JP5879664B2 - 切削工具 - Google Patents
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Description
まず、本願発明の実施形態(以下「本実施形態」とも記す)の概要を以下の(1)〜(4)に列記して説明する。
以下、本実施形態に係る切削工具についてより詳細に説明するが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。
本実施形態に係る切削工具は、基材と該基材上に形成された被膜とを含む構成を有する。このような被膜は、基材の全面を被覆することが好ましいが、基材の一部がこの被膜で被覆されていなかったり、被膜の構成が部分的に異なっていたとしても本発明の範囲を逸脱するものではない。
本実施形態に係る基材は、30〜80体積%の立方晶窒化硼素と結合材とを含む焼結体である。本実施形態に係る焼結体は、以上の2成分を含む限り他の成分を含んでいてもよく、また使用する原材料や製造条件等に起因する不可避不純物を含み得る。
本実施形態に係る被膜は、M1xL1y(ただし、xおよびyは原子比を示し、0<x≦1.2、y=1であり、M1は、周期律表4族元素、5族元素、6族元素、アルミニウムおよび珪素からなる群より選ばれる少なくとも1種の元素であり、L1は、硼素、炭素、窒素および酸素からなる群より選ばれる少なくとも1種の元素である)という組成を有する層を少なくとも一層含む。これにより、高負荷、高能率な焼入れ鋼加工で良好な耐摩耗性を得ることができる。
このような本実施形態に係る被膜は、0.2〜10μmの厚みを有することが好適である。その厚みが0.2μm未満では、耐摩耗性が不十分となる場合があり、10μmを超えると、被膜自体が剥離しやすくなる傾向を示す。被膜の厚みは、1〜5μmとすることがより好ましい。
本実施形態において、被膜と接する基材の表面の表面粗さRsubは、0.1〜0.4μmであり、被膜の最表面の表面粗さRsurfは、0〜0.15μmであり、被膜の最表面の表面粗さRasurfは、0〜0.1μmである。また、被膜と接する基材の表面の表面粗さRsubは、被膜の最表面の表面粗さRsurfよりも大きい。このように、被膜の最表面の表面粗さRsurfよりも基材の表面の表面粗さRsubを大きくする(すなわち基材の表面を粗くする)ことによりアンカー効果によって基材と被膜との密着力が向上する。また、基材の表面の表面粗さRsubよりも被膜の最表面の表面粗さRsurfを小さくする(すなわち被膜表面を平滑にする)ことにより耐欠損性、耐剥離性が向上する。
本実施形態に係る基材は、超高圧焼結法等の従来公知の製法により得ることができる。そして、得られた基材に対して、イオンボンバード処理を施すことにより、立方晶窒化硼素より結合材が選択的にエッチングされ、基材表面において立方晶窒化硼素が突出し凸部になり、結合材が凹部になる。さらに、従来公知の条件を採用して、基材上に被膜を形成する。続いて、被膜表面を研磨して、被膜の最表面を基材よりも平滑にする。
なお、工具の一部のみが本実施形態の構成で構成される場合、たとえば超硬合金等からなる基体の刃先部位のみが本実施形態の構成で構成される場合は、以下のようにして製造することができる。
以下のようにして表1に示す組成を有する基材A〜Vを製造した。
まず、原子比でTi:N=1:0.6となるように平均粒径1μmのTiN粉末と平均粒径が3μmのTi粉末とを混合することにより混合物を得た。該混合物を真空中1200℃で30分間熱処理してから粉砕した。これによりTiN0.6からなる金属間化合物粉末を得た。
表1に示すように立方晶窒化硼素粒子の体積含有率および平均粒径を変更する以外は、基材Aと同様にして基材B〜Sを得た。
まず、原子比でTi:C:N=1:0.3:0.3となるように平均粒径1μmのTiCN粉末と平均粒径が3μmのTi粉末とを混合することにより混合物を得た。該混合物を真空中1200℃で30分間熱処理してから粉砕した。これによりTiC0.3N0.3からなる金属間化合物粉末を得た。
(基体の形成)
形状がISO規格のDNGA150408であり、超硬合金材料(K10相当)からなる基体を準備した。該基体の刃先(コーナー部分)に上記の基材(形状:頂角が55°であり当該頂角を挟む両辺がそれぞれ2mmである二等辺三角形を底面とし、厚みが2mmの三角柱状のもの)を接合した。なお接合には、Ti−Zr−Cuからなるロウ材を用いた。次いで、接合体の外周面、上面および下面を研削し、刃先にネガランド形状(ネガランド幅が150μmであり、ネガランド角が25°)を形成した。このようにして、刃先(切れ刃)部分がそれぞれに基材A〜Vからなる基体を得た。
ここで、以降の工程において、被膜の形成に用いる成膜装置について説明する。当該成膜装置には真空ポンプが接続されており、装置内部に真空引き可能な真空チャンバーを有している。真空チャンバー内には、回転テーブルが設置されており、該回転テーブルは治具を介して基体がセットできるように構成されている。真空チャンバー内にセットされた基体は、真空チャンバー内に設置されているヒーターにより加熱することができる。また、真空チャンバーにはエッチングおよび成膜用のガスを導入するためのガス配管が、流量制御用のマスフローコントローラ(MFC:Mass Flow Controller)を介して、接続されている。さらに、真空チャンバー内には、エッチング用のArイオンを発生させるためのタングステンフィラメント、必要な電源が接続された成膜用のアーク蒸発源もしくはスパッタ源が配置されている。そして、アーク蒸発源もしくはスパッタ源には、成膜に必要な蒸発源原料(ターゲット)がセットされている。
上記のようにして得られた基体を、成膜装置の真空チャンバー内にセットし、チャンバー内の真空引きを行なった。その後、回転テーブルを3rpmで回転させながら基体を500℃に加熱した。次いで、真空チャンバー内にArガスを導入し、タングステンフィラメントを放電させてArイオンを発生させ、基体にバイアス電圧を印加し、Arイオンにより基体のイオンボンバード処理を行なった。なお、このときのイオンボンバード処理の条件は次のとおりで、表2に示す被膜と接する基材の表面の表面粗さRsubとなるように時間を調整して処理を行った。イオンボンバード時間が長いほどRsubは大きくなる。
基板バイアス電圧:−600V
処理時間 :10分〜45分。
上述したように基材A〜H、Q〜Vのイオンボンバード処理を行なった後、基材A〜H、Q〜V上にTiAlN層を形成した。具体的には、まず次に示す条件で、厚みが表2に示すように蒸着時間を調整してTiAlN層を形成した。
導入ガス :N2
成膜圧力 :4Pa
アーク放電電流 :150A
基板バイアス電圧:−35V
テーブル回転数 :3rpm。
上述したように基材I、L〜Oのイオンボンバード処理を行なった後、基材I、L〜O上にTiAlN層およびTiCN層を形成した。具体的には、まず次に示す条件で、総厚みが表2に示すように蒸着時間を調整してTiAlN層およびTiCN層を形成した。
ターゲット :Al、Ti
導入ガス :N2
成膜圧力 :4Pa
アーク放電電流 :150A
基板バイアス電圧:−35V
テーブル回転数 :3rpm。
ターゲット :Ti
導入ガス :N2、CH4
成膜圧力 :2Pa
アーク放電電流 :180A
基板バイアス電圧:−350V
テーブル回転数 :3rpm。
上述したように基材Jのイオンボンバード処理を行なった後、基材J上にAlCrN層、TiN層、TiCN層およびTiN層をこの順で繰り返して形成した。具体的には、まず次に示す条件で、総厚みが表2に示すように蒸着時間を調整してAlCrN層、TiN層、TiCN層およびTiN層をこの順で繰り返して形成した。
ターゲット :Al、Cr
導入ガス :N2
成膜圧力 :3Pa
アーク放電電流 :150A
基板バイアス電圧:−50V。
ターゲット :Ti
導入ガス :N2
成膜圧力 :3Pa
アーク放電電流 :150A
基板バイアス電圧:−40V。
ターゲット :Ti
導入ガス :N2、CH4
成膜圧力 :2Pa
アーク放電電流 :180A
基板バイアス電圧:−350V
テーブル回転数 :3rpm。
上述したように基材Kのイオンボンバード処理を行なった後、基材K上にAlCrN層、TiSiN層、TiN層およびTiCN層を形成した。具体的には、まず次に示す条件で、総厚みおよび被膜最表面粗さが表2に示すように蒸着時間を調整してAlCrN層、TiSiN層、TiN層およびTiCN層を形成した。
ターゲット :Al、Cr
導入ガス :N2
成膜圧力 :3Pa
アーク放電電流 :150A
基板バイアス電圧:−50V。
ターゲット :Ti、Si
導入ガス :N2
成膜圧力 :3Pa
アーク放電電流 :150A
基板バイアス電圧:−40V。
ターゲット :Ti
導入ガス :N2
成膜圧力 :3Pa
アーク放電電流 :150A
基板バイアス電圧:−40V。
ターゲット :Ti
導入ガス :N2、CH4
成膜圧力 :2Pa
アーク放電電流 :180A
基板バイアス電圧:−350V
テーブル回転数 :3rpm。
上述したように基材Pのイオンボンバード処理を行なった後、基材P上に被膜を形成しなかった。以上のようにして、基材Pの上に、被膜が形成されていない試料16を得た。
各表面粗さRsub、Rsurf、Rasurfは、前述の方法で測定した。
以上のようにして得られた試料1〜22に係る切削工具の寿命を、浸炭材の切削により評価した。
被削材 :浸炭材(表面HRC60)を、φ100×300mmに加工したもの(一般的に浸炭層の厚みは1mm程度であり、それより深いところのHRCは30〜50となり、浸炭層から硬度低下する内部までを加工した)
切削速度 :100m/min
送り量 :f=0.15mm/rev
切込み :ap=0.5mm
切削油 :エマルジョン(日本フルードシステム学会製造の商品名「システムカット96」)を20倍希釈したもの(ウェット状態)。
損傷幅が0.1mmを超えたときの切削時間を寿命とした。なお、逃げ面の摩耗の大きさ、欠損の大きさ、被膜剥離の大きさのいずれか一つでも0.1mmを超えたときを寿命とする。試料1〜22に対する寿命測定結果を表3に示す。
(立方晶窒化硼素の含有率)
試料1〜8の評価では、立方晶窒化硼素の含有率が30〜80体積%である試料2〜7は、長い寿命を示す傾向が確認された。したがって、立方晶窒化硼素の含有率は30〜80体積%であることが好ましいと確認された。さらに、立方晶窒化硼素の含有率が65〜75体積%である試料5および6は、特に長い寿命を示す傾向が確認された。したがって、立方晶窒化硼素の含有率は65〜75体積%であることが特に好ましい。
試料20〜22の評価では、被膜と接する基材の表面の表面粗さが0.1〜0.4μmである試料20〜21は、被膜と接する基材の表面の表面粗さが0.1μm未満である試料22に比し、寿命が長い傾向にあった。よって、被膜と接する基材の表面粗さRsubが0.1〜0.4μmを示すことが好ましいと確認できた。
試料17〜19の評価では、被膜の最表面の表面粗さが0〜0.15μmである試料18および19は、被膜の最表面の表面粗さが0.15μmを超える試料17に比し、寿命が長い傾向にあった。よって、被膜の最表面の表面粗さRsurfが0〜0.15μmを示すことが好ましいと確認できた。
試料11〜16の評価では、被膜の厚みが0.2〜10μmである試料11〜13、15は、被膜を有さない試料16、被膜の厚みが10μmを超える試料14に比し、優れた寿命を示した。したがって、被膜の厚みは0.2〜10μmであることが好ましいと確認された。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した意味ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
Claims (5)
- 基材と該基材上に形成された被膜とを含む切削工具であって、
前記基材は、30〜80体積%の立方晶窒化硼素と結合材とを含む焼結体であり、
前記結合材は、周期律表4族元素、5族元素、6族元素およびアルミニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素と、硼素、炭素、窒素および酸素からなる群より選ばれる少なくとも1種の元素とからなる化合物を少なくとも1種含み、
前記被膜と接する前記基材の表面は、前記立方晶窒化硼素からなる複数の凸部と、前記結合材からなる複数の凹部とを有し、
前記被膜は、M1xL1y(ただし、xおよびyは原子比を示し、0<x≦1.2、y=1であり、M1は、周期律表4族元素、5族元素、6族元素、アルミニウムおよび珪素からなる群より選ばれる少なくとも1種の元素であり、L1は、硼素、炭素、窒素および酸素からなる群より選ばれる少なくとも1種の元素である)という組成を有する層を少なくとも一層含み、
前記被膜と接する前記基材の表面の表面粗さRsubは、0.1〜0.4μmであり、
前記被膜の最表面の表面粗さRsurfは、0〜0.15μmであり、
前記被膜の最表面の表面粗さRasurfは、0〜0.1μmであり、
前記被膜と接する前記基材の表面の表面粗さRsubは、前記被膜の最表面の表面粗さRsurfよりも大きく、
前記被膜の厚みは、0.2〜10μmである、切削工具。 - 前記被膜と接する前記基材の表面の表面粗さRsubは、0.1〜0.15μmであり、
前記被膜の最表面の表面粗さRsurfは、0〜0.08μmである、請求項1に記載の切削工具。 - 前記焼結体は、65〜75体積%の立方晶窒化硼素を含む、請求項1または請求項2に記載の切削工具。
- 請求項1に記載の切削工具の製造方法であって、
前記被膜は、アーク蒸発源もしくはスパッタ源を備えた成膜装置を用いて形成される、切削工具の製造方法。 - 請求項1に記載の切削工具の製造方法であって、
前記被膜は、イオンボンバード処理を施した前記基材上に形成され、かつ前記被膜の表面が回転ブラシ、乾式ブラスト、およびラッピング法のいずれかで処理されている、切削工具の製造方法。
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