JP5360642B2 - 歯科インプラントの表面へのトポグラフィを提供する方法 - Google Patents
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Description
国際公開第2005/027771号パンフレットは、分散物が第一の空隙率を有する基質上に適用され、該分散物は焼結後第二の空隙率を有するセラミック層を形成されるところの、歯科用装着物の製造方法に関する。
マクシミリアン大学、ミュンヘン、2006年において論じられている。
ve)(また“アボット(Abbott)曲線”として知られる)から派生し得る、3D特有のKernal粗さ深さ(Kernal Roughness Depth)(又はコア粗さ深さ)Skにより定義され得る。
a)コア粗さ深さSk[μm]、即ち、粗さコアプロフィル(Roughness Co
re Profile)の深さ
b)減少ピーク高さ(Reduced Peak Height)Spk[μm]、即ち、コア範囲から突出したピークの平均高さ、及び
c)減少溝深さ(Reduced Peak Depth)Svk[μm]、即ち、コア範囲から突出した溝の平均深さ。
及び減少溝深さRvkが導き出される理想的なアボット曲線に図解されている。これらのパラメータは直接的に3D特有のコア粗さ深さSk、減少ピーク高さSpk及減少溝深さSvk
に変換され得る。
に示した。
表中に示した。表中、第1行目に示したプロフィルは正の歪度Sskを有し、第2行目に示したプロフィルは歪度Ssk約0を有し、また第3行目に示したプロフィルは負の歪度Sskを有する。左側のカラム中に示したプロフィルは1μm未満の(低い)コア粗さ深さSk
を有し、右側のカラム中に示したプロフィルは1μmより大きい(高い)コア粗さ深さSkを有する。
有する。好ましくは、コア粗さ深さSkは0.3μmないし1μmであり、より好ましく
は0.4μmないし1μmである。
されてきた市販のインプラントのトポグラフィとは非常に異なる。したがって、本発明の方法により得られる完全に異なるトポグラフィが骨統合的なものであることは非常に驚くべきことである。
。ZrO2−TZP/TZP−A Bio−HIP(登録商標)(ZrO2)バイオセラミックの詳細な記述は、米国特許第6,165,925号明細書中にみられ、その開示は参照として本明細書中に取り込まれる。
量%より多い。
c)歯科インプラントをNaCl溶液ですすぐ工程、及び/又は
d)歯科インプラントを脱イオン水ですすぐ工程
を含む。
タル インプラント システム“として販売されているチタニウムインプラントに類似している、2パートの歯肉を通過して適用されるインプラントであり得る。
実施例1ないし11のために、Burger,W.等、新しい医療用グレードジルコニアのためのY−TZP粉末 J. Mater.Sci.Mater.Med.,1997年、8巻(2)、113−118頁、に記載されたようなイットリア安定化ジルコニアセラミックで作成された、直径が15mm及び厚さ2mmのディスク形を有する緻密焼結体を、低射出成形、次いで熱間等静圧圧縮成形により製造した。この材料は、ASTM F 1873及びISO13356の定義の範囲内に入りさらに約0.1μmないし約0.3μmの平均粒径により特定される。
である。用いた侵食のパラメータに依存して、顕著な又は顕著でないマクロ粗さが、このようにして、本体の表面に与えられた。あるいは、顕著なマクロ粗さはまた、Al2O3を用いて6バールの圧力及び2cmの平均作動距離での前記焼結体のサンドブラスティングにより得られ得る。表面のマクロ粗さを与えるための侵食及びサンドブラスティング工法のどちらも、当業者に知られている。
図3は、2つの異なる倍率における、実施例1による処理により得られた表面のSEM画像であり、該SEM画像中に示した目盛は20μm(上図)及び5μm(下図)にそれぞれ該当し、
図4は、2つの異なる倍率における、実施例2による処理により得られた表面のSEM画像であり、該SEM画像中に示した目盛は20μm(上図)及び5μm(下図)にそれぞれ該当し、
図5は、2つの異なる倍率における、実施例3による処理により得られた表面のSEM画像であり、該SEM画像中に示した目盛は20μm(上図)及び5μm(下図)にそれぞれ該当し、
図6は、2つの異なる倍率における、実施例4による処理により得られた表面のSEM画像であり、該SEM画像中に示した目盛は20μm(上図)及び5μm(下図)にそれぞれ該当し、
図7は、2つの異なる倍率における、実施例5による処理により得られた表面のSEM画像であり、該SEM画像中に示した目盛は20μm(上図)及び5μm(下図)にそれぞれ該当し、
図8は、2つの異なる倍率における、実施例6による処理により得られた表面のSEM画像であり、該SEM画像中に示した目盛は20μm(上図)及び5μm(下図)にそれぞれ該当し、
図9は、2つの異なる倍率における、実施例7による処理により得られた表面のSEM画像であり、該SEM画像中に示した目盛は20μm(上図)及び5μm(下図)にそれぞれ該当し、
図10は、2つの異なる倍率における、実施例8による表面のSEM画像であり、該SEM画像中に示した目盛は50μm(上図)及び20μm(下図)にそれぞれ該当し、
図11は、2つの異なる倍率における、実施例9による表面のSEM画像であり、該SEM画像中に示した目盛は50μm(上図)及び20μm(下図)にそれぞれ該当する。
実施例1ないし11のために、表面のトポグラフィは、三次元トポグラフィパラメーターのSk及びSskを計算するために、770μm x 770μmの範囲で、コンフォーカ
ル3D白色光顕微鏡(μSurf、NanoFocus AG、ドイツ、オーバーハウゼン)を用い、定量的に測定された。顕微鏡の方位分解能は1.5μm(512x512ピクセル)である。
測定範囲:770μm x 770μm
絞り:50%
照明:最大強度 Xe−ランプ
対象:20x
駆動:圧電
ステップサイズ:0.6μm
アルゴリズム:平均/高速
コーティング距離:50mm
排気:4x10-1バールまで
すすぎ:アルゴンを用いた
電流:65mA
時間:55秒
ルターを用いて計算される。コア粗さ深さ及びその関連パラメータを解析するために用いたガウスフィルターは、ISO 13 565パート1(DIN 4776)に記載されている特定のフィルターである。カットオフ波長λcはDIN 4768によると、前記
フィルターによって50%粗さ及び50%波形へ分離される洞性波の波長と定義される。
ゲン大学)により行った。
ウインドウズ表面分析モジュール;バージョン2.6、ドイツ、エルランゲン大学;“polynom 3.グレード、MA−ガウス−フィルター 7点=カットオフ(10x10μm2);KFL分析振幅密度 10nm”。
に依存する。Sk及びSsk値を決定するために、カットオフ波長λcは、上記に示した10μmに設定した。
れた。
る。この実施例中、歪度Sskは0より小さい。図13はまた、本発明により得られた表面トポグラフィは、市販のインプラント、特に、顕著に1μm以上のコア粗さ深さSkを有
するSLActive(登録商標)の表面トポグラフィとは完全に異なるものであることを明白に説明する。
生体外細胞試験を、その成熟骨芽細胞への分化能のためにヒト骨肉腫細胞株MG−63を用いて行った。
BSの混合液中で培養した。
プル及びキャリブレーターサンプルについて対照遺伝子へ標準化した。対照遺伝子として、18S tRNAを用い、キャリブレーターサンプルとして実施例9のディスク上で培養した細胞を用いた。
Claims (12)
- 歯科インプラントの表面へトポグラフィを提供する方法であって、
該表面がセラミック材料で作成されたものであり、
該セラミック材料が、0.1μmないし0.6μmの平均粒径を有するものであり、そして
前記歯科インプラントの表面の少なくとも一部が、少なくとも70℃の温度においてフッ化水素酸を含むエッチング液によりエッチング処理され、それにより、
セラミック材料から個々の粒子又は粒子凝集物を除去する、方法。 - 前記セラミック材料が、ジルコニアに基づくものである、請求項1に記載の方法。
- 前記セラミック材料が、イットリア安定化ジルコニアである、請求項2に記載の方法。
- 前記イットリア安定化ジルコニアの組成が、
Y2O3が4.5ないし5.5質量%、及び
HfO2が5質量%未満
を含み、
ZrO2、Y2O3及びHfO2の全量が99.0質量%より多い、請求項3に記載の方法。 - エッチング処理に先行して、
サンドブラスト処理、フライス処理及び/又は射出成形技術により歯科インプラントの表面に粗さをもたらす、
請求項1ないし4のいずれかに記載の方法。 - 前記エッチング液が少なくとも50容量%の濃フッ化水素酸を含む、
請求項1ないし5のいずれかに記載の方法。 - 前記エッチング液がさらに、
リン酸、硝酸、フッ化アンモニウム、硫酸、過酸化水素及び臭素酸から成る群から選ばれ
る少なくとも1つの化合物をさらに含む、
請求項1ないし6のいずれかに記載の方法。 - 前記エッチング液が更に、最大50容量%の硫酸を含む、
請求項1ないし7のいずれかに記載の方法。 - 前記エッチング処理が1分ないし60分間で行われる、
請求項1ないし8のいずれかに記載の方法。 - 前記エッチング処理に続いて、前記歯科インプラントを洗浄し、該洗浄が次の工程又は次の工程等;
c)前記歯科インプラントをNaCl溶液ですすぐ工程、及び/又は
d)前記歯科インプラントを脱イオン水ですすぐ工程、
を含むものである、請求項1ないし9のいずれかに記載の方法。 - 前記請求項1ないし10のいずれかに記載の方法により得られる歯科インプラント。
- 前記歯科インプラントが、1パート歯科インプラント(one−part implant)である、請求項11に記載の歯科インプラント。
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