JP5101467B2

JP5101467B2 - 電力用半導体モジュール

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Publication number: JP5101467B2
Application number: JP2008301064A
Authority: JP
Inventors: 美子大開; 誠次岡; 健史大井
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2008-11-26
Filing date: 2008-11-26
Publication date: 2012-12-19
Anticipated expiration: 2028-11-26
Also published as: JP2010129670A

Description

本発明は、生産性に優れたトランスファーモールドによる樹脂封止型の電力用半導体モジュールに関し、特に、小型で大電流化を実現するとともに、信頼性に優れたトランスファーモールドによる樹脂封止型の電力用半導体モジュールに関する。

小型であり、動作に伴う発熱を外部に効率良く逃がすことができるとともに、大電流化を可能にする、トランスファーモールドで樹脂封止した電力用半導体モジュールとして、金属の放熱ベースに接合された回路パターンに、ＩＧＢＴ等の電力用半導体素子を搭載するとともに、外部接続用の主端子と制御端子とを回路パターンの面に対して略垂直に接合して設けたものがある。

この電力用半導体モジュールの主回路に接続されている主端子には、銅のブロック、ねじ穴が付いた円筒、ナットを樹脂モールドしたものが用いられており、銅のブロックの主端子は外部配線とはんだで接合され、ねじ穴が付いた円筒およびナットを樹脂モールドした主端子は外部配線と、ボルトで接続されている。また、この電力用半導体モジュールの制御回路に接続する制御端子には、メスコネクタが用いられ、外部配線とは、外部配線である制御基板に設けられたピンタイプの端子で接続されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００７−１８４３１５号公報（第７頁〜第９頁、第２図、第６図）

特許文献１に記載のトランスファーモールド樹脂で封止した電力用半導体モジュールは、主端子に大電流を流す外部配線が、ねじ止めやはんだ付けで固定されるため、外部配線からの取り外しが容易でなく、不具合があった場合の補修性に問題があった。
また、特許文献１には、ねじ止めやはんだ付けでない端子構造として、ピンが挿入されるコネクターが制御端子として記載されている。しかし、ピンの外部端子が挿入されるコネクター構造の端子は、通常使用では問題ないが、不要な外力が加わった場合に、外部端子が抜ける場合があるとの問題があった。

本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、トランスファーモールド樹脂により封止された電力用半導体モジュールであって、電力用半導体モジュールの各回路に設けられた端子と外部端子との接続が確実であるとともに、各端子から外部端子を容易に取り外すことができ、信頼性と補修性とに優れた電力用半導体モジュールを提供することである。

本発明に係わる電力用半導体モジュールは、金属放熱体とこの金属放熱体の一方の面に接合した高熱伝導絶縁層とこの高熱伝導絶縁層における金属放熱体と接合した面と対向する面に設けられた配線パターンとからなる回路基板と、配線パターンの素子搭載部に接合された電力用半導体素子と、配線パターンに対して略垂直に接合された筒状外部端子連通部と、電力用半導体素子間、配線パターン間、電力用半導体素子と配線パターンとの間の各間を電気的に接続する回路形成手段と、少なくとも、配線パターンと電力用半導体素子と筒状外部端子連通部と回路形成手段とを封止したトランスファーモールド樹脂とを備えた電力用半導体モジュールであって、筒状外部端子連通部が金属筒で形成された円錐台形筒状外部端子連通部であり、円錐台形筒状外部端子連通部のトランスファーモールド樹脂から露出した側の径が配線パターンに接合した側の径より小さいものである。

本発明に係わる電力用半導体モジュールは、筒状外部端子連通部が金属筒で形成された円錐台形筒状外部端子連通部であり、円錐台形筒状外部端子連通部のトランスファーモールド樹脂から露出した側の径が配線パターンに接合した側の径より小さいものであるので、円錐台形筒状外部端子連通部から外部端子を取り外すことが容易であり、補修性に優れているとともに、異常な力が加わらない限り、外部端子がはずれることがなく、接続の信頼性が高いものである。

実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る電力用半導体モジュールの断面模式図である。
図１に示すように、本実施の形態の電力用半導体モジュール１００は、電力用半導体モジュール１００の熱を放熱する金属放熱体である金属板１の一方の面に、高熱伝導絶縁層である樹脂絶縁層２が設けられている。この樹脂絶縁層２における金属板１に接合された面と対向する面には、金属箔の配線パターン３が設けられている。
すなわち、金属板１と樹脂絶縁層２と配線パターン３とで、回路基板である金属回路基板８を構成している。

また、配線パターン３上には、電力用半導体モジュール１００の端子となる円錐台形筒状外部端子連通部６が、はんだ４で接合されている。特に、円錐台形筒状外部端子連通部６は配線パターン３に対し、その中心軸が略垂直になるように設けられている。
また、配線パターン３と配線パターン３との間、電力用半導体素子５と電力用半導体素子５との間、および、配線パターン３と電力用半導体素子５との間は、これらを電気的に接続する回路形成手段であるワイヤーボンド９で接続されている。
そして、金属回路基板８の配線パターン形成面部および周囲側面部と、電力用半導体素子５と、ワイヤーボンド９と、円錐台形筒状外部端子連通部６の外側面は、トランスファーモールド樹脂７で封止されている。しかし、金属板１の樹脂絶縁層２が設けられた面と対向する面はトランスファーモールド樹脂７で封止されておらず、円錐台形筒状外部端子連通部６の孔部にはトランスファーモールド樹脂７は充填されていない。

図２は、本発明の実施の形態１に係る電力用半導体モジュールにおける円錐台形筒状外部端子連通部に外部端子が挿入された状態を示す断面模式図である。
電力用半導体モジュールの円錐台形筒状外部端子連通部６は、外部端子が接続される端子であり、図２に示す外部端子が接続された電力用半導体モジュール（外部端子接続電力用半導体モジュールと記す）１０１は、上記電力用半導体モジュール１００の円錐台形筒状外部端子連通部６にコンプライアントピンの外部端子１２が挿入された状態のものである。
上記電力用半導体モジュール１００の円錐台形筒状外部端子連通部６への、外部端子１２であるコンプライアントピンの接続は、プレスフィットに代表される圧入接続で行われる。そのため、筒状外部端子連通部６と外部端子１２とは金属間接合をしている。本実施の形態における電力用半導体モジュール１０１は、外部端子１２が設けられているので、外部回路への接続が容易である。

本実施の形態において、金属板１には、熱伝導性に優れた金属、例えば、アルミニウムおよびアルミニウム合金、銅および銅合金、鉄および鉄合金等、あるいは、銅／鉄−ニッケル合金／銅、アルミニウム／鉄−ニッケル合金／アルミニウム等の複合材料を用いることができる。特に、電流容量が大きい電力用半導体モジュール１００には電気伝導性に優れた銅を用いるのが好ましい。
また、金属板１の厚み、長さ、幅とは、電力用半導体モジュール１００の電流容量により、適宜決められる。すなわち、電力用半導体モジュール１００の電流容量が大きくなると、金属板１の厚みを厚くし、金属板１の長さと幅とを大きくする。
本実施の形態において、樹脂絶縁層２には、例えば、各種セラミックスや無機粉末を含有する樹脂絶縁シート、ガラス繊維を含有する樹脂絶縁シートを用いることができる。上記樹脂絶縁層２に含有される無機粉末としては、アルミナ、ベリリヤ、ボロンナイトライド、マグネシア、シリカ、窒化珪素、窒化アルミニウムが挙げられる。そして、樹脂絶縁層２の厚みは、例えば、２０〜４００μｍである。

本実施の形態において、配線パターン３には、例えば、銅箔が用いられ、ワイヤーボンド９には、アルミニウム線が用いられる。配線パターン３に用いられる銅箔の厚み、および、ワイヤーボンド９に用いられるアルミニウム線の線径や本数も、電力用半導体モジュール１００の電流容量により、適宜決められる。

本実施の形態において、円錐台形筒状外部端子連通部６には、例えば、貫通孔を有する金属筒が用いられ、その材質は、熱伝導性と電気伝導性とに優れ、配線パターン３に、はんだ４で接合できる金属、例えば、銅および銅合金、アルミニウムおよびアルミニウム合金等のめっき品を用いるのが好ましい。めっきとしては、例えば、Ｎｉ―Ｓｎめっきが挙げられる。めっき品を用いた場合には、はんだ４との接合性をより良くしたり、表面の酸化を防いだりすることができる。
また、円錐台形筒状外部端子連通部６の上面は、トランスファーモールド樹脂７から露出しており、外部端子１２が挿入される側の径が、配線パターン３に接合される側の径より小さい。そして、円錐台形筒状外部端子連通部６の厚みは、トランスファーモールド時の成形圧力により潰れない厚みであれば良く、それは電力用半導体モジュール１００の電流容量により適宜決められる。円錐台形筒状外部端子連通部６の高さは、後で挿入接続する外部端子を十分に接続できる高さであれば良い。

また、円錐台形筒状外部端子連通部６の小さい方の内径は、後で挿入接続する外部端子１２の挿入部の外径から決まり、少なくとも、外部端子１２を取り付けることができる内径であれば良い。そして、内径が小さい方の円錐台形筒状外部端子連通部６の内壁側端部を面取りして広げても良い。このようにすると、円錐台形筒状外部端子連通部６への外部端子１２の挿入が容易になる。
また、円錐台形筒状外部端子連通部６の傾斜角度、すなわち円錐台形筒状外部端子連通部６の内側壁面と配線パターン３面に対する直角方向との角度は、５度〜３０度が好ましい。
この角度が５度未満では、従来の筒状外部端子連通部とほとんど変わらず、不要な外力が加わった場合に圧入接続された外部端子１２がはずれるのを、防止する効果が小さい。この角度が３０度より大きいと、外部端子１２が円錐台形筒状外部端子連通部６に接触する面積の減少を防止するため、外部端子１２の弾性を有する挿入部分を大きくする必要があり、外部端子１２を筒状外部端子連通部６に挿入しにくくなるとともに、外部端子１２を筒状外部端子連通部６から取り外すのも難しくなる。
本実施の形態において、円錐台形筒状外部端子連通部６に挿入する外部端子１２には、圧入接続するコンプライアントピンが用いられるが、圧入接続できるものであればこれに限定されない。また、外部端子１２には熱伝導性と電気伝導性に優れた金属が用いられ、特に、銅系の材料が好ましい。外部端子１２の断面積は、電力用半導体モジュール１００の電流容量により、適宜決められる。

本実施の形態において、トランスファーモールド樹脂７には、例えば、フィラーとしてシリカ粉末が充填されたエポキシ樹脂が用いられる。トランスファーモールド樹脂７において、充填されるシリカ粉末の含有率は、電力用半導体モジュール１００に用いられる部材の熱膨張係数などを考慮して最適な量が選定される。
例えば、配線パターン３と金属板１とに銅を用いた場合、トランスファーモールド樹脂７の熱膨張係数を銅の熱膨張係数である１６ｐｐｍ／℃に合わすように、エポキシ樹脂へのシリカ粉末の充填量が設定される。このようにすることにより、反りのない電力用半導体モジュールが得られる。
また、トランスファーモールド樹脂７の放熱性を向上させる場合は、フィラーとしてシリカ粉末の代わりにアルミナ粉末を用いることが好ましい。

本実施の形態における電力用半導体モジュールの製造方法の一例について説明する。
本実施の形態の電力用半導体モジュール１００は、例えば、厚み３ｍｍのアルミニウム板に、Ｂステージ状態のアルミナ粉末を含有するエポキシ樹脂シートを載せ、その上に厚み０．３ｍｍの銅箔を重ねる。そして、アルミニウム板とアルミナ粉末を含有するエポキシ樹脂シートと銅箔とを積層したものを加熱・加圧して、アルミニウム板と銅箔とをアルミナ粉末を含有するエポキシ樹脂シートで接合する。次に、銅箔をエッチングして配線パターン３を形成する。このようにして、アルミニウムの金属板１とアルミナ粉末を含有するエポキシ樹脂の樹脂絶縁層２と銅の配線パターン３とからなる金属回路基板８を形成する。その後、図示していないが、ソルダーレジストを所定の場所に形成する。しかし、この工程はなくても良い。

次に、配線パターン３上の所定の場所に設けられる素子搭載部に電力用半導体素子５を、そして配線パターン３上の所定の場所に設けられる筒状外部端子連通部との接合部に円錐台形筒状外部端子連通部６を、各々はんだ４を用いて接合する。
そして、配線パターン３と配線パターン３との間、電力用半導体素子５と電力用半導体素子５との間、および、配線パターン３と電力用半導体素子５との間において、導通が必要な箇所をアルミニウムのワイヤーボンド９で接続する。
また、本実施の形態では、導通が必要な箇所をワイヤーボンド９で接続しているが、これに限定されるものではなく、これ以外の電気的接続を行えるものであっても良い。

次に、ワイヤーボンディングされた電力用半導体素子５と円錐台形筒状外部端子連通部６とを搭載した金属回路基板８は、金型にセットされ、トランスファーモールド法により、例えば、シリカ粉末が充填されたエポキシ樹脂系のトランスファーモールド樹脂７で封止され、電力用半導体モジュール１００が完成する。

本実施の形態における電力用半導体モジュール１００の製造方法では、金属回路基板８の配線パターン３に、電力用半導体素子５や円錐台形筒状外部端子連通部６などの全ての部品をはんだ接合した後に、所定の部位間をワイヤーボンディングしているが、金属回路基板８の配線パターン３に、全ての電力用半導体素子５のみを接合した後に、所定の部位間のワイヤーボンディングを行い、ワイヤーボンディング終了後に、配線パターン３に、円錐台形筒状外部端子連通部６を接合しても良い。

このようにすると、ワイヤーボンディング時におけるワイヤーボンディング装置の制約がないので、例え高さが高い円錐台形筒状外部端子連通部６を用いる場合でも、円錐台形筒状外部端子連通部６の近傍にワイヤーボンディングすることができ、高さが高い筒状外部端子連通部６を用いた場合に生じる、部品の実装面積の増大を防止でき、電力用半導体モジュールのさらなる小型化が実現できる。
この製造方法では、円錐台形筒状外部端子連通部６の接合は、すでに電力用半導体素子５が接合された配線パターン３に行うので、低融点はんだを用いるか、もしくは、はんだ以外の接合方法を用いる。はんだ以外の接合方法としては、例えば、銀ペーストで接着する方法や、超音波接合による方法が挙げられる。

本実施の形態の電力用半導体モジュール１００では、金属回路基板８の配線パターン面に外部端子１２を接続する端子が設けられているが、この端子が円錐台形筒状外部端子連通部６であるので、コンプライアントピンの外部端子１２をプレスフィット等の圧入で接続ができる。
すなわち、本実施の形態の電力用半導体モジュール１００は、円錐台形筒状外部端子連通部６が外部端子１２を圧入接続できる構造であるので、外部端子１２の取り外しが容易であり、補修性に優れている。また、本実施の形態の電力用半導体モジュール１００は、円錐台形筒状外部端子連通部６の入口側の径が底部の径より小さくなっているので、通常の使用では、円錐台形筒状外部端子連通部６から外部端子１２がはずれることがなく、接続の信頼性が高い。
また、本実施の形態の電力用半導体モジュール１０１も、電力用半導体モジュール１００と同様な効果を有する。

本実施の形態の電力用半導体装置１００では、回路基板に金属回路基板を用いているが、回路基板に、例えば、高熱伝導絶縁層であるセラミック板と、セラミック板の一方の面に設けられた銅箔の配線パターンと、セラミック板の他方の面に設けられた銅箔の金属放熱体とからなる、セラミック回路基板を用いても良い。

実施の形態２．
図３は、本発明の実施の形態２に係る電力用半導体モジュールの断面模式図である。
図３に示すように、本実施の形態の電力用半導体モジュール２００は、円錐台形筒状外部端子連通部６ａの配線パターン３に接合される側に底体が設けられている以外、実施の形態１の電力用半導体モジュール１００と同様である。
図４は、本発明の実施の形態２に係る電力用半導体モジュールにおける円錐台形筒状外部端子連通部に外部端子が挿入された状態を示す断面模式図である。
図４に示す外部端子接続電力用半導体モジュール２０１は、上記電力用半導体モジュール２００の円錐台形筒状外部端子連通部６にコンプライアントピンの外部端子１２が挿入された状態のものである。

本実施の形態の電力用半導体モジュール２００は、実施の形態１の電力用半導体モジュール１００と同様な効果がある。また、本実施の形態の電力用半導体モジュール２０１は、実施の形態１の電力用半導体モジュール１０１と同様な効果がある。それに加え、本実施の形態の電力用半導体モジュール２００，２０１は、円錐台形筒状外部端子連通部６ａに設けられた底体が配線パターン３に接合されるので、円錐台形筒状外部端子連通部６ａと配線パターン３との接合面積が大きく、はんだの付きが良くなり、円錐台形筒状外部端子連通部６ａと配線パターン３との接合信頼性が向上する。

実施の形態３．
図５は、本発明の実施の形態３に係る電力用半導体モジュールにおける円錐台形筒状外部端子連通部付近の部分断面模式図である。
図５に示すように、本実施の形態の電力用半導体モジュール３００では、円錐台形筒状外部端子連通部６の孔部にゲル１１が充填されている以外、実施の形態１の電力用半導体モジュール１００と同様である。
本実施の形態で用いられるゲル１１は、針入度４０〜１５０／１０ｍｍ程度のものが好ましい。また、ゲル１１は、導電性または絶縁性のいずれであっても良い。特に、導電性のゲルを用いると、外部端子１２と円錐台形筒状外部端子連通部６との物理的接触のみならず、ゲル１１を介して導電できるので、外部端子１２と円錐台形筒状外部端子連通部６との接触抵抗が低下し、電流容量を大きくできる。但し、絶縁性のゲルを用いても、ゲル１１の針入度が大きいので、外部端子１２と円錐台形筒状外部端子連通部６との十分な電気接触を確保できる。

本実施の形態の電力用半導体モジュール３００では、実施の形態１の電力用半導体モジュール１００と同様な効果があるとともに、円錐台形筒状外部端子連通部６の孔部にゲル１１が充填されているので、湿度的に厳しい環境で、電力用半導体モジュールを用いても、円錐台形筒状外部端子連通部６の内部への水分の浸入を防止でき、円錐台形筒状外部端子連通部６の内部や配線パターンの腐食が防止できる。また、ゲル１１の充填は円錐台形筒状外部端子連通部６と挿入される外部端子１２との熱抵抗を下げる。
この円錐台形筒状外部端子連通部の孔部へのゲル１１の充填は、実施の形態２の電力用半導体モジュール２００にも適用でき、同様な効果が得られる。

実施の形態４．
図６は、本発明の実施の形態４に係る電力用半導体モジュールにおける円錐台形筒状外部端子連通部付近の部分断面模式図である。
図６に示すように、本実施の形態の電力用半導体モジュール４００では、円錐台形筒状外部端子連通部６の内側部分と配線パターン３に接合される部分とトランスファーモールド樹脂７から露出する部分とにのみ、めっき１３が設けられている以外、実施の形態１の電力用半導体モジュール１００と同様である。
本実施の形態において、円錐台形筒状外部端子連通部６の内側部分と配線パターン３に接合される部分とトランスファーモールド樹脂７から露出する部分とに設けられるめっき１３は、ニッケルめっきや錫めっきが好ましい。

本実施の形態の電力用半導体モジュール４００では、実施の形態１の電力用半導体モジュール１００と同様な効果があるとともに、円錐台形筒状外部端子連通部６の内側部分と配線パターン３に接合される部分とトランスファーモールド樹脂７から露出する部分とにのみめっき１３が設けられているので、円錐台形筒状外部端子連通部６とトランスファーモールド樹脂７との密着性が優れており、これらの界面に隙間の発生がなく、この部分へ水分が浸入しないので、封止の信頼性が向上する。この円錐台形筒状外部端子連通部６の内側と配線パターン３に接合される部分とトランスファーモールド樹脂７から露出する部分とにのみめっき１３を設けることは、実施の形態２の電力用半導体モジュール２００にも適用でき、同様な効果が得られる。

実施の形態５．
図７は、本発明の実施の形態５に係る電力用半導体モジュールにおける円錐台形筒状外部端子連通部付近の部分断面模式図である。
図７に示すように、本実施の形態の電力用半導体モジュール５００では、円錐台形筒状外部端子連通部６の内側部分と配線パターン３に接合される部分とトランスファーモールド樹脂７から露出する部分とにのみめっき１３を設けた以外、実施の形態３の電力用半導体モジュール３００と同様である。
本実施の形態の電力用半導体モジュール５００は、円錐台形筒状外部端子連通部６の孔部にゲル１１が充填されているので、実施の形態３の電力用半導体モジュール３００と同様に、円錐台形筒状外部端子連通部６の内部への水分の浸入を防止でき、円錐台形筒状外部端子連通部６の孔部や配線パターン３の腐食が防止できる。
それに加え、本実施の形態の電力用半導体モジュール５００は、円錐台形筒状外部端子連通部６の内側と配線パターン３に接合される部分とトランスファーモールド樹脂７から露出する部分とにのみ、めっき１３が設けられているので、円錐台形筒状外部端子連通部６とトランスファーモールド樹脂７との密着性が優れており、これらの界面に隙間の発生がなく、この部分へ水分が浸入しないので、封止の信頼性が向上している。
本実施の形態の構造は、実施の形態２の電力用半導体モジュール２００にも適用でき、同様な効果が得られる。

本発明に係る電力用半導体モジュールは、電力用半導体モジュールの端子と外部端子との、接続と脱着とが容易であるとともに、不必要に外れることがないので、補修性と信頼性が要求される電力用半導体装置に有効に利用できる。

本発明の実施の形態１に係る電力用半導体モジュールの断面模式図である。本発明の実施の形態１に係る電力用半導体モジュールにおける円錐台形筒状外部端子連通部に外部端子が挿入された状態を示す断面模式図である。本発明の実施の形態２に係る電力用半導体モジュールの断面模式図である。本発明の実施の形態２に係る電力用半導体モジュールにおける円錐台形筒状外部端子連通部に外部端子が挿入された状態を示す断面模式図である。本発明の実施の形態３に係る電力用半導体モジュールにおける円錐台形筒状外部端子連通部付近の部分断面模式図である。本発明の実施の形態４に係る電力用半導体モジュールにおける円錐台形筒状外部端子連通部付近の部分断面模式図である。本発明の実施の形態５に係る電力用半導体モジュールにおける円錐台形筒状外部端子連通部付近の部分断面模式図である。

符号の説明

１金属板、２樹脂絶縁層、３配線パターン、４はんだ、
５電力用半導体素子、６，６ａ円錐台形筒状外部端子連通部、
７トランスファーモールド樹脂、８金属回路基板、９ワイヤーボンド、
１１ゲル、１２外部端子、１３めっき、
１００，２００，３００，４００，５００電力用半導体モジュール、
１０１，２０１外部端子接続電力用半導体モジュール。

Claims

金属放熱体とこの金属放熱体の一方の面に接合した高熱伝導絶縁層とこの高熱伝導絶縁層における上記金属放熱体と接合した面と対向する面に設けられた配線パターンとからなる回路基板と、上記配線パターンの素子搭載部に接合された電力用半導体素子と、上記配線パターンに対して略垂直に接合された筒状外部端子連通部と、上記電力用半導体素子間、上記配線パターン間、上記電力用半導体素子と上記配線パターンとの間の各間を電気的に接続する回路形成手段と、少なくとも、上記配線パターンと上記電力用半導体素子と上記筒状外部端子連通部と上記回路形成手段とを封止したトランスファーモールド樹脂とを備えた電力用半導体モジュールであって、上記筒状外部端子連通部が金属筒で形成された円錐台形筒状外部端子連通部であり、上記円錐台形筒状外部端子連通部の上記トランスファーモールド樹脂から露出した側の径が上記配線パターンに接合した側の径より小さい電力用半導体モジュール。
円錐台形筒状外部端子連通部の内側壁面と配線パターン面に対する直角方向との角度が５度〜３０度であることを特徴とする請求項１に記載の電力用半導体モジュール。
回路基板が、金属放熱体である金属板とこの金属板の一方の面に接合された高熱伝導絶縁層である樹脂絶縁層とこの樹脂絶縁層における上記金属板に接合された面と対向する面に設けられた配線パターンとからなる金属回路基板であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電力用半導体モジュール。
回路基板が、高熱伝導絶縁層であるセラミック板とこのセラミック板の一方の面に接合された金属放熱体である金属箔と上記セラミック板の他方の面に設けられた配線パターンとからなるセラミック回路基板であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電力用半導体モジュール。
円錐台形筒状外部端子連通部の配線パターンに接合される側に底体を設けたことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の電力用半導体モジュール。
円錐台形筒状外部端子連通部の孔部にゲルが充填されたことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の電力用半導体モジュール。
円錐台形筒状外部端子連通部の、内側部分と配線パターンに接合される部分とトランスファーモールド樹脂から露出する部分とにのみ、めっきが設けられたことを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の電力用半導体モジュール。
円錐台形筒状外部端子連通部に、外部端子が圧入接続されたことを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の電力用半導体モジュール。