JP5579435B2 - 窒化物系半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
窒化物系半導体装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5579435B2 JP5579435B2 JP2009519280A JP2009519280A JP5579435B2 JP 5579435 B2 JP5579435 B2 JP 5579435B2 JP 2009519280 A JP2009519280 A JP 2009519280A JP 2009519280 A JP2009519280 A JP 2009519280A JP 5579435 B2 JP5579435 B2 JP 5579435B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride
- semiconductor layer
- layer
- based semiconductor
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 545
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims description 334
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 37
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 111
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 101
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 84
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 83
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 57
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 35
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 17
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 7
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical group [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 57
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 37
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 36
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 20
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 12
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 12
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 12
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 10
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 10
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 7
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 7
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 ITO Chemical compound 0.000 description 3
- QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N magnesium;cyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Mg+2].C1C=CC=[C-]1.C1C=CC=[C-]1 QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
- H01S5/3086—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure doping of the active layer
- H01S5/309—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure doping of the active layer doping of barrier layers that confine charge carriers in the laser structure, e.g. the barriers in a quantum well structure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
本発明は、窒化物系半導体装置およびその製造方法に係り、特に量子井戸構造を備え、原料ガスを供給してｐ型半導体層を形成する窒化物系半導体装置およびその製造方法に関する。
発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）などに、ＩＩＩ族窒化物系半導体からなる窒化物系半導体装置が使用されている。ＩＩＩ族窒化物系半導体の例としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）などがある。代表的なＩＩＩ族窒化物系半導体は、ＡｌxＩｎyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１, ０≦ｙ≦１, ０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される。
ＩＩＩ族窒化物系半導体を用いた窒化物系半導体装置は、例えば、基板上にｎ型のＩＩＩ族窒化物系半導体層（ｎ型半導体層）、活性層（発光層）およびｐ型のＩＩＩ族窒化物系半導体層（ｐ型半導体層）をこの順に積層した構造を有する。そして、ｐ型半導体層から供給された正孔（ホール）とｎ型半導体層から供給された電子が活性層で再結合して発生する光を外部に出力する（例えば、特許文献１参照。）。
活性層として、井戸層（ウェル層）をウェル層よりもバンドギャップの大きなバリア層（障壁層）でサンドイッチ状に複数層挟んだ多重量子井戸（ＭＱＷ：Multi-Quantum Well）構造が採用可能である（例えば、特許文献２参照。）。
また、順方向電圧（Ｖf）を低下させ、発光効率を向上させる目的で、ｐ型半導体層を２層構造、或いは３層構造に形成する例も開示されている（例えば、特許文献３および特許文献４参照。）。
特開平１０−２８４８０２号公報
特開２００４−５５７１９号公報
特許第３２５０４３８号公報
特許第３３１４６６号公報
ｐ型半導体層を多層構造に形成する場合、活性層への熱ダメージを低減させるために低温成長させる必要があり、同時に、順方向電圧（Ｖf）を低下させ、発光効率を向上させる必要がある。
従来、ｐ型ドーパントがドープされたｐ型半導体層の形成では、原料ガスの供給に水素（Ｈ2）及び窒素（Ｎ2）を含むキャリアガスが用いられてきた。しかし、水素を含むキャリアガスでｐ型半導体層を形成する場合、ｐ型ドーパントと一緒に取り込まれる水素原子によってｐ型ドーパントが活性化されにくくなり、ｐ型半導体層のｐ型化が阻害される原因となる。そのため、ｐ型半導体層を形成後、ｐ型半導体層から水素原子を取り除くためのアニールを実施する必要があり、製造工程の増大を招いていた。
上記問題点を鑑み、本発明は、低温でｐ型半導体層を形成して活性層への熱ダメージを低減させ、かつ順方向電圧（Ｖf）を低下させ、発光効率を向上させる窒化物系半導体装置を提供する。
本発明は、ｐ型半導体層から水素原子を取り除くアニール工程が不要な窒化物系半導体装置の製造方法を提供する。
上記目的を達成するための本発明の一態様によれば、インジウムを含む多重量子井戸からなる活性層と、前記活性層上部に配置され、ｐ型不純物を含む第１窒化物系半導体層と、前記第１窒化物系半導体層上に配置され、前記第１窒化物系半導体層のｐ型不純物よりも低濃度のｐ型不純物を含む第２窒化物系半導体層と、前記第２窒化物系半導体層上に配置され、前記第２窒化物系半導体層のｐ型不純物よりも高濃度で、かつ前記第１窒化物系半導体層のｐ型不純物よりも低濃度のｐ型不純物を含む第３窒化物系半導体層と、前記第３窒化物系半導体層上に配置され、前記第３窒化物系半導体層のｐ型不純物よりも低濃度のｐ型不純物を含む第４窒化物系半導体層とを備え、前記第１窒化物系半導体層乃至第４窒化物系半導体層の前記ｐ型不純物は、Ｍｇである窒化物系半導体装置が提供される。
本発明の他の態様によれば、ｎ型半導体層を形成する工程と、前記ｎ型半導体層上に活性層を形成する工程と、前記活性層上部に配置され、ｐ型不純物を含む第１窒化物系半導体層と、前記第１窒化物系半導体層上に配置され、前記第１窒化物系半導体層のｐ型不純物よりも低濃度のｐ型不純物を含む第２窒化物系半導体層と、前記第２窒化物系半導体層上に配置され、前記第２窒化物系半導体層のｐ型不純物よりも高濃度で、かつ前記第１窒化物系半導体層のｐ型不純物よりも低濃度のｐ型不純物を含む第３窒化物系半導体層と、前記第３窒化物系半導体層上に配置され、前記第３窒化物系半導体層のｐ型不純物よりも低濃度のｐ型不純物を含む第４窒化物系半導体層とを積層してｐ型半導体層を形成する工程とを含み、水素を含まないキャリアガスによって原料ガスを供給して、前記第１窒化物系半導体層乃至第４窒化物系半導体層のうち前記第１乃至第３窒化物系半導体層の少なくとも一部を形成し、前記第１窒化物系半導体層乃至第４窒化物系半導体層の前記ｐ型不純物は、Ｍｇである窒化物系半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の窒化物系半導体装置によれば、低温でｐ型半導体層を形成して活性層への熱ダメージを低減させ、かつ順方向電圧Ｖfを低下させ、発光効率を向上させることができる。
本発明によれば、ｐ型半導体層から水素原子を取り除くアニール工程が不要な窒化物系半導体装置の製造方法を提供することができる。
１…基板
２…ｎ型半導体層
３…活性層
４…ｐ型半導体層
５…酸化物電極
６…バッファ層
７…ブロック層
３１…バリア層（ＧａＮ層）
３２…井戸層（ＩｎＧａＮ層）
４１…第１窒化物系半導体層
４２…第２窒化物系半導体層
４３…第３窒化物系半導体層
４４…第４窒化物系半導体層
１００…ｐ側電極
２００…ｎ側電極
３１０…最終バリア層
３１１〜３１ｎ…バリア層
３２１〜３２ｎ…井戸層
２…ｎ型半導体層
３…活性層
４…ｐ型半導体層
５…酸化物電極
６…バッファ層
７…ブロック層
３１…バリア層（ＧａＮ層）
３２…井戸層（ＩｎＧａＮ層）
４１…第１窒化物系半導体層
４２…第２窒化物系半導体層
４３…第３窒化物系半導体層
４４…第４窒化物系半導体層
１００…ｐ側電極
２００…ｎ側電極
３１０…最終バリア層
３１１〜３１ｎ…バリア層
３２１〜３２ｎ…井戸層
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一または類似の部分には同一または類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、現実のものとは異なることに留意すべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
また、以下に示す実施の形態は、この発明の実施の形態を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施の形態は、各構成部品の配置などを下記のものに特定するものでない。この発明の実施の形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
[第１の実施の形態]
本発明の第１の実施の形態に係る窒化物系半導体装置の模式的断面構造は、図１（ａ）に示すように表され、活性層部分の拡大された模式的断面構造は、図１（ｂ）に示すように表される。
本発明の第１の実施の形態に係る窒化物系半導体装置の模式的断面構造は、図１（ａ）に示すように表され、活性層部分の拡大された模式的断面構造は、図１（ｂ）に示すように表される。
第１の実施の形態に係る窒化物系半導体装置は、図１に示すように、基板１と、基板１上に配置されたバッファ層６と、バッファ層６上に配置され、ｎ型不純物が不純物添加されたｎ型半導体層２と、ｎ型半導体層２上に配置され、ｎ型半導体層２より低い濃度でｎ型不純物が不純物添加されたブロック層７と、ブロック層７上に配置された活性層３と、活性層３上に配置されたｐ型半導体層４と、ｐ型半導体層４上に配置された酸化物電極５とを備える。
活性層３は、図１（ｂ）に示すように、バリア層３１１〜３１ｎ、３１０とそのバリア層３１１〜３１ｎ、３１０よりバンドギャップが小さい井戸層３２１〜３２ｎが交互に配置された積層構造を有する。以下において、活性層３に含まれる第１バリア層３１１〜第ｎバリア層３１ｎを総称して「バリア層３１」という。また、活性層３に含まれるすべての井戸層を総称して「井戸層３２」という。
上記の積層構造の最上層の最終バリア層３１０の膜厚は、その最終バリア層３１０以外の積層構造に含まれる他のバリア層（第１バリア層３１１〜第ｎバリア層３１ｎ）の厚さより厚く形成されていてもよい。
図１に示した窒化物系半導体装置では、最終バリア層３１０のｐ型ドーパンドの濃度が、ｐ型半導体層４に接する最終バリア層３１０の第１主面から最終バリア層３１０の膜厚方向に沿って漸減し、第１主面に対向する第２主面においてｐ型ドーパンドが存在しない。
基板１には、例えば、ｃ面（０００１）,０．２５°オフのサファイア基板などが採用可能である。ｎ型半導体層２、活性層３及びｐ型半導体層４はそれぞれＩＩＩ族窒化物系半導体からなり、基板１上にバッファ層６、ｎ型半導体層２、ブロック層７、活性層３及びｐ型半導体層４が順次積層される。
（バッファ層）
バッファ層６は、例えば、厚さ約１０〜５０オングストローム程度のＡｌＮ層で形成される。ＡｌＮバッファ層６を結晶成長させる場合、例えば、約９００℃〜９５０℃程度の温度範囲の高温において成長させる。ＡｌＮバッファ層６のＡｌ原料として用いるトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）と、Ｎ原料として用いるアンモニア（ＮＨ3）を、Ｈ2ガスをキャリアとして、交互にパルス的に、反応室に供給することによって、ＡｌＮバッファ層６を結晶成長させている。例えば、サイクル数は約３〜５程度でもよい。
バッファ層６は、例えば、厚さ約１０〜５０オングストローム程度のＡｌＮ層で形成される。ＡｌＮバッファ層６を結晶成長させる場合、例えば、約９００℃〜９５０℃程度の温度範囲の高温において成長させる。ＡｌＮバッファ層６のＡｌ原料として用いるトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）と、Ｎ原料として用いるアンモニア（ＮＨ3）を、Ｈ2ガスをキャリアとして、交互にパルス的に、反応室に供給することによって、ＡｌＮバッファ層６を結晶成長させている。例えば、サイクル数は約３〜５程度でもよい。
トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）と、アンモニア（ＮＨ3）を、Ｈ2ガスをキャリアとして、交互にパルス的に、反応室に供給することによって、厚さ約１０〜５０オングストローム程度の薄いＡｌＮバッファ層６を、高速に成長させることができ、しかも結晶性も良好に保ちつつ形成することができる。
第１の実施の形態に係る窒化物系半導体装置によれば、高温ＡｌＮバッファ層上に形成されるＩＩＩ族窒化物系半導体の結晶性および表面モフォロジーを改善することができる。
（ブロック層）
ｎ型半導体層２と活性層３間に配置されたブロック層７は、例えばｎ型不純物としてＳｉを１×１０17ｃｍ-3未満で不純物添加した膜厚約５０ｎｍ程度のＩＩＩ族窒化物系半導体、例えばＧａＮ層等が採用可能である。
ｎ型半導体層２と活性層３間に配置されたブロック層７は、例えばｎ型不純物としてＳｉを１×１０17ｃｍ-3未満で不純物添加した膜厚約５０ｎｍ程度のＩＩＩ族窒化物系半導体、例えばＧａＮ層等が採用可能である。
図１に示した窒化物系半導体装置では、例えばｎ型半導体層２にＳｉが３×１０18ｃｍ-3程度不純物添加された場合に、Ｓｉが約８×１０16ｃｍ-3程度不純物添加されたブロック層７をｎ型半導体層２と活性層３間に配置することにより、活性層３の形成工程及びその工程以後の製造工程におけるｎ型半導体層２から活性層３へのＳｉの拡散を防止できる。
つまり、活性層３内にＳｉが拡散せず、活性層３で発生する光の輝度の低下が防止される。更に、活性層３で発光させるためにｎ型半導体層２とｐ型半導体層４間にバイアスが印加された場合に、ｎ型半導体層２から活性層３に供給された電子が活性層３を通過してｐ型半導体層４に到達するオーバーフローを防止することができ、窒化物系半導体装置から出力される光の輝度の低下を防止できる。
ブロック層７のＳｉ濃度は、１×１０17ｃｍ-3未満である。これは、ブロック層７のＳｉ濃度が高すぎる場合、ｎ型半導体層２から供給された電子が活性層３を超えてｐ型半導体層４までオーバーフローし、ｐ型半導体層４内で正孔と再結合してしまい、活性層３中での再結合の割合が減少し、活性層３で発生する光の輝度が低下するためである。一方、ブロック層７のＳｉ濃度が低すぎる場合は、型半導体層２から活性層３へ注入させる電子のキャリア密度を上昇することができない。そのため、ブロック層７のＳｉ濃度は、約５×１０16〜１×１０17ｃｍ-3未満であることが好ましい。
以上に説明したように、第１の実施の形態に係る窒化物系半導体装置では、ｎ型半導体層２と活性層３間にブロック層７を配置することにより、製造工程中でのｎ型半導体層２から活性層３へのＳｉの拡散、及び発光時におけるｎ型半導体層２からｐ型半導体層４への電子のオーバーフローを防止することができ、窒化物系半導体装置から出力される光の輝度の低下を防止できる。その結果、図１に示す窒化物系半導体装置の品質の劣化を防止できる。
（ｎ型半導体層）
ｎ型半導体層２は、電子を活性層３に供給し、ｐ型半導体層４は、正孔（ホール）を活性層３に供給する。供給された電子及び正孔が活性層３で再結合することにより、光が発生する。
ｎ型半導体層２は、電子を活性層３に供給し、ｐ型半導体層４は、正孔（ホール）を活性層３に供給する。供給された電子及び正孔が活性層３で再結合することにより、光が発生する。
ｎ型半導体層２は、シリコン（Ｓｉ）等のｎ型不純物を不純物添加した膜厚１〜６μｍ程度のＩＩＩ族窒化物系半導体、例えばＧａＮ層等が採用可能である。
（ｐ型半導体層）
ｐ型半導体層４は、ｐ型不純物を不純物添加した膜厚０．０５〜１μｍ程度のＩＩＩ族窒化物系半導体、例えばＧａＮ層等が採用可能である。ｐ型不純物としては、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、カルシウム（Ｃａ）、ベリリウム（Ｂｅ）、炭素（Ｃ）等が使用可能である。
ｐ型半導体層４は、ｐ型不純物を不純物添加した膜厚０．０５〜１μｍ程度のＩＩＩ族窒化物系半導体、例えばＧａＮ層等が採用可能である。ｐ型不純物としては、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、カルシウム（Ｃａ）、ベリリウム（Ｂｅ）、炭素（Ｃ）等が使用可能である。
ｐ型半導体層４の構成例は、さらに詳細には以下の通りである。すなわち、ｐ型半導体層４は、図１（ａ）に示すように、活性層３の上部に配置され,ｐ型不純物を含む第１窒化物系半導体層４１と、第１窒化物系半導体層４１上に配置され,第１窒化物系半導体層４１のｐ型不純物よりも低濃度のｐ型不純物を含む第２窒化物系半導体層４２と、第２窒化物系半導体層４２上に配置され,第２窒化物系半導体層４２のｐ型不純物よりも高濃度のｐ型不純物を含む第３窒化物系半導体層４３と、第３窒化物系半導体層４３上に配置され,第３窒化物系半導体層４３のｐ型不純物よりも低濃度のｐ型不純物を含む第４窒化物系半導体層４４とを備える。
第２窒化物系半導体層４２の厚さは、第１窒化物系半導体層４１、或いは第３窒化物系半導体層４３乃至第４窒化物系半導体層４４の厚さよりも厚く形成される。
ここで、具体的に各層の材料と厚さを説明する。活性層３の上部に配置されるｐ型不純物を含む第１窒化物系半導体層４１は、例えばＭｇを不純物添加された約２×１０20ｃｍ-3、厚さ約５０ｎｍ程度のｐ型ＧａＮ層で形成される。
第１窒化物系半導体層４１上に配置され,第１窒化物系半導体層４１のｐ型不純物よりも低濃度のｐ型不純物を含む第２窒化物系半導体層４２は、例えばＭｇを不純物添加された約４×１０19ｃｍ-3、厚さ約１００ｎｍ程度のｐ型ＧａＮ層で形成される。
第２窒化物系半導体層４２上に配置され,第２窒化物系半導体層４２のｐ型不純物よりも高濃度のｐ型不純物を含む第３窒化物系半導体層４３は、例えばＭｇを不純物添加された約１×１０20ｃｍ-3、厚さ約４０ｎｍ程度のｐ型ＧａＮ層で形成される。
第３窒化物系半導体層４３上に配置され,第３窒化物系半導体層４３のｐ型不純物よりも低濃度のｐ型不純物を含む第４窒化物系半導体層４４は、例えばＭｇを不純物添加された約８×１０19ｃｍ-3、厚さ約１０ｎｍ程度のｐ型ＧａＮ層で形成される。
本発明の第１の実施の形態に係る窒化物系半導体装置において、インジウムを含む多重量子井戸からなる活性層３の上に形成されるｐ型半導体層４は、上記のように、Ｍｇ濃度の異なる４層構造のｐ型ＧａＮ層からなり、上記の濃度でドーピングされている。ｐ型ＧａＮ層は、活性層３への熱ダメージを低減させるために、約８００℃〜９００℃の低温で成長する。
活性層３に一番近い第１窒化物系半導体層４１は、Ｍｇ濃度が高いほど発光強度が高くなるため、Ｍｇ濃度は高ければ高いほど望ましい。
第２窒化物系半導体層４２は、Ｍｇを不純物添加しすぎると、Ｍｇに起因する結晶欠陥が増加し、膜の抵抗が高くなるため、１０19ｃｍ-3台の半ば程度のＭｇ濃度とすることが望ましい。
第３窒化物系半導体層４３は、活性層３への正孔注入量を決める層であるため、第２窒化物系半導体層４２よりはやや高めのＭｇ濃度とすることが望ましい。
第４窒化物系半導体層４４は、酸化物電極５とのオーミックコンタクトを取るためのｐ型ＧａＮ層であり、実質的に空乏化されている。酸化物電極５として、例えば、ＧａまたはＡｌが１×１０19〜５×１０21ｃｍ-3程度不純物添加されたＺｎＯ電極を用いた場合、窒化物系半導体装置の順方向電圧Ｖfを最も下げる時のＭｇ濃度となるように、第４窒化物系半導体層４４には、Ｍｇが不純物添加される。
ｐ型ＧａＮ層を４層成長させる場合、ｐ側電極１００に近い第３窒化物系半導体層４３、第４窒化物系半導体層４４は、膜中の正孔濃度を上昇させる必要があるため、キャリアガス中のＨ2ガス量を多くする。また、活性層３に近い第１窒化物系半導体層４１、第２窒化物系半導体層４２は、キャリアガス中のＨ2ガス量を多くする必要はなく、活性層３をＮ2キャリアガスで成長させているその延長で結晶成長させる。これらのｐ型ＧａＮ層を成長させる時は、Ｖ／ＩＩＩ比をなるべく高くした方がより低抵抗な膜を成長させることができ、発光素子の順方向電圧（Ｖf）を下げることができる。
第１の実施の形態に係る窒化物系半導体装置によれば、低温でｐ型半導体層を形成して活性層への熱ダメージを低減させ、かつ順方向電圧（Ｖf）を低下させ、発光効率を向上させることができる。
（活性層）
活性層３は、図１（ｂ）に示すように、第１バリア層３１１〜第ｎバリア層３１ｎ及び最終バリア層３１０でそれぞれ挟まれた第１井戸層３２１〜第ｎ井戸層３２ｎを有する多重量子井戸（ＭＱＷ）構造である（ｎ：自然数）。つまり、活性層３は、井戸層３２を井戸層３２よりもバンドギャップの大きなバリア層３１でサンドイッチ状に挟んだ量子井戸構造を単位ペア構造とし、この単位ペア構造をｎ回積層したｎペア構造を有する。
活性層３は、図１（ｂ）に示すように、第１バリア層３１１〜第ｎバリア層３１ｎ及び最終バリア層３１０でそれぞれ挟まれた第１井戸層３２１〜第ｎ井戸層３２ｎを有する多重量子井戸（ＭＱＷ）構造である（ｎ：自然数）。つまり、活性層３は、井戸層３２を井戸層３２よりもバンドギャップの大きなバリア層３１でサンドイッチ状に挟んだ量子井戸構造を単位ペア構造とし、この単位ペア構造をｎ回積層したｎペア構造を有する。
具体的には、第１井戸層３２１は第１バリア層３１１と第２バリア層３１２の間に配置され、第２井戸層３２２は第２バリア層３１２と第３バリア層３１３の間に配置される。そして、第ｎ井戸層３２ｎは第ｎバリア層３１ｎと最終バリア層３１０の間に配置される。活性層３の第１バリア層３１１は、ｎ型半導体層２上にバッファ層６を介して配置され、活性層３の最終バリア層３１０上にはｐ型半導体層４（４１〜４４）が配置される。
井戸層３２１〜３２ｎは、例えばＩｎxＧａ1-xＮ（０＜ｘ＜１）層によって形成され、バリア層３１１〜３１ｎ，３１０は、例えばＧａＮ層によって形成される。また、多重量子井戸層のペア数は、例えば、６〜１１であることを特徴とする。なお、井戸層３２１〜３２ｎのガリウム（Ｇａ）に対するインジウム（Ｉｎ）の比率｛ｘ／（１−ｘ）｝は、発生させたい光の波長に応じて適宜設定される。
また、井戸層３２１〜３２ｎの厚さは、例えば、約２〜３ｎｍ程度、望ましくは、約２．８ｎｍ程度であり、バリア層３１１〜３１ｎの厚さは約７〜１８ｎｍ程度、望ましくは、約１６．５ｎｍ程度であることを特徴とする。
第１の実施の形態に係る窒化物系半導体装置において、発光出力と量子井戸ペア数との関係は、図４に示すように表される。
第１の実施の形態に係る窒化物系半導体装置において、活性層３内における発光現象を説明するバンド構造は、図５に示すように模式的に表される。
図６は、第１の実施の形態に係る窒化物系半導体装置において、活性層３内における発光現象を説明するバンド構造であって、図６（ａ）は、ＭＱＷが５ペアの場合のバンド構造の模式図、図６（ｂ）は、ＭＱＷが８ペアの場合のバンド構造の模式図、図６（ｃ）は、ＭＱＷが１２ペアの場合のバンド構造の模式図をそれぞれ示す。
従来構造では、ＭＱＷのペア数は、４〜５ペアが用いられているため、図６（ａ）に示すように、ｎ型半導体層２から供給される電子が活性層３を飛び越えてｐ型半導体層４まで流れてしまう。この際、ｐ型半導体層４から供給されるホールが活性層３に達する前に電子と再結合してしまい、活性層３に達するホール濃度が減少する。それにより、ＬＥＤの輝度が減少してしまう。これは、ホールの有効質量が電子に比べて高いためｐ型半導体層４からの注入ホールの移動度が低く、ホールが活性層３に達する前に電子が、ｐ型半導体層４まで到達して、ホールと再結合してしまうからである。
一方、ＭＱＷのペア数が、１２ペアより大きい場合には、図６（ｃ）に示すように、活性層３が厚いために、ｎ型半導体層２から供給される電子は、活性層３内を十分に走行することができない。この際、ｐ型半導体層４から供給されるホールも、活性層３内を十分に走行することができない。このため、活性層３内において、電子とホールの再結合が充分に発生せず、それにより、ＬＥＤの輝度が減少してしまう。
これに対して、ＭＱＷのペア数が、８ペア程度の場合には、図５および図６（ｂ）に示すように、活性層３の厚さが最適化され、ｎ型半導体層２から供給される電子は、活性層３内を十分に走行するとともに、同時に、ｐ型半導体層４から供給されるホールも、活性層３内を十分に走行することができ、活性層３内において、電子とホールの再結合が充分に発生して、それにより、ＬＥＤの輝度を高くすることができる。
ｐ型半導体層４から活性層３への充分な正孔の注入量が確保されており、かつｎ型半導体層２からも活性層３への充分な電子の注入量が確保されている場合においては、発光現象に寄与する活性層３内のＭＱＷは、ｐ型半導体層４から数えて２〜３ペアであってもよい。なお、電子の移動度は正孔の移動度に比べ高いため、発光現象に寄与する活性層３内のＭＱＷは、ｐ型半導体層４側に近い数ペアとなる。
また、図４に示すように、ＭＱＷのペア数が８において発光出力Ｐは最大値Ｐ2を示し、一方、ＭＱＷのペア数が５或いは１２においては発光出力ＰはＰ1(Ｐ1＜Ｐ2)程度であり、ＭＱＷのペア数が５より小さい場合或いは１２よりも大きい場合には、充分な発光出力Ｐを確保することが難しい。
第１の実施の形態に係る窒化物系半導体装置においては、ｎ型半導体層２から供給される電子と、ｐ型半導体層４から供給されるホールが活性層３において効率よく再結合するための活性層３内のＭＱＷペア数を最適化することができる。
（最終バリア層）
最終バリア層３１０の膜厚は、ｐ型半導体層４から活性層３へのＭｇの拡散距離より厚く形成される。
最終バリア層３１０の膜厚は、ｐ型半導体層４から活性層３へのＭｇの拡散距離より厚く形成される。
図１に示した窒化物系半導体装置では、最終バリア層３１０のｐ型不純物の濃度が、ｐ型半導体層４に接する最終バリア層３１０の第１主面から最終バリア層３１０の膜厚方向に沿って漸減し、第１主面に対向する第２主面においてｐ型不純物が存在しない。
図１に示した窒化物系半導体装置の最終バリア層３１０の膜厚ｄ０は、ｐ型半導体層４の形成工程及びその工程以降においてｐ型半導体層４から活性層３に拡散するｐ型不純物が、活性層３の井戸層３２に達しないように設定される。つまり、ｐ型半導体層４から最終バリア層３１０に拡散するｐ型不純物が、ｐ型半導体層４に接する最終バリア層３１０の第１主面に対向する第２主面（最終バリア層３１０が井戸層３２ｎに接する面）まで達しない厚みに膜厚ｄ０が設定される。
ｐ型半導体層４に接する最終バリア層３１０の第１主面でのＭｇ濃度は、例えば、約２×１０20ｃｍ-3程度であり、第１主面に対向する最終バリア層３１０の第２主面に向かってＭｇ濃度は次第に低下し、第１主面から距離約７〜８ｎｍの位置においてＭｇ濃度は約１０16ｃｍ-3以下の影響を及ぼさず、分析での検出下限界以下になる。即ち、最終バリア層３１０の膜厚ｄ０を、約１０ｎｍ程度にすることにより、Ｍｇは最終バリア層３１０の第２主面まで拡散せず、そのため、活性層３と接する最終バリア層３１０の第２主面にはＭｇは存在しない。つまり、第ｎ井戸層３２ｎ内にＭｇが拡散せず、活性層３で発生する光の輝度の低下が防止される。
なお、第１バリア層３１１〜第ｎバリア層３１ｎの膜厚ｄ１〜ｄｎは、同一であってもよい。ただし、膜厚ｄ１〜ｄｎは、ｎ型半導体層２から活性層３に注入される正孔が第ｎ井戸層３２ｎに到達し、第ｎ井戸層３２ｎで電子と正孔の再結合による発光が生じ得る厚さに設定する必要がある。第１バリア層３１１〜第ｎバリア層３１ｎの膜厚ｄ１〜ｄｎが厚すぎると活性層３中での正孔の移動が妨げられ、発光効率が低下するためである。
例えば、最終バリア層３１０の膜厚ｄ０は約２６．５ｎｍ程度であり、第１バリア層３１１〜第ｎバリア層３１ｎの膜厚ｄ１〜ｄｎは約７〜１８ｎｍ程度であり、第１井戸層３２１〜第ｎ井戸層３２ｎの膜厚は約２〜３ｎｍ程度である。
以上に説明したように、第１の実施の形態に係る窒化物系半導体装置では、ｐ型半導体層４に接する最終バリア層３１０の膜厚ｄ０が、ｐ型半導体層４から活性層３に拡散するｐ型ドーパンドが活性層３の井戸層３２に到達しない厚さに設定される。つまり、図１に示した窒化物系半導体装置によれば、最終バリア層３１０の膜厚ｄ０をＭｇの拡散距離より厚く設定することにより、活性層３全体の膜厚の増大を抑制しつつ、ｐ型半導体層４から活性層３の井戸層３２へのｐ型不純物の拡散を防止できる。その結果、井戸層３２へのｐ型不純物の拡散に起因する光の輝度の低下が生じず、窒化物系半導体装置の品質の劣化が抑制された窒化物系半導体装置を製造することができる。
（電極構造）
第１の実施の形態に係る窒化物系半導体装置は、図３に示すように、ｎ型半導体層２に電圧を印加するｎ側電極２００と、ｐ型半導体層４に電圧を印加するｐ側電極１００を更に備える。図３に示すように、ｐ型半導体層４、活性層３、ブロック層７、及びｎ型半導体層２の一部領域をメサエッチングして露出させたｎ型半導体層２の表面に、ｎ側電極２００が配置される。
第１の実施の形態に係る窒化物系半導体装置は、図３に示すように、ｎ型半導体層２に電圧を印加するｎ側電極２００と、ｐ型半導体層４に電圧を印加するｐ側電極１００を更に備える。図３に示すように、ｐ型半導体層４、活性層３、ブロック層７、及びｎ型半導体層２の一部領域をメサエッチングして露出させたｎ型半導体層２の表面に、ｎ側電極２００が配置される。
ｐ側電極１００は、ｐ型半導体層４上に酸化物電極５を介して配置される。或いはまた、ｐ側電極１００は、ｐ型半導体層４上に直接配置されていても良い。第４窒化物系半導体層４４上に配置される酸化物電極５からなる透明電極は、例えば、ＺｎＯ、ＩＴＯ若しくはインジウムを含有するＺｎＯのいずれかを含む。
ｎ側電極２００は、例えばアルミニウム（Ａｌ）膜、Ｔｉ／Ｎｉ／ＡｕまたはＡｌ／Ｔｉ／Ａｕ，Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕ，Ａｌ／Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕの多層膜、或いは上層からＡｕ-Ｓｎ／Ｔｉ／Ａｕ／Ｎi／Ａｌの多層膜からなり、ｐ側電極１００は、例えばＡｌ膜、パラジウム（Ｐｄ）−金（Ａｕ）合金膜、Ｎｉ／Ｔｉ／Ａｕの多層膜、或いは上層からＡｕ-Ｓｎ／Ｔｉ／Ａｕの多層膜からなる。そして、ｎ側電極２００はｎ型半導体層２に、ｐ側電極１００は、酸化物電極５を介してｐ型半導体層４に、それぞれオーミック接続される。
本発明の第１の実施の形態に係る窒化物系半導体装置をフリップチップ構造に実装するために、ｐ側電極１００の表面とｎ側電極２００の表面を、基板１から測った高さが同じ高さとなるように形成してもよい。
酸化物電極５として透明導電膜ＺｎＯを形成し、このＺｎＯを、発光する光の波長λに対して反射する反射積層膜で覆う構造を備えていても良い。反射積層膜はλ／４ｎ1とλ／４ｎ2の積層構造（ｎ1，ｎ2は積層する層の屈折率）を有し、積層構造に用いる材料としては、例えばλ＝４５０ｎｍの青色光に対して、ＺｒＯ2(ｎ＝２．１２)とＳｉＯ2(ｎ＝１．４６)からなる積層構造を用いることができる。この場合の各層の厚さは、ＺｒＯ2を、例えば約５３ｎｍ、ＳｉＯ2を、例えば約７７ｎｍとする。積層構造を形成するための他の材料としては、ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3などを用いることもできる。
第１の実施の形態に係る窒化物系半導体装置によれば、反射積層膜により活性層３内で発光した光を、ｎ側電極１００で吸収されることなく外部に取り出すことができるため、外部発光効率を向上することができる。
（製造方法）
以下に、図１に示した第１の実施の形態に係る窒化物系半導体装置の製造方法の例を説明する。なお、以下に述べる窒化物系半導体装置の製造方法は一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々の製造方法により実現可能であることは勿論である。ここでは、基板１にサファイア基板を適用する例を説明する。
以下に、図１に示した第１の実施の形態に係る窒化物系半導体装置の製造方法の例を説明する。なお、以下に述べる窒化物系半導体装置の製造方法は一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々の製造方法により実現可能であることは勿論である。ここでは、基板１にサファイア基板を適用する例を説明する。
（ａ）まず、良く知られた有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法等でサファイア基板１上にＡｌＮバッファ層６を成長させる。例えば、約９００℃〜９５０℃程度の高温において、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）と、アンモニア（ＮＨ3）を、Ｈ2ガスをキャリアとして、交互にパルス的に、反応室に供給することによって、厚さ約１０〜５０オングストローム程度の薄いＡｌＮバッファ層６を、短時間に成長させる。
（ｂ）次に、ＡｌＮバッファ層６上に、ＭＯＣＶＤ法などにより、ｎ型半導体層２となるＧａＮ層を成長させる。例えば、ＡｌＮバッファ層６を形成した基板１をサーマルクリーニングした後、基板温度を１０００°Ｃ程度に設定して、ＡｌＮバッファ層６上に、ｎ型不純物を不純物添加したｎ型半導体層２を１〜５μｍ程度成長させる。ｎ型半導体層２には、例えばｎ型不純物としてＳｉを３×１０18 ｃｍ-3程度の濃度で不純物添加したＧａＮ膜が採用可能である。Ｓｉを不純物添加する場合は、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、アンモニア（ＮＨ3）及びシラン（ＳｉＨ4）を原料ガスとして供給して、ｎ型半導体層２を形成する。
（ｃ）次に、ｎ型半導体層２上にブロック層７として、Ｓｉを１×１０17 ｃｍ-3未満、例えば８×１０16ｃｍ-3程度の濃度で不純物添加したＧａＮ膜を例えば、約２００ｎｍ程度成長させる。このとき、ｎ型半導体層２を形成した場合と同様の原料ガスを適用可能である。
（ｄ）次に、活性層３をｎ型半導体層２上に形成する。例えば、ＧａＮ膜からなるバリア層３１とＩｎＧａＮ膜からなる井戸層３２を交互に積層して、活性層３が形成される。具体的には、活性層３を形成する際の基板温度及び原料ガスの流量を調整しながら、バリア層３１と井戸層３２を交互に連続して成長させ、バリア層３１と井戸層３２が積層してなる活性層３が形成される。即ち、基板温度及び原料ガスの流量を調節することによって井戸層３２及び井戸層３２よりバンドギャップが大きいバリア層３１を積層する工程を単位工程とし、この単位工程をｎ回、例えば８回程度繰り返して、バリア層３１と井戸層３２が交互に積層された積層構造を得る。
例えば、基板温度Ｔａでバリア層３１が形成され、基板温度Ｔｂ（Ｔａ＞Ｔｂ）で井戸層３２が形成される。即ち、基板温度がＴａに設定された時刻ｔ１０〜ｔ１１において第１バリア層３１１が形成される。次いで、時刻ｔ１１で基板温度がＴｂに設定され、時刻ｔ１１〜時刻ｔ２０において第１井戸層３２１が形成される。その後も同様に、時刻ｔ２０〜ｔ２１において基板温度Ｔａで第２バリア層３１２が形成され、時刻ｔ２１〜時刻ｔ３０において基板温度Ｔｂで第２井戸層３２２が形成される。そして、時刻ｔｎ０〜ｔｎ１において基板温度Ｔａで第ｎバリア層３１ｎが形成され、時刻ｔｎ１〜時刻ｔｅにおいて基板温度Ｔｂで第ｎ井戸層３２ｎが形成され、バリア層３１と井戸層３２を交互に積層した積層構造が完成する。
バリア層３１を形成する場合は、原料ガスとして、例えばＴＭＧガスを３００ｓｃｃｍ（standard cc/min）、ＮＨ3ガスを２０ｓｌｍ（standard L/min）の流量でそれぞれ成膜用の処理装置に供給する。一方、井戸層３２を形成する場合は、原料ガスとして、例えばＴＭＧガスを３００ｓｃｃｍ、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）ガスを２８０ｓｃｃｍ、ＮＨ3ガスを２０ｓｌｍの流量でそれぞれ処理装置に供給する。なお、ＴＭＧガスはＧａ原子の原料ガス、ＴＭＩガスはＩｎ原子の原料ガス、ＮＨ3ガスは窒素原子の原料ガスとして供給される。
形成された積層構造上に、最終バリア層３１０としてノンドープのＧａＮ膜を１０ｎｍ程度形成して、図１に示した活性層３が形成される。既に説明したように、最終バリア層３１０の膜厚ｄ０は、ｐ型半導体層４から活性層３に拡散するｐ型ドーパンドが活性層３の井戸層３２に到達しない厚さに設定される。
（ｅ）次いで、基板温度を８００℃〜９００℃程度にして、最終バリア層３１０上に、ｐ型不純物を不純物添加したｐ型半導体層４を０．０５〜１μｍ程度形成する。
ｐ型半導体層４は、例えばｐ型不純物としてＭｇを不純物添加した４層構造に形成する。活性層３の上部に配置される第１窒化物系半導体層４１は、約２×１０20 ｃｍ-3、厚さ約５０ｎｍ程度のｐ型ＧａＮ層で形成し、第２窒化物系半導体層４２は、約４×１０19ｃｍ-3、厚さ約１００ｎｍ程度のｐ型ＧａＮ層で形成し、第３窒化物系半導体層４３は、例えば約１×１０20 ｃｍ-3、厚さ約４０ｎｍ程度のｐ型ＧａＮ層で形成し、第４窒化物系半導体層４４は、約８×１０19ｃｍ-3、厚さ約１０ｎｍ程度のｐ型ＧａＮ層で形成する。
Ｍｇを不純物添加する場合は、ＴＭＧガス、ＮＨ3ガス及びビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ22Ｍｇ）ガスを原料ガスとして供給して、ｐ型半導体層４（４１〜４４）を形成する。ｐ型半導体層４（４１〜４４）の形成時にｐ型半導体層４（４１〜４４）から活性層３にＭｇが拡散するが、最終バリア層３１０により、Ｍｇが活性層３の井戸層３２に拡散することが防止される。
ここで、ｐ型半導体層４の形成工程についてさらに詳細に説明する。
第１の実施の形態に係る窒化物系半導体装置において、４層構造のｐ型半導体層（４１〜４４）を形成する際の温度分布は、図７（ａ）に示すように表される。また、水素ガスフローの条件を説明する図は、図７（ｂ）に示すように表される。また、水素ガスフローの別の条件を説明する図は、図７（ｃ）に示すように表される。また、水素ガスフローのさらに別の条件を説明する図は、図７（ｄ）に示すように表される。また、水素ガスフローのさらに別の条件を説明する図は、図７（ｅ）に示すように表される。
本発明の第１の実施の形態に係る窒化物系半導体装置において、４層構造のｐ型半導体層（４１〜４４）を形成する際の温度分布は、図８（ａ）に示すように表される。また、窒素ガスフローの条件を説明する図は、図８（ｂ）に示すように表される。また、アンモニアガスフローの条件を説明する図は、図８（ｃ）に示すように表される。
図７（ａ）および図８（ａ）に示す温度分布において、時刻ｔ１〜ｔ２の期間Ｔ１は、第１窒化物系半導体層４１を形成する期間であり、時刻ｔ２〜ｔ３の期間Ｔ２は、第２窒化物系半導体層４２を形成する期間であり、時刻ｔ３〜ｔ４の期間Ｔ３は、第３窒化物系半導体層４３を形成する期間であり、時刻ｔ４〜ｔ５の期間Ｔ４は、第４窒化物系半導体層４４を形成する期間である。時刻ｔ５〜ｔ６の期間Ｔ５は、基板温度を８５０℃から３５０℃まで冷却する期間である。
本発明の第１の実施の形態に係る窒化物系半導体装置の製造方法においては、ｎ型半導体層２を形成する工程と、ｎ型半導体層２上に活性層３を形成する工程と、活性層３上に、ｐ型不純物をそれぞれ含む複数のｐ型ＧａＮ層を積層して窒化物系半導体層（４１〜４４）を約８００℃〜９００℃程度の低温で形成する工程とを含み、水素を含まないキャリアガスによって原料ガスを供給して、複数のｐ型ＧａＮ層の少なくとも一部を形成する。
水素を含むキャリアガスによってｐ型半導体層４を形成する場合、Ｍｇと一緒に取り込まれる水素原子によってＭｇが活性化されにくくなり、ｐ型半導体層４のｐ型化が阻害される原因となる。そのため、ｐ型半導体層４を形成後、水素原子を取り除いてｐ型半導体層４をｐ型化するためのアニール（以下において「ｐ型化アニール」という。）を実施する必要がある。
しかし、第１の実施の形態に係る窒化物系半導体装置の製造方法によれば、第１窒化物系半導体層４１〜第４窒化物系半導体層４４のうち少なくとも一層を、水素を含まないキャリアガスによってＭｇの原料ガスを供給して形成することにより、ｐ型化アニールの工程を省略できる。ｐ型半導体層４のどの部分を水素を含まないキャリアガスによって形成するかは任意に設定可能であり、例えば第１窒化物系半導体層４１〜第３窒化物系半導体層４３を水素を含まないキャリアガスによって形成し、第４窒化物系半導体層４４のみを水素を含むキャリアガスによって形成してもよい。
例えば、図７（ｂ）に示すように、第１窒化物系半導体層４１〜第４窒化物系半導体層４４の内、膜厚の厚い第２窒化物系半導体層４２や、Ｍｇ濃度の高い第１窒化物系半導体層４１を、水素を含まないキャリアガスによって形成することが、ｐ型化アニールの工程を省略する点で好ましい。例えば、図７（ｃ）は、第１窒化物系半導体層４１〜第４窒化物系半導体層４４の内、第１窒化物系半導体層４１〜第３窒化物系半導体層４３を、水素を含まないキャリアガスによって形成する例である。図７（ｄ）は、第１窒化物系半導体層４１および第３窒化物系半導体層４３を、水素を含まないキャリアガスによって形成する例である。図７（ｅ）は、第２窒化物系半導体層４２および第３窒化物系半導体層４３を、水素を含まないキャリアガスによって形成する例である。
一方、図７（ｂ）乃至図７（ｅ）に示すように、ｐ側電極１００と接する第４窒化物系半導体層４４は、結晶状態をできるだけよくするために、水素を含むキャリアガスによってＭｇの原料ガスを供給して形成することが好ましい。これは、一般に、水素を含むキャリアガスによってＭｇの原料ガスを供給する場合の方が、水素を含まないキャリアガスによって形成する場合に比べて、Ｍｇを不純物添加したｐ型半導体層の結晶状態がよいためである。
以下に、第１の実施の形態に係る窒化物系半導体装置の製造方法におけるｐ型膜形成方法について説明する。なお、以下に述べるｐ型膜形成方法は一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々の方法により実現可能であることは勿論である。ここでは、ｐ型不純物としてＭｇを採用し、図７（ｂ）に示すように、第１窒化物系半導体層４１及び第２窒化物系半導体層４２を水素を含まないキャリアガスによって形成し、第３窒化物系半導体層４３及び第４窒化物系半導体層４４を水素を含むキャリアガスによって形成する場合を例示的に説明する。
図７乃至図８に示すように、ｐ型半導体層４を形成する基板温度Ｔｐは８５０℃、圧力は２００Ｔｏｒｒで共通に設定される。
（工程１）時刻ｔ１〜時刻ｔ２において、キャリアガスとしてＮ2ガスを供給して、原料ガスとしてＮＨ3ガス、ＴＭＧガス、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2Ｍｇ）ガスをそれぞれ処理装置に供給して第１窒化物系半導体層４１が形成される。時刻ｔ１〜時刻ｔ２間を５分として、膜厚＝５０ｎｍ、Ｍｇ濃度＝２×１０20ｃｍ-3の第１窒化物系半導体層４１が形成される。
（工程２）時刻ｔ２〜時刻ｔ３において、キャリアガスとしてＮ2ガスを供給して、原料ガスとしてＮＨ3ガス、ＴＭＧガス、Ｃｐ2Ｍｇガスをそれぞれ処理装置に供給して第２窒化物系半導体層４２が形成される。時刻ｔ２〜時刻ｔ３間を２１分として、膜厚＝１００ｎｍ、Ｍｇ濃度＝４×１０19ｃｍ-3の第２窒化物系半導体層４２が形成される。
（工程３）時刻ｔ３〜時刻ｔ４において、キャリアガスとしてＨ2ガス、Ｎ2ガスを供給して、原料ガスとしてＮＨ3ガス、ＴＭＧガス、Ｃｐ2Ｍｇガスをそれぞれ処理装置に供給して第３窒化物系半導体層４３が形成される。時刻ｔ３〜時刻ｔ４間を１分として、膜厚＝４０ｎｍ、Ｍｇ濃度＝１×１０20ｃｍ-3の第３窒化物系半導体層４３が形成される。
（工程４）時刻ｔ４〜時刻ｔ５において、キャリアガスとしてＨ2ガス、Ｎ2ガスを供給して、原料ガスとしてＮＨ3ガス、ＴＭＧガス、Ｃｐ2Ｍｇガスをそれぞれ処理装置に供給して第４窒化物系半導体層４４が形成される。時刻ｔ４〜時刻ｔ５間を３分として、膜厚＝１０ｎｍ、Ｍｇ濃度＝８×１０19ｃｍ-3の第４窒化物系半導体層４４が形成される。
（工程５）時刻ｔ５〜時刻ｔ６において、キャリアガスとしてＮ2ガスを供給しながら、基板温度を温度Ｔｐ（８５０℃）から温度Ｔｄ（３５０℃）以下まで温度を下げる。つまり、４００℃以上で行うｐ型化アニールは実施されない。
上記の工程１〜工程５によって、第１窒化物系半導体層４１〜第４窒化物系半導体層４４を含むｐ型半導体層４が形成される。Ｍｇ濃度の高い第１窒化物系半導体層４１、及び膜厚の厚い第２窒化物系半導体層４２をＨ2ガスを含まないキャリアガスによって形成するため、ｐ型化アニールを実施しなくても、ｐ型半導体としてｐ型半導体層４が得られる。また、Ｈ2ガスを含むキャリアガスを供給して形成することにより第４窒化物系半導体層４４の結晶状態がよくなる。つまり、ｐ型半導体層４のｐ側電極１００と接する表面の結晶状態がよく、ｐ型半導体層４のｐ側電極１００とのコンタクトが良好になる。
上記のようなｐ型半導体層４の形成工程によれば、Ｈ2ガスを含まないキャリアガスを供給してｐ型半導体層４を形成することにより、ｐ型半導体層４にｐ型不純物と一緒にＨ2が取り込まれることがない。そのため、ｐ型半導体層４からＨ2を取り除くためのｐ型化アニールが不要になり、窒化物系半導体装置の製造工程を短縮することができる。
（ｆ）次に、ｐ型半導体層４の上部に蒸着、スパッタリング技術などによって酸化物電極５を形成する。酸化物電極５としては、例えば、ＺｎＯ、ＩＴＯ若しくはインジウムを含有するＺｎＯのいずれかを用いることができる。さらに、ＧａあるいはＡｌなどのｎ型不純物を１×１０19〜５×１０21ｃｍ-3程度まで高濃度に不純物添加しても良い。
（ｇ）次に、酸化物電極５をパターニング後、酸化物電極５を覆うように発光する光の波長λに対して反射する反射積層膜８を蒸着、スパッタリング技術などによって形成する。反射積層膜８に用いる材料としては、例えばλ＝４５０ｎｍの青色光に対して、ＺｒＯ2(ｎ＝２．１２)とＳｉＯ2(ｎ＝１．４６)からなる積層構造を用いる。各層の厚さは、ＺｒＯ2を、例えば約５３ｎｍ、ＳｉＯ2を、例えば約７７ｎｍとしている。
（ｈ）次いで、反射積層膜８およびｐ型半導体層４〜ｎ型半導体層２の途中までを、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）などのエッチング技術を用いて、メサエッチングして除去し、ｎ型半導体層２の表面を露出させる。
（ｉ）次に、露出したｎ型半導体層２の表面にｎ側電極２００、３００を蒸着、スパッタリング技術などにより形成する。ｐ型半導体層４上の酸化物電極５に対しても、パターン形成後ｐ側電極１００を蒸着、スパッタリング技術などにより形成して、図３に示した窒化物系半導体装置が完成する。
（変形例）
第１の実施の形態の変形例に係る窒化物系半導体装置の模式的断面構造は、図２（ａ）に示すように表され、活性層部分の拡大された模式的断面構造は、図２（ｂ）に示すように表される。
第１の実施の形態の変形例に係る窒化物系半導体装置の模式的断面構造は、図２（ａ）に示すように表され、活性層部分の拡大された模式的断面構造は、図２（ｂ）に示すように表される。
第１の実施の形態の変形例に係る窒化物系半導体装置は、図２に示すように、基板１と、基板１上に配置されたバッファ層６と、バッファ層６上に配置され、ｎ型不純物が不純物添加されたｎ型半導体層２と、ｎ型半導体層２上に配置され、ｎ型半導体層２より低い濃度でｎ型不純物が不純物添加されたブロック層７と、ブロック層７上に配置された活性層３と、活性層３上に配置されたｐ型半導体層４と、ｐ型半導体層４上に配置された酸化物電極５とを備える。
第１の実施の形態の変形例に係る窒化物系半導体装置は、活性層３の上部に配置されたｐ型不純物を含む第３窒化物系半導体層４３と、第３窒化物系半導体層上に配置され、第３窒化物系半導体層のｐ型不純物よりも低濃度のｐ型不純物を含む第４窒化物系半導体層と、第４窒化物系半導体層上に配置され、酸化物電極５からなる透明電極とを備える。
また、透明電極は、ＧａもしくはＡｌが１×１０19〜５×１０21ｃｍ-3程度まで不純物添加されたＺｎＯ、ＩＴＯ若しくはインジウムを含有するＺｎＯのいずれかを含む。
第１の実施の形態の変形例に係る窒化物系半導体装置は、第１の実施の形態に係る窒化物系半導体装置の構造上、ｐ型半導体層４が、活性層３の上部に直接配置された第３窒化物系半導体層と、第３窒化物系半導体層上に配置され、第３窒化物系半導体層のｐ型不純物よりも低濃度のｐ型不純物を含む第４窒化物系半導体層からなる２層構造に形成されている。
活性層３の上部に直接配置された第３窒化物系半導体層４３は、例えばＭｇを不純物添加された約１×１０20ｃｍ-3、厚さ約４０ｎｍ程度のｐ型ＧａＮ層で形成される。
第３窒化物系半導体層４３上に配置され,第３窒化物系半導体層４３のｐ型不純物よりも低濃度のｐ型不純物を含む第４窒化物系半導体層４４は、例えばＭｇを不純物添加された約８×１０19ｃｍ-3、厚さ約１０ｎｍ程度のｐ型ＧａＮ層で形成される。
第２の実施の形態に係る窒化物系半導体装置において、インジウムを含む多重量子井戸からなる活性層３の上に形成されるｐ型半導体層４は、上記のように、Ｍｇ濃度の異なる２層構造のｐ型ＧａＮ層からなり、上記の濃度でドーピングされている。ｐ型ＧａＮ層は、活性層３への熱ダメージを低減させるために、約８００℃〜９００℃の低温で成長する。
活性層３に一番近い第３窒化物系半導体層４３は、活性層３への正孔注入量を決める層であるため、Ｍｇ濃度が高いほど発光強度が高くなる。このため、Ｍｇ濃度は高ければ高いほど望ましい。
第４窒化物系半導体層４４は、酸化物電極５とのオーミックコンタクトを取るためのｐ型ＧａＮ層であり、実質的に空乏化されている。酸化物電極５として、例えば、ＧａまたはＡｌが１×１０19 〜５×１０21ｃｍ-3程度不純物添加されたＺｎＯ電極を用いた場合、窒化物系半導体装置の順方向電圧Ｖfを最も下げる時のＭｇ濃度となるように、第４窒化物系半導体層４４には、Ｍｇが不純物添加される。
ｐ型ＧａＮ層を４層成長させる場合、ｐ側電極１００に近い第３窒化物系半導体層４３、第４窒化物系半導体層４４は、膜中の正孔濃度を上昇させる必要があるため、キャリアガス中のＨ2ガス量を多くする。或いはまた、活性層３に近い第３窒化物系半導体層４３は、キャリアガス中のＨ2ガス量を多くする必要はなく、活性層３をＮ2キャリアガスで成長させているその延長で結晶成長させてもよい。
第１の実施の形態の変形例に係る窒化物系半導体装置においてもＡｌＮバッファ層６、ｎ型半導体層２、ブロック層７、活性層３、ｐ型半導体層４、最終バリア層３１０、反射積層膜８および電極構造は第１の実施の形態に係る窒化物系半導体装置と同様であるため、説明は省略する。
第１の実施の形態およびその変形例に係る窒化物系半導体装置によれば、低温でｐ型半導体層を形成して活性層への熱ダメージを低減させ、かつ順方向電圧Ｖfを低下させ、発光効率を向上させることができる。
[第２の実施の形態]
本発明の第２の実施の形態に係る窒化物系半導体装置の製造方法は、ｎ型半導体層を形成する工程と、ｎ型半導体層上に活性層を形成する工程と、活性層上に、ｐ型ドーパンドをそれぞれ含む複数の窒化物系半導体層を積層してｐ型半導体層を形成する工程とを含み、水素を含まないキャリアガスによって原料ガスを供給して、複数の窒化物系半導体層の少なくとも一部を形成する。
本発明の第２の実施の形態に係る窒化物系半導体装置の製造方法は、ｎ型半導体層を形成する工程と、ｎ型半導体層上に活性層を形成する工程と、活性層上に、ｐ型ドーパンドをそれぞれ含む複数の窒化物系半導体層を積層してｐ型半導体層を形成する工程とを含み、水素を含まないキャリアガスによって原料ガスを供給して、複数の窒化物系半導体層の少なくとも一部を形成する。
上記の製造方法により製造される窒化物系半導体装置の例を、図９に示す。図９に示す窒化物系半導体装置は、基板１と、基板１上に配置されたｎ型半導体層２と、ｎ型半導体層２上に配置された活性層３と、活性層３上に配置されたｐ型半導体層４とを備える窒化物系半導体装置である。図９に示すように、ｐ型半導体層４は第１窒化物系半導体層４１〜第４窒化物系半導体層４４を有する。ｐ型半導体層４の構造の詳細については後述する。
図９に示す窒化物系半導体装置は、ｎ型半導体層２に電圧を印加するｎ側電極２００、及びｐ型半導体層４に電圧を印加するｐ側電極１００とを更に備える。ｎ側電極２００は、ｐ型半導体層４、活性層３及びｎ型半導体層２の一部領域をメサエッチングして露出させたｎ型半導体層２の表面に配置される。ｐ側電極１００は、ｐ型半導体層４上に配置される。ｎ側電極２００は、例えばアルミニウム（Ａｌ）膜からなり、ｐ側電極１００は、例えばチタン（Ｔｉ）膜やニッケル（Ｎｉ）膜、又はインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）膜、酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜等の透明電極、或いはパラジウム（Ｐｄ）−金（Ａｕ）合金膜からなる。そして、ｎ側電極２００はｎ型半導体層２に、ｐ側電極１００はｐ型半導体層４に、それぞれオーミック接続される。
図９に示した窒化物系半導体装置では、ｎ型半導体層２が電子を活性層３に供給し、ｐ型半導体層４が正孔を活性層３に供給する。供給された電子及び正孔が活性層３で再結合することにより、光が発生する。
基板１には、例えばサファイア基板等が採用可能である。ｎ型半導体層２は、ｎ型ドーパントであるシリコン（Ｓｉ）等をドープした膜厚０．２〜５μｍ程度のＩＩＩ族窒化物半導体、例えばＧａＮ層等が採用可能である。
活性層３は、井戸層３２を井戸層３２よりもバンドギャップの大きなバリア層３１でサンドイッチ状に挟んだ量子井戸構造を有する。また、活性層３は、井戸層をバリア層でサンドイッチ状に挟んだ量子井戸構造を単位構造とし、この単位構造をｎ回積層した多重量子井戸（ＭＱＷ）構造としてもよい（ｎ：自然数）。ＭＱＷ構造にした場合、活性層３は、例えば図１０に示すように、第１バリア層３１１〜第ｎバリア層３１ｎ及び最終バリア層３１０でそれぞれ挟まれた第１井戸層３２１〜第ｎ井戸層３２ｎを有する。具体的には、第１井戸層３２１は第１バリア層３１１と第２バリア層３１２の間に配置され、図示を省略する第２井戸層は第２バリア層３１２と第３バリア層（不図示）の間に配置される。そして、第ｎ井戸層３２ｎは第ｎバリア層３１ｎと最終バリア層３１０の間に配置される。活性層３の第１バリア層３１１は、ｎ型半導体層２上に配置され、活性層３の最終バリア層３１０上にｐ型半導体層４の第１窒化物系半導体層４１が配置される。
バリア層３１は、例えばＧａＮ膜からなり、井戸層３２は、例えば窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）膜からなる。なお、井戸層３２のガリウム（Ｇａ）に対するインジウム（Ｉｎ）の比率は、発生させたい光の波長に応じて適宜設定される。また、バリア層３１として、井戸層３２よりもＩｎの組成が小さいＩｎＧａＮ膜を採用してもよい。
ｐ型半導体層４は、ｐ型ドーパントをドープしたＩＩＩ族窒化物半導体、例えばＧａＮ層等が採用可能である。ｐ型ドーパントとしては、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、カルシウム（Ｃａ）、ベリリウム（Ｂｅ）、炭素（Ｃ）等が使用可能である。以下では、ｐ型ドーパントとしてＭｇをドープする場合について例示的に説明する。
図９に示したｐ型半導体層４は、第１窒化物系半導体層４１、第２窒化物系半導体層４２、第３窒化物系半導体層４３及び第４窒化物系半導体層４４がこの順に積層された構造を有する。ｐ型ドーパントとしてＭｇをドープした場合の、第１窒化物系半導体層４１〜第４窒化物系半導体層４４の膜厚及びＭｇ濃度の例を以下に示す：
（１）第１窒化物系半導体層４１：膜厚＝５０ｎｍ、Ｍｇ濃度＝２×１０20 ｃｍ-3
（２）第２窒化物系半導体層４２：膜厚＝１００ｎｍ、Ｍｇ濃度＝４×１０19 ｃｍ-3
（３）第３窒化物系半導体層４３：膜厚＝４０ｎｍ、Ｍｇ濃度＝１×１０20 ｃｍ-3
（４）第４窒化物系半導体層４４：膜厚＝１０ｎｍ、Ｍｇ濃度＝８×１０19 ｃｍ-3
既に述べたように、水素を含むキャリアガスによってｐ型半導体層４を形成する場合、Ｍｇと一緒に取り込まれる水素原子によってＭｇが活性化されにくくなり、ｐ型半導体層のｐ型化が阻害される原因となる。そのため、ｐ型半導体層４を形成後、水素原子を取り除いてｐ型半導体層４をｐ型化するためのｐ型化アニールを実施する必要がある。
（１）第１窒化物系半導体層４１：膜厚＝５０ｎｍ、Ｍｇ濃度＝２×１０20 ｃｍ-3
（２）第２窒化物系半導体層４２：膜厚＝１００ｎｍ、Ｍｇ濃度＝４×１０19 ｃｍ-3
（３）第３窒化物系半導体層４３：膜厚＝４０ｎｍ、Ｍｇ濃度＝１×１０20 ｃｍ-3
（４）第４窒化物系半導体層４４：膜厚＝１０ｎｍ、Ｍｇ濃度＝８×１０19 ｃｍ-3
既に述べたように、水素を含むキャリアガスによってｐ型半導体層４を形成する場合、Ｍｇと一緒に取り込まれる水素原子によってＭｇが活性化されにくくなり、ｐ型半導体層のｐ型化が阻害される原因となる。そのため、ｐ型半導体層４を形成後、水素原子を取り除いてｐ型半導体層４をｐ型化するためのｐ型化アニールを実施する必要がある。
しかし、第２の実施の形態に係る窒化物系半導体装置の製造方法によれば、第１窒化物系半導体層４１〜第４窒化物系半導体層４４のうち少なくとも一層を、水素を含まないキャリアガスによってＭｇの原料ガスを供給して形成することにより、ｐ型化アニールの工程を省略できる。例えば、第１窒化物系半導体層４１〜第４窒化物系半導体層４４のうち膜厚の厚い第２窒化物系半導体層４２や、Ｍｇ濃度の高い第１窒化物系半導体層４１を、水素を含まないキャリアガスによって形成することが、ｐ型化アニールの工程を省略する点で好ましい。
一方、ｐ側電極１００と接する第４窒化物系半導体層４４は、結晶状態をできるだけよくするために、水素を含むキャリアガスによってＭｇの原料ガスを供給して形成することが好ましい。これは、一般に、水素を含むキャリアガスによってＭｇの原料ガスを供給する場合の方が、水素を含まないキャリアガスによって形成する場合に比べて、Ｍｇをドープした窒化物系半導体層の結晶状態がよいためである。
以下に、第２の実施の形態に係る窒化物系半導体装置の製造方法を、図９に示した窒化物系半導体装置を製造する場合を例にして説明する。なお、以下に述べる窒化物系半導体装置の製造方法は一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々の製造方法により実現可能であることは勿論である。ここでは、ｐ型ドーパントとしてＭｇを採用し、第１窒化物系半導体層４１及び第２窒化物系半導体層４２を水素を含まないキャリアガスによって形成し、第３窒化物系半導体層４３及び第４窒化物系半導体層４４を水素を含むキャリアガスによって形成する場合を例示的に説明する。
製造方法としては、良く知られた有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法等でサファイア基板等の基板１上にＧａＮを成長させる。例えば、基板１をサーマルクリーニングした後、基板温度を１０００°Ｃ程度に設定して、基板１上にｎ型半導体層２として、例えばＳｉを３×１０18 ｃｍ-3程度の濃度でドープしたＧａＮ膜を１〜５μｍ程度成長させる。このとき、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、アンモニア（ＮＨ3）及びシラン（ＳＨ4）を原料ガスとして供給して、ｎ型半導体層２を形成する。
次に、例えばＧａＮ膜からなるバリア層３１とＩｎＧａＮ膜からなる井戸層３２を交互に積層して、ｎ型半導体層２上に活性層３を形成する。具体的には、活性層３を形成する際の基板温度及び原料ガスの流量を調整しながら、バリア層３１と井戸層３２よりバンドギャップが大きい井戸層３２を交互に連続して成長させ、バリア層３１と井戸層３２が積層してなる活性層３が形成される。活性層３がＭＱＷ構造の場合は、基板温度及び原料ガスの流量を調節してバリア層３１及び井戸層３２を積層する工程を単位工程とし、この単位工程をｎ回、例えば８回程度繰り返して、バリア層３１と井戸層３２が交互に積層されたＭＱＷ構造を得る。
図１１に、バリア層３１と井戸層３２を積層する例を示す。図１１に示す基板温度Ｔａでバリア層３１が形成され、基板温度Ｔｂで井戸層３２が形成される。即ち、基板温度がＴａに設定された時刻ｔ１０〜ｔ１１において第１バリア層３１１が形成される。次いで、時刻ｔ１１〜ｔ１２において基板温度Ｔｂになるまで基板温度が下げられる。そして時刻ｔ１２〜時刻ｔ１３において、基板温度Ｔｂで第１井戸層３２１が形成される。その後、時刻ｔ１３〜ｔ２０において基板温度Ｔａになるまで基板温度が上げられ、時刻ｔ２０〜ｔ２１において第２バリア層３１２が形成される。その後も同様にして、バリア層３１と井戸層３２がそれぞれ基板温度Ｔａと基板温度Ｔｂで交互に形成される。そして、時刻ｔｎ０〜ｔｎ１において第ｎバリア層３１ｎが形成され、時刻ｔｎ１〜ｔｎ２において基板温度Ｔｂになるまで基板温度が下げられ、時刻ｔｎ２〜時刻ｔｎ３において第ｎ井戸層３２ｎが形成される。そして、時刻ｔｎ３〜ｔｅ０において基板温度Ｔａになるまで基板温度が上げられ、時刻ｔｅ０〜ｔｅ１において最終バリア層３１０が形成されて活性層３が完成する。なお、基板温度の昇温時や降温時では、バリア層３１或いは井戸層３２を成長させることも、成長を中断することもできる。
バリア層３１を形成する場合は、原料ガスとして、例えばＴＭＧガスを３００ｓｃｃｍ（standard cc/min）、ＮＨ3ガスを２０ｓｌｍ（standard L/min）の流量でそれぞれ成膜用の処理装置に供給する。一方、井戸層３２を形成する場合は、原料ガスとして、例えばＴＭＧガスを３００ｓｃｃｍ、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）ガスを２８０ｓｃｃｍ、ＮＨ3ガスを２０ｓｌｍの流量でそれぞれ処理装置に供給する。なお、ＴＭＧガスはＧａ原子の原料ガス、ＴＭＩガスはＩｎ原子の原料ガス、ＮＨ3ガスは窒素原子の原料ガスとして供給される。
次いで、活性層３上に、ｐ型ドーパントとしてＭｇをドープしたｐ型半導体層４を形成する。図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に、ｐ型半導体層４として第１窒化物系半導体層４１〜第４窒化物系半導体層４４を積層する条件の例を示す。図１２（ａ）はｐ型半導体層４形成時の温度プロファイルを示し、図１２（ｂ）は第１窒化物系半導体層４１〜第４窒化物系半導体層４４の成長条件を示す。図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、ｐ型半導体層４を形成する基板温度Ｔｐは８００〜９００℃、圧力は１００〜３００Ｔｏｒｒで共通に設定される。また、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、水素を含まないキャリアガスによって第１窒化物系半導体層４１と第２窒化物系半導体層４２を形成し、水素を含むキャリアガスによって第３窒化物系半導体層４３と第４窒化物系半導体層４４を形成する場合を例示している。
（工程１）時刻ｔ０〜時刻ｔ１において、キャリアガスとしてＮ2ガスを２〜１０ｓｌｍの流量で供給して、原料ガスとしてＮＨ3ガス、ＴＭＧガス、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2Ｍｇ）ガスをそれぞれ処理装置に供給して第１窒化物系半導体層４１が形成される。時刻ｔ０〜時刻ｔ１間を５分として、膜厚＝５０ｎｍ、Ｍｇ濃度＝２×１０20 ｃｍ-3の第１窒化物系半導体層４１が形成される。
（工程２）時刻ｔ１〜時刻ｔ２において、キャリアガスとしてＮ2ガスを２〜１０ｓｌｍの流量で供給して、原料ガスとしてＮＨ3ガス、ＴＭＧガス、Ｃｐ2Ｍｇガスをそれぞれ処理装置に供給して第２窒化物系半導体層４２が形成される。時刻ｔ１〜時刻ｔ２間を２１分として、膜厚＝１００ｎｍ、Ｍｇ濃度＝４×１０19 ｃｍ-3の第２窒化物系半導体層４２が形成される。
（工程３）時刻ｔ２〜時刻ｔ３において、キャリアガスとしてＨ2ガスを１０〜２０ｓｌｍ、Ｎ2ガスを２〜１０ｓｌｍの流量で供給して、原料ガスとしてＮＨ3ガス、ＴＭＧガス、Ｃｐ2Ｍｇガスをそれぞれ処理装置に供給して第３窒化物系半導体層４３が形成される。時刻ｔ２〜時刻ｔ３間を１分として、膜厚＝４０ｎｍ、Ｍｇ濃度＝１×１０20 ｃｍ-3の第３窒化物系半導体層４３が形成される。
（工程４）時刻ｔ３〜時刻ｔ４において、キャリアガスとしてＨ2ガスを１０〜２０ｓｌｍ、Ｎ2ガスを２〜１０ｓｌｍの流量で供給して、原料ガスとしてＮＨ3ガス、ＴＭＧガス、Ｃｐ2Ｍｇガスをそれぞれ処理装置に供給して第４窒化物系半導体層（ｐ型層）４４が形成される。時刻ｔ３〜時刻ｔ４間を３分として、膜厚＝１０ｎｍ、Ｍｇ濃度＝８×１０19 ｃｍ-3の第４窒化物系半導体層４４が形成される。
（工程５）時刻ｔ４〜時刻ｔ５において、キャリアガスとしてＮ2ガスを２０ｓｌｍの流量で供給しながら、基板温度を温度Ｔｐ（８５０℃）から温度Ｔｄ（３５０℃）以下、例えば室温まで温度を下げる。つまり、４００℃以上で行うｐ型化アニールは実施されない。
上記の工程１〜工程５によって、第１窒化物系半導体層４１〜第４窒化物系半導体層４４を含むｐ型半導体層４が形成される。Ｍｇ濃度の高い第１窒化物系半導体層４１、及び膜厚の厚い第２窒化物系半導体層４２をＨ2を含まないキャリアガスによって形成するため、ｐ型化アニールを実施しなくても、ｐ型半導体としてｐ型半導体層４が得られる。また、Ｈ2を含むキャリアガスを供給して形成することにより第４窒化物系半導体層４４の結晶状態がよくなる。つまり、ｐ型半導体層４のｐ側電極１００と接する表面の結晶状態がよく、ｐ型半導体層４のｐ側電極１００とのコンタクトが良好になる。
次に、ｐ型半導体層４〜ｎ型半導体層２の途中までを反応性イオンエッチング等によりメサエッチングして除去し、ｎ型半導体層２の表面を露出させる。その後、露出したｎ型半導体層２の表面にｎ側電極２００を蒸着により形成し、ｐ型半導体層４上にｐ側電極１００を蒸着により形成して、図９に示した窒化物系半導体装置が完成する。
図１３に、ｐ側電極１００とｎ側電極２００との間に電圧Ｖｆを印加した場合に、ｐ側電極１００からｎ側電極２００に流れる電流Ｉｆを示す。図１３において特性Ａは、前述の工程１〜工程５によりｐ型半導体層４を形成し、かつｐ型化アニールを行わない場合のＩｆ−Ｖｆ特性、特性Ｂは、Ｈ2を含むキャリアガスを供給してｐ型半導体層４を形成し、ｐ型化アニールを実施した場合のＩｆ−Ｖｆ特性をそれぞれ示す。図１３から、ｐ型化アニールを行わない場合でも、ｐ型化アニールを行った場合と同等以下の順方向電圧が得られることがわかる。
上記のような第２の実施の形態に係る窒化物系半導体装置およびその製造方法によれば、Ｈ2を含まないキャリアガスを供給してｐ型半導体層４を形成することにより、ｐ型半導体層４にｐ型ドーパントと一緒にＨ2が取り込まれることがない。そのため、ｐ型半導体層４からＨ2を取り除くためのｐ型化アニールが不要になり、窒化物系半導体装置の製造工程を短縮することができる。
[その他の実施の形態]
上記のように、本発明は第１の実施の形態乃至第２の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
上記のように、本発明は第１の実施の形態乃至第２の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
既に述べた実施の形態の説明においては、第１窒化物系半導体層４１及び第２窒化物系半導体層４２を水素を含まないキャリアガスによって形成し、第３窒化物系半導体層４３及び第４窒化物系半導体層４４を水素を含むキャリアガスによって形成する場合を説明した。しかし、ｐ型半導体層４のどの部分を水素を含まないキャリアガスによって形成するかは任意に設定可能であり、例えば第１窒化物系半導体層４１〜第３窒化物系半導体層４３を水素を含まないキャリアガスによって形成し、第４窒化物系半導体層４４のみを水素を含むキャリアガスによって形成してもよい。
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態などを含む。
本発明の窒化物系半導体装置は、量子井戸構造を備えたＬＥＤ素子,ＬＤ素子等の窒化物系半導体装置全般に利用可能である。
Claims (12)
- インジウムを含む多重量子井戸からなる活性層と、
前記活性層上部に配置され、ｐ型不純物を含む第１窒化物系半導体層と、
前記第１窒化物系半導体層上に配置され、前記第１窒化物系半導体層のｐ型不純物よりも低濃度のｐ型不純物を含む第２窒化物系半導体層と、
前記第２窒化物系半導体層上に配置され、前記第２窒化物系半導体層のｐ型不純物よりも高濃度で、かつ前記第１窒化物系半導体層のｐ型不純物よりも低濃度のｐ型不純物を含む第３窒化物系半導体層と、
前記第３窒化物系半導体層上に配置され、前記第３窒化物系半導体層のｐ型不純物よりも低濃度のｐ型不純物を含む第４窒化物系半導体層と
を備え、
前記第１窒化物系半導体層乃至第４窒化物系半導体層の前記ｐ型不純物は、Ｍｇであることを特徴とする窒化物系半導体装置。 - 前記第２窒化物系半導体層の厚さは、前記第１窒化物系半導体層、或いは前記第３乃至前記第４窒化物系半導体層の厚さよりも厚く形成されることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体装置。
- 前記第４窒化物系半導体層上に配置され、酸化物電極からなる透明電極をさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載の窒化物系半導体装置。
- 前記透明電極は、ＺｎＯ、ＩＴＯ若しくはインジウムを含有するＺｎＯのいずれかを含むことを特徴とする請求項３に記載の窒化物系半導体装置。
- 前記透明電極は、ＧａまたはＡｌが、不純物濃度１×１０19〜５×１０21ｃｍ-3で不純物添加されたＺｎＯ、ＩＴＯ若しくはインジウムを含有するＺｎＯのいずれかを含むことを特徴とする請求項３に記載の窒化物系半導体装置。
- 前記第１乃至第４窒化物系半導体層は、いずれもＧａＮにより８００℃〜９００℃の低温成長により形成することを特徴とする請求項１〜５の内、いずれか１項に記載の窒化物系半導体装置。
- ｎ型半導体層を形成する工程と、
前記ｎ型半導体層上に活性層を形成する工程と、
前記活性層上部に配置され、ｐ型不純物を含む第１窒化物系半導体層と、前記第１窒化物系半導体層上に配置され、前記第１窒化物系半導体層のｐ型不純物よりも低濃度のｐ型不純物を含む第２窒化物系半導体層と、前記第２窒化物系半導体層上に配置され、前記第２窒化物系半導体層のｐ型不純物よりも高濃度で、かつ前記第１窒化物系半導体層のｐ型不純物よりも低濃度のｐ型不純物を含む第３窒化物系半導体層と、前記第３窒化物系半導体層上に配置され、前記第３窒化物系半導体層のｐ型不純物よりも低濃度のｐ型不純物を含む第４窒化物系半導体層とを積層してｐ型半導体層を形成する工程と
を含み、水素を含まないキャリアガスによって原料ガスを供給して、前記第１窒化物系半導体層乃至第４窒化物系半導体層のうち前記第１乃至第３窒化物系半導体層の少なくとも一部を形成し、
前記第１窒化物系半導体層乃至第４窒化物系半導体層の前記ｐ型不純物は、Ｍｇであることを特徴とする窒化物系半導体装置の製造方法。 - 水素を含むキャリアガスによって前記原料ガスを供給して、前記第１窒化物系半導体層乃至第４窒化物系半導体層の他の一部を形成することを特徴とする請求項７に記載の窒化物系半導体装置の製造方法。
- 前記ｐ型半導体層上にｐ側電極を形成する工程を更に含み、前記第１窒化物系半導体層乃至第４窒化物系半導体層のうちの前記ｐ側電極と接する窒化物系半導体層を、前記水素を含むキャリアガスによって前記原料ガスを供給して形成することを特徴とする請求項８に記載の窒化物系半導体装置の製造方法。
- 前記活性層を、バリア層と該バリア層よりバンドギャップが小さい井戸層を交互に積層して形成することを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載の窒化物系半導体装置の製造方法。
- 前記ｎ型半導体層、前記活性層及び前記ｐ型半導体層をＩＩＩ族窒化物半導体で形成することを特徴とする請求項７〜１０のいずれか１項に記載の窒化物系半導体装置の製造方法。
- 前記ｐ型ドーパントがマグネシウムであることを特徴とする請求項７〜１１のいずれか１項に記載の窒化物系半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009519280A JP5579435B2 (ja) | 2007-06-15 | 2008-06-11 | 窒化物系半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007158557 | 2007-06-15 | ||
| JP2007158567 | 2007-06-15 | ||
| JP2007158567 | 2007-06-15 | ||
| JP2007158557 | 2007-06-15 | ||
| JP2007238048 | 2007-09-13 | ||
| JP2007238048 | 2007-09-13 | ||
| PCT/JP2008/060696 WO2008153068A1 (ja) | 2007-06-15 | 2008-06-11 | 窒化物系半導体装置およびその製造方法 |
| JP2009519280A JP5579435B2 (ja) | 2007-06-15 | 2008-06-11 | 窒化物系半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2008153068A1 JPWO2008153068A1 (ja) | 2010-08-26 |
| JP5579435B2 true JP5579435B2 (ja) | 2014-08-27 |
Family
ID=40129673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009519280A Expired - Fee Related JP5579435B2 (ja) | 2007-06-15 | 2008-06-11 | 窒化物系半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5579435B2 (ja) |
| TW (1) | TW200905931A (ja) |
| WO (1) | WO2008153068A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101734558B1 (ko) | 2011-02-28 | 2017-05-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7741131B2 (en) * | 2007-05-25 | 2010-06-22 | Electro Scientific Industries, Inc. | Laser processing of light reflective multilayer target structure |
| TWI420696B (zh) * | 2009-11-19 | 2013-12-21 | Epistar Corp | 發光元件及其製造方法 |
| WO2012063735A1 (ja) * | 2010-11-09 | 2012-05-18 | 株式会社ニコン | カーボン薄膜、光学素子成形用金型及び光学素子の製造方法 |
| WO2016092822A1 (ja) * | 2014-12-08 | 2016-06-16 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| JP6001756B2 (ja) * | 2014-12-08 | 2016-10-05 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法およびｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 |
| JP6084196B2 (ja) * | 2014-12-08 | 2017-02-22 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法およびｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 |
| JP6798452B2 (ja) * | 2017-08-23 | 2020-12-09 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09153642A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-06-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
| JP2000307149A (ja) * | 1999-04-21 | 2000-11-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
| JP2002026388A (ja) * | 2000-07-06 | 2002-01-25 | Nichia Chem Ind Ltd | 端面発光型発光素子 |
| JP2002319702A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-10-31 | Sony Corp | 窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体素子 |
| JP2004087930A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
| JP2006093358A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物半導体を用いた発光ダイオード |
| JP2006120856A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
| JP2007134415A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子製造方法 |
-
2008
- 2008-06-11 WO PCT/JP2008/060696 patent/WO2008153068A1/ja active Application Filing
- 2008-06-11 JP JP2009519280A patent/JP5579435B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-06-13 TW TW97122320A patent/TW200905931A/zh unknown
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09153642A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-06-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
| JP2000307149A (ja) * | 1999-04-21 | 2000-11-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
| JP2002026388A (ja) * | 2000-07-06 | 2002-01-25 | Nichia Chem Ind Ltd | 端面発光型発光素子 |
| JP2002319702A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-10-31 | Sony Corp | 窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体素子 |
| JP2004087930A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
| JP2006093358A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物半導体を用いた発光ダイオード |
| JP2006120856A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
| JP2007134415A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101734558B1 (ko) | 2011-02-28 | 2017-05-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200905931A (en) | 2009-02-01 |
| JPWO2008153068A1 (ja) | 2010-08-26 |
| WO2008153068A1 (ja) | 2008-12-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4879563B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光装置 | |
| JP4966865B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JPWO2008153130A1 (ja) | 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体の製造方法 | |
| JP5579435B2 (ja) | 窒化物系半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2001160627A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子 | |
| JP7295782B2 (ja) | 紫外線ｌｅｄ及びその製造方法 | |
| TWI416760B (zh) | 三族氮化物系化合物半導體發光元件及其製造方法 | |
| US20090072221A1 (en) | Nitride semiconductor device and method for fabricating the same | |
| JP5366518B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP3233139B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP2002043618A (ja) | 窒化物半導体の製造方法 | |
| JP4424680B2 (ja) | ３族窒化物半導体の積層構造、及びその製造方法、並びに、半導体発光素子、及びその製造方法 | |
| JP2008078297A (ja) | ＧａＮ系半導体発光素子 | |
| JPH1174622A (ja) | 窒化物系半導体発光素子 | |
| KR100475005B1 (ko) | 질화물반도체소자 | |
| JPWO2008153065A1 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP3763701B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体発光素子 | |
| JP4628651B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
| JP3724213B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| JP3753369B2 (ja) | 窒化物系半導体発光素子 | |
| JP2005251922A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2001119064A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JPH10270755A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JP2010232290A (ja) | 窒化物半導体発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| JP2003051613A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110606 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121211 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130212 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130820 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131021 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140401 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140520 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140610 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140709 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5579435 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |