JP5846840B2 - フィルタ回路及び受信装置 - Google Patents
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Description
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。代表的な実施の形態についての概要説明で括弧を付して参照する図面中の参照符号はそれが付された構成要素の概念に含まれるものを例示するに過ぎない。
本発明の代表的な実施の形態に係るフィルタ回路(1〜5)は、入力端子(Iinp、Iinm(Vinp、Vinm))に供給された信号を入力し、入力した信号を増幅して出力端子(Voutm、Voutp)に出力する第1回路(10、11)と、前記出力端子に出力された信号を受けるとともに前記第1回路の入力に帰還接続される第2回路(20、21、22)と、を有する。前記第2回路(20、21、22)は、第1容量素子(Ch_A、Ch_B)と、前記第1容量素子を介して前記出力端子に出力された信号を入力する第1差動増幅回路(OP2)と、前記第1差動増幅回路の入出力間に負帰還経路を形成する第1抵抗素子(Rh_A、Rh_B)と、前記第1差動増幅回路の出力と前記第1回路の入力との間に負帰還経路を形成する第2抵抗素子(R3_A、R3_B)とを有する。
項1のフィルタ回路において、前記第1回路は、前記入力端子に供給された信号と前記第2抵抗素子を介して帰還される信号とを入力する第2差動増幅回路(OP1)と、前記第2差動増幅回路の入出力間に負帰還経路を形成する第3抵抗素子(R2_A、R2_B)とを有する。
項2のフィルタ回路において、前記第1差動増幅回路と前記第2差動増幅回路は、MOSトランジスタを含んで構成される。
項2又は3のフィルタ回路において、前記第2抵抗素子及び前記第3抵抗素子は、前記第2抵抗素子の抵抗値に対する前記第3抵抗素子の抵抗値の比率(Gh=R2/R3)が前記第1差動増幅器の最大出力電圧に対する前記第2差動増幅器の最大出力電圧の比率(Voutd_max/Vop2d_max)以上の値となるように構成される。
項2乃至4のいずれかのフィルタ回路において、前記第1抵抗素子は、前記第3抵抗素子の抵抗値よりも大きい抵抗値となるように構成される。
項2乃至5のいずれかのフィルタ回路において、前記第1回路は、前記第3抵抗素子に並列に配置される第2容量素子(C1_A、C1_B)を更に有する。
項1乃至6のいずれかのフィルタ回路において、前記第2回路は、前記第1差動増幅回路の入力と前記第1容量素子との直列経路に対して直列に配置される第4抵抗素子(R4_A、R4_B)を更に有する。
項1乃至7のいずれかのフィルタ回路において、前記第2回路は、前記第1抵抗素子に並列に配置される第3容量素子(C2_A、C2_B)を更に有する。
項2乃至8のいずれかのフィルタ回路において、前記第1回路は第5抵抗素子(R1_A、R1_B)を更に有し、前記第2差動増幅回路は、前記第5抵抗素子を介して前記入力端子に供給された信号を入力する。
項6乃至9のいずれかのフィルタ回路において、前記第1回路と前記第2回路との接続と遮断を切り替えるためのスイッチ素子(SW_1〜SW_4)を更に有し、前記第2容量素子は容量値が変更可能に構成される。
本発明の代表的な実施の形態に係る受信装置(40)は、信号を受信するためのアンテナ部(400)と、前記アンテナ部によって受信した信号をベースバンド信号に変換するための変換部(420)と、前記変換部によって変換されたベースバンド信号から目的とする通信方式に応じた周波数帯の信号を取得するためのフィルタ回路(5_A、5_B)と、前記フィルタ回路のフィルタ特性を切り替えるための制御を行う制御部(408)とを有する。前記フィルタ回路は、前記ベースバンド信号を入力し、入力した信号を増幅して出力する第1回路(11)と、前記第1回路の出力信号を受けるとともに、前記第1回路の入力に帰還接続される第2回路(20、21、22)と、前記第1回路と前記第2回路との接続と遮断を切り替えるためのスイッチ素子(SW_1〜SW_4)とを有する。前記第2回路は、第1容量素子(Ch_A、Ch_B)と、前記第1容量素子を介して前記第1回路の出力信号を入力する第1差動増幅回路(OP2)と、前記第1差動増幅回路の入出力間に負帰還経路を形成する第1抵抗素子(Rh_A、Rh_B)と、前記第1差動増幅回路の出力と前記第1回路の入力との間に負帰還経路を形成する第2抵抗素子(R3_A、R3_B)とを有する。前記第1回路は、前記ベースバンド信号と前記第2抵抗素子を介して帰還される信号とを入力する第2差動増幅回路(OP1)と、前記第2差動増幅回路の入出力間に負帰還経路を形成する第3抵抗素子(R2_A、R2_B)と、前記第3抵抗素子に並列に配置される第2容量素子(C1_A、C1_B)とを有する。また、前記第2容量素子は、容量値が変更可能に構成される。更に、前記制御部は、前記目的とする通信方式に応じて、前記スイッチ素子の制御と前記第2容量素子の容量値の制御とを行う。
項11の受信装置において、前記制御部は、前記目的とする通信方式が第1通信モード(GSM)である場合には、前記スイッチ素子により前記第1回路と前記第2回路とを接続するとともに、前記第2容量素子の容量値を第1容量値(21pF)に設定する。また、前記目的とする通信方式が前記第1通信モードよりも高い周波数帯域の第2通信モード(WCDMA)である場合には、前記スイッチ素子により前記第1回路と前記第2回路との接続を遮断するとともに、前記第2容量素子の容量値を前記第1容量値に設定する。更に、前記目的とする通信方式が前記第2通信モードよりも高い周波数帯域の第3通信モード(LTE)である場合には、前記スイッチ素子により前記第1回路と前記第2回路との接続を遮断するとともに、前記第2容量素子の容量値を前記第1容量値よりも小さい第2容量値(4pF)に設定する。
項11又は12の受信装置において、前記第1差動増幅回路と前記第2差動増幅回路は、MOSトランジスタを含んで構成される。
項11乃至13のいずれかの受信装置において、前記第2抵抗素子及び前記第3抵抗素子は、前記第2抵抗素子の抵抗値に対する前記第3抵抗素子の抵抗値の比率(Gh=R2/R3)が前記第1差動増幅器の最大出力電圧に対する前記第2差動増幅器の最大出力電圧の比率(Voutd/Vop2d)以上の値となるように構成される。
項11乃至14のいずれかの受信装置において、前記第1抵抗素子は、前記第3抵抗素子の抵抗値よりも大きい抵抗値となるように構成される。
項11乃至15のいずれかの受信装置において、前記第2回路は、前記第1差動増幅回路の入力と前記第1容量素子との直列経路に対して直列に配置される第4抵抗素子(R4_A、R4_B)を更に有する。
項11乃至16のいずれかの受信装置において、前記第2回路は、前記第1抵抗素子に並列に配置される第3容量素子(C2_A、C2_B)を更に有する。
項11乃至17のいずれかの受信装置において、前記第1回路は第5抵抗素子(R1_A、R1_B)を更に有し、前記第2差動増幅回路は、前記第5抵抗素子を介して前記ベースバンド信号を入力する。
実施の形態について更に詳述する。
図1は、実施の形態1に係るフィルタ回路の一例を示すブロック図である。同図に示されるフィルタ回路1は、特に制限されないが、公知のCMOS集積回路の製造技術によって1個の単結晶シリコンのような半導体基板に形成されている。フィルタ回路1は、入力端子Iinp、Iinmに供給された信号を入力し、信号を増幅して出力端子Voutp、Voutmに出力する第1回路10と、出力端子Voutp、Voutmに出力された信号を受けるとともに第1回路10の入力に帰還接続される第2回路20とから構成される。
図2は、実施の形態2に係るフィルタ回路の一例を示すブロック図である。同図において、実施の形態1に係るフィルタ回路1と同様の構成要素には同一の符号を付して、その詳細な説明を省略する。
図3は、実施の形態3に係るフィルタ回路の一例を示すブロック図である。同図において、実施の形態1に係るフィルタ回路1と同様の構成要素には同一の符号を付して、その詳細な説明を省略する。
図5は、実施の形態4に係るフィルタ回路の一例を示すブロック図である。同図において、フィルタ回路1乃至3と同様の構成要素には同一の符号を付して、その詳細な説明を省略する。
図7は、複数の通信方式に対応したマルチモード用の送受信機の一例を示すブロック図である。同図に示される送受信機40は、例えば、同相成分のIチャネルと直交成分のQチャネルの2系統のアナログベースバンド部を有する直交ダウンコンバージョン方式のGSMと、WCDMAと、LTEとに対応した送受信機である。
10、11 第1回路
20、21、22 第2回路
200、210、220 微分回路
OP1、OP2 演算増幅器
R2_A、R2_B、R3_A、R3_B、Rh_A、Rh_B 抵抗
Ch_A、Ch_B 容量
Iinp 正側の入力端子
Iinm 負側の入力端子
Voutm 負側の出力端子
Voutp 正側の出力端子
Vop2m 演算増幅器OP2の負側の出力端子
Vop2p 演算増幅器OP2の正側の出力端子
Vinp 正側の入力端子
Vinm 負側の入力端子
R1_A、R1_B、R4_A、R4_B 抵抗
C1_A、C1_B、C2_A、C2_B 容量
600〜604 フィルタ特性
100 GSMの信号受信時のフィルタ特性
101 WCDMAの信号受信時のフィルタ特性
102 LTEの信号受信時のフィルタ特性
40 送受信機
400 アンテナ
401 フロントエンドモジュール
402 低雑音増幅器
420 変換部
403 I信号用ミキサ
413 Q信号用ミキサ
405 90度移相器
404 局部信号発振器
5_A I信号用フィルタ回路
5_B Q信号用フィルタ回路
407 I信号用可変増幅器
417 Q信号用可変増幅器
409 I信号用アナログ/デジタル変換器(ADC)
419 Q信号用アナログ/デジタル変換器(ADC)
408 制御部(CNT)
410 ベースバンド信号処理用LSI(BB_LSI)
412 デジタル/アナログ変換器(DAC)
411 RF送信信号生成部(Tx)
SW_1〜SW_4 スイッチ素子
Sf フィルタ切替信号
Sm 通信モード選択信号
500 フィルタ回路
IN3、IN4 入力端子
OUT3、OUT4 出力端子
OP10、OP315 演算増幅器
310 容量増幅器
311、313 RC時定数フィルタ
R9、R10、R11、R12、R13、R14 抵抗
C9、C10、C11、C12 容量
Claims (11)
- 入力端子に供給された信号を入力し、入力した信号を増幅して出力端子に出力する第1回路と、
前記出力端子に出力された信号を受けるとともに、前記第1回路の入力に帰還接続される第2回路と
を有するフィルタ回路であって、
前記第2回路は、
第1容量素子と、
前記第1容量素子を介して前記出力端子に出力された信号を入力する第1差動増幅回路と、
前記第1差動増幅回路の入出力間に負帰還経路を形成する第1抵抗素子と、
前記第1差動増幅回路の出力と前記第1回路の入力との間に負帰還経路を形成する第2抵抗素子とを有し、
前記第1回路は、前記入力端子に供給された信号と前記第2抵抗素子を介して帰還される信号とを入力する第2差動増幅回路と、前記第2差動増幅回路の入出力間に負帰還経路を形成する第3抵抗素子とを有し、
前記第2抵抗素子及び前記第3抵抗素子は、前記第2抵抗素子の抵抗値に対する前記第3抵抗素子の抵抗値の比率が前記第1差動増幅回路の最大出力電圧に対する前記第2差動増幅回路の最大出力電圧の比率以上の値となるように構成される
フィルタ回路。 - 入力端子に供給された信号を入力し、入力した信号を増幅して出力端子に出力する第1回路と、
前記出力端子に出力された信号を受けるとともに、前記第1回路の入力に帰還接続される第2回路と
を有するフィルタ回路であって、
前記第2回路は、
第1容量素子と、
前記第1容量素子を介して前記出力端子に出力された信号を入力する第1差動増幅回路と、
前記第1差動増幅回路の入出力間に負帰還経路を形成する第1抵抗素子と、
前記第1差動増幅回路の出力と前記第1回路の入力との間に負帰還経路を形成する第2抵抗素子とを有し、
前記第1回路は、前記入力端子に供給された信号と前記第2抵抗素子を介して帰還される信号とを入力する第2差動増幅回路と、前記第2差動増幅回路の入出力間に負帰還経路を形成する第3抵抗素子とを有し、
前記第1抵抗素子は、前記第3抵抗素子の抵抗値よりも大きい抵抗値となるように構成される
フィルタ回路。 - 入力端子に供給された信号を入力し、入力した信号を増幅して出力端子に出力する第1回路と、
前記出力端子に出力された信号を受けるとともに、前記第1回路の入力に帰還接続される第2回路と
を有するフィルタ回路であって、
前記第2回路は、
第1容量素子と、
前記第1容量素子を介して前記出力端子に出力された信号を入力する第1差動増幅回路と、
前記第1差動増幅回路の入出力間に負帰還経路を形成する第1抵抗素子と、
前記第1差動増幅回路の出力と前記第1回路の入力との間に負帰還経路を形成する第2抵抗素子とを有し、
前記第1回路は、前記入力端子に供給された信号と前記第2抵抗素子を介して帰還される信号とを入力する第2差動増幅回路と、前記第2差動増幅回路の入出力間に負帰還経路を形成する第3抵抗素子とを有し、
前記第1回路は、前記第3抵抗素子に並列に配置される第2容量素子を更に有し、
前記第1回路と前記第2回路との接続と遮断を切り替えるためのスイッチ素子を更に有し、
前記第2容量素子は、容量値が変更可能に構成される
フィルタ回路。 - 信号を受信するためのアンテナ部と、
前記アンテナ部によって受信した信号をベースバンド信号に変換するための変換部と、
前記変換部によって変換されたベースバンド信号から目的とする通信方式に応じた周波数帯の信号を取得するためのフィルタ回路と、
前記フィルタ回路のフィルタ特性を切り替えるための制御を行う制御部と
を有する受信装置であって、
前記フィルタ回路は、
前記ベースバンド信号を入力し、入力した信号を増幅して出力する第1回路と、
前記第1回路の出力信号を受けるとともに、前記第1回路の入力に帰還接続される第2回路と、
前記第1回路と前記第2回路との接続と遮断を切り替えるためのスイッチ素子と
を有し、
前記第2回路は、
第1容量素子と、
前記第1容量素子を介して前記第1回路の出力信号を入力する第1差動増幅回路と、
前記第1差動増幅回路の入出力間に負帰還経路を形成する第1抵抗素子と、
前記第1差動増幅回路の出力と前記第1回路の入力との間に負帰還経路を形成する第2抵抗素子と
を有し、
前記第1回路は、
前記ベースバンド信号と前記第2抵抗素子を介して帰還される信号とを入力する第2差動増幅回路と、
前記第2差動増幅回路の入出力間に負帰還経路を形成する第3抵抗素子と、
前記第3抵抗素子に並列に配置される第2容量素子と
を有し、
前記第2容量素子は、容量値が変更可能に構成され、
前記制御部は、前記目的とする通信方式に応じて、前記スイッチ素子の制御と前記第2容量素子の容量値の制御とを行う
受信装置。 - 請求項4において、
前記制御部は、
前記目的とする通信方式が第1通信モードである場合には、前記スイッチ素子により前記第1回路と前記第2回路とを接続するとともに、前記第2容量素子の容量値を第1容量値に設定し、
前記目的とする通信方式が前記第1通信モードよりも高い周波数帯域を使う第2通信モードである場合には、前記スイッチ素子により前記第1回路と前記第2回路との接続を遮断するとともに、前記第2容量素子の容量値を前記第1容量値に設定し、
前記目的とする通信方式が前記第2通信モードよりも高い周波数帯域を使う第3通信モードである場合には、前記スイッチ素子により前記第1回路と前記第2回路との接続を遮断するとともに、前記第2容量素子の容量値を前記第1容量値よりも小さい第2容量値に設定する
受信装置。 - 請求項4において、
前記第1差動増幅回路と前記第2差動増幅回路は、MOSトランジスタを含んで構成される
受信装置。 - 請求項4において、
前記第2抵抗素子及び前記第3抵抗素子は、前記第2抵抗素子の抵抗値に対する前記第3抵抗素子の抵抗値の比率が前記第1差動増幅回路の最大出力電圧に対する前記第2差動増幅回路の最大出力電圧の比率以上の値となるように構成される
受信装置。 - 請求項4において、
前記第1抵抗素子は、前記第3抵抗素子の抵抗値よりも大きい抵抗値となるように構成される
受信装置。 - 請求項4において、
前記第2回路は、前記第1差動増幅回路の入力と前記第1容量素子との直列経路に対して直列に配置される第4抵抗素子を更に有する
受信装置。 - 請求項9において、
前記第2回路は、前記第1抵抗素子に並列に配置される第3容量素子を更に有する
受信装置。 - 請求項4において、
前記第1回路は、第5抵抗素子を更に有し、
前記第2差動増幅回路は、前記第5抵抗素子を介して前記ベースバンド信号を入力する
受信装置。
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