JP6003316B2 - 固体撮像装置、電子機器 - Google Patents
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Description
本技術は、固体撮像装置に係わる。また、固体撮像装置を備えた電子機器に係わる。
固体撮像装置において、光や電荷が隣接する画素間で漏れこむことに起因して、所謂混色を生じることがある。
この混色を抑制するために、画素間にトレンチを形成して物理的に分離して、さらに、このトレンチ内に、金属等の遮光材料を埋め込む構成が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
この混色を抑制するために、画素間にトレンチを形成して物理的に分離して、さらに、このトレンチ内に、金属等の遮光材料を埋め込む構成が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
画素間に形成したトレンチ内に遮光材料を埋め込んだ場合には、遮光材料によって隣接画素への混色は抑制されるが、反射又は吸収されることにより感度が低下する。
特に、遮光材料を埋め込んだトレンチの上面に入射した光は、遮光材料で反射又は吸収されて、画素には入射しないので、その分は感度が低下することになる。
特に、遮光材料を埋め込んだトレンチの上面に入射した光は、遮光材料で反射又は吸収されて、画素には入射しないので、その分は感度が低下することになる。
本技術の目的は、感度の向上と混色の抑制を共に実現できる固体撮像装置を提供するものである。また、この固体撮像装置を備えた電子機器を提供するものである。
本技術の固体撮像装置は、半導体基体と、この半導体基体内に形成された光電変換部から成る画素と、半導体基体に形成され、隣接する画素間を分離するトレンチを含む。
そして、画素の光電変換部上に形成され、かつ、トレンチ内の少なくとも一部に埋め込まれて形成された、カラーフィルタを含む。
さらに、下記の（Ａ）〜（Ｅ）のいずれかの構成を採る。
（Ａ）最も感度が高い色の画素と、隣接する他の色の画素との間のトレンチ内は、他の色のカラーフィルタで埋め込まれており、画素の色配列がベイヤー配列であり、緑の画素の周辺のトレンチ内が、隣接する画素の色である、赤のカラーフィルタもしくは青のカラーフィルタで埋め込まれている。
（Ｂ）最も感度が高い色の画素と、隣接する他の色の画素との間のトレンチ内は、他の色のカラーフィルタで埋め込まれており、画素の色配列がクリアビット配列であり、緑の画素が隣接する画素間のトレンチ内には、緑のカラーフィルタが埋め込まれ、緑の画素が隣接しない画素間のトレンチ内には、緑の画素と隣接する画素の色である、赤のカラーフィルタもしくは青のカラーフィルタで埋め込まれている。
（Ｃ）最も感度が高い色の画素と、隣接する他の色の画素との間のトレンチ内は、他の色のカラーフィルタで埋め込まれており、画素の色配列が、カラーフィルタが設けられないホワイト画素を含み、ホワイト画素が隣接しない画素間のトレンチ内には、ホワイト画素と隣接する画素の色であるカラーフィルタが埋め込まれている。
（Ｄ）隣接する画素の色の感度に有意差がある場合、画素間のトレンチ内は、感度の低い方の色のカラーフィルタで埋め込まれており、画素の色配列が、カラーフィルタが設けられないホワイト画素を含み、ホワイト画素が隣接しない画素間のトレンチ内には、ホワイト画素と隣接する画素の色であるカラーフィルタが埋め込まれている。
（Ｅ）最も感度が高い色の画素と、隣接する他の色の画素との間のトレンチ内は、他の色のカラーフィルタで埋め込まれており、同じ色の画素が隣接する画素間のトレンチ内には、同色のカラーフィルタが埋め込まれている。
そして、画素の光電変換部上に形成され、かつ、トレンチ内の少なくとも一部に埋め込まれて形成された、カラーフィルタを含む。
さらに、下記の（Ａ）〜（Ｅ）のいずれかの構成を採る。
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（Ｃ）最も感度が高い色の画素と、隣接する他の色の画素との間のトレンチ内は、他の色のカラーフィルタで埋め込まれており、画素の色配列が、カラーフィルタが設けられないホワイト画素を含み、ホワイト画素が隣接しない画素間のトレンチ内には、ホワイト画素と隣接する画素の色であるカラーフィルタが埋め込まれている。
（Ｄ）隣接する画素の色の感度に有意差がある場合、画素間のトレンチ内は、感度の低い方の色のカラーフィルタで埋め込まれており、画素の色配列が、カラーフィルタが設けられないホワイト画素を含み、ホワイト画素が隣接しない画素間のトレンチ内には、ホワイト画素と隣接する画素の色であるカラーフィルタが埋め込まれている。
（Ｅ）最も感度が高い色の画素と、隣接する他の色の画素との間のトレンチ内は、他の色のカラーフィルタで埋め込まれており、同じ色の画素が隣接する画素間のトレンチ内には、同色のカラーフィルタが埋め込まれている。
本技術の電子機器は、光学系と、固体撮像装置と、固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路とを備え、固体撮像装置が上記本技術の固体撮像装置の構成である。
上述の本技術の固体撮像装置の構成によれば、カラーフィルタが、隣接する画素間を分離するトレンチ内の少なくとも一部に埋め込まれて形成されている。
これにより、トレンチ内に埋め込まれたカラーフィルタによって、隣接する画素への光の漏れ込みを抑制して、混色の発生を抑制することが可能になる。
そして、トレンチ内に金属等の遮光材料を使用しないため、反射や吸収による感度のロスも抑制することができる。
これにより、トレンチ内に埋め込まれたカラーフィルタによって、隣接する画素への光の漏れ込みを抑制して、混色の発生を抑制することが可能になる。
そして、トレンチ内に金属等の遮光材料を使用しないため、反射や吸収による感度のロスも抑制することができる。
上述の本技術の電子機器の構成によれば、本技術の固体撮像装置を備えているので、固体撮像装置において、混色の発生を抑制すると共に、感度のロスも抑制することが可能になる。
上述の本技術によれば、混色の発生を抑制すると共に、感度のロスも抑制することが可能になるため、感度の向上と混色の抑制を両立することが可能になる。
また、本技術の製造方法によれば、画素の光電変換部上とトレンチ内に同時にカラーフィルタを形成することができるので、カラーフィルタとは別にトレンチ内に遮光材料等を埋め込む場合と比較して、工程数を削減することができる。
以下、本技術を実施するための最良の形態（以下、実施の形態とする）について説明する。
なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（固体撮像装置）
２．第２の実施の形態（固体撮像装置）
３．第３の実施の形態（固体撮像装置）
４．第４の実施の形態（固体撮像装置）
５．第５の実施の形態（固体撮像装置）
６．第６の実施の形態（固体撮像装置）
７．固体撮像装置の変形例
８．第７の実施の形態（電子機器）
なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（固体撮像装置）
２．第２の実施の形態（固体撮像装置）
３．第３の実施の形態（固体撮像装置）
４．第４の実施の形態（固体撮像装置）
５．第５の実施の形態（固体撮像装置）
６．第６の実施の形態（固体撮像装置）
７．固体撮像装置の変形例
８．第７の実施の形態（電子機器）
＜１．第１の実施の形態（固体撮像装置）＞
第１の実施の形態の固体撮像装置の概略構成図を、図１に示す。
本実施の形態は、ＣＭＯＳ型固体撮像装置（ＣＭＯＳイメージセンサ）に、本技術を適用したものである。
第１の実施の形態の固体撮像装置の概略構成図を、図１に示す。
本実施の形態は、ＣＭＯＳ型固体撮像装置（ＣＭＯＳイメージセンサ）に、本技術を適用したものである。
本実施の形態の固体撮像装置１は、図１に示すように、シリコン基板等の半導体基体１１に、光電変換部を含む画素２が多数規則的に２次元配列された画素部３と、駆動回路等を含む周辺回路部とが形成されて成る固体撮像素子によって構成される。
画素２は、光電変換部と、ＭＯＳトランジスタから成る画素トランジスタとを有する。
画素トランジスタとしては、例えば、転送トランジスタ、リセットトランジスタ、増幅トランジスタ、選択トランジスタ、の少なくとも１つ以上を有する。
画素トランジスタとしては、例えば、転送トランジスタ、リセットトランジスタ、増幅トランジスタ、選択トランジスタ、の少なくとも１つ以上を有する。
周辺回路部は、垂直駆動回路４と、カラム信号処理回路５と、水平駆動回路６と、出力回路７と、制御回路８等を有して構成されている。
垂直駆動回路４は、例えばシフトレジスタによって構成され、画素駆動配線を選択して、選択された画素駆動配線に画素を駆動するためのパルスを供給し、行単位で画素を駆動する。
即ち、垂直駆動回路４は、画素部３の画素２を行単位で順次垂直方向に選択走査し、垂直信号線９を通して、各画素２において受光量に応じて生成した信号電荷に基づいた画素信号を、カラム信号処理回路５に供給する。
即ち、垂直駆動回路４は、画素部３の画素２を行単位で順次垂直方向に選択走査し、垂直信号線９を通して、各画素２において受光量に応じて生成した信号電荷に基づいた画素信号を、カラム信号処理回路５に供給する。
カラム信号処理回路５は、画素２の例えば一列毎に配置されており、一行分の画素から出力される信号に対し、画素列毎にノイズ除去等の信号処理を行う。
即ち、カラム信号処理回路５は、画素２に特有の固定パターンノイズを除去するためのＣＤＳや、信号増幅、ＡＤ変換等の信号処理を行う。
カラム信号処理回路５の出力段には、水平選択スイッチ（図示せず）が水平信号線１０との間に接続されている。
即ち、カラム信号処理回路５は、画素２に特有の固定パターンノイズを除去するためのＣＤＳや、信号増幅、ＡＤ変換等の信号処理を行う。
カラム信号処理回路５の出力段には、水平選択スイッチ（図示せず）が水平信号線１０との間に接続されている。
出力回路７は、カラム信号処理回路５のそれぞれから水平信号線１０を通して順次供給される信号に対し、信号処理を行って出力する。
入出力端子１２は、外部と信号のやり取りを行う。
入出力端子１２は、外部と信号のやり取りを行う。
次に、本実施の形態の固体撮像装置１の要部の断面図を、図２に示す。
図２は、図１の画素部３の画素２の断面図と、図１の画素部３の外に形成される、オプティカルブラック部ＯＰＢの画素の断面図を示している。
図２は、図１の画素部３の画素２の断面図と、図１の画素部３の外に形成される、オプティカルブラック部ＯＰＢの画素の断面図を示している。
図２に示すように、半導体基体１１に、Ｎ型の光電変換部１４が形成され、光電変換部１４の下側にＰ＋の正孔蓄積領域１５が形成されている。この正孔蓄積領域１５は、半導体基体１１の下面側の界面付近に形成されている。光電変換部１４の上方には、半導体基体１１の上面側の界面から、Ｐ＋領域１３が形成されている。隣接する画素の光電変換部１４の間には、Ｐ型の画素分離領域１６が形成されている。また、半導体基体１１の下面側に、フローティングディフュージョンＦＤとトランジスタのソース・ドレイン領域１７とが、共にＮ＋の半導体領域によって形成されている。
半導体基体１１の下には、ゲート絶縁膜１８を介して、画素トランジスタのゲート電極１９が形成されている。画素トランジスタは、例えば、転送トランジスタ、リセットトランジスタ、増幅トランジスタ、選択トランジスタの４つを有して構成される。
図中左のゲート電極１９は、光電変換部１４からフローティングディフュージョンＦＤへ電荷を転送するものであり、転送トランジスタの転送ゲート電極である。図中右のゲート電極１９は、その他の画素トランジスタ（リセットトランジスタ、増幅トランジスタ、選択トランジスタ）のゲート電極である。
ゲート電極１９の左右には、サイドウォール絶縁層２０が形成されている。ゲート電極１９及びサイドウォール絶縁層２０、並びに、それらが形成されていない部分の半導体基体１１には、下面側を覆って、サリサイドブロック膜２１が形成されている。サリサイドブロック膜２１は、周辺回路部のトランジスタ等でサリサイド化する際に、画素部のゲート電極１９や半導体基体１１の表面がサリサイド化されないように、ブロックする。
ゲート電極１９には、サリサイドブロック膜２１に形成されたコンタクト孔を通じて、導体から成るプラグ層２２が接続されている。フローティングディフュージョンＦＤにも、別のプラグ層２２が接続されている。
半導体基体１１及びゲート電極１９の下方には、多層の配線層２３が形成されており、各層の配線層２３の間がプラグ層２２で接続され、それ以外の部分が層間絶縁層２４で絶縁されている。プラグ層２２、多層の配線層２３、層間絶縁層２４により配線部が構成されている。プラグ層２２及び配線層２３を用いることにより、転送ゲート、フローティングディフュージョンＦＤ、増幅トランジスタのゲートをコントロールして、得られた画素毎の信号を出力することができる。
配線部の下には、密着層２５が形成され、その下に支持基板２６が形成されている。
図中左のゲート電極１９は、光電変換部１４からフローティングディフュージョンＦＤへ電荷を転送するものであり、転送トランジスタの転送ゲート電極である。図中右のゲート電極１９は、その他の画素トランジスタ（リセットトランジスタ、増幅トランジスタ、選択トランジスタ）のゲート電極である。
ゲート電極１９の左右には、サイドウォール絶縁層２０が形成されている。ゲート電極１９及びサイドウォール絶縁層２０、並びに、それらが形成されていない部分の半導体基体１１には、下面側を覆って、サリサイドブロック膜２１が形成されている。サリサイドブロック膜２１は、周辺回路部のトランジスタ等でサリサイド化する際に、画素部のゲート電極１９や半導体基体１１の表面がサリサイド化されないように、ブロックする。
ゲート電極１９には、サリサイドブロック膜２１に形成されたコンタクト孔を通じて、導体から成るプラグ層２２が接続されている。フローティングディフュージョンＦＤにも、別のプラグ層２２が接続されている。
半導体基体１１及びゲート電極１９の下方には、多層の配線層２３が形成されており、各層の配線層２３の間がプラグ層２２で接続され、それ以外の部分が層間絶縁層２４で絶縁されている。プラグ層２２、多層の配線層２３、層間絶縁層２４により配線部が構成されている。プラグ層２２及び配線層２３を用いることにより、転送ゲート、フローティングディフュージョンＦＤ、増幅トランジスタのゲートをコントロールして、得られた画素毎の信号を出力することができる。
配線部の下には、密着層２５が形成され、その下に支持基板２６が形成されている。
一方、半導体基体１１の上面の上には、下層から順に、負の固定電荷を有する絶縁膜２８、絶縁層２９、３色Ｒ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタ３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂ、オンチップレンズ３１が形成されている。赤の画素２Ｒには赤のカラーフィルタ３０Ｒが形成され、緑の画素２Ｇには緑のカラーフィルタ３０Ｇが形成され、青の画素２Ｂには青のカラーフィルタ３０Ｂが形成されている。
さらに、半導体基体１１の画素間の部分には、半導体基体１１が掘り込まれたトレンチ２７が形成されている。そして、トレンチ２７の内壁に沿って、負の固定電荷を有する絶縁膜２８及び絶縁層２９が形成されている。
さらに、半導体基体１１の画素間の部分には、半導体基体１１が掘り込まれたトレンチ２７が形成されている。そして、トレンチ２７の内壁に沿って、負の固定電荷を有する絶縁膜２８及び絶縁層２９が形成されている。
本実施の形態では、特に、画素間のトレンチ２７内に、カラーフィルタが埋め込まれている。
具体的には、図２に示すように、緑の画素２Ｇと赤の画素２Ｒの間のトレンチ２７には、赤のカラーフィルタ３０Ｒが埋め込まれており、緑の画素２Ｇと青の画素２Ｂの間のトレンチ２７には、青のカラーフィルタ３０Ｂが埋め込まれている。
具体的には、図２に示すように、緑の画素２Ｇと赤の画素２Ｒの間のトレンチ２７には、赤のカラーフィルタ３０Ｒが埋め込まれており、緑の画素２Ｇと青の画素２Ｂの間のトレンチ２７には、青のカラーフィルタ３０Ｂが埋め込まれている。
オプティカルブラック部ＯＰＢの画素は、配線部、半導体基体１１の内部、並びに、トレンチ２７の内壁部が、画素部の画素と同じ構成となっている。
オプティカルブラック部ＯＰＢの画素では、トレンチ２７内に青のカラーフィルタ３０Ｂが埋め込まれ、青のカラーフィルタ３０Ｂ、赤のカラーフィルタ３０Ｒ、緑のカラーフィルタ３０Ｇが積層され、その上にオンチップレンズ３１が形成されている。
オプティカルブラック部ＯＰＢの画素では、トレンチ２７内に青のカラーフィルタ３０Ｂが埋め込まれ、青のカラーフィルタ３０Ｂ、赤のカラーフィルタ３０Ｒ、緑のカラーフィルタ３０Ｇが積層され、その上にオンチップレンズ３１が形成されている。
続いて、本実施の形態の固体撮像装置の画素の色配列と、カラーフィルタの配置について説明する。
本実施の形態の固体撮像装置の画素の色配列パターンを、図３Ａに示す。
図３Ａに示すように、緑の画素２Ｇは、それぞれの行及び列において１つ置きに斜めに配置され、赤の画素２Ｒ及び青の画素２Ｂは、１つ置きの行や列に配置されている。即ち、画素の色配列が所謂ベイヤー配列となっている。
そして、本実施の形態の固体撮像装置においては、図３Ａに示した色配列の画素２に対して、図３Ｂに示すように、画素２の間に格子状にトレンチ２７を形成する。
本実施の形態の固体撮像装置の画素の色配列パターンを、図３Ａに示す。
図３Ａに示すように、緑の画素２Ｇは、それぞれの行及び列において１つ置きに斜めに配置され、赤の画素２Ｒ及び青の画素２Ｂは、１つ置きの行や列に配置されている。即ち、画素の色配列が所謂ベイヤー配列となっている。
そして、本実施の形態の固体撮像装置においては、図３Ａに示した色配列の画素２に対して、図３Ｂに示すように、画素２の間に格子状にトレンチ２７を形成する。
さらに、カラーフィルタの配置の概略平面図を、図３Ｃに示す。
図３Ｃに示すように、緑のカラーフィルタ３０Ｇは、図３Ａの緑の画素２Ｇの部分のみで、隣接する画素との間のトレンチ２７内には形成されていない。
青のカラーフィルタ３０Ｂは、図３Ａの青の画素２Ｂの部分から、隣接する画素との間のトレンチ２７内全体にわたって形成されている。
赤のカラーフィルタ３０Ｒは、図３Ａの赤の画素２Ｒの部分から、緑の画素２Ｇと隣接するトレンチ２７内にわたって形成されている。
即ち、緑の画素２Ｇの周囲のトレンチ２７は、緑のカラーフィルタ３０Ｇで埋め込まないで、隣接する画素のカラーフィルタ３０Ｒ又は３０Ｂで埋め込まれている。
図３Ｃに示すように、緑のカラーフィルタ３０Ｇは、図３Ａの緑の画素２Ｇの部分のみで、隣接する画素との間のトレンチ２７内には形成されていない。
青のカラーフィルタ３０Ｂは、図３Ａの青の画素２Ｂの部分から、隣接する画素との間のトレンチ２７内全体にわたって形成されている。
赤のカラーフィルタ３０Ｒは、図３Ａの赤の画素２Ｒの部分から、緑の画素２Ｇと隣接するトレンチ２７内にわたって形成されている。
即ち、緑の画素２Ｇの周囲のトレンチ２７は、緑のカラーフィルタ３０Ｇで埋め込まないで、隣接する画素のカラーフィルタ３０Ｒ又は３０Ｂで埋め込まれている。
画素間にカラーフィルタを埋め込んでない、従来構成の固体撮像装置では、一番感度の高い緑の画素から隣接する赤の画素もしくは青の画素に光が入ると、赤の画素や青の画素で混色を生じる。このとき、赤の画素や青の画素において、感度スペクトルの裾浮き（緑の中心波長付近の感度の上昇）が発生する。
本実施の形態の構成では、緑の画素２Ｇに入射する光は緑の光であるため、トレンチ２７内の赤のカラーフィルタ３０Ｒや青のカラーフィルタ３０Ｂで遮断されて、隣接する赤の画素２Ｒや青の画素２Ｂには入らない。
なお、赤の画素２Ｒの赤の光や、青の画素２Ｂの青の光は、トレンチ２７内のカラーフィルタ３０Ｒ，３０Ｂを通過して緑の画素２Ｇに入るが、これは緑の画素２Ｇの感度の向上につながるので、問題はない。
トレンチ２７内に遮光材料を使用しないため、反射や吸収による感度のロスも抑制することができる。
なお、赤の画素２Ｒの赤の光や、青の画素２Ｂの青の光は、トレンチ２７内のカラーフィルタ３０Ｒ，３０Ｂを通過して緑の画素２Ｇに入るが、これは緑の画素２Ｇの感度の向上につながるので、問題はない。
トレンチ２７内に遮光材料を使用しないため、反射や吸収による感度のロスも抑制することができる。
ここで、本実施の形態の構成によって期待される分光結果のイメージを、図４に示す。図４の横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は絶対感度（任意単位）である。
図４中のそれぞれの矢印で示すように、３色Ｒ，Ｇ，Ｂの中心波長付近の感度の向上と、赤Ｒ及び青Ｂの裾浮きの抑制とを、実現することが期待される。
図４中のそれぞれの矢印で示すように、３色Ｒ，Ｇ，Ｂの中心波長付近の感度の向上と、赤Ｒ及び青Ｂの裾浮きの抑制とを、実現することが期待される。
なお、赤のカラーフィルタ３０Ｒや青のカラーフィルタ３０Ｇのトレンチ２７内への埋め込みにおいて、カラーフィルタ内にボイド（中空部）が発生したとしても、カラーフィルタの屈折率（２程度）＞中空部の屈折率（１）であるから、混色を抑制できる。
また、緑のカラーフィルタ３０Ｇがトレンチ２７内に多少入ったとしても、トレンチ２７内に赤のカラーフィルタ３０Ｒや青のカラーフィルタ３０Ｇが入っていれば、混色による裾浮きは抑制することができる。
また、緑のカラーフィルタ３０Ｇがトレンチ２７内に多少入ったとしても、トレンチ２７内に赤のカラーフィルタ３０Ｒや青のカラーフィルタ３０Ｇが入っていれば、混色による裾浮きは抑制することができる。
本実施の形態のカラーフィルタのレイアウトの法則を一般化すると、「隣接する画素の色の感度に有意差がある場合、画素間のトレンチ内は、感度の低い方の色のカラーフィルタを埋め込む」となる。
図２及び図３に示した、本実施の形態の固体撮像装置は、例えば、以下に説明するようにして、製造することができる。
まず、図５に示すように、シリコン基板４１、酸化膜４２、シリコン層から成る、ＳＯＩ基板のシリコン層を半導体基体１１として使用する。半導体基体１１に使用するシリコン層は、Ｎ型とする。
そして、半導体基体１１において、酸化膜４２に接する下面の界面付近にＰ＋領域１３を形成し、上面の界面付近にＰ−ｗｅｌｌ領域を形成する。例えば、ボロンのイオン注入と１０００℃でのアニールを用いて、これらの領域を形成する。Ｐ＋領域１３は、例えば、ボロンを２．５ＭｅＶで５×１０１２／ｃｍ２注入し、不純物濃度が１×１０１８／ｃｍ３以下となるようにする。
続いて、半導体基体１１に、Ｎ型の光電変換部１４を、例えば、リンのイオン注入で形成し、Ｐ型の画素分離領域１６を、例えば、ボロンのイオン注入と１０００℃でのアニールを用いて形成する。
さらに、半導体基体１１の表面に、薄い絶縁膜を形成し、その上に、例えば、ＣＶＤ法により多結晶シリコン層を形成して、これらをリソグラフィでパターニングすることによって、ゲート絶縁膜１８及び画素トランジスタのゲート電極１９を形成する。
そして、半導体基体１１において、酸化膜４２に接する下面の界面付近にＰ＋領域１３を形成し、上面の界面付近にＰ−ｗｅｌｌ領域を形成する。例えば、ボロンのイオン注入と１０００℃でのアニールを用いて、これらの領域を形成する。Ｐ＋領域１３は、例えば、ボロンを２．５ＭｅＶで５×１０１２／ｃｍ２注入し、不純物濃度が１×１０１８／ｃｍ３以下となるようにする。
続いて、半導体基体１１に、Ｎ型の光電変換部１４を、例えば、リンのイオン注入で形成し、Ｐ型の画素分離領域１６を、例えば、ボロンのイオン注入と１０００℃でのアニールを用いて形成する。
さらに、半導体基体１１の表面に、薄い絶縁膜を形成し、その上に、例えば、ＣＶＤ法により多結晶シリコン層を形成して、これらをリソグラフィでパターニングすることによって、ゲート絶縁膜１８及び画素トランジスタのゲート電極１９を形成する。
次に、図６に示すように、ゲート電極１９の側壁に、サイドウォール絶縁層２０を形成する。例えば、減圧でＴＥＯＳ膜を膜厚２０ｎｍで成膜し、減圧でＳｉＮ膜を膜厚１００ｎｍで成膜した後、ＣＦ４系ガスにてドライエッチングを行って、サイドウォール絶縁層２０を形成する。
その後、Ｐ＋の正孔蓄積領域１５を、例えば、ボロンのイオン注入で形成する。
さらに、Ｎ＋のフローティングディフュージョンＦＤ及びソース・ドレイン領域１７を、例えば、砒素のイオン注入と１１００℃の短時間アニールによって形成する。
その後、Ｐ＋の正孔蓄積領域１５を、例えば、ボロンのイオン注入で形成する。
さらに、Ｎ＋のフローティングディフュージョンＦＤ及びソース・ドレイン領域１７を、例えば、砒素のイオン注入と１１００℃の短時間アニールによって形成する。
次に、図７に示すように、サリサイドブロック膜２１の形成、層間絶縁層２４の形成及びプラグ層２２と配線層２３の形成を行う。
その後、配線層２３の上層に密着層２５を堆積する。
その後、配線層２３の上層に密着層２５を堆積する。
次に、図８に示すように、例えば、有機接着剤を用いて、密着層２５と支持基板２６とを貼り合わせる。支持基板２６には、例えば、シリコン基板を使用することができる。
次に、図９に示すように、全体の上下を反転して、支持基板２６が下側になるように配置する。
続いて、ＳＯＩ基板のシリコン基板４１及び酸化膜４２を除去して、図１０に示すように、Ｐ＋領域１３を露出させる。
続いて、ＳＯＩ基板のシリコン基板４１及び酸化膜４２を除去して、図１０に示すように、Ｐ＋領域１３を露出させる。
次に、図１１に示すように、リソグラフィを用いて、半導体基体１１の画素分離領域１６が形成された部分にトレンチ２７を形成して、開口する。例えば、ＳＦ６／Ｃ４Ｆ８をエッチングガスに用いて、半導体基体１１のシリコン基板をエッチングして、トレンチ２７を形成する。
なお、この図１１から、密着層２５及び支持基板２６の図示を省略する。
なお、この図１１から、密着層２５及び支持基板２６の図示を省略する。
その後、図１２に示すように、負の固定電荷を有する絶縁膜２８を成膜する。これにより、トレンチ２７の内壁と、半導体基体１１の上面とに、負の固定電荷を有する絶縁膜２８が形成される。
次に、図１３に示すように、表面からトレンチ２７内にわたって全面的に、絶縁層２９を形成する。
例えば、プラズマＣＶＤ装置にて、酸化シリコン層を厚さ５０ｎｍで成膜する。なお、ここでは、絶縁層２９として酸化シリコン層を成膜したが、必要に応じて、光を透過する窒化膜や有機膜を成膜してもよい。また、この絶縁層２９を形成しなくても構わない。
例えば、プラズマＣＶＤ装置にて、酸化シリコン層を厚さ５０ｎｍで成膜する。なお、ここでは、絶縁層２９として酸化シリコン層を成膜したが、必要に応じて、光を透過する窒化膜や有機膜を成膜してもよい。また、この絶縁層２９を形成しなくても構わない。
次に、図１４に示すように、例えば、塗布装置及び露光装置を使用して、青のカラーフィルタ３０Ｂを形成する。この図１４に示す工程からは、図２と同様に、オプティカルブラック部ＯＰＢの画素と、画素部の３色の画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂとに分けて、断面図を示す。
このとき、オプティカルブラック部ＯＰＢは、青のカラーフィルタ３０Ｂを残すようにする。
即ち、青のカラーフィルタ３０Ｂは、オプティカルブラック部ＯＰＢの画素及びトレンチ２７内、青の画素２Ｂ、青の画素２Ｂと緑の画素２Ｇとの間のトレンチ２７内、並びに、青の画素２Ｂと赤の画素２Ｒとの間のトレンチ２７内（図３Ｃを参照）に形成する。
なお、カラーフィルタのパターンの合わせずれによって、トレンチ２７内への埋め込みが不十分になって、内部にボイド（中空部）や開口部ができても構わない。
このとき、オプティカルブラック部ＯＰＢは、青のカラーフィルタ３０Ｂを残すようにする。
即ち、青のカラーフィルタ３０Ｂは、オプティカルブラック部ＯＰＢの画素及びトレンチ２７内、青の画素２Ｂ、青の画素２Ｂと緑の画素２Ｇとの間のトレンチ２７内、並びに、青の画素２Ｂと赤の画素２Ｒとの間のトレンチ２７内（図３Ｃを参照）に形成する。
なお、カラーフィルタのパターンの合わせずれによって、トレンチ２７内への埋め込みが不十分になって、内部にボイド（中空部）や開口部ができても構わない。
次に、図１５に示すように、例えば、塗布装置及び露光装置を使用して、赤のカラーフィルタ３０Ｒを形成する。
このとき、オプティカルブラック部ＯＰＢは、赤のカラーフィルタ３０Ｒを残すようにする。
即ち、赤のカラーフィルタ３０Ｒは、オプティカルブラック部ＯＰＢの画素、赤の画素２Ｒ、赤の画素２Ｒと緑の画素２Ｇとの間のトレンチ２７内に形成する。
なお、カラーフィルタのパターンの合わせずれによって、トレンチ２７内への埋め込みが不十分になって、内部にボイド（中空部）や開口部ができても構わない。
このとき、オプティカルブラック部ＯＰＢは、赤のカラーフィルタ３０Ｒを残すようにする。
即ち、赤のカラーフィルタ３０Ｒは、オプティカルブラック部ＯＰＢの画素、赤の画素２Ｒ、赤の画素２Ｒと緑の画素２Ｇとの間のトレンチ２７内に形成する。
なお、カラーフィルタのパターンの合わせずれによって、トレンチ２７内への埋め込みが不十分になって、内部にボイド（中空部）や開口部ができても構わない。
次に、図１６に示すように、例えば、塗布装置及び露光装置を使用して、緑のカラーフィルタ３０Ｇを形成する。
このとき、オプティカルブラック部ＯＰＢは、緑のカラーフィルタ３０Ｇを残すようにする。
即ち、緑のカラーフィルタ３０Ｇは、オプティカルブラック部ＯＰＢの画素、緑の画素２Ｇに形成する。
なお、図１４や図１５に示した工程で発生するボイド（中空部）や開口部に、緑のカラーフィルタ３０Ｇが入り込んでも構わない。
このとき、オプティカルブラック部ＯＰＢは、緑のカラーフィルタ３０Ｇを残すようにする。
即ち、緑のカラーフィルタ３０Ｇは、オプティカルブラック部ＯＰＢの画素、緑の画素２Ｇに形成する。
なお、図１４や図１５に示した工程で発生するボイド（中空部）や開口部に、緑のカラーフィルタ３０Ｇが入り込んでも構わない。
次に、図１７に示すように、カラーフィルタ３０Ｂ，３０Ｒ，３０Ｇの上に、オンチップレンズ３１を形成する。
このようにして、図２及び図３に示した、本実施の形態の固体撮像装置を製造することができる。
本実施の形態では、遮光が必要なオプティカルブラック部ＯＰＢに遮光膜（金属膜）を配置せず、３色のカラーフィルタ３０Ｂ，３０Ｒ，３０Ｇを重ねる構造としている。このため、オプティカルブラック部ＯＰＢに遮光膜（金属膜）を形成する工程を削減することが可能である。
なお、カラーフィルタの塗布や露光では、剥がれによるパターン飛びが発生することがあるが、本実施の形態の固体撮像装置は、トレンチ２７内にカラーフィルタ３０Ｂ，３０Ｒが入る構造であるため、カラーフィルタが剥がれにくくなることが期待される。
上述の本実施の形態の固体撮像装置の構成によれば、画素間のトレンチ２７内にカラーフィルタ３０Ｒ，３０Ｂが埋め込まれている。これにより、トレンチ２７内のカラーフィルタ３０Ｒ，３０Ｂによって、隣接する画素への光の漏れ込みを抑制して、混色の発生を抑制することができる。
そして、トレンチ２７内に金属等の遮光材料を使用しないため、反射や吸収による感度のロスも抑制することができる。
従って、感度の向上と混色の抑制を共に実現することができる。
そして、トレンチ２７内に金属等の遮光材料を使用しないため、反射や吸収による感度のロスも抑制することができる。
従って、感度の向上と混色の抑制を共に実現することができる。
また、緑の画素２Ｇと赤の画素２Ｒが隣接する画素間のトレンチ２７内には、赤のカラーフィルタ３０Ｒが埋め込まれており、緑の画素２Ｇと青の画素２Ｂが隣接する画素間のトレンチ２７内には、青のカラーフィルタ３０Ｂが埋め込まれている。これにより、一番感度の高い緑の画素２Ｇから隣接する赤の画素２Ｒや青の画素２Ｂに緑の光が漏れ込むことを防いで、混色による裾浮きの発生を抑制することができる。
上述の本実施の形態の製造方法によれば、隣接する画素間にトレンチ２７を形成し、トレンチ２７内にカラーフィルタ３０Ｂ，３０Ｒを埋め込んで形成するので、隣接する画素への光の漏れ込みを抑制して、混色の発生を抑制することが可能になる。
また、画素の光電変換部１４上にカラーフィルタ３０Ｂ，３０Ｒを形成すると共に、トレンチ２７内にカラーフィルタ３０Ｂ，３０Ｒを埋め込んで形成するので、これらの箇所に同時にカラーフィルタ３０Ｂ，３０Ｒを形成することができる。これにより、カラーフィルタとは別にトレンチ内に遮光材料等を埋め込む場合と比較して、工程数を削減することができる。
また、画素の光電変換部１４上にカラーフィルタ３０Ｂ，３０Ｒを形成すると共に、トレンチ２７内にカラーフィルタ３０Ｂ，３０Ｒを埋め込んで形成するので、これらの箇所に同時にカラーフィルタ３０Ｂ，３０Ｒを形成することができる。これにより、カラーフィルタとは別にトレンチ内に遮光材料等を埋め込む場合と比較して、工程数を削減することができる。
さらに、上述の本実施の形態の固体撮像装置の構成及び製造方法によれば、オプティカルブラック部ＯＰＢの画素では、３層のカラーフィルタ３０Ｂ，３０Ｒ，３０Ｇを積層して、遮光膜を形成している。これにより、画素部の光電変換部１４上のカラーフィルタと、オプティカルブラック部ＯＰＢの遮光膜とを同時に形成することができるので、工程数を削減することができる。
＜２．第２の実施の形態（固体撮像装置）＞
第２の実施の形態の固体撮像装置の概略構成図（断面図）を、図１８に示す。
本実施の形態も、裏面照射型構造のＣＭＯＳイメージセンサに適用した場合である。
第２の実施の形態の固体撮像装置の概略構成図（断面図）を、図１８に示す。
本実施の形態も、裏面照射型構造のＣＭＯＳイメージセンサに適用した場合である。
本実施の形態の固体撮像装置は、特に、図１８に示すように、オプティカルブラック部ＯＰＢの画素において、カラーフィルタはトレンチ２７内のみに形成して、画素上を遮光膜３２で覆っている。
画素部の３色の画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂは、図２に示した第１の実施の形態と同じ構造である。
従って、本実施の形態の構成も、前述したレイアウトの法則「隣接する画素の色の感度に有意差がある場合、画素間のトレンチ内は、感度の低い方の色のカラーフィルタを埋め込む」を満たしている。
画素部の３色の画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂは、図２に示した第１の実施の形態と同じ構造である。
従って、本実施の形態の構成も、前述したレイアウトの法則「隣接する画素の色の感度に有意差がある場合、画素間のトレンチ内は、感度の低い方の色のカラーフィルタを埋め込む」を満たしている。
なお、その他の構成は、第１の実施の形態と同様であり、図１の平面図に示した構成を採用することができる。
本実施の形態の固体撮像装置は、画素部の画素が第１の実施の形態と同じ構造であるため、第１の実施の形態と同様に、緑の画素２Ｇに入射する緑の光は、隣接する赤の画素２Ｒや青の画素２Ｂには入らないので、混色による裾浮きの発生を抑制することができる。
また、トレンチ２７内に遮光材料を使用しないため、反射や吸収による感度のロスも抑制することができる。
また、トレンチ２７内に遮光材料を使用しないため、反射や吸収による感度のロスも抑制することができる。
本実施の形態の固体撮像装置は、例えば、以下に説明するようにして、製造することができる。
まず、第１の実施の形態の製造方法の、図５〜図１３に示した各工程と同じ工程を行う。
続いて、図１９に示すように、例えば、塗布装置及び露光装置を使用して、青のカラーフィルタ３０Ｂを形成する。
画素部の画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおいては、第１の実施の形態の図１４に示した工程と同様に、青の画素２Ｂ、青の画素２Ｂと緑の画素２Ｇの間のトレンチ２７内、青の画素２Ｂと赤の画素２Ｒの間のトレンチ２７内に、青のカラーフィルタ３０Ｂを形成する。
オプティカルブラック部ＯＰＢにおいては、トレンチ２７内を青のカラーフィルタ３０Ｂで埋めて、表面の青のカラーフィルタ３０Ｂは除去する。
続いて、図１９に示すように、例えば、塗布装置及び露光装置を使用して、青のカラーフィルタ３０Ｂを形成する。
画素部の画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおいては、第１の実施の形態の図１４に示した工程と同様に、青の画素２Ｂ、青の画素２Ｂと緑の画素２Ｇの間のトレンチ２７内、青の画素２Ｂと赤の画素２Ｒの間のトレンチ２７内に、青のカラーフィルタ３０Ｂを形成する。
オプティカルブラック部ＯＰＢにおいては、トレンチ２７内を青のカラーフィルタ３０Ｂで埋めて、表面の青のカラーフィルタ３０Ｂは除去する。
次に、図２０に示すように、例えば、塗布装置及び露光装置を使用して、赤のカラーフィルタ３０Ｒを形成する。
画素部の画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおいては、第１の実施の形態の図１５に示した工程と同様に、赤の画素２Ｒ、赤の画素２Ｒと緑の画素２Ｇの間のトレンチ２７内に、赤のカラーフィルタ３０Ｒを形成する。
オプティカルブラック部ＯＰＢにおいては、表面の赤のカラーフィルタ３０Ｒは除去する。
画素部の画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおいては、第１の実施の形態の図１５に示した工程と同様に、赤の画素２Ｒ、赤の画素２Ｒと緑の画素２Ｇの間のトレンチ２７内に、赤のカラーフィルタ３０Ｒを形成する。
オプティカルブラック部ＯＰＢにおいては、表面の赤のカラーフィルタ３０Ｒは除去する。
次に、図２１に示すように、例えば、塗布装置及び露光装置を使用して、緑のカラーフィルタ３０Ｇを形成する。
画素部の画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおいては、第１の実施の形態の図１６に示した工程と同様に、緑の画素２Ｇに、緑のカラーフィルタ３０Ｇを形成する。
オプティカルブラック部ＯＰＢにおいては、表面の緑のカラーフィルタ３０Ｇは除去する。
画素部の画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおいては、第１の実施の形態の図１６に示した工程と同様に、緑の画素２Ｇに、緑のカラーフィルタ３０Ｇを形成する。
オプティカルブラック部ＯＰＢにおいては、表面の緑のカラーフィルタ３０Ｇは除去する。
次に、表面にオンチップレンズ３１を形成した後に、オプティカルブラック部ＯＰＢのオンチップレンズ３１を除去する。
さらに、オンチップレンズ３１等にダメージの入らない低温で、図２２に示すように、表面に、金属膜等により、遮光膜３２を形成する。オプティカルブラック部ＯＰＢでは、カラーフィルタ及びオンチップレンズが形成されていないため、絶縁層２９上に遮光膜３２が形成される。
さらに、オンチップレンズ３１等にダメージの入らない低温で、図２２に示すように、表面に、金属膜等により、遮光膜３２を形成する。オプティカルブラック部ＯＰＢでは、カラーフィルタ及びオンチップレンズが形成されていないため、絶縁層２９上に遮光膜３２が形成される。
そして、オンチップレンズ３１を剥離すると、画素部のオンチップレンズ３１上の遮光膜３２は、オンチップレンズ３１と共に剥離される。このとき、オプティカルブラック部ＯＰＢの遮光膜３２は、そのまま残る。
この後、図２３に示すように、再度、オンチップレンズ３１を形成する。画素部では、カラーフィルタ３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂ上にオンチップレンズ３１が形成され、オプティカルブラック部ＯＰＢでは、遮光膜３２上にオンチップレンズ３１が形成される。
この後、図２３に示すように、再度、オンチップレンズ３１を形成する。画素部では、カラーフィルタ３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂ上にオンチップレンズ３１が形成され、オプティカルブラック部ＯＰＢでは、遮光膜３２上にオンチップレンズ３１が形成される。
このようにして、図１８に示した、本実施の形態の固体撮像装置を製造することができる。
図１８〜図２３では、オプティカルブラック部ＯＰＢのトレンチ２７内に、青のカラーフィルタ３０Ｂを埋めていたが、赤のカラーフィルタ３０Ｒや緑のカラーフィルタ３０Ｇでオプティカルブラック部ＯＰＢのトレンチ２７内を埋めても構わない。
また、オプティカルブラック部ＯＰＢの表面に、カラーフィルタ３０Ｂ，３０Ｒ，３０Ｇのうちの１層〜３層を残しても構わない。
なお、オプティカルブラック部ＯＰＢでは、表面にカラーフィルタを残さない方が、半導体基体１１と遮光膜３２との距離が短くなって遮光性が向上するので、好ましい。
なお、オプティカルブラック部ＯＰＢでは、表面にカラーフィルタを残さない方が、半導体基体１１と遮光膜３２との距離が短くなって遮光性が向上するので、好ましい。
上述の本実施の形態の固定撮像装置の構成によれば、画素間のトレンチ２７内にカラーフィルタ３０Ｒ，３０Ｂが埋め込まれている。これにより、トレンチ２７内のカラーフィルタ３０Ｒ，３０Ｂによって、隣接する画素への光の漏れ込みを抑制して、混色の発生を抑制することができる。
そして、トレンチ２７内に金属等の遮光材料を使用しないため、反射や吸収による感度のロスも抑制することができる。
従って、感度の向上と混色の抑制を共に実現することができる。
そして、トレンチ２７内に金属等の遮光材料を使用しないため、反射や吸収による感度のロスも抑制することができる。
従って、感度の向上と混色の抑制を共に実現することができる。
また、緑の画素２Ｇと赤の画素２Ｒが隣接する画素間のトレンチ２７内には、赤のカラーフィルタ３０Ｒが埋め込まれており、緑の画素２Ｇと青の画素２Ｂが隣接する画素間のトレンチ２７内には、青のカラーフィルタ３０Ｂが埋め込まれている。これにより、一番感度の高い緑の画素２Ｇから隣接する赤の画素２Ｒや青の画素２Ｂに緑の光が漏れ込むことを防いで、混色による裾浮きの発生を抑制することができる。
上述の本実施の形態の製造方法によれば、隣接する画素間にトレンチ２７を形成し、トレンチ２７内にカラーフィルタ３０Ｂ，３０Ｒを埋め込んで形成するので、隣接する画素への光の漏れ込みを抑制して、混色の発生を抑制することが可能になる。
また、画素の光電変換部１４上にカラーフィルタ３０Ｂ，３０Ｒを形成すると共に、トレンチ２７内にカラーフィルタ３０Ｂ，３０Ｒを埋め込んで形成するので、これらの箇所に同時にカラーフィルタ３０Ｂ，３０Ｒを形成することができる。これにより、カラーフィルタとは別にトレンチ内に遮光材料等を埋め込む場合と比較して、工程数を削減することができる。
また、画素の光電変換部１４上にカラーフィルタ３０Ｂ，３０Ｒを形成すると共に、トレンチ２７内にカラーフィルタ３０Ｂ，３０Ｒを埋め込んで形成するので、これらの箇所に同時にカラーフィルタ３０Ｂ，３０Ｒを形成することができる。これにより、カラーフィルタとは別にトレンチ内に遮光材料等を埋め込む場合と比較して、工程数を削減することができる。
＜３．第３の実施の形態（固体撮像装置）＞
次に、第３の実施の形態の固体撮像装置の構成を説明する。
第３の実施の形態の固体撮像装置の画素の色の配列を図２４Ａの平面図に示し、カラーフィルタの配列を図２４Ｂの平面図に示す。
次に、第３の実施の形態の固体撮像装置の構成を説明する。
第３の実施の形態の固体撮像装置の画素の色の配列を図２４Ａの平面図に示し、カラーフィルタの配列を図２４Ｂの平面図に示す。
本実施の形態は、画素の色の配列を、所謂ハニカム配列とした構成である。
図２４Ａに示すように、緑の画素２Ｇは、図３Ａに示したベイヤー配列と同様に、１画素置きに配置されている。一方、赤の画素２Ｒ及び青の画素２Ｂは、図３Ａに示したベイヤー配列とは異なり、画素の角部で同色の画素が連続した配置となっている。
図３Ａ〜図３Ｃと同様の法則により、画素及び画素間のトレンチ内に３色のカラーフィルタ３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂを配置すると、図２４Ｂに示すように、青のカラーフィルタ３０Ｂ及び赤のカラーフィルタ３０Ｒが、画素の角部で連続して形成される。
本実施の形態の構成も、前述したレイアウトの法則「隣接する画素の色の感度に有意差がある場合、画素間のトレンチ内は、感度の低い方の色のカラーフィルタを埋め込む」を満たしている。
図２４Ａに示すように、緑の画素２Ｇは、図３Ａに示したベイヤー配列と同様に、１画素置きに配置されている。一方、赤の画素２Ｒ及び青の画素２Ｂは、図３Ａに示したベイヤー配列とは異なり、画素の角部で同色の画素が連続した配置となっている。
図３Ａ〜図３Ｃと同様の法則により、画素及び画素間のトレンチ内に３色のカラーフィルタ３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂを配置すると、図２４Ｂに示すように、青のカラーフィルタ３０Ｂ及び赤のカラーフィルタ３０Ｒが、画素の角部で連続して形成される。
本実施の形態の構成も、前述したレイアウトの法則「隣接する画素の色の感度に有意差がある場合、画素間のトレンチ内は、感度の低い方の色のカラーフィルタを埋め込む」を満たしている。
なお、その他の構成は、第１の実施の形態と同様であり、図１の平面図に示した構成や図２の断面図に示した構成を採用することができる。
上述の本実施の形態の固体撮像装置の構成によれば、画素間のトレンチ内にカラーフィルタ３０Ｒ，３０Ｂが埋め込まれている。これにより、トレンチ内のカラーフィルタ３０Ｒ，３０Ｂによって、隣接する画素への光の漏れ込みを抑制して、混色の発生を抑制することができる。
そして、トレンチ内に金属等の遮光材料を使用しないため、反射や吸収による感度のロスも抑制することができる。
従って、感度の向上と混色の抑制を共に実現することができる。
そして、トレンチ内に金属等の遮光材料を使用しないため、反射や吸収による感度のロスも抑制することができる。
従って、感度の向上と混色の抑制を共に実現することができる。
また、緑の画素２Ｇと赤の画素２Ｒが隣接する画素間のトレンチ内には、赤のカラーフィルタ３０Ｒが埋め込まれており、緑の画素２Ｇと青の画素２Ｂが隣接する画素間のトレンチ内には、青のカラーフィルタ３０Ｂが埋め込まれている。これにより、一番感度の高い緑の画素２Ｇから隣接する赤の画素２Ｒや青の画素２Ｂに緑の光が漏れ込むことを防いで、混色による裾浮きの発生を抑制することができる。
＜４．第４の実施の形態（固体撮像装置）＞
次に、第４の実施の形態の固体撮像装置の構成を説明する。
第４の実施の形態の固体撮像装置の画素の色の配列を図２５Ａの平面図に示し、カラーフィルタの配列を図２５Ｂの平面図に示す。
次に、第４の実施の形態の固体撮像装置の構成を説明する。
第４の実施の形態の固体撮像装置の画素の色の配列を図２５Ａの平面図に示し、カラーフィルタの配列を図２５Ｂの平面図に示す。
本実施の形態は、画素の色の配列を、所謂クリアビット配列とした構成である。
図２５Ａに示すように、赤の画素２Ｒ及び青の画素２Ｂは、一行置きかつ一列置きに配置されている。その行及び列では、赤−緑−青−緑−赤−の繰り返しで配列されている。他の行及び他の列は、緑の画素２Ｇが連続して配置されている。
この配列の場合、緑の画素２Ｇが縦や横に連続する箇所があるため、その箇所の画素間のトレンチには、緑のカラーフィルタ３０Ｇを埋め込む。
従って、カラーフィルタの配列は、図２５Ｂに示すように、連続して形成された緑のカラーフィルタ３０Ｇに、赤のカラーフィルタ３０Ｒと青のカラーフィルタ３０Ｂが、それぞれ島状に離散して形成された構成となる。
赤の画素２Ｒ及び青の画素２Ｂの周囲のトレンチは、それぞれ赤のカラーフィルタ３０Ｒ、青のカラーフィルタ３０Ｂが埋め込まれている。
本実施の形態の構成も、前述したレイアウトの法則「隣接する画素の色の感度に有意差がある場合、画素間のトレンチ内は、感度の低い方の色のカラーフィルタを埋め込む」を満たしている。
図２５Ａに示すように、赤の画素２Ｒ及び青の画素２Ｂは、一行置きかつ一列置きに配置されている。その行及び列では、赤−緑−青−緑−赤−の繰り返しで配列されている。他の行及び他の列は、緑の画素２Ｇが連続して配置されている。
この配列の場合、緑の画素２Ｇが縦や横に連続する箇所があるため、その箇所の画素間のトレンチには、緑のカラーフィルタ３０Ｇを埋め込む。
従って、カラーフィルタの配列は、図２５Ｂに示すように、連続して形成された緑のカラーフィルタ３０Ｇに、赤のカラーフィルタ３０Ｒと青のカラーフィルタ３０Ｂが、それぞれ島状に離散して形成された構成となる。
赤の画素２Ｒ及び青の画素２Ｂの周囲のトレンチは、それぞれ赤のカラーフィルタ３０Ｒ、青のカラーフィルタ３０Ｂが埋め込まれている。
本実施の形態の構成も、前述したレイアウトの法則「隣接する画素の色の感度に有意差がある場合、画素間のトレンチ内は、感度の低い方の色のカラーフィルタを埋め込む」を満たしている。
なお、その他の構成は、第１の実施の形態と同様であり、図１の平面図に示した構成や図２の断面図に示した構成を採用することができる。
上述の本実施の形態の固体撮像装置の構成によれば、画素間のトレンチ内にカラーフィルタ３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂが埋め込まれている。これにより、トレンチ内のカラーフィルタ３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂによって、隣接する画素への光の漏れ込みを抑制して、混色の発生を抑制することができる。
そして、トレンチ内に金属等の遮光材料を使用しないため、反射や吸収による感度のロスも抑制することができる。
従って、感度の向上と混色の抑制を共に実現することができる。
そして、トレンチ内に金属等の遮光材料を使用しないため、反射や吸収による感度のロスも抑制することができる。
従って、感度の向上と混色の抑制を共に実現することができる。
また、緑の画素２Ｇと赤の画素２Ｒが隣接する画素間のトレンチ内には、赤のカラーフィルタ３０Ｒが埋め込まれており、緑の画素２Ｇと青の画素２Ｂが隣接する画素間のトレンチ内には、青のカラーフィルタ３０Ｂが埋め込まれている。これにより、一番感度の高い緑の画素２Ｇから隣接する赤の画素２Ｒや青の画素２Ｂに緑の光が漏れ込むことを防いで、混色による裾浮きの発生を抑制することができる。
＜５．第５の実施の形態（固体撮像装置）＞
次に、第５の実施の形態の固体撮像装置の構成を説明する。
第５の実施の形態の固体撮像装置の画素の色の配列を図２６Ａの平面図に示し、カラーフィルタの配列を図２６Ｂの平面図に示す。
次に、第５の実施の形態の固体撮像装置の構成を説明する。
第５の実施の形態の固体撮像装置の画素の色の配列を図２６Ａの平面図に示し、カラーフィルタの配列を図２６Ｂの平面図に示す。
本実施の形態は、３色の画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに加えて、ホワイト画素２Ｗを設けた構成である。
図２６Ａに示すように、各行及び各列の一画素置きにホワイト画素２Ｗを配置して、ホワイト画素２Ｗの間に、３色の画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを配置している。
３色の画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの比率は、ベイヤー配列と同様に、赤：緑：青＝１：２：１としている。緑の画素２Ｇは、各行及び各列の４画素中の１画素に配置され、赤の画素２Ｒ及び青の画素２Ｂは、一行置き及び一列置きの４画素中の１画素に配置されている。
前述した各実施の形態とは異なり、緑の画素２Ｇと、赤の画素２Ｒや青の画素２Ｂとの隣接は角部のみになっている。
図２６Ａに示すように、各行及び各列の一画素置きにホワイト画素２Ｗを配置して、ホワイト画素２Ｗの間に、３色の画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを配置している。
３色の画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの比率は、ベイヤー配列と同様に、赤：緑：青＝１：２：１としている。緑の画素２Ｇは、各行及び各列の４画素中の１画素に配置され、赤の画素２Ｒ及び青の画素２Ｂは、一行置き及び一列置きの４画素中の１画素に配置されている。
前述した各実施の形態とは異なり、緑の画素２Ｇと、赤の画素２Ｒや青の画素２Ｂとの隣接は角部のみになっている。
ホワイト画素２Ｗには、カラーフィルタを設けない。
そして、ホワイト画素２Ｗは、他の３色の画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂよりも感度が高いので、ホワイト画素２Ｗの周囲のトレンチには、隣接する画素の色（赤、緑、青のいずれか）のカラーフィルタを埋め込む。
即ち、前述したレイアウトの法則「隣接する画素の色の感度に有意差がある場合、画素間のトレンチ内は、感度の低い方の色のカラーフィルタを埋め込む」を満たす。
そして、ホワイト画素２Ｗは、他の３色の画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂよりも感度が高いので、ホワイト画素２Ｗの周囲のトレンチには、隣接する画素の色（赤、緑、青のいずれか）のカラーフィルタを埋め込む。
即ち、前述したレイアウトの法則「隣接する画素の色の感度に有意差がある場合、画素間のトレンチ内は、感度の低い方の色のカラーフィルタを埋め込む」を満たす。
図２６Ｂに示すように、斜線を付した、ホワイト画素２Ｗの位置３３では、カラーフィルタが設けられていない。そして、ホワイト画素２Ｗの周囲のトレンチには、隣接する画素のカラーフィルタ（３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂのいずれか）が埋め込まれている。
本実施の形態の色配列では、緑の画素２Ｇが斜めに連続しているので、緑のカラーフィルタ３０Ｇが連続して形成されている。
図２６Ｂでは、緑の画素２Ｇと、赤の画素２Ｒや青の画素２Ｂとの間の角部のトレンチ内には、赤のカラーフィルタ３０Ｒ、青のカラーフィルタ３０Ｂが埋め込まれている。この画素の角部では、画素の辺部よりも漏れ光が少ないので、緑の画素２Ｇの周囲の角部のトレンチに、緑のカラーフィルタ３０Ｇを埋め込んでも構わない。
本実施の形態の色配列では、緑の画素２Ｇが斜めに連続しているので、緑のカラーフィルタ３０Ｇが連続して形成されている。
図２６Ｂでは、緑の画素２Ｇと、赤の画素２Ｒや青の画素２Ｂとの間の角部のトレンチ内には、赤のカラーフィルタ３０Ｒ、青のカラーフィルタ３０Ｂが埋め込まれている。この画素の角部では、画素の辺部よりも漏れ光が少ないので、緑の画素２Ｇの周囲の角部のトレンチに、緑のカラーフィルタ３０Ｇを埋め込んでも構わない。
なお、図２６Ａ及び図２６Ｂの配置では、ホワイト画素２Ｗが縦横に隣接する箇所が無いが、ホワイト画素２Ｗを縦又は横に隣接された配列にする場合には、隣接するホワイト画素２Ｗの間のトレンチにはカラーフィルタを埋め込まなくても構わない。
なお、その他の構成は、第１の実施の形態と同様であり、図１の平面図に示した構成を採用することができる。
上述の実施の形態によれば、画素間のトレンチ内にカラーフィルタ３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂが埋め込まれている。これにより、トレンチ内のカラーフィルタ３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂによって、隣接する画素への光の漏れ込みを抑制して、混色の発生を抑制することができる。
そして、トレンチ内に金属等の遮光材料を使用しないため、反射や吸収による感度のロスも抑制することができる。
従って、感度の向上と混色の抑制を共に実現することができる。
そして、トレンチ内に金属等の遮光材料を使用しないため、反射や吸収による感度のロスも抑制することができる。
従って、感度の向上と混色の抑制を共に実現することができる。
また、ホワイト画素２Ｗと他の画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂが隣接する画素間のトレンチ内には、他の画素の色のカラーフィルタ３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂが埋め込まれている。これにより、最も感度の高い、ホワイト画素２Ｗから隣接する他の画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに光が漏れ込むことを防いて、混色の発生を抑制することができる。
そして、緑の画素２Ｇと赤の画素２Ｒが隣接する画素間のトレンチ内には、赤のカラーフィルタ３０Ｒが埋め込まれており、緑の画素２Ｇと青の画素２Ｂが隣接する画素間のトレンチ内には、青のカラーフィルタ３０Ｂが埋め込まれている。これにより、より感度の高い緑の画素２Ｇから隣接する赤の画素２Ｒや青の画素２Ｂに緑の光が漏れ込むことを防いで、混色による裾浮きの発生を抑制することができる。
そして、緑の画素２Ｇと赤の画素２Ｒが隣接する画素間のトレンチ内には、赤のカラーフィルタ３０Ｒが埋め込まれており、緑の画素２Ｇと青の画素２Ｂが隣接する画素間のトレンチ内には、青のカラーフィルタ３０Ｂが埋め込まれている。これにより、より感度の高い緑の画素２Ｇから隣接する赤の画素２Ｒや青の画素２Ｂに緑の光が漏れ込むことを防いで、混色による裾浮きの発生を抑制することができる。
＜６．第６の実施の形態（固体撮像装置）＞
次に、第６の実施の形態の固体撮像装置の構成を説明する。
第６の実施の形態の固体撮像装置の画素の色の配列を図２７Ａの平面図に示し、カラーフィルタの配列を図２７Ｂの平面図に示す。
本実施の形態は、３色の画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを、縦横に２画素ずつ４画素連続して配置した構成である。
同じ色の画素が連続する４画素を１まとめにすると、図３Ａに示したベイヤー配列と同様になっている。
次に、第６の実施の形態の固体撮像装置の構成を説明する。
第６の実施の形態の固体撮像装置の画素の色の配列を図２７Ａの平面図に示し、カラーフィルタの配列を図２７Ｂの平面図に示す。
本実施の形態は、３色の画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを、縦横に２画素ずつ４画素連続して配置した構成である。
同じ色の画素が連続する４画素を１まとめにすると、図３Ａに示したベイヤー配列と同様になっている。
図２７Ｂに示すように、同じ色の画素が隣接する画素間のトレンチには、その色のカラーフィルタ３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂが埋め込まれている。緑の画素２Ｇと赤の画素２Ｒや青の画素２Ｂとが隣接する箇所は、それぞれ、赤のカラーフィルタ３０Ｒ、青のカラーフィルタ３０Ｂが埋め込まれている。
従って、本実施の形態の構成も、前述したレイアウトの法則「隣接する画素の色の感度に有意差がある場合、画素間のトレンチ内は、感度の低い方の色のカラーフィルタを埋め込む」を満たしている。
従って、本実施の形態の構成も、前述したレイアウトの法則「隣接する画素の色の感度に有意差がある場合、画素間のトレンチ内は、感度の低い方の色のカラーフィルタを埋め込む」を満たしている。
上述の実施の形態の固体撮像装置の構成によれば、画素間のトレンチ内にカラーフィルタ３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂが埋め込まれている。これにより、トレンチ内のカラーフィルタ３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂによって、隣接する画素への光の漏れ込みを抑制して、混色の発生を抑制することができる。
そして、トレンチ内に金属等の遮光材料を使用しないため、反射や吸収による感度のロスも抑制することができる。
従って、感度の向上と混色の抑制を共に実現することができる。
そして、トレンチ内に金属等の遮光材料を使用しないため、反射や吸収による感度のロスも抑制することができる。
従って、感度の向上と混色の抑制を共に実現することができる。
また、緑の画素２Ｇと赤の画素２Ｒが隣接する画素間のトレンチ内には、赤のカラーフィルタ３０Ｒが埋め込まれており、緑の画素２Ｇと青の画素２Ｂが隣接する画素間のトレンチ内には、青のカラーフィルタ３０Ｂが埋め込まれている。これにより、一番感度の高い緑の画素２Ｇから隣接する赤の画素２Ｒや青の画素２Ｂに緑の光が漏れ込むことを防いで、混色による裾浮きの発生を抑制することができる。
＜７．固体撮像装置の変形例＞
上述の各実施の形態のうち、図３、図２４、図２６、図２７の各図に示したカラーフィルタのレイアウトでは、赤の画素２Ｒと青の画素２Ｂとの間の角部のトレンチ２７内には、青のカラーフィルタ３０Ｂを埋め込んでいた。
この赤の画素２Ｒと青の画素２Ｂとの間の角部のトレンチ２７内に、赤のカラーフィルタ３０Ｒを埋め込んでも構わない。この角部のトレンチ２７内に赤のカラーフィルタ３０Ｒを埋め込む場合には、固体撮像装置を製造する際に、赤のカラーフィルタ３０Ｒを、青のカラーフィルタ３０Ｂよりも先に形成すればよい。
上述の各実施の形態のうち、図３、図２４、図２６、図２７の各図に示したカラーフィルタのレイアウトでは、赤の画素２Ｒと青の画素２Ｂとの間の角部のトレンチ２７内には、青のカラーフィルタ３０Ｂを埋め込んでいた。
この赤の画素２Ｒと青の画素２Ｂとの間の角部のトレンチ２７内に、赤のカラーフィルタ３０Ｒを埋め込んでも構わない。この角部のトレンチ２７内に赤のカラーフィルタ３０Ｒを埋め込む場合には、固体撮像装置を製造する際に、赤のカラーフィルタ３０Ｒを、青のカラーフィルタ３０Ｂよりも先に形成すればよい。
上述の各実施の形態では、図３Ｂに示したように、カラーフィルタを埋め込むトレンチ２７を、画素２の周囲に格子状に形成した構成として説明した。
本技術において、カラーフィルタを埋め込むトレンチ２７は、隣接する画素との画素間の大部分に形成されていれば良い。
例えば、図２８に平面図を示すように、隣接する画素間の角部を除いた部分に島状に、カラーフィルタを埋め込むトレンチ２７を形成しても構わない。
本技術において、カラーフィルタを埋め込むトレンチ２７は、隣接する画素との画素間の大部分に形成されていれば良い。
例えば、図２８に平面図を示すように、隣接する画素間の角部を除いた部分に島状に、カラーフィルタを埋め込むトレンチ２７を形成しても構わない。
上述の各実施の形態では、画素間のトレンチ２７内に、１色のカラーフィルタのみが埋め込まれた構成を説明していた。
本技術では、トレンチ内に複数色のカラーフィルタが埋め込まれている構成とすることも可能である。このとき、感度の高い色の画素と感度が低い他の色の画素の間のトレンチには、少なくとも感度が低い色のカラーフィルタが埋め込まれているようにすることが好ましい。
また、前述したように、カラーフィルタの内部に中空部を有する構成としてもよい。
本技術では、トレンチ内に複数色のカラーフィルタが埋め込まれている構成とすることも可能である。このとき、感度の高い色の画素と感度が低い他の色の画素の間のトレンチには、少なくとも感度が低い色のカラーフィルタが埋め込まれているようにすることが好ましい。
また、前述したように、カラーフィルタの内部に中空部を有する構成としてもよい。
上述の各実施の形態では、赤、緑、青の３色の画素やホワイト画素を使用した場合を説明した。
本技術において、カラーフィルタの色は赤、緑、青の３色に限定されるものではなく、その他の色の組み合わせを採用することも可能である。
他の色の組み合わせの場合でも、前述したレイアウトの原則「隣接する画素の色の感度に有意差がある場合、画素間のトレンチ内は、感度の低い方の色のカラーフィルタを埋め込む」を満たす構成とすれば、混色による裾浮きの発生を抑制することが可能になる。
本技術において、カラーフィルタの色は赤、緑、青の３色に限定されるものではなく、その他の色の組み合わせを採用することも可能である。
他の色の組み合わせの場合でも、前述したレイアウトの原則「隣接する画素の色の感度に有意差がある場合、画素間のトレンチ内は、感度の低い方の色のカラーフィルタを埋め込む」を満たす構成とすれば、混色による裾浮きの発生を抑制することが可能になる。
第１の実施の形態及び第２の実施の形態の製造工程では、最も感度が高い緑のカラーフィルタ３０Ｇを、３色のカラーフィルタ３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂの最後に形成していた。
他の色の組み合わせの場合でも、好ましくは、同様に、固体撮像装置の製造工程のカラーフィルタを形成する工程において、複数色のカラーフィルタのうち、最も感度が高い色のカラーフィルタを、各色のカラーフィルタの最後に形成する。
他の色の組み合わせの場合でも、好ましくは、同様に、固体撮像装置の製造工程のカラーフィルタを形成する工程において、複数色のカラーフィルタのうち、最も感度が高い色のカラーフィルタを、各色のカラーフィルタの最後に形成する。
ホワイト画素を使用した第５の実施の形態の構成では、ホワイト画素が最も高い感度を有し、緑の画素が次に高い感度を有する。
このように、各色の画素の感度が３段階以上の場合には、画素の感度の各段階に対応して、前述したレイアウトの原則に沿って、カラーフィルタのレイアウトを設定することが可能である。
しかしながら、本技術において、各色の画素の感度が３段階以上の場合には、必ずしも、画素の感度の全ての段階において、レイアウトの原則を採用しなくても構わない。少なくとも、最も感度が高い色の画素と、隣接する他の色の画素との間のトレンチ内は、他の色のカラーフィルタで埋め込まれている構成とすれば、混色による裾浮きの発生を抑制する作用効果が得られる。
このように、各色の画素の感度が３段階以上の場合には、画素の感度の各段階に対応して、前述したレイアウトの原則に沿って、カラーフィルタのレイアウトを設定することが可能である。
しかしながら、本技術において、各色の画素の感度が３段階以上の場合には、必ずしも、画素の感度の全ての段階において、レイアウトの原則を採用しなくても構わない。少なくとも、最も感度が高い色の画素と、隣接する他の色の画素との間のトレンチ内は、他の色のカラーフィルタで埋め込まれている構成とすれば、混色による裾浮きの発生を抑制する作用効果が得られる。
本技術に係る固体撮像装置は、例えば、デジタルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、撮像機能を有する携帯電話、撮像機能を備えた他の機器等の、各種電子機器に適用することができる。
＜８．第７の実施の形態（電子機器）＞
第７の実施の形態の電子機器の概略構成図（ブロック図）を、図２９に示す。
図２９に示すように、この電子機器１２１は、固体撮像装置１２２、光学系１２３、シャッタ装置１２４、駆動回路１２５、信号処理回路１２６を有する。
第７の実施の形態の電子機器の概略構成図（ブロック図）を、図２９に示す。
図２９に示すように、この電子機器１２１は、固体撮像装置１２２、光学系１２３、シャッタ装置１２４、駆動回路１２５、信号処理回路１２６を有する。
光学系１２３は、光学レンズ等により構成され、被写体からの像光（入射光）を固体撮像装置１２２の画素部に結像させる。これにより、固体撮像装置１２２内に、一定期間信号電荷が蓄積される。光学系１２３は、複数個の光学レンズから構成された光学レンズ系としても良い。
固体撮像装置１２２としては、前述した各実施の形態の固体撮像装置等、本技術に係る固体撮像装置を使用する。
シャッタ装置１２４は、固体撮像装置１２２への光照射期間及び遮光期間を制御する。
駆動回路１２５は、固体撮像装置１２２の転送動作及びシャッタ装置１２４のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路１２５から供給される駆動信号（タイミング信号）により、固体撮像装置１２２の信号転送を行う。
信号処理回路１２６は、各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリ等の記憶媒体に記憶され、或いは、モニタに出力される。
固体撮像装置１２２としては、前述した各実施の形態の固体撮像装置等、本技術に係る固体撮像装置を使用する。
シャッタ装置１２４は、固体撮像装置１２２への光照射期間及び遮光期間を制御する。
駆動回路１２５は、固体撮像装置１２２の転送動作及びシャッタ装置１２４のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路１２５から供給される駆動信号（タイミング信号）により、固体撮像装置１２２の信号転送を行う。
信号処理回路１２６は、各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリ等の記憶媒体に記憶され、或いは、モニタに出力される。
上述の本実施の形態の電子機器１２１の構成によれば、固体撮像装置１２２として、前述した各実施の形態の固体撮像装置等、本技術に係る固体撮像装置を使用することにより、固体撮像装置において、感度の向上と混色の抑制を共に実現することが可能になる。
本技術において、撮像装置の構成は、図２９に示した構成に限定されるものではなく、本技術に係る固体撮像装置を使用する構成であれば、図２９に示した以外の構成とすることも可能である。
なお、本開示は以下のような構成も取ることができる。
（１）半導体基体と、前記半導体基体内に形成された光電変換部から成る画素と、前記半導体基体に形成され、隣接する前記画素間を分離するトレンチと、前記画素の前記光電変換部上に形成され、かつ、前記トレンチ内の少なくとも一部に埋め込まれて形成された、カラーフィルタを含む固体撮像装置。
（２）最も感度が高い色の画素と、隣接する他の色の画素との間の前記トレンチ内は、他の色のカラーフィルタで埋め込まれている、前記（１）に記載の固体撮像装置。
（３）隣接する画素の色の感度に有意差がある場合、画素間の前記トレンチ内は、感度の低い方の色のカラーフィルタで埋め込まれている、前記（１）に記載の固体撮像装置。
（４）画素の色配列がベイヤー配列であり、緑の画素の周辺の前記トレンチ内が、隣接する画素の色である、赤のカラーフィルタもしくは青のカラーフィルタで埋め込まれている、前記（２）に記載の固体撮像装置。
（５）画素の色配列がクリアビット配列であり、緑の画素が隣接する画素間のトレンチ内には、緑のカラーフィルタが埋め込まれ、緑の画素が隣接しない画素間のトレンチ内には、緑の画素と隣接する画素の色である、赤のカラーフィルタもしくは青のカラーフィルタで埋め込まれている、前記（２）に記載の固体撮像装置。
（６）画素の色配列が、カラーフィルタが設けられないホワイト画素を含み、前記ホワイト画素が隣接しない画素間のトレンチ内には、前記ホワイト画素と隣接する画素の色であるカラーフィルタが埋め込まれている、前記（２）又は（３）に記載の固体撮像装置。
（７）同じ色の画素が隣接する画素間のトレンチ内には、同色のカラーフィルタが埋め込まれている、前記（２）に記載の固体撮像装置。
（８）半導体基体内に、画素を構成する光電変換部を形成する工程と、前記半導体基体に、隣接する前記画素間を分離するトレンチを形成する工程と、前記画素の前記光電変換部上にカラーフィルタを形成すると共に、前記トレンチ内の少なくとも一部に、前記カラーフィルタを埋め込んで形成する工程を有する固体撮像装置の製造方法。
（９）前記カラーフィルタを形成する工程において、複数色の前記カラーフィルタのうち、最も感度が高い色のカラーフィルタを、各色の前記カラーフィルタの最後に形成する、前記（８）に記載の固体撮像装置の製造方法。
（１０）光学系と、前記（１）〜（７）のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、前記固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路を備えた電子機器。
（１）半導体基体と、前記半導体基体内に形成された光電変換部から成る画素と、前記半導体基体に形成され、隣接する前記画素間を分離するトレンチと、前記画素の前記光電変換部上に形成され、かつ、前記トレンチ内の少なくとも一部に埋め込まれて形成された、カラーフィルタを含む固体撮像装置。
（２）最も感度が高い色の画素と、隣接する他の色の画素との間の前記トレンチ内は、他の色のカラーフィルタで埋め込まれている、前記（１）に記載の固体撮像装置。
（３）隣接する画素の色の感度に有意差がある場合、画素間の前記トレンチ内は、感度の低い方の色のカラーフィルタで埋め込まれている、前記（１）に記載の固体撮像装置。
（４）画素の色配列がベイヤー配列であり、緑の画素の周辺の前記トレンチ内が、隣接する画素の色である、赤のカラーフィルタもしくは青のカラーフィルタで埋め込まれている、前記（２）に記載の固体撮像装置。
（５）画素の色配列がクリアビット配列であり、緑の画素が隣接する画素間のトレンチ内には、緑のカラーフィルタが埋め込まれ、緑の画素が隣接しない画素間のトレンチ内には、緑の画素と隣接する画素の色である、赤のカラーフィルタもしくは青のカラーフィルタで埋め込まれている、前記（２）に記載の固体撮像装置。
（６）画素の色配列が、カラーフィルタが設けられないホワイト画素を含み、前記ホワイト画素が隣接しない画素間のトレンチ内には、前記ホワイト画素と隣接する画素の色であるカラーフィルタが埋め込まれている、前記（２）又は（３）に記載の固体撮像装置。
（７）同じ色の画素が隣接する画素間のトレンチ内には、同色のカラーフィルタが埋め込まれている、前記（２）に記載の固体撮像装置。
（８）半導体基体内に、画素を構成する光電変換部を形成する工程と、前記半導体基体に、隣接する前記画素間を分離するトレンチを形成する工程と、前記画素の前記光電変換部上にカラーフィルタを形成すると共に、前記トレンチ内の少なくとも一部に、前記カラーフィルタを埋め込んで形成する工程を有する固体撮像装置の製造方法。
（９）前記カラーフィルタを形成する工程において、複数色の前記カラーフィルタのうち、最も感度が高い色のカラーフィルタを、各色の前記カラーフィルタの最後に形成する、前記（８）に記載の固体撮像装置の製造方法。
（１０）光学系と、前記（１）〜（７）のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、前記固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路を備えた電子機器。
本技術は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
１，１２２ 固体撮像装置、２ 画素、２Ｒ 赤の画素、２Ｇ 緑の画素、２Ｂ 青の画素、２Ｗ ホワイト画素、３ 画素部、４ 垂直駆動回路、５ カラム信号処理回路、６ 水平駆動回路、７ 出力回路、８ 制御回路、９ 垂直信号線、１０ 水平信号線、１１ 半導体基体、１２ 入出力端子、１３ Ｐ＋領域、１４ 光電変換部、１５ 正孔蓄積領域、１６ 画素分離領域、１７ ソース・ドレイン領域、１８ ゲート絶縁膜、１９ ゲート電極、２０ サイドウォール絶縁層、２１ サリサイドブロック膜、２２ プラグ層、２３ 配線層、２４ 層間絶縁層、２５ 密着層、２６ 支持基板、２７ トレンチ、２８ 負の固定電荷を有する絶縁膜、２９ 絶縁層、３０Ｒ 赤のカラーフィルタ、３０Ｇ 緑のカラーフィルタ、３０Ｂ 青のカラーフィルタ、３１ オンチップレンズ、４１ シリコン基板、４２ 酸化膜、１２１ 電子機器、１２３ 光学系、１２４ シャッタ装置、１２５ 駆動回路、１２６ 信号処理回路、ＦＤ フローティングディフュージョン、ＯＰＢ オプティカルブラック部
Claims (6)
- 半導体基体と、
前記半導体基体内に形成された光電変換部から成る画素と、
前記半導体基体に形成され、隣接する前記画素間を分離するトレンチと、
前記画素の前記光電変換部上に形成され、かつ、前記トレンチ内の少なくとも一部に埋め込まれて形成された、カラーフィルタを含み、
最も感度が高い色の画素と、隣接する他の色の画素との間の前記トレンチ内は、他の色のカラーフィルタで埋め込まれており、
画素の色配列がベイヤー配列であり、緑の画素の周辺の前記トレンチ内が、隣接する画素の色である、赤のカラーフィルタもしくは青のカラーフィルタで埋め込まれている
固体撮像装置。 - 半導体基体と、
前記半導体基体内に形成された光電変換部から成る画素と、
前記半導体基体に形成され、隣接する前記画素間を分離するトレンチと、
前記画素の前記光電変換部上に形成され、かつ、前記トレンチ内の少なくとも一部に埋め込まれて形成された、カラーフィルタを含み、
最も感度が高い色の画素と、隣接する他の色の画素との間の前記トレンチ内は、他の色のカラーフィルタで埋め込まれており、
画素の色配列がクリアビット配列であり、緑の画素が隣接する画素間のトレンチ内には、緑のカラーフィルタが埋め込まれ、緑の画素が隣接しない画素間のトレンチ内には、緑の画素と隣接する画素の色である、赤のカラーフィルタもしくは青のカラーフィルタで埋め込まれている
固体撮像装置。 - 半導体基体と、
前記半導体基体内に形成された光電変換部から成る画素と、
前記半導体基体に形成され、隣接する前記画素間を分離するトレンチと、
前記画素の前記光電変換部上に形成され、かつ、前記トレンチ内の少なくとも一部に埋め込まれて形成された、カラーフィルタを含み、
最も感度が高い色の画素と、隣接する他の色の画素との間の前記トレンチ内は、他の色のカラーフィルタで埋め込まれており、
画素の色配列が、カラーフィルタが設けられないホワイト画素を含み、前記ホワイト画素が隣接しない画素間のトレンチ内には、前記ホワイト画素と隣接する画素の色であるカラーフィルタが埋め込まれている
固体撮像装置。 - 半導体基体と、
前記半導体基体内に形成された光電変換部から成る画素と、
前記半導体基体に形成され、隣接する前記画素間を分離するトレンチと、
前記画素の前記光電変換部上に形成され、かつ、前記トレンチ内の少なくとも一部に埋め込まれて形成された、カラーフィルタを含み、
隣接する画素の色の感度に有意差がある場合、画素間の前記トレンチ内は、感度の低い方の色のカラーフィルタで埋め込まれており、
画素の色配列が、カラーフィルタが設けられないホワイト画素を含み、前記ホワイト画素が隣接しない画素間のトレンチ内には、前記ホワイト画素と隣接する画素の色であるカラーフィルタが埋め込まれている
固体撮像装置。 - 半導体基体と、
前記半導体基体内に形成された光電変換部から成る画素と、
前記半導体基体に形成され、隣接する前記画素間を分離するトレンチと、
前記画素の前記光電変換部上に形成され、かつ、前記トレンチ内の少なくとも一部に埋め込まれて形成された、カラーフィルタを含み、
最も感度が高い色の画素と、隣接する他の色の画素との間の前記トレンチ内は、他の色のカラーフィルタで埋め込まれており、
同じ色の画素が隣接する画素間のトレンチ内には、同色のカラーフィルタが埋め込まれている
固体撮像装置。 - 光学系と、
請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路を備えた
電子機器。
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| KR101550067B1 (ko) * | 2008-12-24 | 2015-09-03 | 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
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| JP2010258157A (ja) * | 2009-04-23 | 2010-11-11 | Panasonic Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2011054911A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-17 | Sony Corp | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
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| JP5736755B2 (ja) * | 2010-12-09 | 2015-06-17 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
| KR101232282B1 (ko) * | 2011-04-27 | 2013-02-12 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
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Cited By (1)
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