JP6186697B2 - 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置、電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を備えた有機ＥＬ装置の製造方法、有機ＥＬ装置、該有機ＥＬ装置を備えた電子機器に関する。

有機ＥＬ素子は、陽極と、陰極と、これらの電極間に挟まれた有機発光層を含む機能層とを有する構成となっている。機能層は、陽極側から注入された正孔と、陰極側から注入された電子とが有機発光層において再結合することにより生ずるエネルギーが蛍光や燐光に変換されて発光する。ところが、外部から陽極や陰極を介して機能層に水分や酸素などが浸入すると、有機発光層に対するキャリア（正孔や電子）の注入が阻害されて発光の輝度が低下したり、機能層が変質して発光の機能そのものが失われたりして、所謂ダークスポットと呼ばれる暗点が生ずる。
このような有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置では、水分や酸素などの浸入を防止するために、複数の有機ＥＬ素子を覆う封止層が形成される。

一方、上記有機ＥＬ装置には、外部駆動回路との接続を図るために、有機ＥＬ装置の各種配線が接続された複数の接続用端子が設けられている。接続用端子は、封止層よりも先に形成されるため、封止層を形成する際には、接続用端子を電気的に利用できるように露出させる必要がある。
例えば、特許文献１には、陽極、発光層を含む有機層、陰極を積層してなる積層体を形成した後、上記封止層に相当する保護膜を形成する前に、電極接続部が保護膜によって覆われないように、電極接続部の表面を改質する有機ＥＬ素子の製造方法が開示されている。
また、例えば、特許文献２には、素子基板上の複数の有機ＥＬ素子を含む発光領域を覆う無機材料からなる第１ガスバリア層をプラズマＣＶＤ法により形成する工程と、第１ガスバリア層に対して平面的に重なるように第２ガスバリア層をイオンプレーティング法により形成する工程とを備えた有機ＥＬ装置の製造方法が開示されている。この有機ＥＬ装置の製造方法では、発光領域に対応した開口を有する成膜用マスクを用いて、第１ガスバリア層、第２ガスバリア層が形成されている。つまり、上記接続用端子は、成膜用マスクによって覆われるので、接続用端子には上記封止層に相当する第１ガスバリア層及び第２ガスバリア層が形成されない。

特開２００２−１５１２５４号公報 特開２０１０−２４４６９６号公報

上記特許文献１の有機ＥＬ素子の製造方法によれば、予め電極接続部の表面を改質する工程が必要となるため、製造工程が複雑になるという課題があった。
また、上記特許文献２の有機ＥＬ装置の製造方法によれば、素子基板と成膜用マスクとが所定の位置でセットされないと、接続用端子に無機材料が付着してしまうおそれがある。それゆえに、接続用端子が設けられた部分が小さくなるほど、素子基板と成膜用マスクとの位置合わせが難しくなる。加えて、量産時には、成膜用マスクに付着した無機材料を除去する必要が生ずるので、成膜用マスクに耐久性が要求されるなどの課題があった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、基板上に配置された複数の有機ＥＬ素子と、接続用端子と、を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記複数の有機ＥＬ素子及び前記接続用端子とを覆って封止層を形成する工程と、前記封止層を覆う有機層を形成する工程と、前記有機層のうち前記接続用端子と重なる部分に前記封止層に至る開口部を形成するように前記有機層をパターニングする工程と、パターニング形成された前記有機層をマスクとして前記接続用端子の少なくとも一部が露出するように前記封止層をエッチングする工程と、を備えたことを特徴とする。

本適用例によれば、成膜用マスクを使わずに封止層を基板の全面に亘って形成することが可能となる。また、封止層のうち接続用端子と重なる部分は、封止層上にパターニング形成された有機層をマスクとしてエッチングすることによって除かれる。したがって、封止層のうち接続用端子と重なる部分を除くために、例えば専用のフォトレジストを塗布してパターニングする工程を用意する必要がなく、簡素な製造工程で接続用端子を利用可能な状態に露出させることができる。すなわち、高い生産性を有する有機ＥＬ装置の製造方法を提供することができる。

［適用例２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記封止層上に少なくとも赤、緑、青の着色層を含むカラーフィルターを有し、前記有機層は、少なくとも１色の前記着色層として形成されることを特徴とする。
この方法によれば、少なくとも３色の着色層を形成する工程で形成された少なくとも１色の着色層をマスクとして、接続用端子と重なる部分の封止層をエッチングして除去することができる。

［適用例３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記封止層上に少なくとも赤、緑、青の着色層を含むカラーフィルターを有し、前記有機層は、前記着色層を色ごとに区分する絶縁層として前記封止層上に形成されるとしてもよい。
この方法によれば、着色層を色ごとに区分する絶縁層としての有機層をマスクとして、接続用端子と重なる部分の封止層をエッチングして除去することができる。また、着色層は平面視で色ごとに有機層によって区分されるので、有機層がない場合に比べて、視角特性における混色などが改善された有機ＥＬ装置を製造することができる。

［適用例４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記複数の有機ＥＬ素子のうちの１つを含み、少なくとも赤、緑、青のそれぞれに対応して設けられるサブ画素と、異なる色の前記サブ画素を含んでなる画素と、前記封止層上に少なくとも赤、緑、青の着色層を含むカラーフィルターと、を有し、前記有機層は、前記着色層を色ごとに且つ前記サブ画素ごとに区分する絶縁層として前記封止層上に形成されることが好ましい。
この方法によれば、有機層は、平面視でサブ画素を区画する絶縁層として機能するので、有機層がない場合に比べて、視角特性における混色などがより改善された有機ＥＬ装置を製造することができる。

［適用例５］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記封止層をエッチングする工程では、前記カラーフィルターに対して保護部材を対向配置させた状態で、前記封止層を異方性エッチングすることが好ましい。
この方法によれば、異方性エッチングによってカラーフィルターにダメージを与えることなく、接続用端子と重なる部分の封止層を精度よくエッチングして除去することができる。

［適用例６］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記カラーフィルターに対して透明樹脂層を介して対向基板を配置する工程を有し、前記封止層をエッチングする工程では、前記対向基板を介して前記封止層をエッチングすることが好ましい。
この方法によれば、カラーフィルターを保護する対向基板を利用して、エッチングによってカラーフィルターにダメージを与えることなく、接続用端子と重なる部分の封止層をエッチングして除去することができる。

［適用例７］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記封止層上に少なくとも赤、緑、青の着色層を含むカラーフィルターを有し、前記有機層は、前記カラーフィルターを覆うオーバーコート層であるとしてもよい。
この方法によれば、カラーフィルターを覆うオーバーコート層をマスクとして、接続用端子と重なる部分の封止層をエッチングして除去することができる。

［適用例８］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記有機層をパターニングする工程では、複数の前記接続用端子に亘って開口するように前記開口部を形成するとしてもよい。
この方法によれば、高い位置精度が要求されることなく、開口部を形成することができる。また、複数の接続用端子の配置ピッチが小さくなっても、複数の接続用端子を容易に露出させることができる。

［適用例９］本適用例の有機ＥＬ装置は、基板上に配置された複数の有機ＥＬ素子と、接続用端子と、前記複数の有機ＥＬ素子及び複数の前記接続用端子を覆う封止層と、前記封止層を覆う有機層と、前記有機層及び前記封止層を貫通し、前記接続用端子の少なくとも一部を露出させる開口部と、を備えたことを特徴とする。

本適用例によれば、封止層や有機層の影響を受けることなく、高い接続信頼性を有する有機ＥＬ装置を提供することができる。

［適用例１０］上記適用例に係る有機ＥＬ装置は、前記封止層上において、前記複数の有機ＥＬ素子に対応して配置された、少なくとも赤、緑、青の着色層を含むカラーフィルターを備え、前記有機層は、前記カラーフィルターのうち少なくとも１色の前記着色層であることを特徴とする。
この構成によれば、有機層として特別な構成を設けることなく、少なくとも１色の着色層を利用して、高い接続信頼性と優れた表示品質とを有する有機ＥＬ装置を提供できる。

［適用例１１］上記適用例に係る有機ＥＬ装置は、前記封止層上において、前記複数の有機ＥＬ素子に対応して配置された、少なくとも赤、緑、青の着色層を含むカラーフィルターを備え、前記有機層は、前記着色層を色ごとに区分する絶縁層であることを特徴とする。
この構成によれば、高い接続信頼性に加えて、視角特性において混色などが改善された有機ＥＬ装置を提供することができる。

［適用例１２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置は、前記封止層上において、前記複数の有機ＥＬ素子に対応して配置された、少なくとも赤、緑、青の着色層を含むカラーフィルターを備え、前記有機層は、前記カラーフィルターを覆うオーバーコート層であるとしてもよい。
この構成によれば、高い接続信頼性に加えて、優れた耐久品質を有する有機ＥＬ装置を提供することができる。

［適用例１３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記開口部は、複数の前記接続用端子ごとに設けられているとしてもよい。
この構成によれば、接続用端子間の絶縁性を高めることができる。

［適用例１４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記開口部は、前記開口部内に複数の前記接続用端子が露出するように設けられているとしてもよい。
この構成によれば、開口部に求められる形成精度を低くすることができる。

［適用例１５］本適用例の電子機器は、上記適用例に記載の有機ＥＬ装置の製造方法を用いて形成された有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、高い接続信頼性とコストパフォーマンスとが実現された電子機器を提供することができる。

［適用例１６］本適用例の電子機器は、上記適用例に記載の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、高い接続信頼性が実現された電子機器を提供することができる。

第１実施形態の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。 第１実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。 第１実施形態における画素の配置を示す概略平面図。 図３のＡ−Ａ’線に沿った有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図。 図２のＨ−Ｈ’線に沿った有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図。 第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。 （ａ）〜（ｄ）は第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。 （ｅ）〜（ｆ）は第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。 端子部における接続用端子と開口部との関係を示す概略平面図。 （ａ）は複数の素子基板が面付けされたマザー基板を示す概略平面図、（ｂ）は面付けされた状態の素子基板を示す概略拡大平面図。 （ａ）及び（ｂ）はマザー基板のスクライブ後の端子部の構造を示す概略断面図。 （ａ）及び（ｂ）は第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。 第３実施形態における有機ＥＬ装置の画素の構成を示す概略平面図。 図１３のＡ−Ａ’線で切った第３実施形態の有機ＥＬ装置の画素の構造を示す概略断面図。 第３実施形態の有機ＥＬ装置の端子部周辺の構造を示す概略断面図。 第４実施形態の有機ＥＬ装置の画素の構造を示す概略断面図。 第４実施形態の有機ＥＬ装置の端子部周辺の構造を示す概略断面図。 電子機器としてのヘッドマウントディスプレイを示す概略図。 変形例の開口部と接続用端子との配置を示す概略平面図。 変形例の絶縁層を示す概略図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図、（ｃ）は（ａ）のＣ−Ｃ’線に沿った概略断面図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。

（第１実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
まず、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置について、図１〜図３を参照して説明する。図１は第１実施形態の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図、図２は第１実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図、図３は第１実施形態における画素の配置を示す概略平面図である。

図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、互いに交差する複数の走査線１２及び複数のデータ線１３と、複数のデータ線１３のそれぞれに対して並列する複数の電源線１４とを有している。複数の走査線１２が接続される走査線駆動回路１６と、複数のデータ線１３が接続されるデータ線駆動回路１５とを有している。また、複数の走査線１２と複数のデータ線１３との各交差部に対応してマトリックス状に配置された複数のサブ画素１８を有している。

サブ画素１８は、発光素子である有機ＥＬ素子３０と、有機ＥＬ素子３０の駆動を制御する画素回路２０とを有している。

有機ＥＬ素子３０は、陽極として機能する画素電極３１と、陰極として機能する対向電極３３と、画素電極３１と対向電極３３との間に設けられた有機発光層を含む機能層３２とを有している。このような有機ＥＬ素子３０は電気的にダイオードとして表記することができる。

画素回路２０は、スイッチング用トランジスター２１と、蓄積容量２２と、駆動用トランジスター２３とを含んでいる。２つのトランジスター２１，２３は、例えばｎチャネル型もしくはｐチャネル型の薄膜トランジスター（ＴＦＴ；Thin Film transistor）やＭＯＳトランジスターを用いて構成することができる。

スイッチング用トランジスター２１のゲートは走査線１２に接続され、ソースまたはドレインのうち一方がデータ線１３に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が駆動用トランジスター２３のゲートに接続されている。
駆動用トランジスター２３のソースまたはドレインのうち一方が有機ＥＬ素子３０の画素電極３１に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が電源線１４に接続されている。
駆動用トランジスター２３のゲートと電源線１４との間に蓄積容量２２が接続されている。

走査線１２が駆動されてスイッチング用トランジスター２１がオン状態になると、そのときにデータ線１３から供給される画像信号に基づく電位がスイッチング用トランジスター２１を介して蓄積容量２２に保持される。該蓄積容量２２の電位すなわち駆動用トランジスター２３のゲート電位に応じて、駆動用トランジスター２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用トランジスター２３がオン状態になると、電源線１４から駆動用トランジスター２３を介して画素電極３１と対向電極３３とに挟まれた機能層３２にゲート電位に応じた量の電流が流れる。有機ＥＬ素子３０は、機能層３２を流れる電流量に応じて発光する。

なお、画素回路２０の構成は、これに限定されない。例えば、画素電極３１と駆動用トランジスター２３との間に設けられ、画素電極３１と駆動用トランジスター２３との間の導通を制御する発光制御用トランジスターを備えていてもよい。

図２に示すように、有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０と、素子基板１０に対向配置された対向基板４１とを有している。素子基板１０には、表示領域Ｅ１（図中、破線で表示）と、表示領域Ｅ１の外側にダミー領域Ｅ２（図中、二点鎖線で表示）とが設けられている。ダミー領域Ｅ２の外側は非表示領域である。

表示領域Ｅ１には、サブ画素１８がマトリックス状に配置されている。サブ画素１８は、前述したように発光素子である有機ＥＬ素子３０を備えており、スイッチング用トランジスター２１及び駆動用トランジスター２３の動作に伴って、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のうちいずれかの色の発光が得られる構成となっている。

本実施形態では、同色の発光が得られるサブ画素１８が第１の方向に配列し、異なる色の発光が得られるサブ画素１８が第１の方向に対して交差（直交）する第２の方向に配列した、所謂ストライプ方式のサブ画素１８の配置となっている。以降、上記第１の方向をＹ方向とし、上記第２の方向をＸ方向として説明する。なお、素子基板１０におけるサブ画素１８の配置はストライプ方式に限定されず、モザイク方式、デルタ方式であってもよい。

ダミー領域Ｅ２には、主として各サブ画素１８の有機ＥＬ素子３０を発光させるための周辺回路が設けられている。例えば、図２に示すように、Ｘ方向において表示領域Ｅ１を挟んだ位置にＹ方向に延在して一対の走査線駆動回路１６が設けられている。一対の走査線駆動回路１６の間で表示領域Ｅ１に沿った位置に検査回路１７が設けられている。

素子基板１０には、一対の走査線駆動回路１６に沿ったＹ方向と検査回路１７に沿ったＸ方向とに延在して、ダミー領域Ｅ２を囲むように配置された配線層２９を有している。有機ＥＬ素子３０の対向電極３３は、複数の有機ＥＬ素子３０すなわち複数のサブ画素１８に亘って共通陰極として形成されている。また、対向電極３３は、表示領域Ｅ１から非表示領域に至るように形成され、非表示領域において上記配線層２９と電気的に接続されている。

素子基板１０は、対向基板４１よりも大きく、対向基板４１からＹ方向にはみ出た一辺部（図中の下方の基板１０の端部とダミー領域Ｅ２との間の辺部；以降、端子部１１ｔと呼ぶ）に、外部駆動回路との電気的な接続を図るための複数の接続用端子１０１がＸ方向に配列している。複数の接続用端子１０１には、フレキシブル回路基板（ＦＰＣ）１０５が接続されている。ＦＰＣ１０５には、駆動用ＩＣ１１０が実装されている。駆動用ＩＣ１１０は前述したデータ線駆動回路１５を含むものである。ＦＰＣ１０５は、駆動用ＩＣ１１０の入力側に配線を介して接続される入力端子１０２と、駆動用ＩＣ１１０の出力側に配線を介して接続される出力端子（図示省略）とを有している。素子基板１０側のデータ線１３や電源線１４は、接続用端子１０１及びＦＰＣ１０５を介して駆動用ＩＣ１１０に電気的に接続されている。走査線駆動回路１６や検査回路１７に接続された配線は、接続用端子１０１とＦＰＣ１０５を介して駆動用ＩＣ１１０に電気的に接続されている。共通陰極としての対向電極３３もまた配線層２９及び接続用端子１０１、並びにＦＰＣ１０５を介して駆動用ＩＣ１１０に電気的に接続されている。したがって、端子部１１ｔに配列した複数の接続用端子１０１のいずれかに、駆動用ＩＣ１１０からの制御信号や駆動用電位（ＶＤＤ）などが供給される。素子基板１０側の複数の接続用端子１０１とＦＰＣ１０５側の出力端子とを電気的に接続する方法は、公知の方法を用いることができ、例えば熱可塑性の異方性導電フィルムを用いる方法や熱硬化型の異方性接着剤を用いる方法が挙げられる。

次に、図３を参照してサブ画素１８の構成とその平面的な配置について説明する。本実施形態における有機ＥＬ装置１００は、白色発光が得られる有機ＥＬ素子３０と、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の着色層を含むカラーフィルター３６とを組み合わせて構成されている。

図３に示すように、赤（Ｒ）の発光が得られるサブ画素１８Ｒ、緑（Ｇ）の発光が得られるサブ画素１８Ｇ、青（Ｂ）の発光が得られるサブ画素１８ＢがＸ方向に順に配列している。同色の発光が得られるサブ画素１８はＹ方向に配列している。Ｘ方向に配列した３つのサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを１つの画素１９として表示がなされる構成になっている。

本実施形態において、Ｘ方向におけるサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの配置ピッチは５μｍ未満である。Ｘ方向に０．５μｍ〜１．０μｍの間隔を置いてサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂが配置されている。Ｙ方向におけるサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの配置ピッチはおよそ１０μｍ未満である。

サブ画素１８における画素電極３１は略矩形状であって、長手方向がＹ方向に沿って配置されている。画素電極３１を発光色に対応させて画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂと呼ぶこともある。各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂの外縁を覆って絶縁性の隔壁２８が形成されている。これによって、各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ上に開口部２８ａが形成され、隔壁２８に設けられた開口部２８ａ内において画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂのそれぞれが機能層３２と接することとなる。開口部２８ａの平面形状もまた略矩形状となっている。なお、略矩形状とは、長方形、長方形の角部が丸くなった形状、長方形の短辺側が円弧になった形状などを含むものである。
カラーフィルター３６の赤（Ｒ）の着色層３６Ｒは、Ｙ方向に配列する複数の画素電極３１Ｒと重なるように形成されている。緑（Ｇ）の着色層３６Ｇは、Ｙ方向に配列する複数の画素電極３１Ｇと重なるように形成されている。青（Ｂ）の着色層３６Ｂは、Ｙ方向に配列する複数の画素電極３１Ｂと重なるように形成されている。つまり、異なる色の着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂは、Ｙ方向に延在してストライプ状に形成され、且つＸ方向に互いに接して形成されている。

次に、有機ＥＬ装置１００の構造について、図４及び図５を参照して説明する。図４は図３のＡ−Ａ’線に沿った有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図、図５は図２のＨ−Ｈ’線に沿った有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図である。図４は表示領域Ｅ１におけるサブ画素１８の構造を示し、図５は端子部１１ｔの構造を示すものである。

図４に示すように、有機ＥＬ装置１００は、基材１１と、基材１１上に順に形成された、画素回路２０と、有機ＥＬ素子３０と、複数の有機ＥＬ素子３０を封止する封止層３４と、カラーフィルター３６とを含む素子基板１０を備えている。また、素子基板１０に対して対向配置された対向基板４１を備えている。
対向基板４１は、例えばガラスなどの透明基板からなり、素子基板１０において封止層３４上に形成されたカラーフィルター３６を保護すべく、透明樹脂層４２を介して素子基板１０に対向配置されている。
サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの機能層３２からの発光は、後述する反射層２５で反射されると共に、カラーフィルター３６を透過して対向基板４１側から取り出される。すなわち、有機ＥＬ装置１００はトップエミッション型の発光装置である。

基材１１は、有機ＥＬ装置１００がトップエミッション型のため、ガラスなどの透明基板や、シリコンやセラミックスなどの不透明な基板を用いることができる。以降、画素回路２０に薄膜トランジスターを用いた場合を例に説明する。
基材１１の表面を覆って第１絶縁膜１１ａが形成される。画素回路２０における例えば駆動用トランジスター２３の半導体層２３ａが第１絶縁膜１１ａ上に形成される。半導体層２３ａを覆ってゲート絶縁膜として機能する第２絶縁膜１１ｂが形成される。第２絶縁膜１１ｂを介して半導体層２３ａのチャネル領域と対向する位置にゲート電極２３ｇが形成される。ゲート電極２３ｇを覆って第１層間絶縁膜２４が３００ｎｍ〜２μｍの膜厚で形成される。第１層間絶縁膜２４は、画素回路２０の駆動用トランジスター２３などを覆うことによって生じた表面の凹凸を無くすように平坦化処理が施される。半導体層２３ａのソース領域２３ｓとドレイン領域２３ｄとにそれぞれ対応して、第２絶縁膜１１ｂと第１層間絶縁膜２４とを貫通するコンタクトホールが形成される。これらのコンタクトホールを埋めるようにして導電膜が形成され、パターニングされて駆動用トランジスター２３に接続される電極や配線が形成される。また、上記導電膜は、光反射性の例えばアルミニウム、あるいはアルミニムとＡｇ（銀）やＣｕ（銅）との合金などを用いて形成され、これをパターニングすることによって、サブ画素１８ごとに独立した反射層２５が形成される。図４では図示を省略したが、画素回路２０におけるスイッチング用トランジスター２１や蓄積容量２２も基材１１上に形成される。
反射層２５と第１層間絶縁膜２４とを覆って１０ｎｍ〜２μｍの膜厚で第２層間絶縁膜２６が形成される。また、後に画素電極３１と駆動用トランジスター２３とを電気的に接続させるためのコンタクトホールが第２層間絶縁膜２６を貫通して形成される。第１絶縁膜１１ａ、第２絶縁膜１１ｂ、第１層間絶縁膜２４、第２層間絶縁膜２６を構成する材料としては、例えばシリコンの酸化物や窒化物、あるいはシリコンの酸窒化物を用いることができる。

第２層間絶縁膜２６に形成されたコンタクトホールを埋めるように、第２層間絶縁膜２６を覆って導電膜が成膜され、この導電膜をパターニングすることによって画素電極３１（３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ）が形成される。画素電極３１（３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ）は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜を用いて形成される。なお、サブ画素１８ごとに反射層２５を設けない場合は、画素電極３１（３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ）を光反射性を有するアルミニムやその合金を用いて形成してもよい。

各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂの外縁部を覆って隔壁２８が形成される。これによって画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ上に開口部２８ａが形成される。隔壁２８は例えばアクリル系の感光性樹脂を用いて、１μｍ程度の高さで各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂをそれぞれ区画するように形成される。
なお、本実施形態では、各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂを互いに絶縁状態とするために感光性樹脂からなる隔壁２８を形成したが、酸化シリコンなどの無機絶縁材料を用いて各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂを区画してもよい。

機能層３２は、各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂに接するように、真空蒸着法やイオンプレーティング法などの気相プロセスを用いて形成され、隔壁２８の表面も機能層３２で覆われる。なお、機能層３２は隔壁２８のすべての表面を覆う必要はなく、隔壁２８で区画された領域に機能層３２が形成されればよいので、隔壁２８の頭頂部は機能層３２で覆われる必要はない。

機能層３２は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層を有する。本実施形態では、画素電極３１に対して、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層をそれぞれ気相プロセスを用いて成膜し、順に積層することによって機能層３２が形成されている。なお、機能層３２の層構成は、これに限定されず、キャリアである正孔や電子の移動を制御する中間層を含んでいてもよい。
有機発光層は、白色発光が得られる構成であればよく、例えば、赤色の発光が得られる有機発光層と、緑色の発光が得られる有機発光層と、青色の発光が得られる有機発光層とを組み合わせた構成を採用することができる。

機能層３２を覆って共通陰極としての対向電極３３が形成される。対向電極３３は、例えばＭｇとＡｇとの合金を光透過性と光反射性とが得られる程度の膜厚（例えば１０ｎｍ〜３０ｎｍ）で成膜することによって形成される。これによって、複数の有機ＥＬ素子３０ができあがる。

対向電極３３を光透過性と光反射性とを有する状態に形成することによって、サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂごとの反射層２５と対向電極３３との間で光共振器を構成してもよい。光共振器は、サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂごとに、反射層２５と対向電極３３との間の光学的距離を異ならせることにより、特定の共振波長の光が取り出されるものである。これによって、各サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂからの発光の色純度を高めることができる。上記光学的距離は、光共振器を構成する反射層２５と対向電極３３との間に挟まれた各種の機能膜の屈折率と膜厚との積の合計として求められる。したがって、上記光学的距離をサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂごとに異ならせる方法としては、画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂの膜厚を異ならせる方法や、反射層２５と画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂとの間の第２層間絶縁膜２６の膜厚を異ならせる方法がある。

次に、水や酸素などが浸入しないように複数の有機ＥＬ素子３０を覆う封止層３４が形成される。本実施形態の封止層３４は、対向電極３３側から順に、第１封止層３４ａ、緩衝層３４ｂ、第２封止層３４ｃが積層されたものである。
第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃとしては、光透過性を有すると共に優れたガスバリア性を有する無機材料である例えば酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などを用いることが好ましい。

第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃの形成方法としては、真空蒸着法やスパッタ法を挙げることができる。第１封止層３４ａや第２封止層３４ｃの膜厚を厚くすることで高いガスバリア性を実現できるが、その一方で膨張や収縮によってクラックが生じ易い。したがって、２００ｎｍ〜４００ｎｍ程度の膜厚に制御することが好ましく、本実施形態では緩衝層３４ｂを挟んで第１封止層３４ａと第２封止層３４ｃとを重ねることで高いガスバリア性を実現している。

緩衝層３４ｂは、熱安定性に優れた例えばエポキシ系樹脂や塗布型の無機材料（酸化シリコンなど）を用いて形成することができる。また、緩衝層３４ｂをスクリーンなどの印刷法や定量吐出法などにより塗布形成すれば、緩衝層３４ｂの表面を平坦化することができる。つまり、緩衝層３４ｂは第１封止層３４ａの表面の凹凸を緩和する平坦化層としても機能させることができる。緩衝層３４ｂの厚みは、１μｍ〜５μｍである。

封止層３４上には、各色のサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂに対応した着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂが形成される。着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂを含むカラーフィルター３６の形成方法としては、色材を含む感光性樹脂材料を塗布して感光性樹脂層を形成し、これをフォトリソグラフィー法で露光・現像して形成する方法が挙げられる。着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの膜厚は、どの色も同じでもよいし、少なくとも１色を他の色と異ならせてもよい。

素子基板１０と対向基板４１とは、間隔を置いて対向配置され、当該間隔に透明樹脂材料が充填されて透明樹脂層４２が構成される。透明樹脂材料としては、例えばウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ポリオレフィン系などの樹脂材料を挙げることができる。透明樹脂層４２の厚みは１０μｍ〜１００μｍである。

次に、図５を参照して、素子基板１０の端子部１１ｔとその周辺の構造について説明する。図５に示すように、接続用端子１０１は、素子基板１０の端子部１１ｔにおいて、画素電極３１と同様に、第２層間絶縁膜２６上に形成されている。また、第２層間絶縁膜２６に形成されたコンタクトホール２６ａ内の導電膜を介して、第１層間絶縁膜２４上に形成された配線層１０３と接続されている。図５には、基材１１上における画素回路２０や画素回路２０に接続される信号配線、走査線駆動回路１６などの周辺回路の構成について図示を省略しているが、複数の接続用端子１０１のそれぞれは、これらの回路や信号配線に対して配線層１０３を通じて電気的に接続されている。
配線層１０３は、第１層間絶縁膜２４上に形成された導電膜を利用して、反射層２５と一緒にパターニングされていることが好ましいが、反射層２５と異なる構成材料で形成されていてもよい。
また、接続用端子１０１は、第２層間絶縁膜２６上に形成された導電膜を利用して、画素電極３１と一緒にパターニングされていることが好ましいが、画素電極３１と異なる構成材料で形成されていてもよい。

素子基板１０の端子部１１ｔには、第１封止層３４ａ、第２封止層３４ｃ、着色層３６Ｇ、着色層３６Ｂ、着色層３６Ｒが順に積層形成され、接続用端子１０１上において、これらの層を貫通する開口部４５が形成されている。接続用端子１０１上の少なくとも一部にはこれらの層が形成されておらず、開口部４５内において接続用端子１０１が露出している。
言い換えれば、封止層３４のうち、無機材料からなる第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃは、表示領域Ｅ１（図２参照）において複数の有機ＥＬ素子３０を覆うように形成されるだけでなく、端子部１１ｔを覆うように形成される。カラーフィルター３６は、サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂに対応して、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、赤（Ｒ）の順に、着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂが形成され、いずれの着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂも表示領域Ｅ１だけでなく端子部１１ｔを覆うように形成される。そして、第１封止層３４ａ、第２封止層３４ｃ、着色層３６Ｇ、着色層３６Ｂ、着色層３６Ｒを貫通するように開口部４５が形成される。つまり、本発明の有機層に相当する１つ例がカラーフィルター３６である。
３つの着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂは、端子部１１ｔの素子基板１０の周縁側の外縁からダミー領域Ｅ２（図２参照）と表示領域Ｅ１の境界部分の隔壁２８に至るように形成されており、当該隔壁２８と重なった着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂは、透明樹脂層４２を介して対向基板４１によって保護されている。

このような端子部１１ｔとその周辺の構造とすることにより、接続用端子１０１は開口部４５内で露出して、ＦＰＣ１０５との電気的な接続が可能となる。また、素子基板１０側において、カラーフィルター３６を表示領域Ｅ１の範囲内だけに形成すると、カラーフィルター３６が形成された部分と形成されていない部分とで、透明樹脂層４２を構成する透明樹脂材料に対する濡れ性が変わる。そうすると、素子基板１０と対向基板４１とを透明樹脂層４２を介して対向配置する際に透明樹脂材料の塗布むらが生じて、対向基板４１から透明樹脂材料が過剰にはみ出たり、素子基板１０と対向基板４１との間に空隙が生じたりする不具合が発生するおそれがある。本実施形態では、カラーフィルター３６が表示領域Ｅ１から端子部１１ｔの外縁まで連続的に形成されている。そしてカラーフィルター３６と透明樹脂層４２が接する面積よりもカラーフィルター３６が配置される面積の方が広くなっている。換言すれば透明樹脂層４２の端部と基材１１の外縁との間にカラーフィルター３６の端部が位置するようになっているので、上述した不具合が生じ難くなる。

対向基板４１から透明樹脂材料が過剰にはみ出ることが無くなれば、透明樹脂材料のはみ出しを考慮した寸法公差を、端子部１１ｔの設計上において考慮する必要がなくなるので、表示領域Ｅ１の大きさを変えずにより小型な有機ＥＬ装置１００を提供あるいは製造することができる。

＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法について図６〜図９を参照して、本発明の特徴部分である接続用端子１０１を露出させる開口部４５の形成方法を詳しく説明する。図６は有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート、図７（ａ）〜（ｄ）及び図８（ｅ）〜（ｆ）は有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図、図９は端子部における接続用端子と開口部との関係を示す概略平面図である。なお、図７及び図８は図５に対応した断面図である。

図６に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法は、封止層形成工程（ステップＳ１）と、カラーフィルター形成工程（ステップＳ２）と、封止層エッチング工程（ステップＳ３）と、基板貼り合わせ工程（ステップＳ４）とを含んでいる。
なお、基材１１上に画素回路２０、周辺回路、信号配線、反射層２５、有機ＥＬ素子３０などを形成する方法は、公知の方法を採用することができる。

図６の封止層形成工程（ステップＳ１）では、図７（ａ）に示すように、まず、対向電極３３と端子部１１ｔとを覆う第１封止層３４ａを形成する。第１封止層３４ａを形成する方法としては、例えばシリコンの酸窒化物（ＳｉＯＮ）を真空蒸着する方法が挙げられる。第１封止層３４ａの膜厚はおよそ２００ｎｍ〜４００ｎｍである。次に、第１封止層３４ａを覆う緩衝層３４ｂを形成する。緩衝層３４ｂの形成方法としては、例えば、透明性を有するエポキシ樹脂と、エポキシ樹脂の溶媒とを含む溶液を用い、印刷法や定量吐出法で該溶液を塗布して乾燥することにより、エポキシ樹脂からなる緩衝層３４ｂを形成する。緩衝層３４ｂの膜厚は１μｍ〜５μｍが好ましく、この場合、３μｍとした。
なお、緩衝層３４ｂは、エポキシ樹脂などの有機材料を用いて形成することに限定されず、前述したように、塗布型の無機材料を印刷法により塗布し、これを乾燥・焼成することによって、緩衝層３４ｂとして膜厚がおよそ３μｍの酸化シリコン膜を形成してもよい。
続いて、緩衝層３４ｂを覆う第２封止層３４ｃを形成する。第２封止層３４ｃの形成方法は、第１封止層３４ａと同じであって、例えばシリコンの酸窒化物（ＳｉＯＮ）を真空蒸着する方法が挙げられる。第２封止層３４ｃの膜厚もおよそ２００ｎｍ〜４００ｎｍである。そして、ステップＳ２へ進む。

図６のカラーフィルター形成工程（ステップＳ２）では、まず、図７（ｂ）に示すように、緑の色材を含む感光性樹脂をスピンコート法で塗布して乾燥することにより感光性樹脂層を形成して、感光性樹脂層を露光・現像することにより、緑（Ｇ）の着色層３６Ｇを形成する。感光性樹脂層は端子部１１ｔを覆って形成され、着色層３６Ｇを形成するパターニング（露光・現像）と同時に、端子部１１ｔにおける接続用端子１０１と重なる部分に開口が形成されるようにパターニング（露光・現像）される。
続いて、図７（ｃ）に示すように、青（Ｂ）の着色層３６Ｂを形成する。着色層３６Ｂは、着色層３６Ｇと同様に形成され、端子部１１ｔにおける接続用端子１０１と重なる部分に開口が形成されるようにパターニング（露光・現像）される。また基材１１の端子部１１ｔと表示領域Ｅ１の一部を含む断面において、着色層３６Ｂの端子部１１ｔ側と反対側の端部（表示領域Ｅ１側の端部）が表示領域Ｅ１とダミー領域Ｅ２の境界部分に位置する隔壁２８と重なるようにパターニング（露光・現像）される。
そして、図７（ｄ）に示すように、赤（Ｒ）の着色層３６Ｒを形成する。着色層３６Ｒは、着色層３６Ｂと同様に形成され、端子部１１ｔにおける接続用端子１０１と重なる部分に開口を有すると共に、着色層３６Ｒの端子部１１ｔ側と反対側の端部（表示領域Ｅ１側の端部）が表示領域Ｅ１とダミー領域Ｅ２の境界部分に位置する隔壁２８と重なるようにパターニング（露光・現像）される。これにより、接続用端子１０１を覆う第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃの部分に、着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂをパターニングすることによって得られた開口部４５が形成される。
開口部４５は、図９に示すように、端子部１１ｔに配列した複数の接続用端子１０１が開口部４５内に含まれるように形成される。そして、ステップＳ３へ進む。

図６の封止層エッチング工程（ステップＳ３）では、図８（ｅ）に示すように、開口部４５を有する着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂ（カラーフィルター３６）をマスクとして、開口部４５内の第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃをエッチングして、接続用端子１０１を露出させる。酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機膜からなる第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃを開口部４５内において選択的にエッチングする方法として、ＣＨＦ₃（三フッ化メタン）やＣＦ₄（四フッ化炭素）などのフッ素系処理ガスを用いたドライエッチングが挙げられる。端子部１１ｔでは、３つの着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂが重なっているが、表示領域Ｅ１では、着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂはそれぞれ単層である。したがって、表示領域Ｅ１と重なるように保護部材としてのメタルマスク５１を配置してドライエッチングすることが好ましい。これにより、ドライエッチングによって表示領域Ｅ１の着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂが損傷することを防ぐことができる。

なお、フッ素系処理ガスとして、ＣＨＦ₃を用いた場合には、ＣＦ₄に比べて、ＳｉＯＮ膜とカラーフィルター３６とのドライエッチングにおける選択比が良好となるため、メタルマスク５１を不要とすることができる。また、無機膜と有機層（本実施形態ではカラーフィルター３６）とのドライエッチングにおける選択比を確保可能なフッ素系処理ガスとしては、Ｃ₄Ｆ₈（パーフルオロシクロブタン）、Ｏ₂（酸素）、ＣＯ（一酸化炭素）、Ａｒ（アルゴン）の混合ガスを採用してもよい。

開口部４５内の第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃをエッチングする方法としては、ドライエッチングなどの異方性エッチングに限定されず、等方性エッチングであるウェットエッチングを用いてもよい。エッチング液としては、ＮＨ₄Ｆ（フッ化アンモニウム）と、ＨＦ（フッ化水素）とを含む水溶液が挙げられる。このような水溶液を用いれば、無機膜と有機層とのエッチングにおける選択比を確保できるとされている。そして、ステップＳ４へ進む。

図６の基板貼り合わせ工程（ステップＳ４）では、図８（ｆ）に示すように、カラーフィルター３６を覆うように接着性を有する透明樹脂材料を塗布する。そして、透明樹脂材料が塗布された基材１１に対して対向基板４１を所定の位置に対向配置して、例えば対向基板４１を基材１１側に押圧する。これにより、透明樹脂材料からなる透明樹脂層４２を介して素子基板１０と対向基板４１とを貼り合わせる。透明樹脂材料は、例えば熱硬化型のエポキシ樹脂である。透明樹脂層４２の厚みはおよそ１０μｍ〜１００μｍである。

この後に、図２に示すように、素子基板１０の端子部１１ｔにＦＰＣ１０５を実装して、有機ＥＬ装置１００が完成する。

上記有機ＥＬ装置１００の製造方法は、１つの有機ＥＬ装置１００を単位として説明したが、実際には、有機ＥＬ装置１００における有機ＥＬパネル（ＦＰＣ１０５が実装される前の状態）を複数同時に形成することが考えられる。以降、マザー基板を用いた例について説明する。
図１０（ａ）は複数の素子基板が面付けされたマザー基板を示す概略平面図、図１０（ｂ）は面付けされた状態の素子基板を示す概略拡大平面図、図１１（ａ）及び（ｂ）はマザー基板のスクライブ後の端子部の構造を示す概略断面図である。

本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、トップエミッション型であることから、前述したように、素子基板１０の基材１１は、透明な石英基板や、不透明な例えばシリコン基板を用いることができる。図１０（ａ）に示すように、マザー基板１１Ｗは、ウェハー状の例えば石英基板であって、外周の一部が切り欠かれたオリフラを有し、オリフラを基準として、Ｘ方向とＹ方向とに複数の基材１１が面付けされた状態で複数の素子基板１０が形成される。複数の有機ＥＬ素子３０、封止層３４、カラーフィルター３６ができあがった状態の素子基板１０のそれぞれに対して、上記基板貼り合わせ工程（ステップＳ４）では、透明樹脂材料を塗布して対向基板４１を貼り合わせる。その後に、素子基板１０間の仮想のスクライブラインＳＬに沿って、マザー基板１１Ｗを切断することにより、個々の有機ＥＬパネルを取り出す。切断方法としては、超硬チップやダイヤモンドチップを使ったスジ入れスクライブ法やダイヤモンドブレードを使ったダイシング法が挙げられる。

封止層３４のうちの第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃと、カラーフィルター３６とをマザー基板１１Ｗの全面に亘って形成すると、マザー基板１１Ｗの切断後に、スクライブラインＳＬに沿った部分の第１封止層３４ａ、第２封止層３４ｃ、カラーフィルター３６（着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂ）にクラックや剥がれが生ずるおそれがある。そうすると、クラックや剥がれが生じた部分から水分や酸素が機能層３２に浸入して、ダークスポットが生ずる可能性がある。
そこで、上記カラーフィルター形成工程（ステップＳ２）では、図１０（ｂ）に示すように、複数の接続用端子１０１と重なる部分のカラーフィルター３６（着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂ）に開口部４５を形成すると同時に、スクライブラインＳＬに沿った部分を除去してスリット部４６を形成する。上記封止層エッチング工程（ステップＳ３）では、開口部４５内とスリット部４６内の第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃをエッチングして除去する。このような方法によれば、マザー基板１１Ｗをスクライブ（切断・分割）しても、図１１（ａ）に示すように、カラーフィルター３６（着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂ）は、素子基板１０（基材１１）の外縁つまり切断面に掛からないようにパターニングされているので、第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃ、並びにカラーフィルター３６（着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂ）にクラックや剥がれが生ずることを低減することができる。

また、上記のようなカラーフィルター３６のパターニング方法に限定されず、例えばスリット部４６と開口部４５とを合体させて、開口部４５がスリット部４６に含まれるようにカラーフィルター３６をパターニングして、第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃをエッチングしてもよい。このようにすれば、図１１（ｂ）に示すように、端子部１１ｔにおける第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃ並びにカラーフィルター３６の端部（開口部４５（スリット部４６）の内壁に相当）を基材１１の切断面から遠ざけることができる。言い換えれば、有機層としてのカラーフィルター３６は接続用端子１０１を露出させることができれば、接続用端子１０１を囲むようにパターニングしなくてもよい。

なお、マザー基板を用いた有機ＥＬパネルの製造方法は、素子基板１０側だけに限定されない。すなわち、素子基板１０が面付けされたマザー基板１１Ｗと、対向基板４１が面付けされたマザー基板とを貼り合わせて、切断する方法にも適用できる。

上記第１実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）有機ＥＬ装置１００とその製造方法によれば、封止層３４上の本発明における有機層としてカラーフィルター３６は、端子部１１ｔを覆うように形成され、且つ複数の接続用端子１０１と重なる部分に着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂを貫通する開口部４５が形成される。カラーフィルター３６をマスクとしてドライエッチングを行い、開口部４５内の第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃが除去されて、開口部４５内に複数の接続用端子１０１が露出する。したがって、複数の接続用端子１０１を露出させる目的のためだけに、専用のレジストパターンを形成し、ドライエッチング後に当該レジストパターンを除去する等の特別な工程が不要となる。つまり、高い生産性を有する有機ＥＬ装置１００及びその製造方法を提供することができる。
また、複数の接続用端子１０１と重なる部分の第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃをドライエッチングして、開口部４５内において複数の接続用端子１０１を確実に露出させることができるので、複数の接続用端子１０１とＦＰＣ１０５との電気的な接続において高い信頼性を実現できる。
（２）封止層エッチング工程（ステップＳ３）では、ドライエッチング時に、表示領域Ｅ１を覆う保護部材としてのメタルマスク５１を用いるので、表示領域Ｅ１のカラーフィルター３６がドライエッチングによって損傷することを防ぐことができる。
（３）マザー基板１１Ｗを用いて、有機ＥＬ装置１００を構成する有機ＥＬパネルを形成するときには、カラーフィルター形成工程（ステップＳ２）において、複数の接続用端子１０１に重なる開口部４５だけでなく、スクライブラインＳＬに沿ったスリット部４６も形成する。したがって、マザー基板１１Ｗを切断する前に、スクライブラインＳＬに沿った部分の第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃが除去されるので、マザー基板１１Ｗの切断において、素子基板１０の外縁側の第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃにクラックや剥がれが生ずることを低減することができる。

（第２実施形態）
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、第２実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法について、図１２を参照して説明する。図１２（ａ）及び（ｂ）は第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図である。第２実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法は、基本的に上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法と同じ工程を有するものであって、基板貼り合わせ工程の後に、封止層エッチング工程を行うことを特徴とするものである。それゆえに、図１２（ａ）及び（ｂ）は図５に相当する断面図を示すものである。

具体的には、図１２（ａ）に示すように、開口部４５を有するカラーフィルター３６が形成された素子基板１０に、透明樹脂層４２を介して対向基板４１を貼り合せる。そして、図１２（ｂ）に示すように、カラーフィルター３６をマスクとして開口部４５内の第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃをエッチングして、複数の接続用端子１０１を露出させる。エッチング方法は、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよい。
第２実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法によれば、封止層エッチング工程において、保護部材としてのメタルマスク５１を必要としない。また、ドライエッチングやウェットエッチングを行っても、対向基板４１がない場合に比べて、複数の有機ＥＬ素子３０及びカラーフィルター３６をより確実に保護することができる。

（第３実施形態）
＜有機ＥＬ装置とその製造方法＞
次に、第３実施形態の有機ＥＬ装置とその製造方法について、図１３〜図１５を参照して説明する。図１３は第３実施形態における有機ＥＬ装置の画素の構成を示す概略平面図、図１４は図１３のＡ−Ａ’線で切った第３実施形態の有機ＥＬ装置の画素の構造を示す概略断面図、図１５は第３実施形態の有機ＥＬ装置の端子部周辺の構造を示す概略断面図である。なお、図１５は、第１実施形態における図５に相当する概略断面図である。
第３実施形態の有機ＥＬ装置は、第１実施形態の有機ＥＬ装置１００に対して、封止層３４上に形成される有機層の構成を異ならせたものである。したがって、第１実施形態と同じ構成には同じ符号を付して詳細の説明は省略する。

図１３に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置２００において、サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの配置は、異なる色の発光が得られるサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８ＢがＸ方向に順に配列し、同色の発光が得られるサブ画素１８はＹ方向に配列している。Ｘ方向に配列した３つのサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを１つの画素１９として表示がなされる。

カラーフィルター３６を構成する赤（Ｒ）の着色層３６Ｒは、Ｙ方向に配列する画素電極３１Ｒと重なるようにして、ストライプ状に形成されている。緑（Ｇ）の着色層３６Ｇは、Ｙ方向に配列する画素電極３１Ｇと重なるようにして、ストライプ状に形成されている。青（Ｂ）の着色層３６Ｂは、Ｙ方向に配列する画素電極３１Ｂと重なるようにして、ストライプ状に形成されている。Ｘ方向において着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂは互いに接して形成されている。なお、本実施形態におけるカラーフィルター３６は、異なる色の着色層間においてＹ方向に延在して、異なる色の着色層を区分するストライプ状の絶縁層３５を含むものである。

詳しくは、図１４に示すように、複数の有機ＥＬ素子３０を覆う封止層３４上において、ストライプ状に絶縁層３５が形成される。絶縁層３５の断面形状は、封止層３４に接する底面が頭頂部よりも大きい台形状である。絶縁層３５は、色材を含まない感光性樹脂材料からなる。つまり、絶縁層３５の形成方法は、色材を含まない感光性樹脂材料をスピンコート法などを用いて基材１１の全面に亘って塗布して感光性樹脂層を形成し、この感光性樹脂層を露光・現像することで絶縁層３５を形成する。

カラーフィルター形成工程では、絶縁層３５を覆って色材を含む感光性樹脂材料をスピンコート法などを用いて基材１１の全面に亘って塗布して感光性樹脂層を形成し、この感光性樹脂層を露光・現像することで、絶縁層３５間に各着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂを形成する。したがって、封止層３４上における絶縁層３５の高さは、各着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの膜厚よりも小さい（低い）。

色材を含む感光性樹脂材料をスピンコート法で塗布して各着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂを形成する際に、絶縁層３５がない場合には、感光性樹脂材料が塗布面に留まり難く、感光性樹脂材料の使用効率が低い。よって、着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂを所定の膜厚で形成することが難しい。これに対して、ストライプ状の絶縁層３５を設けることで、絶縁層３５間を埋めて着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂが形成されるので、着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの膜厚を厚膜化し易い。言い換えれば、スピンコート法における感光性樹脂材料の使用効率を改善できる。

絶縁層３５の断面形状は台形に限定されるものではないが、封止層３４に接する底面のＸ方向の長さは、画素電極３１間の寸法と同程度の０．５μｍ〜１μｍであることが望ましい。また、上述した感光性樹脂材料の使用効率を考慮すると、封止層３４上における絶縁層３５の高さは、着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの膜厚よりも小さく、該膜厚の１／２以上であることが望ましい。本実施形態では、着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの膜厚を１．５μｍ〜２．０μｍの範囲で形成しているので、絶縁層３５の高さをおよそ１μｍとしている。

このように、異なる色のサブ画素１８の着色層間に絶縁層３５を形成すれば、異なる色のサブ画素１８の有機ＥＬ素子３０からの発光が本来透過すべき着色層と異なる色の着色層を透過する割合が減少するので、視角特性における赤色光と緑色光、緑色光と青色光、青色光と赤色光の混色や色バランスの変化を低減することができる。

また、図１５に示すように、絶縁層３５は、表示領域Ｅ１の外側の領域では端子部１１ｔを覆うように形成される。つまり、絶縁層３５は表示領域Ｅ１ではサブ画素１８間においてＹ方向に延在するストライプ状に形成されるが、表示領域Ｅ１の外側では端子部１１ｔを含む非表示領域の全体を覆うように形成される。そして、色材を含まない感光性樹脂層の露光・現像において、接続用端子１０１と重なる部分に開口部４５を有するようにパターニングされる。
封止層エッチング工程では、絶縁層３５をマスクとして、開口部４５内の第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃをエッチングして、接続用端子１０１を露出させる。すなわち、本実施形態では、表示領域Ｅ１の外側の非表示領域に亘って延設され、表示領域Ｅ１ではストライプ状に形成された絶縁層３５が本発明の有機層に相当するものである。

第３実施形態の有機ＥＬ装置２００及びその製造方法によれば、第１実施形態に比べて、視角特性において混色や色バランス変化が低減された有機ＥＬ装置２００を提供あるいは製造することができる。加えて、３色の着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂを貫通する開口部４５を形成する第１実施形態に比べて、透明な絶縁層３５の形成工程において開口部４５を形成するので、感光性樹脂層の露光・現像におけるアライメントのばらつきの影響を受け難い。すなわち、位置精度よく開口部４５を形成できる。
なお、本実施形態においても絶縁層３５が素子基板１０（基材１１）の切断面に掛からないようにパターニングしたり、スリット部４６と開口部４５とが一体になるように絶縁層３５をパターニングしたりしてもよいことは言うまでもない。

（第４実施形態）
＜有機ＥＬ装置とその製造方法＞
次に、第４実施形態の有機ＥＬ装置とその製造方法について、図１６及び図１７を参照して説明する。図１６は第４実施形態の有機ＥＬ装置の画素の構造を示す概略断面図、図１７は第４実施形態の有機ＥＬ装置の端子部周辺の構造を示す概略断面図である。図１６は第１実施形態の図４に相当する概略断面図であり、図１７は第１実施形態の図５に相当する概略断面図である。第４実施形態の有機ＥＬ装置は、第１実施形態の有機ＥＬ装置１００に対して素子基板１０の構成を異ならせたものである。したがって、第１実施形態と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。

図１６に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置３００は、素子基板１０と、素子基板１０に透明樹脂層４２を介して対向配置された対向基板４１とを有する。素子基板１０は、基材１１上に順に形成された、画素回路２０、有機ＥＬ素子３０、封止層３４、カラーフィルター３６、オーバーコート層３７とを含んで構成されている。
オーバーコート層３７は、封止層３４上に形成された着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの表面の凹凸を緩和すると共に、カラーフィルター３６を保護する目的で形成される。以降、オーバーコート層３７をＯＣ層３７と表記する。ＯＣ層３７は、例えばアクリル系やポリイミド系の感光性樹脂材料を用いて、カラーフィルター３６を覆うように形成される。ＯＣ層３７の厚みはおよそ０．５μｍ〜１μｍである。

図１７に示すように、ＯＣ層３７は端子部１１ｔを覆うように形成される。つまり、ＯＣ層３７は、表示領域Ｅ１及びダミー領域Ｅ２と、端子部１１ｔを含む非表示領域とを覆うように形成される。そして、上記感光性樹脂材料からなる感光性樹脂層の露光・現像において、接続用端子１０１と重なる部分に開口部４５を有するようにパターニングされる。
封止層エッチング工程では、ＯＣ層３７をマスクとして、開口部４５内の第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃをエッチングして、接続用端子１０１を露出させる。すなわち、本実施形態では、ＯＣ層３７が本発明の有機層に相当するものである。

第４実施形態の有機ＥＬ装置３００とその製造方法によれば、３色の着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂを貫通する開口部４５を形成する第１実施形態に比べて、透明なＯＣ層３７の形成工程において開口部４５を形成するので、感光性樹脂層の露光・現像におけるアライメントのばらつきの影響を受け難い。すなわち、位置精度よく開口部４５を形成できる。加えて、ＯＣ層３７を形成した後に、封止層エッチング工程を実施したとしても、ＯＣ層３７によりカラーフィルター３６が覆われているので、保護部材としてのメタルマスク５１を用いることなく、ドライエッチングによるカラーフィルター３６の損傷を防ぐことができる。

（第５実施形態）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器について、図１８を参照して説明する。図１８は、電子機器としてのヘッドマウントディスプレイを示す概略図である。
図１８に示すように、本実施形態の電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）１０００は、左右の目に対応して設けられた２つの表示部１００１を有している。観察者Ｍはヘッドマウントディスプレイ１０００を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部１００１に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部１００１に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。

表示部１００１には、上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１００（または上記第３実施形態の有機ＥＬ装置２００、あるいは上記第４実施形態の有機ＥＬ装置３００）が搭載されている。したがって、優れた表示品質を有すると共に、高い生産性を有しているのでコストパフォーマンスに優れ小型で軽量なヘッドマウントディスプレイ１０００を提供することができる。

ヘッドマウントディスプレイ１０００は、２つの表示部１００１を有することに限定されず、左右のいずれかに対応させた１つの表示部１００１を備える構成としてもよい。

なお、上記有機ＥＬ装置１００または上記有機ＥＬ装置２００あるいは上記有機ＥＬ装置３００が搭載される電子機器は、ヘッドマウントディスプレイ１０００に限定されない。例えば、パーソナルコンピューターや携帯型情報端末、ナビゲーター、ビューワー、ヘッドアップディスプレイなどの表示部を有する電子機器が挙げられる。

本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う有機ＥＬ装置及び該有機ＥＬ装置の製造方法並びに該有機ＥＬ装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）素子基板１０の端子部１１ｔにおける接続用端子１０１の構成は、これに限定されない。例えば、接続用端子１０１は、画素電極３１と同様に、第２層間絶縁膜２６上に形成されることに限定されず、第１層間絶縁膜２４上の配線層１０３を接続用端子としてもよい。したがって、封止層エッチング工程では、有機層として形成されたカラーフィルター３６、絶縁層３５、ＯＣ層３７のそれぞれをマスクとして、開口部４５内の第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃ並びに第２層間絶縁膜２６をエッチングして、接続用端子としての配線層１０３を露出させてもよい。
また、例えば、接続用端子１０１と下層の配線層１０３とを電気的に接続させるコンタクトホール２６ａの配置は、接続用端子１０１の直下に形成されることに限定されず、開口部４５と重ならない位置に形成されていてもよい。

（変形例２）上記各実施形態において、開口部４５は複数の接続用端子１０１を露出させるように形成されることに限定されない。図１９は変形例の開口部と接続用端子との配置を示す概略平面図である。例えば、図１９に示すように、接続用端子１０１を１つずつ露出させるように開口部４５を形成してもよい。このようにすれば、ＦＰＣ１０５と複数の接続用端子１０１とを例えば異方性導電フィルムを使って電気的に接続させたときに、接続用端子１０１間の絶縁性を高めることができる。
また、複数の接続用端子１０１のすべてを露出させるように開口部４５を形成せずとも、複数の接続用端子１０１のうち、複数本を単位として露出させるように、複数の開口部４５を形成してもよい。
さらには、ＦＰＣ１０５との電気的な接続を図ることができれば、接続用端子１０１の少なくとも一部が露出するように開口部４５を形成すればよい。

（変形例３）上記第１実施形態において、開口部４５は積層された３色の着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂを貫通するように形成されることに限定されない。例えば、端子部１１ｔに形成されるカラーフィルター３６は１色の着色層だけ、あるいは２色の着色層を積層した状態でもよい。ドライエッチングに使用するフッ素系処理ガスにおける無機膜と有機層つまり着色層との選択比を考慮して、着色層の積層数を決めればよい。３色の着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂだけでは積層数が不足する場合は、絶縁層３５やＯＣ層３７と組み合わせてもよい。

（変形例４）開口部４５内で露出させる接続用端子１０１は、ＦＰＣ１０５との電気的な接続を図るものに限定されない。例えば、素子基板１０に設けられた検査回路１７を介して、各画素回路２０の駆動状態や電気特性を検査するために設けられた検査用の接続用端子についても本発明を適用することができる。
また、例えば、ＦＰＣ１０５の出力端子と素子基板１０の接続用端子１０１との位置決めに用いられるアライメントマークが素子基板１０の端子部１１ｔに設けられていた場合、アライメントマークが透明でない無機膜や有機層（着色層）で覆われていると、ＣＣＤ（電荷結合素子）などの撮像素子を用いた画像認識による位置決め方法において、アライメントマークが認識し難い。そこで、アライメントマークを露出させるための開口部を有機層（着色層）に形成してもよい。言い換えれば、有機層はアライメントマークを覆わないようにパターニングされることが好ましい。

（変形例５）端子部１１ｔを覆う封止層の構成は、第１封止層３４ａと第２封止層３４ｃとに限定されない。緩衝層３４ｂを含めた封止層３４によって端子部１１ｔを覆う構成としてもよい。したがって、封止層エッチング工程は、開口部４５内の第１封止層３４ａ、緩衝層３４ｂ、第２封止層３４ｃをエッチングして除去する。第１封止層３４ａと第２封止層３４ｃとをエッチングする場合に比べて、エッチング時間が延びることが考えられるが、エッチング時に選択比が十分に確保できる、例えばマスクとしての有機層（カラーフィルター３６の着色層、絶縁層３５、ＯＣ層３７）を選んだり、エッチングに用いるフッ素系処理ガスやフッ素系水溶液の種類を選択すればよい。

（変形例６）上記第３実施形態の有機ＥＬ装置２００において、異なる色の着色層間に形成される絶縁層３５は、表示領域Ｅ１においてＹ方向に延在してストライプ状に形成されることに限定されない。図２０は変形例の絶縁層を示す概略図であり、同図（ａ）は概略平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図、同図（ｃ）は同図（ａ）のＣ−Ｃ’線に沿った概略断面図である。例えば、図２０（ａ）及び（ｂ）に示すように、絶縁層３５は、サブ画素１８の画素電極３１の長辺と短辺とに沿って、開口部２８ａを囲むようにＸ方向とＹ方向とに延在して形成されていてもよい。すなわち、表示領域Ｅ１において各サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを区画するように格子状に形成されていてもよい。図２０（ｃ）に示すように、同色のサブ画素１８Ｂ間に設けられた絶縁層３５を覆って着色層３６Ｂが形成される。当該絶縁層３５の頭頂部３５ａも着色層３６Ｂによって覆われる。他の着色層３６Ｒ，３６Ｇにおいても同様である。
着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂはそれぞれ、色材を含む感光性樹脂材料をスピンコート法で塗布して形成されるため、本変形例のように格子状の絶縁層３５を設けたりすることで、絶縁層３５間を埋めて着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂが形成されるので、着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの膜厚を厚膜化し易い。言い換えれば、スピンコート法における感光性樹脂材料の使用効率をより改善できる。

（変形例７）上記実施形態の有機ＥＬ装置１００，２００，３００において、表示領域Ｅ１に設けられる発光画素は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光に対応したサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂに限定されない。例えば、上記３色以外の黄（Ｙ）の発光が得られるサブ画素１８Ｙを備えてもよい。これにより、色再現性をさらに高めることが可能となる。

１０…素子基板、１１…基板としての基材、１１ｔ…端子部、１８，１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂ…サブ画素、１９…画素、３０…有機ＥＬ素子、３４…封止層、３５…有機層としての絶縁層、３６…カラーフィルター、３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂ…着色層、３７…オーバーコート（ＯＣ）層、４１…対向基板、４２…透明樹脂層、４５…開口部、５１…保護部材としてのメタルマスク、１００，２００，３００…有機ＥＬ装置、１０１…接続用端子、１０００…電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）。

Claims (15)

1. 基板上に配置された複数の有機ＥＬ素子と、接続用端子と、を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   前記複数の有機ＥＬ素子及び前記接続用端子を覆って封止層を形成する工程と、
   前記封止層を覆う有機層を形成する工程と、
   前記有機層のうち前記接続用端子と重なる部分に、前記封止層に至る開口部を形成するように前記有機層をパターニングする工程と、
   パターニング形成された前記有機層をマスクとして前記接続用端子の少なくとも一部が露出するように前記封止層をエッチングする工程と、を備え、
   １色の着色層を含むカラーフィルターを前記封止層上に有し、
   前記有機層は、前記着色層として形成されることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
2. 基板上に配置された複数の有機ＥＬ素子と、接続用端子と、を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   前記複数の有機ＥＬ素子及び前記接続用端子を覆って封止層を形成する工程と、
   前記封止層を覆う有機層を形成する工程と、
   前記有機層のうち前記接続用端子と重なる部分に、前記封止層に至る開口部を形成するように前記有機層をパターニングする工程と、
   パターニング形成された前記有機層をマスクとして前記接続用端子の少なくとも一部が露出するように前記封止層をエッチングする工程と、を備え、
   少なくとも赤、緑、青の着色層を含むカラーフィルターを前記封止層上に有し、
   前記有機層は、少なくとも１色の前記着色層として形成されることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
3. 基板上に配置された複数の有機ＥＬ素子と、接続用端子と、を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   前記複数の有機ＥＬ素子及び前記接続用端子を覆って封止層を形成する工程と、
   前記封止層を覆う有機層を形成する工程と、
   前記有機層のうち前記接続用端子と重なる部分に、前記封止層に至る開口部を形成するように前記有機層をパターニングする工程と、
   パターニング形成された前記有機層をマスクとして前記接続用端子の少なくとも一部が露出するように前記封止層をエッチングする工程と、を備え、
   前記封止層上に設けられ、２色の着色層を含むカラーフィルターと、前記２色の着色層間において前記封止層上に設けられた絶縁層と、を有し、
   前記有機層は、前記絶縁層として形成されることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
4. 基板上に配置された複数の有機ＥＬ素子と、接続用端子と、を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   前記複数の有機ＥＬ素子及び前記接続用端子を覆って封止層を形成する工程と、
   前記封止層を覆う有機層を形成する工程と、
   前記有機層のうち前記接続用端子と重なる部分に、前記封止層に至る開口部を形成するように前記有機層をパターニングする工程と、
   パターニング形成された前記有機層をマスクとして前記接続用端子の少なくとも一部が露出するように前記封止層をエッチングする工程と、を備え、
   前記封止層上に少なくとも赤、緑、青の着色層を含むカラーフィルターを有し、
   前記有機層は、前記着色層を色ごとに区分する絶縁層として前記封止層上に形成されることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
5. 基板上に配置された複数の有機ＥＬ素子と、接続用端子と、を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   前記複数の有機ＥＬ素子及び前記接続用端子を覆って封止層を形成する工程と、
   前記封止層を覆う有機層を形成する工程と、
   前記有機層のうち前記接続用端子と重なる部分に、前記封止層に至る開口部を形成するように前記有機層をパターニングする工程と、
   パターニング形成された前記有機層をマスクとして前記接続用端子の少なくとも一部が露出するように前記封止層をエッチングする工程と、を備え、
   前記複数の有機ＥＬ素子のうちの１つを含み、少なくとも赤、緑、青のそれぞれに対応して設けられるサブ画素と、
   異なる色の前記サブ画素を含んでなる画素と、
   前記封止層上に少なくとも赤、緑、青の着色層を含むカラーフィルターと、を有し、
   前記有機層は、前記着色層を色ごとに且つ前記サブ画素ごとに区分する絶縁層として前記封止層上に形成されることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
6. 前記封止層をエッチングする工程では、前記カラーフィルターに対して保護部材を対向配置させた状態で、前記封止層を異方性エッチングすることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
7. 前記カラーフィルターに対して透明樹脂層を介して対向基板を配置する工程を有し、
   前記封止層をエッチングする工程では、前記対向基板を介して前記封止層をエッチングすることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
8. 基板上に配置された複数の有機ＥＬ素子と、接続用端子と、を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   前記複数の有機ＥＬ素子及び前記接続用端子を覆って封止層を形成する工程と、
   前記封止層を覆う有機層を形成する工程と、
   前記有機層のうち前記接続用端子と重なる部分に、前記封止層に至る開口部を形成するように前記有機層をパターニングする工程と、
   パターニング形成された前記有機層をマスクとして前記接続用端子の少なくとも一部が露出するように前記封止層をエッチングする工程と、を備え、
   前記封止層上に少なくとも１色の着色層を含むカラーフィルターと、前記カラーフィルターを覆うオーバーコート層と、を有し、
   前記有機層は、前記オーバーコート層として形成されることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
9. 前記有機層をパターニングする工程では、複数の前記接続用端子に亘って開口するように前記開口部を形成することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
10. 基板上に配置された複数の有機ＥＬ素子と、
    接続用端子と、
    前記複数の有機ＥＬ素子及び複数の前記接続用端子を覆う封止層と、
    前記封止層を覆う有機層と、
    前記有機層及び前記封止層を貫通し、前記接続用端子の少なくとも一部を露出させる開口部と、を備え、
    前記封止層上において少なくとも１色の着色層を含むカラーフィルターを備え、
    前記有機層は、前記１色の着色層を含むことを特徴とする有機ＥＬ装置。
11. 基板上に配置された複数の有機ＥＬ素子と、
    接続用端子と、
    前記複数の有機ＥＬ素子及び複数の前記接続用端子を覆う封止層と、
    前記封止層を覆う有機層と、
    前記有機層及び前記封止層を貫通し、前記接続用端子の少なくとも一部を露出させる開口部と、を備え、
    前記封止層上に設けられ、２色の着色層を含むカラーフィルターと、少なくとも前記２色の着色層間において前記封止層上に設けられた絶縁層と、を有し、
    前記有機層は、前記絶縁層を含むことを特徴とする有機ＥＬ装置。
12. 前記カラーフィルターを覆うオーバーコート層を有し、
    前記有機層は、前記オーバーコート層を含むことを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ装置。
13. 前記開口部は、複数の前記接続用端子ごとに設けられていることを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
14. 前記開口部は、前記開口部内に複数の前記接続用端子が露出するように設けられていることを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
15. 請求項１０乃至１４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする電子機器。

Images