JP5371159B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、物、方法又は物を生産する方法に関する。特に、表示装置又は半導体装置に関
し、より詳しくは画素に複数の副画素を設けた表示装置に関する。

近年、液晶を始めとする薄型の表示装置が携帯電話のディスプレイやＴＶ等に幅広く利用
されている。特に、液晶表示装置は、高精細、薄型、低消費電力等の優れた特徴を有して
おり、市場規模が拡大している。一方で、これらの表示装置は益々性能の向上が要求され
ており、例えば、液晶表示装置では、高い視野角を有し高画質のものが望まれている。

視野角特性の向上を図る技術として、１画素を複数のサブピクセル（副画素）に分割する
ことにより、液晶の配向状態を異ならせて視野角特性を改善する方法が提案されている（
例えば、特許文献１）。また、特許文献２には、液晶表示装置におけるγ特性の視野角依
存性を改善する方法が提案されている。

特開２００６−２７６５８２号公報 特開２００５−１８９８０４号公報

画素に副画素を設け配向状態を異ならせることにより視野角特性を向上させることができ
るが、１画素に対して１の副画素を追加したのみでは不十分であり、より多くのサブピク
セルを設けることで視野角特性を更に向上させることができ、その結果、画質を向上させ
ることが出来る。その一方で、サブピクセル数が増加すると、開口率が低下するおそれが
生じる。

開口率が低下すると、輝度が低下してしまう。輝度の低下を抑えるためには、バックライ
トの輝度を上げる必要が生じる。バックライト輝度が高くなると、消費電力が高くなって
しまう。又は、バックライト自身の寿命も短くなってしまう。又は、熱が高くなり、液晶
材料やカラーフィルタなどに悪影響を及ぼし、表示装置の寿命が短くなってしまう。又は
、開口率の低下により、配線や電極の配置密度が高くなってしまう。その結果、ゴミやエ
ッチング残りなどにより、配線や電極のショートや断線が生じてしまう。その結果、製造
歩留まりが低くなってしまう。歩留まりが低いと、その分だけコストが高くなってしまう
。

本発明は、上記問題を鑑み１画素に複数の副画素を設けることにより視野角特性を向上さ
せた表示装置を提供することを課題とする。又は、複数の副画素を設けた場合であっても
開口率の低下を抑制する表示装置を提供することを課題とする。又は、輝度の低下を抑制
する表示装置を提供することを課題とする。又は、消費電力が低減される表示装置を提供
することを課題とする。又は、寿命の低減が抑制される表示装置を提供することを課題と
する。又は、熱の上昇が抑制される表示装置を提供することを課題とする。又は、製造歩
留まりが向上される表示装置を提供することを課題とする。又は、コストが低減される表
示装置を提供することを課題とする。又は、画質が向上される表示装置を提供することを
課題とする。

本発明の液晶表示装置は、第１の副画素、第２の副画素及び第３の副画素を有する画素と
、走査線と、信号線と、第１の容量配線と、第２の容量配線と、第３の容量配線とを有し
、第１の副画素は、第１の画素電極、第１のトランジスタ及び第１の容量素子を具備し、
第１のトランジスタは、ゲートが走査線に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方
が信号線に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が第１の画素電極に電気的に接
続され、第１の容量素子は、第１の電極が第１の容量配線に電気的に接続され、第２の電
極が第１の画素電極に電気的に接続されており、第２の副画素は、第２の画素電極、第２
のトランジスタ及び第２の容量素子を具備し、第２のトランジスタは、ゲートが走査線に
電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が信号線に電気的に接続され、ソース又は
ドレインの他方が第２の画素電極に電気的に接続され、第２の容量素子は、第１の電極が
第２の容量配線に電気的に接続され、第２の電極が第２の画素電極に電気的に接続されて
おり、第３の副画素は、第３の画素電極、第３のトランジスタ及び第３の容量素子を具備
し、第３のトランジスタは、ゲートが走査線に電気的に接続され、ソース又はドレインの
一方が信号線に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が第３の画素電極に電気的
に接続され、第３の容量素子は、第１の電極が第３の容量配線に電気的に接続され、第２
の電極が第３の画素電極に電気的に接続されており、第１の容量配線及び第２の容量配線
は、電位が変化し、第３の容量配線は、電位が概略一定であることを特徴とする。なお、
第３の容量配線の電位が概略一定であるとは、第３の容量配線に電位が加えられている期
間において、第３の容量配線の電位が常に一定である場合はもちろん、一部の期間におい
て第３の容量配線の電位が一定でない場合も含むものとする。また、一部の期間とは、第
３の容量配線に電位が加えられている期間の好ましくは１０％以下、より好ましくは１％
以下とする。また、ノイズ等により、第３の容量配線の電位がゆらいで変化した場合も概
略一定に含まれるものとする。

また、本発明の液晶表示装置は、第１の副画素、第２の副画素及び第３の副画素を有する
画素と、第１の走査線を含む複数の走査線と、信号線と、第１の容量配線と、第２の容量
配線とを有し、第１の副画素は、第１の画素電極、第１のトランジスタ及び第１の容量素
子を具備し、第１のトランジスタは、ゲートが第１の走査線に電気的に接続され、ソース
又はドレインの一方が信号線に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が第１の画
素電極に電気的に接続され、第１の容量素子は、第１の電極が第１の容量配線に電気的に
接続され、第２の電極が第１の画素電極に電気的に接続されており、第２の副画素は、第
２の画素電極、第２のトランジスタ及び第２の容量素子を具備し、第２のトランジスタは
、ゲートが第１の走査線に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が信号線に電気
的に接続され、ソース又はドレインの他方が第２の画素電極に電気的に接続され、第２の
容量素子は、第１の電極が第２の容量配線に電気的に接続され、第２の電極が第２の画素
電極に電気的に接続されており、第３の副画素は、第３の画素電極、第３のトランジスタ
及び第３の容量素子を具備し、第３のトランジスタは、ゲートが第１の走査線に電気的に
接続され、ソース又はドレインの一方が信号線に電気的に接続され、ソース又はドレイン
の他方が第３の画素電極に電気的に接続され、第３の容量素子は、第１の電極が第１の走
査線と異なる第２の走査線に電気的に接続され、第２の電極が第３の画素電極に電気的に
接続されており、第１の容量配線及び第２の容量配線は、電位が変化することを特徴とす
る。

また、本発明の液晶表示装置は、第１の副画素、第２の副画素、第３の副画素及び第４の
副画素を有する画素と、走査線と、信号線と、第１の容量配線と、第２の容量配線と、第
３の容量配線と、第４の容量配線とを有し、第１の副画素は、第１の画素電極、第１のト
ランジスタ及び第１の容量素子を具備し、第１のトランジスタは、ゲートが走査線に電気
的に接続され、ソース又はドレインの一方が信号線に電気的に接続され、ソース又はドレ
インの他方が第１の画素電極に電気的に接続され、第１の容量素子は、第１の電極が第１
の容量配線に電気的に接続され、第２の電極が第１の画素電極に電気的に接続されており
、第２の副画素は、第２の画素電極、第２のトランジスタ及び第２の容量素子を具備し、
第２のトランジスタは、ゲートが走査線に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方
が信号線に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が第２の画素電極に電気的に接
続され、第２の容量素子は、第１の電極が第２の容量配線に電気的に接続され、第２の電
極が第２の画素電極に電気的に接続されており、第３の副画素は、第３の画素電極、第３
のトランジスタ及び第３の容量素子を具備し、第３のトランジスタは、ゲートが走査線に
電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が信号線に電気的に接続され、ソース又は
ドレインの他方が第３の画素電極に電気的に接続され、第３の容量素子は、第１の電極が
第３の容量配線に電気的に接続され、第２の電極が第３の画素電極に電気的に接続されて
おり、第４の副画素は、第４の画素電極、第４のトランジスタ及び第４の容量素子を具備
し、第４のトランジスタは、ゲートが走査線に電気的に接続され、ソース又はドレインの
一方が信号線に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が第４の画素電極に電気的
に接続され、第４の容量素子は、第１の電極が第４の容量配線に電気的に接続され、第２
の電極が第４の画素電極に電気的に接続されており、第１の容量配線及び第２の容量配線
は、電位が変化し、第３の容量配線及び第４の容量配線は、電位が概略一定であることを
特徴とする。

なお本発明の表示装置は、例えば液晶表示装置、有機発光素子（ＯＬＥＤ）に代表される
発光素子を各画素に備えた発光装置、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ
Ｄｅｖｉｃｅ）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）、ＦＥＤ（Ｆ
ｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）等、アクティブマトリクス型の表示装置
がその範疇に含まれる。またパッシブマトリクス型の表示装置も含まれる。

なお、スイッチは、様々な形態のものを用いることができる。例としては、電気的スイッ
チや機械的なスイッチなどがある。つまり、電流の流れを制御できるものであればよく、
特定のものに限定されない。例えば、スイッチとして、トランジスタ（例えば、バイポー
ラトランジスタ、ＭＯＳトランジスタなど）、ダイオード（例えば、ＰＮダイオード、Ｐ
ＩＮダイオード、ショットキーダイオード、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ
Ｍｅｔａｌ）ダイオード、ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄ
ｕｃｔｏｒ）ダイオード、ダイオード接続のトランジスタなど）、サイリスタなどを用い
ることが出来る。または、これらを組み合わせた論理回路をスイッチとして用いることが
出来る。

機械的なスイッチの例としては、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）のように、
ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）技術を用いたスイッチがある
。そのスイッチは、機械的に動かすことが出来る電極を有し、その電極が動くことによっ
て、接続と非接続とを制御して動作する。

スイッチとしてトランジスタを用いる場合、そのトランジスタは、単なるスイッチとして
動作するため、トランジスタの極性（導電型）は特に限定されない。ただし、オフ電流を
抑えたい場合、オフ電流が少ない方の極性のトランジスタを用いることが望ましい。オフ
電流が少ないトランジスタとしては、ＬＤＤ領域を有するトランジスタやマルチゲート構
造を有するトランジスタ等がある。または、スイッチとして動作させるトランジスタのソ
ース端子の電位が、低電位側電源（Ｖｓｓ、ＧＮＤ、０Ｖなど）の電位に近い状態で動作
する場合はＮチャネル型トランジスタを用いることが望ましい。反対に、ソース端子の電
位が、高電位側電源（Ｖｄｄなど）の電位に近い状態で動作する場合はＰチャネル型トラ
ンジスタを用いることが望ましい。なぜなら、Ｎチャネル型トランジスタではソース端子
が低電位側電源の電位に近い状態で動作するとき、Ｐチャネル型トランジスタではソース
端子が高電位側電源の電位に近い状態で動作するとき、ゲートとソースの間の電圧の絶対
値を大きくできるため、スイッチとして動作しやすいからである。また、ソースフォロワ
動作をしてしまうことが少ないため、出力電圧の大きさが小さくなってしまうことが少な
いからである。

なお、Ｎチャネル型トランジスタとＰチャネル型トランジスタの両方を用いて、ＣＭＯＳ
型のスイッチをスイッチとして用いてもよい。ＣＭＯＳ型のスイッチにすると、Ｐチャネ
ル型トランジスタまたはＮチャネル型トランジスタのどちらか一方のトランジスタが導通
すれば電流が流れるため、スイッチとして機能しやすくなる。例えば、スイッチへの入力
信号の電圧が高い場合でも、低い場合でも、適切に電圧を出力させることが出来る。さら
に、スイッチをオン・オフさせるための信号の電圧振幅値を小さくすることが出来るので
、消費電力を小さくすることも出来る。

なお、スイッチとしてトランジスタを用いる場合、スイッチは、入力端子（ソース端子ま
たはドレイン端子の一方）と、出力端子（ソース端子またはドレイン端子の他方）と、導
通を制御する端子（ゲート端子）とを有している。一方、スイッチとしてダイオードを用
いる場合、スイッチは、導通を制御する端子を有していない場合がある。そのため、トラ
ンジスタよりもダイオードをスイッチとして用いた方が、端子を制御するための配線を少
なくすることが出来る。

なお、ＡとＢとが接続されている、と明示的に記載する場合は、ＡとＢとが電気的に接続
されている場合と、ＡとＢとが機能的に接続されている場合と、ＡとＢとが直接接続され
ている場合とを含むものとする。ここで、Ａ、Ｂは、対象物（例えば、装置、素子、回路
、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。したがって、所定の接続関係、
例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関
係以外のものも含むものとする。

例えば、ＡとＢとが電気的に接続されている場合として、ＡとＢとの電気的な接続を可能
とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オードなど）が、ＡとＢとの間に１個以上配置されていてもよい。あるいは、ＡとＢとが
機能的に接続されている場合として、ＡとＢとの機能的な接続を可能とする回路（例えば
、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回
路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、
降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、
切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、
差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制
御回路など）が、ＡとＢとの間に１個以上配置されていてもよい。あるいは、ＡとＢとが
直接接続されている場合として、ＡとＢとの間に他の素子や他の回路を挟まずに、ＡとＢ
とが直接接続されていてもよい。

なお、ＡとＢとが直接接続されている、と明示的に記載する場合は、ＡとＢとが直接接続
されている場合（つまり、ＡとＢとの間に他の素子や他の回路を間に介さずに接続されて
いる場合）と、ＡとＢとが電気的に接続されている場合（つまり、ＡとＢとの間に別の素
子や別の回路を挟んで接続されている場合）とを含むものとする。

なお、ＡとＢとが電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、ＡとＢとが電気
的に接続されている場合（つまり、ＡとＢとの間に別の素子や別の回路を挟んで接続され
ている場合）と、ＡとＢとが機能的に接続されている場合（つまり、ＡとＢとの間に別の
回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＡとＢとが直接接続されている場合（つ
まり、ＡとＢとの間に別の素子や別の回路を挟まずに接続されている場合）とを含むもの
とする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、単に、接続され
ている、とのみ明示的に記載されている場合と同じであるとする。

なお、表示素子、表示素子を有する装置である表示装置、発光素子、発光素子を有する装
置である発光装置は、様々な形態を用い、また様々な素子を有することが出来る。例えば
、表示素子、表示装置、発光素子または発光装置としては、ＥＬ素子（有機物及び無機物
を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、電子放出素子、液晶素子、電子インク
、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマディスプレイ（ＰＤ
Ｐ）、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、圧電セラミックディスプレイ、カー
ボンナノチューブ、など、電気磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率
などが変化する表示媒体を用いることができる。なお、ＥＬ素子を用いた表示装置として
はＥＬディスプレイ、電子放出素子を用いた表示装置としてはフィールドエミッションデ
ィスプレイ（ＦＥＤ）やＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏ
ｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌｙ）など、液晶素子
を用いた表示装置としては液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶デ
ィスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレ
イ）、電子インクや電気泳動素子を用いた表示装置としては電子ペーパーがある。

なお、ＥＬ素子とは、陽極と、陰極と、陽極と陰極との間に挟まれたＥＬ層とを有する素
子である。なお、ＥＬ層としては、１重項励起子からの発光（蛍光）を利用するもの、３
重項励起子からの発光（燐光）を利用するもの、１重項励起子からの発光（蛍光）を利用
するものと３重項励起子からの発光（燐光）を利用するものとを含むもの、有機物によっ
て形成されたもの、無機物によって形成されたもの、有機物によって形成されたものと無
機物によって形成されたものとを含むもの、高分子の材料、低分子の材料、高分子の材料
と低分子の材料とを含むものなどを用いることができる。ただし、これに限定されず、Ｅ
Ｌ素子として様々なものを用いることができる。

なお、電子放出素子とは、先鋭な陰極に高電界を集中して電子を引き出す素子である。例
えば、電子放出素子として、スピント型、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）型、金属―絶
縁体―金属を積層したＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）型、金属
―絶縁体―半導体を積層したＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎ
ｄｕｃｔｏｒ）型、ＭＯＳ型、シリコン型、薄膜ダイオード型、ダイヤモンド型、表面伝
導エミッタＳＣＤ型、オード型、ダイヤモンド型、表面伝導エミッタＳＣＤ型、金属―絶
縁体―半導体−金属型等の薄膜型、ＨＥＥＤ型、ＥＬ型、ポーラスシリコン型、表面伝導
（ＳＥＤ）型などを用いることができる。ただし、これに限定されず、電子放出素子とし
て様々なものを用いることができる。

なお、液晶素子とは、液晶の光学的変調作用によって光の透過または非透過を制御する素
子であり、一対の電極、及び液晶により構成される。なお、液晶の光学的変調作用は、液
晶にかかる電界（横方向の電界、縦方向の電界又は斜め方向の電界を含む）によって制御
される。なお、液晶素子としては、ネマチック液晶、コレステリック液晶、スメクチック
液晶、ディスコチック液晶、サーモトロピック液晶、ライオトロピック液晶、リオトロピ
ック液晶、低分子液晶、高分子液晶、強誘電液晶、反強誘電液晶、主鎖型液晶、側鎖型高
分子液晶、プラズマアドレス液晶（ＰＤＬＣ）、バナナ型液晶、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ
Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モー
ド、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ
Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒ
ｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃ
ａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ Ｖｉｅｗ）モー
ド、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅ
ｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇ
ｅｎｃｅ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒ
ｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉ
ｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑ
ｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ゲストホストモードなどを用いることができる。ただ
し、これに限定されず、液晶素子として様々なものを用いることができる。

なお、電子ペーパーとしては、光学異方性と染料分子配向のような分子により表示される
もの、電気泳動、粒子移動、粒子回転、相変化のような粒子により表示されるもの、フィ
ルムの一端が移動することにより表示されるもの、分子の発色／相変化により表示される
もの、分子の光吸収により表示されるもの、電子とホールが結合して自発光により表示さ
れるものなどのことをいう。例えば、電子ペーパーとして、マイクロカプセル型電気泳動
、水平移動型電気泳動、垂直移動型電気泳動、球状ツイストボール、磁気ツイストボール
、円柱ツイストボール方式、帯電トナー、電子粉流体、磁気泳動型、磁気感熱式、エレク
トロウェッテイング、光散乱（透明白濁）、コレステリック液晶／光導電層、コレステリ
ック液晶、双安定性ネマチック液晶、強誘電性液晶、２色性色素・液晶分散型、可動フィ
ルム、ロイコ染料発消色、フォトクロミック、エレクトロクロミック、エレクトロデポジ
ション、フレキシブル有機ＥＬなどを用いることができる。ただし、これに限定されず、
電子ペーパーとして様々なものを用いることができる。ここで、マイクロカプセル型電気
泳動を用いることによって、電気泳動方式の欠点である泳動粒子の凝集、沈殿を解決する
ことができる。電子粉流体は、高速応答性、高反射率、広視野角、低消費電力、メモリ性
などのメリットを有する。

なお、プラズマディスプレイは、電極を表面に形成した基板と、電極及び微小な溝を表面
に形成し且つ溝内に蛍光体層を形成した基板とを狭い間隔で対向させて、希ガスを封入し
た構造を有する。なお、電極間に電圧をかけることによって紫外線を発生させ、蛍光体を
光らせることで、表示を行うことができる。なお、プラズマディスプレイとしては、ＤＣ
型ＰＤＰ、ＡＣ型ＰＤＰでもよい。ここで、プラズマディスプレイパネルとしては、ＡＳ
Ｗ（Ａｄｄｒｅｓｓ Ｗｈｉｌｅ Ｓｕｓｔａｉｎ）駆動、サブフレームをリセット期間
、アドレス期間、維持期間に分割するＡＤＳ（Ａｄｄｒｅｓｓ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｓｅｐ
ａｒａｔｅｄ）駆動、ＣＬＥＡＲ（Ｌｏｗ Ｅｎｅｒｇｙ Ａｄｄｒｅｓｓ ａｎｄ Ｒ
ｅｄｕｃｔｉｏｎ ｏｆ Ｆａｌｓｅ Ｃｏｎｔｏｕｒ Ｓｅｑｕｅｎｃｅ）駆動、ＡＬ
ＩＳ（Ａｌｔｅｒｎａｔｅ Ｌｉｇｈｔｉｎｇ ｏｆ Ｓｕｒｆａｃｅｓ）方式、ＴＥＲ
ＥＳ（Ｔｅｃｈｂｏｌｏｇｙ ｏｆ Ｒｅｃｉｐｒｏｃａｌ Ｓｕｓｆａｉｎｅｒ）駆動
などを用いることができる。ただし、これに限定されず、プラズマディスプレイとして様
々なものを用いることができる。

なお、光源を必要とする表示装置、例えば、液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ
、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射
型液晶ディスプレイ）、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）を用いた表示装置、デジ
タルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた表示装置などの光源としては、エレクト
ロルミネッセンス、冷陰極管、熱陰極管、ＬＥＤ、レーザー光源、水銀ランプなどを用い
ることができる。ただし、これに限定されず、光源して様々なものを用いることができる
。

なお、トランジスタとして、様々な形態のトランジスタを用いることが出来る。よって、
用いるトランジスタの種類に限定はない。例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微
結晶（マイクロクリスタル、セミアモルファスとも言う）シリコンなどに代表される非単
結晶半導体膜を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などを用いることが出来る。ＴＦＴを
用いる場合、様々なメリットがある。例えば、単結晶シリコンの場合よりも低い温度で製
造できるため、製造コストの削減、又は製造装置の大型化を図ることができる。製造装置
を大きくできるため、大型基板上に製造できる。そのため、同時に多くの個数の表示装置
を製造できるため、低コストで製造できる。さらに、製造温度が低いため、耐熱性の弱い
基板を用いることができる。そのため、透明基板上にトランジスタを製造できる。そして
、透明な基板上のトランジスタを用いて表示素子での光の透過を制御することが出来る。
あるいは、トランジスタの膜厚が薄いため、トランジスタを構成する膜の一部は、光を透
過させることが出来る。そのため、開口率が向上させることができる。

なお、多結晶シリコンを製造するときに、触媒（ニッケルなど）を用いることにより、結
晶性をさらに向上させ、電気特性のよいトランジスタを製造することが可能となる。その
結果、ゲートドライバ回路（走査線駆動回路）やソースドライバ回路（信号線駆動回路）
、信号処理回路（信号生成回路、ガンマ補正回路、ＤＡ変換回路など）を基板上に一体形
成することが出来る。

なお、微結晶シリコンを製造するときに、触媒（ニッケルなど）を用いることにより、結
晶性をさらに向上させ、電気特性のよいトランジスタを製造することが可能となる。この
とき、レーザー光の照射を行うことなく、熱処理を加えるだけで、結晶性を向上させるこ
とができる。その結果、ゲートドライバ回路（走査線駆動回路）やソースドライバ回路の
一部（アナログスイッチなど）を基板上に一体形成することが出来る。さらに、結晶化の
ためにレーザー光の照射を行わない場合は、シリコンの結晶性のムラを抑えることができ
る。そのため、綺麗な画像を表示することが出来る。

ただし、触媒（ニッケルなど）を用いずに、多結晶シリコンや微結晶シリコンを製造する
ことは可能である。

なお、シリコンの結晶性を、多結晶または微結晶などへと向上させることは、パネル全体
で行うことが望ましいが、それに限定されない。パネルの一部の領域のみにおいて、シリ
コンの結晶性を向上させてもよい。選択的に結晶性を向上させることは、レーザー光を選
択的に照射することなどにより可能である。例えば、画素以外の領域である周辺回路領域
にのみ、レーザー光を照射してもよい。または、ゲートドライバ回路、ソースドライバ回
路等の領域にのみ、レーザー光を照射してもよい。あるいは、ソースドライバ回路の一部
（例えば、アナログスイッチ）の領域にのみ、レーザー光を照射してもよい。その結果、
回路を高速に動作させる必要がある領域にのみ、シリコンの結晶化を向上させることがで
きる。画素領域は、高速に動作させる必要性が低いため、結晶性が向上されなくても、問
題なく画素回路を動作させることが出来る。結晶性を向上させる領域が少なくて済むため
、製造工程も短くすることが出来、スループットが向上し、製造コストを低減させること
が出来る。また、必要とされる製造装置の数も少なくて製造できるため、製造コストを低
減させることが出来る。

または、半導体基板やＳＯＩ基板などを用いてトランジスタを形成することが出来る。こ
れらにより、特性やサイズや形状などのバラツキが少なく、電流供給能力が高く、サイズ
の小さいトランジスタを製造することができる。これらのトランジスタを用いると、回路
の低消費電力化、又は回路の高集積化を図ることができる。

または、ＺｎＯ、ａ−ＩｎＧａＺｎＯ、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓ、ＩＺＯ、ＩＴＯ、ＳｎＯな
どの化合物半導体または酸化物半導体を有するトランジスタや、さらに、これらの化合物
半導体または酸化物半導体を薄膜化した薄膜トランジスタなどを用いることが出来る。こ
れらにより、製造温度を低くでき、例えば、室温でトランジスタを製造することが可能と
なる。その結果、耐熱性の低い基板、例えばプラスチック基板やフィルム基板に直接トラ
ンジスタを形成することが出来る。なお、これらの化合物半導体または酸化物半導体を、
トランジスタのチャネル部分に用いるだけでなく、それ以外の用途で用いることも出来る
。例えば、これらの化合物半導体または酸化物半導体を抵抗素子、画素電極、透明電極と
して用いることができる。さらに、それらをトランジスタと同時に成膜又は形成できるた
め、コストを低減できる。

または、インクジェットや印刷法を用いて形成したトランジスタなどを用いることが出来
る。これらにより、室温で製造、低真空度で製造、又は大型基板上に製造することができ
る。また、マスク（レチクル）を用いなくても製造することが可能となるため、トランジ
スタのレイアウトを容易に変更することが出来る。さらに、レジストを用いる必要がない
ので、材料費が安くなり、工程数を削減できる。さらに、必要な部分にのみ膜を付けるた
め、全面に成膜した後でエッチングする、という製法よりも、材料が無駄にならず、低コ
ストにできる。

または、有機半導体やカーボンナノチューブを有するトランジスタ等を用いることができ
る。これらにより、曲げることが可能な基板上にトランジスタを形成することが出来る。
そのため、衝撃に強くできる。

さらに、様々な構造のトランジスタを用いることができる。例えば、ＭＯＳ型トランジス
タ、接合型トランジスタ、バイポーラトランジスタなどをトランジスタとして用いること
が出来る。ＭＯＳ型トランジスタを用いることにより、トランジスタのサイズを小さくす
ることが出来る。よって、多数のトランジスタを搭載することができる。バイポーラトラ
ンジスタを用いることにより、大きな電流を流すことが出来る。よって、高速に回路を動
作させることができる。

なお、ＭＯＳ型トランジスタ、バイポーラトランジスタなどを１つの基板に混在させて形
成してもよい。これにより、低消費電力、小型化、高速動作などを実現することが出来る
。

その他、様々なトランジスタを用いることができる。

なお、トランジスタは、様々な基板を用いて形成することができる。基板の種類は、特定
のものに限定されることはない。トランジスタが形成される基板としては、例えば、単結
晶基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、紙基板、セロファン基
板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリ
ウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポ
リエステル）などを含む）、皮革基板、ゴム基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス
・スチル・ホイルを有する基板などを用いることが出来る。あるいは、人などの動物の皮
膚（皮表、真皮）又は皮下組織を基板として用いてもよい。または、ある基板を用いてト
ランジスタを形成し、その後、別の基板にトランジスタを転置し、別の基板上にトランジ
スタを配置してもよい。トランジスタが転置される基板としては、単結晶基板、ＳＯＩ基
板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、紙基板、セロファン基板、石材基板、木
材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエ
ステル）若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）など
を含む）、皮革基板、ゴム基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイル
を有する基板などを用いることができる。あるいは、人などの動物の皮膚（皮表、真皮）
又は皮下組織を基板として用いてもよい。または、ある基板を用いてトランジスタを形成
し、その基板を研磨して薄くしてもよい。研磨される基板としては、単結晶基板、ＳＯＩ
基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、紙基板、セロファン基板、石材基板、
木材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリ
エステル）若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）な
どを含む）、皮革基板、ゴム基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイ
ルを有する基板などを用いることができる。あるいは、人などの動物の皮膚（皮表、真皮
）又は皮下組織を基板として用いてもよい。これらの基板を用いることにより、特性のよ
いトランジスタの形成、消費電力の小さいトランジスタの形成、壊れにくい装置の製造、
耐熱性の付与、軽量化、又は薄型化を図ることができる。

なお、トランジスタの構成は、様々な形態をとることができる。特定の構成に限定されな
い。例えば、ゲート電極が２個以上のマルチゲート構造を用いてもよい。マルチゲート構
造にすると、チャネル領域が直列に接続されるため、複数のトランジスタが直列に接続さ
れた構成となる。マルチゲート構造により、オフ電流の低減、トランジスタの耐圧向上に
よる信頼性の向上を図ることができる。あるいは、マルチゲート構造により、飽和領域で
動作する時に、ドレイン・ソース間電圧が変化しても、ドレイン・ソース間電流があまり
変化せず、電圧・電流特性の傾きがフラットな特性にすることができる。電圧・電流特性
の傾きがフラットである特性を利用すると、理想的な電流源回路や、非常に高い抵抗値を
もつ能動負荷を実現することが出来る。その結果、特性のよい差動回路やカレントミラー
回路を実現することが出来る。また、チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造
でもよい。チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造にすることにより、チャネ
ル領域が増えるため、電流値の増加、又は空乏層ができやすくなることによるＳ値の低減
を図ることができる。チャネルの上下にゲート電極が配置されると、複数のトランジスタ
が並列に接続されたような構成となる。

あるいは、チャネル領域の上にゲート電極が配置されている構造でもよいし、チャネル領
域の下にゲート電極が配置されている構造でもよい。あるいは、正スタガ構造または逆ス
タガ構造でもよいし、チャネル領域が複数の領域に分かれていてもよいし、チャネル領域
が並列に接続されていてもよいし、チャネル領域が直列に接続されていてもよい。また、
チャネル領域（もしくはその一部）にソース電極やドレイン電極が重なっていてもよい。
チャネル領域（もしくはその一部）にソース電極やドレイン電極が重なる構造にすること
により、チャネル領域の一部に電荷がたまって、動作が不安定になることを防ぐことがで
きる。また、ＬＤＤ領域を設けても良い。ＬＤＤ領域を設けることにより、オフ電流の低
減、又はトランジスタの耐圧向上による信頼性の向上を図ることができる。あるいは、Ｌ
ＤＤ領域を設けることにより、飽和領域で動作する時に、ドレイン・ソース間電圧が変化
しても、ドレイン・ソース間電流があまり変化せず、電圧・電流特性の傾きがフラットな
特性にすることができる。

なお、トランジスタは、様々なタイプを用いることができ、様々な基板を用いて形成させ
ることができる。したがって、所定の機能を実現させるために必要な回路の全てが、同一
の基板に形成されていてもよい。例えば、所定の機能を実現させるために必要な回路の全
てが、ガラス基板、プラスチック基板、単結晶基板、またはＳＯＩ基板を用いて形成され
ていてもよく、さまざまな基板を用いて形成されていてもよい。所定の機能を実現させる
ために必要な回路の全てが同じ基板を用いて形成されていることにより、部品点数の削減
によるコストの低減、又は回路部品との接続点数の低減による信頼性の向上を図ることが
できる。あるいは、所定の機能を実現させるために必要な回路の一部が、ある基板に形成
されており、所定の機能を実現させるために必要な回路の別の一部が、別の基板に形成さ
れていてもよい。つまり、所定の機能を実現させるために必要な回路の全てが同じ基板を
用いて形成されていなくてもよい。例えば、所定の機能を実現させるために必要な回路の
一部は、ガラス基板上にトランジスタを用いて形成され、所定の機能を実現させるために
必要な回路の別の一部は、単結晶基板上に形成され、単結晶基板上のトランジスタで構成
されたＩＣチップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）でガラス基板に接続して、ガ
ラス基板上にそのＩＣチップを配置してもよい。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（Ｔ
ａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いてガラス基板と接
続してもよい。このように、回路の一部が同じ基板に形成されていることにより、部品点
数の削減によるコストの低減、又は回路部品との接続点数の低減による信頼性の向上を図
ることができる。また、駆動電圧が高い部分や駆動周波数が高い部分の回路は、消費電力
が大きくなってしまうので、そのような部分の回路は同じ基板に形成せず、そのかわりに
、例えば、単結晶基板上にその部分の回路を形成して、その回路で構成されたＩＣチップ
を用いるようにすれば、消費電力の増加を防ぐことができる。

なお、一画素とは、明るさを制御できる要素一つ分を示すものとする。よって、一例とし
ては、一画素とは、一つの色要素を示すものとし、その色要素一つで明るさを表現する。
従って、そのときは、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の色要素からなるカラー表示装置の場合
には、画像の最小単位は、Ｒの画素とＧの画素とＢの画素との三画素から構成されるもの
とする。なお、色要素は、三色に限定されず、三色以上を用いても良いし、ＲＧＢ以外の
色を用いても良い。例えば、白色を加えて、ＲＧＢＷ（Ｗは白）としてもよい。また、Ｒ
ＧＢに、例えば、イエロー、シアン、マゼンタ、エメラルドグリーン、朱色などを一色以
上追加してもよい。また、例えば、ＲＧＢの中の少なくとも一色に類似した色を、ＲＧＢ
に追加してもよい。例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂ１、Ｂ２としてもよい。Ｂ１とＢ２とは、どちら
も青色であるが、少し周波数が異なっている。同様に、Ｒ１、Ｒ２、Ｇ、Ｂとしてもよい
。このような色要素を用いることにより、より実物に近い表示を行うことができる。ある
いは、このような色要素を用いることにより、消費電力を低減することが出来る。また、
別の例としては、１つの色要素について、複数の領域を用いて明るさを制御する場合は、
その領域一つ分を一画素としてもよい。よって、一例として、面積階調を行う場合または
副画素（サブ画素）を有している場合、一つの色要素につき、明るさを制御する領域が複
数あり、その全体で階調を表現するわけであるが、明るさを制御する領域の一つ分を一画
素としてもよい。よって、その場合は、一つの色要素は、複数の画素で構成されることと
なる。あるいは、明るさを制御する領域が１つの色要素の中に複数あっても、それらをま
とめて、１つの色要素を１画素としてもよい。よって、その場合は、一つの色要素は、一
つの画素で構成されることとなる。また、１つの色要素について、複数の領域を用いて明
るさを制御する場合、画素によって、表示に寄与する領域の大きさが異なっている場合が
ある。また、一つの色要素につき複数ある、明るさを制御する領域において、各々に供給
する信号を僅かに異ならせるようにして、視野角を広げるようにしてもよい。つまり、１
つの色要素について、複数個ある領域が各々有する画素電極の電位が、各々異なっていて
もよい。その結果、液晶分子に加わる電圧が各画素電極によって各々異なる。よって、視
野角を広くすることが出来る。

なお、一画素（三色分）と明示的に記載する場合は、ＲとＧとＢの三画素分を一画素と考
える場合であるとする。一画素（一色分）と明示的に記載する場合は、一つの色要素につ
き、複数の領域がある場合、それらをまとめて一画素と考える場合であるとする。

なお、本書類（明細書、特許請求の範囲又は図面など）において、画素は、マトリクス状
に配置（配列）されている場合がある。ここで、画素がマトリクスに配置（配列）されて
いるとは、縦方向もしくは横方向において、画素が直線上に並んで配置されている場合や
、ギザギザな線上に配置されている場合を含む。よって、例えば三色の色要素（例えばＲ
ＧＢ）でフルカラー表示を行う場合に、ストライプ配置されている場合や、三つの色要素
のドットがデルタ配置されている場合も含む。さらに、ベイヤー配置されている場合も含
む。なお、色要素は、三色に限定されず、それ以上でもよく、例えば、ＲＧＢＷ（Ｗは白
）や、ＲＧＢに、イエロー、シアン、マゼンタなどを一色以上追加したものなどがある。
また、色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。これにより、低
消費電力化、又は表示素子の長寿命化を図ることができる。

なお、画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、または、画素に能動素子を有
しないパッシブマトリクス方式を用いることが出来る。

アクティブマトリクス方式では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）として、トラ
ンジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いること
が出来る。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）やＴＦＤ（
Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子は、製
造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。さら
に、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ、低消費電力化や高輝度
化をはかることが出来る。

なお、アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子（アクティブ素子、非線形
素子）を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子（アクティ
ブ素子、非線形素子）を用いないため、製造工程が少なく、製造コストの低減、又は歩留
まりの向上を図ることができる。また、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用い
ないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化や高輝度化をはかることが出来
る。

なお、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子
を有する素子であり、ドレイン領域とソース領域の間にチャネル領域を有しており、ドレ
イン領域とチャネル領域とソース領域とを介して電流を流すことが出来る。ここで、ソー
スとドレインとは、トランジスタの構造や動作条件等によって変わるため、いずれがソー
スまたはドレインであるかを限定することが困難である。そこで、本書類（明細書、特許
請求の範囲又は図面など）においては、ソース及びドレインとして機能する領域を、ソー
スもしくはドレインと呼ばない場合がある。その場合、一例としては、それぞれを第１端
子、第２端子と表記する場合がある。あるいは、それぞれを第１の電極、第２の電極と表
記する場合がある。あるいは、ソース領域、ドレイン領域と表記する場合がある。

なお、トランジスタは、ベースとエミッタとコレクタとを含む少なくとも三つの端子を有
する素子であってもよい。この場合も同様に、エミッタとコレクタとを、第１端子、第２
端子と表記する場合がある。

なお、ゲートとは、ゲート電極とゲート配線（ゲート線、ゲート信号線、走査線、走査信
号線等とも言う）とを含んだ全体、もしくは、それらの一部のことを言う。ゲート電極と
は、チャネル領域を形成する半導体と、ゲート絶縁膜を介してオーバーラップしている部
分の導電膜のことを言う。なお、ゲート電極の一部は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐ
ｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域又はソース領域（又はドレイン領域）と、ゲート絶縁膜を介して
オーバーラップしている場合もある。ゲート配線とは、各トランジスタのゲート電極の間
を接続するための配線、各画素の有するゲート電極の間を接続するための配線、又はゲー
ト電極と別の配線とを接続するための配線のことを言う。

ただし、ゲート電極としても機能し、ゲート配線としても機能するような部分（領域、導
電膜、配線など）も存在する。そのような部分（領域、導電膜、配線など）は、ゲート電
極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。つまり、ゲート電極とゲート配線とが
、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、延伸して配置されているゲート配
線の一部とチャネル領域がオーバーラップしている場合、その部分（領域、導電膜、配線
など）はゲート配線として機能しているが、ゲート電極としても機能していることになる
。よって、そのような部分（領域、導電膜、配線など）は、ゲート電極と呼んでも良いし
、ゲート配線と呼んでも良い。

なお、ゲート電極と同じ材料で形成され、ゲート電極と同じ島（アイランド）を形成して
つながっている部分（領域、導電膜、配線など）も、ゲート電極と呼んでも良い。同様に
、ゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート配線と同じ島（アイランド）を形成してつな
がっている部分（領域、導電膜、配線など）も、ゲート配線と呼んでも良い。このような
部分（領域、導電膜、配線など）は、厳密な意味では、チャネル領域とオーバーラップし
ていない場合、又は別のゲート電極と接続させる機能を有していない場合がある。しかし
、製造時の仕様等の関係でゲート電極またはゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート電
極またはゲート配線と同じ島（アイランド）を形成してつながっている部分（領域、導電
膜、配線など）がある。よって、そのような部分（領域、導電膜、配線など）もゲート電
極またはゲート配線と呼んでも良い。

なお、例えば、マルチゲートのトランジスタにおいて、１つのゲート電極と、別のゲート
電極とは、ゲート電極と同じ材料で形成された導電膜で接続される場合が多い。そのよう
な部分（領域、導電膜、配線など）は、ゲート電極とゲート電極とを接続させるための部
分（領域、導電膜、配線など）であるため、ゲート配線と呼んでも良いが、マルチゲート
のトランジスタを１つのトランジスタと見なすことも出来るため、ゲート電極と呼んでも
良い。つまり、ゲート電極またはゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート電極またはゲ
ート配線と同じ島（アイランド）を形成してつながっている部分（領域、導電膜、配線な
ど）は、ゲート電極やゲート配線と呼んでも良い。さらに、例えば、ゲート電極とゲート
配線とを接続させている部分の導電膜であって、ゲート電極またはゲート配線とは異なる
材料で形成された導電膜も、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。

なお、ゲート端子とは、ゲート電極の部分（領域、導電膜、配線など）または、ゲート電
極と電気的に接続されている部分（領域、導電膜、配線など）について、その一部分のこ
とを言う。

なお、ゲート配線、ゲート線、ゲート信号線、走査線、走査信号線などと呼ぶ場合、配線
にトランジスタのゲートが接続されていない場合もある。この場合、ゲート配線、ゲート
線、ゲート信号線、走査線、走査信号線は、トランジスタのゲートと同じ層で形成された
配線、トランジスタのゲートと同じ材料で形成された配線またはトランジスタのゲートと
同時に成膜された配線を意味している場合がある。例としては、保持容量用配線、電源線
、基準電位供給配線などがある。

なお、ソースとは、ソース領域とソース電極とソース配線（ソース線、ソース信号線、デ
ータ線、データ信号線等とも言う）とを含んだ全体、もしくは、それらの一部のことを言
う。ソース領域とは、Ｐ型不純物（ボロンやガリウムなど）やＮ型不純物（リンやヒ素な
ど）が多く含まれる半導体領域のことを言う。従って、少しだけＰ型不純物やＮ型不純物
が含まれる領域、いわゆる、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域は
、ソース領域には含まれない。ソース電極とは、ソース領域とは別の材料で形成され、ソ
ース領域と電気的に接続されて配置されている部分の導電層のことを言う。ただし、ソー
ス電極は、ソース領域も含んでソース電極と呼ぶこともある。ソース配線とは、各トラン
ジスタのソース電極の間を接続するための配線、各画素の有するソース電極の間を接続す
るための配線、又はソース電極と別の配線とを接続するための配線のことを言う。

しかしながら、ソース電極としても機能し、ソース配線としても機能するような部分（領
域、導電膜、配線など）も存在する。そのような部分（領域、導電膜、配線など）は、ソ
ース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。つまり、ソース電極とソース配
線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、延伸して配置されているソ
ース配線の一部とソース領域とがオーバーラップしている場合、その部分（領域、導電膜
、配線など）はソース配線として機能しているが、ソース電極としても機能していること
になる。よって、そのような部分（領域、導電膜、配線など）は、ソース電極と呼んでも
良いし、ソース配線と呼んでも良い。

なお、ソース電極と同じ材料で形成され、ソース電極と同じ島（アイランド）を形成して
つながっている部分（領域、導電膜、配線など）や、ソース電極とソース電極とを接続す
る部分（領域、導電膜、配線など）も、ソース電極と呼んでも良い。さらに、ソース領域
とオーバーラップしている部分も、ソース電極と呼んでも良い。同様に、ソース配線と同
じ材料で形成され、ソース配線と同じ島（アイランド）を形成してつながっている領域も
、ソース配線と呼んでも良い。このような部分（領域、導電膜、配線など）は、厳密な意
味では、別のソース電極と接続させる機能を有していない場合がある。しかし、製造時の
仕様等の関係でソース電極またはソース配線と同じ材料で形成され、ソース電極またはソ
ース配線とつながっている部分（領域、導電膜、配線など）がある。よって、そのような
部分（領域、導電膜、配線など）もソース電極またはソース配線と呼んでも良い。

なお、例えば、ソース電極とソース配線とを接続させている部分の導電膜であって、ソー
ス電極またはソース配線とは異なる材料で形成された導電膜も、ソース電極と呼んでも良
いし、ソース配線と呼んでも良い。

なお、ソース端子とは、ソース領域の領域や、ソース電極や、ソース電極と電気的に接続
されている部分（領域、導電膜、配線など）について、その一部分のことを言う。

なお、ソース配線、ソース線、ソース信号線、データ線、データ信号線などと呼ぶ場合、
配線にトランジスタのソース（ドレイン）が接続されていない場合もある。この場合、ソ
ース配線、ソース線、ソース信号線、データ線、データ信号線は、トランジスタのソース
（ドレイン）と同じ層で形成された配線、トランジスタのソース（ドレイン）と同じ材料
で形成された配線またはトランジスタのソース（ドレイン）と同時に成膜された配線を意
味している場合がある。例としては、保持容量用配線、電源線、基準電位供給配線などが
ある。

なお、ドレインについては、ソースと同様である。

なお、半導体装置とは半導体素子（トランジスタ、ダイオード、サイリスタなど）を含む
回路を有する装置のことをいう。さらに、半導体特性を利用することで機能しうる装置全
般を半導体装置と呼んでもよい。または、半導体材料を有する装置のことを半導体装置と
言う。

なお、表示素子とは、光学変調素子、液晶素子、発光素子、ＥＬ素子（有機ＥＬ素子、無
機ＥＬ素子又は有機物及び無機物を含むＥＬ素子）、電子放出素子、電気泳動素子、放電
素子、光反射素子、光回折素子、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、などのこ
とを言う。ただし、これに限定されない。

なお、表示装置とは、表示素子を有する装置のことを言う。なお、表示装置は、表示素子
を含む複数の画素を含んでいても良い。なお、表示装置は、複数の画素を駆動させる周辺
駆動回路を含んでいても良い。なお、複数の画素を駆動させる周辺駆動回路は、複数の画
素と同一基板上に形成されてもよい。なお、表示装置は、ワイヤボンディングやバンプな
どによって基板上に配置された周辺駆動回路、いわゆる、チップオングラス（ＣＯＧ）で
接続されたＩＣチップ、または、ＴＡＢなどで接続されたＩＣチップを含んでいても良い
。なお、表示装置は、ＩＣチップ、抵抗素子、容量素子、インダクタ、トランジスタなど
が取り付けられたフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）を含んでもよい。なお、表
示装置は、フレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）などを介して接続され、ＩＣチッ
プ、抵抗素子、容量素子、インダクタ、トランジスタなどが取り付けられたプリント配線
基盤（ＰＷＢ）を含んでいても良い。なお、表示装置は、偏光板または位相差板などの光
学シートを含んでいても良い。なお、表示装置は、照明装置、筐体、音声入出力装置、光
センサなどを含んでいても良い。ここで、バックライトユニットのような照明装置は、導
光板、プリズムシート、拡散シート、反射シート、光源（ＬＥＤ、冷陰極管など）、冷却
装置（水冷式、空冷式）などを含んでいても良い。

なお、照明装置は、バックライトユニット、導光板、プリズムシート、拡散シート、反射
シート、光源（ＬＥＤ、冷陰極管、熱陰極管など）、冷却装置などを有している装置のこ
とをいう。

なお、発光装置とは、発光素子などを有している装置のことをいう。表示素子として発光
素子を有している場合は、発光装置は、表示装置の具体例の一つである。

なお、反射装置とは、光反射素子、光回折素子、光反射電極などを有している装置のこと
をいう。

なお、液晶表示装置とは、液晶素子を有している表示装置をいう。液晶表示装置には、直
視型、投写型、透過型、反射型、半透過型などがある。

なお、駆動装置とは、半導体素子、電気回路、電子回路を有する装置のことを言う。例え
ば、ソース信号線から画素内への信号の入力を制御するトランジスタ（選択用トランジス
タ、スイッチング用トランジスタなどと呼ぶことがある）、画素電極に電圧または電流を
供給するトランジスタ、発光素子に電圧または電流を供給するトランジスタなどは、駆動
装置の一例である。さらに、ゲート信号線に信号を供給する回路（ゲートドライバ、ゲー
ト線駆動回路などと呼ぶことがある）、ソース信号線に信号を供給する回路（ソースドラ
イバ、ソース線駆動回路などと呼ぶことがある）などは、駆動装置の一例である。

なお、表示装置、半導体装置、照明装置、冷却装置、発光装置、反射装置、駆動装置など
は、互いに重複して有している場合がある。例えば、表示装置が、半導体装置および発光
装置を有している場合がある。あるいは、半導体装置が、表示装置および駆動装置を有し
ている場合がある。

なお、Ａの上にＢが形成されている、あるいは、Ａ上にＢが形成されている、と明示的に
記載する場合は、Ａの上にＢが直接接して形成されていることに限定されない。直接接し
てはいない場合、つまり、ＡとＢと間に別の対象物が介在する場合も含むものとする。こ
こで、Ａ、Ｂは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、
など）であるとする。

従って例えば、層Ａの上に（もしくは層Ａ上に）、層Ｂが形成されている、と明示的に記
載されている場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成されている場合と、層Ａの上に直
接接して別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されていて、その上に直接接して層Ｂが
形成されている場合とを含むものとする。なお、別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）は、単
層でもよいし、複層でもよい。

さらに、Ａの上方にＢが形成されている、と明示的に記載されている場合についても同様
であり、Ａの上にＢが直接接していることに限定されず、ＡとＢとの間に別の対象物が介
在する場合も含むものとする。従って例えば、層Ａの上方に、層Ｂが形成されている、と
いう場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成されている場合と、層Ａの上に直接接して
別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されていて、その上に直接接して層Ｂが形成され
ている場合とを含むものとする。なお、別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）は、単層でもよ
いし、複層でもよい。

なお、Ａの上にＢが直接接して形成されている、と明示的に記載する場合は、Ａの上に直
接接してＢが形成されている場合を含み、ＡとＢと間に別の対象物が介在する場合は含ま
ないものとする。

なお、Ａの下にＢが、あるいは、Ａの下方にＢが、の場合についても、同様である。

なお、明示的に単数として記載されているものについては、単数であることが望ましい。
ただし、これに限定されず、複数であることも可能である。同様に、明示的に複数として
記載されているものについては、複数であることが望ましい。ただし、これに限定されず
、単数であることも可能である。

１画素に副画素を３つ以上設け、各副画素の液晶層に加わる電圧を異ならせ配向状態を異
ならせることにより視野角特性を向上することができる。また、隣接する画素同士で保持
容量配線を共通して設けることにより副画素を複数設けた場合であっても開口率の低下を
抑制することが可能となる。また、コントラストに優れた表示装置を得ることができる。
また、表示品位に優れた表示装置を提供することをできる。また、ノイズの影響を受けに
くく、綺麗な表示を行うことが可能な表示装置を提供することができる。または、表示の
劣化が生じにくい表示装置を提供すること ができる。または、製品寿命に優れた表示装
置を提供することができる。

本発明に係る表示装置の画素の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の画素の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の駆動方法の一例を示す図。 本発明に係る表示装置の画素の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の画素の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の駆動方法の一例を示す図。 本発明に係る表示装置の駆動方法の一例を示す図。 本発明に係る表示装置の画素の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の画素の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の画素の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の駆動方法の一例を示す図。 本発明に係る表示装置の駆動方法の一例を示す図。 本発明に係る表示装置の画素の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の駆動方法の一例を示す図。 本発明に係る表示装置の駆動方法の一例を示す図。 本発明に係る表示装置の駆動方法の一例を示す図。 本発明に係る表示装置の画素の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の駆動方法の一例を示す図。 本発明に係る表示装置の駆動方法の一例を示す図。 本発明に係る表示装置の画素の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の画素の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の画素の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の画素の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の画素の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の画素の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の画素の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の画素の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の画素の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の画素の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の画素の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の駆動方法の一例を示す図。 本発明に係る表示装置の駆動方法の一例を示す図。 本発明に係る表示装置の駆動方法の一例を示す図。 本発明に係る表示装置の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の周辺構成部材の一例を示す図。 本発明に係る表示装置の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の作製方法の一例を示す図。 本発明に係る表示装置の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置を用いた電子機器を示す図。 本発明に係る表示装置を用いた電子機器を示す図。 本発明に係る表示装置を用いた電子機器を示す図。 本発明に係る表示装置を用いた電子機器を示す図。 本発明に係る表示装置を用いた電子機器を示す図。 本発明に係る表示装置を用いた電子機器を示す図。 本発明に係る表示装置を用いた電子機器を示す図。 本発明に係る表示装置を用いた電子機器を示す図。 本発明に係る表示装置を用いた電子機器を示す図。 本発明に係る表示装置を用いた電子機器を示す図。 本発明に係る表示装置の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の副画素のレイアウトの一例を示す図。 本発明に係る表示装置の副画素のレイアウトの一例を示す図。 本発明に係る表示装置の副画素のレイアウトの一例を示す図。 本発明に係る表示装置の周辺構成部材の一例を示す図。 本発明に係る表示装置の周辺構成部材の一例を示す図。 本発明に係る表示装置の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の一構成例を示す図。 本発明に係る表示装置の駆動方法を示す図。 本発明に係る表示装置の駆動方法を示す図。 本発明に係る表示装置の駆動方法を示す図。 本発明に係る表示装置の駆動方法を示す図。 本発明に係る表示装置の駆動方法を示す図。 本発明に係る表示装置の駆動方法を示す図。 本発明に係る表示装置の駆動方法を示す図。 本発明に係る表示装置の駆動方法を示す図。 本発明に係る表示装置の駆動方法を示す図。 本発明に係る表示装置の駆動方法を示す図。 本発明に係る表示装置を用いた電子機器を示す図。 本発明に係る表示装置を用いた電子機器を示す図。 本発明に係る表示装置を用いた電子機器を示す図。 本発明に係る表示装置を用いた電子機器を示す図。 本発明に係る表示装置を用いた電子機器を示す図。

以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの異なる態
様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形
態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施
の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するため
の全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り
返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の表示装置の一構成例に関して図面を参照して説明する。

本実施の形態で示す表示装置は、複数の画素を有しており、各画素には副画素が複数設け
られた構成となっている。図１を用いて一つの画素の構成を説明する。

図１に示す画素は、３つの副画素が設けられた構成を示している。第１の副画素１１０は
、第１の液晶層１１１、第１の容量素子１１２、第１のトランジスタ１１３を有している
。同様に、第２の副画素１２０は、第２の液晶層１２１、第２の容量素子１２２、第２の
トランジスタ１２３を有し、第３の副画素１３０は、第３の液晶層１３１、第３の容量素
子１３２、第３のトランジスタ１３３を有している。なお、ここでは、トランジスタを設
けた構成を示しているが、ダイオード等の他のスイッチ素子を設けてもよい。

第１の液晶層１１１、第２の液晶層１２１、第３の液晶層１３１は、それぞれ画素電極と
、共通電極と、それらによって制御される液晶とを有している。共通電極は各副画素で共
通して設けた構成とすることができる。ただし、これに限定されない。以下、第１の液晶
層１１１が有する画素電極を第１の画素電極、第２の液晶層１２１が有する画素電極を第
２の画素電極、第３の液晶層１３１が有する画素電極を第３の画素電極と記す。

第１の容量素子１１２、第２の容量素子１２２、第３の容量素子１３２は、各々が有する
第１の電極と第２の電極間に絶縁膜が設けられた構成とすることができる。第１の電極、
第２の電極としては、導電膜、半導体膜、不純物元素が導入された半導体膜、又は酸化物
半導体膜等を用いることができる。

第１のトランジスタ１１３は、ゲート電極が、走査線として機能しうる配線（以下、「走
査線１０１」と記す）に接続され、ソース又はドレインの一方が、信号線として機能しう
る配線（以下、「信号線１０２」と記す）に接続され、ソース又はドレインの他方が、第
１の液晶層１１１の第１の画素電極及び第１の容量素子１１２の第２の電極に接続されて
いる。

また、第２のトランジスタ１２３は、ゲート電極が、走査線１０１に接続され、ソース又
はドレインの一方が、信号線１０２に接続され、ソース又はドレインの他方が、第２の液
晶層１２１の第２の画素電極及び第２の容量素子１２２の第２の電極に接続されている。

また、第３のトランジスタ１３３は、ゲート電極が、走査線１０１に接続され、ソース又
はドレインの一方が、信号線１０２に接続され、ソース又はドレインの他方が、第３の液
晶層１３１の第３の画素電極及び第３の容量素子１３２の第２の電極に接続されている。

第１の容量素子１１２は、第１の電極が、容量配線として機能しうる配線（以下、「第１
の容量配線１１４」と記す）に接続され、第２の電極が第１の液晶層１１１の第１の画素
電極に接続されている。

また、第２の容量素子１２２は、第１の電極が容量配線として機能しうる配線（以下、「
第２の容量配線１２４」と記す）に接続され、第２の電極が第２の液晶層１２１の第２の
画素電極に接続されている。

また、第３の容量素子１３２は、第１の電極が容量配線として機能しうる配線（以下、「
第３の容量配線１３４」と記す）に接続され、第２の電極が第３の液晶層１３１の第３の
画素電極に接続されている。

また、第１の容量配線１１４、第２の容量配線１２４、第３の容量配線１３４は、各画素
に対応するように一つずつ設けた構成としてもよいが、隣接する画素が有する配線と共有
して設けた構成としてもよい。

例えば、図２に示すように、複数の画素１００ａ〜１００ｆにおいて、画素１００ｂは、
画素１００ａと第１の容量配線１１４を共有し、画素１００ｃと第２の容量配線１２４及
び第３の容量配線１３４を共有している。このように、画素間で配線を共有して設けるこ
とにより配線数を低減し、開口率を向上させることが可能となる。

又は、図１３で示すように、複数の画素１００ａ〜１００ｆにおいて、画素１００ｂは、
画素１００ａと第１の容量配線１１４を共有し、画素１００ｃと第２の容量配線１２４を
共有し、第３の容量配線１３４は、画素毎に配置するようにすることも可能である。

また、第１の容量配線１１４は、複数の画素において、一本で設けた構成としてもよいし
、複数本設けた構成としてもよい。第２の容量配線１２４、第３の容量配線１３４も同様
に、複数の画素において、一本で設けた構成としてもよいし、複数本設けた構成としても
よい。

次に、図１で示した画素を有する表示装置の駆動方法に関して図３を参照して説明する。
図３は、走査線１０１の電位Ｖｇ、信号線１０２の電位Ｖｓ、第１の容量配線１１４の電
位Ｖｃｓ１、第２の容量配線１２４の電位Ｖｃｓ２、第３の容量配線の電位Ｖｃｓ３、第
１の液晶層１１１の第１の画素電極の電位Ｖｌｃ１、第２の液晶層１２１の第２の画素電
極の電位Ｖｌｃ２、第３の液晶層１３１の第３の画素電極の電位Ｖｌｃ３、共通電極の電
位Ｖｃｏｍを示している。

なお、以下の説明において、第１のトランジスタ１１３のソース又はドレインの他方、第
１の画素電極及び第１の容量素子１１２の第２の電極の接続箇所を第１のノードα、第２
のトランジスタ１２３のソース又はドレインの他方、第２の画素電極及び第２の容量素子
１２２の第２の電極の接続箇所を第２のノードβ、第３のトランジスタ１３３のソース又
はドレインの他方、第３の画素電極及び第３の容量素子１２２の第２の電極の接続箇所を
第３のノードγとする。また、第１の容量配線１１４の電位Ｖｃｓ１及び第２の容量配線
１２４の電位Ｖｃｓ２を変化させ、第３の容量配線１３４の電位Ｖｃｓ３を概略一定とす
る場合に関して説明する。

図３において、Ｔ１になった場合、走査線１０１の電位Ｖｇがロウ（Ｌｏｗ）からハイ（
ｈｉｇｈ）に変化するため、第１のトランジスタ１１３、第２のトランジスタ１２３及び
第３のトランジスタ１３３がオン（Ｏｎ）となり、第１の画素電極、第２の画素電極及び
第３の画素電極に信号線１０２の電位Ｖｓが印加される。また、第１の容量素子１１２の
第２の電極、第２の容量素子１２２の第２の電極及び第３の容量素子１３２の第２の電極
にもＶｓが印加され、容量素子の充電が行われる。

図３において、Ｔ２になった場合、走査線１０１の電位Ｖｇがハイからロウに変化するた
め、第１のトランジスタ１１３、第２のトランジスタ１２３及び第３のトランジスタ１３
３がオフ（Ｏｆｆ）となり、第１の画素電極〜第３の画素電極、第１の容量素子１１２、
第２の容量素子１２２及び第３の容量素子１３２が信号線１０２と電気的に絶縁される。
その結果、第１のノードα、第２のノードβ及び第３のノードγが浮遊状態となる。

図３において、Ｔ３になった場合、第１の容量配線１１４の電位Ｖｃｓ１がハイからロウ
に変化するため、浮遊状態にある第１のノードαの電位も変化する。ノードαの電位の変
化量は、第１の液晶層１１１の容量の大きさと、第１の容量素子１１２の容量の大きさと
の関係から、決定される。つまり、第１の容量配線１１４の電位Ｖｃｓ１の電圧の振幅値
が、容量分割されることによって、ノードαの電位の変化量が決定される。

仮に、第１の液晶層１１１の容量値と、第１の容量素子１１２の容量値とが、同じ大きさ
である場合は、ノードαの電位の変化量は、第１の容量配線１１４の電位Ｖｃｓ１の変化
量の半分と、概ね等しくなる。又は、第１の液晶層１１１の容量値よりも、第１の容量素
子１１２の容量値の方が小さい場合は、ノードαの電位の変化量は、第１の容量配線１１
４の電位Ｖｃｓ１の変化量の半分よりも、小さくなる。又は、第１の液晶層１１１の容量
値よりも、第１の容量素子１１２の容量値の方が十分に大きい場合は、ノードαの電位の
変化量は、第１の容量配線１１４の電位Ｖｃｓ１の変化量と、概ね等しくなる。

従って、その場合は、例えば、Ｖｃｓ１がＶｃｏｍ＋ＶｘからＶｃｏｍ−Ｖｘまで変化し
た場合には、第１の液晶層１１１の第１の画素電極の電位Ｖｌｃ１が２Ｖｘ低下する。又
は、例えば、第１の液晶層１１１の容量値が、第１の容量素子１１２の容量値と概ね等し
い場合では、第１の液晶層１１１の第１の画素電極の電位Ｖｌｃ１がＶｘ低下する。同様
に、第２の容量配線１２４の電位Ｖｃｓ２がロウからハイに変化するため、浮遊状態にあ
る第２のノードβの電位もそれに応じて変化する。例えば、第２の液晶層１２１の容量値
よりも、第２の容量素子１２２の容量値の方が十分に大きい場合において、Ｖｃｓ２がＶ
ｃｏｍ−ＶｘからＶｃｏｍ＋Ｖｘまで変化した場合には、第２の液晶層１２１の第２の画
素電極の電位Ｖｌｃ２が２Ｖｘ増加する。なお、ここでは、第３の容量配線１３４の電位
Ｖｃｓ３は概略一定であるため、第３のノードγの電位は変化せず、第３の液晶層１３１
の第３の電極の電位Ｖｌｃ３は概略一定値（信号線１０２から加えられた電位）を保持す
る。

なお、第３の容量配線１３４の電位Ｖｃｓ３が概略一定であるとは、第３の容量配線１３
４に電位が加えられている期間において、第３の容量配線１３４の電位が常に一定である
場合はもちろん、一部の期間において第３の容量配線１３４の電位が一定でない場合も含
むものとする。また、一部の期間とは、第３の容量配線１３４に電位が加えられている期
間の好ましくは１０％以下、より好ましくは１％以下とする。また、ノイズ等により、第
３の容量配線１３４の電位がゆらいで変化した場合も概略一定に含まれるものとする。

図３において、Ｔ４になった場合、第１の容量配線１１４の電位Ｖｃｓ１がロウからハイ
に変化するため、浮遊状態にある第１のノードαの電位もそれに応じて変化する。例えば
、第１の液晶層１１１の容量値よりも、第１の容量素子１１２の容量値の方が十分に大き
い場合において、Ｖｃｓ１がＶｃｏｍ−ＶｘからＶｃｏｍ＋Ｖｘまで変化した場合には、
第１の液晶層１１１の第１の画素電極の電位Ｖｌｃ１が２Ｖｘ増加する。又は、例えば、
第１の液晶層１１１の容量値が、第１の容量素子１１２の容量値と概ね等しい場合では、
第１の液晶層１１１の第１の画素電極の電位Ｖｌｃ１がＶｘ増加する。

同様に、第２の容量配線１２４の電位Ｖｃｓ２がハイからロウに変化するため、浮遊状態
にある第２のノードβの電位もそれに応じて変化する。例えば、第２の液晶層１２１の容
量値よりも、第２の容量素子１２２の容量値の方が十分に大きい場合において、Ｖｃｓ２
がＶｃｏｍ＋ＶｘからＶｃｏｍ−Ｖｘまで変化した場合には、第２の液晶層１２１の第２
の画素電極の電位Ｖｌｃ２が２Ｖｘ低下する。又は、例えば、第２の液晶層１２１の容量
値が、第２の容量素子１２２の容量値と概ね等しい場合では、第２の液晶層１２１の第２
の画素電極の電位Ｖｌｃ２がＶｘ低下する。なお、ここでは、第３の容量配線１３４の電
位Ｖｃｓ３は一定であるため、第３のノードγの電位は変化せず、第３の液晶層１３１の
第３の電極の電位Ｖｌｃ３は概略一定値（信号線１０２から加えられた電位）を保持する
。

その後も、一定の期間毎に第１の容量配線１１４の電位Ｖｃｓ１及び第２の容量配線１２
４の電位Ｖｃｓ２が交互に変化することによって、第１の液晶層１１１の第１の画素電極
の電位Ｖｌｃ１と、第２の液晶層１２１の第２の画素電極の電位Ｖｌｃ２が増減する。ま
た、第３の容量配線１３４の電位Ｖｃｓ３を一定にした場合には、第３の液晶層１３１の
第３の画素電極の電位Ｖｌｃ３は概略一定値（信号線１０２から加えられた電位）を保持
する。その結果、第１の液晶層１１１に加わる電圧Ｖ１、第２の液晶層１２１に加わる電
圧Ｖ２、第３の液晶層１３１に加わる電圧Ｖ３は、それぞれ異なった値（ここでは、Ｖ１
＜Ｖ３＜Ｖ２）となる。

なお、ここでは、Ｖ１はＶｃｏｍを基準とした場合のＶｌｃ１の実効電圧、Ｖ２はＶｃｏ
ｍを基準とした場合のＶｌｃ２の実効電圧、Ｖ３はＶｃｏｍを基準とした場合のＶｌｃ３
の電圧となる。

通常、加えられた電圧の実効値に応じて、液晶の配向状態が制御される。

ここで、図３では、共通電極の電位Ｖｃｏｍよりも画素電極の電圧の方が大きい場合、つ
まり、ビデオ信号が正極の場合について示した。しかし、通常、液晶は交流駆動を行う。
そこで、図１４では、共通電極の電位Ｖｃｏｍよりも画素電極の電圧の方が小さい場合、
つまり、ビデオ信号が負極の場合について示す。

図１４において、Ｔ１になった場合、走査線１０１の電位Ｖｇがロウ（Ｌｏｗ）からハイ
（ｈｉｇｈ）に変化するため、第１のトランジスタ１１３、第２のトランジスタ１２３及
び第３のトランジスタ１３３がオン（Ｏｎ）となり、第１の画素電極、第２の画素電極及
び第３の画素電極に信号線１０２の電位Ｖｓが印加される。また、第１の容量素子１１２
の第２の電極、第２の容量素子１２２の第２の電極及び第３の容量素子１３２の第２の電
極にもＶｓが印加され、容量素子の充電が行われる。

図１４において、Ｔ２になった場合、走査線１０１の電位Ｖｇがハイからロウに変化する
ため、第１のトランジスタ１１３、第２のトランジスタ１２３及び第３のトランジスタ１
３３がオフ（Ｏｆｆ）となり、第１の画素電極〜第３の画素電極、第１の容量素子１１２
、第２の容量素子１２２及び第３の容量素子１３２が信号線１０２と電気的に絶縁される
。その結果、第１のノードα、第２のノードβ及び第３のノードγが浮遊状態となる。

図１４において、Ｔ３になった場合、第１の容量配線１１４の電位Ｖｃｓ１がハイからロ
ウに変化するため、浮遊状態にある第１のノードαの電位も変化する。ノードαの電位の
変化量は、第１の液晶層１１１の容量の大きさと、第１の容量素子１１２の容量の大きさ
との関係から、決定される。つまり、第１の容量配線１１４の電位Ｖｃｓ１の電圧の振幅
値が、容量分割されることによって、ノードαの電位の変化量が決定される。

仮に、第１の液晶層１１１の容量値と、第１の容量素子１１２の容量値とが、同じ大きさ
である場合は、ノードαの電位の変化量は、第１の容量配線１１４の電位Ｖｃｓ１の変化
量の半分と、概ね等しくなる。又は、第１の液晶層１１１の容量値よりも、第１の容量素
子１１２の容量値の方が小さい場合は、ノードαの電位の変化量は、第１の容量配線１１
４の電位Ｖｃｓ１の変化量の半分よりも、小さくなる。又は、第１の液晶層１１１の容量
値よりも、第１の容量素子１１２の容量値の方が十分に大きい場合は、ノードαの電位の
変化量は、第１の容量配線１１４の電位Ｖｃｓ１の変化量と、概ね等しくなる。

従って、その場合は、例えば、Ｖｃｓ１がＶｃｏｍ＋ＶｘからＶｃｏｍ−Ｖｘまで変化し
た場合には、第１の液晶層１１１の第１の画素電極の電位Ｖｌｃ１が２Ｖｘ低下する。又
は、例えば、第１の液晶層１１１の容量値が、第１の容量素子１１２の容量値と概ね等し
い場合では、第１の液晶層１１１の第１の画素電極の電位Ｖｌｃ１がＶｘ低下する。同様
に、第２の容量配線１２４の電位Ｖｃｓ２がロウからハイに変化するため、浮遊状態にあ
る第２のノードβの電位もそれに応じて変化する。例えば、第２の液晶層１２１の容量値
よりも、第２の容量素子１２２の容量値の方が十分に大きい場合において、Ｖｃｓ２がＶ
ｃｏｍ−ＶｘからＶｃｏｍ＋Ｖｘまで変化した場合には、第２の液晶層１２１の第２の画
素電極の電位Ｖｌｃ２が２Ｖｘ増加する。なお、ここでは、第３の容量配線１３４の電位
Ｖｃｓ３は一定であるため、第３のノードγの電位は変化せず、第３の液晶層１３１の第
３の電極の電位Ｖｌｃ３は概略一定値（信号線１０２から加えられた電位）を保持する。

図１４において、Ｔ４になった場合、第１の容量配線１１４の電位Ｖｃｓ１がロウからハ
イに変化するため、浮遊状態にある第１のノードαの電位もそれに応じて変化する。例え
ば、第１の液晶層１１１の容量値よりも、第１の容量素子１１２の容量値の方が十分に大
きい場合において、Ｖｃｓ１がＶｃｏｍ−ＶｘからＶｃｏｍ＋Ｖｘまで変化した場合には
、第１の液晶層１１１の第１の画素電極の電位Ｖｌｃ１が２Ｖｘ増加する。又は、例えば
、第１の液晶層１１１の容量値が、第１の容量素子１１２の容量値と概ね等しい場合では
、第１の液晶層１１１の第１の画素電極の電位Ｖｌｃ１がＶｘ増加する。

同様に、第２の容量配線１２４の電位Ｖｃｓ２がハイからロウに変化するため、浮遊状態
にある第２のノードβの電位もそれに応じて変化する。例えば、第２の液晶層１２１の容
量値よりも、第２の容量素子１２２の容量値の方が十分に大きい場合において、Ｖｃｓ２
がＶｃｏｍ＋ＶｘからＶｃｏｍ−Ｖｘまで変化した場合には、第２の液晶層１２１の第２
の画素電極の電位Ｖｌｃ２が２Ｖｘ低下する。又は、例えば、第２の液晶層１２１の容量
値が、第２の容量素子１２２の容量値と概ね等しい場合では、第２の液晶層１２１の第２
の画素電極の電位Ｖｌｃ２がＶｘ低下する。なお、ここでは、第３の容量配線１３４の電
位Ｖｃｓ３は一定であるため、第３のノードγの電位は変化せず、第３の液晶層１３１の
第３の電極の電位Ｖｌｃ３は概略一定値（信号線１０２から加えられた電位）を保持する
。

その後も、一定の期間毎に第１の容量配線１１４の電位Ｖｃｓ１及び第２の容量配線１２
４の電位Ｖｃｓ２が交互に変化することによって、第１の液晶層１１１の第１の画素電極
の電位Ｖｌｃ１と、第２の液晶層１２１の第２の画素電極の電位Ｖｌｃ２が増減する。ま
た、第３の容量配線１３４の電位Ｖｃｓ３を一定にした場合には、第３の液晶層１３１の
第３の画素電極の電位Ｖｌｃ３は概略一定値（信号線１０２から加えられた電位）を保持
する。その結果、第１の液晶層１１１に加わる実効電圧Ｖ１、第２の液晶層１２１に加わ
る実効電圧Ｖ２、第３の液晶層１３１に加わる実効電圧Ｖ３は、それぞれ異なった値（こ
こでは、Ｖ２＜Ｖ３＜Ｖ１）となる。

このように、同じタイミングで信号を入力しても、画像信号が正極の場合の実効電圧の関
係（Ｖ１＜Ｖ３＜Ｖ２）と、画像信号が負極の場合の実効電圧の関係（Ｖ２＜Ｖ３＜Ｖ１
）とは、異なってくる。ただし、画像信号が正極の場合のＶ１と、画像信号が負極の場合
のＶ２とは、概ね同じ大きさの実効電圧であり、画像信号が負極の場合のＶ２と、画像信
号が正極の場合のＶ１とは、概ね同じ大きさの実効電圧である。つまり、副画素が入れ替
わった形になるだけであるため、正常に表示させることが出来る。

一方、ここで、図１５に示すように、第３の容量配線１３４の電位が、第１の容量配線１
１４のように、変化した場合について考える。その場合、第３の液晶層１３１に加わる実
効電圧Ｖ３は、ビデオ信号が正極の場合と負極の場合とでは、異なってくる。なぜなら、
図１５に示すように、第１の容量配線１１４のような波形であれば、第３の液晶層１３１
の第３の画素電極の電位Ｖｌｃ３は、信号線１０２の電位Ｖｓよりも低くなる。その結果
、ビデオ信号が正極の場合は、液晶に加わる実効電圧は小さくなり、ビデオ信号が負極の
場合は、液晶に加わる実効電圧は大きくなるためである。したがって、第３の容量配線１
３４の電位が変化する場合は、信号線１０２の電位Ｖｓと共通電極の電位Ｖｃｏｍとの差
の絶対値が同じであっても、ビデオ信号が正極の場合と負極の場合とでは、液晶に加わる
実効電圧が異なってしまう。そのため、同じ大きさの実効電圧を液晶に供給したいときに
は、正極用のビデオ信号と、負極用のビデオ信号とで、別々の処理が必要となってしまう
。

また、図１６に示すように、第３の容量配線１３４の電位が、第２の容量配線１２４のよ
うに、変化した場合について考える。その場合、第３の液晶層１３１の第３の画素電極の
電位Ｖｌｃ３は、信号線１０２の電位Ｖｓよりも高くなる。その結果、ビデオ信号が正極
の場合は、液晶に加わる実効電圧は大きくなり、ビデオ信号が負極の場合は、液晶に加わ
る実効電圧は小さくなる。

したがって、図１５と図１６とを比較してみると、信号線１０２の電位Ｖｓが同じであっ
ても、第３の容量配線１３４の電位が、第１の容量配線１１４のように変化した場合と、
第２の容量配線１２４のように変化した場合とでは、液晶に加わる実効電圧が異なってく
る。したがって、同じ大きさの実効電圧を液晶に供給したいときには、第３の容量配線１
３４の電位の波形に応じて、別々の処理が必要となってしまう。

このように、第３の容量配線１３４の電位が変化する場合は、様々な状況に応じて、液晶
に加わる実効電圧が異なってきてしまう。しかし、図３に示すように、第３の容量配線１
３４の電位が変化せず、一定値である場合には、このような問題は生じない。

このようにすることにより、３つの副画素において、液晶に加わる実効電圧は、各々異な
るようにすることが出来る。したがって、斜めから見た場合の階調の変化量を小さくする
ことができ、視野角を広くすることが出来る。

このように、奇数個の副画素を配置する場合は、奇数個分の副画素においては、容量配線
の電位を一定値にすることが望ましい。ただし、これに限定されない。

また、逆の見方をすれば、容量配線の電位を一定値にする副画素を配置することによって
、副画素の数を奇数個にすることが出来ると言うことができる。仮に、全ての容量配線の
電位を変化させる場合であれば、副画素の数を２個以上にしたい場合は、４個の副画素に
する必要がある。そのため、副画素の数が２個では不十分である場合、４個まで増やさざ
るを得ない。その結果、開口率の低下や歩留まりの低下を招いてしまう可能性がある。し
かし、容量配線の電位を一定値にする副画素を配置することによって、副画素の数を奇数
個にすることが出来るため、副画素の数が２個では不十分である場合は、副画素の数を３
個にして、開口率と視野角とのバランスを取りながら、正常に動作させることが出来る。

このように、一つの画素に複数の副画素を設け、当該副画素毎に液晶の配向状態を異なら
せることにより、視野角特性を向上させることができる。特に、ここでは、第３の画素電
極に第３の容量素子１３２を介して接続された第３の容量配線１３４の電位を一定とする
ことにより、第３の液晶層１３１には信号線１０２から供給された電位が加わることとな
るため、ビデオ信号に特別な処理を加えずに副画素数を増やすことが出来るという利点を
有している。

上記説明においては、第１の容量配線１１４の電位Ｖｃｓ１、第２の容量配線１２４の電
位Ｖｃｓ２を、ある周波数を有し互いに１／２周期異なる電位とし、同じ振幅の電圧とし
、第３の容量配線１３４の電位Ｖｃｓ３を、Ｖｃｓ１とＶｃｓ２のハイの電位ＶＨとロウ
の電位ＶＬの中間値（例えば、Ｖｃｏｍ）とした例を示したが、これに限られない。例え
ば、Ｖｃｓ３を電位ＶＨ又は電位ＶＬの概略一定の値としてもよいし、電位ＶＨより大き
くしてもよいし、電位ＶＬより小さくしてもよい。また、Ｖｃｓ３をある周波数を有する
電位としてもよい。あるいは、電位ＶＨは、Ｖｃｏｍと同じ電位でもよいし、電位ＶＬが
Ｖｃｏｍと同じ電位でもよい。または、第１の容量配線１１４のハイの電位と、第２の容
量配線１２４のハイの電位とが異なっていても良い。または、第１の容量配線１１４のロ
ウの電位と、第２の容量配線１２４のロウの電位とが異なっていても良い。

なお、第１の副画素１１０と、第２の副画素１２０とは、交互に状態が入れ替わるような
形で、互いに対称な動作を行う場合が多い。したがって、各々の構成要素は、概ね同じ構
成になっていることが望ましい。例えば、トランジスタのサイズ（チャネル長またはチャ
ネル幅）は、第１の副画素１１０と第２の副画素１２０とでは、概ね等しいことが望まし
い。または、保持容量の容量値（またはレイアウト形状）は、第１の副画素１１０と第２
の副画素１２０とでは、概ね等しいことが望ましい。または、液晶の容量値（またはレイ
アウト形状）は、第１の副画素１１０と第２の副画素１２０とでは、概ね等しいことが望
ましい。ここで、概ね等しいとは、製造上の誤差などが原因となって、多少のズレが生じ
ている場合も含むものとする。

一方、第３の副画素１３０は、第１の副画素１１０または第２の副画素１２０と、対称的
な動作をすることはない。したがって、各々の構成要素は、異なっていても良い。その結
果、トランジスタや保持容量や液晶素子のレイアウトに自由度が生じ、柔軟な設計を行う
ことが出来る。例えば、トランジスタのサイズ（チャネル長またはチャネル幅）は、第３
の副画素１３０と第１の副画素１１０（または第２の副画素１２０）とでは、異なってい
ても良い。または、保持容量の容量値（またはレイアウト形状）は、第３の副画素１３０
と第１の副画素１１０（または第２の副画素１２０）とでは、異なっていても良い。また
は、液晶の容量値（またはレイアウト形状）は、第３の副画素１３０と第１の副画素１１
０（または第２の副画素１２０）とでは、異なっていても良い。

なお、第３の副画素１３０の保持容量の容量値は、第１の副画素１１０または第２の副画
素１２０の保持容量の容量値よりも小さくても良い。なぜなら、第３の副画素１３０の容
量配線の電位は、一定であるからである。したがって、容量値が最小の場合として、図１
７に示すように、第３の副画素１３０では、保持容量を設けなくても良い。図１７のよう
に、第３の容量配線１３４、第３の容量素子１３２を設けないようにする。その結果、開
口率を向上させたり、製造歩留まりを向上させたりすることが出来る。

なお、図３と図１４とを見ると、ビデオ信号が正極の場合は、第１の液晶層１１１に加わ
る電圧の実効値（または、絶対値）は、第２の液晶層１２１に加わる電圧の実効値（また
は、絶対値）よりも小さく、ビデオ信号が負極の場合は、第１の液晶層１１１に加わる電
圧の実効値（または、絶対値）は、第２の液晶層１２１に加わる電圧の実効値（または、
絶対値）よりも大きい。したがって、液晶の中に存在する不純物が、局所的に集まってし
まう可能性がある。液晶では、通常、交流駆動を行うことによって、不純物が偏らないよ
うにしている。しかし、液晶層に加わる電圧に偏りが生じると、不純物も偏ってしまう。
したがって、第１の容量配線１１４の波形と第２の容量配線１２４の波形とを、図１８の
ように、図３とは逆にすることにより、つまり、ビデオ信号が正極の時と、負極の時とで
、第１の容量配線１１４と第２の容量配線１２４とに加わる波形を逆にすることにより、
液晶層に加わる実効値（または、絶対値）が概ね等しくなるようにする事が出来る。この
結果、不純物が液晶層の中で偏ることを低減することが出来る。

なお、ビデオ信号が正極の時の第１の容量配線１１４と第２の容量配線１２４の波形が、
図３で示した波形である場合、第１の液晶層１１１に加わる電圧の実効値（または、絶対
値）の方が、第２の液晶層１２１に加わる電圧の実効値（または、絶対値）よりも、小さ
くなってしまう。しかしながら、これが切り替わることによって、平均化されて見えるた
め、望ましい。そこで、図３の波形と、図１９の波形とを切り替えて動作させることが望
ましい。図３と図１９とでは、第１の容量配線１１４と第２の容量配線１２４とに加わる
波形が逆になっている。それにより、第１の液晶層１１１に加わる電圧の実効値（または
、絶対値）と、第２の液晶層１２１に加わる電圧の実効値（または、絶対値）とが、切り
替わるため、平均化され、滑らかに表示させることが出来る。ビデオ信号が負極の時も同
様に、図１４の波形と、図１８の波形のように、第１の容量配線１１４と第２の容量配線
１２４とに加わる波形を逆にした波形を用いることにより、第１の液晶層１１１に加わる
電圧の実効値（または、絶対値）と、第２の液晶層１２１に加わる電圧の実効値（または
、絶対値）とが、切り替わるため、平均化され、滑らかに表示させることが出来る。

なお、図３、図１４、図１８、図１９の波形を用いて、それらを適宜切り替えることによ
って、液晶層での不純物の偏りの低減と、画像の滑らかな表示とを行うことも可能である
。

また、本実施の形態では、一つの画素に３つの副画素が設けられた例を示したがこれに限
られず、副画素を３つ以上設けた構成としてもよい。例えば、図２０に示した構成として
もよい。図２０に示す構成は、図１に示した構成に第４の副画素１４０を追加した構成と
なっている。第４の副画素１４０は、第４の液晶層１４１、第４の容量素子１４２、第４
のトランジスタ１４３を有している。第４の容量素子１４２は、第１の電極が容量配線と
して機能しうる配線（以下、「第４の容量配線１４４」と記す）に接続され、第２の電極
が第４の液晶層１４１の第４の画素電極に接続されている。

図２０に示す構成において、第３の容量配線１３４及び第４の容量配線１４４の電位を一
定とすることができる。図２０に示すように第４の副画素１４０を追加することによって
、画素のレイアウトを対称な形とすることができ、容量の大きさを副画素間で概ね等しく
することができる。

他にも、図１７に示す構成に第４の副画素１４０を追加した構成としてもよい（図２１）
。図２１で示す構成において、第３の副画素１３０、第４の副画素１４０に保持容量を設
けない場合を示している。このように、第３の容量配線１３４、第３の容量素子１３２、
第４の容量配線１４４、第４の容量素子１４２を設けない構成とすることによって、開口
率の向上や、製造歩留まりの向上を図ることができる。また、第４の副画素１４０を追加
することによって、画素のレイアウトを対称な形とすることができ、容量の大きさを副画
素間で概ね等しくすることができる。

なお、液晶層、容量素子または容量配線などを複数個に分割してもよい。例として、第３
の副画素１３０において、第３の液晶層１３１、第３の容量素子１３２および第３の容量
配線１３４を２つに分割した場合について、図２２に示す。この場合、画素のレイアウト
を対象な形に出来るため、望ましい。なお、第３のトランジスタ１３３は共通に設けた場
合を示したが、第３のトランジスタ１３３を分割して設けた構成としてもよい。

また、上述した説明において、例えば、第１のトランジスタ１１３〜第３のトランジスタ
１３３の走査線１０１は、１つの画素につき、１本にしている場合について示しているが
、これに限定されず、複数本でもよい。例えば、図２５に示すように、走査線を複数本に
することにより、画素のレイアウトの自由度が向上し、画素電極の形を対称性よく配置す
ることができる。なお、ここでは、一例として、第３のトランジスタ１３３のゲート電極
が、第２の走査線２０１に接続された構成を示している。

また、図２６に示すように、第３の容量配線１３４、第３の容量素子１３２を設けない構
成としてもよい。その結果、開口率を向上させたり、製造歩留まりを向上させたりするこ
とが出来る。

また、本実施の形態では、表示装置として液晶を用いた例を示したが、これに限られずＥ
Ｌ素子（有機物及び無機物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）等を用いた発
光装置に適用することも可能である。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図
で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に
行うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施
の形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。

（実施の形態２）

本実施の形態では、上記実施の形態と異なる表示装置の構成に関して図面を参照して説明
する。具体的には、上記実施の形態で示した構成において、走査線と第３の容量配線とを
共通に設けた構成に関して説明する。

図４に、本実施の形態で示す表示装置の画素の構成を示す。なお、図４は、複数の画素１
００ａ〜１００ｆにそれぞれ３つの副画素が設けられた構成を示している。具体的には、
第１の副画素には第１の液晶層１１１、第１の容量素子１１２、第１のトランジスタ１１
３が設けられており、第２の副画素には第２の液晶層１２１、第２の容量素子１２２、第
２のトランジスタ１２３が設けられており、第３の副画素には第３の液晶層１３１、第３
の容量素子１３２、第３のトランジスタ１３３が設けられている。

第１のトランジスタ１１３は、ゲート電極が、走査線１０１に接続され、ソース又はドレ
インの一方が、信号線１０２に接続され、ソース又はドレインの他方が、第１の液晶層１
１１の第１の画素電極及び第１の容量素子１１２の第２の電極に接続されている。

また、第２のトランジスタ１２３は、ゲート電極が、走査線１０１に接続され、ソース又
はドレインの一方が、信号線１０２に接続され、ソース又はドレインの他方が、第２の液
晶層１２１の第２の画素電極及び第２の容量素子１２２の第２の電極に接続されている。

また、第３のトランジスタ１３３は、ゲート電極が、走査線１０１に接続され、ソース又
はドレインの一方が、信号線１０２に接続され、ソース又はドレインの他方が、第３の液
晶層１３１の第３の画素電極及び第３の容量素子１３２の第２の電極に接続されている。

また、第１の容量素子１１２の第１の電極は容量配線として機能しうる配線（第１の容量
配線１１４）に接続され、第２の容量素子１２２の第１の電極は容量配線として機能しう
る配線（第２の容量配線１２４）に接続され、第３の容量素子１３２の第１の電極は走査
線１０１に接続されている。

図４に示す構成は、上記実施の形態で示した構成（図２）と比較して、第３の容量配線１
３４を省略し、走査線１０１と第３の容量配線１３４を共通に設けている。つまり、本実
施の形態において、走査線１０１は容量配線としても機能しうる。

このように、第３の副画素に設けられた第３の容量素子１３２の第１の電極を走査線１０
１に接続する構成とすることによって、配線数の増加を伴わずに副画素の数を増加させる
ことが可能となる。また、隣接する画素同士で第１の容量配線１１４、第２の容量配線１
２４を共有して設け、第３の容量配線と走査線を共通して設けることにより、画素に３つ
以上の副画素を設けた場合であっても、配線数を低減し、開口率の低下を抑制することが
できる。

なお、図４では、第３の副画素に設けられた第３の容量素子１３２の第１の電極を当該画
素（ｍ行）の一行前の画素（ｍ−１）行に接続された走査線１０１に接続した構成を示し
ているが、これに限定されない。例えば、当該画素の一行後（ｍ＋１行）に接続された走
査線１０１に接続させた構成としてもよい（図５）。又は、数行前の画素（ｍ−ｎ行、こ
こでｎは自然数）に接続された走査線に接続してもよいし、数行後（ｍ＋ｎ行、ここでｎ
は自然数）に接続された走査線に接続してもよい。または、図２４に示すように、第３の
容量素子１３２を配置しないようにしてもよい。

次に、図４で示した画素を有する表示装置の駆動方法に関して図６を参照して説明する。
図６は、図４におけるｍ行目の画素１００ｂの副画素の駆動について示しており、ｍ行目
の走査線１０１の電位Ｖｇｍ、信号線１０２の電位Ｖｓ、第１の容量配線１１４の電位Ｖ
ｃｓ１、第２の容量配線１２４の電位Ｖｃｓ２、第１の液晶層１１１の第１の画素電極の
電位Ｖｌｃ１、第２の液晶層１２１の第２の画素電極の電位Ｖｌｃ２、第３の液晶層１３
１の第３の画素電極の電位Ｖｌｃ３、共通電極の電位Ｖｃｏｍを示している。また、（ｍ
−１）行目の走査線の電位Ｖｇ（ｍ−１）も示している。

なお、以下の説明において、第１のトランジスタ１１３のソース又はドレインの他方、第
１の画素電極及び第１の容量素子１１２の第２の電極の接続箇所を第１のノードα、第２
のトランジスタ１２３のソース又はドレインの他方、第２の画素電極及び第２の容量素子
１２２の第２の電極の接続箇所を第２のノードβ、第３のトランジスタ１３３のソース又
はドレインの他方、第３の画素電極及び第３の容量素子１２２の第２の電極の接続箇所を
第３のノードγとする。また、第１の容量配線１１４の電位Ｖｃｓ１及び第２の容量配線
１２４の電位Ｖｃｓ２を変化させる場合に関して説明する。

図６において、Ｔ１になった場合、ｍ行目の走査線１０１の電位Ｖｇｍがロウ（Ｌｏｗ）
からハイ（ｈｉｇｈ）に変化するため、第１のトランジスタ１１３、第２のトランジスタ
１２３及び第３のトランジスタ１３３がオン（Ｏｎ）となり、第１の画素電極、第２の画
素電極及び第３の画素電極に信号線１０２の電位Ｖｓが印加される。また、第１の容量素
子１１２の第２の電極、第２の容量素子１２２の第２の電極及び第３の容量素子１３２の
第２の電極にもＶｓが印加され、容量素子の充電が行われる。

図６において、Ｔ２になった場合、ｍ行目の走査線１０１の電位Ｖｇｍがハイからロウに
変化するため、第１のトランジスタ１１３、第２のトランジスタ１２３及び第３のトラン
ジスタ１３３がオフ（Ｏｆｆ）となり、第１の画素電極〜第３の画素電極、第１の容量素
子１１２、第２の容量素子１２２及び第３の容量素子１３２が信号線１０２と電気的に絶
縁される。その結果、第１のノードα、第２のノードβ及び第３のノードγが浮遊状態と
なる。

図６において、Ｔ３になった場合、第１の容量配線１１４の電位Ｖｃｓ１がハイからロウ
に変化するため、浮遊状態にある第１のノードαの電位もそれに応じて変化する。第１の
液晶層１１１の容量値よりも、第１の容量素子１１２の容量値の方が十分に大きい場合に
おいて、例えば、Ｖｃｓ１がＶｃｏｍ＋ＶｘからＶｃｏｍ−Ｖｘまで変化した場合には、
第１の液晶層１１１の第１の画素電極の電位Ｖｌｃ１が２Ｖｘ低下する。又は、例えば、
第１の液晶層１１１の容量値が、第１の容量素子１１２の容量値と概ね等しい場合では、
第１の液晶層１１１の第１の画素電極の電位Ｖｌｃ１がＶｘ低下する。同様に、第２の容
量配線１２４の電位Ｖｃｓ２がロウからハイに変化するため、浮遊状態にある第２のノー
ドβの電位もそれに応じて変化する。

例えば、第２の液晶層１２１の容量値よりも、第２の容量素子１２２の容量値の方が十分
に大きい場合において、Ｖｃｓ２がＶｃｏｍ−ＶｘからＶｃｏｍ＋Ｖｘまで変化した場合
には、第２の液晶層１２１の第２の画素電極の電位Ｖｌｃ２が２Ｖｘ増加する。又は、例
えば、第２の液晶層１２１の容量値が、第２の容量素子１２２の容量値と概ね等しい場合
では、第２の液晶層１２１の第２の画素電極の電位Ｖｌｃ２がＶｘ増加する。なお、ここ
では、（ｍ−１）行目の走査線１０１の電位Ｖｇ（ｍ−１）は既に一定になっているため
、第３のノードγの電位は変化せず、第３の液晶層１３１の第３の電極の電位Ｖｌｃ３は
概略一定値（信号線１０２から加えられた電位）を保持する。

図６において、Ｔ４になった場合、第１の容量配線１１４の電位Ｖｃｓ１がロウからハイ
に変化するため、浮遊状態にある第１のノードαの電位もそれに応じて変化する。例えば
、第１の液晶層１１１の容量値よりも、第１の容量素子１１２の容量値の方が十分に大き
い場合において、Ｖｃｓ１がＶｃｏｍ−ＶｘからＶｃｏｍ＋Ｖｘまで変化した場合には、
第１の液晶層１１１の第１の画素電極の電位Ｖｌｃ１が２Ｖｘ増加する。又は、例えば、
第１の液晶層１１１の容量値が、第１の容量素子１１２の容量値と概ね等しい場合では、
第１の液晶層１１１の第１の画素電極の電位Ｖｌｃ１がＶｘ増加する。同様に、第２の容
量配線１２４の電位Ｖｃｓ２がハイからロウに変化するため、浮遊状態にある第２のノー
ドβの電位もそれに応じて変化する。例えば、第２の液晶層１２１の容量値よりも、第２
の容量素子１２２の容量値の方が十分に大きい場合において、Ｖｃｓ２がＶｃｏｍ＋Ｖｘ
からＶｃｏｍ−Ｖｘまで変化した場合には、第２の液晶層１２１の第２の画素電極の電位
Ｖｌｃ２が２Ｖｘ低下する。又は、例えば、第２の液晶層１２１の容量値が、第２の容量
素子１２２の容量値と概ね等しい場合では、第２の液晶層１２１の第２の画素電極の電位
Ｖｌｃ２がＶｘ低下する。なお、ここでは、（ｍ−１）行目の走査線１０１の電位Ｖｇ（
ｍ−１）は一定であるため、第３のノードγの電位は変化せず、第３の液晶層１３１の第
３の電極の電位Ｖｌｃ３は概略一定値（信号線１０２から加えられた電位）を保持する。

その後も、一定の期間毎に第１の容量配線１１４の電位Ｖｃｓ１及び第２の容量配線１２
４の電位Ｖｃｓ２が交互に変化することによって、第１の液晶層１１１の第１の画素電極
の電位Ｖｌｃ１と、第２の液晶層１２１の第２の画素電極の電位Ｖｌｃ２が増減する。ま
た、（ｍ−１）行目の走査線１０１の電位Ｖｇ（ｍ−１）は一定であるため、第３の液晶
層１３１の第３の画素電極の電位Ｖｌｃ３は概略一定値（信号線１０２から加えられた電
位）を保持する。その結果、第１の液晶層１１１、第２の液晶層１２１、第３の液晶層１
３１にはそれぞれ異なる電位（ここでは、Ｖｌｃ１＜Ｖｌｃ３＜Ｖｌｃ２）が加えられる
こととなる。

このように、一つの画素に複数の副画素を設け、当該副画素毎に液晶の配向状態を異なら
せることにより、視野角特性を向上させることができる。特に、ここでは、第３の画素電
極を第３の容量素子１３２を介して（ｍ−１）行目の走査線１０１に接続することにより
、第３の液晶層１３１には信号線１０２から供給された電位を保持することとなるため、
ビデオ信号に特別な処理を加えずに副画素数を増やすことが出来るという利点を有してい
る。

なお、図６では、第３の副画素に設けられた第３の容量素子１３２の第１の電極を当該画
素（ｍ行）の一行前の画素（ｍ−１行）に接続された走査線１０１に接続した構成（図４
）の駆動方法を示しているが、当該画素の一行後（ｍ＋１行）に接続された走査線１０１
に接続させた構成（図５）の駆動方法を図７に示す。この場合、Ｔ２になった場合、（ｍ
＋１）行目の走査線１０１の電位Ｖｇ（ｍ＋１）がロウからハイに変化するため、浮遊状
態にある第３のノードγの電位もそれに応じて変化する。しかしながら、（ｍ＋１）行目
の走査線１０１の電位Ｖｇ（ｍ＋１）の電位が変化する期間は、（ｍ＋１）行目の画素が
選択される期間であり、第３の容量配線１３４に電位が加えられている全期間と比較して
短いため液晶に加えられる実効電圧としては、影響は小さい。

本実施の形態では、一つの画素に３つの副画素が設けられた例を示したがこれに限られず
、副画素を３つ以上設けた構成としてもよい。また、本実施の形態では、表示装置として
液晶を用いた例を示したが、これに限られずＥＬ素子（有機物及び無機物を含むＥＬ素子
、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）等を用いた発光装置に適用することも可能である。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図
で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に
行うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施
の形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる半導体装置について図面を参照して説明す
る。

図８に、本実施の形態で示す表示装置の画素の構成を示す。

図８に示す画素は、５つの副画素が設けられた構成を示している。第１の副画素１１０は
、第１の液晶層１１１、第１の容量素子１１２、第１のトランジスタ１１３を有している
。同様に、第２の副画素１２０は、第２の液晶層１２１、第２の容量素子１２２、第２の
トランジスタ１２３を有し、第３の副画素１３０は、第３の液晶層１３１、第３の容量素
子１３２、第３のトランジスタ１３３を有し、第４の副画素１４０は、第４の液晶層１４
１、第４の容量素子１４２、第４のトランジスタ１４３を有し、第５の副画素１５０は、
第５の液晶層１５１、第５の容量素子１５２、第５のトランジスタ１５３を有している。

つまり、本実施の形態で示す画素は、上記図１の構成に第４の副画素１４０と第５の副画
素１５０を追加した構成となっている。

第４の液晶層１４１、第５の液晶層１５１は、第１の液晶層１１１、第２の液晶層１２１
、第３の液晶層１３１と同様に、画素電極と共通電極とそれらによって制御される液晶を
有しており、共通電極は各副画素で共通して設けた構成とすることができる。以下、第４
の液晶層１４１が有する画素電極を第４の画素電極、第５の液晶層１５１が有する画素電
極を第５の画素電極と記す。

第４の容量素子１４２、第５の容量素子１５２は、各々が有する第１の電極と第２の電極
間に絶縁膜が設けられた構成とすることができ、第１の電極、第２の電極としては、導電
膜、半導体膜、不純物元素が導入された半導体膜、又は酸化物半導体膜等を用いることが
できる。

第４のトランジスタ１４３は、ゲート電極が、走査線１０１に接続され、ソース又はドレ
インの一方が、信号線１０２に接続され、ソース又はドレインの他方が、第４の液晶層１
４１の第４の画素電極及び第４の容量素子１４２の第２の電極に接続されている。

また、第５のトランジスタ１５３は、ゲート電極が、走査線１０１に接続され、ソース又
はドレインの一方が、信号線１０２に接続され、ソース又はドレインの他方が、第５の液
晶層１５１の第５の画素電極及び第５の容量素子１５２の第２の電極に接続されている。

第４の容量素子１４２は、第１の電極が、容量配線として機能しうる配線（以下、「第４
の容量配線１４４」と記す）に接続され、第２の電極が第４の液晶層１４１の第４の画素
電極に接続されている。

また、第５の容量素子１５２は、第１の電極が容量配線として機能しうる配線（以下、「
第５の容量配線１５４」と記す）に接続され、第５の電極が第５の液晶層１５１の第５の
画素電極に接続されている。

また、第１の容量配線１１４、第２の容量配線１２４、第３の容量配線１３４、第４の容
量配線１４４、第５の容量配線１５４は、各画素に対応するように一つずつ設けた構成と
してもよいが、隣接する画素と共有して設けた構成としてもよい（図９）。又は、図２３
に示すように、第３の容量素子１３２を配置しないようにしてもよい。

また、図９の構成において、走査線１０１と第３の容量配線１３４とを共通に設けた構成
としてもよい（図１０）。具体的には、図１０に示す構成は、図９の構成において、第３
の容量配線１３４を省略し、走査線１０１と第３の容量配線を共通に設けている。つまり
、走査線１０１は容量配線としても機能しうる。

このように、第３の副画素に設けられた第３の容量素子１３２の第１の電極を走査線１０
１に接続する構成とすることによって、複数の副画素を設けた場合であっても、配線数を
低減し、開口率の低下を抑制することができる。なお、ｍ行目の画素（ここでは、画素２
００ａ、２００ｃ）に設けられた第３の容量素子１３２の第１の電極は、（ｍ−１）行目
の走査線に接続してもよいし、（ｍ＋１）行目の走査線に接続してもよい。なお、ｍ行目
の走査線に接続してもよいし、又は、数行前の画素（ｍ−ｎ行、ここでｎは自然数）に接
続された走査線に接続してもよいし、数行後（ｍ＋ｎ行、ここでｎは自然数）に接続され
た走査線に接続してもよい。

次に、第１の容量配線１１４、第２の容量配線１２４、第３の容量配線１３４、第４の容
量配線１４４、第５の容量配線１５４に加える電位について説明する。

例えば、図１１に示すように、第１の容量配線１１４の電位Ｖｃｓ１、第２の容量配線１
２４の電位Ｖｃｓ２、第４の容量配線Ｖｃｓ４、第５の容量配線Ｖｃｓ５をある周波数を
有する電位とし、第３の容量配線１３４の電位Ｖｃｓ３を概略一定電位とすることができ
る。なお、図１１では、第１の容量配線１１４の電位Ｖｃｓ１と第２の容量配線１２４の
電位Ｖｃｓ２が互いに１／２周期異なる電位とし、第４の容量配線１４４の電位Ｖｃｓ４
と第５の容量配線１５４の電位Ｖｃｓ５が互いに１／２周期異なる電位とし、さらにＶｃ
ｓ１とＶｃｓ２よりＶｃｓ４とＶｃｓ５の電位振幅を大きくした例を示している。

また、図１２に示すように、第１の容量配線１１４の電位Ｖｃｓ１と第２の容量配線１２
４の電位Ｖｃｓ２の周波数と、第４の容量配線Ｖｃｓ４と第５の容量配線Ｖｃｓ５の周波
数を異なる周波数としてもよい。

なお、図１１、図１２において、第３の容量配線１３４の電位ＶｃｓはＶｃｏｍで一定と
した場合を示したが、これに限られない。例えば、Ｖｃｓ１とＶｃｓ２のハイの電位又は
ロウの電位としてもよいし、Ｖｃｓ４とＶｃｓ５のハイの電位又はロウの電位としてもよ
いし、走査線の電位Ｖｇと同じ電位とすることも可能である。また、Ｖｃｓ３をある周波
数を有する電位としてもよい。

このように、容量配線の振幅が異なるようにすることにより、副画素の液晶層に加わる電
圧の実効値が、各々異なるようにすることが出来る。その結果、液晶の配向状態が各々異
なる副画素が複数個配置されることになるため、斜めから見たときに、平均化され、視野
角を広くすることが出来る。

本実施の形態では、表示装置として液晶を用いた例を示したが、これに限られずＥＬ素子
（有機物及び無機物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）等を用いた発光装置
に適用することも可能である。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図
で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に
行うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施
の形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。

（実施の形態４）
本実施の形態においては、上記実施の形態で説明した画素の構成に関して説明する。

まず、上記図１３で示した画素のレイアウトについて図２７を参照して説明する。なお、
図２７は、上記図１３に示した複数の画素において、画素１００ｂの模式図に相当する。

図２７では、第１のトランジスタ１１３〜第３のトランジスタ１３３は、ゲート電極とし
ても機能しうる走査線１０１上に設けられた半導体膜１６１をチャネル領域として利用す
る。半導体膜１６１は、例えば、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、マイクロクリスタ
ルシリコン（μｃ−Ｓｉ）等を用いることができる。また、容量線の電位を一定にする副
画素（ここでは、第３の副画素）を構成する液晶層（ここでは、第３の液晶層１３１）、
容量素子（ここでは、第３の容量素子１３２）を画素１００ｂの真ん中に配置し、それと
隣接するように（紙面の上下に）容量線の電位を変化させる副画素を構成する液晶層（こ
こでは、第１の液晶層１１１、第２の液晶層１２１）を配置する。これにより、容量線（
ここでは、第１の容量線１１４、第２の容量線１２４）を上下の画素で共用しやすくする
ことができる。

第１の副画素を構成する第１の容量素子１１２は、第１の容量配線１１４を第１の電極と
し、当該第１の容量配線１１４上に設けられた導電膜１６３を第２の電極として設けるこ
とができる。また、導電膜１６３と第１の液晶層１１１を構成する第１の画素電極が電気
的に接続される。導電膜１６３は、信号線１０２を構成する導電膜と同時に設けることが
できる。

第２の副画素を構成する第２の容量素子１２２は、第２の容量配線１２４を第１の電極と
し、当該第２の容量配線１２４上に設けられた導電膜１６３を第２の電極として設けるこ
とができる。また、導電膜１６３と第２の液晶層１２１を構成する第２の画素電極が電気
的に接続される。導電膜１６３は、信号線１０２を構成する導電膜と同時に設けることが
できる。

第３の副画素を構成する第３の容量素子１３２は、第３の容量配線１３４を第１の電極と
し、当該第３の容量配線１３４上に設けられた導電膜１６３を第２の電極として設けるこ
とができる。また、導電膜１６３と第３の液晶層１３１を構成する第３の画素電極が電気
的に接続される。導電膜１６３は、信号線１０２を構成する導電膜と同時に設けることが
できる。

また、容量線の電位を一定にする副画素（ここでは、第３の副画素）を構成する液晶層（
ここでは、液晶層１３１）、容量素子（ここでは、第３の容量素子１３２）を画素１００
ｂの真ん中に配置し、それと隣接するように（ここでは、紙面の上下に）容量線の電位を
変化させる副画素（ここでは、第１の副画素、第２の副画素）を構成する液晶層（ここで
は、第１の液晶層１１１、第２の液晶層１２１）を配置する。これにより、容量線（ここ
では、第１の容量線１１４、第２の容量線１２４）を上下の画素で共用しやすくすること
ができる。

また、液晶層を構成する画素電極にスリットを設けてもよい。画素電極にスリットを設け
る場合には、液晶の配向（スリットの方向）を考慮して設けることが好ましい。例えば、
容量配線の電位を変化させる第１の副画素の第１の液晶層１１１を構成する第１の画素電
極に形成されるスリットの方向と、容量配線の電位を変化させる第２の副画素の第２の液
晶層１２１を構成する第２の画素電極に形成されるスリットの方向とを、第３の液晶層１
３１を挟んで対称に設ける。また、容量配線の電位を変化させない第３の副画素において
は、第３の液晶層１３１を構成する第３の画素電極の中で液晶の配向（スリットの方向）
が異なる領域が形成されるように設ける。これにより、視野角を広くすることが可能とな
る。

また、図２７の構成において、上記図１７で示したように、第３の副画素１３０において
、第３の容量配線１３４、第３の容量素子１３２を設けない構成としてもよい（図２８）
。その結果、開口率の向上や、製造歩留まりの向上を図ることができる。

次に、上記図２５で示した画素のレイアウトについて図２９を参照して説明する。

図２９では、一つの画素につき走査線を複数（ここでは、走査線１０１、走査線２０１）
を設けた構成となっている。第１のトランジスタ１１３、第３のトランジスタ１３３は、
それぞれゲート電極として機能しうる走査線１０１の下方に設けられた半導体膜１６２を
チャネル領域として利用する。また、第２のトランジスタ１２３は、ゲート電極として機
能しうる第２の走査線２０１の下方に設けられた半導体膜１６２をチャネル領域として利
用する。半導体膜１６２は、例えば、多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）等を用いることができ
る。

第１の副画素を構成する第１の容量素子１１２は、第１の容量配線１１４を第１の電極と
し、当該第１の容量配線１１４の下方に設けられた半導体膜１６２を第２の電極として設
けることができる。なお、半導体膜１６２を第２の電極として用いる場合には、不純物元
素を導入することが好ましい。また、第２の電極となる半導体膜１６２と第１の液晶層１
１１を構成する第１の画素電極が電気的に接続される。第１の容量配線１１４の第２の電
極となる半導体膜１６２を第１のトランジスタ１１３の半導体膜１６２と同時に設け、第
１の容量配線１１４を走査線１０１と同時に設けることによって、第１のトランジスタ１
１３のゲート絶縁膜を第１の容量素子１１２の絶縁膜として利用することができ、容量を
大きくとることが可能となる。

第２の副画素を構成する第２の容量素子１２２は、第２の容量配線１２４を第１の電極と
し、当該第２の容量配線１２４の下方に設けられた半導体膜１６２を第２の電極として設
けることができる。なお、半導体膜１６２を第２の電極として用いる場合には、不純物元
素を導入することが好ましい。また、第２の電極となる半導体膜１６２と第２の液晶層１
２１を構成する第２の画素電極が電気的に接続される。第２の容量配線１２４の第２の電
極となる半導体膜１６２を第２のトランジスタ１２３の半導体膜１６２と同時に設け、第
２の容量配線１２４を走査線２０１と同時に設けることによって、第２のトランジスタ１
２３のゲート絶縁膜を第２の容量素子１２２の絶縁膜として利用することができ、容量を
大きくとることが可能となる。

第３の副画素を構成する第３の容量素子１３２は、第３の容量配線１３４を第１の電極と
し、当該第３の容量配線１３４の下方に設けられた半導体膜１６２を第２の電極として設
けることができる。なお、半導体膜１６２を第２の電極として用いる場合には、不純物元
素を導入することが好ましい。また、第２の電極となる半導体膜１６２と第３の液晶層１
３１を構成する第３の画素電極が電気的に接続される。第３の容量配線１３４の第２の電
極となる半導体膜１６２を第３のトランジスタ１３３の半導体膜１６２と同時に設け、第
３の容量配線１３４を走査線１０１と同時に設けることによって、第３のトランジスタ１
３３のゲート絶縁膜を第３の容量素子１３２の絶縁膜として利用することができ、容量を
大きくとることが可能となる。

また、容量線の電位を一定にする副画素（ここでは、第３の副画素）を構成する液晶層（
ここでは、液晶層１３１）、容量素子（ここでは、第３の容量素子１３２）を画素１００
ｂの真ん中に配置し、それと隣接するように（紙面の上下に）容量線の電位を変化させる
副画素（ここでは、第１の副画素、第２の副画素）を構成する液晶層（ここでは、第１の
液晶層１１１、第２の液晶層１２１）を配置する。これにより、容量線（ここでは、第１
の容量線１１４、第２の容量線１２４）を上下の画素で共用しやすくすることができる。

また、液晶層を構成する画素電極にスリットを設けてもよい。画素電極にスリットを設け
る場合には、液晶の配向（スリットの方向）を考慮して設けることが好ましい。例えば、
容量配線の電位を変化させる第１の副画素の第１の液晶層１１１を構成する第１の画素電
極に形成されるスリットの方向と、容量配線の電位を変化させる第２の副画素の第２の液
晶層１２１を構成する第２の画素電極に形成されるスリットの方向とを、第３の液晶層１
３１を挟んで対称に設ける。また、容量配線の電位を変化させない第３の副画素において
は、第３の液晶層１３１を構成する第３の画素電極の中で液晶の配向（スリットの方向）
が異なる領域が形成されるように設ける。これにより、視野角を広くすることが可能とな
る。

また、図２９の構成において、上記図２６で示したように、第３の副画素１３０において
、第３の容量配線１３４、第３の容量素子１３２を設けない構成としてもよい（図３０）
。その結果、開口率の向上や、製造歩留まりの向上を図ることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態においては、表示装置の画素構造について説明する。特に、液晶表示装置の
画素構造について説明する。

各液晶モードとトランジスタとを組み合わせた場合の画素構造について、画素の断面図を
参照して説明する。

なお、トランジスタとしては、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶（マイクロクリ
スタル、セミアモルファスとも言う）シリコンなどに代表される非単結晶半導体層を有す
る薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などを用いることが出来る。

なお、トランジスタの構造としては、トップゲート型又はボトムゲート型などを用いるこ
とができる。なお、ボトムゲート型のトランジスタとしては、チャネルエッチ型又はチャ
ネル保護型などを用いることができる。

図６０は、ＴＮ方式とトランジスタとを組み合わせた場合の画素の断面図の一例である。
図６０に示す画素構造を液晶表示装置に適用することによって、安価に液晶表示装置を製
造することができる。

図６０に示す画素構造の特徴について説明する。図６０に示した液晶分子１０１１８は、
長軸と短軸を持った細長い分子である。液晶分子１０１１８の向きを示すため、図６０に
おいては、その長さによって表現している。すなわち、長く表現された液晶分子１０１１
８は、その長軸の向きが紙面に平行であり、短く表現された液晶分子１０１１８ほど、そ
の長軸の向きが紙面の法線方向に近くなっているとする。つまり、図６０に示した液晶分
子１０１１８は、第１の基板１０１０１に近いものと、第２の基板１０１１６に近いもの
とでは、その長軸の向きが９０度異なっており、これらの中間に位置する液晶分子１０１
１８の長軸の向きは、これらを滑らかにつなぐような向きとなる。すなわち、図６０に示
した液晶分子１０１１８は、第１の基板１０１０１と第２の基板１０１１６の間で、９０
度ねじれているような配向状態となっている。

なお、トランジスタとして、非晶質半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタを用い
た場合について説明する。非晶質半導体を用いたトランジスタを用いた場合、大面積の基
板を用いて、安価に液晶表示装置を製造することができる。

液晶表示装置は、液晶パネルと呼ばれる、画像を表示する基幹部分を有する。液晶パネル
は、加工を施した２枚の基板を、数マイクロメートルのギャップを持たせて貼り合わせ、
２枚の基板間に液晶材料を注入することで作製される。図６０において、２枚の基板は、
第１の基板１０１０１及び第２の基板１０１１６である。第１の基板には、トランジスタ
及び画素電極が形成される。第２の基板には、遮光膜１０１１４、カラーフィルタ１０１
１５、第４の導電層１０１１３、スペーサ１０１１７、及び第２の配向膜１０１１２が形
成される。

なお、第２の基板１０１１６に遮光膜１０１１４が形成されていなくてもよい。遮光膜１
０１１４を形成しない場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減することができ
る。構造が簡単であるので、歩留まりの向上を図ることができる。一方、遮光膜１０１１
４を形成する場合は、黒表示時に光漏れの少ない表示装置を得ることができる。

なお、第２の基板１０１１６にカラーフィルタ１０１１５が形成されていなくてもよい。
カラーフィルタ１０１１５を形成しない場合は、工程数が減少するため、製造コストを低
減することができる。構造が簡単であるので、歩留まりの向上を図ることができる。ただ
し、カラーフィルタ１０１１５を形成しない場合でも、フィールドシーケンシャル駆動に
よってカラー表示ができる表示装置を得ることができる。一方、カラーフィルタ１０１１
５を形成する場合は、カラー表示ができる表示装置を得ることができる。

なお、スペーサ１０１１７の代わりに、球状のスペーサを散布してもよい。球状のスペー
サを散布する場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減することができる。構造
が簡単であるので、歩留まりの向上を図ることができる。一方、スペーサ１０１１７を形
成する場合は、スペーサの位置がばらつかないため、２枚の基板間の距離を一様にするこ
とができ、表示ムラの少ない表示装置を得ることができる。

第１の基板１０１０１に施す加工について説明する。

まず、第１の基板１０１０１上に、第１の絶縁膜１０１０２がスパッタ法、印刷法又は塗
布法などによって成膜される。ただし、第１の絶縁膜１０１０２は成膜されていなくても
よい。第１の絶縁膜１０１０２は、基板からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、トラン
ジスタの性質が変化してしまうのを防ぐ機能を有する。

次に、第１の絶縁膜１０１０２上に、第１の導電層１０１０３がフォトリソグラフィ法、
レーザー直描法又はインクジェット法などによって形成される。

次に、第２の絶縁膜１０１０４がスパッタ法、印刷法又は塗布法などによって全面に成膜
されている。第２の絶縁膜１０１０４は、基板からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、
トランジスタの性質が変化してしまうのを防ぐ機能を有する。

次に、第１の半導体層１０１０５及び第２の半導体層１０１０６が形成される。なお、第
１の半導体層１０１０５及び第２の半導体層１０１０６は連続して成膜され、同時にその
形状が加工される。

次に、第２の導電層１０１０７がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェ
ット法などによって形成される。なお、第２の導電層１０１０７の形状が加工されるとき
に行われるエッチング方法としては、ドライエッチングを用いることが好適である。なお
、第２の導電層１０１０７としては、透明性を有する材料を用いてもよいし、反射性を有
する材料を用いてもよい。

次に、トランジスタのチャネル領域を形成する。その工程の一例を説明する。第２の半導
体層１０１０６は、第２の導電層１０１０７をマスクとして用いてエッチングされる。ま
た、マスクには第２の導電層１０１０７の形状を加工するためのマスクを用いてエッチン
グしてもよい。そして、第２の半導体層１０１０６が除去された部分の第１の半導体層１
０１０５がトランジスタとチャネル領域となる。こうすることで、マスク枚数を減らすこ
とができるので、製造コストを低減することができる。

次に、第３の絶縁膜１０１０８が形成され、第３の絶縁膜１０１０８には選択的にコンタ
クトホールが形成されている。なお、第３の絶縁膜１０１０８にコンタクトホールを形成
すると同時に、第２の絶縁膜１０１０４にもコンタクトホールを形成してもよい。なお、
第３の絶縁膜１０１０８の表面は、できるだけ平坦であることが好適である。なぜならば
、液晶が接する面の凹凸により、液晶分子の配向が影響を受けてしまうからである。

次に、第３の導電層１０１０９がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェ
ット法などによって形成される。

次に、第１の配向膜１０１１０が形成される。なお、第１の配向膜１０１１０を形成後、
液晶分子の配向を制御するために、ラビングを行なってもよい。ラビングは、布で配向膜
をこすることによって、配向膜にスジをつける工程である。ラビングを行なうことによっ
て、配向膜に配向性を持たせることができる。

以上のように作製した第１の基板１０１０１と、遮光膜１０１１４、カラーフィルタ１０
１１５、第４の導電層１０１１３、スペーサ１０１１７及び第２の配向膜１０１１２が形
成された第２の基板１０１１６とがシール材によって数マイクロメートルのギャップを持
たせて貼り合わせられる。そして、２枚の基板間に液晶材料が注入される。なお、ＴＮ方
式では、第４の導電層１０１１３は、第２の基板１０１１６の全面に形成される。

図６１（Ａ）は、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍ
ｅｎｔ）方式とトランジスタとを組み合わせた場合の画素の断面図の一例である。図６１
（Ａ）に示す画素構造を液晶表示装置に適用することによって、視野角が大きく、応答速
度が速く、コントラストの大きい液晶表示装置を得ることができる。

図６１（Ａ）に示す画素構造の特徴について説明する。ＭＶＡ方式の液晶パネルの画素構
造の特徴について説明する。図６１（Ａ）に示した液晶分子１０２１８は、長軸と短軸を
持った細長い分子である。液晶分子１０２１８の向きを示すため、図６１（Ａ）において
は、その長さによって表現している。すなわち、長く表現された液晶分子１０２１８は、
その長軸の向きが紙面に平行であり、短く表現された液晶分子１０２１８ほど、その長軸
の向きが紙面の法線方向に近くなっているとする。つまり、図６１（Ａ）に示した液晶分
子１０２１８は、その長軸の向きが配向膜の法線方向を向くように配向している。よって
、配向制御用突起１０２１９のある部分の液晶分子１０２１８は、配向制御用突起１０２
１９を中心として放射状に配向する。この状態となることによって、視野角の大きい液晶
表示装置を得ることができる。

なお、トランジスタとして、非晶質半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタを用い
た場合について説明する。非晶質半導体を用いたトランジスタを用いた場合、大面積の基
板を用いて、安価に液晶表示装置を製造することができる。

液晶表示装置は、液晶パネルと呼ばれる、画像を表示する基幹部分を有する。液晶パネル
は、加工を施した２枚の基板を、数マイクロメートルのギャップを持たせて貼り合わせ、
２枚の基板間に液晶材料を注入することで作製される。図６１（Ａ）において、２枚の基
板は、第１の基板１０２０１及び第２の基板１０２１６である。第１の基板には、トラン
ジスタ及び画素電極が形成されている。第２の基板には、遮光膜１０２１４、カラーフィ
ルタ１０２１５、第４の導電層１０２１３、スペーサ１０２１７、第２の配向膜１０２１
２、及び配向制御用突起１０２１９が形成されている。

なお、第２の基板１０２１６に遮光膜１０２１４が形成されていなくてもよい。遮光膜１
０２１４を形成しない場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減することができ
る。構造が簡単であるので、歩留まりの向上を図ることができる。一方、遮光膜１０２１
４を形成する場合は、黒表示時に光漏れの少ない表示装置を得ることができる。

なお、第２の基板１０２１６にカラーフィルタ１０２１５が形成されていなくてもよい。
カラーフィルタ１０２１５を形成しない場合は、工程数が減少するため、製造コストを低
減することができる。構造が簡単であるので、歩留まりの向上を図ることができる。ただ
し、カラーフィルタ１０２１５を作製しない場合でも、フィールドシーケンシャル駆動に
よってカラー表示ができる表示装置を得ることができる。一方、カラーフィルタ１０２１
５を形成する場合は、カラー表示ができる表示装置を得ることができる。

なお、第２の基板１０２１６にスペーサ１０２１７の代わりに、球状のスペーサを散布し
てもよい。球状のスペーサを散布する場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減
することができる。構造が簡単であるので、歩留まりを向上させることができる。一方、
スペーサ１０２１７を形成する場合は、スペーサの位置がばらつかないため、２枚の基板
間の距離を一様にすることができ、表示ムラの少ない表示装置を得ることができる。

第１の基板１０２０１に施す加工について説明する。

まず、第１の基板１０２０１上に、第１の絶縁膜１０２０２がスパッタ法、印刷法又は塗
布法などによって成膜される。ただし、第１の絶縁膜１０２０２は成膜されていなくても
よい。第１の絶縁膜１０２０２は、基板からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、トラン
ジスタの性質が変化してしまうのを防ぐ機能を有する。

次に、第１の絶縁膜１０２０２上に、第１の導電層１０２０３がフォトリソグラフィ法、
レーザー直描法又はインクジェット法などによって形成される。

次に、第２の絶縁膜１０２０４がスパッタ法、印刷法又は塗布法などによって全面に成膜
されている。第２の絶縁膜１０２０４は、基板からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、
トランジスタの性質が変化してしまうのを防ぐ機能を有する。

次に、第１の半導体層１０２０５及び第２の半導体層１０２０６が形成される。なお、第
１の半導体層１０２０５及び第２の半導体層１０２０６は連続して成膜され、同時にその
形状が加工される。

次に、第２の導電層１０２０７がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェ
ット法などによって形成される。なお、第２の導電層１０２０７の形状が加工されるとき
に行われるエッチング方法としては、ドライエッチングを用いることが好適である。なお
、第２の導電層１０２０７としては、透明性を有する材料を用いてもよいし、反射性を有
する材料を用いてもよい。

次に、トランジスタのチャネル領域を形成する。その工程の一例を説明する。第２の半導
体層１０２０６は、第２の導電層１０２０７をマスクとして用いてエッチングされる。ま
た、マスクには第２の導電層１０２０７の形状を加工するためのマスクを用いてエッチン
グしてもよい。そして、第２の半導体層１０２０６が除去された部分の第１の半導体層１
０２０５がトランジスタとチャネル領域となる。こうすることで、マスク枚数を減らすこ
とができるので、製造コストを低減することができる。

次に、第３の絶縁膜１０２０８が形成され、第３の絶縁膜１０２０８には選択的にコンタ
クトホールが形成されている。なお、第３の絶縁膜１０２０８にコンタクトホールを形成
すると同時に、第２の絶縁膜１０２０４にもコンタクトホールを形成してもよい。

次に、第３の導電層１０２０９がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェ
ット法などによって形成される。

次に、第１の配向膜１０２１０が形成される。なお、第１の配向膜１０２１０を形成後、
液晶分子の配向を制御するために、ラビングを行なってもよい。ラビングは、布で配向膜
をこすることによって、配向膜にスジをつける工程である。ラビングを行なうことによっ
て、配向膜に配向性を持たせることができる。

以上のように作製した第１の基板１０２０１と、遮光膜１０２１４、カラーフィルタ１０
２１５、第４の導電層１０２１３、スペーサ１０２１７、及び第２の配向膜１０２１２を
作製した第２の基板１０２１６とがシール材によって数マイクロメートルのギャップを持
たせて貼り合わせられる。そして、２枚の基板間に液晶材料が注入される。なお、ＭＶＡ
方式では、第４の導電層１０２１３は、第２の基板１０２１６の全面に形成されている。
なお、第４の導電層１０２１３に接して、配向制御用突起１０２１９が形成されている。
配向制御用突起１０２１９の形状は、滑らかな曲面を持った形状であることが好ましい。
こうすることで、近接する液晶分子１０２１８の配向が極近いものとなるため、配向不良
を低減することができる。配向膜の段切れによって起こる配向膜の不良を低減することが
できる。

図６１（Ｂ）は、ＰＶＡ（Ｐａｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）
方式とトランジスタとを組み合わせた場合の画素の断面図の一例である。図６１（Ｂ）に
示す画素構造を液晶表示装置に適用することによって、視野角が大きく、応答速度が速く
、コントラストの大きい液晶表示装置を得ることができる。

図６１（Ｂ）に示す画素構造の特徴について説明する。図６１（Ｂ）に示した液晶分子１
０２４８は、長軸と短軸を持った細長い分子である。液晶分子１０２４８の向きを示すた
め、図６１（Ｂ）においては、その長さによって表現している。すなわち、長く表現され
た液晶分子１０２４８は、その長軸の向きが紙面に平行であり、短く表現された液晶分子
１０２４８ほど、その長軸の向きが紙面の法線方向に近くなっているとする。つまり、図
６１（Ｂ）に示した液晶分子１０２４８は、その長軸の向きが配向膜の法線方向を向くよ
うに配向している。よって、電極切り欠き部１０２４９のある部分の液晶分子１０２４８
は、電極切り欠き部１０２４９と第４の導電層１０２４３の境界を中心として放射状に配
向する。この状態となることによって、視野角の大きい液晶表示装置を得ることができる
。

なお、トランジスタとして、非晶質半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタを用い
た場合について説明する。非晶質半導体を用いたトランジスタを用いた場合、大面積の基
板を用いて、安価に液晶表示装置を製造することができる。

液晶表示装置は、液晶パネルと呼ばれる、画像を表示する基幹部分を有する。液晶パネル
は、加工を施した２枚の基板を、数マイクロメートルのギャップを持たせて貼り合わせ、
２枚の基板間に液晶材料を注入することで作製される。図６１（Ｂ）において、２枚の基
板は、第１の基板１０２３１、及び第２の基板１０２４６である。第１の基板には、トラ
ンジスタ及び画素電極が形成されている。第２の基板には、遮光膜１０２４４、カラーフ
ィルタ１０２４５、第４の導電層１０２４３、スペーサ１０２４７、及び第２の配向膜１
０２４２が形成されている。

なお、第２の基板１０２４６に遮光膜１０２４４が形成されていなくてもよい。遮光膜１
０２４４を形成しない場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減することができ
る。構造が簡単であるので、歩留まりの向上を図ることができる。一方、遮光膜１０２４
４を形成する場合は、黒表示時に光漏れの少ない表示装置を得ることができる。

なお、第２の基板１０２４６にカラーフィルタ１０２４５が形成されていなくてもよい。
カラーフィルタ１０２４５を形成しない場合は、工程数が減少するため、製造コストを低
減することができる。構造が簡単であるので、歩留まりの向上を図ることができる。ただ
し、カラーフィルタ１０２４５を作製しない場合でも、フィールドシーケンシャル駆動に
よってカラー表示ができる表示装置を得ることができる。一方、カラーフィルタ１０２４
５を形成する場合は、カラー表示ができる表示装置を得ることができる。

なお、第２の基板１０２４６にスペーサ１０２４７の代わりに、球状のスペーサを散布し
てもよい。球状のスペーサを散布する場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減
することができる。構造が簡単であるので、歩留まりを向上させることができる。一方、
スペーサ１０２４７を形成する場合は、スペーサの位置がばらつかないため、２枚の基板
間の距離を一様にすることができ、表示ムラの少ない表示装置を得ることができる。

第１の基板１０２３１に施す加工について説明する。

まず、第１の基板１０２３１上に、第１の絶縁膜１０２３２がスパッタ法、印刷法又は塗
布法などによって成膜される。ただし、第１の絶縁膜１０２３２は成膜されていなくても
よい。第１の絶縁膜１０２３２は、基板からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、トラン
ジスタの性質が変化してしまうのを防ぐ機能を有する。

次に、第１の絶縁膜１０２３２上に、第１の導電層１０２３３がフォトリソグラフィ法、
レーザー直描法又はインクジェット法などによって形成される。

次に、第２の絶縁膜１０２３４がスパッタ法、印刷法又は塗布法などによって全面に成膜
されている。第２の絶縁膜１０２３４は、基板からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、
トランジスタの性質が変化してしまうのを防ぐ機能を有する。

次に、第１の半導体層１０２３５及び第２の半導体層１０２３６が形成される。なお、第
１の半導体層１０２３５及び第２の半導体層１０２３６は連続して成膜され、同時にその
形状が加工される。

次に、第２の導電層１０２３７がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェ
ット法などによって形成される。なお、第２の導電層１０２３７の形状が加工されるとき
に行われるエッチング方法としては、ドライエッチングで行なうのが好適である。なお、
第２の導電層１０２３７としては、透明性を有する材料を用いてもよいし、反射性を有す
る材料を用いてもよい。

次に、トランジスタのチャネル領域を形成する。その工程の一例を説明する。第２の半導
体層１０２３６は、第２の導電層１０２３７をマスクとして用いてエッチングされる。あ
るいは、第２の導電層１０２３７の形状を加工するためのマスクを用いてエッチングされ
る。そして、第２の半導体層１０２３６が除去された部分の第１の導電層１０２３３がト
ランジスタとチャネル領域となる。こうすることで、マスク枚数を減らすことができるの
で、製造コストを低減することができる。

次に、第３の絶縁膜１０２３８が形成され、第３の絶縁膜１０２３８には選択的にコンタ
クトホールが形成されている。なお、第３の絶縁膜１０２３８にコンタクトホールを形成
すると同時に、第２の絶縁膜１０２３４にもコンタクトホールを形成してもよい。なお、
第３の絶縁膜１０２３８の表面は、できるだけ平坦であることが好適である。なぜならば
、液晶が接する面の凹凸により、液晶分子の配向が影響を受けてしまうからである。

次に、第３の導電層１０２３９がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェ
ット法などによって形成される。

次に、第１の配向膜１０２４０が形成される。なお、第１の配向膜１０２４０を形成後、
液晶分子の配向を制御するために、ラビングを行なってもよい。ラビングは、布で配向膜
をこすることによって、配向膜にスジをつける工程である。ラビングを行なうことによっ
て、配向膜に配向性を持たせることができる。

以上のように作製した第１の基板１０２３１と、遮光膜１０２４４、カラーフィルタ１０
２４５、第４の導電層１０２４３、スペーサ１０２４７、及び第２の配向膜１０２４２を
作製した第２の基板１０２４６とがシール材によって数マイクロメートルのギャップを持
たせて貼り合わせられる。そして、２枚の基板間に液晶材料が注入される。なお、ＰＶＡ
方式では、第４の導電層１０２４３にパターン加工が施され、電極切り欠き部１０２４９
が形成される。なお、電極切り欠き部１０２４９の形状に限定はないが、異なる向きを持
った複数の矩形を組み合わせた形状であるのが好適である。こうすることで、配向の異な
る複数の領域が形成できるので、視野角の大きな液晶表示装置を得ることができる。なお
、電極切り欠き部１０２４９と第４の導電層１０２４３の境界における第４の導電層１０
２４３の形状は、滑らかな曲線であることが好適である。こうすることで、近接する液晶
分子１０２４８の配向が極近いものとなるため、配向不良が低減する。第２の配向膜１０
２４２が、電極切り欠き部１０２４９によって段切れを起こしてしまうことによる、配向
膜の不良も低減することができる。

図６２（Ａ）は、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式とトランジスタ
とを組み合わせた場合の画素の断面図の一例である。図６２（Ａ）に示す画素構造を液晶
表示装置に適用することによって、原理的に視野角が大きく、応答速度の階調依存性の小
さい液晶表示装置を得ることができる。

図６２（Ａ）に示す画素構造の特徴について説明する。図６２（Ａ）に示した液晶分子１
０３１８は、長軸と短軸を持った細長い分子である。液晶分子１０３１８の向きを示すた
め、図６２（Ａ）においては、その長さによって表現している。すなわち、長く表現され
た液晶分子１０３１８は、その長軸の向きが紙面に平行であり、短く表現された液晶分子
１０３１８ほど、その長軸の向きが紙面の法線方向に近くなっているとする。つまり、図
６２（Ａ）に示した液晶分子１０３１８は、その長軸の向きが常に基板と水平の方向を向
くように配向している。図６２（Ａ）においては、電界のない状態における配向を表して
いるが、液晶分子１０３１８に電界がかかったときは、その長軸の向きが常に基板と水平
の方向を保ったまま、水平面内で回転する。この状態となることによって、視野角の大き
い液晶表示装置を得ることができる。

なお、トランジスタとして、非晶質半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタを用い
た場合について説明する。非晶質半導体を用いたトランジスタを用いた場合、大面積の基
板を用いて、安価に液晶表示装置を製造することができる。

液晶表示装置は、液晶パネルと呼ばれる、画像を表示する基幹部分を有する。液晶パネル
は、加工を施した２枚の基板を、数マイクロメートルのギャップを持たせて貼り合わせ、
２枚の基板間に液晶材料を注入することで作製される。図６２（Ａ）において、２枚の基
板は、第１の基板１０３０１、及び第２の基板１０３１６である。第１の基板には、トラ
ンジスタ及び画素電極が形成されている。第２の基板には、遮光膜１０３１４、カラーフ
ィルタ１０３１５、スペーサ１０３１７、及び第２の配向膜１０３１２が形成されている
。

なお、第２の基板１０３１６に遮光膜１０３１４が形成されていなくてもよい。遮光膜１
０３１４を形成しない場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減することができ
る。構造が簡単であるので、歩留まりの向上を図ることができる。一方、遮光膜１０３１
４を形成する場合は、黒表示時に光漏れの少ない表示装置を得ることができる。

なお、第２の基板１０３１６にカラーフィルタ１０３１５が形成されていなくてもよい。
カラーフィルタ１０３１５を形成しない場合は、工程数が減少するため、製造コストを低
減することができる。ただし、カラーフィルタ１０３１５を形成しない場合でも、フィー
ルドシーケンシャル駆動によってカラー表示ができる表示装置を得ることができる。構造
が簡単であるので、歩留まりの向上を図ることができる。一方、カラーフィルタ１０３１
５を形成する場合は、カラー表示ができる表示装置を得ることができる。

なお、第２の基板１０３１６にスペーサ１０３１７の代わりに、球状のスペーサを散布し
てもよい。球状のスペーサを散布する場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減
することができる。構造が簡単であるので、歩留まりを向上させることができる。一方、
スペーサ１０３１７を形成する場合は、スペーサの位置がばらつかないため、２枚の基板
間の距離を一様にすることができ、表示ムラの少ない表示装置を得ることができる。

第１の基板１０３０１に施す加工について説明する。

まず、第１の基板１０３０１上に、第１の絶縁膜１０３０２がスパッタ法、印刷法又は塗
布法などによって成膜される。ただし、第１の絶縁膜１０３０２は成膜されていなくても
よい。第１の絶縁膜１０３０２は、基板からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、トラン
ジスタの性質が変化してしまうのを防ぐ機能を有する。

次に、第１の絶縁膜１０３０２上に、第１の導電層１０３０３がフォトリソグラフィ法、
レーザー直描法又はインクジェット法などによって形成される。

次に、第２の絶縁膜１０３０４がスパッタ法、印刷法又は塗布法などによって全面に成膜
されている。第２の絶縁膜１０３０４は、基板からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、
トランジスタの性質が変化してしまうのを防ぐ機能を有する。

次に、第１の半導体層１０３０５及び第２の半導体層１０３０６が形成される。なお、第
１の半導体層１０３０５及び第２の半導体層１０３０６は連続して成膜され、同時にその
形状が加工される。

次に、第２の導電層１０３０７がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェ
ット法などによって形成される。なお、第２の導電層１０３０７の形状が加工されるとき
に行われるエッチング方法としては、ドライエッチングを用いることが好適である。なお
、第２の導電層１０３０７としては、透明性を有する材料を用いてもよいし、反射性を有
する材料を用いてもよい。

次に、トランジスタのチャネル領域を形成する。その工程の一例を説明する。第２の半導
体層１０３０６は、第２の導電層１０３０７をマスクとして用いてエッチングされる。ま
た、マスクには第２の導電層１０３０７の形状を加工するためのマスクを用いてエッチン
グしてもよい。そして、第２の半導体層１０３０６が除去された部分の第１の半導体層１
０３０５がトランジスタとチャネル領域となる。こうすることで、マスク枚数を減らすこ
とができるので、製造コストを低減することができる。

次に、第３の絶縁膜１０３０８が形成され、第３の絶縁膜１０３０８には選択的にコンタ
クトホールが形成されている。なお、第３の絶縁膜１０３０８にコンタクトホールを形成
すると同時に、第２の絶縁膜１０３０４にもコンタクトホールを形成してもよい。

次に、第３の導電層１０３０９がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェ
ット法などによって形成される。ここで、第３の導電層１０３０９の形状は、互いにかみ
合った２つの櫛歯状とする。一方の櫛歯状の電極がトランジスタのソース電極及びドレイ
ン電極の一方と電気的に接続され、他方の櫛歯状の電極が共通電極と電気的に接続される
。こうすることで、液晶分子１０３１８に効果的に横方向の電界をかけることができる。

次に、第１の配向膜１０３１０が形成される。なお、第１の配向膜１０３１０を形成後、
液晶分子の配向を制御するために、ラビングを行なってもよい。ラビングは、布で配向膜
をこすることによって、配向膜にスジをつける工程である。ラビングを行なうことによっ
て、配向膜に配向性を持たせることができる。

以上のように作製した第１の基板１０３０１と、遮光膜１０３１４、カラーフィルタ１０
３１５、スペーサ１０３１７、及び第２の配向膜１０３１２とがシール材によって数マイ
クロメートルのギャップを持たせて貼り合わせられる。そして、２枚の基板間に液晶材料
が注入される。

図６２（Ｂ）は、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式ととト
ランジスタとを組み合わせた場合の画素の断面図の一例である。図６２（Ｂ）に示す画素
構造を液晶表示装置に適用することによって、原理的に視野角が大きく、応答速度の階調
依存性の小さい液晶表示装置を得ることができる。

図６２（Ｂ）に示す画素構造の特徴について説明する。図６２（Ｂ）に示した液晶分子１
０３４８は、長軸と短軸を持った細長い分子である。液晶分子１０３４８の向きを示すた
め、図６２（Ｂ）においては、その長さによって表現している。すなわち、長く表現され
た液晶分子１０３４８は、その長軸の向きが紙面に平行であり、短く表現された液晶分子
１０３４８ほど、その長軸の向きが紙面の法線方向に近くなっているとする。つまり、図
６２（Ｂ）に示した液晶分子１０３４８は、その長軸の向きが常に基板と水平の方向を向
くように配向している。図６２（Ｂ）においては、電界のない状態における配向を表して
いるが、液晶分子１０３４８に電界がかかったときは、その長軸の向きが常に基板と水平
の方向を保ったまま、水平面内で回転する。この状態となることによって、視野角の大き
い液晶表示装置を得ることができる。

なお、トランジスタとして、非晶質半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタを用い
た場合について説明する。非晶質半導体を用いたトランジスタを用いた場合、大面積の基
板を用いて、安価に液晶表示装置を製造することができる。

液晶表示装置は、液晶パネルと呼ばれる、画像を表示する基幹部分を有する。液晶パネル
は、加工を施した２枚の基板を、数マイクロメートルのギャップを持たせて貼り合わせ、
２枚の基板間に液晶材料を注入することで作製される。図６２（Ｂ）において、２枚の基
板は、第１の基板１０３３１及び第２の基板１０３４６である。第１の基板には、トラン
ジスタ及び画素電極が形成され、第２の基板には、遮光膜１０３４４、カラーフィルタ１
０３４５、スペーサ１０３４７、及び第２の配向膜１０３４２が形成されている。

なお、第２の基板１０３４６に遮光膜１０３４４が形成されていなくてもよい。遮光膜１
０３４４を形成しない場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減することができ
る。構造が簡単であるので、歩留まりの向上を図ることができる。一方、遮光膜１０３４
４を形成する場合は、黒表示時に光漏れの少ない表示装置を得ることができる。

なお、第２の基板１０３４６にカラーフィルタ１０３４５を形成されていなくてもよい。
カラーフィルタ１０３４５を形成しない場合は、工程数が減少するため、製造コストを低
減することができる。構造が簡単であるので、歩留まりの向上を図ることができる。ただ
し、カラーフィルタ１０３４５を形成しない場合でも、フィールドシーケンシャル駆動に
よってカラー表示ができる表示装置を得ることができる。一方、カラーフィルタ１０３４
５を形成する場合は、カラー表示ができる表示装置を得ることができる。

なお、第２の基板１０３４６にスペーサ１０３４７の代わりに、球状のスペーサを散布し
てもよい。球状のスペーサを散布する場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減
することができる。構造が簡単であるので、歩留まりを向上させることができる。一方、
スペーサ１０３４７を形成する場合は、スペーサの位置がばらつかないため、２枚の基板
間の距離を一様にすることができ、表示ムラの少ない表示装置を得ることができる。

第１の基板１０３３１に施す加工について説明する。

まず、第１の基板１０３３１上に、第１の絶縁膜１０３３２がスパッタ法、印刷法又は塗
布法などによって成膜される。ただし、第１の絶縁膜１０３３２は成膜されていなくても
よい。第１の絶縁膜１０３３２は、基板からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、トラン
ジスタの性質が変化してしまうのを防ぐ機能を有する。

次に、第１の絶縁膜１０３３２上に、第１の導電層１０３３３がフォトリソグラフィ法、
レーザー直描法又はインクジェット法などによって形成される。

次に、第２の絶縁膜１０３３４がスパッタ法、印刷法又は塗布法などによって全面に成膜
されている。第２の絶縁膜１０３３４は、基板からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、
トランジスタの性質が変化してしまうのを防ぐ機能を有する。

次に、第１の半導体層１０３３５及び第２の半導体層１０３３６が形成される。なお、第
１の半導体層１０３３５及び第２の半導体層１０３３６は連続して成膜され、同時にその
形状が加工される。

次に、第２の導電層１０３３７がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェ
ット法などによって形成される。なお、第２の導電層１０３３７の形状が加工されるとき
に行われるエッチング方法としては、ドライエッチングを用いることが好適である。なお
、第２の導電層１０３３７としては、透明性を有する材料を用いてもよいし、反射性を有
する材料を用いてもよい。

次に、トランジスタのチャネル領域を形成する。その工程の一例を説明する。第２の半導
体層１０３３６は、第２の導電層１０３３７をマスクとして用いてエッチングされる。ま
た、マスクには第２の導電層１０３３７の形状を加工するためのマスクを用いてエッチン
グされる。そして、第２の半導体層１０３３６が除去された部分の第１の半導体層１０３
３５がトランジスタとチャネル領域となる。こうすることで、マスク枚数を減らすことが
できるので、製造コストを低減することができる。

次に、第３の絶縁膜１０３３８が形成され、第３の絶縁膜１０３３８には選択的にコンタ
クトホールが形成されている。

次に、第３の導電層１０３３９がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェ
ット法などによって形成されている。

次に、第４の絶縁膜１０３４９が形成され、第４の絶縁膜１０３４９には選択的にコンタ
クトホールが形成されている。なお、第４の絶縁膜１０３４９の表面は、できるだけ平坦
であることが好適である。なぜならば、液晶が接する面の凹凸により、液晶分子の配向が
影響を受けてしまうからである。

次に、第４の導電層１０３４３がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェ
ット法などによって形成される。ここで、第３の導電層１０３３９の形状は、櫛歯状とす
る。

次に、第１の配向膜１０３４０が形成される。なお、第１の配向膜１０３４０を形成後、
液晶分子の配向を制御するために、ラビングを行なってもよい。ラビングは、布で配向膜
をこすることによって、配向膜にスジをつける工程である。ラビングを行なうことによっ
て、配向膜に配向性を持たせることができる。

以上のように作製した第１の基板１０３３１と、遮光膜１０３４４、カラーフィルタ１０
３４５、スペーサ１０３４７、及び第２の配向膜１０３４２を、シール材によって数マイ
クロメートルのギャップを持たせて貼り合わせ、２枚の基板間に液晶材料を注入すること
で、液晶パネルが作製できる。

ここで、各導電層又は各絶縁膜に用いることができる材料について説明する。

図６０の第１の絶縁膜１０１０２、図６１（Ａ）の第１の絶縁膜１０２０２、図６１（Ｂ
）の第１の絶縁膜１０２３２、図６２（Ａ）の第１の絶縁膜１０３０２、図６２（Ｂ）の
第１の絶縁膜１０３３２としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコ
ン膜（ＳｉＯｘＮｙ）等の絶縁膜を用いることができる。あるいは、第１の絶縁膜１０１
０２は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯｘＮｙ）等の
うちの２つ以上の膜を組み合わせた積層構造の絶縁膜を用いることができる。

図６０の第１の導電層１０１０３、図６１（Ａ）の第１の導電層１０２０３、図６１（Ｂ
）の第１の導電層１０２３３、図６２（Ａ）の第１の導電層１０３０３、図６２（Ａ）の
第１の導電層１０３０３、図６２（Ｂ）の第１の導電層１０３３３としては、Ｍｏ、Ｔｉ
、Ａｌ、Ｎｄ、Ｃｒなどを用いることができる。あるいは、Ｍｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｄ、Ｃ
ｒなどのうちの２つ以上を組み合わせた積層構造を用いることもできる。

図６０の第２の絶縁膜１０１０４、図６１（Ａ）の第２の絶縁膜１０２０４、図６１（Ｂ
）の第２の絶縁膜１０２３４、図６２（Ａ）の第２の絶縁膜１０３０４、図６２（Ｂ）の
第２の絶縁膜１０３３４としては、熱酸化膜、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化
窒化シリコン膜などを用いることができる。あるいは、熱酸化膜、酸化シリコン膜、窒化
シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜などのうち２以上を組み合わせた積層構造などを用い
ることができる。なお、半導体層と接する部分では、酸化シリコン膜であることが好まし
い。なぜなら、酸化シリコン膜にすると半導体層との界面におけるトラップ準位が少なく
なるからである。なお、Ｍｏと接する部分では、窒化シリコン膜であることが好ましい。
なぜなら、窒化シリコン膜はＭｏを酸化させないからである。

図６０の第１の半導体層１０１０５、図６１（Ａ）の第１の半導体層１０２０５、図６１
（Ｂ）の第１の半導体層１０２３５、図６２（Ａ）の第１の半導体層１０３０５、図６２
（Ｂ）の第１の半導体層１０３３５としては、シリコン又はシリコンゲルマニウム（Ｓｉ
Ｇｅ）などを用いることができる。

図６０の第２の半導体層１０１０６、図６１（Ａ）の第２の半導体層１０２０６、図６１
（Ｂ）の第２の半導体層１０２３６、図６２（Ａ）の第２の半導体層１０３０６、図６２
（Ｂ）の第２の半導体層１０３３６としては、リン等を含んだシリコン等を用いることが
できる。

図６０の第２の導電層１０１０７及び第３の導電層１０１０９、図６１（Ａ）の第２の導
電層１０２０７及び第３の導電層１０２０９、図６１（Ｂ）の第２の導電層１０２３７及
び第２の導電層１０２３９、図６２（Ａ）の第２の導電層１０３０７及び第２の導電層１
０３０９、もしくは図６２（Ｂ）の第２の導電層１０３３７、第３の導電層１０３３９及
び第４の導電層１０３４３の透明性を有する材料としては、酸化インジウムに酸化スズを
混ぜたインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）膜、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）に酸化珪素
を混ぜたインジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）膜、酸化インジウムに酸化亜鉛を混ぜた
インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜、酸化亜鉛膜又は酸化スズ膜などを用いることができ
る。なお、ＩＺＯとは、ＩＴＯに２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合させたター
ゲットを用いてスパッタリングにより形成される透明導電材料である。

図６０の第２の導電層１０１０７及び第３の導電層１０１０９、図６１（Ａ）の第２の導
電層１０２０７及び第３の導電層１０２０９、図６１（Ｂ）の第２の導電層１０２３７及
び第２の導電層１０２３９、図６２（Ａ）の第２の導電層１０３０７及び第２の導電層１
０３０９、もしくは図６２（Ｂ）の第２の導電層１０３３７、第２の導電層１０３３９及
び第４の導電層１０３４３の反射性を有する材料としては、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ
、Ａｌなどを用いることができる。あるいは、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｒ、ＷとＡｌを積層
させた２層構造、ＡｌをＴｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗなどの金属で挟んだ３層積層構造と
してもよい。

図６０の第３の絶縁膜１０１０８、図６１（Ａ）の第３の絶縁膜１０２０８、図６１（Ｂ
）の第３の絶縁膜１０２３８、図６１（Ｂ）の第３の導電層１０２３９、図６２（Ａ）の
第３の絶縁膜１０３０８、図６２（Ｂ）の第３の絶縁膜１０３３８及び第４の絶縁膜１０
３４９としては、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど）ある
いは、低誘電率の有機化合物材料（感光性又は非感光性の有機樹脂材料）などを用いるこ
とができる。あるいは、シロキサンを含む材料を用いることもできる。なお、シロキサン
は、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される材料である。置換基
として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、アリール基）が用いられる。
あるいは、置換基としてフルオロ基を用いてもよい。あるいは、置換基として、少なくと
も水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。

図６０の第１の配向膜１０１１０、図６１（Ａ）の第１の配向膜１０２１０、図６１（Ｂ
）の第１の配向膜１０２４０、図６１（Ｂ）の第１の配向膜１０３１０、図６２（Ｂ）の
第１の配向膜１０３４０としては、ポリイミドなどの高分子膜を用いることができる。

次に、各液晶モードとトランジスタとを組み合わせた場合の画素構造について、画素の上
面図（レイアウト図）を参照して説明する。

なお、液晶モードとしては、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（
Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ
Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ
Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉ
ｇｎｍｅｎｔ）、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉ
ｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒ
ｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉ
ｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）などを用いることができる。

なお、トランジスタとしては、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶（マイクロクリ
スタル、セミアモルファスとも言う）シリコンなどに代表される非単結晶半導体層を有す
る薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などを用いることが出来る。

なお、トランジスタの構造としては、トップゲート型又はボトムゲート型などを用いるこ
とができる。ボトムゲート型のトランジスタとしては、チャネルエッチ型又はチャネル保
護型などを用いることができる。

図６３は、ＴＮ方式とトランジスタとを組み合わせた場合の副画素の上面図の一例である
。図６３に示す画素構造を液晶表示装置に適用することによって、安価に液晶表示装置を
製造することができる。なお、図６３では、説明の便宜上、一つの副画素の構成を示して
いる。つまり、図６３に示した構成の副画素を複数設けることによって一つの画素を設け
ることができる。

図６３に示す副画素は、走査線１０４０１と、映像信号線１０４０２と、容量線１０４０
３と、トランジスタ１０４０４と、画素電極１０４０５と、画素容量１０４０６と、を有
している。

走査線１０４０１は、信号（走査信号）を画素に伝達する機能を有する。映像信号線１０
４０２は、信号（映像信号）を画素に伝達するための機能を有する。なお、走査線１０４
０１と映像信号線１０４０２とは、マトリックス状に配置されるため、異なる層の導電層
で形成されている。なお、走査線１０４０１と。映像信号線１０４０２との交差部に、半
導体層が配置されていてもよい。こうすることで、走査線１０４０１と。映像信号線１０
４０２と交差容量を低減することができる。

容量線１０４０３は、画素電極１０４０５と平行に配置されている。容量線１０４０３と
画素電極１０４０５とが重なって配置されている部分が画素容量１０４０６となる。なお
、容量線１０４０３の一部は、映像信号線１０４０２に沿って、映像信号線１０４０２を
囲むように延設されている。こうすることで、クロストークを低減することができる。ク
ロストークとは、映像信号線１０４０２の電位変化に伴って、電位を保持するべき電極の
電位が変化してしまう現象のことである。なお、容量線１０４０３と映像信号線１０４０
２との間に半導体層を配置することによって、交差容量を低減することができる。なお、
容量線１０４０３は、走査線１０４０１と同様な材料で構成されている。

トランジスタ１０４０４は、映像信号線１０４０２と画素電極１０４０５を導通させるス
イッチとしての機能を有する。なお、トランジスタ１０４０４のソース領域及びドレイン
領域の一方は、トランジスタ１０４０４のソース領域及びドレイン領域の他方に囲まれる
ように配置されている。こうすることで、トランジスタ１０４０４のチャネル幅が大きく
なるため、スイッチング能力の向上を図ることができる。なお、トランジスタ１０４０４
のゲート電極は、半導体層を囲むように配置されている。

画素電極１０４０５は、トランジスタ１０４０４のソース電極及びドレイン電極の一方に
電気的に接続される。画素電極１０４０５は、映像信号線１０４０２によって伝達された
信号電圧を液晶素子に与えるための電極である。なお、画素電極１０４０５は、矩形であ
る。こうすることで、画素の開口率を大きくすることができる。なお、画素電極１０４０
５としては、透明性を有する材料又は反射性を有する材料を用いることができる。あるい
は、透明性を有する材料と反射性を有する材料とを組み合わせて、画素電極１０４０５に
用いてもよい。

図６４（Ａ）は、ＭＶＡ方式とトランジスタとを組み合わせた場合の副画素の上面図の一
例である。図６４（Ａ）に示す画素構造を液晶表示装置に適用することによって、視野角
が大きく、応答速度が速く、コントラストの大きい液晶表示装置を得ることができる。な
お、図６４では、説明の便宜上、一つの副画素の構成を示している。つまり、図６３に示
した構成の副画素を複数設けることによって一つの画素を設けることができる。

図６４（Ａ）に示す副画素は、走査線１０５０１と、映像信号線１０５０２と、容量線１
０５０３と、トランジスタ１０５０４と、画素電極１０５０５と、画素容量１０５０６と
、配向制御用突起１０５０７と、を有する。

走査線１０５０１は、信号（走査信号）を副画素に伝達する機能を有する。映像信号線１
０５０２は、信号（映像信号）を副画素に伝達するための機能を有する。なお、走査線１
０５０１と映像信号線１０５０２とは、マトリックス状に配置されるため、異なる層の導
電層で形成されている。なお、走査線１０５０１と。映像信号線１０５０２との交差部に
、半導体層が配置されていてもよい。こうすることで、走査線１０５０１と。映像信号線
１０５０２と交差容量を低減することができる。

容量線１０５０３は、画素電極１０５０５と平行に配置されている。容量線１０５０３と
画素電極１０５０５とが重なって配置されている部分が画素容量１０５０６となる。なお
、容量線１０５０３の一部は、映像信号線１０５０２に沿って、映像信号線１０５０２を
囲むように延設されている。こうすることで、クロストークを低減することができる。ク
ロストークとは、映像信号線１０５０２の電位変化に伴って、電位を保持するべき電極の
電位が変化してしまう現象のことである。なお、容量線１０５０３と映像信号線１０５０
２との間に半導体層を配置することによって、交差容量を低減することができる。なお、
容量線１０５０３は、走査線１０５０１と同様な材料で構成されている。

トランジスタ１０５０４は、映像信号線１０５０２と画素電極１０５０５を導通させるス
イッチとしての機能を有する。なお、トランジスタ１０５０４のソース領域及びドレイン
領域の一方は、トランジスタ１０５０４のソース領域及びドレイン領域の他方に囲まれる
ように配置されている。こうすることで、トランジスタ１０５０４のチャネル幅が大きく
なるため、スイッチング能力の向上を図ることができる。なお、トランジスタ１０５０４
のゲート電極は、半導体層を囲むように配置されている。

画素電極１０５０５は、トランジスタ１０５０４のソース電極及びドレイン電極の一方に
電気的に接続される。画素電極１０５０５は、映像信号線１０５０２によって伝達された
信号電圧を液晶素子に与えるための電極である。なお、画素電極１０５０５は、矩形であ
る。こうすることで、画素の開口率を大きくすることができる。なお、画素電極１０５０
５としては、透明性を有する材料又は反射性を有する材料を用いることができる。あるい
は、透明性を有する材料と反射性を有する材料とを組み合わせて、画素電極１０５０５に
用いてもよい。

配向制御用突起１０５０７は、対向基板に形成されている。配向制御用突起１０５０７は
、液晶分子を放射状に配向させる機能を有する。なお、配向制御用突起１０５０７の形状
に限定はない。例えば、配向制御用突起１０５０７の形状は、くの字型となっていてもよ
い。こうすることで、液晶分子の配向が異なる複数の領域を形成することができる。視野
角の向上を図ることができる。

図６４（Ｂ）は、ＰＶＡ方式とトランジスタとを組み合わせた場合の副画素の上面図の一
例である。図６４（Ｂ）に示す画素構造を液晶表示装置に適用することによって、視野角
が大きく、応答速度が速く、コントラストの大きい液晶表示装置を得ることができる。

図６４（Ｂ）に示す副画素は、走査線１０５１１と、映像信号線１０５１２と、容量線１
０５１３と、トランジスタ１０５１４と、画素電極１０５１５と、画素容量１０５１６と
、電極切り欠き部１０５１７、を有する。

走査線１０５１１は、信号（走査信号）を副画素に伝達する機能を有する。映像信号線１
０５１２は、信号（映像信号）を副画素に伝達するための機能を有する。なお、走査線１
０５１１と映像信号線１０５１２とは、マトリックス状に配置されるため、異なる層の導
電層で形成されている。なお、走査線１０５１１と。映像信号線１０５１２との交差部に
、半導体層が配置されていてもよい。こうすることで、走査線１０５１１と。映像信号線
１０５１２と交差容量を低減することができる。

容量線１０５１３は、画素電極１０５１５と平行に配置されている。容量線１０５１３と
画素電極１０５１５とが重なって配置されている部分が画素容量１０５１６となる。なお
、容量線１０５１３の一部は、映像信号線１０５１２に沿って、映像信号線１０５１２を
囲むように延設されている。こうすることで、クロストークを低減することができる。ク
ロストークとは、映像信号線１０５１２の電位変化に伴って、電位を保持するべき電極の
電位が変化してしまう現象のことである。なお、容量線１０５１３と映像信号線１０５１
２との間に半導体層を配置することによって、交差容量を低減することができる。なお、
容量線１０５１３は、走査線１０５１１と同様な材料で構成されている。

トランジスタ１０５１４は、映像信号線１０５１２と画素電極１０５１５を導通させるス
イッチとしての機能を有する。なお、トランジスタ１０５１４のソース領域及びドレイン
領域の一方は、トランジスタ１０５１４のソース領域及びドレイン領域の他方に囲まれる
ように配置されている。こうすることで、トランジスタ１０５１４のチャネル幅が大きく
なるため、スイッチング能力の向上を図ることができる。なお、トランジスタ１０５１４
のゲート電極は、半導体層を囲むように配置されている。

画素電極１０５１５は、トランジスタ１０５１４のソース電極及びドレイン電極の一方に
電気的に接続される。画素電極１０５１５は、映像信号線１０５１２によって伝達された
信号電圧を液晶素子に与えるための電極である。なお、画素電極１０５１５は、電極切り
欠き部１０５１７の形状に合わせた形状である。具体的には、電極切り欠き部１０５１７
のない部分に、画素電極１０５１５を切り欠いた部分を形成したような形状である。こう
することで、液晶分子の配向が異なる複数の領域を形成することができる。視野角の向上
を図ることができる。なお、画素電極１０５１５としては、透明性を有する材料又は反射
性を有する材料を用いることができる。あるいは、透明性を有する材料と反射性を有する
材料とを組み合わせて、画素電極１０５１５に用いてもよい。

図６５（Ａ）は、ＩＰＳ方式とトランジスタとを組み合わせた場合の副画素の上面図の一
例である。図６５（Ａ）に示す画素構造を液晶表示装置に適用することによって、原理的
に視野角が大きく、応答速度の階調依存性の小さい液晶表示装置を得ることができる。な
お、図６５では、説明の便宜上、一つの副画素の構成を示している。つまり、図６３に示
した構成の副画素を複数設けることによって一つの画素を設けることができる。

図６５（Ａ）に示す副画素は、走査線１０６０１と、映像信号線１０６０２と、共通電極
１０６０３と、トランジスタ１０６０４と、画素電極１０６０５と、を有する。

走査線１０６０１は、信号（走査信号）を副画素に伝達する機能を有する。映像信号線１
０６０２は、信号（映像信号）を副画素に伝達するための機能を有する。なお、走査線１
０６０１と映像信号線１０６０２とは、マトリックス状に配置されるため、異なる層の導
電層で形成されている。なお、走査線１０６０１と映像信号線１０６０２との交差部に、
半導体層が配置されていてもよい。こうすることで、走査線１０６０１と。映像信号線１
０６０２と交差容量を低減することができる。なお、映像信号線１０６０２は、画素電極
１０６０５の形状に合わせて形成されている。

共通電極１０６０３は、画素電極１０６０５と平行に配置されている。共通電極１０６０
３は、横方向の電界を発生させるための電極である。なお、共通電極１０６０３の形状は
、屈曲した櫛歯状である。なお、共通電極１０６０３の一部は、映像信号線１０６０２に
沿って、映像信号線１０６０２を囲むように延設されている。こうすることで、クロスト
ークを低減することができる。クロストークとは、映像信号線１０６０２の電位変化に伴
って、電位を保持するべき電極の電位が変化してしまう現象のことである。なお、共通電
極１０６０３と映像信号線１０６０２との間に半導体層を配置することによって、交差容
量を低減することができる。なお、共通電極１０６０３の走査線１０６０１と平行に配置
されている部分では、走査線１０６０１と同様な材料で構成されている。共通電極１０６
０３の画素電極１０６０５と平行に配置されている部分では、画素電極１０６０５と同様
な材料で構成されている。

トランジスタ１０６０４は、映像信号線１０６０２と画素電極１０６０５を導通させるス
イッチとしての機能を有する。なお、トランジスタ１０６０４のソース領域及びドレイン
領域の一方は、トランジスタ１０６０４のソース領域及びドレイン領域の他方に囲まれる
ように配置されている。こうすることで、トランジスタ１０６０４のチャネル幅が大きく
なるため、スイッチング能力の向上を図ることができる。なお、トランジスタ１０６０４
のゲート電極は、半導体層を囲むように配置されている。

画素電極１０６０５は、トランジスタ１０６０４のソース電極及びドレイン電極の一方に
電気的に接続される。画素電極１０５０５は、映像信号線１０６０２によって伝達された
信号電圧を液晶素子に与えるための電極である。なお、画素電極１０６０５の形状は、屈
曲した櫛歯状の形状である。こうすることで、液晶分子に横電界をかけることができる。
液晶分子の配向が異なる複数の領域を形成することができる。視野角の向上を図ることが
できる。なお、画素電極１０６０５としては、透明性を有する材料又は反射性を有する材
料を用いることができる。あるいは、透明性を有する材料と反射性を有する材料とを組み
合わせて、画素電極１０６０５に用いてもよい。

なお、共通電極１０６０３のうち櫛歯状の部分と画素電極１０６０５とは、別々の導電層
で形成されていてもよい。例えば、共通電極１０６０３のうち櫛歯状の部分は、走査線１
０６０１又は映像信号線１０６０２と同じ導電層で形成されていてもよい。同様に、画素
電極１０６０５は、走査線１０６０１又は映像信号線１０６０２と同じ導電層で形成され
ていてもよい。

図６５（Ｂ）は、ＦＦＳ方式とトランジスタとを組み合わせた場合の副画素の上面図であ
る。図６５（Ｂ）に示す画素構造を液晶表示装置に適用することによって、原理的に視野
角が大きく、応答速度の階調依存性の小さい液晶表示装置を得ることができる。

図６５（Ｂ）に示す副画素は、走査線１０６１１と、映像信号線１０６１２と、共通電極
１０６１３と、トランジスタ１０６１４と、画素電極１０６１５と、を備えていてもよい
。

走査線１０６１１は、信号（走査信号）を副画素に伝達する機能を有する。映像信号線１
０６１２は、信号（映像信号）を副画素に伝達するための機能を有する。なお、走査線１
０６１１と映像信号線１０６１２とは、マトリックス状に配置されるため、異なる層の導
電層で形成されている。なお、走査線１０６１１と。映像信号線１０６１２との交差部に
、半導体層が配置されていてもよい。こうすることで、走査線１０６１１と。映像信号線
１０６１２と交差容量を低減することができる。なお、映像信号線１０６１２は、画素電
極１０６１５の形状に合わせて形成されている。

共通電極１０６１３は、画素電極１０６１５の下部、及び画素電極１０６１５と画素電極
１０６１５との間の下部に一様に形成されている。なお、共通電極１０６１３としては、
透明性を有する材料又は反射性を有する材料を用いることができる。あるいは、透明性を
有する材料と反射性を有する材料とを組み合わせて、共通電極１０６１３に用いてもよい
。

トランジスタ１０６１４は、映像信号線１０６１２と画素電極１０６１５を導通させるス
イッチとしての機能を有する。なお、トランジスタ１０６０４のソース領域及びドレイン
領域の一方は、トランジスタ１０６１４のソース領域及びドレイン領域の他方に囲まれる
ように配置されている。こうすることで、トランジスタ１０６１４のチャネル幅が大きく
なるため、スイッチング能力の向上を図ることができる。なお、トランジスタ１０６１４
のゲート電極は、半導体層を囲むように配置されている。

画素電極１０６１５は、トランジスタ１０６１４のソース電極及びドレイン電極の一方に
電気的に接続される。画素電極１０５１５は、映像信号線１０６１２によって伝達された
信号電圧を液晶素子に与えるための電極である。なお、画素電極１０６１５の形状は、屈
曲した櫛歯状の形状である。こうすることで、液晶分子に横電界をかけることができる。
なお、櫛歯状の画素電極１０６１５は、共通電極１０６１３の一様な部分よりも液晶層に
近いところに配置される。液晶分子の配向が異なる複数の領域を形成することができる。
視野角の向上を図ることができる。なお、画素電極１０６１５としては、透明性を有する
材料又は反射性を有する材料を用いることができる。あるいは、透明性を有する材料と反
射性を有する材料とを組み合わせて、画素電極１０６１５に用いてもよい。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態およ
び実施例の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換え
などを自由に行うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関し
て、別の実施の形態および実施例の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構
成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態および実施例で述べた内容（一部でもよい）を、
具現化した場合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した
場合の一例、詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての
一例などを示している。したがって、他の実施の形態および実施例で述べた内容は、本実
施の形態への適用、組み合わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。

（実施の形態６）
本実施の形態においては、液晶パネルの周辺部について説明する。

図６６は、エッジライト式と呼ばれるバックライトユニット２０１０１と、液晶パネル２
０１０７とを有している液晶表示装置の一例を示す。エッジライト式とは、バックライト
ユニットの端部に光源を配置し、その光源の蛍光を発光面全体から放射する方式である。
エッジライト式のバックライトユニットは、薄型で省電力化を図ることができる。

バックライトユニット２０１０１は、拡散板２０１０２、導光板２０１０３、反射板２０
１０４、ランプリフレクタ２０１０５及び光源２０１０６によって構成される。

光源２０１０６は必要に応じて発光する機能を有している。例えば、光源２０１０６とし
ては冷陰極管、熱陰極管、発光ダイオード、無機ＥＬ又は有機ＥＬなどが用いられる。ラ
ンプリフレクタ２０１０５は、光源２０１０６からの蛍光を効率よく導光板２０１０３に
導く機能を有する。導光板２０１０３は、蛍光を全反射させて、全面に光を導く機能を有
する。拡散板２０１０２は、明度のムラを低減する機能を有する。反射板２０１０４は、
導光板２０１０３から下方向（液晶パネル２０１０７と反対方向）に漏れた光を反射して
再利用する機能を有する。

なお、バックライトユニット２０１０１には、光源２０１０６の輝度を調整するための制
御回路が接続されている。この制御回路によって、光源２０１０６の輝度を調整すること
ができる。

図６７（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）は、エッジライト式のバックライトユニットの
詳細な構成を示す図である。なお、拡散板、導光板及び反射板などはその説明を省略する
。

図６７（Ａ）に示すバックライトユニット２０２０１は、光源として冷陰極管２０２０３
を用いた構成である。そして、冷陰極管２０２０３からの光を効率よく反射させるため、
ランプリフレクタ２０２０２が設けられている。このような構成は、冷陰極管からの輝度
の強度のため、大型表示装置に用いることが多い。

図６７（Ｂ）に示すバックライトユニット２０２１１は、光源として発光ダイオード（Ｌ
ＥＤ）２０２１３を用いた構成である。例えば、白色に発する発光ダイオード（Ｗ）２０
２１３は所定の間隔に配置される。そして、発光ダイオード２０２１３からの光を効率よ
く反射させるため、ランプリフレクタ２０２１２が設けられている。

発光ダイオードの輝度は高いので、発光ダイオードを用いた構成は大型表示装置に適する
。発光ダイオードの色再現性は優れているので、配置面積を小さくすることができる。し
たがって、表示装置の狭額縁化を図ることができる。

なお、発光ダイオードが大型の表示装置に搭載される場合、発光ダイオードを該基板の背
面に配置することができる。発光ダイオードは、所定の間隔を維持し、各色の発光ダイオ
ードが順に配置される。発光ダイオードの配置によって、色再現性を高めることができる
。

図６７（Ｃ）に示すバックライトユニット２０２２１は、光源として各色ＲＧＢの発光ダ
イオード（ＬＥＤ）２０２２３、発光ダイオード２０２２４（ＬＥＤ）、発光ダイオード
（ＬＥＤ）２０２２５を用いた構成である。各色ＲＧＢの発光ダイオード２０２２３（Ｌ
ＥＤ）、発光ダイオード２０２２４（ＬＥＤ）、発光ダイオード２０２２５（ＬＥＤ）は
、それぞれ所定の間隔に配置される。各色ＲＧＢの発光ダイオード２０２２３（ＬＥＤ）
、発光ダイオード２０２２４（ＬＥＤ）、発光ダイオード２０２２５（ＬＥＤ）を用いる
ことによって、色再現性を高くすることができる。そして、発光ダイオードからの光を効
率よく反射させるため、ランプリフレクタ２０２２２が設けられている。

発光ダイオードの輝度は高いので、光源として各色ＲＧＢの発光ダイオードを用いた構成
は大型表示装置に適する。色再現性が優れているので、配置面積を小さくすることができ
る。したがって、表示装置の狭額縁化を図ることができる。

なお、時間に応じてＲＧＢの発光ダイオードを順次点灯させることによって、カラー表示
を行うことができる。いわいるフィールドシーケンシャルモードである。

なお、白色を発する発光ダイオードと、各色ＲＧＢの発光ダイオード２０２２３（ＬＥＤ
）、発光ダイオード２０２２４（ＬＥＤ）、発光ダイオード２０２２５（ＬＥＤ）とを組
み合わせることができる。

なお、発光ダイオードが大型の表示装置に搭載される場合、発光ダイオードを該基板の背
面に配置することができる。発光ダイオードは、所定の間隔を維持し、各色の発光ダイオ
ードが順に配置される。発光ダイオードの配置によって、色再現性を高めることができる
。

図６７（Ｄ）に示すバックライトユニット２０２３１は、光源として各色ＲＧＢの発光ダ
イオード（ＬＥＤ）２０２３３、発光ダイオード（ＬＥＤ）２０２３４、発光ダイオード
（ＬＥＤ）２０２３５を用いた構成である。例えば、各色ＲＧＢの発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）２０２３３、発光ダイオード２０２３４（ＬＥＤ）、発光ダイオード２０２３５（Ｌ
ＥＤ）のうち発光強度の低い色（例えば緑）は複数配置されている。各色ＲＧＢの発光ダ
イオード２０２３３（ＬＥＤ）、発光ダイオード２０２３４（ＬＥＤ）、発光ダイオード
２０２３５（ＬＥＤ）を用いることによって、色再現性を高くすることができる。そして
、発光ダイオードからの光を効率よく反射させるため、ランプリフレクタ２０２３２が設
けられている。

発光ダイオードの輝度は高いので、光源として各色ＲＧＢの発光ダイオードを用いた構成
は大型表示装置に適する。発光ダイオードの色再現性は優れているので、配置面積を小さ
くすることができる。したがって、表示装置の狭額縁化を図ることができる。

なお、時間に応じてＲＧＢの発光ダイオードを順次点灯させることによって、カラー表示
を行うことができる。いわいるフィールドシーケンシャルモードである。

なお、白色を発する発光ダイオードと、各色ＲＧＢの発光ダイオード２０２３３（ＬＥＤ
）、発光ダイオード２０２３４（ＬＥＤ）、発光ダイオード２０２３５（ＬＥＤ）とを組
み合わせることができる。

なお、発光ダイオードが大型の表示装置に搭載される場合、発光ダイオードを該基板の背
面に配置することができる。発光ダイオードは、所定の間隔を維持し、各色の発光ダイオ
ードが順に配置される。発光ダイオードの配置によって、色再現性を高めることができる
。

図７０（Ａ）は、直下型と呼ばれるバックライトユニットと、液晶パネルとを有する液晶
表示装置の一例を示す。直下式とは、発光面の直下に光源を配置することで、その光源の
蛍光を発光面全体から放射する方式である。直下式のバックライトユニットは、発光光量
を効率よく利用することができる。

バックライトユニット２０５００は、拡散板２０５０１、遮光板２０５０２、ランプリフ
レクタ２０５０３及び光源２０５０４によって構成される。

光源２０５０４は、必要に応じて発光する機能を有している。例えば、光源２０５０５と
しては、冷陰極管、熱陰極管、発光ダイオード、無機ＥＬ又は有機ＥＬなどが用いられる
。ランプリフレクタ２０５０３は、光源２０５０４の蛍光を効率よく拡散板２０５０１及
び遮光板２０５０２に導く機能を有する。遮光板２０５０２は、光源２０５０４の配置に
合わせて光が強いところほど遮光を多くすることで、明度のムラを低減する機能を有する
。拡散板２０５０１は、さらに明度のムラを低減する機能を有する。

なお、バックライトユニット２０５００には、光源２０５０４の輝度を調整するための制
御回路が接続されている。この制御回路によって、光源２０５０４の輝度を調整すること
ができる。

図７０（Ｂ）は、直下型と呼ばれるバックライトユニットと、液晶パネルとを有する液晶
表示装置の一例を示す。直下式とは、発光面の直下に光源を配置することで、その光源の
蛍光を発光面全体から放射する方式である。直下式のバックライトユニットは、発光光量
を効率よく利用することができる。

バックライトユニット２０５１０は、拡散板２０５１１、遮光板２０５１２、ランプリフ
レクタ２０５１３、各色ＲＧＢの光源（Ｒ）２０５１４ａ、光源（Ｇ）２０５１４ｂ及び
光源（Ｂ）２０５１４ｃによって構成される。

各色ＲＧＢの光源２０５１４ａ（Ｒ）、光源２０５１４ｂ（Ｇ）及び光源２０５１４ｃ（
Ｂ）は、必要に応じて発光する機能を有する。例えば、光源２０５１４ａ（Ｒ）、光源２
０５１４ｂ（Ｇ）及び光源２０５１４ｃ（Ｂ）としては、冷陰極管、熱陰極管、発光ダイ
オード、無機ＥＬ又は有機ＥＬなどが用いられる。ランプリフレクタ２０５１３は、光源
２０５１４の蛍光を効率よく拡散板２０５１１及び遮光板２０５１２に導く機能を有する
。遮光板２０５１２は、光源２０５１４の配置に合わせて光が強いところほど遮光を多く
することで、明度のムラを低減する機能を有する。拡散板２０５１１は、さらに明度のム
ラを低減する機能を有する。

なお、バックライトユニット２０５１０には、各色ＲＧＢの光源２０５１４ａ（Ｒ）、光
源２０５１４ｂ（Ｇ）及び光源２０５１４ｃ（Ｂ）の輝度を調整するための制御回路が接
続されている。この制御回路によって、各色ＲＧＢの光源２０５１４ａ（Ｒ）、光源２０
５１４ｂ（Ｇ）及び光源２０５１４ｃ（Ｂ）の輝度を調整することができる。

図６８は、偏光板（偏光フィルムともいう）の構成の一例を示す図である。

偏光フィルム２０３００は、保護フィルム２０３０１、基板フィルム２０３０２、ＰＶＡ
偏光フィルム２０３０３、基板フィルム２０３０４、粘着剤層２０３０５及び離型フィル
ム２０３０６を有する。

ＰＶＡ偏光フィルム２０３０３は、ある振動方向だけの光（直線偏光）を作り出す機能を
有する。具体的には、ＰＶＡ偏光フィルム２０３０３は、電子の密度が縦と横で大きく異
なる分子（偏光子）を含んでいる。ＰＶＡ偏光フィルム２０３０３は、この電子の密度が
縦と横で大きく異なる分子の方向を揃えることで、直線偏光を作り出すことができる。

一例として、ＰＶＡ偏光フィルム２０３０３は、ポリビニルアルコール（Ｐｏｌｙ Ｖｉ
ｎｙｌ Ａｌｃｏｈｏｌ）の高分子フィルムに、ヨウ素化合物をドープし、ＰＶＡフィル
ムをある方向に引っ張ることで、一定方向にヨウ素分子の並んだフィルムを得ることがで
きる。そして、ヨウ素分子の長軸と平行な光は、ヨウ素分子に吸収される。なお、高耐久
用途及び高耐熱用途として、ヨウ素の代わりに２色性の染料が用いてもよい。なお、染料
は、車載用ＬＣＤ又はプロジェクタ用ＬＣＤなどの耐久性、耐熱性が求められる液晶表示
装置に用いられることが望ましい。

ＰＶＡ偏光フィルム２０３０３は、両側を基材となるフィルム（基板フィルム２０３０２
及び基板フィルム２０３０４）で挟むことで、信頼性を増すことができる。なお、ＰＶＡ
偏光フィルム２０３０３は、高透明性、高耐久性のトリアセチルロース（ＴＡＣ）フィル
ムによって挟まれていてもよい。なお、基板フィルム及びＴＡＣフィルムは、ＰＶＡ偏光
フィルム２０３０３が有する偏光子の保護層として機能する。

一方の基板フィルム（基板フィルム２０３０４）には、液晶パネルのガラス基板に貼るた
めの粘着剤層２０３０５が貼られている。なお、粘着剤層２０３０５は、粘着剤を片側の
基板フィルム（基板フィルム２０３０４）に塗布することで形成される。粘着剤層２０３
０５には、離型フィルム２０３０６（セパレートフィルム）が備えられている。

他方の基板フィルム（基板フィルム２０３０２）には、保護フィルム２０３０１が備えら
れている。

なお、偏光フィルム２０３００表面に、ハードコート散乱層（アンチグレア層）が備えら
れていてもよい。ハードコート散乱層は、ＡＧ処理によって表面に微細な凹凸が形成され
ており、外光を散乱させる防眩機能を有するため、液晶パネルへの外光の映り込みを防ぐ
ことができる。表面反射を防ぐことができる。

なお、偏光フィルム２０３００表面に、複数の屈折率の異なる光学薄膜層を多層化（アン
チリフレクション処理、若しくはＡＲ処理ともいう）してもよい。多層化された複数の屈
折率のことなる光学薄膜層は、光の干渉効果によって表面の反射率を低減することができ
る。

図６９は、液晶表示装置のシステムブロックの一例を示す図である。

図６９（Ａ）に示すように画素部２０４０５には、信号線２０４１２が信号線駆動回路２
０４０３から延伸して配置されている。画素部２０４０５には、走査線２０４１０が走査
線駆動回路２０４０４から延伸して配置されている。そして、信号線２０４１２と走査線
２０４１０との交差領域に、複数の画素がマトリクス状に配置されている。なお、複数の
画素それぞれはスイッチング素子を有している。したがって、複数の画素それぞれに液晶
分子の傾きを制御するための電圧を独立して入力することができる。このように各交差領
域にスイッチング素子が設けられた構造をアクティブ型と呼ぶ。ただし、このようなアク
ティブ型に限定されず、パッシブ型の構成でもよい。パッシブ型は、各画素にスイッチン
グ素子がないため、工程が簡便である。

駆動回路部２０４０８は、制御回路２０４０２、信号線駆動回路２０４０３及び走査線駆
動回路２０４０４を有する。制御回路２０４０２には映像信号２０４０１が入力されてい
る。制御回路２０４０２は、この映像信号２０４０１に応じて、信号線駆動回路２０４０
３及び走査線駆動回路２０４０４を制御する。そのため、映像信号２０４０１は、信号線
駆動回路２０４０３及び走査線駆動回路２０４０４に、それぞれ制御信号を入力する。そ
して、この制御信号に応じて、信号線駆動回路２０４０３はビデオ信号を信号線２０４１
２に入力し、走査線駆動回路２０４０４は走査信号を走査線２０４１０に入力する。そし
て、画素が有するスイッチング素子が走査信号に応じて選択され、画素の画素電極にビデ
オ信号が入力される。

なお、制御回路２０４０２は、映像信号２０４０１に応じて電源２０４０７も制御してい
る。電源２０４０７は、照明手段２０４０６へ電力を供給する手段を有している。照明手
段２０４０６としては、エッジライト式のバックライトユニット、又は直下型のバックラ
イトユニットを用いることができる。ただし、照明手段２０４０６としては、フロントラ
イトを用いてもよい。フロントライトとは、画素部の前面側に取りつけ、全体を照らす発
光体及び導光体で構成された板状のライトユニットである。このような照明手段により、
低消費電力で、均等に画素部を照らすことができる。

図６９（Ｂ）に示すように走査線駆動回路２０４０４は、シフトレジスタ２０４４１、レ
ベルシフタ２０４４２、バッファ２０４４３として機能する回路を有する。シフトレジス
タ２０４４１にはゲートスタートパルス（ＧＳＰ）、ゲートクロック信号（ＧＣＫ）等の
信号が入力される。

図６９（Ｃ）に示すように信号線駆動回路２０４０３は、シフトレジスタ２０４３１、第
１のラッチ２０４３２、第２のラッチ２０４３３、レベルシフタ２０４３４、バッファ２
０４３５として機能する回路を有する。バッファ２０４３５として機能する回路とは、弱
い信号を増幅させる機能を有する回路であり、オペアンプ等を有する。レベルシフタ２０
４３４には、スタートパルス（ＳＳＰ）等の信号が、第１のラッチ２０４３２にはビデオ
信号等のデータ（ＤＡＴＡ）が入力される。第２のラッチ２０４３３にはラッチ（ＬＡＴ
）信号を一時保持することができ、一斉に画素部２０４０５へ入力させる。これを線順次
駆動と呼ぶ。そのため、線順次駆動ではなく、点順次駆動を行う画素であれば、第２のラ
ッチは不要とすることができる。

なお、本実施の形態において、液晶パネルは、公知のものを用いることができる。例えば
、液晶パネルとして、２つの基板の間に液晶層が封止された構成を用いることができる。
一方の基板上には、トランジスタ、容量素子、画素電極又は配向膜などが形成されている
。なお、一方の基板の上面と反対側には、偏光板、位相差板又はプリズムシートが配置さ
れていてもよい。他方の基板上には、カラーフィルタ、ブラックマトリクス、共通電極又
は配向膜などが形成されている。なお、他方の基板の上面と反対側には、偏光板又は位相
差板が配置されていてもよい。なお、カラーフィルタ及びブラックマトリクスは、一方の
基板の上面に形成されてもよい。なお、一一方の基板の上面側又はその反対側にスリット
（格子）を配置することで、３次元表示を行うことができる。

なお、偏光板、位相差板及びプリズムシートをそれぞれ、２つの基板の間に配置すること
が可能である。あるいは、２つの基板のうちのいずれかと一体とすることが可能である。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態およ
び実施例の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換え
などを自由に行うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関し
て、別の実施の形態および実施例の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構
成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態および実施例で述べた内容（一部でもよい）を、
具現化した場合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した
場合の一例、詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての
一例などを示している。したがって、他の実施の形態および実施例で述べた内容は、本実
施の形態への適用、組み合わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。

（実施の形態７）
本実施形態においては、表示装置の駆動方法について説明する。特に、液晶表示装置の駆
動方法について説明する。

本実施形態において説明する液晶表示装置に用いることのできる液晶パネルは、液晶材料
を２枚の基板によって挟んだ構造であるとする。２枚の基板は、それぞれ、液晶材料に印
加する電界を制御するための電極を備えている。液晶材料は、外部から印加される電界に
よって、光学的および電気的な性質が変化する材料である。したがって、液晶パネルは、
基板が有する電極を用いて液晶材料に印加する電圧を制御することによって、所望の光学
的および電気的な性質を得ることができるデバイスである。そして、多数の電極を平面的
に並置することでそれぞれを画素とし、画素に印加する電圧を個別に制御することにより
、精細な画像を表示できる液晶パネルとすることができる。

ここで、電界の変化に対する液晶材料の応答時間は、２枚の基板の間隔（セルギャップ）
および液晶材料の種類等に依存するが、一般的に数ミリ秒から数十ミリ秒である。さらに
、電界の変化量が小さい場合は、液晶材料の応答時間はさらに長くなる。この性質は、液
晶パネルによって動きのある画像を表示する場合に、残像、尾引き、コントラストの低下
といった画像表示上の障害を引き起こし、特に中間調から別の中間調へ変化する場合（電
界の変化が小さい）場合に、前述の障害の程度が著しくなる。

一方、アクティブマトリクスを用いた液晶パネルに特有の問題として、定電荷駆動による
書き込み電圧の変化がある。以下に、本実施形態における定電荷駆動について説明する。

アクティブマトリクスにおける画素回路は、書き込みを制御するスイッチと、電荷を保持
する容量素子を含む。アクティブマトリクスにおける画素回路の駆動方法は、スイッチを
オン状態として所定の電圧を画素回路に書き込んだ後、直ちにスイッチをオフ状態として
画素回路内の電荷を保持する（ホールド状態）というものである。ホールド状態時、画素
回路の内部と外部には電荷のやり取りが行なわれない（定電荷）。通常、スイッチがオン
状態となっている期間に比べて、オフ状態となっている期間は数百（走査線本数）倍程度
長い。そのため、画素回路のスイッチは、ほとんどオフ状態となっていると考えてよい。
以上より、本実施形態における定電荷駆動とは、液晶パネルの駆動時、画素回路はほとん
どの期間においてホールド状態である駆動方法であるとする。

次に、液晶材料の電気的特性について説明する。液晶材料は、外部から印加される電界が
変化すると、光学的性質が変化するのと同時に、誘電率も変化する。すなわち、液晶パネ
ルの各画素を２枚の電極に挟まれた容量素子（液晶素子）として考えたとき、当該容量素
子は、印加される電圧によって静電容量が変化する容量素子である。この現象を、ダイナ
ミックキャパシタンスと呼ぶこととする。

このように、印加される電圧によって静電容量が変化する容量素子を、上述した定電荷駆
動によって駆動する場合、次のような問題が生じる。すなわち、電荷の移動が行なわれな
いホールド状態において、液晶素子の静電容量が変化すると、印加される電圧も変化して
しまうという問題である。これは、（電荷量）＝（静電容量）×（印加電圧）という関係
式において、電荷量が一定であるということから理解できる。

以上の理由により、アクティブマトリクスを用いた液晶パネルでは、定電荷駆動であるこ
とによって、ホールド状態時における電圧が、書き込み時における電圧から変化してしま
う。その結果、液晶素子の透過率は、ホールド状態を取らない駆動法における変化とは異
なったものとなる。この様子を示したのが、図３１である。図３１（Ａ）は、横軸に時間
、縦軸に電圧の絶対値をとり、画素回路に書き込む電圧の制御例を表したものである。図
３１（Ｂ）は、横軸に時間、縦軸に電圧をとった場合の、画素回路に書き込む電圧の制御
例を表したものである。図３１（Ｃ）は、横軸に時間、縦軸に液晶素子の透過率をとり、
図３１（Ａ）または図３１（Ｂ）によって表した電圧を画素回路に書き込んだ場合の、液
晶素子の透過率の時間変化を表したものである。図３１（Ａ）乃至（Ｃ）において、期間
Ｆは電圧の書き換え周期を表し、電圧を書き換える時刻をｔ_１、ｔ_２、ｔ_３、ｔ_４、〜と
して説明する。

ここで、液晶表示装置に入力される画像データに対応する書き込み電圧は、時刻０におけ
る書き換えでは｜Ｖ_１｜、時刻ｔ_１、ｔ_２、ｔ_３、ｔ_４、〜における書き換えでは｜Ｖ_２
｜であるとする。（図３１（Ａ）参照）

なお、液晶表示装置に入力される画像データに対応する書き込み電圧は、その極性を周期
的に入れ替えてもよい。（反転駆動：図３１（Ｂ）参照）この方法によって、液晶に直流
電圧をできるだけ印加しないようにすることができるので、液晶素子の劣化による焼きつ
き等を防ぐことができる。なお、極性を入れ替える周期（反転周期）は、電圧の書き換え
周期と同じでもよい。この場合は、反転周期が短いので、反転駆動によるフリッカの発生
を低減することができる。さらに、反転周期は、電圧の書き換え周期の整数倍の周期であ
ってもよい。この場合は、反転周期が長く、極性を変えて電圧を書き込む頻度を減少させ
ることができるため、消費電力を低減することができる。

そして、図３１（Ａ）または図３１（Ｂ）に示したような電圧を液晶素子に印加したとき
の液晶素子の透過率の時間変化を、図３１（Ｃ）に示す。ここで、液晶素子に電圧｜Ｖ_１
｜が印加され、十分時間が経過した後の液晶素子の透過率をＴＲ_１とする。同様に、液晶
素子に電圧｜Ｖ_２｜が印加され、十分時間が経過した後の液晶素子の透過率をＴＲ_２とす
る。時刻ｔ_１において、液晶素子に印加される電圧が｜Ｖ_１｜から｜Ｖ_２｜に変化すると
、液晶素子の透過率は、破線３０４０１に示したように、すぐにＴＲ_２とはならず、ゆっ
くりと変化する。たとえば、電圧の書き換え周期が、６０Ｈｚの画像信号のフレーム周期
（１６．７ミリ秒）と同じであるとき、透過率がＴＲ_２に変化するまでは、数フレーム程
度の時間が必要となる。

ただし、破線３０４０１に示したような、滑らかな透過率の時間変化は、液晶素子に正確
に電圧｜Ｖ_２｜が印加されたときのものである。実際の液晶パネル、たとえば、アクティ
ブマトリクスを用いた液晶パネルでは、定電荷駆動であることによって、ホールド状態時
における電圧が、書き込み時における電圧から変化してしまうため、液晶素子の透過率は
破線３０４０１に示したような時間変化とはならず、かわりに、実線３０４０１に示した
ような、段階的な時間変化となる。これは、定電荷駆動であることによって電圧が変化し
てしまうため、１回の書き込みでは目的の電圧に到達することができないためである。そ
の結果、液晶素子の透過率の応答時間は、本来の応答時間（破線３０４０１）よりも、見
かけ上、さらに長くなってしまい、残像、尾引き、コントラストの低下といった画像表示
上の障害を顕著に引き起こしてしまうということになる。

オーバードライブ駆動を用いることによって、液晶素子の本来の応答時間の長さと、ダイ
ナミックキャパシタンスおよび定電荷駆動による書き込み不足に起因する見かけ上の応答
時間がさらに長くなる現象を、同時に解決することができる。この様子を示したのが、図
３２である。図３２（Ａ）は、横軸に時間、縦軸に電圧の絶対値をとり、画素回路に書き
込む電圧の制御例を表したものである。図３２（Ｂ）は、横軸に時間、縦軸に電圧をとっ
た場合の、画素回路に書き込む電圧の制御例を表したものである。図３２（Ｃ）は、横軸
に時間、縦軸に液晶素子の透過率をとり、図３２（Ａ）または図３２（Ｂ）によって表し
た電圧を画素回路に書き込んだ場合の、液晶素子の透過率の時間変化を表したものである
。図３２（Ａ）乃至（Ｃ）において、期間Ｆは電圧の書き換え周期を表し、電圧を書き換
える時刻をｔ_１、ｔ_２、ｔ_３、ｔ_４、〜として説明する。

ここで、液晶表示装置に入力される画像データに対応する書き込み電圧は、時刻０におけ
る書き換えでは｜Ｖ_１｜、時刻ｔ_１における書き換えでは｜Ｖ_３｜、時刻ｔ_２、ｔ_３、ｔ
_４、〜における書き換えでは｜Ｖ_２｜であるとする。（図３２（Ａ）参照）

なお、液晶表示装置に入力される画像データに対応する書き込み電圧は、その極性を周期
的に入れ替えてもよい。（反転駆動：図３２（Ｂ）参照）この方法によって、液晶に直流
電圧をできるだけ印加しないようにすることができるので、液晶素子の劣化による焼きつ
き等を防ぐことができる。なお、極性を入れ替える周期（反転周期）は、電圧の書き換え
周期と同じでもよい。この場合は、反転周期が短いので、反転駆動によるフリッカの発生
を低減することができる。さらに、反転周期は、電圧の書き換え周期の整数倍の周期であ
ってもよい。この場合は、反転周期が長く、極性を変えて電圧を書き込む頻度を減少させ
ることができるため、消費電力を低減することができる。

そして、図３２（Ａ）または図３２（Ｂ）に示したような電圧を液晶素子に印加したとき
の液晶素子の透過率の時間変化を、図３２（Ｃ）に示す。ここで、液晶素子に電圧｜Ｖ_１
｜が印加され、十分時間が経過した後の液晶素子の透過率をＴＲ_１とする。同様に、液晶
素子に電圧｜Ｖ_２｜が印加され、十分時間が経過した後の液晶素子の透過率をＴＲ_２とす
る。同様に、液晶素子に電圧｜Ｖ_３｜が印加され、十分時間が経過した後の液晶素子の透
過率をＴＲ_３とする。時刻ｔ_１において、液晶素子に印加される電圧が｜Ｖ_１｜から｜Ｖ
_３｜に変化すると、液晶素子の透過率は、破線３０５０１に示したように、数フレームを
かけて透過率をＴＲ_３まで変化しようとする。しかし、電圧｜Ｖ_３｜の印加は時刻ｔ_２で
終わり、時刻ｔ_２より後は、電圧｜Ｖ_２｜が印加される。そのため、液晶素子の透過率は
破線３０５０１に示したようにはならず、実線３０５０２に示したようになる。ここで、
時刻ｔ_２の時点において、透過率が概ねＴＲ_２となっているように、電圧｜Ｖ_３｜の値を
設定するのが好ましい。ここで、電圧｜Ｖ_３｜を、オーバードライブ電圧とも呼ぶことと
する。

つまり、オーバードライブ電圧である｜Ｖ_３｜を変化させれば、液晶素子の応答時間をあ
る程度制御することができる。なぜならば、液晶の応答時間は、電界の強さによって変化
するからである。具体的には、電界が強いほど、液晶素子の応答時間は短くなり、電界が
弱いほど、液晶素子の応答時間は長くなる。

なお、オーバードライブ電圧である｜Ｖ_３｜は、電圧の変化量、すなわち、目的とする透
過率ＴＲ_１およびＴＲ_２を与える電圧｜Ｖ_１｜および｜Ｖ_２｜、にしたがって変化させる
のが好ましい。なぜならば、液晶素子の応答時間が電圧の変化量によって変わってしまっ
ても、オーバードライブ電圧である｜Ｖ_３｜をそれに合わせて変化させれば、常に最適な
応答時間を得ることができるからである。

なお、オーバードライブ電圧である｜Ｖ_３｜は、ＴＮ、ＶＡ、ＩＰＳ、ＯＣＢ等の液晶の
モードによって変化させるのが好ましい。なぜならば、液晶の応答速度が液晶のモードに
よって異なってしまっても、オーバードライブ電圧である｜Ｖ_３｜をそれに合わせて変化
させれば、常に最適な応答時間を得ることができるからである。

なお、電圧書き換え周期Ｆは、入力信号のフレーム周期と同じでもよい。この場合は、液
晶表示装置の周辺駆動回路を簡単にできるため、製造コストの低い液晶表示装置を得るこ
とができる。

なお、電圧書き換え周期Ｆは、入力信号のフレーム周期よりも短くてもよい。たとえば、
電圧書き換え周期Ｆは入力信号のフレーム周期の１／２倍でもよいし、１／３倍でもよい
し、それ以下でもよい。この方法は、黒挿入駆動、バックライト点滅、バックライトスキ
ャン、動き補償による中間画像挿入駆動等、液晶表示装置のホールド駆動に起因する動画
品質の低下の対策法と合わせて用いるのが効果的である。すなわち、液晶表示装置のホー
ルド駆動に起因する動画品質の低下の対策法は、要求される液晶素子の応答時間が短いた
め、本実施形態で説明したオーバードライブ駆動法を用いることで、比較的容易に液晶素
子の応答時間を短くすることができる。液晶素子の応答時間は、セルギャップ、液晶材料
および液晶モード等によって本質的に短くすることは可能ではあるが、技術的に困難であ
る。そのため、オーバードライブのような、駆動方法から液晶素子の応答時間を短くする
方法を用いることは、非常に重要である。

なお、電圧書き換え周期Ｆは、入力信号のフレーム周期よりも長くてもよい。たとえば、
電圧書き換え周期Ｆは入力信号のフレーム周期の２倍でもよいし、３倍でもよいし、それ
以上でもよい。この方法は、長期間電圧の書き換えが行なわれないか否かを判断する手段
（回路）と合わせて用いるのが効果的である。すなわち、長期間電圧の書き換えが行なわ
れない場合は、電圧の書き換え動作自体を行わないことによって、回路の動作をその期間
中は停止させることができるので、消費電力の低い液晶表示装置を得ることができる。

次に、オーバードライブ電圧｜Ｖ_３｜を、目的とする透過率ＴＲ_１およびＴＲ_２を与える
電圧｜Ｖ_１｜および｜Ｖ_２｜、にしたがって変化させるための具体的な方法について説明
する。

オーバードライブ回路は、目的とする透過率ＴＲ_１およびＴＲ_２を与える電圧｜Ｖ_１｜お
よび｜Ｖ_２｜にしたがって、オーバードライブ電圧｜Ｖ_３｜を適切に制御するための回路
であるため、オーバードライブ回路に入力される信号は、透過率ＴＲ_１を与える電圧｜Ｖ
_１｜に関係する信号と、透過率ＴＲ_２を与える電圧｜Ｖ_２｜に関係する信号であり、オー
バードライブ回路から出力される信号は、オーバードライブ電圧｜Ｖ_３｜に関係する信号
となる。ここで、これらの信号としては、液晶素子に印加する電圧（｜Ｖ_１｜、｜Ｖ_２｜
、｜Ｖ_３｜）のようなアナログの電圧値であってもよいし、液晶素子に印加する電圧を与
えるためのデジタル信号であってもよい。ここでは、オーバードライブ回路に関係する信
号はデジタル信号であるとして説明する。

まず、図３３の（Ａ）を参照して、オーバードライブ回路の全体的な構成について説明す
る。ここでは、オーバードライブ電圧を制御するための信号として、入力画像信号３０１
０１ａおよび３０１０１ｂを用いる。これらの信号を処理した結果、オーバードライブ電
圧を与える信号として、出力画像信号３０１０４が出力されるとする。

ここで、目的とする透過率ＴＲ_１およびＴＲ_２を与える電圧｜Ｖ_１｜および｜Ｖ_２｜は、
互いに隣り合ったフレームにおける画像信号であるため、入力画像信号３０１０１ａおよ
び３０１０１ｂも、同様に互いに隣り合ったフレームにおける画像信号であることが好ま
しい。このような信号を得るためには、入力画像信号３０１０１ａを、図３３の（Ａ）に
おける遅延回路３０１０２に入力し、その結果出力される信号を、入力画像信号３０１０
１ｂとすることができる。遅延回路３０１０２としては、たとえば、メモリが挙げられる
。すなわち、入力画像信号３０１０１ａを１フレーム分遅延させるために、メモリに当該
入力画像信号３０１０１ａを記憶させておき、同時に、１つ前のフレームにおいて記憶さ
せておいた信号を、入力画像信号３０１０１ｂとしてメモリから取り出し、入力画像信号
３０１０１ａと、入力画像信号３０１０１ｂを、同時に補正回路３０１０３に入力するこ
とで、互いに隣り合ったフレームにおける画像信号を扱えるようにすることができる。そ
して、互いに隣り合ったフレームにおける画像信号を、補正回路３０１０３に入力するこ
とで、出力画像信号３０１０４を得ることができる。なお、遅延回路３０１０２としてメ
モリを用いたときは、１フレーム分遅延させるために、１フレーム分の画像信号を記憶で
きる容量を持ったメモリ（すなわち、フレームメモリ）とすることができる。こうするこ
とで、メモリ容量の過不足なく、遅延回路としての機能を有することができる。

次に、メモリの容量を削減することを主な目的として構成された遅延回路３０１０２につ
いて説明する。遅延回路３０１０２としてこのような回路を用いることで、メモリの容量
を削減することができるため、製造コストを低減することができる。

このような特徴を持つ遅延回路３０１０２として、具体的には、図３３の（Ｂ）に示すよ
うなものを用いることができる。図３３の（Ｂ）に示す遅延回路３０１０２は、エンコー
ダ３０１０５と、メモリ３０１０６と、デコーダ３０１０７を有する。

図３３の（Ｂ）に示す遅延回路３０１０２の動作としては、次のようなものとなる。まず
、入力画像信号３０１０１ａをメモリ３０１０６に記憶させる前に、エンコーダ３０１０
５によって、圧縮処理を行なう。これによって、メモリ３０１０６に記憶させるべきデー
タのサイズを減らすことができる。その結果、メモリの容量を削減することができるため
、製造コストを低減することができる。そして、圧縮処理を施された画像信号は、デコー
ダ３０１０７に送られ、ここで伸張処理を行なう。これによって、エンコーダ３０１０５
によって圧縮処理された前の信号を復元することができる。ここで、エンコーダ３０１０
５およびデコーダ３０１０７によって行なわれる圧縮伸張処理は、可逆的な処理であって
もよい。こうすることで、圧縮伸張処理を行なった後でも画像信号の劣化がないため、最
終的に装置に表示される画像の品質を落とすことなく、メモリの容量を削減することがで
きる。さらに、エンコーダ３０１０５およびデコーダ３０１０７によって行なわれる圧縮
伸張処理は、非可逆的な処理であってもよい。こうすることで、圧縮後の画像信号のデー
タのサイズを非常に小さくすることができるため、メモリの容量を大幅に削減することが
できる。

なお、メモリの容量を削減するための方法としては、上に挙げたもの以外にも、様々な方
法を用いることができる。エンコーダによって画像圧縮するのではなく、画像信号が有す
る色情報を削減する（たとえば、２６万色から６万５千色に減色する）、またはデータ数
を削減する（解像度を小さくする）、などの方法を用いることができる。

次に、補正回路３０１０３の具体例について、図３３の（Ｃ）乃至（Ｅ）を参照して説明
する。補正回路３０１０３は、２つの入力画像信号から、ある値の出力画像信号を出力す
るための回路である。ここで、２つの入力画像信号と出力画像信号の関係が非線形であり
、簡単な演算で求めることが難しい場合には、補正回路３０１０３として、ルックアップ
テーブル（ＬＵＴ）を用いてもよい。ＬＵＴには、２つの入力画像信号と出力画像信号の
関係が、測定によってあらかじめ求められているため、２つの入力画像信号に対応する出
力画像信号を、ＬＵＴを参照するだけで求めることができる。（図３３の（Ｃ）参照）補
正回路３０１０３としてＬＵＴ３０１０８を用いることで、複雑な回路設計等を行なうこ
となく、補正回路３０１０３を実現することができる。

ここで、ＬＵＴはメモリの１つであるため、メモリ容量をできるだけ削減することが、製
造コストを低減する上で、好ましい。それを実現するための補正回路３０１０３の例とし
て、図３３の（Ｄ）に示す回路が考えられる。図３３の（Ｄ）に示す補正回路３０１０３
は、ＬＵＴ３０１０９と、加算器３０１１０を有する。ＬＵＴ３０１０９には、入力画像
信号３０１０１ａと、出力するべき出力画像信号３０１０４の差分データが格納されてい
る。つまり、入力画像信号３０１０１ａおよび入力画像信号３０１０１ｂから、対応する
差分データをＬＵＴ３０１０９から取り出し、取り出した差分データと入力画像信号３０
１０１ａを、加算器３０１１０によって加算することで、出力画像信号３０１０４を得る
ことができる。なお、ＬＵＴ３０１０９に格納するデータを差分データとすることで、Ｌ
ＵＴのメモリ容量の削減が実現できる。なぜならば、そのままの出力画像信号３０１０４
よりも、差分データの方がデータサイズが小さいため、ＬＵＴ３０１０９に必要なメモリ
容量を小さくできるからである。

さらに、出力画像信号が、２つの入力画像信号の四則演算等の簡単な演算によって求めら
れるならば、加算器、減算器、乗算器等の簡単な回路の組み合わせによって実現できる。
その結果、ＬＵＴを用いる必要が無くなり、製造コストを大幅に低減することができる。
このような回路としては、図３３の（Ｅ）に示す回路を挙げることができる。図３３の（
Ｅ）に示す補正回路３０１０３は、減算器３０１１１と、乗算器３０１１２と、加算器３
０１１３、を有する。まず、入力画像信号３０１０１ａと、入力画像信号３０１０１ｂの
差分を、減算器３０１１１によって求める。その後、乗算器３０１１２によって、適切な
係数を差分値に乗ずる。そして、入力画像信号３０１０１ａに、適切な係数を乗じた差分
値を、加算器３０１１３によって加算することで、出力画像信号３０１０４を得ることが
できる。このような回路を用いることによって、ＬＵＴを用いる必要が無くなり、製造コ
ストを大幅に低減することができる。

なお、ある条件の下で、図３３の（Ｅ）に示す補正回路３０１０３を用いることによって
、不適切な出力画像信号３０１０４を出力することを防止することができる。その条件と
は、オーバードライブ電圧を与える出力画像信号３０１０４と、入力画像信号３０１０１
ａおよび入力画像信号３０１０１ｂの差分値に、線形性があることである。そして、この
線形性の傾きを、乗算器３０１１２によって乗ずる係数とする。すなわち、このような性
質を持つ液晶素子に、図３３の（Ｅ）に示す補正回路３０１０３を用いることが好ましい
。このような性質を持つ液晶素子としては、応答速度の階調依存性の小さい、ＩＰＳモー
ドの液晶素子が挙げられる。このように、たとえば、ＩＰＳモードの液晶素子に図３３の
（Ｅ）に示す補正回路３０１０３を用いることによって、製造コストを大幅に低減でき、
かつ、不適切な出力画像信号３０１０４を出力することを防止することができるオーバー
ドライブ回路を得ることができる。

なお、図３３の（Ａ）乃至（Ｅ）に示した回路と同等の働きを、ソフトウェア処理によっ
て実現してもよい。遅延回路に用いるメモリについては、液晶表示装置が有する他のメモ
リ、液晶表示装置に表示する画像を送り出す側の装置（たとえば、パーソナルコンピュー
タやそれに準じた装置が有するビデオカード等）が有するメモリ等を流用することができ
る。こうすることで、製造コストを低減できるだけでなく、オーバードライブの強さや利
用する状況などを、ユーザが好みに応じて選択できるようにすることができる。

次に、コモン線の電位を操作する駆動について、図３４を参照して説明する。図３４の（
Ａ）は、液晶素子のような容量的な性質を持つ表示素子を用いた表示装置において、走査
線一本に対し、コモン線が一本配置されているときの、複数の画素回路を表した図である
。図３４の（Ａ）に示す画素回路は、トランジスタ３０２０１、補助容量３０２０２、表
示素子３０２０３、映像信号線３０２０４、走査線３０２０５、コモン線３０２０６、を
備えている。

トランジスタ３０２０１のゲート電極は、走査線３０２０５に電気的に接続され、トラン
ジスタ３０２０１のソース電極及びドレイン電極の一方は、映像信号線３０２０４に電気
的に接続され、トランジスタ３０２０１のソース電極及びドレイン電極の他方は、補助容
量３０２０２の一方の電極、及び表示素子３０２０３の一方の電極に電気的に接続されて
いる。
また、補助容量３０２０２の他方の電極は、コモン線３０２０６に電気的に接続されてい
る。

まず、走査線３０２０５によって選択された画素は、トランジスタ３０２０１がオンとな
るため、それぞれ、映像信号線３０２０４を介して、表示素子３０２０３及び補助容量３
０２０２に映像信号に対応した電圧がかかる。このとき、その映像信号が、コモン線３０
２０６に接続された全ての画素に対して最低階調を表示させるものだった場合、あるいは
、コモン線３０２０６に接続された全ての画素に対して最高階調を表示させるものだった
場合は、画素にそれぞれ映像信号線３０２０４を介して映像信号を書き込む必要はない。
映像信号線３０２０４を介して映像信号を書き込む代わりに、コモン線３０２０６の電位
を動かすことで、表示素子３０２０３にかかる電圧を変えることができる。

次に、図３４の（Ｂ）は、液晶素子のような容量的な性質を持つ表示素子を用いた表示装
置において、走査線一本に対し、コモン線が２本配置されているときの、複数の画素回路
を表した図である。図３４の（Ｂ）に示す画素回路は、トランジスタ３０２１１、補助容
量３０２１２、表示素子３０２１３、映像信号線３０２１４、走査線３０２１５、第１の
コモン線３０２１６、第２のコモン線３０２１７、を備えている。

トランジスタ３０２１１のゲート電極は、走査線３０２１５に電気的に接続され、トラン
ジスタ３０２１１のソース電極及びドレイン電極の一方は、映像信号線３０２１４に電気
的に接続され、トランジスタ３０２１１のソース電極及びドレイン電極の他方は、補助容
量３０２１２の一方の電極、及び表示素子３０２１３の一方の電極に電気的に接続されて
いる。
また、補助容量３０２１２の他方の電極は、第１のコモン線３０２１６に電気的に接続さ
れている。
また、当該画素と隣接する画素においては、補助容量３０２１２の他方の電極は、第２の
コモン線３０２１７に電気的に接続されている。

図３４の（Ｂ）に示す画素回路は、コモン線一本に対し電気的に接続されている画素が少
ないため、映像信号線３０２１４を介して映像信号を書き込む代わりに、第１のコモン線
３０２１６又は第２のコモン線３０２１７の電位を動かすことで、表示素子３０２１３に
かかる電圧を変えることができる頻度が、顕著に大きくなる。また、ソース反転駆動又は
ドット反転駆動が可能になる。ソース反転駆動又はドット反転駆動により、素子の信頼性
を向上させつつ、フリッカを抑えることができる。

次に、走査型バックライトについて、図３５を参照して説明する。図３５の（Ａ）は、冷
陰極管を並置した走査型バックライトを示す図である。図３５の（Ａ）に示す走査型バッ
クライトは、拡散板３０３０１と、Ｎ個の冷陰極管３０３０２―１から３０３０２―Ｎと
、を備える。Ｎ個の冷陰極管３０３０２―１から３０３０２―Ｎを、拡散板３０３０１の
後ろに並置することで、Ｎ個の冷陰極管３０３０２―１から３０３０２―Ｎは、その輝度
を変化させて走査することができる。

走査するときの各冷陰極管の輝度の変化を、図３５の（Ｃ）を用いて説明する。まず、冷
陰極管３０３０２―１の輝度を、一定時間変化させる。そして、その後に、冷陰極管３０
３０２―１の隣に配置された冷陰極管３０３０２―２の輝度を、同じ時間だけ変化させる
。このように、冷陰極管３０３０２―１から３０３０２―Ｎまで、輝度を順に変化させる
。なお、図３５の（Ｃ）においては、一定時間変化させる輝度は、元の輝度より小さいも
のとしたが、元の輝度より大きくてもよい。また、冷陰極管３０３０２―１から３０３０
２―Ｎまで走査するとしたが、逆方向に冷陰極管３０３０２―Ｎから３０３０２―１まで
走査してもよい。

図３５のように駆動することで、バックライトの平均輝度を小さくすることができる。し
たがって、液晶表示装置の消費電力の大部分を占める、バックライトの消費電力を低減す
ることができる。

なお、走査型バックライトの光源として、ＬＥＤを用いてもよい。その場合の走査型バッ
クライトは、図３５の（Ｂ）のようになる。図３５の（Ｂ）に示す走査型バックライトは
、拡散板３０３１１と、ＬＥＤを並置した光源３０３１２―１から３０３１２―Ｎと、を
備える。走査型バックライトの光源として、ＬＥＤを用いた場合、バックライトを薄く、
軽くできる利点がある。また、色再現範囲を広げることができるという利点がある。さら
に、ＬＥＤを並置した光源３０３１２―１から３０３１２―Ｎのそれぞれに並置したＬＥ
Ｄも、同様に走査することができるので、点走査型のバックライトとすることもできる。
点走査型とすれば、動画像の画質をさらに向上させることができる。

なお、バックライトの光源としてＬＥＤを用いた場合も、図３５の（Ｃ）に示すように輝
度を変化させて駆動することができる。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図
で述べた内容（一部でもよい）対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行
うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の
形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。

（実施の形態８）
本実施の形態においては、各種液晶モードについて説明する。

まず、断面図を用いて各種液晶モードについて説明する。

図３９（Ａ）、（Ｂ）は、ＴＮモードの断面の模式図を示す。

互いに対向するように配置された第１の基板５０１０１及び第２の基板５０１０２に、液
晶層５０１００が挟持されている。第１の基板５０１０１の上面には、第１の電極５０１
０５が形成されている。第２の基板５０１０２の上面には、第２の電極５０１０６が形成
されている。第１の基板５０１０１の液晶層と反対側には、第１の偏光板５０１０３が配
置されている。第２の基板５０１０２の液晶層と反対側には、第２の偏光板５０１０４が
配置されている。なお、第１の偏光板５０１０３と第２の偏光板５０１０４とは、クロス
ニコルになるように配置されている。

第１の偏光板５０１０３は、第１の基板５０１０１の上面に配置されてもよい。第２の偏
光板５０１０４は、第２の基板５０１０２の上面に配置されてもよい。

第１の電極５０１０５及び第２の電極５０１０６のうち、少なくとも一方（又は両方）の
電極が透光性を有していればよい（透過型又は反射型）。あるいは、両方の電極が透光性
を有し、かつ一方の電極の一部が反射性を有していてもよい（半透過型）。

図３６（Ａ）は、第１の電極５０１０５及び第２の電極５０１０６に電圧が印加（縦電界
方式と呼ぶ）された場合の断面の模式図である。液晶分子が縦に並んだ状態となるため、
バックライトからの光は液晶分子の複屈折の影響を受けない。そして、第１の偏光板５０
１０３と第２の偏光板５０１０４とがクロスニコルになるように配置されているため、バ
ックライトからの光は基板を通過できない。したがって、黒色表示が行われる。

なお、第１の電極５０１０５及び第２の電極５０１０６に印加する電圧を制御することで
、液晶分子の状態を制御することが可能である。したがって、バックライトからの光が基
板を通過する量を制御できるため、所定の映像表示を行うことが可能である。

図３６（Ｂ）は、第１の電極５０１０５及び第２の電極５０１０６に電圧が印加されてい
ない場合の断面の模式図である。液晶分子が横に並び、平面内で回転している状態となる
ため、バックライトからの光は液晶分子の複屈折の影響を受ける。そして、第１の偏光板
５０１０３と第２の偏光板５０１０４とがクロスニコルになるように配置されているため
、バックライトからの光は基板を通過する。したがって、白色表示が行われる。いわゆる
ノーマリーホワイトモードである。

図３６（Ａ）、（Ｂ）に示した構成を有する液晶表示装置は、カラーフィルタを設けるこ
とで、フルカラー表示を行うことができる。カラーフィルタは、第１の基板５０１０１側
又は第２の基板５０１０２側に設けることができる。

ＴＮモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。

図３７（Ａ）、（Ｂ）は、ＶＡモードの断面の模式図を示す。ＶＡモードは、無電界の時
に液晶分子が基板に垂直となるように配向されているモードである。

互いに対向するように配置された第１の基板５０２０１及び第２の基板５０２０２に、液
晶層５０２００が挟持されている。第１の基板５０２０１の上面には、第１の電極５０２
０５が形成されている。第２の基板５０２０２の上面には、第２の電極５０２０６が形成
されている。第１の基板５０２０１の液晶層と反対側には、第１の偏光板５０２０３が配
置されている。第２の基板５０２０２の液晶層と反対側には、第２の偏光板５０２０４が
配置されている。なお、第１の偏光板５０２０３と第２の偏光板５０２０４とは、クロス
ニコルになるように配置されている。

第１の偏光板５０２０３は、第１の基板５０２０１の上面に配置されてもよい。第２の偏
光板５０２０４は、第２の基板５０２０２の上面に配置されてもよい。

第１の電極５０２０５及び第２の電極５０２０６のうち、少なくとも一方（又は両方）の
電極が透光性を有していればよい（透過型又は反射型）。あるいは、両方の電極が透光性
を有し、かつ一方の電極の一部が反射性を有していてもよい（半透過型）。

図３７（Ａ）は、第１の電極５０２０５及び第２の電極５０２０６に電圧が印加（縦電界
方式と呼ぶ）された場合の断面の模式図である。液晶分子が横に並んだ状態となるため、
バックライトからの光は液晶分子の複屈折の影響を受ける。そして、第１の偏光板５０２
０３と第２の偏光板５０２０４とがクロスニコルになるように配置されているため、バッ
クライトからの光は基板を通過する。したがって、白色表示が行われる。

なお、第１の電極５０２０５及び第２の電極５０２０６に印加する電圧を制御することで
、液晶分子の状態を制御することが可能である。したがって、バックライトからの光が基
板を通過する量を制御できるため、所定の映像表示を行うことが可能である。

図３７（Ｂ）は、第１の電極５０２０５及び第２の電極５０２０６に電圧が印加されてい
ない場合の断面の模式図である。液晶分子が縦に並んだ状態となるため、バックライトか
らの光は液晶分子の複屈折の影響を受けない。そして、第１の偏光板５０２０３と第２の
偏光板５０２０４とがクロスニコルになるように配置されているため、バックライトから
の光は基板を通過しない。したがって、黒色表示が行われる。いわゆるノーマリーブラッ
クモードである。

図３７（Ａ）、（Ｂ）に示した構成を有する液晶表示装置は、カラーフィルタを設けるこ
とで、フルカラー表示を行うことができる。カラーフィルタは、第１の基板５０２０１側
又は第２の基板５０２０２側に設けることができる。

ＶＡモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。

図３７（Ｃ）、（Ｄ）は、ＭＶＡモードの断面の模式図を示す。ＭＶＡモードは、それぞ
れの部分の視野角依存性を互いに補償する方法である。

互いに対向するように配置された第１の基板５０２１１及び第２の基板５０２１２に、液
晶層５０２１０が挟持されている。第１の基板５０２１１の上面には、第１の電極５０２
１５が形成されている。第２の基板５０２１２の上面には、第２の電極５０２１６が形成
されている。第１の電極５０２１５上には、配向制御用に第１の突起物５０２１１７が形
成されている。第２の電極５０２１６上には、配向制御用に第２の突起物５０２１１８が
形成されている。第１の基板５０２１１の液晶層と反対側には、第１の偏光板５０２１３
が配置されている。第２の基板５０２１２の液晶層と反対側には、第２の偏光板５０２１
４が配置されている。なお、第１の偏光板５０２１３と第２の偏光板５０２１４とは、ク
ロスニコルになるように配置されている。

第１の偏光板５０２１３は、第１の基板５０２１１の上面に配置されてもよい。第２の偏
光板５０２１４は、第２の基板５０２１２の上面に配置されてもよい。

第１の電極５０２１５及び第２の電極５０２１６のうち、少なくとも一方（又は両方）の
電極が透光性を有していればよい（透過型又は反射型）。あるいは、両方の電極が透光性
を有し、かつ一方の電極の一部が反射性を有していてもよい（半透過型）。

図３７（Ｃ）は、第１の電極５０２１５及び第２の電極５０２１６に電圧が印加（縦電界
方式と呼ぶ）された場合の断面の模式図である。液晶分子が第１の突起物５０２１１７及
び第２の突起物５０２１１８に対して倒れて並んだ状態となるため、バックライトからの
光は液晶分子の複屈折の影響を受ける。そして、第１の偏光板５０２１３と第２の偏光板
５０２１４とがクロスニコルになるように配置されているため、バックライトからの光は
基板を通過する。したがって、白色表示が行われる。

なお、第１の電極５０２１５及び第２の電極５０２１６に印加する電圧を制御することで
、液晶分子の状態を制御することが可能である。したがって、バックライトからの光が基
板を通過する量を制御できるため、所定の映像表示を行うことが可能である。

図３７（Ｄ）は、第１の電極５０２１５及び第２の電極５０２１６に電圧が印加されてい
ない場合の断面の模式図である。液晶分子が縦に並んだ状態となるため、バックライトか
らの光は液晶分子の複屈折の影響を受けない。そして、第１の偏光板５０２１３と第２の
偏光板５０２１４とがクロスニコルになるように配置されているため、バックライトから
の光は基板を通過しない。したがって、黒色表示が行われる。いわゆるノーマリーブラッ
クモードである。

図３７（Ｃ）、（Ｄ）に示した構成を有する液晶表示装置は、カラーフィルタを設けるこ
とで、フルカラー表示を行うことができる。カラーフィルタは、第１の基板５０２１１側
又は第２の基板５０２１２側に設けることができる。

ＭＶＡモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。

図３８（Ａ）、（Ｂ）は、ＯＣＢモードの断面の模式図を示す。ＯＣＢモードは、液晶層
内で液晶分子の配列が光学的に補償状態を形成しているため、視野角依存が少ない。この
液晶分子の状態は、ベンド配向と呼ばれる。

互いに対向するように配置された第１の基板５０３０１及び第２の基板５０３０２に、液
晶層５０３００が挟持されている。第１の基板５０３０１の上面には、第１の電極５０３
０５が形成されている。第２の基板５０３０２の上面には、第２の電極５０３０６が形成
されている。第１の基板５０３０１の液晶層と反対側には、第１の偏光板５０３０３が配
置されている。第２の基板５０３０２の液晶層と反対側には、第２の偏光板５０３０４が
配置されている。なお、第１の偏光板５０３０３と第２の偏光板５０３０４とは、クロス
ニコルになるように配置されている。

第１の偏光板５０３０３は、第１の基板５０３０１の上面に配置されてもよい。第２の偏
光板５０３０４は、第２の基板５０３０２の上面に配置されてもよい。

第１の電極５０３０５及び第２の電極５０３０６のうち、少なくとも一方（又は両方）の
電極が透光性を有していればよい（透過型又は反射型）。あるいは、両方の電極が透光性
を有し、かつ一方の電極の一部が反射性を有していてもよい（半透過型）。

図３８（Ａ）は、第１の電極５０３０５及び第２の電極５０３０６に電圧が印加（縦電界
方式と呼ぶ）された場合の断面の模式図である。液晶分子が縦に並んだ状態となるため、
バックライトからの光は液晶分子の複屈折の影響を受けない。そして、第１の偏光板５０
３０３と第２の偏光板５０３０４とがクロスニコルになるように配置されているため、バ
ックライトからの光は基板を通過しない。したがって、黒色表示が行われる。

なお、第１の電極５０３０５及び第２の電極５０３０６に印加する電圧を制御することで
、液晶分子の状態を制御することが可能である。したがって、バックライトからの光が基
板を通過する量を制御できるため、所定の映像表示を行うことが可能である。

図３８（Ｂ）は、第１の電極５０３０５及び第２の電極５０３０６に電圧が印加されてい
ない場合の断面の模式図である。液晶分子がベンド配向の状態となるため、バックライト
からの光は液晶分子の複屈折の影響を受ける。そして、第１の偏光板５０３０３と第２の
偏光板５０３０４とがクロスニコルになるように配置されているため、バックライトから
の光は基板を通過する。したがって、白色表示が行われる。いわゆるノーマリーホワイト
モードである。

図３８（Ａ）、（Ｂ）に示した構成を有する液晶表示装置は、カラーフィルタを設けるこ
とで、フルカラー表示を行うことができる。カラーフィルタは、第１の基板５０３０１側
又は第２の基板５０３０２側に設けることができる。

ＯＣＢモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。

図３８（Ｃ）、（Ｄ）は、ＦＬＣモード又はＡＦＬＣモードの断面の模式図を示す。

互いに対向するように配置された第１の基板５０３１１及び第２の基板５０３１２に、液
晶層５０３１０が挟持されている。第１の基板５０３１１の上面には、第１の電極５０３
１５が形成されている。第２の基板５０３１２の上面には、第２の電極５０３１６が形成
されている。第１の基板５０３１１の液晶層と反対側には、第１の偏光板５０３１３が配
置されている。第２の基板５０３１２の液晶層と反対側には、第２の偏光板５０３１４が
配置されている。なお、第１の偏光板５０３１３と第２の偏光板５０３１４とは、クロス
ニコルになるように配置されている。

第１の偏光板５０３１３は、第１の基板５０３１１の上面に配置されてもよい。第２の偏
光板５０３１４は、第２の基板５０３１２の上面に配置されてもよい。

第１の電極５０３１５及び第２の電極５０３１６のうち、少なくとも一方（又は両方）の
電極が透光性を有していればよい（透過型又は反射型）。あるいは、両方の電極が透光性
を有し、かつ一方の電極の一部が反射性を有していてもよい（半透過型）。

図３８（Ｃ）は、第１の電極５０３１５及び第２の電極５０３１６に電圧が印加（縦電界
方式と呼ぶ）された場合の断面の模式図である。液晶分子がラビング方向からずれた方向
で横に並んでいる状態となるため、バックライトからの光は液晶分子の複屈折の影響を受
ける。そして、第１の偏光板５０３１３と第２の偏光板５０３１４とがクロスニコルにな
るように配置されているため、バックライトからの光は基板を通過する。したがって、白
色表示が行われる。

なお、第１の電極５０３１５及び第２の電極５０３１６に印加する電圧を制御することで
、液晶分子の状態を制御することが可能である。したがって、バックライトからの光が基
板を通過する量を制御できるため、所定の映像表示を行うことが可能である。

図３８（Ｄ）は、第１の電極５０３１５及び第２の電極５０３１６に電圧が印加されてい
ない場合の断面の模式図である。液晶分子がラビング方向に沿って横に並んだ状態となる
ため、バックライトからの光は液晶分子の複屈折の影響を受けない。そして、第１の偏光
板５０３１３と第２の偏光板５０３１４とがクロスニコルになるように配置されているた
め、バックライトからの光は基板を通過しない。したがって、黒色表示が行われる。いわ
ゆるノーマリーブラックモードである。

図３８（Ｃ）、（Ｄ）に示した構成を有する液晶表示装置は、カラーフィルタを設けるこ
とで、フルカラー表示を行うことができる。カラーフィルタは、第１の基板５０３１１側
又は第２の基板５０３１２側に設けることができる。

ＦＬＣモード又はＡＦＬＣモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい
。

図３９（Ａ）、（Ｂ）は、ＩＰＳモードの断面の模式図を示す。ＩＰＳモードは、液晶層
内で液晶分子の配列が光学的に補償状態を形成しているため、液晶分子を基板に対して常
に平面内で回転させるモードであり、電極は一方の基板側のみに設けた横電界方式をとる
。

互いに対向するように配置された第１の基板５０４０１及び第２の基板５０４０２に、液
晶層５０４００が挟持されている。第１の基板５０４０１の上面には、第１の電極５０４
０５及び第２の電極５０４０６が形成されている。第１の基板５０４０１の液晶層と反対
側には、第１の偏光板５０４０３が配置されている。第２の基板５０４０２の液晶層と反
対側には、第２の偏光板５０４０４が配置されている。なお、第１の偏光板５０４０３と
第２の偏光板５０４０４とは、クロスニコルになるように配置されている。

第１の偏光板５０４０３は、第１の基板５０４０１の上面に配置されてもよい。第２の偏
光板５０４０４は、第２の基板５０４０２の上面に配置されてもよい。

第１の電極５０４０５及び第２の電極５０４０６のうち、少なくとも一方（又は両方）の
電極が透光性を有していればよい（透過型又は反射型）。あるいは、両方の電極が透光性
を有し、かつ一方の電極の一部が反射性を有していてもよい（半透過型）。

図３９（Ａ）は、第１の電極５０４０５及び第２の電極５０４０６に電圧が印加（縦電界
方式と呼ぶ）された場合の断面の模式図である。液晶分子がラビング方向からずれた電気
力線に沿って配向した状態となるため、バックライトからの光は液晶分子の複屈折の影響
を受ける。そして、第１の偏光板５０４０３と第２の偏光板５０４０４とがクロスニコル
になるように配置されているため、バックライトからの光は基板を通過する。したがって
、白色表示が行われる。

なお、第１の電極５０４０５及び第２の電極５０４０６に印加する電圧を制御することで
、液晶分子の状態を制御することが可能である。したがって、バックライトからの光が基
板を通過する量を制御できるため、所定の映像表示を行うことが可能である。

図３９（Ｂ）は、第１の電極５０４０５及び第２の電極５０４０６に電圧が印加されてい
ない場合の断面の模式図である。液晶分子がラビング方向に沿って横に並んだ状態となる
ため、バックライトからの光は液晶分子の複屈折の影響を受けない。そして、第１の偏光
板５０４０３と第２の偏光板５０４０４とがクロスニコルになるように配置されているた
め、バックライトからの光は基板を通過しない。したがって、黒色表示が行われる。いわ
ゆるノーマリーブラックモードである。

図３９（Ａ）、（Ｂ）に示した構成を有する液晶表示装置は、カラーフィルタを設けるこ
とで、フルカラー表示を行うことができる。カラーフィルタは、第１の基板５０４０１側
又は第２の基板５０４０２側に設けることができる。

ＩＰＳモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。

図３９（Ｃ）、（Ｄ）は、ＦＦＳモードの断面の模式図を示す。ＦＦＳモードは、液晶層
内で液晶分子の配列が光学的に補償状態を形成しているため、液晶分子を基板に対して常
に平面内で回転させるモードであり、電極は一方の基板側のみに設けた横電界方式をとる
。

互いに対向するように配置された第１の基板５０４１１及び第２の基板５０４１２に、液
晶層５０４１０が挟持されている。第１の基板５０４１１の上面には、第２の電極５０４
１６が形成されている。第２の電極５０４１６の上面には、絶縁膜５０４１７が形成され
ている。絶縁膜５０４１７上には、第２の電極５０４１６が形成されている。第１の基板
５０４１１の液晶層と反対側には、第１の偏光板５０４１３が配置されている。第２の基
板５０４１２の液晶層と反対側には、第２の偏光板５０４１４が配置されている。なお、
第１の偏光板５０４１３と第２の偏光板５０４１４とは、クロスニコルになるように配置
されている。

第１の偏光板５０４１３は、第１の基板５０４１１の上面に配置されてもよい。第２の偏
光板５０４１４は、第２の基板５０４１２の上面に配置されてもよい。

第１の電極５０４１５及び第２の電極５０４１６のうち、少なくとも一方（又は両方）の
電極が透光性を有していればよい（透過型又は反射型）。あるいは、両方の電極が透光性
を有し、かつ一方の電極の一部が反射性を有していてもよい（半透過型）。

図３９（Ｃ）は、第１の電極５０４１５及び第２の電極５０４１６に電圧が印加（縦電界
方式と呼ぶ）された場合の断面の模式図である。液晶分子がラビング方向からずれた電気
力線に沿って配向した状態となるため、バックライトからの光は液晶分子の複屈折の影響
を受ける。そして、第１の偏光板５０４１３と第２の偏光板５０４１４とがクロスニコル
になるように配置されているため、バックライトからの光は基板を通過する。したがって
、白色表示が行われる。

なお、第１の電極５０４１５及び第２の電極５０４１６に印加する電圧を制御することで
、液晶分子の状態を制御することが可能である。したがって、バックライトからの光が基
板を通過する量を制御できるため、所定の映像表示を行うことが可能である。

図３９（Ｄ）は、第１の電極５０４１５及び第２の電極５０４１６に電圧が印加されてい
ない場合の断面の模式図である。液晶分子がラビング方向に沿って横に並んだ状態となる
ため、バックライトからの光は液晶分子の複屈折の影響を受けない。そして、第１の偏光
板５０４１３と第２の偏光板５０４１４とがクロスニコルになるように配置されているた
め、バックライトからの光は基板を通過しない。したがって、黒色表示が行われる。いわ
ゆるノーマリーブラックモードである。

図３９（Ｃ）、（Ｄ）に示した構成を有する液晶表示装置は、カラーフィルタを設けるこ
とで、フルカラー表示を行うことができる。カラーフィルタは、第１の基板５０４１１側
又は第２の基板５０４１２側に設けることができる。

ＦＦＳモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。

次に、上面図を用いて各種液晶モードを説明する。

図４０は、ＭＶＡモードを適用した画素部の上面図を示す。ＭＶＡモードは、それぞれの
部分の視野角依存性を互いに補償する方法である。

図４０は、第１の電極５０５０１、第２の電極（５０５０２ａ、５０５０２ｂ、５０５０
２ｃ）、及び突起物５０５０３を示している。第１の電極５０５０１は、対向基板の全面
に形成されている。形状がくの字型となるように、第２の電極（５０５０２ａ、５０５０
２ｂ、５０５０２ｃ）が形成されている。形状が第２の電極（５０５０２ａ、５０５０２
ｂ、５０５０２ｃ）と対応するように、第１の電極５０５０１上に第２の電極（５０５０
２ａ、５０５０２ｂ、５０５０２ｃ）が形成されている。

第２の電極（５０５０２ａ、５０５０２ｂ、５０５０２ｃ）の開口部は、突起物のように
機能する。

第１の電極５０５０１及び第２の電極（５０５０２ａ、５０５０２ｂ、５０５０２ｃ）に
電圧が印加（縦電界方式と呼ぶ）された場合、液晶分子が第２の電極（５０５０２ａ、５
０５０２ｂ、５０５０２ｃ）の開口部及び突起物５０５０３に対して倒れて並んだ状態と
なる。一対の偏光板がクロスニコルとなるように配置されているときには、バックライト
からの光が基板を通過するため、白色表示が行われる。

なお、第１の電極５０５０１及び第２の電極（５０５０２ａ、５０５０２ｂ、５０５０２
ｃ）に印加する電圧を制御することで、液晶分子の状態を制御することが可能である。し
たがって、バックライトからの光が基板を通過する量を制御できるため、所定の映像表示
を行うことが可能である。

第１の電極５０５０１及び第２の電極（５０５０２ａ、５０５０２ｂ、５０５０２ｃ）に
電圧が印加されていない場合、液晶分子が縦に並んだ状態となる。一対の偏光板がクロス
ニコルとなるように配置されているときには、バックライトからの光がパネルを通過しな
いため、黒色表示が行われる。いわゆる、ノーマリーブラックモードである。

ＭＶＡモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。

図４１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、ＩＰＳモードを適用した画素部の上面図を示
す。ＩＰＳモードは、液晶層内で液晶分子の配列が光学的に補償状態を形成しているため
、液晶分子を基板に対して常に平面内で回転させるモードであり、電極は一方の基板側の
みに設けた横電界方式をとる。

ＩＰＳモードでは、一対の電極が異なる形状となるように形成される。

図４１（Ａ）は、第１の電極５０６０１及び第２の電極５０６０２を示している。第１の
電極５０６０１及び第２の電極５０６０２は、波状形状である。

図４１（Ｂ）は、第１の電極５０６１１及び第２の電極５０６１２を示している。第１の
電極５０６１１及び第２の電極５０６１２は、同心円状の開口部を有する形状である。

図４１（Ｃ）は、第１の電極５０６３１及び第２の電極５０６３２を示している。第１の
電極５０６３１及び第２の電極５０６３２は、櫛場状であり一部重なっている形状である
。

図４１（Ｄ）は、第１の電極５０６４１及び第２の電極５０６４２を示している。第１の
電極５０６４１及び第２の電極５０６４２は、櫛場状であり電極同士がかみ合うような形
状である。

第１の電極（５０６０１、５０６１１、５０６２１、５０６３１）及び第２の電極（５０
６０２、５０６１２、５０６２２、５０６３２）に電圧が印加（縦電界方式と呼ぶ）され
た場合、液晶分子がラビング方向からずれた電気力線に沿って配向した状態となる。一対
の偏光板がクロスニコルとなるように配置されているときには、バックライトからの光が
基板を通過するため、白色表示が行われる。

なお、第１の電極（５０６０１、５０６１１、５０６２１、５０６３１）及び第２の電極
（５０６０２、５０６１２、５０６２２、５０６３２）に印加する電圧を制御することで
、液晶分子の状態を制御することが可能である。したがって、バックライトからの光が基
板を通過する量を制御できるため、所定の映像表示を行うことが可能である。

第１の電極（５０６０１、５０６１１、５０６２１、５０６３１）及び第２の電極（５０
６０２、５０６１２、５０６２２、５０６３２）に電圧が印加されていない場合、液晶分
子がラビング方向に沿って横に並んだ状態となる。一対の偏光板がクロスニコルとなるよ
うに配置されているときには、バックライトからの光が基板を通過しないため、黒色表示
が行われる。いわいるノーマリーブラックモードである。

ＩＰＳモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。

図４２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、ＦＦＳモードを適用した画素部の上面図を示
す。ＦＦＳモードは、液晶層内で液晶分子の配列が光学的に補償状態を形成しているため
、液晶分子を基板に対して常に平面内で回転させるモードであり、電極は一方の基板側の
みに設けた横電界方式をとる。

ＦＦＳモードでは、第２の電極の上面に、第１の電極が様々な形状となるように形成され
る。

図４２（Ａ）は、第１の電極５０７０１及び第２の電極５０７０２を示している。第１の
電極５０７０１は、屈曲したくの字形状である。第２の電極５０７０２は、パターン形成
されていなくてもよい。

図４２（Ｂ）は、第１の電極５０７１１及び第２の電極５０７１２を示している。第１の
電極５０７１１は、同心円状の形状である。第２の電極５０７１２は、パターン形成され
ていなくてもよい。

図４２（Ｃ）は、第１の電極５０７３１及び第２の電極５０７３２を示している。第１の
電極５０７３１は、櫛場状で電極同士がかみ合うような形状である。第２の電極５０７３
２は、パターン形成されていなくてもよい。

図４２（Ｄ）は、第１の電極５０７４１及び第２の電極５０７４２を示している。第１の
電極５０７４１は、櫛場状の形状である。第２の電極５０７４２は、パターン形成されて
いなくてもよい。

第１の電極（５０７０１、５０７１１、５０７２１、５０７３１）及び第２の電極（５０
７０２、５０７１２、５０７２２、５０７３２）に電圧が印加（縦電界方式と呼ぶ）され
た場合、液晶分子がラビング方向からずれた電気力線に沿って配向した状態となる。一対
の偏光板がクロスニコルとなるように配置されているときには、バックライトからの光が
基板を通過するため、白色表示が行われる。

なお、第１の電極（５０７０１、５０７１１、５０７２１、５０７３１）及び第２の電極
（５０７０２、５０７１２、５０７２２、５０７３２）に印加する電圧を制御することで
、液晶分子の状態を制御することが可能である。したがって、バックライトからの光が基
板を通過する量を制御できるため、所定の映像表示を行うことが可能である。

第１の電極（５０７０１、５０７１１、５０７２１、５０７３１）及び第２の電極（５０
７０２、５０７１２、５０７２２、５０７３２）に電圧が印加されていない場合、液晶分
子がラビング方向に沿って横に並んだ状態となる。一対の偏光板がクロスニコルとなるよ
うに配置されているときには、バックライトからの光が基板を通過しないため、黒色表示
が行われる。いわいるノーマリーブラックモードである。

ＩＰＳモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態およ
び実施例の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換え
などを自由に行うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関し
て、別の実施の形態および実施例の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構
成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態および実施例で述べた内容（一部でもよい）を、
具現化した場合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した
場合の一例、詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての
一例などを示している。したがって、他の実施の形態および実施例で述べた内容は、本実
施の形態への適用、組み合わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。

（実施の形態９）
本実施の形態においては、トランジスタの構造及び作製方法について説明する。

図４３は、本発明を適用できる半導体装置が有することのできるトランジスタの構造及び
作製方法の例を示す図である。図４３（Ａ）は、本発明を適用できる半導体装置が有する
ことのできるトランジスタの構造の例を示す図である。また、図４３（Ｂ）乃至（Ｇ）は
、本発明を適用できる半導体装置が有することのできるトランジスタの作製方法の例を示
す図である。

なお、本発明を適用できる半導体装置が有することのできるトランジスタの構造及び作製
方法は、図４３に示すものに限定されず、様々な構造及び作製方法を用いることができる
。

まず、図４３（Ａ）を参照し、本発明を適用できる半導体装置が有することのできるトラ
ンジスタの構造の例について説明する。図４３（Ａ）は複数の異なる構造を有するトラン
ジスタの断面図である。ここで、図４３（Ａ）においては、複数の異なる構造を有するト
ランジスタを並置して示しているが、これは、発明を適用できる半導体装置が有すること
のできるトランジスタの構造を説明するための表現であり、発明を適用できる半導体装置
が有することのできるトランジスタが、実際に図４３（Ａ）のように並置されている必要
はなく、必要に応じてつくり分けることができる。

次に、本発明を適用できる半導体装置が有することのできるトランジスタを構成する各層
の特徴について説明する。

基板１１０１１１は、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラ
ス基板、石英基板、セラミック基板又はステンレスを含む金属基板等を用いることができ
る。他にも、ポリエチレンテレフタレ−ト（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレ−ト（ＰＥ
Ｎ）、ポリエ−テルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチック又はアクリル等の可
撓性を有する合成樹脂からなる基板を用いることも可能である。可撓性を有する基板を用
いることによって、折り曲げが可能である半導体装置を作製することが可能となる。また
、可撓性を有す基板であれば、基板の面積及び基板の形状に大きな制限はないため、基板
１１０１１１として、例えば、１辺が１メ−トル以上であって、矩形状のものを用いれば
、生産性を格段に向上させることができる。このような利点は、円形のシリコン基板を用
いる場合と比較すると、大きな優位点である。

絶縁膜１１０１１２は、下地膜として機能する。基板１１０１１１からＮａなどのアルカ
リ金属又はアルカリ土類金属が、半導体素子の特性に悪影響を及ぼすのを防ぐために設け
る。絶縁膜１１０１１２としては、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化
窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸
素又は窒素を有する絶縁膜の単層構造若しくはこれらの積層構造で設けることができる。
例えば、絶縁膜１１０１１２を２層構造で設ける場合、１層目の絶縁膜として窒化酸化珪
素膜を設け、２層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を設けるとよい。また、絶縁膜１１０
１１２を３層構造で設ける場合、１層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を設け、２層目の
絶縁膜として窒化酸化珪素膜を設け、３層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を設けるとよ
い。

半導体層１１０１１３、１１０１１４、１１０１１５は、非晶質（アモルファス）半導体
又はセミアモルファス半導体（ＳＡＳ）で形成することができる。あるいは、多結晶半導
体層を用いても良い。ＳＡＳは、非晶質と結晶構造（単結晶、多結晶を含む）の中間的な
構造を有し、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序
を持ち格子歪みを有する結晶質な領域を含んでいる。少なくとも膜中の一部の領域には、
０．５〜２０ｎｍの結晶領域を観測することができ、珪素を主成分とする場合にはラマン
スペクトルが５２０ｃｍ^−１よりも低波数側にシフトしている。Ｘ線回折では珪素結晶格
子に由来するとされる（１１１）、（２２０）の回折ピ−クが観測される。未結合手（ダ
ングリングボンド）の補償するものとして水素又はハロゲンを少なくとも１原子％又はそ
れ以上含ませている。ＳＡＳは、材料ガスをグロ−放電分解（プラズマＣＶＤ）して形成
する。材料ガスとしては、ＳｉＨ_４、その他にもＳｉ_２Ｈ_６、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２、ＳｉＨＣ
ｌ_３、ＳｉＣｌ_４、ＳｉＦ_４などを用いることが可能である。あるいは、ＧｅＦ_４を混合
させても良い。この材料ガスをＨ_２、あるいは、Ｈ_２とＨｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｎｅから選ば
れた一種又は複数種の希ガス元素で希釈してもよい。希釈率は２〜１０００倍の範囲。圧
力は概略０．１Ｐａ〜１３３Ｐａの範囲、電源周波数は１ＭＨｚ〜１２０ＭＨｚ、好まし
くは１３ＭＨｚ〜６０ＭＨｚ。基板加熱温度は３００℃以下でよい。膜中の不純物元素と
して、酸素、窒素、炭素などの大気成分の不純物は１×１０^２０ｃｍ^−１以下とすること
が望ましく、特に、酸素濃度は５×１０^１９／ｃｍ^３以下、好ましくは１×１０^１９／ｃ
ｍ^３以下とする。ここでは、公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法
等）を用いてシリコン（Ｓｉ）を主成分とする材料（例えばＳｉｘＧｅ１−ｘ等）で非晶
質半導体層を形成し、当該非晶質半導体層をレ−ザ結晶化法、ＲＴＡ又はファーネスアニ
ール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法などの公知の
結晶化法により結晶化させる。

絶縁膜１１０１１６は、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（
ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸素又は窒素
を有する絶縁膜の単層構造、若しくはこれらの積層構造で設けることができる。

ゲート電極１１０１１７は、単層の導電膜、又は二層、三層の導電膜の積層構造とするこ
とができる。ゲート電極１１０１１７の材料としては、公知の導電膜を用いることができ
る。たとえば、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン
（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓｉ）などの元素の単体膜、あるいは、前記元素の
窒化膜（代表的には窒化タンタル膜、窒化タングステン膜、窒化チタン膜）、あるいは、
前記元素を組み合わせた合金膜（代表的にはＭｏ−Ｗ合金、Ｍｏ−Ｔａ合金）、あるいは
、前記元素のシリサイド膜（代表的にはタングステンシリサイド膜、チタンシリサイド膜
）などを用いることができる。なお、上述した単体膜、窒化膜、合金膜、シリサイド膜な
どは、単層で用いてもよいし、積層して用いてもよい。

絶縁膜１１０１１８は、公知の手段（スパッタ法又はプラズマＣＶＤ法等）によって、酸
化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）
、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸素又は窒素を有する絶縁膜やＤＬＣ（
ダイヤモンドライクカ−ボン）等の炭素を含む膜の単層構造、若しくはこれらの積層構造
で設けることができる。

絶縁膜１１０１１９は、シロキサン樹脂、あるいは、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（
ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）
（ｘ＞ｙ）等の酸素又は窒素を有する絶縁膜やＤＬＣ（ダイヤモンドライクカ−ボン）等
の炭素を含む膜、あるいは、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノ−ル
、ベンゾシクロブテン、アクリル等の有機材料、からなる単層若しくは積層構造で設ける
ことができる。なお、シロキサン樹脂とは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む樹脂に相当する。
シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基
として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられ
る。置換基として、フルオロ基を用いることもできる。あるいは、置換基として、少なく
とも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。なお、本発明に適応できる半導
体装置において、絶縁膜１１０１１８を設けずにゲート電極１１０１１７を覆うように直
接絶縁膜１１０１１９を設けることも可能である。

導電膜１１０１２３は、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ａｕ、Ｍ
ｎなどの元素の単体膜、あるいは、前記元素の窒化膜、あるいは、前記元素を組み合わせ
た合金膜、あるいは、前記元素のシリサイド膜などを用いることができる。例えば、前記
元素を複数含む合金として、Ｃ及びＴｉを含有したＡｌ合金、Ｎｉを含有したＡｌ合金、
Ｃ及びＮｉを含有したＡｌ合金、Ｃ及びＭｎを含有したＡｌ合金等を用いることができる
。また、積層構造で設ける場合、ＡｌをＭｏ又はＴｉなどで挟み込んだ構造とすることが
できる。こうすることで、Ａｌの熱や化学反応に対する耐性を向上することができる。

次に、図４３（Ａ）に示した、複数の異なる構造を有するトランジスタの断面図を参照し
て、各々の構造の特徴について説明する。

１１０１０１は、シングルドレイントランジスタであり、簡便な方法で製造できるため、
製造コストが低く、歩留まりを高く製造できる利点がある。ここで、半導体層１１０１１
３、１１０１１５は、それぞれ不純物の濃度が異なり、半導体層１１０１１３はチャネル
領域、半導体層１１０１１５はソース領域及びドレイン領域として用いる。このように、
不純物の量を制御することで、半導体層の抵抗率を制御できる。また、半導体層と導電膜
１１０１２３との電気的な接続状態を、オ−ミック接続に近づけることができる。なお、
不純物の量の異なる半導体層を作り分ける方法としては、ゲート電極１１０１１７をマス
クとして半導体層に不純物をド−ピングする方法を用いることができる。

１１０１０２は、ゲート電極１１０１１７に一定以上のテーパー角を有するトランジスタ
であり、簡便な方法で製造できるため、製造コストが低く、歩留まりを高く製造できる利
点がある。ここで、半導体層１１０１１３、１１０１１４、１１０１１５は、それぞれ不
純物濃度が異なり、半導体層１１０１１３はチャネル領域、半導体層１１０１１４は低濃
度ドレイン（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ：ＬＤＤ）領域、半導体層１１０
１１５はソース領域及びドレイン領域として用いる。このように、不純物の量を制御する
ことで、半導体層の抵抗率を制御できる。また、半導体層と導電膜１１０１２３との電気
的な接続状態を、オ−ミック接続に近づけることができる。また、ＬＤＤ領域を有するた
め、トランジスタ内部に高電界がかかりにくく、ホットキャリアによる素子の劣化を抑制
することができる。なお、不純物の量の異なる半導体層を作り分ける方法としては、ゲー
ト電極１１０１１７をマスクとして半導体層に不純物をド−ピングする方法を用いること
ができる。１１０１０２においては、ゲート電極１１０１１７が一定以上のテーパー角を
有しているため、ゲート電極１１０１１７を通過して半導体層にド−ピングされる不純物
の濃度に勾配を持たせることができ、簡便にＬＤＤ領域を形成することができる。

１１０１０３は、ゲート電極１１０１１７が少なくとも２層で構成され、下層のゲート電
極が上層のゲート電極よりも長い形状を有するトランジスタである。本明細書中において
は、上層のゲート電極及び下層のゲート電極の形状を、帽子型と呼ぶ。ゲート電極１１０
１１７の形状が帽子型であることによって、フォトマスクを追加することなく、ＬＤＤ領
域を形成することができる。なお、１１０１０３のように、ＬＤＤ領域がゲート電極１１
０１１７と重なっている構造を、特にＧＯＬＤ構造（Ｇａｔｅ Ｏｖｅｒｌａｐｐｅｄ
ＬＤＤ）と呼ぶ。なお、ゲート電極１１０１１７の形状を帽子型とする方法としては、次
のような方法を用いてもよい。

まず、ゲート電極１１０１１７をパタ−ニングする際に、ドライエッチングにより、下層
のゲート電極及び上層のゲート電極をエッチングして側面に傾斜（テーパー）のある形状
にする。続いて、異方性エッチングにより上層のゲート電極の傾斜を垂直に近くなるよう
に加工する。これにより、断面形状が帽子型のゲート電極が形成される。その後、２回、
不純物元素をド−ピングすることによって、チャネル領域として用いる半導体層１１０１
１３、ＬＤＤ領域として用いる半導体層１１０１１４、ソ−ス電極及びドレイン電極とし
て用いる半導体層１１０１１５が形成される。

なお、ゲート電極１１０１１７と重なっているＬＤＤ領域をＬｏｖ領域、ゲート電極１１
０１１７と重なっていないＬＤＤ領域をＬｏｆｆ領域と呼ぶことにする。ここで、Ｌｏｆ
ｆ領域はオフ電流値を抑える効果は高いが、ドレイン近傍の電界を緩和してホットキャリ
アによるオン電流値の劣化を防ぐ効果は低い。一方、Ｌｏｖ領域はドレイン近傍の電界を
緩和し、オン電流値の劣化の防止には有効であるが、オフ電流値を抑える効果は低い。よ
って、種々の回路毎に、求められる特性に応じた構造のトランジスタを作製することが好
ましい。たとえば、本発明に適応できる半導体装置を表示装置として用いる場合、画素ト
ランジスタは、オフ電流値を抑えるために、Ｌｏｆｆ領域を有するトランジスタを用いる
ことが好適である。一方、周辺回路におけるトランジスタは、ドレイン近傍の電界を緩和
し、オン電流値の劣化を防止するために、Ｌｏｖ領域を有するトランジスタを用いること
が好適である。

１１０１０４は、ゲート電極１１０１１７の側面に接して、サイドウォ−ル１１０１２１
を有するトランジスタである。サイドウォ−ル１１０１２１を有することによって、サイ
ドウォ−ル１１０１２１と重なる領域をＬＤＤ領域とすることができる。

１１０１０５は、半導体層にマスクを用いてド−ピングすることにより、ＬＤＤ（Ｌｏｆ
ｆ）領域を形成したトランジスタである。こうすることにより、確実にＬＤＤ領域を形成
することができ、トランジスタのオフ電流値を低減することができる。

１１０１０６は、半導体層にマスクを用いてド−ピングすることにより、ＬＤＤ（Ｌｏｖ
）領域を形成したトランジスタである。こうすることにより、確実にＬＤＤ領域を形成す
ることができ、トランジスタのドレイン近傍の電界を緩和し、オン電流値の劣化を低減す
ることができる。

次に、図４３（Ｂ）乃至（Ｇ）を参照して、本発明を適用できる半導体装置が有すること
のできるトランジスタの作製方法の例を説明する。

なお、本発明を適用できる半導体装置が有することのできるトランジスタの構造及び作製
方法は、図４３に示すものに限定されず、様々な構造及び作製方法を用いることができる
。

本実施の形態においては、基板１１０１１１の表面に、絶縁膜１１０１１２の表面に、半
導体層１１０１１３の表面に、１１０１１４の表面に、１１０１１５の表面に、絶縁膜１
１０１１６の表面に、絶縁膜１１０１１８の表面に、又は絶縁膜１１０１１９の表面に、
プラズマ処理を用いて酸化又は窒化を行うことにより、半導体層又は絶縁膜を酸化又は窒
化することができる。このように、プラズマ処理を用いて半導体層又は絶縁膜を酸化又は
窒化することによって、当該半導体層又は当該絶縁膜の表面を改質し、ＣＶＤ法やスパッ
タ法により形成した絶縁膜と比較してより緻密な絶縁膜を形成することができるため、ピ
ンホール等の欠陥を抑制し半導体装置の特性等を向上させることが可能となる。

まず、基板１１０１１１の表面をフッ酸（ＨＦ）、アルカリ又は純水を用いて洗浄する。
基板１１０１１１は、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラ
ス基板、石英基板、セラミック基板又はステンレスを含む金属基板等を用いることができ
る。他にも、ポリエチレンテレフタレ−ト（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレ−ト（ＰＥ
Ｎ）、ポリエ−テルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチックや、アクリル等の可
撓性を有する合成樹脂からなる基板を用いることも可能である。なお、ここでは基板１１
０１１１としてガラス基板を用いる場合を示す。

ここで、基板１１０１１１の表面にプラズマ処理を行うことで、基板１１０１１１の表面
を酸化又は窒化することによって、基板１１０１１１の表面に酸化膜又は窒化膜を形成し
てもよい（図４３（Ｂ））。表面にプラズマ処理を行うことで形成された酸化膜又は窒化
膜などの絶縁膜を、以下では、プラズマ処理絶縁膜とも記す。図４３（Ｂ）においては、
絶縁膜１１０１３１がプラズマ処理絶縁膜である。一般的に、ガラス又はプラスチック等
の基板上に薄膜トランジスタ等の半導体素子を設ける場合、ガラス又はプラスチック等に
含まれるＮａなどの、アルカリ金属又はアルカリ土類金属等の不純物元素が半導体素子に
混入して汚染することによって、半導体素子の特性に影響を及ぼす恐れがある。しかし、
ガラス又はプラスチック等からなる基板の表面を窒化することにより、基板に含まれるＮ
ａなどの、アルカリ金属又はアルカリ土類金属等の不純物元素が半導体素子に混入するの
を防止することができる。

なお、プラズマ処理により表面を酸化する場合には、酸素雰囲気下（例えば、酸素（Ｏ_２
）と希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）雰囲気下、あるい
は、酸素と水素（Ｈ_２）と希ガス雰囲気下、あるいは、一酸化二窒素と希ガス雰囲気下）
でプラズマ処理を行う。一方、プラズマ処理により半導体層を窒化する場合には、窒素雰
囲気下（例えば、窒素（Ｎ_２）と希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一
つを含む）雰囲気下、あるいは、窒素と水素と希ガス雰囲気下、あるいは、ＮＨ_３と希ガ
ス雰囲気下）でプラズマ処理を行う。希ガスとしては、例えばＡｒを用いることができる
。あるいは、ＡｒとＫｒを混合したガスを用いてもよい。そのため、プラズマ処理絶縁膜
は、プラズマ処理に用いた希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含
む）を含んでいる。たとえば、Ａｒを用いた場合にはプラズマ処理絶縁膜にＡｒが含まれ
ている。

また、プラズマ処理は、上記ガスの雰囲気中において、電子密度が１×１０^１１ｃｍ^−３
以上１×１０^１３ｃｍ^−３以下であり、プラズマの電子温度が０．５ｅｖ以上１．５ｅＶ
以下で行うことが好適である。プラズマの電子密度が高密度であり、被処理物付近での電
子温度が低いため、被処理物に対するプラズマによる損傷を防止することができる。また
、プラズマの電子密度が１×１０^１１ｃｍ^−３以上と高密度であるため、プラズマ処理を
用いて、被照射物を酸化又は窒化することよって形成される酸化物又は窒化膜は、ＣＶＤ
法やスパッタ法等により形成された膜と比較して膜厚等が均一性に優れ、且つ緻密な膜を
形成することができる。あるいは、プラズマの電子温度が１ｅＶ以下と低いため、従来の
プラズマ処理や熱酸化法と比較して低温度で酸化又は窒化処理を行うことができる。たと
えば、ガラス基板の歪点温度よりも１００度以上低い温度でプラズマ処理を行っても十分
に酸化又は窒化処理を行うことができる。なお、プラズマを形成するための周波数として
は、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ）等の高周波を用いることができる。なお、以下に特に
断らない場合は、プラズマ処理として上記条件を用いて行うものとする。

なお、図４３（Ｂ）においては、基板１１０１１１の表面をプラズマ処理することによっ
てプラズマ処理絶縁膜を形成する場合を示しているが、本実施の形態は、基板１１０１１
１の表面にプラズマ処理絶縁膜を形成しない場合も含む。

なお、図４３（Ｃ）乃至（Ｇ）においては、被処理物の表面をプラズマ処理することによ
って形成されるプラズマ処理絶縁膜を図示しないが、本実施の形態においては、基板１１
０１１１、絶縁膜１１０１１２、半導体層１１０１１３、１１０１１４、１１０１１５、
絶縁膜１１０１１６、絶縁膜１１０１１８、又は絶縁膜１１０１１９の表面に、プラズマ
処理を行なうことによって形成されるプラズマ処理絶縁膜が存在する場合も含む。

次に、基板１１０１１１上に公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法
等）を用いて絶縁膜１１０１１２を形成する（図４３（Ｃ））。絶縁膜１１０１１２とし
ては、酸化珪素（ＳｉＯｘ）又は酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）を用いること
ができる。

ここで、絶縁膜１１０１１２の表面にプラズマ処理を行い、絶縁膜１１０１１２を酸化又
は窒化することによって、絶縁膜１１０１１２の表面にプラズマ処理絶縁膜を形成しても
よい。絶縁膜１１０１１２の表面を酸化することによって、絶縁膜１１０１１２の表面を
改質しピンホール等の欠陥の少ない緻密な膜を得ることができる。また、絶縁膜１１０１
１２の表面を酸化することによって、Ｎ原子の含有率が低いプラズマ処理絶縁膜を形成す
ることができるため、プラズマ処理絶縁膜に半導体層を設けた場合にプラズマ処理絶縁膜
と半導体層界面特性が向上する。また、プラズマ処理絶縁膜は、プラズマ処理に用いた希
ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）を含んでいる。なお、プ
ラズマ処理は上述した条件下で同様に行うことができる。

次に、絶縁膜１１０１１２上に島状の半導体層１１０１１３、１１０１１４を形成する（
図４３（Ｄ））。島状の半導体層１１０１１３、１１０１１４は、絶縁膜１１０１１２上
に公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等）を用いてシリコン（Ｓ
ｉ）を主成分とする材料（例えばＳｉ_ｘＧｅ_１−ｘ等）等を用いて非晶質半導体層を形成
し、当該非晶質半導体層を結晶化させ、半導体層を選択的にエッチングすることにより設
けることができる。なお、非晶質半導体層の結晶化は、レ−ザ結晶化法、ＲＴＡ又はファ
ーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法又
はこれら方法を組み合わせた方法等の公知の結晶化法により行うことができる。なお、こ
こでは、島状の半導体層の端部を直角に近い形状（θ＝８５〜１００°）で設ける。ある
いは、低濃度ドレイン領域となる半導体層１１０１１４は、マスクを用いて不純物をド−
ピングすることによって形成されてもよい。

ここで、半導体層１１０１１３、１１０１１４の表面にプラズマ処理を行い、半導体層１
１０１１３、１１０１１４の表面を酸化又は窒化することによって、半導体層１１０１１
３、１１０１１４の表面にプラズマ処理絶縁膜を形成してもよい。例えば、半導体層１１
０１１３、１１０１１４としてＳｉを用いた場合、プラズマ処理絶縁膜として、酸化珪素
（ＳｉＯｘ）又は窒化珪素（ＳｉＮｘ）が形成される。あるいは、プラズマ処理により半
導体層１１０１１３、１１０１１４を酸化させた後に、再度プラズマ処理を行うことによ
って窒化させてもよい。この場合、半導体層１１０１１３、１１０１１４に接して酸化珪
素（ＳｉＯｘ）が形成され、当該酸化珪素の表面に窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞
ｙ）が形成される。なお、プラズマ処理により半導体層を酸化する場合には、酸素雰囲気
下（例えば、酸素（Ｏ_２）と希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを
含む）雰囲気下、あるいは、酸素と水素（Ｈ_２）と希ガス雰囲気下又は一酸化二窒素と希
ガス雰囲気下）、でプラズマ処理を行う。一方、プラズマ処理により半導体層を窒化する
場合には、窒素雰囲気下（例えば、窒素（Ｎ_２）と希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘ
ｅの少なくとも一つを含む）雰囲気下、あるいは、窒素と水素と希ガス雰囲気下又はＮＨ
３と希ガス雰囲気下）、でプラズマ処理を行う。希ガスとしては、例えばＡｒを用いるこ
とができる。また、ＡｒとＫｒを混合したガスを用いてもよい。そのため、プラズマ処理
絶縁膜は、プラズマ処理に用いた希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一
つを含む）を含んでいる。たとえば、Ａｒを用いた場合にはプラズマ処理絶縁膜にＡｒが
含まれている。

次に、絶縁膜１１０１１６を形成する（図４３（Ｅ））。絶縁膜１１０１１６は、公知の
手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等）を用いて、酸化珪素（ＳｉＯｘ
）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（
ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸素又は窒素を有する絶縁膜の単層構造、又はこれらの積
層構造で設けることができる。なお、半導体層１１０１１３、１１０１１４の表面をプラ
ズマ処理することにより、半導体層１１０１１３、１１０１１４の表面にプラズマ処理絶
縁膜を形成した場合には、プラズマ処理絶縁膜を絶縁膜１１０１１６として用いることも
可能である。

ここで、絶縁膜１１０１１６の表面にプラズマ処理を行い、絶縁膜１１０１１６の表面を
酸化又は窒化することによって、絶縁膜１１０１１６の表面にプラズマ処理絶縁膜を形成
してもよい。なお、プラズマ処理絶縁膜は、プラズマ処理に用いた希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、
Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）を含んでいる。また、プラズマ処理は上述し
た条件下で同様に行うことができる。

あるいは、一旦酸素雰囲気下でプラズマ処理を行うことにより絶縁膜１１０１１６を酸化
させた後に、再度窒素雰囲気下でプラズマ処理を行うことにより窒化させてもよい。この
ように、絶縁膜１１０１１６にプラズマ処理を行い、絶縁膜１１０１１６の表面を酸化又
は窒化することによって、絶縁膜１１０１１６の表面を改質し緻密な膜を形成することが
できる。プラズマ処理を行うことによって得られた絶縁膜は、ＣＶＤ法やスパッタ法で形
成された絶縁膜と比較して緻密でピンホール等の欠陥も少ないため、薄膜トランジスタの
特性を向上させることができる。

次に、ゲート電極１１０１１７を形成する（図４３（Ｆ））。ゲート電極１１０１１７は
、公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等）を用いて形成すること
ができる。

１１０１０１においては、ゲート電極１１０１１７を形成した後に不純物ド−ピングを行
なうことで、ソース領域及びドレイン領域として用いる半導体層１１０１１５を形成する
ことができる。

１１０１０２においては、ゲート電極１１０１１７を形成した後に不純物ド−ピングを行
なうことで、ＬＤＤ領域として用いる１１０１１４と、半導体層ソース領域及びドレイン
領域として用いる半導体層１１０１１５を形成することができる。

１１０１０３においては、ゲート電極１１０１１７を形成した後に不純物ド−ピングを行
なうことで、ＬＤＤ領域として用いる１１０１１４と、半導体層ソース領域及びドレイン
領域として用いる半導体層１１０１１５を形成することができる。

１１０１０４においては、ゲート電極１１０１１７の側面にサイドウォ−ル１１０１２１
を形成した後、不純物ド−ピングを行なうことで、ＬＤＤ領域として用いる１１０１１４
と、半導体層ソース領域及びドレイン領域として用いる半導体層１１０１１５を形成する
ことができる。

なお、サイドウォ−ル１１０１２１は、酸化珪素（ＳｉＯｘ）又は窒化珪素（ＳｉＮｘ）
を用いることができる。サイドウォ−ル１１０１２１をゲート電極１１０１１７の側面に
形成する方法としては、たとえば、ゲート電極１１０１１７を形成した後に、酸化珪素（
ＳｉＯｘ）又は窒化珪素（ＳｉＮｘ）を公知の方法で成膜した後に、異方性エッチングに
よって酸化珪素（ＳｉＯｘ）又は窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜をエッチングする方法を用いる
ことができる。こうすることで、ゲート電極１１０１１７の側面にのみ酸化珪素（ＳｉＯ
ｘ）又は窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜を残すことができるので、ゲート電極１１０１１７の側
面にサイドウォ−ル１１０１２１を形成することができる。

１１０１０５においては、ゲート電極１１０１１７を覆うようにマスク１１０１２２を形
成した後、不純物ド−ピングを行なうことで、ＬＤＤ（Ｌｏｆｆ）領域として用いる１１
０１１４と、半導体層ソース領域及びドレイン領域として用いる半導体層１１０１１５を
形成することができる。

１１０１０６においては、ゲート電極１１０１１７を形成した後に不純物ド−ピングを行
なうことで、ＬＤＤ（Ｌｏｖ）領域として用いる１１０１１４と、半導体層ソース領域及
びドレイン領域として用いる半導体層１１０１１５を形成することができる。

次に、絶縁膜１１０１１８を形成する（図４３（Ｇ））。絶縁膜１１０１１８は、公知の
手段（スパッタ法やプラズマＣＶＤ法等）により、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（Ｓ
ｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（
ｘ＞ｙ）等の酸素又は窒素を有する絶縁膜やＤＬＣ（ダイヤモンドライクカ−ボン）等の
炭素を含む膜の単層構造、又はこれらの積層構造で設けることができる。

ここで、絶縁膜１１０１１８の表面にプラズマ処理を行い、絶縁膜１１０１１８の表面を
酸化又は窒化することによって、絶縁膜１１０１１８の表面にプラズマ処理絶縁膜を形成
してもよい。なお、プラズマ処理絶縁膜は、プラズマ処理に用いた希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、
Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）を含んでいる。また、プラズマ処理は上述し
た条件下で同様に行うことができる。

次に、絶縁膜１１０１１９を形成する。絶縁膜１１０１１９は、公知の手段（スパッタ法
やプラズマＣＶＤ法等）により、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒
化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸素
又は窒素を有する絶縁膜やＤＬＣ（ダイヤモンドライクカ−ボン）等の炭素を含む膜を用
いることができる他に、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノ−ル、ベ
ンゾシクロブテン、アクリル等の有機材料やシロキサン樹脂の単層構造、又はこれらの積
層構造で設けることができる。なお、シロキサン樹脂とは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む樹
脂に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成
される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水
素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いることもできる。あるいは、置換基
として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。また、プラズマ
処理絶縁膜には、プラズマ処理に用いた希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なく
とも一つを含む）が含まれており、例えばＡｒを用いた場合にはプラズマ処理絶縁膜中に
Ａｒが含まれている。

絶縁膜１１０１１９としてポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノ−ル、ベンゾシク
ロブテン、アクリル等の有機材料やシロキサン樹脂等を用いた場合、絶縁膜１１０１１９
の表面をプラズマ処理により酸化又は窒化することにより、当該絶縁膜の表面を改質する
ことができる。表面を改質することによって、絶縁膜１１０１１９の強度が向上し開口部
形成時等におけるクラックの発生やエッチング時の膜減り等の物理的ダメ−ジを低減する
ことが可能となる。また、絶縁膜１１０１１９の表面が改質されることによって、絶縁膜
１１０１１９上に導電膜１１０１２３を形成する場合に導電膜との密着性が向上する。例
えば、絶縁膜１１０１１９としてシロキサン樹脂を用いてプラズマ処理を用いて窒化を行
った場合、シロキサン樹脂の表面が窒化されることにより窒素又は希ガスを含むプラズマ
処理絶縁膜が形成され、物理的強度が向上する。

次に、半導体層１１０１１５と電気的に接続された導電膜１１０１２３を形成するため、
絶縁膜１１０１１９、絶縁膜１１０１１８、絶縁膜１１０１１６にコンタクトホールを形
成する。なお、コンタクトホールの形状はテーパー状であってもよい。こうすることで、
導電膜１１０１２３のカバレッジを向上させることができる。

図４４は、ボトムゲート型のトランジスタの断面構造及び容量素子の断面構造を示す。

基板１１０５０１上に第１の絶縁膜（絶縁膜１１０５０２）が全面に形成されている。第
１の絶縁膜は、基板側からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、トランジスタの性質が変
化してしまうことを防ぐ機能を有する。つまり、第１の絶縁膜は下地膜としての機能を有
する。したがって、信頼性の高いトランジスタを作製することができる。なお、第１の絶
縁膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯｘＮｙ
）などの単層、又はこれらの積層を用いることができる。

第１の絶縁膜上に、第１の導電層（導電層１１０５０３及び導電層１１０５０４）が形成
されている。導電層１１０５０３は、トランジスタ１１０５２０のゲート電極として機能
する部分を含む。導電層１１０５０４は、容量素子１１０５２１の第１の電極として機能
する部分を含む。なお、第１の導電層としては、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ、Ａｌ、Ｎ
ｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、ＮＡ−Ｓｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｂａ、Ｇｅなど、又はこれらの
合金を用いることができる。あるいは、これらの元素（合金も含む）の積層を用いること
ができる。

少なくとも第１の導電層を覆うように、第２の絶縁膜（絶縁膜１１０５２２）が形成され
ている。第２の絶縁膜は、ゲート絶縁膜としての機能を有する。なお、第２の絶縁膜とし
ては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯｘＮｙ）などの
単層、又はこれらの積層を用いることができる。

なお、半導体層に接する部分の第２の絶縁膜としては、酸化シリコン膜を用いることが望
ましい。なぜなら、半導体層と第２の絶縁膜とが接する界面におけるトラップ準位が少な
くなるからである。

なお、第２の絶縁膜がＭｏと接する場合、Ｍｏと接する部分の第２の絶縁膜としては酸化
シリコン膜を用いることが望ましい。なぜなら、酸化シリコン膜はＭｏを酸化させないか
らである。

第２の絶縁膜上のうち第１の導電層と重なって形成されている部分の一部に、フォトリソ
グラフィ法、インクジェット法又は印刷法などによって、半導体層が形成されている。そ
して、半導体層の一部は、第２の絶縁膜上のうち第１の導電層と重なって形成されていな
い部分まで延長されている。半導体層は、チャネル形成領域（チャネル形成領域１１０５
１０）、ＬＤＤ領域（ＬＤＤ領域１１０５０８、ＬＤＤ領域１１０５０９）、不純物領域
（不純物領域１１０５０５、不純物領域１１０５０６、不純物領域１１０５０７）を有し
ている。チャネル形成領域１１０５１０は、トランジスタ１１０５２０のチャネル形成領
域として機能する。ＬＤＤ領域１１０５０８及びＬＤＤ領域１１０５０９は、トランジス
タ１１０５２０のＬＤＤ領域とし機能する。なお、ＬＤＤ領域１１０５０８及びＬＤＤ領
域１１０５０９は必ずしも必要ではない。不純物領域１１０５０５は、トランジスタ１１
０５２０のソース電極及びドレイン電極の一方として機能する部分を含む。不純物領域１
００５０６は、トランジスタ１１０５２０のソース電極及びドレイン電極の他方として機
能する部分を含む。不純物領域１１０５０７は、容量素子１１０５２１の第２の電極とし
て機能する部分を含む。

全面に、第３の絶縁膜（絶縁膜１１０５１１）が形成されている。第３の絶縁膜の一部に
は、選択的にコンタクトホールが形成されている。絶縁膜１１０５１１は、層間膜として
の機能を有する。第３の絶縁膜としては、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化
窒化シリコンなど）あるいは、低誘電率の有機化合物材料（感光性又は非感光性の有機樹
脂材料）などを用いることができる。あるいは、シロキサンを含む材料を用いることもで
きる。なお、シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成さ
れる材料である。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香
族炭化水素）が用いられる。あるいは、置換基としてフルオロ基を用いてもよい。あるい
は、置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。

第３の絶縁膜上に、第２の導電層（導電層１１０５１２及び導電層１１０５１３）が形成
されている。導電層１１０５１２は、第３の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介し
てトランジスタ１１０５２０のソース電極及びドレイン電極の他方と接続されている。し
たがって、導電層１１０５１２は、トランジスタ１１０５２０のソース電極及びドレイン
電極の他方として機能する部分を含む。導電層１１０５１３は、容量素子１１０５２１の
第１の電極として機能する部分を含む。なお、第２の導電層としては、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ
、Ｃｒ、Ｗ、Ａｌ、Ｎｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、ＮＡ−Ｓｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｂａ、Ｇ
ｅなど、又はこれらの合金を用いることができる。あるいは、これらの元素（合金も含む
）の積層を用いることができる。

なお、第２の導電層が形成された後の工程として、様々な絶縁膜、又は様々な導電膜が形
成されていてもよい。

トランジスタの半導体層にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜を用いた場合のトラ
ンジスタ及び容量素子の構造について説明する。

図４５は、トップゲート型のトランジスタの断面構造及び容量素子の断面構造を示す。

基板１１０２０１上に第１の絶縁膜（絶縁膜１１０２０２）が全面に形成されている。第
１の絶縁膜は、基板側からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、トランジスタの性質が変
化してしまうことを防ぐ機能を有する。つまり、第１の絶縁膜は下地膜としての機能を有
する。したがって、信頼性の高いトランジスタを作製することができる。なお、第１の絶
縁膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯｘＮｙ
）などの単層、又はこれらの積層を用いることができる。

なお、第１の絶縁膜を必ずしも形成する必要はない。この場合は、工程数の削減を図るこ
とができる。製造コストの削減を図ることができる。構造を簡単にできるので、歩留まり
の向上を図ることができる。

第１の絶縁膜上に、第１の導電層（導電層１１０２０３、導電層１１０２０４及び導電層
１１０２０５）が形成されている。導電層１１０２０３は、トランジスタ１１０２２０の
ソ−ス電極及びドレイン電極の一方の電極として機能する部分を含む。導電層１１０２０
４は、トランジスタ１１０２２０のソ−ス電極及びドレイン電極の他方の電極として機能
する部分を含む。導電層１１０２０５は、容量素子１１０２２１の第１の電極として機能
する部分を含む。なお、第１の導電層としては、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ、Ａｌ、Ｎ
ｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、ＮＡ−Ｓｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｂａ、Ｇｅなど、又はこれらの
合金を用いることができる。あるいは、これらの元素（合金も含む）の積層を用いること
ができる。

導電層１１０２０３及び導電層１１０２０４の上部に、第１の半導体層（半導体層１１０
２０６及び半導体層１１０２０７）が形成されている。半導体層１１０２０６は、ソ−ス
電極とドレイン電極の一方の電極として機能する部分を含む。半導体層１１０２０７は、
ソ−ス電極とドレイン電極の他方の電極として機能する部分を含む。なお、第１の半導体
層としては、リン等を含んだシリコン等を用いることができる。

導電層１１０２０３と導電層１１０２０４との間であって、かつ第１の絶縁膜上に、第２
の半導体層（半導体層１１０２０８）が形成されている。そして、半導体層１１０２０８
の一部は、導電層１１０２０３上及び導電層１１０２０４上まで延長されている。半導体
層１１０２０８は、トランジスタ１１０２２０のチャネル領域として機能する部分を含む
。なお、第２の半導体層としては、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）等の非結晶性
を有する半導体層、又は微結晶半導体（μ−Ｓｉ：Ｈ）等の半導体層などを用いることが
できる。

少なくとも半導体層１１０２０８及び導電層１１０２０５を覆うように、第２の絶縁膜（
絶縁膜１１０２０９及び絶縁膜１１０２１０）が形成されている。第２の絶縁膜は、ゲー
ト絶縁膜としての機能を有する。なお、第２の絶縁膜としては、酸化シリコン膜、窒化シ
リコン膜又は酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯｘＮｙ）などの単層、又はこれらの積層を用い
ることができる。

なお、第２の半導体層に接する部分の第２の絶縁膜としては、酸化シリコン膜を用いるこ
とが望ましい。なぜなら、第２の半導体層と第２の絶縁膜とが接する界面におけるトラッ
プ準位が少なくなるからである。

なお、第２の絶縁膜がＭｏと接する場合、Ｍｏと接する部分の第２の絶縁膜としては酸化
シリコン膜を用いることが望ましい。なぜなら、酸化シリコン膜はＭｏを酸化させないか
らである。

第２の絶縁膜上に、第２の導電層（導電層１１０２１１及び導電層１１０２１２）が形成
されている。導電層１１０２１１は、トランジスタ１１０２２０のゲート電極として機能
する部分を含む。導電層１１０２１２は、容量素子１１０２２１の第２の電極、又は配線
としての機能を有する。なお、第２の導電層としては、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ、Ａ
ｌ、Ｎｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、ＮＡ−Ｓｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｂａ、Ｇｅなど、又はこ
れらの合金を用いることができる。あるいは、これらの元素（合金も含む）の積層を用い
ることができる。

なお、第２の導電層が形成された後の工程として、様々な絶縁膜、又は様々な導電膜が形
成されていてもよい。

図４６は、逆スタガ型（ボトムゲート型）のトランジスタの断面構造及び容量素子の断面
構造を示す。特に、図４６に示すトランジスタは、チャネルエッチ型と呼ばれる構造であ
る。

基板１１０３０１上に第１の絶縁膜（絶縁膜１１０３０２）が全面に形成されている。第
１の絶縁膜は、基板側からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、トランジスタの性質が変
化してしまうことを防ぐ機能を有する。つまり、第１の絶縁膜は下地膜としての機能を有
する。したがって、信頼性の高いトランジスタを作製することができる。なお、第１の絶
縁膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯｘＮｙ
）などの単層、又はこれらの積層を用いることができる。

なお、第１の絶縁膜を必ずしも形成する必要はない。この場合は、工程数の削減を図るこ
とができる。製造コストの削減を図ることができる。構造を簡単にできるので、歩留まり
の向上を図ることができる。

第１の絶縁膜上に、第１の導電層（導電層１１０３０３及び導電層１１０３０４）が形成
されている。導電層１１０３０３は、トランジスタ１１０３２０のゲート電極として機能
する部分を含む。導電層１１０３０４は、容量素子１１０３２１の第１の電極として機能
する部分を含む。なお、第１の導電層としては、Ｔｉ、Ｍｏ、ＴＢ、Ｃｒ、Ｗ、Ｂｌ、Ｎ
ｄ、Ｃｕ、Ｂｇ、Ｂｕ、Ｐｔ、ＮＡ−Ｓｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｂａ、Ｇｅなど、又はこれらの
合金を用いることができる。あるいは、これらの元素（合金も含む）の積層を用いること
ができる。

少なくとも第１の導電層を覆うように、第２の絶縁膜（絶縁膜１１０３０２）が形成され
ている。第２の絶縁膜は、ゲート絶縁膜としての機能を有する。なお、第２の絶縁膜とし
ては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯｘＮｙ）などの
単層、又はこれらの積層を用いることができる。

なお、半導体層に接する部分の第２の絶縁膜としては、酸化シリコン膜を用いることが望
ましい。なぜなら、半導体層と第２の絶縁膜とが接する界面におけるトラップ準位が少な
くなるからである。

なお、第２の絶縁膜がＭｏと接する場合、Ｍｏと接する部分の第２の絶縁膜としては酸化
シリコン膜を用いることが望ましい。なぜなら、酸化シリコン膜はＭｏを酸化させないか
らである。

第２の絶縁膜上のうち第１の導電層と重なって形成されている部分の一部に、フォトリソ
グラフィ法、インクジェット法又は印刷法などによって、第１の半導体層（半導体層１１
０３０６）が形成されている。そして、半導体層１１０３０８の一部は、第２の絶縁膜上
のうち第１の導電層と重なって形成されていない部分まで延長されている。半導体層１１
０３０６は、トランジスタ１１０３２０のチャネル領域として機能する部分を含む。なお
、半導体層１１０３０６としては、アモルファスシリコン（Ａ−Ｓｉ：Ｈ）等の非結晶性
を有する半導体層、又は微結晶半導体（μ−Ｓｉ：Ｈ）等の半導体層などを用いることが
できる。

第１の半導体層上の一部に、第２の半導体層（半導体層１１０３０７及び半導体層１１０
３０７）が形成されている。半導体層１１０３０７は、ソ−ス電極とドレイン電極の一方
の電極として機能する部分を含む。半導体層１１０３０８は、ソ−ス電極とドレイン電極
の他方の電極として機能する部分を含む。なお、第２の導体層としては、リン等を含んだ
シリコン等を用いることができる。

第２の半導体層上及び第２の絶縁膜上に、第２の導電層（導電層１１０３０９、導電層１
１０３１０及び導電層１１０３１１）が形成されている。導電層１１０３０９は、トラン
ジスタ１１０３２０のソ−ス電極とドレイン電極の一方として機能する部分を含む。導電
層１１０３１０は、トランジスタ１１０３２０のソ−スとドレイン電極の他方として機能
する部分を含む。導電層１１０３１２は、容量素子１１０３２１の第２の電極として機能
する部分を含む。なお、第２の導電層としては、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ、Ａｌ、Ｎ
ｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、ＮＡ−Ｓｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｂａ、Ｇｅなど、又はこれらの
合金を用いることができる。あるいは、これらの元素（合金も含む）の積層を用いること
ができる。

なお、第２の導電層が形成された後の工程として、様々な絶縁膜、又は様々な導電膜が形
成されていてもよい。

ここで、チャネルエッチ型のトランジスタが特徴とする工程の一例を説明する。同じマス
クを用いて、第１の半導体層及び第２の半導体層を形成することができる。具体的には、
第１の半導体層と第２の半導体層とは連続して成膜される。そして、第１の半導体層及び
第２の半導体層は、同じマスクを用いて形成される。

チャネルエッチ型のトランジスタが特徴とする工程の別の一例を説明する。新たなマスク
を用いることなく、トランジスタのチャネル領域を形成することができる。具体的には、
第２の導電層が形成された後で、第２の導電層をマスクとして用いて第２の半導体層の一
部を除去する。あるいは、第２の導電層と同じマスクを用いて第２の半導体層の一部を除
去する。そして、除去された第２の半導体層の下部に形成されている第１の半導体層がト
ランジスタのチャネル領域となる。

図４７は、逆スタガ型（ボトムゲート型）のトランジスタの断面構造及び容量素子の断面
構造を示す。特に、図４７に示すトランジスタは、チャネル保護型（チャネルストップ型
）と呼ばれる構造である。

基板１１０４０１上に第１の絶縁膜（絶縁膜１１０４０２）が全面に形成されている。第
１の絶縁膜は、基板側からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、トランジスタの性質が変
化してしまうことを防ぐ機能を有する。つまり、第１の絶縁膜は下地膜としての機能を有
する。したがって、信頼性の高いトランジスタを作製することができる。なお、第１の絶
縁膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯｘＮｙ
）などの単層、又はこれらの積層を用いることができる。

なお、第１の絶縁膜を必ずしも形成する必要はない。この場合は、工程数の削減を図るこ
とができる。製造コストの削減を図ることができる。構造を簡単にできるので、歩留まり
の向上を図ることができる。

第１の絶縁膜上に、第１の導電層（導電層１１０４０３及び導電層１１０４０４）が形成
されている。導電層１１０４０３は、トランジスタ１１０４２０のゲート電極として機能
する部分を含む。導電層１１０４０４は、容量素子１１０４２１の第１の電極として機能
する部分を含む。なお、第１の導電層としては、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ、Ｃｌ、Ｎ
ｄ、Ｃｕ、Ｃｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、ＮＣ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｂａ、Ｇｅなど、又はこれらの
合金を用いることができる。あるいは、これらの元素（合金も含む）の積層を用いること
ができる。

少なくとも第１の導電層を覆うように、第２の絶縁膜（絶縁膜１１０４０２）が形成され
ている。第２の絶縁膜は、ゲート絶縁膜としての機能を有する。なお、第２の絶縁膜とし
ては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯｘＮｙ）などの
単層、又はこれらの積層を用いることができる。

なお、半導体層に接する部分の第２の絶縁膜としては、酸化シリコン膜を用いることが望
ましい。なぜなら、半導体層と第２の絶縁膜とが接する界面におけるトラップ準位が少な
くなるからである。

なお、第２の絶縁膜がＭｏと接する場合、Ｍｏと接する部分の第２の絶縁膜としては酸化
シリコン膜を用いることが望ましい。なぜなら、酸化シリコン膜はＭｏを酸化させないか
らである。

第２の絶縁膜上のうち第１の導電層と重なって形成されている部分の一部に、フォトリソ
グラフィ法、インクジェット法又は印刷法などによって、第１の半導体層（半導体層１１
０４０６）が形成されている。そして、半導体層１１０４０８の一部は、第２の絶縁膜上
のうち第１の導電層と重なって形成されていない部分まで延長されている。半導体層１１
０４０６は、トランジスタ１１０４２０のチャネル領域として機能する部分を含む。なお
、半導体層１１０４０６としては、アモルファスシリコン（Ｃ−Ｓｉ：Ｈ）等の非結晶性
を有する半導体層、又は微結晶半導体（μ−Ｓｉ：Ｈ）等の半導体層などを用いることが
できる。

第１の半導体層上の一部に、第３の絶縁膜（絶縁膜１１０４１２）が形成されている。絶
縁膜１１０４１２は、トランジスタ１１０４２０のチャネル領域がエッチングによって除
去されることを防止する機能を有する。つまり、絶縁膜１１０４１２は、チャネル保護膜
（チャネルストップ膜）として機能する。なお、第３の絶縁膜としては、酸化シリコン膜
、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯｘＮｙ）などの単層、又はこれらの積
層を用いることができる。

第１の半導体層上の一部及び第３の絶縁膜上の一部に、第２の半導体層（半導体層１１０
４０７及び半導体層１１０４０８）が形成されている。半導体層１１０４０７は、ソ−ス
電極とドレイン電極の一方の電極として機能する部分を含む。半導体層１１０４０８は、
ソ−ス電極とドレイン電極の他方の電極として機能する部分を含む。なお、第２の導体層
としては、リン等を含んだシリコン等を用いることができる。

第２の半導体層上に、第２の導電層（導電層１１０４０９、導電層１１０４１０及び導電
層１１０４１１）が形成されている。導電層１１０４０９は、トランジスタ１１０４２０
のソ−ス電極とドレイン電極の一方として機能する部分を含む。導電層１１０４１０は、
トランジスタ１１０４２０のソ−スとドレイン電極の他方として機能する部分を含む。導
電層１１０４１１は、容量素子１１０４２１の第２の電極として機能する部分を含む。な
お、第２の導電層としては、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ、Ａｌ、Ｎｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｐｔ、ＮＣ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃａ、Ｇｅなど、又はこれらの合金を用いることが
できる。あるいは、これらの元素（合金も含む）の積層を用いることができる。

なお、第２の導電層が形成された後の工程として、様々な絶縁膜、又は様々な導電膜が形
成されていてもよい。

ここで、チャネル保護型のトランジスタが特徴とする工程の一例を説明する。同じマスク
を用いて、第１の半導体層、第２の半導体層及び第２の導電層を形成することができる。
同時に、チャネル領域を形成することができる。具体的には、第１の半導体層を成膜し、
次に第３の絶縁膜（チャネル保護膜、チャネルストップ膜）を、マスクを用いて形成し、
次に第２の半導体層と第２の導電層とを連続して成膜する。そして、第２の導電層が成膜
された後で、第１の半導体層、第２の半導体層及び第２の導電層が同じマスクを用いて形
成される。ただし、第３の絶縁膜の下部の第１の半導体層は、第３の絶縁膜によって保護
されるのでエッチングによって除去されない。この部分（第１の半導体層のうち上部に第
３の絶縁膜が形成された部分）がチャネル領域となる。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態およ
び実施例の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換え
などを自由に行うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関し
て、別の実施の形態および実施例の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構
成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態および実施例で述べた内容（一部でもよい）を、
具現化した場合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した
場合の一例、詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての
一例などを示している。したがって、他の実施の形態および実施例で述べた内容は、本実
施の形態への適用、組み合わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。

（実施の形態１０）
本実施の形態においては、表示装置の一例、特に光学的な取り扱いを行なう場合について
説明する。

図８１（Ａ）及び図８１（Ｂ）に示す背面投影型表示装置１３０１００は、プロジェクタ
ユニット１３０１１１、ミラー１３０１１２、スクリーンパネル１３０１０１を備えてい
る。その他に、スピーカー１３０１０２、操作スイッチ類１３０１０４を備えていてもよ
い。このプロジェクタユニット１３０１１１は、背面投影型表示装置１３０１００の筐体
１３０１１０の下部に配設され、映像信号に基づいて映像を映し出す投射光をミラー１３
０１１２に向けて投射する。背面投影型表示装置１３０１００はスクリーンパネル１３０
１０１の背面から投影される映像を表示する構成となっている。

一方、図８２は、前面投影型表示装置１３０２００を示している。前面投影型表示装置１
３０２００は、プロジェクタユニット１３０１１１と投射光学系１３０２０１を備えてい
る。この投射光学系１３０２０１は前面に配設するスクリーン等に映像を投影する構成と
なっている。

図８１に示す背面投影型表示装置１３０１００、図８２に示す前面投影型表示装置１３０
２００に適用されるプロジェクタユニット１３０１１１の構成を以下に説明する。

図８３は、プロジェクタユニット１３０１１１の一構成例を示している。このプロジェク
タユニット１３０１１１は、光源ユニット１３０３０１及び変調ユニット１３０３０４を
備えている。光源ユニット１３０３０１は、レンズ類を含んで構成される光源光学系１３
０３０３と、光源ランプ１３０３０２を備えている。光源ランプ１３０３０２は迷光が拡
散しないように筐体内に収納されている。光源ランプ１３０３０２としては、大光量の光
を放射可能な、例えば、高圧水銀ランプ又はキセノンランプなどが用いられる。光源光学
系１３０３０３は、光学レンズ、偏光機能を有するフィルム、位相差を調節するためのフ
ィルム、ＩＲフィルム等を適宜設けて構成される。そして、光源ユニット１３０３０１は
、放射光が変調ユニット１３０３０４に入射するように配設されている。変調ユニット１
３０３０４は、複数の表示パネル１３０３０８、カラーフィルタ、ダイクロイックミラー
１３０３０５、全反射ミラー１３０３０６、プリズム１３０３０９、投射光学系１３０３
１０を備えている。光源ユニット１３０３０１から放射された光は、ダイクロイックミラ
ー１３０３０５で複数の光路に分離される。

各光路には、所定の波長若しくは波長帯の光を透過するカラーフィルタと、表示パネル１
３０３０８が備えられている。透過型である表示パネル１３０３０８は映像信号に基づい
て透過光を変調する。表示パネル１３０３０８を透過した各色の光は、プリズム１３０３
０９に入射し投射光学系１３０３１０を通して、スクリーン上に映像を表示する。なお、
フレネルレンズがミラー及びスクリーンの間に配設されていてもよい。そして、プロジェ
クタユニット１３０１１１によって投射されミラーで反射される投影光は、フレネルレン
ズによって概略平行光に変換され、スクリーンに投影される。

図８４で示すプロジェクタユニット１３０１１１は、反射型の表示パネル１３０４０７、
１３０４０８、１３０４０９を備えた構成を示している。

図８４で示すプロジェクタユニット１３０１１１は、光源ユニット１３０３０１と変調ユ
ニット１３０４００を備えている。光源ユニット１３０３０１は、図８３と同様の構成で
あってもよい。光源ユニット１３０３０１からの光は、ダイクロイックミラー１３０４０
１、１３０４０２、全反射ミラー１３０４０３により、複数の光路に分けられて、偏光ビ
ームスプリッタ１３０４０４、１３０４０５、１３０４０６に入射する。偏光ビームスプ
リッタ１３０４０４、１３０４０５、１３０４０６は、各色に対応する反射型表示パネル
１３０４０７、１３０４０８、１３０４０９に対応して設けられている。反射型表示パネ
ル１３０４０７、１３０４０８、１３０４０９は、映像信号に基づいて反射光を変調する
。反射型表示パネル１３０４０７、１３０４０８、１３０４０９で反射された各色の光は
、プリズム１３０３０９に入射することで合成されて、投射光学系１３０４１１を通して
投射される。

光源ユニット１３０３０１から放射された光は、ダイクロイックミラー１３０４０１で赤
の波長領域の光のみを透過し、緑及び青の波長領域の光を反射する。さらに、ダイクロイ
ックミラー１３０４０２では、緑の波長領域の光のみが反射される。ダイクロイックミラ
ー１３０４０１を透過した赤の波長領域の光は、全反射ミラー１３０４０３で反射され、
偏光ビームスプリッタ１３０４０４へ入射し、青の波長領域の光は偏光ビームスプリッタ
１３０４０５へ入射し、緑の波長領域の光は偏光ビームスプリッタ１３０４０６に入射す
る。偏光ビームスプリッタ１３０４０４、１３０４０５、１３０４０６は、入射光をＰ偏
光とＳ偏光とに分離する機能を有し、且つＰ偏光のみを透過させる機能を有している。反
射型表示パネル１３０４０７、１３０４０８、１３０４０９は、映像信号に基づいて、入
射した光を偏光する。

各色に対応する反射型表示パネル１３０４０７、１３０４０８、１３０４０９には各色に
対応するＳ偏光のみが入射する。なお、反射型表示パネル１３０４０７、１３０４０８、
１３０４０９は液晶パネルであってもよい。このとき、液晶パネルは電界制御複屈折モー
ド（ＥＣＢ）で動作する。そして、液晶分子は基板に対してある角度をもって垂直配向し
ている。よって、反射型表示パネル１３０４０７、１３０４０８、１３０４０９は画素が
オフ状態にある時は入射光の偏光状態を変化させないで反射させるように表示分子が配向
している。そして、画素がオン状態にある時は表示分子の配向状態が変化し、入射光の偏
光状態が変化する。

図８４に示すプロジェクタユニット１３０１１１は、図８１に示す背面投影型表示装置１
３０１００及び、図８２に示す前面投影型表示装置１３０２００に適用することができる
。

図８５で示すプロジェクタユニットは単板式の構成を示している。図８５（Ａ）に示した
プロジェクタユニット１３０１１１は、光源ユニット１３０３０１、表示パネル１３０５
０７、投射光学系１３０５１１、位相差板１３０５０４を備えている。投射光学系１３０
５１１は一つ又は複数のレンズにより構成されている。表示パネル１３０５０７にはカラ
ーフィルタが備えられていてもよい。

図８５（Ｂ）は、フィールドシーケンシャル方式で動作するプロジェクタユニット１３０
１１１の構成を示している。フィールドシーケンシャル方式は、赤、緑、青などの各色の
光を時間的にずらせて順次表示パネルに入射させて、カラーフィルタ無しでカラー表示を
行う方式である。特に、入力信号変化に対する応答速度の大きい表示パネルと組み合わせ
ると、高精細な映像を表示することができる。図８５（Ｂ）では、光源ユニット１３０３
０１と表示パネル１３０５０８の間に、赤、緑、青などの複数のカラーフィルタが備えら
れた回動式のカラーフィルタ板１３０５０５を備えている。

図８５（Ｃ）で示すプロジェクタユニット１３０１１１は、カラー表示の方式として、マ
クロレンズを使った色分離方式の構成を示している。この方式は、マイクロレンズアレイ
１３０５０６を表示パネル１３０５０９の光入射側に備え、各色の光をそれぞれの方向か
ら照明することでカラー表示を実現する方式である。この方式を採用するプロジェクタユ
ニット１３０１１１は、カラーフィルタによる光の損失が少ないので、光源ユニット１３
０３０１からの光を有効に利用することができるという特徴を有している。図８５（Ｃ）
に示すプロジェクタユニット１３０１１１は、表示パネル１３０５０９に対して各色の光
をそれぞれの方向から照明するように、ダイクロイックミラー１３０５０１、ダイクロイ
ックミラー１３０５０２、赤色光用ダイクロイックミラー１３０５０３を備えている。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態およ
び実施例の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換え
などを自由に行うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関し
て、別の実施の形態および実施例の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構
成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態および実施例で述べた内容（一部でもよい）を、
具現化した場合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した
場合の一例、詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての
一例などを示している。したがって、他の実施の形態および実施例で述べた内容は、本実
施の形態への適用、組み合わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。

（実施の形態１１）
本実施の形態においては、表示装置の動作について説明する。

図７１は、表示装置の構成例を示す図である。

表示装置１８０１００は、画素部１８０１０１、信号線駆動回路１８０１０３及び走査線
駆動回路１８０１０４を有する。画素部１８０１０１には、複数の信号線Ｓ１乃至Ｓｍが
信号線駆動回路１８０１０３から列方向に延伸して配置されている。画素部１８０１０１
には、複数の走査線Ｇ１乃至Ｇｎが走査線駆動回路１８０１０４から行方向に延伸して配
置されている。そして、複数の信号線Ｓ１乃至Ｓｍと複数の走査線Ｇ１乃至Ｇｎとがそれ
ぞれ交差するところで、画素１８０１０２がマトリクス状に配置されている。

なお、信号線駆動回路１８０１０３は、信号線Ｓ１乃至Ｓｎそれぞれに信号を出力する機
能を有する。この信号をビデオ信号と呼んでもよい。なお、走査線駆動回路１８０１０４
は、走査線Ｇ１乃至Ｇｍそれぞれに信号を出力する機能を有する。この信号を走査信号と
呼んでもよい。

なお、画素１８０１０２は、少なくとも信号線と接続されたスイッチング素子を有してい
る。このスイッチング素子は、走査線の電位（走査信）によってオン、オフが制御される
。そして、スイッチング素子がオンしている場合に画素１８０１０２は選択され、オフし
ている場合に画素１８０１０２は選択されない。

画素１８０１０２が選択されている場合（選択状態）は、信号線から画素１８０１０２に
ビデオ信号が入力される。そして、画素１８０１０２の状態（例えば、輝度、透過率、保
持容量の電圧など）は、この入力されたビデオ信号に応じて変化する。

画素１８０１０２が選択されていない場合（非選択状態）は、ビデオ信号が画素１８０１
０２に入力されない。ただし、画素１８０１０２は選択時に入力されたビデオ信号に応じ
た電位を保持しているため、画素１８０１０２はビデオ信号に応じた（例えば、輝度、透
過率、保持容量の電圧など）を維持する。

なお、表示装置の構成は、図７１に限定されない。例えば、画素１８０１０２の構成に応
じて、新たに配線（走査線、信号線、電源線、容量線又はコモン線など）を追加してもよ
い。別の例として、様々な機能を有する回路を追加してもよい。

図７２は、表示装置の動作を説明するためのタイミングチャートの一例を示す。

図７２のタイミングチャートは、１画面分の画像を表示する期間に相当する１フレーム期
間を示す。１フレーム期間は特に限定はしないが、画像を見る人がちらつき（フリッカー
）を感じないように少なくとも１／６０秒以下とすることが好ましい。

図７２のタイミングチャートは、１行目の走査線Ｇ１、ｉ行目の走査線Ｇｉ（走査線Ｇ１
乃至Ｇｍのうちいずれか一）、ｉ＋１行目の走査線Ｇｉ＋１及びｍ行目の走査線Ｇｍがそ
れぞれ選択されるタイミングを示している。

なお、走査線が選択されると同時に、当該走査線に接続されている画素１８０１０２も選
択される。例えば、ｉ行目の走査線Ｇｉが選択されていると、ｉ行目の走査線Ｇｉに接続
されている画素１８０１０２も選択される。

走査線Ｇ１乃至Ｇｍの走査線それぞれは、１行目の走査線Ｇ１からｍ行目の走査線Ｇｍま
で順に選択される（以下、走査するともいう）。例えば、ｉ行目の走査線Ｇｉが選択され
ている期間は、ｉ行目の走査線Ｇｉ以外の走査線（Ｇ１乃至Ｇｉ−１、Ｇｉ＋１乃至Ｇｍ
）は選択されない。そして、次の期間に、ｉ＋１行目の走査線Ｇｉ＋１が選択される。な
お、１つの走査線が選択されている期間を１ゲート選択期間と呼ぶ。

したがって、ある行の走査線が選択されると、当該走査線に接続された複数の画素１８０
１０２に、信号線Ｇ１乃至信号線Ｇｍそれぞれからビデオ信号が入力される。例えば、ｉ
行目の走査線Ｇｉが選択されている間、ｉ行目の走査線Ｇｉに接続されている複数の画素
１８０１０２は、各々の信号線Ｓ１乃至Ｓｎから任意のビデオ信号をそれぞれ入力する。
こうして、個々の複数の画素１８０１０２を走査信号及びビデオ信号によって、独立して
制御することができる。

次に、１ゲート選択期間を複数のサブゲート選択期間に分割した場合について説明する。
図７３は、１ゲート選択期間を２つのサブゲート選択期間（第１のサブゲート選択期間及
び第２のサブゲート選択期間）に分割した場合のタイミングチャートを示す。

なお、１ゲート選択期間を３つ以上のサブゲート選択期間に分割することもできる。

図７３のタイミングチャートは、１画面分の画像を表示する期間に相当する１フレーム期
間を示す。１フレーム期間は特に限定はしないが、画像を見る人がちらつき（フリッカー
）を感じないように少なくとも１／６０秒以下とすることが好ましい。

なお、１フレームは２つのサブフレーム（第１のサブフレーム及び第２のサブフレーム）
に分割されている。

図７３のタイミングチャートは、ｉ行目の走査線Ｇｉ、ｉ＋１行目の走査線Ｇｉ＋１、ｊ
行目の走査線Ｇｊ（走査線Ｇｉ＋１乃至Ｇｍのうちいずれか一）、ｊ＋１行目の走査線及
びＧｊ＋１行目の走査線Ｇｊ＋１がそれぞれ選択されるタイミングを示している。

なお、走査線が選択されると同時に、当該走査線に接続されている画素１８０１０２も選
択される。例えば、ｉ行目の走査線Ｇｉが選択されていると、ｉ行目の走査線Ｇｉに接続
されている画素１８０１０２も選択される。

なお、走査線Ｇ１乃至Ｇｍの走査線それぞれは、各サブゲート選択期間内で順に走査され
る。例えば、ある１ゲート選択期間において、第１のサブゲート選択期間ではｉ行目の走
査線Ｇｉが選択され、第２のサブゲート選択期間ではｊ行目の走査線Ｇｊが選択される。
すると、１ゲート選択期間において、あたかも同時に２行分の走査信号を選択したかのよ
うに動作させることが可能となる。このとき、第１のサブゲート選択期間と第２のサブゲ
ート選択期間とで、別々のビデオ信号が信号線Ｓ１乃至Ｓｎに入力される。したがって、
ｉ行目に接続されている複数の画素１８０１０２とｊ行目に接続されている複数の画素１
８０１０２とには、別々のビデオ信号を入力することができる。

次に、入力される画像データのフレームレート（入力フレームレートとも記す）と、表示
のフレームレート（表示フレームレートとも記す）を変換する駆動方法について説明する
。なお、フレームレートとは、１秒間あたりのフレームの数であり、単位はＨｚである。

本実施の形態では、入力フレームレートは、表示のフレームレートと、必ずしも一致して
いなくてもよい。入力フレームレートと表示フレームレートが異なる場合は、画像データ
のフレームレートを変換する回路（フレームレート変換回路）によって、フレームレート
を変換することができる。こうすることによって、入力フレームレートと表示フレームレ
ートが異なっている場合でも、様々な表示フレームレートで表示を行なうことができる。

入力フレームレートが表示フレームレートよりも大きい場合、入力される画像データの一
部を破棄することで、様々な表示フレームレートに変換して表示を行なうことができる。
この場合は、表示フレームレートを小さくできるため、表示するための駆動回路の動作周
波数を小さくすることができ、消費電力を低減できる。一方、入力フレームレートが表示
フレームレートよりも小さい場合、入力される画像データの全部または一部を複数回表示
させる、入力される画像データから別の画像を生成する、入力される画像データとは関係
のない画像を生成する、等の手段を用いることで、様々な表示フレームレートに変換して
表示を行なうことができる。この場合は、表示フレームレートを大きくすることによって
、動画の品質を向上することができる。

本実施の形態においては、入力フレームレートが表示フレームレートよりも小さい場合の
フレームレート変換方法について詳細に説明する。なお、入力フレームレートが表示フレ
ームレートよりも大きい場合のフレームレート変換方法については、入力フレームレート
が表示フレームレートよりも小さい場合のフレームレート変換方法の逆の手順を実行する
ことによって実現することができる。

本実施の形態においては、入力フレームレートと同じフレームレートで表示される画像の
ことを基本画像と呼ぶこととする。一方、基本画像とは異なるフレームレートで表示され
る画像であって、入力フレームレートと表示フレームレートの整合を取るために表示され
る画像のことを、補間画像と呼ぶこととする。基本画像には、入力される画像データと同
じ画像を用いることができる。補間画像には、基本画像と同じ画像を用いることができる
。さらに、基本画像とは異なる画像を作成し、作成した画像を補間画像とすることもでき
る。

補間画像を作成する場合は、入力される画像データの時間的変化（画像の動き）を検出し
、これらの中間状態の画像を補間画像とする方法、基本画像の輝度にある係数をかけた画
像を補間画像とする方法、入力された画像データから、異なる複数の画像を作成し、当該
複数の画像を時間的に連続して提示する（当該複数の画像のうちの１つを基本画像とし、
残りを補間画像とする）ことで、入力された画像データに対応する画像が表示されたよう
に観察者に知覚させる方法、等がある。入力された画像データから異なる複数の画像を作
成する方法としては、入力された画像データのガンマ値を変換する方法、入力された画像
データに含まれる階調値を分割する方法、等がある。

なお、中間状態の画像（中間画像）とは、入力された画像データの時間的変化（画像の動
き）を検出し、検出された動きを内挿して求められた画像である。このような方法によっ
て中間画像を求めることを、動き補償と呼ぶこととする。

次に、フレームレート変換方法の具体例について説明する。この方法によれば、任意の有
理数（ｎ／ｍ）倍のフレームレート変換を実現することができる。ここで、ｎおよびｍは
１以上の整数とする。本実施の形態におけるフレームレート変換方法は、第１のステップ
と、第２のステップに分けて取り扱うことができる。ここで、第１のステップは、任意の
有理数（ｎ／ｍ）倍にフレームレート変換するステップである。ここでは、補間画像とし
て基本画像を用いてもよいし、動き補償によって求めた中間画像を補間画像として用いて
もよい。第２のステップは、入力された画像データまたは第１のステップにおいてフレー
ムレート変換された各々の画像から、異なる複数の画像（サブ画像）を作成し、当該複数
のサブ画像を時間的に連続して表示する方法を行なうためのステップである。第２のステ
ップによる方法を用いることによって、実際は複数の異なる画像を表示しているのにもか
かわらず、見た目上、元の画像が表示されたように人間の目に知覚させることもできる。

なお、本実施の形態におけるフレームレート変換方法は、第１のステップおよび第２のス
テップを両方用いてもよいし、第１のステップを省略して第２のステップのみ用いてもよ
いし、第２のステップを省略して第１のステップのみを用いてもよい。

まず、第１のステップとして、任意の有理数（ｎ／ｍ）倍のフレームレート変換について
説明する。（図７４参照）図７４は、横軸は時間であり、縦軸は様々なｎおよびｍについ
て場合分けを行なって示したものである。図７４内の図形は、表示される画像の模式図を
表しており、その横位置によって表示されるタイミングを表している。さらに、図形内に
表示した点によって、画像の動きを模式的に表しているものとする。ただし、これは説明
のための例であり、表示される画像はこれに限定されない。この方法は、様々な画像に対
して適用することができる。

期間Ｔｉｎは、入力画像データの周期を表している。入力画像データの周期は、入力フレ
ームレートに対応している。たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚの場合は、入力画
像データの周期は１／６０秒である。同様に、入力フレームレートが５０Ｈｚであれば、
入力画像データの周期は１／５０秒である。このように、入力画像データの周期（単位：
秒）は入力フレームレート（単位：Ｈｚ）の逆数となる。なお、入力フレームレートは様
々なものを用いることができる。たとえば、２４Ｈｚ、５０Ｈｚ、６０Ｈｚ、７０Ｈｚ、
４８Ｈｚ、１００Ｈｚ、１２０Ｈｚ、１４０Ｈｚ、等を挙げることができる。ここで、２
４Ｈｚはフィルム映画等に用いられるフレームレートである。５０Ｈｚは、ＰＡＬ規格の
映像信号等に用いられるフレームレートである。６０Ｈｚは、ＮＴＳＣ規格の映像信号等
に用いられるフレームレートである。７０Ｈｚは、パーソナルコンピュータのディスプレ
イ入力信号等に用いられるフレームレートである。４８Ｈｚ、１００Ｈｚ、１２０Ｈｚ、
１４０Ｈｚ、は、これらの２倍のフレームレートである。なお、２倍に限らず、様々な倍
数のフレームレートであってもよい。このように、本実施の形態に示す方法によれば、様
々な規格の入力信号に対してフレームレートの変換を実現することができる。

第１のステップにおける任意の有理数（ｎ／ｍ）倍のフレームレート変換の手順は、以下
のとおりである。手順１として、第１の基本画像に対する第ｋの補間画像（ｋは１以上の
整数；初期値は１）の表示タイミングを決定する。第ｋの補間画像の表示タイミングは、
第１の基本画像が表示されてから、入力画像データの周期をｋ（ｍ／ｎ）倍した期間が経
過した時点であるとする。手順２として、第ｋの補間画像の表示タイミングの決定に用い
た係数ｋ（ｍ／ｎ）が、整数であるかどうかを判別する。整数であった場合は、第ｋの補
間画像の表示タイミングにおいて第（ｋ（ｍ／ｎ）＋１）の基本画像を表示し、第１のス
テップを終了する。整数でなかった場合は、手順３に進む。手順３として、第ｋの補間画
像として用いる画像を決定する。具体的には、第ｋの補間画像の表示タイミングの決定に
用いた係数ｋ（ｍ／ｎ）を、ｘ＋ｙ／ｎの形に変換する。ここで、ｘおよびｙは整数であ
り、ｙはｎよりも小さい数であるとする。そして、第ｋの補間画像を動き補償によって求
めた中間画像とする場合は、第ｋの補間画像は、第（ｘ＋１）の基本画像から第（ｘ＋２
）の基本画像までの画像の動きを（ｙ／ｎ）倍した動きに相当する画像として求めた中間
画像とする。第ｋの補間画像を基本画像と同じ画像とする場合は、第（ｘ＋１）の基本画
像を用いることができる。なお、画像の動きを（ｙ／ｎ）倍した動きに相当する画像とし
て中間画像を求める方法については、別の部分で詳細に述べる。手順４として、対象とす
る補間画像を次の補間画像に移す。具体的には、ｋの値を１増加させ、手順１に戻る。

次に、第１のステップにおける手順において、ｎおよびｍの値を具体的に示して詳細に説
明する。

なお、第１のステップにおける手順を実行する仕組みは、装置に実装されたものであって
もよいし、装置の設計段階であらかじめ決められたものであってもよい。第１のステップ
における手順を実行する仕組みが装置に実装されていれば、状況に応じた最適な動作が行
われるように、駆動方法を切り替えることが可能となる。なお、ここでいう状況とは、画
像データの内容、装置内外の環境（温度、湿度、気圧、光、音、磁界、電界、放射線量、
高度、加速度、移動速度、等）、ユーザ設定、ソフトウエアバージョン、等を含む。一方
、第１のステップにおける手順を実行する仕組みが装置の設計段階であらかじめ決められ
たものであれば、それぞれの駆動方法に最適な駆動回路を用いることができ、さらに、仕
組みが決められていることによって、量産効果による製造コストの低減が期待できる。

ｎ＝１，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）が１（図７４のｎ＝１，ｍ＝１の箇所）の場
合は、第１のステップにおける動作は次のようになる。まず、ｋ＝１のとき、手順１では
、第１の基本画像に対する第１の補間画像の表示タイミングを決定する。第１の補間画像
の表示タイミングは、第１の基本画像が表示されてから、入力画像データの周期をｋ（ｍ
／ｎ）倍すなわち１倍した期間が経過した時点である。

次に、手順２では、第１の補間画像の表示タイミングの決定に用いた係数ｋ（ｍ／ｎ）が
、整数であるかどうかを判別する。ここで、係数ｋ（ｍ／ｎ）は１であるので、整数であ
る。したがって、第１の補間画像の表示タイミングにおいては第（ｋ（ｍ／ｎ）＋１）す
なわち第２の基本画像を表示し、第１のステップを終了する。

すなわち、変換比が１である場合は、第ｋの画像は基本画像であり、第ｋ＋１の画像は基
本画像であり、画像表示周期は、入力画像データの周期の１倍であることを特徴とする。

具体的な表現としては、変換比が１（ｎ／ｍ＝１）である場合は、第ｉ（ｉは正の整数）
の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、が、入力画像データとして一定の周期で順次
入力され、第ｋ（ｋは正の整数）の画像と、第ｋ＋１の画像と、を、入力画像データの周
期と等倍の間隔で順次表示する表示装置の駆動方法であって、前記第ｋの画像は、前記第
ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋１の画像は、前記第ｉ＋１の画像デー
タにしたがって表示されることを特徴とする。

ここで、変換比が１である場合は、フレームレート変換回路を省略することができるため
、製造コストを低減できるという利点を有する。さらに、変換比が１である場合は、変換
比が１より小さい場合よりも動画の品質を向上できるという利点を有する。さらに、変換
比が１である場合は、変換比が１より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減
できるという利点を有する。

ｎ＝２，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）が２（図７４のｎ＝２，ｍ＝１の箇所）の場
合は、第１のステップにおける動作は次のようになる。まず、ｋ＝１のとき、手順１では
、第１の基本画像に対する第１の補間画像の表示タイミングを決定する。第１の補間画像
の表示タイミングは、第１の基本画像が表示されてから、入力画像データの周期をｋ（ｍ
／ｎ）倍すなわち１／２倍した期間が経過した時点である。

次に、手順２では、第１の補間画像の表示タイミングの決定に用いた係数ｋ（ｍ／ｎ）が
、整数であるかどうかを判別する。ここで、係数ｋ（ｍ／ｎ）は１／２であるので、整数
ではない。したがって、手順３に進む。

手順３では、第１の補間画像として用いる画像を決定する。そのために、係数１／２をｘ
＋ｙ／ｎの形に変換する。係数１／２の場合は、ｘ＝０，ｙ＝１である。そして、第１の
補間画像を動き補償によって求めた中間画像とする場合は、第１の補間画像は、第（ｘ＋
１）すなわち第１の基本画像から第（ｘ＋２）すなわち第２の基本画像までの画像の動き
をｙ／ｎ倍すなわち１／２倍した動きに相当する画像として求めた中間画像とする。第１
の補間画像を基本画像と同じ画像とする場合は、第（ｘ＋１）すなわち第１の基本画像を
用いることができる。

ここまでの手順により、第１の補間画像の表示タイミングと、第１の補間画像として表示
する画像を決定することができた。次に、手順４では、対象とする補間画像を、第１の補
間画像から第２の補間画像へ移す。すなわち、ｋを１から２に変更し、手順１に戻る。

ｋ＝２のとき、手順１では、第１の基本画像に対する第２の補間画像の表示タイミングを
決定する。第２の補間画像の表示タイミングは、第１の基本画像が表示されてから、入力
画像データの周期をｋ（ｍ／ｎ）倍すなわち１倍した期間が経過した時点である。

次に、手順２では、第２の補間画像の表示タイミングの決定に用いた係数ｋ（ｍ／ｎ）が
、整数であるかどうかを判別する。ここで、係数ｋ（ｍ／ｎ）は１であるので、整数であ
る。したがって、第２の補間画像の表示タイミングにおいては第（ｋ（ｍ／ｎ）＋１）す
なわち第２の基本画像を表示し、第１のステップを終了する。

すなわち、変換比が２（ｎ／ｍ＝２）である場合は、第ｋの画像は基本画像であり、第ｋ
＋１の画像は補間画像であり、第ｋ＋２の画像は基本画像であり、画像表示周期は、入力
画像データの周期の１／２倍であることを特徴とする。

具体的な表現としては、変換比が２（ｎ／ｍ＝２）である場合は、第ｉ（ｉは正の整数）
の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、が、入力画像データとして一定の周期で順次
入力され、第ｋ（ｋは正の整数）の画像と、第ｋ＋１の画像と、第ｋ＋２の画像と、を、
入力画像データの周期の１／２倍の間隔で順次表示する表示装置の駆動方法であって、前
記第ｋの画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋１の画像は、
前記第ｉの画像データから前記第ｉ＋１の画像データまでの動きを１／２倍した動きに相
当する画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋２の画像は、前記第ｉ＋１の画像デ
ータにしたがって表示されることを特徴とする。

さらに別の具体的な表現としては、変換比が２（ｎ／ｍ＝２）である場合は、第ｉ（ｉは
正の整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、が、入力画像データとして一定の
周期で順次入力され、第ｋ（ｋは正の整数）の画像と、第ｋ＋１の画像と、第ｋ＋２の画
像と、を、入力画像データの周期の１／２倍の間隔で順次表示する表示装置の駆動方法で
あって、前記第ｋの画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋１
の画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋２の画像は、前記第
ｉ＋１の画像データにしたがって表示されることを特徴とする。

具体的には、変換比が２である場合は、２倍速駆動、または単に倍速駆動とも呼ばれる。
たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フレームレートは１２０Ｈｚ（
１２０Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力画像に対し、画像を２回連続して表示す
ることになる。このとき、補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は
、動画の動きを滑らかにすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可
能である。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、
特に顕著な画質改善効果をもたらす。これは、液晶素子の静電容量が印加電圧によって変
動してしまう、いわゆるダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題に関
係する。すなわち、表示フレームレートを入力フレームレートよりも大きくすることによ
って、画像データの書き込み動作の頻度を大きくできるので、ダイナミックキャパシタン
スによる書き込み電圧不足に起因する、動画の尾引き、残像等の障害を低減することがで
きる。さらに、液晶表示装置の交流駆動と１２０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的であ
る。すなわち、液晶表示装置の駆動周波数を１２０Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をそ
の整数倍または整数分の一（たとえば、３０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１２０Ｈｚ、２４０Ｈｚ等
）とすることによって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程
度に低減することができる。

ｎ＝３，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）が３（図７４のｎ＝３，ｍ＝１の箇所）の場
合は、第１のステップにおける動作は次のようになる。まず、ｋ＝１のとき、手順１では
、第１の基本画像に対する第１の補間画像の表示タイミングを決定する。第１の補間画像
の表示タイミングは、第１の基本画像が表示されてから、入力画像データの周期をｋ（ｍ
／ｎ）倍すなわち１／３倍した期間が経過した時点である。

次に、手順２では、第１の補間画像の表示タイミングの決定に用いた係数ｋ（ｍ／ｎ）が
、整数であるかどうかを判別する。ここで、係数ｋ（ｍ／ｎ）は１／３であるので、整数
ではない。したがって、手順３に進む。

手順３では、第１の補間画像として用いる画像を決定する。そのために、係数１／３をｘ
＋ｙ／ｎの形に変換する。係数１／３の場合は、ｘ＝０，ｙ＝１である。そして、第１の
補間画像を動き補償によって求めた中間画像とする場合は、第１の補間画像は、第（ｘ＋
１）すなわち第１の基本画像から第（ｘ＋２）すなわち第２の基本画像までの画像の動き
をｙ／ｎ倍すなわち１／３倍した動きに相当する画像として求めた中間画像とする。第１
の補間画像を基本画像と同じ画像とする場合は、第（ｘ＋１）すなわち第１の基本画像を
用いることができる。

ここまでの手順により、第１の補間画像の表示タイミングと、第１の補間画像として表示
する画像を決定することができた。次に、手順４では、対象とする補間画像を、第１の補
間画像から第２の補間画像へ移す。すなわち、ｋを１から２に変更し、手順１に戻る。

ｋ＝２のとき、手順１では、第１の基本画像に対する第２の補間画像の表示タイミングを
決定する。第２の補間画像の表示タイミングは、第１の基本画像が表示されてから、入力
画像データの周期をｋ（ｍ／ｎ）倍すなわち２／３倍した期間が経過した時点である。

次に、手順２では、第２の補間画像の表示タイミングの決定に用いた係数ｋ（ｍ／ｎ）が
、整数であるかどうかを判別する。ここで、係数ｋ（ｍ／ｎ）は２／３であるので、整数
ではない。したがって、手順３に進む。

手順３では、第２の補間画像として用いる画像を決定する。そのために、係数２／３をｘ
＋ｙ／ｎの形に変換する。係数２／３の場合は、ｘ＝０，ｙ＝２である。そして、第２の
補間画像を動き補償によって求めた中間画像とする場合は、第２の補間画像は、第（ｘ＋
１）すなわち第１の基本画像から第（ｘ＋２）すなわち第２の基本画像までの画像の動き
をｙ／ｎ倍すなわち２／３倍した動きに相当する画像として求めた中間画像とする。第２
の補間画像を基本画像と同じ画像とする場合は、第（ｘ＋１）すなわち第１の基本画像を
用いることができる。

ここまでの手順により、第２の補間画像の表示タイミングと、第２の補間画像として表示
する画像を決定することができた。次に、手順４では、対象とする補間画像を、第２の補
間画像から第３の補間画像へ移す。すなわち、ｋを２から３に変更し、手順１に戻る。

ｋ＝３のとき、手順１では、第１の基本画像に対する第３の補間画像の表示タイミングを
決定する。第３の補間画像の表示タイミングは、第１の基本画像が表示されてから、入力
画像データの周期をｋ（ｍ／ｎ）倍すなわち１倍した期間が経過した時点である。

次に、手順２では、第３の補間画像の表示タイミングの決定に用いた係数ｋ（ｍ／ｎ）が
、整数であるかどうかを判別する。ここで、係数ｋ（ｍ／ｎ）は１であるので、整数であ
る。したがって、第３の補間画像の表示タイミングにおいては第（ｋ（ｍ／ｎ）＋１）す
なわち第２の基本画像を表示し、第１のステップを終了する。

すなわち、変換比が３（ｎ／ｍ＝３）である場合は、第ｋの画像は基本画像であり、第ｋ
＋１の画像は補間画像であり、第ｋ＋２の画像は補間画像であり、第ｋ＋３の画像は基本
画像であり、画像表示周期は、入力画像データの周期の１／３倍であることを特徴とする
。

具体的な表現としては、変換比が３（ｎ／ｍ＝３）である場合は、第ｉ（ｉは正の整数）
の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、が、入力画像データとして一定の周期で順次
入力され、第ｋ（ｋは正の整数）の画像と、第ｋ＋１の画像と、第ｋ＋２の画像と、第ｋ
＋３の画像と、を、入力画像データの周期の１／３倍の間隔で順次表示する表示装置の駆
動方法であって、前記第ｋの画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記
第ｋ＋１の画像は、前記第ｉの画像データから前記第ｉ＋１の画像データまでの動きを１
／３倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋２の画像は、前
記第ｉの画像から前記第ｉ＋１の画像までの動きを２／３倍した動きに相当する画像デー
タにしたがって表示され、前記第ｋ＋３の画像は、前記第ｉ＋１の画像データにしたがっ
て表示されることを特徴とする。

さらに別の具体的な表現としては、変換比が３（ｎ／ｍ＝３）である場合は、第ｉ（ｉは
正の整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、が、入力画像データとして一定の
周期で順次入力され、第ｋ（ｋは正の整数）の画像と、第ｋ＋１の画像と、第ｋ＋２の画
像と、第ｋ＋３の画像と、を、入力画像データの周期の１／３倍の間隔で順次表示する表
示装置の駆動方法であって、前記第ｋの画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示
され、前記第ｋ＋１の画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋
２の画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋３の画像は、前記
第ｉ＋１の画像データにしたがって表示されることを特徴とする。

ここで、変換比が３である場合は、変換比が３より小さい場合よりも動画の品質を向上で
きるという利点を有する。さらに、変換比が３である場合は、変換比が３より大きい場合
よりも消費電力および製造コストを低減できるという利点を有する。

具体的には、変換比が３である場合は、３倍速駆動とも呼ばれる。たとえば、入力フレー
ムレートが６０Ｈｚであれば、表示フレームレートは１８０Ｈｚ（１８０Ｈｚ駆動）であ
る。そして、ひとつの入力画像に対し、画像を３回連続して表示することになる。このと
き、補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らか
にすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。さらに、表
示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシ
タンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に
対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流駆動と１８０Ｈｚ
駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周波数を１８０Ｈ
ｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一（たとえば、４５Ｈｚ、９
０Ｈｚ、１８０Ｈｚ、３６０Ｈｚ等）とすることによって、交流駆動によって現れるフリ
ッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。

ｎ＝３，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／ｍ）が３／２（図７４のｎ＝３，ｍ＝２の箇所）
の場合は、第１のステップにおける動作は次のようになる。まず、ｋ＝１のとき、手順１
では、第１の基本画像に対する第１の補間画像の表示タイミングを決定する。第１の補間
画像の表示タイミングは、第１の基本画像が表示されてから、入力画像データの周期をｋ
（ｍ／ｎ）倍すなわち２／３倍した期間が経過した時点である。

次に、手順２では、第１の補間画像の表示タイミングの決定に用いた係数ｋ（ｍ／ｎ）が
、整数であるかどうかを判別する。ここで、係数ｋ（ｍ／ｎ）は２／３であるので、整数
ではない。したがって、手順３に進む。

手順３では、第１の補間画像として用いる画像を決定する。そのために、係数２／３をｘ
＋ｙ／ｎの形に変換する。係数２／３の場合は、ｘ＝０，ｙ＝２である。そして、第１の
補間画像を動き補償によって求めた中間画像とする場合は、第１の補間画像は、第（ｘ＋
１）すなわち第１の基本画像から第（ｘ＋２）すなわち第２の基本画像までの画像の動き
をｙ／ｎ倍すなわち２／３倍した動きに相当する画像として求めた中間画像とする。第１
の補間画像を基本画像と同じ画像とする場合は、第（ｘ＋１）すなわち第１の基本画像を
用いることができる。

ここまでの手順により、第１の補間画像の表示タイミングと、第１の補間画像として表示
する画像を決定することができた。次に、手順４では、対象とする補間画像を、第１の補
間画像から第２の補間画像へ移す。すなわち、ｋを１から２に変更し、手順１に戻る。

ｋ＝２のとき、手順１では、第１の基本画像に対する第２の補間画像の表示タイミングを
決定する。第２の補間画像の表示タイミングは、第１の基本画像が表示されてから、入力
画像データの周期をｋ（ｍ／ｎ）倍すなわち４／３倍した期間が経過した時点である。

次に、手順２では、第２の補間画像の表示タイミングの決定に用いた係数ｋ（ｍ／ｎ）が
、整数であるかどうかを判別する。ここで、係数ｋ（ｍ／ｎ）は４／３であるので、整数
ではない。したがって、手順３に進む。

手順３では、第２の補間画像として用いる画像を決定する。そのために、係数４／３をｘ
＋ｙ／ｎの形に変換する。係数４／３の場合は、ｘ＝１，ｙ＝１である。そして、第２の
補間画像を動き補償によって求めた中間画像とする場合は、第２の補間画像は、第（ｘ＋
１）すなわち第２の基本画像から第（ｘ＋２）すなわち第３の基本画像までの画像の動き
をｙ／ｎ倍すなわち１／３倍した動きに相当する画像として求めた中間画像とする。第２
の補間画像を基本画像と同じ画像とする場合は、第（ｘ＋１）すなわち第２の基本画像を
用いることができる。

ここまでの手順により、第２の補間画像の表示タイミングと、第２の補間画像として表示
する画像を決定することができた。次に、手順４では、対象とする補間画像を、第２の補
間画像から第３の補間画像へ移す。すなわち、ｋを２から３に変更し、手順１に戻る。

ｋ＝３のとき、手順１では、第１の基本画像に対する第３の補間画像の表示タイミングを
決定する。第３の補間画像の表示タイミングは、第１の基本画像が表示されてから、入力
画像データの周期をｋ（ｍ／ｎ）倍すなわち２倍した期間が経過した時点である。

次に、手順２では、第３の補間画像の表示タイミングの決定に用いた係数ｋ（ｍ／ｎ）が
、整数であるかどうかを判別する。ここで、係数ｋ（ｍ／ｎ）は２であるので、整数であ
る。したがって、第３の補間画像の表示タイミングにおいては第（ｋ（ｍ／ｎ）＋１）す
なわち第３の基本画像を表示し、第１のステップを終了する。

すなわち、変換比が３／２（ｎ／ｍ＝３／２）である場合は、第ｋの画像は基本画像であ
り、第ｋ＋１の画像は補間画像であり、第ｋ＋２の画像は補間画像であり、第ｋ＋３の画
像は基本画像であり、画像表示周期は、入力画像データの周期の２／３倍であることを特
徴とする。

具体的な表現としては、変換比が３／２（ｎ／ｍ＝３／２）である場合は、第ｉ（ｉは正
の整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、第ｉ＋２の画像データと、が、入力
画像データとして一定の周期で順次入力され、第ｋ（ｋは正の整数）の画像と、第ｋ＋１
の画像と、第ｋ＋２の画像と、第ｋ＋３の画像と、を、入力画像データの周期の２／３倍
の間隔で順次表示する表示装置の駆動方法であって、前記第ｋの画像は、前記第ｉの画像
データにしたがって表示され、前記第ｋ＋１の画像は、前記第ｉの画像データから前記第
ｉ＋１の画像データまでの動きを２／３倍した動きに相当する画像データにしたがって表
示され、前記第ｋ＋２の画像は、前記第ｉ＋１の画像から前記第ｉ＋２の画像までの動き
を１／３倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋３の画像は
、前記第ｉ＋２の画像データにしたがって表示されることを特徴とする。

さらに別の具体的な表現としては、変換比が３／２（ｎ／ｍ＝３／２）である場合は、第
ｉ（ｉは正の整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、第ｉ＋２の画像データと
、が、入力画像データとして一定の周期で順次入力され、第ｋ（ｋは正の整数）の画像と
、第ｋ＋１の画像と、第ｋ＋２の画像と、第ｋ＋３の画像と、を、入力画像データの周期
の２／３倍の間隔で順次表示する表示装置の駆動方法であって、前記第ｋの画像は、前記
第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋１の画像は、前記第ｉの画像データ
にしたがって表示され、前記第ｋ＋２の画像は、前記第ｉ＋１の画像データにしたがって
表示され、前記第ｋ＋３の画像は、前記第ｉ＋２の画像データにしたがって表示されるこ
とを特徴とする。

ここで、変換比が３／２である場合は、変換比が３／２より小さい場合よりも動画の品質
を向上できるという利点を有する。さらに、変換比が３／２である場合は、変換比が３／
２より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できるという利点を有する。

具体的には、変換比が３／２である場合は、３／２倍速駆動または１．５倍速駆動とも呼
ばれる。たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フレームレートは９０
Ｈｚ（９０Ｈｚ駆動）である。そして、２つの入力画像に対し、画像を３回連続して表示
することになる。このとき、補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合
は、動画の動きを滑らかにすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが
可能である。特に、１２０Ｈｚ駆動（倍速駆動）、１８０Ｈｚ駆動（３倍速駆動）等の駆
動周波数の大きな駆動方法と比較すると、動き補償によって中間画像を求める回路の動作
周波数を低減できるため、安価な回路が使用でき、製造コストおよび消費電力を低減でき
る。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナ
ミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、
残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流駆
動と９０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周波
数を９０Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一（たとえば、３
０Ｈｚ、４５Ｈｚ、９０Ｈｚ、１８０Ｈｚ等）とすることによって、交流駆動によって現
れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。

上記以外の正の整数ｎおよびｍについては手順の詳細は省略するが、第１のステップにお
けるフレームレート変換の手順にしたがうことで、変換比は任意の有理数（ｎ／ｍ）とし
て設定することができる。なお、正の整数ｎおよびｍの組み合わせのうち、変換比（ｎ／
ｍ）が約分できる組み合わせについては、約分した後の変換比と同様に取り扱うことがで
きる。

たとえば、ｎ＝４，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）が４（図７４のｎ＝４，ｍ＝１の
箇所）の場合は、第ｋの画像は基本画像であり、第ｋ＋１の画像は補間画像であり、第ｋ
＋２の画像は補間画像であり、第ｋ＋３の画像は補間画像であり、第ｋ＋４の画像は基本
画像であり、画像表示周期は、入力画像データの周期の１／４倍であることを特徴とする
。

さらに具体的な表現としては、変換比が４（ｎ／ｍ＝４）である場合は、第ｉ（ｉは正の
整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、が、入力画像データとして一定の周期
で順次入力され、第ｋ（ｋは正の整数）の画像と、第ｋ＋１の画像と、第ｋ＋２の画像と
、第ｋ＋３の画像と、第ｋ＋４の画像と、を、入力画像データの周期の１／４倍の間隔で
順次表示する表示装置の駆動方法であって、前記第ｋの画像は、前記第ｉの画像データに
したがって表示され、前記第ｋ＋１の画像は、前記第ｉの画像データから前記第ｉ＋１の
画像データまでの動きを１／４倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、
前記第ｋ＋２の画像は、前記第ｉの画像データから前記第ｉ＋１の画像データまでの動き
を１／２倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋３の画像は
、前記第ｉの画像データから前記第ｉ＋１の画像データまでの動きを３／４倍した動きに
相当する画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋４の画像は、前記第ｉ＋１の画像
データにしたがって表示されることを特徴とする。

さらに別の具体的な表現としては、変換比が４（ｎ／ｍ＝４）である場合は、第ｉ（ｉは
正の整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、が、入力画像データとして一定の
周期で順次入力され、第ｋ（ｋは正の整数）の画像と、第ｋ＋１の画像と、第ｋ＋２の画
像と、第ｋ＋３の画像と、第ｋ＋４の画像と、を、入力画像データの周期の１／４倍の間
隔で順次表示する表示装置の駆動方法であって、前記第ｋの画像は、前記第ｉの画像デー
タにしたがって表示され、前記第ｋ＋１の画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表
示され、前記第ｋ＋２の画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ
＋３の画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋４の画像は、前
記第ｉ＋１の画像データにしたがって表示されることを特徴とする。

ここで、変換比が４である場合は、変換比が４より小さい場合よりも動画の品質を向上で
きるという利点を有する。さらに、変換比が４である場合は、変換比が４より大きい場合
よりも消費電力および製造コストを低減できるという利点を有する。

具体的には、変換比が４である場合は、４倍速駆動とも呼ばれる。たとえば、入力フレー
ムレートが６０Ｈｚであれば、表示フレームレートは２４０Ｈｚ（２４０Ｈｚ駆動）であ
る。そして、１つの入力画像に対し、画像を４回連続して表示することになる。このとき
、補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかに
することができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。特に、１２０
Ｈｚ駆動（倍速駆動）、１８０Ｈｚ駆動（３倍速駆動）等の駆動周波数の小さな駆動方法
と比較すると、さらに精度の高い動き補償によって求めた中間画像を補間画像として用い
ることができるため、さらに動画の動きを滑らかにすることができ、動画の品質を顕著に
向上させることが可能である。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示
装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避で
きるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さら
に、液晶表示装置の交流駆動と２４０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわ
ち、液晶表示装置の駆動周波数を２４０Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍ま
たは整数分の一（たとえば、３０Ｈｚ、４０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１２０Ｈｚ等）とすること
によって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減する
ことができる。

さらに、たとえば、ｎ＝４，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ）が４／３（図７４のｎ＝
４，ｍ＝３の箇所）の場合は、第ｋの画像は基本画像であり、第ｋ＋１の画像は補間画像
であり、第ｋ＋２の画像は補間画像であり、第ｋ＋３の画像は補間画像であり、第ｋ＋４
の画像は基本画像であり、画像表示周期は、入力画像データの周期の３／４倍であること
を特徴とする。

さらに具体的な表現としては、変換比が４／３（ｎ／ｍ＝４／３）である場合は、第ｉ（
ｉは正の整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、第ｉ＋２の画像データと、第
ｉ＋３の画像データと、が、入力画像データとして一定の周期で順次入力され、第ｋ（ｋ
は正の整数）の画像と、第ｋ＋１の画像と、第ｋ＋２の画像と、第ｋ＋３の画像と、第ｋ
＋４の画像と、を、入力画像データの周期の３／４倍の間隔で順次表示する表示装置の駆
動方法であって、前記第ｋの画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記
第ｋ＋１の画像は、前記第ｉの画像データから前記第ｉ＋１の画像データまでの動きを３
／４倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋２の画像は、前
記第ｉ＋１の画像から前記第ｉ＋２の画像までの動きを１／２倍した動きに相当する画像
データにしたがって表示され、前記第ｋ＋３の画像は、前記第ｉ＋２の画像から前記第ｉ
＋３の画像までの動きを１／４倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、
前記第ｋ＋４の画像は、前記第ｉ＋３の画像データにしたがって表示されることを特徴と
する。

さらに別の具体的な表現としては、変換比が４／３（ｎ／ｍ＝４／３）である場合は、第
ｉ（ｉは正の整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、第ｉ＋２の画像データと
、第ｉ＋３の画像データと、が、入力画像データとして一定の周期で順次入力され、第ｋ
（ｋは正の整数）の画像と、第ｋ＋１の画像と、第ｋ＋２の画像と、第ｋ＋３の画像と、
第ｋ＋４の画像と、を、入力画像データの周期の３／４倍の間隔で順次表示する表示装置
の駆動方法であって、前記第ｋの画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、
前記第ｋ＋１の画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋２の画
像は、前記第ｉ＋１の画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋３の画像は、前記第
ｉ＋２の画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋４の画像は、前記第ｉ＋３の画像
データにしたがって表示されることを特徴とする。

ここで、変換比が４／３である場合は、変換比が４／３より小さい場合よりも動画の品質
を向上できるという利点を有する。さらに、変換比が４／３である場合は、変換比が４／
３より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できるという利点を有する。

具体的には、変換比が４／３である場合は、４／３倍速駆動または１．２５倍速駆動とも
呼ばれる。たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フレームレートは８
０Ｈｚ（８０Ｈｚ駆動）である。そして、３つの入力画像に対し、画像を４回連続して表
示することになる。このとき、補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場
合は、動画の動きを滑らかにすることができるため、動画の品質を顕著に向上させること
が可能である。特に、１２０Ｈｚ駆動（倍速駆動）、１８０Ｈｚ駆動（３倍速駆動）等の
駆動周波数の大きな駆動方法と比較すると、動き補償によって中間画像を求める回路の動
作周波数を低減できるため、安価な回路が使用でき、製造コストおよび消費電力を低減で
きる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイ
ナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き
、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流
駆動と８０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周
波数を８０Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一（たとえば、
４０Ｈｚ、８０Ｈｚ、１６０Ｈｚ、２４０Ｈｚ等）とすることによって、交流駆動によっ
て現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。

さらに、たとえば、ｎ＝５，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）が５（図７４のｎ＝５，
ｍ＝１の箇所）の場合は、第ｋの画像は基本画像であり、第ｋ＋１の画像は補間画像であ
り、第ｋ＋２の画像は補間画像であり、第ｋ＋３の画像は補間画像であり、第ｋ＋４の画
像は補間画像であり、第ｋ＋５の画像は基本画像であり、画像表示周期は、入力画像デー
タの周期の１／５倍であることを特徴とする。

さらに具体的な表現としては、変換比が５（ｎ／ｍ＝５）である場合は、第ｉ（ｉは正の
整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、が、入力画像データとして一定の周期
で順次入力され、第ｋ（ｋは正の整数）の画像と、第ｋ＋１の画像と、第ｋ＋２の画像と
、第ｋ＋３の画像と、第ｋ＋４の画像と、第ｋ＋５の画像と、を、入力画像データの周期
の１／５倍の間隔で順次表示する表示装置の駆動方法であって、前記第ｋの画像は、前記
第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋１の画像は、前記第ｉの画像データ
から前記第ｉ＋１の画像データまでの動きを１／５倍した動きに相当する画像データにし
たがって表示され、前記第ｋ＋２の画像は、前記第ｉの画像データから前記第ｉ＋１の画
像データまでの動きを２／５倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、前
記第ｋ＋３の画像は、前記第ｉの画像データから前記第ｉ＋１の画像データまでの動きを
３／５倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋４の画像は、
前記第ｉの画像データから前記第ｉ＋１の画像データまでの動きを４／５倍した動きに相
当する画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋５の画像は、前記第ｉ＋１の画像デ
ータにしたがって表示されることを特徴とする。

さらに別の具体的な表現としては、変換比が５（ｎ／ｍ＝５）である場合は、第ｉ（ｉは
正の整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、が、入力画像データとして一定の
周期で順次入力され、第ｋ（ｋは正の整数）の画像と、第ｋ＋１の画像と、第ｋ＋２の画
像と、第ｋ＋３の画像と、第ｋ＋４の画像と、第ｋ＋５の画像と、を、入力画像データの
周期の１／５倍の間隔で順次表示する表示装置の駆動方法であって、前記第ｋの画像は、
前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋１の画像は、前記第ｉの画像デ
ータにしたがって表示され、前記第ｋ＋２の画像は、前記第ｉの画像データにしたがって
表示され、前記第ｋ＋３の画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第
ｋ＋４の画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋５の画像は、
前記第ｉ＋１の画像データにしたがって表示されることを特徴とする。

ここで、変換比が５である場合は、変換比が５より小さい場合よりも動画の品質を向上で
きるという利点を有する。さらに、変換比が５である場合は、変換比が５より大きい場合
よりも消費電力および製造コストを低減できるという利点を有する。

具体的には、変換比が５である場合は、５倍速駆動とも呼ばれる。たとえば、入力フレー
ムレートが６０Ｈｚであれば、表示フレームレートは３００Ｈｚ（３００Ｈｚ駆動）であ
る。そして、１つの入力画像に対し、画像を５回連続して表示することになる。このとき
、補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかに
することができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。特に、１２０
Ｈｚ駆動（倍速駆動）、１８０Ｈｚ駆動（３倍速駆動）等の駆動周波数の小さな駆動方法
と比較すると、さらに精度の高い動き補償によって求めた中間画像を補間画像として用い
ることができるため、さらに動画の動きを滑らかにすることができ、動画の品質を顕著に
向上させることが可能である。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示
装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避で
きるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さら
に、液晶表示装置の交流駆動と３００Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわ
ち、液晶表示装置の駆動周波数を３００Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍ま
たは整数分の一（たとえば、３０Ｈｚ、５０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１００Ｈｚ等）とすること
によって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減する
ことができる。

さらに、たとえば、ｎ＝５，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／ｍ）が５／２（図７４のｎ＝
５，ｍ＝２の箇所）の場合は、第ｋの画像は基本画像であり、第ｋ＋１の画像は補間画像
であり、第ｋ＋２の画像は補間画像であり、第ｋ＋３の画像は補間画像であり、第ｋ＋４
の画像は補間画像であり、第ｋ＋５の画像は基本画像であり、画像表示周期は、入力画像
データの周期の１／５倍であることを特徴とする。

さらに具体的な表現としては、変換比が５／２（ｎ／ｍ＝５／２）である場合は、第ｉ（
ｉは正の整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、第ｉ＋２の画像データと、が
、入力画像データとして一定の周期で順次入力され、第ｋ（ｋは正の整数）の画像と、第
ｋ＋１の画像と、第ｋ＋２の画像と、第ｋ＋３の画像と、第ｋ＋４の画像と、第ｋ＋５の
画像と、を、入力画像データの周期の１／５倍の間隔で順次表示する表示装置の駆動方法
であって、前記第ｋの画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋
１の画像は、前記第ｉの画像データから前記第ｉ＋１の画像データまでの動きを２／５倍
した動きに相当する画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋２の画像は、前記第ｉ
の画像データから前記第ｉ＋１の画像データまでの動きを４／５倍した動きに相当する画
像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋３の画像は、前記第ｉ＋１の画像データから
前記第ｉ＋２の画像データまでの動きを１／５倍した動きに相当する画像データにしたが
って表示され、前記第ｋ＋４の画像は、前記第ｉ＋１の画像データから前記第ｉ＋２の画
像データまでの動きを３／５倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、前
記第ｋ＋５の画像は、前記第ｉ＋２の画像データにしたがって表示されることを特徴とす
る。

さらに別の具体的な表現としては、変換比が５／２（ｎ／ｍ＝５／２）である場合は、第
ｉ（ｉは正の整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、第ｉ＋２の画像データと
、が、入力画像データとして一定の周期で順次入力され、第ｋ（ｋは正の整数）の画像と
、第ｋ＋１の画像と、第ｋ＋２の画像と、第ｋ＋３の画像と、第ｋ＋４の画像と、第ｋ＋
５の画像と、を、入力画像データの周期の１／５倍の間隔で順次表示する表示装置の駆動
方法であって、前記第ｋの画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第
ｋ＋１の画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋２の画像は、
前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋３の画像は、前記第ｉ＋１の画
像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋４の画像は、前記第ｉ＋１の画像データにし
たがって表示され、前記第ｋ＋５の画像は、前記第ｉ＋２の画像データにしたがって表示
されることを特徴とする。

ここで、変換比が５／２である場合は、変換比が５／２より小さい場合よりも動画の品質
を向上できるという利点を有する。さらに、変換比が５／２である場合は、変換比が５よ
り大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できるという利点を有する。

具体的には、変換比が５である場合は、５／２倍速駆動または２．５倍速駆動とも呼ばれ
る。たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フレームレートは１５０Ｈ
ｚ（１５０Ｈｚ駆動）である。そして、２つの入力画像に対し、画像を５回連続して表示
することになる。このとき、補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合
は、動画の動きを滑らかにすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが
可能である。特に、１２０Ｈｚ駆動（倍速駆動）等の駆動周波数の小さな駆動方法と比較
すると、さらに精度の高い動き補償によって求めた中間画像を補間画像として用いること
ができるため、さらに動画の動きを滑らかにすることができ、動画の品質を顕著に向上さ
せることが可能である。さらに、１８０Ｈｚ駆動（３倍速駆動）等の駆動周波数の大きな
駆動方法と比較すると、動き補償によって中間画像を求める回路の動作周波数を低減でき
るため、安価な回路が使用でき、製造コストおよび消費電力を低減できる。さらに、表示
装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタ
ンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対
し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流駆動と１５０Ｈｚ駆
動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周波数を１５０Ｈｚ
としつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一（たとえば、３０Ｈｚ、５０
Ｈｚ、７５Ｈｚ、１５０Ｈｚ等）とすることによって、交流駆動によって現れるフリッカ
を、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。

このように、正の整数ｎおよびｍを様々に設定することによって、変換比は任意の有理数
（ｎ／ｍ）として設定することができる。詳細な説明は省略するが、ｎが１０以下の範囲
では、
ｎ＝１，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝１（１倍速駆動、６０Ｈｚ）、
ｎ＝２，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝２（２倍速駆動、１２０Ｈｚ）、
ｎ＝３，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝３（３倍速駆動、１８０Ｈｚ）、
ｎ＝３，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝３／２（３／２倍速駆動、９０Ｈｚ）、
ｎ＝４，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝４（４倍速駆動、２４０Ｈｚ）、
ｎ＝４，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝４／３（４／３倍速駆動、８０Ｈｚ）、
ｎ＝５，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝５／１（５倍速駆動、３００Ｈｚ）、
ｎ＝５，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝５／２（５／２倍速駆動、１５０Ｈｚ）、
ｎ＝５，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝５／３（５／３倍速駆動、１００Ｈｚ）、
ｎ＝５，ｍ＝４、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝５／４（５／４倍速駆動、７５Ｈｚ）、
ｎ＝６，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝６（６倍速駆動、３６０Ｈｚ）、
ｎ＝６，ｍ＝５、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝６／５（６／５倍速駆動、７２Ｈｚ）、
ｎ＝７，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７（７倍速駆動、４２０Ｈｚ）、
ｎ＝７，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／２（７／２倍速駆動、２１０Ｈｚ）、
ｎ＝７，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／３（７／３倍速駆動、１４０Ｈｚ）、
ｎ＝７，ｍ＝４、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／４（７／４倍速駆動、１０５Ｈｚ）、
ｎ＝７，ｍ＝５、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／５（７／５倍速駆動、８４Ｈｚ）、
ｎ＝７，ｍ＝６、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／６（７／６倍速駆動、７０Ｈｚ）、
ｎ＝８，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝８（８倍速駆動、４８０Ｈｚ）、
ｎ＝８，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝８／３（８／３倍速駆動、１６０Ｈｚ）、
ｎ＝８，ｍ＝５、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝８／５（８／５倍速駆動、９６Ｈｚ）、
ｎ＝８，ｍ＝７、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝８／７（８／７倍速駆動、６８．６Ｈｚ）
、
ｎ＝９，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９（９倍速駆動、５４０Ｈｚ）、
ｎ＝９，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／２（９／２倍速駆動、２７０Ｈｚ）、
ｎ＝９，ｍ＝４、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／４（９／４倍速駆動、１３５Ｈｚ）、
ｎ＝９，ｍ＝５、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／５（９／５倍速駆動、１０８Ｈｚ）、
ｎ＝９，ｍ＝７、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／７（９／７倍速駆動、７７．１Ｈｚ）
、
ｎ＝９，ｍ＝８、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／８（９／８倍速駆動、６７．５Ｈｚ）
、
ｎ＝１０，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝１０（１０倍速駆動、６００Ｈｚ）、
ｎ＝１０，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝１０／３（１０／３倍速駆動、２００Ｈ
ｚ）、
ｎ＝１０，ｍ＝７、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝１０／７（１０／７倍速駆動、８５．７
Ｈｚ）、
ｎ＝１０，ｍ＝９、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝１０／９（１０／９倍速駆動、６６．７
Ｈｚ）、
以上の組み合わせが考えられる。なお、周波数の表記は入力フレームレートが６０Ｈｚで
あるときの例であり、その他の入力フレームレートに対しては、それぞれの変換比を入力
フレームレートと積算した値が駆動周波数となる。

なお、ｎが１０より大きい整数である場合については、具体的なｎおよびｍの数字は挙げ
ないが、様々なｎおよびｍに対し、この、第１のステップにおけるフレームレート変換の
手順が適用できることは明らかである。

なお、表示される画像のうち、入力される画像データに動き補償を行なうことなく表示で
きる画像がどの程度含まれているかによって、変換比を決定することができる。具体的に
は、ｍが小さいほど、入力される画像データに動き補償を行なうことなく表示できる画像
の割合は大きくなる。動き補償を行なう頻度が小さいと、動き補償を行なう回路の動作頻
度を減少させることができるため、消費電力を小さくでき、さらに、動き補償によってエ
ラーが含まれる画像（画像の動きを正確に反映していない中間画像）が作成されてしまう
可能性を低くすることができるため、画像の品質を向上させることができる。このような
変換比としては、ｎが１０以下の範囲においては、たとえば、１，２，３，３／２，４，
５，５／２，６，７，７／２，８，９，９／２，１０が挙げられる。このような変換比を
用いると、特に補間画像として動き補償によって求められた中間画像を用いる場合におい
て、画像の品質を高くすることができ、かつ、消費電力を低減することができる。なぜな
らば、ｍが２である場合は、入力される画像データに動き補償を行なうことなく表示でき
る画像の数が比較的多く（入力される画像データの総数に対して１／２だけ存在する）、
動き補償を行う頻度が減少するためである。さらに、ｍが１である場合は、入力される画
像データに動き補償を行なうことなく表示できる画像の数が多く（入力される画像データ
の総数に等しい）、動き補償を行うことがないためである。一方、ｍは大きいほど、精度
の高い動き補償によって作成された中間画像を用いることができるので、画像の動きをよ
り滑らかにできるという利点を有する。

なお、表示装置が液晶表示装置である場合は、液晶素子の応答時間にしたがって変換比を
決定することができる。ここでは、液晶素子の応答時間とは、液晶素子に印加する電圧を
変化させてから液晶素子が応答するまでの時間である。液晶素子の応答時間が、液晶素子
に印加する電圧の変化量によって異なる場合は、複数の代表的な電圧変化における応答時
間の平均値とすることができる。または、液晶素子の応答時間は、ＭＰＲＴ（Ｍｏｖｉｎ
ｇ Ｐｉｃｔｕｒｅ Ｒｅｓｐｏｎｓｅ Ｔｉｍｅ）で定義されるものであってもよい。
そして、フレームレート変換によって、画像表示周期が液晶素子の応答時間に近くなるよ
うに、変換比を決定できる。具体的には、液晶素子の応答時間は、入力画像データの周期
と変換比の逆数を積算した値から、この値の半分程度の値までの時間であることが好まし
い。こうすることで、液晶素子の応答時間に合った画像表示周期とすることができるので
、画質を向上することができる。たとえば、液晶素子の応答時間が４ミリ秒以上８ミリ秒
以下の場合に、倍速駆動（１２０Ｈｚ駆動）とすることができる。これは、１２０Ｈｚ駆
動の画像表示周期が約８ミリ秒であり、１２０Ｈｚ駆動の画像表示周期の半分が約４ミリ
秒であることによる。同様に、たとえば、液晶素子の応答時間が３ミリ秒以上６ミリ秒以
下の場合に、３倍速駆動（１８０Ｈｚ駆動）とすることができ、液晶素子の応答時間が５
ミリ秒以上１１ミリ秒以下の場合に、１．５倍速駆動（９０Ｈｚ駆動）とすることができ
、液晶素子の応答時間が２ミリ秒以上４ミリ秒以下の場合に、４倍速駆動（２４０Ｈｚ駆
動）とすることができ、液晶素子の応答時間が６ミリ秒以上１２ミリ秒以下の場合に、１
．２５倍速駆動（８０Ｈｚ駆動）とすることができる。なお、他の駆動周波数についても
同様である。

なお、変換比は、動画の品質と、消費電力および製造コストのトレードオフによっても決
定することができる。つまり、変換比を大きくすることによって動画の品質を上げること
ができる一方で、変換比を小さくすることによって消費電力および製造コストを低減でき
る。すなわち、ｎが１０以下の範囲における各々の変換比は、以下のような利点を有する
。

変換比が１である場合は、変換比が１より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、変換
比が１より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、ｍが小さ
いので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素子の応答時間
が入力画像データの周期の１倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上す
ることができる。

変換比が２である場合は、変換比が２より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、変換
比が２より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、ｍが小さ
いので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素子の応答時間
が入力画像データの周期の１／２倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向
上することができる。

変換比が３である場合は、変換比が３より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、変換
比が３より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、ｍが小さ
いので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素子の応答時間
が入力画像データの周期の１／３倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向
上することができる。

変換比が３／２である場合は、変換比が３／２より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が３／２より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが小さいので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素
子の応答時間が入力画像データの周期の２／３倍程度である液晶表示装置に適用すること
で、画質を向上することができる。

変換比が４である場合は、変換比が４より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、変換
比が４より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、ｍが小さ
いので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素子の応答時間
が入力画像データの周期の１／４倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向
上することができる。

変換比が４／３である場合は、変換比が４／３より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が４／３より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の３／４倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

変換比が５である場合は、変換比が５より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、変換
比が５より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、ｍが小さ
いので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素子の応答時間
が入力画像データの周期の１／５倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向
上することができる。

変換比が５／２である場合は、変換比が５／２より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が５／２より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが小さいので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素
子の応答時間が入力画像データの周期の２／５倍程度である液晶表示装置に適用すること
で、画質を向上することができる。

変換比が５／３である場合は、変換比が５／３より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が５／３より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の３／５倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

変換比が５／４である場合は、変換比が５／４より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が５／４より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の４／５倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

変換比が６である場合は、変換比が６より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、変換
比が６より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、ｍが小さ
いので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素子の応答時間
が入力画像データの周期の１／６倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向
上することができる。

変換比が６／５である場合は、変換比が６／５より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が６／５より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の５／６倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

変換比が７である場合は、変換比が７より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、変換
比が７より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、ｍが小さ
いので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素子の応答時間
が入力画像データの周期の１／７倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向
上することができる。

変換比が７／２である場合は、変換比が７／２より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が７／２より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが小さいので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素
子の応答時間が入力画像データの周期の２／７倍程度である液晶表示装置に適用すること
で、画質を向上することができる。

変換比が７／３である場合は、変換比が７／３より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が７／３より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の３／７倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

変換比が７／４である場合は、変換比が７／４より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が７／４より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の４／７倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

変換比が７／５である場合は、変換比が７／５より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が７／５より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の５／７倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

変換比が７／６である場合は、変換比が７／６より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が７／６より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の６／７倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

変換比が８である場合は、変換比が８より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、変換
比が８より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、ｍが小さ
いので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素子の応答時間
が入力画像データの周期の１／８倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向
上することができる。

変換比が８／３である場合は、変換比が８／３より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が８／３より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の３／８倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

変換比が８／５である場合は、変換比が８／５より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が８／５より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の５／８倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

変換比が８／７である場合は、変換比が８／７より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が８／７より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の７／８倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

変換比が９である場合は、変換比が９より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、変換
比が９より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、ｍが小さ
いので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素子の応答時間
が入力画像データの周期の１／９倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向
上することができる。

変換比が９／２である場合は、変換比が９／２より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が９／２より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが小さいので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素
子の応答時間が入力画像データの周期の２／９倍程度である液晶表示装置に適用すること
で、画質を向上することができる。

変換比が９／４である場合は、変換比が９／４より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が９／４より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の４／９倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

変換比が９／５である場合は、変換比が９／５より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が９／５より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の５／９倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

変換比が９／７である場合は、変換比が９／７より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が９／７より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の７／９倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

変換比が９／８である場合は、変換比が９／８より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が９／８より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の８／９倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

変換比が１０である場合は、変換比が１０より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、
変換比が１０より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、ｍ
が小さいので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素子の応
答時間が入力画像データの周期の１／１０倍程度である液晶表示装置に適用することで、
画質を向上することができる。

変換比が１０／３である場合は、変換比が１０／３より小さい場合よりも動画の品質を向
上でき、変換比が１０／３より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる
。さらに、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答
時間が入力画像データの周期の３／１０倍程度である液晶表示装置に適用することで、画
質を向上することができる。

変換比が１０／７である場合は、変換比が１０／７より小さい場合よりも動画の品質を向
上でき、変換比が１０／７より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる
。さらに、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答
時間が入力画像データの周期の７／１０倍程度である液晶表示装置に適用することで、画
質を向上することができる。

変換比が１０／９である場合は、変換比が１０／９より小さい場合よりも動画の品質を向
上でき、変換比が１０／９より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる
。さらに、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答
時間が入力画像データの周期の９／１０倍程度である液晶表示装置に適用することで、画
質を向上することができる。

なお、ｎが１０より大きい範囲における各々の変換比においても、同様な利点を有するの
は明らかである。

次に、第２のステップとして、入力された画像データにしたがった画像または第１のステ
ップにおいて任意の有理数（ｎ／ｍ）倍にフレームレート変換された各々の画像（元画像
と呼ぶこととする）から、異なる複数の画像（サブ画像）を作成し、当該複数のサブ画像
を時間的に連続して提示する方法について説明する。こうすることによって、実際は複数
の画像を提示しているのにもかかわらず、見た目上、１つの元画像が表示されたように人
間の目に知覚させることもできる。

なお、ここでは、１つの元画像から作成されたサブ画像のうち、先に表示されるサブ画像
を、第１のサブ画像と呼ぶこととする。ここで、第１のサブ画像を表示するタイミングは
、第１のステップで決められた元画像を表示するタイミングと同じであるとする。一方、
その後に表示されるサブ画像を、第２のサブ画像と呼ぶこととする。第２のサブ画像を表
示するタイミングは、第１のステップで決められた元画像を表示するタイミングに関わら
ず、任意に決めることができる。なお、実際に表示させる画像は、第２のステップにおけ
る方法により元画像から作成された画像である。なお、サブ画像を作成するための元画像
も、様々な画像を用いることができる。なお、サブ画像の数は２つに限定されず、２つよ
り大きくてもよい。第２のステップにおいては、サブ画像の数をＪ個（Ｊは２以上の整数
）と表記する。このとき、第１のステップで決められた元画像を表示するタイミングと同
じタイミングで表示されるサブ画像を、第１のサブ画像と呼び、それ以降に続いて表示さ
れるサブ画像を、表示される順番にしたがって第２のサブ画像、第３のサブ画像〜第Ｊの
サブ画像、と呼ぶこととする。

１つの元画像から複数のサブ画像を作成する方法としては、様々なものがあるが、主なも
のとしては次のような方法を挙げることができる。１つは、元画像をそのままサブ画像と
して用いる方法である。１つは、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法である
。１つは、動き補償によって求めた中間画像をサブ画像として用いる方法である。

ここで、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法は、さらに複数の方法に分ける
ことができる。主なものとしては次のような方法を挙げることができる。１つは、少なく
とも１つのサブ画像を黒画像とする方法（黒挿入法と呼ぶこととする）である。１つは、
元画像の明るさを複数の範囲に分割し、当該範囲における明るさを制御するときは、全て
のサブ画像のうち唯１つのサブ画像によって行なう方法（時分割階調制御法と呼ぶことと
する）である。１つは、一方のサブ画像を、元画像のガンマ値を変更した明るい画像とし
、他方のサブ画像を、元画像のガンマ値を変更した暗い画像とする方法（ガンマ補完法と
呼ぶこととする）である。

上に挙げたいくつかの方法を、それぞれ簡単に説明する。元画像をそのままサブ画像とし
て用いる方法は、第１のサブ画像として、元画像をそのまま用いる。さらに、第２のサブ
画像として、元画像をそのまま用いる。この方法を用いると、サブ画像を新たに作成する
回路を動作させることがない、または当該回路そのものを用いる必要がなくなるため、消
費電力および製造コストを低減することができる。特に、液晶表示装置においては、第１
のステップにおいて、動き補償によって求めた中間画像を補間画像としたフレームレート
変換を行なった後にこの方法を用いることが好ましい。なぜならば、動き補償によって求
めた中間画像を補間画像とすることで、動画の動きを滑らかにしつつ、同じ画像を繰り返
し表示することで、液晶素子のダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足に起
因する、動画の尾引き、残像等の障害を低減することができるからである。

次に、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法における、画像の明るさおよびサ
ブ画像が表示される期間の長さの設定方法について詳細に説明する。なお、Ｊはサブ画像
の数を表し、２以上の整数であるとする。小文字のｊは大文字のＪとは区別される。ｊは
１以上Ｊ以下の整数であるとする。
通常のホールド駆動における画素の明るさをＬ、元画像データの周期をＴ、
第ｊのサブ画像における画素の明るさをＬ_ｊ、第ｊのサブ画像が表示される期間の長さを
Ｔ_ｊ、とすると、Ｌ_ｊとＴ_ｊについて積をとり、これのｊ＝１からｊ＝Ｊまでの総和（Ｌ
_１Ｔ_１＋Ｌ_２Ｔ_２＋〜＋Ｌ_ＪＴ_Ｊ）が、ＬとＴの積（ＬＴ）と等しくなっていること（明
るさが不変であること）が好ましい。さらに、Ｔ_ｊの、ｊ＝１からｊ＝Ｊまでの総和（Ｔ
_１＋Ｔ_２＋〜＋Ｔ_Ｊ）が、Ｔと等しくなっていること（元画像の表示周期が維持されるこ
と）が好ましい。ここで、明るさが不変であり、かつ、元画像の表示周期が維持されるこ
とを、サブ画像分配条件と呼ぶこととする。

元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、黒挿入法は、少なくとも１つの
サブ画像を黒画像とする方法である。こうすることによって、表示方法を擬似的にインパ
ルス型とすることができるため、表示方法がホールド型であることに起因する動画の品質
の低下を防ぐことができる。ここで、黒画像の挿入に伴う、表示画像の明るさの低下を防
ぐために、サブ画像分配条件に従うことが好ましい。しかし、表示画像の明るさの低下が
許容できるような状況（周囲が暗い等）である場合、ユーザによって表示画像の明るさの
低下が許容する設定になっている場合などであれば、サブ画像分配条件に従わなくてもよ
い。たとえば、１つのサブ画像は元画像と同じものとし、他のサブ画像を黒画像としても
よい。この場合は、サブ画像分配条件にしたがったときと比べて、消費電力を低減できる
。さらに、液晶表示装置においては、一方のサブ画像を、明るさの最大値に制限をつけず
に元画像の全体的な明るさを大きくしたものとするとき、バックライトの明るさを大きく
することで、サブ画像分配条件を実現してもよい。この場合は、画素に書き込む電圧値を
制御することなく、サブ画像分配条件を満足することができるため、画像処理回路の動作
を省略でき、消費電力を低減できる。

なお、黒挿入法は、いずれか１つのサブ画像において、全ての画素のＬ_ｊを０とすること
を特徴とする。こうすることにより、表示方法を擬似的にインパルス型とすることができ
るため、表示方法がホールド型であることに起因する動画の品質の低下を防ぐことができ
る。

元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、時分割階調制御法は、元画像の
明るさを複数の範囲に分割し、当該範囲における明るさを制御するときは、全てのサブ画
像のうち唯１つのサブ画像によって行なう方法である。こうすることによって、明るさを
低下させることなく、表示方法を擬似的にインパルス型とすることができるため、表示方
法がホールド型であることに起因する動画の品質の低下を防ぐことができる。

元画像の明るさを複数の範囲に分割する方法としては、明るさの最大値（Ｌ_ｍａｘ）を、
サブ画像の数だけ分割する方法がある。これは、たとえば、０からＬ_ｍａｘまでの明るさ
が２５６段階（階調０から階調２５５）で調節できる表示装置において、サブ画像の数を
２としたとき、階調０から階調１２７までを表示するときは、一方のサブ画像の明るさを
階調０から階調２５５の範囲で調節する一方で、他方のサブ画像の明るさを階調０とし、
階調１２８から階調２５５までを表示するときは、一方のサブ画像の明るさを階調２５５
とする一方で、他方のサブ画像の明るさを階調０から階調２５５の範囲で調節する方法で
ある。こうすることによって、元画像が表示されたように人間の目に知覚させることがで
き、かつ、擬似的にインパルス型とすることができるので、ホールド型であることに起因
する動画の品質の低下を防ぐことができる。なお、サブ画像の数は２より大きくてもよい
。たとえば、サブ画像の数を３としたときは、元画像の明るさの段階（階調０から階調２
５５）を、３つに分割する。なお、元画像の明るさの段階の数とサブ画像の数によっては
、明るさの段階の数がサブ画像の数で割り切れない場合もあるが、分割後のそれぞれの明
るさの範囲に含まれる明るさの段階の数は、ちょうど同じでなくても、適宜振り分ければ
よい。

なお、時分割階調制御法においても、サブ画像分配条件を満たすことによって、明るさの
低下などがおこらず、元画像と同様な画像を表示することができるため、好ましい。

元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、ガンマ補完法は、一方のサブ画
像を、元画像のガンマ特性を変更した明るい画像とし、他方のサブ画像を、元画像のガン
マ特性を変更した暗い画像とする方法である。こうすることによって、明るさを低下させ
ることなく、表示方法を擬似的にインパルス型とすることができるため、表示方法がホー
ルド型であることに起因する動画の品質の低下を防ぐことができる。ここで、ガンマ特性
とは、明るさの段階（階調）に対する明るさの程度のことである。通常、ガンマ特性は線
形に近くなるように調整される。これは、明るさの段階である階調に対する明るさの変化
が比例するようにすれば、滑らかな階調を得ることができるからである。ガンマ補完法で
は、一方のサブ画像のガンマ特性を線形からずらして、中間の明るさ（中間調）の領域に
おいて、線形よりも明るくなるように調整する（中間調が本来よりも明るい画像となる）
。そして、他方のサブ画像のガンマ特性も線形からずらして、同じく中間調の領域におい
て、線形よりも暗くなるように調整する（中間調が本来よりも暗い画像となる）。ここで
、一方のサブ画像を線形より明るくした量と、他方のサブ画像を線形より暗くした量を、
全ての階調において概等しくすることが好ましい。こうすることで、元画像が表示された
ように人間の目に知覚させることができ、かつ、ホールド型であることに起因する動画の
品質の低下を防ぐことができる。なお、サブ画像の数は２より大きくてもよい。たとえば
、サブ画像の数を３としたときは、３つのサブ画像について、それぞれガンマ特性を調整
し、線形から明るくした量の合計と、線形から暗くした量の合計が概等しくなるようにす
ればよい。

なお、ガンマ補完法においても、サブ画像分配条件を満たすことによって、明るさの低下
などがおこらず、元画像と同様な画像を表示することができるため、好ましい。さらに、
ガンマ補完法においては、階調に対するそれぞれのサブ画像の明るさＬ_ｊの変化がガンマ
曲線にしたがっているため、それぞれのサブ画像がそれ自体で階調を滑らかに表示でき、
最終的に人間の目で知覚される画像の品質も向上するという利点を有する。

動き補償によって求めた中間画像をサブ画像として用いる方法は、一方のサブ画像を、前
後の画像から動き補償によって求めた中間画像とする方法である。こうすることで、画像
の動きを滑らかにすることができるので、動画の品質を向上できる。

次に、サブ画像を表示するタイミングと、サブ画像を作成する方法との関係について説明
する。第１のサブ画像を表示するタイミングは、第１のステップで決められた元画像を表
示するタイミングと同じであり、第２のサブ画像を表示するタイミングは、第１のステッ
プで決められた元画像を表示するタイミングに関わらず、任意に決めることができるとし
たが、第２のサブ画像を表示するタイミングにしたがって、サブ画像自体を変化させても
よい。こうすることで、第２のサブ画像を表示するタイミングを様々に変化させたとして
も、元画像が表示されたように人間の目に知覚させることができる。具体的には、第２の
サブ画像を表示するタイミングを早くした場合は、第１のサブ画像はより明るくし、第２
のサブ画像はより暗くすることができる。さらに、第２のサブ画像を表示するタイミング
を遅くした場合は、第１のサブ画像はより暗くし、第２のサブ画像はより明るくすること
ができる。これは、人間の目が知覚する明るさは、画像を表示する期間の長さによって変
わるためである。より詳細には、人間の目が知覚する明るさは、画像を表示する期間が長
いほど明るくなり、画像を表示する期間が短いほど暗くなる。すなわち、第２のサブ画像
を表示するタイミングを早くすることによって、第１のサブ画像を表示する期間の長さが
短くなり、第２のサブ画像を表示する期間の長さが長くなるため、そのままでは第１のサ
ブ画像は暗く、第２のサブ画像は明るく、人間の目に知覚されてしまう。その結果、元画
像とは異なる画像が人間の目に知覚されてしまうことになるが、これを防ぐために、第１
のサブ画像はより明るくし、第２のサブ画像はより暗くすることができる。同様に、第２
のサブ画像を表示するタイミングを遅くすることによって、第１のサブ画像を表示する期
間の長さが長くなり、第２のサブ画像を表示する期間の長さが短くなる場合は、第１のサ
ブ画像はより暗くし、第２のサブ画像はより明るくすることができる。

上記の説明に基づいて、第２のステップにおける処理手順を、以下に示す。
手順１として、１つの元画像から複数のサブ画像を作成する方法を決定する。より詳細に
は、複数のサブ画像を作成する方法は、元画像をそのままサブ画像として用いる方法、元
画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法、動き補償によって求めた中間画像をサブ
画像として用いる方法、から選択することができる。
手順２として、サブ画像の数Ｊを決定する。なお、Ｊは２以上の整数である。
手順３として、第ｊのサブ画像における画素の明るさＬ_ｊ、第ｊのサブ画像が表示される
期間の長さＴ_ｊを、手順１で選択した方法にしたがって決定する。手順３により、それぞ
れのサブ画像が表示される期間の長さと、それぞれのサブ画像に含まれる個々の画素の明
るさが具体的に決められる。
手順４として、手順１乃至手順３のそれぞれで決定された事項にしたがって、元画像を処
理し、実際に表示する。
手順５として、対象とする元画像を次の元画像に移す。そして、手順１に戻る。

なお、第２のステップにおける手順を実行する仕組みは、装置に実装されたものであって
もよいし、装置の設計段階であらかじめ決められたものであってもよい。第２のステップ
における手順を実行する仕組みが装置に実装されていれば、状況に応じた最適な動作が行
われるように、駆動方法を切り替えることが可能となる。なお、ここでいう状況とは、画
像データの内容、装置内外の環境（温度、湿度、気圧、光、音、磁界、電界、放射線量、
高度、加速度、移動速度、等）、ユーザ設定、ソフトウエアバージョン、等を含む。一方
、第２のステップにおける手順を実行する仕組みが装置の設計段階であらかじめ決められ
たものであれば、それぞれの駆動方法に最適な駆動回路を用いることができ、さらに、仕
組みが決められていることによって、量産効果による製造コストの低減が期待できる。

次に、第２のステップにおける手順によって決められる様々な駆動方法を、それぞれ、第
１のステップにおけるｎおよびｍの値を具体的に示して詳細に説明する。

第２のステップにおける手順１において、元画像をそのままサブ画像として用いる方法が
選択された場合、駆動方法は次のようになる。

第ｉ（ｉは正の整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、が、一定の周期Ｔで順
次用意され、前記周期Ｔは、Ｊ（Ｊは２以上の整数）個のサブ画像表示期間に分割され、
前記第ｉの画像データは、複数の画素にそれぞれ固有の明るさＬを持たせることができる
データであり、第ｊ（ｊは１以上Ｊ以下の整数）のサブ画像は、それぞれ固有の明るさＬ
_ｊを持つ画素が複数並置されることによって構成され、第ｊのサブ画像表示期間Ｔ_ｊだけ
表示される画像であり、前記Ｌ、前記Ｔ、前記Ｌ_ｊ、前記Ｔ_ｊ、を、サブ画像分配条件を
満たす表示装置の駆動方法であって、全てのｊにおいて、第ｊのサブ画像に含まれるそれ
ぞれの画素の明るさＬ_ｊが、それぞれの画素に対しＬ_ｊ＝Ｌであることを特徴とする。こ
こで、一定の周期Ｔで順次用意される画像データとしては、第１のステップにおいて作成
された元画像データを用いることができる。すなわち、第１のステップの説明で挙げた全
ての表示パターンを、上記駆動方法と組み合わせることができる。

そして、第２のステップにおける手順２において、サブ画像の数Ｊが２と決定され、手順
３において、Ｔ_１＝Ｔ_２＝Ｔ／２と決定された場合、上記駆動方法は、図７５に示すよう
なものとなる。
図７５において、横軸は時間であり、縦軸は第１のステップにおいて用いた様々なｎおよ
びｍについて場合分けを行なって示したものである。

たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝１，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）が１で
あるときは、図７５のｎ＝１，ｍ＝１の箇所に示すような駆動方法となる。このとき、表
示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの２倍（２倍速駆動）となる
。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フレームレート
は１２０Ｈｚ（１２０Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力される画像データに対し
、画像を２回連続して表示することになる。ここで、２倍速駆動である場合は、フレーム
レートが２倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、２倍速より大きい場合より
も消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第２のステップの手順１において、
元画像をそのままサブ画像として用いる方法が選択されることによって、動き補償によっ
て中間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自体を装置から省略することがで
きるため、消費電力および装置の製造コストを低減することができる。さらに、表示装置
がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタンス
による書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特
に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流駆動と１２０Ｈｚ駆動を
組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周波数を１２０Ｈｚとし
つつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一（たとえば、３０Ｈｚ、６０Ｈｚ
、１２０Ｈｚ、２４０Ｈｚ等）とすることによって、交流駆動によって現れるフリッカを
、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の１／２倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝２，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が２であるときは、図７５のｎ＝２，ｍ＝１の箇所に示すような駆動方法となる。この
とき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの４倍（４倍速駆動
）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フレー
ムレートは２４０Ｈｚ（２４０Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力される画像デー
タに対し、画像を４回連続して表示することになる。このとき、第１のステップにおける
補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかにす
ることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、４倍速
駆動である場合は、フレームレートが４倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上でき
、４倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第２の
ステップの手順１において、元画像をそのままサブ画像として用いる方法が選択されるこ
とによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自体
を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製造コストを低減すること
ができる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、
ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾
引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の
交流駆動と２４０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の
駆動周波数を２４０Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一（た
とえば、３０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１２０Ｈｚ、２４０Ｈｚ等）とすることによって、交流駆
動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。さ
らに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の１／４倍程度である液晶表示装置に
適用することで、画質を向上することができる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝３，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が３であるときは、図７５のｎ＝３，ｍ＝１の箇所に示すような駆動方法となる。この
とき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの６倍（６倍速駆動
）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フレー
ムレートは３６０Ｈｚ（３６０Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力される画像デー
タに対し、画像を６回連続して表示することになる。このとき、第１のステップにおける
補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかにす
ることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、６倍速
駆動である場合は、フレームレートが６倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上でき
、６倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第２の
ステップの手順１において、元画像をそのままサブ画像として用いる方法が選択されるこ
とによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自体
を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製造コストを低減すること
ができる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、
ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾
引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の
交流駆動と３６０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の
駆動周波数を３６０Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一（た
とえば、３０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１２０Ｈｚ、１８０Ｈｚ等）とすることによって、交流駆
動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。さ
らに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の１／６倍程度である液晶表示装置に
適用することで、画質を向上することができる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝３，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が３／２であるときは、図７５のｎ＝３，ｍ＝２の箇所に示すような駆動方法となる。
このとき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの３倍（３倍速
駆動）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フ
レームレートは１８０Ｈｚ（１８０Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力される画像
データに対し、画像を３回連続して表示することになる。このとき、第１のステップにお
ける補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らか
にすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、３
倍速駆動である場合は、フレームレートが３倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上
でき、３倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第
２のステップの手順１において、元画像をそのままサブ画像として用いる方法が選択され
ることによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路
自体を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製造コストを低減する
ことができる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合
は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画
の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装
置の交流駆動と１８０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装
置の駆動周波数を１８０Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一
（たとえば、３０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１２０Ｈｚ、１８０Ｈｚ等）とすることによって、交
流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる
。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の１／３倍程度である液晶表示装
置に適用することで、画質を向上することができる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝４，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が４であるときは、図７５のｎ＝４，ｍ＝１の箇所に示すような駆動方法となる。この
とき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの８倍（８倍速駆動
）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フレー
ムレートは４８０Ｈｚ（４８０Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力される画像デー
タに対し、画像を８回連続して表示することになる。このとき、第１のステップにおける
補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかにす
ることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、８倍速
駆動である場合は、フレームレートが８倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上でき
、８倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第２の
ステップの手順１において、元画像をそのままサブ画像として用いる方法が選択されるこ
とによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自体
を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製造コストを低減すること
ができる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、
ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾
引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の
交流駆動と４８０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の
駆動周波数を４８０Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一（た
とえば、３０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１２０Ｈｚ、２４０Ｈｚ等）とすることによって、交流駆
動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。さ
らに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の１／８倍程度である液晶表示装置に
適用することで、画質を向上することができる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝４，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が４／３であるときは、図７５のｎ＝４，ｍ＝３の箇所に示すような駆動方法となる。
このとき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの８／３倍（８
／３倍速駆動）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば
、表示フレームレートは１６０Ｈｚ（１６０Ｈｚ駆動）である。そして、３つの入力され
る画像データに対し、画像を８回連続して表示することになる。このとき、第１のステッ
プにおける補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを
滑らかにすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここ
で、８／３倍速駆動である場合は、フレームレートが８／３倍速より小さい場合よりも動
画の品質を向上でき、８／３倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減
できる。さらに、第２のステップの手順１において、元画像をそのままサブ画像として用
いる方法が選択されることによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を
停止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製
造コストを低減することができる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶
表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回
避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。
さらに、液晶表示装置の交流駆動と１６０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。す
なわち、液晶表示装置の駆動周波数を１６０Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数
倍または整数分の一（たとえば、４０Ｈｚ、８０Ｈｚ、１６０Ｈｚ、３２０Ｈｚ等）とす
ることによって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低
減することができる。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の３／８倍程
度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上することができる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝５，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が５であるときは、図７５のｎ＝５，ｍ＝１の箇所に示すような駆動方法となる。この
とき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの１０倍（１０倍速
駆動）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フ
レームレートは６００Ｈｚ（６００Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力される画像
データに対し、画像を１０回連続して表示することになる。このとき、第１のステップに
おける補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑ら
かにすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、
１０倍速駆動である場合は、フレームレートが１０倍速より小さい場合よりも動画の品質
を向上でき、１０倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さ
らに、第２のステップの手順１において、元画像をそのままサブ画像として用いる方法が
選択されることによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を停止または
当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製造コストを
低減することができる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置で
ある場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるた
め、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液
晶表示装置の交流駆動と６００Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液
晶表示装置の駆動周波数を６００Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整
数分の一（たとえば、３０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１００Ｈｚ、１２０Ｈｚ等）とすることによ
って、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減すること
ができる。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の１／１０倍程度である
液晶表示装置に適用することで、画質を向上することができる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝５，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が５／２であるときは、図７５のｎ＝５，ｍ＝２の箇所に示すような駆動方法となる。
このとき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの５倍（５倍速
駆動）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フ
レームレートは３００Ｈｚ（３００Ｈｚ駆動）である。そして、１つの入力される画像デ
ータに対し、画像を５回連続して表示することになる。このとき、第１のステップにおけ
る補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかに
することができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、５倍
速駆動である場合は、フレームレートが５倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、５倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第２
のステップの手順１において、元画像をそのままサブ画像として用いる方法が選択される
ことによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自
体を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製造コストを低減するこ
とができる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は
、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の
尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置
の交流駆動と３００Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置
の駆動周波数を３００Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一（
たとえば、３０Ｈｚ、５０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１００Ｈｚ等）とすることによって、交流駆
動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。さ
らに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の１／５倍程度である液晶表示装置に
適用することで、画質を向上することができる。

このように、第２のステップにおける手順１において、元画像をそのままサブ画像として
用いる方法が選択され、
第２のステップにおける手順２において、サブ画像の数が２と決定され、
第２のステップにおける手順３において、Ｔ１＝Ｔ２＝Ｔ／２と決定された場合は、第１
のステップにおけるｎおよびｍの値によって決められる変換比のフレームレート変換に対
し、表示フレームレートをさらに２倍のフレームレートとすることができるため、動画の
品質をさらに向上させることが可能となる。さらに、当該表示フレームレートより小さい
表示フレームレートである場合よりも動画の品質を向上でき、当該表示フレームレートよ
り大きい表示フレームレートである場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。
さらに、第２のステップの手順１において、元画像をそのままサブ画像として用いる方法
が選択されることによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を停止また
は当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製造コスト
を低減することができる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置
である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できる
ため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、
液晶表示装置の駆動周波数を大きくしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分
の一とすることによって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない
程度に低減することができる。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の（
１／（変換比の２倍））倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上するこ
とができる。

なお、詳細な説明が省略したが、上に上げた変換比以外の場合においても、同様な利点を
有するのは明らかである。たとえば、ｎが１０以下の範囲においては、上に挙げたものの
ほかに、
ｎ＝５，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝５／３（１０／３倍速駆動、２００Ｈｚ）
、
ｎ＝５，ｍ＝４、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝５／４（５／２倍速駆動、１５０Ｈｚ）、
ｎ＝６，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝６（１２倍速駆動、７２０Ｈｚ）、
ｎ＝６，ｍ＝５、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝６／５（１２／５倍速駆動、１４４Ｈｚ）
、
ｎ＝７，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７（１４倍速駆動、８４０Ｈｚ）、
ｎ＝７，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／２（７倍速駆動、４２０Ｈｚ）、
ｎ＝７，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／３（１４／３倍速駆動、２８０Ｈｚ）
、
ｎ＝７，ｍ＝４、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／４（７／２倍速駆動、２１０Ｈｚ）、
ｎ＝７，ｍ＝５、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／５（１４／５倍速駆動、１６８Ｈｚ）
、
ｎ＝７，ｍ＝６、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／６（７／３倍速駆動、１４０Ｈｚ）、
ｎ＝８，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝８（１６倍速駆動、９６０Ｈｚ）、
ｎ＝８，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝８／３（１６／３倍速駆動、３２０Ｈｚ）
、
ｎ＝８，ｍ＝５、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝８／５（１６／５倍速駆動、１９２Ｈｚ）
、
ｎ＝８，ｍ＝７、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝８／７（１６／７倍速駆動、１３７Ｈｚ）
、
ｎ＝９，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９（１８倍速駆動、１０８０Ｈｚ）、
ｎ＝９，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／２（９倍速駆動、５４０Ｈｚ）、
ｎ＝９，ｍ＝４、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／４（９／２倍速駆動、２７０Ｈｚ）、
ｎ＝９，ｍ＝５、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／５（１８／５倍速駆動、２１６Ｈｚ）
、
ｎ＝９，ｍ＝７、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／７（１８／７倍速駆動、１５４Ｈｚ）
、
ｎ＝９，ｍ＝８、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／８（９／４倍速駆動、１３５Ｈｚ）、
ｎ＝１０，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝１０（２０倍速駆動、１２００Ｈｚ）、
ｎ＝１０，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝１０／３（２０／３倍速駆動、４００Ｈ
ｚ）、
ｎ＝１０，ｍ＝７、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝１０／７（２０／７倍速駆動、１７１Ｈ
ｚ）、
ｎ＝１０，ｍ＝９、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝１０／９（２０／９倍速駆動、１３３Ｈ
ｚ）、
以上の組み合わせが考えられる。なお、周波数の表記は入力フレームレートが６０Ｈｚで
あるときの例であり、その他の入力フレームレートに対しては、それぞれの変換比の２倍
を入力フレームレートと積算した値が駆動周波数となる。

なお、ｎが１０より大きい整数である場合については、具体的なｎおよびｍの数字は挙げ
ないが、様々なｎおよびｍに対し、この、第２のステップにおける手順が適用できること
は明らかである。

なお、Ｊ＝２とする場合、第１のステップにおける変換比が２より大きいと、特に効果的
である。なぜならば、第２のステップにおいて、サブ画像の数をＪ＝２のように比較的小
さくすれば、その分、第１のステップにおける変換比を大きくすることができるからであ
る。このような変換比は、ｎが１０以下の範囲においては、３、４、５、５／２、６、７
、７／２、７／３、８、８／３、９、９／２、９／４、１０、１０／３、が挙げられる。
第１のステップ後の表示フレームレートがこのような値の場合、Ｊ＝３以上とすることに
よって、第２のステップにおけるサブ画像の数が小さいことによる利点（消費電力および
製造コストの低減等）と、最終的な表示フレームレートが大きいことによる利点（動画の
品質向上、フリッカの低減等）を、両立させることが可能となる。

なお、ここでは、手順２においてサブ画像の数Ｊが２と決定され、手順３においてＴ_１＝
Ｔ_２＝Ｔ／２と決定された場合について説明したが、これに限定されないのは明らかであ
る。

たとえば、第２のステップにおける手順３において、Ｔ_１＜Ｔ_２と決定された場合は、第
１のサブ画像をより明るく、第２のサブ画像をより暗くすることができる。さらに、第２
のステップにおける手順３において、Ｔ_１＞Ｔ_２と決定された場合は、第１のサブ画像を
より暗く、第２のサブ画像をより明るくすることができる。こうすることで、元画像をき
ちんと人間の目に知覚させることができると同時に、表示を擬似的にインパルス駆動にす
ることもできるため、動画の品質を向上できる。ただし、上記の駆動方法のように、手順
１において、元画像をそのままサブ画像として用いる方法が選択された場合は、サブ画像
の明るさを変化させずに、そのまま表示してもよい。なぜならば、この場合はサブ画像と
して用いる画像が同じであるため、サブ画像の表示タイミングに関わらず、元画像をきち
んと表示することができるからである。

さらに、手順２において、サブ画像の数Ｊが２ではなく、それ以外の値に決定されてもよ
いことは明らかである。この場合、第１のステップにおけるｎおよびｍの値によって決め
られる変換比のフレームレート変換に対し、表示フレームレートをさらにＪ倍のフレーム
レートとすることができるため、動画の品質をさらに向上させることが可能となる。さら
に、当該表示フレームレートより小さい表示フレームレートである場合よりも動画の品質
を向上でき、当該表示フレームレートより大きい表示フレームレートである場合よりも消
費電力および製造コストを低減できる。さらに、第２のステップの手順１において、元画
像をそのままサブ画像として用いる方法が選択されることによって、動き補償によって中
間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自体を装置から省略することができる
ため、消費電力および装置の製造コストを低減することができる。さらに、表示装置がア
クティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによ
る書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕
著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の駆動周波数を大きくしつつ、交流
駆動の周波数をその整数倍または整数分の一とすることによって、交流駆動によって現れ
るフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。さらに、液晶素子
の応答時間が入力画像データの周期の（１／（変換比のＪ倍））倍程度である液晶表示装
置に適用することで、画質を向上することができる。

たとえば、Ｊ＝３である場合は、特に、サブ画像の数が３より小さい場合よりも動画の品
質を向上でき、サブ画像の数が３より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減
できるという利点を有する。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の（１
／（変換比の３倍））倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上すること
ができる。

さらに、たとえば、Ｊ＝４である場合は、特に、サブ画像の数が４より小さい場合よりも
動画の品質を向上でき、サブ画像の数が４より大きい場合よりも消費電力および製造コス
トを低減できるという利点を有する。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周
期の（１／（変換比の４倍））倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

さらに、たとえば、Ｊ＝５である場合は、特に、サブ画像の数が５より小さい場合よりも
動画の品質を向上でき、サブ画像の数が５より大きい場合よりも消費電力および製造コス
トを低減できるという利点を有する。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周
期の（１／（変換比の５倍））倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

さらに、Ｊが上に挙げたもの以外であっても、同様な利点を有する。

なお、Ｊ＝３以上とする場合、第１のステップにおける変換比は様々な値をとることがで
きるが、特に、第１のステップにおける変換比が比較的小さい場合（２以下）に、Ｊ＝３
以上とするのが効果的である。なぜならば、第１のステップ後の表示フレームレートが比
較的小さければ、その分、第２のステップにおいて、Ｊを大きくすることができるからで
ある。このような変換比は、ｎが１０以下の範囲においては、１、２、３／２、４／３、
５／３、５／４、６／５、７／４、７／５、７／６、８／７、９／５、９／７、９／８、
１０／７、１０／９、が挙げられる。このうち、変換比が１、２、３／２、４／３、５／
３、５／４の場合については、図７６に図示する。このように、第１のステップ後の表示
フレームレートが比較的小さな値の場合、Ｊ＝３以上とすることによって、第１のステッ
プにおける表示フレームレートが小さいことによる利点（消費電力および製造コストの低
減等）と、最終的な表示フレームレートが大きいことによる利点（動画の品質向上、フリ
ッカの低減等）を、両立させることが可能となる。

次に、第２のステップにおける手順によって決められる駆動方法の別の例について説明す
る。

第２のステップにおける手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方
法のうち、黒挿入法が選択された場合、駆動方法は次のようになる。

第ｉ（ｉは正の整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、が、一定の周期Ｔで順
次用意され、前記周期Ｔは、Ｊ（Ｊは２以上の整数）個のサブ画像表示期間に分割され、
前記第ｉの画像データは、複数の画素にそれぞれ固有の明るさＬを持たせることができる
データであり、第ｊ（ｊは１以上Ｊ以下の整数）のサブ画像は、それぞれ固有の明るさＬ
_ｊを持つ画素が複数並置されることによって構成され、第ｊのサブ画像表示期間Ｔ_ｊだけ
表示される画像であり、前記Ｌ、前記Ｔ、前記Ｌ_ｊ、前記Ｔ_ｊ、を、サブ画像分配条件を
満たす表示装置の駆動方法であって、少なくとも１つのｊにおいて、第ｊのサブ画像に含
まれる全て画素の明るさＬ_ｊが、Ｌ_ｊ＝０であることを特徴とする。ここで、一定の周期
Ｔで順次用意される画像データとしては、第１のステップにおいて作成された元画像デー
タを用いることができる。すなわち、第１のステップの説明で挙げた全ての表示パターン
を、上記駆動方法と組み合わせることができる。

なお、上記の駆動方法は、第１のステップにおいて用いた様々なｎおよびｍについて、そ
れぞれ組み合わせて実施できることは明らかである。

そして、第２のステップにおける手順２において、サブ画像の数Ｊが２と決定され、手順
３において、Ｔ_１＝Ｔ_２＝Ｔ／２と決定された場合、上記駆動方法は、図７５に示すよう
なものとなる。図７５に示す駆動方法（様々なｎおよびｍにおける表示タイミング）の特
徴および利点は既に述べたので、ここでは詳細な説明は省略するが、第２のステップにお
ける手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、黒挿入法
が選択された場合においても同様な利点を有するのは明らかである。たとえば、第１のス
テップにおける補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動
きを滑らかにすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。
さらに、表示フレームレートが大きい場合は、動画の品質を向上でき、表示フレームレー
トが小さい場合は、消費電力および製造コストを低減できる。さらに、表示装置がアクテ
ィブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書
き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な
画質改善効果をもたらす。さらに、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚
されない程度に低減することができる。

第２のステップの手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のう
ち、黒挿入法が選択されることによる特徴的な利点としては、動き補償によって中間画像
を作成する回路の動作を停止または当該回路自体を装置から省略することができるため、
消費電力および装置の製造コストを低減することができることである。さらに、画像デー
タに含まれる階調値によらずに擬似的にインパルス型の表示方法とすることができるため
、動画の品質を向上できる。

なお、ここでは、手順２においてサブ画像の数Ｊが２と決定され、手順３においてＴ_１＝
Ｔ_２＝Ｔ／２と決定された場合について説明したが、これに限定されないのは明らかであ
る。

たとえば、第２のステップにおける手順３において、Ｔ_１＜Ｔ_２と決定された場合は、第
１のサブ画像をより明るく、第２のサブ画像をより暗くすることができる。さらに、第２
のステップにおける手順３において、Ｔ_１＞Ｔ_２と決定された場合は、第１のサブ画像を
より暗く、第２のサブ画像をより明るくすることができる。こうすることで、元画像をき
ちんと人間の目に知覚させることができると同時に、表示を擬似的にインパルス駆動にす
ることもできるため、動画の品質を向上できる。ただし、上記の駆動方法のように、手順
１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、黒挿入法が選択さ
れた場合は、サブ画像の明るさを変化させずに、そのまま表示してもよい。なぜならば、
この場合はサブ画像の明るさを変えない場合は、元画像の全体の明るさが暗くなって表示
されるだけであるからである。すなわち、この方法を表示装置の明るさの制御に積極的に
用いることで、動画の品質を向上させつつ、明るさの制御も可能となる。

さらに、手順２において、サブ画像の数Ｊが２ではなく、それ以外の値に決定されてもよ
いことは明らかである。その場合の利点は既に述べたので、ここでは詳細な説明は省略す
るが、第２のステップにおける手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配
する方法のうち、黒挿入法が選択された場合においても同様な利点を有するのは明らかで
ある。たとえば、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の（１／（変換比のＪ倍）
）倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上することができる。

次に、第２のステップにおける手順によって決められる駆動方法の別の例について説明す
る。

第２のステップにおける手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方
法のうち、時分割階調制御法が選択された場合、駆動方法は次のようになる。

第ｉ（ｉは正の整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、が、一定の周期Ｔで順
次用意され、前記周期Ｔは、Ｊ（Ｊは２以上の整数）個のサブ画像表示期間に分割され、
前記第ｉの画像データは、複数の画素にそれぞれ固有の明るさＬを持たせることができる
データであり、前記固有の明るさＬは、最大値がＬ_ｍａｘであり、第ｊ（ｊは１以上Ｊ以
下の整数）のサブ画像は、それぞれ固有の明るさＬ_ｊを持つ画素が複数並置されることに
よって構成され、第ｊのサブ画像表示期間Ｔ_ｊだけ表示される画像であり、前記Ｌ、前記
Ｔ、前記Ｌ_ｊ、前記Ｔ_ｊ、を、サブ画像分配条件を満たす表示装置の駆動方法であって、
前記固有の明るさＬを表示するにあたって、（ｊ−１）×Ｌ_ｍａｘ／ＪからＪ×Ｌ_ｍａｘ
／Ｊの明るさの範囲における明るさの調節は、前記Ｊ個のサブ画像表示期間のうち唯１つ
のサブ画像表示期間における明るさの調節によって行なうことを特徴とする。ここで、一
定の周期Ｔで順次用意される画像データとしては、第１のステップにおいて作成された元
画像データを用いることができる。すなわち、第１のステップの説明で挙げた全ての表示
パターンを、上記駆動方法と組み合わせることができる。

なお、上記の駆動方法は、第１のステップにおいて用いた様々なｎおよびｍについて、そ
れぞれ組み合わせて実施できることは明らかである。

そして、第２のステップにおける手順２において、サブ画像の数Ｊが２と決定され、手順
３において、Ｔ_１＝Ｔ_２＝Ｔ／２と決定された場合、上記駆動方法は、図７５に示すよう
なものとなる。
図７５に示す駆動方法（様々なｎおよびｍにおける表示タイミング）の特徴および利点は
既に述べたので、ここでは詳細な説明は省略するが、第２のステップにおける手順１にお
いて、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、時分割階調制御法が選択
された場合においても同様な利点を有するのは明らかである。たとえば、第１のステップ
における補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑
らかにすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。さらに
、表示フレームレートが大きい場合は、動画の品質を向上でき、表示フレームレートが小
さい場合は、消費電力および製造コストを低減できる。さらに、表示装置がアクティブマ
トリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み
電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改
善効果をもたらす。さらに、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されな
い程度に低減することができる。

第２のステップの手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のう
ち、時分割階調制御法が選択されることによる特徴的な利点としては、動き補償によって
中間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自体を装置から省略することができ
るため、消費電力および装置の製造コストを低減することができることである。さらに、
擬似的にインパルス型の表示方法とすることができるため、動画の品質が向上でき、かつ
、表示装置の明るさが小さくなってしまうことがないため、さらに消費電力を低減できる
。

なお、ここでは、手順２においてサブ画像の数Ｊが２と決定され、手順３においてＴ_１＝
Ｔ_２＝Ｔ／２と決定された場合について説明したが、これに限定されないのは明らかであ
る。

たとえば、第２のステップにおける手順３において、Ｔ_１＜Ｔ_２と決定された場合は、第
１のサブ画像をより明るく、第２のサブ画像をより暗くすることができる。さらに、第２
のステップにおける手順３において、Ｔ_１＞Ｔ_２と決定された場合は、第１のサブ画像を
より暗く、第２のサブ画像をより明るくすることができる。こうすることで、元画像をき
ちんと人間の目に知覚させることができると同時に、表示を擬似的にインパルス駆動にす
ることもできるため、動画の品質を向上できる。こうすることで、元画像をきちんと人間
の目に知覚させることができると同時に、表示を擬似的にインパルス駆動にすることもで
きるため、動画の品質を向上できる。

さらに、手順２において、サブ画像の数Ｊが２ではなく、それ以外の値に決定されてもよ
いことは明らかである。その場合の利点は既に述べたので、ここでは詳細な説明は省略す
るが、第２のステップにおける手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配
する方法のうち、時分割階調制御法が選択された場合においても同様な利点を有するのは
明らかである。たとえば、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の（１／（変換比
のＪ倍））倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上することができる。

次に、第２のステップにおける手順によって決められる駆動方法の別の例について説明す
る。

第２のステップにおける手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方
法のうち、ガンマ補完法が選択された場合、駆動方法は次のようになる。

第ｉ（ｉは正の整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、が、一定の周期Ｔで順
次用意され、前記周期Ｔは、Ｊ（Ｊは２以上の整数）個のサブ画像表示期間に分割され、
前記第ｉの画像データは、複数の画素にそれぞれ固有の明るさＬを持たせることができる
データであり、第ｊ（ｊは１以上Ｊ以下の整数）のサブ画像は、それぞれ固有の明るさＬ
_ｊを持つ画素が複数並置されることによって構成され、第ｊのサブ画像表示期間Ｔ_ｊだけ
表示される画像であり、前記Ｌ、前記Ｔ、前記Ｌ_ｊ、前記Ｔ_ｊ、を、サブ画像分配条件を
満たす表示装置の駆動方法であって、それぞれのサブ画像において、階調に対する明るさ
の変化の特性を、線形からずらし、線形から明るい方へずらした明るさの量の合計と、線
形から暗い方へずらした明るさの量の合計が、全ての階調において概等しいことを特徴と
する。ここで、一定の周期Ｔで順次用意される画像データとしては、第１のステップにお
いて作成された元画像データを用いることができる。すなわち、第１のステップの説明で
挙げた全ての表示パターンを、上記駆動方法と組み合わせることができる。

なお、上記の駆動方法は、第１のステップにおいて用いた様々なｎおよびｍについて、そ
れぞれ組み合わせて実施できることは明らかである。

そして、第２のステップにおける手順２において、サブ画像の数Ｊが２と決定され、手順
３において、Ｔ_１＝Ｔ_２＝Ｔ／２と決定された場合、上記駆動方法は、図７５に示すよう
なものとなる。
図７５に示す駆動方法（様々なｎおよびｍにおける表示タイミング）の特徴および利点は
既に述べたので、ここでは詳細な説明は省略するが、第２のステップにおける手順１にお
いて、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、ガンマ補完法が選択され
た場合においても同様な利点を有するのは明らかである。たとえば、第１のステップにお
ける補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らか
にすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。さらに、表
示フレームレートが大きい場合は、動画の品質を向上でき、表示フレームレートが小さい
場合は、消費電力および製造コストを低減できる。さらに、表示装置がアクティブマトリ
クス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧
不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効
果をもたらす。さらに、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程
度に低減することができる。

第２のステップの手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のう
ち、ガンマ補完法が選択されることによる特徴的な利点としては、動き補償によって中間
画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自体を装置から省略することができるた
め、消費電力および装置の製造コストを低減することができることである。さらに、画像
データに含まれる階調値によらずに擬似的にインパルス型の表示方法とすることができる
ため、動画の品質を向上できる。さらに、画像データを直接ガンマ変換することによって
サブ画像を求めてもよい。この場合は、動画の動きの大きさなどによって、様々にガンマ
値を制御できる利点を有する。さらに、画像データは直接ガンマ変換せず、デジタルアナ
ログ変換回路（ＤＡＣ）の参照電圧を変えることによって、ガンマ値を変化させたサブ画
像を求める構成であってもよい。この場合は、画像データを直接ガンマ変換することがな
いので、ガンマ変換を行なう回路を停止または当該回路自体を装置から省略することがで
きるため、消費電力および装置の製造コストを低減することができる。さらに、ガンマ補
完法においては、階調に対するそれぞれのサブ画像の明るさＬ_ｊの変化がガンマ曲線にし
たがっているため、それぞれのサブ画像がそれ自体で階調を滑らかに表示でき、最終的に
人間の目で知覚される画像の品質も向上するという利点を有する。

なお、ここでは、手順２においてサブ画像の数Ｊが２と決定され、手順３においてＴ_１＝
Ｔ_２＝Ｔ／２と決定された場合について説明したが、これに限定されないのは明らかであ
る。

たとえば、第２のステップにおける手順３において、Ｔ_１＜Ｔ_２と決定された場合は、第
１のサブ画像をより明るく、第２のサブ画像をより暗くすることができる。さらに、第２
のステップにおける手順３において、Ｔ_１＞Ｔ_２と決定された場合は、第１のサブ画像を
より暗く、第２のサブ画像をより明るくすることができる。こうすることで、元画像をき
ちんと人間の目に知覚させることができると同時に、表示を擬似的にインパルス駆動にす
ることもできるため、動画の品質を向上できる。なお、上記の駆動方法のように、手順１
において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、ガンマ法が選択され
た場合は、サブ画像の明るさを変化させる場合に、ガンマ値を変化させてもよい。すなわ
ち、第２のサブ画像の表示タイミングにしたがって、ガンマ値を決めてもよい。こうする
ことで、画像全体の明るさを変化させる回路を停止または当該回路自体を装置から省略す
ることができるため、消費電力および装置の製造コストを低減することができる。

さらに、手順２において、サブ画像の数Ｊが２ではなく、それ以外の値に決定されてもよ
いことは明らかである。その場合の利点は既に述べたので、ここでは詳細な説明は省略す
るが、第２のステップにおける手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配
する方法のうち、時分割階調制御法が選択された場合においても同様な利点を有するのは
明らかである。たとえば、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の（１／（変換比
のＪ倍））倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上することができる。

次に、第２のステップにおける手順によって決められる駆動方法の別の例について、詳細
に説明する。

第２のステップにおける手順１において、動き補償によって求めた中間画像をサブ画像と
して用いる方法が選択され、第２のステップにおける手順２において、サブ画像の数が２
と決定され、第２のステップにおける手順３において、Ｔ１＝Ｔ２＝Ｔ／２と決定された
場合は、第２のステップにおける手順によって決められる駆動方法は、次のようになる。

第ｉ（ｉは正の整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、が、一定の周期Ｔで順
次用意され、第ｋ（ｋは正の整数）の画像と、第ｋ＋１の画像と、第ｋ＋２の画像と、を
、元画像データの周期の１／２倍の間隔で順次表示する表示装置の駆動方法であって、前
記第ｋの画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋１の画像は、
前記第ｉの画像データから前記第ｉ＋１の画像データまでの動きを１／２倍した動きに相
当する画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋２の画像は、前記第ｉ＋１の画像デ
ータにしたがって表示されることを特徴とする。ここで、一定の周期Ｔで順次用意される
画像データとしては、第１のステップにおいて作成された元画像データを用いることがで
きる。すなわち、第１のステップの説明で挙げた全ての表示パターンを、上記駆動方法と
組み合わせることができる。

なお、上記の駆動方法は、第１のステップにおいて用いた様々なｎおよびｍについて、そ
れぞれ組み合わせて実施できることは明らかである。

第２のステップにおける手順１において、動き補償によって求めた中間画像をサブ画像と
して用いる方法が選択されることによる特徴的な利点は、第１のステップにおける手順に
おいて、動き補償によって求めた中間画像を補間画像とする場合に、第１のステップにお
いて用いた中間画像を求める方法が、第２のステップでもそのままの方法で用いることが
できる点である。すなわち、動き補償によって中間画像を求める回路を、第１のステップ
だけではなく、第２のステップでも利用することができるので、回路を有効に利用できる
ようになり、処理効率を向上できる。また、画像の動きをさらに滑らかにすることができ
るため、動画の品質をさらに向上させることができる。

なお、ここでは、手順２においてサブ画像の数Ｊが２と決定され、手順３においてＴ_１＝
Ｔ_２＝Ｔ／２と決定された場合について説明したが、これに限定されないのは明らかであ
る。

たとえば、第２のステップにおける手順３において、Ｔ_１＜Ｔ_２と決定された場合は、第
１のサブ画像をより明るく、第２のサブ画像をより暗くすることができる。さらに、第２
のステップにおける手順３において、Ｔ_１＞Ｔ_２と決定された場合は、第１のサブ画像を
より暗く、第２のサブ画像をより明るくすることができる。こうすることで、元画像をき
ちんと人間の目に知覚させることができると同時に、表示を擬似的にインパルス駆動にす
ることもできるため、動画の品質を向上できる。こうすることで、元画像をきちんと人間
の目に知覚させることができると同時に、表示を擬似的にインパルス駆動にすることもで
きるため、動画の品質を向上できる。なお、上記の駆動方法のように、手順２において、
動き補償によって求めた中間画像をサブ画像として用いる方法が選択された場合は、サブ
画像の明るさを変化させなくてもよい。なぜならば、中間状態の画像はそれ自体で画像と
して完結しているため、第２のサブ画像の表示タイミングが変化しても、人間の目に知覚
される画像としては変化しないためである。この場合は、画像全体の明るさを変化させる
回路を停止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および装
置の製造コストを低減することができる。

さらに、手順２において、サブ画像の数Ｊが２ではなく、それ以外の値に決定されてもよ
いことは明らかである。その場合の利点は既に述べたので、ここでは詳細な説明は省略す
るが、第２のステップにおける手順１において、動き補償によって求めた中間画像をサブ
画像として用いる方法が選択された場合においても同様な利点を有するのは明らかである
。たとえば、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の（１／（変換比のＪ倍））倍
程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上することができる。

次に、図７７を参照して、入力フレームレートと表示フレームレートが異なる場合の、フ
レームレート変換方法の具体例について説明する。図７７（Ａ）乃至（Ｃ）に示す方法に
おいては、画像上の円形の領域がフレームによって位置が変化する領域であり、画像上の
三角形の領域がフレームによって位置がほぼ変化しない領域であるとしている。ただし、
これは説明のための例であり、表示される画像はこれに限定されない。図７７（Ａ）乃至
（Ｃ）の方法は、様々な画像に対して適用することができる。

図７７（Ａ）は、表示フレームレートが入力フレームレートの２倍（変換比が２）である
場合を表している。変換比が２である場合は、変換比が２より小さい場合よりも動画の品
質を向上できるという利点を有する。さらに、変換比が２である場合は、変換比が２より
大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できるという利点を有する。図７７（
Ａ）は、横軸を時間として、表示される画像の時間的な変化の様子を、模式的に表したも
のである。ここで、注目している画像のことを、第ｐの画像（ｐは正の整数）と表記する
こととする。そして、注目している画像の次に表示される画像を、第（ｐ＋１）の画像、
注目している画像の前に表示される画像を、第（ｐ―１）の画像、というように、注目し
ている画像からどれだけ離れて表示されるかということを、便宜的に表記することとする
。そして、画像１８０７０１は第ｐの画像、画像１８０７０２は第（ｐ＋１）の画像、画
像１８０７０３は第（ｐ＋２）の画像、画像１８０７０４は第（ｐ＋３）の画像、画像１
８０７０５は第（ｐ＋４）の画像であるとする。期間Ｔｉｎは、入力画像データの周期を
表している。なお、図７７（Ａ）は変換比が２である場合を表しているため、期間Ｔｉｎ
は、第ｐの画像が表示されてから第（ｐ＋１）の画像が表示されるまで期間の２倍の長さ
となる。

ここで、第（ｐ＋１）の画像１８０７０２は、第ｐの画像１８０７０１から第（ｐ＋２）
の画像１８０７０３までの画像の変化量を検出することで、第ｐの画像１８０７０１およ
び第（ｐ＋２）の画像１８０７０３の中間状態となるように作成された画像であってもよ
い。図７７（Ａ）では、フレームによって位置が変化する領域（円形の領域）と、フレー
ムによって位置がほぼ変化しない領域（三角形の領域）と、によって、中間状態の画像の
様子を表している。すなわち、第（ｐ＋１）の画像１８０７０２における円形の領域の位
置は、第ｐの画像１８０７０１における位置と、第（ｐ＋２）の画像１８０７０３におけ
る位置の中間の位置としている。つまり、第（ｐ＋１）の画像１８０７０２は、動き補償
を行なって画像データを補間したものである。このように、画像上で動きのある物体に対
して動き補償を行い、画像データを補間することによって、なめらかな表示を行なうこと
ができる。

さらに、第（ｐ＋１）の画像１８０７０２は、第ｐの画像１８０７０１および第（ｐ＋２
）の画像１８０７０３の中間状態となるように作成された上で、画像の輝度を一定の規則
で制御した画像であってもよい。一定の規則とは、たとえば、図７７（Ａ）のように、第
ｐの画像１８０７０１の代表的な輝度をＬ、第（ｐ＋１）の画像１８０７０２の代表的な
輝度をＬｃとしたとき、ＬとＬｃで、Ｌ＞Ｌｃという関係があってもよい。望ましくは、
０．１Ｌ＜Ｌｃ＜０．８Ｌという関係があってもよい。さらに望ましくは、０．２Ｌ＜Ｌ
ｃ＜０．５Ｌという関係があってもよい。または、逆にＬとＬｃで、Ｌ＜Ｌｃという関係
があってもよい。望ましくは、０．１Ｌｃ＜Ｌ＜０．８Ｌｃという関係があってもよい。
さらに望ましくは、０．２Ｌｃ＜Ｌ＜０．５Ｌｃという関係があってもよい。このように
することで、表示を擬似的にインパルス型とすることができるため、目の残像を抑えるこ
とができる。

なお、画像の代表的な輝度については、後に図７８を参照して詳しく述べる。

このように、動画ボケに対する２つの異なる原因（画像の動きがなめらかではないこと、
および目の残像）を同時に解決することによって、動画ボケを大幅に低減することができ
る。

さらに、第（ｐ＋３）の画像１８０７０４についても、第（ｐ＋２）の画像１８０７０３
および第（ｐ＋４）の画像１８０７０５から同様な方法を用いて作成されてもよい。すな
わち、第（ｐ＋３）の画像１８０７０４は、第（ｐ＋２）の画像１８０７０３から第（ｐ
＋４）の画像１８０７０５までの画像の変化量を検出することで、第（ｐ＋２）の画像１
８０７０３および第（ｐ＋４）の画像１８０７０５の中間状態となるように作成された画
像であって、さらに、画像の輝度を一定の規則で制御した画像であってもよい。

図７７（Ｂ）は、表示フレームレートが、入力フレームレートの３倍（変換比が３）であ
る場合を表している。図７７（Ｂ）は、横軸を時間として、表示される画像の時間的な変
化の様子を、模式的に表したものである。画像１８０７１１は第ｐの画像、画像１８０７
１２は第（ｐ＋１）の画像、画像１８０７１３は第（ｐ＋２）の画像、画像１８０７１４
は第（ｐ＋３）の画像、画像１８０７１５は第（ｐ＋４）の画像、画像１８０７１６は第
（ｐ＋５）の画像、画像１８０７１７は第（ｐ＋６）の画像であるとする。期間Ｔｉｎは
、入力画像データの周期を表している。なお、図７７（Ｂ）は変換比が３である場合を表
しているため、期間Ｔｉｎは、第ｐの画像が表示されてから第（ｐ＋１）の画像が表示さ
れるまで期間の３倍の長さとなる。

ここで、第（ｐ＋１）の画像１８０７１２および第（ｐ＋２）の画像１８０７１３は、第
ｐの画像１８０７１１から第（ｐ＋３）の画像１８０７１４までの画像の変化量を検出す
ることで、第ｐの画像１８０７１１および第（ｐ＋３）の画像１８０７１４の中間状態と
なるように作成された画像であってもよい。図７７（Ｂ）では、フレームによって位置が
変化する領域（円形の領域）と、フレームによって位置がほぼ変化しない領域（三角形の
領域）と、によって、中間状態の画像の様子を表している。すなわち、第（ｐ＋１）の画
像１８０７１２および第（ｐ＋２）の画像１８０７１３における円形の領域の位置は、第
ｐの画像１８０７１１における位置と、第（ｐ＋３）の画像１８０７１４における位置の
中間の位置としている。具体的には、第ｐの画像１８０７１１および第（ｐ＋３）の画像
１８０７１４から検出した、円形の領域が移動する量をＸとしたとき、第（ｐ＋１）の画
像１８０７１２における円形の領域の位置は、第ｐの画像１８０７１１における位置から
、（１／３）Ｘ程度変位した位置であっても良い。さらに、第（ｐ＋２）の画像１８０７
１３における円形の領域の位置は、第ｐの画像１８０７１１における位置から、（２／３
）Ｘ程度変位した位置であっても良い。つまり、第（ｐ＋１）の画像１８０７１２および
第（ｐ＋２）の画像１８０７１３は、動き補償を行なって画像データを補間したものであ
る。このように、画像上で動きのある物体に対して動き補償を行い、画像データを補間す
ることにより、なめらかな表示を行なうことができる。

さらに、第（ｐ＋１）の画像１８０７１２および第（ｐ＋２）の画像１８０７１３は、第
ｐの画像１８０７１１および第（ｐ＋３）の画像１８０７１４の中間状態となるように作
成された上で、画像の輝度を一定の規則で制御した画像であってもよい。一定の規則とは
、たとえば、図７７（Ｂ）のように、第ｐの画像１８０７１１の代表的な輝度をＬ、第（
ｐ＋１）の画像１８０７１２の代表的な輝度をＬｃ１、第（ｐ＋２）の画像１８０７１３
の代表的な輝度をＬｃ２としたとき、Ｌ、Ｌｃ１、Ｌｃ２において、Ｌ＞Ｌｃ１またはＬ
＞Ｌｃ２またはＬｃ１＝Ｌｃ２という関係があってもよい。望ましくは、０．１Ｌ＜Ｌｃ
１＝Ｌｃ２＜０．８Ｌという関係があってもよい。さらに望ましくは、０．２Ｌ＜Ｌｃ＝
Ｌｃ２＜０．５Ｌという関係があってもよい。または、逆にＬ、Ｌｃ１、Ｌｃ２において
、Ｌ＜Ｌｃ１またはＬ＜Ｌｃ２またはＬｃ１＝Ｌｃ２という関係があってもよい。望まし
くは、０．１Ｌｃ１＝０．１Ｌｃ２＜Ｌ＜０．８Ｌｃ１＝０．８Ｌｃ２という関係があっ
てもよい。さらに望ましくは、０．２Ｌｃ１＝０．２Ｌｃ２＜Ｌ＜０．５Ｌｃ１＝０．５
Ｌｃ２という関係があってもよい。このようにすることで、表示を擬似的にインパルス型
とすることができるため、目の残像を抑えることができる。または、輝度を変化させる画
像が交互に現れるようにしてもよい。こうすることで、輝度が変化する周期を短くするこ
とができるので、フリッカを低減することができる。

このように、動画ボケに対する２つの異なる原因（画像の動きがなめらかではないこと、
および目の残像）を同時に解決することによって、動画ボケを大幅に低減することができ
る。

さらに、第（ｐ＋４）の画像１８０７１５および第（ｐ＋５）の画像１８０７１６につい
ても、第（ｐ＋３）の画像１８０７１４および第（ｐ＋６）の画像１８０７１７から同様
な方法を用いて作成されてもよい。すなわち、第（ｐ＋４）の画像１８０７１５および第
（ｐ＋５）の画像１８０７１６は、第（ｐ＋３）の画像１８０７１４から第（ｐ＋６）の
画像１８０７１７までの画像の変化量を検出することで、第（ｐ＋３）の画像１８０７１
４および第（ｐ＋６）の画像１８０７１７の中間状態となるように作成された画像であっ
て、さらに、画像の輝度を一定の規則で制御した画像であってもよい。

なお、図７７（Ｂ）の方法を用いると、表示フレームレートが大きいので、画像の動きが
目の動きによく追従できるようになり、画像の動きをなめらかに表示することができるた
め、動画ボケを大幅に低減することができる。

図７７（Ｃ）は、表示フレームレートが、入力フレームレートの１．５倍（変換比１．５
）である場合を表している。図７７（Ｃ）は、横軸を時間として、表示される画像の時間
的な変化の様子を、模式的に表したものである。画像１８０７２１は第ｐの画像、画像１
８０７２２は第（ｐ＋１）の画像、画像１８０７２３は第（ｐ＋２）の画像、画像１８０
７２４は第（ｐ＋３）の画像であるとする。なお、実際には表示されなくてもよいが、画
像１８０７２５は入力画像データであり、第（ｐ＋１）の画像１８０７２２および第（ｐ
＋２）の画像１８０７２３が作成されるために用いられていてもよい。期間Ｔｉｎは、入
力画像データの周期を表している。なお、図７７（Ｃ）は変換比が１．５である場合を表
しているため、期間Ｔｉｎは、第ｐの画像が表示されてから第（ｐ＋１）の画像が表示さ
れるまで期間の１．５倍の長さとなる。

ここで、第（ｐ＋１）の画像１８０７２２および第（ｐ＋２）の画像１８０７２３は、第
ｐの画像１８０７２１から画像１８０７２５を経由して第（ｐ＋３）の画像１８０７２４
までの画像の変化量を検出することで、第ｐの画像１８０７２１および第（ｐ＋３）の画
像１８０７２４の中間状態となるように作成された画像であってもよい。図７７（Ｃ）で
は、フレームによって位置が変化する領域（円形の領域）と、フレームによって位置がほ
ぼ変化しない領域（三角形の領域）と、によって、中間状態の画像の様子を表している。
すなわち、第（ｐ＋１）の画像１８０７２２および第（ｐ＋２）の画像１８０７２３にお
ける円形の領域の位置は、第ｐの画像１８０７２１における位置と、第（ｐ＋３）の画像
１８０７２４における位置の中間の位置としている。つまり、第（ｐ＋１）の画像１８０
７２２および第（ｐ＋２）の画像１８０７２３は、動き補償を行なって画像データを補間
したものである。このように、画像上で動きのある物体に対して動き補償を行い、画像デ
ータを補間することにより、なめらかな表示を行なうことができる。

さらに、第（ｐ＋１）の画像１８０７２２および第（ｐ＋２）の画像１８０７２３は、第
ｐの画像１８０７２１および第（ｐ＋３）の画像１８０７２４の中間状態となるように作
成された上で、画像の輝度を一定の規則で制御した画像であってもよい。一定の規則とは
、たとえば、図７７（Ｃ）のように、第ｐの画像１８０７２１の代表的な輝度をＬ、第（
ｐ＋１）の画像１８０７２２の代表的な輝度をＬｃ１、第（ｐ＋２）の画像１８０７２３
の代表的な輝度をＬｃ２としたとき、Ｌ、Ｌｃ１、Ｌｃ２において、Ｌ＞Ｌｃ１またはＬ
＞Ｌｃ２またはＬｃ１＝Ｌｃ２という関係があってもよい。望ましくは、０．１Ｌ＜Ｌｃ
１＝Ｌｃ２＜０．８Ｌという関係があってもよい。さらに望ましくは、０．２Ｌ＜Ｌｃ＝
Ｌｃ２＜０．５Ｌという関係があってもよい。または、逆にＬ、Ｌｃ１、Ｌｃ２において
、Ｌ＜Ｌｃ１またはＬ＜Ｌｃ２またはＬｃ１＝Ｌｃ２という関係があってもよい。望まし
くは、０．１Ｌｃ１＝０．１Ｌｃ２＜Ｌ＜０．８Ｌｃ１＝０．８Ｌｃ２という関係があっ
てもよい。さらに望ましくは、０．２Ｌｃ１＝０．２Ｌｃ２＜Ｌ＜０．５Ｌｃ１＝０．５
Ｌｃ２という関係があってもよい。このようにすることで、表示を擬似的にインパルス型
とすることができるため、目の残像を抑えることができる。または、輝度を変化させる画
像が交互に現れるようにしてもよい。こうすることで、輝度が変化する周期を短くするこ
とができるので、フリッカを低減することができる。

このように、動画ボケに対する２つの異なる原因（画像の動きがなめらかではないこと、
および目の残像）を同時に解決することによって、動画ボケを大幅に低減することができ
る。

なお、図７７（Ｃ）の方法を用いると、表示フレームレートが小さいので、表示装置に信
号を書き込む時間を長くすることができる。そのため、表示装置のクロック周波数を小さ
くできるので、消費電力を低減することができる。また、動き補償を行なう処理速度を遅
くできるので、消費電力を低減することができる。

次に、図７８を参照して、画像の代表的な輝度について説明する。図７８（Ａ）乃至（Ｄ
）に示す図は、横軸を時間として、表示される画像の時間的な変化の様子を、模式的に表
したものである。図７８（Ｅ）は、ある領域内の画像の輝度を測定する方法の一例である
。

画像の輝度を測定する方法としては、画像を構成するそれぞれの画素に対し、個別に輝度
を測定する方法がある。この方法を用いると、画像の細部まで厳密に輝度を測定すること
ができる。

ただし、画像を構成するそれぞれの画素に対し、個別に輝度を測定する方法は、非常に労
力を要するため、別の方法を用いてもよい。画像の輝度を測定する別の方法としては、画
像内のある領域に注目し、その領域の平均的な輝度を測定する方法がある。この方法によ
って、簡易に画像の輝度を測定することができる。本実施の形態においては、画像内のあ
る領域の平均的な輝度を測定する方法によって求めた輝度を、便宜的に、画像の代表的な
輝度と呼ぶこととする。

そして、画像の代表的な輝度を求めるために、画像内のどの領域に注目するかという点に
ついて、以下で説明する。

図７８（Ａ）は、画像の変化に対し、位置がほぼ変化しない領域（三角形の領域）の輝度
を、画像の代表的な輝度とする方法の例を表している。期間Ｔｉｎは入力画像データの周
期、画像１８０８０１は第ｐの画像、画像１８０８０２は第（ｐ＋１）の画像、画像１８
０８０３は第（ｐ＋２）の画像、第１の領域１８０８０４は第ｐの画像１８０８０１にお
ける輝度測定領域、第２の領域１８０８０５は第（ｐ＋１）の画像１８０８０２における
輝度測定領域、第３の領域１８０８０６は第（ｐ＋２）の画像１８０８０３における輝度
測定領域を、それぞれ表している。ここで、第１乃至第３の領域は、装置内の空間的な位
置としては、概同じであるとしてよい。つまり、第１乃至第３の領域で画像の代表的な輝
度を測定することによって、画像の代表的な輝度の時間変化を求めることができる。

画像の代表的な輝度を測定することで、表示が擬似的にインパルス型となっているかどう
かを判断することができる。たとえば、第１の領域１８０８０４で測定される輝度をＬ、
第２の領域１８０８０５で測定される輝度をＬｃとしたとき、Ｌｃ＜Ｌであれば、表示は
擬似的にインパルス型であるといえる。このようなときに、動画の品質は向上していると
いえる。

なお、輝度測定領域において、時間の変化に対する画像の代表的な輝度の変化量（相対輝
度）が、次のような範囲であると、画質を向上することができる。相対輝度としては、た
とえば、第１の領域１８０８０４と第２の領域１８０８０５、第２の領域１８０８０５と
第３の領域１８０８０６、第１の領域１８０８０４と第３の領域１８０８０６のそれぞれ
に対し、大きい方の輝度に対する小さい方の輝度の割合とすることができる。つまり、時
間の変化に対する画像の代表的な輝度の変化量が０であるとき、相対輝度は１００％とな
る。そして、相対輝度が８０％以下であれば、動画の品質を向上できる。特に、相対輝度
が５０％以下であれば、動画の品質を顕著に向上できる。さらに、相対輝度が１０％以上
であれば、消費電力を低減し、かつフリッカを抑えることができる。特に、相対輝度が２
０％以上であれば、消費電力およびフリッカを顕著に低減することができる。すなわち、
相対輝度が１０％以上８０％以下であれば、動画の品質を向上させ、かつ、消費電力およ
びフリッカを低減することができる。さらに、相対輝度が２０％以上５０％以下であれば
、動画の品質を顕著に向上させ、かつ、消費電力およびフリッカを顕著に低減することが
できる。

図７８（Ｂ）は、タイル状に分割された領域の輝度を測定し、その平均値を画像の代表的
な輝度とする方法の例を表している。期間Ｔｉｎは入力画像データの周期、画像１８０８
１１は第ｐの画像、画像１８０８１２は第（ｐ＋１）の画像、画像１８０８１３は第（ｐ
＋２）の画像、第１の領域１８０８１４は第ｐの画像１８０８１１における輝度測定領域
、第２の領域１８０８１５は第（ｐ＋１）の画像１８０８１２における輝度測定領域、第
３の領域１８０８１６は第（ｐ＋２）の画像１８０８１３における輝度測定領域を、それ
ぞれ表している。ここで、第１乃至第３の領域は、装置内の空間的な位置としては、概同
じであるとしてよい。つまり、第１乃至第３の領域で画像の代表的な輝度を測定すること
によって、画像の代表的な輝度の時間変化を求めることができる。

画像の代表的な輝度を測定することで、表示が擬似的にインパルス型となっているかどう
かを判断することができる。たとえば、第１の領域１８０８１４で測定される輝度の全て
の領域における平均値をＬ、第２の領域１８０８１５で測定される輝度の全ての領域にお
ける平均値をＬｃとしたとき、Ｌｃ＜Ｌであれば、表示は擬似的にインパルス型であると
いえる。このようなときに、動画の品質は向上しているといえる。

なお、輝度測定領域において、時間の変化に対する画像の代表的な輝度の変化量（相対輝
度）が、次のような範囲であると、画質を向上することができる。相対輝度としては、た
とえば、第１の領域１８０８１４と第２の領域１８０８１５、第２の領域１８０８１５と
第３の領域１８０８１６、第１の領域１８０８１４と第３の領域１８０８１６のそれぞれ
に対し、大きい方の輝度に対する小さい方の輝度の割合とすることができる。つまり、時
間の変化に対する画像の代表的な輝度の変化量が０であるとき、相対輝度は１００％とな
る。そして、相対輝度が８０％以下であれば、動画の品質を向上できる。特に、相対輝度
が５０％以下であれば、動画の品質を顕著に向上できる。さらに、相対輝度が１０％以上
であれば、消費電力を低減し、かつフリッカを抑えることができる。特に、相対輝度が２
０％以上であれば、消費電力およびフリッカを顕著に低減することができる。すなわち、
相対輝度が１０％以上８０％以下であれば、動画の品質を向上させ、かつ、消費電力およ
びフリッカを低減することができる。さらに、相対輝度が２０％以上５０％以下であれば
、動画の品質を顕著に向上させ、かつ、消費電力およびフリッカを顕著に低減することが
できる。

図７８（Ｃ）は、画像の中央の領域の輝度を測定し、その平均値を画像の代表的な輝度と
する方法の例を表している。期間Ｔｉｎは入力画像データの周期、画像１８０８２１は第
ｐの画像、画像１８０８２２は第（ｐ＋１）の画像、画像１８０８２３は第（ｐ＋２）の
画像、第１の領域１８０８２４は第ｐの画像１８０８２１における輝度測定領域、第２の
領域１８０８２５は第（ｐ＋１）の画像１８０８２２における輝度測定領域、第３の領域
１８０８２６は第（ｐ＋２）の画像１８０８２３における輝度測定領域を、それぞれ表し
ている。

画像の代表的な輝度を測定することで、表示が擬似的にインパルス型となっているかどう
かを判断することができる。たとえば、第１の領域１８０８２４で測定される輝度をＬ、
第２の領域１８０８２５で測定される輝度をＬｃとしたとき、Ｌｃ＜Ｌであれば、表示は
擬似的にインパルス型であるといえる。このようなときに、動画の品質は向上していると
いえる。

なお、輝度測定領域において、時間の変化に対する画像の代表的な輝度の変化量（相対輝
度）が、次のような範囲であると、画質を向上することができる。相対輝度としては、た
とえば、第１の領域１８０８２４と第２の領域１８０８２５、第２の領域１８０８２５と
第３の領域１８０８２６、第１の領域１８０８２４と第３の領域１８０８２６のそれぞれ
に対し、大きい方の輝度に対する小さい方の輝度の割合とすることができる。つまり、時
間の変化に対する画像の代表的な輝度の変化量が０であるとき、相対輝度は１００％とな
る。そして、相対輝度が８０％以下であれば、動画の品質を向上できる。特に、相対輝度
が５０％以下であれば、動画の品質を顕著に向上できる。さらに、相対輝度が１０％以上
であれば、消費電力を低減し、かつフリッカを抑えることができる。特に、相対輝度が２
０％以上であれば、消費電力およびフリッカを顕著に低減することができる。すなわち、
相対輝度が１０％以上８０％以下であれば、動画の品質を向上させ、かつ、消費電力およ
びフリッカを低減することができる。さらに、相対輝度が２０％以上５０％以下であれば
、動画の品質を顕著に向上させ、かつ、消費電力およびフリッカを顕著に低減することが
できる。

図７８（Ｄ）は、画像全体からサンプリングした複数の点の輝度を測定し、その平均値を
画像の代表的な輝度とする方法の例を表している。期間Ｔｉｎは入力画像データの周期、
画像１８０８３１は第ｐの画像、画像１８０８３２は第（ｐ＋１）の画像、画像１８０８
３３は第（ｐ＋２）の画像、第１の領域１８０８３４は第ｐの画像１８０８３１における
輝度測定領域、第２の領域１８０８３５は第（ｐ＋１）の画像１８０８３２における輝度
測定領域、第３の領域１８０８３６は第（ｐ＋２）の画像１８０８３３における輝度測定
領域を、それぞれ表している。

画像の代表的な輝度を測定することで、表示が擬似的にインパルス型となっているかどう
かを判断することができる。たとえば、第１の領域１８０８３４で測定される輝度の全て
の領域における平均値をＬ、第２の領域１８０８３５で測定される輝度の全ての領域にお
ける平均値をＬｃとしたとき、Ｌｃ＜Ｌであれば、表示は擬似的にインパルス型であると
いえる。このようなときに、動画の品質は向上しているといえる。

なお、輝度測定領域において、時間の変化に対する画像の代表的な輝度の変化量（相対輝
度）が、次のような範囲であると、画質を向上することができる。相対輝度としては、た
とえば、第１の領域１８０８３４と第２の領域１８０８３５、第２の領域１８０８３５と
第３の領域１８０８３６、第１の領域１８０８３４と第３の領域１８０８３６のそれぞれ
に対し、大きい方の輝度に対する小さい方の輝度の割合とすることができる。つまり、時
間の変化に対する画像の代表的な輝度の変化量が０であるとき、相対輝度は１００％とな
る。そして、相対輝度が８０％以下であれば、動画の品質を向上できる。特に、相対輝度
が５０％以下であれば、動画の品質を顕著に向上できる。さらに、相対輝度が１０％以上
であれば、消費電力を低減し、かつフリッカを抑えることができる。特に、相対輝度が２
０％以上であれば、消費電力およびフリッカを顕著に低減することができる。すなわち、
相対輝度が１０％以上８０％以下であれば、動画の品質を向上させ、かつ、消費電力およ
びフリッカを低減することができる。さらに、相対輝度が２０％以上５０％以下であれば
、動画の品質を顕著に向上させ、かつ、消費電力およびフリッカを顕著に低減することが
できる。

図７８（Ｅ）は、図７８（Ａ）乃至（Ｄ）に示す図における、輝度測定領域内の測定方法
を示した図である。領域１８０８４１は注目している輝度測定領域、点１８０８４２は輝
度測定領域１８０８４１内の輝度測定点である。時間分解能の高い輝度計測機器は、その
測定対象範囲が小さい場合があるため、領域１８０８４１が大きい場合は、領域全てを測
定するのではなく、図７８（Ｅ）のように、領域１８０８４１内を点状で偏り無く、複数
の点で測定し、その平均値をもって領域１８０８４１の輝度であるとしてもよい。

なお、画像がＲ、Ｇ、Ｂの３原色の組み合わせを持つ場合は、測定される輝度は、Ｒ、Ｇ
、Ｂを合わせた輝度であってもよいし、ＲおよびＧを合わせた輝度、ＧおよびＢを合わせ
た輝度、ＢおよびＲを合わせた輝度であってもよいし、Ｒ、Ｇ、Ｂそれぞれの輝度であっ
てもよい。

次に、入力画像データに含まれる画像の動きを検出し、中間状態の画像を作成する方法、
および入力画像データに含まれる画像の動き等に従って駆動方法を制御する方法について
説明する。

図７９を参照して、入力画像データに含まれる画像の動きを検出し、中間状態の画像を作
成する方法の例について説明する。図７９（Ａ）は、表示フレームレートが、入力フレー
ムレートの２倍（変換比が２）である場合を表したものである。図７９（Ａ）は、横軸を
時間として、画像の動きを検出する方法を、模式的に表したものである。期間Ｔｉｎは入
力画像データの周期、画像１８０９０１は第ｐの画像、画像１８０９０２は第（ｐ＋１）
の画像、画像１８０９０３は第（ｐ＋２）の画像を、それぞれ表している。また、画像中
に、時間に依存しない領域として、第１の領域１８０９０４、第２の領域１８０９０５お
よび第３の領域１８０９０６を設ける。

まず、第（ｐ＋２）の画像１８０９０３においては、画像をタイル状の複数の領域に分割
し、そのうちの１つの領域である第３の領域１８０９０６内の画像データに着目する。

次に、第ｐの画像１８０９０１において、第３の領域１８０９０６を中心とした第３の領
域１８０９０６よりも大きな範囲に着目する。ここで、第３の領域１８０９０６を中心と
した第３の領域１８０９０６よりも大きな範囲は、データ検索範囲である。データ検索範
囲は、水平方向（Ｘ方向）の範囲を１８０９０７、垂直方向（Ｙ方向）の範囲を１８０９
０８とする。なお、データ検索範囲の水平方向の範囲１８０９０７および垂直方向の範囲
１８０９０８は、第３の領域１８０９０６の水平方向の範囲および垂直方向の範囲を、そ
れぞれ１５画素分程度拡大した範囲であってもよい。

そして、データ検索範囲内において、前記第３の領域１８０９０６内の画像データと最も
類似した画像データを持つ領域を検索する。検索方法は、最小二乗法などを用いることが
できる。検索の結果、最も類似した画像データを持つ領域として、第１の領域１８０９０
４が導出されたとする。

次に、導出された第１の領域１８０９０４と、第３の領域１８０９０６との位置の違いを
表す量として、ベクトル１８０９０９を導出する。なお、ベクトル１８０９０９を、動き
ベクトルと呼ぶことにする。

そして、第（ｐ＋１）の画像１８０９０２においては、動きベクトル１８０９０９から求
めたベクトル１８０９１０と、第（ｐ＋２）の画像１８０９０３における第３の領域１８
０９０６内の画像データと、第ｐの画像１８０９０１における第１の領域１８０９０４内
の画像データと、によって、第２の領域１８０９０５を形成する。

ここで、動きベクトル１８０９０９から求めたベクトル１８０９１０を変位ベクトルと呼
ぶことにする。変位ベクトル１８０９１０は、第２の領域１８０９０５を形成する位置を
決める役割を持つ。第２の領域１８０９０５は、第３の領域１８０９０６から変位ベクト
ル１８０９１０だけ離れた位置に形成される。なお、変位ベクトル１８０９１０は、動き
ベクトル１８０９０９に係数（１／２）をかけた量であってもよい。

第（ｐ＋１）の画像１８０９０２における第２の領域１８０９０５内の画像データは、第
（ｐ＋２）の画像１８０９０３における第３の領域１８０９０６内の画像データと、第ｐ
の画像１８０９０１における第１の領域１８０９０４内の画像データによって決められる
としてもよい。たとえば、第（ｐ＋１）の画像１８０９０２における第２の領域１８０９
０５内の画像データは、第（ｐ＋２）の画像１８０９０３における第３の領域１８０９０
６内の画像データと、第ｐの画像１８０９０１における第１の領域１８０９０４内の画像
データの平均値であってもよい。

このようにして、第（ｐ＋２）の画像１８０９０３における第３の領域１８０９０６に対
応する、第（ｐ＋１）の画像１８０９０２における第２の領域１８０９０５を形成するこ
とができる。なお、以上の処理を、第（ｐ＋２）の画像１８０９０３における他の領域に
も行なうことで、第（ｐ＋２）の画像１８０９０３と第ｐの画像１８０９０１の中間状態
となる、第（ｐ＋１）の画像１８０９０２を形成することができる。

図７９（Ｂ）は、表示フレームレートが、入力フレームレートの３倍（変換比が３）であ
る場合を表したものである。図７９（Ｂ）は、横軸を時間として、画像の動きを検出する
方法を、模式的に表したものである。期間Ｔｉｎは入力画像データの周期、画像１８０９
１１は第ｐの画像、画像１８０９１２は第（ｐ＋１）の画像、画像１８０９１３は第（ｐ
＋２）の画像、画像１８０９１４は第（ｐ＋３）の画像を、それぞれ表している。また、
画像中に、時間に依存しない領域として、第１の領域１８０９１５、第２の領域１８０９
１６、第３の領域１８０９１７および第４の領域１８０９１８を設ける。

まず、第（ｐ＋３）の画像１８０９１４においては、画像をタイル状の複数の領域に分割
し、そのうちの１つの領域である第４の領域１８０９１８内の画像データに着目する。

次に、第ｐの画像１８０９１１において、第４の領域１８０９１８を中心とした第４の領
域１８０９１８よりも大きな範囲に着目する。ここで、第４の領域１８０９１８を中心と
した第４の領域１８０９１８よりも大きな範囲は、データ検索範囲である。データ検索範
囲は、水平方向（Ｘ方向）の範囲を１８０９１９、垂直方向（Ｙ方向）の範囲を１８０９
２０とする。なお、データ検索範囲の水平方向の範囲１８０９１９および垂直方向の範囲
１８０９２０は、第４の領域１８０９１８の水平方向の範囲および垂直方向の範囲を、そ
れぞれ１５画素分程度拡大した範囲であってもよい。

そして、データ検索範囲内において、前記第４の領域１８０９１８内の画像データと最も
類似した画像データを持つ領域を検索する。検索方法は、最小二乗法などを用いることが
できる。検索の結果、最も類似した画像データを持つ領域として、第１の領域１８０９１
５が導出されたとする。

次に、導出された第１の領域１８０９１５と、第４の領域１８０９１８との位置の違いを
表す量として、ベクトル１８０９２１を導出する。なお、ベクトル１８０９２１を、動き
ベクトルと呼ぶことにする。

そして、第（ｐ＋１）の画像１８０９１２および、第（ｐ＋２）の画像１８０９１３にお
いては、動きベクトル１８０９２１から求めたベクトル１８０９２２および１８０９２３
と、第（ｐ＋３）の画像１８０９１５における第４の領域１８０９１８内の画像データと
、第ｐの画像１８０９１１における第１の領域１８０９１５内の画像データと、によって
、第２の領域１８０９１６および第３の領域１８０９１７を形成する。

ここで、動きベクトル１８０９２１から求めたベクトル１８０９２２を第１の変位ベクト
ルと呼ぶことにする。また、ベクトル１８０９２３を第２の変位ベクトルと呼ぶことにす
る。第１の変位ベクトル１８０９２２は、第２の領域１８０９１６を形成する位置を決め
る役割を持つ。第２の領域１８０９１６は、第４の領域１８０９１８から第１の変位ベク
トル１８０９２２だけ離れた位置に形成される。なお、変位ベクトル１８０９２２は、動
きベクトル１８０９２１に（１／３）をかけた量であってもよい。また、第２の変位ベク
トル１８０９２３は、第３の領域１８０９１７を形成する位置を決める役割を持つ。第３
の領域１８０９１７は、第４の領域１８０９１８から第２の変位ベクトル１８０９２３だ
け離れた位置に形成される。なお、変位ベクトル１８０９２３は、動きベクトル１８０９
２１に（２／３）をかけた量であってもよい。

第（ｐ＋１）の画像１８０９１２における第２の領域１８０９１６内の画像データは、第
（ｐ＋３）の画像１８０９１４における第４の領域１８０９１８内の画像データと、第ｐ
の画像１８０９１１における第１の領域１８０９１５内の画像データによって決められる
としてもよい。たとえば、第（ｐ＋１）の画像１８０９１２における第２の領域１８０９
１６内の画像データは、第（ｐ＋３）の画像１８０９１４における第４の領域１８０９１
８内の画像データと、第ｐの画像１８０９１１における第１の領域１８０９１５内の画像
データの平均値であってもよい。

第（ｐ＋２）の画像１８０９１３における第３の領域１８０９１７内の画像データは、第
（ｐ＋３）の画像１８０９１４における第４の領域１８０９１８内の画像データと、第ｐ
の画像１８０９１１における第１の領域１８０９１５内の画像データによって決められる
としてもよい。たとえば、第（ｐ＋２）の画像１８０９１３における第３の領域１８０９
１７内の画像データは、第（ｐ＋３）の画像１８０９１４における第４の領域１８０９１
８内の画像データと、第ｐの画像１８０９１１における第１の領域１８０９１５内の画像
データの平均値であってもよい。

このようにして、第（ｐ＋３）の画像１８０９１４における第４の領域１８０９１８に対
応する、第（ｐ＋１）の画像１８０９０２における第２の領域１８０９１６、および第（
ｐ＋２）の画像１８０９１３における第３の領域１８０９１７を形成することができる。
なお、以上の処理を、第（ｐ＋３）の画像１８０９１４における他の領域にも行なうこと
で、第（ｐ＋３）の画像１８０９１４と第ｐの画像１８０９１１の中間状態となる、第（
ｐ＋１）の画像１８０９１２および第（ｐ＋２）の画像１８０９１３を形成することがで
きる。

次に、図８０を参照して、入力画像データに含まれる画像の動きを検出し、中間状態の画
像を作成する回路の例について説明する。図８０（Ａ）は、表示領域に画像を表示するた
めのソースドライバ、ゲートドライバを含む周辺駆動回路と、周辺駆動回路を制御する制
御回路の接続関係を表した図である。図８０（Ｂ）は、前記制御回路の詳細な回路構成の
一例を表した図である。図８０（Ｃ）は、前記制御回路に含まれる画像処理回路の詳細な
回路構成の一例を表した図である。図８０（Ｄ）は、前記制御回路に含まれる画像処理回
路の詳細な回路構成の別の例を表した図である。

図８０（Ａ）のように、本実施の形態における装置は、制御回路１８１０１１と、ソース
ドライバ１８１０１２と、ゲートドライバ１８１０１３と、表示領域１８１０１４と、を
含んでいてもよい。

なお、制御回路１８１０１１、ソースドライバ１８１０１２およびゲートドライバ１８１
０１３は、表示領域１８１０１４が形成されている基板と同一の基板上に形成されていて
もよい。

なお、制御回路１８１０１１、ソースドライバ１８１０１２およびゲートドライバ１８１
０１３は、これらのうち一部が、表示領域１８１０１４が形成されている基板と同一の基
板上に形成され、その他の回路は、表示領域１８１０１４が形成されている基板とは異な
る基板上に形成されていてもよい。たとえば、ソースドライバ１８１０１２およびゲート
ドライバ１８１０１３が、表示領域１８１０１４が形成されている基板と同一の基板上に
形成され、制御回路１８１０１１は異なる基板上に外付けＩＣとして形成されていてもよ
い。同様に、ゲートドライバ１８１０１３が、表示領域１８１０１４が形成されている基
板と同一の基板上に形成され、その他の回路は異なる基板上に外付けＩＣとして形成され
ていてもよい。同様に、ソースドライバ１８１０１２、ゲートドライバ１８１０１３およ
び制御回路１８１０１１の一部が、表示領域１８１０１４が形成されている基板と同一の
基板上に形成され、その他の回路は異なる基板上に外付けＩＣとして形成されていてもよ
い。

制御回路１８１０１１は、外部画像信号１８１０００と、水平同期信号１８１００１と、
垂直同期信号１８１００２と、が入力され、画像信号１８１００３と、ソーススタートパ
ルス１８１００４と、ソースクロック１８１００５と、ゲートスタートパルス１８１００
６と、ゲートクロック１８１００７と、が出力される構成であってもよい。

ソースドライバ１８１０１２は、画像信号１８１００３と、ソーススタートパルス１８１
００４と、ソースクロック１８１００５と、が入力され、画像信号１８１００３に従った
電圧または電流を表示領域１８１０１４に出力する構成であってもよい。

ゲートドライバ１８１０１３は、ゲートスタートパルス１８１００６と、ゲートクロック
１８１００７と、が入力され、ソースドライバ１８１０１２から出力される信号を表示領
域１８１０１４に書き込むタイミングを指定する信号が出力される構成であってもよい。

外部画像信号１８１０００の周波数と、画像信号１８１００３の周波数が異なっている場
合、ソースドライバ１８１０１２およびゲートドライバ１８１０１３を駆動するタイミン
グを制御する信号も、入力される水平同期信号１８１００１および垂直同期信号１８１０
０２とは異なる周波数を持つことになる。そのため、画像信号１８１００３の処理に加え
て、ソースドライバ１８１０１２およびゲートドライバ１８１０１３を駆動するタイミン
グを制御する信号も処理する必要がある。制御回路１８１０１１は、そのための機能を持
った回路であってもよい。たとえば、外部画像信号１８１０００の周波数に対して画像信
号１８１００３の周波数が倍であった場合、制御回路１８１０１１は、外部画像信号１８
１０００に含まれる画像信号を補間して倍の周波数の画像信号１８１００３を生成し、か
つ、タイミングを制御する信号も倍の周波数になるように制御する。

また、制御回路１８１０１１は、図８０（Ｂ）のように、画像処理回路１８１０１５と、
タイミング発生回路１８１０１６と、を含んでいてもよい。

画像処理回路１８１０１５は、外部画像信号１８１０００と、周波数制御信号１８１００
８と、が入力され、画像信号１８１００３が出力される構成であってもよい。

タイミング発生回路１８１０１６は、水平同期信号１８１００１と、垂直同期信号１８１
００２と、が入力され、ソーススタートパルス１８１００４と、ソースクロック１８１０
０５と、ゲートスタートパルス１８１００６と、ゲートクロック１８１００７と、周波数
制御信号１８１００８と、が出力される構成であってもよい。なお、タイミング発生回路
１８１０１６は、周波数制御信号１８１００８の状態を指定するためのデータを保持する
メモリまたはレジスタ等を含んでいてもよい。また、タイミング発生回路１８１０１６は
、外部から周波数制御信号１８１００８の状態を指定する信号が入力される構成であって
もよい。

画像処理回路１８１０１５は、図８０（Ｃ）のように、動き検出回路１８１０２０と、第
１のメモリ１８１０２１と、第２のメモリ１８１０２２と、第３のメモリ１８１０２３と
、輝度制御回路１８１０２３と、高速処理回路１８１０２５と、を含んでいてもよい。

動き検出回路１８１０２０は、複数の画像データが入力され、画像の動きが検出され、前
記複数の画像データの中間状態である画像データが出力される構成であってもよい。

第１のメモリ１８１０２１は、外部映像信号１８１０００が入力され、前記外部映像信号
１８１０００を一定期間保持しつつ、動き検出回路１８１０２０と第２のメモリ１８１０
２２に前記外部映像信号１８１０００を出力する構成であってもよい。

第２のメモリ１８１０２２は、第１のメモリ１８１０２１から出力された画像データが入
力され、前記画像データを一定期間保持しつつ、動き検出回路１８１０２０と高速処理回
路１８１０２５に前記画像データを出力する構成であってもよい。

第３のメモリ１８１０２３は、動き検出回路１８１０２０から出力された画像データが入
力され、前記画像データを一定期間保持しつつ、輝度制御回路１８１０２４に前記画像デ
ータを出力する構成であってもよい。

高速処理回路１８１０２５は、第２のメモリ１８１０２２から出力された画像データと、
輝度制御回路１８１０２４から出力された画像データと、周波数制御信号１８１００８と
、が入力され、前記画像データを、画像信号１８１００３として出力する構成であっても
よい。

外部画像信号１８１０００の周波数と、画像信号１８１００３の周波数が異なっている場
合、画像処理回路１８１０１５によって、外部画像信号１８１０００に含まれる画像信号
を補間して画像信号１８１００３を生成してもよい。入力された外部画像信号１８１００
０は、一旦第１のメモリ１８１０２１に保持される。そのとき、第２のメモリ１８１０２
２には、１つ前のフレームで入力された画像データが保持されている。動き検出回路１８
１０２０は、第１のメモリ１８１０２１および第２のメモリ１８１０２２に保持された画
像データを適宜読み込み、両者の画像データの違いから動きベクトルを検出し、さらに、
中間状態の画像データを生成してもよい。生成された中間状態の画像データは、第３のメ
モリ１８１０２３によって保持される。

動き検出回路１８１０２０が中間状態の画像データを生成しているとき、高速処理回路１
８１０２５は、第２のメモリ１８１０２２に保持されている画像データを、画像信号１８
１００３として出力する。その後、第３のメモリ１８１０２３に保持された画像データを
輝度制御回路１８１０２４を通じて画像信号１８１００３として出力する。このとき、第
２のメモリ１８１０２２および第３のメモリ１８１０２３が更新される周波数は外部画像
信号１８１０００の周波数と同じだが、高速処理回路１８１０２５を通じて出力される画
像信号１８１００３の周波数は、外部画像信号１８１０００の周波数と異なっていてもよ
い。具体的には、たとえば、画像信号１８１００３の周波数は外部画像信号１８１０００
の周波数の１．５倍、２倍、３倍が挙げられる。しかし、これに限定されるものではなく
、様々な周波数とすることができる。なお、画像信号１８１００３の周波数は、周波数制
御信号１８１００８によって指定されてもよい。

図８０（Ｄ）に示した画像処理回路１８１０１５の構成は、図８０（Ｃ）に示した画像処
理回路１８１０１５の構成に、第４のメモリ１８１０２６を加えたものである。このよう
に、第１のメモリ１８１０２１から出力された画像データと、第２のメモリ１８１０２２
から出力された画像データに加えて、第４のメモリ１８１０２６から出力された画像デー
タも動き検出回路１８１０２０に出力することで、正確に画像の動きを検出することが可
能になる。

なお、入力される画像データが、データ圧縮等のために、すでに動きベクトルを含んでい
るような場合、たとえばＭＰＥＧ（Ｍｏｖｉｎｇ Ｐｉｃｔｕｒｅ Ｅｘｐｅｒｔ Ｇｒ
ｏｕｐ）の規格に基づく画像データである場合は、これを用いて中間状態の画像を補間画
像として生成すればよい。このとき、動き検出回路１８１０２０に含まれる、動きベクト
ルを生成する部分は不要となる。また、画像信号１８１０２３に係るエンコードおよびデ
コード処理も簡単なものとなるため、消費電力を低減できる。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図
で述べた内容（一部でもよい）対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行
うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の
形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。

（実施の形態１２）
本実施形態においては、本発明に係る電子機器の例について説明する。

図４８は表示パネル９００１０１と、回路基板９００１１１を組み合わせた表示パネルモ
ジュールを示している。表示パネル９００１０１は画素部９００１０２、走査線駆動回路
９００１０３及び信号線駆動回路９００１０４を有している。回路基板９００１１１には
、例えば、コントロール回路９００１１２及び信号分割回路９００１１３などが形成され
ている。表示パネル９００１０１と回路基板９００１１１とは接続配線９００１１４によ
って接続されている。接続配線にはＦＰＣ等を用いることができる。

表示パネル９００１０１は、画素部９００１０２と一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路
のうち動作周波数の低い駆動回路）を基板上にトランジスタを用いて一体形成し、一部の
周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周波数の高い駆動回路）をＩＣチップ上に形成
し、そのＩＣチップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）などで表示パネル９００１
０１に実装してもよい。こうすることで、回路基板９００１１１の面積を削減でき、小型
の表示装置を得ることができる。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔ
ｏ Ｂｏｎｄｉｎｇ）又はプリント基板を用いて表示パネル９００１０１に実装してもよ
い。こうすることで、表示パネル９００１０１の面積を小さくできるので、額縁サイズの
小さい表示装置を得ることができる。

例えば、消費電力の低減を図るため、ガラス基板上にトランジスタを用いて画素部を形成
し、全ての周辺駆動回路をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ又はＴＡＢで
表示パネルに実装してもよい。

図４８に示した表示パネルモジュールによって、テレビ受像機を完成させることができる
。図４９は、テレビ受像機の主要な構成を示すブロック図である。チューナ９００２０１
は映像信号と音声信号を受信する。映像信号は、映像信号増幅回路９００２０２と、映像
信号増幅回路９００２０２から出力される信号を赤、緑、青の各色に対応した色信号に変
換する映像信号処理回路９００２０３と、その映像信号を駆動回路の入力仕様に変換する
ためのコントロール回路９００２１２により処理される。コントロール回路９００２１２
は、走査線側と信号線側にそれぞれ信号を出力する。デジタル駆動する場合には、信号線
側に信号分割回路９００２１３を設け、入力デジタル信号をｍ個（ｍは正の整数）に分割
して供給する構成としても良い。

チューナ９００２０１で受信した信号のうち、音声信号は音声信号増幅回路９００２０５
に送られ、その出力は音声信号処理回路９００２０６を経てスピーカー９００２０７に供
給される。制御回路９００２０８は受信局（受信周波数）及び音量の制御情報を入力部９
００２０９から受け、チューナ９００２０１又は音声信号処理回路９００２０６に信号を
送出する。

図４９とは別の形態の表示パネルモジュールを組み込んだテレビ受像器について図５０（
Ａ）に示す。図５０（Ａ）において、筐体９００３０１内に収められた表示画面９００３
０２は、表示パネルモジュールで形成される。なお、スピーカー９００３０３、操作スイ
ッチ９００３０４などが適宜備えられていてもよい。

図５０（Ｂ）に、ワイヤレスでディスプレイのみを持ち運び可能なテレビ受像器を示す。
筐体９００３１２にはバッテリー及び信号受信器が内蔵されており、そのバッテリーで表
示部９００３１３又はスピーカー部９００３１７を駆動させる。バッテリーは充電器９０
０３１０で繰り返し充電が可能となっている。充電器９００３１０は映像信号を送受信す
ることが可能で、その映像信号をディスプレイの信号受信器に送信することができる。筐
体９００３１２は操作キー９００３１６によって制御する。あるいは、図５０（Ｂ）に示
す装置は、操作キー９００３１６を操作することによって、筐体９００３１２から充電器
９００３１０に信号を送ることが可能である、映像音声双方向通信装置であってもよい。
あるいは、操作キー９００３１６を操作することによって、筐体９００３１２から充電器
９００３１０に信号を送り、さらに充電器９００３１０が送信できる信号を他の電子機器
に受信させることによって、他の電子機器の通信制御も可能である、汎用遠隔制御装置で
あってもよい。本発明を表示部９００３１３に適用することができる。

図５１（Ａ）は、表示パネル９００４０１とプリント配線基板９００４０２を組み合わせ
たモジュールを示している。表示パネル９００４０１は、複数の画素が設けられた画素部
９００４０３と、第１の走査線駆動回路９００４０４、第２の走査線駆動回路９００４０
５と、選択された画素にビデオ信号を供給する信号線駆動回路９００４０６を備えていて
もよい。

プリント配線基板９００４０２には、コントローラ９００４０７、中央処理装置（ＣＰＵ
）９００４０８、メモリ９００４０９、電源回路９００４１０、音声処理回路９００４１
１及び送受信回路９００４１２などが備えられている。プリント配線基板９００４０２と
表示パネル９００４０１は、フレキシブル配線基板（ＦＰＣ）９００４１３により接続さ
れている。フレキシブル配線基板（ＦＰＣ）９００４１３には、保持容量、バッファ回路
などを設け、電源電圧又は信号にノイズの発生、及び信号の立ち上がり時間の増大を防ぐ
構成としても良い。なお、コントローラ９００４０７、音声処理回路９００４１１、メモ
リ９００４０９、中央処理装置（ＣＰＵ）９００４０８、電源回路９００４１０などは、
ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式を用いて表示パネル９００４０１に実装する
こともできる。ＣＯＧ方式により、プリント配線基板９００４０２の規模を縮小すること
ができる。

プリント配線基板９００４０２に備えられたインターフェース（Ｉ／Ｆ）部９００４１４
を介して、各種制御信号の入出力が行われる。そして、アンテナとの間の信号の送受信を
行うためのアンテナ用ポート９００４１５が、プリント配線基板９００４０２に設けられ
ている。

図５１（Ｂ）は、図５１（Ａ）に示したモジュールのブロック図を示す。このモジュール
は、メモリ９００４０９としてＶＲＡＭ９００４１６、ＤＲＡＭ９００４１７、フラッシ
ュメモリ９００４１８などが含まれている。ＶＲＡＭ９００４１６にはパネルに表示する
画像のデータが、ＤＲＡＭ９００４１７には画像データ又は音声データが、フラッシュメ
モリには各種プログラムが記憶されている。

電源回路９００４１０は、表示パネル９００４０１、コントローラ９００４０７、中央処
理装置（ＣＰＵ）９００４０８、音声処理回路９００４１１、メモリ９００４０９、送受
信回路９００４１２を動作させる電力を供給する。ただし、パネルの仕様によっては、電
源回路９００４１０に電流源が備えられている場合もある。

中央処理装置（ＣＰＵ）９００４０８は、制御信号生成回路９００４２０、デコーダ９０
０４２１、レジスタ９００４２２、演算回路９００４２３、ＲＡＭ９００４２４、中央処
理装置（ＣＰＵ）９００４０８用のインターフェース（Ｉ／Ｆ）部９００４１９などを有
している。インターフェース（Ｉ／Ｆ）部９００４１９を介して中央処理装置（ＣＰＵ）
９００４０８に入力された各種信号は、一旦レジスタ９００４２２に保持された後、演算
回路９００４２３、デコーダ９００４２１などに入力される。演算回路９００４２３では
、入力された信号に基づき演算を行い、各種命令を送る場所を指定する。一方デコーダ９
００４２１に入力された信号はデコードされ、制御信号生成回路９００４２０に入力され
る。制御信号生成回路９００４２０は入力された信号に基づき、各種命令を含む信号を生
成し、演算回路９００４２３において指定された場所、具体的にはメモリ９００４０９、
送受信回路９００４１２、音声処理回路９００４１１、コントローラ９００４０７などに
送る。

メモリ９００４０９、送受信回路９００４１２、音声処理回路９００４１１、コントロー
ラ９００４０７は、それぞれ受けた命令に従って動作する。以下その動作について簡単に
説明する。

入力手段９００４２５から入力された信号は、インターフェース（Ｉ／Ｆ）部９００４１
４を介してプリント配線基板９００４０２に実装された中央処理装置（ＣＰＵ）９００４
０８に送られる。制御信号生成回路９００４２０は、ポインティングデバイス又はキーボ
ードなどの入力手段９００４２５から送られてきた信号に従い、ＶＲＡＭ９００４１６に
格納してある画像データを所定のフォーマットに変換し、コントローラ９００４０７に送
付する。

コントローラ９００４０７は、パネルの仕様に合わせて中央処理装置（ＣＰＵ）９００４
０８から送られてきた画像データを含む信号にデータ処理を施し、表示パネル９００４０
１に供給する。コントローラ９００４０７は、電源回路９００４１０から入力された電源
電圧、又は中央処理装置（ＣＰＵ）９００４０８から入力された各種信号をもとに、Ｈｓ
ｙｎｃ信号、Ｖｓｙｎｃ信号、クロック信号ＣＬＫ、交流電圧（ＡＣ Ｃｏｎｔ）、切り
替え信号Ｌ／Ｒを生成し、表示パネル９００４０１に供給する。

送受信回路９００４１２では、アンテナ９００４２８において電波として送受信される信
号が処理されており、具体的にはアイソレータ、バンドパスフィルタ、ＶＣＯ（Ｖｏｌｔ
ａｇｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）、ＬＰＦ（Ｌｏｗ Ｐａｓｓ
Ｆｉｌｔｅｒ）、カプラ、バランなどの高周波回路を含んでいてもよい。送受信回路９０
０４１２において送受信される信号のうち音声情報を含む信号が、中央処理装置（ＣＰＵ
）９００４０８からの命令に従って、音声処理回路９００４１１に送られる。

中央処理装置（ＣＰＵ）９００４０８の命令に従って送られてきた音声情報を含む信号は
、音声処理回路９００４１１において音声信号に復調され、スピーカー９００４２７に送
られる。マイク９００４２６から送られてきた音声信号は、音声処理回路９００４１１に
おいて変調され、中央処理装置（ＣＰＵ）９００４０８からの命令に従って、送受信回路
９００４１２に送られる。

コントローラ９００４０７、中央処理装置（ＣＰＵ）９００４０８、電源回路９００４１
０、音声処理回路９００４１１、メモリ９００４０９を、本実施形態のパッケージとして
実装することができる。

勿論、本実施の形態はテレビ受像機に限定されず、パーソナルコンピュータのモニタをは
じめ、鉄道の駅又は空港などにおける情報表示盤、街頭における広告表示盤など特に大面
積の表示媒体として様々な用途に適用することができる。

次に、図５２を参照して、本発明に係る携帯電話の構成例について説明する。

表示パネル９００５０１はハウジング９００５３０に脱着自在に組み込まれる。ハウジン
グ９００５３０は表示パネル９００５０１のサイズに合わせて、形状又は寸法を適宜変更
することができる。表示パネル９００５０１を固定したハウジング９００５３０はプリン
ト基板９００５３１に嵌入されモジュールとして組み立てられる。

表示パネル９００５０１はＦＰＣ９００５１３を介してプリント基板９００５３１に接続
される。プリント基板９００５３１には、スピーカー９００５３２、マイクロフォン９０
０５３３、送受信回路９００５３４、ＣＰＵ及びコントローラなどを含む信号処理回路９
００５３５が形成されている。このようなモジュールと、入力手段９００５３６、バッテ
リー９００５３７を組み合わせ、筐体９００５３９に収納する。表示パネル９００５０１
の画素部は筐体９００５３９に形成された開口窓から視認できように配置する。

表示パネル９００５０１は、画素部と一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周
波数の低い駆動回路）を基板上にトランジスタを用いて一体形成し、一部の周辺駆動回路
（複数の駆動回路のうち動作周波数の高い駆動回路）をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣ
チップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）で表示パネル９００５０１に実装しても
良い。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏ Ｂｏｎｄｉｎｇ）又は
プリント基板を用いてガラス基板と接続してもよい。このような構成とすることで、表示
装置の低消費電力化を図り、携帯電話機の一回の充電による使用時間を長くすることがで
きる。携帯電話機の低コスト化を図ることができる。

図５２に示した携帯電話は、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する
機能を有する。カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能を有する。表示部
に表示した情報を操作又は編集する機能を有する。様々なソフトウェア（プログラム）に
よって処理を制御する機能を有する。無線通信機能を有する。無線通信機能を用いて他の
携帯電話、固定電話又は音声通信機器と通話する機能を有する。無線通信機能を用いて様
々なコンピュータネットワークに接続する機能を有する。無線通信機能を用いて様々なデ
ータの送信又は受信を行う機能を有する。着信、データの受信、又はアラームに応じてバ
イブレータが動作する機能を有する。着信、データの受信、又はアラームに応じて音が発
生する機能を有する。なお、図５２に示した携帯電話が有する機能はこれに限定されず、
様々な機能を有することができる。

図５３で示す携帯電話機は、操作スイッチ類９００６０４、マイクロフォン９００６０５
などが備えられた本体（Ａ）９００６０１と、表示パネル（Ａ）９００６０８、表示パネ
ル（Ｂ）９００６０９、スピーカー９００６０６などが備えられた本体（Ｂ）９００６０
２とが、蝶番９００６１０で開閉可能に連結されている。表示パネル（Ａ）９００６０８
と表示パネル（Ｂ）９００６０９は、回路基板９００６０７と共に本体（Ｂ）９００６０
２の筐体９００６０３の中に収納される。表示パネル（Ａ）９００６０８及び表示パネル
（Ｂ）９００６０９の画素部は筐体９００６０３に形成された開口窓から視認できるよう
に配置される。

表示パネル（Ａ）９００６０８と表示パネル（Ｂ）９００６０９は、その携帯電話機９０
０６００の機能に応じて画素数などの仕様を適宜設定することができる。例えば、表示パ
ネル（Ａ）９００６０８を主画面とし、表示パネル（Ｂ）９００６０９を副画面として組
み合わせることができる。

本実施形態に係る携帯電話機は、その機能又は用途に応じてさまざまな態様に変容し得る
。例えば、蝶番９００６１０の部位に撮像素子を組み込んで、カメラ付きの携帯電話機と
しても良い。操作スイッチ類９００６０４、表示パネル（Ａ）９００６０８、表示パネル
（Ｂ）９００６０９を一つの筐体内に納めた構成としても、上記した作用効果を奏するこ
とができる。表示部を複数個そなえた情報表示端末に本実施形態の構成を適用しても、同
様な効果を得ることができる。

図５３に示した携帯電話は、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する
機能を有する。カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能を有する。表示部
に表示した情報を操作又は編集する機能を有する。様々なソフトウェア（プログラム）に
よって処理を制御する機能を有する。無線通信機能を有する。無線通信機能を用いて他の
携帯電話、固定電話又は音声通信機器と通話する機能を有する。無線通信機能を用いて様
々なコンピュータネットワークに接続する機能を有する。無線通信機能を用いて様々なデ
ータの送信又は受信を行う機能を有する。着信、データの受信、又はアラームに応じてバ
イブレータが動作する機能を有する。着信、データの受信、又はアラームに応じて音が発
生する機能を有する。なお、図５３に示した携帯電話が有する機能はこれに限定されず、
様々な機能を有することができる。

本発明を様々な電子機器に適用することができる。具体的には、電子機器の表示部に適用
することができる。そのような電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグ
ル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディ
オコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯
電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤ
ｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画
像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。

図５４（Ａ）はディスプレイであり、筐体９００７１１、支持台９００７１２、表示部９
００７１３等を含む。図５４（Ａ）に示すディスプレイは、様々な情報（静止画、動画、
テキスト画像など）を表示部に表示する機能を有する。なお、図５４（Ａ）に示すディス
プレイが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。

図５４（Ｂ）はカメラであり、本体９００７２１、表示部９００７２２、受像部９００７
２３、操作キー９００７２４、外部接続ポート９００７２５、シャッター９００７２６等
を含む。図５４（Ｂ）に示すカメラは、静止画を撮影する機能を有する。動画を撮影する
機能を有する。撮影した画像（静止画、動画）を自動で補正する機能を有する。撮影した
画像を記録媒体（外部又はデジタルカメラに内臓）に保存する機能を有する。撮影した画
像を表示部に表示する機能を有する。なお、図５４（Ｂ）に示すカメラが有する機能はこ
れに限定されず、様々な機能を有することができる。

図５４（Ｃ）はコンピュータであり、本体９００７３１、筐体９００７３２、表示部９０
０７３３、キーボード９００７３４、外部接続ポート９００７３５、ポインティングデバ
イス９００７３６等を含む。図５４（Ｃ）に示すコンピュータは、様々な情報（静止画、
動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能を有する。様々なソフトウェア（プロ
グラム）によって処理を制御する機能を有する。無線通信又は有線通信などの通信機能を
有する。通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能を有する。通
信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能を有する。なお、図５４（Ｃ）に
示すコンピュータが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。

図５４（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体９００７４１、表示部９００７４２、
スイッチ９００７４３、操作キー９００７４４、赤外線ポート９００７４５等を含む。図
５４（Ｄ）に示すモバイルコンピュータは、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像な
ど）を表示部に表示する機能を有する。表示部にタッチパネルの機能を有する。カレンダ
ー、日付又は時刻などを表示する機能を表示部に有する。様々なソフトウェア（プログラ
ム）によって処理を制御する機能を有する。無線通信機能を有する。無線通信機能を用い
て様々なコンピュータネットワークに接続する機能を有する。無線通信機能を用いて様々
なデータの送信又は受信を行う機能を有する。なお、図５４（Ｄ）に示すモバイルコンピ
ュータが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。

図５４（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（たとえば、ＤＶＤ再生装置）で
あり、本体９００７５１、筐体９００７５２、表示部Ａ９００７５３、表示部Ｂ９００７
５４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部９００７５５、操作キー９００７５６、スピーカ
ー部９００７５７等を含む。表示部Ａ９００７５３は主として画像情報を表示し、表示部
Ｂ９００７５４は主として文字情報を表示することができる。

図５４（Ｆ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体９００７６１、表示部９００７６２
、イヤホン９００７６３、支持部９００７６４を含む。図５４（Ｆ）に示すゴーグル型デ
ィスプレイは、外部から取得した画像（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表
示する機能を有する。なお、図５４（Ｆ）に示すゴーグル型ディスプレイが有する機能は
これに限定されず、様々な機能を有することができる。

図５４（Ｇ）は携帯型遊技機であり、筐体９００７７１、表示部９００７７２、スピーカ
ー部９００７７３、操作キー９００７７４、記憶媒体挿入部９００７７５等を含む。本発
明の表示装置を表示部９００７７２に用いた携帯型遊技機は、鮮やかな色彩を表現するこ
とができる。図５４（Ｇ）に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム
又はデータを読み出して表示部に表示する機能を有する。他の携帯型遊技機と無線通信を
行って情報を共有する機能を有する。なお、図５４（Ｇ）に示す携帯型遊技機が有する機
能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。

図５４（Ｈ）はテレビ受像機能付きデジタルカメラであり、本体９００７８１、表示部９
００７８２、操作キー９００７８３、スピーカー９００７８４、シャッター９００７８５
、受像部９００７８６、アンテナ９００７８７等を含む。図５４（Ｈ）に示すテレビ受像
機付きデジタルカメラは、静止画を撮影する機能を有する。動画を撮影する機能を有する
。撮影した画像を自動で補正する機能を有する。アンテナから様々な情報を取得する機能
を有する。撮影した画像、又はアンテナから取得した情報を保存する機能を有する。撮影
した画像、又はアンテナから取得した情報を表示部に表示する機能を有する。なお、図５
４（Ｈ）に示すテレビ受像機付きデジタルカメラが有する機能はこれに限定されず、様々
な機能を有することができる。

図５４（Ａ）乃至（Ｅ）に示したように、本発明に係る電子機器は、何らかの情報を表示
するための表示部を有することを特徴とする。本発明に係る電子機器は、データが重複し
ている場合に該データをメモリに格納することで回路の動作頻度を減少させることができ
るので、消費電力が小さく、長時間の電池駆動が可能である。

次に、本発明に係る半導体装置の応用例を説明する。

図５５に、本発明に係る半導体装置を、建造物と一体にして設けた例について示す。図５
５は、筐体９００８１０、表示部９００８１１、操作部であるリモコン装置９００８１２
、スピーカー部９００８１３等を含む。本発明に係る半導体装置は、壁かけ型として建物
と一体となっており、設置するスペースを広く必要とすることなく設置可能である。

図５６に、建造物内に本発明に係る半導体装置を、建造物と一体にして設けた別の例につ
いて示す。表示パネル９００９０１は、ユニットバス９００９０２と一体に取り付けられ
ており、入浴者は表示パネル９００９０１の視聴が可能になる。表示パネル９００９０１
は入浴者が操作することで情報を表示する機能を有する。広告又は娯楽手段として利用で
きる機能を有する。

なお、本発明に係る半導体装置は、図５６で示したユニットバス９００９０２の側壁だけ
ではなく、様々な場所に設置することができる。たとえば、鏡面の一部又は浴槽自体と一
体にするなどとしてもよい。このとき、表示パネル９００９０１の形状は、鏡面又は浴槽
の形状に合わせたものとなっていてもよい。

図５７に、本発明に係る半導体装置を、建造物と一体にして設けた別の例について示す。
表示パネル９０１００２は、柱状体９０１００１の曲面に合わせて湾曲させて取り付けら
れている。なお、ここでは柱状体９０１００１を電柱として説明する。

図５７に示す表示パネル９０１００２は、人間の視点より高い位置に設けられている。電
柱のように屋外で繰り返し林立している建造物に表示パネル９０１００２を設置すること
で、不特定多数の視認者に広告を行なうことができる。ここで、表示パネル９０１００２
は、外部からの制御により、同じ画像を表示させること、及び瞬時に画像を切替えること
が容易であるため、極めて効率的な情報表示、及び広告効果が期待できる。表示パネル９
０１００２に自発光型の表示素子を設けることで、夜間であっても、視認性の高い表示媒
体として有用であるといえる。電柱に設置することで、表示パネル９０１００２の電力供
給手段の確保が容易である。災害発生時などの非常事態の際には、被災者に素早く正確な
情報を伝達する手段ともなり得る。

なお、表示パネル９０１００２としては、たとえば、フィルム状の基板に有機トランジス
タなどのスイッチング素子を設けて表示素子を駆動することにより画像の表示を行なう表
示パネルを用いることができる。

なお、本実施形態において、建造物として壁、柱状体、ユニットバスを例としたが、本実
施形態はこれに限定されず、様々な建造物に本発明に係る半導体装置を設置することがで
きる。

次に、本発明に係る半導体装置を、移動体と一体にして設けた例について示す。

図５８は、本発明に係る半導体装置を、自動車と一体にして設けた例について示した図で
ある。表示パネル９０１１０２は、自動車の車体９０１１０１と一体に取り付けられてお
り、車体の動作又は車体内外から入力される情報をオンデマンドに表示することができる
。なお、ナビゲーション機能を有していてもよい。

なお、本発明に係る半導体装置は、図５８で示した車体９０１１０１だけではなく、様々
な場所に設置することができる。たとえば、ガラス窓、ドア、ハンドル、シフトレバー、
座席シート、ルームミラー等と一体にしてもよい。このとき、表示パネル９０１１０２の
形状は、設置するもの形状に合わせたものとなっていてもよい。

図５９は、本発明に係る半導体装置を、列車車両と一体にして設けた例について示した図
である。

図５９（ａ）は、列車車両のドア９０１２０１のガラスに表示パネル９０１２０２を設け
た例について示した図である。従来の紙による広告に比べて、広告切替えの際に必要とな
る人件費がかからないという利点がある。表示パネル９０１２０２は、外部からの信号に
より表示部で表示される画像の切り替えを瞬時に行なうことが可能であるため、たとえば
、電車の乗降客の客層が入れ替わる時間帯ごとに表示パネルの画像を切り替えることがで
き、より効果的な広告効果が期待できる。

図５９（ｂ）は、列車車両のドア９０１２０１のガラスの他に、ガラス窓９０１２０３、
及び天井９０１２０４に表示パネル９０１２０２を設けた例について示した図である。こ
のように、本発明に係る半導体装置は、従来では設置が困難であった場所に容易に設置す
ることが可能であるため、効果的な広告効果を得ることができる。本発明に係る半導体装
置は、外部からの信号により表示部で表示される画像の切り替えを瞬時に行なうことが可
能であるため、広告切替え時のコスト及び時間が削減でき、より柔軟な広告の運用及び情
報伝達が可能となる。

なお、本発明に係る半導体装置は、図５９で示したドア９０１２０１、ガラス窓９０１２
０３、及び天井９０１２０４だけではなく、様々な場所に設置することができる。たとえ
ば、つり革、座席シート、てすり、床等と一体にしてもよい。このとき、表示パネル９０
１２０２の形状は、設置するもの形状に合わせたものとなっていてもよい。

なお、本実施形態において、移動体としては電車車両本体、自動車車体、飛行機車体につ
いて例示したがこれに限定されず、自動二輪車、自動四輪車（自動車、バス等を含む）、
電車（モノレール、鉄道等を含む）、船舶等、様々なものに設置することができる。本発
明に係る半導体装置は、外部からの信号により、移動体内における表示パネルの表示を瞬
時に切り替えることが可能であるため、移動体に本発明に係る半導体装置を設置すること
により、移動体を不特定多数の顧客を対象とした広告表示板、災害発生時の情報表示板、
等の用途に用いることが可能となる。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態およ
び実施例の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換え
などを自由に行うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関し
て、別の実施の形態および実施例の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構
成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態および実施例で述べた内容（一部でもよい）を、
具現化した場合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した
場合の一例、詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての
一例などを示している。したがって、他の実施の形態および実施例で述べた内容は、本実
施の形態への適用、組み合わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。

１０１ 走査線
１０２ 信号線
１１０ 副画素
１１１ 液晶層
１１２ 容量素子
１１３ トランジスタ
１１４ 容量配線
１２０ 副画素
１２１ 液晶層
１２２ 容量素子
１２３ トランジスタ
１２４ 容量配線
１３０ 副画素
１３１ 液晶層
１３２ 容量素子
１３３ トランジスタ
１３４ 容量配線
１４０ 副画素
１４１ 液晶層
１４２ 容量素子
１４３ トランジスタ
１４４ 容量配線
１５０ 副画素
１５１ 液晶層
１５２ 容量素子
１５３ トランジスタ
１５４ 容量配線
１００ａ 画素
１００ｂ 画素
１００ｃ 画素
２００ａ 画素
２０１ 走査線
１０１０１ 基板
１０１０２ 絶縁膜
１０１０３ 導電層
１０１０４ 絶縁膜
１０１０５ 半導体層
１０１０６ 半導体層
１０１０７ 導電層
１０１０８ 絶縁膜
１０１０９ 導電層
１０１１０ 配向膜
１０１１２ 配向膜
１０１１３ 導電層
１０１１４ 遮光膜
１０１１５ カラーフィルタ
１０１１６ 基板
１０１１７ スペーサ
１０１１８ 液晶分子
１０２０１ 基板
１０２０２ 絶縁膜
１０２０３ 導電層
１０２０４ 絶縁膜
１０２０５ 半導体層
１０２０６ 半導体層
１０２０７ 導電層
１０２０８ 絶縁膜
１０２０９ 導電層
１０２１０ 配向膜
１０２１２ 配向膜
１０２１３ 導電層
１０２１４ 遮光膜
１０２１５ カラーフィルタ
１０２１６ 基板
１０２１７ スペーサ
１０２１８ 液晶分子
１０２１９ 配向制御用突起
１０２３１ 基板
１０２３２ 絶縁膜
１０２３３ 導電層
１０２３４ 絶縁膜
１０２３５ 半導体層
１０２３６ 半導体層
１０２３７ 導電層
１０２３８ 絶縁膜
１０２３９ 導電層
１０２４０ 配向膜
１０２４２ 配向膜
１０２４３ 導電層
１０２４４ 遮光膜
１０２４５ カラーフィルタ
１０２４６ 基板
１０２４７ スペーサ
１０２４８ 液晶分子
１０２４９ 部
１０３０１ 基板
１０３０２ 絶縁膜
１０３０３ 導電層
１０３０４ 絶縁膜
１０３０５ 半導体層
１０３０６ 半導体層
１０３０７ 導電層
１０３０８ 絶縁膜
１０３０９ 導電層
１０３１０ 配向膜
１０３１２ 配向膜
１０３１４ 遮光膜
１０３１５ カラーフィルタ
１０３１６ 基板
１０３１７ スペーサ
１０３１８ 液晶分子
１０３３１ 基板
１０３３２ 絶縁膜
１０３３３ 導電層
１０３３４ 絶縁膜
１０３３５ 半導体層
１０３３６ 半導体層
１０３３７ 導電層
１０３３８ 絶縁膜
１０３３９ 導電層
１０３４０ 配向膜
１０３４２ 配向膜
１０３４３ 導電層
１０３４４ 遮光膜
１０３４５ カラーフィルタ
１０３４６ 基板
１０３４７ スペーサ
１０３４８ 液晶分子
１０３４９ 絶縁膜
１０４０１ 走査線
１０４０２ 映像信号線
１０４０３ 容量線
１０４０４ トランジスタ
１０４０５ 画素電極
１０４０６ 画素容量
１０５０１ 走査線
１０５０２ 映像信号線
１０５０３ 容量線
１０５０４ トランジスタ
１０５０５ 画素電極
１０５０６ 画素容量
１０５０７ 配向制御用突起
１０５１１ 走査線
１０５１２ 映像信号線
１０５１３ 容量線
１０５１４ トランジスタ
１０５１５ 画素電極
１０５１６ 画素容量
１０５１７ 部
１０６０１ 走査線
１０６０２ 映像信号線
１０６０３ 共通電極
１０６０４ トランジスタ
１０６０５ 画素電極
１０６１１ 走査線
１０６１２ 映像信号線
１０６１３ 共通電極
１０６１４ トランジスタ
１０６１５ 画素電極
２０１０１ バックライトユニット
２０１０２ 拡散板
２０１０３ 導光板
２０１０４ 反射板
２０１０５ ランプリフレクタ
２０１０６ 光源
２０１０７ 液晶パネル
２０２０１ バックライトユニット
２０２０２ ランプリフレクタ
２０２０３ 冷陰極管
２０２１１ バックライトユニット
２０２１２ ランプリフレクタ
２０２１３ 発光ダイオード
２０２２１ バックライトユニット
２０２２２ ランプリフレクタ
２０２２３ 発光ダイオード
２０２２４ 発光ダイオード
２０２２５ 発光ダイオード
２０２３１ バックライトユニット
２０２３２ ランプリフレクタ
２０２３３ 発光ダイオード
２０２３４ 発光ダイオード
２０２３５ 発光ダイオード
２０３００ 偏光フィルム
２０３０１ 保護フィルム
２０３０２ 基板フィルム
２０３０２ フィルム（基板フィルム
２０３０３ ＰＶＡ偏光フィルム
２０３０４ 基板フィルム
２０３０５ 粘着剤層
２０３０６ 離型フィルム
２０４０１ 映像信号
２０４０２ 制御回路
２０４０３ 信号線駆動回路
２０４０４ 走査線駆動回路
２０４０５ 画素部
２０４０６ 照明手段
２０４０７ 電源
２０４０８ 駆動回路部
２０４１０ 走査線
２０４１２ 信号線
２０４３１ シフトレジスタ
２０４３２ ラッチ
２０４３３ ラッチ
２０４３４ レベルシフタ
２０４３５ バッファ
２０４４１ シフトレジスタ
２０４４２ レベルシフタ
２０４４３ バッファ
２０５００ バックライトユニット
２０５０１ 拡散板
２０５０２ 遮光板
２０５０３ ランプリフレクタ
２０５０４ 光源
２０５０５ 光源
２０５１０ バックライトユニット
２０５１１ 拡散板
２０５１２ 遮光板
２０５１３ ランプリフレクタ
２０５１４ 光源
３０１０１ 符号化回路
３０１０２ フレームメモリ
３０１０３ 補正回路
３０１０４ ＤＡ変換回路
３０１１２ フレームメモリ
３０１１３ 補正回路
３０１２１ 入力電圧
３０１２２ 入力電圧
３０１２３ 出力輝度
３０１２４ 出力輝度
３０１３１ 入力映像信号
３０１３２ 出力映像信号
３０１３３ 信号
３０２０１ トランジスタ
３０２０２ 補助容量
３０２０３ 表示素子
３０２０４ 映像信号線
３０２０５ 走査線
３０２０６ コモン線
３０２１１ トランジスタ
３０２１２ 補助容量
３０２１３ 表示素子
３０２１４ 映像信号線
３０２１５ 走査線
３０２１６ コモン線
３０２１７ コモン線
３０３０１ 拡散板
３０３０２ 冷陰極管
３０３１１ 拡散板
３０３１２ 光源
５０１００ 液晶層
５０１０１ 基板
５０１０２ 基板
５０１０３ 偏光板
５０１０４ 偏光板
５０１０５ 電極
５０１０６ 電極
５０２００ 液晶層
５０２０１ 基板
５０２０２ 基板
５０２０３ 偏光板
５０２０４ 偏光板
５０２０５ 電極
５０２０６ 電極
５０２１０ 液晶層
５０２１１ 基板
５０２１２ 基板
５０２１３ 偏光板
５０２１４ 偏光板
５０２１５ 電極
５０２１６ 電極
５０３００ 液晶層
５０３０１ 基板
５０３０２ 基板
５０３０３ 偏光板
５０３０４ 偏光板
５０３０５ 電極
５０３０６ 電極
５０３１０ 液晶層
５０３１１ 基板
５０３１２ 基板
５０３１３ 偏光板
５０３１４ 偏光板
５０３１５ 電極
５０３１６ 電極
５０４００ 液晶層
５０４０１ 基板
５０４０２ 基板
５０４０３ 偏光板
５０４０４ 偏光板
５０４０５ 電極
５０４０６ 電極
５０４１０ 液晶層
５０４１１ 基板
５０４１２ 基板
５０４１３ 偏光板
５０４１４ 偏光板
５０４１５ 電極
５０４１６ 電極
５０４１７ 絶縁膜
５０５０１ 画素電極
５０５０３ 突起物
５０６０１ 画素電極
５０６０２ 画素電極
５０６１１ 画素電極
５０６１２ 画素電極
５０６３１ 画素電極
５０６３２ 画素電極
５０６４１ 画素電極
５０６４２ 画素電極
５０７０１ 画素電極
５０７０２ 画素電極
５０７１１ 画素電極
５０７１２ 画素電極
５０７３１ 画素電極
５０７３２ 画素電極
５０７４１ 画素電極
５０７４２ 画素電極
１００５０６ 不純物領域
１１０１１１ 基板
１１０１１２ 絶縁膜
１１０１１３ 半導体層
１１０１１４ 半導体層
１１０１１５ 半導体層
１１０１１６ 絶縁膜
１１０１１７ ゲート電極
１１０１１８ 絶縁膜
１１０１１９ 絶縁膜
１１０１２１ サイドウォ−ル
１１０１２２ マスク
１１０１２３ 導電膜
１１０２０１ 基板
１１０２０２ 絶縁膜
１１０２０３ 導電層
１１０２０４ 導電層
１１０２０５ 導電層
１１０２０６ 半導体層
１１０２０７ 半導体層
１１０２０８ 半導体層
１１０２０９ 絶縁膜
１１０２１０ 絶縁膜
１１０２１１ 導電層
１１０２１２ 導電層
１１０２２０ トランジスタ
１１０２２１ 容量素子
１１０３０１ 基板
１１０３０２ 絶縁膜
１１０３０３ 導電層
１１０３０４ 導電層
１１０３０６ 半導体層
１１０３０７ 半導体層
１１０３０８ 半導体層
１１０３０９ 導電層
１１０３１０ 導電層
１１０３１１ 導電層
１１０３１２ 導電層
１１０３２０ トランジスタ
１１０３２１ 容量素子
１１０４０１ 基板
１１０４０２ 絶縁膜
１１０４０３ 導電層
１１０４０４ 導電層
１１０４０６ 半導体層
１１０４０７ 半導体層
１１０４０８ 半導体層
１１０４０９ 導電層
１１０４１０ 導電層
１１０４１１ 導電層
１１０４１２ 絶縁膜
１１０４２０ トランジスタ
１１０４２１ 容量素子
１１０５０１ 基板
１１０５０２ 絶縁膜
１１０５０３ 導電層
１１０５０４ 導電層
１１０５０５ 不純物領域
１１０５０６ 不純物領域
１１０５０７ 不純物領域
１１０５０８ ＬＤＤ領域
１１０５０９ ＬＤＤ領域
１１０５１０ チャネル形成領域
１１０５１１ 絶縁膜
１１０５１２ 導電層
１１０５１３ 導電層
１１０５２０ トランジスタ
１１０５２１ 容量素子
１３０１００ 背面投影型表示装置
１３０１０１ スクリーンパネル
１３０１０２ スピーカー
１３０１０４ 操作スイッチ類
１３０１１０ 筐体
１３０１１１ プロジェクタユニット
１３０１１２ ミラー
１３０２００ 前面投影型表示装置
１３０２０１ 投射光学系
１３０３０１ 光源ユニット
１３０３０２ 光源ランプ
１３０３０３ 光源光学系
１３０３０４ 変調ユニット
１３０３０５ ダイクロイックミラー
１３０３０６ 全反射ミラー
１３０３０８ 表示パネル
１３０３０９ プリズム
１３０３１０ 投射光学系
１３０４００ 変調ユニット
１３０４０１ ダイクロイックミラー
１３０４０２ ダイクロイックミラー
１３０４０３ 全反射ミラー
１３０４０４ 偏光ビームスプリッタ
１３０４０５ 偏光ビームスプリッタ
１３０４０６ 偏光ビームスプリッタ
１３０４０７ 表示パネル
１３０４０７ 反射型表示パネル
１３０４１１ 投射光学系
１３０５０１ ダイクロイックミラー
１３０５０２ ダイクロイックミラー
１３０５０３ 赤色光用ダイクロイックミラー
１３０５０４ 位相差板
１３０５０５ カラーフィルタ板
１３０５０６ マイクロレンズアレイ
１３０５０７ 表示パネル
１３０５０８ 表示パネル
１３０５０９ 表示パネル
１３０５１１ 投射光学系
１８０１００ 表示装置
１８０１０１ 画素部
１８０１０２ 画素
１８０１０３ 信号線駆動回路
１８０１０４ 走査線駆動回路
１８０４００ フレーム期間
１８０４０１ 画像
１８０４０２ 中間画像
１８０４１２ 中間画像
１８０４１３ 中間画像
２０５１４ａ 光源（Ｒ）
２０５１４ａ 光源
２０５１４ｂ 光源（Ｇ）
２０５１４ｂ 光源
２０５１４ｃ 光源（Ｂ）
２０５１４ｃ 光源
５０２１１７ 突起物
５０２１１８ 突起物
９００１０１ 表示パネル
９００１０２ 画素部
９００１０３ 走査線駆動回路
９００１０４ 信号線駆動回路
９００１１１ 回路基板
９００１１２ コントロール回路
９００１１３ 信号分割回路
９００１１４ 接続配線
９００２０１ チューナ
９００２０２ 映像信号増幅回路
９００２０３ 映像信号処理回路
９００２０５ 音声信号増幅回路
９００２０６ 音声信号処理回路
９００２０７ スピーカー
９００２０８ 制御回路
９００２０９ 入力部
９００２１２ コントロール回路
９００２１３ 信号分割回路
９００３０１ 筐体
９００３０２ 表示画面
９００３０３ スピーカー
９００３０４ 操作スイッチ
９００３１０ 充電器
９００３１２ 筐体
９００３１３ 表示部
９００３１６ 操作キー
９００３１７ スピーカー部
９００４０１ 表示パネル
９００４０２ プリント配線基板
９００４０３ 画素部
９００４０４ 走査線駆動回路
９００４０５ 走査線駆動回路
９００４０６ 信号線駆動回路
９００４０７ コントローラ
９００４０８ 中央処理装置（ＣＰＵ）
９００４０９ メモリ
９００４１０ 電源回路
９００４１１ 音声処理回路
９００４１２ 送受信回路
９００４１３ フレキシブル配線基板（ＦＰＣ）
９００４１４ インターフェース（Ｉ／Ｆ）部
９００４１５ アンテナ用ポート
９００４１６ ＶＲＡＭ
９００４１７ ＤＲＡＭ
９００４１８ フラッシュメモリ
９００４１９ インターフェース（Ｉ／Ｆ）部
９００４２０ 制御信号生成回路
９００４２１ デコーダ
９００４２１ 一方デコーダ
９００４２２ レジスタ
９００４２２ 一旦レジスタ
９００４２３ 演算回路
９００４２４ ＲＡＭ
９００４２５ 入力手段
９００４２６ マイク
９００４２７ スピーカー
９００４２８ アンテナ
９００５０１ 表示パネル
９００５１３ ＦＰＣ
９００５３０ ハウジング
９００５３１ プリント基板
９００５３２ スピーカー
９００５３３ マイクロフォン
９００５３４ 送受信回路
９００５３５ 信号処理回路
９００５３６ 入力手段
９００５３７ バッテリー
９００５３９ 筐体
９００６００ 携帯電話機
９００６０１ 本体（Ａ）
９００６０２ 本体（Ｂ）
９００６０３ 筐体
９００６０４ 操作スイッチ類
９００６０５ マイクロフォン
９００６０６ スピーカー
９００６０７ 回路基板
９００６０８ 表示パネル（Ａ）
９００６０９ 表示パネル（Ｂ）
９００６１０ 蝶番
９００７１１ 筐体
９００７１２ 支持台
９００７１３ 表示部
９００７２１ 本体
９００７２２ 表示部
９００７２３ 受像部
９００７２４ 操作キー
９００７２５ 外部接続ポート
９００７２６ シャッター
９００７３１ 本体
９００７３２ 筐体
９００７３３ 表示部
９００７３４ キーボード
９００７３５ 外部接続ポート
９００７３６ ポインティングデバイス
９００７４１ 本体
９００７４２ 表示部
９００７４３ スイッチ
９００７４４ 操作キー
９００７４５ 赤外線ポート
９００７５１ 本体
９００７５２ 筐体
９００７５３ 表示部Ａ
９００７５４ 表示部Ｂ
９００７５５ 部
９００７５６ 操作キー
９００７５７ スピーカー部
９００７６１ 本体
９００７６２ 表示部
９００７６３ イヤホン
９００７６４ 支持部
９００７７１ 筐体
９００７７２ 表示部
９００７７３ スピーカー部
９００７７４ 操作キー
９００７７５ 記憶媒体挿入部
９００７８１ 本体
９００７８２ 表示部
９００７８３ 操作キー
９００７８４ スピーカー
９００７８５ シャッター
９００７８６ 受像部
９００７８７ アンテナ
９００８１０ 筐体
９００８１１ 表示部
９００８１２ リモコン装置
９００８１３ スピーカー部
９００９０１ 表示パネル
９００９０２ ユニットバス
９０１００１ 柱状体
９０１００２ 表示パネル
９０１１０１ 車体
９０１１０２ 表示パネル
９０１２０１ ドア
９０１２０２ 表示パネル
９０１２０３ ガラス窓
９０１２０４ 天井
９０１３０１ 天井
９０１３０２ 表示パネル
９０１３０３ ヒンジ部

Claims (3)

1. 第１乃至第６のトランジスタと、第１乃至第６の容量素子と、第１乃至第６の画素電極と、を有し、
   前記第１のトランジスタのゲートは、第１の配線と直接接続され、
   前記第２のトランジスタのゲートは、前記第１の配線と直接接続され、
   前記第３のトランジスタのゲートは、前記第１の配線と直接接続され、
   前記第４のトランジスタのゲートは、第２の配線と直接接続され、
   前記第５のトランジスタのゲートは、前記第２の配線と直接接続され、
   前記第６のトランジスタのゲートは、前記第２の配線と直接接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線と直接接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と直接接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と直接接続され、
   前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と直接接続され、
   前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と直接接続され、
   前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と直接接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の画素電極と直接接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の画素電極と直接接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３の画素電極と直接接続され、
   前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４の画素電極と直接接続され、
   前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５の画素電極と直接接続され、
   前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６の画素電極と直接接続され、
   前記第１の容量素子の第１の電極は、第４の配線と直接接続され、
   前記第２の容量素子の第１の電極は、第５の配線と直接接続され、
   前記第３の容量素子の第１の電極は、第６の配線と直接接続され、
   前記第４の容量素子の第１の電極は、第７の配線と直接接続され、
   前記第５の容量素子の第１の電極は、前記第５の配線と直接接続され、
   前記第６の容量素子の第１の電極は、前記第６の配線と直接接続され、
   前記第１の容量素子の第２の電極は、前記第１の画素電極と直接接続され、
   前記第２の容量素子の第２の電極は、前記第２の画素電極と直接接続され、
   前記第３の容量素子の第２の電極は、前記第３の画素電極と直接接続され、
   前記第４の容量素子の第２の電極は、前記第４の画素電極と直接接続され、
   前記第５の容量素子の第２の電極は、前記第５の画素電極と直接接続され、
   前記第６の容量素子の第２の電極は、前記第６の画素電極と直接接続されていることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第３の容量素子の容量値は、前記第１の容量素子の容量値又は前記第２の容量素子の容量値と異なる値を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記第３のトランジスタのチャネル長は、前記第１のトランジスタチャネル長又は前記第２のトランジスタのチャネル長と異なる値を有することを特徴とする半導体装置。

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