JP5790880B2 - 過電流検出装置及びこれを使用したインテリジェントパワーモジュール - Google Patents
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Description
このような電力変換装置に使用されるIGBTでは、過電流が流れたときにIGBTを破壊から保護するために過電流保護回路が設けられている。
IGBT100には、コレクタ100cと、エミッタ100eと、センスエミッタ100seとが設けられている。センスエミッタ100seは、コレクタ100cとエミッタ100eの間を流れる電流に対して数千分の1又は数万分の1程度のセンス電流を出力する。この過電流保護回路は、センスエミッタ100seと接地との間に電流検出用抵抗101を介挿し、この電流検出用抵抗101の高電位側のセンス電圧Vseを過電流検出用コンパレータ102の非反転入力端子に入力する。
この過電流検出信号Socは、ローパスフィルタ回路103に供給されて所定の時定数を持って積分されることにより、IGBT100のターンオン時に生じるセンス電圧Vseが閾値電圧Vthを超える値となる過渡的な増加状態で過電流の誤検出を防止するようにしている。
IGBT駆動回路のPチャネルMOSFET108がオンすると、制御電源106の電圧Vcc(例えば15V程度)と等しい制御電圧VgccがIGBT100のゲート100gに印加される。
IGBT100は、絶縁ゲート型の半導体デバイスであり、いわゆる電圧駆動型のデバイスであるが、IGBT100のゲート100gにはゲート電流Igが流れ、ゲート容量(ここではゲート・エミッタ間容量のこと)を充電する。ゲート容量が充電されると図6(b)に示すようにゲート電圧Vgが立ち上がる。ゲート電圧Vgが立ち上がりゲート閾値電圧に達すると、図6(a)に示すようにコレクタ電流Icが立ち上がり、コレクタ・エミッタ間電圧Vceは図6(a)に示すように立下がり始める。
この過電流検出信号Socはローパスフィルタ回路103に供給されるので、ローパスフィルタ回路103の出力は、緩やかに上昇する。このとき、ローパスフィルタ回路103の時定数をセンス電圧Vsが過電流閾値電圧Vthを超えてから過電流閾値電圧Vth以下となるまでの誤検出防止時間T1よりも大きく設定されている。
このため、ローパスフィルタ回路103のフィルタ出力が保護機能付きドライバIC110に供給されたときに、フィルタ出力が過電流検出用コンパレータ102のHレベルに達することがない。したがって、保護機能付きドライバIC110でゲート電流Igが遮断されることはない。
すなわち、特許文献1では、ローパスフィルタ回路を省略してIGBTを動作させる入力信号の立ち上がりのエッジを検出してタイマーを動作させるようにしている。したがって、前述した誤検出防止時間T1の間通常の基準電圧より高い基準電圧を過電流検出用コンパレータに供給して、センス電圧Vseが過電流閾値電圧Vthを超えている期間過電流検出用コンパレータから出力される過電流検出信号がLレベルを維持するようにしている。
そこで、本発明は、上記従来例の未解決の課題に着目してなされたものであり、誤検出防止時間を短縮することができる過電流検出装置及びこれを使用したインテリジェントパワーモジュールを提供することを目的としている。
また、本発明に係る過電流検出装置の第3の態様は、前記補正用電流検出部が、前記ゲートに供給する電流路に介挿したカレントミラー回路と、該カレントミラー回路の電流出力部と接地との間に介挿した前記電流検出用抵抗とで構成されている。
さらに、上記過電流検出装置と、IGBT、FWD、IGBTの駆動用ICとを1つのパッケージに集約してインテリジェンパワートモジュールを構成するので、全体の構成を小型化することができる。
図1は、本発明を適用し得る電力変換装置を示す回路図、図2には、本発明の第1の実施形態における過電流検出装置を含むインテリジェントパワーモジュールの回路である。
本発明を適用し得る電力変換装置は、図1に示すように、例えば直流電力を三相交流電力に変換するインバータ回路で構成されている。このインバータ回路は、主直流電源1の正極側に接続された正極側ライン2pと主直流電源1の負極側に接続された負極側ライン2nとを有する。
そして、直列回路4のIGBT3A及び3Bの接続点、直列回路5のIGBT3C及び3Dの接続点並びに直列回路6のIGBT3E,3Fの接続点が電動モータ等のインダクタンス負荷9に接続されている。
あるタイミングでIGBT3AとIGBT3Dがオンして負荷9に主直流電源1から電流I1が供給されているものとする。つぎに、IGBT3AとIGBT3Dがオフすると負荷9に流れている電流I1はFWD7B,7Cを通して主直流電源1に還流電流となって流れ込む。このように、IGBT3A〜IGBT3Fが順次オン・オフすることで、負荷9に三相の電力を供給する。
ここで、IGBT駆動回路10は、制御電源15及びグランド16間に直列に接続されたPチャネルMOSFET10aと、NチャネルMOSFET10bとを有し、PチャネルMOSFET10a及びNチャネルMOSFET10bの接続点がIGBT3iのゲート3gに接続されている。
センスエミッタ電流検出部21は、IGBT3iに形成されたコレクタ3cを流れるコレクタ電流Icの数千分1〜数万分の1程度のセンスエミッタ電流Iseを出力するセンスエミッタ3seとグランドとの間に接続された電流検出用抵抗Rs1で構成されている。そして、電流検出用抵抗Rs1の高電位側からセンスエミッタ電流Iseが電圧に変換されたセンスエミッタ電圧Vseが出力される。
カレントミラー回路31は、IGBT駆動回路10のPチャネルMOSFET10aのドレインとIGBT3iのゲート3gとの間に接続されたPチャネルMOSFET31aと、このPチャネルMOSFET31aのゲートにゲートが接続されたPチャネルMOSFET31bとで構成されている。
したがって、電流検出用抵抗Rs2の高電位側から補正用ゲート電流Igaが電圧に変換された補正用電圧Vaが出力される。
この保護機能付きドライバIC11では、ローパスフィルタ回路25から入力されるフィルタ出力Sfを基準電圧Vrefと比較し、Sf>Vrefであるときに過電流状態であると判断してIGBT駆動回路10のPチャネルMOSFET10aのゲートに対するゲート信号をオフ状態とし、NチャネルMOSFET10bのゲートに対するゲート信号をオン状態としてIGBT3iの駆動を停止する。
IGBT駆動回路10のPチャネルMOSFET10aがオンすると、制御電源15の電圧Vcc(例えば15V程度)と等しい制御電圧VgccがIGBT3iのゲート3gに印加される。
IGBT3iのゲート3gにはゲート電流Igが流れ、ゲート容量(ここではゲート・エミッタ間容量を表す)を充電する。ゲート容量が充電されると図3(b)に示すようにゲート電圧Vgが立ち上がる。このとき、カレントミラー回路31のPチャネルMOSFET31bからゲート電流Igに比例し、センスエミッタ電流Iseに対応する補正用ゲート電流Igaが図3(c)に示すように出力開始される。
また、コレクタ電流Icの数千分の1〜数万分の1程度であるセンスエミッタ電流Iseが図3(d)に示すように立ち上がり、センスエミッタ電流Iseが流れる電流検出用抵抗Rs1の両端の電圧、つまりセンスエミッタ電圧Vseも図3(f)で点線図示のように上昇する。このとき、センスエミッタ電流Iseには、図3(d)に示すように、本来のコレクタ電流Icの数千分の1〜数万分の1程度のコレクタ電流成分に、ゲート容量が充電されるまでの間に流れるゲート電流Igに比例するゲート電流成分が重畳されている。
この間に、センスエミッタ電流Iseも図3(d)に示すように上昇し、これに伴ってセンスエミッタ電圧Vseも図3(f)で点線図示のように上昇する。
したがって、センスエミッタ電流Iseから補正用ゲート電流Igaを減算した補正センスエミッタ電流Iseaは、図3(e)に示すようになり、センスエミッタ電流Iseに比較して振幅が抑制される。
このため、IGBT3iのターンオン時を過電流時の誤検出を防止しながら、ターンオン時を除く通常スイッチング状態で、過電流状態を判断する場合に、誤検出防止時間T2及び実際に過電流状態を検出する際に必要とする検出時間Tdを含めた判断時間を十分に短くすることができ、精度の高い過電流検出が可能となる。しかも、前述した特許文献1に記載されているタイマーを必要としないので、過電流検出装置12の構成を小型化することができる。
しかも、補正用電流検出部22としてIGBT3iのゲート電流Igを検出するカレントミラー回路31を適用することにより、カレントミラー比を調整することができる。したがって、IGBT3iのセンスエミッタ3seから出力されるセンスエミッタ電流に対応する補正用ゲート電流Igaを正確に検出することができる。
また、上述したIGBT3iと、FWD7iと、IGBT駆動回路10、保護機能付きドライバIC11及び過電流検出装置12を1つのパッケージに集約してインテリジェントパワーモジュール13を構成することにより、インテリジェントパワーモジュール13をより小型化することができる。
この第2の実施形態では、補正用電流検出部22の構成を変更したものである。
すなわち、第2の実施形態では、図4に示すように、補正用電流検出部22において、カレントミラー回路31及び定電流回路32が省略され、これらに代えて保護機能付きドライバICのゲート制御信号によって駆動されるPチャネルMOSFET33が設けられている。このPチャネルMOSFET33は、ドレインが制御電源15に接続され、ソースが電流検出用抵抗Rs2の高電位側に接続されている。
しかも、第2の実施形態では、IGBT駆動回路10のPチャネルMOSFET10aとはサイズ比の異なるPチャネルMOSFET33と電流検出用抵抗Rs2とを設けるだけで補正用電流検出部22を構成することができ、補正用電流検出部22の構成を小型化することができる。
3A〜3F…IGBT
3i…IGBT
3c…コレクタ
3e…エミッタ
3g…ゲート
3se…センスエミッタ
4〜6…直列回路
7A〜7F…FWD
9…負荷
10…IGBT駆動回路
10a…PチャネルMOSFET
10b…NチャネルMOSFET
11…保護機能付きドライバIC
12…過電流検出装置
13…インテリジェントパワーモジュール
21…センスエミッタ電流検出部
Claims (5)
- 絶縁ゲートバイポーラトランジスタのセンスエミッタから出力されるセンスエミッタ電流をセンスエミッタ電圧として検出するセンスエミッタ電流検出部と、該センスエミッタ電流検出部で検出したセンスエミッタ電圧と閾値電圧とを比較して過電流を検出する比較部とを備えた過電流検出装置であって、
前記絶縁ゲートバイポーラトランジスタのゲート及びセンスエミッタ間の電流に対応する補正用電流を補正電圧として検出する補正用電流検出部と、
前記センスエミッタ電流検出部で検出したセンスエミッタ電圧から前記補正用電流検出部で検出した補正用電圧を減じてセンスエミッタ補正電圧を算出し、当該センスエミッタ補正電圧を前記比較部に供給する電圧補正部と
を備えていることを特徴とする過電流検出装置。 - 前記センスエミッタ電流検出部及び前記補正用電流検出部は、電流検出用抵抗を有し、電流を電圧値として検出するように構成されていることを特徴とする請求項1に記載の過電流検出装置。
- 前記補正用電流検出部は、前記ゲートに供給する電流路に介挿したカレントミラー回路と、該カレントミラー回路の電流出力部と接地との間に介挿した前記電流検出用抵抗とで構成されていることを特徴とする請求項2に記載の過電流検出装置。
- 前記補正用電流検出部は、前記絶縁ゲートバイポーラトランジスタのゲート電流を制御する第1の半導体電流制御素子と並列に配置した前記第1の半導体電流制御素子のセルサイズに比較して小さいセルサイズの第2の半導体電流制御素子と、該第2の半導体電流制御素子の出力側と接地との間に介挿した前記電流検出用抵抗とで構成されていることを特徴とする請求項2に記載の過電流検出装置。
- 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ及び当該絶縁ゲートバイポーラトランジスタと逆並列に接続されたフリーホイールダイオードと、前記請求項1乃至4の何れか1項に記載の過電流検出装置と、前記絶縁ゲートバイポーラトランジスタの駆動と少なくとも前記過電流検出装置の過電流検出値に基づく前記絶縁ゲートバイポーラトランジスタの保護とを行う駆動用ICとを1つのパッケージに集約したこと特徴とするインテリジェントパワーモジュール。
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Families Citing this family (27)
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---|---|---|---|---|
JP2015023654A (ja) * | 2013-07-18 | 2015-02-02 | 株式会社デンソー | 半導体素子の電流検出装置 |
JP5907199B2 (ja) * | 2014-03-12 | 2016-04-26 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の制御方法 |
US10491095B2 (en) * | 2014-10-06 | 2019-11-26 | Ford Global Technologies, Llc | Dynamic IGBT gate drive for vehicle traction inverters |
CN105720560B (zh) * | 2014-12-03 | 2018-09-18 | 国家电网公司 | 变流器三级信号保护电路 |
JP6476890B2 (ja) * | 2015-01-20 | 2019-03-06 | 株式会社デンソー | スイッチング素子の駆動装置 |
CN106033097B (zh) * | 2015-03-20 | 2020-06-05 | 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 | Igbt过流保护方法、装置和家用电器 |
JP6500694B2 (ja) * | 2015-08-19 | 2019-04-17 | 富士電機株式会社 | 電力変換装置用制御装置および電力変換装置 |
JP6549451B2 (ja) * | 2015-09-02 | 2019-07-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置および電子装置 |
JP6527436B2 (ja) | 2015-09-24 | 2019-06-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 電子装置 |
US9912225B2 (en) * | 2015-10-30 | 2018-03-06 | Faraday & Future Inc. | Method and system for overcurrent protection for insulated-gate bipolar transistor (IGBT) modules |
GB2545236B (en) * | 2015-12-10 | 2017-12-13 | Rolls Royce Plc | A method of controlling an inverter |
DE102015121722B4 (de) * | 2015-12-14 | 2021-09-23 | Infineon Technologies Ag | Strommessung in einem Leistungshalbleiterbauelement |
DE112016003049T5 (de) | 2016-02-17 | 2018-03-29 | Fuji Electric Co., Ltd. | Überstromschutzvorrichtung für halbleitervorrichtung |
JP6939059B2 (ja) * | 2017-04-27 | 2021-09-22 | 富士電機株式会社 | 半導体素子の駆動装置 |
CN109983679B (zh) * | 2017-05-16 | 2021-08-24 | 富士电机株式会社 | 控制装置以及半导体装置 |
WO2019008817A1 (ja) * | 2017-07-03 | 2019-01-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体スイッチング素子の短絡保護回路 |
US10763662B2 (en) * | 2017-10-10 | 2020-09-01 | Littelfuse, Inc. | Self-powered electronic fuse |
US10714925B2 (en) | 2017-10-10 | 2020-07-14 | Littelfuse, Inc. | Self-powered electronic fuse with storage capacitor that charges with minimal disturbance of load current through the fuse |
JP6780790B2 (ja) * | 2017-10-17 | 2020-11-04 | 富士電機株式会社 | 過電流検出装置、制御装置および過電流検出方法 |
CN109301796A (zh) * | 2018-09-29 | 2019-02-01 | 杭州先途电子有限公司 | 一种pfc过流保护电路及控制器 |
CN111371080B (zh) * | 2018-12-25 | 2022-08-30 | 上海睿驱微电子科技有限公司 | 一种具有过流限制功能的设备及其构建方法 |
CN111370478B (zh) * | 2018-12-25 | 2022-04-01 | 上海睿驱微电子科技有限公司 | 一种具有过流限制功能的多晶硅及其构建方法 |
JP2020126946A (ja) * | 2019-02-05 | 2020-08-20 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光源装置および電子機器 |
US11592891B2 (en) * | 2019-10-15 | 2023-02-28 | Dell Products L.P. | System and method for diagnosing resistive shorts in an information handling system |
JP7325314B2 (ja) * | 2019-12-12 | 2023-08-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
CN113394753A (zh) * | 2020-03-13 | 2021-09-14 | 欧姆龙(上海)有限公司 | 绝缘栅极双极型晶体管的保护装置和方法 |
JP2023013152A (ja) * | 2021-07-15 | 2023-01-26 | 富士電機株式会社 | 制御装置およびスイッチング装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001063765A1 (fr) * | 2000-02-25 | 2001-08-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Module de puissance |
JP2002051456A (ja) * | 2000-08-01 | 2002-02-15 | Denso Corp | 半導体素子の過電流保護回路 |
JP2004312924A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体デバイスの駆動回路 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2999887B2 (ja) * | 1992-10-09 | 2000-01-17 | 三菱電機株式会社 | Igbtの過電流保護回路及び半導体集積回路装置 |
JP3125622B2 (ja) | 1995-05-16 | 2001-01-22 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US6717785B2 (en) | 2000-03-31 | 2004-04-06 | Denso Corporation | Semiconductor switching element driving circuit |
JP4219567B2 (ja) * | 2001-04-03 | 2009-02-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP5170208B2 (ja) * | 2010-10-22 | 2013-03-27 | 富士電機株式会社 | パワー半導体デバイスの電流検出回路 |
JP5729472B2 (ja) * | 2011-07-14 | 2015-06-03 | 富士電機株式会社 | 短絡保護回路 |
-
2013
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-
2014
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001063765A1 (fr) * | 2000-02-25 | 2001-08-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Module de puissance |
JP2002051456A (ja) * | 2000-08-01 | 2002-02-15 | Denso Corp | 半導体素子の過電流保護回路 |
JP2004312924A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体デバイスの駆動回路 |
Also Published As
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