JP6061073B2 - インプリント材料 - Google Patents
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Description
したがって、ナノインプリントリソグラフィは、光リソグラフィ技術に代わり、半導体デバイス、オプトデバイス、ディスプレイ、記憶媒体、バイオチップ等の製造への適用が期待されている技術であることから、ナノインプリントリソグラフィに用いる光ナノインプリントリソグラフィ用硬化性組成物について様々な報告がなされている(特許文献2、特許文献3)。
(A)成分:主鎖に繰り返し単位数又は平均繰り返し単位数が2乃至46であるエチレンオキサイドユニット及び少なくとも1つのウレタン結合を有し、かつ分子の両末端に4個乃至10個の重合性基を有する化合物
(B)成分:シリコーン化合物
(C)成分:光重合開始剤
第2観点として、(D)成分として溶剤をさらに含有する、第1観点に記載のインプリント材料に関する。
第3観点として、(E)成分として界面活性剤をさらに含有する、第1観点又は第2観点に記載のインプリント材料に関する。
第4観点として、前記(A)成分の化合物が有する前記重合性基は、アクリロイルオキシ基、メタアクリロイルオキシ基、ビニル基及びアリル基からなる群から選ばれる少なくとも1種の基である、第1観点乃至第3観点のいずれか一つに記載のインプリント材料に関する。
第5観点として、前記インプリント材料をフィルム上に塗布し、該フィルム上の塗膜をモールドの凹凸形状を有する面に接着させ、続いて該塗膜を光硬化させ、その後フィルム上の硬化被膜をモールドの凹凸形状を有する面から90°剥離する試験において、計測された離型力、すなわち、該フィルム上の硬化膜をモールドの凹凸形状を有する面から剥離したときの荷重を該フィルムの横幅1cmあたりに換算した値が0g/cmより大きく0.5g/cm未満である、第1観点乃至第4観点のいずれか一つに記載のインプリント材料。
第6観点として、第1観点乃至第5観点のうちいずれか一つに記載のインプリント材料から作製され、パターンが転写された膜。
第7観点として、第6観点に記載のパターンが転写された膜を基材上に備えた光学部材。
第8観点として、第6観点に記載のパターンが転写された膜を基材上に備えた固体撮像装置。
第9観点として、第6観点に記載のパターンが転写された膜を基材上に備えたLEDデバイス。
第10観点として、第6観点に記載のパターンが転写された膜を備えた半導体素子。
第11観点として、第6観点に記載のパターンが転写された膜を基材上に備えた太陽電池。
第12観点として、第6観点に記載のパターンが転写された膜を基材上に備えたディスプレイ。
第13観点として、第6観点に記載のパターンが転写された膜を基材上に備えた電子デバイス。
本発明のインプリント材料は、(A)成分の化合物が、エチレンオキサイドユニットを有し、かつ多官能な重合性基を含むことから、架橋密度を保持しながら硬化膜を得られるため、離型力を高くする多官能な重合性基を有する化合物が添加される必要がなくなり、得られる硬化膜は擦傷耐性を保持しながら、離型力を低下できる。
また本発明のインプリント材料は、光硬化が可能であり、かつモールドの凹凸形状を有する面からの剥離時にパターンの一部に剥がれが生じないため、所望のパターンが正確に形成された膜が得られる。したがって、良好な光インプリントのパターン形成が可能である。
また、本発明のインプリント材料は、任意の基材上に製膜することができ、インプリント後に形成されるパターンが転写された膜は、太陽電池、LEDデバイス、ディスプレイなどの、耐擦傷性が求められる部材を使用する製品へ好適に用いることができる。
さらに、本発明のインプリント材料は、上記(A)成分の化合物の種類及び含有割合を変更することで、硬化速度、動的粘度、膜厚、離型力をコントロールすることができる。したがって、本発明のインプリント材料は、製造するデバイス種と露光プロセス及び焼成プロセスの種類に対応した材料の設計が可能であり、プロセスマージンを拡大できるため、光学部材の製造に好適に用いることができる。
(A)成分の化合物は、主鎖に繰り返し単位数又は平均繰り返し単位数が2乃至46であるエチレンオキサイドユニット及び少なくとも1つのウレタン結合を有し、かつ分子の両末端に4個乃至10個の重合性基を有する化合物である。なお、上記エチレンオキサイドユニットとは(−CH2CH2O−)を表す。エチレンオキサイドユニットの繰り返し単位数が46よりも長いと、(A)成分の化合物を得るための反応性が低下し、得率が低下する場合がある。また、前記繰り返し単位数が46よりも長いと、エチレンオキサイドユニット特有の結晶化が発生しやすくなり、化合物が固体化する場合がある。その場合、(A)成分の化合物のハンドリング性が低下するばかりか、保存安定性が低下することから好ましくない。エチレンオキサイドユニットは、化合物の分子の主鎖に組み込まれる必要がある。エチレンオキサイドユニットが、主鎖ではなく側鎖に組み込まれた場合、離型力が増大する場合がある。ウレタン結合とは、(−NHCOO−)で表される部分構造である。ウレタン結合は分子に柔軟性を与え、離型力を低下させる効果がある。
(B)成分であるシリコーン化合物は、分子内にシリコーン骨格(シロキサン骨格)を有する化合物を表し、特にジメチルシリコーン骨格を有することが好ましい。
(C)成分である光重合開始剤としては、光硬化時に使用する光源に吸収をもつものであれば、特に限定されるものではないが、例えば、tert−ブチルペルオキシ−iso−ブタレート、2,5−ジメチル−2,5−ビス(ベンゾイルジオキシ)ヘキサン、1,4−ビス[α−(tert−ブチルジオキシ)−iso−プロポキシ]ベンゼン、ジ−tert−ブチルペルオキシド、2,5−ジメチル−2,5−ビス(tert−ブチルジオキシ)ヘキセンヒドロペルオキシド、α−(iso−プロピルフェニル)−iso−プロピルヒドロペルオキシド、tert−ブチルヒドロペルオキシド、1,1−ビス(tert−ブチルジオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、ブチル−4,4−ビス(tert−ブチルジオキシ)バレレート、シクロヘキサノンペルオキシド、2,2’,5,5’−テトラ(tert−ブチルペルオキシカルボニル)ベンゾフェノン、3,3’,4,4’−テトラ(tert−ブチルペルオキシカルボニル)ベンゾフェノン、3,3’,4,4’−テトラ(tert−アミルペルオキシカルボニル)ベンゾフェノン、3,3’,4,4’−テトラ(tert−ヘキシルペルオキシカルボニル)ベンゾフェノン、3,3’−ビス(tert−ブチルペルオキシカルボニル)−4,4’−ジカルボキシベンゾフェノン、tert−ブチルペルオキシベンゾエート、ジ−tert−ブチルジペルオキシイソフタレート等の有機過酸化物;9,10−アントラキノン、1−クロロアントラキノン、2−クロロアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、1,2−ベンズアントラキノン等のキノン類;ベンゾインメチル、ベンゾインエチルエーテル、α−メチルベンゾイン、α−フェニルベンゾイン等のベンゾイン誘導体;2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン、1−[4−(2−ヒドロキシエトキシ)−フェニル]−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オン、2−ヒドロキシ−1−[4−{4−(2−ヒドロキシ−2−メチル−プロピオニル)ベンジル}−フェニル]−2−メチル−プロパン−1−オン、フェニルグリオキシリックアシッドメチルエステル、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルホリノプロパン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−ブタノン−1、2−ジメチルアミノ−2−(4−メチル−ベンジル)−1−(4−モリホリン−4−イル−フェニル)−ブタン−1−オン等のアルキルフェノン系化合物;ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルホスフィンオキサイド、2,4,6−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−ホスフィンオキサイド等のアシルホスフィンオキサイド系化合物;1,2−オクタンジオン,1−[4−(フェニルチオ)−,2−(O−ベンゾイルオキシム)]、エタノン,1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−,1−(O−アセチルオキシム)等のオキシムエステル系化合物が挙げられる。
本発明においては(D)成分として溶剤を含有してもよい。(D)成分である溶剤は、(A)成分である、主鎖に繰り返し単位数又は平均繰り返し単位数が2乃至46であるエチレンオキサイドユニット及び少なくとも1つのウレタン結合を有し、かつ分子の両末端に4個乃至10個の重合性基を有する化合物の粘度調節の役割を果たす。
本発明においては(E)成分として界面活性剤を添加してもよい。(E)成分である界面活性剤は、得られる塗膜の製膜性を調整する役割を果たす。
本発明のインプリント材料は、本発明の効果を損なわない限りにおいて、必要に応じて(メタ)アクリロイル化合物及び/又はウレタンアクリロイル化合物、エポキシ化合物、光酸発生剤、光増感剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、密着補助剤又は離型性向上剤を含有することができる。
本発明のインプリント材料の調製方法は、特に限定されないが、(A)成分、(B)成分、(C)成分、並びに任意成分である(D)成分及び(E)成分並びに所望によりその他添加剤を混合し、インプリント材料が均一な状態となっていればよい。また、(A)成分乃至(E)成分並びに所望によりその他添加剤を混合する際の順序は、均一なインプリント材料が得られるなら問題なく、特に限定されない。当該調製方法としては、例えば、(A)成分に(B)成分を所定の割合で混合する方法が挙げられる。また、これに更に(C)成分、(D)成分及び(E)成分を混合し、均一なインプリント材料とする方法も挙げられる。さらに、この調製方法の適当な段階において、必要に応じて、その他の添加剤を更に添加して混合する方法が挙げられる。
本発明のインプリント材料は、基材上に塗布し光硬化させることで所望の硬化膜を得ることができる。塗布方法としては、公知又は周知の方法、例えば、スピンコート法、ディップ法、フローコート法、インクジェット法、スプレー法、バーコート法、グラビアコート法、スリットコート法、ロールコート法、転写印刷法、刷毛塗り、ブレードコート法、エアーナイフコート法を挙げることができる。
また、本発明で用いる光インプリント用に使用するモールド材としては、例えば、石英、シリコン、ニッケル、アルミナ、カルボニルシラン、グラッシーカーボンを挙げることができるが、目的のパターンが得られるなら、特に限定されない。また、モールドは、離型性を高めるために、その表面にフッ素系化合物等の薄膜を形成する離型処理を行ってもよい。離型処理に用いる離型剤としては、例えば、ダイキン工業株式会社製のオプツール(登録商標)HD、同DSXが挙げられるが、目的のパターンが得られるなら、特に限定されない。
IPDI:3−イソシアナトメチル−3,5,5−トリメチルシクロヘキシルイソシアナート(東京化成工業株式会社製)
HMDI:1,6−ヘキサメチレンジイソシアネート(東京化成工業株式会社製)
PEG200:ポリエチレングリコール♯200(純正化学株式会社製)
PEG600:ポリエチレングリコール♯600(純正化学株式会社製)
PEG1000:ポリエチレングリコール♯1000(純正化学株式会社製)
PEG2000:ポリエチレングリコール♯2000(純正化学株式会社製)
PEG3400:ポリエチレングリコール♯3400(和光純薬工業株式会社製)
AT3L:ペンタエリスリトールトリアクリレート(NKエステル A−TMM−3LMN、新中村化学工業株式会社製)
701A:2−ヒドロキシ−1−アクリロイキシ−3−メタクリロキシプロパン(NKエステル 701A、新中村化学工業株式会社製)
A9550:ジペンタエリスリトールペンタアクリレート(NKエステル A−9550、新中村化学工業株式会社製)
A200:ポリエチレングリコールジアクリレート(NKエステル A−200、新中村化学工業株式会社製)
TPO:Lucirin(登録商標)TPO(BASFジャパン株式会社製)
R30N:メガファック(登録商標)R−30−N(DIC株式会社製)
DPHA:KAYARAD(登録商標)DPHA(日本化薬株式会社製)
MEK:メチルエチルケトン(東京化成工業株式会社製)
<合成例1>
500mL3つ口フラスコに50.0g(0.2250mol)のIPDI、40.5g(0.1425mol)のAT3L、30.0g(0.15mol)のPEG200、0.0121g(溶質の総量に対して100ppm)のジブチルスズジラウレートを加え、重合禁止剤としてハイドロキノンを0.1205g(溶質の総量に対して1000ppm)を加え、固形分濃度が50%となるようにMEKを加えた後、空気を吹き込みながら80℃のオイルバスで3時間反応させた。次いで、エバポレーターを用いてMEKを留去し、固形分100%の下記式(1)で表される化合物UAS1を得た。式中“Me”はメチル基を表す。
合成例2乃至合成例10、比較合成例1及び比較合成例2は、原料化合物の種類を上記合成例1で使用した化合物から変更したのみで、合成例1に準じてスケール、モル数を変更せずに合成した。
主鎖にエチレンオキサイドユニットを有する(A)成分の化合物と比較するために、側鎖にエチレンオキサイドユニットを有する化合物を合成した。
500mL3つ口フラスコに50.0g(0.2550mol)の1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸を加え、次いで、25.5g(0.1275mol)のPEG200を加え、100℃のオイルバスで24時間反応させた。反応終了後、28.3g(0.1275mol)のIPDIと36.2g(0.1275mol)のAT3L、0.0140g(溶質の総量に対して100ppm)のジブチルスズジラウレートを加え、重合禁止剤としてハイドロキノンを0.1400g(溶質の総量に対して1000ppm)を加え、固形分濃度が50質量%となるようにMEKを加えた後、空気を吹き込みながら80℃のオイルバスで24時間反応させた。次いで、エバポレーターを用いてMEKを留去し、固形分100質量%の下記式(2)で表される化合物UAR3を得た。式中“Me”はメチル基を表す。
<実施例1>
10mLナス型フラスコに合成例1で得たUAS1を4.0g加え、0.10gのTPO、0.04gのBYK−333、R30Nの1質量%MEK溶液を0.04g、4.10gのMEKを加え、溶液が均一になるまでスターラーを用いて攪拌し、固形分が50質量%のMEK溶液(V1)を調製した。
実施例2乃至実施例10は、(A)成分の化合物の種類を上記実施例1で使用した(A)成分の化合物から変更したのみで、実施例1に準じてスケールを変更せずに、固形分が50質量%のMEK溶液(V2)乃至(V10)を調製した。
比較例1乃至比較例5は、(A)成分の化合物の代わりにその他の成分を使用したことのみを変更し、実施例1に準じてスケールを変更せずに、固形分が50質量%のMEK溶液(VR1)乃至(VR5)を調製した。
10mLナス型フラスコに合成例3で得たUAS3を4.0g加え、0.10gのTPO、0.04gのBYK−333、4.14gのMEKを加え、溶液が均一になるまでスターラーを用いて攪拌し、固形分が50質量%のMEK溶液(V11)を調製した。
10mLナス型フラスコに合成例3で得たUAS3を4.0g加え、0.10gのTPO、0.04gのBYK−333、R30Nの1質量%MEK溶液を0.04g、4.50gのMEK、0.40gのDPHAを加え、溶液が均一になるまでスターラーを用いて攪拌し、固形分が50%のMEK溶液(V12)を調製した。
10mLナス型フラスコに2.0gのDPHA、2.0gのA200を加え、0.10gのTPO、0.04gのBYK−333、R30Nの1%MEK溶液を0.04g、4.14gのMEKを加え、溶液が均一になるまでスターラーを用いて攪拌し、固形分が50%のMEK溶液(VR6)を調製した。
ニッケル製のピッチ250nm、高さ250nmのモスアイパターンモールド(株式会社イノックス製)及びシリコンウエハを、オプツール(登録商標)DSX(ダイキン工業株式会社製)をノベック(登録商標)HFE−7100(ハイドロフルオロエーテル、住友スリーエム株式会社)(以下、本明細書では「ノベックHFE−7100」と略称する。)で0.1質量%に希釈した溶液へ浸漬し、温度が90℃、湿度が90RH%の高温高湿装置を用いて1時間処理し、ノベックHFE−7100でリンス後、エアーで乾燥させた。
実施例1乃至実施例12及び比較例3乃至比較例6で得られた各インプリント材料を、厚さ80μmのトリアセチルセルロースフィルム(富士フイルム株式会社製 フジタック(登録商標)を使用)(以下、本明細書では「TACフィルム」と略称する。)上にバーコーター(全自動フィルムアプリケーター KT−AB3120 コーテック株式会社製)を用いて塗布し、クリーンオーブンを用いて110℃で30秒間乾燥させた。次いで、そのTACフィルム上の塗膜を前述の離型処理を施したモスアイパターンモールドへローラー圧着させ、続いて該塗膜に対しTACフィルム側から無電極均一照射装置(QRE−4016A、株式会社オーク製作所製)にて、350mJ/cm2の露光を施し、光硬化を行った。そしてJIS Z0237を参考にして90°剥離試験を行い、モールドの凹凸形状を有する面と接着している、TACフィルム上に形成された硬化膜が、モールドの凹凸形状を有する面から完全に剥がれたときの荷重を測定した。そしてフィルムの幅1cm当たりの荷重を算出し、離型力(g/cm)とした。結果を表3に示す。
上記離型力試験後に得られた硬化膜について、スチールウール擦傷試験を行った。試験機は大栄精機(有)製を使用し、♯0000のスチールウールを使用した。単位面積当たりの荷重は20.4g/cm2とし、上記スチールウールを10往復させた。擦傷後の傷本数については以下のように評価した。結果を表3に示す。
0〜 5本:A
6〜10本:B
11〜20本:C
21〜30本:D
31〜40本:E
Claims (12)
- 下記(A)成分、(B)成分及び(C)成分を含有するインプリント材料。
(A)成分:主鎖に繰り返し単位数又は平均繰り返し単位数が2乃至46であるエチレンオキサイドユニット及び少なくとも1つのウレタン結合を有し、かつ分子の両末端に合計4個乃至10個の重合性基を1分子中に有する化合物
(B)成分:シリコーン化合物
(C)成分:光重合開始剤 - (D)成分として溶剤をさらに含有する、請求項1に記載のインプリント材料。
- (E)成分として界面活性剤をさらに含有する、請求項1又は請求項2に記載のインプリント材料。
- 前記(A)成分の化合物が有する前記重合性基は、アクリロイルオキシ基、メタアクリロイルオキシ基、ビニル基及びアリル基からなる群から選ばれる少なくとも1種の基である、請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載のインプリント材料。
- 請求項1乃至請求項4のうちいずれか一項に記載のインプリント材料から作製され、パターンが転写された膜。
- 請求項5に記載のパターンが転写された膜を基材上に備えた光学部材。
- 請求項5に記載のパターンが転写された膜を基材上に備えた固体撮像装置。
- 請求項5に記載のパターンが転写された膜を基材上に備えたLEDデバイス。
- 請求項5に記載のパターンが転写された膜を備えた半導体素子。
- 請求項5に記載のパターンが転写された膜を基材上に備えた太陽電池。
- 請求項5に記載のパターンが転写された膜を基材上に備えたディスプレイ。
- 請求項5に記載のパターンが転写された膜を基材上に備えた電子デバイス。
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