分解して酸を発生する化合物(以下、酸増殖剤とも表記する)を1種又は2種以上含んでいてもよい。酸増殖剤が発生する酸は、スルホン酸、メチド酸又はイミド酸であることが好ましい。酸増殖剤の含有量としては、組成物の全固形分を基準として、0.1〜50質量%であることが好ましく、0.5〜30質量%であることがより好ましく、1.0〜20質量%であることが更に好ましい。
[4] Compound that decomposes by the action of an acid to generate an acid The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition of the present invention further comprises a compound that decomposes by the action of an acid to generate an acid (hereinafter referred to as an acid proliferating agent). 1 type or 2 types or more). The acid generated by the acid proliferating agent is preferably sulfonic acid, methide acid or imide acid. The content of the acid proliferating agent is preferably 0.1 to 50% by mass, more preferably 0.5 to 30% by mass, based on the total solid content of the composition, and 1.0 to More preferably, it is 20 mass%.
酸増殖剤と酸発生剤との量比(組成物中の全固形分を基準にした酸増殖剤の固形分量/組成物中の全固形分を基準にした酸発生剤の固形分量)としては、特に制限されないが、0.01〜50が好ましく、0.1〜20がより好ましく、0.2〜1.0が特に好ましい。 As a quantitative ratio between the acid proliferator and the acid generator (solid content of the acid proliferator based on the total solid content in the composition / solid content of the acid generator based on the total solid content in the composition) Although not particularly limited, 0.01 to 50 is preferable, 0.1 to 20 is more preferable, and 0.2 to 1.0 is particularly preferable.
以下に本発明に用いることができる化合物の例を示すが、これらに限定されるものではない。
[5]溶剤
本発明の組成物を調製する際に使用できる溶剤としては、各成分を溶解するものである限り特に限定されないが、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA;別名1−メトキシ−2−アセトキシプロパン)など)、アルキレングリコールモノアルキルエーテル(プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME;1−メトキシ−2−プロパノール)など)、乳酸アルキルエステル(乳酸エチル、乳酸メチルなど)、環状ラクトン(γ−ブチロラクトンなど、好ましくは炭素数4〜10)、鎖状又は環状のケトン(2−ヘプタノン、シクロヘキサノンなど、好ましくは炭素数4〜10)、アルキレンカーボネート(エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなど)、カルボン酸アルキル(酢酸ブチルなどの酢酸アルキルが好ましい)、アルコキシ酢酸アルキル(エトキシプロピオン酸エチル)などが挙げられる。その他使用可能な溶媒として、例えば、米国特許出願公開第2008/0248425A1号明細書の[0244]以降に記載されている溶剤などが挙げられる。
[5] Solvent The solvent that can be used in preparing the composition of the present invention is not particularly limited as long as it dissolves each component. For example, alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate (propylene glycol monomethyl ether acetate ( PGMEA; also known as 1-methoxy-2-acetoxypropane), alkylene glycol monoalkyl ether (propylene glycol monomethyl ether (PGME; 1-methoxy-2-propanol), etc.), lactate alkyl ester (ethyl lactate, methyl lactate, etc.) A cyclic lactone (γ-butyrolactone, preferably 4 to 10 carbon atoms), a chain or cyclic ketone (2-heptanone, cyclohexanone, etc., preferably 4 to 10 carbon atoms), an alkylene carbonate (ethylene carbonate). Over DOO, propylene carbonate), alkyl acetate such as carboxylic acid alkyl (butyl acetate is preferred), and the like alkoxy alkyl acetates (ethyl ethoxypropionate). Other usable solvents include, for example, the solvents described in US Patent Application Publication No. 2008 / 0248425A1 after [0244].
上記のうち、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート及びアルキレングリコールモノアルキルエーテルが好ましい。 Of the above, alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate and alkylene glycol monoalkyl ether are preferred.
これら溶媒は、単独で用いても2種以上を混合して用いてもよい。2種以上を混合する場合、水酸基を有する溶剤と水酸基を有しない溶剤とを混合することが好ましい。水酸基を有する溶剤と水酸基を有しない溶剤との質量比は、1/99〜99/1、好ましくは10/90〜90/10、更に好ましくは20/80〜60/40である。 These solvents may be used alone or in combination of two or more. When mixing 2 or more types, it is preferable to mix the solvent which has a hydroxyl group, and the solvent which does not have a hydroxyl group. The mass ratio of the solvent having a hydroxyl group and the solvent having no hydroxyl group is from 1/99 to 99/1, preferably from 10/90 to 90/10, and more preferably from 20/80 to 60/40.
水酸基を有する溶剤としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテルが好ましく、水酸基を有しない溶剤としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートが好ましい。 The solvent having a hydroxyl group is preferably an alkylene glycol monoalkyl ether, and the solvent having no hydroxyl group is preferably an alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate.
[6]塩基性化合物
本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、塩基性化合物を更に含んでいてもよい。塩基性化合物は、好ましくは、フェノールと比較して塩基性がより強い化合物である。また、この塩基性化合物は、有機塩基性化合物であることが好ましく、含窒素塩基性化合物であることが更に好ましい。
[6] Basic compound The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to the present invention may further contain a basic compound. The basic compound is preferably a compound having a stronger basicity than phenol. Moreover, this basic compound is preferably an organic basic compound, and more preferably a nitrogen-containing basic compound.
使用可能な含窒素塩基性化合物は特に限定されないが、例えば、以下の(1)〜(7)に分類される化合物を用いることができる。 Although the nitrogen-containing basic compound which can be used is not specifically limited, For example, the compound classified into the following (1)-(7) can be used.
(1)一般式(BS−1)により表される化合物
一般式(BS−1)中、
Rは、各々独立に、水素原子又は有機基を表す。但し、3つのRのうち少なくとも1つは有機基である。この有機基は、直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、単環若しくは多環のシクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基である。
In general formula (BS-1),
Each R independently represents a hydrogen atom or an organic group. However, at least one of the three Rs is an organic group. This organic group is a linear or branched alkyl group, a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group, an aryl group, or an aralkyl group.
Rとしてのアルキル基の炭素数は、特に限定されないが、通常1〜20であり、好ましくは1〜12である。 Although carbon number of the alkyl group as R is not specifically limited, Usually, it is 1-20, Preferably it is 1-12.
Rとしてのシクロアルキル基の炭素数は、特に限定されないが、通常3〜20であり、好ましくは5〜15である。 Although carbon number of the cycloalkyl group as R is not specifically limited, Usually, it is 3-20, Preferably it is 5-15.
Rとしてのアリール基の炭素数は、特に限定されないが、通常6〜20であり、好ましくは6〜10である。具体的には、フェニル基及びナフチル基等が挙げられる。 Although carbon number of the aryl group as R is not specifically limited, Usually, it is 6-20, Preferably it is 6-10. Specific examples include a phenyl group and a naphthyl group.
Rとしてのアラルキル基の炭素数は、特に限定されないが、通常7〜20であり、好ましくは7〜11である。具体的には、ベンジル基等が挙げられる。 Although carbon number of the aralkyl group as R is not specifically limited, Usually, it is 7-20, Preferably it is 7-11. Specific examples include a benzyl group.
Rとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、水素原子が置換基により置換されていてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基及びアルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。 In the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group as R, a hydrogen atom may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, a hydroxy group, a carboxy group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkylcarbonyloxy group, and an alkyloxycarbonyl group.
なお、一般式(BS−1)により表される化合物では、Rのうち少なくとも2つが有機基であることが好ましい。 In the compound represented by the general formula (BS-1), it is preferable that at least two of R are organic groups.
一般式(BS−1)により表される化合物の具体例としては、トリ−n−ブチルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、トリ−n−オクチルアミン、トリ−n−デシルアミン、トリイソデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、ジデシルアミン、メチルオクタデシルアミン、ジメチルウンデシルアミン、N,N−ジメチルドデシルアミン、メチルジオクタデシルアミン、N,N−ジブチルアニリン、N,N−ジヘキシルアニリン、2,6−ジイソプロピルアニリン、及び2,4,6−トリ(t−ブチル)アニリンが挙げられる。 Specific examples of the compound represented by the general formula (BS-1) include tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-octylamine, tri-n-decylamine, triisodecylamine, dicyclohexyl. Methylamine, tetradecylamine, pentadecylamine, hexadecylamine, octadecylamine, didecylamine, methyloctadecylamine, dimethylundecylamine, N, N-dimethyldodecylamine, methyldioctadecylamine, N, N-dibutylaniline, N , N-dihexylaniline, 2,6-diisopropylaniline, and 2,4,6-tri (t-butyl) aniline.
また、一般式(BS−1)により表される好ましい塩基性化合物として、少なくとも1つのRがヒドロキシ基で置換されたアルキル基であるものが挙げられる。具体的には、例えば、トリエタノールアミン及びN,N−ジヒドロキシエチルアニリンが挙げられる。 Moreover, as a preferable basic compound represented by the general formula (BS-1), a compound in which at least one R is an alkyl group substituted with a hydroxy group can be given. Specific examples include triethanolamine and N, N-dihydroxyethylaniline.
なお、Rとしてのアルキル基は、アルキル鎖中に酸素原子を有していてもよい。即ち、オキシアルキレン鎖が形成されていてもよい。オキシアルキレン鎖としては、−CH2CH2O−が好ましい。具体的には、例えば、トリス(メトキシエトキシエチル)アミン、及び、US6040112号明細書のカラム3の60行目以降に例示されている化合物が挙げられる。 In addition, the alkyl group as R may have an oxygen atom in the alkyl chain. That is, an oxyalkylene chain may be formed. As the oxyalkylene chain, —CH 2 CH 2 O— is preferable. Specifically, for example, tris (methoxyethoxyethyl) amine and compounds exemplified in the 60th and subsequent lines of column 3 of US6040112 can be mentioned.
一般式(BS−1)で表される塩基性化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。
(2)含窒素複素環構造を有する化合物
この含窒素複素環は、芳香族性を有していてもよく、芳香族性を有していなくてもよい。また、窒素原子を複数有していてもよい。更に、窒素以外のヘテロ原子を含有していてもよい。具体的には、例えば、イミダゾール構造を有する化合物(2−フェニルベンゾイミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾールなど)、ピペリジン構造を有する化合物〔N−ヒドロキシエチルピペリジン及びビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)セバケートなど〕、ピリジン構造を有する化合物(4−ジメチルアミノピリジンなど)、並びにアンチピリン構造を有する化合物(アンチピリン及びヒドロキシアンチピリンなど)が挙げられる。
(2) Compound having nitrogen-containing heterocyclic structure This nitrogen-containing heterocyclic ring may have aromaticity or may not have aromaticity. Moreover, you may have two or more nitrogen atoms. Furthermore, you may contain hetero atoms other than nitrogen. Specifically, for example, compounds having an imidazole structure (2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, etc.), compounds having a piperidine structure [N-hydroxyethylpiperidine and bis (1,2,2) , 6,6-pentamethyl-4-piperidyl) sebacate], compounds having a pyridine structure (such as 4-dimethylaminopyridine), and compounds having an antipyrine structure (such as antipyrine and hydroxyantipyrine).
また、環構造を2つ以上有する化合物も好適に用いられる。具体的には、例えば、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ−5−エン及び1,8−ジアザビシクロ〔5.4.0〕−ウンデカ−7−エンが挙げられる。 A compound having two or more ring structures is also preferably used. Specific examples include 1,5-diazabicyclo [4.3.0] non-5-ene and 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -undec-7-ene.
(3)フェノキシ基を有するアミン化合物
フェノキシ基を有するアミン化合物とは、アミン化合物が含んでいるアルキル基のN原子と反対側の末端にフェノキシ基を備えた化合物である。フェノキシ基は、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、カルボン酸エステル基、スルホン酸エステル基、アリール基、アラルキル基、アシロキシ基及びアリールオキシ基等の置換基を有していてもよい。
(3) Amine compound having a phenoxy group An amine compound having a phenoxy group is a compound having a phenoxy group at the terminal opposite to the N atom of the alkyl group contained in the amine compound. The phenoxy group is, for example, a substituent such as an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a carboxy group, a carboxylic acid ester group, a sulfonic acid ester group, an aryl group, an aralkyl group, an acyloxy group, and an aryloxy group. You may have.
この化合物は、より好ましくは、フェノキシ基と窒素原子との間に、少なくとも1つのオキシアルキレン鎖を有している。1分子中のオキシアルキレン鎖の数は、好ましくは3〜9個、更に好ましくは4〜6個である。オキシアルキレン鎖の中でも−CH2CH2O−が特に好ましい。 This compound more preferably has at least one oxyalkylene chain between the phenoxy group and the nitrogen atom. The number of oxyalkylene chains in one molecule is preferably 3-9, more preferably 4-6. Among the oxyalkylene chains, —CH 2 CH 2 O— is particularly preferable.
具体例としては、2−[2−{2―(2,2―ジメトキシ−フェノキシエトキシ)エチル}−ビス−(2−メトキシエチル)]−アミン、及び、US2007/0224539A1号明細書の段落[0066]に例示されている化合物(C1−1)〜(C3−3)が挙げられる。 Specific examples include 2- [2- {2- (2,2-dimethoxy-phenoxyethoxy) ethyl} -bis- (2-methoxyethyl)]-amine, and paragraph [0066] of US2007 / 0224539A1. ] Compounds (C1-1) to (C3-3) exemplified in the above.
フェノキシ基を有するアミン化合物は、例えば、フェノキシ基を有する1級又は2級アミンとハロアルキルエーテルとを加熱して反応させ、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及びテトラアルキルアンモニウム等の強塩基の水溶液を添加した後、酢酸エチル及びクロロホルム等の有機溶剤で抽出することにより得られる。また、フェノキシ基を有するアミン化合物は、1級又は2級アミンと、末端にフェノキシ基を有するハロアルキルエーテルとを加熱して反応させ、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及びテトラアルキルアンモニウム等の強塩基の水溶液を添加した後、酢酸エチル及びクロロホルム等の有機溶剤で抽出することによって得ることもできる。 The amine compound having a phenoxy group is prepared by reacting, for example, a primary or secondary amine having a phenoxy group with a haloalkyl ether, and adding an aqueous solution of a strong base such as sodium hydroxide, potassium hydroxide or tetraalkylammonium. And then extracted with an organic solvent such as ethyl acetate and chloroform. In addition, the amine compound having a phenoxy group reacts by heating a primary or secondary amine and a haloalkyl ether having a phenoxy group at the terminal, and a strong base such as sodium hydroxide, potassium hydroxide or tetraalkylammonium. It can also be obtained by adding an aqueous solution and then extracting with an organic solvent such as ethyl acetate and chloroform.
(4)アンモニウム塩
塩基性化合物として、アンモニウム塩も適宜用いることができる。アンモニウム塩のアニオンとしては、例えば、ハライド、スルホネート、ボレート及びフォスフェートが挙げられる。これらのうち、ハライド及びスルホネートが特に好ましい。
(4) Ammonium salt As the basic compound, an ammonium salt can also be used as appropriate. Examples of the anion of the ammonium salt include halides, sulfonates, borates, and phosphates. Of these, halides and sulfonates are particularly preferred.
ハライドとしては、クロライド、ブロマイド及びアイオダイドが特に好ましい。
スルホネートとしては、炭素数1〜20の有機スルホネートが特に好ましい。有機スルホネートとしては、例えば、炭素数1〜20のアルキルスルホネート及びアリールスルホネートが挙げられる。
As the halide, chloride, bromide and iodide are particularly preferable.
As the sulfonate, an organic sulfonate having 1 to 20 carbon atoms is particularly preferable. Examples of the organic sulfonate include alkyl sulfonates having 1 to 20 carbon atoms and aryl sulfonates.
アルキルスルホネートに含まれるアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、アルコキシ基、アシル基及びアリール基が挙げられる。アルキルスルホネートとして、具体的には、メタンスルホネート、エタンスルホネート、ブタンスルホネート、ヘキサンスルホネート、オクタンスルホネート、ベンジルスルホネート、トリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート及びノナフルオロブタンスルホネートが挙げられる。 The alkyl group contained in the alkyl sulfonate may have a substituent. Examples of the substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an alkoxy group, an acyl group, and an aryl group. Specific examples of the alkyl sulfonate include methane sulfonate, ethane sulfonate, butane sulfonate, hexane sulfonate, octane sulfonate, benzyl sulfonate, trifluoromethane sulfonate, pentafluoroethane sulfonate, and nonafluorobutane sulfonate.
アリールスルホネートに含まれるアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基及びアントリル基が挙げられる。これらアリール基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、炭素数1〜6の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基及び炭素数3〜6のシクロアルキル基が好ましい。具体的には、例えば、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、i−ブチル、t−ブチル、n−ヘキシル及びシクロヘキシル基が好ましい。他の置換基としては、炭素数1〜6のアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ、ニトロ、アシル基及びアシロキシ基が挙げられる。 Examples of the aryl group contained in the aryl sulfonate include a phenyl group, a naphthyl group, and an anthryl group. These aryl groups may have a substituent. As this substituent, a C1-C6 linear or branched alkyl group and a C3-C6 cycloalkyl group are preferable, for example. Specifically, for example, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, i-butyl, t-butyl, n-hexyl and cyclohexyl groups are preferable. Examples of the other substituent include an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a halogen atom, cyano, nitro, an acyl group, and an acyloxy group.
このアンモニウム塩は、ヒドロキシド又はカルボキシレートであってもよい。この場合、このアンモニウム塩は、炭素数1〜8のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド(テトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びテトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−(n−ブチル)アンモニウムヒドロキシド等のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドであることが特に好ましい。 The ammonium salt may be hydroxide or carboxylate. In this case, the ammonium salt is a tetraalkylammonium hydroxide having 1 to 8 carbon atoms (tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra- (n-butyl) ammonium hydroxide, etc.). It is particularly preferred.
好ましい塩基性化合物としては、例えば、グアニジン、アミノピリジン、アミノアルキルピリジン、アミノピロリジン、インダゾール、イミダゾール、ピラゾール、ピラジン、ピリミジン、プリン、イミダゾリン、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルフォリン及びアミノアルキルモルフォリンが挙げられる。これらは、置換基を更に有していてもよい。 Preferred basic compounds include, for example, guanidine, aminopyridine, aminoalkylpyridine, aminopyrrolidine, indazole, imidazole, pyrazole, pyrazine, pyrimidine, purine, imidazoline, pyrazoline, piperazine, aminomorpholine and aminoalkylmorpholine. . These may further have a substituent.
好ましい置換基としては、例えば、アミノ基、アミノアルキル基、アルキルアミノ基、アミノアリール基、アリールアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、水酸基及びシアノ基が挙げられる。 Preferred substituents include, for example, amino group, aminoalkyl group, alkylamino group, aminoaryl group, arylamino group, alkyl group, alkoxy group, acyl group, acyloxy group, aryl group, aryloxy group, nitro group, hydroxyl group And a cyano group.
特に好ましい塩基性化合物としては、例えば、グアニジン、1,1−ジメチルグアニジン、1,1,3,3,−テトラメチルグアニジン、イミダゾール、2−メチルイミダゾール、4−メチルイミダゾール、N−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、4,5−ジフェニルイミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾール、2−アミノピリジン、3−アミノピリジン、4−アミノピリジン、2−ジメチルアミノピリジン、4−ジメチルアミノピリジン、2−ジエチルアミノピリジン、2−(アミノメチル)ピリジン、2−アミノ−3−メチルピリジン、2−アミノ−4−メチルピリジン、2−アミノ5−メチルピリジン、2−アミノ−6−メチルピリジン、3−アミノエチルピリジン、4−アミノエチルピリジン、3−アミノピロリジン、ピペラジン、N−(2−アミノエチル)ピペラジン、N−(2−アミノエチル)ピペリジン、4−アミノ−2,2,6,6テトラメチルピペリジン、4−ピペリジノピペリジン、2−イミノピペリジン、1−(2−アミノエチル)ピロリジン、ピラゾール、3−アミノ−5−メチルピラゾール、5−アミノ−3−メチル−1−p−トリルピラゾール、ピラジン、2−(アミノメチル)−5メチルピラジン、ピリミジン、2,4−ジアミノピリミジン、4,6−ジヒドロキシピリミジン、2−ピラゾリン、3−ピラゾリン、N−アミノモルフォリン及びN−(2−アミノエチル)モルフォリンが挙げられる。 Particularly preferable basic compounds include, for example, guanidine, 1,1-dimethylguanidine, 1,1,3,3-tetramethylguanidine, imidazole, 2-methylimidazole, 4-methylimidazole, N-methylimidazole, 2 -Phenylimidazole, 4,5-diphenylimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, 2-aminopyridine, 3-aminopyridine, 4-aminopyridine, 2-dimethylaminopyridine, 4-dimethylaminopyridine, 2- Diethylaminopyridine, 2- (aminomethyl) pyridine, 2-amino-3-methylpyridine, 2-amino-4-methylpyridine, 2-amino-5-methylpyridine, 2-amino-6-methylpyridine, 3-aminoethyl Pyridine, 4-aminoethylpyridine, 3-amino Pyrrolidine, piperazine, N- (2-aminoethyl) piperazine, N- (2-aminoethyl) piperidine, 4-amino-2,2,6,6 tetramethylpiperidine, 4-piperidinopiperidine, 2-iminopiperidine 1- (2-aminoethyl) pyrrolidine, pyrazole, 3-amino-5-methylpyrazole, 5-amino-3-methyl-1-p-tolylpyrazole, pyrazine, 2- (aminomethyl) -5 methylpyrazine, Examples include pyrimidine, 2,4-diaminopyrimidine, 4,6-dihydroxypyrimidine, 2-pyrazoline, 3-pyrazoline, N-aminomorpholine and N- (2-aminoethyl) morpholine.
(5)プロトンアクセプター性官能基を有し、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する化合物(PA)
本発明に係る組成物は、塩基性化合物として、プロトンアクセプター性官能基を有し、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する化合物〔以下、化合物(PA)ともいう〕を更に含んでいてもよい。
(5) A compound having a proton acceptor functional group and generating a compound which is decomposed by irradiation with actinic rays or radiation to decrease or disappear the proton acceptor property or change from proton acceptor property to acidity ( PA)
The composition according to the present invention has a proton acceptor functional group as a basic compound, and is decomposed by irradiation with actinic rays or radiation, resulting in a decrease, disappearance, or a proton acceptor property. It may further contain a compound that generates a compound that has been changed to acidity (hereinafter also referred to as compound (PA)).
プロトンアクセプター性官能基とは、プロトンと静電的に相互作用し得る基或いは電子を有する官能基であって、例えば、環状ポリエーテル等のマクロサイクリック構造を有する官能基や、 π共役に寄与しない非共有電子対をもった窒素原子を有する官能基を意味
する。π共役に寄与しない非共有電子対を有する窒素原子とは、例えば、下記一般式に示す部分構造を有する窒素原子である。
プロトンアクセプター性官能基の好ましい部分構造として、例えば、クラウンエーテル、アザクラウンエーテル、1〜3級アミン、ピリジン、イミダゾール、ピラジン構造などを挙げることができる。 Examples of a preferable partial structure of the proton acceptor functional group include a crown ether, an azacrown ether, a primary to tertiary amine, a pyridine, an imidazole, and a pyrazine structure.
化合物(PA)は、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する。ここで、プロトンアクセプター性の低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性への変化とは、プロトンアクセプター性官能基にプロトンが付加することに起因するプロトンアクセプター性の変化であり、具体的には、プロトンアクセプター性官能基を有する化合物(PA)とプロトンからプロトン付加体が生成する時、その化学平衡に於ける平衡定数が減少することを意味する。 The compound (PA) is decomposed by irradiation with an actinic ray or radiation to generate a compound in which the proton acceptor property is lowered, disappeared, or changed from proton acceptor property to acidity. Here, the decrease or disappearance of the proton acceptor property or the change from the proton acceptor property to the acid is a change in the proton acceptor property caused by the addition of a proton to the proton acceptor functional group. Specifically, when a proton adduct is formed from a compound having a proton acceptor functional group (PA) and a proton, the equilibrium constant in the chemical equilibrium is reduced.
以下、化合物(PA)の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
また、本発明においては、一般式(PA−1)で表される化合物を発生する化合物以外の化合物(PA)も適宜選択可能である。例えば、イオン性化合物であって、カチオン部にプロトンアクセプター部位を有する化合物を用いてもよい。より具体的には、下記一般式(7)で表される化合物などが挙げられる。
式中、Aは硫黄原子又はヨウ素原子を表す。 In the formula, A represents a sulfur atom or an iodine atom.
mは1又は2を表し、nは1又は2を表す。但し、Aが硫黄原子の時、m+n=3、Aがヨウ素原子の時、m+n=2である。 m represents 1 or 2, and n represents 1 or 2. However, when A is a sulfur atom, m + n = 3, and when A is an iodine atom, m + n = 2.
Rは、アリール基を表す。 R represents an aryl group.
RNは、プロトンアクセプター性官能基で置換されたアリール基を表す。 R N represents an aryl group substituted with a proton acceptor functional group.
X−は、対アニオンを表す。 X − represents a counter anion.
X−の具体例としては、上述した一般式(ZI)におけるX−と同様のものが挙げられる。 Specific examples of X − include the same as X− in the general formula (ZI) described above.
R及びRNのアリール基の具体例としては、フェニル基が好ましく挙げられる。 Specific examples of the aryl group of R and R N is a phenyl group are preferably exemplified.
RNが有するプロトンアクセプター性官能基の具体例としては、前述の式(PA−1)で説明したプロトンアクセプター性官能基と同様である。 Specific examples of the proton acceptor functional group possessed by RN are the same as the proton acceptor functional group described in the above formula (PA-1).
本発明の組成物において、化合物(PA)の組成物全体中の配合率は、全固形分中0.1〜10質量%が好ましく、より好ましくは1〜8質量%である。 In the composition of the present invention, the compounding ratio of the compound (PA) in the whole composition is preferably 0.1 to 10% by mass, more preferably 1 to 8% by mass in the total solid content.
(6)グアニジン化合物
本発明の組成物は、下式で表される構造を有するグアニジン化合物を更に含有していてもよい。
グアニジン化合物は3つの窒素によって共役酸のプラスの電荷が分散安定化されるた
め、強い塩基性を示す。
The guanidine compound exhibits strong basicity because the positive charge of the conjugate acid is dispersed and stabilized by three nitrogens.
本発明のグアニジン化合物(A)の塩基性としては、共役酸のpKaが6.0以上であることが好ましく、7.0〜20.0であることが酸との中和反応性が高く、ラフネス特性に優れるため好ましく、8.0〜16.0であることがより好ましい。 The basicity of the guanidine compound (A) of the present invention is preferably such that the pKa of the conjugate acid is 6.0 or more, and 7.0 to 20.0 is highly neutralizing reactivity with the acid, Since it is excellent in a roughness characteristic, it is preferable and it is more preferable that it is 8.0-16.0.
このような強い塩基性のため、酸の拡散性を抑制し、優れたパターン形状の形成に寄与することができる。 Due to such strong basicity, it is possible to suppress acid diffusibility and contribute to the formation of an excellent pattern shape.
なお、ここで「pKa」とは、水溶液中でのpKaのことを表し、例えば、化学便覧(II)(改訂4版、1993年、日本化学会編、丸善株式会社)に記載のものであり、この値が低いほど酸強度が大きいことを示している。水溶液中でのpKaは、具体的には、無限希釈水溶液を用い、25℃での酸解離定数を測定することにより実測することができ、また、下記ソフトウェアパッケージ1を用いて、ハメットの置換基定数及び公知文献値のデータベースに基づいた値を、計算により求めることもできる。本明細書中に記載したpKaの値は、全て、このソフトウェアパッケージを用いて計算により求めた値を示している。 Here, “pKa” means pKa in an aqueous solution, and is described in, for example, Chemical Handbook (II) (4th revised edition, 1993, edited by The Chemical Society of Japan, Maruzen Co., Ltd.). The lower the value, the higher the acid strength. Specifically, pKa in an aqueous solution can be actually measured by measuring an acid dissociation constant at 25 ° C. using an infinitely diluted aqueous solution, and using the software package 1 below, A value based on a database of constants and known literature values can also be obtained by calculation. The values of pKa described in this specification all indicate values obtained by calculation using this software package.
ソフトウェアパッケージ1:AdvancedChemistryDevelopment(ACD/Labs)SoftwareV8.14forSolaris(1994−2007ACD/Labs)。 Software package 1: Advanced Chemistry Development (ACD / Labs) Software V8.14 for Solaris (1994-2007 ACD / Labs).
本発明において、logPとは、n−オクタノール/水分配係数(P)の対数値であり、広範囲の化合物に対し、その親水性/疎水性を特徴づけることのできる有効なパラメータである。一般的には実験によらず計算によって分配係数は求められ、本発明においては、CSChemDrawUltraVer.8.0softwarepackage(Crippen’sfragmentationmethod)により計算された値を示す。 In the present invention, log P is a logarithmic value of n-octanol / water partition coefficient (P), and is an effective parameter that can characterize the hydrophilicity / hydrophobicity of a wide range of compounds. In general, the distribution coefficient is obtained by calculation without experimentation. In the present invention, CSChemDrawUltraVer. The value calculated by 8.0 software package (Crippen's fragmentation method) is shown.
また、グアニジン化合物(A)のlogPが10以下であることが好ましい。上記値以下であることによりレジスト膜中に均一に含有させることができる。 Moreover, it is preferable that logP of a guanidine compound (A) is 10 or less. By being below the above value, it can be contained uniformly in the resist film.
本発明におけるグアニジン化合物(A)のlogPは2〜10の範囲であることが好ましく、3〜8の範囲であることがより好ましく、4〜8の範囲であることが更に好ましい。 The log P of the guanidine compound (A) in the present invention is preferably in the range of 2 to 10, more preferably in the range of 3 to 8, still more preferably in the range of 4 to 8.
また、本発明におけるグアニジン化合物(A)はグアニジン構造以外に窒素原子を有さないことが好ましい。 Moreover, it is preferable that the guanidine compound (A) in this invention does not have a nitrogen atom other than a guanidine structure.
以下、グアニジン化合物の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
(7) 窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物
本発明の組成物は、窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物(以下において、「低分子化合物(D)」又は「化合物(D)」ともいう)を含有することができる。低分子化合物(D)は、酸の作用により脱離する基が脱離した後は、塩基性を有することが好ましい。
(7) Low molecular weight compound having a nitrogen atom and having a group capable of leaving by the action of an acid The composition of the present invention comprises a low molecular weight compound having a nitrogen atom and having a group capable of leaving by the action of an acid (hereinafter referred to as “low molecular weight compound”). In this case, it is possible to contain “low molecular compound (D)” or “compound (D)”. The low molecular compound (D) preferably has basicity after the group capable of leaving by the action of an acid is eliminated.
酸の作用により脱離する基としては特に限定されないが、アセタール基、カルボネート基、カルバメート基、3級エステル基、3級水酸基、ヘミアミナールエーテル基が好ましく、カルバメート基、ヘミアミナールエーテル基であることが特に好ましい。 The group capable of leaving by the action of an acid is not particularly limited, but is preferably an acetal group, a carbonate group, a carbamate group, a tertiary ester group, a tertiary hydroxyl group, or a hemiaminal ether group, and a carbamate group or a hemiaminal ether group. It is particularly preferred.
酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物(D)の分子量は、100〜1000が好ましく、100〜700がより好ましく、100〜500が特に好ましい。 The molecular weight of the low molecular weight compound (D) having a group capable of leaving by the action of an acid is preferably 100 to 1000, more preferably 100 to 700, and particularly preferably 100 to 500.
化合物(D)としては、酸の作用により脱離する基を窒素原子上に有するアミン誘導体が好ましい。 As the compound (D), an amine derivative having a group capable of leaving by the action of an acid on the nitrogen atom is preferable.
化合物(D)は、窒素原子上に保護基を有するカルバメート基を有しても良い。カルバメート基を構成する保護基としては、下記一般式(d−1)で表すことができる。
一般式(d−1)において、
R’は、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状又は分岐状アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルコキシアルキル基を表す。R’は相互に結合して環を形成していても良い。
In general formula (d-1),
R ′ each independently represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, or an alkoxyalkyl group. R ′ may be bonded to each other to form a ring.
R’として好ましくは、直鎖状、又は分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基である。より好ましくは、直鎖状、又は分岐状のアルキル基、シクロアルキル基である。 R ′ is preferably a linear or branched alkyl group, cycloalkyl group, or aryl group. More preferably, it is a linear or branched alkyl group or cycloalkyl group.
このような基の具体的な構造を以下に示す。
化合物(D)は、塩基性化合物と一般式(d−1)で表される構造を任意に組み合わせることで構成することも出来る。 The compound (D) can also be constituted by arbitrarily combining the basic compound and the structure represented by the general formula (d-1).
化合物(D)は、下記一般式(D)で表される構造を有するものであることが特に好ましい。 The compound (D) particularly preferably has a structure represented by the following general formula (D).
なお、化合物(D)は、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物であるかぎり、前記の塩基性化合物に相当するものであってもよい。
一般式(D)において、Raは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。また、n=2のとき、2つのRaは同じでも異なっていてもよく、2つのRaは相互に結合して、2価の複素環式炭化水素基(好ましくは炭素数20以下)若しくはその誘導体を形成していてもよい。 In the general formula (D), Ra represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group. When n = 2, the two Ras may be the same or different, and the two Ras are bonded to each other to form a divalent heterocyclic hydrocarbon group (preferably having 20 or less carbon atoms) or a derivative thereof. May be formed.
Rbは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシアルキル基を示す。但し、−C(Rb)(Rb)(Rb)において、1つ以上のRbが水素原子のとき、残りのRbの少なくとも1つはシクロプロピル基、1−アルコキシアルキル基又はアリール基である。 Rb independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, or an alkoxyalkyl group. However, in -C (Rb) (Rb) (Rb), when one or more Rb is a hydrogen atom, at least one of the remaining Rb is a cyclopropyl group, a 1-alkoxyalkyl group or an aryl group.
少なくとも2つのRbが結合して脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成していてもよい。 At least two Rb may be bonded to form an alicyclic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, a heterocyclic hydrocarbon group or a derivative thereof.
nは0〜2の整数を表し、mは1〜3の整数を表し、n+m=3である。 n represents an integer of 0 to 2, m represents an integer of 1 to 3, and n + m = 3.
一般式(D)において、Ra及びRbが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基は、ヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい。Rbが示すアルコキシアルキル基についても同様である。 In general formula (D), the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, and aralkyl group represented by Ra and Rb are functional groups such as hydroxyl group, cyano group, amino group, pyrrolidino group, piperidino group, morpholino group, and oxo group. , An alkoxy group and a halogen atom may be substituted. The same applies to the alkoxyalkyl group represented by Rb.
前記Ra及び/又はRbのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基(これらのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、上記官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい)としては、
例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン等の直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、これらのアルカンに由来する基を、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、
シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ノルボルナン、アダマンタン、ノラダマンタン等のシクロアルカンに由来する基、これらのシクロアルカンに由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、
ベンゼン、ナフタレン、アントラセン等の芳香族化合物に由来する基、これらの芳香族化合物に由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、
ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、インドール、インドリン、キノリン、パーヒドロキノリン、インダゾール、ベンズイミダゾール等の複素環化合物に由来する基、これらの複素環化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルキル基或いは芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基、直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基・シクロアルカンに由来する基をフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等の芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基等或いは前記の置換基がヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基で置換された基等が挙げられる。
The alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, and aralkyl group of Ra and / or Rb (these alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, and aralkyl group are substituted with the above functional group, alkoxy group, or halogen atom). As may be)
For example, a group derived from a linear or branched alkane such as methane, ethane, propane, butane, pentane, hexane, heptane, octane, nonane, decane, undecane, dodecane, etc., a group derived from these alkanes, for example, A group substituted with one or more cycloalkyl groups such as a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group,
Groups derived from cycloalkanes such as cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, norbornane, adamantane, noradamantane, groups derived from these cycloalkanes, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, a group substituted with one or more linear or branched alkyl groups such as i-propyl group, n-butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group and the like,
Groups derived from aromatic compounds such as benzene, naphthalene, anthracene, etc., and groups derived from these aromatic compounds are, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, 2 A group substituted with one or more linear or branched alkyl groups such as -methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group, and the like;
Groups derived from heterocyclic compounds such as pyrrolidine, piperidine, morpholine, tetrahydrofuran, tetrahydropyran, indole, indoline, quinoline, perhydroquinoline, indazole, benzimidazole, and groups derived from these heterocyclic compounds are linear or branched A group substituted with one or more groups derived from an alkyl group or aromatic compound, a group derived from a linear or branched alkane, a group derived from a cycloalkane, a phenyl group, a naphthyl group , A group substituted with one or more groups derived from an aromatic compound such as anthracenyl group or the like, or the above substituent is a hydroxyl group, cyano group, amino group, pyrrolidino group, piperidino group, morpholino group, oxo And a group substituted with a functional group such as a group.
また、前記Raが相互に結合して、形成する2価の複素環式炭化水素基(好ましくは炭素数1〜20)若しくはその誘導体としては、例えば、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、1,4,5,6−テトラヒドロピリミジン、1,2,3,4−テトラヒドロキノリン、1,2,3,6−テトラヒドロピリジン、ホモピペラジン、4−アザベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、5−アザベンゾトリアゾール、1H−1,2,3−トリアゾール、1,4,7−トリアザシクロノナン、テトラゾール、7−アザインドール、インダゾール、ベンズイミダゾール、イミダゾ[1,2−a]ピリジン、(1S,4S)−(+)−2,5−ジアザビシクロ[2.2.1]ヘプタン、1,5,7−トリアザビシクロ[4.4.0]デック−5−エン、インドール、インドリン、1,2,3,4−テトラヒドロキノキサリン、パーヒドロキノリン、1,5,9−トリアザシクロドデカン等の複素環式化合物に由来する基、これらの複素環式化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、シクロアルカンに由来する基、芳香族化合物に由来する基、複素環化合物に由来する基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基の1種以上或いは1個以上で置換した基等が挙げられる。 Examples of the divalent heterocyclic hydrocarbon group (preferably having 1 to 20 carbon atoms) or a derivative thereof formed by bonding of Ra to each other include, for example, pyrrolidine, piperidine, morpholine, 1, 4, 5 , 6-tetrahydropyrimidine, 1,2,3,4-tetrahydroquinoline, 1,2,3,6-tetrahydropyridine, homopiperazine, 4-azabenzimidazole, benzotriazole, 5-azabenzotriazole, 1H-1, 2,3-triazole, 1,4,7-triazacyclononane, tetrazole, 7-azaindole, indazole, benzimidazole, imidazo [1,2-a] pyridine, (1S, 4S)-(+)-2 , 5-diazabicyclo [2.2.1] heptane, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] dec-5-ene Groups derived from heterocyclic compounds such as indole, indoline, 1,2,3,4-tetrahydroquinoxaline, perhydroquinoline, 1,5,9-triazacyclododecane, groups derived from these heterocyclic compounds A group derived from a linear or branched alkane, a group derived from a cycloalkane, a group derived from an aromatic compound, a group derived from a heterocyclic compound, a hydroxyl group, a cyano group, an amino group, a pyrrolidino group, a piperidino And groups substituted with one or more functional groups such as a group, a morpholino group and an oxo group.
本発明における特に好ましい化合物(D)を具体的に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。
一般式(D)で表される化合物は、特開2007−298569号公報、特開2009−199021号公報などに基づき合成することができる。 The compound represented by the general formula (D) can be synthesized based on JP2007-298869A, JP2009-199021A, and the like.
本発明において、低分子化合物(D)は、一種単独でも又は2種以上を混合しても使用することができる。 In the present invention, the low molecular compound (D) can be used singly or in combination of two or more.
本発明の組成物は、低分子化合物(D)を含有してもしなくてもよいが、含有する場合、化合物(D)の含有量は、上述した塩基性化合物と合わせた組成物の全固形分を基準として、通常、0.001〜20質量%、好ましくは0.001〜10質量%、より好ましくは0.01〜5質量%である。 The composition of the present invention may or may not contain the low molecular compound (D), but when it is contained, the content of the compound (D) is the total solid of the composition combined with the basic compound described above. Based on the minutes, it is usually 0.001 to 20% by mass, preferably 0.001 to 10% by mass, and more preferably 0.01 to 5% by mass.
また、本発明の組成物が酸発生剤を含有する場合、酸発生剤と化合物(D)の組成物中の使用割合は、酸発生剤/[化合物(D)+下記塩基性化合物](モル比)=2.5〜300であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのレジストパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。酸発生剤/[化合物(D)+上記塩基性化合物](モル比)は、より好ましくは5.0〜200、更に好ましくは7.0〜150である。 When the composition of the present invention contains an acid generator, the ratio of the acid generator and the compound (D) used in the composition is: acid generator / [compound (D) + the following basic compound] (mole Ratio) = 2.5 to 300. In other words, the molar ratio is preferably 2.5 or more from the viewpoint of sensitivity and resolution, and is preferably 300 or less from the viewpoint of suppressing the reduction in resolution due to the thickening of the resist pattern over time until post-exposure heat treatment. The acid generator / [compound (D) + basic compound] (molar ratio) is more preferably 5.0 to 200, and still more preferably 7.0 to 150.
その他、本発明に係る組成物に使用可能なものとして、特開2002−363146号公報の実施例で合成されている化合物、及び特開2007−298569号公報の段落0108に記載の化合物等が挙げられる。 Other examples that can be used in the composition according to the present invention include compounds synthesized in Examples of JP-A No. 2002-363146, and compounds described in paragraph 0108 of JP-A No. 2007-298869. It is done.
塩基性化合物として、感光性の塩基性化合物を用いてもよい。感光性の塩基性化合物としては、例えば、特表2003−524799号公報、及び、J.Photopolym.Sci&Tech.Vol.8,P.543−553(1995)等に記載の化合物を用いることができる。 A photosensitive basic compound may be used as the basic compound. As the photosensitive basic compound, for example, JP-T-2003-524799 and J. Org. Photopolym. Sci & Tech. Vol. 8, P.I. 543-553 (1995) etc. can be used.
塩基性化合物の分子量は、通常は100〜1500であり、好ましくは150〜1300であり、より好ましくは200〜1000である。 The molecular weight of the basic compound is usually 100-1500, preferably 150-1300, and more preferably 200-1000.
これらの塩基性化合物は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。 These basic compounds may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.
本発明に係る組成物が塩基性化合物を含んでいる場合、その含有量は、組成物の全固形分を基準として、0.01〜8.0質量%であることが好ましく、0.1〜5.0質量%であることがより好ましく、0.2〜4.0質量%であることが特に好ましい。 When the composition according to the present invention contains a basic compound, the content is preferably 0.01 to 8.0% by mass based on the total solid content of the composition, More preferably, it is 5.0 mass%, and it is especially preferable that it is 0.2-4.0 mass%.
塩基性化合物の光酸発生剤に対するモル比は、好ましくは0.01〜10とし、より好ましくは0.05〜5とし、更に好ましくは0.1〜3とする。このモル比を過度に大きくすると、感度及び/又は解像度が低下する場合がある。このモル比を過度に小さくすると、露光と加熱(ポストベーク)との間において、パターンの細りを生ずる可能性がある。より好ましくは0.05〜5、更に好ましくは0.1〜3である。なお、上記モル比における光酸発生剤とは、上記樹脂の繰り返し単位(B)と上記樹脂が更に含んでいてもよい光酸発生剤との合計の量を基準とするものである。 The molar ratio of the basic compound to the photoacid generator is preferably 0.01 to 10, more preferably 0.05 to 5, and still more preferably 0.1 to 3. If this molar ratio is excessively increased, sensitivity and / or resolution may be reduced. If this molar ratio is excessively small, there is a possibility that pattern thinning occurs between exposure and heating (post-bake). More preferably, it is 0.05-5, More preferably, it is 0.1-3. The photoacid generator at the molar ratio is based on the total amount of the repeating unit (B) of the resin and the photoacid generator that the resin may further contain.
[7]界面活性剤
本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、界面活性剤を更に含んでいてもよい。この界面活性剤としては、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤が特に好ましい。
[7] Surfactant The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to the present invention may further contain a surfactant. As this surfactant, fluorine-based and / or silicon-based surfactants are particularly preferable.
フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤としては、例えば、大日本インキ化学工業(株)製のメガファックF176及びメガファックR08、OMNOVA社製のPF656及びPF6320、トロイケミカル(株)製のトロイゾルS−366、住友スリーエム(株)製のフロラードFC430、並びに、信越化学工業(株)製のポリシロキサンポリマーKP−341が挙げられる。 Examples of the fluorine-based and / or silicon-based surfactant include Megafac F176 and Megafac R08 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, PF656 and PF6320 manufactured by OMNOVA, and Troisol S manufactured by Troy Chemical Co., Ltd. -366, Fluorard FC430 manufactured by Sumitomo 3M Limited, and polysiloxane polymer KP-341 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
フッ素系及び/又はシリコン系以外の界面活性剤を使用してもよい。この界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類及びポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類等のノニオン系界面活性剤が挙げられる。 Surfactants other than fluorine and / or silicon may be used. Examples of the surfactant include nonionic surfactants such as polyoxyethylene alkyl ethers and polyoxyethylene alkyl aryl ethers.
その他、公知の界面活性剤を適宜使用することができる。使用可能な界面活性剤としては、例えば、米国特許2008/0248425A1号明細書の[0273]以降に記載の界面活性剤が挙げられる。 In addition, known surfactants can be used as appropriate. Examples of the surfactant that can be used include surfactants described in [0273] and after in US 2008 / 0248425A1.
界面活性剤は、1種類を単独で使用してもよいし、2種類以上を組み合わせて使用してもよい。
本発明に係る組成物が界面活性剤を更に含んでいる場合、その使用量は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは0.0001〜2質量%とし、より好ましくは0.001〜1質量%とする。
One type of surfactant may be used alone, or two or more types may be used in combination.
When the composition according to the present invention further contains a surfactant, the amount used is preferably 0.0001 to 2% by mass, more preferably 0.001 to 2, based on the total solid content of the composition. 1% by mass.
[8] その他の添加剤
本発明の組成物は、上記に説明した成分以外にも、カルボン酸、カルボン酸オニウム塩、Proceeding of SPIE, 2724,355 (1996)等に記載の分子量3000以下の溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、酸化防止剤などを適宜含有することができる。
[8] Other Additives In addition to the components described above, the composition of the present invention has a molecular weight of 3000 or less as described in carboxylic acids, carboxylic acid onium salts, Proceeding of SPIE, 2724, 355 (1996), etc. A blocking compound, a dye, a plasticizer, a photosensitizer, a light absorber, an antioxidant, and the like can be appropriately contained.
特にカルボン酸は、性能向上のために好適に用いられる。カルボン酸としては、安息香酸、ナフトエ酸などの、芳香族カルボン酸が好ましい。 In particular, carboxylic acid is preferably used for improving the performance. As the carboxylic acid, aromatic carboxylic acids such as benzoic acid and naphthoic acid are preferable.
カルボン酸の含有量は、組成物の全固形分濃度中、0.01〜10質量%が好ましく、より好ましくは0.01〜5質量%、更に好ましくは0.01〜3質量%である。 The content of the carboxylic acid is preferably 0.01 to 10% by mass, more preferably 0.01 to 5% by mass, and still more preferably 0.01 to 3% by mass in the total solid content concentration of the composition.
本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、解像力向上の観点から、膜厚10〜250nmで使用されることが好ましく、より好ましくは、膜厚20〜200nmで使用されることが好ましく、更に好ましくは30〜100nmで使用されることが好ましい。組成物中の固形分濃度を適切な範囲に設定して適度な粘度をもたせ、塗布性、製膜性を向上させることにより、このような膜厚とすることができる。 The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition in the present invention is preferably used at a thickness of 10 to 250 nm, more preferably at a thickness of 20 to 200 nm, from the viewpoint of improving resolution. More preferably, it is preferably used at 30 to 100 nm. Such a film thickness can be obtained by setting the solid content concentration in the composition to an appropriate range to give an appropriate viscosity and improving the coating property and film forming property.
本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の固形分濃度は、通常1.0〜10質量%であり、好ましくは、2.0〜5.7質量%、更に好ましくは2.0〜5.3質量%である。固形分濃度を前記範囲とすることで、レジスト溶液を基板上に均一に塗布することができ、更にはラインウィズスラフネスに優れたレジストパターンを形成することが可能になる。その理由は明らかではないが、恐らく、固形分濃度を10質量%以下、好ましくは5.7質量%以下とすることで、レジスト溶液中での素材、特には光酸発生剤の凝集が抑制され、その結果として、均一なレジスト膜が形成できたものと考えられる。 The solid content concentration of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition in the present invention is usually 1.0 to 10% by mass, preferably 2.0 to 5.7% by mass, and more preferably 2.0. It is -5.3 mass%. By setting the solid content concentration within the above range, it is possible to uniformly apply the resist solution on the substrate, and it is possible to form a resist pattern having excellent line width roughness. The reason for this is not clear, but perhaps the solid content concentration is 10% by mass or less, preferably 5.7% by mass or less, which suppresses aggregation of the material in the resist solution, particularly the photoacid generator. As a result, it is considered that a uniform resist film was formed.
固形分濃度とは、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の総重量に対する、溶剤を除く他のレジスト成分の重量の重量百分率である。 The solid content concentration is a weight percentage of the weight of other resist components excluding the solvent with respect to the total weight of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.
本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤、好ましくは前記混合溶剤に溶解し、フィルター濾過した後、所定の支持体(基板)上に塗布して用いる。フィルター濾過に用いるフィルターのポアサイズは0.1μm以下、より好ましくは0.05μm以下、更に好ましくは0.03μm以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。フィルター濾過においては、例えば特開2002−62667号公報のように、循環的な濾過を行ったり、複数種類のフィルターを直列又は並列に接続して濾過を行ったりしてもよい。また、組成物を複数回濾過してもよい。更に、フィルター濾過の前後で、組成物に対して脱気処理などを行ってもよい。 In the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention, the above components are dissolved in a predetermined organic solvent, preferably the mixed solvent, filtered, and then applied onto a predetermined support (substrate). Use. The pore size of the filter used for filter filtration is preferably 0.1 μm or less, more preferably 0.05 μm or less, and still more preferably 0.03 μm or less made of polytetrafluoroethylene, polyethylene, or nylon. In filter filtration, for example, as in JP-A-2002-62667, circulation filtration may be performed, or filtration may be performed by connecting a plurality of types of filters in series or in parallel. The composition may be filtered multiple times. Furthermore, you may perform a deaeration process etc. with respect to a composition before and behind filter filtration.
<パターン形成方法>
本発明は、上記した本発明の組成物を用いて形成された感活性光線性又は感放射線性膜に関する。また、本発明のパターン形成方法は、上記感活性光線性又は感放射線性膜を、露光、現像する工程を有している。
<Pattern formation method>
The present invention relates to an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film formed using the above-described composition of the present invention. Moreover, the pattern formation method of this invention has the process of exposing and developing the said actinic-light sensitive or radiation sensitive film | membrane.
本発明に係る組成物は、典型的には、以下のようにして用いられる。即ち、本発明に係る組成物は、典型的には、基板等の支持体上に塗布されて、膜を形成する。この膜の厚みは、0.02〜0.1μmが好ましい。基板上に塗布する方法としては、スピン塗布が好ましく、その回転数は1000〜3000rpmが好ましい。 The composition according to the present invention is typically used as follows. That is, the composition according to the present invention is typically applied on a support such as a substrate to form a film. The thickness of this film is preferably 0.02 to 0.1 μm. As a method of coating on the substrate, spin coating is preferable, and the rotation speed is preferably 1000 to 3000 rpm.
この組成物は、例えば、精密集積回路素子やインプリント用モールドなどの製造等に使用される基板(例:シリコン/二酸化シリコン被覆、窒化シリコン及びクロム蒸着された石英基板など)上に、スピナー及びコーター等を用いて塗布される。その後、これを乾燥させて、感活性光線性又は感放射線性の膜(以下、レジスト膜ともいう)を形成する。なお、公知の反射防止膜を予め塗設することもできる。 This composition can be applied to, for example, a spinner and a substrate on a substrate (eg, silicon / silicon dioxide coating, silicon nitride and chromium-deposited quartz substrate) used for manufacturing precision integrated circuit elements and imprint molds. It is applied using a coater or the like. Thereafter, this is dried to form an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film (hereinafter also referred to as a resist film). In addition, a known antireflection film can be applied in advance.
次いで、上記の感活性光線性又は感放射線性膜に活性光線又は放射線を照射し、好ましくはベーク(通常80〜150℃、より好ましくは90〜130℃)を行った後、現像する。ベークを行うことにより、更に良好なパターンを得ることが可能となる。 Next, the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film is irradiated with actinic rays or radiation, and preferably baked (usually 80 to 150 ° C., more preferably 90 to 130 ° C.), followed by development. By performing baking, a more favorable pattern can be obtained.
活性光線又は放射線としては、例えば、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、X線、及び電子線が挙げられる。これら活性光線又は放射線としては、例えば250nm以下、特には220nm以下の波長を有したものがより好ましい。このような活性光線又は放射線としては、例えば、KrFエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193nm)、F2エキシマレーザー(157nm)、X線、及び電子線が挙げられる。好ましい活性光線又は放射線としては、例えば、KrFエキシマーレーザー、電子線、X線及びEUV光が挙げられる。より好ましくは、電子線、X線及びEUV光である。 Examples of actinic rays or radiation include infrared light, visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, X-rays, and electron beams. As these actinic rays or radiation, for example, those having a wavelength of 250 nm or less, particularly 220 nm or less are more preferable. Examples of such actinic rays or radiation include KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm), F 2 excimer laser (157 nm), X-rays, and electron beams. Preferable actinic rays or radiations include, for example, KrF excimer laser, electron beam, X-ray and EUV light. More preferred are electron beam, X-ray and EUV light.
すなわち、本発明は、KrFエキシマーレーザー、電子線、X線又はEUV光用(より好ましくは電子線、X線又はEUV光用)感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物にも関する。 That is, the present invention also relates to an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition for KrF excimer laser, electron beam, X-ray or EUV light (more preferably for electron beam, X-ray or EUV light).
現像工程では、通常、アルカリ現像液を用いる。
アルカリ現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム及びアンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン及びn−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン及びジ−n−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン及びメチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン及びトリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びテトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、又は、ピロール及びピヘリジン等の環状アミン類を含んだアルカリ性水溶液が挙げられる。
In the development step, an alkali developer is usually used.
Examples of the alkaline developer include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate and aqueous ammonia, primary amines such as ethylamine and n-propylamine, diethylamine and Secondary amines such as di-n-butylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcohol amines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, and fourth amines such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide. Examples include alkaline aqueous solutions containing a quaternary ammonium salt or cyclic amines such as pyrrole and pihelidine.
アルカリ現像液には、適当量のアルコール類及び/又は界面活性剤を添加してもよい。
アルカリ現像液の濃度は、通常は0.1〜20質量%である。アルカリ現像液のpH
は、通常は10.0〜15.0である。
An appropriate amount of alcohols and / or surfactant may be added to the alkaline developer.
The concentration of the alkali developer is usually from 0.1 to 20% by mass. PH of alkaline developer
Is usually 10.0 to 15.0.
本発明の組成物は、塗布、製膜、露光した後に、有機溶剤を主成分とする現像液を用いて現像し、ネガ型パターンを得るプロセスにも用いることができる。このようなプロセスとしては例えば特開2010−217884号公報に記載されているプロセスを用いることができる。 The composition of the present invention can also be used in a process for obtaining a negative pattern by coating, film formation, and exposure, followed by development using a developer containing an organic solvent as a main component. As such a process, for example, a process described in JP 2010-217884 A can be used.
有機系現像液としては、エステル系溶剤(例えば、酢酸ブチル、酢酸エチルなど)、ケトン系溶剤(例えば、2−ヘプタノン、シクロヘキサノンなど)、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤及び炭化水素系溶剤を用いることができる。有機系現像液全体としての含水率は10質量%未満であることが好ましく、実質的に水分を含有しないことがより好ましい。 Organic solvents include polar solvents such as ester solvents (eg, butyl acetate, ethyl acetate, etc.), ketone solvents (eg, 2-heptanone, cyclohexanone, etc.), alcohol solvents, amide solvents, ether solvents, etc. In addition, hydrocarbon solvents can be used. The water content of the organic developer as a whole is preferably less than 10% by mass, and more preferably substantially free of moisture.
有機系現像液は塩基性化合物を有していてもよく、塩基性化合物として具体的には本発明の樹脂組成物が含みうる塩基性化合物として記載した化合物が挙げられる。有機溶剤現像とアルカリ現像を組み合わせた二重現像プロセスを行ってもよい。 The organic developer may have a basic compound, and specific examples of the basic compound include compounds described as basic compounds that can be included in the resin composition of the present invention. A double development process combining organic solvent development and alkali development may be performed.
なお、本発明に係る組成物を用いてインプリント用モールドを作製してもよく、その詳細については、例えば、特許第4109085号公報、特開2008−162101号公報、及び「ナノインプリントの基礎と技術開発・応用展開―ナノインプリントの基板技術と最新の技術展開―編集:平井義彦(フロンティア出版)」を参照されたい。 In addition, you may produce the mold for imprint using the composition which concerns on this invention, For the details, for example, the patent 4109085 gazette, Unexamined-Japanese-Patent No. 2008-162101, and "the foundation and technique of nanoimprint" See “Development and Application Development-Nanoimprint Substrate Technology and Latest Technology Development-Editing: Yoshihiko Hirai (Frontier Publishing)”.
以下、本発明の態様を実施例により更に詳細に説明するが、本発明の内容がこれにより限定されるものではない。
〔合成例1:樹脂(Aa−2)〕
[Synthesis Example 1: Resin (Aa-2)]
樹脂(Aa−2)を、下記のスキームに従って合成した。
0.54gの化合物(1)と、19.77gの化合物(2)と、0.69gの重合開始剤V−601(和光純薬工業(株)製)とを、92.09gのシクロヘキサノンに溶解させた。反応容器中に23.02gのシクロヘキサノンを入れ、窒素ガス雰囲気下、85℃の系中に4時間かけて滴下した。反応溶液を2時間に亘って加熱撹拌した後、これを室温まで放冷した。
Resin (Aa-2) was synthesized according to the following scheme.
0.54 g of compound (1), 19.77 g of compound (2), and 0.69 g of polymerization initiator V-601 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) are dissolved in 92.09 g of cyclohexanone. I let you. 23.02 g of cyclohexanone was placed in the reaction vessel and dropped into the system at 85 ° C. in a nitrogen gas atmosphere over 4 hours. The reaction solution was heated and stirred for 2 hours, and then allowed to cool to room temperature.
上記反応溶液を、1350gのヘプタン/酢酸エチル=8/2中に滴下し、ポリマーを沈殿させ、ろ過した。400gのヘプタン/酢酸エチル=8/2を用いて、ろ過した固体のかけ洗いを行なった。その後、洗浄後の固体を減圧乾燥に供して、9.55gの樹脂(樹脂(Aa−2))を得た。 The reaction solution was dropped into 1350 g of heptane / ethyl acetate = 8/2 to precipitate a polymer and filtered. The filtered solid was washed with 400 g of heptane / ethyl acetate = 8/2. Thereafter, the washed solid was subjected to vacuum drying to obtain 9.55 g of resin (resin (Aa-2)).
この樹脂(Aa−2)について、GPC(東ソー株式会社製;HLC−8120;Tsk gel Multipore HXL−M)を用い、溶媒としてTHFを使用して重量平均分子量及び分散度を測定した。また、NMR(ブルカー・バイオスピン株式会社製;AVANCEIII400型)を用い、1H−NMR又は13C−NMRで組成比を算出した。その結果を表1に示す。 For this resin (Aa-2), GPC (manufactured by Tosoh Corporation; HLC-8120; Tsk gel Multipore HXL-M) was used, and the weight average molecular weight and the degree of dispersion were measured using THF as a solvent. In addition, the composition ratio was calculated by 1 H-NMR or 13 C-NMR using NMR (manufactured by Bruker BioSpin Corporation; AVANCE III400 type). The results are shown in Table 1.
〔その他の樹脂(Aa)〕
先に挙げた樹脂(Aa−1)、(Aa−3)〜(Aa−36)を、合成例1で述べた方法と同様の方法で合成した。更に、比較用として、以下に示す樹脂(Aa´−1)及び(Aa´−2)を合成した。また、これら樹脂について、合成例1で述べた方法と同様の方法で重量平均分子量、分散度及び組成比を測定した。その結果を表1に示す。
Resins (Aa-1) and (Aa-3) to (Aa-36) listed above were synthesized by the same method as described in Synthesis Example 1. Furthermore, for comparison, the following resins (Aa′-1) and (Aa′-2) were synthesized. For these resins, the weight average molecular weight, the degree of dispersion, and the composition ratio were measured in the same manner as described in Synthesis Example 1. The results are shown in Table 1.
〔合成例2:樹脂(Ab−289)〕
46.50gの化合物(6)を263.5gのn−ヘキサンに溶解させ、87.19gのシクロヘキサノール、46.50gの無水硫酸マグネシウム、4.81gの10−カンファースルホン酸を加えて、室温で6時間攪拌した。10.49gのトリエチルアミンを加えて、10分間攪拌した後、ろ過して固体を取り除いた。400gの酢酸エチルを加えて、有機層を200gのイオン交換水で5回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去して、化合物(7)含有溶液を116.27g得た。 46.50 g of compound (6) was dissolved in 263.5 g of n-hexane, 87.19 g of cyclohexanol, 46.50 g of anhydrous magnesium sulfate, 4.81 g of 10-camphorsulfonic acid were added, and at room temperature. Stir for 6 hours. After adding 10.49 g of triethylamine and stirring for 10 minutes, the solid was removed by filtration. 400 g of ethyl acetate was added, and the organic layer was washed 5 times with 200 g of ion-exchanged water and then dried over anhydrous magnesium sulfate, and the solvent was distilled off to obtain 116.27 g of a compound (7) -containing solution.
化合物(7)含有溶液41.19gに、8.80gの塩化アセチルを加えて、室温で2時間攪拌して、化合物(8)含有溶液を49.99g得た。 8.41 g of acetyl chloride was added to 41.19 g of the compound (7) -containing solution, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours to obtain 49.99 g of a compound (8) -containing solution.
7.40gの化合物(9)を79.93gの脱水テトラヒドロフランに溶解させ、7.40gの無水硫酸マグネシウム、60.89gのトリエチルアミンを加えて、窒素雰囲気下で攪拌した。0℃に冷却し、49.99gの化合物(8)含有溶液を滴下し、室温で3時間攪拌した後、ろ過して固体を取り除いた。400gの酢酸エチルを加えて、有機層を200gのイオン交換水で5回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去した。カラムクロマトグラフィーで単離精製し、23.91gの化合物(10)を得た。 7.40 g of compound (9) was dissolved in 79.93 g of dehydrated tetrahydrofuran, 7.40 g of anhydrous magnesium sulfate and 60.89 g of triethylamine were added, and the mixture was stirred under a nitrogen atmosphere. The solution was cooled to 0 ° C., 49.99 g of the compound (8) -containing solution was added dropwise, stirred at room temperature for 3 hours, and filtered to remove the solid. 400 g of ethyl acetate was added, the organic layer was washed 5 times with 200 g of ion-exchanged water, dried over anhydrous magnesium sulfate, and the solvent was distilled off. It was isolated and purified by column chromatography to obtain 23.91 g of compound (10).
6.61gの化合物(11)(50.00質量%シクロヘキサノン溶液)と、6.31gの化合物(10)と、0.35gの重合開始剤V−601(和光純薬工業(株)製)とを、32.10gのシクロヘキサノンに溶解させた。反応容器中に19.07gのシクロヘキサノンを入れ、窒素ガス雰囲気下、85℃の系中に4時間かけて滴下した。反応溶液を2時間に亘って加熱撹拌した後、これを室温まで放冷した。 6.61 g of compound (11) (50.00 mass% cyclohexanone solution), 6.31 g of compound (10), 0.35 g of polymerization initiator V-601 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) Was dissolved in 32.10 g of cyclohexanone. 19.07 g of cyclohexanone was placed in the reaction vessel and dropped into the system at 85 ° C. in a nitrogen gas atmosphere over 4 hours. The reaction solution was heated and stirred for 2 hours, and then allowed to cool to room temperature.
上記反応溶液を、450gのヘプタン/酢酸エチル=9/1(質量比)中に滴下し、ポリマーを沈殿させ、ろ過した。200gのヘプタン/酢酸エチル=9/1(質量比)を用いて、ろ過した固体のかけ洗いを行なった。その後、洗浄後の固体を減圧乾燥に供して、4.90gの樹脂(Ab−289)を得た。 The reaction solution was dropped into 450 g of heptane / ethyl acetate = 9/1 (mass ratio) to precipitate a polymer, followed by filtration. The filtered solid was washed with 200 g of heptane / ethyl acetate = 9/1 (mass ratio). Thereafter, the washed solid was subjected to vacuum drying to obtain 4.90 g of a resin (Ab-289).
〔その他の樹脂(Ab)〕
先に挙げた樹脂(Ab−1)〜(Ab−312)の中から、表2に示す樹脂の各々を、合成例2で述べた方法と同様の方法で合成した。更に、比較用として、以下に示す樹脂(Ab’−1)を合成した。また、これら樹脂について、合成例1で述べた方法と同様の方法で重量平均分子量、分散度及び組成比を測定した。その結果を表2に示す。
From the resins (Ab-1) to (Ab-312) listed above, each of the resins shown in Table 2 was synthesized by the same method as described in Synthesis Example 2. Furthermore, the resin (Ab′-1) shown below was synthesized for comparison. For these resins, the weight average molecular weight, the degree of dispersion, and the composition ratio were measured in the same manner as described in Synthesis Example 1. The results are shown in Table 2.
〔光酸発生剤〕
光酸発生剤としては先に挙げた酸発生剤z1〜z143から適宜選択して用いた。
[Photoacid generator]
The photoacid generator was appropriately selected from the acid generators z1 to z143 listed above.
〔塩基性化合物〕
塩基性化合物としては、下記化合物(N−1)〜(N−10)の何れかを用いた。
As the basic compound, any of the following compounds (N-1) to (N-10) was used.
なお、上記化合物(N−7)は、上述した化合物(PA)に該当するものであり、特開2006−330098号公報の[0354]の記載に基づいて合成した。 In addition, the said compound (N-7) corresponds to the compound (PA) mentioned above, and was synthesize | combined based on the description of [0354] of Unexamined-Japanese-Patent No. 2006-330098.
〔界面活性剤〕
界面活性剤としては、下記W−1〜W−4を用いた。
W−1:メガファックR08(大日本インキ化学工業(株)製;フッ素及びシリコン系)
W−2:ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製;シリコン系)
W−3:トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製;フッ素系)
W−4:PF6320(OMNOVA社製;フッ素系)
<電子線(EB)露光>(実施例1A〜42A、比較例1A〜4A)
(1)感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の塗液調製及び塗設
下表に示した組成を有する固形分濃度3質量%の塗液組成物を0.1μm孔径のメンブレンフィルターで精密ろ過して、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物(レジスト組成物)溶液を得た。
[Surfactant]
The following W-1 to W-4 were used as the surfactant.
W-1: Megafuck R08 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd .; fluorine and silicon)
W-2: Polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd .; silicon-based)
W-3: Troisol S-366 (manufactured by Troy Chemical Co .; fluorine type)
W-4: PF6320 (manufactured by OMNOVA; fluorine-based)
<Electron Beam (EB) Exposure> (Examples 1A to 42A, Comparative Examples 1A to 4A)
(1) Preparation and application of coating solution of actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition A coating solution composition having a solid content concentration of 3% by mass having the composition shown in the table below is precisely filtered with a membrane filter having a pore size of 0.1 μm. Filtration gave an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition (resist composition) solution.
この感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を、予めヘキサメチルジシラザン(HMDS)処理を施した6インチSiウェハ上に東京エレクトロン製スピンコーターMark8を用いて塗布し、100℃、60秒間ホットプレート上で乾燥して、膜厚100nmのレジスト膜を得た。 This actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition is applied onto a 6-inch Si wafer that has been previously treated with hexamethyldisilazane (HMDS) using a spin coater Mark8 manufactured by Tokyo Electron, and heated at 100 ° C. for 60 seconds. It dried on the plate and obtained the resist film with a film thickness of 100 nm.
(2)EB露光及び現像
上記(1)で得られたレジスト膜が塗布されたウェハを、電子線描画装置((株)日立製作所製HL750、加速電圧50KeV)を用いて、パターン照射を行った。この際、1:1のラインアンドスペースが形成されるように描画を行った。電子線描画後、ホットプレート上で、100℃で90秒間加熱した後、2.38質量%のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液を用いて60秒間浸漬した後、30秒間、水でリンスした。その後、4000rpmの回転数で30秒間ウェハを回転させた後、95℃で60秒間加熱を行うことにより、線幅100nmの1:1ラインアンドスペースパターンのレジストパターンを得た。
(2) EB exposure and development The wafer coated with the resist film obtained in (1) above was subjected to pattern irradiation using an electron beam drawing apparatus (HL750 manufactured by Hitachi, Ltd., acceleration voltage 50 KeV). . At this time, drawing was performed so that a 1: 1 line and space was formed. After the electron beam drawing, the sample was heated on a hot plate at 100 ° C. for 90 seconds, immersed in an aqueous 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution for 60 seconds, and then rinsed with water for 30 seconds. . Thereafter, the wafer was rotated at a rotation speed of 4000 rpm for 30 seconds, and then heated at 95 ° C. for 60 seconds to obtain a 1: 1 line and space pattern resist pattern having a line width of 100 nm.
(3)レジストパターンの評価
(3−1)感度
線幅100nmのライン/スペース=1:1のパターンを解像する時の照射エネルギーを感度(Eop)とした。この値が小さいほど性能が良好であることを示す。
(3) Evaluation of resist pattern (3-1) Sensitivity Irradiation energy when resolving a line / space = 1: 1 pattern with a line width of 100 nm was defined as sensitivity (Eop). The smaller this value, the better the performance.
(3−2)パターン形状
上記感度を示す露光量における線幅100nmのライン:スペース=1:1のパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−4300)を用いて観察し、下記5段階評価を行った。
(3-2) Pattern shape The cross-sectional shape of the pattern having a line width of 100 nm at the exposure amount exhibiting the above sensitivity: space = 1: 1 is observed using a scanning electron microscope (S-4300, manufactured by Hitachi, Ltd.). Then, the following five-level evaluation was performed.
A:ブリッジなし
B:AとCの間
C:ややブリッジ
D:CとEの間
E:ブリッジ
(3−3)膜ベリ
下式により膜べりを評価した。膜ベリ率(%)が小さいほど、パターンの残膜が良好で、解像性が優れていることを意味する。
膜ベリ率(%)=(塗布膜厚100nm−パターン高さ)/塗布膜厚100nm×100
A:5.0%未満
B:5.0%以上10.0%未満
C:10.0%以上15.0%未満
D:15.0%以上20.0%未満
E:20.0%以上
(3−4)LER
上記100nmラインパターン(ライン:スペース=1:1)を、走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−9260)を用いて観察した。そして、その長さ方向50μmに含まれる等間隔の30点について、エッジがあるべき基準線と実際のエッジとの間の距離を測定した。そして、この距離の標準偏差を求め、3σを算出した。そして、この3σを「LER(nm)」とした。
A: No bridge B: Between A and C C: Somewhat bridge D: Between C and E E: Bridge (3-3) Membrane veri
The film slip was evaluated by the following formula. It means that the smaller the film verification rate (%), the better the remaining film of the pattern and the better the resolution.
Film verification rate (%) = (applied film thickness 100 nm−pattern height) / applied film thickness 100 nm × 100
A: Less than 5.0% B: 5.0% or more and less than 10.0% C: 10.0% or more and less than 15.0% D: 15.0% or more and less than 20.0% E: 20.0% or more (3-4) LER
The 100 nm line pattern (line: space = 1: 1) was observed using a scanning electron microscope (S-9260, manufactured by Hitachi, Ltd.). And the distance between the reference line which should have an edge and the actual edge was measured about 30 points | pieces equally spaced in the length direction 50 micrometers. And the standard deviation of this distance was calculated | required and 3 (sigma) was computed. This 3σ was defined as “LER (nm)”.
<極紫外線(EUV)露光>(実施例1B〜42B、比較例1B〜4B)
(1)感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の塗液調製及び塗設
下表に示した組成を有する固形分濃度1.5質量%の塗液組成物を0.05μm孔径のメンブレンフィルターで精密ろ過して、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物(レジスト組成物)溶液を得た。
<Extreme Ultraviolet (EUV) Exposure> (Examples 1B to 42B, Comparative Examples 1B to 4B)
(1) Preparation and application of actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition coating liquid composition having a composition shown in the table below and having a solid content concentration of 1.5% by mass, a membrane filter having a pore size of 0.05 μm Was subjected to microfiltration to obtain an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition (resist composition) solution.
この感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を、予めヘキサメチルジシラザン(HMDS)処理を施した6インチSiウェハ上に東京エレクトロン製スピンコーターMark8を用いて塗布し、100℃で60秒間ホットプレート上で乾燥して、膜厚50nmのレジスト膜を得た。 This actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition was applied onto a 6-inch Si wafer that had been previously treated with hexamethyldisilazane (HMDS) using a spin coater Mark8 manufactured by Tokyo Electron, and was hot at 100 ° C. for 60 seconds. It dried on the plate and obtained the resist film with a film thickness of 50 nm.
(2)EUV露光及び現像
上記(1)で得られたレジスト膜の塗布されたウェハを、EUV露光装置(Exitech社製 Micro Exposure Tool、NA0.3、Quadrupole、アウターシグマ0.68、インナーシグマ0.36)を用い、露光マスク(ライン/スペース=1/1)を使用して、パターン露光を行った。露光後、ホットプレート上で、100℃で90秒間加熱した後、2.38質量%のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液を用いて60秒間浸漬した後、30秒間、水でリンスした。その後、4000rpmの回転数で30秒間ウェハを回転させた後、95℃で60秒間ベークを行なうことにより、線幅50nmの1:1ラインアンドスペースパターンのレジストパターンを得た。
(2) EUV exposure and development The wafer coated with the resist film obtained in the above (1) is subjected to an EUV exposure apparatus (Micro Exposure Tool, NA 0.3, Quadrupole, outer sigma 0.68, inner sigma 0, manufactured by Exitech) .36) and pattern exposure was performed using an exposure mask (line / space = 1/1). After exposure, the substrate was heated on a hot plate at 100 ° C. for 90 seconds, immersed in an aqueous 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution for 60 seconds, and rinsed with water for 30 seconds. Thereafter, the wafer was rotated at 4000 rpm for 30 seconds and then baked at 95 ° C. for 60 seconds to obtain a 1: 1 line and space pattern resist pattern having a line width of 50 nm.
(3)レジストパターンの評価
(3−1)感度
線幅50nmのライン/スペース=1:1のパターンを解像する時の照射エネルギーを感度(Eop)とした。この値が小さいほど性能が良好であることを示す。
(3) Evaluation of resist pattern (3-1) Sensitivity Irradiation energy when resolving a line / space = 1: 1 pattern with a line width of 50 nm was defined as sensitivity (Eop). The smaller this value, the better the performance.
(3−2)パターン形状
上記感度を示す露光量における線幅50nmのライン:スペース=1:1のパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−4300)を用いて観察し、下記5段階評価を行った。
(3-2) Pattern shape The cross-sectional shape of the pattern having a line width of 50 nm at the exposure amount showing the above sensitivity: space = 1: 1 is observed using a scanning electron microscope (S-4300, manufactured by Hitachi, Ltd.). Then, the following five-level evaluation was performed.
A:ブリッジなし
B:AとCの間
C:ややブリッジ
D:CとEの間
E:ブリッジ
(3−3)膜ベリ
下式により膜べりを評価した。膜ベリ率(%)が小さいほど、パターンの残膜が良好で、解像性が優れていることを意味する。
膜ベリ率(%)=(塗布膜厚50nm−パターン高さ)/塗布膜厚50nm×100
A:5.0%未満
B:5.0%以上10.0%未満
C:10.0%以上15.0%未満
D:15.0%以上20.0%未満
E:20.0%以上
(3−4)LER
上記50nmラインパターン(ライン:スペース=1:1)を、走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−9260)を用いて観察した。そして、その長さ方向50μmに含まれる等間隔の30点について、エッジがあるべき基準線と実際のエッジとの間の距離を測定した。そして、この距離の標準偏差を求め、3σを算出した。そして、この3σを「LER(nm)」とした。
A: No bridge B: Between A and C C: Somewhat bridge D: Between C and E E: Bridge (3-3) Film verification Film slip was evaluated by the following equation. It means that the smaller the film verification rate (%), the better the remaining film of the pattern and the better the resolution.
Film verification rate (%) = (applied film thickness 50 nm−pattern height) / applied film thickness 50 nm × 100
A: Less than 5.0% B: 5.0% or more and less than 10.0% C: 10.0% or more and less than 15.0% D: 15.0% or more and less than 20.0% E: 20.0% or more (3-4) LER
The 50 nm line pattern (line: space = 1: 1) was observed using a scanning electron microscope (S-9260, manufactured by Hitachi, Ltd.). And the distance between the reference line which should have an edge and the actual edge was measured about 30 points | pieces equally spaced in the length direction 50 micrometers. And the standard deviation of this distance was calculated | required and 3 (sigma) was computed. This 3σ was defined as “LER (nm)”.
<現像欠陥>(実施例1C〜42C、比較例1C〜4C)
上記のように調製したポジ型レジスト液を東京エレクトロン製スピンコーターMark8を利用して、60nmの反射防止膜(ブリューワーサイセンス製DUV44)を塗布した基板上に均一に塗布し、130℃で60秒間加熱乾燥を行い、平均膜厚60nmのポジ型レジスト膜を形成した。このレジスト膜に対し、KrFエキシマレーザースキャナー(ASML製、PAS5500/850C波長248nm)を用いて、ウェハー全面を15mm角の面積でオープンフレームの露光部と未露光部を交互に露光するチェッカーフラッグ露光した(露光条件:NA=0.80、σ=0.89、20mJ)。照射後に110℃、60秒間ベークし、2.38質量%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液を用いて60秒間浸漬した後、30秒間、水でリンスして乾燥した。得られたパターンを下記の方法で評価した。
また、レジスト膜の膜厚がゼロとなる感度E0を測定した。
<Development defects> (Examples 1C to 42C, Comparative Examples 1C to 4C)
The positive resist solution prepared as described above was applied uniformly onto a substrate coated with a 60 nm antireflection film (DUV44 manufactured by Brewer Sciences) using a spin coater Mark8 manufactured by Tokyo Electron, and was applied at 130 ° C. for 60 seconds. Heat drying was performed to form a positive resist film having an average film thickness of 60 nm. Using a KrF excimer laser scanner (manufactured by ASML, PAS5500 / 850C wavelength 248 nm), this resist film was subjected to a checkered flag exposure in which the exposed area of the open frame and the unexposed area were alternately exposed with a 15 mm square area. (Exposure conditions: NA = 0.80, σ = 0.89, 20 mJ). After irradiation, it was baked at 110 ° C. for 60 seconds, immersed in an aqueous 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution for 60 seconds, rinsed with water for 30 seconds and dried. The obtained pattern was evaluated by the following method.
Further, the sensitivity E 0 at which the resist film thickness becomes zero was measured.
上記の実効感度E0において、マスクサイズ0.15μmのパターンをウエハ面内78箇所露光した。この得られたパターン付きウエハをケーエルエー・テンコール(株)製KLA−2360により現像欠陥数を測定した。この際の検査面積は計205cm2、ピクセルサイズ0.25μm、スレッシュホールド=30、検査光は可視光を用いた。得られた数値を検査面積で割った値を欠陥数(個/cm2)として評価した。値が1.0未満のものをA、1.0以上3.0未満のものをB、3.0以上5.0未満のものをC、5.0以上10.0未満のものをD、10.0以上のものをEとした。値が小さいほど良好な性能であることを示す。結果を表5に示した。
Claims (17)
(1)フッ素原子およびケイ素原子から選ばれる少なくとも1種と、芳香族基と、塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基とを有する樹脂成分(C)と、露光により酸を発生し且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分(A)(ただし前記樹脂成分(C)を除く。)と、を含有し、前記樹脂成分(C)中の前記芳香族基を有する構成単位の割合が20モル%以上であることを特徴とするEUV用またはEB用レジスト組成物であって、前記樹脂成分(C)が下記一般式(c1)で表される繰り返し単位を含有する樹脂であるEUV用またはEB用レジスト組成物。
(2)活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する繰り返し単位を有する酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
Zkaは、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基、ラクトン環基、又は電子求引性基を表す。Zkaが複数存在する場合、複数のZkaは同じでも異なっていてもよく、Zka同士が連結して環を形成してもよい。
nkaは0〜10の整数を表す。
Qは、式中の原子と共にラクトン環を形成するのに必要な原子群を表す。
一般式(KB−1)中、
Xkb1及びXkb2は、各々独立して電子求引性基を表す。
nkb及びnkb’は、各々独立して0又は1を表す。
Rkb1、Rkb2、Rkb3及びRkb4は、各々独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又は電子求引性基を表す。Rkb1、Rkb2及びXkb1の少なくとも2つが互いに連結して環を形成していてもよく、Rkb3、Rkb4及びXkb2の少なくとも2つが互いに連結して環を形成していてもよい。
R21、R22及びR23は、各々独立に、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。但し、R22はAr2と結合して環を形成していてもよく、その場合のR22は単結合又はアルキレン基を表す。
X2は、単結合、−COO−、又は−CONR30−を表し、R30は、水素原子又はアルキル基を表す。
L2は、単結合又はアルキレン基を表す。
Ar2は、(n+1)価の芳香環基を表し、R22と結合して環を形成する場合には(n+2)価の芳香環基を表す。
nは、1〜4の整数を表す。
Xは、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、カルボキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基を表す。
Tは、単結合又は2価の連結基を表す。
A2は、酸の作用により脱離する基であって、下記一般式(pI)、(pII)、(pIIII)、(pIV)及び(pV)のいずれかで示される基を表す。
R11は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基又はsec−ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
一般式(pII)中、
R12、R13及びR14は、各々独立に、炭素数1〜4個の直鎖もしくは分岐のアルキル基、又は脂環式炭化水素基を表す。但し、R12、R13及びR14のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。
一般式(pIII)中、
R15及びR16は、各々独立に、炭素数1〜4個の直鎖もしくは分岐のアルキル基、又は脂環式炭化水素基を表す。但し、R15及びR16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。
一般式(pIV)中、
R17、R18、R19、R20及びR21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の直鎖もしくは分岐のアルキル基、又は脂環式炭化水素基を表す。但し、R17、R18、R19、R20及びR21のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表し、且つ、R19及びR21のいずれかは炭素数1〜4個の直鎖もしくは分岐のアルキル基、又は脂環式炭化水素基を表す。
一般式(pV)中、
R22、R23、R24及びR25は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の直鎖もしくは分岐のアルキル基、又は脂環式炭化水素基を表す。但し、R22、R23、R24及びR25のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表し、また、R23とR24は、互いに結合して環を形成していてもよい。
R 201 、R 202 及びR 203 は、各々独立に、有機基を表す。
Z − は、下記一般式(AN1)で表されるアニオンを表す。
一般式(ZII)中、
R 204 及びR 205 は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Z − は、下記一般式(AN1)で表されるアニオンを表す。
Xfは、それぞれ独立に、フッ素原子、又は少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。
R 1 及びR 2 は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は、アルキル基を表し、複数存在する場合のR 1 、R 2 は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Lは、二価の連結基を表し、複数存在する場合のLは同一でも異なっていてもよい。
Aは、環状の有機基を表す。
xは1〜20の整数を表し、yは0〜10の整数を表し、zは0〜10の整数を表す。
(1) Resin component (C) having at least one selected from a fluorine atom and a silicon atom, an aromatic group, and a polar conversion group that is decomposed by the action of a base to increase polarity, and generates an acid upon exposure. And a resin component (A) whose solubility in a developer is changed by the action of an acid (excluding the resin component (C)), and the aromatic group in the resin component (C). The resist composition for EUV or EB, characterized in that the proportion of the structural unit is 20 mol% or more, wherein the resin component (C) contains a repeating unit represented by the following general formula (c1) Resist composition for EUV or EB which is resin to be used.
(2) An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition containing a resin whose solubility in a developer is changed by the action of an acid having a repeating unit that decomposes upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid .
Z ka represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an ether group, a hydroxyl group, an amide group, an aryl group, a lactone ring group, or an electron withdrawing group. If Z ka there are a plurality, the plurality of Z ka may be the same or different, may be connected to form a ring Z ka each other.
nka represents an integer of 0 to 10.
Q represents an atomic group necessary for forming a lactone ring together with atoms in the formula.
In general formula (KB-1),
X kb1 and X kb2 each independently represent an electron withdrawing group.
nkb and nkb ′ each independently represent 0 or 1.
R kb1 , R kb2 , R kb3 and R kb4 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or an electron withdrawing group. At least two of R kb1 , R kb2 and X kb1 may be connected to each other to form a ring, and at least two of R kb3 , R kb4 and X kb2 may be connected to each other to form a ring.
R 21 , R 22 and R 23 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group. However, R 22 may be bonded to Ar 2 to form a ring, in which case R 22 represents a single bond or an alkylene group.
X 2 represents a single bond, —COO—, or —CONR 30 —, and R 30 represents a hydrogen atom or an alkyl group.
L 2 represents a single bond or an alkylene group.
Ar 2 represents an (n + 1) -valent aromatic ring group, and represents an (n + 2) -valent aromatic ring group when bonded to R 22 to form a ring.
n represents an integer of 1 to 4.
X is hydrogen atom, alkyl group, hydroxyl group, alkoxy group, halogen atom, cyano group, nitro group, acyl group, acyloxy group, cycloalkyl group, cycloalkyloxy group, aryl group, carboxy group, alkyloxycarbonyl group, alkyl Represents a carbonyloxy group or an aralkyl group.
T represents a single bond or a divalent linking group.
A 2 is a group capable of leaving by the action of an acid, and represents a group represented by any one of the following general formulas (pI), (pII), (pIIII), (pIV) and (pV).
R 11 represents a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group or a sec-butyl group, and Z forms an alicyclic hydrocarbon group together with a carbon atom. Represents the necessary atomic group.
In general formula (pII):
R 12 , R 13 and R 14 each independently represents a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group. However, at least one of R 12 , R 13 and R 14 represents an alicyclic hydrocarbon group.
In general formula (pIII),
R 15 and R 16 each independently represents a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group. However, either R 15 or R 16 represents an alicyclic hydrocarbon group.
In general formula (pIV),
R 17 , R 18 , R 19 , R 20 and R 21 each independently represent a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an alicyclic hydrocarbon group. However, at least one of R 17 , R 18 , R 19 , R 20 and R 21 represents an alicyclic hydrocarbon group, and any of R 19 and R 21 is a straight chain having 1 to 4 carbon atoms. It represents a chain or branched alkyl group or an alicyclic hydrocarbon group.
In general formula (pV),
R 22 , R 23 , R 24 and R 25 each independently represent a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an alicyclic hydrocarbon group. However, at least one of R 22 , R 23 , R 24 and R 25 represents an alicyclic hydrocarbon group, and R 23 and R 24 may be bonded to each other to form a ring.
R 201 , R 202 and R 203 each independently represents an organic group.
Z − represents an anion represented by the following general formula (AN1).
In general formula (ZII),
R 204 and R 205 each independently represents an aryl group, an alkyl group, or a cycloalkyl group.
Z − represents an anion represented by the following general formula (AN1).
Xf each independently represents a fluorine atom or an alkyl group substituted with at least one fluorine atom.
R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, a fluorine atom, or an alkyl group, and when there are a plurality of R 1 and R 2 , R 1 and R 2 may be the same or different.
L represents a divalent linking group, and when there are a plurality of L, L may be the same or different.
A represents a cyclic organic group.
x represents an integer of 1 to 20, y represents an integer of 0 to 10, and z represents an integer of 0 to 10.
Rsは、鎖状若しくは環状アルキレン基を表し、複数個ある場合は、同じでも異なっていてもよい。
Lsは、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表し、複数ある場合は、同じでも異なっていてもよい。
nsは、−(Rs−Ls)−で表される連結基の繰り返し数を表し、0〜5の整数を表す。
Lkyはアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。
Zkaは、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基、ラクトン環基、又は電子求引性基を表す。Zkaが複数存在する場合、複数のZkaは同じでも異なっていてもよく、Zka同士が連結して環を形成してもよい。
nkaは、0〜10の整数を表す。
Rkb1及びRkb2は、各々独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又は電子求引性基を表し、Rkb1、Rkb2及びRky5の少なくとも2つが互いに連結して環を形成していてもよい。
nkbは、0又は1を表す。
Rky5は電子求引性基を表す。 The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to claim 1 or 2, wherein the repeating unit (c) of the resin (Aa) includes a structure represented by the following general formula (KY-3).
Rs represents a chain or cyclic alkylene group, and when there are a plurality of Rs, they may be the same or different.
Ls represents a single bond, an ether bond, an ester bond, an amide bond, a urethane bond or a urea bond, and when there are a plurality of Ls, they may be the same or different.
ns represents the number of repeating linking groups represented by-(Rs-Ls)-, and represents an integer of 0 to 5.
L ky represents an alkylene group, an oxygen atom or a sulfur atom.
Z ka represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an ether group, a hydroxyl group, an amide group, an aryl group, a lactone ring group, or an electron withdrawing group. If Z ka there are a plurality, the plurality of Z ka may be the same or different, may be connected to form a ring Z ka each other.
nka represents an integer of 0 to 10.
R kb1 and R kb2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or an electron withdrawing group, and at least two of R kb1 , R kb2, and R ky5 are connected to each other. A ring may be formed.
nkb represents 0 or 1.
R ky5 represents an electron withdrawing group.
Rbは、水素原子、アルキル基又はハロゲン原子を表す。
S1aは置換基を表し、複数存在する場合は各々独立である。
pは0〜5の整数を表す。 The actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of any one of Claims 1-4 in which resin (Aa) contains the repeating unit further represented by the following general formula (Aa4).
Rb represents a hydrogen atom, an alkyl group or a halogen atom.
S 1a represents a substituent, and when a plurality of S 1a are present, each is independent.
p represents an integer of 0 to 5.
R’は水素原子又はアルキル基を表す。
Lは単結合又は2価の連結基を表す。
R1は水素原子又は1価の置換基を表す。
R2は1価の置換基を表す。R1とR2とが互いに結合し、式中の酸素原子と共に環を形成してもよい。
R3は水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
一般式(Aa2)中、
Raは水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
L1は単結合又は2価の連結基を表す。
R1及びR2はそれぞれ独立にアルキル基を表す。
R11及びR12はそれぞれ独立にアルキル基を表し、R13は水素原子又はアルキル基を表す。R11、R12及びR13のいずれか2つは互いに連結して環を形成してもよい。 The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to claim 6, wherein the repeating unit having a group decomposable by the action of an acid is represented by the following general formula (Aa1) or (Aa2).
R ′ represents a hydrogen atom or an alkyl group.
L represents a single bond or a divalent linking group.
R 1 represents a hydrogen atom or a monovalent substituent.
R 2 represents a monovalent substituent. R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a ring together with the oxygen atom in the formula.
R 3 represents a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group.
In general formula (Aa2),
Ra represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group, or a halogen atom.
L 1 represents a single bond or a divalent linking group.
R 1 and R 2 each independently represents an alkyl group.
R 11 and R 12 each independently represents an alkyl group, and R 13 represents a hydrogen atom or an alkyl group. Any two of R 11 , R 12 and R 13 may be connected to each other to form a ring.
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