JP5515010B2 - 導電性膜の製造方法、及び、導電性膜 - Google Patents
導電性膜の製造方法、及び、導電性膜 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5515010B2 JP5515010B2 JP2009148909A JP2009148909A JP5515010B2 JP 5515010 B2 JP5515010 B2 JP 5515010B2 JP 2009148909 A JP2009148909 A JP 2009148909A JP 2009148909 A JP2009148909 A JP 2009148909A JP 5515010 B2 JP5515010 B2 JP 5515010B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- conductive film
- organic solvent
- conductive
- mesh
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/08—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of metallic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
- H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T442/00—Fabric [woven, knitted, or nonwoven textile or cloth, etc.]
- Y10T442/10—Scrim [e.g., open net or mesh, gauze, loose or open weave or knit, etc.]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
光透過性を有する導電性膜としては、現在では、酸化インジウム錫(ITO)が用いられることが一般的である。酸化インジウム錫により作成された導電性膜は、光透過性、導電性のバランスに優れており、通常の液晶ディスプレイ等だけではなく、例えば、タッチパネル用途等にも使用されている。しかしながら、インジウムのような希金属は高価であり、また、資源枯渇のおそれがあるため、より安価で、資源枯渇のおそれが少ない材料を用いた光透過性を有する導電性膜が求められているところであった。また、ITOの成膜には通常、スパッタリング法等が用いられているため、生産性が低い点でも改善の余地があった。
図2の焼成後に得られたもののSEM写真を見ると、確かに網目状構造の規則性は消失している。しかしながら、二次元ネットワークに関しては、それを形成していることは確認できず、表面の全面に渡り無秩序な凹凸が形成されているとしか見えない。そのような状態においては、開口部の面積が充分に確保されないものと考えられる。
また特許文献7(本件発明の基礎出願後に公開)に開示された透明電極及びその製造方法ついては、上記のように焼成後に網目状構造の規則性は消失していて、網目状の導電性膜の製造方法とはなっていない。また後述する参考例で示されているように、銀の膜が全面において凹凸を形成しているだけであり、表面全面を覆って開口率が無いということになり、透明性も認められないものである。従って、網目状の導電性膜を製造するということを開示する従来技術は見当たらず、このような課題を解決することができれば、導電性フィルム等の導電性材料を用いる技術分野において、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、電子ペーパー(デジタルペーパー)等に対して種々の用途展開を図ることができ、大きな技術的意義があるといえる。
上記のような従来の技術とは相違して、塗布された導電性微粒子を含む有機溶媒分散体を、塗膜表面で結露させながら有機溶媒を蒸発させる工程を含む導電性膜の製造方法とすることによって、簡易かつ安価に網目状の導電性膜を製造することができ、また、生産性を向上させることができることを見いだした。更に、上記方法で製造した導電性膜は、線幅が小さく、網目の細かいものとすることができることを見いだし、本発明に到達したものである。網目状の導電性膜とすることができれば、近年急速に需要、用途が拡大している導電性材料における新たな導電性付与手法となり、種々の用途展開が期待されるところである。
本発明はまた、導電性物質の網目状線部と空孔部とによって形成された網目状の導電性膜であって、該導電性膜は、空孔部の平均面積が400μm2以下であり、網目状線部の線幅が5μm以下である導電性膜でもある。
以下に本発明を詳述する。
なお、網目状の導電性膜における網目状線部と空孔部との配置形態としては、ランダム状であってもよいし、規則的に並んでいる状態であってもよい。その例としては、後述する図6〜10等で示されるようなものである。これらの図においては、大きめの網目や小さめの網目が混在し、いくつか網目が切れているところもあるが、全体的に見れば、ミクロな技術分野において網目状の構造が認められると評価されるものである。すなわち、マイクロスコープで観察して、網目状の構造が確認できればよい。網目状の構造は、導電性膜全面に形成されていることが好ましいが、導電性膜が用いられる用途に応じて適宜設定されればよく、導電性膜としての機能が発揮され得る限り部分的であってもよい。その他の網目状の好ましい形態については後述する。
それに対して、特許文献7に開示された透明電極及びその製造方法においては、同文献の図2に示される通り、網目状構造は消失したと評価されることになる。これを確認したものが、後述する図15である。また、後述する参考例3のように、銀粒子が網目状の開口部の底の部分にも析出していることが認められ、基材が直接観察できる領域が無いと評価される場合も網目状の導電性膜とはならない。
上記のことから、本発明の導電性膜の製造方法は、塗布された有機溶媒を、塗膜表面で結露が生じる条件で蒸発させる工程を含むものということもできる。塗膜表面で結露が生じる条件とは、例えば、有機溶媒を蒸発させる雰囲気の露点を、塗膜表面の温度よりも高いものとする条件である。結露を生じさせる方法としては特に限定されるものではないが、例えば、塗膜表面の温度を、有機溶媒を蒸発させる雰囲気の露点以下に冷却する方法、上記有機溶媒を蒸発させる雰囲気を加湿雰囲気として、該雰囲気の露点を塗膜表面の温度より高くする方法等が好適である。これらの方法は、一つの方法で用いてもよいし、複数の方法を組み合わせて用いてもよい。複数の方法を組み合わせて行うことによって、有機溶媒を蒸発させる条件をより精密に制御することができ、導電性膜の形態を調整することができる。
また、図3に示すように、ペルチェ素子20を用いて、基板21及び塗膜22の冷却を行い、更に加湿気体を塗布された有機溶媒分散体に吹きつけることにより有機溶媒を蒸発させる方法は、本発明の導電性膜の製造方法の好適な形態の一つである。すなわち、上記製造方法は、基板及び塗膜の冷却を行い、かつ加湿気体を塗膜に吹きつけ、該塗膜表面で結露させながら有機溶媒を蒸発させる工程を含む製造方法が好ましい。
上記導電性微粒子の形状は、球状に限られず、例えば、楕円球状、立方体状、直方体状、ピラミッド状、針状、柱状、棒状、筒状、りん片状、板状(例えば、六角板状)等の薄片状、紐状等の形状でも好適に用いることができる。
上記有機溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、o−キシレン、m−キシレン、p−キシレン、混合キシレン、エチルベンゼン、ヘキシルベンゼン、ドデシルベンゼン、フェニルキシリルエタン等のベンゼン系炭化水素等の芳香族炭化水素類;n−ヘキサン、n−デカン等のパラフィン系炭化水素、アイソパー(Isopar、エクソン化学社製)等のイソパラフィン系炭化水素、1−オクテン、1−デセン等のオレフィン系炭化水素、シクロヘキサン、デカリン等のナフテン系炭化水素等の脂肪族炭化水素類;ケロシン、石油エーテル、石油ベンジン、リグロイン、工業ガソリン、コールタールナフサ、石油ナフサ、ソルベントナフサ等の石油や石炭由来の炭化水素混合物;ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、1,2−ジクロロエタン、1,1,1−トリクロロエタン、1,1,2,2−テトラクロロエタン、トリクロロフルオロエタン、テトラブロモエタン、ジブロモテトラフルオロエタン、テトラフルオロジヨードエタン、1,2−ジクロロエチレン、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、トリクロロフルオロエチレン、クロロブタン、クロロシクロヘキサン、クロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン、ブロモベンゼン、ヨードメタン、ジヨードメタン、ヨードホルム等のハロゲン化炭化水素類;酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類;メタノール、エタノール、イソプロパノール、オクタノール、メチルセロソルブ等のアルコール類;ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル等のシリコーンオイル類;ハイドロフルオロエーテル等のフッ素系溶剤;二硫化炭素等が好ましい。これらの有機溶媒は、単独で用いても2種以上を併用してもよい。
また、上記両親媒性高分子の数平均分子量は3000以上であることが好ましい。数平均分子量が3000以上の両親媒性高分子であると、溶媒蒸発時や焼成の際にパターン構造が崩れにくくなる。両親媒性高分子の数平均分子量としては、5000以上であることがより好ましく、10000以上であることが更に好ましく、20000以上であることが特に好ましい。
重量平均分子量及び数平均分子量は、例えば、測定装置として、ゲル浸透クロマトグラフィ(GPC)HLC−8120(東ソー社製)を使用し、カラムにTSK−GEL GMHXL−L(東ソー社製)を用いて、ポリスチレン換算の分子量として測定することができる。
式中、mに対するnの比率(n/m)としては、1〜15が好ましく、より好ましくは、2〜12であり、更に好ましくは、3〜10である。
疎水性(メタ)アクリレート及び親水性(メタ)アクリレートはそれぞれ単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。また、異なる成分を含んでいてもよい。
上記有機溶媒分散体を塗布する基板は、基板表面に親水化処理を行われたものであることが好ましい。これによれば、上述のように、有機溶媒分散体中に取り込まれた水滴を好適な形状で保持することができる。また、基板表面の親水性を制御することによって、導電性膜の形状を更に制御することができる。親水化処理の方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、アルカリ性溶液に浸漬させる方法が好ましい。アルカリ性溶液としては、特に限定されるものではないが、水酸化カリウム溶液、水酸化ナトリウム溶液等を好ましく用いることができる。具体的には、飽和水酸化カリウムエタノール溶液等を好ましく用いることができる。また、親水化処理の方法としては、コロナ放電処理、プラズマ処理、UV−オゾン処理を行う方法等が挙げられる。このような方法は、基板の種類、有機溶媒分散体の種類等によって適宜好ましい方法を選択することが好ましい。また、親水化による基板の接触角は、上述した好ましい接触角の値を用いることができる。
上記導電性膜の形態としては、空孔部の平均面積が400μm2以下であり、網目状線部の線幅が5μm以下であることが好ましい。空孔部の平均面積が小さく、網目状線部の線幅が細いことによって、光の透過性が高く、均一性の高い網目状の導電性膜を形成することができる。また、上記製造方法により製造される導電性膜のより好ましい形態としては、後述する網目状の導電性膜の好ましい形態と同様である。すなわち、空孔部の平均面積としてより好ましくは、300μm2以下であり、更に好ましくは、200μm2以下であり、特に好ましくは、100μm2以下である。また、上記空孔部は、平均最大フェレ径が20μm以下であることが好ましく、10μm以下であることがより好ましい。空孔部による開口率としては、60%以上であることが好ましく、これにより光透過率を高めた導電性膜とすることができる。空孔部による開口率は65%以上であることがより好ましく、更に好ましくは、70%以上であり、特に好ましくは、80%以上であり、最も好ましくは、90%以上である。上記網目状線部の線幅としてより好ましくは、2μm以下であり、更に好ましくは、1μm以下である。なお、最大フェレ径とは、各空孔部の輪郭に接するように引いた2本の平行線間の最大のものを最大フェレ径といい、平均最大フェレ径とは、計測した各空孔部の最大フェレ径の平均をとったものを平均最大フェレ径という。
開口率、線幅、空孔部の平均面積及び平均最大フェレ径については、以下の方法により求めることができる。
導電性膜の表面を超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡(日立ハイテクノロジーズ社製、S−4800)にて倍率1000倍で観察し、観察した画像を画像処理ソフト(Image−Pro Plus ver.4.0、米国Media Cybernetics社製)を用いて、以下の方法で処理し、導電膜の開口率、線幅、空孔部の平均面積、フェレ径を求める。
導電部の線幅=S/L (1)
なお、上記全光線透過率は、例えば、ヘイズメーター NDH5000(日本電色工業社製)を用いて、JIS K7361−1に準拠して測定することができる。
なお、上記シート抵抗は、例えば、抵抗率計 ロレスター−GP(三菱化学アナリテック社製、プローブ:ASPプローブ)を用いて、四端子四探針法により測定することができる。
このように、本発明はまた、デジタルペーパーに用いられる導電性膜でもある。
オクチルアミン(和光純薬工業株式会社製)148.1gをいれた1Lビーカーを40℃の恒温槽に入れる。次に酢酸銀(和光純薬工業株式会社製)18.6gを添加し20分間充分に攪拌混合し、均一な混合溶液を調整する。続いて、20wt%水素化ホウ素ナトリウム水溶液20gを徐々に添加することにより還元処理を実施した。
還元処理後、アセトンを200g添加し、しばらく放置後、ろ過により銀及び有機物からなる沈殿物を分離回収する。回収物にトルエンを添加し、再溶解後、10℃以下まで冷却させた後、再度ろ過し、不純物を低減させたトルエン分散溶液を調整した。次に、エバボレーターによりトルエンを留去し、銀微粒子を20wt%含有する導電性微粒子分散溶液(x−1)を調整した。この溶液は、銀微粒子の他にオクチルアミン9wt%、トルエン71wt%を含有する溶液であった。この溶液をFE−SEMで観察したところ、平均粒子径4nm、変動係数が14%の粒子径分布をもつナノ粒子分散体であることが確認された。
トルエンの代わりにベンゼンを用いた以外は、導電性微粒子分散溶液(x−1)と同様に調整し、導電性微粒子分散溶液(x−2)を得た。この溶液は、銀微粒子を20wt%、オクチルアミンを9wt%、ベンゼンを71wt%含有する溶液であった。この溶液をFE−SEMで観察したところ、平均粒子径4nm、変動係数が14%の粒子径分布をもつナノ粒子分散体であることが確認された。
トルエンの代わりにシクロヘキサンを用いた以外は、導電性微粒子分散溶液(x−1)と同様に調整し、導電性微粒子分散溶液(x−3)を得た。この溶液は、銀微粒子を20wt%、オクチルアミンを9wt%、シクロヘキサンを71wt%含有する溶液であった。この溶液をFE−SEMで観察したところ、平均粒子径4nm、変動係数が14%の粒子径分布をもつナノ粒子分散体であることが確認された。
<多孔質膜作製条件>
導電性微粒子分散溶液(x−1)を用いて、銀の重量濃度として2.5mg/ml、CAP(n:m=4:1、Mn=99000、Mw=280000)1.0mg/mlのトルエン溶液を調整した。スライドカラスを飽和水酸化カリウムエタノール溶液に2時間浸漬後、エタノール、水で超音波洗浄を行うことにより、親水化処理を行った。このときの基板の接触角は、測定できないほど低く、ほぼ0°であった。0.5ml程度の溶液を上記基板上に塗布し、ペルチェ素子で基板を8℃に冷却して加湿空気(相対湿度50%以上)を0.8m/minの流速で、20分間吹きつけて有機溶媒を蒸発させて、乾燥製膜した。
<乾燥条件>
室温、常圧下で乾燥(風乾)した。
<焼成条件>
乾燥を行った後の膜を、電気炉で常圧、空気雰囲気下で10℃/分で昇温した。3つの試料を用いて行い、それぞれ、200℃で1時間、300℃で30分、400℃で30分の焼成を行った。焼成後、自然放冷し、室温まで冷却した。このときの導電性膜の最大膜厚としては、焼成前の膜では1.60μm、200℃で1時間の焼成を行った膜では1.07μm、300℃で1時間の焼成を行った膜ではで0.51μm、400℃で1時間の焼成を行った膜では0.35μmであった。
なお、最大膜厚は、レーザー顕微鏡(VK−9700、キーエンス社製)で倍率50倍で塗膜を観測した。観察した画像から塗膜の最大の段差を10箇所で計測し、平均した値を導電性膜の最大膜厚とした。
図5は、焼成前、焼成後の膜の形態を示す電子顕微鏡観察像である。図5(a)は、焼成前の膜、図5(b)は、200℃で1時間の焼成を行った膜、図5(c)は、300℃で30分間の焼成を行った膜、図5(d)は、400℃で30分間の焼成を行った膜である。また、図6は、200℃で1時間の焼成を行った膜を倍率を下げて観察したときの電子顕微鏡観察像である。
導電性膜の表面を超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡(S−4800、日立ハイテクノロジーズ社製)にて倍率1000倍で観察し、観察した画像を画像処理ソフト(Image−Pro Plus ver.4.0、米国Media Cybernetics社製)を用いて、以下の方法で処理し、導電膜の開口率、線幅、空孔部の平均面積、フェレ径を求めた。
導電部の線幅=S/L (1)
測定条件
導電測定AFMホルダ(セイコーインスツル社製)を用いて測定した。焼成後のサンプルを約1cm角に切り出し、端部をドータイト銀ペーストで固定した。金コートした探針を用い、探針と基板の間にバイアス電圧1〜5Vを印加して表面形状像と電流像の同時測定を行った。スキャン範囲は50μm四方である。図11に、AFM測定装置の模式図を示す。図11に示すように、ピエゾステージ31上に試料ステージ32を乗せ、その上に基板上に導電性膜を形成した試料33を設置する。そして、金コート探針34により試料33の表面を走査しながら、試料の表面形状を観察した。また、銀ペースト35により試料表面の導電性膜と試料ステージとを連結することにより、金コート探針34と銀ペースト35との間に1〜5Vのバイアスを印加することによって、電流像を観察した。図12に、AFM測定によって、200℃で1時間焼成を行った膜について、表面形状像(a)、電流像(b)を示す。また、図13に、AFM測定によって、400℃で30分間焼成を行った膜について、表面形状像(a)、電流像(b)を示す。
400℃で30分間の焼成を行った膜においては、図13(a)の表面形状像から空孔部と網目状線部とが形成された膜であることを確認したが、導電性物質の凝集等によって好適な状態で導電性のネットワークが形成されておらず、図13(b)の電流像からは、電流が流れていることを確認することができなかった。
<多孔質膜作製条件>
導電性微粒子分散溶液(x−2)を用いて、銀の重量濃度として1.0mg/ml、CAP(n:m=4:1、Mn=99000、Mw=280000)1.0mg/mlのベンゼン溶液を調整した。25℃、相対湿度50%の雰囲気下で、2.0mlの溶液を5cm角のスライドガラス基板上に塗布し、加湿空気(相対湿度90%以上)を0.6m/minの流速で、10分間吹きつけて有機溶媒を蒸発させて、乾燥製膜した。
<乾燥条件>
室温、常圧下で乾燥(風乾)した。
<焼成条件>
乾燥を行った後の膜を、電気炉で常圧、空気雰囲気下で10℃/分で昇温し、300℃で30分間焼成を行った。焼成後、自然放冷し、室温まで冷却した。このときの導電性膜の最大膜厚は、0.2μmであり、導電性膜のシート抵抗は、8.0×102Ω/□、全光線透過率は、77%であった。また、導電性膜の開口率、線幅、空孔部の平均面積、空孔部の平均最大フェレ径を求めた結果、表1の通りであった。
なお、導電性膜のシート抵抗、全光線透過率は、以下のようにして測定された。
導電性膜のシート抵抗は、抵抗率計 ロレスター−GP(三菱化学アナリテック社製、プローブ:ASPプローブ)を用いて、四端子四探針法により測定した。
<全光線透過率>
導電性膜の全光線透過率は、ヘイズメーター NDH5000(日本電色工業社製)を用いて、JIS K7361−1に準拠して測定した。
<多孔質膜作製条件>
導電性微粒子分散溶液(x−3)を用いて、銀の重量濃度として1.0mg/ml、CAP(n:m=7.6:1、Mn=25000、Mw=95000)1.0mg/mlのシクロヘキサン溶液を調整した。25℃、相対湿度50%の雰囲気下で、2.0mlの溶液を5cm角のスライドガラス基板上に塗布し、加湿空気(相対湿度90%以上)を0.6m/minの流速で、10分間吹きつけて有機溶媒を蒸発させて、乾燥製膜した。
<乾燥条件>
室温、常圧下で乾燥(風乾)した。
<焼成条件>
乾燥を行った後の膜を、電気炉で常圧、空気雰囲気下で10℃/分で昇温し、300℃で15分間焼成を行った。焼成後、自然放冷し、室温まで冷却した。このときの導電性膜の最大膜厚は、0.4μmであり、導電性膜のシート抵抗は、46Ω/□、全光線透過率は、63%であった。また、導電性膜の開口率、線幅、空孔部の平均面積、空孔部の平均最大フェレ径を求めた結果、表1の通りであった。
<多孔質膜作製条件>
導電性微粒子分散溶液(x−3)を用いて、銀の重量濃度として1.0mg/ml、エポミンRP20(オクタデシルイソシアネート変性ポリエチレンイミン、日本触媒社製、Mn=6500、Mw=13700)1.0mg/mlのシクロヘキサン溶液を調整した。23℃、相対湿度70%の雰囲気下で、2.0mlの溶液を5cm角のスライドガラス基板上に塗布し、加湿空気(相対湿度70%以上)を1.5m/minの流速で、10分間吹きつけて有機溶媒を蒸発させて、乾燥製膜した。
<乾燥条件>
室温、常圧下で乾燥(風乾)した。
<焼成条件>
乾燥を行った後の膜を、電気炉で常圧、空気雰囲気下で10℃/分で昇温し、200℃で1時間、150℃で1時間焼成を行った。焼成後、自然放冷し、室温まで冷却した。このときの導電性膜の最大膜厚は、0.5μmであり、導電性膜のシート抵抗は、20Ω/□、全光線透過率は、28%であった。また、導電性膜の開口率、線幅、空孔部の平均面積、空孔部の平均最大フェレ径を求めた結果、表1の通りであった。
<多孔質膜作製条件>
導電性微粒子分散溶液(x−3)を用いて、銀の重量濃度として3.7mg/ml、シクロへキシルメタクリレート−プラクセルFM−1(カプロラクトン変性メタクリレート)共重合体(シクロへキシルメタクリレート:プラクセルFM−1のモル比9:1、Mn=25000、Mw=93000)0.11mg/mlのシクロヘキサン溶液を調整した。23℃、相対湿度70%の雰囲気下で、2.0mlの溶液を5cm角のスライドガラス基板上に塗布し、加湿空気(相対湿度70%以上)を1.6m/minの流速で、10分間吹きつけて有機溶媒を蒸発させて、乾燥製膜した。
<乾燥条件>
室温、常圧下で乾燥(風乾)した。
<焼成条件>
乾燥を行った後の膜を、電気炉で常圧、空気雰囲気下で10℃/分で昇温し、180℃で15分間焼成を行った。焼成後、自然放冷し、室温まで冷却した。このときの導電性膜の最大膜厚は、0.8μmであり、導電性膜のシート抵抗は、3.5×102Ω/□、全光線透過率は、30%であった。また、導電性膜の開口率、線幅、空孔部の平均面積、空孔部の平均最大フェレ径を求めた結果、表1の通りであった。
<多孔質膜作製条件>
導電性微粒子分散溶液(x−3)を用いて、銀の重量濃度として3.7mg/ml、エポミンRP20(オクタデシルイソシアネート変性ポリエチレンイミン、日本触媒社製、Mn=6500、Mw=13700)0.11mg/mlのシクロヘキサン溶液を調整した。23℃、相対湿度70%の雰囲気下で、2.0mlの溶液を5cm角のスライドガラス基板上に塗布し、加湿空気(相対湿度70%以上)を1.6m/minの流速で、10分間吹きつけて有機溶媒を蒸発させて、乾燥製膜した。
<乾燥条件>
室温、常圧下で乾燥(風乾)した。
<焼成条件>
乾燥を行った後の膜を、電気炉で常圧、空気雰囲気下で10℃/分で昇温し、180℃で15分間焼成を行った。焼成後、自然放冷し、室温まで冷却した。このときの導電性膜の最大膜厚は、0.9μmであり、導電性膜のシート抵抗は、42Ω/□、全光線透過率は、43%であった。また、導電性膜の開口率、線幅、空孔部の平均面積、空孔部の平均最大フェレ径を求めた結果、表1の通りであった。
<多孔質膜作製条件>
導電性微粒子分散溶液(x−3)を用いて、銀の重量濃度として3.7mg/ml、CAP(n:m=7.6:1、Mn=25000、Mw=95000)0.11mg/mlのシクロヘキサン溶液を調整した。23℃、相対湿度70%の雰囲気下で、2.0mlの溶液を5cm角のスライドガラス基板上に塗布し、加湿空気(相対湿度70%以上)を1.6m/minの流速で、10分間吹きつけて有機溶媒を蒸発させて、乾燥製膜した。
<乾燥条件>
室温、常圧下で乾燥(風乾)した。
<焼成条件>
乾燥を行った後の膜を、電気炉で常圧、空気雰囲気下で10℃/分で昇温し、180℃で15分間焼成を行った。焼成後、自然放冷し、室温まで冷却した。このときの導電性膜の最大膜厚は、0.8μmであり、導電性膜のシート抵抗は、6Ω/□、全光線透過率は、42%であった。また、導電性膜の開口率、線幅、空孔部の平均面積、空孔部の平均最大フェレ径を求めた結果、表1の通りであった。
<多孔質膜作製条件>
導電性微粒子として、三ッ星ベルト製の銀微粒子分散溶液(クロロホルム溶液)を用いて、銀の重量濃度として2.75mg/mlのクロロホルム溶液を調整した。23℃、相対湿度70%の雰囲気下で、2.0mlの溶液を5cm角のスライドガラス基板上に塗布し、加湿空気(相対湿度70%)を1.6m/minの流速で、10分間吹きつけて有機溶媒を蒸発させて、乾燥製膜した。
<乾燥条件>
室温、常圧下で乾燥(風乾)した。
<焼成条件>
乾燥を行った後の膜を、電気炉で常圧、空気雰囲気下で10℃/分で昇温し、300℃で15分間焼成を行った。焼成後、自然放冷し、室温まで冷却した。
なお、図15において、白く見える部分が凸部、黒く見える部分が凹部であり、銀膜の凹凸が表面全面を覆っていることが観察される。このような場合、透明性、透過性は無いといえる。
<多孔質膜作製条件>
導電性微粒子分散溶液(x−3)を用いて、銀の重量濃度として0.2mg/mlのシクロヘキサン溶液を調整した。25℃、相対湿度80%の雰囲気下で、2.0mlの溶液を5cm角のスライドガラス基板上に塗布し、加湿空気(相対湿度80%)を0.6m/minの流速で、10分間吹きつけて有機溶媒を蒸発させて、乾燥製膜した。
<乾燥条件>
室温、常圧下で乾燥(風乾)した。
<焼成条件>
乾燥を行った後の膜を、電気炉で常圧、空気雰囲気下で10℃/分で昇温し、300℃で15分間焼成を行った。焼成後、自然放冷し、室温まで冷却した。
作成した焼成後の膜の形態を参考例1と同様に、デジタルマイクロスコープで観察したところ、パターン構造を観察することが出来ず、全面に銀の薄膜が形成された。
<多孔質膜作製条件>
導電性微粒子分散溶液(x−3)を用いて、銀の重量濃度として0.1mg/ml、ポリスチレン(アルドリッチ(Aldrich)社製、Mw=280000)0.2mg/mlのシクロヘキサン溶液を調整した。5cm角のスライドガラスを飽和水酸化カリウムエタノール溶液に2時間浸漬後、エタノール、水で超音波洗浄を行うことにより、親水化処理を行った。このときの基板の接触角は、測定できないほど低く、ほぼ0°であった。25℃、相対湿度80%の雰囲気下で、2.0mlの溶液を5cm角のスライドガラス基板上に塗布し、加湿空気(相対湿度80%)を0.6m/minの流速で、10分間吹きつけて有機溶媒を蒸発させて、乾燥製膜した。
<乾燥条件>
室温、常圧下で乾燥(風乾)した。
<焼成条件>
乾燥を行った後の膜を、電気炉で常圧、空気雰囲気下で10℃/分で昇温し、300℃で15分間焼成を行った。焼成後、自然放冷し、室温まで冷却した。
作成した焼成後の膜の形態を参考例1と同様に、デジタルマイクロスコープで観察したところ、部分的にしかパターン構造が出来ておらず、また、パターン構造が観察された部分も、銀粒子が開口部の底にも析出しており、基材が直接観察出来る領域がなかった。
<多孔質膜作製条件>
導電性微粒子分散溶液(x−3)を用いて、銀の重量濃度として3.7mg/ml、エポミンRP20(オクタデシルイソシアネート変性ポリエチレンイミン、日本触媒社製、Mn=6500、Mw=13700)0.11mg/mlのシクロヘキサン溶液を調整した。23℃、相対湿度40%の雰囲気下で、2.0mlの溶液を5cm角のスライドガラス基板上に塗布し、空気(相対湿度40%)を1.6m/minの流速で、10分間吹き付けて有機溶媒を蒸発させて、乾燥製膜した。
<乾燥条件>
室温、常圧下で乾燥(風乾)した。
<焼成条件>
乾燥を行った後の膜を、電気炉で常圧、空気雰囲気下で10℃/分で昇温し、180℃で15分間焼成を行った。焼成後、自然放冷し、室温まで冷却した。
<結果>
パターンが出来ず、全面に銀ナノ粒子が塗布されていた。
透過率:12%
導電性:ロレスターで測定できず。
パターンが出来ないため、透過率が低く、また、パターンが出来たときと比較し、全面に塗布されて膜厚が薄くなるため、導電性が出なくなっていた。
特開2005−338189号公報の比較例を参考に、以下のようにしてデジタルペーパーを作製した。
<TiO2>
300mLの4つ口フラスコに、酸化チタン(製品名:タイペークCR−97、石原産業社製)100g、n−ヘキサン100gおよびオクタデシルトリクロロシラン(製品名:LS6495、信越化学工業社製)4gを仕込み、攪拌混合をしながら、上記フラスコを55℃の超音波浴槽(超音波ホモジナイザー(製品名:BRANSON5210、ヤマト社製)により超音波を発生させた浴槽)に入れ、超音波分散を行いながらカップリング剤処理を2時間行った。
この分散液を遠心分離用沈降管に移し、遠心分離機(製品名:高速冷却遠心機GRX−220、トミー社製)により10000Gで15分間沈降操作を行い、その後、沈降管の上澄み液を除去して、表面処理された酸化チタン(p1)を得た。
<CB>
200mLのビーカーに、カーボンブラック(製品名:MA100、三菱化学社製)5gおよびメチルメタアクリレート172.5gを仕込み、超音波ホモジナイザー(製品名:BRANSON5210、ヤマト社製)で分散処理を行った後、アゾビスブチロニトリル3.5gを加えて溶解させ、モノマー組成物を得た。
アニオン性界面活性剤(製品名:ハイテノールNO8)2.5gを水750gに溶解させた水溶液を予め調製しておき、これに上記モノマー組成物を全量添加し、高速攪拌乳化機(製品名:クリアミックスCLM−0.8S、エム・テクニック社製)により分散処理して、上記モノマー組成物の懸濁液を得た。
この懸演液を75℃に昇温させ5時間保持することにより重合反応を行い、黒色微粒子の分散体を得た。この黒色微粒子の粒子経(体積平均粒子経)を、レーザー回折/散乱式粒度分布測定装置(製品名:LA−910、堀場製作所社製)を用いて測定したところ、0.8μmであった。上記分散体について、ろ過、洗浄および乾燥を施すことにより、黒色微粒子(p2)を得た。
<インキ化>
アイソパーM(エクソン化学社製)85.6gに、黒色微粒子(p2)3.1gおよび酸化チタン(p1)11.5gを仕込み、超音波浴槽で2時間分散処理を行い、電気泳動表示装置用分散液(i1)を得た。
<カプセル化>
500mLの平底セパラブルフラスコに、水60g、アラビアゴム6gおよびゼラチン6gを仕込み、溶解させた。
この溶液を43℃に保持しながら、ディスパー(製品名:ROBOMICS、特殊機化工業社製)による攪拌下で、50℃に加温した電気泳動表示装置用分散液(i1)95gを添加し、その後、攪拌速度を徐々に上げ、1200rpmで30分間攪拌して懸濁液を得た。この懸濁液に43℃の温水300mLを添加しながら攪拌速度を徐々に下げた。
櫂型攪拌羽根により懸濁液全体を均一状態に保持し得る攪拌下で、10wt%酢酸水溶液約11mLを22分かけて定量添加し、pH4.0とした後、10℃に冷却した。
冷却した状態で懸濁液を2時間保持した後、37wt%ホルマリン水溶液3mLを添加し、さらに10wt%Na2CO3水溶液22mLを25分かけて定量添加した。
さらに、懸濁液の温度を常温に戻し、20時間保持して熟成させ、電気泳動表示装置用マイクロカプセル(cm1)の分散液を得た。電気泳動表示装置用マイクロカプセル(cm1)の体積平均粒子径は51.1μmであった。
この分散液を目開き孔径80μmと30μmのメッシュに通して分級し、粒子径30〜80μmの電気泳動表示装置用マイクロカプセル(cm1)のペースト(固形分:57wt%)を得た。
<塗工液>
次に、アルカリ可溶型アクリル樹脂エマルション(製品名:WR503A、日本触媒社製、樹脂含量:30wt%)2.1gを固形分が5wt%となるように水で希釈し、これに25wt%アンモニア水0.2gを添加して、上記アルカリ可溶型アクリル樹脂の溶液を調製した。この樹脂溶液12.8gを、上記ペースト12.8gに添加して、混合機(製品名:あわとり練太郎AR−100、シンキー社製)で10分間混合し、塗工液を得た。
<塗布、ラミネート>
上記塗工液を、ITO付きPETフィルムにアプリケーターで塗布した後、90℃で10分乾燥して、電気泳動表示装置用シート(s1)を得た。
電気泳動表示装置用シート(s1)の塗工面に、本発明の銀導電性膜付きガラスをラミネートし、対向電極を有する電気泳動表示装置(d1)を作製した。
装置(d1)に3Vの電圧を印加したところ、陰極側表面に白色が、陽極側表面に黒色が得られ、電圧の極性を逆にすると各々色が逆転し、本発明の導電性膜がデジタルペーパー用の透明電極として使用できることが確認出来た。なお、装置(d1)に電圧を印加した時の様子は、図16のように表すことができる。
特表2005−530005号公報の実施例10に従い、銀パターン導電性膜が形成された導電性フィルムを作製した。導電性膜の線幅は3.2μm、空孔部の平均面積は5673μm2、空孔部の平均最大フェレ径は84μmであった。前記、電気泳動表示装置用シート(s1)の塗工面に、銀導電性膜が形成された導電性フィルムをラミネートし、対向電極を有する電気泳動表示装置(d2)を作製した。
装置(d2)に3Vの電圧を印加したところ、銀のパターン上のマイクロカプセルのみが電気泳動し、銀のパターンにかからないマイクロカプセルは電気泳動しなかった。この様子を簡略化して表すと、図17のように表すことができる。このため、全面に渡って白色、黒色にならず、陰極側、陽極側共に、白黒が混じったまだらな模様が観察され、比較例2の導電性膜はデジタルペーパー用の透明電極として不適であった。
12、22:塗膜(塗布された有機溶媒分散体)
13:水滴
14:空孔部
15:網目状線部
20:ペルチェ素子
31:ピエゾステージ
32:試料ステージ
33:試料
34:金コート探針
35:銀ペースト
Claims (1)
- 導電性微粒子を含む有機溶媒分散体を基板に塗布して網目状の導電性膜を製造する方法であって、
該有機溶媒分散体は、水及び有機溶媒に対する両親媒性化合物を含有し、
該製造方法は、塗布された有機溶媒分散体を、塗膜表面で結露させながら有機溶媒を蒸発させる工程を含むことを特徴とする導電性膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009148909A JP5515010B2 (ja) | 2008-07-02 | 2009-06-23 | 導電性膜の製造方法、及び、導電性膜 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008173987 | 2008-07-02 | ||
JP2008173987 | 2008-07-02 | ||
JP2009148909A JP5515010B2 (ja) | 2008-07-02 | 2009-06-23 | 導電性膜の製造方法、及び、導電性膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010034039A JP2010034039A (ja) | 2010-02-12 |
JP5515010B2 true JP5515010B2 (ja) | 2014-06-11 |
Family
ID=41465884
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009148909A Expired - Fee Related JP5515010B2 (ja) | 2008-07-02 | 2009-06-23 | 導電性膜の製造方法、及び、導電性膜 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110124252A1 (ja) |
JP (1) | JP5515010B2 (ja) |
KR (1) | KR20110033842A (ja) |
CN (1) | CN102077302B (ja) |
WO (1) | WO2010001786A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5405374B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2014-02-05 | 富士フイルム株式会社 | ハニカム構造フィルムの製造方法 |
KR101487342B1 (ko) * | 2010-07-30 | 2015-01-30 | 주식회사 잉크테크 | 투명 도전막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 투명 도전막 |
WO2012053456A1 (ja) * | 2010-10-21 | 2012-04-26 | 旭硝子株式会社 | 水素化銅微粒子分散液の製造方法、導電インクおよび導体付き基材の製造方法 |
US8933906B2 (en) * | 2011-02-02 | 2015-01-13 | 3M Innovative Properties Company | Patterned substrates with non-linear conductor traces |
US9320136B2 (en) | 2011-02-02 | 2016-04-19 | 3M Innovative Properties Company | Patterned substrates with darkened multilayered conductor traces |
EP2763519B1 (en) * | 2011-09-27 | 2018-07-25 | LG Chem, Ltd. | Transparent conductive substrate and method for manufacturing same |
EP2787512A4 (en) * | 2011-11-29 | 2015-11-11 | Toray Industries | LADDER STACK BODY AND SHAPED DISPLAY BODY |
CN103325441A (zh) * | 2012-03-21 | 2013-09-25 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 触控面板之导电薄膜及其制造方法 |
JPWO2014010270A1 (ja) * | 2012-07-10 | 2016-06-20 | 東レ株式会社 | 導電積層体、パターン化導電積層体、その製造方法、および、それらを用いてなるタッチパネル |
JP2014072147A (ja) * | 2012-10-01 | 2014-04-21 | Otsuka Chem Co Ltd | 導電膜、その製造方法及び製造装置 |
US9954526B2 (en) * | 2013-09-09 | 2018-04-24 | Atmel Corporation | Generic randomized mesh design |
DE102013114572A1 (de) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | Leibniz-Institut Für Neue Materialien Gemeinnützige Gmbh | Verfahren zur Herstellung strukturierter metallischer Beschichtungen |
JP6421077B2 (ja) * | 2015-05-19 | 2018-11-07 | 富士フイルム株式会社 | アンテナの製造方法およびタッチセンサ |
KR102541112B1 (ko) * | 2016-04-05 | 2023-06-09 | 미래나노텍(주) | 터치 센서 및 이를 이용한 터치스크린 패널 |
CN106288107A (zh) * | 2016-10-28 | 2017-01-04 | 佛山市南海科日超声电子有限公司 | 具有发光功能的雾化器 |
US9865527B1 (en) | 2016-12-22 | 2018-01-09 | Texas Instruments Incorporated | Packaged semiconductor device having nanoparticle adhesion layer patterned into zones of electrical conductance and insulation |
US9941194B1 (en) | 2017-02-21 | 2018-04-10 | Texas Instruments Incorporated | Packaged semiconductor device having patterned conductance dual-material nanoparticle adhesion layer |
CN110431926A (zh) * | 2017-03-13 | 2019-11-08 | 富士胶片株式会社 | 电磁波屏蔽部件 |
WO2021075495A1 (ja) * | 2019-10-15 | 2021-04-22 | 国立大学法人京都大学 | 導電膜、分散体とこれらの製造方法、及び導電膜を含むデバイス |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004013452A (ja) * | 2002-06-06 | 2004-01-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 入力パネル、フィルム状基材及びその製造方法 |
US7566360B2 (en) * | 2002-06-13 | 2009-07-28 | Cima Nanotech Israel Ltd. | Nano-powder-based coating and ink compositions |
US7601406B2 (en) * | 2002-06-13 | 2009-10-13 | Cima Nanotech Israel Ltd. | Nano-powder-based coating and ink compositions |
US7736693B2 (en) * | 2002-06-13 | 2010-06-15 | Cima Nanotech Israel Ltd. | Nano-powder-based coating and ink compositions |
CN100346003C (zh) * | 2002-07-12 | 2007-10-31 | 藤森工业株式会社 | 电磁波屏蔽材料及其制造方法 |
JP3988935B2 (ja) * | 2002-11-25 | 2007-10-10 | 富士フイルム株式会社 | 網目状導電体及びその製造方法並びに用途 |
EP1434248B1 (en) * | 2002-12-27 | 2012-09-12 | FUJIFILM Corporation | Method for producing light-transmitting electromagnetic wave-shielding film, light-transmitting eletromagnetic wave-shielding film and plasma display panel using the shielding film |
WO2004063705A2 (en) * | 2003-01-08 | 2004-07-29 | University Of Massachusetts | Liquid-liquid interfacial nanoparticle assemblies |
JP5022076B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2012-09-12 | 三ツ星ベルト株式会社 | 透明電極及びその製造方法 |
JP2008218860A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Toray Ind Inc | 網目状金属微粒子積層基板の製造方法および透明導電性基板 |
-
2009
- 2009-06-23 JP JP2009148909A patent/JP5515010B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-24 KR KR1020117001407A patent/KR20110033842A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-06-24 WO PCT/JP2009/061531 patent/WO2010001786A1/ja active Application Filing
- 2009-06-24 US US12/737,350 patent/US20110124252A1/en not_active Abandoned
- 2009-06-24 CN CN2009801247846A patent/CN102077302B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010034039A (ja) | 2010-02-12 |
WO2010001786A1 (ja) | 2010-01-07 |
CN102077302A (zh) | 2011-05-25 |
CN102077302B (zh) | 2013-12-11 |
US20110124252A1 (en) | 2011-05-26 |
KR20110033842A (ko) | 2011-03-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5515010B2 (ja) | 導電性膜の製造方法、及び、導電性膜 | |
Xiong et al. | A deformable and highly robust ethyl cellulose transparent conductor with a scalable silver nanowires bundle micromesh | |
Schneider et al. | Electrohydrodynamic nanodrip printing of high aspect ratio metal grid transparent electrodes | |
KR101811068B1 (ko) | 도전 적층체 및 그것을 이용하여 이루어지는 터치 패널 | |
JP5413538B1 (ja) | 透明導電積層体、その製造方法、それを用いた電子ペーパーおよびそれを用いたタッチパネル | |
Duan et al. | Water-bath assisted convective assembly of aligned silver nanowire films for transparent electrodes | |
US20150147219A1 (en) | Microstructured material and process for its manufacture | |
JP5386822B2 (ja) | 透明導電性フィルム、その製造方法 | |
WO2015017349A1 (en) | Process for making materials with micro-or nanostructured conductive layers | |
WO2012116034A1 (en) | Electrophoretic-deposited surfaces | |
TW201435924A (zh) | 於靜電放電(esd)保護具有高熱穩定性之奈米結構透明導體 | |
Choi et al. | Direct printing synthesis of self-organized copper oxide hollow spheres on a substrate using copper (II) complex ink: Gas sensing and photoelectrochemical properties | |
Yim et al. | Hybrid copper–silver–graphene nanoplatelet conductive inks on pdms for oxidation resistance under intensive pulsed light | |
Lee et al. | Resistive switching WOx‐Au core‐shell nanowires with unexpected nonwetting stability even when submerged under water | |
JP2008041445A (ja) | 透明導電膜の製造方法および透明導電膜 | |
JP2015501334A (ja) | マイクロコンタクト印刷に使用するための金属ベースのナノパーティクルを含む水性インキ調合物 | |
CN112514004B (zh) | 导电性薄膜、以及使用了其的导电性薄膜卷、电子纸 | |
Park et al. | Heating and acid doping thin film carbon nanotube assemblies for high transparency and low sheet resistance | |
Ling et al. | Facile synthesis of MXene− Polyvinyl alcohol hybrid material for robust flexible memristor | |
JP2011129278A (ja) | 導電性膜の製造方法及び導電性膜 | |
CN108369836B (zh) | 透明导电体的制造方法及透明导电体 | |
US11240917B2 (en) | Printing of nanowire films | |
JP2011138622A (ja) | 導電性膜の製造方法および導電性膜 | |
JP2018507507A (ja) | 金属ナノワイヤーを含む透明導電体、及びこれを形成する方法 | |
JP2011249245A (ja) | 導電性膜の製造方法及び導電性膜 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120131 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140204 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20140221 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140221 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20140221 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5515010 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |