JP2010160945A - Method for manufacturing organic electroluminescence device - Google Patents
Method for manufacturing organic electroluminescence device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010160945A JP2010160945A JP2009001874A JP2009001874A JP2010160945A JP 2010160945 A JP2010160945 A JP 2010160945A JP 2009001874 A JP2009001874 A JP 2009001874A JP 2009001874 A JP2009001874 A JP 2009001874A JP 2010160945 A JP2010160945 A JP 2010160945A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- layer
- light emitting
- organic light
- lyophilic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 136
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 91
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 139
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 131
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 109
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims abstract description 83
- 230000002940 repellent Effects 0.000 claims abstract description 74
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 118
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 29
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 26
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 25
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 16
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 11
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical group [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 11
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 9
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 claims description 7
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 561
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 90
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 90
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 89
- 239000010408 film Substances 0.000 description 57
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 49
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 41
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 34
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 28
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 27
- 239000002335 surface treatment layer Substances 0.000 description 24
- -1 tetraphenylbutadiene derivative compounds Chemical class 0.000 description 24
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 23
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 19
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 15
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 13
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 10
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 7
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 6
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 5
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 150000004775 coumarins Chemical class 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 4
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 3
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 3
- 229920000292 Polyquinoline Polymers 0.000 description 3
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 3
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 3
- 239000011365 complex material Substances 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 3
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 239000002635 aromatic organic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 2
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 2
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 2
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AHLATJUETSFVIM-UHFFFAOYSA-M rubidium fluoride Chemical compound [F-].[Rb+] AHLATJUETSFVIM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 1
- SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole;zinc Chemical compound [Zn].C1=CC=C2SC=NC2=C1 SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylbut-2-enedinitrile Chemical group C=1C=CC=CC=1C(C#N)=C(C#N)C1=CC=CC=C1 VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-benzimidazole Chemical class C1=CC=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2N1 DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical class C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 Chemical class C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002319 Poly(methyl acrylate) Polymers 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000611 Zinc aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Ca] Chemical compound [AlH3].[Ca] ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N alumane;zinc Chemical compound [AlH3].[Zn] HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N benzo-alpha-pyrone Natural products C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004054 benzoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 125000004541 benzoxazolyl group Chemical group O1C(=NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N caesium oxide Chemical compound [O-2].[Cs+].[Cs+] KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001942 caesium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound [CH]1CCCC[C@@H]1C1=CC=CC=C1 HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N 0.000 description 1
- HFXKQSZZZPGLKQ-UHFFFAOYSA-N cyclopentamine Chemical class CNC(C)CC1CCCC1 HFXKQSZZZPGLKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N decacyclene Chemical compound C12=C([C]34)C=CC=C4C=CC=C3C2=C2C(=C34)C=C[CH]C4=CC=CC3=C2C2=C1C1=CC=CC3=CC=CC2=C31 CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=C[CH]C=CC3=CC2=C1 RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 229910021482 group 13 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N indium lithium Chemical compound [Li].[In] LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N indium silver Chemical compound [Ag].[In] YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000002687 intercalation Effects 0.000 description 1
- 238000009830 intercalation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N lithium magnesium Chemical compound [Li].[Mg] GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N phenoxazin-1-one Chemical compound C1=CC=C2N=C3C(=O)C=CC=C3OC2=C1 FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N phenoxazone Natural products C1=CC=C2OC3=CC(=O)C=CC3=NC2=C1 UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910001952 rubidium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- CWBWCLMMHLCMAM-UHFFFAOYSA-M rubidium(1+);hydroxide Chemical compound [OH-].[Rb+].[Rb+] CWBWCLMMHLCMAM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical class C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
本発明は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子ということがある。)を基板上に有する有機エレクトロルミネッセンス装置(以下、有機EL装置ということがある。)の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an organic electroluminescence device (hereinafter also referred to as an organic EL device) having a plurality of organic electroluminescence elements (hereinafter also referred to as organic EL devices) on a substrate.
有機EL素子は一対の電極と有機発光層とを含んで構成される。有機EL素子は、電圧を印加すると、各電極から正孔および電子がそれぞれ注入され、注入された正孔と電子とが有機発光層において結合することによって発光する。無機EL素子に比べると、有機EL素子は低電圧での駆動が可能であり、輝度が高いため、複数の有機EL素子を備えた表示装置や照明装置などの有機EL装置の実用化が検討されている。 The organic EL element includes a pair of electrodes and an organic light emitting layer. When a voltage is applied to the organic EL element, holes and electrons are injected from each electrode, and light is emitted by combining the injected holes and electrons in the organic light emitting layer. Compared to inorganic EL elements, organic EL elements can be driven at a low voltage and have high luminance. Therefore, practical application of organic EL devices such as display devices and lighting devices having a plurality of organic EL elements has been studied. ing.
複数の有機EL素子を用いた表示装置では、例えば格子状の隔壁が基板上に設けられ、この隔壁によって区画される領域(以下、画素領域という場合がある)に各有機EL素子が設けられる。そのため各有機EL素子を構成する有機発光層を各画素領域ごとに形成する必要がある。 In a display device using a plurality of organic EL elements, for example, a grid-like partition is provided on a substrate, and each organic EL element is provided in a region partitioned by the partition (hereinafter sometimes referred to as a pixel region). Therefore, it is necessary to form an organic light emitting layer constituting each organic EL element for each pixel region.
各画素領域にそれぞれ有機発光層を形成する方法として、その工程の簡易さから塗布法が検討されている。例えば凸版印刷法またはインクジェットプリント法などの塗布法を用いて有機発光材料を含むインキ(以下、有機発光インキという場合がある)を各画素領域に選択的に供給し、さらに乾燥させることにより有機発光層を形成する方法が提案されている(例えば特許文献1参照)。 As a method for forming an organic light emitting layer in each pixel region, a coating method has been studied from the simplicity of the process. For example, an ink containing an organic light-emitting material (hereinafter sometimes referred to as an organic light-emitting ink) is selectively supplied to each pixel area using a coating method such as a relief printing method or an ink-jet printing method, and further dried to emit organic light. A method of forming a layer has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
有機発光層を塗布法により形成する場合、所定の画素領域に供給されたインキが、隣接する他の画素領域に流出することを防ぐためにも、通常は隔壁表面に撥インキ性が予め付与されている。図6−1および図6−2を参照して、上記従来技術による有機発光層の形成方法の概略を説明する。図6−1に示すように、ITO膜等からなる複数の第1電極102と、隣り合う第1電極102間を絶縁する無機絶縁層103と、無機絶縁層103上に配置される有機隔壁層104とをまず基板101上に形成する。無機絶縁層103及び有機隔壁層104を形成した段階では、これらは上記有機発光インキに対して親液性を示す部材である。
When an organic light emitting layer is formed by a coating method, in order to prevent the ink supplied to a predetermined pixel area from flowing out to other adjacent pixel areas, usually, ink repellency is given to the partition wall surface in advance. Yes. With reference to FIGS. 6A and 6B, an outline of a method for forming an organic light emitting layer according to the conventional technique will be described. As shown in FIG. 6A, a plurality of
次に前述の各部材が形成された基板101の表面に対してCF4プラズマ処理(撥液処理)を行う。有機物から成る部材(有機隔壁層104)はCF4プラズマ処理によってフッ素化され易いため、このCF4プラズマ処理によって有機隔壁層104は表面が容易にフッ素化され、撥液性が付与される。他方無機物から成る部材(無機絶縁層103、第1電極102)はCF4プラズマ処理によってフッ素化され難いため、このCF4プラズマ処理によっても無機絶縁層103、第1電極102は親液性を維持する。このためCF4プラズマ処理によって有機隔壁層104のみが選択的に有機発光インキに対して撥液性が付与されることになり、表面状態が選択的に変更される。
Next, CF 4 plasma treatment (liquid repellent treatment) is performed on the surface of the
図6−2に示す従来技術では、インクジェットヘッド105から有機発光インキ106を画素領域(有機隔壁層104間)に吐出する。所定の画素領域に着弾した有機発光インキ106は、撥液性を有する有機隔壁層104ではじかれるため、有機隔壁層104を超えて隣接する画素領域に流出することがなく、着弾した画素領域にそのまま保持される。この有機発光インキ106を乾燥させることにより、第1電極102上に有機発光層をパターン形成することができる。
In the prior art shown in FIG. 6B, the organic
有機発光層がその表面上に形成される層(図6では第1電極102)の表面は前述したように親液性を示すが、それでも有機発光インキを各画素領域内に選択的に供給したときに、画素領域の周縁および画素領域内において有機発光インキがはじかれることがあり、画素領域全域への有機発光インキの均一な塗布が実現されないおそれがある。このようにして形成された有機発光層は、膜厚が不均一となり、場合によっては有機発光インキがはじかれた部分に孔が生じる。そのため実際に発光する画素領域の面積が設計値以下となったり、発光にムラが生じたりすることがあり、その結果、発光特性が著しく低下することになる。
Although the surface of the layer on which the organic light emitting layer is formed (the
本発明は、上記従来技術が有する課題に鑑みてなされたものであり、その課題は、簡便な手法で膜厚が均一な有機発光層を所定の領域に形成することができる有機EL装置の製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the problems of the above-described conventional technology, and the problem is to manufacture an organic EL device capable of forming an organic light emitting layer having a uniform film thickness in a predetermined region by a simple method. It is to provide a method.
上記の課題を解決するため、本発明では、下記の構成を採用した。
[1] 第1電極、該第1電極と対をなす第2電極、および前記第1電極と前記第2電極との間に配置される有機発光層をそれぞれ含んで構成される複数の有機エレクトロルミネッセンス素子と、該複数の有機エレクトロルミネッセンス素子が搭載される基板とを含む有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記第1電極が形成された基板を用意する準備工程と、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子をそれぞれ区画する隔壁を前記基板に形成する隔壁形成工程と、
前記基板の厚み方向のうちの、前記有機エレクトロルミネッセンス素子が搭載される側から、前記隔壁が形成された基板の表面を撥液処理する撥液処理工程と、
前記撥液処理された隔壁よりも、有機発光層を形成するための有機発光材料を含むインキに対して高い親液性を有する親液性下地層を前記第1電極上に形成する親液性下地層形成工程と、
有機溶媒によって前記親液性下地層を表面処理する表面処理工程と、
前記表面処理工程の後、前記隔壁で区画された領域内に有機発光材料を含むインキを供給して有機発光層を形成する有機発光層形成工程と、
前記第2電極を形成する電極形成工程と、
を含む、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
[2] 前記撥液処理が、フッ素系ガスを用いたプラズマ処理である、上記[1]に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
[3] 前記親液性下地層形成工程では、前記親液性下地層を乾式方法により形成する、上記「1」又は[2]に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
[4] 前記親液性下地層が、金属の酸化物又は金属の複合酸化物からなる層である、上記[1]から[3]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
[5] 前記親液性下地層を形成する金属の酸化物が、酸化モリブデン又は酸化タングステンである、上記[4]に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
[6] 前記表面処理工程が、前記親液性下地層の表面に前記有機溶媒を接触させる工程である、上記[1]から[5]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
[7] 前記表面処理工程では、スピンコーティング法によって、前記親液性下地層の表面に前記有機溶媒を接触させる、上記[6]に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
[8] 前記表面処理工程において、前記有機溶媒を前記親液性下地層の表面に接触させた後、前記有機溶媒を乾燥させる、上記「6」又は[7]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
[9] 前記有機発光層形成工程では、フレキソ印刷法により、前記有機発光材料を含むインキを供給する、上記[1]から[8]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
In order to solve the above problems, the present invention employs the following configuration.
[1] A plurality of organic electro circuits each including a first electrode, a second electrode paired with the first electrode, and an organic light emitting layer disposed between the first electrode and the second electrode. A method for producing an organic electroluminescence device comprising a luminescence element and a substrate on which the plurality of organic electroluminescence elements are mounted,
Preparing a substrate on which the first electrode is formed;
A partition wall forming step for forming partition walls for partitioning the plurality of organic electroluminescence elements on the substrate,
A liquid repellent treatment step of performing a liquid repellent treatment on the surface of the substrate on which the partition walls are formed from the side on which the organic electroluminescence element is mounted in the thickness direction of the substrate;
More lyophilic to form on the first electrode a lyophilic underlayer having higher lyophilicity to the ink containing the organic light emitting material for forming the organic light emitting layer than the liquid repellent treated partition. An underlayer forming step;
A surface treatment step of surface-treating the lyophilic underlayer with an organic solvent;
After the surface treatment step, an organic light emitting layer forming step of forming an organic light emitting layer by supplying ink containing an organic light emitting material in a region partitioned by the partition;
An electrode forming step of forming the second electrode;
A method for producing an organic electroluminescence device, comprising:
[2] The method for manufacturing an organic electroluminescence device according to the above [1], wherein the liquid repellent treatment is a plasma treatment using a fluorine-based gas.
[3] The method for producing an organic electroluminescent device according to the above [1] or [2], wherein in the lyophilic underlayer forming step, the lyophilic underlayer is formed by a dry method.
[4] The method for producing an organic electroluminescent device according to any one of [1] to [3], wherein the lyophilic underlayer is a layer made of a metal oxide or a metal complex oxide. .
[5] The method for producing an organic electroluminescent device according to the above [4], wherein the metal oxide forming the lyophilic underlayer is molybdenum oxide or tungsten oxide.
[6] The manufacturing of the organic electroluminescence device according to any one of [1] to [5], wherein the surface treatment step is a step of bringing the organic solvent into contact with the surface of the lyophilic underlayer. Method.
[7] The method for manufacturing an organic electroluminescent device according to [6], wherein in the surface treatment step, the organic solvent is brought into contact with the surface of the lyophilic underlayer by a spin coating method.
[8] The organic electroluminescence device according to [6] or [7], wherein, in the surface treatment step, the organic solvent is dried after contacting the surface of the lyophilic underlayer. Production method.
[9] The method for producing an organic electroluminescent device according to any one of [1] to [8], wherein in the organic light emitting layer forming step, ink containing the organic light emitting material is supplied by a flexographic printing method. .
本発明によれば、簡便な手法で膜厚が均一な有機発光層を所定の領域に形成することができ、発光むらが低減され、発光特性に優れた有機EL素子を有する有機EL装置を提供することができる。
したがって本発明の有機EL装置は、面状光源、照明装置、表示装置として好適に用いることができる。
According to the present invention, an organic EL device having an organic EL element that can form an organic light emitting layer with a uniform film thickness in a predetermined region by a simple method, has reduced light emission unevenness, and has excellent light emission characteristics. can do.
Therefore, the organic EL device of the present invention can be suitably used as a planar light source, a lighting device, and a display device.
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお理解の容易のため、図面における各部材の縮尺は実際とは異なる場合がある。また、本発明は以下の記述によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。有機EL装置においては電極のリード線等の部材も存在するが、本発明の説明にあっては直接的に要しないため記載を省略している。層構造等の説明の便宜上、下記に示す例においては基板を下に配置した図と共に説明がなされるが、本発明の有機EL素子およびこれを搭載した有機EL装置は、必ずしもこの配置で、製造または使用等がなされるわけではない。なお以下の説明において基板の厚み方向の一方を上または上方といい、基板の厚み方向の他方を下または下方という場合がある。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. For ease of understanding, the scale of each member in the drawing may differ from the actual scale. Further, the present invention is not limited by the following description, and can be appropriately changed without departing from the gist of the present invention. In the organic EL device, there are members such as electrode lead wires. However, in the explanation of the present invention, the description is omitted because it is not directly required. For the convenience of explanation of the layer structure and the like, in the example shown below, the explanation is made with the figure in which the substrate is arranged below. However, the organic EL element of the present invention and the organic EL device equipped with the same are necessarily manufactured in this arrangement. Or use etc. are not made. In the following description, one of the thickness directions of the substrate may be referred to as “upper” or “upper”, and the other of the substrate thickness directions may be referred to as “lower” or “lower”.
[第1の実施形態]
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。
本発明にかかる有機EL装置の製造方法の一実施形態について説明し、その後、本発明に係る製造方法が対象とする有機EL装置の構造の一実施形態について説明する。
第1の実施形態によって作製される有機EL装置10A(図1−8参照)には複数の画素が設けられる。画素が形成される領域、すなわち画素領域は、当該領域を囲む隔壁により区画され、その平面形状は、仕様により適宜設定され、例えば略矩形状、略楕円形状、又は小判形状などとしてもよい。各画素は、有機EL素子によって構成される。有機EL素子は、一対の電極と、当該電極間に挟まれた有機化合物を含む発光層(以下、「有機発光層」という。)とを含んで構成され、基板上に各種の層を順次積層させて作製される。
[First Embodiment]
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
An embodiment of a method for manufacturing an organic EL device according to the present invention will be described, and then an embodiment of the structure of the organic EL device targeted by the manufacturing method according to the present invention will be described.
The
本発明の有機EL装置の製造方法は、第1電極、該第1電極と対をなす第2電極、および前記第1電極と前記第2電極との間に配置される有機発光層をそれぞれ含んで構成される複数の有機エレクトロルミネッセンス素子と、該複数の有機エレクトロルミネッセンス素子が搭載される基板とを含む有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記第1電極が形成された基板を用意する準備工程と、前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子をそれぞれ区画する隔壁を前記基板に形成する隔壁形成工程と、前記基板の厚み方向のうちの、前記有機エレクトロルミネッセンス素子が搭載される側から、前記隔壁が形成された基板の表面を撥液処理する撥液処理工程と、前記撥液処理された隔壁よりも、有機発光層を形成するための有機発光材料を含むインキに対して高い親液性を有する親液性下地層を前記第1電極上に形成する親液性下地層形成工程と、有機溶媒によって前記親液性下地層を表面処理する表面処理工程と、前記表面処理工程の後、前記隔壁で区画された領域内に有機発光材料を含むインキを供給して有機発光層を形成する有機発光層形成工程と、前記第2電極を形成する電極形成工程と、を含むものである。 The method for manufacturing an organic EL device of the present invention includes a first electrode, a second electrode paired with the first electrode, and an organic light emitting layer disposed between the first electrode and the second electrode. A method for manufacturing an organic electroluminescence device, comprising: a plurality of organic electroluminescence elements each comprising a plurality of organic electroluminescence elements; and a substrate on which the plurality of organic electroluminescence elements are mounted. From the side on which the organic electroluminescence element is mounted in the thickness direction of the substrate in the preparation step, the partition forming step for forming the partition for partitioning the plurality of organic electroluminescence elements on the substrate, and the partition In order to form an organic light emitting layer rather than a liquid repellent treatment step for liquid repellent treatment of the surface of the substrate on which the liquid crystal is formed and the liquid repellent treated partition A lyophilic underlayer forming step for forming a lyophilic underlayer having high lyophilicity with respect to ink containing an organic light emitting material on the first electrode, and surface treatment of the lyophilic underlayer with an organic solvent An organic light emitting layer forming step of forming an organic light emitting layer by supplying an ink containing an organic light emitting material into a region partitioned by the partition after the surface treatment step, and the second electrode. An electrode forming step to be formed.
<A>基板準備工程
基板準備工程は、第1電極が形成された基板を用意する準備工程であり、基板に第1電極を形成することにより、第1電極が形成された基板を用意してもよく、また第1電極が形成された基板を市場から入手することにより第1電極が形成された基板を用意してもよい。なお本実施形態では第1電極を陽極とし、第2電極を陰極として説明するが、他の形態として第1電極を陰極とし、第2電極を陽極としてもよい。
本実施の形態では基板上に第1電極を形成することにより、第1電極が形成された基板を用意する。図1−1は、本発明の第1の実施形態に係る有機EL装置の製造方法の基板準備工程を示す断面構成図であり、図2−1の切断面線(I−I)−(I−I)から見た断面図である。図2−1は、図1−1の基板の平面図である。
基板準備工程ではまず後述のいずれかの基板材料からなる基板を用意する。プラスチック基板などのガスバリア性の低い基板を用いる場合には、必要に応じて基板11上に下部封止膜を形成しておく。
<A> Substrate Preparation Step The substrate preparation step is a preparation step of preparing a substrate on which the first electrode is formed. A substrate on which the first electrode is formed is prepared by forming the first electrode on the substrate. Alternatively, a substrate on which the first electrode is formed may be prepared by obtaining a substrate on which the first electrode is formed from the market. In this embodiment, the first electrode is used as an anode and the second electrode is used as a cathode. However, as another embodiment, the first electrode may be used as a cathode and the second electrode may be used as an anode.
In this embodiment, a substrate on which a first electrode is formed is prepared by forming a first electrode on the substrate. FIG. 1-1 is a cross-sectional configuration diagram illustrating a substrate preparation process of the method for manufacturing an organic EL device according to the first embodiment of the present invention, and is a cross-sectional line (II)-(I It is sectional drawing seen from -I). FIG. 2A is a plan view of the substrate of FIG. 1-1.
In the substrate preparation step, first, a substrate made of any of the substrate materials described below is prepared. When using a substrate having a low gas barrier property such as a plastic substrate, a lower sealing film is formed on the
基板11上に後述のいずれかの陽極材料を用いて、第1電極に相当する陽極12をパターン形成する。この陽極12を透明電極とする場合には、後述のように、ITO(Indium Tin Oxide:インジウムスズ酸化物)、IZO(Indium Zinc Oxide:インジウム亜鉛酸化物)、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、亜鉛アルミニウム複合酸化物等の透明電極材料を使用する。電極のパターン形成は、例えば、ITOを用いる場合、スパッタリング法により基板11上に均一な堆積膜として形成され、続いて、フォトリソグラフィーにより島状またはライン状にパターニングされる。なお陽極は、スパッタリング法の他に、真空蒸着法、イオンプレーティング法、メッキ法等によって形成してもよい。
An
陽極12を形成した後、例えば格子状の絶縁層13を形成することが好ましい。この絶縁層13は、プラズマCVD法やスパッタ法等の公知の方法によりSiO2、SiN等の無機絶縁材料からなる絶縁膜を形成し、次いでフォトリソグラフィーとエッチングを実施し、パターニングすることにより形成される。絶縁膜が除去された領域が画素領域14に相当する。絶縁層13は、電気絶縁性を示す。この絶縁層13により画素領域間の電気絶縁性が確保される。
After forming the
図2−1に示すように、この格子状の絶縁層13に覆われた矩形状の領域が画素領域14となり、この画素領域14には、パターン形成された陽極12が露出する。絶縁層13により区画された画素の開口形状は、円形、楕円、四角、いずれの形状でも構わないが、インク組成物には表面張力があるため、四角形の場合、その角部は丸みを帯びているほうが好ましい。
なお絶縁層13を設けない場合には、陽極12が帯状に露出することになるが、この帯状の領域が画素領域となる。また絶縁膜をパターニングすることで、絶縁層13を格子状としているが、絶縁層13は画素領域間に互いに略平行に直線状に複数並列して載置するようにしてもよい。
As shown in FIG. 2A, the rectangular region covered with the lattice-like insulating
In the case where the insulating
<B>隔壁形成工程
隔壁形成工程は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子をそれぞれ区画する隔壁を形成する工程である。
絶縁層13を形成後、絶縁層13が形成された基板11上に感光性材料を塗布してフォトレジスト膜を積層する。次に、このフォトレジスト膜をフォトリソグラフィーにより格子状にパターニングする。図1−2は、図2−2の切断面線(I−II)−(I−II)から見た断面図であり、図2−2は、図1−2の基板の平面図である。図1−2、図2−2に示すように、基板11のフォトレジスト膜を格子状にパターニングすることにより絶縁性の隔壁15を形成する。また隔壁15で区画された領域は凹状の溝部16を形成しており、基板の厚み方向の一方から見て、画素領域14の周囲を囲うように有機発光層が形成される発光層形成領域17に区分けされる。
なお、発光層形成領域17は、隣り合う隔壁15の対向面15aに挟まれた領域である。図1−2〜図1−8では、隔壁15の延伸する方向に垂直な平面で切断した隔壁15の断面形状は、基板11側が幅広な台形型となっているため、発光層形成領域17は絶縁層13から離間するほど幅広に形成される。
<B> Partition Formation Step The partition formation step is a step of forming a partition that partitions each of the plurality of organic electroluminescence elements.
After forming the insulating
The light emitting
隔壁15を形成する絶縁性の感光性材料(フォトレジスト組成物)は、ポジ型レジスト、ネガ型レジストのどちらであってもよい。この隔壁15を構成する感光性材料(フォトレジスト組成物)としては、具体的には、ポリイミド系、アクリル樹脂系、ノボラック樹脂系の各感光性化合物を用いることができる。なお、この感光性材料には、有機EL素子の表示品位を上げる目的で、光遮光性を示す材料を含有させてもよい。
The insulating photosensitive material (photoresist composition) forming the
隔壁15は例えばフォトリソグラフィーにより所定の所望寸法の格子状に形成される。
The
なお図1−2〜図1−8に示すように、隔壁15の延伸する方向に垂直な平面で切断した隔壁15の断面形状は、基板11側が幅広な台形型としたが、隔壁15の断面形状はこれに限定されるものではなく、矩形状および蒲鉾状などであってもよい。
As shown in FIGS. 1-2 to 1-8, the sectional shape of the
また隔壁15は絶縁層13上に格子状に設けられているが、画素領域14間において、互いに略平行に載置される複数の直線状の隔壁を形成するようにしてもよい。
The
また、基板11上の絶縁層13で陽極12同士を絶縁し、隔壁15で発光層形成領域17を区画するようにしているが、隔壁を絶縁層と一体として形成し、隔壁に陽極12同士を絶縁する機能と隔壁間に塗布されるインキを区画する機能とを同時に有するようにしてもよい。この場合、形成される隔壁は、上述の隔壁15と同様の材料を用いて形成するようにする。
In addition, the
<C>撥液処理工程
撥液処理工程は、基板の厚み方向のうちの、有機エレクトロルミネッセンス素子が搭載される側から、隔壁が形成された基板の表面を撥液処理する工程である。
<C> Liquid-repellent treatment step The liquid-repellent treatment step is a step of performing a liquid-repellent treatment on the surface of the substrate on which the partition walls are formed from the side on which the organic electroluminescence element is mounted in the thickness direction of the substrate.
本明細書で「撥液性」とは、有機発光層を形成するための有機発光材料を含むインキ(有機発光インキ)(又はその溶剤)に対するインキ供給対象表面の親和性が小さいことを意味する。撥液性の有無は、有機発光インキと基板との接触角によって判断することができる。接触角は、固体表面上に滴下された液体の液滴の接触部分と固体表面がつくる角度として定義される。 In the present specification, “liquid repellency” means that the ink supply target surface has a low affinity for an ink (organic light-emitting ink) (or a solvent thereof) containing an organic light-emitting material for forming an organic light-emitting layer. . The presence or absence of liquid repellency can be determined by the contact angle between the organic light emitting ink and the substrate. The contact angle is defined as the angle formed by the contact portion of the liquid droplet dropped on the solid surface and the solid surface.
本明細書では、液滴と固体表面との接触角が30°以上である場合に、液体に対して固体表面は撥液性があると定義する。また、接触角が30°未満の場合は、液体に対して固体表面は親液性があり、濡れ易いと定義する。この場合には、液体を塗布した場合に固体表面上に均一に広がり良質な膜が形成される。 In this specification, it is defined that the solid surface has liquid repellency when the contact angle between the droplet and the solid surface is 30 ° or more. In addition, when the contact angle is less than 30 °, the solid surface is defined as being lyophilic with respect to the liquid and easily wet. In this case, when a liquid is applied, a good quality film is formed which spreads uniformly on the solid surface.
撥液処理は、液滴と固体表面との接触角を高くするための処理であり、フッ素系ガスを用いたプラズマ処理を行う方法と、撥液性を有する材料を塗布する方法とがあり、これらは撥液性を付与したい面の材質により適宜選択することができる。
撥液性を付与したい面が有機材料で形成されている場合には、撥液処理として撥液性を有する材料を塗布する方法、及びフッ素系ガスを用いたプラズマ処理を行う方法の両方法を選択することができる。フッ素系ガスを用いたプラズマ処理では、CF4、SF6のようなフッ素系ガスを用いた真空プラズマ処理、または大気圧プラズマ処理を適用することができる。
The liquid repellent treatment is a treatment for increasing the contact angle between the droplet and the solid surface, and includes a method of performing plasma treatment using a fluorine-based gas and a method of applying a material having liquid repellency, These can be appropriately selected depending on the material of the surface to which liquid repellency is desired.
When the surface to which liquid repellency is to be imparted is formed of an organic material, both a method of applying a liquid repellent material as a liquid repellent treatment and a method of performing a plasma treatment using a fluorine-based gas You can choose. In the plasma treatment using a fluorine-based gas, a vacuum plasma treatment using a fluorine-based gas such as CF 4 or SF 6 or an atmospheric pressure plasma treatment can be applied.
一方、撥液性を付与したい面が無機材料で形成されている場合には、フッ素系ガスを用いたプラズマ処理を行っても表面がフッ素化されにくく良好な撥液性を付与することが難しいため、撥液性を有する材料を塗布する方法により撥液処理を行うことが好ましい。撥液性材料としては、分子内にフッ素を有するフッ素系樹脂、界面活性剤やシランカップリング材等を使用することができる。 On the other hand, if the surface to which liquid repellency is to be imparted is formed of an inorganic material, it is difficult to impart good liquid repellency even if plasma treatment using a fluorine-based gas is performed. Therefore, it is preferable to perform the liquid repellent treatment by a method of applying a liquid repellent material. As the liquid repellent material, a fluorine-based resin having a fluorine in the molecule, a surfactant, a silane coupling material, or the like can be used.
図1−3に示すように、本実施形態では、隔壁15表面を撥液処理して、隔壁15表面上に撥液層18を形成している。これにより、隔壁15の表面に高い撥液性を付与することができる。
図1−3〜図1−8において、撥液層18は、撥液処理が施された隔壁15の表面の状態を表しており、プラズマ処理を用いる場合、実際には、層を形成するまでに至っておらず、表面処理されて撥液性被膜が形成された状態であるが、図示の便宜上、層として表している。また、プラズマ処理を用いず、撥液性を有する材料を塗布する方法を用いる場合には、層が形成される。
As shown in FIG. 1C, in this embodiment, the surface of the
1-3 to 1-8, the
隔壁15を形成した後に隔壁15の表面に撥液性被膜を形成する方法としては、隔壁15表面の有機材料の官能基をフッ素で置換することにより表面を改質する方法、撥液性成分を気化させて隔壁15表面に堆積させる方法を挙げることができる。具体的には、CF4ガスを導入ガスとして用いるプラズマ処理を挙げることができる。陽極12などの電極および絶縁層13などに比べると、有機物の隔壁15はCF4ガスによってフッ化され易く、プラズマ処理を行うことで隔壁15表面を選択的に撥液化することができる。
As a method of forming a liquid repellent film on the surface of the
本実施形態では、隔壁15が有機材料、陽極12、絶縁層13が無機材料で形成されている。撥液性を付与したい面である隔壁15が有機材料で形成されているので、基板11の表面にフッ素系ガスを用いたプラズマ処理を行う。これにより、隔壁15の親液性表面が撥液化され、撥液層18を形成し、隔壁15の表面にのみ高い撥液性を付与することができる。
なお、陽極12、絶縁層13は無機材料で形成されているので、上記プラズマ処理を行っても、陽極12、絶縁層13は親液性表面のままである。
In the present embodiment, the
Note that since the
なお陽極12、絶縁層13および隔壁15が共に無機材料で形成されている場合は、撥液性を付与したい面である隔壁15が無機材料で形成されているので、基板11の表面に撥液性を有する材料を塗布する処理を行う。これにより、陽極12、絶縁層13および隔壁15の表面が撥液化される。
When the
また隔壁15の表面に撥液性を付与するために、隔壁15を形成した後、その表面に撥液性物質を被覆させることにより、隔壁15表面に撥液性を付与しているが、隔壁形成用の感光性材料に撥液性物質を加えても良い。撥液性は、後述の正孔注入層用のインキ、有機発光層を形成するための有機発光材料を含む有機発光インキなどに対しても、撥液性であることが好ましい。
In addition, in order to impart liquid repellency to the surface of the
前記感光性材料に撥液性物質を添加する場合に用いる撥液性化合物としては、シリコーン系化合物またはフッ素含有化合物が用いられる。これらの撥液性化合物は、後述の有機発光層形成に用いる有機発光インキ(塗布液)と、正孔注入層などの有機材料インキ(塗布液)の両方に撥液性を示すため、好適に用いることができる。 As the liquid repellent compound used when a liquid repellent substance is added to the photosensitive material, a silicone compound or a fluorine-containing compound is used. Since these liquid repellent compounds exhibit liquid repellency in both the organic light emitting ink (coating liquid) used for forming the organic light emitting layer described later and the organic material ink (coating liquid) such as a hole injection layer, the liquid repellent compound is suitably used. Can be used.
<D>親液性下地層形成工程
親液性下地層形成工程は、撥液処理された隔壁よりも、有機発光層を形成するための有機発光材料を含むインキ(有機発光インキ)に対して高い親液性を有する親液性下地層を第1電極上に形成する工程である。
<D> Lipophilic underlayer forming step The lyophilic underlayer forming step is performed on an ink (organic light emitting ink) containing an organic light emitting material for forming an organic light emitting layer rather than a liquid-repellent-treated partition wall. This is a step of forming a lyophilic underlayer having high lyophilicity on the first electrode.
図1−4に示すように、発光層形成領域17の陽極12および絶縁層13上に親液性下地層19を形成する。この親液性下地層19を形成する領域は、発光層形成領域17内である。
この工程では、開口部20aを有するマスク20を基板11上に配置し、真空蒸着法により発光層形成領域17内に親液性下地層19を成膜する。親液性下地層19は、後の工程で、その上に有機発光インキが均一に濡れ広がり易くするためのものであり、親液性表面を提供する。
As shown in FIG. 1-4, a
In this step, the
また、所定パターンの親液性下地層19を形成する方法として、上述の真空蒸着法以外に、基板11の発光層形成領域17内の陽極12および絶縁層13上の全面に親液性下地層19を形成した後にフォトリソグラフィー工程により親液性下地層19をパターン形成する方法等を採用してもよい。
Further, as a method of forming the
本実施形態において陽極と有機発光層の間に設けられる親液性下地層19は、後述のように、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層などの層の少なくとも一つとして機能する。
In the present embodiment, the
<E>表面処理工程
表面処理工程は、親液性下地層を形成した基板に対して隔壁が設置された側から、有機溶媒によって親液性下地層を表面処理する工程である。
従来の有機EL装置の製造方法では、後述のように、各画素に必要に応じて正孔注入層などを形成した後に有機発光層を形成するが、本発明では、有機発光層形成前に、基板11に対して隔壁15の設置された側から、有機溶媒によって表面(以下、隔壁が形成された側の基板表面という場合がある)を処理する。
図1−5に示すように、表面処理層21は親液性下地層19の表面を有機溶媒によって表面処理することで形成されるものであり、図1−5〜図1−8においては、実際には、層を形成するまでに至っておらず表面処理された状態であるが、図示の便宜上、層として表している。
<E> Surface treatment process A surface treatment process is a process of surface-treating a lyophilic foundation layer with an organic solvent from the side in which the partition was installed with respect to the board | substrate in which the lyophilic foundation layer was formed.
In the conventional method of manufacturing an organic EL device, as described later, an organic light emitting layer is formed after forming a hole injection layer or the like as necessary in each pixel. The surface of the
As shown in FIGS. 1-5, the
この表面処理工程は、基板11に対して隔壁15の設置された側から、有機溶媒を親液性下地層19の表面に接触させることにより実現される。有機溶媒の接触は、少なくとも親液性下地層19の表面に対して実施されることが必要であり、基板11全面でなくても良いが、隔壁15が形成された側の基板11の親液性下地層19の表面の全面に対して行うことが好ましい。
This surface treatment step is realized by bringing an organic solvent into contact with the surface of the
基板11上の親液性下地層19表面への有機溶媒の接触方法としては、回転中の基板に有機溶媒を滴下して基板全面に有機溶媒を接触させるスピンコーティング法、傾斜させた基板に有機溶媒を塗布もしくは噴霧する方法、さらに有機溶媒中に基板を浸漬した後、基板を引き上げる方法等が用いられる。いずれかの方法によって有機溶媒を基板全面あるいは隔壁及び画素領域表面に接触させた後、有機溶媒の液滴が残存しないように、表面を接触させた有機溶媒を乾燥させることが好ましい。乾燥方法としては、加熱乾燥、自然乾燥、およびエアーブローなどがある。
As a method for bringing the organic solvent into contact with the surface of the
使用する有機溶媒としては、インキ用溶媒の一種もしくは二種以上であることが好ましく、インキ用溶媒の中でも、後述の有機発光材料用の溶媒の一種もしくは二種以上であることがさらに好ましい。かかる有機発光材料用の溶媒としては、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等、またはこれらの混合溶媒が挙げられ、トルエン、キシレンおよびアニソール等の芳香族有機溶媒が好ましく、アニソールがさらに好ましい。 As an organic solvent to be used, it is preferable that it is 1 type, or 2 or more types of the solvent for inks, and it is further more preferable that it is 1 type or 2 or more types of the solvent for organic luminescent materials mentioned later among the solvents for inks. Examples of the solvent for the organic light emitting material include toluene, xylene, acetone, anisole, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, and a mixed solvent thereof. Aromatic organic solvents such as toluene, xylene, and anisole are preferable, Anisole is more preferred.
なお、有機溶媒による表面処理により、隔壁15表面の撥液性は幾分緩和されることもあるが、撥液性が損なわれることはない。すなわち、有機溶媒により隔壁15を表面処理した後に、隔壁15上に有機発光インキを塗布した場合にも、隔壁15表面は有機発光インキをはじく性能が損なわれるには到らず、必要とされる撥液性を保持している。
Although the liquid repellency of the surface of the
<F>有機発光層形成工程
有機発光層形成工程は、表面処理工程の後、隔壁で区画された領域内に有機発光インキを供給して有機発光層を形成する工程である。
図1−6に示すように、親液性領域である親液性下地層19上に、上述の表面処理工程により表面処理層21を形成した後、隔壁15で区画された領域(発光層形成領域)内に塗布法により有機発光インキ22を塗布する。
親液性下地層19の表面(表面処理層21)が親液性であり、その周囲の隔壁15の表面(撥液層18)が撥液性となっている。表面処理層21に塗布された有機発光インキ22は、撥液層18ではじかれることにより、隔壁15を跨って隣接する他の発光層形成領域17内に流れ出さず、隔壁15により区画された発光層形成領域17内に収まる。これにより、有機発光インキ22は、発光層形成領域17内の表面処理層21上に配置される。
<F> Organic Light-Emitting Layer Formation Step The organic light-emitting layer formation step is a step of forming the organic light-emitting layer by supplying organic light-emitting ink into the region partitioned by the partition after the surface treatment step.
As shown in FIG. 1-6, after the
The surface of the lyophilic base layer 19 (surface treatment layer 21) is lyophilic, and the surface of the surrounding partition wall 15 (liquid repellent layer 18) is lyophobic. The organic light-emitting
また塗布液である有機発光インキ22を塗布法により基板11全面に塗布した場合、有機発光インキ22が隔壁15上に塗布される場合があるが、その場合、隔壁15上の有機発光インキ22は、撥液性を示す撥液層18表面によりはじかれることにより、隔壁15により区分けされた光層形成領域17内に流れ、各発光層形成領域17内の表面処理層21上に配置される。
In addition, when the organic
また、上述のように隔壁15を形成した後、隔壁15を撥液処理することで隔壁15同士が対向する対向面15aも撥液処理され、撥液層18が形成されている。そのため、隔壁15形成後の発光層形成領域17内の絶縁層13の露出面13a上に配置された有機発光インキ22は、隔壁15同士が対向する対向面15aの表面上の撥液層18にはじかれ、露出面13aと対向面15aとが接触する近傍では、有機発光インキ22が配置されず発光層形成領域17内の一部に塗布ムラが生じる場合がある。しかしながら、隔壁15の対向面15aと画素領域14との間には絶縁層13の露出面13aの分だけ間隔があるため、画素領域14では対向面15a上の撥液層18による影響を受けず、画素領域14の親液性下地層19および表面処理層21上の全面に有機発光インキ22を配置することができる。
In addition, after the
有機発光層に使用される有機発光材料としては、後述の通り、高分子有機発光材料及び/又は低分子有機発光材料が用いられる。
高分子有機発光材料を用いる場合、高分子材料を溶媒に溶解または安定に分散させて、有機発光層を形成するための有機発光材料を含むインキ(有機発光インキ)を調製する。この有機発光材料を溶解または分散する溶媒としては、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等の単独またはこれらの混合溶媒が挙げられる。中でも、トルエン、キシレン、アニソールといった芳香族有機溶媒が、有機発光材料の良好な溶解性を有することから好ましい。また、有機発光インキには、必要に応じて、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等を添加してもよい。
As the organic light emitting material used for the organic light emitting layer, a polymer organic light emitting material and / or a low molecular organic light emitting material is used as described later.
In the case of using a polymer organic light emitting material, an ink (organic light emitting ink) containing an organic light emitting material for forming an organic light emitting layer is prepared by dissolving or stably dispersing the polymer material in a solvent. Examples of the solvent for dissolving or dispersing the organic light-emitting material include toluene, xylene, acetone, anisole, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, or a mixed solvent thereof. Among these, aromatic organic solvents such as toluene, xylene, and anisole are preferable because they have good solubility of the organic light emitting material. Moreover, you may add surfactant, antioxidant, a viscosity modifier, a ultraviolet absorber, etc. to organic luminescent ink as needed.
有機発光インキを隔壁内に供給する方法としては、有機EL素子が例えば照明装置に用いる単色発光である場合には、選択的塗布を考慮しなくてよいので、スピンコート法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、ノズルコート法、などのコート法を用いてもよい。また、キャスティング法、ブレードコーティング法、ディスペンサー法などを用いてもよい。有機EL素子がカラー表示装置に用いる多色発光である場合には、各画素領域に、所定の有機発光インキを選択的に塗布し、混色を避ける必要がある。そのような選択的な塗布には、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法を用いることができる。これらの中でも、より正確に隔壁内に有機発光インキを塗布するためには、インクジェットプリント法、フレキソ印刷法が好ましく、特にフレキソ印刷法が好ましい。 As a method of supplying the organic light emitting ink into the partition, when the organic EL element is monochromatic light used in, for example, a lighting device, selective coating does not have to be taken into consideration, so a spin coating method, a micro gravure coating method, A coating method such as a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, a wire bar coating method, a dip coating method, a slit coating method, a capillary coating method, a spray coating method, or a nozzle coating method may be used. Further, a casting method, a blade coating method, a dispenser method, or the like may be used. When the organic EL element emits multicolor light for use in a color display device, it is necessary to selectively apply a predetermined organic light emitting ink to each pixel region to avoid color mixing. For such selective coating, printing methods such as gravure printing, screen printing, flexographic printing, offset printing, reverse printing, and inkjet printing can be used. Among these, the inkjet printing method and the flexographic printing method are preferable, and the flexographic printing method is particularly preferable in order to apply the organic light-emitting ink in the partition more accurately.
次に、図1−7に示すように、有機発光インキ22を乾燥させて表面処理層21上に有機発光層23を形成する。
有機発光インキ22を乾燥させることにより、有機発光材料からなる有機発光層23が表面処理層21上に形成される。
有機発光インキ22は、基板11を保持するステージ(図示せず)に取付けられた温度調整機構により温度調整しながら、ホットプレート、オーブン、ドライヤー等の乾燥機構で乾燥させることができる。
Next, as shown in FIGS. 1-7, the organic
By drying the organic
The organic light-emitting
なお、有機発光インキ22の塗布工程及び乾燥工程を複数回繰り返してもよい。このように複数回繰り返すことにより、所望の厚さの有機発光層23を得ることができると共に、塗布ムラを分散してより均一な厚さの有機発光層23を形成することができる。
また、異なる有機発光インキ22を用いて、塗布工程及び乾燥工程を複数回繰り返してもよい。このように複数種の有機発光インキ22を使用することにより、より複雑な層構造を有する有機発光層23を形成することができる。
In addition, you may repeat the application | coating process and drying process of the organic
Moreover, you may repeat an application | coating process and a drying process in multiple times using different organic
隔壁15内に有機発光インキ22を塗布する際、従来の方法では、有機発光層23がその表面に設けられる層の表面で有機発光インキ22がはじかれ、塗膜に欠損(塗布むら)が生じることがある。これに対し、本実施形態では、有機発光層23を形成する前に、予め発光層形成領域17内の陽極12および絶縁層13に親液性下地層19を形成することで、有機発光インキ22に対して撥液層18の表面よりも高い親液性を有し、更に有機溶媒を用いて表面処理層21を形成することで、親液性下地層19の濡れ性を向上することができる。このため、隔壁15により区画された発光層形成領域17内に供給された有機発光インキ22は、絶縁層13により規定される画素領域14の全面に行き渡るように塗布され、塗布ムラが生じることなく各画素領域14の全面に有機発光塗膜を形成し、有機発光層23を画素領域14全面に形成することができる。
When applying the organic
また、表面処理層21が形成された後の表面は、発光層形成領域17を親液性として濡れ性を向上させつつ、隔壁15の対向面15aの部分が撥液性となっているため、隔壁15に区画された発光層形成領域17からはみ出すように有機発光インキ22を供給した場合でも、有機発光インキ22は発光層形成領域17以外でははじかれ、発光層形成領域17にのみ有機発光インキ22が供給された状態となる。よって、発光層形成領域17には有機発光層23をほとんど欠陥が生じることなく形成することができる。
In addition, the surface after the
また、有機発光インキ22が隔壁15の対向面15a上の撥液層18によりはじかれ、露出面13aの一部で有機発光インキ22が配置されず発光層形成領域17内の一部に塗布ムラが生じる場合がある。しかしながら、隔壁15の対向面15aと画素領域14との間には絶縁層13の露出面13aの分だけ間隔があるため、画素領域14には対向面15a上の撥液層18による影響を受けることなく、画素領域14の全面に有機発光インキ22を配置することができる。よって、画素領域14には有機発光層23を欠陥が生じることなく形成することができる。
Further, the organic
本実施形態によれば、画素領域14への有機発光インキ22を塗布した際の塗布性が改善され、有機発光インキ22の塗布不良を大幅に改善することができる。よって、基板11上の所定の領域における膜欠損を抑制し、低コストで且つ簡便な手法で均一な有機発光層23を形成することができ、発光面における発光むらが低減された発光特性に優れた有機EL装置を実現することができる。
According to the present embodiment, the coating property when the organic
<G>陰極形成工程
図1−8に示すように、有機発光層23の表面上に陰極24を形成する。陰極24は、後述のいずれかの材料を用い、真空蒸着法、スパッタリング法、CVD法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法、および金属薄膜を圧着するラミネート法などにより形成する。
<G> Cathode Formation Step As shown in FIG. 1-8, the
陰極24を形成した後、基本構造として陽極12−有機発光層23−陰極24を有してなる発光機能部25を保護するために、上部封止膜(不図示)を形成する。この上部封止膜は、必要に応じて、少なくとも一つの無機層と少なくとも一つの有機層とから構成する。これらの積層数は、必要に応じて決定し、基本的には、無機層と有機層は交互に積層する。
After the
本実施形態に係る有機EL装置の製造方法の特徴は、上述のように、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子をそれぞれ区画する隔壁を基板形成する隔壁形成工程と、前記基板の厚み方向のうちの、前記有機エレクトロルミネッセンス素子が搭載される側から、前記隔壁が形成された基板の表面を撥液処理する撥液処理工程と、前記撥液処理された隔壁よりも、有機発光層を形成するための有機発光材料を含むインキに対して高い親液性を有する親液性下地層を前記第1電極上に形成する親液性下地層形成工程と、有機溶媒によって前記親液性下地層を表面処理する表面処理工程とからなることにある。これらの各工程の詳細は、上述の通りである。 As described above, the feature of the method for manufacturing the organic EL device according to the present embodiment is that the partition wall forming step of forming a partition wall for partitioning a plurality of organic electroluminescence elements, and the thickness direction of the substrate, A liquid repellent treatment step for performing a liquid repellent treatment on the surface of the substrate on which the partition is formed from the side on which the organic electroluminescence element is mounted, and an organic layer for forming an organic light emitting layer rather than the partition subjected to the liquid repellent treatment A lyophilic underlayer forming step for forming a lyophilic underlayer having high lyophilicity with respect to the ink containing the light emitting material on the first electrode, and surface treatment of the lyophilic underlayer with an organic solvent. A surface treatment step. The details of each of these steps are as described above.
従って、以上説明した本実施形態に係る有機EL装置の製造方法によれば、画素領域への有機発光インキを塗布した際の塗布性が改善され、有機発光インキの塗布不良を大幅に改善することができる。よって、簡便な手法で膜厚が均一な有機発光層を所定の画素領域に形成することができ、発光むらが低減され、発光特性に優れた有機EL装置を実現することができる。
したがって、本発明の有機EL装置は、バックライトおよびスキャナ等の光源としての面状光源、照明装置、表示装置等として好適に用いることができる。
Therefore, according to the manufacturing method of the organic EL device according to the present embodiment described above, the coating property when the organic light emitting ink is applied to the pixel region is improved, and the application failure of the organic light emitting ink is greatly improved. Can do. Therefore, an organic light emitting layer having a uniform film thickness can be formed in a predetermined pixel region by a simple method, and an organic EL device with excellent light emission characteristics can be realized with reduced light emission unevenness.
Therefore, the organic EL device of the present invention can be suitably used as a planar light source, a lighting device, a display device, or the like as a light source such as a backlight and a scanner.
次に、上述した有機EL装置の製造方法により作製される有機EL装置の各構成について説明する。 Next, each configuration of the organic EL device manufactured by the above-described method for manufacturing an organic EL device will be described.
<a>基板
基板としては、有機EL装置を形成する工程において変化しないものであればよく、リジッド基板でも、フレキシブル基板でもよく、例えば、ガラス板、プラスチック板、高分子フィルムおよびシリコン板、並びにこれらを積層した積層板などが好適に用いられる。さらに、プラスチック、高分子フィルムなどに低透水化処理を施したものを用いることもできる。前記基板としては、市販のものが使用可能である。また前記基板を公知の方法により製造することもできる。
<a> Substrate Any substrate may be used as long as it does not change in the process of forming the organic EL device, and may be a rigid substrate or a flexible substrate. For example, a glass plate, a plastic plate, a polymer film, a silicon plate, and these For example, a laminated board in which is laminated is preferably used. Further, a plastic, a polymer film or the like that has been subjected to a low water permeability treatment can also be used. A commercially available substrate can be used as the substrate. Moreover, the said board | substrate can also be manufactured by a well-known method.
有機発光層からの光を基板側から取出すボトムエミッション型の有機EL装置では、基板は、可視光領域の光の透過率が高いものが好適に用いられる。
なお、有機発光層からの光を陰極側から取出すトップエミッション型の有機EL装置では、基板は、透明のものでも、不透明のものでもよい。
In the bottom emission type organic EL device that extracts light from the organic light emitting layer from the substrate side, a substrate having a high light transmittance in the visible light region is preferably used.
In the top emission type organic EL device that takes out light from the organic light emitting layer from the cathode side, the substrate may be transparent or opaque.
<b>第1電極
第1電極は、陽極および陰極のうちのいずれか一方の電極であり、かつ他方の電極である第2電極よりも基板寄りに設けられるものである。本実施形態における第1電極は陽極であり、該陽極は、有機発光層からの光を透過させる透明電極であるが、他の形態として、陰極を透明な電極から構成した有機EL装置も可能である。陽極には、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物や金属の薄膜を用いることができ、透過率が高いものが好適に利用でき、発光層の構成材料に応じて適宜選択して用いることができる。透明な陽極の材料としては、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウムスズ酸化物(ITO:Indium Tin Oxide)、インジウム亜鉛酸化物(IZO:Indium Zinc Oxide)、金、白金、銀、銅等の薄膜が用いられる。これらの中でも、ITO、IZO、酸化スズが好ましい。
<B> First electrode The first electrode is one of an anode and a cathode, and is provided closer to the substrate than the second electrode which is the other electrode. The first electrode in the present embodiment is an anode, and the anode is a transparent electrode that transmits light from the organic light emitting layer. However, as another form, an organic EL device in which the cathode is formed of a transparent electrode is also possible. is there. As the anode, a metal oxide, metal sulfide or metal thin film having high electrical conductivity can be used, and a material having a high transmittance can be suitably used. The anode is appropriately selected according to the constituent material of the light emitting layer. be able to. Examples of transparent anode materials include indium oxide, zinc oxide, tin oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), gold, platinum, silver, and copper. A thin film such as is used. Among these, ITO, IZO, and tin oxide are preferable.
また、陽極の構成材料として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体等の有機物の透明導電膜を用いてもよい。 Further, as the constituent material of the anode, a transparent organic conductive film such as polyaniline or a derivative thereof, polythiophene or a derivative thereof may be used.
また、有機発光層への電荷注入を容易にするという観点から、前記陽極の有機発光層側の表面上に、フタロシアニン誘導体、ポリチオフェン誘導体等の導電性高分子、Mo酸化物、アモルファスカーボン、フッ化カーボン、ポリアミン化合物等の1nm以上、200nm以下の層、或いは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚10nm以下の層を設けてもよい。 In addition, from the viewpoint of facilitating charge injection into the organic light emitting layer, a conductive polymer such as a phthalocyanine derivative and a polythiophene derivative, Mo oxide, amorphous carbon, fluoride is formed on the surface of the anode on the organic light emitting layer side. A layer of 1 nm or more and 200 nm or less, such as carbon or a polyamine compound, or a layer having an average film thickness of 10 nm or less made of a metal oxide, a metal fluoride, an organic insulating material, or the like may be provided.
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して適宜選択することができ、例えば5nm以上、10μm以下であり、好ましくは10nm以上、1μm以下であり、より好ましくは20nm以上、500nm以下である。 The film thickness of the anode can be appropriately selected in consideration of light transmittance and electrical conductivity, and is, for example, 5 nm or more and 10 μm or less, preferably 10 nm or more and 1 μm or less, more preferably 20 nm or more. , 500 nm or less.
<c>絶縁層
絶縁層は、各有機EL素子間の電気絶縁性を確保するとともに、有機発光層が形成される画素領域を規定する。陽極を形成した後、通常、その上に絶縁層を形成し、さらにパターニングすることで、基板の厚み方向の一方から見て、有機発光層が形成される画素領域を区分けする。画素領域は、発光領域に相当する。
<C> Insulating layer The insulating layer ensures electrical insulation between the organic EL elements and defines a pixel region in which the organic light emitting layer is formed. After forming the anode, usually, an insulating layer is formed on the anode and further patterned, so that the pixel region where the organic light emitting layer is formed is divided as viewed from one side in the thickness direction of the substrate. The pixel area corresponds to a light emitting area.
絶縁層13は、SiO2、SiN等の無機絶縁材料を用いて形成される。また、絶縁層13は、後述の隔壁15と同様の材料を用いて形成するようにしてもよい。
The insulating
複数の有機EL素子を基板上に形成する場合、上記絶縁層のパターニングにより、各有機EL素子間の電気絶縁性を確保するとともに、発光領域を規定する。絶縁層の厚さは、通常、0.1μm以上、0.2μm以下に設定される。 When a plurality of organic EL elements are formed on a substrate, the insulating layer is patterned to ensure electrical insulation between the organic EL elements and to define a light emitting region. The thickness of the insulating layer is usually set to 0.1 μm or more and 0.2 μm or less.
<d>隔壁
隔壁は、有機発光層などの構成材料の塗布領域を規定する。絶縁層13を形成し、画素領域14を形成した後、陽極が形成された基板上に感光性材料を塗布してフォトレジスト膜を積層する。次に、このフォトレジスト膜を、フォトリソグラフィーにより格子状にパターニングして絶縁性隔壁が形成される。
<D> Partition The partition defines an application region of a constituent material such as an organic light emitting layer. After the insulating
上記隔壁15を形成する絶縁性の感光性材料(フォトレジスト組成物)は、上述の通り、ポジ型レジスト、ネガ型レジストのどちらであってもよい。隔壁15を構成する感光性材料(フォトレジスト組成物)についても、上述の通り、ポリイミド系、アクリル樹脂系、ノボラック樹脂系の各感光性化合物が用いられる。なお、この感光性材料には、有機EL素子の表示品位を上げる目的で、光遮光性を示す材料を含有させてもよい。
As described above, the insulating photosensitive material (photoresist composition) for forming the
隔壁15を形成するための感光性材料(フォトレジスト組成物)は、上述の通り、スピンコーター、バーコーター、ロールコーター、ダイコーター、グラビアコーター、スリットコーター等を用いたコーティング法により塗布することができる。塗布膜は、硬化後、慣用のフォトリソグラフィーを用いて、所望寸法の格子状にパターニングする。
As described above, the photosensitive material (photoresist composition) for forming the
<e>撥液層
撥液層は、隔壁を形成することにより発光層形成領域が区分けされた基板を撥液処理することにより隔壁表面に形成される層である。撥液層は、フッ素系ガスを用いたプラズマ処理、又は基板上に撥液性を有する材料を塗布する処理により形成される。係る構成によれば、撥液処理を施す面が有機物から成る場合には、上記フッ素系ガスを用いたプラズマ処理及び撥液性材料を塗布する処理の両方から選択可能となる。また、撥液処理を施す面が金属又は金属酸化物等の無機物からなる場合には、フッ素系ガスを用いたプラズマ処理では表面がフッ素化され難く撥液性を付与し難いので、撥液性材料の塗布処理により撥液処理を実施することができる。
<E> Liquid-repellent layer The liquid-repellent layer is a layer formed on the surface of the partition wall by subjecting the substrate on which the light emitting layer forming region is divided by forming the partition wall to liquid-repellent treatment. The liquid repellent layer is formed by a plasma process using a fluorine-based gas or a process of applying a liquid repellent material on the substrate. According to such a configuration, when the surface subjected to the liquid repellent treatment is made of an organic material, it is possible to select from both the plasma treatment using the fluorine-based gas and the treatment for applying the liquid repellent material. In addition, when the surface to be subjected to the liquid repellent treatment is made of an inorganic material such as metal or metal oxide, the surface is hardly fluorinated by the plasma treatment using a fluorine-based gas, so that the liquid repellent property is difficult to impart. The liquid repellent treatment can be carried out by applying the material.
本実施形態では、撥液処理を施す隔壁15は有機物から成り、陽極12、絶縁層13が金属又は金属酸化物等の無機物から成るため、隔壁15表面を撥液処理する際、隔壁15表面に撥液層18を形成し、陽極12、絶縁層13に撥液層18が形成されないようにするため、撥液処理としてフッ素系ガスを用いたプラズマ処理を用いて撥液層18を形成する。図1−3〜図1−8において、撥液層18は、上述の通り、撥液処理が施された隔壁15の表面の状態を表しており、プラズマ処理を用いる場合、実際には、層を形成するまでに至っておらず表面処理された状態であるが、図示の便宜上、層として表している。また、プラズマ処理を用いず、撥液性を有する材料を塗布する方法を用いる場合には、層が形成される。
In this embodiment, the
<f>親液性下地層
親液性下地層は、有機発光層の陽極側の表面に接して設けられ、有機発光層が塗布法により均一に形成される役割を果たす層であり、有機発光インキに対して親液性を有する。
<F> Lipophilic underlayer The lyophilic underlayer is a layer that is provided in contact with the surface of the organic light emitting layer on the anode side, and serves to form the organic light emitting layer uniformly by a coating method. Has lyophilicity to ink.
また、発光層形成領域17においては、必要に応じて、陽極12と有機発光層23との間に、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層などの層が設けられる。本実施形態において陽極12と有機発光層23の間に設けられる親液性下地層19は、上記正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層などの層の少なくとも一つとして機能する。
In the light emitting
<f−1>親液性下地層の材料
また、本実施形態において、親液性下地層は、無機物系材料や有機物系材料を使用することができ、特に限定されない。
無機物系材料としては、金属の酸化物又は金属の複合化物が好ましく、具体的には、酸化タングステン、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム、酸化ニッケル、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムを挙げることができる。
有機物系材料としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層に用いられる有機材料などの、有機発光インキに対して不溶な有機材料を挙げることができる。
<F-1> Material of the lyophilic underlayer Further, in the present embodiment, the lyophilic underlayer can use an inorganic material or an organic material, and is not particularly limited.
As the inorganic material, a metal oxide or a metal composite is preferable. Specific examples include tungsten oxide, vanadium oxide, molybdenum oxide, ruthenium oxide, aluminum oxide, nickel oxide, barium titanate, and strontium titanate. be able to.
Examples of the organic material include organic materials that are insoluble in organic light-emitting inks, such as organic materials used for a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, and an electron transport layer.
<f−2>親液性下地層の形成方法
本実施形態において、親液性下地層は発光層形成領域17上の陽極12と絶縁層13の表面に直接形成する。
<F-2> Method for Forming Lipophilic Underlayer In the present embodiment, the lyophilic underlayer is formed directly on the surface of the
該親液性下地層19を形成する工程では、親液性下地層19を乾式方法により形成する。親液性下地層19を、塗布法ではなく、乾式方法により形成することによって、親液性下地層19を形成する面の塗れ性に影響されずに親液性下地層19を形成することができる。乾式方法としては、蒸着法,スパッタリング法,CVD法等の一般的な手法が使用可能である。また、乾式方法により親液性下地層をパターン形成する方法には、例えば、成膜領域が開口部となっているマスクを使用する方法を採用することができる。
In the step of forming the
<g>表面処理層
表面処理層は、親液性下地層と有機発光層との間に設けられ、基板上の親液性下地層の表面に有機溶媒を接触させ、乾燥させることで形成される層である。図1−5に示すように、表面処理層21は親液性下地層19の表面を有機溶媒によって表面処理することで形成されるものであり、上述の通り、図1−5〜図1−8においては、実際には、層を形成するまでに至っておらず表面処理された状態であるが、図示の便宜上、層として表している。
表面処理層も、親液性下地層と同様に、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層などの層の少なくとも一つとして機能する。
<G> Surface treatment layer The surface treatment layer is provided between the lyophilic underlayer and the organic light emitting layer, and is formed by bringing an organic solvent into contact with the surface of the lyophilic underlayer on the substrate and drying it. Layer. As shown in FIG. 1-5, the
The surface treatment layer also functions as at least one of a layer such as a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron block layer, like the lyophilic underlayer.
使用する有機溶媒としては、上述の通り、インキ用溶媒の一種もしくは二種以上であることが好ましく、インキ用溶媒の中でも、後述の有機発光材料用の溶媒の一種もしくは二種以上であることがさらに好ましい。かかる有機発光材料用の溶媒の具体例としては、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等、またはこれらの混合溶媒が挙げられ、アニソールが好ましい。 As described above, the organic solvent to be used is preferably one or two or more types of ink solvents, and among the ink solvents, it may be one or more types of solvents for organic light-emitting materials described below. Further preferred. Specific examples of the solvent for the organic light emitting material include toluene, xylene, acetone, anisole, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, and a mixed solvent thereof, and anisole is preferable.
<h>有機発光層
発光層は、発光材料を含む層であり、有機発光層は、発光材料として有機化合物を含む層である。通常、有機発光層には、主として蛍光および/または燐光を発光する有機物(低分子化合物および/または高分子化合物)が含まれる。発光層を形成する材料のうちで、この蛍光および/または燐光を発光する有機化合物として用いられる低分子化合物(発光性低分子有機化合物という場合がある)および高分子化合物(発光性高分子有機化合物という場合がある)が発光材料として用いられる。なお、本明細書において、高分子とは、ポリスチレン換算の数平均分子量が103以上の化合物である。本発明に関し、上限を規定する特段の理由はないが、通常、ポリスチレン換算の数平均分子量は108以下である。また、有機発光層は、さらにドーパント材料を含んでいてもよい。本発明において用いることができる有機発光層を形成する材料としては、例えば、以下の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料、およびドーパント材料などが挙げられる。なお、陽極と陰極との間には、有機発光層を一つしか含んでいないが、複数の有機発光層を有するようにしてもよい。
<H> Organic Light Emitting Layer The light emitting layer is a layer containing a light emitting material, and the organic light emitting layer is a layer containing an organic compound as the light emitting material. Usually, the organic light emitting layer contains an organic substance (low molecular compound and / or high molecular compound) that mainly emits fluorescence and / or phosphorescence. Among the materials forming the light emitting layer, low molecular compounds (sometimes referred to as light emitting low molecular organic compounds) and high molecular compounds (light emitting high molecular organic compounds) used as organic compounds that emit fluorescence and / or phosphorescence. May be used as the light-emitting material. In the present specification, the polymer is a compound having a polystyrene-equivalent number average molecular weight of 10 3 or more. In the present invention, there is no particular reason for defining the upper limit, but the number average molecular weight in terms of polystyrene is usually 10 8 or less. The organic light emitting layer may further contain a dopant material. Examples of the material for forming the organic light emitting layer that can be used in the present invention include the following dye-based materials, metal complex-based materials, polymer-based materials, and dopant materials. Although only one organic light emitting layer is included between the anode and the cathode, a plurality of organic light emitting layers may be provided.
<h−1>色素系材料
色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマーなどが挙げられる。
<H-1> Dye-type material Examples of the dye-type material include cyclopentamine derivatives, tetraphenylbutadiene derivative compounds, triphenylamine derivatives, oxadiazole derivatives, pyrazoloquinoline derivatives, distyrylbenzene derivatives, and distyrylarylene. Derivatives, pyrrole derivatives, thiophene ring compounds, pyridine ring compounds, perinone derivatives, perylene derivatives, oligothiophene derivatives, oxadiazole dimers, pyrazoline dimers, and the like.
<h−2>金属錯体系材料
金属錯体系材料としては、例えば、イリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体などを挙げることができる。さらに金属錯体系材料の他の例として、中心金属に、Al、Zn、Be、Irなど、またはTb、Eu、Dyなどの希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを有する金属錯体などを挙げることができる。
<H-2> Metal Complex Materials As metal complex materials, for example, metal complexes having light emission from triplet excited states such as iridium complexes and platinum complexes, aluminum quinolinol complexes, benzoquinolinol beryllium complexes, benzoxazolyls A zinc complex, a benzothiazole zinc complex, an azomethylzinc complex, a porphyrin zinc complex, a europium complex, etc. can be mentioned. Further, as another example of the metal complex material, the center metal has Al, Zn, Be, Ir or the like, or the rare earth metal such as Tb, Eu, Dy or the like, and the ligand is oxadiazole, thiadiazole, phenylpyridine. , Phenylbenzimidazole, metal complexes having a quinoline structure, and the like.
<h−3>高分子系材料
高分子系材料としては、例えば、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、チオフェン環化合物、上記色素体や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどが挙げられる。
上記発光性材料のうち、青色に発光する材料としては、例えば、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、およびそれらの重合体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体やポリフルオレン誘導体などが好ましい。
また、緑色に発光する材料としては、例えば、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。
また、赤色に発光する材料としては、例えば、クマリン誘導体、チオフェン環化合物、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることが出来る。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。
<H-3> Polymeric material Examples of the polymeric material include polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polysilane derivatives, polyacetylene derivatives, polyfluorene derivatives, polyvinylcarbazole derivatives, quinacridone derivatives, and coumarins. Derivatives, thiophene ring compounds, those obtained by polymerizing the above dye bodies and metal complex light emitting materials, and the like.
Among the above light-emitting materials, examples of materials that emit blue light include distyrylarylene derivatives, oxadiazole derivatives, and polymers thereof, polyvinylcarbazole derivatives, polyparaphenylene derivatives, and polyfluorene derivatives. it can. Of these, polymer materials such as polyvinyl carbazole derivatives, polyparaphenylene derivatives, and polyfluorene derivatives are preferred.
Examples of materials that emit green light include quinacridone derivatives, coumarin derivatives, and polymers thereof, polyparaphenylene vinylene derivatives, polyfluorene derivatives, and the like. Of these, polymer materials such as polyparaphenylene vinylene derivatives and polyfluorene derivatives are preferred.
Examples of materials that emit red light include coumarin derivatives, thiophene ring compounds, and polymers thereof, polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, and polyfluorene derivatives. Among these, polymer materials such as polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, and polyfluorene derivatives are preferable.
<h−4>ドーパント材料
発光層中に発光効率の向上や発光波長を変化させるなどの目的で、ドーパントを添加してもよい。このようなドーパントとしては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどを挙げることができる。なお、このような発光層の厚さは、通常約2nm以上、2000nm以下である。
<H-4> Dopant material A dopant may be added to the light emitting layer for the purpose of improving the light emission efficiency or changing the light emission wavelength. Examples of such dopants include perylene derivatives, coumarin derivatives, rubrene derivatives, quinacridone derivatives, squalium derivatives, porphyrin derivatives, styryl dyes, tetracene derivatives, pyrazolone derivatives, decacyclene, phenoxazone, and the like. In addition, the thickness of such a light emitting layer is usually about 2 nm or more and 2000 nm or less.
<h−5>有機発光層の成膜方法
有機発光層の成膜方法としては、上述の通り、有機発光層が積層される下地層上に発光材料を含む溶液を塗布する方法を用いることができる。溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、発光層を主に構成する発光材料を溶解するものであればよく、例えば、水、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒を挙げることができる。
<H-5> Method for Forming Organic Light-Emitting Layer As a method for forming an organic light-emitting layer, as described above, a method of applying a solution containing a light-emitting material on an underlayer on which the organic light-emitting layer is laminated is used. it can. The solvent used for film formation from a solution is not particularly limited as long as it can dissolve the light-emitting material mainly constituting the light-emitting layer. For example, water, chlorine-based solvents such as chloroform, methylene chloride, and dichloroethane, and ethers such as tetrahydrofuran. And solvent solvents, aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene, ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, and ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, and ethyl cellosolve acetate.
また陽極と陰極との間には、必要に応じて有機発光層以外の層を有している場合がある。有機発光層を基準にして陽極側に設けられる層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層などを挙げることができる。
また有機発光層を基準にして陰極側に設けられる層としては、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層などを挙げることができる。
これら正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層については、後述する。
Further, a layer other than the organic light emitting layer may be provided between the anode and the cathode as necessary. Examples of the layer provided on the anode side with respect to the organic light emitting layer include a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron block layer.
Examples of the layer provided on the cathode side with respect to the organic light emitting layer include an electron injection layer, an electron transport layer, and a hole blocking layer.
These hole injection layer, hole transport layer, electron block layer, electron injection layer, electron transport layer, and hole block layer will be described later.
<i>第2電極
第2電極は、陽極および陰極のうちの他方の電極である。本実施形態における第2電極は陰極24であり、陰極の材料としては、仕事関数が小さく、有機発光層への電子注入が容易な材料が好ましい。また陰極の材料としては電気伝導度が高く、可視光反射率の高い材料が好ましい。かかる陰極材料としては、具体的には、金属、金属酸化物、合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物、酸化亜鉛(ZnO)等の無機半導体などを挙げることができる。
<I> Second electrode The second electrode is the other of the anode and the cathode. The second electrode in the present embodiment is the
上記金属としては、アルカリ金属やアルカリ土類金属、遷移金属や周期表の13族金属等を用いることができる。これら金属の具体的例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等を挙げることができる。
As the metal, an alkali metal, an alkaline earth metal, a transition metal, a
また、合金としては、上記金属の少なくとも一種を含む合金を挙げることができ、具体的には、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等を挙げることができる。 Examples of the alloy include an alloy containing at least one of the above metals. Specifically, a magnesium-silver alloy, a magnesium-indium alloy, a magnesium-aluminum alloy, an indium-silver alloy, a lithium-aluminum alloy, Examples thereof include a lithium-magnesium alloy, a lithium-indium alloy, and a calcium-aluminum alloy.
陰極は、例えば、陰極側から光を取出す場合などのように、必要に応じて光透過性を有する電極とされる。このような光透過性を有する陰極の材料としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、IZOなどの導電性金属酸化物、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの導電性有機物を挙げることができる。 The cathode is an electrode having optical transparency as required, for example, when light is taken out from the cathode side. Examples of such light-transmitting cathode materials include conductive metal oxides such as indium oxide, zinc oxide, tin oxide, ITO and IZO, and conductive organic materials such as polyaniline or derivatives thereof, polythiophene or derivatives thereof. be able to.
なお、陰極を2層以上の積層構造としてもよい。また、電子注入層が陰極として用いられる場合もある。 Note that the cathode may have a laminated structure of two or more layers. Moreover, an electron injection layer may be used as a cathode.
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば10nm以上、10μm以下であり、好ましくは20nm以上、1μm以下であり、さらに好ましくは50nm以上、500nm以下である。 The thickness of the cathode can be appropriately selected in consideration of electric conductivity and durability, but is, for example, 10 nm or more and 10 μm or less, preferably 20 nm or more and 1 μm or less, more preferably 50 nm or more, 500 nm or less.
陰極を形成させる方法としては、上述の通り、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が挙げられる。なお、陰極を2層以上の積層構造としてもよい。 Examples of the method for forming the cathode include a vacuum deposition method, a sputtering method, and a laminating method in which a metal thin film is thermocompression bonded as described above. Note that the cathode may have a laminated structure of two or more layers.
<j>保護膜
上述のように陰極24が形成された後、基本構造として(陽極)−(陽極と有機発光層との間の層)−(有機発光層)−(陰極)を有してなる発光機能部25を保護するために、該発光機能部25を封止する保護膜(上部封止膜)が形成される。この保護膜は、通常、少なくとも一つの無機層と少なくとも一つの有機層を有する。積層数は、必要に応じて決定され、基本的には、無機層と有機層は交互に積層される。
<J> Protective Film After the
なお、プラスチック基板はガラス基板に比べて、ガスおよび液体の透過性が高く、また有機発光層などの発光物質は酸化されやすく、水と接触することにより劣化しやすいため、前記基板としてプラスチック基板が用いられる場合には、基板および保護膜により発光機能部が被包されていても経時変化し易いので、プラスチック基板上にガスおよび液体に対するバリア性の高い下部封止膜を積層し、その後、この下部封止膜の上に上記発光機能部を積層する。この下部封止膜は、通常、上記保護膜(上部封止膜)と同様の構成、同様の材料にて形成される。 Note that a plastic substrate is higher in gas and liquid permeability than a glass substrate, and a light emitting substance such as an organic light emitting layer is easily oxidized and deteriorated by contact with water. When used, even if the light emitting function part is encapsulated by the substrate and the protective film, it is easy to change over time. Therefore, a lower sealing film having a high barrier property against gas and liquid is laminated on the plastic substrate, and then this The light emitting function part is laminated on the lower sealing film. This lower sealing film is usually formed with the same configuration and the same material as the protective film (upper sealing film).
<k>陽極と有機発光層との間に設けられる層
本実施形態において、陽極と有機発光層との間には、必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層等が設けられる。
<K> Layer provided between anode and organic light emitting layer In this embodiment, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, etc. are provided between the anode and the organic light emitting layer as necessary. Provided.
正孔注入層とは、陽極からの正孔注入効率を改善する機能を有する層である。正孔輸送層とは、陽極、正孔注入層または陽極により近い正孔輸送層らの正孔注入を改善する機能を有する層である。電子ブロック層とは、電子の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお正孔注入層および/または正孔輸送層が電子の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が電子ブロック層を兼ねることがある。電子ブロック層が電子の輸送を堰き止める機能を有することは、例えば、電子電流のみを流す素子を作製し、その電流値の減少で堰き止める効果を確認することが可能である。 The hole injection layer is a layer having a function of improving hole injection efficiency from the anode. The hole transport layer is a layer having a function of improving hole injection from an anode, a hole injection layer, or a hole transport layer closer to the anode. The electron blocking layer is a layer having a function of blocking electron transport. When the hole injection layer and / or the hole transport layer has a function of blocking electron transport, these layers may also serve as an electron blocking layer. The fact that the electron blocking layer has a function of blocking electron transport makes it possible, for example, to produce an element that allows only electron current to flow and confirm the blocking effect by reducing the current value.
<k−1>正孔注入層
正孔注入層は、上述のように、陽極と正孔輸送層との間、または陽極と有機発光層との間に設けることができる。正孔注入層を構成する材料としては、該正孔注入層の一方の表面、および他方の表面に隣接して設けられる2層の各イオン化ポテンシャルの間となるイオン化ポテンシャルを有する材料が好ましい。具体的には、陽極12のイオン化ポテンシャルと有機発光層23の陽極12側の表面部のイオン化ポテンシャルとの間となるイオン化ポテンシャルを有する材料などである。例えば、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、酸化バナジウム、酸化タンタル、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。
<K-1> Hole Injection Layer The hole injection layer can be provided between the anode and the hole transport layer or between the anode and the organic light emitting layer as described above. As a material constituting the hole injection layer, a material having an ionization potential between one surface of the hole injection layer and two layers provided adjacent to the other surface is preferable. Specifically, the material has an ionization potential that is between the ionization potential of the
正孔注入層の成膜方法としては、上述の有機発光層を成膜する方法と同様の方法によって形成することができる。具体的には、有機発光層を主に構成する発光材料を溶解する溶媒と同様の溶媒に、正孔注入層となる材料(正孔注入材料)を溶解した塗布液を、上述の有機発光層を形成する際に用いる塗布法によって塗布することで成膜することができる。 As a method for forming the hole injection layer, it can be formed by a method similar to the method for forming the organic light emitting layer described above. Specifically, a coating solution in which a material to be a hole injection layer (a hole injection material) is dissolved in a solvent similar to a solvent for dissolving a light emitting material mainly constituting the organic light emitting layer is used. It can form into a film by apply | coating with the application | coating method used when forming.
また正孔注入層の厚みとしては、5nm以上、300nm以下程度であることが好ましい。この厚みが5nm未満では、製造が困難になる傾向があり、他方、300nmを超えると、駆動電圧、および正孔注入層に印加される電圧が大きくなる傾向となる。 The thickness of the hole injection layer is preferably about 5 nm to 300 nm. If the thickness is less than 5 nm, the production tends to be difficult. On the other hand, if the thickness exceeds 300 nm, the driving voltage and the voltage applied to the hole injection layer tend to increase.
<k−2>正孔輸送層
正孔輸送層を構成する材料としては、特に制限はないが、例えば、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチルフェニル)4,4’−ジアミノビフェニル(TPD)、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(NPB)等の芳香族アミン誘導体、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリアリールアミンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)もしくはその誘導体、またはポリ(2,5−チエニレンビニレン)もしくはその誘導体などが例示される。
<K-2> Hole transport layer The material constituting the hole transport layer is not particularly limited. For example, N, N'-diphenyl-N, N'-di (3-methylphenyl) 4,4 Aromatic amine derivatives such as' -diaminobiphenyl (TPD), 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPB), polyvinylcarbazole or derivatives thereof, polysilane or derivatives thereof, Polysiloxane derivative having aromatic amine compound group in side chain or main chain, pyrazoline derivative, arylamine derivative, stilbene derivative, triphenyldiamine derivative, polyaniline or derivative thereof, polythiophene or derivative thereof, polyarylamine or derivative thereof, polypyrrole Or its derivatives, poly (p-phenylene vinylene) Properly derivative thereof or a poly (2,5-thienylene vinylene) or derivatives thereof is illustrated.
これらの中でも、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリアリールアミンもしくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)もしくはその誘導体、またはポリ(2,5−チエニレンビニレン)もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。 Among these, as the hole transport material used for the hole transport layer, polyvinyl carbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, a polysiloxane derivative having an aromatic amine compound group in a side chain or a main chain, polyaniline or a derivative thereof, Polymeric hole transport materials such as polythiophene or derivatives thereof, polyarylamine or derivatives thereof, poly (p-phenylene vinylene) or derivatives thereof, or poly (2,5-thienylene vinylene) or derivatives thereof are preferred, and more preferred Is polyvinyl carbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, and a polysiloxane derivative having an aromatic amine in the side chain or main chain. In the case of a low-molecular hole transport material, it is preferably used by being dispersed in a polymer binder.
正孔輸送層の成膜方法としては、特に制限はないが、低分子の正孔輸送材料では、高分子バインダーと正孔輸送材料とを含む混合液からの成膜を挙げることができ、高分子の正孔輸送材料では、正孔輸送材料を含む溶液からの成膜を挙げることができる。 The method for forming the hole transport layer is not particularly limited, but in the case of a low molecular hole transport material, film formation from a mixed solution containing a polymer binder and a hole transport material can be exemplified. Examples of molecular hole transport materials include film formation from a solution containing a hole transport material.
溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はなく、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒などを挙げることができる。
溶液からの成膜方法としては、前述した正孔注入層の成膜法と同様の塗布法を挙げることができる。
The solvent used for film formation from a solution is not particularly limited as long as it can dissolve a hole transport material. Chlorine solvents such as chloroform, methylene chloride, dichloroethane, ether solvents such as tetrahydrofuran, toluene, xylene And aromatic hydrocarbon solvents such as acetone, ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, and ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, and ethyl cellosolve acetate.
Examples of the film forming method from a solution include the same coating method as the above-described film forming method of the hole injection layer.
混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収の弱いものが好適に用いられ、例えばポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンなどを挙げることができる。 As the polymer binder to be mixed, those that do not extremely inhibit charge transport are preferable, and those that weakly absorb visible light are preferably used. For example, polycarbonate, polyacrylate, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polystyrene, poly Examples thereof include vinyl chloride and polysiloxane.
正孔輸送層の厚みは、特に制限されないが、目的とする設計に応じて適宜変更することができ、1nm以上、1000nm以下程度であることが好ましい。この厚みが前記下限値未満となると、製造が困難になる。または正孔輸送の効果が十分に得られないなどの傾向があり、他方、前記上限値を超えると、駆動電圧および正孔輸送層に印加される電圧が大きくなる傾向がある。したがって、正孔輸送層の厚みは、上述のように、好ましくは、1nm以上、1000nm以下であるが、より好ましくは、2nm以上、500nm以下であり、さらに好ましくは、5nm以上、200nm以下である。 The thickness of the hole transport layer is not particularly limited, but can be appropriately changed according to the intended design, and is preferably about 1 nm or more and 1000 nm or less. When this thickness is less than the lower limit, production becomes difficult. Or, there is a tendency that the effect of hole transport is not sufficiently obtained. On the other hand, when the upper limit is exceeded, the driving voltage and the voltage applied to the hole transport layer tend to increase. Therefore, as described above, the thickness of the hole transport layer is preferably 1 nm or more and 1000 nm or less, more preferably 2 nm or more and 500 nm or less, and further preferably 5 nm or more and 200 nm or less. .
<k−3>電子ブロック層
電子ブロック層は、電子の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお正孔注入層および/または正孔輸送層が電子の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が電子ブロック層を兼ねることがある。
電子ブロック層が電子の輸送を堰き止める機能を有することは、例えば、電子電流のみを流す素子を作製し、その電流値の減少で堰き止める効果を確認することが可能である。
電子ブロック層としては、例えば上記正孔注入層または正孔輸送層の材料として例示した各種材料を用い得る。
<K-3> Electron block layer The electron block layer is a layer having a function of blocking electron transport. When the hole injection layer and / or the hole transport layer has a function of blocking electron transport, these layers may also serve as an electron blocking layer.
The fact that the electron blocking layer has a function of blocking electron transport makes it possible, for example, to produce an element that allows only electron current to flow and confirm the blocking effect by reducing the current value.
As an electron block layer, the various materials illustrated as a material of the said positive hole injection layer or a positive hole transport layer, for example can be used.
本実施形態の有機EL装置は、有機発光層からの光を透明な陽極を透過させて透明な基板から外部へ出射するボトムエミッション型の素子であったが、有機発光層からの光を透明な陰極を透過させて透明な保護層から外部へ出射するトップエミッション型の他の形態についても、本発明は同様に適用することができる。 The organic EL device according to this embodiment is a bottom emission type element that transmits light from the organic light emitting layer through the transparent anode and emits the light from the transparent substrate to the outside. However, the light from the organic light emitting layer is transparent. The present invention can be similarly applied to other forms of the top emission type in which the cathode is transmitted and emitted from the transparent protective layer to the outside.
上記他の実施形態では、有機発光層からの光を透過させる透明な陰極には、例えば陽極として例示した金属薄膜を透明陰極として用いることができる。なお透明陰極に用いられる金属薄膜は、光が透過可能な程度に薄膜に形成されるので、シート抵抗が高くなる。したがって、透明陰極は、金属薄膜状にITO薄膜などの透明電極を積層させた積層体によって構成されることが好ましい。また、陽極と基板との間に、例えば銀などの反射率の高い反射膜を設けることが好ましく、このような反射膜を設けることによって、基板側に向かう光を透明陰極側に反射することができ、光の取出し効率を向上させることができる。 In said other embodiment, the metal thin film illustrated as an anode can be used as a transparent cathode for the transparent cathode which permeate | transmits the light from an organic light emitting layer, for example. In addition, since the metal thin film used for the transparent cathode is formed into a thin film to such an extent that light can be transmitted, the sheet resistance is increased. Therefore, the transparent cathode is preferably composed of a laminate in which transparent electrodes such as ITO thin films are laminated in a metal thin film shape. Moreover, it is preferable to provide a reflective film having a high reflectance such as silver between the anode and the substrate, and by providing such a reflective film, light directed toward the substrate side can be reflected to the transparent cathode side. And the light extraction efficiency can be improved.
<製造された有機EL装置>
以上説明したような本発明の有機EL装置の製造方法により製造し得る有機EL装置10A(図1−8、参照)は、上記のようにして有機EL素子で構成された画素が複数実装された装置である。電気的配線、駆動手段等の設置については、通常の有機EL装置の製造における様々な態様を採用し得る。
<Manufactured organic EL device>
The
さらに本発明の製造方法により製造し得る有機EL装置は、バックライトおよびスキャナの光源としての面状光源、照明装置、表示装置の画素およびバックライトとして用いることができる。表示装置としては、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置などを挙げることができる。 Furthermore, the organic EL device that can be manufactured by the manufacturing method of the present invention can be used as a planar light source as a backlight and a light source of a scanner, a lighting device, a pixel of a display device, and a backlight. Examples of the display device include a segment display device, a dot matrix display device, and a liquid crystal display device.
[第2の実施形態]
本発明による第2の実施形態に係る有機EL装置の製造方法について説明する。
図3は、本発明の第2の実施形態に係る有機EL装置の製造方法により製造された有機EL装置の構成を示す断面図である。
本実施形態に係る有機EL装置の製造方法は、前記図1−8に示した第1の実施形態に係る有機EL装置の製造方法により製造された有機EL装置10Aの構成と略同様であるため、前記図1−8に示した第1の実施形態に係る有機EL装置10Aと同一構成には同一符号を付して重複した説明は省略する。
[Second Embodiment]
A method for manufacturing an organic EL device according to the second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a configuration of an organic EL device manufactured by the method for manufacturing an organic EL device according to the second embodiment of the present invention.
The manufacturing method of the organic EL device according to the present embodiment is substantially the same as the configuration of the
図3に示すように、本実施形態に係る有機EL装置の製造方法により製造される有機EL装置10Bは、前記図1−1〜図1−8に示した第1の実施形態に係る有機EL装置の製造方法の撥液処理工程と親液性下地層工程との順序を逆にして製造されたものであり、親液性下地層19を形成した後、撥液処理し撥液層18を形成するようにしたものある。有機EL装置10Bでは、上述の第1の実施形態に係る有機EL装置10Aと同様に、基板11上に陽極12側から陰極24方向に向かって、陽極12、親液性下地層19、表面処理層21、有機発光層23、陰極24の順で積層されている。
As shown in FIG. 3, the
本実施形態に係る有機EL装置の製造方法のように、撥液処理工程と親液性下地層形成工程との順序を逆にしても、有機発光インキの塗布不良を大幅に改善することができる。よって、本実施形態においても、第1の実施形態と同様に、簡便な手法で膜厚が均一な有機発光層を所定の画素領域に形成することができ、発光むらが低減され、発光特性に優れた有機EL装置を実現することができる。 Even if the order of the liquid repellent treatment step and the lyophilic underlayer forming step is reversed as in the method of manufacturing the organic EL device according to the present embodiment, it is possible to significantly improve the defective application of the organic light emitting ink. . Therefore, in the present embodiment, similarly to the first embodiment, an organic light emitting layer having a uniform film thickness can be formed in a predetermined pixel region by a simple method, light emission unevenness is reduced, and light emission characteristics are improved. An excellent organic EL device can be realized.
[第3の実施形態]
本発明による第3の実施形態に係る有機EL装置の製造方法について説明する。
図4は、本発明の第3の実施形態に係る有機EL装置の製造方法により製造された有機EL装置の構成を示す断面図である。
本実施形態に係る有機EL装置の製造方法は、前記図1−8に示した第1の実施形態に係る有機EL装置の製造方法により製造された有機EL装置10Aの構成と略同様であるため、前記図1−8に示した第1の実施形態に係る有機EL装置10Aと同一構成には同一符号を付して重複した説明は省略する。
[Third Embodiment]
A method for manufacturing an organic EL device according to the third embodiment of the present invention will be described.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a configuration of an organic EL device manufactured by the method for manufacturing an organic EL device according to the third embodiment of the present invention.
The manufacturing method of the organic EL device according to the present embodiment is substantially the same as the configuration of the
図4に示すように、本実施形態に係る有機EL装置の製造方法により製造される有機EL装置10Cは、前記図1−1〜図1−8に示した第1の実施形態に係る有機EL装置の製造方法の親液性下地層形成工程と表面処理工程との間に、正孔輸送層を形成する工程を加え、親液性下地層19と表面処理層21との間に正孔輸送層31を加えて製造されたものである。有機EL装置10Cでは、基板11上に陽極12側から陰極24方向に向かって、陽極12、親液性下地層19、正孔輸送層31、表面処理層21、有機発光層23、陰極24の順で積層されている。
As shown in FIG. 4, the
本実施形態に係る有機EL装置の製造方法のように、親液性下地層形成工程と表面処理工程との間に、正孔輸送層を形成する工程を加えても、有機発光インキの塗布不良を大幅に改善することができる。よって、本実施形態においても、第1の実施形態と同様に、簡便な手法で膜厚が均一な有機発光層を所定の画素領域に形成することができ、発光むらが低減され、発光特性に優れた有機EL装置を実現することができる。 Even if a step of forming a hole transport layer is added between the lyophilic underlayer forming step and the surface treatment step, as in the method of manufacturing the organic EL device according to the present embodiment, the organic light emitting ink is poorly applied. Can be greatly improved. Therefore, in the present embodiment, similarly to the first embodiment, an organic light emitting layer having a uniform film thickness can be formed in a predetermined pixel region by a simple method, light emission unevenness is reduced, and light emission characteristics are improved. An excellent organic EL device can be realized.
[第4の実施形態]
本発明による第4の実施形態に係る有機EL装置の製造方法について説明する。
図5は、本発明の第4の実施形態に係る有機EL装置の製造方法により製造された有機EL装置の構成を示す断面図である。
本実施形態に係る有機EL装置の製造方法は、前記図1−8に示した第1の実施形態に係る有機EL装置の製造方法により製造された有機EL装置10Aの構成と略同様であるため、前記図1−8に示した第1の実施形態に係る有機EL装置10Aと同一構成には同一符号を付して重複した説明は省略する。
[Fourth Embodiment]
A method for manufacturing an organic EL device according to the fourth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a configuration of an organic EL device manufactured by the method for manufacturing an organic EL device according to the fourth embodiment of the present invention.
The manufacturing method of the organic EL device according to the present embodiment is substantially the same as the configuration of the
図5に示すように、本実施形態に係る有機EL装置の製造方法により製造される有機EL装置10Dは、前記図1−1〜図1−8に示した第1の実施形態に係る有機EL装置の製造方法の有機発光層形成工程の後に、電子注入層を形成する工程を加え、有機発光層23の後に電子注入層32を加えて製造されたものである。有機EL装置10Dでは、基板11上に陽極12側から陰極24方向に向かって、陽極12、親液性下地層19、表面処理層21、有機発光層23、電子注入層32、陰極24の順で積層されている。
As shown in FIG. 5, the
<陰極と有機発光層との間に設けられる層>
有機発光層と陰極との間には、必要に応じて、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層等が設けられる。
<Layer provided between cathode and organic light emitting layer>
An electron injection layer, an electron transport layer, a hole blocking layer, and the like are provided between the organic light emitting layer and the cathode as necessary.
有機発光層と陰極との間に、一層のみが設けられる場合には、該層を電子注入層という。また有機発光層と陰極との間に電子注入層と電子輸送層との両方の層が設けられる場合、陰極に接する層を電子注入層といい、この電子注入層を除く層を電子輸送層という。
電子注入層とは、陰極からの電子注入効率を改善する機能を有する層である。
電子輸送層とは、陰極、電子注入層または陰極により近い電子輸送層からの電子注入を改善する機能を有する層である。
正孔ブロック層とは、正孔の輸送を堰き止める機能を有する層である。
なお電子注入層および/または電子輸送層が正孔の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が正孔ブロック層を兼ねることがある。
正孔ブロック層が正孔の輸送を堰き止める機能を有することは、例えばホール電流のみを流す素子を作製し、その電流値の減少で堰き止める効果を確認することが可能である。
When only one layer is provided between the organic light emitting layer and the cathode, the layer is referred to as an electron injection layer. When both the electron injection layer and the electron transport layer are provided between the organic light emitting layer and the cathode, the layer in contact with the cathode is referred to as the electron injection layer, and the layers other than the electron injection layer are referred to as the electron transport layer. .
The electron injection layer is a layer having a function of improving electron injection efficiency from the cathode.
The electron transport layer is a layer having a function of improving electron injection from the cathode, the electron injection layer, or the electron transport layer closer to the cathode.
The hole blocking layer is a layer having a function of blocking hole transport.
In the case where the electron injection layer and / or the electron transport layer have a function of blocking hole transport, these layers may also serve as the hole blocking layer.
The fact that the hole blocking layer has a function of blocking hole transport makes it possible, for example, to produce an element that allows only a hole current to flow, and confirm the blocking effect by reducing the current value.
<l−1>電子注入層
電子注入層は、先に述べたように、電子輸送層と陰極との間、または有機発光層と陰極との間に設けられる。電子注入層の材料としては、該電子注入層の一方の表面、および他方の表面に隣接して設けられる2層の各電子親和力の間となる電子親和力を有する材料が好ましい。具体的には、陰極24の電子親和力と有機発光層23の陰極24側の表面部の電子親和力との間となる電子親和力を有する材料などである。電子注入層としては、有機発光層の種類に応じて、例えば、アルカリ金属やアルカリ土類金属、あるいは前記金属を一種類以上含む合金、あるいは前記金属の酸化物、ハロゲン化物および炭酸化物、あるいは前記物質の混合物などが挙げられる。
<1-1> Electron Injection Layer As described above, the electron injection layer is provided between the electron transport layer and the cathode, or between the organic light emitting layer and the cathode. The material of the electron injection layer is preferably a material having an electron affinity that is between the electron affinity of one surface of the electron injection layer and two layers provided adjacent to the other surface. Specifically, it is a material having an electron affinity that is between the electron affinity of the
アルカリ金属またはその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウム等が挙げられる。 Examples of alkali metals or oxides, halides and carbonates thereof include lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, lithium oxide, lithium fluoride, sodium oxide, sodium fluoride, potassium oxide, potassium fluoride, rubidium oxide. , Rubidium fluoride, cesium oxide, cesium fluoride, lithium carbonate and the like.
前記アルカリ土類金属またはその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウムなどが挙げられる。 Examples of the alkaline earth metals or oxides, halides and carbonates thereof include magnesium, calcium, barium, strontium, magnesium oxide, magnesium fluoride, calcium oxide, calcium fluoride, barium oxide, barium fluoride, and oxide. Examples include strontium, strontium fluoride, and magnesium carbonate.
さらに金属、金属酸化物、金属塩をドーピングした有機金属化合物、および有機金属錯体化合物、またはこれらの混合物も、電子注入層の材料として用いることができる。 Furthermore, a metal, a metal oxide, an organometallic compound doped with a metal salt, an organometallic complex compound, or a mixture thereof can also be used as a material for the electron injection layer.
この電子注入層は、2層以上を積層した積層構造を有していても良い。具体的には、Li/Caなどが挙げられる。この電子注入層は、蒸着法、スパッタリング法、印刷法などにより形成される。
この電子注入層の膜厚としては、1nm以上、1μm以下程度が好ましい。
This electron injection layer may have a stacked structure in which two or more layers are stacked. Specifically, Li / Ca etc. are mentioned. This electron injection layer is formed by vapor deposition, sputtering, printing, or the like.
The thickness of the electron injection layer is preferably about 1 nm or more and 1 μm or less.
<l−2>電子輸送層
電子輸送層を形成する材料としては、公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または8−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体等が例示される。
<1-2> Electron Transport Layer As materials for forming the electron transport layer, known materials can be used, such as oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane or derivatives thereof, benzoquinones or derivatives thereof, naphthoquinones or derivatives thereof, anthraquinones or Derivatives thereof, tetracyanoanthraquinodimethane or derivatives thereof, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene or derivatives thereof, diphenoquinone derivatives, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof, polyquinoline or derivatives thereof, polyquinoxaline or derivatives thereof, poly Examples include fluorene or a derivative thereof.
これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、または8−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体が好ましく、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス(8−キノリノール)アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。 Of these, oxadiazole derivatives, benzoquinone or derivatives thereof, anthraquinones or derivatives thereof, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof, polyquinoline or derivatives thereof, polyquinoxaline or derivatives thereof, polyfluorene or derivatives thereof are preferred, 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, benzoquinone, anthraquinone, tris (8-quinolinol) aluminum, and polyquinoline are more preferable.
電子輸送層の成膜法としては、特に制限はないが、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液若しくは溶融状態からの成膜による方法などが例示される。また高分子電子輸送材料では、溶液または溶融状態からの成膜による方法などが例示される。
また溶液または溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。
溶液から電子輸送層を成膜する方法としては、前述の溶液から正孔注入層を成膜する方法と同様の成膜法が挙げられる。
Although there is no restriction | limiting in particular as the film-forming method of an electron carrying layer, In the low molecular electron transport material, the vacuum evaporation method from powder or the method by the film-forming from a solution or a molten state is illustrated. Examples of the polymer electron transport material include a method of film formation from a solution or a molten state.
Further, when forming a film from a solution or a molten state, a polymer binder may be used in combination.
Examples of the method for forming the electron transport layer from the solution include the same film formation method as the method for forming the hole injection layer from the above-described solution.
この電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択され、少なくともピンホールが発しないような厚さが必要であり、厚すぎると素子の駆動電圧が高くなるので好ましくない。従って、電子輸送層の膜厚としては、例えば1nm以上、1μm以下であり、好ましくは2nm以上、500nm以下であり、さらに好ましくは5nm以上、200nm以下である。 The film thickness of the electron transport layer varies depending on the material used, and is selected so that the driving voltage and the light emission efficiency are appropriate values. At least a thickness that does not cause pinholes is required. Too much is not preferable because the driving voltage of the element increases. Therefore, the thickness of the electron transport layer is, for example, 1 nm or more and 1 μm or less, preferably 2 nm or more and 500 nm or less, and more preferably 5 nm or more and 200 nm or less.
<l−3>正孔ブロック層
正孔ブロック層は、正孔の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお電子注入層および/または電子輸送層が正孔の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が正孔ブロック層を兼ねることがある。
正孔ブロック層が正孔の輸送を堰き止める機能を有することは、例えばホール電流のみを流す素子を作製し、その電流値の減少で堰き止める効果を確認することが可能である。
<L-3> Hole blocking layer The hole blocking layer is a layer having a function of blocking hole transport. In the case where the electron injection layer and / or the electron transport layer have a function of blocking hole transport, these layers may also serve as the hole blocking layer.
The fact that the hole blocking layer has a function of blocking hole transport makes it possible, for example, to produce an element that allows only a hole current to flow, and confirm the blocking effect by reducing the current value.
<m>陽極、陰極および有機発光層を含む発光機能部の層構成の組合せ
本発明の有機EL素子において、陽極12から陰極24までの層構成の組み合わせ例を以下に示す。
a)陽極/正孔注入層/有機発光層/陰極
b)陽極/正孔注入層/有機発光層/電子注入層/陰極
c)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/陰極
d)陽極/正孔注入層/有機発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
e)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子注入層/陰極
f)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(ここで、記号「/」は、記号「/」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。)
a)〜f)において、陽極と有機発光層との間に設けられる層の一層が親液性下地層である。
<M> Combination of Layer Configurations of Light-Emitting Functional Units Containing Anode, Cathode, and Organic Light-Emitting Layer In the organic EL device of the present invention, examples of combinations of layer configurations from the
a) Anode / hole injection layer / organic light emitting layer / cathode b) Anode / hole injection layer / organic light emitting layer / electron injection layer / cathode c) Anode / hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / Cathode d) anode / hole injection layer / organic light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode e) anode / hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron injection layer / cathode f) anode / Hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode (where the symbol “/” indicates that the layers sandwiching the symbol “/” are stacked adjacent to each other) The same shall apply hereinafter.)
In a) to f), one of the layers provided between the anode and the organic light emitting layer is a lyophilic underlayer.
図1−8などに示す実施形態では、1組の有機発光層を設けている。しかし、その変形例として、2組以上の有機発光層を重ねて設ける形態も採用し得る。ここで、上記(a)〜(f)の層構成のうちのいずれか1つにおいて、陽極と陰極とに挟持された部分の積層体を「繰り返し単位A」とすると、例えば下記(g)に示す層構成なども採用し得る。
g)陽極/(繰り返し単位A)/電荷発生層/(繰り返し単位A)/陰極
In the embodiment shown in FIGS. 1-8 and the like, a set of organic light emitting layers is provided. However, as a modification thereof, a mode in which two or more sets of organic light emitting layers are provided in an overlapping manner can be employed. Here, in any one of the layer configurations of (a) to (f) above, when the layered body sandwiched between the anode and the cathode is “repeating unit A”, for example, the following (g) The layer structure shown can also be employed.
g) Anode / (repeat unit A) / charge generation layer / (repeat unit A) / cathode
また3層以上の有機発光層を有する有機EL素子としては、「(繰り返し単位A)/電荷発生層」を「繰り返し単位B」とすると、例えば下記(h)に示す層構成などを挙げることができる。
h)陽極/(繰り返し単位B)n/(繰り返し単位A)/陰極
As an organic EL device having three or more organic light emitting layers, when “(repeating unit A) / charge generation layer” is “repeating unit B”, for example, the layer structure shown in (h) below can be cited. it can.
h) Anode / (Repeating unit B) n / (Repeating unit A) / Cathode
なお記号「n」は、2以上の整数を表し、(繰り返し単位B)nは、繰り返し単位Bがn層積層された積層体を表す。
上記層構成g)およびh)において、陽極、電荷発生層、陰極、有機発光層以外の各層は必要に応じて略してもよい。
The symbol “n” represents an integer of 2 or more. (Repeating unit B) n represents a laminate in which n layers of repeating units B are laminated.
In the layer configurations g) and h), the layers other than the anode, the charge generation layer, the cathode, and the organic light emitting layer may be omitted as necessary.
電荷発生層とは、電界を印加することにより、正孔と電子を発生する層である。電荷発生層としては、例えば酸化バナジウム、ITO、酸化モリブデンなどから成る薄膜を挙げることができる。 The charge generation layer is a layer that generates holes and electrons by applying an electric field. Examples of the charge generation layer include a thin film made of vanadium oxide, ITO, molybdenum oxide, or the like.
有機EL素子においては、通常基板側に陽極が配置されるが、基板側に陰極を配置するようにしてもよい。 In an organic EL element, an anode is usually disposed on the substrate side, but a cathode may be disposed on the substrate side.
なお正孔注入層および電子注入層を総称して電荷注入層ということがある。正孔輸送層および電子輸送層を総称して電荷輸送層ということがある。また電子ブロック層および正孔ブロック層を総称して電荷ブロック層ということがある。
電荷輸送層は、それぞれ独立に2層以上用いてもよい。
The hole injection layer and the electron injection layer are sometimes collectively referred to as a charge injection layer. The hole transport layer and the electron transport layer may be collectively referred to as a charge transport layer. In addition, the electron block layer and the hole block layer may be collectively referred to as a charge block layer.
Two or more charge transport layers may be used independently.
本実施形態の有機EL素子は、さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入性の改善のために、電極に隣接して膜厚2nm以下の絶縁層を設けてもよい。また界面での密着性向上や混合の防止などのために、前述した各層間に薄いバッファー層を挿入してもよい。 In the organic EL device of this embodiment, an insulating layer having a thickness of 2 nm or less may be provided adjacent to the electrode in order to further improve the adhesion with the electrode or improve the charge injection property from the electrode. In addition, a thin buffer layer may be inserted between each of the aforementioned layers in order to improve adhesion at the interface or prevent mixing.
本実施形態に係る有機EL装置の製造方法のように、有機発光層形成工程の後に、電子注入層を形成する工程を加えても、有機発光インキの塗布不良を大幅に改善することができる。よって、本実施形態においても、第1の実施形態と同様に、簡便な手法で膜厚が均一な有機発光層を所定の画素領域に形成することができ、発光むらが低減され、発光特性に優れた有機EL装置を実現することができる。 Even if the step of forming the electron injection layer is added after the step of forming the organic light emitting layer as in the method of manufacturing the organic EL device according to the present embodiment, the defective application of the organic light emitting ink can be greatly improved. Therefore, in the present embodiment, similarly to the first embodiment, an organic light emitting layer having a uniform film thickness can be formed in a predetermined pixel region by a simple method, light emission unevenness is reduced, and light emission characteristics are improved. An excellent organic EL device can be realized.
また本実施形態に係る有機EL装置の製造方法では、有機発光層と陰極との間に、電子注入層のみを形成する工程を加えているが、電子注入層を形成する工程の前に電子輸送層を形成する工程を加えるようにしてもよい。このとき、本実施形態に係る有機EL装置10Dは、基板11上に陽極12側から陰極24方向に向かって、陽極12、親液性下地層(正孔注入層)19、表面処理層21、有機発光層23、電子輸送層、電子注入層32、陰極24がこの順に積層されて構成される。
Further, in the method for manufacturing the organic EL device according to the present embodiment, a step of forming only the electron injection layer is added between the organic light emitting layer and the cathode, but electron transport is performed before the step of forming the electron injection layer. A step of forming a layer may be added. At this time, the
また電子注入層を形成する工程の他に、図4に示した第3の実施形態に係る有機EL装置の製造方法により製造された有機EL装置10Cと同様に、親液性下地層形成工程と表面処理工程との間に、正孔輸送層を形成する工程を加えるようにしてもよい。このとき、本実施形態に係る有機EL装置10Dは、基板11上に陽極12側から陰極24方向に向かって、陽極12、親液性下地層(正孔注入層)19、正孔輸送層31、表面処理層21、有機発光層23、電子注入層32、陰極24がこの順に積層されて構成される。
In addition to the step of forming the electron injection layer, the lyophilic underlayer forming step is similar to the
さらに電子注入層を形成する工程の他に、電子輸送層を形成する工程と、図4に示した第3の実施形態に係る有機EL装置の製造方法により製造された有機EL装置10Cと同様に、親液性下地層形成工程と表面処理工程との間に正孔輸送層を形成する工程とを加えて有機EL装置を製造するようにしてもよい。このとき、本実施形態に係る有機EL装置10Dは、基板11上に陽極12側から陰極24方向に向かって、陽極12、親液性下地層(正孔注入層)19、正孔輸送層31、表面処理層21、有機発光層23、電子輸送層、電子注入層32、陰極24がこの順で積層されて構成される。
Further, in addition to the step of forming the electron injection layer, the step of forming the electron transport layer and the
また、上記第1の実施形態に係る有機EL装置10Aの製造方法乃至第4の実施形態に係る有機EL装置10Dの製造方法では、基板11側に第1電極として陽極12を配置して積層される構成について説明したが、基板11側に第1電極として陰極24を配置して積層される構成も可能である。このとき、有機EL装置は、基板11上に陰極24側から陽極12方向に向かって、陰極(第1電極)24、親液性下地層(電子注入層)19、表面処理層21、有機発光層23、陽極(第2電極)12がこの順で積層されて構成される。
In addition, in the manufacturing method of the
以下、作製例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の作製例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described more specifically based on production examples and comparative examples, but the present invention is not limited to the following production examples.
以下の作製例1−1〜1−4及び比較例1では、有機発光層を形成するための親液性下地層を設けることによる効果を確認するために、有機発光インクの供給前に基板に対して隔壁が設置された側から有機溶媒によって処理する表面処理工程を行わず、陽極と有機発光層との間に親液性下地層を設けた積層構造の有機EL素子を製造した。 In the following Production Examples 1-1 to 1-4 and Comparative Example 1, in order to confirm the effect of providing the lyophilic underlayer for forming the organic light emitting layer, the substrate was supplied before supplying the organic light emitting ink. On the other hand, an organic EL element having a laminated structure in which a lyophilic underlayer was provided between the anode and the organic light emitting layer was manufactured without performing the surface treatment step of treating with an organic solvent from the side where the partition walls were installed.
(作製例1−1)
透明ガラス基板上に第1電極としてインジウムスズ酸化物(ITO)をパターニングした基板を準備した。
次に、ポジ型フォトレジスト(東京応化社製:OFPR−800)をスピンコーティング法により全面に塗布、乾燥させ膜厚1μmのフォトレジスト層を形成した。
次に、ITO端部を覆うように設計されたフォトマスクを用いてアライメント露光機により紫外線照射を行った後、レジスト現像液(東京応化社製:NMD−3)により露光部のフォトレジストを除去した。次に、ホットプレート上で230℃で1時間加熱処理を行いレジストを完全に加熱硬化させ有機絶縁層とした。
(Production Example 1-1)
A substrate obtained by patterning indium tin oxide (ITO) as a first electrode on a transparent glass substrate was prepared.
Next, a positive photoresist (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd .: OFPR-800) was applied to the entire surface by a spin coating method and dried to form a photoresist layer having a thickness of 1 μm.
Next, after irradiating ultraviolet rays with an alignment exposure machine using a photomask designed to cover the ITO edge, the photoresist in the exposed area is removed with a resist developer (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd .: NMD-3). did. Next, a heat treatment was performed at 230 ° C. for 1 hour on a hot plate to completely heat and cure the resist to obtain an organic insulating layer.
次に、CF4ガスを用いた真空プラズマ装置により絶縁層表面に撥液処理を実施した。
次に、少なくともITO露出部(開口部)が開口部となるように設計されたメタルマスクを介し、真空蒸着機により親液性下地層として酸化モリブデンを抵抗加熱法によりパターン作製した。
Next, a liquid repellent treatment was performed on the surface of the insulating layer by a vacuum plasma apparatus using CF 4 gas.
Next, through a metal mask designed so that at least the ITO exposed portion (opening portion) becomes the opening portion, molybdenum oxide was patterned as a lyophilic underlayer by a resistance heating method using a vacuum vapor deposition machine.
(評価1)
絶縁層上および親液性下地層上で自動接触角測定装置(英弘精機社製:OCA20)によりアニソール(表面張力35dyn/cm)で接触角測定を行った結果、有機絶縁層上で48.7°、親液性下地層上で10°以下であった。これにより、絶縁層は撥液層であり、親液性下地層は親液性表面であることが確認された。
(Evaluation 1)
As a result of contact angle measurement with an anisole (surface tension 35 dyn / cm) on an insulating layer and a lyophilic underlayer with an automatic contact angle measuring device (manufactured by EKO Co., Ltd .: OCA20), 48.7 was measured on the organic insulating layer. °, 10 ° or less on the lyophilic underlayer. As a result, it was confirmed that the insulating layer was a liquid repellent layer and the lyophilic underlayer was a lyophilic surface.
次に、Aldrich社製、重量平均分子量が約20万のMEH−PPV(ポリ(2-メトキシ-5-(2’-エチル-ヘキシロキシ)-パラ-フェニレンビニレン)を薄膜形成材料として用いて液状材料を作製した。溶媒としてトルエンとアニソールとを混合した混合溶媒を用い、作製した液状材料におけるPPVの濃度を1重量%とした。ノズルコート法により親液性下地層である酸化モリブデン層上にインキ(作製した液状材料)を塗布し、これを乾燥させて膜厚1000Åの有機発光層を作製した。 Next, a liquid material using MEH-PPV (poly (2-methoxy-5- (2′-ethyl-hexyloxy) -para-phenylenevinylene) having a weight average molecular weight of about 200,000 as a thin film forming material manufactured by Aldrich Using a mixed solvent of toluene and anisole as a solvent, the concentration of PPV in the prepared liquid material was 1% by weight, and ink was applied onto the molybdenum oxide layer, which is a lyophilic underlayer, by a nozzle coating method. The prepared liquid material was applied and dried to prepare an organic light emitting layer having a thickness of 1000 mm.
(評価2)
光学顕微鏡によりITO開口部周辺の観察を行い有機発光層のパターン形成の状態を観察した結果、有機発光層が親液性下地層上に良好に形成されていることを確認した。
(Evaluation 2)
As a result of observing the vicinity of the ITO opening with an optical microscope and observing the pattern formation state of the organic light emitting layer, it was confirmed that the organic light emitting layer was satisfactorily formed on the lyophilic underlayer.
次に、第2電極としてカルシウムを100Åの厚さで蒸着し、さらに、保護層として銀を2000Åの厚さで蒸着した。これにより、ボトムエミッション構造の有機EL素子を作製した。 Next, calcium was vapor-deposited with a thickness of 100 mm as a second electrode, and silver was vapor-deposited with a thickness of 2000 mm as a protective layer. Thus, an organic EL element having a bottom emission structure was produced.
(評価3)
ITO電極(第1電極)側を正極、金属電極(第2電極)側を負極に接続し、ソースメーターにより直流電流を印加し、有機発光層の状態を観察した結果、良好な発光状態が得られている事を確認した。
(Evaluation 3)
As a result of connecting the ITO electrode (first electrode) side to the positive electrode and the metal electrode (second electrode) side to the negative electrode, applying a direct current with a source meter and observing the state of the organic light emitting layer, a good light emitting state was obtained. It was confirmed that
(作製例1−2)
作製例1−1において、反応性ガスとしてCF4ガスを用い大気圧プラズマ装置により撥液処理を実施した以外は全て同一のプロセスにて素子を作製した。
(Production Example 1-2)
In Production Example 1-1, elements were produced by the same process except that CF 4 gas was used as a reactive gas and liquid repellent treatment was performed using an atmospheric pressure plasma apparatus.
(評価1)
プラズマ処理後、自動接触角測定装置(英弘精機社製:OCA20)によりアニソール(表面張力35dyn/cm)で接触角測定を行った結果、有機絶縁層上で52.4°、親液性下地層上で10°以下であった。これにより、絶縁層は撥液層であり、親液性下地層は親液性表面であることが確認された。
(評価2)
有機発光層形成後、光学顕微鏡によりITO開口部周辺の観察を行い有機発光層のパターン形成の状態を観察した結果、有機発光層は親液性下地層上に良好に形成されていることを確認した。
(評価3)
ITO電極側を正極、金属電極側を負極に接続し、ソースメーターにより直流電流を印加し、有機発光層の状態を観察した結果、良好な発光状態が得られている事を確認した。
(Evaluation 1)
After plasma treatment, contact angle measurement was performed with an anisole (surface tension 35 dyn / cm) using an automatic contact angle measurement device (Eihiro Seiki Co., Ltd .: OCA20). As a result, 52.4 ° on the organic insulating layer, lyophilic underlayer The angle was 10 ° or less. As a result, it was confirmed that the insulating layer was a liquid repellent layer and the lyophilic underlayer was a lyophilic surface.
(Evaluation 2)
After forming the organic light emitting layer, the periphery of the ITO opening was observed with an optical microscope, and the pattern formation state of the organic light emitting layer was observed. As a result, it was confirmed that the organic light emitting layer was well formed on the lyophilic underlayer did.
(Evaluation 3)
The ITO electrode side was connected to the positive electrode, the metal electrode side was connected to the negative electrode, a direct current was applied by a source meter, and the state of the organic light emitting layer was observed. As a result, it was confirmed that a good light emitting state was obtained.
(作製例1−3)
透明ガラス基板上に第1電極としてインジウムスズ酸化物(ITO)をパターニングした。
次に、スパッタリング法により膜厚2000Åの酸化シリコン層を形成した。
次に、ポジ型フォトレジスト(東京応化社製:OFPR−800)をスピンコーティング法により全面に塗布、乾燥させ、膜厚1μmのフォトレジスト層を形成した。
次に、ITO端部を覆うように設計されたフォトマスクを用いてアライメント露光機により紫外線照射を行った後、レジスト現像液(東京応化社製:NMD−3)により露光部のフォトレジストを除去した。
(Production Example 1-3)
Indium tin oxide (ITO) was patterned as a first electrode on the transparent glass substrate.
Next, a silicon oxide layer having a thickness of 2000 mm was formed by a sputtering method.
Next, a positive photoresist (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd .: OFPR-800) was applied to the entire surface by a spin coating method and dried to form a photoresist layer having a thickness of 1 μm.
Next, after irradiating ultraviolet rays with an alignment exposure machine using a photomask designed to cover the ITO edge, the photoresist in the exposed area is removed with a resist developer (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd .: NMD-3). did.
次に、真空ドライエッチング装置によりCF4と酸素を混合したガスを用いて酸化シリコンをエッチングした。その後、フォトレジスト層を剥離して無機絶縁層を形成した。
次に、撥液処理として、フルオロアルキルシラン(トーケムプロダクツ(株)製:MF−160E)をスピンコート法により塗布し乾燥させて撥液層を形成した。
次に、少なくともITO露出部(開口部)が開口部となるように設計されたメタルマスクを介し、真空蒸着機により親液性下地層として酸化モリブデンを抵抗加熱法によりパターン作製した。
Next, the silicon oxide was etched using a gas in which CF 4 and oxygen were mixed by a vacuum dry etching apparatus. Thereafter, the photoresist layer was peeled off to form an inorganic insulating layer.
Next, as a liquid repellent treatment, fluoroalkylsilane (manufactured by Tochem Products Co., Ltd .: MF-160E) was applied by a spin coat method and dried to form a liquid repellent layer.
Next, through a metal mask designed so that at least the ITO exposed portion (opening portion) becomes the opening portion, molybdenum oxide was patterned as a lyophilic underlayer by a resistance heating method using a vacuum vapor deposition machine.
(評価1)
絶縁層上および親液性下地層上で自動接触角測定装置(英弘精機社製:OCA20)によりアニソール(表面張力35dyn/cm)で接触角測定を行った結果、無機絶縁層上で60.5°、親液性下地層上で10°以下であった。これにより、絶縁層は撥液層であり、親液性下地層は親液性表面であることが確認された。
(Evaluation 1)
As a result of contact angle measurement with anisole (surface tension 35 dyn / cm) on an insulating layer and a lyophilic underlayer with an automatic contact angle measuring device (Eihiro Seiki Co., Ltd .: OCA20), 60.5 was measured on the inorganic insulating layer. °, 10 ° or less on the lyophilic underlayer. As a result, it was confirmed that the insulating layer was a liquid repellent layer and the lyophilic underlayer was a lyophilic surface.
薄膜形成材料としてAldrich社製、重量平均分子量が約20万のMEH−PPV(ポリ(2-メトキシ-5-(2’-エチル-ヘキシロキシ)-パラ-フェニレンビニレン)を用いて液状材料を作製した。溶媒としてトルエンとアニソールとを混合した混合溶媒を用い、作製した液状材料におけるPPVの濃度を1重量%とした。ノズルコート法により親液性下地層である酸化モリブデン層上にインキを塗布、乾燥させて膜厚1000Åの有機発光層を作製した。 A liquid material was prepared using MEH-PPV (poly (2-methoxy-5- (2′-ethyl-hexyloxy) -para-phenylenevinylene) having a weight average molecular weight of about 200,000 as a thin film forming material manufactured by Aldrich. Using a mixed solvent of toluene and anisole as a solvent, the concentration of PPV in the produced liquid material was 1% by weight, and ink was applied on the molybdenum oxide layer, which is a lyophilic underlayer, by a nozzle coating method, An organic light emitting layer having a thickness of 1000 mm was prepared by drying.
(評価2)
光学顕微鏡によりITO開口部周辺の観察を行い有機発光層のパターン形成の状態を観察した結果、有機発光層が親液性下地層上に良好に形成されていることを確認した。
(Evaluation 2)
As a result of observing the vicinity of the ITO opening with an optical microscope and observing the pattern formation state of the organic light emitting layer, it was confirmed that the organic light emitting layer was satisfactorily formed on the lyophilic underlayer.
次に、第2電極としてカルシウムを100Åの厚さで蒸着し、さらに、保護層として銀を2000Åの厚さで蒸着した。 Next, calcium was vapor-deposited with a thickness of 100 mm as a second electrode, and silver was vapor-deposited with a thickness of 2000 mm as a protective layer.
(評価3)
ITO電極側を正極、金属電極側を負極に接続し、ソースメーターにより直流電流を印加し、有機発光層の状態を観察した結果、良好な発光状態が得られている事を確認した。
(Evaluation 3)
The ITO electrode side was connected to the positive electrode, the metal electrode side was connected to the negative electrode, a direct current was applied by a source meter, and the state of the organic light emitting layer was observed. As a result, it was confirmed that a good light emitting state was obtained.
(作製例1−4)
作製例1−4では、トップエミッション構造の有機EL素子を作製した。
まず、透明ガラス基板上に第1電極としてCr、インジウムスズ酸化物(ITO)の順に形成した積層体をパターニングした基板を準備した。
次に、ポジ型フォトレジスト(東京応化社製:OFPR−800)をスピンコーティング法により全面に塗布、乾燥させ膜厚1μmのフォトレジスト層を形成した。
次に、ITO端部を覆うように設計されたフォトマスクを用いてアライメント露光機により紫外線照射を行った後、レジスト現像液(東京応化社製:NMD−3)により露光部のフォトレジストを除去した。次に、ホットプレート上で230℃で1時間加熱処理を行いレジストを完全に加熱硬化させ有機絶縁層とした。
(Production Example 1-4)
In Production Example 1-4, an organic EL element having a top emission structure was produced.
First, the board | substrate which patterned the laminated body formed in order of Cr and indium tin oxide (ITO) as a 1st electrode on the transparent glass substrate was prepared.
Next, a positive photoresist (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd .: OFPR-800) was applied to the entire surface by a spin coating method and dried to form a photoresist layer having a thickness of 1 μm.
Next, after irradiating ultraviolet rays with an alignment exposure machine using a photomask designed to cover the ITO edge, the photoresist in the exposed area is removed with a resist developer (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd .: NMD-3). did. Next, a heat treatment was performed at 230 ° C. for 1 hour on a hot plate to completely heat and cure the resist to obtain an organic insulating layer.
次に、CF4ガスを用いた真空プラズマ装置により絶縁層表面に撥液処理を実施した。
次に、少なくともITO露出部(開口部)が開口部となるように設計されたメタルマスクを介し、真空蒸着機により親液性下地層として酸化モリブデンを抵抗加熱法によりパターン作製した。
Next, a liquid repellent treatment was performed on the surface of the insulating layer by a vacuum plasma apparatus using CF 4 gas.
Next, through a metal mask designed so that at least the ITO exposed portion (opening portion) becomes the opening portion, molybdenum oxide was patterned as a lyophilic underlayer by a resistance heating method using a vacuum vapor deposition machine.
(評価1)
絶縁層上および親液性下地層上で自動接触角測定装置(英弘精機社製:OCA20)によりアニソール(表面張力35dyn/cm)で接触角測定を行った結果、有機絶縁層上で48.7°、親液性下地層上で10°以下であった。これにより、絶縁層は撥液層であり、親液性下地層は親液性表面であることが確認された。
(Evaluation 1)
As a result of contact angle measurement with an anisole (surface tension 35 dyn / cm) on an insulating layer and a lyophilic underlayer with an automatic contact angle measuring device (manufactured by EKO Co., Ltd .: OCA20), 48.7 was measured on the organic insulating layer. °, 10 ° or less on the lyophilic underlayer. As a result, it was confirmed that the insulating layer was a liquid repellent layer and the lyophilic underlayer was a lyophilic surface.
次に、薄膜形成材料としてAldrich社製、重量平均分子量が約20万のMEH−PPV(ポリ(2-メトキシ-5-(2’-エチル-ヘキシロキシ)-パラ-フェニレンビニレン)を用いて液状材料を作製した。溶媒としてトルエンとアニソールとを混合した混合溶媒を用い、作製した液状材料におけるPPVの濃度を1重量%とした。ノズルコート法により親液性下地層である酸化モリブデン層上にインキ(溶液)を塗布し、これを乾燥させて膜厚1000Åの有機エレクトロルミネッセンス層(有機発光層)を作製した。 Next, a liquid material using MEH-PPV (poly (2-methoxy-5- (2′-ethyl-hexyloxy) -para-phenylenevinylene) having a weight average molecular weight of about 200,000, manufactured by Aldrich as a thin film forming material. Using a mixed solvent of toluene and anisole as a solvent, the concentration of PPV in the prepared liquid material was 1% by weight, and ink was applied on the molybdenum oxide layer, which is a lyophilic underlayer, by a nozzle coating method. (Solution) was applied and dried to prepare an organic electroluminescence layer (organic light emitting layer) having a thickness of 1000 mm.
(評価2)
光学顕微鏡によりITO開口部周辺の観察を行い有機発光層のパターン形成の状態を観察し、有機発光層が親液性下地層上に良好に形成されていることを確認した。
(Evaluation 2)
The periphery of the ITO opening was observed with an optical microscope to observe the state of pattern formation of the organic light emitting layer, and it was confirmed that the organic light emitting layer was satisfactorily formed on the lyophilic underlayer.
次に、第2電極としてカルシウムを100Å、引き続きアルミニウムを50Åの厚さで蒸着し、さらに、インジウムスズ酸化物(ITO)をターゲットとした対向ターゲット式成膜装置により透明電極層を2000Åの厚さで蒸着した。これにより、トップエミッション構造の有機EL素子を作製した。 Next, as a second electrode, calcium is deposited to a thickness of 100 mm, and subsequently aluminum is deposited to a thickness of 50 mm. Further, a transparent electrode layer is formed to a thickness of 2000 mm by a counter target type film forming apparatus using indium tin oxide (ITO) as a target. Vapor deposited. Thereby, an organic EL element having a top emission structure was produced.
(評価3)
Cr,ITOの積層体側の電極を正極、ITOのみの電極側を負極に接続し、ソースメーターにより直流電流を印加し、有機発光層の状態を観察した結果、ガラス基板側とは反対の方向に良好な発光状態が得られている事を確認した。
(Evaluation 3)
The electrode on the laminate side of Cr and ITO is connected to the positive electrode, the electrode side of only ITO is connected to the negative electrode, a direct current is applied by a source meter, and the state of the organic light emitting layer is observed. It was confirmed that a good light emitting state was obtained.
(比較例1)
作製例1−1において、撥液処理を実施しない事以外は全て同一のプロセスにて素子を作製した。
(Comparative Example 1)
In Production Example 1-1, elements were produced by the same process except that the liquid repellent treatment was not performed.
(評価1)
絶縁層上および親液性下地層上で自動接触角測定装置(英弘精機社製:OCA20)によりアニソール(表面張力35dyn/cm)で接触角測定を行った結果、有機絶縁層上で12°、親液性下地層上で10°以下であった。これにより、絶縁層及び親液性下地層は共に親液性表面であることが確認された。
(評価2)
発光層を形成後、光学顕微鏡によりITO開口部周辺の観察を行い有機発光層のパターン形成の状態を観察した結果、有機発光層が親液性下地層の幅よりも大幅に広がっていることを確認した。
(評価3)
ITO電極側を正極、金属電極側を負極に接続し、ソースメーターにより直流電流を印可したところ電極間が短絡し発光を確認できなかった。
(Evaluation 1)
As a result of contact angle measurement with an anisole (surface tension 35 dyn / cm) using an automatic contact angle measurement device (Eihiro Seiki Co., Ltd .: OCA20) on the insulating layer and the lyophilic underlayer, 12 ° on the organic insulating layer, It was 10 ° or less on the lyophilic underlayer. Thereby, it was confirmed that both the insulating layer and the lyophilic underlayer are lyophilic surfaces.
(Evaluation 2)
After forming the light emitting layer, the periphery of the ITO opening was observed with an optical microscope and the pattern formation state of the organic light emitting layer was observed. As a result, it was confirmed that the organic light emitting layer was significantly wider than the width of the lyophilic underlayer. confirmed.
(Evaluation 3)
When the ITO electrode side was connected to the positive electrode and the metal electrode side was connected to the negative electrode and a direct current was applied by a source meter, the electrodes were short-circuited, and light emission could not be confirmed.
(作製例2)
以下に示す作製例2では、陽極と発光層の間の層として正孔注入層と、表面処理層を設けた積層構造の有機EL素子を対象として実施した。
本発明の特徴は、隔壁が形成された側の基板表面の有機溶媒による表面処理工程を有する点にあるので、以下の作製例に示す積層構造以外の他の全ての種類の積層構造の有機EL素子に対しても同様に本発明を適用でき、同様の作用効果を得ることができる。
(Production Example 2)
In Production Example 2 shown below, an organic EL element having a stacked structure in which a hole injection layer and a surface treatment layer were provided as a layer between the anode and the light emitting layer was used.
The feature of the present invention is that it has a surface treatment step with an organic solvent on the surface of the substrate on which the partition wall is formed. Therefore, all types of organic EL other than the laminated structure shown in the following fabrication examples are included. The present invention can be similarly applied to elements, and the same effects can be obtained.
(基板の準備および陽極の形成)
まず、200mm(縦)×200mm(横)×0.7mm(厚み)の透明ガラス板上にITO薄膜を形成し、さらにパターニングを行ってストライプ状の陽極を形成した。陽極の繰り返し間隔(ピッチ)は、80μmで、陽極(ライン)の幅70μmに対して陽極間の間隔(スペース)は10μmであった(ライン/スペース=70μm/10μm)。基板の厚み方向の一方から見て画素の形成される画素領域は、一方向に延びるITO薄膜上において、前記一方向に所定の間隔をあけて島状に設定される。
(Preparation of substrate and formation of anode)
First, an ITO thin film was formed on a transparent glass plate of 200 mm (vertical) × 200 mm (horizontal) × 0.7 mm (thickness), and further patterned to form a striped anode. The repetition interval (pitch) of the anode was 80 μm, and the interval (space) between the anodes was 10 μm with respect to the width of the anode (line) of 70 μm (line / space = 70 μm / 10 μm). A pixel region in which pixels are formed when viewed from one side in the thickness direction of the substrate is set in an island shape on the ITO thin film extending in one direction at a predetermined interval in the one direction.
(隔壁の形成)
次に、上記基板上の全面に、ポジ型フォトレジスト(東京応化工業(株)製、商品名「OFPR−800」)をスピンコーティング法により塗布し、この塗膜を乾燥させて、膜厚1μmのフォトレジスト層を形成した。
次に、基板の厚み方向の一方から見て画素の形成される画素領域を除く領域を紫外線から遮蔽するように設計されたフォトマスクを、上記フォトレジスト層の上に配置し、アライメント露光機(大日本スクリーン製造社製、商品名「MA1300」)から前記フォトマスクを介して前記フォトレジスト層に紫外線を照射した(露光工程)。
前記露光工程に続いて、レジスト現像液(東京応化工業(株)製、商品名「NMD−3」)を用いて、前記フォトレジスト層の露光部を除去した(現像工程)。
続いて、上記透明ガラス板をホットプレート上で230℃で1時間加熱処理を行なって、上記現像後のフォトレジスト層を完全に加熱硬化させた(熱硬化工程)。
上記一連のフォトリソグラフィー工程により、画素領域を囲う隔壁(有機絶縁層)が形成され、この隔壁内部で陽極が露出する。得られた隔壁ラインの幅寸法は、20μmであり、高さ寸法は、2μmであった。また、各画素領域は60μm×180μmの矩形であった。
(Formation of partition walls)
Next, a positive photoresist (trade name “OFPR-800”, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is applied to the entire surface of the substrate by a spin coating method, and this coating film is dried to obtain a film thickness of 1 μm. A photoresist layer was formed.
Next, a photomask designed to shield the region excluding the pixel region where the pixel is formed from one side in the thickness direction of the substrate from ultraviolet rays is disposed on the photoresist layer, and an alignment exposure machine ( The photoresist layer was irradiated with ultraviolet rays through the photomask from Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. (trade name “MA1300”) (exposure process).
Following the exposure step, the exposed portion of the photoresist layer was removed using a resist developer (trade name “NMD-3”, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) (development step).
Subsequently, the transparent glass plate was subjected to heat treatment at 230 ° C. for 1 hour on a hot plate, and the developed photoresist layer was completely heat-cured (thermosetting step).
Through the series of photolithography processes, a partition wall (organic insulating layer) surrounding the pixel region is formed, and the anode is exposed inside the partition wall. The width dimension of the obtained partition line was 20 μm, and the height dimension was 2 μm. Each pixel region was a rectangle of 60 μm × 180 μm.
次に、CF4ガスを用いた真空プラズマ装置(サムコインターナショナル研究所製、商品名「RIE−200L」)を用いて、隔壁に撥液化処理を行った。 Next, the partition walls were subjected to a liquid repellency treatment using a vacuum plasma apparatus using CF 4 gas (trade name “RIE-200L” manufactured by Samco International Laboratories).
(正孔注入層の形成)
次に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホン酸(Bayer社製、商品名「BaytronP AI4083」)の懸濁液を0.2μmメンブランフィルターで濾過した。この濾過液をノズルコート法により上記画素領域に塗布した。続いて、この塗布層を200℃×20分間、加熱処理して、60nm厚の正孔注入層を形成した。
(Formation of hole injection layer)
Next, a suspension of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / polystyrene sulfonic acid (manufactured by Bayer, trade name “BaytronP AI4083”) was filtered through a 0.2 μm membrane filter. This filtrate was applied to the pixel region by a nozzle coating method. Subsequently, this coating layer was heat-treated at 200 ° C. for 20 minutes to form a 60 nm-thick hole injection layer.
(隔壁側の基板表面の溶媒による処理)
次に、上記基板上に合計量30mLのアニソールを連続的に滴下し、スピンコーティング法によりアニソールを基板上の全表面に接触(塗布)した。その後、約30分間エアーブロー処理を行うことにより基板を乾燥させた。
(Treatment of the partition wall substrate surface with a solvent)
Next, a total amount of 30 mL of anisole was continuously dropped on the substrate, and the anisole was contacted (coated) on the entire surface of the substrate by a spin coating method. Then, the board | substrate was dried by performing an air blow process for about 30 minutes.
(発光層の形成)
アニソールとシクロヘキシルベンゼンとを重量比1:1で混合した混合溶媒に有機発光材料として高分子発光材料(サメイション社製、商品名「RP158」)を溶解させた有機発光インキ(高分子発光材料の濃度:1重量%)を準備した。この有機発光インキ(粘度:28cp)を、フレキソ印刷法を用いて、前記アニソールによる表面処理後の絶縁性の隔壁内に塗布した。この塗膜を乾燥して画素領域内に60nm厚の発光層を形成した。なお、前記アニソールによる表面処理完了から有機発光インキの印刷開始までの時間は、約30分であった。
(Formation of light emitting layer)
Organic light-emitting ink (concentration of polymer light-emitting material) in which a polymer light-emitting material (trade name “RP158”, manufactured by Sumation Corporation) is dissolved as an organic light-emitting material in a mixed solvent in which anisole and cyclohexylbenzene are mixed at a weight ratio of 1: 1. : 1% by weight). This organic light-emitting ink (viscosity: 28 cp) was applied to the insulating partition walls after the surface treatment with the anisole using a flexographic printing method. This coating film was dried to form a light emitting layer having a thickness of 60 nm in the pixel region. The time from the completion of the surface treatment with the anisole to the start of printing of the organic light emitting ink was about 30 minutes.
ここで、各画素領域に形成された有機発光層の状態を光学顕微鏡(株式会社ニコン社製、商品名「オプチフォト88」、対物レンズ倍率:50倍)にて観察したところ、隔壁および正孔注入層から有機発光インキがはじかれた痕跡はなく、有機発光層が画素領域の全域に成膜されていることを確認した。 Here, when the state of the organic light emitting layer formed in each pixel region was observed with an optical microscope (manufactured by Nikon Corporation, trade name “Optiphoto 88”, objective lens magnification: 50 ×), partition walls and holes were observed. There was no trace of the organic light emitting ink repelled from the injection layer, and it was confirmed that the organic light emitting layer was formed over the entire pixel area.
(陰極の形成)
次に、上記有機発光層の上に、陰極として、カルシウムを100Åの厚さで蒸着し、さらに、酸化保護層としてアルミニウムを2000Åの厚さで蒸着した。これにより、ボトムエミッション構造の有機EL素子を作製した。
(Formation of cathode)
Next, on the organic light emitting layer, calcium was vapor-deposited with a thickness of 100 mm as a cathode, and aluminum was vapor-deposited with a thickness of 2000 mm as an oxidation protective layer. Thus, an organic EL element having a bottom emission structure was produced.
上述のようにして得た有機EL素子を発光させたところ、発光強度は、発光面全面に亘って均一であった。 When the organic EL device obtained as described above was caused to emit light, the emission intensity was uniform over the entire light emitting surface.
(比較例2)
上記作製例2において発光層を形成する前の(隔壁側の基板表面の溶媒による処理)を実施しなかったことを除いて、作製例2と同様にして有機EL素子を製造した。
(Comparative Example 2)
An organic EL device was produced in the same manner as in Production Example 2 except that the treatment before the formation of the light emitting layer in the above Production Example 2 was not carried out (treatment with a solvent on the substrate surface on the partition wall side).
発光層を形成した直後、光学顕微鏡(株式会社ニコン社製、商品名「オプチフォト88」、対物レンズ倍率:50倍)にて各画素領域内に形成された有機発光層の状態を観察したところ、隔壁や正孔注入層表面で有機発光インキがはじかれることで、基板の厚み方向の一方から見て隔壁内において有機発光層が形成されていない領域の存在する欠損部分のある画素領域が点在していることを確認した。 Immediately after forming the light emitting layer, the state of the organic light emitting layer formed in each pixel region was observed with an optical microscope (manufactured by Nikon Corporation, trade name “Optiphoto 88”, objective lens magnification: 50 ×). When the organic light-emitting ink is repelled on the surface of the partition wall or the hole injection layer, a pixel region having a defective portion in which the organic light-emitting layer is not formed in the partition wall as viewed from one side in the thickness direction of the substrate. I confirmed that it was present.
このようにして得られた有機EL素子を発光させたところ、発光面に発光むらが発生した。 When the organic EL device obtained in this manner was allowed to emit light, uneven light emission occurred on the light emitting surface.
10A〜10D 有機EL装置
11 基板
12 陽極
13 絶縁層
13a 露出面
14 画素領域
15 隔壁
15a 対向面
16 凹状の溝部
17 発光層形成領域
18 撥液層
19 親液性下地層
20a 開口部
20 マスク
21 表面処理層
22 有機発光インキ
23 有機発光層
24 陰極
25 発光機能部
31 正孔輸送層
32 電子注入層
10A to 10D
Claims (9)
前記第1電極が形成された基板を用意する準備工程と、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子をそれぞれ区画する隔壁を前記基板に形成する隔壁形成工程と、
前記基板の厚み方向のうちの、前記有機エレクトロルミネッセンス素子が搭載される側から、前記隔壁が形成された基板の表面を撥液処理する撥液処理工程と、
前記撥液処理された隔壁よりも、有機発光層を形成するための有機発光材料を含むインキに対して高い親液性を有する親液性下地層を前記第1電極上に形成する親液性下地層形成工程と、
有機溶媒によって前記親液性下地層を表面処理する表面処理工程と、
前記表面処理工程の後、前記隔壁で区画された領域内に有機発光材料を含むインキを供給して有機発光層を形成する有機発光層形成工程と、
前記第2電極を形成する電極形成工程と、
を含む、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 A plurality of organic electroluminescence elements each including a first electrode, a second electrode paired with the first electrode, and an organic light emitting layer disposed between the first electrode and the second electrode; A method for producing an organic electroluminescence device comprising a substrate on which the plurality of organic electroluminescence elements are mounted,
Preparing a substrate on which the first electrode is formed;
A partition wall forming step for forming partition walls for partitioning the plurality of organic electroluminescence elements on the substrate,
A liquid repellent treatment step of performing a liquid repellent treatment on the surface of the substrate on which the partition walls are formed from the side on which the organic electroluminescence element is mounted in the thickness direction of the substrate;
More lyophilic to form on the first electrode a lyophilic underlayer having higher lyophilicity to the ink containing the organic light emitting material for forming the organic light emitting layer than the liquid repellent treated partition. An underlayer forming step;
A surface treatment step of surface-treating the lyophilic underlayer with an organic solvent;
After the surface treatment step, an organic light emitting layer forming step of forming an organic light emitting layer by supplying ink containing an organic light emitting material in a region partitioned by the partition;
An electrode forming step of forming the second electrode;
A method for producing an organic electroluminescence device, comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009001874A JP2010160945A (en) | 2009-01-07 | 2009-01-07 | Method for manufacturing organic electroluminescence device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009001874A JP2010160945A (en) | 2009-01-07 | 2009-01-07 | Method for manufacturing organic electroluminescence device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010160945A true JP2010160945A (en) | 2010-07-22 |
Family
ID=42577973
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009001874A Pending JP2010160945A (en) | 2009-01-07 | 2009-01-07 | Method for manufacturing organic electroluminescence device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010160945A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140124069A (en) * | 2013-04-15 | 2014-10-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | Light emitting display device and method of fabricating the same |
US9627458B2 (en) | 2014-11-10 | 2017-04-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display panel and method of fabricating the same |
US11038133B2 (en) | 2018-04-18 | 2021-06-15 | Joled Inc. | Organic EL display panel, organic EL display device, and manufacturing method of organic display panel |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007087785A (en) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Toppan Printing Co Ltd | Manufacturing method of printing body, and printing body |
JP2007287353A (en) * | 2006-04-12 | 2007-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturing method of organic electroluminescent element and organic electroluminescent element formed using it |
JP2008268558A (en) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Seiko Epson Corp | Discharge controlling method of liquid drop discharge head, liquid discharging method, color filter manufacturing method, organic el element manufacturing method, and alignment layer manufacturing method |
-
2009
- 2009-01-07 JP JP2009001874A patent/JP2010160945A/en active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007087785A (en) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Toppan Printing Co Ltd | Manufacturing method of printing body, and printing body |
JP2007287353A (en) * | 2006-04-12 | 2007-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturing method of organic electroluminescent element and organic electroluminescent element formed using it |
JP2008268558A (en) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Seiko Epson Corp | Discharge controlling method of liquid drop discharge head, liquid discharging method, color filter manufacturing method, organic el element manufacturing method, and alignment layer manufacturing method |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140124069A (en) * | 2013-04-15 | 2014-10-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | Light emitting display device and method of fabricating the same |
KR102103862B1 (en) * | 2013-04-15 | 2020-04-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | Light emitting display device and method of fabricating the same |
US9627458B2 (en) | 2014-11-10 | 2017-04-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display panel and method of fabricating the same |
US11038133B2 (en) | 2018-04-18 | 2021-06-15 | Joled Inc. | Organic EL display panel, organic EL display device, and manufacturing method of organic display panel |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5572942B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
JP5417732B2 (en) | Method for forming lyophilic liquid repellent pattern and method for producing organic electroluminescent element | |
JP5192828B2 (en) | Organic electroluminescence display element and manufacturing method thereof | |
JP2011029119A (en) | Light-emitting device | |
JP2010067543A (en) | Ink for printing | |
WO2010013641A1 (en) | Method for manufacturing an organic electroluminescence element, light emitting device, and display device | |
WO2010035643A1 (en) | Substrate for pattern coating and organic el element | |
JP2010033971A (en) | Organic electroluminescent element and its manufacturing method | |
JP4983940B2 (en) | Method for manufacturing organic electroluminescence device | |
WO2009122870A1 (en) | Method for manufacturing organic electroluminescence element, organic electroluminescence element and display device | |
WO2011122445A1 (en) | Light emitting device | |
JP2010160945A (en) | Method for manufacturing organic electroluminescence device | |
JP2010147180A (en) | Method of manufacturing organic electroluminescence element | |
JP2010129345A (en) | Method of manufacturing organic electroluminescent device | |
JP5155085B2 (en) | Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same | |
JP2010160946A (en) | Method for manufacturing organic electroluminescence device | |
JP5672789B2 (en) | Method for manufacturing light emitting device | |
JP5036680B2 (en) | Method for manufacturing organic electroluminescence device | |
JP5185007B2 (en) | Method for manufacturing organic electroluminescent element and organic electroluminescent element | |
US20110018433A1 (en) | Method of producing organic electroluminescence element, organic electroluminescence element, and display device | |
JP5314395B2 (en) | Method for manufacturing organic electroluminescence element | |
WO2011065288A1 (en) | Manufacturing method of light emitting device | |
WO2009122973A1 (en) | Method of manufacturing organic electro luminescence element, organic electro luminescence element, and display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111208 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120614 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120626 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121127 |