JP5997259B2 - ハニカム構造体 - Google Patents
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Description
本発明のハニカム構造体の一の実施形態は、図1〜図3に示すように、筒状のハニカム構造部4と、一対の電極部21とを備えるものである。筒状のハニカム構造部4は、流体の流路となる一方の端面11から他方の端面12まで延びる複数のセル2を区画形成する多孔質の隔壁1と、最外周に位置する外周壁3とを有するものである。一対の電極部21は、ハニカム構造部4の側面5に配設されたものである。本実施形態のハニカム構造体100は、ハニカム構造部4の電気抵抗率が、1〜200Ωcmである。そして、本実施形態のハニカム構造体100は、一対の電極部21,21のそれぞれが、ハニカム構造部4のセル2の延びる方向に延びる帯状に形成されたものである。そして、本実施形態のハニカム構造体100は、セル2の延びる方向に直交する断面において、一方の電極部21が、他方の電極部21に対して、ハニカム構造部4の中心Oを挟んで反対側に配設されたものである。一方の電極部21は、一対の電極部21,21における(一対の電極部21,21の中の)一方の電極部21であり、他方の電極部21は、一対の電極部21,21における(一対の電極部21,21の中の)他方の電極部21である。換言すると、一対の電極部21,21の中の片方の電極部21が一方の電極部21であり、一対の電極部21,21の中の残りの片方の電極部21が他方の電極部21である。そして、本実施形態のハニカム構造体100は、ハニカム構造部4に、側面5に開口するスリット6が1本以上形成されたものである。そして、本実施形態のハニカム構造体100は、少なくとも1本のスリット6が、セル2の延びる方向に直交する断面において、「一対の電極部21,21のそれぞれの中央部C,C同士を結んだ直線(中心線)L」と交差しないように形成されている。図1は、本発明のハニカム構造体の一の実施形態を模式的に示す斜視図である。図2は、本発明のハニカム構造体の一の実施形態の、セルの延びる方向に直交する断面を示す模式図である。図3は、本発明のハニカム構造体の一の実施形態の、セルの延びる方向に平行な断面を示す模式図である。
次に、本発明のハニカム構造体の製造方法の一の実施形態について説明する。本実施形態のハニカム構造体の製造方法は、スリットに充填材が充填されていないハニカム構造体の製造方法である。
炭化珪素(SiC)粉末と金属珪素(Si)粉末とを80:20の質量割合で混合して、炭化珪素−金属珪素混合物を作製する。そして、炭化珪素−金属珪素混合物に、バインダとしてヒドロキシプロピルメチルセルロース、造孔材として吸水性樹脂を添加すると共に、水を添加して成形原料とし、成形原料を真空土練機により混練し、円柱状の坏土を作製した。バインダの含有量は炭化珪素(SiC)粉末と金属珪素(Si)粉末の合計を100質量部としたときに7質量部であった。造孔材の含有量は炭化珪素(SiC)粉末と金属珪素(Si)粉末の合計を100質量部としたときに3質量部であった。水の含有量は炭化珪素(SiC)粉末と金属珪素(Si)粉末の合計を100質量部としたときに42質量部であった。炭化珪素粉末の平均粒子径は20μmであり、金属珪素粉末の平均粒子径は6μmであった。また、造孔材の平均粒子径は、20μmであった。炭化珪素、金属珪素及び造孔材の平均粒子径は、レーザー回折法で測定した値である。
「ハニカム構造体を収納する金属ケースと、当該金属ケース内に加熱ガスを供給することができるプロパンガスバーナーと、を備えたプロパンガスバーナー試験機」を用いてハニカム構造体の加熱冷却試験を実施した。上記加熱ガスは、ガスバーナー(プロパンガスバーナー)でプロパンガスを燃焼させることにより発生する燃焼ガスとした。そして、上記加熱冷却試験によって、ハニカム構造体にクラックが発生するか否かを確認することにより、耐熱衝撃性を評価した。具体的には、まず、プロパンガスバーナー試験機の金属ケースに、得られたハニカム構造体を収納(キャニング)した。そして、金属ケース内に、プロパンガスバーナーにより加熱されたガス(燃焼ガス)を供給し、ハニカム構造体内を通過するようにした。金属ケースに流入する加熱ガスの温度条件(入口ガス温度条件)を以下のようにした。まず、5分で指定温度まで昇温し、指定温度で10分間保持し、その後、5分で100℃まで冷却し、100℃で10分間保持した。このような昇温、冷却、保持の一連の操作を「昇温、冷却操作」と称する。その後、ハニカム構造体のクラックを確認した。そして、指定温度を825℃から25℃ずつ上昇させながら上記「昇温、冷却操作」を繰り返した。指定温度は、825℃から25℃ずつ、10段階設定した。つまり、上記「昇温、冷却操作」は、指定温度が1050℃になるまで行った。指定温度が高くなると昇温峻度が大きくなり、中心部に対して外周部の昇温が遅れることにより、中心部と外周部の温度差が拡大し、発生応力が大きくなる。指定温度が900℃を超えるまでクラックが発生しないハニカム構造体は、耐熱衝撃性試験が合格である。つまり、指定温度900℃においてクラックが発生しなければ、更に高い指定温度においてクラックが発生しても合格であり、指定温度900℃以下でクラックが発生した場合に不合格となる。表1において、「耐熱衝撃性試験」の欄は、耐熱衝撃性試験において、ハニカム構造体にクラックが発生したときの指定温度を示している。
まず、ハニカム構造体に200Vの電圧を印加し、通電試験を行った。そして、その際のハニカム構造体の最高温度を測定した。具体的には、ハニカム構造体に200Vの電圧を印加したときの、ハニカム構造部の「セルの延びる方向に直交する断面における、電極部の端部(周方向の端部)が接する位置」の温度を測定する。そして、ハニカム構造体に200Vの電圧を印加したときの、ハニカム構造部の「セルの延びる方向に直交する断面における、電極部の周方向の中央点が接する位置」の温度を測定する。そして、測定した温度の中の最も高い温度を、最高温度とする。ハニカム構造部における、電極部の端部(周方向の端部)が接する位置か、電極部の周方向の中央点が接する位置のいずれかが、最も電流が流れる位置であり、ハニカム構造体において最も高い温度となる部分である。このようにして、ハニカム構造体の発熱偏りを評価する。そして、上記ハニカム構造体の最高温度が200℃以下であれば、ハニカム構造体における温度分布の偏りが抑制された状態であるということができ、合格である。
各条件を、表1に示すように変更した以外は、実施例1と同様にしてハニカム構造体を作製した。実施例1の場合と同様にして、「耐熱衝撃性試験」及び「通電時最高温度測定」を行った。結果を表1に示す。
電極部21と「最短距離スリット」6aとの距離Dを10mmにした以外は実施例1と同様にして、「スリットを形成した電極部原料付きハニカム乾燥体」を作製した。そして、「スリットを形成した電極部原料付きハニカム乾燥体」に充填材用原料を、箆(へら)を用いて充填し、「充填材用原料付きハニカム乾燥体」を得た。その後、「充填材用原料付きハニカム乾燥体」を70℃で乾燥し、実施例1と同様にして脱脂、焼成し、充填材のヤング率と気孔率とが表1に示す値であるハニカム構造体を得た。充填材用原料は、電極部形成原料と同じ組成とした。実施例1の場合と同様にして、「耐熱衝撃性試験」及び「通電時最高温度測定」を行った。結果を表1に示す。
Claims (7)
- 流体の流路となる一方の端面から他方の端面まで延びる複数のセルを区画形成する多孔質の隔壁と、最外周に位置する外周壁とを有し、底面が円形の筒状(円筒形状)、底面がオーバル形状の筒状、及び底面が点対称な多角形の筒状の内の何れかの形状を有するハニカム構造部と、前記ハニカム構造部の側面に配設された一対の電極部とを備え、
前記ハニカム構造部の電気抵抗率が、1〜200Ωcmであり、
前記一対の電極部のそれぞれが、前記ハニカム構造部のセルの延びる方向に延びる帯状に形成され、
前記セルの延びる方向に直交する断面において、前記一対の電極部における一方の前記電極部が、前記一対の電極部における他方の前記電極部に対して、前記ハニカム構造部の中心を挟んで反対側に配設され、
前記ハニカム構造部に、側面に開口するスリットが1本以上形成され、
少なくとも1本の前記スリットが、前記セルの延びる方向に直交する断面において、前記一対の電極部のそれぞれの中央部同士を結んだ直線と交差しないように形成されているハニカム構造体。 - 前記ハニカム構造部に、前記スリットが2本以上形成され、
前記2本以上のスリットの中の50%以上のスリットが、前記セルの延びる方向に直交する断面において、前記一対の電極部のそれぞれの中央部同士を結んだ直線と交差しないように形成されている請求項1に記載のハニカム構造体。 - 前記ハニカム構造部に形成された前記スリットの全てが、前記セルの延びる方向に直交する断面において、前記一対の電極部のそれぞれの中央部同士を結んだ直線と交差しないように形成されている請求項2に記載のハニカム構造体。
- 少なくとも1本の前記スリットに充填される充填材を有し、
前記充填材が、前記スリットの空間の少なくとも一部に充填される請求項1〜3のいずれかに記載のハニカム構造体。 - 前記ハニカム構造部に、前記スリットが2本以上形成され、
前記2本以上のスリットの中の50%以上のスリットに充填材が充填されている請求項4に記載のハニカム構造体。 - 前記ハニカム構造部に形成された2本以上の前記スリットの全てに充填材が充填されている請求項5に記載のハニカム構造体。
- 前記充填材が、前記スリットの空間の全部に充填される請求項4〜6のいずれかに記載のハニカム構造体。
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