JP5436828B2 - Substrate processing apparatus and processing method - Google Patents
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Description
この発明は基板を加熱された処理液によって処理する基板の処理装置及び処理方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a processing method for processing a substrate with a heated processing liquid.
たとえば、液晶表示装置や半導体装置の製造工程においては、これらの対象物であるガラス基板や半導体ウエハなどの基板にレジストを塗布し、現像処理してからエッチング処理をすることで、基板の表面に回路パターンを精密に形成する。基板に回路パターンを形成したならば、その基板の表面に付着残留しているレジスト膜やレジスト残渣などの有機物を除去する洗浄処理が行われる。 For example, in a manufacturing process of a liquid crystal display device or a semiconductor device, a resist is applied to a substrate such as a glass substrate or a semiconductor wafer, which is an object, and a development process is performed before an etching process. A circuit pattern is precisely formed. When the circuit pattern is formed on the substrate, a cleaning process is performed to remove organic substances such as a resist film and a resist residue remaining on the surface of the substrate.
レジスト膜を洗浄除去する場合、処理液として硫酸(H2 SO4 )と過酸化水素水(H2 O2 )を混合した処理液が用いられる。硫酸と過酸化水素水を混合した処理液は反応熱によって約100℃程度に温度上昇する。処理液の温度が反応熱によって上昇すると、その分、レジストの剥離レートを上昇させることが可能となる。 When the resist film is removed by washing, a treatment liquid in which sulfuric acid (H 2 SO 4 ) and hydrogen peroxide water (H 2 O 2 ) are mixed is used as the treatment liquid. The treatment liquid in which sulfuric acid and hydrogen peroxide solution are mixed rises to about 100 ° C. due to reaction heat. When the temperature of the treatment liquid is increased by the reaction heat, the resist stripping rate can be increased accordingly.
一方、レジストの剥離レートをさらに上昇させるため、処理液を反応熱による温度上昇である、100℃以上の温度、たとえば200〜250℃程度に加熱してレジストの剥離処理を行なうことが検討されている。 On the other hand, in order to further increase the resist stripping rate, it has been studied to perform the resist stripping process by heating the treatment liquid to a temperature of 100 ° C. or higher, for example, about 200 to 250 ° C., which is a temperature increase due to reaction heat. Yes.
ところで、処理液を貯蔵するための貯液タンク、貯液タンクから基板に向けて噴射するノズル体に供給するための配管、その供給を制御するための弁などは耐薬品性を持たせるためにフッ素樹脂や塩化ビニールなどの合成樹脂が用いられることが多い。 By the way, a liquid storage tank for storing the processing liquid, a pipe for supplying the nozzle body that injects the liquid from the liquid storage tank toward the substrate, a valve for controlling the supply, etc. are provided with chemical resistance. Synthetic resins such as fluororesin and vinyl chloride are often used.
しかしながら、それらの合成樹脂は軟化温度が60〜120℃程度と低いため、レジストの剥離レートを十分に高めるために処理液を200〜250℃の温度に上昇させて使用するということができないということがあった。 However, since these synthetic resins have a low softening temperature of about 60 to 120 ° C., it is impossible to use the processing liquid at a temperature of 200 to 250 ° C. in order to sufficiently increase the resist peeling rate. was there.
特許文献1では処理液としての純水と窒素ガスを二流体ノズルから基板に向けて噴射してレジストの剥離を行う場合、上記純水と窒素ガスの供給源よりも下流側であって、上記純水と窒素ガスが上記二流体ノズルに流入する上流側にヒータを設け、そのヒータによって上記純水と窒素ガスを加熱して上記二流体ノズルから基板に向けて噴射させることが示されている。
In
このような構成によれば、加熱された純水や窒素ガスをタンクに貯えたり、弁によって供給を制御するということをせずにすみ、しかも加熱された純水や窒素ガスが流れる管路も短くすることができるから、タンク、弁或いは配管のほとんどの部分を上述した合成樹脂によって形成することが可能となる。
しかしながら、処理液の供給開始時には上記二流体ノズルから基板に向けて噴射される上記ヒータと上記二流体ノズルとの間の管路に残留する純水と窒素ガスは、上記ヒータによって十分に加熱されていないから、上記ヒータによって加熱される温度よりも低くなることが避けられない。 However, pure water and nitrogen gas remaining in the pipe line between the heater and the two-fluid nozzle ejected from the two-fluid nozzle toward the substrate at the start of the supply of the processing liquid are sufficiently heated by the heater. Therefore, the temperature is inevitably lower than the temperature heated by the heater.
そのため、処理液の供給開始時にはヒータによって目的温度に加熱されていない処理液が基板に供給されることになるから、所定温度よりも低い温度の処理液が供給された基板の部分からはレジストが確実に剥離されないということがある。 Therefore, since the processing liquid that is not heated to the target temperature by the heater is supplied to the substrate at the start of the supply of the processing liquid, the resist is removed from the portion of the substrate to which the processing liquid having a temperature lower than the predetermined temperature is supplied. It may not be peeled off reliably.
この発明は、供給ノズルから加熱された処理液を基板に供給するとき、供給の開始時に所定温度に加熱された処理液を基板に確実に供給することができるようにした基板の処理装置及び処理方法を提供することにある。 The present invention is directed to a substrate processing apparatus and a processing which can reliably supply a processing liquid heated to a predetermined temperature to a substrate when the processing liquid heated from the supply nozzle is supplied to the substrate. It is to provide a method.
この発明は、加熱された処理液によって基板を処理する処理装置であって、
上記処理液が貯えられる貯液タンクと、
この貯液タンクに貯えられた上記処理液を上記基板に噴射するためのノズル体に給液管路を通じて供給する給液手段と、
上記給液管路に設けられ上記ノズル体に供給する上記処理液を所定温度に加熱する第1の加熱手段と、
上記ノズル体が上記基板の上面から外れた待機位置にあるときに上記給液手段によって上記ノズル体から噴射された上記処理液の温度を測定する温度測定手段と、
この温度測定手段が測定した上記処理液の温度が上記所定温度であることを検出したときにその検出に基いて上記ノズル体を上記基板の上方に移動させて上記処理液を噴射させる制御手段と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置にある。
The present invention is a processing apparatus for processing a substrate with a heated processing liquid,
A liquid storage tank in which the treatment liquid is stored;
Liquid supply means for supplying the processing liquid stored in the liquid storage tank to the nozzle body for spraying the substrate through a liquid supply line;
A first heating means for heating the treatment liquid supplied to the nozzle body provided in the liquid supply pipe line to a predetermined temperature;
A temperature measuring means for measuring the temperature of the processing liquid ejected from the nozzle body by the liquid supply means when the nozzle body is at the standby position off the upper surface of the substrate,
Control means for ejecting the processing liquid by moving the nozzle body above the substrate based on the detection when detecting that the temperature of the processing liquid measured by the temperature measuring means is the predetermined temperature; A substrate processing apparatus characterized by comprising:
上記基板は回転テーブルに保持されて回転駆動され、上記ノズル体は駆動源によって駆動されるアーム体の先端部に設けられていて、
上記制御手段は、上記温度測定手段が上記処理液の温度が上記所定温度であることを検出すると、その検出に基いて上記駆動源を作動させて上記ノズル体を上記基板の上方へ移動させることが好ましい。
The substrate is held and rotated by a rotary table, and the nozzle body is provided at the tip of an arm body driven by a driving source,
When the temperature measuring means detects that the temperature of the processing liquid is the predetermined temperature, the control means operates the drive source based on the detection to move the nozzle body above the substrate. Is preferred.
上記ノズル体が上記基板の上面から外れた待機位置にあるときに、上記給液手段によって上記ノズル体から噴射された上記処理液を受ける受け部を有し、この受け部と上記貯液タンクは回収管によって接続されていて、この回収管の中途部には上記受け部で受けた上記処理液を冷却する冷却手段が設けられていることが好ましい。 When the nozzle body is at the standby position off the upper surface of the substrate and having a receiving portion for receiving the treatment liquid ejected from the nozzle body by the liquid supply means, the receiving portion and the liquid storage tank It is preferable that a cooling means connected to the recovery pipe is provided in the middle of the recovery pipe to cool the processing liquid received by the receiving portion.
上記貯液タンク内の処理液を加熱する第2の加熱手段が設けられ、この第2の加熱手段によって加熱された上記処理液を上記第1の加熱手段によって上記所定温度にさらに加熱することが好ましい。 Second heating means for heating the treatment liquid in the liquid storage tank is provided, and the treatment liquid heated by the second heating means is further heated to the predetermined temperature by the first heating means. preferable.
この発明は、加熱された処理液によって基板を処理する処理方法であって、
貯液タンクに貯えられた上記処理液を上記基板に噴出するためのノズル体に供給する工程と、
上記ノズル体に供給される処理液を所定温度に加熱する工程と、
上記ノズル体が上記基板の上面から外れた待機位置にあるときに上記ノズル体から噴出した上記処理液の温度を測定する工程と、
上記処理液の温度が上記所定温度であることを検出したときにその検出に基いて上記ノズル体を上記基板の上方に移動させて上記処理液を噴射させる工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法にある。
The present invention is a processing method of processing a substrate with a heated processing liquid,
Supplying the processing liquid stored in the liquid storage tank to the nozzle body for ejecting the processing liquid to the substrate;
Heating the treatment liquid supplied to the nozzle body to a predetermined temperature;
A step of the nozzle body to measure the temperature of the processing liquid ejected from the nozzle body when in the standby position off the upper surface of the substrate,
And a step of ejecting the processing liquid by moving the nozzle body above the substrate based on the detection when detecting that the temperature of the processing liquid is the predetermined temperature. It is in the processing method of a board | substrate.
この発明によれば、ノズル体が基板の上面から外れた待機位置にあるときに処理液をノズル体から噴射させて温度を測定し、その温度が所定温度に達したならば上記ノズル体を基板の上方に移動させて処理液を基板に噴射させるようにした。 According to the present invention, when the nozzle body is at the standby position deviated from the upper surface of the substrate, the processing liquid is sprayed from the nozzle body to measure the temperature, and when the temperature reaches a predetermined temperature, the nozzle body is moved to the substrate. The processing liquid is sprayed onto the substrate by moving the substrate upward.
そのため、ノズル体から基板に処理液を噴射供給するとき、予め設定された温度以下の処理液が噴射されるのが防止されるから、処理液による基板の処理の均一化を図ることが可能となる。 Therefore, when the processing liquid is sprayed and supplied from the nozzle body to the substrate, it is possible to prevent the processing liquid below a preset temperature from being sprayed, so that the processing of the substrate with the processing liquid can be made uniform. Become.
以下、この発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図1乃至図3はこの発明の第1の実施の液体を示し、図1に示すスピン処理装置はカップ体1を備えている。このカップ体1の底部には複数の排出管2が周方向に所定間隔で接続されている。各排出管2は図示しない排気ポンプに連通している。
1 to 3 show a liquid according to a first embodiment of the present invention, and the spin processing apparatus shown in FIG. A plurality of discharge pipes 2 are connected to the bottom of the
なお、上記カップ体1は下カップ1aと上カップ1bとを有し、上カップ1bは図示しないシリンダなどの駆動機構によって上下方向に駆動可能になっている。
The
上記カップ体1内には保持部としての回転テーブル3が設けられている。この回転テーブル3の上面の周辺部には周方向に所定間隔で複数の支持部材4が回動可能に設けられている。各支持部材4の上端面には係止ピン5が支持部材4の回転中心から偏心した位置に設けられ、回転中心には支持ピン6が設けられている。
A rotating table 3 as a holding portion is provided in the
上記回転テーブル3には半導体ウエハなどの基板Wが供給される。つまり、基板Wは周縁部の下面が上記支持ピン6に支持されるよう供給される。その状態で上記支持部材4が回転すると、上記係止ピン5が偏心回転するから、基板Wの外周面が上記係止ピン5によって保持される。
A substrate W such as a semiconductor wafer is supplied to the
上記回転テーブル3は制御モータ11によって回転駆動される。この制御モータ11は、筒状の固定子12内に同じく筒状の回転子13が回転可能に挿入されていて、この回転子13に上記回転テーブル3が動力伝達部材13aを介して連結されている。
The rotary table 3 is rotationally driven by a control motor 11. In the control motor 11, a
上記制御モータ11は制御装置14によって回転が制御される。それによって、上記回転テーブル3は上記制御装置14により所定の回転数で回転させることができるようになっている。
The rotation of the control motor 11 is controlled by the
上記回転子13内には筒状の固定軸15が挿通されている。この固定軸15の上端には上記回転テーブル3の上面側に位置するノズルヘッド16が設けられている。つまり、ノズルヘッド16は回転テーブル3の回転に連動しない状態で設けられている。このノズルヘッド16には処理液及び気体を噴射する下部ノズル体17,18が設けられている。
A cylindrical
それによって、上記下部ノズル体17,18から回転テーブル3に保持された基板Wの下面の中央部分に向けて処理液や気体を選択的に噴射することができるようになっている。つまり、基板Wは下面を洗浄及び乾燥処理することができるようになっている。
As a result, the processing liquid and the gas can be selectively ejected from the
上記回転テーブル3の上面側は乱流防止カバー19によって覆われている。この乱流防止カバー19は回転テーブル3に保持された基板Wの下面側に乱流が発生するのを防止するようになっており、その中央部分には上記各下部ノズル17,18から基板Wの下面に処理液や気体を噴射可能とする透孔20が開口形成されている。
The upper surface side of the rotary table 3 is covered with a turbulent flow prevention cover 19. The turbulent flow prevention cover 19 prevents the turbulent flow from occurring on the lower surface side of the substrate W held on the rotary table 3. A through
上記カップ体1の側方には駆動機構23が設けられている。この駆動機構23は軸線を垂直にして設けられた揺動軸部24と、この揺動軸部24の上端に基端部が連結されて水平に設けられたアーム体25を有する。上記揺動軸部24の下端は駆動源としての回転モータ26に連結されている。回転モータ26は上記アーム体25を所定の角度で回転駆動するようになっている。
A
上記回転モータ26は図示しないリニアガイドによって上下方向にスライド可能に設けられた可動板27に取付けられている。この可動板27は上下駆動シリンダ28によって上下方向に駆動されるようになっている。
The
上記アーム体25の先端部には、上記基板Wの上面に処理液を噴射供給する上部ノズル体31が設けられている。この上部ノズル体31には図2に示すように貯液タンク32に貯えられた処理液としての硫酸からなる剥離液が給液管路33を通じて供給されるようになっている。
At the tip of the
上記給液管路33には貯液タンク32の剥離液を加圧供給する給液手段としての供給ポンプ34、供給ポンプ34によって給液管路33を流れる剥離液の流量を測定する流量計35、開閉弁36及び供給ポンプ34によって上記上部ノズル体31に供給される剥離液を所定の温度、たとえば200〜250℃に加熱する第1の加熱手段としての第1の加熱ヒータ37が順次設けられている。
A
上記貯液タンク32には、一端と他端を貯液タンク32の異なる部位、たとえば底面と側面に接続した循環管路39が設けられている。この循環管路39には循環ポンプ41と第2の加熱ヒータ42が設けられている。
The
上記循環ポンプ41が作動すると、上記貯液タンク32内の剥離液が上記循環管路39を流れて第2の加熱ヒータ42によって加熱される。第2の加熱ヒータ42は剥離液を約100℃に加熱するようになっている。それによって、上記第1の加熱ヒータ37は上記第2の加熱ヒータ42によって100℃に加熱された剥離液を200〜250℃に加熱することになる。
When the
このように、剥離液を第1の加熱ヒータ37によって200〜250℃に加熱するようにしたことで、貯液タンク32、供給ポンプ34、流量計35、開閉弁36及び供給管路33のほとんどの部分を100℃までの温度で軟化しない耐熱性及び硫酸に対する耐薬品性を備えた合成樹脂材料、たとえばフッ素樹脂などによって形成することが可能となる。
As described above, since the stripping solution is heated to 200 to 250 ° C. by the
上記上部ノズル体31が回転テーブル3に保持された基板Wの上面から外れた位置、つまり図3に示すように基板Wに剥離液の供給を開始する前或いは供給が終了した後で待機位置に待機しているとき、上記上部ノズル体31は下端面を受け部44に対向させている。つまり、上記待機位置には上記受け部44が固定して設けられている。この受け部44は上記上部ノズル体31から噴射される剥離液を受けるようになっている。
The position where the
なお、上記上部ノズル体31を上下駆動シリンダ28によって下降させ、受け部44との間隔を小さくして剥離液を受け部44に噴射させれば、剥離液が周囲に飛散するのを防止することができる。
In addition, if the
上記上部ノズル体31から剥離液が噴射されたとき、その剥離液の温度は温度測定手段としての熱電対や赤外線センサなどの温度センサ43によって検出される。温度センサ43による検出信号は上記制御装置14に出力される。検出信号を受けた制御装置14はその検出信号を図示しない比較部に設定された設定温度と比較する。設定温度は剥離液が第1の加熱ヒータ37によって加熱される200〜250℃の温度、たとえば230℃に設定されている。
When the stripping liquid is ejected from the
そして、上記待機位置で待機した上部ノズル体31から噴射される剥離液の温度が設定温度に達すると、上記制御装置14は上記回転モータ26を作動させて上部ノズル体31が設けられたアーム体25を駆動し、上記上部ノズル体31を基板Wの上方でこの基板Wを横切る径方向に沿って揺動させるようになっている。
When the temperature of the stripping liquid sprayed from the
上記待機位置で、上記受け部44が上記上部ノズル体31から受けた剥離液は回収管路45によって上記貯液タンク32に戻されるようになっている。上記回収管路45には、上部ノズル体31から噴射された所定温度である230℃に加熱された剥離液を100℃に冷却する冷却手段としての冷却器46が設けられている。それによって、貯液タンク32にこの貯液タンク32の耐熱温度以上の処理液が戻るのを防止している。
At the standby position, the stripping liquid received by the receiving
なお、上記貯液タンク32には、剥離液を供給する第1の給液管路47、貯液タンク32内を洗浄する純水を供給する第2の給液管路48がそれぞれ開閉弁49を介して接続されている。
The
つぎに、上記構成の処理装置によって基板Wの上面に付着残留したレジストを剥離するときの動作について説明する。
基板Wの処理が開始される前は、上部ノズル体31が待機位置、つまり受け部44に対向するよう位置決めされている。その状態で、回転テーブル3に未処理の基板Wを供給し、制御装置14によって基板Wに付着したレジストの剥離処理を制御装置14によって開始すると、まず、供給ポンプ34が作動して第1の加熱ヒータ37によって加熱された剥離液を上部ノズル体31から噴射させる。上部ノズル体31から剥離液が噴射されると、その剥離液の温度が温度センサ43によって検出される。
Next, an operation for removing the resist remaining on the upper surface of the substrate W by the processing apparatus having the above-described configuration will be described.
Before the processing of the substrate W is started, the
上記上部ノズル体31から第1の加熱ヒータ37と上部ノズル体31の間の給液管路33に残留する剥離液が噴射され終わるまでは、温度センサ43が検出する剥離液の温度は制御装置14に設定された設定温度である、230℃に到達しない。
Until the stripping liquid remaining in the liquid supply conduit 33 between the
そして、給液管路33に残留する剥離液が噴射され終わり、温度センサ43が検出する剥離液の温度が制御装置14に設定された設定温度に到達すると、その検出信号が制御装置14に出力される。
When the stripping liquid remaining in the liquid supply pipe 33 is completely ejected and the temperature of the stripping liquid detected by the
検出信号が制御装置14に出力されると、この制御装置14は回転モータ26を作動させてアーム体25を揺動させるから、上部ノズル体31が回転テーブル3に保持されて回転する基板Wの上方で、剥離液を基板Wの上面に向けて噴射しながら、上記基板Wを横切る方向に揺動駆動される。
When the detection signal is output to the
それによって、230℃に加熱された剥離液が基板Wの上面にむらなく均一に供給されるから、基板Wの上面に付着残留するレジストを剥離除去することができる。つまり、所定温度である230℃に温度上昇していない処理液が基板Wに噴射されることがないから、処理液による基板Wの処理を確実かつ迅速に行なうことが可能となる。 As a result, the stripping solution heated to 230 ° C. is uniformly supplied to the upper surface of the substrate W, so that the resist remaining on the upper surface of the substrate W can be stripped and removed. That is, since the processing liquid that has not risen to the predetermined temperature of 230 ° C. is not sprayed onto the substrate W, the processing of the substrate W by the processing liquid can be performed reliably and rapidly.
なお、上部ノズル体31が待機位置から基板Wの上方に揺動してくるまでは、開閉弁36が閉じられ、剥離液が上部ノズル体31から無駄に噴射されるのが防止される。開閉弁36が閉じられる時間は短時間であるから、給液管路33に滞留する剥離液の温度に影響を与えることはない。
Until the
上記上部ノズル体31が待機位置で受け部44に噴射した剥離液は、回収管路45を通じて貯液タンク32に回収されるから、待機位置で上部ノズル体31から噴射された剥離液が無駄になることがない。
The stripping liquid sprayed to the receiving
待機位置で、上記受け部44に噴射された剥離液は冷却器46によって100℃程度に冷却されて貯液タンク32に戻される。そのため、上部ノズル体31から噴射される温度の高い剥離液が貯液タンク32に直接戻ることがないから、貯液タンク32を比較的軟化温度の低い合成樹脂製によって製作することが可能となる。
At the standby position, the stripping liquid sprayed to the receiving
上記一実施の形態では剥離液としての硫酸を第2の加熱ヒータによって100℃に加熱してから、第1の加熱ヒータによって200〜250℃に加熱するようにしたが、貯液タンクに硫酸とともに過酸化水素水を供給し、これらの反応熱によって硫酸を100℃程度までに温度上昇させてから、第1の加熱ヒータによって所定の温度に加熱するようにしてもよい。 In the above embodiment, sulfuric acid as the stripping solution is heated to 100 ° C. by the second heater and then heated to 200 to 250 ° C. by the first heater. Hydrogen peroxide water may be supplied, and the temperature of sulfuric acid may be raised to about 100 ° C. by these reaction heats, and then heated to a predetermined temperature by the first heater.
また、処理液としては基板からレジストを剥離する硫酸などの剥離液だけに限られず、処理液を高温度に加熱して基板を処理する場合であれば、この発明を適用することができる。 Further, the processing liquid is not limited to a stripping solution such as sulfuric acid for stripping the resist from the substrate, and the present invention can be applied if the processing liquid is heated to a high temperature to process the substrate.
図4はこの発明の第2の実施の形態を示す。この実施の形態では、上部ノズル体31から噴射された処理液を受ける受け部44Aが実線で示すようにアーム体25によって揺動される上記上部ノズル体31の揺動範囲から外れた位置に配置されている。
FIG. 4 shows a second embodiment of the present invention. In this embodiment, the receiving
そして、上記受け部44Aは、シリンダやリニアモータなどの駆動源51によって実線で示す上記上部ノズル体31の揺動の範囲外から、鎖線で示す上部ノズル体31の揺動の範囲内で、基板Wの上面から外れた部位に駆動可能に設けられている。
Then, the receiving
それによって、上記受け部44Aは上部ノズル体31から処理液を受けるときだけ上記上部ノズル体31の揺動の軌跡に対応し、かつ基板Wの上面から外れた部位に位置決めされることになる。
As a result, the receiving
上記受け部44Aは上面に上記上部ノズル体31の先端部に対向する開口部52が形成された容器状に形成されている。それによって、上記上部ノズル体31から上記受け部44Aに処理液を噴射するとき、上記上部ノズル体31を下降させてその先端を上記開口部52に接近させて処理液を噴射させれば、その処理液が上記受け部44Aの周囲に飛散するのを防止できる。
なお、第2の実施の形態に示した受け部44Aは第1の実施の形態に適用しても差し支えない。
44 A of said receiving parts are formed in the container shape by which the
The receiving
上記第1、第2の実施の形態では上部ノズル体をアーム体によって基板の上方で径方向に揺動させる場合を例に挙げて説明したが、上記上部ノズル体を基板の上方で、基板の径方向に沿って直線的に駆動して処理液によって処理するようにしてもよい。 In the first and second embodiments, the case where the upper nozzle body is swung in the radial direction above the substrate by the arm body has been described as an example. However, the upper nozzle body is disposed above the substrate, You may make it process linearly along a radial direction and process with a process liquid.
3…回転テーブル、14…制御装置、25…アーム体、26…回転モータ(揺動駆動源)、31…上部ノルズ体、32…貯液タンク、33…給液管路、34…供給ポンプ(給液手段)、37…第1の加熱ヒータ(第1の加熱手段)、42…第2の加熱ヒータ(第2の加熱手段)、43…温度センサ(温度測定手段)、46…冷却器(冷却手段)。
DESCRIPTION OF
Claims (5)
上記処理液が貯えられる貯液タンクと、
この貯液タンクに貯えられた上記処理液を上記基板に噴射するためのノズル体に給液管路を通じて供給する給液手段と、
上記給液管路に設けられ上記ノズル体に供給する上記処理液を所定温度に加熱する第1の加熱手段と、
上記ノズル体が上記基板の上面から外れた待機位置にあるときに上記給液手段によって上記ノズル体から噴射された上記処理液の温度を測定する温度測定手段と、
この温度測定手段が測定した上記処理液の温度が上記所定温度であることを検出したときにその検出に基いて上記ノズル体を上記基板の上方に移動させて上記処理液を噴射させる制御手段と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。 A processing apparatus for processing a substrate with a heated processing liquid,
A liquid storage tank in which the treatment liquid is stored;
Liquid supply means for supplying the processing liquid stored in the liquid storage tank to the nozzle body for spraying the substrate through a liquid supply line;
A first heating means for heating the treatment liquid supplied to the nozzle body provided in the liquid supply pipe line to a predetermined temperature;
A temperature measuring means for measuring the temperature of the processing liquid ejected from the nozzle body by the liquid supply means when the nozzle body is at the standby position off the upper surface of the substrate,
Control means for ejecting the processing liquid by moving the nozzle body above the substrate based on the detection when detecting that the temperature of the processing liquid measured by the temperature measuring means is the predetermined temperature; An apparatus for processing a substrate, comprising:
上記制御手段は、上記温度測定手段が上記処理液の温度が上記所定温度であることを検出すると、その検出に基いて上記駆動源を作動させて上記ノズル体を上記基板の上方へ移動させることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。 The substrate is held and rotated by a rotary table, and the nozzle body is provided at the tip of an arm body driven by a driving source,
When the temperature measuring means detects that the temperature of the processing liquid is the predetermined temperature, the control means operates the drive source based on the detection to move the nozzle body above the substrate. The substrate processing apparatus according to claim 1.
貯液タンクに貯えられた上記処理液を上記基板に噴出するためのノズル体に供給する工程と、
上記ノズル体に供給される上記処理液を所定温度に加熱する工程と、
上記ノズル体が上記基板の上面から外れた待機位置にあるときに上記ノズル体から噴出した上記処理液の温度を測定する工程と、
上記処理液の温度が上記所定温度であることを検出したときにその検出に基いて上記ノズル体を上記基板の上方に移動させて上記処理液を噴射させる工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法。 A processing method for processing a substrate with a heated processing liquid,
Supplying the processing liquid stored in the liquid storage tank to the nozzle body for ejecting the processing liquid to the substrate;
Heating the treatment liquid supplied to the nozzle body to a predetermined temperature;
A step of the nozzle body to measure the temperature of the processing liquid ejected from the nozzle body when in the standby position off the upper surface of the substrate,
And a step of ejecting the processing liquid by moving the nozzle body above the substrate based on the detection when detecting that the temperature of the processing liquid is the predetermined temperature. Substrate processing method.
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