JP5726856B2 - 電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、電子機器に関する。

第１の電子部品を備える第１の筺体と、第２の電子部品を備える第２の筺体と、第１の電子部品および第２の電子部品を電気的に接続するフレキシブル基板と、アンテナと、を備える電子機器がある。例えば、いわゆる折畳式の携帯電話やスライド式の携帯電話などが該当する。

上述のような電子機器においては、電子機器の大きさやアンテナ配置位置の制限などから、第１の電子部品および第２の電子部品を電気的に接続するフレキシブル基板と、アンテナとが、近接して配置される場合がある。例えば、折畳式の携帯電話の場合、第１の筺体（例えば操作ボタン等を有する筺体）および第２の筺体（例えばディスプレイ等を有する筺体）を連結するヒンジ付近にアンテナと、第１の電子部品および第２の電子部品を電気的に接続するフレキシブル基板と、を配置する場合があり、これらが近接した状態となる。

このようにアンテナ付近にフレキシブル基板が配置されている場合、アンテナから発信した電波がアンテナ以外の導体に干渉して電流を生じさせたり、または、フレキシブル基板の導体上を流れるノイズ電流がアンテナに影響したりすることで、アンテナ特性が劣化してしまう恐れがある。

ここで、アンテナ特性の劣化を解決する手段として、特許文献１に記載されたものがある。特許文献１に記載された携帯無線通信装置は、ＲＦ信号の送受信を行う第１の送受信部と、第１の送受信部に設けられたアンテナと、第１の送受信部とは離れて設けられ、ベースバンド信号の送受信を行う第２の送受信部と、第１の送受信部と第２の送受信部とを接続する接続線と、を有し、この接続線の途中に適当なインダクタンス値のインダクタンス素子をさらに設けることで、第１の送受信部から第２の送受信部に流れる高周波を遮断し、アンテナ特性の劣化を抑制している。

特許第２９８９８５０号公報

しかし、特許文献１に記載の技術の場合、アンテナから発信した電波がフレキシブル基板の導体と干渉し、電流を生じさせることを抑制できない。

そこで、本発明では、アンテナ付近にフレキシブル基板が配置されることがある電子機器において、フレキシブル基板に起因してアンテナ特性が劣化するのを抑制する手段を提供する。

本発明は、第１の電子部品を備える第１の筺体と、第２の電子部品を備える第２の筺体と、前記第１の筺体の端部に設けられるアンテナと、前記第１の筺体の前記端部を通り、前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とを接続する接続体と、を有する電子機器において、前記接続体は、導電体と誘電体とを含む積層構造を有し、最外層が導電体層となっている第１の構造体と、前記第１の構造体の最外層の少なくとも１つの外表面に接して設けられる第２の構造体とを有し、前記第２の構造体は、前記第１の構造体の最外層と接する誘電体層と、前記誘電体層の内部又は前記最外層と接する面と反対側の面上に、その最外層と対向して少なくとも一部領域に設けられ、互いに分離した複数の島状導体を繰り返し設けた第１導体と、前記誘電体層の内部に設けられ、少なくとも一部の前記島状導体と前記第１の構造体の最外層とを接続する接続部材とを有している。

本発明によれば、アンテナ付近にフレキシブル基板が配置されることがある電子機器において、フレキシブル基板に起因してアンテナ特性が劣化するのを抑制できる。
また、接続部材の太さ、複数の島状導体の相互間隔等を調節することにより、バンドギャップとなる周波数帯を調節することができる。

本実施形態の電子機器の一例を模式的に示す斜視図である。 本実施形態の電子機器の内部構造の一例を模式的に示す斜視図である。 本実施形態の電子機器の内部構造の一例を模式的に示す平面図および側面図である。 本実施形態の電子機器の内部構造の一例を模式的に示す斜視図である。 本実施形態の接続体の断面構造の一例を模式的に示す図である。 本実施形態の第１の構造体の最外層および第２の構造体の断面構造を模式的に示す図である。 本実施形態の接続体に構成されるＥＢＧ構造の一例を模式的に示す斜視図である。 本実施形態の接続体に構成されるＥＢＧ構造の一例を模式的に示す断面図である。 本実施形態の接続体に構成されるＥＢＧ構造の単位セルの等価回路図である。 本実施形態の接続体に構成されるＥＢＧ構造の等価回路図である。 ＥＢＧ構造により伝播を抑制するノイズの周波数帯域を算出する式である。 アンテナと接続体との相互作用を示す図である。 本実施形態の第２の構造体を設ける位置の一例を説明するための図である。 本実施形態の第２の構造体の製造方法を説明するための図である。 本実施形態の第１の構造体の最外層および第２の構造体の断面構造を模式的に示す図である。 本実施形態の第１の構造体の最外層および第２の構造体の断面構造を模式的に示す図である。 本実施形態の第１の構造体の最外層および第２の構造体を模式的に示す平面図である。 本実施形態の接続体に構成されるＥＢＧ構造の単位セルの等価回路図である。 本実施形態の第２の構造体の製造方法を説明するための図である。 本実施形態の第１の構造体の最外層および第２の構造体の断面構造を模式的に示す図である。 本実施形態の第１の構造体の最外層および第２の構造体の断面構造を模式的に示す図である。 本実施形態の第１の構造体の最外層および第２の構造体を模式的に示す平面図である。 本実施形態の接続体に構成されるＥＢＧ構造の単位セルの等価回路図である。 本実施形態の第１の構造体の最外層および第２の構造体の断面構造を模式的に示す図である。 本実施形態の第２の構造体の製造方法を説明するための図である。 本実施形態の第１の構造体の最外層および第２の構造体の断面構造を模式的に示す図である。 本実施形態の第２の構造体の島状導体の一例を示す斜視図である。 本実施形態の接続体に構成されるＥＢＧ構造の一例を模式的に示す斜視図である。 本実施形態の接続体に構成されるＥＢＧ構造の一例を模式的に示す断面図である。 本実施形態の接続体に構成されるＥＢＧ構造の単位セルの等価回路図である。 本実施形態の第２の構造体の島状導体の一例を示す斜視図である。 本実施形態の接続体に構成されるＥＢＧ構造の一例を模式的に示す斜視図である。 本実施形態の接続体に構成されるＥＢＧ構造の単位セルの等価回路図である。 本実施形態の第１の構造体の最外層および第２の構造体の断面構造を模式的に示す図である。 本実施形態の第１の構造体の最外層および第２の構造体の断面構造を模式的に示す図である。 本実施形態の第１の構造体の最外層および第２の構造体の断面構造を模式的に示す図である。 本実施形態の第１の構造体の最外層および第２の構造体の断面構造を模式的に示す図である。 本実施形態の接続体に設けられる導体の一例を示す平面図である。 本実施形態の接続体に設けられる導体の一例を示す平面図である。 本実施形態の接続体に構成されるＥＢＧ構造の一例を模式的に示す斜視図である。 本実施形態の接続体に構成されるＥＢＧ構造の一例を模式的に示す斜視図である。 比較例の断面構造を模式的に示す図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

＜実施形態１＞
まず、本実施形態の電子機器の全体構成について説明する。

図１は本実施形態の電子機器の一例を模式的に示す斜視図である。図示するように、本実施形態の電子機器は、第１の筺体１０と、第２の筺体２０と、を有する。第１の筺体１０は第１の電子部品（電子回路）を有し、第２の筺体２０は第２の電子部品（電子回路）を有する。第１の筺体１０および第２の筺体２０は、例えばヒンジ５０により連結される。

図２は、図１に示す電子機器の内部構造の一例を模式的に示す透過図である。図３は、第１の筺体１０および第２の筺体２０を除いた状態の電子機器を模式的に示す平面図および側面図である。図示するように、本実施形態の電子機器は、第１の筺体１０が有する第１の電子部品１１と、第２の筺体２０が有する第２の電子部品２１と、アンテナ３０と、第１の電子部品１１および第２の電子部品２１を電気的に接続する接続体４０と、を有する。

図４は、図３の状態の電子機器からさらにアンテナ３０を除いた状態の一例を模式的に示す斜視図である。図示するように、接続体４０は、ヒンジ５０の内部を通ってもよい。

以下、各構成について説明する。

第１の筺体１０は、第１の電子部品１１を備える。また、第２の筺体２０は、第２の電子部品２１を備える。本実施形態において、第１の筺体１０、第２の筺体２０、第１の電子部品１１、および、第２の電子部品２１の構成（筺体の形状および材料、電子部品の種類など）は特段制限されず、従来技術に準じたあらゆる構成とすることができる。

アンテナ３０は、第１の筺体１０の端部に設けられる。第１の筺体１０の端部とは、第１の筺体１０を平面視した際における第１の筺体１０の外周沿い付近のことである。アンテナ３０は、アンテナ特性を考慮した設計上、第１の筺体１０の端部に設けられる。例えば、アンテナ３０は、図２に示すように、第１の筺体１０の端部、かつ、第２の筺体２０の端部となる位置に設けられてもよい。かかる場合、アンテナ３０は、ヒンジ５０と平面視で一部または全部が重なる場合がある。なお、アンテナ３０の構成（形状、材料、第１の筺体１０の端部上における位置など）は特段制限されず、従来技術に準じたあらゆる構成とすることができる。

接続体４０は、第１の筺体１０が備える第１の電子部品１１と、第２の筺体２０が備える第２の電子部品２１とを電気的に接続する。このような機能を有する接続体４０は、第１の筺体１０と第２の筺体２０に跨って設けられる。その配置方法は様々であるが、接続体４０は、設計上、アンテナ３０が設けられている第１の筺体１０の端部を通るように設けられる場合がある。「第１の筺体１０の端部を通る」とは、平面視で、接続体４０の少なくとも一部が第１の筺体１０の端部と重なることを意味する。

このような本実施形態の電子機器の場合、アンテナ３０と、接続体４０との位置関係は、例えば図２に示すように近接した状態となることがある。そして、アンテナ３０と接続体４０とが平面視で互いに重なる場合もある。かかる場合、アンテナ３０から発信した電波が接続体４０の導体に干渉して電流を生じさせたり、または、接続体４０の導体を流れるノイズ電流がアンテナ３０に影響したりすることで、アンテナ特性が劣化してしまう恐れがある。そこで、本実施形態の接続体４０は、上記不都合を回避するための構造を有する。以下、本実施形態の接続体４０の構造の一例について説明する。

図５は、本実施形態の接続体４０の断面構造の一例を模式的に示す図である。図示するように、接続体４０は、積層構造を有する第１の構造体６０と、第１の構造体６０の最外層（６１Ａおよび６１Ｂ）に接して設けられる第２の構造体７０と、を有する。

第１の構造体６０は、導電体と誘電体とを含む積層構造を有し、最外層（６１Ａおよび６１Ｂ）が導電体層となっている。第１の構造体６０の層構成は、最外層（６１Ａおよび６１Ｂ）が導電体層となっていること以外は特段制限されず、層の数も特段制限されない。このような第１の構造体６０は、従来技術に準じたあらゆる構成のフレキシブル基板とすることができる。第１の構造体６０の一例としては、例えば、図５に示すように、導電体層６１Ａ、誘電体層６２、導電体および絶縁体からなる層６３、誘電体層６４、導電体および絶縁体からなる層６５、誘電体層６６、および、導電体層６１Ｂがこの順に積層した積層構造であってもよい。この構成の場合、導電体および絶縁体からなる層６３、および、導電体および絶縁体からなる層６５が信号線を有する層となっている。最外層（導電体層６１Ａおよび６１Ｂ）は、例えば、銅などの材料で形成された層であってもよいし、または、銀ペーストで形成された層であってもよい。最外層（導電体層６１Ａおよび６１Ｂ）は、ＧＮＤ層を構成していてもよい。

第２の構造体７０は、第１の構造体６０の最外層（導電体層６１Ａおよび６１Ｂ）の少なくとも１つの外表面に接して設けられる。図５に示す例では、第１の構造体６０の２つの最外層（導電体層６１Ａおよび６１Ｂ）の外表面それぞれに接して、第２の構造体７０Ａおよび７０Ｂが設けられている。また、第２の構造体７０は、第１の構造体６０の最外層（導電体層６１Ａおよび６１Ｂ）の外表面全面に設けられてもよいし、一部領域に設けられてもよい。一部領域に設けられる場合の好ましい位置は、以下で説明する。なお、「最外層（導電体層６１Ａおよび６１Ｂ）の外表面全面に設ける」とは、設計上配置可能な箇所全面に設けるという意味であり、最外層（導電体層６１Ａおよび６１Ｂ）の外表面に他の構成（第１の電子部品１１または第２の電子部品２１と接続するための構成など）が存在する場合には、その構成を除いた全面に設ければよい。

ここで、図６に、第１の構造体６０の最外層６１、および、第２の構造体７０の断面図を模式的に示す。図６に示す最外層６１は、例えば図５に示す最外層６１Ａおよび６１Ｂなどが該当する。

図６に示すように第２の構造体７０は、第１導体７１と、接続部材７３と、誘電体層７５と、を有する。

誘電体層７５は、第１の構造体６０の最外層６１と接して設けられる。そして、誘電体層７５は、少なくとも一部が、第１の構造体６０の最外層６１と接着する接着層７５Ｂを構成している。例えば図６に示すように、誘電体層７５は、誘電体で構成される層７５Ａと、接着層７５Ｂと、からなる積層構造であってもよい。層７５Ａは、例えばフレキシブル性を有する基板であってもよい。さらに具体的には、層７５Ａは、例えばガラスエポキシ基板、フッ素樹脂基板等であってもよい。層７５Ａは、単層であってもよいし、複層であってもよい。次に、接着層７５Ｂは、例えば接着剤で構成することができる。接着剤の原料としては特段制限されず、例えば天然ゴム、アクリル樹脂、シリコーン等を用いることができる。なお、層７５Ａおよび接着層７５Ｂの厚さは設計事項である。

第１導体７１は、誘電体層７５の表面であって、第１の構造体６０の最外層６１と接する面７７と反対側の面７６上に、最外層６１と対向するように設けられる。なお、第１導体７１は、誘電体層７５の内部に、最外層６１と対向して設けられてもよい。このような第１導体７１は、少なくとも一部領域に繰り返し構造、例えば周期的な構造を有している。繰り返し構造としては、図６に示すように、互いに分離した複数の島状導体７１Ａが繰り返し、例えば周期的に設けられた構造が考えられる。

なお、島状導体７１Ａにおける「繰り返し」には、島状導体７１Ａが部分的に欠落している場合も含まれる。また「周期的」には、一部の島状導体７１Ａそのものの配置がずれている場合も含まれる。すなわち厳密な意味での周期性が崩れた場合においても、島状導体７１Ａが繰り返し配置されている場合には、島状導体７１Ａを構成要素の一部とするＥＢＧ構造（以下で説明する）のメタマテリアルとしての特性を得ることができるため、「周期性」にはある程度の欠陥が許容される。

島状導体７１Ａの原料は特段制限されず、例えば銅等を選択できる。島状の形状についても特段制限されず、三角形、四角形、五角形、それ以上の頂点を有する多角形、円形等、あらゆる形状を選択できる。なお、大きさおよび／または形状が異なる２種類以上の島状導体７１Ａを繰り返し配置することもできる。かかる場合、２種類以上の島状導体７１Ａは、各種それぞれ周期的に配列されるのが望ましい。島状導体７１Ａの大きさ、相互間隔等は、島状導体７１Ａを構成要素の一部とするＥＢＧ構造（以下で説明する）に設定する所望のバンドギャップ帯域に応じて定められる。

接続部材７３は、誘電体層７５の内部に設けられ、一部または全部の島状導体７１Ａと、第１の構造体６０の最外層６１とを、電気的に接続する。すなわち、接続部材７３は、少なくとも誘電体層７５の面７７（第１の構造体６０の最外層６１と接する面）側で露出し、最外層６１と接するとともに、一部または全部の島状導体７１Ａと接する。なお、一部の島状導体７１Ａと最外層６１とを電気的に接続するよう接続部材７３が設けられる場合、この接続部材７３は、周期的に設けられてもよいし、周期的に設けられなくてもよい。しかし、接続部材７３を周期的に設けた場合、接続部材７３を構成要素の一部とするＥＢＧ構造（以下で説明する）は、Ｂｒａｇｇ反射を起こしてバンドギャップ帯域が広がるため、周期的であるのが望ましい。ここでの「周期的」には、一部の接続部材７３そのものの配置がずれている場合も含まれる。このような接続部材７３は、例えば銅、アルミニウム、ステンレス等の金属で構成することができる。

本実施形態の第２の構造体７０は接着層７５Ｂを有するシートであり、フレキシブル基板である第１の構造体６０の外表面に第２の構造体７０（シート）を貼り付けることで、本実施形態の接続体４０が得られる。

ここで、本実施形態では、第２の構造体７０と、第１の構造体６０の最外層６１とにより、ＥＢＧ構造が構成される。図７および８に、本実施形態の第２の構造体７０と、第１の構造体６０の最外層６１とにより構成されるＥＢＧ構造の一例を模式的に示す。図７は、ＥＢＧ構造の構成を模式的に示す斜視図であり、図８は、図７のＥＢＧ構造の断面図である。

図７および図８に示すＥＢＧ構造は、シート状導体２と、互いに分離した複数の島状導体１と、複数の接続部材３と、を有する。シート状導体２は第１の構造体６０の最外層６１に対応し、島状導体１は第２の構造体７０の島状導体７１Ａに対応し、接続部材３は第２の構造体７０の接続部材７３に対応する。

複数の島状導体１は、平面視でシート状導体２と重なる領域であって、シート状導体２から離れた位置に、誘電体層（図示せず）を挟んで配置されている。また、複数の島状導体１は、周期的に配列されている。接続部材３は、複数の島状導体１のそれぞれを、シート状導体２と電気的に接続している。このＥＢＧ構造は、１つの島状導体１と、当該島状導体１に対応して設けられた接続部材３と、シート状導体２の中の当該島状導体１に対向する領域と、によって単位セルＡが構成されている。そして、この単位セルＡが繰り返し、例えば周期的に配置されることにより、この構造体はメタマテリアル、例えばＥＢＧ（Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｂａｎｄ Ｇａｐ）として機能する。このＥＢＧ構造は、いわゆるマッシュルーム構造を有するＥＢＧ構造である。

ここで、単位セルＡの「繰り返し」には、いずれかの単位セルＡにおいて構成の一部が欠落している場合も含まれる。また単位セルＡが２次元配列を有している場合には、「繰り返し」には単位セルＡが部分的に欠落している場合も含まれる。また「周期性」には、一部の単位セルＡにおいて構成要素（島状導体１、接続部材３）の一部がずれている場合や、一部の単位セルＡそのものの配置がずれている場合も含まれる。すなわち厳密な意味での周期性が崩れた場合においても、単位セルＡが繰り返し配置されている場合には、メタマテリアルとしての特性を得ることができるため、「周期性」にはある程度の欠陥が許容される。なお、これらの欠陥が生じる要因としては、単位セルＡの間に配線やビアを通す場合、既存の配線レイアウトにメタマテリアル構造を追加する場合において既存のビアやパターンによって単位セルＡが配置できない場合、製造誤差、及び既存のビアやパターンを単位セルの一部として用いる場合などが考えられる。上述の前提は、以下のすべての実施形態において同様である。

図９は、図８に示した単位セルＡの等価回路図である。図９に示すように、この単位セルＡは、隣り合う島状導体１間に生じるキャパシタンスＣ、および、接続部材３がつくるインダクタンスＬ、からなる。

このＥＢＧ構造によれば、シート状導体２の表面におけるノイズの伝播を抑制できる。また、隣り合う島状導体１どうしがキャパシタンスＣを構成することで、ＥＢＧ構造体付近におけるノイズの伝播を抑制できる。

すなわち、第１の構造体６０の最外層６１と第２の構造体７０とにより上記のようなＥＢＧ構造を構成している本実施形態の接続体４０は、第２の構造体７０が設けられている領域において、第１の構造体６０の最外層６１の表面におけるノイズの伝播を抑制でき、また、接続体４０付近におけるノイズの伝播を抑制できる。

ここで、上記ＥＢＧ構造は、複数の島状導体１とシート状導体２との間隔、接続部材３の太さ、複数の島状導体１の相互間隔等を調節することで、バンドギャップとなる周波数帯を調節することができる。すなわち、ＥＢＧ構造により伝播を抑制されるノイズの周波数を調節することができる。

例えば、図８に示すＥＢＧ構造の場合、隣り合う２つの島状導体１と、各島状導体１それぞれに接続した２つの接続部材３と、この島状導体１と対向するシート状導体２とは、図１０に示す等価回路図で示すことができる。このような等価回路図で示されるＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域ｆは、図１１に示す式により算出することができる。この式に従い、ＥＢＧ構造を構成するキャパシタンスＣおよび／またはインダクタンスＬを適当に調節することで、所望のｆ値を設定することができる。さらに具体的には、例えば隣り合う島状導体１間の距離を変更したり、島状導体１の大きさを変更したり、接続部材３の長さを変更したりすることで、キャパシタンスＣおよび／またはインダクタンスＬを適当に調節し、所望のｆ値を設定することができる。なお、以下の実施形態で説明する他の構成のＥＢＧ構造の場合も同様に、それぞれのＥＢＧ構造により定まるバンドギャップ帯域ｆを算出するための式に基づき、キャパシタンスＣおよび／またはインダクタンスＬを適当に調節することで、所望のｆ値を設定することができる。

ここで、第２の構造体７０を設けることによる上記作用効果を前提にして、第２の構造体７０を設ける好ましい位置について説明する。

上述の通り、第２の構造体７０は、第１の構造体６０の最外層６１の少なくとも１つの外表面に接して設けられる。しかし、上記作用効果を考慮すると、第２の構造体７０は、第１の構造体６０の両方の最外層６１（図５の場合、６１Ａおよび６１Ｂ）の外表面に設けられるのが好ましい。なお、いずれか一方のみに設けられる場合、第２の構造体７０は、アンテナ３０と相互作用しやすい面に設けられるのが好ましい。例えば、アンテナ３０と対峙する側の面に設けられてもよい。

また、上述の通り、第２の構造体７０は、最外層６１の外表面全面に設けられてもよいし、一部領域に設けられてもよい。しかし、上記作用効果を考慮すると、第２の構造体７０は、最外層６１の外表面全面に設けられるのが好ましい。なお、一部領域に設けられる場合は、少なくとも、（１）アンテナの給電点から最も近い箇所、および／または、（２）平面視でアンテナと重なる箇所、に設けられるのが好ましい。給電点から近い場所とは、例えばアンテナの給電点が設けられている筐体（電子部品）とフレキが接続している点である。その際、上記に記載した箇所は本実施形態における適した場合ではあるが、筐体（電子部品）、アンテナ、フレキの接続関係が異なる場合は、これに限定されない。以下、上記した箇所に設けるのが望ましい理由について説明する。

図１２に、本実施形態の接続体４０から第２の構造体７０を除いた状態の電子機器において、アンテナ３０に８８５ＭＨｚの電流を流した時の電流分布を示す。図中、黒い部分ほど電流密度が高いことを示す。図示するように、アンテナ３０から、接続体４０の表面に電流が流れていることが分かる。特に、給電点（図中、Ｂで示す箇所）から最も近い箇所、および、アンテナ３０と平面視で重なる箇所から、接続体４０の表面に電流が流れていることが分かる。すなわち、（１）アンテナの給電点から最も近い箇所、および／または、（２）平面視でアンテナと重なる箇所、に第２の構造体７０を設け、上記作用効果を有するＥＢＧ構造を構成することで、アンテナ３０から接続体４０の表面に電流が流れることを効果的に抑制できる。例えば、アンテナ３０の給電点（図中、Ｂで示す箇所）から最も近い箇所を含めるように、図１３中、Ｃで示す領域内に第２の構造体７０を設けてもよい。そして、これに加えてまたは代えて、平面視でアンテナ３０と重なる箇所を含めるように、図１３中、Ｄで示す領域内に第２の構造体７０を設けてもよい。なお、アンテナ３０から接続体４０に流れる電流をＥＢＧ構造により抑制するためには、伝播を抑制したい電流の周波数をＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域に含める必要がある。すなわち、図１０の例の場合、８８５ＭＨｚをＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域に含める必要がある。当該手段は、上述した通りである。

本実施形態の電子機器によれば、接続体４０の外表面に形成されるＥＢＧ構造により、アンテナ３０から接続体４０の外表面への電流の移動を抑制できるほか、接続体４０の外表面（第１の構造体６０の外表面）を伝播しているノイズがアンテナ３０へ移動するのを抑制できる。

フレキシブル基板（接続体４０）に不要な（想定していない）電流が生じると、アンテナ設計時には想定していない電流が近傍に流れるため、アンテナ３０の放射効率や指向性に影響を与えアンテナ特性の劣化を生じてしまう。本実施形態の構造を用いた場合、フレキシブル基板（接続体４０）に不要な（想定してない）電流が生じることを防ぐことができるため、放射効率や指向性などアンテナ特性の劣化を防ぐことができる。すなわち、アンテナ付近にフレキシブル基板が配置される場合であっても、フレキシブル基板に起因してアンテナ特性が劣化するのを抑制できる。

また、フレキシブル基板（接続体４０）は筐体内に収納されている電子回路と接続しているが、本実施形態の構造を用いた場合、フレキシブル基板（接続体４０）に不要な電流が生じることを防ぐことで、他の回路に対する誤動作なども防ぐ効果も有する。

また、本実施形態ではＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域を調節できるので、電子機器が利用する周波数に応じてＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域を調節することで、効果的に、上記アンテナ特性の劣化を抑制できる。例えば、ＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域は、７００ＭＨｚ以上２．３ＧＨｚ以下の一部または全部を含んでもよい。この数値範囲であれば、携帯電話で使用される周波数帯を包含することが可能となる。

なお、本実施形態では、第２の構造体７０と、第１の構造体６０の最外層６１とにより、バンドギャップ帯域が異なる２種類以上のＥＢＧ構造が構成され、それら各々が繰り返し、例えば周期的に配置されてもよい。このようにすれば、バンドギャップ帯域を広げることが可能となる。

なお、本実施形態の第２の構造体７０は、以下の実施形態で説明する他の構造の第２の構造体７０に比べて構成が比較的シンプルである。このため、製造工程を少なくすることができるほか、製造コストの面でも優れている。

次に、本実施形態の接続体４０の製造方法の一例について、図１４を用いて説明する。図１４は、本実施形態の接続体４０の製造工程の一例を示す断面図である。

最初に、第２の構造体７０の製造方法について説明する。

まず、（１）に示すように、ガラスエポキシ基板、フッ素樹脂基板等の基板（層７５Ａ）の第１の面（図中、上側の面）に、銅箔７１を形成する。次に、（２）に示すように、フォトリソグラフィとエッチングにより、銅箔７１の一部を選択的にエッチングすることでパターン（互いに分離した複数の島状導体７１Ａ）を形成する。その後、（３）に示すように、ドリルにより、島状導体７１Ａと層７５Ａを貫通する穴を形成する。

次に、（４）に示すように、（３）で形成した穴に、銅、アルミニウム、ステンレス等の金属で構成された貫通ピン（接続部材７３）を挿入する。

その後、（５）に示すように、層７５Ａの第２の面（図中、下側の面）に接着層７５Ｂを形成する。この接着層７５Ｂは、接続部材７３が接着層７５Ｂを貫通し、露出するように形成される。このように形成する具体的手段としては特段制限されないが、以下のような手段であってもよい。例えば、（４）で挿入する接続部材７３の長さを、挿入した状態で層７５Ａの第２の面（図中、下側の面）から一端が露出する程度の長さに構成する。そして、接着層７５Ｂをシート状接着剤で構成し、シート状接着剤（接着層７５Ｂ）を層７５Ａの第２の面に形成する際に、シート状接着剤（接着層７５Ｂ）を強く押し込むことで、接続部材７３の一端をシート状接着剤（接着層７５Ｂ）の表面から露出させることで実現してもよい。または、接着層７５Ｂを、流動性を有する接着剤で構成するようにし、層７５Ａの第２の面（図中、下側の面）にこの接着剤を塗布した後、スキージを用いて、接続部材７３の表面に塗布された接着剤を取り除くことで、接続部材７３を接着層７５Ｂの表面から露出させてもよい。次に、必要に応じて、互いに分離した複数の島状導体７１Ａおよび層７５Ａの第１の面を覆う、非導電性の表面層（図示せず）を設ける。

その後、図５に示すように、従来技術に準じて製造した第１の構造体６０（フレキシブル基板）の所望の位置に、接着層７５Ｂが第１の構造体６０の最外層６１Ａ（または６１Ｂ）に接するように第２の構造体７０を貼り付ける。この時、接続部材７３が第１の構造体６０の最外層６１Ａ（または６１Ｂ）と接するように貼り付ける。

ここで、図７および８に示すようなＥＢＧ構造を有するシートを単に第１の構造体６０（フレキシブル基板）の外表面に貼り付けただけでは、上述の効果を実現することはできない。以下、図４２を用い、この理由を説明する。

図４２は、図７および８に示すＥＢＧ構造を有するシート７００を、第１の構造体６１０（フレキシブル基板）の外表面に貼り付けた状態を示す断面図である。図４２に示すシート７００は、シート状導体７０２と、互いに分離した複数の島状導体７０１と、複数の接続部材７０３と、を有している。

図４２に示すように、通常、シート７００は、被接着体との接着性を確保するため、絶縁性の接着剤による層７０４を有する。この接着剤による層７０４は、図４２に示すように、ＥＢＧ構造を有するシート７００を第１の構造体６１０（フレキシブル基板）に貼り付けた状態において、シート状導体７０２と第１の構造体６１０（フレキシブル基板）との間に位置し、これらを互いに電気的に分離した状態とする。このように、第１の構造体６１０（フレキシブル基板）とＥＢＧ構造とが電気的に分離された状態においては、第１の構造体６１０（フレキシブル基板）の表面におけるノイズの伝播を抑制することはできない。

本実施形態の電子機器は、上述の課題を解決している。具体的には、本実施形態の電子機器は、図６に示すように、第１の構造体６０（フレキシブル基板）の最外層６１がＥＢＧ構造の一部を構成する。かかる場合、上述のように、第１の構造体６１０（フレキシブル基板）とＥＢＧ構造とが電気的に分離した状態となることはない。

ここで、上記説明では、いわゆる折畳式の携帯電話を例に説明したが、本実施形態の電子機器は、これに限定されず、第１の電子部品を備える第１の筺体と、第２の電子部品を備える第２の筺体と、第１の筺体の端部に設けられるアンテナと、第１の電子部品と第２の電子部品とを電気的に接続する接続体と、を有し、アンテナと接続体とが近接する場合があり得るあらゆる電子機器が該当する。例えば、本実施形態の電子機器は、いわゆるスライド式の携帯電話であってもよい。

＜実施形態２＞
本実施形態の電子機器は、実施形態１の電子機器を基本とし、第２の構造体７０の構成が一部異なる。他の構成については、実施形態１の電子機器と同様であるので、ここでの説明は省略する。

図１５は、本実施形態の第１の構造体６０の最外層６１、および、第２の構造体７０の一例を模式的に示した断面図である。図示する第２の構造体７０は、実施形態１の第２の構造体７０（図６参照）を基本とし、接続部材７３（７３Ａ、７３Ｂ、７３Ｃ）の構成が異なる。他の構成については、実施形態１と同様であるので、ここでの説明は省略する。

本実施形態の接続部材７３は、導電性の第１接続部材７３Ａと、導電性の第２接続部材７３Ｂと、導電性の第３接続部材７３Ｃと、からなる。第１接続部材７３Ａは、一端が誘電体層７５の面７７を貫通し、第１の構造体６０の最外層６１と接するとともに、他端側を介して第２接続部材７３Ｂと導通する。この第１接続部材７３Ａは、島状導体７１Ａに設けられた穴を島状導体７１Ａと非接触な状態で通過している。第２接続部材７３Ｂは、第１接続部７３Ａと導通し、島状導体７１Ａと対向するように設けられる。この第２接続部材７３Ｂの平面形状は、直線であってもよいし、曲線であってもよいし、スパイラル形状であってもよいし、その他の形状であってもよい。第３接続部材７３Ｃは、一端側を介して第２接続部材７３Ｂと導通し、誘電体層７５の面７７方向に伸びた他端側を介して島状導体７１Ａと導通している。ここで、第２接続部材７３Ｂをスパイラル形状にした場合の一例を、図１６および１７に示す。図１６は、図１７のイ−イ´の断面図であり、図１７は、図１６を図中上から下に見た平面図である。なお、図１６および１７においては、構成をより明確にするため、他の図とは異なるハッチングを使用している。

ここで、図１５および１６に示すような本実施形態においても、第１の構造体６０の最外層６１と、第２の構造体７０とにより、ＥＢＧ構造が構成されている。しかし、本実施形態において構成されるＥＢＧ構造は、実施形態１で説明したＥＢＧ構造と異なる。

本実施形態において構成されるＥＢＧ構造は、１つの島状導体７１Ａと、当該島状導体７１Ａに対応して設けられた接続部材７３（７３Ａ、７３Ｂ、７３Ｃ）と、第１の構造体６０の最外層６１の中の当該島状導体７１Ａに対向する領域と、によって単位セルＡが構成されている。このＥＢＧ構造は、接続部材７３Ｂを含んで形成されるマイクロストリップ線路がショートスタブとして機能するショートスタブ型のＥＢＧ構造である。詳細には、接続部材７３Ａはインダクタンスを形成している。また、接続部材７３Ｂは、対向する島状導体７１Ａと電気的に結合することで島状導体７１Ａをリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。前記マイクロストリップ線路の一端は第３接続部材７３Ｃによってショート端となっており、ショートスタブとして機能するように構成されている。

図１８は、図１５および１６に示した単位セルＡの等価回路図である。図１８に示すように、この単位セルＡは、インピーダンス部Ｘとアドミタンス部Ｙとで構成される。インピーダンス部Ｘは、隣り合う島状導体７１Ａ間に生じるキャパシタンスＣ、および、島状導体７１ＡがつくるインダクタンスＬ、からなる。アドミタンス部Ｙは、第１の構造体６０の最外層６１と島状導体７１ＡとがつくるキャパシタンスＣ、および、第１接続部材７３ＡがつくるインダクタンスＬ、および、第２接続部材７３Ｂ（伝送線路）と第３接続部材７３Ｃとを含んでなるショートスタブ、からなる。

一般に、ＥＢＧ構造は、インピーダンス部Ｘがキャパシタンス性でありかつ、アドミタンス部Ｙがインダクタンス性となる周波数領域で電磁バンドギャップを生じることが知られている。図１５および１６に示すようなショートスタブ型ＥＢＧ構造では、ショートスタブのスタブ長を長くすることによって、アドミタンス部Ｙがインダクタンス性となる周波数帯域を低周波化することができる。このため、バンドギャップ帯域を低周波化することが可能である。ショートスタブ型ＥＢＧ構造はバンドギャップ帯域の低周波化にスタブ長が必要であるが必ずしも面積を必要としないため、単位セルの小型化を図ることができる。

このＥＢＧ構造によれば、第１の構造体６０の最外層６１の表面におけるノイズの伝播を抑制でき、また、接続体４０付近におけるノイズの伝播を抑制できる。

すなわち、本実施形態の電子機器によれば、接続体４０の外表面に形成されるＥＢＧ構造により、アンテナ３０から接続体４０の外表面への電流の移動を抑制できるほか、接続体４０の外表面（第１の構造体６０の外表面）を伝播しているノイズがアンテナ３０へ移動するのを抑制できる。このため、アンテナ付近にフレキシブル基板が配置される場合であっても、フレキシブル基板に起因してアンテナ特性が劣化するのを抑制できる。

また、フレキシブル基板（接続体４０）は筐体内に収納されている電子回路と接続しているが、本実施形態の構造を用いた場合、フレキシブル基板（接続体４０）に不要な電流が生じることを防ぐことで、他の回路に対する誤動作なども防ぐ効果も有する。

また、本実施形態ではＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域を調節できるので、電子機器が利用する周波数に応じてＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域を調節することで、効果的に、上記アンテナ特性の劣化を抑制できる。例えば、ＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域は、７００ＭＨｚ以上２．３ＧＨｚ以下の一部または全部を含んでもよい。この数値範囲であれば、携帯電話で使用される周波数帯を包含することが可能となる。

なお、本実施形態では、第２の構造体７０と、第１の構造体６０の最外層６１とにより、バンドギャップ帯域が異なる２種類以上のＥＢＧ構造が構成され、それら各々が繰り返し、例えば周期的に配置されてもよい。このようにすれば、バンドギャップ帯域を広げることが可能となる。

本実施形態の第２の構造体７０により構成されるＥＢＧ構造は、特徴的な接続部材７３（７３Ａ、７３Ｂ、７３Ｃ）の構成により、図１８に示したように多様なインダクタンスＬおよびキャパシタンスＣを形成することができる。その結果、所望の周波数帯のノイズの伝播を抑制するために要求されるインダクタンスＬおよびキャパシタンスＣを、島状導体７１Ａや接続部材７３（７３Ａ、７３Ｂ、７３Ｃ）の大きさを必要以上に大きくすることなく得ることが可能となる。すなわち、単位セルＡの大きさを比較的小さくすることが可能となる。かかる場合、単位面積あたりの単位セルＡの数を増やすことが可能となり、より効果的にノイズの伝播を抑制することが可能となる。

次に、本実施形態の電子機器の製造方法の一例について、図１９を用いて説明する。図１９は、本実施形態の第２の構造体７０の製造工程の一例を示す断面図である。

最初に、第２の構造体７０の製造方法について説明する。

まず、（１）に示すように、ガラスエポキシ基板、フッ素樹脂基板等の基板（層７５Ａ（１））の第１の面（図中、上側の面）に銅箔７３Ｂを形成し、第２の面（図中、下側の面）に銅箔７１を形成する。次に、（２）に示すように、フォトリソグラフィとエッチングにより、銅箔７１の一部を選択的にエッチングすることでパターン（互いに分離した複数の島状導体７１Ａ）を形成する。また、フォトリソグラフィとエッチングにより、銅箔７３Ｂの一部を選択的にエッチングすることでパターン（第２接続部材７３Ｂ）を形成する。なお、島状導体７１Ａは、第１接続部材７３Ａを通過させるための穴を設けたパターンに形成される。この穴は、第１接続部材７３Ａの径より大きく設けられる。

その後、ドリルにより、第２接続部材７３Ｂと層７５Ａ（１）と島状導体７１Ａとを貫通する穴を形成し、この穴に、銅、アルミニウム、ステンレス等の金属で構成された貫通ピン（第３接続部材７３Ｃ）を挿入することで、（３）に示す状態を得る。

次に、（４）に示すように、層７５Ａ（１）の第２の面（図中、下側の面）の上に、さらに誘電体層７５Ａ（２）を形成する。例えば、ガラスエポキシ基板、フッ素樹脂基板等のフレキシブル性を有する新たな基板（層７５Ａ（２））を用意し、この基板（層７５Ａ（２））の第１の面（図中、上側の面）を、層７５Ａ（１）の第２の面（図中、下側の面）に貼り付けることで実現してもよい。このように、本実施形態では、島状導体７１Ａ（第１導体）は、層７５Ａ（１）および７５Ａ（２）で構成される誘電体層の内部に設けられる。

その後、（５）に示すように、ドリルを用いて、第２接続部材７３Ｂと層７５Ａ（１）および７５Ａ（２）と島状導体７１Ａとを貫通する穴を形成する。この穴は、（２）で島状導体７１Ａに設けられた穴よりも径が小さく、かつ、島状導体７１Ａに非接触な状態で、この穴を通過するようにドリルを貫通させることで形成される。その後、（６）に示すように、（５）で形成した穴に、銅、アルミニウム、ステンレス等の金属で構成された貫通ピン（第１接続部材７３Ａ）を挿入する。

その後、（７）に示すように、層７５Ａ（２）の第２の面（図中、下側の面）に接着層７５Ｂを形成する。この接着層７５Ｂは、接続部材７３Ａが接着層７５Ｂを貫通し、露出するように形成される。このように形成する具体的手段は、実施形態１で説明した手段と同様の手段を用いることができる。次に、必要に応じて、第２接続部材７３Ｂおよび層７５Ａ（１）の第１の面を覆う、非導電性の表面層（図示せず）を設ける。

その後、図１５に示すように、従来技術に準じて製造した第１の構造体６０（フレキシブル基板）の所望の位置に、接着層７５Ｂが第１の構造体６０の最外層６１Ａ（または６１Ｂ）に接するように第２の構造体７０を貼り付ける。この時、第１接続部材７３Ａが第１の構造体６０の最外層６１Ａ（または６１Ｂ）と接するように貼り付ける。

＜実施形態３＞
本実施形態の電子機器は、実施形態１の電子機器を基本とし、第２の構造体７０の構成が一部異なる。他の構成については、実施形態１の電子機器と同様であるので、ここでの説明は省略する。

図２０は、本実施形態の第１の構造体６０の最外層６１、および、第２の構造体７０の一例を模式的に示した断面図である。図示する第２の構造体７０は、実施形態１の第２の構造体７０を基本とし、接続部材７３（７３Ａ、７３Ｂ）の構成が異なる。他の構成については、実施形態１と同様であるので、ここでの説明は省略する。

本実施形態の接続部材７３は、導電性の第１接続部材７３Ａと、導電性の第２接続部材７３Ｂと、からなる。第１接続部材７３Ａは、一端が誘電体層７５の面７７を貫通し、第１の構造体６０の最外層６１と接するとともに、他端側を介して第２接続部材７３Ｂと導通する。この第１接続部材７３Ａは、島状導体７１Ａに設けられた穴を島状導体７１Ａと非接触な状態で通過している。第２接続部材７３Ｂは、第１接続部７３Ａと導通し、島状導体７１Ａと対向するように設けられる。この第２接続部材７３Ｂの平面形状は、直線であってもよいし、曲線であってもよいし、スパイラル形状であってもよいし、その他の形状であってもよい。第２接続部材７３Ｂの他端は開放端となっている。ここで、第２接続部材７３Ｂをスパイラル形状にした場合の一例を、図２１および２２に示す。図２１は、図２２のロ−ロ´の断面図であり、図２２は、図２１を図中上から下に見た平面図である。なお、図２１および２２においては、構成をより明確にするため、他の図とは異なるハッチングを使用している。

ここで、図２０および２１に示すような本実施形態においても、第１の構造体６０の最外層６１と、第２の構造体７０とにより、ＥＢＧ構造が構成されている。しかし、本実施形態において構成されるＥＢＧ構造は、実施形態１および実施形態２で説明したＥＢＧ構造と異なる。

本実施形態において構成されるＥＢＧ構造は、１つの島状導体７１Ａと、当該島状導体７１Ａに対応して設けられた接続部材７３（７３Ａ、７３Ｂ）と、第１の構造体６０の最外層６１の中の当該島状導体７１Ａに対向する領域と、によって単位セルＡが構成されている。このＥＢＧ構造は、接続部材７３Ｂを含んで形成されるマイクロストリップ線路がオープンスタブとして機能するオープンスタブ型のＥＢＧ構造である。詳細には、接続部材７３Ａはインダクタンスを形成している。また、接続部材７３Ｂは、対向する島状導体７１Ａと電気的に結合することで島状導体７１Ａをリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。前記マイクロストリップ線路の一端はオープン端となっており、オープンスタブとして機能するように構成されている。

図２３は、図２０および２１に示した単位セルＡの等価回路図である。図２３に示すように、この単位セルＡは、インピーダンス部Ｘとアドミタンス部Ｙとで構成される。インピーダンス部Ｘは、隣り合う島状導体７１Ａ間に生じるキャパシタンスＣ、および、島状導体７１ＡがつくるインダクタンスＬ、からなる。アドミタンス部Ｙは、第１の構造体６０の最外層６１と島状導体７１ＡとがつくるキャパシタンスＣ、および、第１接続部材７３ＡがつくるインダクタンスＬ、および、第２接続部材７３Ｂ（伝送線路）を含んでなるオープンスタブ、からなる。

一般に、ＥＢＧ構造は、インピーダンス部Ｘがキャパシタンス性でありかつ、アドミタンス部Ｙがインダクタンス性となる周波数領域で電磁バンドギャップを生じることが知られている。図２０および２１に示すようなオープンスタブ型ＥＢＧ構造では、オープンスタブのスタブ長を長くすることによって、アドミタンス部Ｙがインダクタンス性となる周波数帯域を低周波化することができる。このため、バンドギャップ帯域を低周波化することが可能である。オープンスタブ型ＥＢＧ構造はバンドギャップ帯域の低周波化にスタブ長が必要であるが必ずしも面積を必要としないため、単位セルの小型化を図ることができる。

このＥＢＧ構造によれば、第１の構造体６０の最外層６１の表面におけるノイズの伝播を抑制でき、また、接続体４０付近におけるノイズの伝播を抑制できる。

すなわち、本実施形態の電子機器によれば、接続体４０の外表面に形成されるＥＢＧ構造により、アンテナ３０から接続体４０の外表面への電流の移動を抑制できるほか、接続体４０の外表面（第１の構造体６０の外表面）を伝播しているノイズがアンテナ３０へ移動するのを抑制できる。このため、アンテナ付近にフレキシブル基板が配置される場合であっても、フレキシブル基板に起因してアンテナ特性が劣化するのを抑制できる。

また、フレキシブル基板（接続体４０）は筐体内に収納されている電子回路と接続しているが、本実施形態の構造を用いた場合、フレキシブル基板（接続体４０）に不要な電流が生じることを防ぐことで、他の回路に対する誤動作なども防ぐ効果も有する。

また、本実施形態ではＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域を調節できるので、電子機器が利用する周波数に応じてＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域を調節することで、効果的に、上記アンテナ特性の劣化を抑制できる。例えば、ＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域は、７００ＭＨｚ以上２．３ＧＨｚ以下の一部または全部を含んでもよい。この数値範囲であれば、携帯電話で使用される周波数帯を包含することが可能となる。

なお、本実施形態では、第２の構造体７０と、第１の構造体６０の最外層６１とにより、バンドギャップ帯域が異なる２種類以上のＥＢＧ構造が構成され、それら各々が繰り返し、例えば周期的に配置されてもよい。このようにすれば、バンドギャップ帯域を広げることが可能となる。

本実施形態の第２の構造体７０により構成されるＥＢＧ構造は、特徴的な接続部材７３（７３Ａ、７３Ｂ）の構成により、図２３に示したように多様なインダクタンスＬおよびキャパシタンスＣを形成することができる。その結果、所望の周波数帯のノイズの伝播を抑制するために要求されるインダクタンスＬおよびキャパシタンスＣを、島状導体７１Ａや接続部材７３（７３Ａ、７３Ｂ）の大きさを必要以上に大きくすることなく得ることが可能となる。すなわち、単位セルＡの大きさを比較的小さくすることが可能となる。かかる場合、単位面積あたりの単位セルＡの数を増やすことが可能となり、より効果的にノイズの伝播を抑制することが可能となる。

本実施形態の電子機器の製造方法は、実施形態２で説明した電子機器の製造方法に準じて実現することができる。よって、ここでの説明は省略する。

＜実施形態４＞
本実施形態の電子機器は、実施形態１の電子機器を基本とし、第２の構造体７０の構成が一部異なる。他の構成については、実施形態１の電子機器と同様であるので、ここでの説明は省略する。

図２４は、本実施形態の第１の構造体６０の最外層６１、および、第２の構造体７０の一例を模式的に示した断面図である。図示する第２の構造体７０は、実施形態１の第２の構造体７０（図６参照）を基本とし、接続部材７３（７３Ａ、７３Ｂ）の構成が異なる。他の構成については、実施形態１と同様であるので、ここでの説明は省略する。

本実施形態の接続部材７３は、導電性の第１接続部材７３Ａと、導電性の第２接続部材７３Ｂと、からなる。第１接続部材７３Ａは、一端が誘電体層７５の面７７を貫通し、第１の構造体６０の最外層６１と接するとともに、他端側を介して第２接続部材７３Ｂと導通する。第１接続部材７３Ａは、島状導体７１Ａとは接触しない。第２接続部材７３Ｂは、第１接続部７３Ａと導通し、島状導体７１Ａと対向するように設けられる。この第２接続部材７３Ｂの平面形状は、直線であってもよいし、曲線であってもよいし、スパイラル形状であってもよいし、その他の形状であってもよい。第２接続部材７３Ｂの他端は開放端となっている。

ここで、図２４に示すような本実施形態においても、第１の構造体６０の最外層６１と、第２の構造体７０とにより、ＥＢＧ構造が構成されている。しかし、本実施形態において構成されるＥＢＧ構造は、実施形態１乃至３で説明したＥＢＧ構造と異なる。

本実施形態において構成されるＥＢＧ構造は、１つの島状導体７１Ａと、当該島状導体７１Ａに対応して設けられた接続部材７３（７３Ａ、７３Ｂ）と、第１の構造体６０の最外層６１の中の当該島状導体７１Ａに対向する領域と、によって単位セルＡが構成されている。このＥＢＧ構造は、接続部材７３Ｂを含んで形成されるマイクロストリップ線路がオープンスタブとして機能するオープンスタブ型のＥＢＧ構造である。詳細には、接続部材７３Ａはインダクタンスを形成している。また、接続部材７３Ｂは、対向する島状導体７１Ａと電気的に結合することで島状導体７１Ａをリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。前記マイクロストリップ線路の一端はオープン端となっており、オープンスタブとして機能するように構成されている。

図２４に示した単位セルＡの等価回路図は、実施形態３において説明した等価回路図（図２３）と同じである。よって、ここでの説明は省略する。

このＥＢＧ構造によれば、第１の構造体６０の最外層６１の表面におけるノイズの伝播を抑制でき、また、接続体４０付近におけるノイズの伝播を抑制できる。

すなわち、本実施形態の電子機器によれば、接続体４０の外表面に形成されるＥＢＧ構造により、アンテナ３０から接続体４０の外表面への電流の移動を抑制できるほか、接続体４０の外表面（第１の構造体６０の外表面）を伝播しているノイズがアンテナ３０へ移動するのを抑制できる。このため、アンテナ付近にフレキシブル基板が配置される場合であっても、フレキシブル基板に起因してアンテナ特性が劣化するのを抑制できる。

また、フレキシブル基板（接続体４０）は筐体内に収納されている電子回路と接続しているが、本実施形態の構造を用いた場合、フレキシブル基板（接続体４０）に不要な電流が生じることを防ぐことで、他の回路に対する誤動作なども防ぐ効果も有する。

また、本実施形態ではＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域を調節できるので、電子機器が利用する周波数に応じてＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域を調節することで、効果的に、上記アンテナ特性の劣化を抑制できる。例えば、ＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域は、７００ＭＨｚ以上２．３ＧＨｚ以下の一部または全部を含んでもよい。この数値範囲であれば、携帯電話で使用される周波数帯を包含することが可能となる。

なお、本実施形態では、第２の構造体７０と、第１の構造体６０の最外層６１とにより、バンドギャップ帯域が異なる２種類以上のＥＢＧ構造が構成され、それら各々が繰り返し、例えば周期的に配置されてもよい。このようにすれば、バンドギャップ帯域を広げることが可能となる。

本実施形態の第２の構造体７０により構成されるＥＢＧ構造は、特徴的な接続部材７３（７３Ａ、７３Ｂ）の構成により、図２３に示したように多様なインダクタンスＬおよびキャパシタンスＣを形成することができる。その結果、所望の周波数帯のノイズの伝播を抑制するために要求されるインダクタンスＬおよびキャパシタンスＣを、島状導体７１Ａや接続部材７３（７３Ａ、７３Ｂ）の大きさを必要以上に大きくすることなく得ることが可能となる。すなわち、単位セルＡの大きさを比較的小さくすることが可能となる。かかる場合、単位面積あたりの単位セルＡの数を増やすことが可能となり、より効果的にノイズの伝播を抑制することが可能となる。

次に、本実施形態の電子機器の製造方法の一例について、図２５を用いて説明する。図２５は、本実施形態の第２の構造体７０の製造工程の一例を示す断面図である。

最初に、第２の構造体７０の製造方法について説明する。

まず、（１）に示すように、ガラスエポキシ基板、フッ素樹脂基板等の基板（層７５Ａ（１））の第１の面（図中、上側の面）に銅箔７３Ｂを形成する。また、ガラスエポキシ基板、フッ素樹脂基板等のフレキシブル性を有する他の基板（層７５Ａ（２））の第１の面（図中、上側の面）に銅箔７１を形成する。次に、（２）に示すように、フォトリソグラフィとエッチングにより、銅箔７３Ｂの一部を選択的にエッチングすることでパターン（第２接続部材７３Ｂ）を形成する。また、フォトリソグラフィとエッチングにより、銅箔７１の一部を選択的にエッチングすることでパターン（互いに分離した複数の島状導体７１Ａ）を形成する。

その後、（３）に示すように、ドリルにより、第２接続部材７３Ｂと層７５Ａ（１）を貫通する穴を形成する。次に、（４）に示すように、（３）で形成した穴に、銅、アルミニウム、ステンレス等の金属で構成された貫通ピン（第１接続部材７３Ａ）を挿入する。

その後、（５）に示すように、層７５Ａ（１）の第１の面（図中、上側の面）に、層７５Ａ（２）の第２の面（図中、下側の面）が接するように貼り付ける。次に、（６）に示すように、層７５Ａ（１）の第２の面（図中、下側の面）に接着層７５Ｂを形成する。この接着層７５Ｂは、第１接続部材７３Ａが接着層７５Ｂを貫通し、露出するように形成される。このように形成する具体的手段は、実施形態１で説明した手段と同様の手段を用いることができる。次に、必要に応じて、互いに分離した複数の島状導体７１Ａおよび層７５Ａ（２）の第１の面を覆う、非導電性の表面層（図示せず）を設ける。

その後、図２４に示すように、従来技術に準じて製造した第１の構造体６０（フレキシブル基板）の所望の位置に、接着層７５Ｂが第１の構造体６０の最外層６１Ａ（または６１Ｂ）に接するように第２の構造体７０を貼り付ける。この時、第１接続部材７３Ａが第１の構造体６０の最外層６１Ａ（または６１Ｂ）と接するように貼り付ける。

＜実施形態５＞
本実施形態の電子機器は、実施形態１の電子機器を基本とし、第２の構造体７０の構成が一部異なる。他の構成については、実施形態１の電子機器と同様であるので、ここでの説明は省略する。

図２６は、本実施形態の第１の構造体６０の最外層６１、および、第２の構造体７０の一例を模式的に示した断面図である。本実施形態の第２の構造体７０は、誘電体層７５と、誘電体層７５の一方の面７６（第１の構造体６０の最外層６１と接する面７７と反対側の面７６）上に形成され、少なくとも一部領域に繰り返し構造、例えば周期的な構造を有している第１導体７１と、を備える。

第１導体７１の繰り返し構造としては、互いに分離した複数の島状導体７１Ａが繰り返し、例えば周期的に設けられた構造が考えられる。そして、複数の島状導体７１Ａの一部または全部には、図２７の拡大斜視図に示すように、開口７１Ｂが設けられる。複数の島状導体７１Ａの一部に開口７１Ｂが設けられる場合、開口７１Ｂは、周期的に設けられるのが望ましい。この開口７１Ｂの中には、一端が島状導体７１Ａと電気的に接続している配線７１Ｃが設けられる。開口７１Ｂの大きさ、配線７１Ｃの長さ、太さなどは、伝播を抑制するノイズの周波数に応じて定められる設計事項である。このような第１導体７１は、第１の構造体６０の最外層６１と対向して設けられる。なお、第１導体７１は、誘電体層７５の内部に、第１の構造体６０の最外層６１と対向して設けられてもよい。

誘電体層７５の一部は第１の構造体６０の最外層６１に接着する接着層７５Ｂで構成される。

ここで、図２６および２７に示すような本実施形態においても、第１の構造体６０の最外層６１と、第２の構造体７０とにより、ＥＢＧ構造が構成されている。しかし、本実施形態において構成されるＥＢＧ構造は、実施形態１乃至４で説明したＥＢＧ構造と異なる。

図２８および２９に、本実施形態の第１の構造体６０の最外層６１と、第２の構造体７０とにより構成されるＥＢＧ構造を模式的に示す。図２８は、ＥＢＧ構造の構成を模式的に示す斜視図であり、図２９は、図２８のＥＢＧ構造の側面図である。

図２８および２９に示すＥＢＧ構造は、シート状導体２と、互いに分離した複数の島状導体１と、島状導体１に設けられた開口１Ｂと、開口１Ｂの中に設けられた配線１Ｃと、により構成される。複数の島状導体１は、平面視でシート状導体２と重なる領域であって、シート状導体２から離れた位置に、誘電体層（図示せず）を挟んで配置されている。また、複数の島状導体１は、周期的に配列されている。複数の島状導体１には開口１Ｂが設けられ、開口１Ｂの中には、一端が島状導体１と電気的に接続している配線１Ｃが設けられている。配線１Ｃはオープンスタブとして機能しており、シート状導体２のうち配線１Ｃに対向する部分及び配線１Ｃが、伝送線路、例えばマイクロストリップ線路を形成している。

このＥＢＧ構造体は、１つの島状導体１と、この島状導体１の開口１Ｂの中に設けられた配線１Ｃと、シート状導体２の中のこれらに対向する領域と、によって単位セルＡが構成されている。この単位セルＡが周期的に配置されることにより、この構造体はメタマテリアル、例えばＥＢＧとして機能する。図２８および２９に示す例では、単位セルＡは平面視において２次元配列を有している。

複数の単位セルＡは互いに同一の構造を有しており、同一の向きに配置されている。島状導体１および開口１Ｂは正方形で、中心が互いに重なるように配置されている。配線１Ｃは開口１Ｂの一辺の略中央からこの辺に対して略垂直に延伸している。

図３０は、図２８および２９に示した単位セルＡの等価回路図である。図３０に示すように、シート状導体２と島状導体１との間にはキャパシタンスＣが形成される。また、隣り合う島状導体１の相互間にもキャパシタンスＣが形成される。そして、開口１Ｂを有する島状導体１にはインダクタンスＬが形成される。

また、上記したように配線１Ｃはオープンスタブとして機能しており、シート状導体２のうち配線１Ｃに対向する部分と配線１Ｃとが、伝送線路、例えばマイクロストリップ線路を形成している。伝送線路の他端は開放端になっている。

このＥＢＧ構造によれば、シート状導体２の表面におけるノイズの伝播を抑制できる。また、隣り合う島状導体１どうしがキャパシタンスＣを構成することで、ＥＢＧ構造体付近におけるノイズの伝播を抑制できる。

第１の構造体６０の最外層６１と第２の構造体７０とにより上記のようなＥＢＧ構造を構成している本実施形態の接続体４０は、第２の構造体７０が設けられている領域において、第１の構造体６０の最外層６１の表面におけるノイズの伝播を抑制でき、また、接続体４０付近におけるノイズの伝播を抑制できる。

このような接続体４０を有する本実施形態の電子機器によれば、接続体４０の外表面に形成されるＥＢＧ構造により、アンテナ３０から接続体４０の外表面への電流の移動を抑制できるほか、接続体４０の外表面（第１の構造体６０の外表面）を伝播しているノイズがアンテナ３０へ移動するのを抑制できる。すなわち、アンテナ付近にフレキシブル基板が配置される場合であっても、フレキシブル基板に起因してアンテナ特性が劣化するのを抑制できる。

また、フレキシブル基板（接続体４０）は筐体内に収納されている電子回路と接続しているが、本実施形態の構造を用いた場合、フレキシブル基板（接続体４０）に不要な電流が生じることを防ぐことで、他の回路に対する誤動作なども防ぐ効果も有する。

また、本実施形態ではＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域を調節できるので、電子機器が利用する周波数に応じてＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域を調節することで、効果的に、上記アンテナ特性の劣化を抑制できる。例えば、ＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域は、７００ＭＨｚ以上２．３ＧＨｚ以下の一部または全部を含んでもよい。この数値範囲であれば、携帯電話で使用される周波数帯を包含することが可能となる。

なお、本実施形態では、第２の構造体７０と、第１の構造体６０の最外層６１とにより、バンドギャップ帯域が異なる２種類以上のＥＢＧ構造が構成され、それら各々が繰り返し、例えば周期的に配置されてもよい。このようにすれば、バンドギャップ帯域を広げることが可能となる。

本実施形態の第２の構造体７０は、実施形態１乃至４の第２の構造体７０と違い、接続部材７３を有さないので、接続部材７３と第１の構造体６０の最外層６１との導通を確保する手段を備える必要がない。その結果、品質安定性が高くなる。

次に、本実施形態の電子機器の製造方法の一例について説明する。

最初に、第２の構造体７０の製造方法について説明する。

本実施形態の第２の構造体７０は、図１４の（１）に示すように、ガラスエポキシ基板、フッ素樹脂基板等の基板（層７５Ａ）の第１の面に、銅箔７１を形成後、（２）に示すように、フォトリソグラフィとエッチングにより、銅箔７１の一部を選択的にエッチングすることでパターン（互いに分離した複数の島状導体７１Ａ）を形成する。このフォトリソグラフィおよびエッチングにより、島状導体７１Ａは、図２７に示すパターンに形成される。その後、層７５Ａの第２の面に接着層７５Ｂを形成することで、第２の構造体７０を得ることができる。接着層７５Ｂは、実施形態１に準じて形成することができる。

上記のようにして第２の構造体７０を製造した後、図２６に示すように、従来技術に準じて製造した第１の構造体６０（フレキシブル基板）の所望の位置に、接着層７５Ｂが第１の構造体６０の最外層６１Ａ（または６１Ｂ）に接するように第２の構造体７０を貼り付ける。

＜実施形態６＞
本実施形態の電子機器は、実施形態５の電子機器を基本とし、第２の構造体７０の構成が一部異なる。具体的には、島状導体７１Ａの開口７１Ｂの中の構成が異なる。他の構成については、実施形態５の電子機器と同様であるので、ここでの説明は省略する。

本実施形態の第１の構造体６０の最外層６１、および、第２の構造体７０の一例を模式的に示した断面図は、実施形態５（図２６参照）と同様である。次に、図３１に本実施形態の第２の構造体７０の島状導体７１Ａの拡大斜視図を示す。本実施形態の第２の構造体７０は、複数の島状導体７１Ａの一部または全部に、図３１に示すような開口７１Ｂが設けられ、一部または全部の開口７１Ｂの中には、第２の島状導体７１Ｄおよび配線７１Ｃが設けられている。配線７１Ｃは、島状導体７１Ａと第２の島状導体７１Ｄとを電気的に接続する。

ここで、図２６および３１に示すような本実施形態においても、第１の構造体６０の最外層６１と、第２の構造体７０とにより、ＥＢＧ構造が構成されている。しかし、本実施形態において構成されるＥＢＧ構造は、実施形態１乃至５で説明したＥＢＧ構造と異なる。

図３２に、本実施形態の第１の構造体６０の最外層６１と、第２の構造体７０とにより構成されるＥＢＧ構造を模式的に示す。図３２は、ＥＢＧ構造の構成を模式的に示す斜視図である。このＥＢＧ構造の断面図は、実施形態５と同様である（図２９参照）。

図２９および３２に示すＥＢＧ構造は、シート状導体２と、互いに分離した複数の島状導体１と、島状導体１に設けられた開口１Ｂと、開口１Ｂの中に設けられた配線１Ｃおよび第２の島状導体１Ｄと、により構成される。複数の島状導体１は、平面視でシート状導体２と重なる領域であって、シート状導体２から離れた位置に、誘電体層（図示せず）を挟んで配置されている。また、複数の島状導体１は、周期的に配列されている。複数の島状導体１には開口１Ｂが設けられ、開口１Ｂの中には、一端が島状導体１と電気的に接続している配線１Ｃが設けられている。さらに、開口１Ｂの中には、配線１Ｃの他端と電気的に接続している第２の島状導体１Ｄが設けられている。

このＥＢＧ構造は、１つの島状導体１と、この島状導体１の開口１Ｂの中に設けられた配線１Ｃおよび第２の島状導体１Ｄと、シート状導体２の中のこれらに対向する領域と、によって単位セルＡが構成されている。この単位セルＡが周期的に配置されることにより、この構造体はメタマテリアル、例えばＥＢＧとして機能する。図３２に示す例では、単位セルＡは平面視において２次元配列を有している。

複数の単位セルＡは互いに同一の構造を有しており、同一の向きに配置されている。島状導体１および開口１Ｂおよび第２の島状導体１Ｄは正方形で、中心が互いに重なるように配置されている。配線１Ｃは開口１Ｂの一辺の略中央からこの辺に対して略垂直に延伸している。そして、配線１Ｃは、第２の島状導体１Ｄの第１の辺の中央と、開口１Ｂのうち第２の島状導体１Ｄの第１の辺に対向する辺の中央と、を電気的に接続している。

図３３は、図３２に示した単位セルＡの等価回路図である。図３３に示すように、島状導体１とシート状導体２との間には、キャパシタンスＣが形成される。また、隣り合う島状導体１の相互間にもキャパシタンスＣが形成される。さらに、第２の島状導体１Ｄとシート状導体２との間にもキャパシタンスＣが形成される。そして、開口１Ｂを有する島状導体１にはインダクタンスＬが形成される。また、島状導体１と第２の島状導体１Ｄとを電気的に接続する配線１Ｃは、インダクタンスＬを有する。

このＥＢＧ構造によれば、シート状導体２の表面におけるノイズの伝播を抑制できる。また、隣り合う島状導体１どうしがキャパシタンスＣを構成することで、ＥＢＧ構造体付近におけるノイズの伝播を抑制できる。

第１の構造体６０の最外層６１と第２の構造体７０とにより上記のようなＥＢＧ構造を構成している本実施形態の接続体４０は、第２の構造体７０が設けられている領域において、第１の構造体６０の最外層６１の表面におけるノイズの伝播を抑制でき、また、接続体４０付近におけるノイズの伝播を抑制できる。

このような接続体４０を有する本実施形態の電子機器によれば、接続体４０の外表面に形成されるＥＢＧ構造により、アンテナ３０から接続体４０の外表面への電流の移動を抑制できるほか、接続体４０の外表面（第１の構造体６０の外表面）を伝播しているノイズがアンテナ３０へ移動するのを抑制できる。すなわち、アンテナ付近にフレキシブル基板が配置される場合であっても、フレキシブル基板に起因してアンテナ特性が劣化するのを抑制できる。

また、フレキシブル基板（接続体４０）は筐体内に収納されている電子回路と接続しているが、本実施形態の構造を用いた場合、フレキシブル基板（接続体４０）に不要な電流が生じることを防ぐことで、他の回路に対する誤動作なども防ぐ効果も有する。

また、本実施形態ではＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域を調節できるので、電子機器が利用する周波数に応じてＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域を調節することで、効果的に、上記アンテナ特性の劣化を抑制できる。例えば、ＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域は、７００ＭＨｚ以上２．３ＧＨｚ以下の一部または全部を含んでもよい。この数値範囲であれば、携帯電話で使用される周波数帯を包含することが可能となる。

なお、本実施形態では、第２の構造体７０と、第１の構造体６０の最外層６１とにより、バンドギャップ帯域が異なる２種類以上のＥＢＧ構造が構成され、それら各々が繰り返し、例えば周期的に配置されてもよい。このようにすれば、バンドギャップ帯域を広げることが可能となる。

本実施形態の第２の構造体７０は、実施形態１乃至４の第２の構造体７０と違い、接続部材７３を有さないので、接続部材７３と第１の構造体６０の最外層６１との導通を確保する手段を備える必要がない。その結果、品質安定性が高くなる。

本実施形態の電子機器の製造方法は、実施形態５で説明した電子機器の製造方法に準じて実現できるので、ここでの説明は省略する。

＜実施形態７＞
本実施形態の電子機器は、実施形態１乃至６のいずれか１つの電子機器を基本とし、接続体４０の構成が異なる。他の構成については、実施形態１乃至６のいずれかと同様であるので、ここでの説明は省略する。

実施形態１乃至６では、第１の構造体６０は多層構造を有するフレキシブル基板であり、かつ、第２の構造体７０は接着層７５Ｂを有するシートであり、第１の構造体６０の最外層６１に接して第２の構造体７０を貼り付けることで、接続体４０が構成されていた。

これに対し、本実施形態では、第１の構造体６０および第２の構造体７０により多層構造を有するフレキシブル基板、すなわち接続体４０を構成する。

このような本実施形態の電子機器の製造方法は特段制限されず、従来の層形成技術を利用して実現することができる。すなわち、例えば、ＣＶＤ法（化学気相成長法）、ＣＭＰ法（化学的機械的研磨法）、フォトリソグラフィ、エッチングなどを組み合わせることで、実施形態１乃至６で説明した構成の接続体４０を製造することができる。

本実施形態の電子機器によれば、実施形態１乃至６で説明した効果に加えて、アンテナ特性劣化を抑制する機能の寿命を延ばす効果が得られる。

すなわち、実施形態１乃至６の場合、第２の構造体７０（シート）の接着層７５Ｂ（接着剤）の性能寿命や予期せぬ要因により、第２の構造体７０（シート）が第１の構造体６０（フレキシブル基板）から剥がれ落ちてしまう恐れがある。

これに対し本実施形態の場合、第１の構造体６０と第２の構造体７０との密着力が実施形態１乃至６に比べて強いので、上記のような不都合が生じにくい。

＜実施形態８＞
本実施形態の電子機器は、実施形態１乃至７のいずれか１つの電子機器を基本とし、第２の構造体７０の構成が一部異なる。他の構成については、実施形態１乃至７のいずれかと同様であるので、ここでの説明は省略する。

図３４は、本実施形態の第１の構造体６０の最外層６１、および、第２の構造体７０の一例を模式的に示した断面図である。本実施形態の第２の構造体７０は、例えば、第１の誘電体層７８と、第１の誘電体層７８の一方の面７６上に第２導体７２と対向して形成され、少なくとも一部領域に繰り返し構造、例えば周期的な構造を有している第１導体７１と、第１の誘電体層７８の面７７（面７６と反対側の面）上に形成された第２導体７２と、第２導体７２の上に形成された第２の誘電体層７９と、第１の誘電体層７８の内部に設けられ、第１導体７１と第２導体７２を電気的に接続する接続部材７３と、を有する。なお、第１導体７１は、第１の誘電体層７８の内部に、第２導体７２と対向して設けられてもよい。

図３４に示す第１導体７１の構成は、例えば実施形態１で説明した第１導体７１と同様である。また、第１の誘電体層７８の構成は、接着層を有さない点以外は実施形態１で説明した誘電体層７５と同様である。

第２導体７２は、平面視で複数の島状導体７１Ａと対向するように第１の誘電体層７８の面７７上に延伸したシート状導体である。例えば銅等の材料で構成することができる。

第２の誘電体層７９は、第２導体７２の面（第１の誘電体層７８と接する面と反対側の面）上に設けられ、第１の構造体６０の最外層６１と接する。すなわち、第２の誘電体層７９は、第１の構造体６０の最外層６１と、第２導体７２との間に挟まれる。このような第２の誘電体層７９は、天然ゴム、アクリル樹脂、シリコーン等で構成された接着層であってもよい。または、第１の構造体６０の最外層６１の上に例えばＣＶＤ法を用いて形成された誘電体層であってもよい。第２の誘電体層７９の内部には、導通部材７９Ａが設けられる。

導通部材７９Ａは、第２導体７２と、第１の構造体６０の最外層６１とを導通するように構成される。例えば、導通部材７９Ａは、第２の誘電体層７９に混入された複数の導電性フィラーであってもよい。または、導通部材７９Ａは、図３５に示すようなビアであってもよい。

ここで、本実施形態の接続部材７３の構成は図３４に示すものに限定されず、例えば、図１５、１６、２０、２１および２４に示すような構成にすることができる。これらの図に示す接続部材７３および第２の構造体７０については、上記実施形態で説明したので、ここでの説明は省略する。

また、本実施形態では、接続部材７３を設けなくてもよい。かかる場合、複数の島状導体７１Ａの一部または全部には、図２７の拡大斜視図に示すような開口７１Ｂおよび配線７１Ｃが設けられる。また、複数の島状導体７１Ａの一部または全部には、図３１の拡大斜視図に示すような開口７１Ｂ、配線７１Ｃおよび第２の島状導体７１Ｄが設けられてもよい。これらの図に示す島状導体７１Ａおよび第２の構造体７０については、上記実施形態で説明したので、ここでの説明は省略する。

本実施形態の電子機器の製造方法は、上記実施形態に準じて実現することができる。よって、ここでの説明は省略する。

本実施形態の電子機器は、第２の構造体７０がＥＢＧ構造を備えており、そして、このＥＢＧ構造と第１の構造体６０の最外層６１とが電気的に接続する手段を備えている。このような本実施形態の電子機器によれば、上記実施形態と同様の効果を奏することができる。

＜実施形態９＞
本実施形態の電子機器は、実施形態１乃至７のいずれか１つの電子機器を基本とし、第２の構造体７０の構成が一部異なる。他の構成については、実施形態１乃至７のいずれかと同様であるので、ここでの説明は省略する。

図３６は、本実施形態の第１の構造体６０の最外層６１、および、第２の構造体７０の一例を模式的に示した断面図である。本実施形態の第２の構造体７０は、例えば、第１の誘電体層７８と、第１の誘電体層７８の一方の面７６上に第１の構造体６０の最外層６１と対向して形成され、少なくとも一部領域に繰り返し構造、例えば周期的な構造を有している第１導体７１と、第１の誘電体層７８の面７７（面７６と反対側の面）上に形成された第２の誘電体層７９と、第１の誘電体層７８の内部に設けられ、第１導体７１と第１の構造体６０の最外層６１とを電気的に接続する接続部材７３と、を有する。なお、第１導体７１は、第１の誘電体層７８の内部に、第１の構造体６０の最外層６１と対向して設けられてもよい。

図３６に示す第１導体７１の構成は、例えば実施形態１で説明した第１導体７１と同様である。また、第１の誘電体層７８の構成は、接着層を有さない点以外は実施形態１で説明した誘電体層７５と同様である。

第２の誘電体層７９は、第１の誘電体層７８の面７７上に設けられ、第１の構造体６０の最外層６１と接する。すなわち、第２の誘電体層７９は、第１の構造体６０の最外層６１と、第１の誘電体層７８との間に挟まれる。このような第２の誘電体層７９は、天然ゴム、アクリル樹脂、シリコーン等で構成された接着層であってもよい。または、第１の構造体６０の最外層６１の上に例えばＣＶＤ法を用いて形成された誘電体層であってもよい。第２の誘電体層７９の内部には、導通部材７９Ａが設けられる。

導通部材７９Ａは、第１の誘電体層７８の面７７から露出している接続部材７３と、第１の構造体６０の最外層６１とを導通するように構成される。例えば、導通部材７９Ａは、第２の誘電体層７９に混入された複数の導電性フィラーであってもよい。

ここで、本実施形態の接続部材７３の構成は図３６に示すものに限定されず、例えば、図１５、１６、２０、２１および２４に示すような構成にすることができる。これらの図に示す接続部材７３および第２の構造体７０については、上記実施形態で説明したので、ここでの説明は省略する。

また、本実施形態では、接続部材７３を設けなくてもよい。かかる場合、複数の島状導体７１Ａの一部または全部には、図２７の拡大斜視図に示すような開口７１Ｂおよび配線７１Ｃが設けられる。また、複数の島状導体７１Ａの一部または全部には、図３１の拡大斜視図に示すような開口７１Ｂ、配線７１Ｃおよび第２の島状導体７１Ｄが設けられてもよい。これらの図に示す島状導体７１Ａおよび第２の構造体７０については、上記実施形態で説明したので、ここでの説明は省略する。

本実施形態の電子機器の製造方法は、上記実施形態に準じて実現することができる。よって、ここでの説明は省略する。

本実施形態の電子機器は、第１の構造体６０の最外層６１と第２の構造体７０とによりＥＢＧ構造が構成されている。このような本実施形態の電子機器によれば、上記実施形態と同様の効果を奏することができる。

＜実施形態１０＞
本実施形態の電子機器は、実施形態１の電子機器を基本とし、第２の構造体７０の構成が一部異なる。他の構成については、実施形態１の電子機器と同様であるので、ここでの説明は省略する。

図３７は、本実施形態の第１の構造体６０の最外層６１、および、第２の構造体７０の一例を模式的に示した断面図である。本実施形態の第２の構造体７０は、第１の誘電体層７８と、第１の誘電体層７８の一方の面７６上に第２導体８０と対向して形成され、少なくとも一部領域に繰り返し構造、例えば周期的な構造を有している第１導体７１と、第１の誘電体層７８の面７７（面７６と反対側の面）上に設けられた第２導体８０と、第２導体８０の上に設けられた第３の誘電体層８１と、を有する。なお、第１導体７１は、第１の誘電体層７８の内部に、第２導体８０と対向して設けられてもよい。

図３７に示す第１導体７１の構成は、接続部材７３と接続しない点以外は、実施形態１で説明した第１導体７１と同様である。また、第１の誘電体層７８の構成は、接着層を有さない点以外は実施形態１で説明した誘電体層７５と同様である。

ここで、図３８に、第２導体８０の平面形状の一例を模式的に示す。第２導体８０は開口８０Ｂを有する。この開口８０Ｂは、繰り返し配列されている複数の島状導体７１Ａそれぞれと対向する位置に設けられる。また、この開口８０Ｂの中には、一端が第２導体８０と電気的に接続している配線８０Ａが設けられる。

図３９に、第２導体８０の平面形状の他の一例を模式的に示す。第２導体８０は開口８０Ｂを有する。この開口８０Ｂは、繰り返し配列されている複数の島状導体７１Ａそれぞれと対向する位置に設けられる。また、この開口８０Ｂの中には、配線８０Ａおよび第２の島状導体８０Ｃが設けられる。なお、配線８０Ａは、第２導体８０と第２の島状導体８０Ｃとを電気的に接続する。

第３の誘電体層８１は、第２導体８０の面（第１の誘電体層７８と接する面と反対側の面）上に設けられ、第１の構造体６０の最外層６１と接する。すなわち、第３の誘電体層８１は、第１の構造体６０の最外層６１と、第２導体８０との間に挟まれる。このような第３の誘電体層８１は、天然ゴム、アクリル樹脂、シリコーン等で構成された接着層であってもよい。または、第１の構造体６０の最外層６１の上に例えばＣＶＤ法を用いて形成された誘電体層であってもよい。第３の誘電体層８１の内部には、ビア８２が設けられる。

ビア８２は、第２導体８０と第１の構造体６０の最外層６１とを電気的に接続する。なお、第２導体８０の形状は、上述のように、開口８０Ｂを有し、また、開口８０Ｂの中に、配線８０Ａ、または、配線８０Ａおよび第２の島状導体８０Ｃを有するが、ビア８２は、配線８０Ａおよび第２の島状導体８０Ｃでなく、第２導体８０と電気的に接続するのが望ましい。このようにすれば、安定した接続が実現できる。

ここで、本実施形態においては、第２の構造体７０がＥＢＧ構造を備えている。しかし、本実施形態の第２の構造体７０が備えるＥＢＧ構造は、実施形態１乃至９で説明したＥＢＧ構造と異なる。

図４０および４１に、上述のような第２導体８０と複数の島状導体７１ＡとからなるＥＢＧ構造を模式的に示した斜視図を示す。図４０のＥＢＧ構造の単位セルの等価回路図は、図２８および２９に示した単位セルＡの等価回路図（図３０参照）において、キャパシタンスＣ、インダクタンスＬの位置を適当な位置に変更したものである。また、図４１のＥＢＧ構造の単位セルの等価回路図は、図３２に示した単位セルＡの等価回路図（図３３参照）において、キャパシタンスＣ、インダクタンスＬの位置を適当な位置に変更したものである。よって、ここでの説明は省略する。

また、本実施形態の電子機器の製造方法は、上記実施形態に準じて実現することができる。よって、ここでの説明は省略する。

本実施形態の電子機器によれば、接続体４０の外表面に形成されるＥＢＧ構造により、アンテナ３０から接続体４０の外表面への電流の移動を抑制できるほか、接続体４０の外表面（第１の構造体６０の外表面）を伝播しているノイズがアンテナ３０へ移動するのを抑制できる。すなわち、アンテナ付近にフレキシブル基板が配置される場合であっても、フレキシブル基板に起因してアンテナ特性が劣化するのを抑制できる。

また、フレキシブル基板（接続体４０）は筐体内に収納されている電子回路と接続しているが、本実施形態の構造を用いた場合、フレキシブル基板（接続体４０）に不要な電流が生じることを防ぐことで、他の回路に対する誤動作なども防ぐ効果も有する。

また、本実施形態ではＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域を調節できるので、電子機器が利用する周波数に応じてＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域を調節することで、効果的に、上記アンテナ特性の劣化を抑制できる。例えば、ＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域は、７００ＭＨｚ以上２．３ＧＨｚ以下の一部または全部を含んでもよい。この数値範囲であれば、携帯電話で使用される周波数帯を包含することが可能となる。

なお、本実施形態では、第２の構造体７０が備えるＥＢＧ構造は、バンドギャップ帯域が異なる２種類以上のＥＢＧ構造であって、それら各々が繰り返し、例えば周期的に配置されてもよい。このようにすれば、バンドギャップ帯域を広げることが可能となる。

本実施形態の第２の構造体７０は、実施形態１乃至４の第２の構造体７０と違い、接続部材７３を有さないので、接続部材７３と第１の構造体６０の最外層６１との導通を確保する手段を備える必要がない。その結果、品質安定性が高くなる。

＜実施形態１１＞
本実施形態の電子機器は、実施形態１０の電子機器を基本とし、図４０および４１に示すようなＥＢＧ構造を構成する手段が異なる。他の構成については、実施形態１の電子機器と同様であるので、ここでの説明は省略する。

本実施形態では、第１の構造体６０の最外層６１を図４０および４１に示すＥＢＧ構造の第２導体４とする。第１の構造体６０の最外層６１に図４０および４１に示す第２導体４のパターンを形成する手段は特段制限されず、例えばフォトリソグラフィとエッチングにより形成してもよい。また、最外層６１を銀ペーストで構成する場合は、所定のパターンを形成したマスク越しに銀ペーストを塗布することで実現することができる。

本実施形態の第２の構造体７０は、第１の構造体６０の最外層６１に接する誘電体層と、誘電体層の面（第１の構造体６０の最外層６１に接する面と反知側の面）上または内部に設けられる第１導体とを有する。第１導体は第１の構造体６０の最外層６１に対向し、少なくとも一部領域に繰り返し構造、例えば周期的な構造を有している。繰り返し構造としては、図４０および４１に示すように、互いに分離した複数の島状導体１が繰り返し、例えば周期的に設けられた構造が考えられる。

本実施形態の第１の構造体６０の最外層６１に接して第２の構造体７０を設ける手段は特段制限されず、上記実施形態で説明したあらゆる手段を利用することができる。

本実施形態の電子機器によれば、接続体４０の外表面に形成されるＥＢＧ構造により、アンテナ３０から接続体４０の外表面への電流の移動を抑制できるほか、接続体４０の外表面（第１の構造体６０の外表面）を伝播しているノイズがアンテナ３０へ移動するのを抑制できる。すなわち、アンテナ付近にフレキシブル基板が配置される場合であっても、フレキシブル基板に起因してアンテナ特性が劣化するのを抑制できる。

また、フレキシブル基板（接続体４０）は筐体内に収納されている電子回路と接続しているが、本実施形態の構造を用いた場合、フレキシブル基板（接続体４０）に不要な電流が生じることを防ぐことで、他の回路に対する誤動作なども防ぐ効果も有する。

また、本実施形態ではＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域を調節できるので、電子機器が利用する周波数に応じてＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域を調節することで、効果的に、上記アンテナ特性の劣化を抑制できる。例えば、ＥＢＧ構造のバンドギャップ帯域は、７００ＭＨｚ以上２．３ＧＨｚ以下の一部または全部を含んでもよい。この数値範囲であれば、携帯電話で使用される周波数帯を包含することが可能となる。

なお、本実施形態では、第２の構造体７０と、第１の構造体６０の最外層６１とにより、バンドギャップ帯域が異なる２種類以上のＥＢＧ構造が構成され、それら各々が繰り返し、例えば周期的に配置されてもよい。このようにすれば、バンドギャップ帯域を広げることが可能となる。

本実施形態の第２の構造体７０は、実施形態１乃至４の第２の構造体７０と違い、接続部材７３を有さないので、接続部材７３と第１の構造体６０の最外層６１との導通を確保する手段を備える必要がない。その結果、品質安定性が高くなる。

この出願は、２０１０年３月１９日に出願された日本特許出願特願２０１０−０６４７５９号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

Claims (13)

1. 第１の電子部品を備える第１の筺体と、
   第２の電子部品を備える第２の筺体と、
   前記第１の筺体の端部に設けられるアンテナと、
   前記第１の筺体の前記端部を通り、前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とを接続する接続体と、を有する電子機器において、
   前記接続体は、
   導電体と誘電体とを含む積層構造を有し、最外層が導電体層となっている第１の構造体と、
   前記第１の構造体の最外層の少なくとも１つの外表面に接して設けられる第２の構造体と、を有し、
   前記第２の構造体は、
   前記第１の構造体の最外層と接する誘電体層と、
   前記誘電体層の内部又は前記最外層と接する面と反対側の面上に、前記最外層と対向して少なくとも一部領域に設けられ、互いに分離した複数の島状導体を繰り返し設けた第１導体と、
   前記誘電体層の内部に設けられ、少なくとも一部の前記島状導体と前記第１の構造体の最外層とを接続する接続部材とを有することを特徴とする電子機器。
2. 前記第１の構造体は、多層構造のフレキシブル基板であり、
   前記第２の構造体は、前記誘電体層の少なくとも一部が前記第１の構造体の最外層と接着する接着層を構成しているシートである請求項１に記載の電子機器。
3. 前記第２の構造体は、
   第１の誘電体層を有し、
   前記第１導体が前記第１の誘電体層の内部又は第１の面上に設けられており、
   前記第１の誘電体層の前記第１の面と反対側の面上に、前記第１導体と対向して設けられる第２導体と、
   前記第２導体の上に設けられ、前記第１の構造体の最外層と接する第２の誘電体層と、
   前記第２の誘電体層の内部に設けられ、前記第２導体と前記第１の構造体の最外層とを導通する導通部材と、を有する請求項１又は２に記載の電子機器。
4. 前記第１の誘電体層の内部に設けられ、少なくとも一部の前記島状導体と前記第２導体とを接続する接続部材を有する請求項３に記載の電子機器。
5. 前記導通部材は、ビア又は導電性フィラーである請求項３又は４に記載の電子機器。
6. 前記第１の構造体は、多層構造のフレキシブル基板であり、
   前記第２の構造体は、前記第２の誘電体層が前記第１の構造体の最外層と接着する接着層を構成しているシートである請求項３乃至５のいずれか１項に記載の電子機器。
7. 前記第１の構造体及び前記第２の構造体により多層構造のフレキシブル基板が構成されている請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子機器。
8. 前記第２の構造体は、少なくとも前記第１の構造体の最外層の外表面における前記アンテナの給電点から最も近い箇所に設けられる請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電子機器。
9. 前記アンテナと前記接続体とは、前記電子機器を平面視した際に互いに重なる重畳領域を有し、
   前記第２の構造体は、少なくとも、前記第１の構造体の最外層の外表面における前記重畳領域に設けられる請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電子機器。
10. 前記第１の筺体と前記第２の筺体とを連結するヒンジをさらに有し、
    前記アンテナは、前記電子機器を平面視した際に前記ヒンジと重なる領域を有し、
    前記接続体は、前記ヒンジの内部を通る請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電子機器。
11. 前記第１の構造体の最外層と、前記最外層と接する前記第２の構造体と、により、１種類以上のＥＢＧ構造を備えたＥＢＧ構造体が構成されている請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子機器。
12. 前記第２の構造体は、１種類以上のＥＢＧ構造を備えたＥＢＧ構造体を構成している請求項４乃至９のいずれか１項に記載の電子機器。
13. 前記ＥＢＧ構造は、７００ＭＨｚ以上２．３ＧＨｚ以下の周波数帯域の少なくとも一部をバンドギャップ帯域に含む請求項１１又は１２に記載の電子機器。

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