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JP5857702B2 - スイッチング電源装置 - Google Patents

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Description

本発明は、スイッチング電源装置の消費電力低減技術に関し、特にフォトカプラーを用いた電圧検出回路の消費電力低減技術に関する。
図8に、特許文献1に記載された従来の技術を用いた電流モードの擬似共振スイッチング電源装置の回路例を示す。このスイッチング電源装置において、トランスT1は一次巻線P1、二次巻線S1及び補助巻線P2を有する。一次巻線P1は、一端が入力端子Piに接続され、他端が半導体スイッチとしてのスイッチング素子Q1であるMOSFETのドレインに接続される。また、二次巻線S1は、一端がダイオードD1を介して正極出力端子Poに、他端が負極出力端子Noに、各々接続される。補助巻線P2は、一端がスイッチング制御回路IC1におけるゼロ電流検出(Zero Current Detection)用の入力端子であるZCD端子に接続され、他端が一次側回路の接地点(GND)に接続される。
正極入力端子Piと負極入力端子Niとの間には平滑用キャパシタCiが、また、正極出力端子Poと負極出力端子Noとの間には平滑用キャパシタCoが、スイッチング素子Q1のドレインとソース間には並列に共振用コンデンサCrが、各々接続される。また、正極出力端子Poと負極出力端子Noとの間には抵抗Ro1、Ro2からなる分圧回路が、スイッチング素子Q1のソースと接地点との間には電流検出用の抵抗Rsが、各々接続される。
スイッチング制御回路IC1は、ボトム検出回路BD、スイッチング幅ボトム制御回路SWC、オア回路G2、ワンショット回路OS、リスタート回路RST、フリップフロップFF、ドライブ回路DRV、コンパレータCP、バースト回路BC及びアンド回路G1が内蔵されている。なお、このスイッチング制御回路1は半導体集積回路として構成される。端子OUTにはスイッチング素子Q1のゲートが、端子SIにはスイッチング素子Q1のソースと抵抗Rsの接続点が、FB端子には出力電圧検出用フォトカプラーPC1のフォトトランジスタのコレクタが、各々接続される。ここで、フォトカプラーPC1の発光ダイオード側の回路構成及び動作については、特許文献1に記載されているので、省略する。
ボトム検出回路BDは、ZCD端子に印加される上記補助巻線P2の出力電圧に基づいてそのボトム(極小状態)を検出するとbot信号を出力し、このbot信号をスイッチング幅ボトム制御回路SWCに入力する。
スイッチング幅ボトム制御回路SWCでは、一つ目のbot信号に基づいてbotout信号を出力するか、もしくはそれ以降のbot信号に基づいてbotout信号を出力するかを判断し、ワンショット回路OSでset信号を出力し、この信号でフリップフロップFFをセットする。即ちフリップフロップFFの出力QがHレベルとなり、ドライブ信号drvとしてスイッチング素子Q1にオン信号が与えられる。スイッチング素子Q1がオンすると電流が上昇するが、その電流を抵抗Rsで電圧値として検出し、この電圧値が出力端子Po−No間電圧を検出するフォトカプラーPC1のフォトトランジスタのコレクタが接続された端子FBの電圧に達するとコンパレータCPの出力がH信号となり、フリップフロップFFをリセットする。その結果、スイッチング素子Q1がオフとなり、オン時トランスT1に蓄積された磁気エネルギーは二次巻線S1からダイオードD1を介して、直流出力のコンデンサCoに充電され、電圧が上昇する。このような動作を繰り返すことにより、直流出力電圧は所定の電圧に定電圧制御される。
バースト回路BCは、無負荷時や軽負荷時のスイッチング回数を低減させ、電力消費を低減させるための回路で、出力信号burがL(低レベル)の時には、アンド回路G1でドライブ信号drvを断続させる。
制御回路IC1内の基準電圧Vregと端子FBとの間に接続された抵抗R1は、フォトカプラーからのフィードバック信号を電圧に変換する役割を担う。直流出力電圧が低下しようすると端子FBの電圧を上昇させるように、また直流出力電圧が上昇しようとするとFB端子の電圧を下降させるようにフォトカプラーが動作してスイッチング素子Q1に流れる電流を制御することにより、直流出力電圧を所定値に定電圧制御する。
特開2007−215316号公報
上述のように、スイッチング電源装置において、トランス二次側の直流出力電圧を絶縁検出するために、帰還回路にフォトカプラーを用いると、一次側回路に接続されるフォトトランジスタに流れる電流Icurは、プルアップ抵抗R1に印加される電圧Vreとプルアップ抵抗R1の抵抗値Raと制御電圧Vfb(端子FBの電圧)により決定され、下記の式(1)の関係となる。
Icur=(Vre−Vfb)/Ra ・・・・・式(1)
また、二次側に接続されるフォトカプラーの発光ダイオードに流れる電流Ifは下記の式(2)となる。
If=Icur/CTR=(Vre−Vfb)/Ra/CTR ・・・・・式(2)
ここで、CTR(current transfer ratio)は、フォトカプラーの電流伝達率を示す。
式(1)と式(2)から、重負荷(負荷の消費電力が大)時は端子FBの電圧Vfbが大きくなるため、電流Icurと電流Ifは小さくなり、軽負荷(負荷の消費電力が小)時は端子FBの電圧Vfbが小さくなるため、電流Icurと電流Ifは大きくなることがわかる。この結果、軽負荷時や無負荷時の電流Icurと電流Ifによる損失は重負荷時に比べて大きくなり、特に待機時の消費電力削減が課題となる。
待機時の消費電力削減策としては、電流Icurと電流Ifを削減することが有効な手段である。電流Icurと電流Ifの削減策として、プルアップ抵抗を大きくすることが考えられるが、最大電力時の電流Icurはフォトカプラーの暗電流(発光ダイオードが発光しない時にフォトトランジスタに流れる電流)Idark以上となるようにプルアップ抵抗値を設定しないと直流出力電圧の検出ができなくなり、最大電力を供給できなくなるという問題が生じる。
図9に、フォトトランジスタを流れる電流Icurと制御電圧Vfbの関係を示す。最大負荷時の制御電圧Vfb_0時の電流Icurはフォトカプラーの暗電流Idark以上に選択する必要があり、R1の値が小の時は満足するが、R1の値を大きくすると満足しなくなることがわかる。
従って、本発明の課題は、直流出力電圧の絶縁検出にフトカプラーを用いるスイッチング電源装置において、無負荷時や軽負荷時のフォトカプラー電流を削減し、消費電力を低減できるスイッチング電源装置を提供することである。
上述の課題を解決するために、第1の発明においては、直流電源と並列に変圧器の1次巻線と半導体スイッチとの直列回路を含むスイッチング回路を、前記変圧器の2次巻線に整流回路を、各々接続し、前記半導体スイッチのスイッチングにより、前記直流電源から絶縁された直流電圧を作り、これを直流出力とする絶縁形のスイッチング電源装置において、前記直流出力電圧を絶縁して検出するためのフォトカプラーを含む出力電圧検出回路の前記フォトカプラーの構成要素であるフォトトランジスタの一端を、前記半導体スイッチをスイッチング制御する制御回路の制御電源の一端に接続し、前記フォトトランジスタの他端と前記制御回路内の基準電圧点との間に複数個の抵抗を直列接続した抵抗直列回路と前記複数個の抵抗の何れかを短絡するためのスイッチとを備え、前記フォトトランジスタの他端を前記直流出力電圧のフィードバック電圧として前記制御回路へ接続すると共に、前記直流出力に接続される負荷の消費電力量が所定値に達したことを検出する負荷量検出手段からの出力信号で前記スイッチをオン又はオフし、前記負荷量検出手段は、前記半導体スイッチがオンしてから前記半導体スイッチがオフした後の共振波形のボトムが発生するまでの時間を検出して軽負荷であるかを判定する。
第2の発明においては、直流電源と並列に変圧器の1次巻線と半導体スイッチとの直列回路を含むスイッチング回路を、前記変圧器の2次巻線に整流回路を、各々接続し、前記半導体スイッチのスイッチングにより、前記直流電源から絶縁された直流電圧作り、これを直流出力とする絶縁形のスイッチング電源装置において、前記直流出力電圧を絶縁して検出するためのフォトカプラーを含む出力電圧検出回路の前記フォトカプラーの構成要素であるフォトトランジスタの一端を、前記半導体スイッチをスイッチング制御する制御回路の制御電源の一端に接続し、前記フォトトランジスタの他端と前記制御回路の基準電圧点との間に第1の抵抗を、前記第1の抵抗と並列にスイッチと第2の抵抗の直列回路を、各々接続し、前記フォトトランジスタの他端を前記直流出力電圧のフィードバック電圧として前記制御回路へ接続すると共に、前記直流出力に接続される負荷の消費電力量が所定値に達したことを検出する負荷量検出手段からの出力信号で前記スイッチをオン又はオフし、前記負荷量検出手段は、前記半導体スイッチがオンしてから前記半導体スイッチがオフした後の共振波形のボトムが発生するまでの時間を検出して軽負荷であるかを判定する。
第3の発明においては、直流電源と並列に変圧器の1次巻線と半導体スイッチとの直列回路を含むスイッチング回路を、前記変圧器の2次巻線に整流回路を、各々接続し、前記半導体スイッチのスイッチングにより、前記直流電源から絶縁された直流電圧を作り、これを直流出力とする絶縁形のスイッチング電源装置において、前記直流出力電圧を絶縁して検出するためのフォトカプラーを含む出力電圧検出回路の前記フォトカプラーの構成要素であるフォトトランジスタの一端を、前記半導体スイッチをスイッチング制御する制御回路の制御電源の一端に接続し、前記フォトトランジスタの他端に一端が接続された抵抗と、前記抵抗の他端と前記制御回路内の第1の基準電圧点又は第2の基準電圧点との接続を切替えるスイッチとを備え、前記フォトトランジスタの他端を前記直流出力電圧のフィードバック電圧として前記制御回路へ接続すると共に、前記直流出力に接続される負荷の消費電力量が所定値に達したことを検出する負荷量検出手段からの出力信号で前記スイッチを切替え、前記負荷量検出手段は、前記半導体スイッチがオンしてから前記半導体スイッチがオフした後の共振波形のボトムが発生するまでの時間を検出して軽負荷であるかを判定する。
本発明では、負荷の電力量に応じて、フォトカプラーのフォトトランジスタのプルアップ抵抗の抵抗値を切替える、又はプルアップ抵抗が接続される基準電圧として2種類を備え、負荷の電力量に応じて切替えるようにしている。この結果、フォカプラー回路の消費電力の低減が可能となる。
本発明の第1の実施例を示すスイッチング電源の回路図例である。 図1のスイッチング幅ボトム制御回路SWCの回路図例を示す。 制御回路の動作を示すタイムチャート図である。 切替時の動作図である。 第1の実施例のフォトカプラー電流Icurと制御電圧Vfbの関係を示す。 本発明の第2の実施例を示すスイッチング電源の回路図例である。 本発明の第3の実施例を示すスイッチング電源の回路図例である。 従来のスイッチング電源の回路図例である。 従来例におけるフォトカプラー電流Icurと制御電圧Vfbの関係を示す。
本発明の要点は、トランスで絶縁変換されたスイッチング電源の二次側直流電圧検出用のフォトカプラーを用いた帰還回路の消費電力低減のために、負荷の電力量に応じて、フォトカプラーのフォトトランジスタのプルアップ抵抗の抵抗値を切替える、又はプルアップ抵抗が接続される基準電圧として2種類を備え、負荷の電力量に応じて切替えるようにしている点である。
図1に、本発明の第1の実施例を示す。従来の実施例(図8)との違いは、制御回路IC2内の基準電圧VrefとフォトカプラーPC1のフォトトランジスタのコレクタが接続された端子FBとの間に、抵抗R2とR1の直列回路が、抵抗R2と並列にスイッチS1が、各々接続され、このスイッチS1の駆動信号load_staがスイッチング幅ボトム制御回路SWCから生成されている点である。
図2にスイッチング幅ボトム制御回路SWCの回路例を、図3にその動作タイムチャートを、各々示す。フリップフロップFF2と基準オンオフ幅生成回路PWGがスイッチング幅生成回路である。フリップフロップFF2は、set信号をセット端子に、bot信号をリセット端子にそれぞれ入力し、Q出力端子からオン幅ts信号を出力する。基準オンオフ幅生成回路PWGは、set信号に同期するtsref1信号及びtsref2信号を生成する。tsref1信号及びtsref2信号は、ts信号の時間幅に対する比較基準として使用される。ts信号がHレベルである期間が、スイッチング素子Q1のオン幅tsを示す。そして、スイッチング素子Q1のオン幅tsは、負荷の大きさを表し、負荷が重いほど(出力電力が大きいほど)大きくなる。上記tsref1信号及びtsref2信号は、オン幅tsの比較基準として使用されるもので、上記負荷の大きさの判定に使用される。すなわち、本実施形態では、tsref1信号、tsref2信号によって与えられるオン幅の基準値tsref1、tsref2と負荷の大きさを示す上記オン幅tsとの比較に基づいて動作モード1〜4が選択される。なお、tsref1はtsref2よりも大きく設定される。
図2において、ts信号はインバータG3によって反転される。そして、インバータG3から出力されるtsb信号は、アンド回路G5およびノア回路G6の一方の入力端子にそれぞれ入力される。また、tsref2信号はアンド回路G5の他方の入力端子に、tsref1信号はノア回路G6の他方の入力端子にそれぞれ入力される。
図4は、スイッチング幅の基準値tsref1、tsref2、動作モード及び負荷Poとの関係を例示したグラフである。この図4と図3のタイムチャートに示すように、動作モード1(mode1)はts>tsref1という関係が成立する時、即ちPo>Paという負荷の関係が成立する時のモードであり、この場合、ノア回路G6からresetrsff信号が出力されてリセット優先RSフリップフロップFF3のリセット端子に加えられ、リセット優先RSフリップフロップFF3をリセットする。
なお、図4に示す負荷Pa、Pb、Pc、Pdは、それぞれ定格負荷の60%、50%、40%、30%に設定された時の例である。
動作モード2(mode2)は、フリップフロップFF3がリセットされていて、ts<tsref1、ts>tsref2という関係が共に成立する時、即ち、Pa>Po>Pcという負荷の関係が成立する時のモードで、この場合、アンド回路G5及びノア回路G6は信号を出力しない。即ち、それらの出力端子はLレベルの状態にある。
動作モード3(mode3)はts<tsref2という関係が成立する時、即ち、Po<Pdという負荷の関係が成立する時のモードで、この場合、図2に示すアンド回路G5からsetrsff信号がフリップフロップFF3のセット端子Sに加えられる。
動作モード4(mode4)は、フリップフロップFF3がセットされていて、ts<tsref1、ts>tsref2という関係が共に成立する時、即ち、Pb>Po>Pdという負荷の関係が成立する時のモードで、この場合、アンド回路G5及びノア回路G6の出力端子はLレベルの状態である。
上のような動作の結果、フリップフロップFF3から出力されるbotsel信号は、図3に示す期間においてHレベルになる。botsel信号は、トランスT1の補助巻線P2から出力される電圧(共振時のスイッチング素子Q1のドレイの電圧に対応)のボトムの回数を選択する信号であり、Lレベルの時にボトム回数1を選択し、Hレベルのときにボトム回数2を選択する。
このbot−sel信号は、インバータG4を介してアンド回路G7の一方の入力端子に入力される。
このbot−sel信号は、インバータG4を介してアンド回路G7の一方の入力端子に入力される。
一方、スイッチング幅ボトム制御回路SWCにおいては、前記bot信号が遅延回路DL1に入力されると共に、前記set信号が遅延回路DL2に入力される。本実施形態例では、遅延回路DL1、DL2の遅延時間は共に100ns(bot信号のパルス幅の1/2)に設定されている。
遅延回路DL1から出力されるbotdly信号は、アンド回路G7の他方の入力端子、DフリップフロップFF1のクロック端子CLK及びアンド回路G8の一方の入力端子にそれぞれ入力され、また、遅延回路DL2から出力されるsetdly信号は、DフリップフロップFF1のリセット端子Rに入力される。
従って、bot−sel信号がLレベル(通常負荷を示す)で、かつbotdly信号がHレベルのときにbotout信号がHレベルになる。このbotout信号は、図1に示すオア回路G2を介してワンショット回路OSに入力されるので、このワンショット回路OSがトリガされてset信号を出力する。これにより、フリップフロップFFがセットされてdrv信号がHレベルになるので、スイッチング素子Q1がターンオンされる。なお、図1に示すフリップフロップFFは、比較回路CPからのreset信号により、リセットされる。そして、このリセットに伴って、スイッチング素子Q1がターンオフする。
一方、bot−sel信号がHレベル(軽負荷を示す)の時には、アンド回路G7の出力端子がLレベルに固定される。そして、1つ目のbotdly信号の立下りエッジによってDフリップフロップFF1がそのデータ入力端子Dに入力されている電圧VDD(スイッチング制御回路IC2の電源電圧であり、Hレベルを示す)を読み込むと、このDフリップフロップFF1からHレベルのQ-dff信号が出力されて、アンド回路G8の他方の入力端子に加えられる。そこで、2つ目のbotdly信号がアンド回路G8の一方の端子に入力されると、このアンド回路G8の出力端子がHレベルになり、それに伴ってbotout信号もHレベルになる。
botout信号がHレベルに変化すると、図1に示すワンショット回路OSがトリガされてset信号を出力する。したがって、フリップフロップFFがセットされてスイッチング素子Q1がターンオンする。この様な動作で、スイッチング素子Q1は、共振電圧が2つ目のボトムを呈する時点でターンオンすることになる。この様に、軽負荷時にはボトムスキップ制御がなされる。
DフリップフロップFF1は、上記set信号に基づくsetdly信号の立ち上がりエッジによってリセットされる。そして、このリセットに伴ってQ-dff信号およびbotout信号がHレベルからLレベルに変化する。
なお、リスタート回路RSTに入力されるset信号が出力されてから所定時間(たとえば30μs)以内に次のset信号が現れない場合には、図1に示すリスタート回路RSTがリスタート信号をオア回路G2に出力してワンショット回路OSをトリガする。
上述の説明のように、信号load_staは、信号bot_selの反転信号であり、軽負荷と重負荷を判定する信号となっている。
従って、この信号で図1に示すスイッチS1を軽負荷時はプルアップ抵抗値が大きくなるように切替えることにより、フォトカプラー回路の消費電力を削減することが可能となる。図5に、プルアップ抵抗値を切替えた時のフォトトランジスタ電流Icurと制御電圧Vfbとの関係を示す。軽負荷から重負荷の全ての範囲でフォトトランジスタ電流Icurはフォトカプラーの暗電流Idark以上であり、また、軽負荷時の電流が従来(図9参照)に比べて低減していることがわかる。
図6に、本発明の第2の実施例を示す。第1の実施例との違いは、制御回路IC3内の基準電圧VrefとフォトカプラーPC1のフォトトランジスタのコレクタが接続された端子FBとの間に、抵抗R2とスイッチS2の直列回路と、抵抗R1との並列回路が接続され、このスイッチS2の駆動信号load_staがスイッチング幅ボトム制御回路SWCから生成されている点である。重負荷時は抵抗R1とR2が並列接続されるように、軽負荷時は抵抗R2が切離され抵抗R1のみとなるように、スイッチS2をオンオフ制御することにより、第1の実施例と同様の効果が得られる。その他の動作、原理は第1の実施例と同じであるので、省略する。
図7に、本発明の第3の実施例を示す。第1の実施例及び第2の実施例との違いは、制御回路IC4内に二つの基準電圧Vref1とVrefを備え、この二つの基準電圧Vref1とVrefを切替える3端子スイッチS3と、このスイッチの共通端子とフォトカプラーPC1のフォトトランジスタのコレクタが接続された端子FBとの間に抵抗R1が接続され、このスイッチS3の駆動信号load_staがスイッチング幅ボトム制御回路SWCから生成されている点である。基準電圧をVref1>Vref2とし、スイッチS3を重負荷時はVref1側に、軽負荷時はVref2側に切替えることにより、第1又は第2の実施例と同様の効果が得られる。その他の動作、原理は第1の実施例と同じであるので、省略する。
尚、上記実施例には負荷状態を二つの状態に分ける場合の例を説明したが、ボトムを2以上に制御するボトムスキップ機能を利用すると、負荷状態を2以上の状態に分けることができ、プルアップ抵抗も2以上に分けることができる。同様に、基準電圧も2個以上設けることにより、同様の制御が可能となる。
また、負荷状態検出方法として、ボトムスキップ機能を利用した例を説明したが、制御電圧(FB電圧)も負荷状態を反映しているので、これを利用しても負荷状態を検出可能である。
本発明は、トランス絶縁を用いた直流−直流変換回路の出力電圧検出にフォトカプラーを用いた場合の消費電力の低減に関するものであり、ACアダプタ、充電装置、各種機器の制御電源などへの適用が可能である。
T1・・・トランス Q1・・・スイッチング素子(MOSFET)
D1・・・ダイオード Ci、Co、Cfb、Cr、Co2・・・コンデンサ
PC1・・・フォトカプラー IC1〜IC4・・・制御回路
D2・・・シャントレギュレータ Rs・・・シャント抵抗
R1、R2、Ro1〜Ro5・・・抵抗 BD・・・ボトム検出回路
SWC・・・スイッチング幅ボトム制御回路 OS・・・ワンショット回路
RST・・・リスタート回路 DRV・・・ドライブ回路
BC・・・バースト回路 G1、G5、G7、G8・・・アンド回路
G2、G9・・・オア回路 G3、G4・・・インバータ
G6・・・ノア回路 DL1、DL2・・・遅延回路
FF、FF1〜FF3・・・フリップフロップ CP・・・コンパレータ
PWG・・・基準オンオフ幅生成回路 S1,S2、S3・・・スイッチ

Claims (3)

  1. 直流電源と並列に変圧器の1次巻線と半導体スイッチとの直列回路を含むスイッチング回路を、前記変圧器の2次巻線に整流回路を、各々接続し、前記半導体スイッチのスイッチングにより、前記直流電源から絶縁された直流電圧を作り、これを直流出力とする絶縁形のスイッチング電源装置において、前記直流出力電圧を絶縁して検出するためのフォトカプラーを含む出力電圧検出回路の前記フォトカプラーの構成要素であるフォトトランジスタの一端を、前記半導体スイッチをスイッチング制御する制御回路の制御電源の一端に接続し、前記フォトトランジスタの他端と前記制御回路内の基準電圧点との間に複数個の抵抗を直列接続した抵抗直列回路と前記複数個の抵抗の何れかを短絡するためのスイッチとを備え、前記フォトトランジスタの他端を前記直流出力電圧のフィードバック電圧として前記制御回路へ接続すると共に、前記直流出力に接続される負荷の消費電力量が所定値に達したことを検出する負荷量検出手段からの出力信号で前記スイッチをオン又はオフし、前記負荷量検出手段は、前記半導体スイッチがオンしてから前記半導体スイッチがオフした後の共振波形のボトムが発生するまでの時間を検出して軽負荷と重負荷を判定することを特徴とするスイッチング電源装置。
  2. 直流電源と並列に変圧器の1次巻線と半導体スイッチとの直列回路を含むスイッチング回路を、前記変圧器の2次巻線に整流回路を、各々接続し、前記半導体スイッチのスイッチングにより、前記直流電源から絶縁された直流電圧作り、これを直流出力とする絶縁形のスイッチング電源装置において、前記直流出力電圧を絶縁して検出するためのフォトカプラーを含む出力電圧検出回路の前記フォトカプラーの構成要素であるフォトトランジスタの一端を、前記半導体スイッチをスイッチング制御する制御回路の制御電源の一端に接続し、前記フォトトランジスタの他端と前記制御回路の基準電圧点との間に第1の抵抗を、前記第1の抵抗と並列にスイッチと第2の抵抗の直列回路を、各々接続し、前記フォトトランジスタの他端を前記直流出力電圧のフィードバック電圧として前記制御回路へ接続すると共に、前記直流出力に接続される負荷の消費電力量が所定値に達したことを検出する負荷量検出手段からの出力信号で前記スイッチをオン又はオフし、前記負荷量検出手段は、前記半導体スイッチがオンしてから前記半導体スイッチがオフした後の共振波形のボトムが発生するまでの時間を検出して軽負荷と重負荷を判定することを特徴とするスイッチング電源装置。
  3. 直流電源と並列に変圧器の1次巻線と半導体スイッチとの直列回路を含むスイッチング回路を、前記変圧器の2次巻線に整流回路を、各々接続し、前記半導体スイッチのスイッチングにより、前記直流電源から絶縁された直流電圧を作り、これを直流出力とする絶縁形のスイッチング電源装置において、前記直流出力電圧を絶縁して検出するためのフォトカプラーを含む出力電圧検出回路の前記フォトカプラーの構成要素であるフォトトランジスタの一端を、前記半導体スイッチをスイッチング制御する制御回路の制御電源の一端に接続し、前記フォトトランジスタの他端に一端が接続された抵抗と、前記抵抗の他端と前記制御回路内の第1の基準電圧点又は第2の基準電圧点との接続を切替えるスイッチとを備え、前記フォトトランジスタの他端を前記直流出力電圧のフィードバック電圧として前記制御回路へ接続すると共に、前記直流出力に接続される負荷の消費電力量が所定値に達したことを検出する負荷量検出手段からの出力信号で前記スイッチを切替え、前記負荷量検出手段は、前記半導体スイッチがオンしてから前記半導体スイッチがオフした後の共振波形のボトムが発生するまでの時間を検出して軽負荷と重負荷を判定することを特徴とするスイッチング電源装置。
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