JP5185007B2 - Method for manufacturing organic electroluminescent element and organic electroluminescent element - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 109
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 82
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 476
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 120
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 118
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims description 107
- 230000002940 repellent Effects 0.000 claims description 97
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 85
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 85
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 81
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 65
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 49
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 47
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 34
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 28
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 26
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 22
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 13
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 10
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 9
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 8
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 35
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 31
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- -1 ITO Chemical compound 0.000 description 20
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 9
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 9
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 6
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 6
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 5
- 150000001893 coumarin derivatives Chemical class 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Substances CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 4
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 3
- 229920000292 Polyquinoline Polymers 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000011365 complex material Substances 0.000 description 3
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- IJROHELDTBDTPH-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(3,3,4,4,5,5,6,6,6-nonafluorohexyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F IJROHELDTBDTPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(4-methylsulfanylphenyl)-2-morpholin-4-ylpropan-1-one Chemical compound C1=CC(SC)=CC=C1C(=O)C(C)(C)N1CCOCC1 LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N ethoxysilane Chemical compound CCO[SiH3] CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- XKBGEWXEAPTVCK-UHFFFAOYSA-M methyltrioctylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCC[N+](C)(CCCCCCCC)CCCCCCCC XKBGEWXEAPTVCK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 2
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 2
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 2
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AHLATJUETSFVIM-UHFFFAOYSA-M rubidium fluoride Chemical compound [F-].[Rb+] AHLATJUETSFVIM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- ZCVOUFBEEYGNOL-UHFFFAOYSA-N trichloro(3,3,4,4,5,5,6,6,6-nonafluorohexyl)silane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CC[Si](Cl)(Cl)Cl ZCVOUFBEEYGNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NYIKUOULKCEZDO-UHFFFAOYSA-N triethoxy(3,3,4,4,5,5,6,6,6-nonafluorohexyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F NYIKUOULKCEZDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 1
- PZWLRLIAVLSBQU-UHFFFAOYSA-N 1,2-dioctyl-9h-fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=C(CCCCCCCC)C(CCCCCCCC)=C3CC2=C1 PZWLRLIAVLSBQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXVNBZGTAWLLNE-UHFFFAOYSA-N 1,3-thiazole;zinc Chemical compound [Zn].C1=CSC=N1 FXVNBZGTAWLLNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUQJCKHGUEHEH-UHFFFAOYSA-N 2,3-bis(4-bromophenyl)-4-butan-2-ylaniline Chemical compound C=1C=C(Br)C=CC=1C=1C(C(C)CC)=CC=C(N)C=1C1=CC=C(Br)C=C1 CPUQJCKHGUEHEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylbut-2-enedinitrile Chemical group C=1C=CC=CC=1C(C#N)=C(C#N)C1=CC=CC=C1 VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-benzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2N1 DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical class C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJWRRBADQOOFSF-UHFFFAOYSA-N C1=CC=C2OC([Zn])=NC2=C1 Chemical class C1=CC=C2OC([Zn])=NC2=C1 AJWRRBADQOOFSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 Chemical class C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006750 UV protection Effects 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Ca] Chemical compound [AlH3].[Ca] ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910000288 alkali metal carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001615 alkaline earth metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N caesium oxide Chemical compound [O-2].[Cs+].[Cs+] KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001942 caesium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- HFXKQSZZZPGLKQ-UHFFFAOYSA-N cyclopentamine Chemical class CNC(C)CC1CCCC1 HFXKQSZZZPGLKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N decacyclene Chemical compound C12=C([C]34)C=CC=C4C=CC=C3C2=C2C(=C34)C=C[CH]C4=CC=CC3=C2C2=C1C1=CC=CC3=CC=CC2=C31 CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N indium lithium Chemical compound [Li].[In] LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N indium silver Chemical compound [Ag].[In] YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009830 intercalation Methods 0.000 description 1
- 230000002687 intercalation Effects 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N lithium magnesium Chemical compound [Li].[Mg] GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AICOOMRHRUFYCM-ZRRPKQBOSA-N oxazine, 1 Chemical compound C([C@@H]1[C@H](C(C[C@]2(C)[C@@H]([C@H](C)N(C)C)[C@H](O)C[C@]21C)=O)CC1=CC2)C[C@H]1[C@@]1(C)[C@H]2N=C(C(C)C)OC1 AICOOMRHRUFYCM-ZRRPKQBOSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- LXNAVEXFUKBNMK-UHFFFAOYSA-N palladium(II) acetate Substances [Pd].CC(O)=O.CC(O)=O LXNAVEXFUKBNMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L palladium(ii) acetate Chemical compound [Pd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N phenoxazin-1-one Chemical compound C1=CC=C2N=C3C(=O)C=CC=C3OC2=C1 FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N phenoxazone Natural products C1=CC=C2OC3=CC(=O)C=CC3=NC2=C1 UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N phenylboronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=CC=C1 HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 description 1
- 229910001952 rubidium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- CWBWCLMMHLCMAM-UHFFFAOYSA-M rubidium(1+);hydroxide Chemical compound [OH-].[Rb+].[Rb+] CWBWCLMMHLCMAM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical class C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WWGXHTXOZKVJDN-UHFFFAOYSA-M sodium;n,n-diethylcarbamodithioate;trihydrate Chemical compound O.O.O.[Na+].CCN(CC)C([S-])=S WWGXHTXOZKVJDN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- COIOYMYWGDAQPM-UHFFFAOYSA-N tris(2-methylphenyl)phosphane Chemical compound CC1=CC=CC=C1P(C=1C(=CC=CC=1)C)C1=CC=CC=C1C COIOYMYWGDAQPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子という場合がある)の製造方法および有機EL素子に関する。 The present invention relates to a method for producing an organic electroluminescence element (hereinafter sometimes referred to as an organic EL element) and an organic EL element.
有機EL素子は、一対の電極(陽極および陰極)と、該電極間に配置された発光層とを含んで構成され、通常、基板上に所定の層を順次積層することにより形成される。有機EL素子は、電圧を印加すると陽極および陰極からそれぞれ正孔および電子が注入され、両電極から注入された正孔および電子が発光層で再結合することによって発光する。このような有機EL素子は、照明装置や画像表示装置に用いることができる。 The organic EL element includes a pair of electrodes (anode and cathode) and a light emitting layer disposed between the electrodes, and is usually formed by sequentially laminating predetermined layers on a substrate. When a voltage is applied to the organic EL element, holes and electrons are injected from the anode and the cathode, respectively, and the holes and electrons injected from both electrodes are recombined in the light emitting layer to emit light. Such an organic EL element can be used for an illumination device or an image display device.
例えば表示装置では、通常、格子状の隔壁(バンクとも呼ばれる)が基板に設けられ、該隔壁で囲まれた各画素領域に各有機EL素子がそれぞれ形成されている。例えば発光層は、発光層材料を含むインキを各画素領域にそれぞれ供給し、さらに乾燥させることによって形成される。
電極が撥液性を示す場合、電極に塗布された塗布液が凝集し易いので、電極上において塗布液を均一に塗布することが困難な場合がある。また隔壁が親液性を示す場合、塗布液が隔壁内に収まらずに隔壁外にまではみ出した状態で乾燥することがあり、隔壁内において膜厚が均一な層を形成することが出来ない場合がある。そこで従来では親液性を示す電極と撥液性を示す隔壁とが設けられた基板を用いて、膜厚が均一な有機EL素子を形成している。電極を親液化し、隔壁を撥液化する方法の1つとして、例えばCF4プラズマ処理が用いられている。無機材料と有機材料との両方にCF4プラズマ処理を行うと、無機材料に比べて有機材料の方が容易にフッ素化するので、有機材料が選択的に撥液化される。この性質を利用することによって、親液性を示す電極と撥液性を示す隔壁とが設けられた基板を実現している。具体的には、インジウムスズ酸化物(Indium Tin Oxide:略称ITO)などの無機材料で構成される電極と、有機樹脂で構成される隔壁とが形成された基板にCF4プラズマ処理を行うことにより、電極を親液化し、隔壁を撥液化した基板を用意している(例えば特許文献1および2)。
For example, in a display device, a grid-like partition wall (also called a bank) is usually provided on a substrate, and each organic EL element is formed in each pixel region surrounded by the partition wall. For example, the light emitting layer is formed by supplying ink containing a light emitting layer material to each pixel region and further drying.
When the electrode exhibits liquid repellency, the coating liquid applied to the electrode is likely to aggregate, and it may be difficult to uniformly apply the coating liquid on the electrode. In addition, when the partition walls are lyophilic, the coating solution may be dried in a state where it does not fit within the partition walls and protrudes outside the partition walls, and a layer with a uniform thickness cannot be formed within the partition walls. There is. Therefore, conventionally, an organic EL element having a uniform film thickness is formed using a substrate provided with electrodes having lyophilic properties and partition walls having lyophobic properties. As one of the methods for making the electrodes lyophilic and making the partition walls repellent, for example, CF 4 plasma treatment is used. When CF 4 plasma treatment is performed on both the inorganic material and the organic material, the organic material is more easily fluorinated than the inorganic material, so that the organic material is selectively lyophobic. By utilizing this property, a substrate provided with an electrode showing lyophilicity and a partition wall showing liquid repellency is realized. Specifically, by performing CF 4 plasma treatment on a substrate on which an electrode made of an inorganic material such as indium tin oxide (abbreviated as ITO) and a partition wall made of an organic resin are formed. A substrate having electrodes made lyophilic and partition walls made liquid repellent is prepared (for example,
他方、隔壁を撥液化した場合、隔壁の前記画素領域に臨む表面(以下、隔壁の側面という場合がある)でインク液滴がはじかれることに起因して、基板上に形成される下部電極と発光層との境界部において発光層の厚さが薄くなる場合がある。このような発光層上に上部電極を形成すると、前記境界部において上部電極と下部電極との間の電気抵抗が低くなり、リーク電流が生じやすくなる。この問題を回避するために、例えば特許文献3には、下部電極と隔壁との間に、下部電極の周縁部を覆う酸化シリコン等の無機絶縁膜を設けた素子構成が開示されている。発光層の厚さが薄くなる部分に無機絶縁膜を設けることによって、隔壁と下部電極との境界部における絶縁耐圧を向上させることができ、電気的リークを抑制している。 On the other hand, when the partition wall is made liquid-repellent, a lower electrode formed on the substrate due to ink droplets repelling on the surface of the partition wall facing the pixel region (hereinafter also referred to as a side surface of the partition wall) The thickness of the light emitting layer may be reduced at the boundary with the light emitting layer. When the upper electrode is formed on such a light emitting layer, the electrical resistance between the upper electrode and the lower electrode is lowered at the boundary portion, and a leak current is likely to occur. In order to avoid this problem, for example, Patent Document 3 discloses an element configuration in which an inorganic insulating film such as silicon oxide covering the periphery of the lower electrode is provided between the lower electrode and the partition. By providing the inorganic insulating film in the portion where the thickness of the light emitting layer is reduced, the withstand voltage at the boundary between the partition wall and the lower electrode can be improved, and electrical leakage is suppressed.
上記のような状況の下、本発明は、信頼性の高い有機EL素子を製造するために、従来の技術とは異なる簡便な方法で層形成する方法を提供することを課題とする。 Under the circumstances as described above, an object of the present invention is to provide a method for forming a layer by a simple method different from the conventional technique in order to manufacture a highly reliable organic EL element.
上記の課題を解決するため、本発明では、下記の構成を採用した。
〔1〕基板に設けられる隔壁により囲まれた画素領域に、第1電極と、第2電極と、前記第1および第2電極の間に配置される1または複数の有機層とを備える有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する方法であって、
前記第1電極が形成された基板を用意する工程と、
前記第1電極の表面を露出させる開口が、前記画素領域に相当する領域に穿設されて成る隔壁を、前記第1電極が形成された基板上に配置する隔壁配置工程と、
前記第1電極および前記隔壁の表面を親液化処理する第1の親液化工程と、
前記第1電極および前記隔壁の表面上に撥液層を形成する撥液層形成工程と、
前記撥液層のうちの、前記第1電極の表面上に形成された部位を親液化処理する第2の親液化工程と、
前記隔壁に囲まれた画素領域に前記有機層を形成する有機層形成工程と、
前記隔壁と前記有機層との境界領域に、前記第1および第2電極の間に設けられる全有機層の電気抵抗以上の電気抵抗を有するリーク電流ブロック層を設ける工程と、
前記第2電極を設ける第2電極形成工程とを含み、
前記第1電極と前記隔壁とを互いに異なる材料により形成し、
前記撥液層を、前記隔壁の表面上に形成された部位よりも、前記第1電極の表面上に形成された部位のほうが、前記第2の親液化工程によって、より親液化される材料により形成する、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
〔2〕前記第1電極の少なくとも表面部を無機材料により形成し、前記隔壁の少なくとも表面部を有機材料により形成する、上記〔1〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
〔3〕撥液層形成工程において形成される撥液層を、フルオロアルキル基を有するシランカップリング材料を含む材料により形成する、上記〔1〕または〔2〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
〔4〕前記撥液層形成工程では、撥液層を形成する材料を含む塗布液を用いる塗布法により撥液層を形成する、上記〔1〕から〔3〕のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
〔5〕前記第1および第2の親液化工程では、紫外線オゾン処理によって親液化する、上記〔1〕から〔4〕のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
〔6〕前記第2の親液化工程の後に、プラズマ処理を施す、上記〔1〕から〔5〕のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
〔7〕前記第1および第2の親液化工程のうちの少なくとも一方の工程では、酸素プラズマ処理によって親液化し、
前記第2の親液化工程の後にプラズマ処理を施す、
上記〔1〕から〔4〕のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
〔8〕前記プラズマ処理を、フッ素含有ガスを含む雰囲気で行う、上記〔6〕または〔7〕記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
〔9〕前記有機層形成工程において、前記有機層を形成する材料を含むインクをインクジェット法で前記隔壁に囲まれた画素領域に吐出し、着弾したインクを固化させて前記有機層を形成する、上記〔1〕から〔8〕のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
〔10〕前記リーク電流ブロック層を設ける工程において、前記リーク電流ブロック層を形成する材料を含むインクをインクジェット法で前記隔壁に囲まれた画素領域に吐出し、着弾したインクを固化させて前記リーク電流ブロック層を形成する、上記〔1〕から〔9〕のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
〔11〕前記リーク電流ブロック層を設ける工程において、前記着弾したインクを、熱または光により架橋して硬化する、上記〔10〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
〔12〕上記〔1〕から〔11〕のいずれか一項に記載の製造方法で作製された有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔13〕前記画素領域の平面形状が、概略長円形状をなし、前記リーク電流ブロック層が、平面視で前記画素領域の湾曲部に設けられている、上記〔12〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔14〕前記リーク電流ブロック層の電気抵抗率が、106Ωcm以上である、上記〔12〕または〔13〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔15〕前記撥液層のうちの第1電極上に形成された部位が正孔注入層として機能する、上記〔12〕から〔14〕のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
In order to solve the above problems, the present invention employs the following configuration.
[1] An organic electro that includes a first electrode, a second electrode, and one or a plurality of organic layers disposed between the first and second electrodes in a pixel region surrounded by a partition provided on the substrate. A method for manufacturing a luminescence device, comprising:
Preparing a substrate on which the first electrode is formed;
A partition arrangement step of arranging a partition wall in which an opening exposing the surface of the first electrode is formed in a region corresponding to the pixel region on a substrate on which the first electrode is formed;
A first lyophilic step of lyophilicizing the surfaces of the first electrode and the partition;
Forming a liquid repellent layer on the surfaces of the first electrode and the partition;
A second lyophilic step of lyophilicizing a portion of the lyophobic layer formed on the surface of the first electrode;
An organic layer forming step of forming the organic layer in a pixel region surrounded by the partition;
Providing a leakage current block layer having an electric resistance equal to or higher than the electric resistance of all organic layers provided between the first and second electrodes in a boundary region between the partition and the organic layer;
A second electrode forming step of providing the second electrode,
The first electrode and the partition are formed of different materials,
The part formed on the surface of the first electrode is made more lyophilic by the second lyophilic step than the part formed on the surface of the partition wall. Form,
Manufacturing method of organic electroluminescent element.
[2] The method for manufacturing an organic electroluminescent element according to [1], wherein at least a surface portion of the first electrode is formed of an inorganic material, and at least a surface portion of the partition is formed of an organic material.
[3] Manufacture of an organic electroluminescent element according to the above [1] or [2], wherein the liquid repellent layer formed in the liquid repellent layer forming step is formed of a material containing a silane coupling material having a fluoroalkyl group. Method.
[4] The liquid repellent layer forming step according to any one of [1] to [3], wherein the liquid repellent layer is formed by a coating method using a coating liquid containing a material for forming the liquid repellent layer. Manufacturing method of organic electroluminescent element.
[5] The method for manufacturing an organic electroluminescent element according to any one of [1] to [4], wherein the first and second lyophilic steps are made lyophilic by ultraviolet ozone treatment.
[6] The method for producing an organic electroluminescent element according to any one of [1] to [5], wherein plasma treatment is performed after the second lyophilic step.
[7] In at least one of the first and second lyophilic steps, the lyophilic step is performed by oxygen plasma treatment.
Plasma treatment is performed after the second lyophilic step.
The manufacturing method of the organic electroluminescent element as described in any one of [1] to [4] above.
[8] The method for producing an organic electroluminescent element according to the above [6] or [7], wherein the plasma treatment is performed in an atmosphere containing a fluorine-containing gas.
[9] In the organic layer forming step, an ink containing a material for forming the organic layer is ejected to a pixel region surrounded by the partition wall by an inkjet method, and the landed ink is solidified to form the organic layer. The manufacturing method of the organic electroluminescent element as described in any one of [1] to [8] above.
[10] In the step of providing the leakage current blocking layer, ink containing a material for forming the leakage current blocking layer is ejected to a pixel region surrounded by the partition wall by an ink jet method, and the landed ink is solidified to form the leakage current. The method for producing an organic electroluminescence element according to any one of [1] to [9], wherein the current blocking layer is formed.
[11] The method for producing an organic electroluminescent element according to the above [10], wherein in the step of providing the leakage current block layer, the landed ink is cured by crosslinking with heat or light.
[12] An organic electroluminescence device produced by the production method according to any one of [1] to [11].
[13] The organic electroluminescence according to [12], wherein the planar shape of the pixel region is substantially oval, and the leakage current blocking layer is provided in a curved portion of the pixel region in plan view. element.
[14] The organic electroluminescence device according to [12] or [13], wherein the leakage current blocking layer has an electrical resistivity of 10 6 Ωcm or more.
[15] The organic electroluminescent element according to any one of [12] to [14], wherein a portion of the liquid repellent layer formed on the first electrode functions as a hole injection layer.
本発明によれば、第1電極の表面については親液性を示し、隔壁の表面については撥液性を示すように、親液性を示す領域と撥液性を示す領域とを選択的かつ簡便に形成することができる。また、本発明によれば、リーク電流が生じにくい有機EL素子を簡便に作製することができる。 According to the present invention, the lyophilic region and the lyophobic region are selectively and selectively so that the surface of the first electrode is lyophilic and the surface of the partition wall is lyophobic. It can be formed easily. In addition, according to the present invention, an organic EL element in which a leak current hardly occurs can be easily produced.
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつさらに詳説する。なお、理解の容易のため、図面における各部材の縮尺は実際とは異なる場合がある。また、本発明は以下の記述によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。有機EL装置においては電極のリード線等の部材も存在するが、本発明の説明にあっては直接的に要しないため記載を省略している。層構造等の説明の便宜上、下記に示す例においては基板を下に配置した図と共に説明がなされるが、本発明の有機EL素子およびこれを搭載した有機EL装置は、必ずしもこの上下左右の向きに配置されて、製造または使用等がなされるわけではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the drawings. For ease of understanding, the scale of each member in the drawings may be different from the actual scale. Further, the present invention is not limited by the following description, and can be appropriately changed without departing from the gist of the present invention. In the organic EL device, there are members such as electrode lead wires. However, in the explanation of the present invention, the description is omitted because it is not directly required. For convenience of explanation of the layer structure and the like, in the example shown below, the explanation will be made with the figure in which the substrate is placed below. However, the organic EL element of the present invention and the organic EL device equipped with the organic EL element are not necessarily in the vertical and horizontal directions. It is not necessarily placed in place and manufactured or used.
1.本発明の有機EL素子の製造方法
本発明の製造方法は、隔壁で囲まれた画素領域に、少なくとも第1電極と、第2電極と、前記第1および第2電極の間に位置し1または複数の有機層とを備える有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する方法である。本発明の有機EL素子の製造方法では、少なくとも次の工程を含む。
(1)第1電極が形成された基板を用意する工程
(2)前記第1電極の表面を露出させる開口が、前記画素領域に相当する領域に穿設されて成る隔壁を、前記第1電極が形成された基板上に配置する隔壁配置工程と、
(3)前記第1電極および前記隔壁の表面を親液化処理する第1の親液化工程
(4)第1電極および隔壁の表面上に撥液層を形成する撥液層形成工程
(5)前記撥液層のうちの、前記隔壁に囲まれた画素領域の第1電極の表面上に形成されたを覆う撥液層部位を親液化処理する第2の親液化工程
(6)前記隔壁に囲まれた画素領域に前記有機層を形成する有機層形成工程
(7)前記隔壁の側壁部と前記発光層有機層とのが隣り合う境界領域に、少なくとも前記第1および第2電極の間に設けられる全発光層有機層の電気抵抗以上の電気抵抗を有するリーク電流ブロック層を設ける工程
(8)第2電極を設ける第2電極形成工程
1. Manufacturing method of organic EL element of the present invention The manufacturing method of the present invention includes a pixel region surrounded by a partition wall and is located at least between the first electrode, the second electrode, and the first and second electrodes. It is a method of manufacturing an organic electroluminescence device comprising a plurality of organic layers. In the manufacturing method of the organic EL element of this invention, at least the following process is included.
(1) Step of preparing a substrate on which the first electrode is formed (2) A partition wall in which an opening exposing the surface of the first electrode is formed in a region corresponding to the pixel region, A partition arrangement step of arranging on the substrate on which is formed,
(3) A first lyophilic process for lyophilic treatment of the surfaces of the first electrode and the partition wall (4) A liquid repellent layer forming process for forming a liquid repellent layer on the surfaces of the first electrode and the partition wall (5) A second lyophilic process for lyophilic treatment of a liquid repellent layer portion covering the liquid repellent layer formed on the surface of the first electrode in the pixel region surrounded by the partition wall (6) Surrounded by the partition wall Organic layer forming step (7) for forming the organic layer in the pixel region provided In the boundary region where the side wall portion of the partition wall and the light emitting layer organic layer are adjacent to each other, at least between the first and second electrodes A step of providing a leakage current blocking layer having an electrical resistance equal to or higher than the electrical resistance of all the light-emitting layers of the organic layers to be formed;
下記に詳述されるように、有機EL素子は、様々な層構成、付属部材を設け得る。本発明の製造方法は、少なくとも上記(1)〜(8)の工程を含むが、さらに他の工程を付加してもよい。他の工程は、上記(1)〜(8)の工程の前後に設けてもよいし、また上記(1)〜(8)の各工程の間に介在してもよい。 As described in detail below, the organic EL element can be provided with various layer configurations and attachment members. Although the production method of the present invention includes at least the steps (1) to (8), other steps may be added. Other steps may be provided before and after the steps (1) to (8), or may be interposed between the steps (1) to (8).
本発明の製造方法では、第1電極と隔壁とを互いに異なる材料で形成し、上記(4)で設ける撥液層を、隔壁の表面上に形成された部位よりも、第1電極上に形成された部位のほうが、第2の親液化工程によって、より親液化される材料で形成する。そして、上記(5)の第2の親液化工程において、第1電極と前記隔壁の材料の相違により撥液層表面の親液化の程度に差異を生じさせる親液化処理を施す。このように、第1電極と隔壁の双方に同材料で撥液層を設けながらも、接触している層の材料の相違により、撥液性を変化させる。このようにして、撥液性の異なる複数の材料を別々に塗り分けることなく、所望の領域ごとに親液性又は撥液性を調整し得る。 In the manufacturing method of the present invention, the first electrode and the partition are formed of different materials, and the liquid repellent layer provided in (4) above is formed on the first electrode rather than the portion formed on the surface of the partition. The formed part is formed of a material that is made more lyophilic in the second lyophilic step. In the second lyophilic step (5), a lyophilic treatment is performed to cause a difference in the degree of lyophilicity on the surface of the liquid repellent layer due to the difference in material between the first electrode and the partition wall. As described above, while the liquid repellent layer is provided with the same material on both the first electrode and the partition wall, the liquid repellency is changed depending on the difference in the material of the contacted layer. Thus, lyophilicity or liquid repellency can be adjusted for each desired region without separately coating a plurality of materials having different liquid repellency.
隔壁と発光層との境界領域の薄膜成形を設計通りに歩留まり良く工業生産することは必ずしも容易ではないが、さらに本発明の製法によれば、所定の位置にリーク電流ブロック層を設けるという簡便な手段により、歩留まり良く信頼性の高い有機EL素子を製造し得る。 Although it is not always easy to industrially produce a thin film in the boundary region between the barrier rib and the light emitting layer with a high yield as designed, according to the manufacturing method of the present invention, it is easy to provide a leakage current blocking layer at a predetermined position. By means, an organic EL element with high yield and high reliability can be manufactured.
1.1.製造方法の第1の実施形態
図1−1から図1−4は、本発明の実施の一形態の有機EL素子製造方法の各工程ステップS(a)からステップS(l)について模式的に示す図である。
まず図1−1のステップS(a)に示すように、基板10の上に第1電極20が設けられる。第1電極20は陽極であっても陰極であってもよく、これに対して対を成すように第2電極が後に設けられる。基板10としては、後述する有機EL素子を製造する各工程において変化しないものが好適に用いられ、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、およびシリコン基板、並びにこれらを積層したものなどを用い得る。
1.1. First Embodiment of Manufacturing Method FIGS. 1-1 to 1-4 schematically show each step S (a) to step S (l) of an organic EL element manufacturing method according to an embodiment of the present invention. FIG.
First, as shown in step S (a) of FIG. 1A, the
第1電極20は、後の工程で形成される隔壁とは異なる材料で形成され、本実施の形態では少なくとも表面部が無機材料から成る。第1電極20は、例えば後述する陽極または陰極を構成する材料によって構成され、具体的にはインジウムスズ酸化物(Indium Tin Oxide:略称ITO)などの透明導電性材料、金属材料、金属酸化物材料などから成る。第1電極20は、例えばスパッタリング法、蒸着法などによって基板の表面上において所定の形状に形成される。
The
次に、図1−1のステップS(b)〜S(d)に示すようにして隔壁31を形成する。本実施形態では、第1電極20が無機材料で形成されており、隔壁31が(第1の)有機材料で形成される。まず、ステップS(b)に示すように、感光性樹脂を含む塗布液を基板10上に塗布し、感光性樹脂層30を基板10全面に設ける。なお本実施の形態ではポジ型の感光性樹脂を用いた場合について説明する。次に、ステップS(c)に示すようにフォトマスク90を介して所定の領域に光Ir1を照射する。具体的には前述した開口の形成される領域に光を照射する。次に、ステップS(d)に示すように現像処理を行うことで光を照射した領域に、第1電極20まで貫通し、第1電極20の表面が露出するように開口を穿設し、光Ir1が照射されず残存した部分が隔壁31として形成される。
Next, the
画素領域に相当する領域を囲むように隔壁31付設される。隔壁31を設けることにより、前記第1電極の表面にまで達する開口が形成され、隔壁31で囲まれた画素領域が規定される。なお隔壁の全てが第1電極の表面上に設けられていなくともよく、基板の厚み方向の一方から見て、少なくとも第1電極の周縁部が隔壁31で覆われていればよい。本実施の形態では、隔壁31は、少なくとも表面部が有機材料から成る。隔壁31は、有機材料から構成されていれば特に限定するものではないが、フォトレジストなどの感光性材料を用いて形成するのが製造上簡単で好ましい。該材料としては例えばノボラック系のポジ型レジスト、アクリル系のネガ型レジストおよび感光性ポリイミドなどが挙げられる。
A
次に図1−2に示すように、ステップS(e)に示すように、第1電極10と、隔壁31との表面を親液化する第1の親液化工程を行う。第1の親液化工程としては、紫外線オゾン処理、および酸素プラズマ処理などを挙げることができ、本実施の形態では紫外線オゾン処理を施す例を示し、基板10全面を紫外線オゾンIr2に曝露する。この第1の親液化工程を施すことによって、第1電極20および隔壁31の表面に親液化処理が施される。
Next, as shown in FIG. 1-2, as shown to step S (e), the 1st lyophilic process which makes the surface of the
次にステップS(f)に示すように、第1電極20および隔壁31の表面上に撥液層40を形成する撥液層形成工程を行う。本工程で成膜される撥液層40は、隔壁31の表面上に形成された部位よりも、第1電極20に形成された部位の方が、後述の第2の親液化工程によって、より親液化される材料を含んで構成される。撥液層40は、有機材料で形成され、好ましくは、フルオロアルキル基を有するシランカップリング材料を含むことが好ましい。シランカップリング材としては、例えば、ノナフルオロヘキシルトリクロロシラン、ノナフルオロヘキシルジメチルクロロシラン、ノナフルオロヘキシトリメトキシシラン、ノナフルオロヘキシトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ-1,1,2,2-テトラヒドロキシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ-1,1,2,2-テトラヒドロキシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ-1,1,2,2-テトラヒドロデシルトリクロロシラン、ヘプタデカフルオロ-1,1,2,2-テトラヒドロデシルメチルジクロロシランおよびヘプタデカフルオロ-1,1,2,2-テトラヒドロデシルジメチルクロロシランなどを挙げることができる。
Next, as shown in step S (f), a liquid repellent layer forming step for forming the
撥液層40を形成する方法としては、撥液層40となる材料を含む溶液を塗布液として用いるスピンコート法、印刷法、スリットコート法、バーコート法などを挙げることができる。これらの中でも成膜の容易さから、スピンコート法を用いることが好ましい。
Examples of the method for forming the
撥液層40を形成するための塗布液の溶媒としては、例えば水、メタノール、またはこれらの混合液を挙げることができる。撥液層の膜厚は、例えば0.1nm〜100nmであり、好ましくは0.1nm〜20nmである。
Examples of the solvent of the coating solution for forming the
次に、ステップS(g)に示すように、撥液層40を選択的に親液化する第2の親液化工程を行う。第2の親液化工程としては、紫外線オゾン処理、および酸素プラズマ処理などを挙げることができる。また、プラズマ処理は真空下でのプラズマ処理および大気圧下でのプラズマ処理などが挙げられる。本実施の形態では第1の親液化工程と同様に、基板10およびこれの上に形成された積層物全面を、紫外線オゾンIr3に曝露する。
Next, as shown in step S (g), a second lyophilic process for selectively making the
以上、図1−2に示すステップS(e)からステップS(g)に示すような親液撥液パターンの形成方法によれば、第1および第2の親液化工程を、紫外線オゾン処理で行うので、プラズマ処理を用いて親液撥液パターンを形成する場合に比べて簡易に親液撥液パターンを形成することができる。さらに後述するように、第1電極20上に形成される親液部41が有機EL素子の電荷注入層または電荷輸送層などとして機能し得る。このように親液撥液パターンの形成方法を行うことで、有機EL素子の電荷注入層または電荷輸送層などが副次的に形成されるので、本親液撥液パターンの形成方法は、有機EL素子用の基板を作製する方法として好適に用いることができる。
As described above, according to the method for forming a lyophilic liquid repellent pattern as shown in steps S (e) to S (g) shown in FIG. 1-2, the first and second lyophilic processes are performed by ultraviolet ozone treatment. Therefore, the lyophilic liquid repellent pattern can be easily formed as compared with the case where the lyophilic liquid repellent pattern is formed using plasma treatment. Further, as will be described later, the
前述したように、撥液層40は、隔壁31の表面上に形成された部位よりも、第1電極20に形成された部位の方が、第2の親液化工程においてより親液化される材料を含んで構成されている。第2の親液化工程を行うことで、図1−2ステップS(h)として示すように、第1電極20に接して位置する部位に元々撥液層40として設けられた一部の表面を親液化させ、その表面の領域R1が親液性を有する部位41(親液部41という場合がある)が形成される。他方、隔壁31に接する位置に設けられた撥液層40は、その表面の領域R2が略そのまま撥液性を維持する部位42(撥液部42という場合がある)を形成する。このように下地の材料の相違によって、元々撥液性を有していた領域の一部が選択的に親液化される。なお、図1−2などにおいて、第2の親液化工程後の領域41と領域42の領域との境界43は便宜上線引きにより区分しているが、実際には両者の領域は渾然一体とした状態となり、必ずしも境界43は明瞭ではないものと推測される。
As described above, the
次に、有機材料で形成される発光層51を形成する。なお前述したように、第1電極と第2電極との間には、1または複数の有機層が設けられるが、本実施の形態では該有機層として1層の発光層51を備える有機EL素子について説明する。図1−3のステップS(i)に、上記のようにして選択的に親液化された画素領域R1上に、隔壁31で囲われる領域の容量よりも多い量の有機発光材料を含む塗布液50を、隔壁31で囲まれた開口部に塗布した状態を示す。凹部の底面が親液性を示すので、塗布液が凹部の底面において広がるとともに、隔壁31に形成された撥液部42が撥液性を示すので、塗布液が隔壁31上には広がらずに凹部を中心にして膨らむ。この状態で塗布液を乾燥させると、乾燥過程において、隔壁31に形成された撥液部42にはじかれながら塗布液が順次収縮していくので、全ての塗布液が穴に収まり、結果として均一な膜厚の発光層51を形成することができる(図1−3(ステップS(j))。
Next, the
次に、図1−3、ステップS(k)に示すように、リーク電流ブロック層60を設ける。リーク電流ブロック層60は、隔壁31の側面と発光層51との境界領域に設けられる。図2に境界領域R3およびその周辺を拡大表示した図を示す。また、図2は、図3おけるA−A線に沿う矢視断面図に該当する。
Next, as shown in FIG. 1C, step S (k), the leakage
図2中、画素領域R1に、基板10、第1電極20、親液部41、発光層51、および第2電極70が、重ねられて構成される積層体が形成されている。リーク電流ブロック層60は、隔壁31が形成されている隔壁領域R2と画素領域R1の境界領域R3に設けられている。リーク電流ブロック層60の一方の端部60aは、撥液部42の隔壁31上面上近くまで覆っている。他方、リーク電流ブロック層60の発光層51よりの端部60bは、発光層の端部を一部覆っている。図2の例に示すように、発光層51の側端部は、インクジェット法などによって形成される場合、画素領域の中央方向に凝集しやすい場合があり、そうすると発光層51と隔壁31との境界領域において、本来の設計の厚みよりもやや薄くなって形成されてしまう場合がある。このように境界領域R3では、層の厚みを完全に均一化することが困難な場合があり、この領域においてリーク電流が生じやすくなってしまう場合がある。リーク電流ブロック層60をこの境界領域R3に設けることにより、層形成における平坦化の困難性にともなって生じる問題点を補償し、簡便にリーク電流等を抑制し得る有機EL素子を作製し得る。
In FIG. 2, a stacked body is formed in the pixel region R <b> 1 by overlapping the
リーク電流ブロック層60をインクジェット法で形成する前に、隔壁31の表面、発光層51の表面またはこれらの双方を親液化処理してもよい。隔壁31上の撥液部42および発光層51上の親液部41の表面と、リーク電流ブロック層60を形成するインクとの親液性を調整することにより、インクジェット法でリーク電流ブロック層60を形成するインクを画素領域R1に吐出し、表面張力や、インクとインクが接触する部材との親液性または撥液性などの作用を利用して、インクを乾燥させながら、発光層51の周縁部(図2では発光層51の側端部)へと集合させ易くし、リーク電流ブロック層を所定の位置に簡便に形成することができる。本実施形態では、隔壁31上に形成された撥液部42は発光層51形成後の段階においても強い撥液性を維持しているため、隔壁42上に設けられた撥液部42の、少なくとも画素領域を臨む表面を親液化処理することが好ましい。親液化処理としては、例えば、UVオゾン処理、酸素プラズマ処理などが挙げられる。発光層51のUVに対する耐性が低い場合には、発光層の表面をフォトマスクで覆い、隔壁31の表面のみUV処理を施してもよい。
Before forming the leakage
リーク電流ブロック層60は、有機材料を含むインクを所定の位置に設け、これを固化させて形成することができる。例えば、リーク電流ブロック層60を設ける工程においては、有機溶剤および高抵抗有機材料である高分子樹脂を主成分とするインクを、インクジェット法にて前記隔壁に囲まれた画素領域に吐出した後、インクの表面張力等を利用して、隔壁31の内周面にインクを這い上がらせ、これを熱及び/または光などにより架橋して形成し得る。このとき、所定の設定位置にインクを流し込むには、例えば、高抵抗有機材料の粘度を適宜調整するなどして行うことができる。
The leakage
次に、図1−4のS(l)に示すように、発光層51の上に第2電極70を設ける。この後さらに、第1および第2電極とその間に挟持された各層からなる積層体を、外気から遮断すると共に、積層体を物理的な衝撃等から保護するために、封止部材(不図示)を第2電極側に設けてもよい。封止部材は、例えば、積層体が設けられた基板10の外周縁部と封止部材を貼り合わせて設け得る。
Next, as shown in S (l) of FIG. 1-4, the
このようにして形成された有機EL素子の親液部41は、前述したように正孔注入層として機能する。塗布法で正孔注入層を形成する場合、従来の技術では隔壁で囲まれた画素領域内に正孔注入層となる材料を含む塗布液を滴下することで正孔注入層を形成している。これに対し、本実施形態では、スピンコート法という簡易な方法で正孔注入層を形成する。例えば、複数の画素を形成する場合には、インクジェット装置を用いて正孔注入層となる材料を含む塗布液を各画素毎に滴下する必要があったが、スピンコート法を用いることで、一度に全ての画素に正孔注入層を形成することができ、簡易に正孔注入層を形成することができる。さらに、複数の画素からなる表示パネルでは、親液撥液パターンを形成する工程を設ける必要があるが、本発明ではこの親液撥液パターンを形成する工程を経ることで必然的に正孔注入層が形成されるので、親液撥液パターンを形成する工程とは別に正孔注入層を形成する工程を設ける必要がなくなり、製造工程を簡略化することができる。
The
1.2.製造方法の第2の実施形態
製造方法の第2の実施形態は、上記第1の実施形態における親液撥液パターンの形成方法に、さらにプラズマ処理を施す処理を加えたものである。すなわち、第2の実施形態では、第2の親液化工程の後に、プラズマ処理を施す処理工程が含まれる。
1.2. Second Embodiment of Manufacturing Method In the second embodiment of the manufacturing method, a plasma treatment is further added to the method for forming a lyophilic liquid-repellent pattern in the first embodiment. That is, in the second embodiment, a processing step of performing plasma processing is included after the second lyophilic step.
第2の親液化工程の後、撥液層にプラズマ処理を施す。プラズマ処理は、フッ素含有ガスを含む雰囲気で行うことが好ましい。フッ素含有ガスとしては、SF6およびCF4などが挙げられる。これらのなかでもプラズマ処理としては反応性ガスにCF4を用いるCF4プラズマ処理であることが好ましい。 After the second lyophilic step, the liquid repellent layer is subjected to plasma treatment. The plasma treatment is preferably performed in an atmosphere containing a fluorine-containing gas. Examples of the fluorine-containing gas include SF 6 and CF 4 . It is preferred as the plasma processing Among these is a CF 4 plasma treatment using CF 4 reactive gas.
このように第2の親液化工程の後に、撥液層にプラズマ処理を施すことによって、撥液層はより撥液性が強まる。本実施の形態においては、撥液層は、第1電極の表面上に形成された部位と、隔壁に形成された部位とで撥液化される度合いが異なり、隔壁に形成された部位がプラズマ処理によって、より撥液化される材料によって構成される。このようなプラズマ処理を加えることで、撥液層のうちで第1電極の表面上に形成された部位の接触角と、撥液層のうちで隔壁上に形成された部位の接触角との差が大きくなる。プラズマ処理を加えた基板を用いて開口部に塗布液を塗布すると、より均一な膜厚の膜を形成し得る。 Thus, after the second lyophilic step, the liquid repellent layer becomes more liquid repellent by performing the plasma treatment on the liquid repellent layer. In the present embodiment, the liquid repellent layer is different in the degree of liquid repellency between the part formed on the surface of the first electrode and the part formed on the partition wall, and the part formed on the partition wall is subjected to plasma treatment. Therefore, it is made of a material that is made more liquid repellent. By applying such a plasma treatment, the contact angle of the part formed on the surface of the first electrode in the liquid repellent layer and the contact angle of the part formed on the partition wall in the liquid repellent layer are calculated. The difference increases. When a coating liquid is applied to the opening using a substrate subjected to plasma treatment, a film with a more uniform film thickness can be formed.
なお前記第1および第2の親液化工程のうちの少なくとも一方の工程で、酸素プラズマ処理によって親液化する場合には、本実施形態のように、第2の親液化工程の後に、撥液層にプラズマ処理を施すことが好ましい。 In the case where at least one of the first and second lyophilic steps is lyophilic by oxygen plasma treatment, the lyophobic layer is provided after the second lyophilic step as in this embodiment. It is preferable to subject to plasma treatment.
2.本発明の有機EL素子
本発明の有機EL素子は、隔壁で囲まれた画素領域内に、第1電極と、第2電極と、第1電極および第2電極の間に位置する発光層と、隔壁と第2電極との間に位置する撥液層と、第1電極と前記発光層との間に位置する親液層と、第1電極と前記第2電極の間であり、かつ、前記発光層と前記隔壁の画素領域を臨む面(側面という場合がある)との境界線領域の全部または一部に、リーク電流ブロック層を有する。本発明の有機EL素子に設けられるリーク電流ブロック層の基板厚み方向における電気抵抗は、有機層の基板厚み方向における電気抵抗よりも高い。なお、本明細書において、特段ことわらない場合は、電気抵抗は基板の厚み方向における電気抵抗を意味する。
2. Organic EL element of the present invention The organic EL element of the present invention includes a first electrode, a second electrode, and a light emitting layer positioned between the first electrode and the second electrode in a pixel region surrounded by a partition wall, A liquid repellent layer positioned between the partition wall and the second electrode, a lyophilic layer positioned between the first electrode and the light emitting layer, and between the first electrode and the second electrode, and A leakage current blocking layer is provided in all or part of the boundary line region between the light emitting layer and the surface (sometimes referred to as a side surface) facing the pixel region of the partition wall. The electric resistance in the substrate thickness direction of the leakage current block layer provided in the organic EL element of the present invention is higher than the electric resistance in the substrate thickness direction of the organic layer. In this specification, unless otherwise specified, the electric resistance means an electric resistance in the thickness direction of the substrate.
本発明の有機EL素子は、既に説明した本発明の有機EL素子の製造方法にて製造し得る。製造方法の一実施形態は上記の通りである。有機EL素子の一実施形態としては、図1−4に示す素子が挙げられる。以下、本発明の有機EL素子の層構造に係る実施形態についてさらに詳述し、後に各層の材料および各層の形成方法の実施形態について説明する。 The organic EL device of the present invention can be manufactured by the method for manufacturing the organic EL device of the present invention described above. One embodiment of the manufacturing method is as described above. As an embodiment of the organic EL element, an element shown in FIG. Hereinafter, embodiments according to the layer structure of the organic EL element of the present invention will be further described in detail, and embodiments of the material of each layer and the method of forming each layer will be described later.
上記製造方法の実施形態では、有機層として1層の発光層を備える有機EL素子について例示したが、有機EL素子は、複数の有機層を有していてもよく、さらに無機層を備えていてもよい。 In the embodiment of the manufacturing method described above, the organic EL element including one light emitting layer as the organic layer has been exemplified. However, the organic EL element may include a plurality of organic layers, and further include an inorganic layer. Also good.
第1および第2電極は、それぞれ一方が陰極であり他方が陽極となる。第1電極を陰極としてもよいし、陽極としてもよい。 One of the first and second electrodes is a cathode and the other is an anode. The first electrode may be a cathode or an anode.
陰極と有機発光層との間に設けられる層としては、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層などを挙げることができる。陰極と有機発光層との間に電子注入層と電子輸送層との両方の層が設けられる場合、陰極に近い層を電子注入層といい、発光層に近い層を電子輸送層という。 Examples of the layer provided between the cathode and the organic light emitting layer include an electron injection layer, an electron transport layer, and a hole blocking layer. When both the electron injection layer and the electron transport layer are provided between the cathode and the organic light emitting layer, a layer close to the cathode is referred to as an electron injection layer, and a layer close to the light emitting layer is referred to as an electron transport layer.
電子注入層は、陰極からの電子注入効率を改善する機能を有する層である。電子輸送層は、陰極、電子注入層または陰極により近い電子輸送層からの電子注入を改善する機能を有する層である。正孔ブロック層は、正孔の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお電子注入層、及び/又は電子輸送層が正孔の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が正孔ブロック層を兼ねることがある。 The electron injection layer is a layer having a function of improving electron injection efficiency from the cathode. The electron transport layer is a layer having a function of improving electron injection from the cathode, the electron injection layer, or the electron transport layer closer to the cathode. The hole blocking layer is a layer having a function of blocking hole transport. In the case where the electron injection layer and / or the electron transport layer have a function of blocking hole transport, these layers may also serve as the hole blocking layer.
正孔ブロック層が正孔の輸送を堰き止める機能を有することは、例えばホール電流のみを流す素子を作製し、その電流値の減少で堰き止める効果を確認することが可能である。 The fact that the hole blocking layer has a function of blocking hole transport makes it possible, for example, to produce an element that allows only a hole current to flow, and confirm the blocking effect by reducing the current value.
陽極と有機発光層との間に設けられる層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層などを挙げることができる。正孔注入層と正孔輸送層との両方の層が設けられる場合、陽極に近い層を正孔注入層といい、発光層に近い層を正孔輸送層という。なお前述したように第1電極に接して設けられる親液層は、例えば正孔注入層または正孔輸送層として機能する。 Examples of the layer provided between the anode and the organic light emitting layer include a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron block layer. When both the hole injection layer and the hole transport layer are provided, a layer close to the anode is referred to as a hole injection layer, and a layer close to the light emitting layer is referred to as a hole transport layer. As described above, the lyophilic layer provided in contact with the first electrode functions as, for example, a hole injection layer or a hole transport layer.
正孔注入層は、陽極からの正孔注入効率を改善する機能を有する層である。正孔輸送層は、陽極、正孔注入層または陽極により近い正孔輸送層からの正孔注入を改善する機能を有する層である。電子ブロック層は、電子の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお正孔注入層、及び/又は正孔輸送層が電子の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が電子ブロック層を兼ねることがある。 The hole injection layer is a layer having a function of improving hole injection efficiency from the anode. The hole transport layer is a layer having a function of improving hole injection from the anode, the hole injection layer, or the hole transport layer closer to the anode. The electron blocking layer is a layer having a function of blocking electron transport. In the case where the hole injection layer and / or the hole transport layer has a function of blocking electron transport, these layers may also serve as an electron blocking layer.
電子ブロック層が電子の輸送を堰き止める機能を有することは、例えば、電子電流のみを流す素子を作製し、その電流値の減少で堰き止める効果を確認することが可能である。 The fact that the electron blocking layer has a function of blocking electron transport makes it possible, for example, to produce an element that allows only electron current to flow and confirm the blocking effect by reducing the current value.
本発明の有機EL素子の実施形態として、採用し得る層構成の例を以下に示す。
a)陽極/正孔輸送層/有機発光層/陰極
b)陽極/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/陰極
c)陽極/正孔注入層/有機発光層/陰極
d)陽極/正孔注入層/有機発光層/電子注入層/陰極
e)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/陰極
f)陽極/正孔輸送層/有機発光層/電子注入層/陰極
g)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子注入層/陰極
h)陽極/正孔注入層/有機発光層/電荷輸送層/陰極
i)陽極/正孔注入層/有機発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
j)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子注入層/陰極
k)陽極/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
l)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(ここで、記号「/」は、記号「/」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。
以下、層構造の説明において同じ。)
Examples of layer structures that can be employed as embodiments of the organic EL device of the present invention are shown below.
a) anode / hole transport layer / organic light emitting layer / cathode b) anode / hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer / cathode c) anode / hole injection layer / organic light emitting layer / cathode d) anode / Hole injection layer / organic light emitting layer / electron injection layer / cathode e) anode / hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / cathode f) anode / hole transport layer / organic light emitting layer / electron injection layer / Cathode g) Anode / hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron injection layer / cathode h) Anode / hole injection layer / organic light emitting layer / charge transport layer / cathode i) Anode / hole injection layer / Organic light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode j) anode / hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron injection layer / cathode k) anode / hole transport layer / organic light emitting layer / Electron transport layer / electron injection layer / cathode l) anode / hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode (here, symbol “/ Indicates that the respective layers sandwiching the symbol "/" are adjacently stacked.
Hereinafter, the same applies to the description of the layer structure. )
また、本発明の有機EL素子の他の実施形態としては、発光層が2層以上の有機発光層を有していてもよく、2層の有機発光層を有する有機EL素子としては、以下のm)に示す層構成を挙げることができる。
m)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/電子注入層/電荷発生層/電荷注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
また、3層以上の有機発光層を有する有機EL素子としては、具体的には、(電荷発生層/電荷注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/電荷注入層)を一つの繰り返し単位として、以下のn)に示す前記繰り返し単位を2つ以上含む層構成を挙げることができる。
n)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/電子注入層/(該繰り返し単位)/(該繰り返し単位)/・・・/陰極
上記層構成p)およびq)において、陽極、陰極、有機発光層以外の各層は必要に応じて削除することができる。
As another embodiment of the organic EL device of the present invention, the light emitting layer may have two or more organic light emitting layers, and the organic EL device having two organic light emitting layers includes the following: The layer structure shown to m) can be mentioned.
m) Anode / hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / charge generation layer / charge injection layer / hole transport layer / organic light emission layer / electron transport layer / electron injection layer / Cathode Further, as an organic EL device having three or more organic light emitting layers, specifically, (charge generation layer / charge injection layer / hole transport layer / organic light emission layer / electron transport layer / charge injection layer) As a single repeating unit, a layer structure including two or more repeating units shown in the following n) can be exemplified.
n) Anode / hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / (the repeating unit) / (the repeating unit) /... / cathode The layer structure p) and q ), Each layer other than the anode, the cathode, and the organic light emitting layer can be deleted as necessary.
本発明の有機EL素子の一実施形態としては、発光層からの光を有機EL素子から外に放出するために、通常、発光層を基準にして光が取出される側に配置される全ての層を透明なものとする。一例として基板/陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極/封止部材という層構成を有する有機EL素子について説明すると、発光層からの光を基板側から取出す所謂ボトムエミッション型の有機EL素子の場合には、基板、陽極、電荷注入層及び正孔輸送層の全てを透明なものとし、発光層からの光を封止部材側から取出す所謂トップエミッション型の有機EL素子の場合には、電子輸送層、電荷注入層、陰極及び封止部材の全てを透明なものとする。また一例として基板/陰極/電荷注入層/電子輸送層/発光層/正孔輸送層/電荷注入層/陽極/封止部材という層構成を有する有機EL素子について説明すると、ボトムエミッション型の素子の場合には、基板、陰極、電荷注入層および電子輸送層の全てを透明なものとし、トップエミッション型の有機EL素子の場合には、正孔輸送層、正孔注入層、陽極および封止部材の全てを透明なものとする。ここで透明の程度としては、光が有機EL素子の外に放出される再表面と、発光層までの可視光透過率が40%以上のものが好ましい。紫外領域または赤外領域の発光が求められる有機EL素子の場合には、当該領域において40%以上の光透過率を有するものが好ましい。 As one embodiment of the organic EL device of the present invention, in order to emit light from the light emitting layer to the outside, all of the light emitting layers are usually arranged on the side from which light is extracted with reference to the light emitting layer. Make the layer transparent. As an example, an organic EL device having a layer structure of substrate / anode / charge injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / cathode / sealing member will be described. In the case of a so-called bottom emission type organic EL element that is taken out from the side, the substrate, the anode, the charge injection layer, and the hole transport layer are all transparent, and the so-called top that takes out light from the light emitting layer from the sealing member side. In the case of an emission type organic EL element, the electron transport layer, the charge injection layer, the cathode, and the sealing member are all transparent. As an example, an organic EL device having a layer structure of substrate / cathode / charge injection layer / electron transport layer / light emitting layer / hole transport layer / charge injection layer / anode / sealing member will be described. In this case, the substrate, the cathode, the charge injection layer, and the electron transport layer are all transparent, and in the case of a top emission type organic EL device, the hole transport layer, the hole injection layer, the anode, and the sealing member All of the above shall be transparent. Here, the degree of transparency is preferably such that the resurface from which light is emitted to the outside of the organic EL element and the visible light transmittance to the light emitting layer is 40% or more. In the case of an organic EL element that is required to emit light in the ultraviolet region or infrared region, those having a light transmittance of 40% or more in the region are preferable.
本発明の有機EL素子の一実施形態では、さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して膜厚2nm以下の絶縁層を設けてもよい。また界面での密着性向上や混合の防止などのために、前述した各層の少なくともいずれか1つの界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。 In one embodiment of the organic EL device of the present invention, an insulating layer having a thickness of 2 nm or less may be provided adjacent to the electrode in order to further improve the adhesion with the electrode or improve the charge injection from the electrode. Further, a thin buffer layer may be inserted into at least one of the above-described layers in order to improve adhesion at the interface or prevent mixing.
積層する層の順序、層数、および各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜設定することができる。 The order of the layers to be laminated, the number of layers, and the thickness of each layer can be appropriately set in consideration of the light emission efficiency and the element lifetime.
次に、有機EL素子を構成する各層の材料および各層の形成方法について、より具体的に説明する。
<撥液層および親液層>
撥液層は、隔壁と第2電極との間に設けられる。また、親液層は、第1電極と発光層との間に設けられる。撥液層および親液層は、上記本発明の製造方法において説明したとおり、隔壁および第1電極の双方上に一連の層として設けられる。そして、第2の親液化工程によって、隔壁および第1電極のそれぞれの材質の相違に依拠して、隔壁上の撥液層はそのまま撥液性を維持し、他方、第1電極上の撥液層は、親液層に変性されて設けられる。この観点から、この一連の層を、撥液親液層という場合がある。
Next, the material of each layer constituting the organic EL element and the method for forming each layer will be described more specifically.
<Liquid repellent layer and lyophilic layer>
The liquid repellent layer is provided between the partition wall and the second electrode. The lyophilic layer is provided between the first electrode and the light emitting layer. The liquid repellent layer and the lyophilic layer are provided as a series of layers on both the partition wall and the first electrode as described in the production method of the present invention. In the second lyophilic step, the liquid repellent layer on the partition maintains the liquid repellency as it is, depending on the difference in material between the partition and the first electrode, while the liquid repellent on the first electrode The layer is provided by being modified into a lyophilic layer. From this point of view, this series of layers may be referred to as a liquid repellent lyophilic layer.
撥液親液層は、製造方法の実施形態において既に説明した通り、例えば、図1−2のステップS(f)からステップS(g)に示すようにして形成される。その結果として、ステップS(h)に示すような撥液親液層(41、42)が形成される。撥液層は、好ましくは、フルオロアルキル基を有するシランカップリング材料などによって形成し得る。フルオロアルキル基を有するシランカップリング材料で形成された撥液層は、フルオロアルキル基を有するシランカップリング材がカップリング反応して硬化した層として形成される。シランカップリング材としては、例えば、ノナフルオロヘキシルトリクロロシラン、ノナフルオロヘキシルジメチルクロロシラン、ノナフルオロヘキシトリメトキシシラン、ノナフルオロヘキシトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ-1,1,2,2-テトラヒドロキシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ-1,1,2,2-テトラヒドロキシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ-1,1,2,2-テトラヒドロデシルトリクロロシラン、ヘプタデカフルオロ-1,1,2,2-テトラヒドロデシルメチルジクロロシランおよびヘプタデカフルオロ-1,1,2,2-テトラヒドロデシルジメチルクロロシランなどを挙げることができる。 As already described in the embodiment of the manufacturing method, the liquid repellent lyophilic layer is formed, for example, as shown in steps S (f) to S (g) in FIG. As a result, lyophobic lyophilic layers (41, 42) as shown in step S (h) are formed. The liquid repellent layer is preferably formed of a silane coupling material having a fluoroalkyl group. The liquid repellent layer formed of a silane coupling material having a fluoroalkyl group is formed as a layer cured by a coupling reaction of a silane coupling material having a fluoroalkyl group. Examples of silane coupling materials include nonafluorohexyltrichlorosilane, nonafluorohexyldimethylchlorosilane, nonafluorohexyltrimethoxysilane, nonafluorohexyltriethoxysilane, heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydroxyltrisilane. Ethoxysilane, heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydroxytrimethoxysilane, heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyltrichlorosilane, heptadecafluoro-1,1,2,2- And tetrahydrodecylmethyldichlorosilane and heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyldimethylchlorosilane.
撥液親液層は、当初、撥液層として設けられるが、第1電極上の部位は、第2の親液化工程により、少なくともその表面が親液化され、親液化層が形成される。親液化層はシランカップリング材料を硬化し、さらに親液化処理が施されたものである。 The lyophobic lyophilic layer is initially provided as the lyophobic layer, but at least the surface of the portion on the first electrode is lyophilic by the second lyophilic step, and a lyophilic layer is formed. The lyophilic layer is obtained by curing the silane coupling material and further performing a lyophilic treatment.
<リーク電流ブロック層>
リーク電流ブロック層は、第1電極と第2電極の間であり、かつ、隔壁の側面と、発光層との境界線領域の全部または一部に設けられる。リーク電流ブロック層は、第1電極と第2電極の間で電流のリークが生じないように、各層および電極の不適切な近接又は直接的な接触を遮断するように設けられる
<Leakage current blocking layer>
The leakage current blocking layer is provided between the first electrode and the second electrode, and is provided in all or part of the boundary line region between the side surface of the partition wall and the light emitting layer. The leakage current blocking layer is provided so as to prevent improper proximity or direct contact between each layer and the electrode so that current leakage does not occur between the first electrode and the second electrode.
リーク電流ブロック層は、所定の電気抵抗を有する有機材料を含むインクを所定の位置に設け、これを固化させて形成することができる。例えば、ブロック層を形成する工程においては、有機溶剤および高抵抗有機材料の高分子樹脂を含むインクを用いて、インクジェット法にて吐出した後、熱及び/または光により架橋してリーク電流ブロック層を形成し得る。このとき、高抵抗有機材料の粘度を適宜調整して、インク吐出後の乾燥工程に至るまで上記所定の位置に留まるようにする。 The leakage current blocking layer can be formed by providing ink containing an organic material having a predetermined electric resistance at a predetermined position and solidifying the ink. For example, in the step of forming a block layer, an ink containing an organic solvent and a polymer resin of a high-resistance organic material is used and ejected by an inkjet method, and then crosslinked by heat and / or light to leak current blocking layer Can be formed. At this time, the viscosity of the high-resistance organic material is adjusted as appropriate so that the high-resistance organic material stays at the predetermined position until the drying process after ink ejection.
ここで、リーク電流ブロック層を形成する有機材料としては、架橋基を有する高分子化合物に加熱または光照射等の処理を行って架橋させた高分子化合物、高分子化合物と架橋材料を混合した後に加熱または光照射等の処理を行って架橋させた高分子化合物等があげられる。 Here, as the organic material for forming the leakage current blocking layer, the polymer compound having a crosslinking group is subjected to a treatment such as heating or light irradiation to be crosslinked, and the polymer compound and the crosslinking material are mixed. Examples thereof include a polymer compound which has been crosslinked by a treatment such as heating or light irradiation.
リーク電流ブロック層は、不適切な電流の流れを遮断するものであり、所定の電気抵抗を有する。リーク電流ブロック層は、少なくとも発光層の電気抵抗より高く設定される。好ましい電気抵抗を数値として示すと、好ましくは106Ωcm以上である。このような電気抵抗を有するリーク電流ブロック層を設けることにより、隔壁と積層体との境界領域において不適切な電流の流れを防止し得る。また、リーク電流ブロック層は、隔壁の側面周辺に、インクジェット法などの簡単なプロセス工程にて形成し得るので、低コストにて大幅に画質の改善をすることができる。 The leak current blocking layer blocks an inappropriate current flow and has a predetermined electric resistance. The leakage current block layer is set to be higher than at least the electric resistance of the light emitting layer. When a preferable electric resistance is shown as a numerical value, it is preferably 10 6 Ωcm or more. By providing the leakage current block layer having such an electric resistance, an inappropriate current flow can be prevented in the boundary region between the partition wall and the laminate. Further, since the leakage current blocking layer can be formed around the side surface of the partition wall by a simple process such as an ink jet method, the image quality can be greatly improved at low cost.
通常予定される画素領域の大きさからすると、リーク電流ブロック層の幅は、隔壁から画素領域中央部方向への画素領域の平面方向の長さとして、好ましくは1μm以上、10μm以下とすることが好ましい。 Considering the normally planned size of the pixel region, the width of the leakage current block layer is preferably 1 μm or more and 10 μm or less as the length in the planar direction of the pixel region from the partition wall toward the center of the pixel region. preferable.
リーク電流ブロック層について、図2から図4を参照しつつ、その具体的な実施形態例について説明する。
図2は、図1−4の断面図の一部を拡大した図である。図2に示されるように、この実施形態例では、隔壁31の側面と有機発光層51との境界領域R3に設けられている。リーク電流ブロック層60は、隔壁31の側面に沿う形で、撥液部42の上に積層して形成されており、隔壁31の上面部近くの上端部60aから、そして有機発光層51に一部重なる端部60bまでを覆っている。このような位置にリーク電流ブロック層を設けることにより、隔壁近傍で生じやすいリーク電流を抑制し得る。
A specific embodiment of the leakage current block layer will be described with reference to FIGS.
FIG. 2 is an enlarged view of a part of the cross-sectional view of FIGS. As shown in FIG. 2, in this embodiment, it is provided in the boundary region R <b> 3 between the side surface of the
図3および図4は、画素領域R1を基板上方から見た平面図であり、それぞれリーク電流ブロック層60が設けられる領域についての例を示す。図3に示す実施形態例では、リーク電流ブロック層60は、画素領域R1を臨む隔壁31の内周面の全周にわたって設けられている。
3 and 4 are plan views of the pixel region R1 as viewed from above the substrate, and each shows an example of a region where the leakage
他方、図4に示す実施形態例では、概略小判型(楕円形状)を成す画素領域R1の両端の湾曲部のみにリーク電流ブロック層62が設けられている。リーク電流は、このような湾曲部で発生しやすい場合がある。本実施形態例は、リーク電流が発生する危険性のより高い部分について選択的にリーク電流ブロック層62を形成する例を示すものである。
On the other hand, in the embodiment shown in FIG. 4, the leakage
より信頼性の確率を高めたい場合には、図3に示すように内周全体にリーク電流ブロック層を設けることが好適である。他方、リーク電流が生じやすい部位をさらに特定し得る場合には、例えば図4に示すように、選択的にリーク電流ブロック層62を形成することにより、リーク電流ブロック層に有機材料に用する費用を軽減し、コストの削減を図ることができる。
When it is desired to increase the probability of reliability, it is preferable to provide a leakage current block layer on the entire inner periphery as shown in FIG. On the other hand, in the case where it is possible to further specify a portion where leakage current is likely to occur, for example, as shown in FIG. 4, by selectively forming the leakage
<陽極>
陽極は、陽極を通して発光層からの光を取出す構成の有機EL素子の場合、透明又は半透明の電極が用いられる。透明電極または半透明電極としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物および金属などの薄膜を用いることができ、光透過率の高いものが好適に用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide:略称IZO)、金、白金、銀、および銅などから成る薄膜が用いられ、これらの中でもITO、IZO、または酸化スズから成る薄膜が好適に用いられる。陽極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法などを挙げることができる。
<Anode>
In the case of an organic EL element configured to take out light from the light emitting layer through the anode, a transparent or translucent electrode is used as the anode. As the transparent electrode or translucent electrode, thin films of metal oxides, metal sulfides, metals, and the like having high electrical conductivity can be used, and those having high light transmittance are preferably used. Specifically, a thin film made of indium oxide, zinc oxide, tin oxide, ITO, indium zinc oxide (abbreviated as IZO), gold, platinum, silver, copper, or the like is used. Among these, ITO, A thin film made of IZO or tin oxide is preferably used. Examples of a method for producing the anode include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, and a plating method.
陽極には、光を反射する材料を用いてもよく、該材料としては、仕事関数3.0eV以上の金属、金属酸化物、金属硫化物が好ましい。 A material that reflects light may be used for the anode, and the material is preferably a metal, metal oxide, or metal sulfide having a work function of 3.0 eV or more.
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができ、例えば10nm〜10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。 The film thickness of the anode can be appropriately selected in consideration of light transmittance and electrical conductivity, and is, for example, 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, and more preferably 50 nm to 500 nm. .
<正孔注入層および輸送層>
正孔注入層としては、前述した撥液層にその機能を担わせてもよく、例えば、前述したように親液撥液パターンの形成方法で形成してもよい。
<Hole injection layer and transport layer>
As the hole injection layer, the above-described lyophobic layer may have its function. For example, as described above, the hole-injecting layer may be formed by a method for forming a lyophilic liquid-repellent pattern.
なお前述した撥液層と発光層との間に、さらに別の正孔注入層、及び/又は正孔輸送層を形成してもよい。このような正孔注入層または正孔輸送層を構成する材料としては、溶液からの塗布法により形成可能であれば特に限定するものではないが、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)若しくはその誘導体、又はポリ(2,5−チエニレンビニレン)若しくはその誘導体、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、アモルファスカーボン、ポリアニリンなどを挙げることができる。 Further, another hole injection layer and / or hole transport layer may be formed between the liquid repellent layer and the light emitting layer. The material constituting the hole injection layer or the hole transport layer is not particularly limited as long as it can be formed by a coating method from a solution, but polyvinylcarbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, side Polysiloxane derivatives having an aromatic amine in the chain or main chain, pyrazoline derivatives, arylamine derivatives, stilbene derivatives, triphenyldiamine derivatives, polyaniline or derivatives thereof, polythiophene or derivatives thereof, polyarylamine or derivatives thereof, polypyrrole or derivatives thereof , Poly (p-phenylene vinylene) or derivatives thereof, or poly (2,5-thienylene vinylene) or derivatives thereof, phenylamine, starburst amine, phthalocyanine, amorphous car Mention may be made of down, polyaniline and the like.
これらの中で正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)若しくはその誘導体、又はポリ(2,5−チエニレンビニレン)若しくはその誘導体などの高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。 Among these, hole transport materials include polyvinyl carbazole or derivatives thereof, polysilane or derivatives thereof, polysiloxane derivatives having aromatic amine compound groups in the side chain or main chain, polyaniline or derivatives thereof, polythiophene or derivatives thereof, poly Polymeric hole transport materials such as arylamine or derivatives thereof, poly (p-phenylene vinylene) or derivatives thereof, or poly (2,5-thienylene vinylene) or derivatives thereof are preferred, and polyvinylcarbazole or derivatives thereof are more preferred. , Polysilane or a derivative thereof, and a polysiloxane derivative having an aromatic amine in the side chain or main chain. In the case of a low-molecular hole transport material, it is preferably used by being dispersed in a polymer binder.
また、前述した撥液層と基板上の電極との間に、撥液層とは別の正孔注入層が形成されていてもよい。この場合には、該正孔注入層の形成方法としては特に限定するものではなく、上記塗布法により形成される材料に加え、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウムおよび酸化アルミニウムなどの無機材料を蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法などの手法により形成することも可能である。 Further, a hole injection layer different from the liquid repellent layer may be formed between the liquid repellent layer and the electrode on the substrate. In this case, the method for forming the hole injection layer is not particularly limited. In addition to the material formed by the above coating method, an inorganic material such as vanadium oxide, molybdenum oxide, ruthenium oxide, and aluminum oxide is deposited. It can also be formed by a method such as a method, a sputtering method, or an ion plating method.
また、溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、正孔注入材料、または正孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はなく、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒、および水を挙げることができる。 In addition, the solvent used for film formation from a solution is not particularly limited as long as it can dissolve a hole injection material or a hole transport material. Chlorine solvents such as chloroform, methylene chloride, dichloroethane, tetrahydrofuran, etc. And ether solvents, aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene, ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate and ethyl cellosolve acetate, and water.
溶液からの成膜方法としては、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法などの塗布法を挙げることができる。 Examples of the film-forming method from a solution include coating methods such as a micro gravure coating method, a gravure coating method, a spray coating method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, an ink jet printing method, and a nozzle coating method. .
正孔注入層および正孔輸送層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように適宜設定され、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなるので好ましくない。従って正孔注入層の膜厚は、例えば1nm〜1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。 The film thicknesses of the hole injection layer and the hole transport layer vary depending on the materials used, and are set appropriately so that the drive voltage and the light emission efficiency become appropriate values. It is necessary, and if it is too thick, the drive voltage of the element increases, which is not preferable. Therefore, the film thickness of the hole injection layer is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.
<有機発光層>
有機発光層は、通常、主として蛍光及び/又はりん光を発光する有機材料、または該有機材料とこれを補助するドーパントとから形成される。ドーパントは、発光効率の向上や発光波長を変化させるなどの目的で加えられる。なお、有機材料は、低分子化合物でも高分子化合物でもよい。有機発光層を構成する発光材料としては、例えば以下の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料、ドーパント材料を挙げることができる。なお本明細書において、高分子とは、ポリスチレン換算の数平均分子量が、103以上であり、通常ポリスチレン換算の数平均分子量が〜108以下である。
<Organic light emitting layer>
The organic light emitting layer is usually formed of an organic material that mainly emits fluorescence and / or phosphorescence, or the organic material and a dopant that assists the organic material. The dopant is added for the purpose of improving the luminous efficiency and changing the emission wavelength. The organic material may be a low molecular compound or a high molecular compound. Examples of the light emitting material constituting the organic light emitting layer include the following dye materials, metal complex materials, polymer materials, and dopant materials. In the present specification, a polymer has a polystyrene-equivalent number average molecular weight of 10 3 or more, and a polystyrene-equivalent number average molecular weight of usually 10 8 or less.
(色素系材料)
色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体などを挙げることができる。
(Dye material)
Examples of dye-based materials include cyclopentamine derivatives, tetraphenylbutadiene derivative compounds, triphenylamine derivatives, oxadiazole derivatives, pyrazoloquinoline derivatives, distyrylbenzene derivatives, distyrylarylene derivatives, pyrrole derivatives, thiophene ring compounds. Pyridine ring compounds, perinone derivatives, perylene derivatives, oligothiophene derivatives, trifumanylamine derivatives, oxadiazole dimers, pyrazoline dimers, quinacridone derivatives, coumarin derivatives, and the like.
(金属錯体系材料)
金属錯体系材料としては、例えば中心金属に、Al、Zn、Beなど、またはTb、Eu、Dyなどの希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを有する金属錯体を挙げることができ、例えばイリジウム錯体、白金錯体などの三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体などを挙げることができる。
(Metal complex materials)
Examples of the metal complex material include Al, Zn, Be, etc. as a central metal, or rare earth metals such as Tb, Eu, Dy, etc., and oxadiazole, thiadiazole, phenylpyridine, phenylbenzimidazole, as a ligand, Examples include metal complexes having a quinoline structure, such as iridium complexes, platinum complexes and the like, metal complexes having light emission from triplet excited states, aluminum quinolinol complexes, benzoquinolinol beryllium complexes, benzoxazolyl zinc complexes, benzo Examples include a thiazole zinc complex, an azomethyl zinc complex, a porphyrin zinc complex, and a europium complex.
(高分子系材料)
高分子系材料としては、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、上記色素系材料や金属錯体系発光材料などを高分子化したものなどを挙げることができる。
(Polymer material)
High molecular weight materials include distyrylarylene derivatives, oxadiazole derivatives, polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polysilane derivatives, polyacetylene derivatives, polyfluorene derivatives, polyvinylcarbazole derivatives, quinacridone derivatives, coumarin derivatives. And those obtained by polymerizing the above dye-based materials and metal complex-based luminescent materials.
上記発光性材料のうち、青色に発光する材料としては、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体やポリフルオレン誘導体などが好ましい。 Among the light-emitting materials, materials that emit blue light include distyrylarylene derivatives, oxadiazole derivatives, polyvinylcarbazole derivatives, polyparaphenylene derivatives, polyfluorene derivatives, and the like. Of these, polymer materials such as polyvinyl carbazole derivatives, polyparaphenylene derivatives, and polyfluorene derivatives are preferred.
また、緑色に発光する材料としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。 Examples of materials that emit green light include quinacridone derivatives, coumarin derivatives, and polymers thereof, polyparaphenylene vinylene derivatives, polyfluorene derivatives, and the like. Of these, polymer materials such as polyparaphenylene vinylene derivatives and polyfluorene derivatives are preferred.
また、赤色に発光する材料としては、クマリン誘導体、チオフェン環化合物、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。 Examples of materials that emit red light include coumarin derivatives, thiophene ring compounds, and polymers thereof, polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, and polyfluorene derivatives. Among these, polymer materials such as polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, and polyfluorene derivatives are preferable.
(ドーパント材料)
ドーパント材料としては、例えばペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどを挙げることができる。なお、このような発光層の厚さは、通常約2nm〜200nmである。
(Dopant material)
Examples of the dopant material include perylene derivatives, coumarin derivatives, rubrene derivatives, quinacridone derivatives, squalium derivatives, porphyrin derivatives, styryl dyes, tetracene derivatives, pyrazolone derivatives, decacyclene, phenoxazone, and the like. In addition, the thickness of such a light emitting layer is usually about 2 nm-200 nm.
発光層の成膜方法としては、発光材料を含む溶液を塗布する方法、真空蒸着法、転写法などを用いることができる。溶液からの成膜に用いる溶媒としては、前述の溶液から正孔輸送層を成膜する際に用いられる溶媒と同様の溶媒を挙げることができる。 As a method for forming the light emitting layer, a method of applying a solution containing a light emitting material, a vacuum deposition method, a transfer method, or the like can be used. Examples of the solvent used for film formation from a solution include the same solvents as those used for forming a hole transport layer from the above solution.
発光材料を含む溶液を塗布する方法としては、グラビアコート法、スプレーコート法およびノズルコート法などのコート法、並びにグラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法などの塗布法を挙げることができる。パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法などの印刷法が好ましい。また、昇華性を示す低分子化合物の場合には、真空蒸着法を用いることができる。さらには、レーザーによる転写や熱転写により、所望のところのみに発光層を形成する方法も用いることができる。
<電子輸送層>
基板に陰極を設ける素子構造の場合には、撥液層は陰極の上層に形成することになる。
この場合、前述の撥液層を電子輸送層として用いることができ、該電子輸送層は、親液撥液パターンの形成方法により形成することができる。
Methods for applying a solution containing a light emitting material include gravure coating, spray coating and nozzle coating, as well as gravure printing, screen printing, flexographic printing, offset printing, reverse printing, inkjet Examples of the application method include a printing method. A printing method such as gravure printing method, screen printing method, flexographic printing method, offset printing method, reverse printing method, inkjet printing method, nozzle coating method is preferable in that pattern formation and multicolor coating are easy. In the case of a low molecular compound exhibiting sublimability, a vacuum deposition method can be used. Furthermore, a method of forming a light emitting layer only at a desired place by laser transfer or thermal transfer can be used.
<Electron transport layer>
In the case of an element structure in which a cathode is provided on a substrate, the liquid repellent layer is formed on the upper layer of the cathode.
In this case, the above-described liquid repellent layer can be used as an electron transport layer, and the electron transport layer can be formed by a method for forming a lyophilic liquid repellent pattern.
なお、基板に陽極を設ける構造のように、前述した撥液層を電子輸送層として用いない場合には、電子輸送層を構成する電子輸送材料としては、公知のものを使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は8−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などを挙げることができる。 In the case where the above-described liquid repellent layer is not used as the electron transport layer as in the structure in which the anode is provided on the substrate, a known material can be used as the electron transport material constituting the electron transport layer, and oxadiazole Derivative, anthraquinodimethane or derivative thereof, benzoquinone or derivative thereof, naphthoquinone or derivative thereof, anthraquinone or derivative thereof, tetracyanoanthraquinodimethane or derivative thereof, fluorenone derivative, diphenyldicyanoethylene or derivative thereof, diphenoquinone derivative, or 8 -A metal complex of hydroxyquinoline or a derivative thereof, polyquinoline or a derivative thereof, polyquinoxaline or a derivative thereof, polyfluorene or a derivative thereof, and the like.
これらのうち、電子輸送材料としては、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、又は8−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体が好ましく、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス(8−キノリノール)アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。 Among these, as an electron transport material, an oxadiazole derivative, benzoquinone or a derivative thereof, anthraquinone or a derivative thereof, a metal complex of 8-hydroxyquinoline or a derivative thereof, a polyquinoline or a derivative thereof, a polyquinoxaline or a derivative thereof, a polyfluorene Or a derivative thereof is preferable, and 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, benzoquinone, anthraquinone, tris (8-quinolinol) aluminum, and polyquinoline are further included. preferable.
電子輸送層の成膜法としては溶液若しくは溶融状態からの成膜を挙げることができ、高分子の電子輸送材料では溶液または溶融状態からの成膜を挙げることができる。なお溶液または溶融状態から成膜する場合には、高分子バインダーを併用してもよい。溶液から電子輸送層を成膜する方法としては、前述の溶液から正孔輸送層を成膜する方法と同様の成膜法を挙げることができる。
なお、基板に陰極を設ける素子構造の場合に、撥液層と発光層との間に、さらに電子輸送層を前述した方法により形成してもよい。
Examples of the film formation method of the electron transport layer include film formation from a solution or a molten state, and polymer electron transport materials include film formation from a solution or a molten state. In addition, when forming into a film from a solution or a molten state, you may use a polymer binder together. Examples of the method for forming an electron transport layer from a solution include the same film formation method as the method for forming a hole transport layer from a solution described above.
In the case of an element structure in which a cathode is provided on a substrate, an electron transport layer may be further formed between the liquid repellent layer and the light emitting layer by the method described above.
電子輸送層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように適宜設定され、少なくともピンホールが発しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って該電子輸送層の膜厚としては、例えば1nm〜1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。 The film thickness of the electron transport layer varies depending on the material used, and is set appropriately so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate, and at least a thickness that does not cause pinholes is required, and is too thick. In such a case, the driving voltage of the element increases, which is not preferable. Therefore, the film thickness of the electron transport layer is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.
<電子注入層>
基板に陰極を設ける素子構造の場合には、撥液層は陰極の上層に形成することになる。
この場合、前述の撥液層を電子注入層として用いることができ、該電子注入層として機能する撥液層を前述したように親液撥液パターンの形成方法により形成することができる。
なお、基板に陽極を設ける素子構造のように、前述した撥液層を電子注入層として用いない場合には、電子注入層を構成する材料としては、発光層の種類に応じて最適な材料が適宜選択され、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属およびアルカリ土類金属のうちの1種類以上含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物、またはこれらの物質の混合物などを挙げることができる。アルカリ金属、アルカリ金属の酸化物、ハロゲン化物、および炭酸化物の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウムなどを挙げることができる。また、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウムなどを挙げることができる。電子注入層は、2層以上を積層した積層体で構成されてもよく、例えばLiF/Caなどを挙げることができる。
<Electron injection layer>
In the case of an element structure in which a cathode is provided on a substrate, the liquid repellent layer is formed on the upper layer of the cathode.
In this case, the above-described liquid repellent layer can be used as the electron injection layer, and the liquid repellent layer functioning as the electron injection layer can be formed by the lyophilic liquid repellent pattern forming method as described above.
In the case where the above-described liquid repellent layer is not used as the electron injection layer as in the element structure in which the anode is provided on the substrate, the material that constitutes the electron injection layer is an optimum material according to the type of the light emitting layer. An appropriately selected alkali metal, alkaline earth metal, an alloy containing one or more of alkali metals and alkaline earth metals, alkali metal or alkaline earth metal oxides, halides, carbonates, or of these substances A mixture etc. can be mentioned. Examples of alkali metals, alkali metal oxides, halides, and carbonates include lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, lithium oxide, lithium fluoride, sodium oxide, sodium fluoride, potassium oxide, potassium fluoride , Rubidium oxide, rubidium fluoride, cesium oxide, cesium fluoride, lithium carbonate, and the like. Examples of alkaline earth metals, alkaline earth metal oxides, halides and carbonates include magnesium, calcium, barium, strontium, magnesium oxide, magnesium fluoride, calcium oxide, calcium fluoride, barium oxide, Examples thereof include barium fluoride, strontium oxide, strontium fluoride, and magnesium carbonate. The electron injection layer may be composed of a laminate in which two or more layers are laminated, and examples thereof include LiF / Ca.
電子注入層は、蒸着法、スパッタリング法、印刷法などにより形成される。電子注入層の膜厚としては、1nm〜1μm程度が好ましい。 The electron injection layer is formed by vapor deposition, sputtering, printing, or the like. The thickness of the electron injection layer is preferably about 1 nm to 1 μm.
<陰極>
陰極の材料としては、仕事関数の小さく、発光層への電子注入が容易で、電気伝導度の高い材料が好ましい。また陽極側から光を取出す有機EL素子では、発光層からの光を陰極で陽極側に反射するために、陰極の材料としては可視光反射率の高い材料が好ましい。
陰極には、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属およびIII−B族金属などを用いることができる。陰極の材料としては、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、前記金属のうちの2種以上の合金、前記金属のうちの1種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの1種以上との合金、またはグラファイト若しくはグラファイト層間化合物などが用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などを挙げることができる。また、陰極としては導電性金属酸化物および導電性有機物などから成る透明導電性電極を用いることができる。具体的には、導電性金属酸化物として酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、およびIZOを挙げることができ、導電性有機物としてポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などを挙げることができる。なお、陰極は、2層以上を積層した積層体で構成されていてもよい。なお、電子注入層が陰極として用いられる場合もある。
<Cathode>
As a material for the cathode, a material having a small work function, easy electron injection into the light emitting layer, and high electrical conductivity is preferable. Moreover, in the organic EL element which takes out light from the anode side, since the light from the light emitting layer is reflected to the anode side by the cathode, a material having a high visible light reflectance is preferable as the cathode material.
For the cathode, for example, an alkali metal, an alkaline earth metal, a transition metal, a group III-B metal, or the like can be used. Examples of the cathode material include lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, beryllium, magnesium, calcium, strontium, barium, aluminum, scandium, vanadium, zinc, yttrium, indium, cerium, samarium, europium, terbium, ytterbium, and the like. A metal, two or more alloys of the metals, one or more of the metals, and one or more of gold, silver, platinum, copper, manganese, titanium, cobalt, nickel, tungsten, tin An alloy, graphite, or a graphite intercalation compound is used. Examples of alloys include magnesium-silver alloys, magnesium-indium alloys, magnesium-aluminum alloys, indium-silver alloys, lithium-aluminum alloys, lithium-magnesium alloys, lithium-indium alloys, calcium-aluminum alloys, and the like. it can. As the cathode, a transparent conductive electrode made of a conductive metal oxide, a conductive organic material, or the like can be used. Specifically, examples of the conductive metal oxide include indium oxide, zinc oxide, tin oxide, ITO, and IZO, and examples of the conductive organic substance include polyaniline or a derivative thereof, polythiophene or a derivative thereof, and the like. The cathode may be composed of a laminate in which two or more layers are laminated. In some cases, the electron injection layer is used as a cathode.
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して適宜設定され、例えば10nm〜10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。 The film thickness of the cathode is appropriately set in consideration of electric conductivity and durability, and is, for example, 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, and more preferably 50 nm to 500 nm.
陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法などを挙げることができる。
<絶縁層>
絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料などを挙げることができる。膜厚2nm以下の絶縁層を設けた有機EL素子としては、陰極に隣接して膜厚2nm以下の絶縁層を設けたもの、陽極に隣接して膜厚2nm以下の絶縁層を設けたものを挙げることができる。
Examples of the method for producing the cathode include a vacuum deposition method, a sputtering method, and a laminating method in which a metal thin film is thermocompression bonded.
<Insulating layer>
Examples of the material for the insulating layer include metal fluorides, metal oxides, and organic insulating materials. As an organic EL element provided with an insulating layer having a thickness of 2 nm or less, an organic EL element having an insulating layer having a thickness of 2 nm or less adjacent to the cathode and an insulating layer having a thickness of 2 nm or less adjacent to the anode are provided. Can be mentioned.
本実施の形態の有機EL素子は、面状光源、セグメント表示装置およびドットマトリックス表示装置の光源、並びに液晶表示装置のバックライトとして用いることができる。 The organic EL element of the present embodiment can be used as a planar light source, a light source of a segment display device and a dot matrix display device, and a backlight of a liquid crystal display device.
本実施の形態の有機EL素子を面状光源として用いる場合には、例えば面状の陽極と陰極とを積層方向の一方から見て重なり合うように配置すればよい。またセグメント表示装置の光源としてパターン状に発光する有機EL素子を構成するには、光を通す窓がパターン状に形成されたマスクを前記面状光源の表面に設置する方法、消光すべき部位の有機物層を極端に厚く形成して実質的に非発光とする方法、陽極および陰極のうちの少なくともいずれか一方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらの方法でパターン状に発光する有機EL素子を形成するとともに、いくつかの電極に対して選択的に電圧を印加できるように配線を施すことによって、数字や文字、簡単な記号などを表示可能なセグメントタイプ表示装置を実現することができる。ドットマトリックス表示装置の光源とするためには、陽極と陰極とをそれぞれストライプ状に形成して、積層方向の一方からみて互いに直交するように配置すればよい。部分カラー表示、マルチカラー表示が可能なドットマトリックス表示装置を実現するためには、発光色の異なる複数の種類の発光材料を塗り分ける方法、並びにカラーフィルターおよび蛍光変換フィルターなどを用いる方法を用いればよい。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動してもよく、TFTなどと組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。 When the organic EL element of the present embodiment is used as a planar light source, for example, a planar anode and a cathode may be arranged so as to overlap each other when viewed from one side in the stacking direction. In order to construct an organic EL element that emits light in a pattern as a light source of a segment display device, a method of installing a mask having a light-transmitting window formed in a pattern on the surface of the planar light source, There are a method in which the organic layer is formed extremely thick to make it substantially non-light-emitting, and a method in which at least one of the anode and the cathode is formed in a pattern. By forming organic EL elements that emit light in a pattern using these methods and wiring to selectively apply voltage to several electrodes, numbers, letters, simple symbols, etc. can be displayed. A segment type display device can be realized. In order to use the light source of the dot matrix display device, the anode and the cathode may be formed in stripes and arranged so as to be orthogonal to each other when viewed from one side in the stacking direction. In order to realize a dot matrix display device capable of partial color display and multi-color display, a method of separately coating a plurality of types of light emitting materials having different emission colors and a method using a color filter, a fluorescence conversion filter, and the like are used. Good. The dot matrix display device may be passively driven or may be actively driven in combination with a TFT or the like. These display devices can be used as display devices for computers, televisions, mobile terminals, mobile phones, car navigation systems, video camera viewfinders, and the like.
さらに、前記面状光源は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト、あるいは面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。 Furthermore, the planar light source is a self-luminous thin type and can be suitably used as a backlight of a liquid crystal display device or a planar illumination light source. If a flexible substrate is used, it can be used as a curved light source or display device.
以下、実際の有機EL素子の作製工程に基づく、作製例および試験例を示しつつ、本発明についてより詳細に説明するが、本発明は下記作製例等に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to manufacturing examples and test examples based on the manufacturing process of an actual organic EL element, but the present invention is not limited to the following manufacturing examples.
<作製例1:撥液層を介在させた有機EL素子の製造方法1>
基板上に、ITO薄膜(陽極)/撥液層(正孔注入層)/中間層/発光層/陰極(Ba層/Al層)の層構成を有する有機EL素子を作製した。
<Production Example 1:
An organic EL device having a layer structure of ITO thin film (anode) / liquid repellent layer (hole injection layer) / intermediate layer / light emitting layer / cathode (Ba layer / Al layer) was produced on the substrate.
透明ガラス基板上にITO薄膜(第1電極)がパターニングされた基板を準備した。
次に、感光性ポリイミド(PI)をスピンコーティング法により全面に塗布し、乾燥させて膜厚1μmのフォトレジスト層を形成した。次にフォトマスクを用いたアライメント露光機により、紫外線を所定の領域に照射し、レジスト現像液(長瀬産業社製:NPD−18)を用いて露光領域を除去した。これによってフォトレジスト層に幅100μm、長さ300μmの矩形状の開口部を形成した。なお隔壁は、ITO薄膜の周縁部を覆って形成されている。
A substrate in which an ITO thin film (first electrode) was patterned on a transparent glass substrate was prepared.
Next, photosensitive polyimide (PI) was applied to the entire surface by spin coating and dried to form a 1 μm thick photoresist layer. Next, ultraviolet rays were irradiated to a predetermined area by an alignment exposure machine using a photomask, and the exposed area was removed using a resist developer (manufactured by Nagase Sangyo Co., Ltd .: NPD-18). As a result, a rectangular opening having a width of 100 μm and a length of 300 μm was formed in the photoresist layer. The partition is formed so as to cover the peripheral edge of the ITO thin film.
次に、クリーンオーブンで230℃、1時間加熱処理を行い、ポリイミドを完全に加熱硬化させ有機絶縁層(隔壁)を形成した。このようにして幅100μm、長手方向長さ300μmの矩形状に画素領域を規定する隔壁と、隔壁で規定される開口にITO薄膜の表面が露出する第1電極とが設けられたパターニング評価用基板を作製した。 Next, heat treatment was performed at 230 ° C. for 1 hour in a clean oven, and the polyimide was completely heated and cured to form an organic insulating layer (partition wall). Thus, a patterning evaluation substrate provided with a partition wall that defines a pixel region in a rectangular shape having a width of 100 μm and a longitudinal length of 300 μm, and a first electrode that exposes the surface of the ITO thin film in an opening defined by the partition wall Was made.
次に、メタノールと水とを重量比で5:95の割合で混合した溶媒に、ノナフルオロヘキシルトリメトキシシランを1重量%混合し、室温で15時間攪拌し、撥液層用溶液を作成した。次に、前記パターニング評価用基板を紫外線オゾン洗浄装置(テクノビジョン社製:UV312)を用いて、基板表面に紫外線オゾン処理を20分間行い、パターニング評価用基板の全面に親液化処理を施した(第1の親液化工程)。 Next, 1% by weight of nonafluorohexyltrimethoxysilane was mixed with a solvent in which methanol and water were mixed at a weight ratio of 5:95, and the mixture was stirred at room temperature for 15 hours to prepare a liquid repellent layer solution. . Next, the substrate for patterning evaluation was subjected to ultraviolet ozone treatment for 20 minutes on the surface of the substrate using an ultraviolet ozone cleaning apparatus (Technology Vision: UV312), and the entire surface of the substrate for patterning evaluation was subjected to lyophilic treatment ( First lyophilic step).
次に、前記パターニング評価用基板上に前記撥液層用溶液をスピンコート法により塗布し、ホットプレート上で110℃、30分間加熱処理を行い、撥液層を形成した。 Next, the liquid repellent layer solution was applied onto the patterning evaluation substrate by spin coating, and heat treatment was performed on a hot plate at 110 ° C. for 30 minutes to form a liquid repellent layer.
次に、撥液層が形成されたパターニング評価用基板を紫外線オゾン洗浄装置(テクノビジョン社製:UV312)を用いて、撥液層が形成された表面に紫外線オゾン処理を20分間行い、前記基板全面に親液化処理を施した(第2の親液化工程)。 Next, the substrate for patterning evaluation on which the liquid repellent layer was formed was subjected to ultraviolet ozone treatment on the surface on which the liquid repellent layer was formed for 20 minutes using an ultraviolet ozone cleaning device (manufactured by Technovision: UV312). The entire surface was subjected to lyophilic treatment (second lyophilic process).
次に、下記手法で高分子化合物1を合成した。次に、アニソールとテトラリンとを重量比で1:1に混合した溶媒に、0.5重量%の高分子化合物1を溶解させて中間層用溶液を作製した。インクジェット装置を用いて、中間層用溶液を隔壁に形成された開口内に塗布した。次にホットプレート上で10分間乾燥し、さらに窒素中で200℃のホットプレート上で20分間加熱処理を行うことで、膜厚が20nmの中間層を形成した。
Next,
(高分子化合物1の合成例)
まず攪拌翼、バッフル、長さ調整可能な窒素導入管、冷却管、および温度計を備えるセパラブルフラスコに2,7−ビス(1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)−9,9−ジオクチルフルオレン158.29重量部と、ビス−(4−ブロモフェニル)−4−(1−メチルプロピル)−ベンゼンアミン136.11重量部と、トリカプリルメチルアンモニウムクロリド(ヘンケル社製 Aliquat 336)27重量部と、トルエン1800重量部とを仕込み、窒素導入管から窒素を導入しながら、攪拌下90℃まで昇温した。酢酸パラジウム(II)0.066重量部と、トリ(o−トルイル)ホスフィン0.45重量部とを加えた後、17.5%炭酸ナトリウム水溶液573重量部を1時間かけて滴下した。滴下終了後、窒素導入管を液面より引き上げ、還流下7時間保温した後、フェニルホウ酸3.6重量部を加え、14時間還流下保温し、室温まで冷却した。反応液水層を除いた後、反応液油層をトルエンで希釈し、3%酢酸水溶液、イオン交換水で洗浄した。
分液油層にN,N−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物13重量部を加え4時間攪拌した後、活性アルミナとシリカゲルとの混合カラムに通液し、トルエンを通液してカラムを洗浄した。濾液および洗液を混合した後、メタノールに滴下して、ポリマーを沈殿させた。得られたポリマー沈殿を濾別し、メタノールで沈殿を洗浄した後、真空乾燥機でポリマーを乾燥させ、ポリマー192重量部を得た。得られたポリマーを高分子化合物1とよぶ。高分子化合物1のポリスチレン換算重量平均分子量は、3.7×105であり、数平均分子量は8.9×104あった。
(Synthesis example of polymer compound 1)
First, 2,7-bis (1,3,2-dioxaborolan-2-yl) -9,9- was added to a separable flask equipped with a stirring blade, a baffle, a length-adjustable nitrogen introduction tube, a cooling tube, and a thermometer. 158.29 parts by weight of dioctylfluorene, 136.11 parts by weight of bis- (4-bromophenyl) -4- (1-methylpropyl) -benzenamine, 27 weights of tricaprylmethylammonium chloride (Aliquat 336 manufactured by Henkel) And 1800 parts by weight of toluene were added, and the temperature was raised to 90 ° C. with stirring while introducing nitrogen from a nitrogen introduction tube. After adding 0.066 parts by weight of palladium (II) acetate and 0.45 parts by weight of tri (o-toluyl) phosphine, 573 parts by weight of a 17.5% aqueous sodium carbonate solution was added dropwise over 1 hour. After completion of the dropwise addition, the nitrogen inlet tube was lifted from the liquid surface and kept under reflux for 7 hours, then 3.6 parts by weight of phenylboric acid was added, kept under reflux for 14 hours, and cooled to room temperature. After removing the reaction solution aqueous layer, the reaction solution oil layer was diluted with toluene and washed with 3% acetic acid aqueous solution and ion-exchanged water.
13 parts by weight of sodium N, N-diethyldithiocarbamate trihydrate was added to the separated oil layer, stirred for 4 hours, then passed through a mixed column of activated alumina and silica gel, and toluene was passed through to wash the column. did. The filtrate and washings were mixed and then added dropwise to methanol to precipitate the polymer. The obtained polymer precipitate was separated by filtration, washed with methanol, and then dried with a vacuum dryer to obtain 192 parts by weight of polymer. The resulting polymer is referred to as
(GPC分析法)
ポリスチレン換算重量平均分子量および数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により求めた。GPCの検量線の作成にはポリマーラボラトリーズ社製標準ポリスチレンを使用した。測定する重合体は、約0.02重量%の濃度になるようテトラヒドロフランに溶解させ、GPCに10μL注入した。GPC装置は島津製作所製LC−10ADvpを用いた。カラムは、ポリマーラボラトリーズ社製PLgel 10μm MIXED−Bカラム(300×7.5mm)を2本直列に接続して用い、移動相としてテトラヒドロフランを25℃、1.0mL/minの流速で流した。検出器にUV検出器を用い、228nmの吸光度を測定した。
(GPC analysis method)
The polystyrene equivalent weight average molecular weight and number average molecular weight were determined by gel permeation chromatography (GPC). Standard polystyrene made by Polymer Laboratories was used to prepare a GPC calibration curve. The polymer to be measured was dissolved in tetrahydrofuran to a concentration of about 0.02% by weight, and 10 μL was injected into GPC. The GPC apparatus used was LC-10ADvp manufactured by Shimadzu Corporation. As the column, two PLgel 10 μm MIXED-B columns (300 × 7.5 mm) manufactured by Polymer Laboratories Inc. were used in series, and tetrahydrofuran was flowed at 25 ° C. and a flow rate of 1.0 mL / min as a mobile phase. Absorbance at 228 nm was measured using a UV detector as the detector.
次に中間層上に発光層を形成した。まずアニソールとテトラリンとを重量比で1:1の割合で混合した溶媒に、1重量%の高分子発光有機材料(BP361:サメイション社製)を溶解させて発光層用溶液を作製した。発光層用溶液を隔壁によって形成された開口部内に塗布した。さらに塗布後100℃のホットプレート上で10分間乾燥して発光層を作製した。 Next, a light emitting layer was formed on the intermediate layer. First, in a solvent in which anisole and tetralin were mixed at a weight ratio of 1: 1, 1% by weight of a polymer light emitting organic material (BP361: manufactured by Summation) was dissolved to prepare a solution for a light emitting layer. The light emitting layer solution was applied in the opening formed by the partition walls. Furthermore, after application | coating, it dried for 10 minutes on a 100 degreeC hotplate, and produced the light emitting layer.
次に、基板を真空中(真空度は1×10-4Pa以下)で基板を基板温度約100℃で60分間加熱した。その後、基板を大気に曝露することなく陰極を蒸着して形成した。具体的には、まず抵抗加熱法にてBa金属を加熱し、蒸着速度約0.1nm/secで膜厚が5nmのBa層を形成し、さらに電子ビーム蒸着法を用いて蒸着速度約0.2nm/secで膜厚が150nmのAl層を形成した。次に、陰極作製後、蒸着室から大気には曝露することなく不活性雰囲気下のグローブボックスに基板を移し、真空に保った状態で、UV硬化樹脂が周縁に塗布された封止ガラスを貼り合わせ、その後大気圧に戻し、UVを照射することで固定し、高分子有機EL素子を作製した。 Next, the substrate was heated in a vacuum (degree of vacuum is 1 × 10 −4 Pa or less) at a substrate temperature of about 100 ° C. for 60 minutes. Thereafter, the substrate was formed by vapor deposition without exposing the substrate to the atmosphere. Specifically, the Ba metal is first heated by a resistance heating method to form a Ba layer having a film thickness of 5 nm at a vapor deposition rate of about 0.1 nm / sec. An Al layer having a thickness of 150 nm was formed at 2 nm / sec. Next, after the cathode is fabricated, the substrate is transferred from the vapor deposition chamber to a glove box under an inert atmosphere without being exposed to the atmosphere, and a sealing glass coated with a UV curable resin is pasted in a vacuum state. After that, the pressure was returned to atmospheric pressure and fixed by irradiating with UV to produce a polymer organic EL device.
<作製例2:撥液層を介在させた有機EL素子の製造方法2>
作製例1において撥液層形成後の紫外線・オゾン処理(第2の親液化工程)を施した後に、プラズマ処理を行ったことを除いて、作製例1と同様にして有機EL素子を作製した。プラズマ処理は、反応性ガスにCF4ガスを用い、真空ドライエッチング装置(サムコ社製リアクティブイオンエッチング装置 Model RIE-200NL)を用いて、CF4流量:10sccm、ガス圧力:40Pa、電力:40Wの条件で120秒間行った(以下、CF4プラズマ処理という)。
<Production Example 2: Method 2 for producing organic EL element with liquid repellent layer interposed>
An organic EL device was produced in the same manner as in Production Example 1 except that the plasma treatment was performed after the ultraviolet / ozone treatment (second lyophilic step) after forming the liquid repellent layer in Production Example 1. . In the plasma treatment, CF 4 gas is used as a reactive gas, and a CF 4 flow rate is 10 sccm, a gas pressure is 40 Pa, and a power is 40 W using a vacuum dry etching apparatus (Reactive Ion Etching Apparatus Model RIE-200NL manufactured by Samco). For 120 seconds (hereinafter referred to as CF 4 plasma treatment).
<作製例3:撥液層を介在させた有機EL素子の製造方法3>
作製例1において、撥液層形成後の第2の親液化工程を酸素プラズマ処理で行い、さらにCF4プラズマ処理を行ったことを除いて、作製例1と同様にして有機EL素子を作製した。酸素プラズマ処理は、反応性ガスに酸素ガスを用いて行った。酸素プラズマ処理は、真空ドライエッチング装置(サムコ社製リアクティブイオンエッチング装置 Model RIE-200NL)を用いて、O2流量:40sccm、ガス圧力:10Pa、電力:40Wの条件で120秒間行った。CF4プラズマ処理は、作製例2と同じ条件で行った。
<Production Example 3: Method 3 for producing organic EL element with liquid repellent layer interposed>
In Production Example 1, an organic EL device was produced in the same manner as in Production Example 1 except that the second lyophilic step after the formation of the liquid repellent layer was performed by oxygen plasma treatment and further CF 4 plasma treatment was conducted. . The oxygen plasma treatment was performed using oxygen gas as a reactive gas. The oxygen plasma treatment was performed for 120 seconds under the conditions of O 2 flow rate: 40 sccm, gas pressure: 10 Pa, and power: 40 W using a vacuum dry etching apparatus (Reactive ion etching apparatus Model RIE-200NL manufactured by Samco). The CF 4 plasma treatment was performed under the same conditions as in Production Example 2.
<作製例4:撥液層を介在させた有機EL素子の製造方法4>
作製例1において、第1の親液化工程を酸素プラズマ処理で行い、第2の親液化工程の後にCF4プラズマ処理を施したことを除いて、作製例1と同様にして有機EL素子を作製した。酸素プラズマ処理、およびCF4プラズマ処理は、それぞれ作製例3と同じ条件で行った。
<Production Example 4: Method 4 for producing organic EL element with liquid repellent layer interposed>
In Production Example 1, an organic EL element was produced in the same manner as in Production Example 1 except that the first lyophilic step was performed by oxygen plasma treatment, and the CF 4 plasma treatment was performed after the second lyophilic step. did. The oxygen plasma treatment and the CF 4 plasma treatment were performed under the same conditions as in Production Example 3.
<作製例5:撥液層を介在させた有機EL素子の製造方法5>
作製例1において、第1および第2の親液化工程を酸素プラズマ処理で行い、第2の親液化工程の後にCF4プラズマ処理を施したことを除いて、作製例1と同様にして有機EL素子を作製した。酸素プラズマ処理、およびCF4プラズマ処理は、それぞれ作製例3と同じ条件で行った。
<Production Example 5: Method 5 for producing organic EL element with liquid-repellent layer interposed>
In Production Example 1, the first and second lyophilic steps were performed by oxygen plasma treatment, and the organic EL was conducted in the same manner as in Production Example 1 except that CF 4 plasma treatment was performed after the second lyophilic step. An element was produced. The oxygen plasma treatment and the CF 4 plasma treatment were performed under the same conditions as in Production Example 3.
(評価1)
作製例1については第2の親液化工程後、作製例2〜5についてはCF4プラズマ処理後に、第1電極(ITO薄膜)上に形成された撥液層とアニソール(表面張力35dyn/cm)との接触角、および隔壁(PI)上に形成された撥液層とアニソールとの接触角を測定した。接触角の測定には、自動接触角測定装置(英弘精機社製:OCA20)を用いた。
(評価2)
作製例1〜5において、発光層用溶液を塗布し、さらに100℃のホットプレート上で10分間乾燥した後に、光学顕微鏡を用いて発光層を観察し、矩形の開口内において一面に発光層が成膜され、矩形の開口外に発光層が形成されていないことを確認した。
(評価3)
作製例1〜5において作製した各有機EL素子のITO薄膜および陰極をソースメーターの正極および負極にそれぞれ接続し、ソースメーターから直流電流を注入して、発光部の状態を観察したところ、良好な発光状態が得られている事を確認した。
(Evaluation 1)
For Production Example 1, after the second lyophilic process, for Production Examples 2 to 5, after the CF 4 plasma treatment, the liquid repellent layer and anisole (surface tension 35 dyn / cm) formed on the first electrode (ITO thin film) And the contact angle between the liquid repellent layer formed on the partition wall (PI) and anisole. For the measurement of the contact angle, an automatic contact angle measuring device (Eihiro Seiki Co., Ltd .: OCA20) was used.
(Evaluation 2)
In Preparation Examples 1 to 5, after applying the solution for the light emitting layer and further drying for 10 minutes on a hot plate at 100 ° C., the light emitting layer was observed using an optical microscope, and the light emitting layer was formed on one side in the rectangular opening. It was confirmed that no light emitting layer was formed outside the rectangular opening.
(Evaluation 3)
When the ITO thin film and the cathode of each organic EL element produced in Production Examples 1 to 5 were connected to the positive electrode and the negative electrode of the source meter, DC current was injected from the source meter, and the state of the light emitting part was observed. It was confirmed that a luminescent state was obtained.
作製例1〜5について行った評価1〜評価3の評価結果を表1に示す。
Table 1 shows the evaluation results of
表1に示すように、本発明の親液撥液パターンの形成方法を行うことで、ITO上の撥液層の接触角と、PI上の撥液層の接触角とに有意な差をつけることができた。またこのような基板を用いることで、均一な膜厚の発光層を形成することができ、さらには発光状態の良好な有機EL素子を作製することができた。 As shown in Table 1, a significant difference is made between the contact angle of the liquid-repellent layer on ITO and the contact angle of the liquid-repellent layer on PI by performing the method for forming the lyophilic liquid-repellent pattern of the present invention. I was able to. Further, by using such a substrate, a light emitting layer having a uniform film thickness can be formed, and furthermore, an organic EL element having a good light emitting state can be produced.
<作製例6:リーク電流ブロック層を有する有機EL素子の作製>
本作製例では、全周にわたって画素の周辺部にリーク電流ブロック層が備えられた有機EL素子を作製した。
[基板前処理]
ガラス基板上にITO電極パターンが形成され、その上に住友化学製フォトレジスト(M302R)をパターニングして隔壁形成した基板を使用した。隔壁サイズは170μm×50μm、画素ピッチ237μmであった。基板洗浄後、リアクティブイオンエッチング装置(サムコ社製RIE−200L)により基板の表面処理を行った。表面処理条件はO2プラズマ処理(圧力5Pa、出力30W、O2流量40sccm、時間10分)を行い、続けてCF4プラズマ処理(圧力5Pa、出力5W、CF4流量7sccm、時間5分)を行った。
<Production Example 6: Production of an organic EL element having a leakage current blocking layer>
In this production example, an organic EL element in which a leakage current block layer was provided in the peripheral portion of the pixel over the entire circumference was produced.
[Substrate pretreatment]
A substrate on which an ITO electrode pattern was formed on a glass substrate and a partition wall was formed by patterning a photoresist (M302R) manufactured by Sumitomo Chemical was used. The partition size was 170 μm × 50 μm, and the pixel pitch was 237 μm. After cleaning the substrate, the substrate was subjected to surface treatment by a reactive ion etching apparatus (RIE-200L manufactured by Samco). Surface treatment conditions were O 2 plasma treatment (pressure 5 Pa, output 30 W, O 2 flow rate 40 sccm,
[正孔注入層形成]
正孔注入層としてPEDOT(H.C、Stark社製CH8000LVW185)に2−ブトキシエタノールを2wt%混合し、0.45μmフィルタにてろ過したものを使用した。そして、Litrex社製80Lを用い、インクジェット塗布を行った。このとき、等間隔に液滴を塗布し、一画素あたりの液滴数は4滴である。塗布後、真空乾燥を行った。
[Hole injection layer formation]
As a hole injection layer, 2 wt% 2-butoxyethanol was mixed with PEDOT (HC, CH8000LVW185 manufactured by Stark) and filtered through a 0.45 μm filter. Then, ink jet coating was performed using 80L manufactured by Litrex. At this time, droplets are applied at regular intervals, and the number of droplets per pixel is four. After application, vacuum drying was performed.
[画素の周辺部にリーク電流ブロック層形成]
熱/光硬化性の絶縁性高分子1を有機溶剤に溶かしたインクを使用し、Litrex社製120Lを用いて、インクジェット塗布を行った。インク添加剤として、DPHA(ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、日本化薬社製)、イルガキュア907(チバスペシャリティケミカルズ社製)を重量比で、絶縁性高分子1:DPHA:イルガキュア907=1:0.25:0.01の割合で配合し、絶縁性高分子1が0.4wt%になるようインクを作製した。このとき、1μmフィルタでろ過を行い、粘度を3cPとした。隔壁内全体に塗布する場合には一画素あたり3〜5滴程度を隔壁内に等間隔に塗布した。塗布後、真空中で約200℃、20分加熱処理を行い、絶縁性高分子を硬化させた。
[Leakage current blocking layer is formed around the pixel]
An ink in which the heat / photo-curable
[有機発光層塗布前処理]
加熱処理によって隔壁の撥液効果が消失してしまうため、CF4プラズマ処理(圧力5Pa、出力5W、CF4流量7sccm、時間1分)を行った。また、硬化した絶縁性高分子1上の撥水性を低減するため、UV/O3処理を1分行った。
[Pretreatment of organic light-emitting layer]
Since the liquid repellent effect of the partition walls disappears due to the heat treatment, CF 4 plasma treatment (pressure 5 Pa, output 5 W, CF 4 flow rate 7 sccm,
[有機発光層形成]
発光層インクの溶媒として絶縁性高分子1と同じ有機溶媒を使用した。発光層ポリマーとして、GP1302(サメイション社製)を使用し、インク濃度を0.8wt%とし、粘度を8cPとした。このとき、1μmフィルタにてろ過して使用した。その後、Litrex社製120Lを用いて、インクジェット塗布を行った。一画素あたり7滴ずつ吐出する。塗布後、真空中で約100℃で、60分間の加熱処理を行った。
[Organic light-emitting layer formation]
The same organic solvent as the insulating
[蒸着、封止]
加熱処理後、大気にさらさずに蒸着工程へ移行させて、100ÅのBa膜、200ÅのAl膜の順で発光層上に蒸着し陰極を形成した。その後、ガラス封止を行った。
以上の方法にて有機EL素子を作製すると、リーク電流が抑制された良好な動作をする有機EL素子を得ることができた。
[Vapor deposition, sealing]
After the heat treatment, the process was shifted to the vapor deposition step without being exposed to the atmosphere, and a cathode was formed by vapor-depositing on the light emitting layer in the order of 100 Å Ba film and 200 Al Al film. Thereafter, glass sealing was performed.
When an organic EL element was produced by the above method, an organic EL element that operated satisfactorily with reduced leakage current could be obtained.
<作製例7:リーク電流ブロック層を有する有機EL素子の作製>
本作製例は、画素の湾曲部のみにリーク電流ブロック層を形成する有機EL素子を作製した。
[画素の湾曲部のみにリーク電流ブロック層を形成]
作製例6のリーク電流ブロック層の形成工程において、絶縁性高分子1のインクを画素周辺部全体に形成するのではなく、画素の湾曲部のみに形成することを除いては作製例6と同様にして素子作製を行った。ただし、この場合には、画素の湾曲部分にのみ(1画素につき2箇所に)1滴ずつ吐出した。本作製例7の有機EL素子は、作製例6のものと比較してインクの量を削減することができた。
<Production Example 7: Production of an organic EL element having a leakage current blocking layer>
In this manufacturing example, an organic EL element in which a leak current blocking layer is formed only in a curved portion of a pixel was manufactured.
[Leakage current blocking layer is formed only on the curved part of the pixel]
In the step of forming the leakage current blocking layer of Production Example 6, the ink of the insulating
10 基板
20 第1電極
30 感光性樹脂層
31 隔壁
40 撥液層
41 親液部
42 撥液部
43 (親液部と撥液部の)境界
50 塗布液
60、62 リーク電流ブロック層
70 第2電極
90 フォトマスク
R1 画素領域
R2 隔壁領域
R3 境界領域
DESCRIPTION OF
Claims (15)
前記第1電極が形成された基板を用意する工程と、
前記第1電極の表面を露出させる開口が、前記画素領域に相当する領域に穿設されて成る隔壁を、前記第1電極が形成された基板上に配置する隔壁配置工程と、
前記第1電極および前記隔壁の表面を親液化処理する第1の親液化工程と、
前記第1電極および前記隔壁の表面上に撥液層を形成する撥液層形成工程と、
前記撥液層の全面を処理することにより、前記撥液層のうちの、前記第1電極の表面上に形成された部位を親液化処理する第2の親液化工程と、
前記隔壁に囲まれた画素領域に前記有機層を形成する有機層形成工程と、
前記有機層形成工程ののちに、前記隔壁と前記有機層との境界領域に、前記第1および第2電極の間に設けられる全有機層の電気抵抗以上の電気抵抗を有するリーク電流ブロック層を設ける工程と、
前記第2電極を設ける第2電極形成工程とを含み、
前記第1電極と前記隔壁とを互いに異なる材料により形成し、
前記撥液層を、前記隔壁の表面上に形成された部位よりも、前記第1電極の表面上に形成された部位のほうが、前記第2の親液化工程によって、より親液化される材料により形成する、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 An organic electroluminescence device comprising a first electrode, a second electrode, and one or more organic layers disposed between the first and second electrodes in a pixel region surrounded by a partition provided on a substrate. A method of manufacturing comprising:
Preparing a substrate on which the first electrode is formed;
A partition arrangement step of arranging a partition wall in which an opening exposing the surface of the first electrode is formed in a region corresponding to the pixel region on a substrate on which the first electrode is formed;
A first lyophilic step of lyophilicizing the surfaces of the first electrode and the partition;
Forming a liquid repellent layer on the surfaces of the first electrode and the partition;
A second lyophilic step of lyophilicizing a portion of the liquid repellent layer formed on the surface of the first electrode by treating the entire surface of the liquid repellent layer;
An organic layer forming step of forming the organic layer in a pixel region surrounded by the partition;
After the organic layer forming step, a leakage current blocking layer having an electrical resistance equal to or higher than the electrical resistance of all organic layers provided between the first and second electrodes in a boundary region between the partition wall and the organic layer. Providing, and
A second electrode forming step of providing the second electrode,
The first electrode and the partition are formed of different materials,
The part formed on the surface of the first electrode is made more lyophilic by the second lyophilic step than the part formed on the surface of the partition wall. Form,
Manufacturing method of organic electroluminescent element.
前記第2の親液化工程の後にプラズマ処理を施す、
請求項1から4のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 In at least one of the first and second lyophilic steps, lyophilic by oxygen plasma treatment,
Plasma treatment is performed after the second lyophilic step.
The manufacturing method of the organic electroluminescent element as described in any one of Claim 1 to 4.
The organic electroluminescent element according to claim 12, wherein a portion of the liquid repellent layer formed on the first electrode functions as a hole injection layer.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008198642A JP5185007B2 (en) | 2008-07-31 | 2008-07-31 | Method for manufacturing organic electroluminescent element and organic electroluminescent element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008198642A JP5185007B2 (en) | 2008-07-31 | 2008-07-31 | Method for manufacturing organic electroluminescent element and organic electroluminescent element |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010040201A JP2010040201A (en) | 2010-02-18 |
JP5185007B2 true JP5185007B2 (en) | 2013-04-17 |
Family
ID=42012558
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008198642A Expired - Fee Related JP5185007B2 (en) | 2008-07-31 | 2008-07-31 | Method for manufacturing organic electroluminescent element and organic electroluminescent element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5185007B2 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201220574A (en) * | 2010-07-21 | 2012-05-16 | Sumitomo Chemical Co | Method for manufacturing organic electroluminescence display device and organic electroluminescence display device |
KR101893356B1 (en) * | 2011-07-12 | 2018-10-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display apparatus and method for manufacturing organic light emitting display apparatus |
EP3147960A4 (en) | 2014-05-23 | 2018-01-03 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Charge-transporting varnish |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003045668A (en) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Toyota Industries Corp | Organic electroluminescent display panel |
JP4217868B2 (en) * | 2002-05-07 | 2009-02-04 | 大日本印刷株式会社 | Electroluminescent device and manufacturing method thereof |
JP2003332055A (en) * | 2002-05-16 | 2003-11-21 | Seiko Epson Corp | Electro-optical device, its manufacturing method, and electronic apparatus |
JP4517569B2 (en) * | 2002-10-18 | 2010-08-04 | カシオ計算機株式会社 | Manufacturing method of display panel |
CN1883234A (en) * | 2003-11-21 | 2006-12-20 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | Display panel |
-
2008
- 2008-07-31 JP JP2008198642A patent/JP5185007B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010040201A (en) | 2010-02-18 |
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US20120282839A1 (en) | Manufacturing method of light emitting device |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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