JP6188521B2 - 光計測装置 - Google Patents
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Description
図3は、本発明による光計測装置の基本的な実施例を示す模式図である。
と表すことができる。ここで、Erefは参照光の複素電場振幅、E’sigは被制御信号光の複素電場振幅であり、|Ereg|tan2θ≒|Estr|を用いると近似的に以下の式で表される。
と表わされる。ここで、φ0はsincφ0=0.95を満たす定数であり、約0.5519である。従って、この値を代入すると式(18)の右辺は、0.856λ/(NA)2と表され、式(18)の右辺の値は、例えばλ=0.780μm、NA=0.4のときには0.86μmとなり、これは対物レンズアクチュエータ317の制御により実現可能な値である。式(17)の値を0.95以上とすることによりサンプル容器からの反射光の寄与が従来の10%以下となるため、従来よりも測定対象表面あるいは測定対象保持部近傍の測定対象の構造をより鮮明に可視化することができる。
図6は、本発明による光計測装置の別の実施例を示す模式図である。なお、図3に示した部品と同じものには同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。本実施例は第一の実施例と制御光の生成方法及び制御光のデフォーカス調整方法が異なる。
図7は、本発明による光計測装置の別の実施例を示す模式図である。なお、図3に示した部品と同じものには同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。本実施例は、干渉光学系で生成される干渉光が2つであるという点、及び参照光の位相を高速に変調するためのピエゾ素子を有しているという点において実施例2と異なる。
302:コリメートレンズ
303,306,319,327:λ/2板
304,307,320,324:偏光ビームスプリッタ
308,315,328,501:λ/4板
309,316,502,506:対物レンズ
310,317:対物レンズアクチュエータ
311:サンプル容器
312:測定対象
313:ピエゾ素子
314,325,507:ミラー
333:干渉光学系
326:ハーフビームスプリッタ
321,329:集光レンズ
330,331:ウォラストンプリズム
334,335:電流差動型の光検出器
338:信号処理部
323:制御部
339:画像表示部
318,503,506:平板
Claims (8)
- レーザ光を出射する光源と、
前記レーザ光を信号光と参照光と制御光に分岐する光分岐部と、
前記信号光を測定対象に集光して照射する対物レンズと、
前記信号光の集光位置を走査する集光位置走査部と、
前記制御光のデフォーカス量を制御するデフォーカス制御部と、
前記制御光と信号光の間の位相差を制御する位相制御部と、
測定対象によって反射もしくは散乱された信号光を前記制御光と合波して、被制御信号光を生成する被制御信号光生成部と、
前記被制御信号光を前記参照光と合波し、互いに位相関係が異なる複数の干渉光を生成する干渉光学系と、
前記干渉光を検出する光検出器と、
を有し、
前記デフォーカス制御部は、前記制御光のデフォーカス量が、前記信号光に含まれる測定対象の表面あるいは測定対象を保持する保持部から反射された光のデフォーカス量と同じになるように前記制御光のデフォーカス量を制御することを特徴とする光計測装置。 - レーザ光を出射する光源と、
前記レーザ光を信号光と参照光と制御光に分岐する光分岐部と、
前記信号光を測定対象に集光して照射する対物レンズと、
前記信号光の集光位置を走査する集光位置走査部と、
前記制御光のデフォーカス量を制御するデフォーカス制御部と、
前記制御光と信号光の間の位相差を制御する位相制御部と、
測定対象によって反射もしくは散乱された信号光を前記制御光と合波して、被制御信号光を生成する被制御信号光生成部と、
前記被制御信号光を前記参照光と合波し、互いに位相関係が異なる複数の干渉光を生成する干渉光学系と、
前記干渉光を検出する光検出器と、
を有し、
前記レーザ光の波長をλとし、前記対物レンズの開口数をNAとするとき、
前記デフォーカス制御部は、前記制御光のデフォーカス量と、前記信号光に含まれる測定対象の表面あるいは測定対象を保持する保持部から反射された光のデフォーカス量との差異が
0.856λ/(NA) 2
以下となるように前記制御光のデフォーカス量を制御することを特徴とする光計測装置。 - 請求項1又は2に記載の光計測装置において、
前記対物レンズは0.4以上の開口数を有することを特徴とする光計測装置。 - 請求項1又は2に記載の光計測装置において、
前記制御光に球面収差を付与する球面収差付与部を有することを特徴とする光計測装置。 - 請求項1又は2に記載の光計測装置において、
前記光分岐部は、前記レーザ光を信号光と参照光に2分岐する光分岐素子と、前記信号光あるいは前記参照光の光路中に挿入された平板とを備え、
前記平板は前記信号光あるいは前記参照光の一部を制御光として反射させることを特徴とする光計測装置。 - 請求項1又は2に記載の光計測装置において、
前記被制御信号光に含まれる制御光の強度を調整する手段を有することを特徴とする光計測装置。 - 請求項1又は2に記載の光計測装置において、
前記干渉光学系において生成される干渉光は4つであり、
前記信号光と前記参照光の干渉位相が互いに略90度の整数倍だけ異なり、
前記信号光と前記参照光の干渉位相が互いに略180度異なる干渉光の対が電流差動型の光検出器によって検出されることを特徴とする光計測装置。 - 請求項1又は2に記載の光計測装置において、
前記信号光と前記参照光の光路長差を、前記信号光の集光位置の走査により発生する信号光の光路長の変化速度よりも高速に変調させる光路長変調部を有し、
前記干渉光学系において生成される干渉光は2つであり、これらの干渉光を電流差動型の光検出器によって検出することを特徴とする光計測装置。
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