JP6100924B2 - 導電膜形成用組成物、導電膜、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイス、配線板 - Google Patents

Description

本発明は、導電膜形成用組成物ならびにこれを用いて形成された導電膜、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイスおよび配線板に関する。

軽量化、低コスト化、柔軟化が可能であることから、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイに用いられるＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、ＲＦＩＤ（ＲＦタグ）やメモリなどの論理回路を用いる装置等に、有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ）が利用されている。

通常、有機薄膜トランジスタは、基板とゲート絶縁膜と有機半導体層と３つの電極（ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極）とを備える。
ここで、基板や絶縁膜などに電極や配線などの導電膜を形成する方法としては、導電性粒子（例えば、銀粒子）の分散体を塗布し、焼結することによって導電膜を形成する方法が知られている。上記方法は、従来の高熱・真空プロセス（スパッタ）やめっき処理による形成方法に比べて、簡便・省エネルギー・省資源であることから次世代エレクトロニクス開発において大きな期待を集めている。

例えば、特許文献１には、導電性粉末と添加剤とを含有する導電性ペーストが開示され、回路基板の配線形成などに使用できる旨が記載されている。特に、添加剤としては、実施例において、ドデシルスルホン酸トリエタノールアミン塩などのスルホン酸および／またはその誘導体などが使用されている。
また、特許文献２においては、銅粉末と、熱硬化性樹脂と、ジメチルアルキルラウリルベタインなどの添加剤とを含む導電性ペーストが記載されている。

特開平５−２３０４００号公報 特開平４−３６９０３号公報

昨今、有機薄膜トランジスタの小型化や高性能化が進められるなか、有機薄膜トランジスタに対して、優れた移動度（特に、電界効果移動度）および安定性（特に、絶縁信頼性）が求められている。
このようななか、本発明者らは特許文献１および２を参考にして、それらに記載の組成物を用いて電極を形成し、有機薄膜トランジスタを作製し、移動度、および、電極間の絶縁信頼性を評価した。得られた有機薄膜トランジスタは、上記特性（移動度および絶縁信頼性）を昨今求められるレベルでは満たしておらず、さらなる改良が必要であることを知見した。

そこで、本発明は、上記実情を鑑みて、優れた絶縁信頼性および高い移動度を示す有機薄膜トランジスタを得られる、導電膜形成用組成物ならびにこれを用いて形成される導電膜、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイスおよび配線板を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、導電性粒子と特定の化合物とを含有する導電膜形成用組成物を用いて電極を形成することで、優れた絶縁信頼性および高い移動度を示す有機薄膜トランジスタが得られることを見出し、本発明に至った。すなわち、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。

（１） 導電性粒子（Ａ）と、
後述する一般式（Ｉ）で表される化合物、後述する一般式（ＩＩ）で表される化合物、および、後述する一般式（ＩＩＩ）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つの添加剤（Ｂ）と、を含有する、導電膜形成用組成物。
（２） 添加剤（Ｂ）が、後述する一般式（ＩＩＩ）で表される化合物であり、Ｙが−ＳＯ₃Ｈである、（１）に記載の導電膜形成用組成物。
（３） 添加剤（Ｂ）が、後述する一般式（Ｉ）で表される化合物であり、Ｃ^＋が後述する一般式（Ａ）〜（Ｂ）からなる群より選択されるカチオンを表す、（１）に記載の導電膜形成用組成物。
（４） 添加剤（Ｂ）が、後述する一般式（ＩＩ）で表される化合物である、（１）に記載の導電膜形成用組成物。
（５） 導電性粒子（Ａ）が、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、ＮｉおよびＴａからなる群より選択される金属の粒子である、（１）〜（４）のいずれかに記載の導電膜形成用組成物。
（６） 添加剤（Ｂ）の含有量が、導電膜形成用組成物全質量に対して、１．５〜７．０質量％である、（１）〜（５）のいずれかに記載の導電膜形成用組成物。
（７） （１）〜（６）のいずれかに記載の導電膜形成用組成物を用いて形成された導電膜。
（８） （１）〜（６）のいずれかに記載の導電膜形成用組成物を用いて形成された電極を備える、有機薄膜トランジスタ。
（９） （８）に記載の有機薄膜トランジスタを使用した、電子ペーパー。
（１０） （８）に記載の有機薄膜トランジスタを使用した、ディスプレイデバイス。
（１１） （１）〜（６）のいずれかに記載の導電膜形成用組成物を用いて形成された配線を備える、配線板。

以下に示すように、本発明によれば、優れた絶縁信頼性および高い移動度を示す有機薄膜トランジスタを得られる、導電膜形成用組成物ならびにこれを用いて形成される導電膜、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイスおよび配線板を提供することができる。

本発明の有機薄膜トランジスタの一態様の断面模式図である。 本発明の有機薄膜トランジスタの別の一態様の断面模式図である。

以下に、本発明の導電膜形成用組成物、および、これを用いた有機薄膜トランジスタなどについて説明する。
なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。

［導電膜形成用組成物］
本発明の導電膜形成用組成物（以下、本発明の組成物とも言う）は、導電性粒子（Ａ）と、添加剤（Ｂ）とを含有する。
本発明の組成物はこのような構成をとるため、所望の効果が得られるものと考えられる。

その理由は明らかではないが、およそ以下のとおりと推測される。
有機薄膜トランジスタの電極に電圧を印加すると、電界の作用により電極中の金属などの導電性物質がイオン化し、有機半導体層の中をイオンが移動（マイグレーション）することがある。このようなマイグレーションが生じると、ソース／ドレイン電極間の絶縁性が低下してしまう。すなわち、絶縁信頼性が低下する。
本発明の組成物を用いて電極（導電膜）を形成した場合、電極中には、金属などの導電性物質と、特定のカチオンおよびアニオンを含む添加剤（Ｂ）とが含有される（なお、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物においては、プロトン受け渡しにより、カチオンとアニオンが生じる）。そのため、上述のように電極中の金属などの導電性物質がイオン化したとしても、電極中の添加剤（Ｂ）がこれをトラップし、イオンマイグレーションが防止される。すなわち、添加剤（Ｂ）は優れたマイグレーション抑制剤（マイグレーション防止剤）として働く。結果として、本発明の組成物を用いて形成された電極を有する有機薄膜トランジスタは優れた絶縁信頼性を示すものと考えられる。なお、この作用は、特に、添加剤（Ｂ）の有する特定のアニオンおよびカチオンが金属などの導電性物質のイオンと極めて高い親和性を有することに起因することが考えられる。
また、添加剤（Ｂ）は電極中での安定性が高いため、隣接する有機半導体層などに遊離し難い。結果として、有機薄膜トランジスタの移動度への悪影響がほとんどなく、高い移動度を示すものと考えられる。なお、この作用は、特に、添加剤（Ｂ）がイオンをトラップした状態であっても、添加剤（Ｂ）の有する特定のカチオンやアニオンが遊離しにくい性質を有することに起因することが考えられる。
さらに、添加剤（Ｂ）は熱安定性に優れ、有機薄膜トランジスタの作製時の高温プロセスなどに対する耐性も有する。
以下、本発明の組成物に含有される各成分について詳述する。

＜導電性粒子（Ａ）＞
本発明の組成物に含有される導電性粒子（Ａ）は、粒子状の導電性物質であれば特に制限されないが、例えば、金属粒子であることが好ましい。
粒子状とは小さい粒状を指し、その具体例としては、球状、楕円体状などが挙げられる。完全な球や楕円体である必要は無く、一部が歪んでいてもよい。

上記導電性粒子（Ａ）は、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｎｉ（ニッケル）およびＴａ（タンタル）からなる群より選択される金属の粒子であることが好ましく、銀粒子または銅粒子であることがより好ましく、銀粒子であることがさらに好ましい。

上記導電性粒子（Ａ）は、導電性ナノ粒子であることが好ましい。
上記導電性粒子（Ａ）が銀ナノ粒子である場合、その調製方法は特に制限されないが、例えば、硝酸銀などの銀塩の水溶液に分散剤存在下、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンなどの還元剤の水溶液を滴下し、銀塩を還元剤で還元することにより調製することができる。

導電性粒子（Ａ）の平均粒子径は特に制限されないが、２００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましい。下限も特に制限されないが、５ｎｍ以上が好ましい。
なお、本発明における平均粒子径は、平均一次粒径のことを指す。平均粒子径は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察により、少なくとも５０個以上の導電性粒子の粒子径（直径）を測定し、それらを算術平均して求める。なお、観察図中、導電性粒子の形状が真円状でない場合、長径を直径として測定する。

本発明の組成物において、導電性粒子（Ａ）の含有量は特に制限されないが、組成物全質量に対して、５．０〜８０．０質量％であることが好ましく、１０．０〜６０．０質量％であることがより好ましい。

＜添加剤（Ｂ）＞
本発明の組成物は、後述する一般式（Ｉ）で表される化合物、後述する一般式（ＩＩ）で表される化合物、および、後述する一般式（ＩＩＩ）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つの添加剤（Ｂ）を含有する。上述したように、添加剤（Ｂ）は金属のイオンマイグレーションを抑制する。
以下、各化合物について詳述する。

（一般式（Ｉ）で表される化合物（スルホベタイン型両性イオン化合物））
一般式（Ｉ） Ｃ^＋−Ｌ−ＳＯ₃ ⁻
上記一般式（Ｉ）中、Ｃ^＋は、下記一般式（Ａ）〜（Ｄ）からなる群より選択されるカチオンを表す。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、一般式（Ａ）〜（Ｃ）からなる群より選択されるカチオンであることが好ましく、得られる有機薄膜トランジスタがより優れた絶縁信頼性を示す理由から、一般式（Ａ）または一般式（Ｂ）で表されるカチオンであることがより好ましい。

一般式（Ａ）中、Ｒ₁〜Ｒ₃は、それぞれ独立に、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基、または、芳香族炭化水素基を表す。なかでも、有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性がより優れる、および／または、移動度がより優れる点（以後、単に「本発明の効果がより優れる点」とも称する）で、Ｒ₁〜Ｒ₃のすべてが炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基であることが好ましい。
上記脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。上記脂肪族炭化水素基の炭素数は１〜５であり、本発明の効果がより優れる点で、１〜３がより好ましい。上記脂肪族炭化水素基の具体例としては、アルキル基、アルケニル基およびアルキニル基などが挙げられる。脂肪族炭化水素基は、本発明の効果を損なわない範囲で、置換基を有していてもよく、上記置換基としては、例えば、後述する置換基Ｑ（ただし、脂肪族炭化水素基は除く）が挙げられる。
上記芳香族炭化水素基の炭素数は特に制限されないが、６〜１８であることが好ましい。上記芳香族炭化水素基の具体例としては、アリール基（フェニル基、トリル基、キシリル基など）、ナフチル基などが挙げられる。芳香族炭化水素基は、本発明の効果を損なわない範囲で、置換基を有していてもよく、上記置換基としては、例えば、後述する置換基Ｑが挙げられる。
＊は、後述するＬとの結合位置を示す。

一般式（Ａ）中、Ｒ₁〜Ｒ₃は、それぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。すなわち、Ｒ₁〜Ｒ₃からなる群より選択される２以上の基は互いに結合して環構造を形成してもよい。なお、本明細書において、互いに結合して環構造を形成するとは、２以上の基が任意の位置で単結合、二重結合、三重結合または２価の連結基を介して結合し、環構造を形成することを表す。
上記２価の連結基は特に制限されないが、例えば、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＮＲ−（Ｒ：置換基（例えば、後述する置換基Ｑ））、−Ｏ−、−Ｓ−、またはこれらを組み合わせた基などが挙げられる。

一般式（Ｂ）中、Ｒ₄は、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基、−ＮＲ₁₉Ｒ₂₀、−Ｎ＝ＣＲ₂₁Ｒ₂₂、−ＣＲ₂₃＝ＮＲ₂₄、または、−ＣＲ_B1Ｒ_B2−ＮＲ_B3Ｒ_B4を表す。
炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基の具体例および好適な態様は、上述した上記Ｒ₁〜Ｒ₃で表される炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基と同じである。
上記Ｒ₁₉〜Ｒ₂₄およびＲ_B1〜Ｒ_B4は、それぞれ独立に、水素原子、または、炭化水素基を表す。
上記炭化水素基の種類は特に制限されないが、例えば、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた基などが挙げられる。
上記脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。上記脂肪族炭化水素基の炭素数は特に制限されないが、１〜１２であることが好ましい。上記脂肪族炭化水素基の具体例としては、アルキル基、アルケニル基およびアルキニル基などが挙げられる。
上記芳香族炭化水素基の炭素数は特に制限されないが、６〜１８であることが好ましい。上記芳香族炭化水素基の具体例としては、アリール基（フェニル基、トリル基、キシリル基など）、ナフチル基などが挙げられる。
Ｒ₁₉およびＲ₂₀は、互いに結合して環構造を形成してもよい。
なお、Ｒ₄で表される炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基、および、Ｒ₁₉〜Ｒ₂₄およびＲ_B1〜Ｒ_B4で表される炭化水素基は、置換基を有していてもよく、上記置換基としては、例えば、後述する置換基Ｑが挙げられる。

一般式（Ｂ）中、Ｒ₅は、水素原子、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、または、−ＮＲ₂₅Ｒ₂₆を表す。上記炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基の具体例および好適な態様は、上述した上記Ｒ₁〜Ｒ₃で表される炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基と同じである。
上記Ｒ₂₅およびＲ₂₆は、それぞれ独立に、水素原子、または、炭化水素基を表し、互いに結合して環構造を形成してもよい。上記炭化水素基の具体例および好適な態様は、上述したＲ₁₉〜Ｒ₂₄およびＲ_B1〜Ｒ_B4で表される炭化水素基と同じである。
なお、Ｒ₅で表される炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基、並びに、Ｒ₂₅およびＲ₂₆で表される炭化水素基は、置換基を有していてもよく、上記置換基としては、例えば、後述する置換基Ｑなどが挙げられる。

一般式（Ｂ）中、Ｒ₆は、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、−ＮＲ₂₇Ｒ₂₈、−Ｎ＝ＣＲ₂₉Ｒ₃₀、または、−ＣＲ₃₁＝ＮＲ₃₂を表す。上記炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基の具体例および好適な態様は、上述した上記Ｒ₁〜Ｒ₃で表される炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基と同じである。
上記Ｒ₂₇〜Ｒ₃₂は、それぞれ独立に、水素原子、または、炭化水素基を表す。上記炭化水素基の具体例および好適な態様は、上述したＲ₁₉〜Ｒ₂₄およびＲ_B1〜Ｒ_B4で表される炭化水素基と同じである。Ｒ₂₇およびＲ₂₈は、互いに結合して環構造を形成してもよい。
なお、Ｒ₆で表される炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基、並びに、Ｒ₂₇〜Ｒ₃₂で表される炭化水素基は、置換基を有していてもよく、上記置換基としては、例えば、後述する置換基Ｑなどが挙げられる。

ただし、一般式（Ｂ）中のＲ₅およびＲ₆の両方が同時にアルコキシ基、ヒドロキシ基、アルキルチオ基またはメルカプト基であることはない。
また、一般式（Ｂ）中のＲ₄、Ｒ₅およびＲ₆の全てが同時に上記−ＮＲ₁₉Ｒ₂₀、上記−ＮＲ₂₅Ｒ₂₆または上記−ＮＲ₂₇Ｒ₂₈であることはない。すなわち、例えば、Ｒ₄が上記−ＮＲ₁₉Ｒ₂₀であり、同時にＲ₅が上記−ＮＲ₂₅Ｒ₂₆であり、同時にＲ₆が上記−ＮＲ₂₇Ｒ₂₈であることはない。

一般式（Ｂ）中、Ｒ₄〜Ｒ₆は、それぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。すなわち、Ｒ₄〜Ｒ₆からなる群より選択される２以上の基は互いに結合して環構造を形成してもよい。
＊は、Ｌとの結合位置を示す。

Ｒ₄が環構造を形成する場合、環構造中のＲ₄に由来する２価の基は、下記一般式（ａ）〜（ｆ）からなる群より選択される基であることが好ましい。
Ｒ₅が環構造を形成する場合、環構造中のＲ₅に由来する２価の基は、下記一般式（ａ）〜（ｅ）、（ｇ）および（ｈ）からなる群より選択される２価の基であることが好ましい。
Ｒ₆が環構造を形成する場合、環構造中のＲ₆に由来する２価の基は、下記一般式（ａ）〜（ｈ）からなる群より選択される２価の基であることが好ましい。

ただし、「環構造中のＲ₅に由来する２価の基」および「環構造中のＲ₆に由来する２価の基」の両方が同時に下記一般式（ｇ）または（ｈ）で表される基であることはない。また、「環構造中のＲ₄に由来する２価の基」、「環構造中のＲ₅に由来する２価の基」および「環構造中のＲ₆に由来する２価の基」の全てが同時に下記一般式（ｅ）で表される基であることはない。

一般式（ａ）〜（ｆ）中、Ｒ₃₅〜Ｒ₄₈は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基としては、例えば、後述する置換基Ｑが挙げられる。
一般式（ａ）〜（ｈ）中、アスタリスク（星印）は結合位置を表し、２つのアスタリスクのうち一方のアスタリスクは一般式（Ｂ）における各基の結合位置を表し、他方のアスタリスクは環構造を形成するために互いに結合する際の結合位置を表す。例えば、一般式（Ｂ）中のＲ₄とＲ₆とが互いに結合して環構造を形成し、環構造中のＲ₄に由来する２価の基が一般式（ａ）で表される基であり、環構造中のＲ₆に由来する２価の基が一般式（ｂ）で表される基である場合、一般式（ａ）中の一方のアスタリスクは一般式（Ｂ）中のＮ⁺との結合位置を表し、一般式（ｂ）中の一方のアスタリスクは一般式（Ｂ）中の炭素原子（Ｒ₅とＲ₆とが結合する炭素原子）との結合位置を表し、一般式（ａ）中の他方のアスタリスクと一般式（ｂ）中の他方のアスタリスクとが結合する。

以下に一般式（Ｂ）で表されるカチオンの好適な態様を示す。ここで、Ｒ_sは、上述したＲ₅またはＲ₆で表される基（例えば、水素原子、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、−ＮＲ₂₇Ｒ₂₈、−Ｎ＝ＣＲ₂₉Ｒ₃₀、または、−ＣＲ₃₁＝ＮＲ₃₂）を表し、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子または置換基（例えば、後述する置換基Ｑ）を表す。

一般式（Ｃ）中、Ｒ₇〜Ｒ₉は、それぞれ独立に、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基、または、芳香族炭化水素基を表す。上記脂肪族炭化水素基または芳香族炭化水素基の具体例および好適な態様は、上述したＲ₁〜Ｒ₃で表される各基と同じである。
Ｒ₇〜Ｒ₉は、それぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。すなわち、Ｒ₇〜Ｒ₉からなる群より選択される２以上の基は互いに結合して環構造を形成してもよい。
＊は、Ｌとの結合位置を示す。

一般式（Ｄ）中、Ｒ₁₀およびＲ₁₁は、それぞれ独立に、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基、または、芳香族炭化水素基を表す。上記脂肪族炭化水素基または芳香族炭化水素基の具体例および好適な態様は、上述したＲ₁〜Ｒ₃で表される各基と同じである。
Ｒ₁₀およびＲ₁₁は、それぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。
＊は、Ｌとの結合位置を示す。

一般式（Ｉ）中、Ｌは、２価の連結基を表す。２価の連結基としては、例えば、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、２価の脂肪族炭化水素基（例えば、アルキレン基（好ましくは炭素数１〜６）、シクロアルキレン基（好ましくは炭素数３〜１０）、アルケニレン基（好ましくは炭素数２〜６））、２価の芳香族炭化水素基（例えば、フェニレン基）、または、これらの複数を組み合わせた２価の連結基などが挙げられる。

（一般式（ＩＩ）で表される化合物：ホスホベタイン型両性イオン化合物）

一般式（ＩＩ）中、Ｒ₅₁〜Ｒ₅₃は、それぞれ独立に、炭素数１〜５の直鎖または分岐のアルキル基またはアルケニル基を表す。
アルキル基は、直鎖状または分岐状であってもよい。アルキル基に含まれる炭素数の数は１〜５であるが、本発明の効果がより優れる点で、１〜３が好ましい。
アルケニル基は、直鎖状または分岐状であってもよい。アルケニル基に含まれる炭素数の数は１〜５であるが、本発明の効果がより優れる点で、１〜３が好ましい。

Ｒ₅₄は、水素原子またはアルキル基を表す。
アルキル基の炭素数は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１〜５が好ましく、１〜３がより好ましい。
Ａ₁は、炭素数１〜３のアルキレン基またはヒドロキシアルキレン基を表す。ヒドロキシアルキレン基は、ヒドロキシ基（−ＯＨ基）を有するアルキレン基を意図する。
アルキレン基およびヒドロキシアルキレン基中に含まれる炭素数は１〜３であり、１〜２が好ましい。Ａ₁としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシプロピレン基が挙げられる。

（一般式（ＩＩＩ）で表される化合物）
一般式（ＩＩＩ） Ｘ−Ｌ−Ｙ
一般式（ＩＩＩ）中、Ｘは塩基性基を表す。塩基性基の種類は特に制限されないが、例えば、（ａ）アミノ基（−ＮＨ₂）、（ｂ）置換アミノ基、（ｃ）置換基を有していてもよいアミジノ基、（ｄ）置換基を有していてもよいグアニジノ基、（ｅ）置換基を有していてもよいヒドラジノ基、（ｆ）置換基を有していてもよい含窒素複素環基などが挙げられる。

置換アミノ基（モノ−またはジ−置換アミノ基）としては、メチルアミノ、エチルアミノ、プロピルアミノ、イソプロピルアミノ、ブチルアミノ、イソブチルアミノ、tert−ブチルアミノ、ペンチルアミノ、ヘキシルアミノ、ヘプチルアミノ、オクチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ、ジペンチルアミノ、ジヘキシルアミノ、ジヘプチルアミノ、ジオクチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−エチルアミノ、シクロプロピルアミノ、シクロペンチルアミノ、シクロヘキシルアミノ、フェニルアミノ、ジフェニルアミノ、ジベンジルアミノ、Ｎ−フェニル−Ｎ−メチルアミノ、Ｎ−フェニル−Ｎ−エチルアミノ、Ｎ−ベンジル−Ｎ−メチルアミノ、Ｎ−ベンジル−Ｎ−エチルアミノ、Ｎ−ベンジル−Ｎ−シクロヘキシルアミノ、Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ−プロピルアミノ、Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ−（３−ヒドロキシプロピル）アミノ、Ｎ−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）−Ｎ−プロピルアミノ、Ｎ−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）−Ｎ−（３−ヒドロキシプロピル）アミノ、Ｎ−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）メチル−Ｎ−プロピルアミノ、Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ−アセチルアミノ、Ｎ−（３−メトキシプロピル）−Ｎ−プロピルアミノ、Ｎ−（２−カルボシキエチル）−Ｎ−プロピルアミノ、Ｎ−（２−エチルプロピル）−Ｎ−プロピルアミノ、Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ−（メチルスルホニル）アミノ、Ｎ−（テトラヒドロピラン−４−イル）−Ｎ−プロピルアミノ、Ｎ−（インダン−２−イル）−Ｎ−プロピルアミノなどが挙げられる。
置換アミノ基としては、以下一般式（Ｘ）で表される基が好ましい。

一般式（Ｘ）中、Ｒｘ₁およびＲｘ₂は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を有していてもよい脂肪族炭化水素基を表す。
脂肪族炭化水素基中の炭素数は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１〜５が好ましく、１〜３がより好ましい。脂肪族炭化水素中にはヘテロ原子（例えば、酸素原子、硫黄原子、窒素原子など）が含まれていてもよい。
Ｒｘ₁およびＲｘ₂は互いに結合して環を形成していてもよい。例えば、Ｒｘ₁とＲｘ₂とが結合して、酸素原子を有していてもよいアルケニル基が形成されてもよい。

置換基を有していてもよいグアニジノ基としては、例えば、メチルグアニジノ、エチルグアニジノ、プロピルグアニジノ、イソプロピルグアニジノ、ブチルグアニジノ、イソブチルグアニジノ、tert−ブチルグアニジノ、ペンチルグアニジノ、ヘキシルグアニジノ、ヘプチルグアニジノ、オクチルグアニジノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルグアニジノ、Ｎ，Ｎ'−ジメチルグアニジノ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'−トリメチルグアニジノ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ''−テトラメチルグアニジノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルグアニジノ、Ｎ，Ｎ'−ジエチルグアニジノ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'−トリエチルグアニジノ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ''−テトラエチルグアニジノ、Ｎ，Ｎ−ジプロピルグアニジノ、Ｎ，Ｎ'−ジプロピルグアニジノ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'−トリプロピルグアニジノ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ''−テトラプロピルグアニジノ、Ｎ，Ｎ−ジブチルグアニジノ、Ｎ，Ｎ'−ジブチルグアニジノ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'−トリブチルグアニジノ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ''−テトラブチルグアニジノ、Ｎ，Ｎ−ジペンチルグアニジノ、Ｎ，Ｎ'−ジペンチルグアニジノ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'−トリペンチルグアニジノ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ''−テトラペンチルグアニジノ、Ｎ，Ｎ−ジヘキシルグアニジノ、Ｎ，Ｎ'−ジヘキシルグアニジノ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'−トリヘキシルグアニジノ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'’−テトラヘキシルグアニジノ、Ｎ，Ｎ−ジヘプチルグアニジノ、Ｎ，Ｎ'−ジヘプチルグアニジノ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'−トリヘプチルグアニジノ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ''−テトラヘプチルグアニジノ、Ｎ，Ｎ−ジオクチルグアニジノ、Ｎ，Ｎ'−ジオクチルグアニジノ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'−トリオクチルグアニジノ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ''−テトラオクチルグアニジノ、Ｎ−メチル−Ｎ−エチルグアニジノ、Ｎ−メチル−Ｎ'−エチルグアニジノ、シクロプロピルグアニジノ、シクロペンチルグアニジノ、シクロヘキシルグアニジノ、フェニルグアニジノ、Ｎ，Ｎ−ジフェニルグアニジノ、Ｎ，Ｎ'−ジフェニルグアニジノ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'−トリフェニルグアニジノ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ''−テトラフェニルグアニジノ、Ｎ，Ｎ−ジベンジルグアニジノ、Ｎ，Ｎ'−ジベンジルグアニジノ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'−トリベンジルグアニジノ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ''−テトラベンジルグアニジノ、Ｎ−フェニル−Ｎ'−メチルグアニジノ、Ｎ−フェニル−Ｎ'−エチルグアニジノ、Ｎ−ベンジル−Ｎ−メチルグアニジノ、Ｎ−ベンジル−Ｎ−エチルグアニジノなどが挙げられる。
なお、置換基としては、後述する置換基Ｑが挙げられる。また、これら任意の置換基は置換可能な任意の位置に、１〜３個置換していてもよい。置換基の数が２以上の場合、それぞれの置換基は同一または異なっていてもよい。

置換基を有していてもよいヒドラジノ基としては、例えば、メチルヒドラジノ、エチルヒドラジノ、プロピルヒドラジノ、イソプロピルヒドラジノ、ブチルヒドラジノ、イソブチルヒドラジノ、tert−ブチルヒドラジノ、ペンチルヒドラジノ、ヘキシルヒドラジノ、ヘプチルヒドラジノ、オクチルヒドラジノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラジノ、Ｎ，Ｎ'−ジメチルヒドラジノ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'−トリメチルヒドラジノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドラジノ、Ｎ，Ｎ'−ジエチルヒドラジノ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'−トリエチルヒドラジノ、Ｎ，Ｎ−ジプロピルヒドラジノ、Ｎ，Ｎ'−ジプロピルヒドラジノ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'−トリプロピルヒドラジノ、Ｎ，Ｎ−ジブチルヒドラジノ、Ｎ，Ｎ'−ジブチルヒドラジノ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'−トリブチルヒドラジノ、Ｎ，Ｎ−ジペンチルヒドラジノ、Ｎ，Ｎ'−ジペンチルヒドラジノ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'−トリペンチルヒドラジノ、Ｎ，Ｎ−ジヘキシルヒドラジノ、Ｎ，Ｎ'−ジヘキシルヒドラジノ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'−トリヘキシルヒドラジノ、Ｎ，Ｎ−ジヘプチルヒドラジノ、Ｎ，Ｎ'−ジヘプチルヒドラジノ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'−トリヘプチルヒドラジノ、Ｎ，Ｎ−ジオクチルヒドラジノ、Ｎ，Ｎ'−ジオクチルヒドラジノ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'−トリオクチルヒドラジノ、Ｎ−メチル−Ｎ−エチルヒドラジノ、Ｎ−メチル−Ｎ'−エチルヒドラジノ、シクロプロピルヒドラジノ、シクロペンチルヒドラジノ、シクロヘキシルヒドラジノ、フェニルヒドラジノ、Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラジノ、Ｎ，Ｎ'−ジフェニルヒドラジノ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'−トリフェニルヒドラジノ、Ｎ，Ｎ−ジベンジルヒドラジノ、Ｎ，Ｎ'−ジベンジルヒドラジノ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'−トリベンジルヒドラジノ、Ｎ−フェニル−Ｎ'−メチルヒドラジノ、Ｎ−フェニル−Ｎ'−エチルヒドラジノ、Ｎ−ベンジル−Ｎ−メチルヒドラジノ、Ｎ−ベンジル−Ｎ−エチルヒドラジノなどが挙げられる。
なお、置換基としては、後述する置換基Ｑが挙げられる。また、これら任意の置換基は置換可能な任意の位置に、１〜３個置換していてもよい。置換基の数が２以上の場合、それぞれの置換基は同一または異なっていてもよい。

置換基を有していてもよい含窒素複素環基中における含窒素複素環としては、少なくとも１つの窒素原子を有する３〜１５員の単環または縮合した複素環、架橋した複素環、スピロ結合した複素環が含まれ、例えば、ピロール、イミダゾール、トリアゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、アゼピン、ジアゼピン、オキサゾール、チアゾール、イソオキサゾール、イソチアゾール、インドール、イソインドール、キノリン、イソキノリン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾイミダゾール、アジリジン、アゼチジン、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、チオモルホリン、パーヒドロアゼピン、パーヒドロジアゼピン、インドリン、イソインドリン、キナゾリン、テトラヒドロキノリン、パーヒドロキノリン、テトラヒドロイソキノリン、パーヒドロイソキノリン、テトラヒドロナフチリジン、キノキサリン、テトラヒドロキノキサリン、ジヒドロベンゾイミダゾール、パーヒドロベンゾイミダゾール、カルバゾール、テトラヒドロカルバゾール、アザビシクロ［３．２．１］オクタン、キヌクリジン、２，８−ジアザスピロ［４．５］デカン、１，４，９−トリアザスピロ［５．５］ウンデカン、３，９−ジアザスピロ［５．５］ウンデカン、２，９−ジアザスピロ［５．５］ウンデカン、１，６−ジアザスピロ［３．４］オクタン、１，５−ジアザスピロ［３．４］オクタン、１，７−ジアザスピロ［３．５］ノナン、１，６−ジアザスピロ［３．５］ノナン、１，５−ジアザスピロ［３．５］ノナン、１，７−ジアザスピロ［４．４］ノナン、１，６−ジアザスピロ［４．４］ノナン、１，８−ジアザスピロ［４．５］デカン、１，７−ジアザスピロ［４．５］デカン、２，６−ジアザスピロ［３．４］オクタン、１，６−ジアザスピロ［４．５］デカン、２，６−ジアザスピロ［３．５］ノナン、１，９−ジアザスピロ［５．５］ウンデカン、１，８−ジアザスピロ［５．５］ウンデカン、６−アザスピロ［３．５］ノナン、６−アザスピロ［３．４］オクタン、２−アザスピロ［３．４］オクタン、１，７−ジアザスピロ［５．５］ウンデカン、１，４，９−トリアザスピロ［５．５］ウンデカン、１，３，８−トリアザスピロ［４．５］デカン、１−チア−４，９−ジアザスピロ［５．５］ウンデカン、１−チア−４，８−ジアザスピロ［５．５］ウンデカン環などが挙げられる。
上記含窒素複素環には、窒素原子以外の他のヘテロ原子（例えば、酸素原子、硫黄原子）が含まれていてもよい。
なお、置換基としては、後述する置換基Ｑが挙げられる。また、これら任意の置換基は置換可能な任意の位置に、１〜３個置換していてもよい。置換基の数が２以上の場合、それぞれの置換基は同一または異なっていてもよい。
また、含窒素複素環基と後述するＬとの結合位置は特に制限されないが、含窒素複素環中の任意の一つの水素原子を除いた部分に結合する場合が多い。

Ｌは、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基の定義は、上述の通りである。
Ｙは、−ＳＯ₃Ｈまたは−Ｐ＝Ｏ（ＯＨ）ＯＲ基を表し、本発明の効果がより優れる点で、−ＳＯ₃Ｈが好ましい。Ｒは、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。

（置換基Ｑ）
本明細書における置換基Ｑとしては、ハロゲン原子、脂肪族炭化水素基（アルキル基（シクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基）、アリール基、複素環基、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、複素環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、複素環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基、アルキルおよびアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールおよび複素環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基、またはこれらの組み合わせなどが挙げられる。

さらに詳しくは、置換基Ｑとしては、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基〔（直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１．２．２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イル）、さらに環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。〕、

アルケニル基〔直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換または無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２．２．２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。〕、アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）、

アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、複素環基（好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族の複素環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３から３０の５員または６員の芳香族の複素環基である。例えば２−フラニル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリニル）、

シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３から２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）、複素環オキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換の複素環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）、アシルオキシ基（好ましくは、ホルミルオキシ基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、

アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルアミノ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアニリノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０から３０の置換または無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）、

メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルチオ基、例えば、メチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）、複素環チオ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換の複素環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０から３０の置換または無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ‘−フェニルカルバモイル）スルファモイル）、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、

アルキルおよびアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換または無置換の炭素原子でカルボニル基と結合している複素環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２−ピリジルカルボニル、２−フリルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、

カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、アリールおよび複素環アゾ基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリールアゾ基、炭素数３から３０の置換または無置換の複素環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、シリル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）などが挙げられる。

本発明の組成物において、添加剤（Ｂ）の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、導電性粒子（Ａ）の含有量１００質量部に対する添加剤（Ｂ）の含有量の割合は、０．１〜２７．０質量部であることが好ましく、１．０〜２０．０質量部であることがより好ましく、５．０〜１８．０質量部であることがさらに好ましい。
また、組成物全質量に対する添加剤（Ｂ）の含有量の割合は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、組成物全質量に対して、０．０１〜１５質量％であることが好ましく、０．５〜１０．０質量％であることがより好ましく、１．５〜７．０質量％であることがさらに好ましい。
なお、上記添加剤（Ｂ）の含有量は、一般式（Ｉ）で表される化合物、一般式（ＩＩ）で表される化合物、および、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の合計量を意図する。なお、一般式（Ｉ）で表される化合物のみが使用される場合は、一般式（ＩＩ）で表される化合物および一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の含有量は０として計算する。

＜任意成分＞
（溶媒）
本発明の組成物は、粘度調節のし易さ、および、塗布性の観点から、溶媒を含有するのが好ましい。溶媒は、導電性粒子（Ａ）の分散媒として機能する。
溶媒の種類は特に制限されないが、例えば、水や、アルコール類、エーテル類、エステル類などの有機溶媒などを使用することができる。なかでも、水が好ましい。
溶媒の含有量は特に制限されないが、粘度の上昇が抑制され、取扱い性により優れる点から、組成物全質量に対して、２０〜９０質量％であることが好ましい。

（その他の成分）
本発明の組成物には、上記各成分以外の成分が含有されていてもよい。例えば、本発明の組成物には、分散剤や界面活性剤などが含有されていてもよい。
なお、本発明の効果がより優れる点で、組成物には、樹脂（例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂）は実質的に含まれていないことが好ましい。実質的に含まれないとは、組成物中において、上記導電性粒子（Ａ）１００質量部に対して、樹脂の含有量が３質量部以下であることを意図し、１質量部以下であることがより好ましい。

＜導電膜形成用組成物の調製方法＞
本発明の組成物の調製方法は特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、上記溶媒中に上記導電性粒子（Ａ）および上記添加剤（Ｂ）を添加した後、超音波法（例えば、超音波ホモジナイザーによる処理）、ミキサー法、３本ロール法、ボールミル法などの公知の手段により拡販するによって、組成物を得ることができる。

本発明の組成物より得られる導電膜は優れた特性を示し、特に、本発明の組成物は電界効果トランジスタ（特に有機薄膜トランジスタ）の電極を形成するための導電膜形成用組成物として有用である。電極は、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極のいずれであってもよいが、特に、ソース電極およびドレイン電極に有用である。
また、上述のとおり、本発明の組成物に含有される添加剤（Ｂ）は優れたマイグレーション抑制剤として働き、結果として、優れた絶縁信頼性をもたらすため、配線板（例えば、プリント配線板）などの配線を形成するための導電膜形成用組成物としても有用である。

［有機薄膜トランジスタ］
本発明の有機薄膜トランジスタは、上述した本発明の組成物を用いて形成された電極（特に、ソース電極およびドレイン電極）を備える有機薄膜トランジスタである。

本発明の有機薄膜トランジスタの一態様について図面を参照して説明する。
図１は、本発明の有機薄膜トランジスタの一態様の断面模式図である。
図１において、有機薄膜トランジスタ１００は、基板１０と、基板１０上に配置されたゲート電極２０と、ゲート電極２０を覆うゲート絶縁膜３０と、ゲート絶縁膜３０のゲート電極２０側とは反対側の表面に接するソース電極４０およびドレイン電極４２と、ソース電極４０とドレイン電極４２との間のゲート絶縁膜３０の表面を覆う有機半導体層５０と、各部材を覆う封止層６０とを備える。有機薄膜トランジスタ１００は、ボトムゲート−ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタである。
なお、図１においては、ソース電極４０およびドレイン電極４２が、上述した本発明の組成物を用いて形成されたものであるが、この態様には限定されず、ソース電極４０、ドレイン電極４２、ゲート電極２０の少なくともいずれか一つが本発明の組成物を用いて形成されたものであることが好ましい。例えば、ゲート電極２０、ソース電極４０およびドレイン電極４２の全部が本発明の組成物を用いて形成されていてもよいし、ソース電極４０（または、ドレイン電極４２）のみが本発明の組成物を用いて形成されていてもよい。

以下、基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層および封止層並びにそれぞれの形成方法について詳述する。

＜基板＞
基板は、後述するゲート電極、ソース電極、ドレイン電極などを支持する役割を果たす。
基板の種類は特に制限されず、例えば、プラスチック基板、ガラス基板、セラミック基板などが挙げられる。なかでも、各デバイスへの適用性およびコストの観点から、ガラス基板またはプラスチック基板であることが好ましい。
プラスチック基板の材料としては、熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂（例えばＰＥＴ、ＰＥＮ）など）または熱可塑性樹脂（例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォンなど）が挙げられる。
セラミック基板の材料としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、ジルコニア、シリコン、窒化シリコン、シリコンカーバイドなどが挙げられる。
ガラス基板の材料としては、例えば、ソーダガラス、カリガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、アルミケイ酸ガラス、鉛ガラスなどが挙げられる。

＜ゲート電極＞
ゲート電極の材料としては、例えば、金（Ａｕ）、銀、アルミニウム（Ａｌ）、銅、クロム、ニッケル、コバルト、チタン、白金、タンタル、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ナトリウム等の金属；ＩｎＯ₂、ＳｎＯ₂、ＩＴＯ等の導電性の酸化物；ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン等の導電性高分子；シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素等の半導体；フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト等の炭素材料などが挙げられる。なかでも、金属であることが好ましく、銀、アルミニウムであることがより好ましい。
ゲート電極の厚みは特に制限されないが、２０〜２００ｎｍであることが好ましい。

ゲート電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、基板上に、電極材料を真空蒸着またはスパッタする方法、電極形成用組成物を塗布または印刷する方法などが挙げられる。また、電極をパターニングする場合、パターニングする方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法；インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷等の印刷法；マスク蒸着法などが挙げられる。

＜ゲート絶縁膜＞
ゲート絶縁膜の材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン、ポリスルホン、ポリベンゾキサゾール、ポリシルセスキオキサン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等のポリマー；二酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン等の酸化物；窒化珪素等の窒化物などが挙げられる。これらの材料のうち、有機半導体層との相性から、ポリマーであることが好ましい。
ゲート絶縁膜の材料としてポリマーを用いる場合、架橋剤（例えば、メラミン）を併用するのが好ましい。架橋剤を併用することで、ポリマーが架橋されて、形成されるゲート絶縁膜の耐久性が向上する。
ゲート絶縁膜の膜厚は特に制限されないが、１００〜１０００ｎｍであることが好ましい。

ゲート絶縁膜を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極が形成された基板上に、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法、ゲート絶縁膜材料を蒸着またはスパッタする方法などが挙げられる。ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法は特に制限されず、公知の方法（バーコート法、スピンコート法、ナイフコート法、ドクターブレード法）を使用することができる。
ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布してゲート絶縁膜を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。

＜ソース電極、ドレイン電極＞
上述のとおり、ソース電極およびドレイン電極は、上述した本発明の組成物を用いて形成されたものである。
ソース電極およびドレイン電極のチャネル長は特に制限されないが、５〜１００μｍであることが好ましい。ソース電極およびドレイン電極のチャネル幅は特に制限されないが、５０〜５００μｍであることが好ましい。

ソース電極およびドレイン電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、塗膜形成工程と焼結工程とを備える方法が挙げられる。以下に、それぞれの工程について説明する。

（塗膜形成工程）
本工程は、ゲート電極とゲート絶縁膜とが形成された基板上に、上述した本発明の組成物を塗布する工程である。
本発明の組成物を基板上に塗布して、塗膜を形成する方法は特に制限されず、公知の方法を採用できる。
塗布の方法としては、例えば、ダブルロールコータ、スリットコータ、エアナイフコータ、ワイヤーバーコータ、スライドホッパー、スプレーコータ、ブレードコータ、ドクターコータ、スクイズコータ、リバースロールコータ、トランスファーロールコータ、エクストロージョンコータ、カーテンコータ、ディップコーター、ダイコータ、グラビアロールによる塗工法、スクリーン印刷法、ディップコーティング法、スプレー塗布法、スピンコーティング法、インクジェット法などが挙げられる。
なお、基板上に本発明の組成物を塗布した後、必要に応じて、溶媒を除去するために乾燥処理を施してもよい。乾燥処理の方法としては従来公知の方法を使用することができる。

（焼結工程）
本工程は、上記塗膜形成工程で形成された塗膜に対して加熱や光照射などのエネルギー付与を行い、組成物中の導電性粒子（Ａ）を焼結し、導電膜を形成する工程である。
加熱の条件は特に制限されないが、加熱温度は１００〜３００℃が好ましく、加熱時間は１０〜６０分が好ましい。
加熱手段は特に制限されず、オーブン、ホットプレート等公知の加熱手段を用いることができる。
光照射処理で使用される光源は特に制限されないが、例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、キセノン（Ｘｅ）ランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯などが挙げられる。

＜有機半導体層＞
有機半導体層を構成する有機半導体材料としては特に制限されず、有機半導体トランジスタの有機半導体層として利用される公知の材料が利用可能である。具体的には、６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＩＰＳペンタセン）、テトラメチルペンタセン、パーフルオロペンタセン等のペンタセン類、ＴＥＳ−ＡＤＴ、ｄｉＦ−ＴＥＳ−ＡＤＴ（２，８−ジフルオロ−５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラジチオフェン）等のアントラジチオフェン類、ＤＰｈ−ＢＴＢＴ、Ｃｎ−ＢＴＢＴ等のベンゾチエノベンゾチオフェン類、Ｃｎ−ＤＮＴＴ等のジナフトチエノチオフェン類、ペリキサンテノキサンテン等のジオキサアンタントレン類、ルブレン類、Ｃ６０、ＰＣＢＭ等のフラーレン類、銅フタロシアニン、フッ素化銅フタロシアニン等のフタロシアニン類、Ｐ３ＲＴ、ＰＱＴ、Ｐ３ＨＴ、ＰＱＴ等のポリチオフェン類、ポリ［２，５−ビス（３−ドデシルチオフェン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン］（ＰＢＴＴＴ）等のポリチエノチオフェン類等が例示される。
有機半導体層の厚みは特に制限されないが、１０〜２００ｎｍであることが好ましい。

有機半導体層を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極とゲート絶縁膜とソース電極とドレイン電極とが形成された基板上に、有機半導体材料を溶媒に溶解させた有機半導体用組成物を塗布する方法などが挙げられる。有機半導体用組成物を塗布する方法の具体例は、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法と同じである。有機半導体用組成物を塗布して有機半導体層を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。

＜封止層＞
本発明の有機薄膜トランジスタは、耐久性の観点から、最外層に封止層を備えるのが好ましい。封止層には公知の封止剤を用いることができる。
封止層の厚みは特に制限されないが、０．２〜１０μｍであることが好ましい。

封止層を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極とゲート絶縁膜とソース電極とドレイン電極と有機半導体層とが形成された基板上に、封止層形成用組成物を塗布する方法などが挙げられる。封止層形成用組成物を塗布する方法の具体例は、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法と同じである。封止層形成用組成物を塗布して有機半導体層を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。

また、図２は、本発明の有機薄膜トランジスタの別の一態様の断面模式図である。
図２において、有機薄膜トランジスタ２００は、基板１０と、基板１０上に配置されたゲート電極２０と、ゲート電極２０を覆うゲート絶縁膜３０と、ゲート絶縁膜３０上に配置された有機半導体層５０と、有機半導体層５０上に配置されたソース電極４０およびドレイン電極４２と、各部材を覆う封止層６０を備える。ここで、ソース電極４０およびドレイン電極４２は、上述した本発明の組成物を用いて形成されたものである。有機薄膜トランジスタ２００は、トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタである。
基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層および封止層については上述のとおりである。

上記では図１および２において、ボトムゲート−ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ、および、ボトムゲート−トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタの態様について詳述したが、本発明の導電膜形成用組成物はトップゲート−ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ、および、トップゲート−トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタにも適用できる。
なお、上述した有機薄膜トランジスタは、電子ペーパー、ディスプレイデバイスなどに好適に使用できる。

以下に実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

＜銀インクＡ１の調製＞
分散剤としてＤｉｓｐｅｒｂｙｋ−１９０（ビックケミー社製）（不揮発物として７．３６ｇ）を水（１００ｍＬ）に溶解させた（溶液ａ）。次に、硝酸銀５０．００ｇ（２９４．３ｍｍｏｌ）を水（２００ｍＬ）に溶解させた（溶液ｂ）。溶液ａと溶液ｂとを混合し、攪拌した。得られた混合物に、８５質量％Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン水溶液（７８．７１ｇ）（Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンとして７５０．５ｍｍｏｌ）を室温でゆっくり滴下した。さらに、Ｄｉｓｐｅｒｂｙｋ−１９０（７．３６ｇ）を水（１０００ｍＬ）に溶解させた溶液を室温でゆっくり滴下した。得られた懸濁液を限外濾過ユニット（ザルトリウス・ステディム社製ビバフロー５０、分画分子量：１０万、ユニット数：４個）に通し、限外濾過ユニットから約５Ｌの滲出液がでるまで精製水を通過させて精製した。精製水の供給を止め、濃縮し、５０ｇの銀ナノ粒子の分散液（銀インクＡ１）を得た。この銀インクＡ１中の固形分の含有量は３２質量％であった。また、固形分中の銀の含有量をＴＧ−ＤＴＡにて測定した所、９７．０質量％であった。

＜実施例１〜１３、比較例１〜２＞
溶液ａと溶液ｂとを混合するときに、溶液ａおよび溶液ｂに加えて、表１に示す添加剤（Ｂ）（マイグレーション抑制剤）を、第１表に示す「添加剤（Ｂ）の含有量」となるように配合した以外は、銀インクＡ１の調製と同様の手順に従って、銀インクＡ２〜Ａ１６を調製した。該銀インクは、導電膜形成用組成物に該当する。

＜絶縁信頼性評価（その１）＞
ＦＲ４ガラエポ板にＡＢＦ−ＧＸ１３（味の素ファインテクノ社製）をラミネートした基板上へ銀インクＡ１を焼結後の膜厚が２００ｎｍになる様にＳＴＳ−２００（ワイディーメカトロソリューションズ社製）を用いてスプレーコーティング法により塗布した。その後、オーブンを用いて焼結し（１８０℃、２時間）、基板上に銀膜を形成した。形成された銀膜をフォトリソグラフィー法によりＬ／Ｓ＝４０／４０μｍの櫛形にエッチングし、櫛形状の銀膜（銀配線）を形成した。この時ドライフィルムレジストにはフォテックＨ−７０２５（日立化成社製）、銀エッチング液にはアグリップ９４０（メルテックス社製）を用いた。さらに、銀配線上にＣｙｔｏｐ ＣＴＬ１０７ＭＫ（ＡＧＣ社製）を乾燥後の膜厚が１μｍになる様にスピンコートし、その後オーブンで１４０℃、２０分間乾燥させ、封止層を形成して、絶縁信頼性評価用の配線基板を作製した。

得られた配線基板について、湿度８５％、温度８５℃、圧力１．０ａｔｍ、電圧３０Ｖの条件で寿命試験（使用装置：エスペック社製、ＥＨＳ−２２１ＭＤ）を行った。具体的には、上記環境下で、隣り合った銀配線に上記電圧を印加した。そして、エレクトロケミカルマイグレーションによって銀配線間が短絡するまでの時間（銀配線間の抵抗値が１×１０⁵Ωになるまでの時間Ｔ）を測定した。銀インクＡ１を用いた場合の時間ＴをＴ１（基準）とする。
次に、添加剤（Ｂ）を添加した銀インクＡ２〜Ａ１６（実施例および比較例の導電膜形成用組成物）を用いて、銀インクＡ１と同様に、絶縁信頼性評価用の配線基板を作製し、寿命測定を行った。銀インクＡｎ（ｎ＝２〜１６）を用いた場合の時間ＴをＴｎとする。
銀インクＡ２〜Ａ１６（実施例および比較例の導電膜形成用組成物）について、Ｔｎ／Ｔ１を算出し、以下の基準にしたがって、絶縁信頼性を評価した。結果を第１表に示す。実用上、Ａ〜Ｃであることが好ましく、ＡまたはＢであることがより好ましく、Ａであることがさらに好ましい。
「Ａ」：Ｔｎ／Ｔ１≧５の場合
「Ｂ」：５＞Ｔｎ／Ｔ１≧２の場合
「Ｃ」：２＞Ｔｎ／Ｔ１＞１の場合
「Ｄ」：１≧Ｔｎ／Ｔ１の場合

＜移動度（電界効果移動度）の評価＞
ガラス基板（イーグルＸＧ：コーニング社製）上に、ゲート電極となるＡｌを蒸着した（厚み：５０ｎｍ）。その上にゲート絶縁膜形成用組成物（ポリビニルフェノール／メラミン＝１質量部／１質量部（ｗ／ｗ）のＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）溶液（固形分濃度：２質量％））をスピンコートし、その後、１５０℃で６０分間ベークを行い、膜厚４００ｎｍのゲート絶縁膜を形成した。その上に銀インクＡ１をインクジェット装置ＤＭＰ−２８３１（富士フイルムダイマティクス社製）を用いてソース電極およびドレイン電極状（チャネル長４０μｍ、チャネル幅２００μｍ）に描画した。その後オーブンにて１８０℃、３０分ベークを行い、焼結して、ソース電極およびドレイン電極を形成した。その上に２，８−ジフルオロ−５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラジチオフェン（ＡＬＤＲＩＣＨ社製）のトルエン溶液をスピンコートし、１４０℃で１５分間ベークを行い、厚み１００ｎｍの有機半導体層を形成した。その上にＣｙｔｏｐ ＣＴＬ−１０７ＭＫ（ＡＧＣ社製）をスピンコートし、１４０℃で２０分間ベークを行い、厚み２μｍの封止層（最上層）を形成して、有機薄膜トランジスタ（ボトムゲート−ボトムコンタクト型）を作製した。

得られた有機薄膜トランジスタの各電極と、半導体パラメータ・アナライザ（４１５５Ｃ、Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製）に接続されたマニュアルプローバの各端子とを接続して、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の評価を行なった。具体的には、ドレイン電流−ゲート電圧（Ｉｄ‐Ｖｇ）特性を測定することにより電界効果移動度（［ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃ］）を算出した。同様に計５つの有機薄膜トランジスタを作製し、電界効果移動度を算出した。ソース電極およびドレイン電極に銀インクＡ１を用いた５つの有機薄膜トランジスタの電界効果移動度の平均値をμ１とする。

次に、添加剤（Ｂ）を添加した銀インクＡ２〜Ａ１６（実施例および比較例の導電膜形成用組成物）を用いて、銀インクＡ１と同様に、有機薄膜トランジスタを作製し、電界効果移動度の平均値を算出した。銀インクＡｎ（ｎ＝２〜１６）を用いた場合の電界効果移動度の平均値をμｎとする。
銀インクＡ２〜Ａ１６（実施例および比較例の導電膜形成用組成物）について、μｎ／μ１を算出し、以下の基準にしたがって、電界効果移動度を評価した。結果を第１表に示す。実用上、Ａ〜Ｃであることが好ましく、ＡまたはＢであることがより好ましく、Ａであることがさらに好ましい。
「Ａ」：μｎ／μ１≧０．８
「Ｂ」：０．８＞μｎ／μ１≧０．５
「Ｃ」：０．５＞μｎ／μ１≧０．１
「Ｄ」：０．１＞μｎ／μ１

＜絶縁信頼性評価（その２）＞
上記のようにして銀インクＡ１を用いて得られた有機薄膜トランジスタの耐久性試験を以下の方法に従い実施した。まず、得られた有機薄膜トランジスタを温度：５０℃、湿度５０％の恒温恒湿槽内に設置し、Ｖｓ＝−２０Ｖ、Ｖｄ＝０Ｖ、Ｖｇ＝−２０Ｖの電圧をかけた。その間、１０分毎にトランジスタ特性の測定を行い、閾値電圧Ｖｔｈが初期値に対して１０Ｖ以上のシフトが観測された時間をそのトランジスタの寿命時間（Ｔ１）として算出した。
次に、添加剤（Ｂ）を添加した銀インクＡ２〜Ａ１６（実施例および比較例の導電膜形成用組成物）を用いて、銀インクＡ１を用いた場合と同様に、有機薄膜トランジスタを作製した。そして、Ｔ１を求めた方法と同様にして、銀インクＡｎ（ｎ＝２〜１６）を用いた場合のトランジスタの寿命時間（Ｔｎ）を算出した。
算出したＴ１とＴｎからＴｎ／Ｔ１を求め、以下の基準に従って評価した。
「Ａ」：Ｔｎ／Ｔ１≧１０
「Ｂ」：１０＞Ｔｎ／Ｔ１≧５
「Ｃ」：５＞Ｔｎ／Ｔ１≧１．５
「Ｄ」：１．５＞Ｔｎ／Ｔ１
得られた結果は、上述した＜絶縁信頼性評価（その１）＞と同様の傾向を示した。より具体的には、例えば、後述する表１に示す、実施例１の＜絶縁信頼性評価（その１）＞の評価結果である「絶縁信頼性評価」は「Ｂ」であるが、＜絶縁信頼性評価（その２）＞の評価結果も「Ｂ」であった。実施例２〜１６および比較例１〜２においても、同様に＜絶縁信頼性評価（その１）＞の評価結果と＜絶縁信頼性評価（その２）＞の評価結果とは同じであった。

なお、第１表中の添加剤（Ｂ）の詳細は以下のとおりである。
・Ｍ１：３−ピリジンスルホン酸（Ｗａｋｏ製）

・Ｍ２：２−（Ｎ−モルホリノ）エタンスルホン酸（東京化成製）

・Ｍ３：１−（３−スルホプロピル）ピリジニウムヒドロキシド分子内塩（東京化成製）

・Ｍ４：２−ジメチルヘキシルアンモニオエチルホスフェート

・Ｍ５：ドデシルスルホン酸トリエタノールアミン塩

・Ｍ６：ニッサンアノンＢＬＪ（Ｎ−ジメチルアルキルラウリルベタイン：日油製）

・Ｍ７：ＮＤＳＢ-１９５（Ｗａｋｏ製）

・Ｍ８：以下式で表される化合物（Journal of Molecular Liquids, 2011, vol. 162, #2, p.95-99に記載の方法で合成した。なお、以下式中「Ｐｈ」はフェニル基を表す。）

・Ｍ９：以下式で表される化合物（Canadian Journal of Chemistry, 1983 , vol. 61, p.235-243に記載の方法で合成した。）

なお、上記表１中の「添加剤（Ｂ）の含有量」は、導電膜形成用組成物に対する添加剤（Ｂ）の含有量（質量％）を意図する。

第１表から分かるように、添加剤（Ｂ）を含有する実施例１〜１３の導電膜形成用組成物を用いて電極を形成した有機薄膜トランジスタはいずれも優れた高い移動度（電界効果移動度）を示し、上記絶縁信頼性評価から絶縁信頼性も優れるといえる。
実施例３〜６の対比から、組成物全質量に対する添加剤（Ｂ）の含有量が、１．５〜７．０質量である場合、絶縁信頼性および移動度のバランスがより優れることが確認された。
また、実施例２、５、８および１０の対比から、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物がより優れた効果を奏することが確認された。

一方、所定の添加剤（Ｂ）を含有しない比較例１〜２の導電膜形成用組成物を用いて電極を形成した有機薄膜トランジスタは絶縁信頼性および／または移動度が不十分であった。

１０：基板
２０：ゲート電極
３０：ゲート絶縁膜
４０：ソース電極
４２：ドレイン電極
５０：有機半導体層
６０：封止層
１００、２００：有機薄膜トランジスタ

Claims (9)

1. 導電性粒子（Ａ）と、
   一般式（Ｉ）で表される化合物、一般式（ＩＩ）で表される化合物、および、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つの添加剤（Ｂ）と、を含有する、導電膜形成用組成物であって、
   前記導電性粒子（Ａ）が、Ａｇの粒子であり、
   前記添加剤（Ｂ）の含有量が、導電膜形成用組成物全質量に対して、１．５〜７．０質量％である、導電膜形成用組成物。
   一般式（Ｉ） Ｃ^＋−Ｌ−ＳＯ₃ ⁻
   （一般式（Ｉ）中、Ｃ^＋は、下記一般式（Ａ）〜（Ｄ）からなる群より選択されるカチオンを表す。
   一般式（Ａ）中、Ｒ₁〜Ｒ₃は、それぞれ独立に、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基を表す。＊は結合位置を示す。
   （一般式（Ｂ））
   一般式（Ｂ）は、下記式から選ばれるいずれか１種である。下記式中、ＲおよびＲｓは水素原子を表す。＊は結合位置を示す。
   
   一般式（Ｃ）中、Ｒ₇〜Ｒ₉は、それぞれ独立に、芳香族炭化水素基を表す。＊は結合位置を示す。
   一般式（Ｄ）中、Ｒ₁₀およびＲ₁₁は、それぞれ独立に、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基を表す。＊は結合位置を示す。
   Ｌは、炭素数１〜６のアルキレン基を表す。）
   （一般式（ＩＩ）中、Ｒ₅₁〜Ｒ₅₃は、それぞれ独立に、炭素数１〜５の直鎖または分岐のアルキル基を表す。Ｒ₅₄は、水素原子を表す。Ａ₁は、炭素数１〜３のアルキレン基を表す。）
   一般式（ＩＩＩ） Ｘ−Ｌ−Ｙ
   （一般式（ＩＩＩ）中、Ｘは、６員の含窒素複素環基を表す。Ｌは、単結合または炭素数１〜６のアルキレン基を表す。Ｙは、−ＳＯ₃Ｈ基を表す。）
2. 前記添加剤（Ｂ）が、前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物であり、Ｙが−ＳＯ₃Ｈである、請求項１に記載の導電膜形成用組成物。
3. 前記添加剤（Ｂ）が、前記一般式（Ｉ）で表される化合物であり、Ｃ^＋が前記一般式（Ａ）〜（Ｂ）からなる群より選択されるカチオンを表す、請求項１に記載の導電膜形成用組成物。
4. 前記添加剤（Ｂ）が、前記一般式（ＩＩ）で表される化合物である、請求項１に記載の導電膜形成用組成物。
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電膜形成用組成物を用いて形成された導電膜。
6. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電膜形成用組成物を用いて形成された電極を備える、有機薄膜トランジスタ。
7. 請求項６に記載の有機薄膜トランジスタを使用した、電子ペーパー。
8. 請求項６に記載の有機薄膜トランジスタを使用した、ディスプレイデバイス。
9. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電膜形成用組成物を用いて形成された配線を備える、配線板。