JP5173940B2 - Semiconductor package manufacturing method and cutting apparatus - Google Patents
Semiconductor package manufacturing method and cutting apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP5173940B2 JP5173940B2 JP2009133132A JP2009133132A JP5173940B2 JP 5173940 B2 JP5173940 B2 JP 5173940B2 JP 2009133132 A JP2009133132 A JP 2009133132A JP 2009133132 A JP2009133132 A JP 2009133132A JP 5173940 B2 JP5173940 B2 JP 5173940B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cutting
- workpiece
- resin
- stage
- cut
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
本発明は、半導体パッケージの製造方法及び切断装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor package manufacturing method and a cutting apparatus.
従来から、LED等の半導体素子を実装した半導体パッケージがある。このような半導体パッケージは、リードフレームの上に複数の半導体素子を実装して半導体パッケージ用基板を形成し、この半導体パッケージ用基板を切断して個片化することにより製造される。半導体パッケージ用基板の個片化の際にリードフレームを切断すると、リードフレームの下面に切断バリ(切断不良)が発生する。 Conventionally, there is a semiconductor package on which a semiconductor element such as an LED is mounted. Such a semiconductor package is manufactured by mounting a plurality of semiconductor elements on a lead frame to form a semiconductor package substrate, and cutting the semiconductor package substrate into individual pieces. If the lead frame is cut when the semiconductor package substrate is singulated, a cutting burr (cut defect) occurs on the lower surface of the lead frame.
この切断不良について、図11を参照しながら説明する。図11は、従来におけるLEDパッケージの構成図である。図11(a)は平面図、図11(b)は正面図、図11(c)は側面図である。図11のLEDパッケージでは、リードフレーム400上に一次成形樹脂500が成形され、さらにその上に二次成形樹脂600が成形されている。また、二次成形樹脂600を成形する際に、レンズ部600aが一体的に形成される。 This cutting failure will be described with reference to FIG. FIG. 11 is a configuration diagram of a conventional LED package. 11A is a plan view, FIG. 11B is a front view, and FIG. 11C is a side view. In the LED package of FIG. 11, the primary molding resin 500 is molded on the lead frame 400, and the secondary molding resin 600 is molded thereon. Further, when the secondary molding resin 600 is molded, the lens portion 600a is integrally formed.
図11は、理解を容易にするため、平面図(図11(a))の下側一辺にのみ不具合が生じているLEDパッケージを示している。LEDパッケージ用基板をダイサーブレードにより切断する際には、まず図11(a)中の縦二辺が切断され、次に、ダイサーブレードが右側から左側に切り下げる方向に回転しながら進行する。切断後のLEDパッケージにおいて、平面図の右端では、一次成形樹脂500と二次成形樹脂600の界面で剥離部800が生じている。また、平面図の左端では、二次成形樹脂600が柔らかく伸びるために切り残し部600bができるとともに、一次成形樹脂500と二次成形樹脂600の界面で剥離部800が生じている。このように、従来の構成では、切断後のLEDパッケージの四隅において剥離部800又は切り残し部600bによる切断不良が生じていた。 FIG. 11 shows an LED package having a defect only on one lower side of the plan view (FIG. 11A) for easy understanding. When the LED package substrate is cut by the dicer blade, first, the two vertical sides in FIG. 11A are cut, and then the dicer blade advances while rotating in a direction of cutting down from the right side to the left side. In the LED package after cutting, a peeling portion 800 is generated at the interface between the primary molding resin 500 and the secondary molding resin 600 at the right end of the plan view. Further, at the left end of the plan view, the secondary molding resin 600 is softly stretched so that an uncut portion 600b is formed, and a peeling portion 800 is generated at the interface between the primary molding resin 500 and the secondary molding resin 600. As described above, in the conventional configuration, cutting failure due to the peeling portion 800 or the uncut portion 600b occurs at the four corners of the LED package after cutting.
一方、特許文献1には、樹脂封止後のリードフレームを切断する際、リードフレームの切断部における上部及び下部に樹脂を形成することにより、樹脂封止後のリードフレームの切断時におけるバリの発生を防止する半導体装置の製造方法が開示されている。 On the other hand, Patent Document 1 discloses that when cutting a lead frame after resin sealing, a resin is formed on the upper and lower portions of the cutting portion of the lead frame, so that burrs at the time of cutting the lead frame after resin sealing are reduced. A method of manufacturing a semiconductor device that prevents generation is disclosed.
従来、リードフレーム上に複数の半導体素子を実装し、一次成形樹脂と二次成形樹脂とを積層した構造を有するワークにおいて、切削刃を用いてリードフレーム、一次成形樹脂及び二次成形樹脂を一度に半導体素子の実装面側又は反対側から切削する必要があった。 Conventionally, in a workpiece having a structure in which a plurality of semiconductor elements are mounted on a lead frame and a primary molding resin and a secondary molding resin are laminated, the lead frame, the primary molding resin, and the secondary molding resin are once used with a cutting blade. In addition, it was necessary to cut from the mounting surface side or the opposite side of the semiconductor element.
ところが、このようなワークを半導体素子の実装面側から切削しようとすると、リードフレームの切削時にバリが発生する。リードフレームにこのようなバリが生じていると、個片化した半導体パッケージを基板に実装する際に、半田により確実な接続ができないおそれがあり、実装不良の要因となりうる。一方、ワークを半導体素子の実装面とは反対側の面から切削しようとすると、二次成形樹脂を構成する透明樹脂は柔らかいため切削時に、この樹脂が伸びてしまう。このため、弾性のある二次成形樹脂を切断する際に樹脂が伸びて一次成形樹脂から剥離してしまい、ワークに伸びや剥がれのような不具合を発生させずに切断することができない。また、上述の特許文献1のように、リードフレームの切断部に樹脂を形成しようとすると、樹脂を形成するための工程が必要となるためコストが増加する。
However, if such a workpiece is cut from the mounting surface side of the semiconductor element, burrs are generated when the lead frame is cut. When such burrs are generated in the lead frame, there is a possibility that when the separated semiconductor package is mounted on the substrate, it cannot be reliably connected by solder, which may cause a mounting failure. On the other hand, if the work is to be cut from the surface opposite to the mounting surface of the semiconductor element, the transparent resin that constitutes the secondary molding resin is soft, so that the resin extends during cutting. For this reason, when the elastic secondary molding resin is cut, the resin is stretched and peeled off from the primary molding resin, and the workpiece cannot be cut without causing problems such as elongation and peeling. Further, as in Patent Document 1 described above, if resin is to be formed at the cutting portion of the lead frame, a process for forming the resin is required, which increases the cost.
そこで本発明は、高品質の半導体パッケージの製造方法を提供する。また、そのような高品質の半導体パッケージを製造するための切断装置を提供する。 Therefore, the present invention provides a method for manufacturing a high-quality semiconductor package. Moreover, the cutting device for manufacturing such a high quality semiconductor package is provided.
本発明の一側面としての半導体パッケージの製造方法は、リードフレーム上に第一の樹脂及び第二の樹脂を順に積層したワークを個片化して形成される半導体パッケージの製造方法であって、前記ワークの第一の主面側から前記第二の樹脂と前記第一の樹脂の一部とを第一の切削刃を用いて切削する工程と、前記ワークを反転させる工程と、前記ワークの前記第一の主面とは反対側の第二の主面側から前記リードフレームと前記第一の樹脂の残りを第二の切削刃を用いて切削する工程とを有する。 A method for manufacturing a semiconductor package as one aspect of the present invention is a method for manufacturing a semiconductor package formed by separating a workpiece in which a first resin and a second resin are sequentially laminated on a lead frame, a step of cutting a part of the first major surface from said side second resin and the first resin of the workpiece using a first cutting edge, a step of inverting the workpiece, the said workpiece the first main surface and a step of cutting from the second main surface side of the opposite side using the lead frame and the first residual Rio second cutting edge of the resin.
本発明の他の側面としての切断装置は、リードフレーム上に第一の樹脂及び第二の樹脂を順に積層したワークを個片化する切断装置であって、前記ワークの第一の主面側から前記第二の樹脂と前記第一の樹脂の一部とを切削する第一の切削刃と、前記ワークを反転させる反転ユニットと、前記ワークの前記第一の主面とは反対側の第二の主面側から前記リードフレームと前記第一の樹脂の残りを切削する第二の切削刃とを有する。 A cutting device according to another aspect of the present invention is a cutting device that separates a workpiece in which a first resin and a second resin are sequentially laminated on a lead frame, and the first main surface side of the workpiece a first cutting edge for cutting a part of said first resin and said second resin from a reversing unit for reversing the workpiece, the opposite side to the first major surface of the workpiece from the two main surface and a second cutting edge for remaining Rio cutting the first resin and the lead frame.
本発明の他の目的及び特徴は、以下の実施例において説明される。 Other objects and features of the present invention are illustrated in the following examples.
本発明によれば、高品質の半導体パッケージの製造方法を提供することができる。また、そのような高品質の半導体パッケージを製造するための切断装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of a high quality semiconductor package can be provided. Moreover, the cutting device for manufacturing such a high quality semiconductor package can be provided.
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら詳細に説明する。各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In each figure, the same members are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
まず、本発明の実施例1における切断装置の構成及び動作について説明する。図1は、本実施例の一例としての切断装置1の概略構成図である。また図2は、切断装置1の動作説明図である。 First, the configuration and operation of the cutting device according to the first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a cutting apparatus 1 as an example of the present embodiment. FIG. 2 is an operation explanatory diagram of the cutting device 1.
切断装置1は、銅系のリードフレーム上に第一の樹脂(リフレクタ樹脂)及び第二の樹脂(レンズ樹脂)を順に積層したワーク10aを切断して、複数の個片化ワーク11(半導体パッケージ)を製造する装置である。本実施例において、第一の樹脂は、例えば、リードフレーム上に実装された半導体素子(LED)から射出した光のリフレクタとして用いられ、シリカ及び酸化チタン等のフィラーを含有するシリコーン樹脂である。第二の樹脂は、LEDから射出した光のレンズとして用いられると共に、半導体素子を保護する透明シリコーン樹脂である。第二の樹脂として透明シリコーン樹脂を用いることにより、エポキシ樹脂等を用いる場合よりも透明度を向上させることができ、また、経時的劣化を抑制することができる。ただし、本実施例はこれらの樹脂に限定されるものではなく、他の樹脂の組み合わせでも適用可能である。 The cutting device 1 cuts a workpiece 10a in which a first resin (reflector resin) and a second resin (lens resin) are sequentially laminated on a copper-based lead frame, and a plurality of individual workpieces 11 (semiconductor packages) ). In this embodiment, the first resin is, for example, a silicone resin that is used as a reflector of light emitted from a semiconductor element (LED) mounted on a lead frame and contains a filler such as silica and titanium oxide. The second resin is a transparent silicone resin used as a lens for light emitted from the LED and protecting the semiconductor element. By using a transparent silicone resin as the second resin, the transparency can be improved as compared with the case of using an epoxy resin or the like, and deterioration with time can be suppressed. However, this embodiment is not limited to these resins, and combinations of other resins are also applicable.
また本実施例において、1つのワーク10aからは40個の個片化ワーク11が製造されるが、本実施例はこれに限定されるものではない。単数又は複数のワーク10aから40個以外の数の個片化ワークを製造することもできる。 In the present embodiment, 40 individual workpieces 11 are manufactured from one workpiece 10a, but the present embodiment is not limited to this. It is also possible to manufacture a number of singulated workpieces other than 40 from a single or a plurality of workpieces 10a.
図1に示される切断装置1の平面図のように、切断装置1は、供給部100、切削部200、及び、収納部300を備えて構成されている。切断装置1の外部から供給部100の搬入位置(同図の紙面上側)に搬入されたワーク10aは、不図示の搬送手段により供給部100のトレイ20へ搬送され、その上に載置される。供給部100内のトレイ20に載置されたワーク10aは、X軸方向に移動可能なローダ40(ワーク搬送手段)により切削部200へ順次搬送されて供給される。 As shown in the plan view of the cutting device 1 shown in FIG. 1, the cutting device 1 includes a supply unit 100, a cutting unit 200, and a storage unit 300. The workpiece 10a carried from the outside of the cutting apparatus 1 to the carry-in position of the supply unit 100 (upper side in the drawing) is conveyed to the tray 20 of the supply unit 100 by a conveyance unit (not shown) and placed thereon. . The workpieces 10a placed on the tray 20 in the supply unit 100 are sequentially conveyed and supplied to the cutting unit 200 by a loader 40 (work conveyance unit) that can move in the X-axis direction.
図2(a)に示されるように、ワーク10aは、ローダ40によりX軸方向へ搬送される。ローダ40は、その下面に吸着部を有し、不図示の真空ポンプにより空気が吸引されることにより、トレイ20上に載置されたワーク10aをその吸着部で吸着する。このように、トレイ20上のワーク10は、ローダ40の吸着部によりZ軸方向に吸い上げられる。ローダ40の吸着部に吸着されたワーク10aは、ローダ40によりそのままX軸方向へ搬送される。ローダ40は、ワーク保持動作用の駆動源である真空ポンプ(不図示)との接続部材である管路を収容したプラチェーン(不図示)に接続されることで、その管路を介して真空ポンプに接続されている。また、ローダ40は、吊り下げ支持されており、供給部100と切削部200との間をX軸方向に移動可能に構成されている。 As shown in FIG. 2A, the workpiece 10 a is conveyed by the loader 40 in the X axis direction. The loader 40 has a suction part on its lower surface, and sucks air 10 by a vacuum pump (not shown) to suck the work 10a placed on the tray 20 with the suction part. Thus, the workpiece 10 on the tray 20 is sucked up in the Z-axis direction by the suction portion of the loader 40. The workpiece 10a adsorbed by the adsorbing portion of the loader 40 is conveyed by the loader 40 as it is in the X-axis direction. The loader 40 is connected to a plastic chain (not shown) that accommodates a pipe line that is a connection member with a vacuum pump (not shown) that is a drive source for a workpiece holding operation, so that the vacuum is passed through the pipe line. Connected to the pump. Further, the loader 40 is supported by being suspended, and is configured to be movable between the supply unit 100 and the cutting unit 200 in the X-axis direction.
供給部100にてワーク10aを吸着したローダ40は、切削部200のステージ32上に到達すると、真空ポンプによるワーク10aの吸引を止め、ワーク10aをステージ32上に載置する。なお、ワーク10aが切削部200へ搬送された後、搬入手段から搬入された新たなワーク10aがトレイ20の上に載置される。 When the loader 40 that has attracted the workpiece 10a by the supply unit 100 reaches the stage 32 of the cutting unit 200, the loader 40 stops sucking the workpiece 10a by the vacuum pump and places the workpiece 10a on the stage 32. In addition, after the workpiece | work 10a is conveyed to the cutting part 200, the new workpiece | work 10a carried in from the carrying-in means is mounted on the tray 20. FIG.
切削部200は、ステージ32、スピンドル61、62、及び、切削刃71、72(第一の切削刃)を備えて構成される第一の切削部と、ステージ33、スピンドル63、64、及び、切削刃73、74(第二の切削刃)を備えて構成される第二の切断部とを有する。第一の切削部は、ワーク10aの第一の主面側から第二の樹脂と第一の樹脂の少なくとも一部とを切削する。第一の切削部は、平面上で見た場合に、第二の切削部と同じ切削ラインに沿ってワーク10aを切削する。供給部100から切削部200へ搬送されたワーク10aが第一の切削部及び第二の切削部を順に通過して、所定の切削加工が行われることにより、複数の個片化ワーク11(半導体パッケージ)を得ることができる。 The cutting unit 200 includes a stage 32, spindles 61 and 62, and cutting blades 71 and 72 (first cutting blades). The first cutting unit includes a stage 33, spindles 63, 64, and And a second cutting portion configured to include cutting blades 73 and 74 (second cutting blades). The first cutting part cuts the second resin and at least a part of the first resin from the first main surface side of the workpiece 10a. The first cutting portion cuts the workpiece 10a along the same cutting line as the second cutting portion when viewed on a plane. The workpiece 10a conveyed from the supply unit 100 to the cutting unit 200 sequentially passes through the first cutting unit and the second cutting unit, and a predetermined cutting process is performed, whereby a plurality of individual workpieces 11 (semiconductors) Package).
上述のように、ローダ40を用いて供給部100から切削部200へ搬送されたワーク10aは、切削部200内のステージ32の上に載置される。ステージ32は、1個のワーク10aを保持可能であるとともに、図1中のY軸方向に移動可能に構成されている。 As described above, the workpiece 10 a transported from the supply unit 100 to the cutting unit 200 using the loader 40 is placed on the stage 32 in the cutting unit 200. The stage 32 is configured to be able to hold one workpiece 10a and to be movable in the Y-axis direction in FIG.
第一の切削部において、モータを主体に構成されるスピンドル61、62の回転軸の先端には、切削刃71、72がそれぞれ取り付けられている。また、スピンドル61、62は、切削刃71、72を向かい合わせて互いに対向して配置されている。このように、本実施例によれば、複数の切削刃を設けることにより、ワーク10aの切削時間を短縮し、生産性を向上させることが可能となる。 In the first cutting part, cutting blades 71 and 72 are respectively attached to the tips of the rotating shafts of spindles 61 and 62 mainly composed of a motor. Further, the spindles 61 and 62 are arranged to face each other with the cutting blades 71 and 72 facing each other. As described above, according to the present embodiment, by providing a plurality of cutting blades, it is possible to shorten the cutting time of the workpiece 10a and improve the productivity.
スピンドル61、62(回転軸)の回転とともに切削刃71、72も回転し、ステージ32上に載置されたワーク10aの切削が行われる。具体的には、ワークの第一の主面側(半導体チップの実装面側)から第二の樹脂(レンズ樹脂)と第一の樹脂(リフレクタ樹脂)の少なくとも一部とを切削する。本実施例では、切削刃71、72として同一の切削刃が用いられるが、これに限定されるものではない。 The cutting blades 71 and 72 also rotate along with the rotation of the spindles 61 and 62 (rotating shafts), and the workpiece 10a placed on the stage 32 is cut. Specifically, the second resin (lens resin) and at least a part of the first resin (reflector resin) are cut from the first main surface side (the semiconductor chip mounting surface side) of the workpiece. In the present embodiment, the same cutting blade is used as the cutting blades 71 and 72, but is not limited thereto.
ステージ32は、ローダ40からワーク10aを引受けた後、切削刃71、72でワーク10aの切削加工を行うため、Y軸方向(図1中の上方向)に移動する。また、ステージ32は、切削加工後には、ワーク10bを第二の切断部へ搬送するため、Y軸方向(下方向)に移動する。 After receiving the workpiece 10a from the loader 40, the stage 32 moves in the Y-axis direction (upward in FIG. 1) in order to cut the workpiece 10a with the cutting blades 71 and 72. Further, after the cutting process, the stage 32 moves in the Y-axis direction (downward) in order to transport the workpiece 10b to the second cutting part.
ステージ32は、XY平面内で回転可能に構成されている。また、スピンドル61、62はX軸方向(左右方向)に移動可能に構成されている。このようなステージ32及びスピンドル61、62を用いることにより、ステージ32に載置されたワーク10aの切削方向を任意に設定することができる。ステージ32における回転位置は、不図示の撮像装置から得られた位置情報に基づいて制御される。撮像装置は、例えば一方のスピンドル61に取り付けられており、ワーク10aの切削を行う前にワーク10aと切削刃71、72との間の位置合わせを行うために設けられている。撮像装置により取得されたワーク10aの位置情報に基づいて、ワーク10aと切削刃71、72との間の位置合わせが行われるため、ワーク10aの切削を高精度に行うことができる。また、不図示の制御部は、主制御部の制御下において、ステージ32、スピンドル61、62、及び、不図示の撮像装置の各動作を制御する。 The stage 32 is configured to be rotatable in the XY plane. The spindles 61 and 62 are configured to be movable in the X-axis direction (left-right direction). By using such a stage 32 and spindles 61 and 62, the cutting direction of the workpiece 10a placed on the stage 32 can be arbitrarily set. The rotational position in the stage 32 is controlled based on position information obtained from an imaging device (not shown). The imaging device is attached to, for example, one spindle 61, and is provided to perform alignment between the workpiece 10a and the cutting blades 71 and 72 before cutting the workpiece 10a. Since the position alignment between the workpiece 10a and the cutting blades 71 and 72 is performed based on the position information of the workpiece 10a acquired by the imaging device, the workpiece 10a can be cut with high accuracy. A control unit (not shown) controls each operation of the stage 32, the spindles 61 and 62, and the imaging device (not shown) under the control of the main control unit.
図3(a)は、本実施例におけるワーク10aの切削時の断面図である。図3(a)に示されるように、ワーク10aは、半導体素子60の実装面側(第一の主面側)を上にしてステージ32に載置されている。ステージ32の上には吸着パッドとして、切削刃71、72によって切削される後述の切削ラインに囲まれるように、吸着穴が開口したゴムパッド52が設けられている。真空ポンプVPがゴムパッド52及びステージ32の内部に設けられた管から空気を吸引することにより、ステージ32上にワーク10aを安定して載置することができる。 Fig.3 (a) is sectional drawing at the time of the cutting of the workpiece | work 10a in a present Example. As shown in FIG. 3A, the workpiece 10a is placed on the stage 32 with the mounting surface side (first main surface side) of the semiconductor element 60 facing up. A rubber pad 52 having suction holes is provided on the stage 32 as suction pads so as to be surrounded by a cutting line to be described later that is cut by the cutting blades 71 and 72. The vacuum pump VP sucks air from the rubber pad 52 and the pipe provided inside the stage 32, so that the workpiece 10a can be stably placed on the stage 32.
第一の切削部では、ワーク10aの第二の樹脂85(レンズ樹脂)と第一の樹脂88(リフレクタ樹脂)の少なくとも一部とが切削刃71(又は切削刃72)を用いて切削される。切削刃71、72は金属又は電鋳からなり、その厚さt1が例えば0.08〜0.15mmの比較的薄い刃が用いられる。切削刃71、72によるワーク10aの切削の際には、ステージ32は、例えば35mm/secのように比較的速い送り速度で移動する。第一の切削部のステージ32の送り速度は、第二の切削部のステージ33の送り速度よりも速く設定される。 In the first cutting portion, the second resin 85 (lens resin) and at least a part of the first resin 88 (reflector resin) of the workpiece 10a are cut using the cutting blade 71 (or the cutting blade 72). . The cutting blades 71 and 72 are made of metal or electroforming, and a relatively thin blade having a thickness t1 of, for example, 0.08 to 0.15 mm is used. When cutting the workpiece 10a with the cutting blades 71 and 72, the stage 32 moves at a relatively high feed rate, for example, 35 mm / sec. The feed speed of the stage 32 of the first cutting part is set faster than the feed speed of the stage 33 of the second cutting part.
このように、第一の切削部にて第二の樹脂と第一の樹脂の少なくとも一部とが切削されることにより、ワーク10aは第一の主面側において切削されたワーク10bとなる。図2(b)に示されるように、ワーク10bは、第一の切削部による切削後、ローダ40により吸着されて反転ユニット35上に搬送される。このように、ローダ40は、供給部100の所定位置と切削部200内の反転ユニット35との間の範囲R1(図1参照)においてX軸方向に移動可能に構成されており、ワーク10a(ワーク10b)を第一の主面を上向きにした状態で搬送する。 Thus, the workpiece 10a becomes the workpiece 10b cut on the first main surface side by cutting the second resin and at least a part of the first resin at the first cutting portion. As shown in FIG. 2B, the workpiece 10 b is sucked by the loader 40 and conveyed onto the reversing unit 35 after being cut by the first cutting portion. Thus, the loader 40 is configured to be movable in the X-axis direction in a range R1 (see FIG. 1) between a predetermined position of the supply unit 100 and the reversing unit 35 in the cutting unit 200, and the workpiece 10a ( The workpiece 10b) is conveyed with the first main surface facing upward.
反転ユニット35は、ワーク10bを反転させる。具体的には、図2(c)に示されるように、反転ユニット35は、切削された第一の主面を上向きに載置した状態でX軸方向にワーク10bを搬送する。そして、ステージ33の位置に到達してから回転部を回転させることにより、第一の主面とは反対側の第二の主面を上向きにしてステージ33上にワーク10bを載置する。なお、ワーク10bを搬送しながら回転させることで、ステージ33の位置に到達する前に第二の主面を上向きにしてもよい。図2(d)に示されるように、反転ユニット35は、ステージ33上にワーク10bを載置した後、再び回転部を回転させて元の位置に戻る。このように、反転ユニット35は、切削部200内の範囲R2(第一の切削部と第二の切削部との間)においてX軸方向に移動可能に構成されている。このとき、ローダ40は、切削対象となる次のワーク10aをステージ32に搬送する。 The reversing unit 35 reverses the workpiece 10b. Specifically, as shown in FIG. 2C, the reversing unit 35 transports the workpiece 10b in the X-axis direction with the cut first main surface placed on the top. Then, by rotating the rotating part after reaching the position of the stage 33, the work 10b is placed on the stage 33 with the second main surface opposite to the first main surface facing upward. Note that the second main surface may face upward before reaching the position of the stage 33 by rotating the work 10b while transporting it. As shown in FIG. 2D, after the work unit 10b is placed on the stage 33, the reversing unit 35 rotates the rotating unit again and returns to the original position. As described above, the reversing unit 35 is configured to be movable in the X-axis direction in the range R2 (between the first cutting part and the second cutting part) in the cutting part 200. At this time, the loader 40 conveys the next workpiece 10a to be cut to the stage 32.
図1に示されるように、切削部200において、第一の切削部の右隣りには第二の切削部が配置されている。第二の切削部は、ステージ33、スピンドル63、64、及び、切削刃73、74を備えており、取り付けられた切削刃の種類及びステージ33の構造以外の構成は、第一の切削部と同様である。第二の切削部は、ワーク10bの第二の主面側からリードフレーム70と、少なくとも第一の樹脂の残りの一部(第一の切削部で切削されていない部分)とを切削する。ワーク10bは、第二の切削部により個片化(切断)され、複数の個片化ワーク11(半導体パッケージ)が製造される。なお、本実施例における個片化ワーク11は、例えばメモリカード等のように個片化によって加工が完了するものでもよく、また、後の工程でさらに加工される半導体チップのような半製品でもよい。 As shown in FIG. 1, in the cutting part 200, a second cutting part is arranged on the right side of the first cutting part. The second cutting unit includes a stage 33, spindles 63 and 64, and cutting blades 73 and 74. The configuration other than the type of the attached cutting blade and the structure of the stage 33 is the same as that of the first cutting unit. It is the same. The second cutting part cuts the lead frame 70 and at least the remaining part of the first resin (the part not cut by the first cutting part) from the second main surface side of the workpiece 10b. The workpiece 10b is separated (cut) by the second cutting portion, and a plurality of separated workpieces 11 (semiconductor packages) are manufactured. Note that the individualized workpiece 11 in the present embodiment may be a workpiece that is completed by individualization, such as a memory card, or a semi-finished product such as a semiconductor chip that is further processed in a later process. Good.
図3(b)は、本実施例におけるワーク10bの切削時の断面図である。図3(b)に示されるように、ワーク10bは、半導体素子60の実装面側(第一の主面側)とは反対の第二の主面側を上にしてステージ33に載置されている。ステージ33上には、吸着パッドとして、第二の樹脂85における凸レンズ状の突起部分を収納可能な大きさの吸着穴が開口した、導電性のプラスチックパッド53が設けられている。ステージ32の場合と同様に、真空ポンプVPがプラスチックパッド53及びステージ33の内部に設けられた管から空気を吸引することにより、ステージ33上にワーク10bを安定して載置することができる。ステージ33上には第二の樹脂85が載置されるため、ステージ33の吸着パッドとしてプラスチックパッド53を用いることにより、ワーク10bの加工精度を高めることが可能になる。これは、第二の樹脂85に用いられる透明シリコーン樹脂は弾性が高くゴム状であるためであり、吸着パッドにゴムを用いなくても十分に吸着可能な程度に密閉することができるからである。この場合、変形の少ないプラスチックパッド53を吸着パッドとして用いる方が、加工時のワーク10bの変位を少なく抑えることが可能となる。
第二の切削部では、リードフレーム70と第一の樹脂88(リフレクタ樹脂)の残りの一部とが切削刃73(又は切削刃74)を用いて切削される。切削刃73、74はレジン又は金属からなり、その厚さt2が例えば0.3〜0.5mmの比較的厚い刃が用いられる。切削刃73、74によるワーク10bの切削の際には、ステージ33は、例えば5mm/sec程度の送り速度で移動する。
FIG. 3B is a cross-sectional view at the time of cutting the workpiece 10b in the present embodiment. As shown in FIG. 3B, the workpiece 10 b is placed on the stage 33 with the second main surface side opposite to the mounting surface side (first main surface side) of the semiconductor element 60 facing up. ing. On the stage 33, a conductive plastic pad 53 having a suction hole of a size capable of accommodating a convex lens-shaped protrusion of the second resin 85 is provided as a suction pad. As in the case of the stage 32, the vacuum pump VP sucks air from the plastic pad 53 and the pipe provided inside the stage 33, so that the workpiece 10b can be stably placed on the stage 33. Since the second resin 85 is placed on the stage 33, the processing accuracy of the workpiece 10b can be increased by using the plastic pad 53 as the suction pad of the stage 33. This is because the transparent silicone resin used for the second resin 85 is highly elastic and rubbery, and can be sealed to a degree that can be sufficiently adsorbed without using rubber for the suction pad. . In this case, it is possible to suppress the displacement of the workpiece 10b during processing by using the plastic pad 53 with less deformation as the suction pad.
In the second cutting portion, the lead frame 70 and the remaining part of the first resin 88 (reflector resin) are cut using the cutting blade 73 (or cutting blade 74). The cutting blades 73 and 74 are made of resin or metal, and a relatively thick blade having a thickness t2 of, for example, 0.3 to 0.5 mm is used. When cutting the workpiece 10b with the cutting blades 73 and 74, the stage 33 moves at a feed rate of, for example, about 5 mm / sec.
上述のように、第一の切削部における切削刃71、72の厚さt1は、第二の切削部における切削刃73、74の厚さt2よりも薄い。図4は、本実施例における個片化ワーク11(半導体パッケージ)の構成図である。図4(a)は個片化ワーク11の断面図を示し、図4(b)は図4(a)の矢印Bの方向から見た場合の個片化ワーク11の側面図である。 As described above, the thickness t1 of the cutting blades 71 and 72 in the first cutting part is thinner than the thickness t2 of the cutting blades 73 and 74 in the second cutting part. FIG. 4 is a configuration diagram of the individualized workpiece 11 (semiconductor package) in the present embodiment. 4A shows a cross-sectional view of the individualized workpiece 11, and FIG. 4B is a side view of the individualized workpiece 11 when viewed from the direction of arrow B in FIG. 4A.
図4(a)、(b)に示されるように、個片化ワーク11の切断部において、第一の樹脂88と第二の樹脂85との間に段差S1が形成されている。段差S1が形成されている部分は、第一の切削部により切削された部分である。しかし、第一の樹脂88は切削刃の厚さt1により切削される一方、第二の樹脂85は切削刃により押し潰すことで、切削刃の回転方向に引き伸ばしながら摩擦熱で溶かして切削される。このため、第二の樹脂85は第一の樹脂88に比べて広がり、第一の樹脂88と第二の樹脂85の境界には段差S1が形成される。この段差S1を小さくするため、第一の切削部における切削刃の厚さt1をより薄くすることが好ましい。 As shown in FIGS. 4A and 4B, a step S <b> 1 is formed between the first resin 88 and the second resin 85 in the cut portion of the individualized workpiece 11. The part where the step S1 is formed is a part cut by the first cutting part. However, while the first resin 88 is cut by the thickness t1 of the cutting blade, the second resin 85 is melted and cut by frictional heat while being stretched in the rotation direction of the cutting blade by being crushed by the cutting blade. . For this reason, the second resin 85 spreads compared to the first resin 88, and a step S1 is formed at the boundary between the first resin 88 and the second resin 85. In order to reduce the step S1, it is preferable to make the thickness t1 of the cutting blade in the first cutting portion thinner.
また、第一の樹脂88には段差S2が形成されている。段差S2が形成されている部分は、第一の切削部と第二の切削部により切削された部分の境界に相当する。段差S2は、第一の切削部の切削刃71、72の厚さt1と第二の切削部の切削刃73、74の厚さt2が異なることにより形成される。段差S2の水平距離Dは、D=(t2−t1)/2で表される。 Further, a step S <b> 2 is formed in the first resin 88. The portion where the step S2 is formed corresponds to the boundary between the portion cut by the first cutting portion and the second cutting portion. The step S2 is formed when the thickness t1 of the cutting blades 71 and 72 of the first cutting part is different from the thickness t2 of the cutting blades 73 and 74 of the second cutting part. The horizontal distance D of the step S2 is represented by D = (t2-t1) / 2.
第二の切削部において、ワーク10bは例えば40個の個片化ワーク11に切断される。具体的には、第二の切削部における切削刃73、74でワーク10bを切削することにより、ワーク10bは8行5列の個片化ワーク11に分割される。このように、ステージ33は、複数個の個片化ワーク11を保持する必要があるため、各個片化ワーク11を個別に吸着保持可能に構成されている。 In the second cutting part, the workpiece 10b is cut into, for example, 40 pieces of workpieces 11. Specifically, by cutting the workpiece 10b with the cutting blades 73 and 74 in the second cutting portion, the workpiece 10b is divided into the individual workpieces 11 in 8 rows and 5 columns. As described above, since the stage 33 needs to hold a plurality of individualized workpieces 11, each of the individualized workpieces 11 can be sucked and held individually.
ワーク10bの切断後、複数の個片化ワーク11を載置したステージ33は図1中のY軸方向(同図の下方向)へ移動する。次に、図2(e)に示されるように、オフローダ41(個片化ワーク搬送手段)は、ステージ33の上に載置された40個の個片化ワーク11を吸着してX軸方向へ移動し、40個の個片化ワーク11を収納部300へ搬送する。このとき、ローダ40は次のワーク10bをステージ32から反転ユニット35へ搬送する。図1に示されるように、オフローダ41は、切削部200内におけるステージ33の位置と収納部300内における所定位置との間の範囲R3において、X軸方向に移動可能に構成されている。 After cutting the workpiece 10b, the stage 33 on which the plurality of individualized workpieces 11 are placed moves in the Y-axis direction in FIG. 1 (downward in the drawing). Next, as shown in FIG. 2 (e), the offloader 41 (individualized workpiece conveying means) adsorbs the 40 individualized workpieces 11 placed on the stage 33 and moves in the X-axis direction. And the 40 pieces 11 are transported to the storage unit 300. At this time, the loader 40 conveys the next workpiece 10b from the stage 32 to the reversing unit 35. As shown in FIG. 1, the offloader 41 is configured to be movable in the X-axis direction in a range R <b> 3 between the position of the stage 33 in the cutting unit 200 and a predetermined position in the storage unit 300.
オフローダ41は、複数の個片化ワーク11のそれぞれを吸着するための吸着部(不図示)を有する。吸着部は、個片化ワーク11を吸着保持可能とするため、例えばゴム等の弾性体で構成されている。また、吸着部には、吸引孔(不図示)が個片化ワーク11の個数(本実施例では40個)だけ独立して設けられている。 The offloader 41 has a suction portion (not shown) for sucking each of the plurality of individualized workpieces 11. The suction part is made of, for example, an elastic body such as rubber so that the individualized workpiece 11 can be sucked and held. Further, the suction part is provided with as many suction holes (not shown) as the number of the individual workpieces 11 (40 in this embodiment).
また、オフローダ41は、収納部300内に設けられた洗浄・検査部90(洗浄・検査ステージ)に複数の個片化ワーク11(半導体パッケージ)を載置する。収納部300内に設けられた洗浄・検査部90は、洗浄部と検査部とを備える。洗浄部は、複数の個片化ワーク11の切断面等を洗浄する。また検査部は、各々の個片化ワーク11について、外観検査や導通検査等の検査を実施し、個片化ワーク11が良品か否かを判定する。検査に合格した個片化ワーク11は、トレイ24の中に収納される。 The offloader 41 places a plurality of individualized workpieces 11 (semiconductor packages) on a cleaning / inspection unit 90 (cleaning / inspection stage) provided in the storage unit 300. The cleaning / inspection unit 90 provided in the storage unit 300 includes a cleaning unit and an inspection unit. The cleaning unit cleans the cut surfaces and the like of the plurality of individualized workpieces 11. In addition, the inspection unit performs inspections such as an appearance inspection and a continuity inspection on each individual workpiece 11 and determines whether the individual workpiece 11 is a non-defective product. The individualized workpieces 11 that have passed the inspection are stored in the tray 24.
なお本実施例では、半導体素子(LED)を実装した第一の主面側を切削した後に反対の第二の主面側を切削している。これは、第二の主面側を先に切削すると、強度の高いリードフレームが切断され、各パッケージ相当の領域間が樹脂だけで接続された状態となり、ワークを安定して搬送することが困難になるためである。ただし、本実施例はこれに限定されるものではなく、リードフレームを先に切断した場合でもワークの搬送に問題がない場合には、第二の主面側を切削した後に第一の主面側を切削してもよい。 In this embodiment, the second main surface side opposite to the first main surface side on which the semiconductor element (LED) is mounted is cut. This is because if the second main surface side is cut first, the lead frame with high strength is cut, and the area corresponding to each package is connected with resin only, making it difficult to stably transport the workpiece. Because it becomes. However, the present embodiment is not limited to this, and if there is no problem in workpiece transfer even when the lead frame is cut first, the first main surface is cut after cutting the second main surface side. The side may be cut.
また本実施例では、半導体パッケージとして、LED(発光ダイオード)を実装したLEDパッケージについて説明したが、本実施例はこれに限定されるものではなく、例えばCCD(電荷結合素子)を実装したCCDパッケージにも適用可能である。 In this embodiment, an LED package on which an LED (light emitting diode) is mounted has been described as a semiconductor package. However, the present embodiment is not limited to this, and for example, a CCD package on which a CCD (charge coupled device) is mounted. It is also applicable to.
このように、本実施例によれば、高品質な半導体パッケージの製造方法を提供することができる。また、高品質な半導体パッケージの製造が可能な切断装置を提供することができる。 Thus, according to the present embodiment, a method for manufacturing a high-quality semiconductor package can be provided. Further, it is possible to provide a cutting device capable of manufacturing a high-quality semiconductor package.
次に、本発明の実施例2における切断装置の構成及び動作について説明する。図5は、本実施例の一例としての切断装置2の概略構成図である。また図6は、切断装置2の動作説明図である。 Next, the configuration and operation of the cutting device according to the second embodiment of the present invention will be described. FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a cutting device 2 as an example of the present embodiment. FIG. 6 is an operation explanatory diagram of the cutting device 2.
本実施例の切断装置2は、第二の切削部にて切断された複数の個片化ワーク11が反転ユニットにより収納部300へ搬送されるという点で、オフローダ41により搬送される実施例1の切断装置1とは異なる。すなわち本実施例の反転ユニットは、オフローダとしての機能をも有する。なお、切断装置2のそれ以外の構成や動作については切断装置1と同様であるため、それらの構成や動作についての説明は省略する。 The cutting apparatus 2 of the present embodiment is transported by the offloader 41 in that the plurality of individualized workpieces 11 cut by the second cutting section are transported to the storage section 300 by the reversing unit. This is different from the cutting apparatus 1 of FIG. That is, the reversing unit of this embodiment also has a function as an offloader. In addition, since it is the same as that of the cutting device 1 about the other structure and operation | movement of the cutting device 2, description about those structures and operation | movement is abbreviate | omitted.
上述のとおり、切断装置2の切削部201には、反転ユニット36が設けられている。図6(a)に示されるように、ワーク10aはローダ40によりステージ32上に搬送される。その後、図6(b)に示されるように、ワーク10aは第一の切削部にて切削されることによりワーク10bとなり、ローダ40により反転ユニット36上に搬送される。 As described above, the reversing unit 36 is provided in the cutting unit 201 of the cutting device 2. As shown in FIG. 6A, the workpiece 10 a is conveyed onto the stage 32 by the loader 40. Thereafter, as shown in FIG. 6B, the workpiece 10 a is cut by the first cutting portion to become the workpiece 10 b and is conveyed onto the reversing unit 36 by the loader 40.
図6(c)に示されるように、反転ユニット36は、その回転部を回転させてワーク10bをステージ33に搬送する。このとき、ワーク10bは、半導体素子60の実装面である第一の主面とは反対側の第二の主面を上向きにしてステージ33上に載置される。次に、ワーク10bは第二の切削部により切断され、複数の個片化ワーク11(複数の半導体パッケージ)が形成される。このとき、図6(d)に示されるように、切削対象となる次のワーク10aがローダ40によりステージ32上に搬送される。 As shown in FIG. 6C, the reversing unit 36 rotates the rotating part and conveys the workpiece 10 b to the stage 33. At this time, the workpiece 10b is placed on the stage 33 with the second main surface opposite to the first main surface, which is the mounting surface of the semiconductor element 60, facing upward. Next, the workpiece | work 10b is cut | disconnected by the 2nd cutting part, and the several piece workpiece | work 11 (several semiconductor packages) is formed. At this time, as shown in FIG. 6D, the next workpiece 10 a to be cut is conveyed onto the stage 32 by the loader 40.
図6(e)に示されるように、ステージ33上に載置された複数の個片化ワーク11は、反転ユニット36により吸着され、収納部300へ搬送される。反転ユニット36は、個片化ワーク11の搬送を完了すると、反対方向(−X方向)へ初期位置まで戻る。その後、第一の切削部にて切削された次のワーク10bがローダ40により搬送され、反転ユニット36の上に載置される。 As shown in FIG. 6E, the plurality of individualized workpieces 11 placed on the stage 33 are sucked by the reversing unit 36 and conveyed to the storage unit 300. The reversing unit 36 returns to the initial position in the opposite direction (−X direction) when the conveyance of the individualized workpiece 11 is completed. Thereafter, the next workpiece 10 b cut by the first cutting unit is conveyed by the loader 40 and placed on the reversing unit 36.
図5に示されるように、本実施例のローダ40は、供給部100と切削部201内の反転ユニット36の初期位置との間の範囲R4を移動可能に構成されている。また、本実施例の反転ユニット36は、切削部201内の反転ユニット36の初期位置と収納部300内の所定位置との間の範囲R5を移動可能に構成されている。 As shown in FIG. 5, the loader 40 of the present embodiment is configured to be movable in a range R <b> 4 between the supply unit 100 and the initial position of the reversing unit 36 in the cutting unit 201. In addition, the reversing unit 36 of the present embodiment is configured to be movable in a range R5 between the initial position of the reversing unit 36 in the cutting unit 201 and a predetermined position in the storage unit 300.
このように、本実施例の切断装置2では、複数の個片化ワーク11を反転ユニット36で搬送するように構成されている。このため、実施例1のようなオフローダ41を設ける必要はなく、実施例1よりも簡易な構成で切断装置を実現することができる。一方、本実施例の反転ユニット36は、実施例1のオフローダ41と同様に、複数の個片化ワーク11のそれぞれを吸着するための吸着部(不図示)を有する。吸着部は、個片化ワーク11を吸着保持可能とするため、例えばゴム等の弾性体で構成されている。また、吸着部には、吸引孔(不図示)が個片化ワーク11の個数だけ独立して設けられている。 As described above, the cutting apparatus 2 according to the present embodiment is configured to convey the plurality of individualized workpieces 11 by the reversing unit 36. For this reason, it is not necessary to provide the offloader 41 as in the first embodiment, and the cutting device can be realized with a simpler configuration than in the first embodiment. On the other hand, the reversing unit 36 of the present embodiment has a suction portion (not shown) for sucking each of the plurality of individualized workpieces 11, similarly to the offloader 41 of the first embodiment. The suction part is made of, for example, an elastic body such as rubber so that the individualized workpiece 11 can be sucked and held. In addition, suction holes (not shown) are provided in the suction portion independently by the number of the individual workpieces 11.
次に、例えば本実施例の切断装置2を用いた上述の実施例とは異なる切削方法及びその切削方法により製造される半導体パッケージについて説明する。図7は、本実施例におけるワーク切削時の断面図である。図8は、本実施例における半導体パッケージの構成図である。 Next, for example, a cutting method different from the above-described embodiment using the cutting device 2 of this embodiment and a semiconductor package manufactured by the cutting method will be described. FIG. 7 is a cross-sectional view at the time of workpiece cutting in the present embodiment. FIG. 8 is a configuration diagram of a semiconductor package in the present embodiment.
図7(a)は、第一の切削部によるワーク10aの第二の樹脂88(リフレクタ樹脂)と第一の樹脂85(レンズ樹脂)の少なくとも一部とを切削している場合のワーク10aの断面図を示している。図7(a)に示されるように、第一の切削部において、ワーク10aは厚さt1の切削刃71(又は、切削刃72)を用いて切削される。また、本実施例では、切削刃71、72を用いて近傍の二つのラインが切削される。二箇所の切削ラインの全体の幅は、第二の切削部の切削刃73の厚さt2に等しい。すなわち、第一の切削部は、二つの切削ラインの合計の切削幅が第二の切削部による切削幅(厚さt2)と等しくなるように、ワーク10aを切削する。切削刃71、72の厚さt1及び切削刃73、74の厚さt2を用いると、二つの切削ラインの間の距離d1は、d1=t2−2×t1を満たすように設定される。 FIG. 7A shows the workpiece 10a when the second resin 88 (reflector resin) and at least a part of the first resin 85 (lens resin) of the workpiece 10a are cut by the first cutting portion. A cross-sectional view is shown. As shown in FIG. 7A, in the first cutting portion, the workpiece 10a is cut using a cutting blade 71 (or cutting blade 72) having a thickness t1. In the present embodiment, two neighboring lines are cut using the cutting blades 71 and 72. The overall width of the two cutting lines is equal to the thickness t2 of the cutting blade 73 of the second cutting part. That is, the first cutting part cuts the workpiece 10a so that the total cutting width of the two cutting lines is equal to the cutting width (thickness t2) by the second cutting part. When the thickness t1 of the cutting blades 71 and 72 and the thickness t2 of the cutting blades 73 and 74 are used, the distance d1 between the two cutting lines is set to satisfy d1 = t2-2 × t1.
図7(b)は、第二の切削部によるワーク10bのリードフレーム70と第一の樹脂88の残りの一部(第一の切削部で切削されていない部分)を切削している場合のワーク10bの断面図を示している。図7(b)に示されるように、第二の切削部において、ワーク10bは厚さt2の切削刃73を用いて切削される。ここで、第一の切削部により切削された第二の樹脂88と第一の樹脂85は、全体として切削刃73の厚さt2に等しい幅を有する。 FIG. 7B shows the case where the lead frame 70 of the workpiece 10b and the remaining part of the first resin 88 (the portion not cut by the first cutting portion) are cut by the second cutting portion. A cross-sectional view of the workpiece 10b is shown. As shown in FIG. 7B, in the second cutting portion, the workpiece 10b is cut using a cutting blade 73 having a thickness t2. Here, the second resin 88 and the first resin 85 cut by the first cutting part have a width equal to the thickness t2 of the cutting blade 73 as a whole.
図8(a)、(b)に示されるように、個片化ワーク11の切断部において、第一の樹脂88と第二の樹脂85との間には段差S1が形成されている。段差S1が形成される理由は、実施例1で説明したとおりである。一方、本実施例では、第一の樹脂88の切断面Pは平坦であり、段差が形成されていない。これは、図7に示されるように、第一の切削部及び第二の切削部での切削厚さを同一にしたためである。これにより、例えば搬送や実装のためにハンドリングする際に段差S2にハンドが引っかかって力が加わり、第一の樹脂88とリードフレーム70との間で剥離が発生してしまうような事態を確実に防止することができる。 As shown in FIGS. 8A and 8B, a step S <b> 1 is formed between the first resin 88 and the second resin 85 in the cut portion of the singulated workpiece 11. The reason why the step S1 is formed is as described in the first embodiment. On the other hand, in this embodiment, the cut surface P of the first resin 88 is flat and no step is formed. This is because the cutting thicknesses in the first cutting portion and the second cutting portion are the same as shown in FIG. As a result, for example, when handling for transportation or mounting, the hand is caught in the step S2 and a force is applied, and a situation in which separation occurs between the first resin 88 and the lead frame 70 is ensured. Can be prevented.
以上のとおり、本実施例によれば、第一の樹脂88の切断面Pに段差が形成されることはない。したがって、本実施例の切削方法によれば、実施例1の切削方法に比べて、半導体パッケージの切断面をより綺麗にしてハンドリングし易くすることができる。 As described above, according to the present embodiment, no step is formed on the cut surface P of the first resin 88. Therefore, according to the cutting method of the present embodiment, the cut surface of the semiconductor package can be made cleaner and easier to handle than the cutting method of the first embodiment.
次に、本発明の実施例3における切断装置の構成及び動作について説明する。図9は、本実施例の一例としての切断装置3の概略構成図である。また図10は、切断装置3の動作説明図である。 Next, the configuration and operation of the cutting device according to Embodiment 3 of the present invention will be described. FIG. 9 is a schematic configuration diagram of a cutting device 3 as an example of the present embodiment. FIG. 10 is an explanatory diagram of the operation of the cutting device 3.
本実施例の切断装置3は、第一の切削部及び第二の切削部が一つのステージ34を共有している点で、2つの別のステージ32、33を備える上記実施例の切断装置1、2とは異なる。なお、切断装置3のそれ以外の構成や動作については切断装置1、2と同様であるため、それらの構成や動作についての説明は省略する。 The cutting device 3 according to the present embodiment includes two separate stages 32 and 33 in that the first cutting portion and the second cutting portion share one stage 34. 2 is different. In addition, since it is the same as that of the cutting devices 1 and 2 about the structure and operation | movement other than that of the cutting device 3, description about those structures and operation | movement is abbreviate | omitted.
図9(a)に示されるように、切断装置3の切削部202において、第一の切削部は、スピンドル65、厚さt1の切削刃75、及び、ステージ34を備えて構成される。また第二の切断部は、スピンドル66、厚さt2の切削刃76、及び、ステージ34を備えて構成される。このように切断装置3では、互いに対向して配置される切削刃75、76がそれぞれ第一の切削部及び第二の切削部の切断刃を構成し、第一の切削部及び第二の切削部の両方が一つのステージ34を共有している。本実施例のステージ34は、リードフレーム70及び第二の樹脂85を吸着しなければならないため、これらを確実に吸着するためにゴム等の弾性体で構成された吸着パッドを備えている。 As shown in FIG. 9A, in the cutting unit 202 of the cutting device 3, the first cutting unit includes a spindle 65, a cutting blade 75 having a thickness t <b> 1, and a stage 34. The second cutting section includes a spindle 66, a cutting blade 76 having a thickness t2, and a stage 34. As described above, in the cutting device 3, the cutting blades 75 and 76 arranged to face each other constitute the cutting blades of the first cutting portion and the second cutting portion, respectively, and the first cutting portion and the second cutting portion. Both departments share one stage 34. Since the stage 34 of this embodiment must adsorb the lead frame 70 and the second resin 85, the stage 34 includes an adsorption pad made of an elastic body such as rubber in order to reliably adsorb them.
図10(a)に示されるように、ワーク10aはローダ40によりステージ34上に搬送される。その後、図10(b)に示されるように、ワーク10aは第一の切削部にて切削されることによりワーク10bとなり、ローダ40により反転ユニット37上に搬送される。この場合、この反転ユニット37は、反転ユニット36と同様に、ゴム等の弾性体で構成された吸着部を備えている。 As shown in FIG. 10A, the workpiece 10 a is conveyed onto the stage 34 by the loader 40. Thereafter, as shown in FIG. 10B, the workpiece 10 a is cut by the first cutting portion to become the workpiece 10 b and is conveyed onto the reversing unit 37 by the loader 40. In this case, similarly to the reversing unit 36, the reversing unit 37 includes a suction portion made of an elastic body such as rubber.
図10(c)に示されるように、反転ユニット37は、その回転部を回転させて逆方向(−X方向)に移動し、ワーク10bをステージ34に搬送する。ワーク10bは、半導体素子60の実装面である第一の主面とは反対側の第二の主面を上向きにしてステージ34上に載置される。このとき、ローダ40は、切削対象となる次のワーク10aを搬送するため、逆方向(−X方向)に移動して初期位置に戻る。ワーク10bが反転ユニット37によりステージ34上に載置された後、反転ユニット37はX方向に移動して初期位置に戻る。 As shown in FIG. 10C, the reversing unit 37 rotates its rotating part and moves in the reverse direction (−X direction), and conveys the workpiece 10 b to the stage 34. The workpiece 10b is placed on the stage 34 with the second main surface opposite to the first main surface, which is the mounting surface of the semiconductor element 60, facing upward. At this time, the loader 40 moves in the reverse direction (−X direction) and returns to the initial position in order to convey the next workpiece 10a to be cut. After the workpiece 10b is placed on the stage 34 by the reversing unit 37, the reversing unit 37 moves in the X direction and returns to the initial position.
次に、図10(e)に示されるように、ステージ34上に載置されたワーク10bは第二の切削部により切断され、複数の個片化ワーク11(複数の半導体パッケージ)が形成される。また、反転ユニット37は−X方向に移動してステージ34上に載置された複数の個片化ワーク11を吸着し、X方向に移動して個片化ワーク11を収納部300に搬送する。このように本実施例の切断装置3では、図9(b)に示されるように、一つのステージ34上において、ワーク10aを切削してワーク10bが形成され、さらに、ワーク10bを切削して複数の個片化ワーク11が形成される。 Next, as shown in FIG. 10 (e), the workpiece 10b placed on the stage 34 is cut by the second cutting portion, and a plurality of individualized workpieces 11 (a plurality of semiconductor packages) are formed. The Further, the reversing unit 37 moves in the −X direction to suck the plurality of individualized workpieces 11 placed on the stage 34 and moves in the X direction to convey the individualized workpieces 11 to the storage unit 300. . Thus, in the cutting device 3 of the present embodiment, as shown in FIG. 9B, the workpiece 10a is cut on one stage 34 to form the workpiece 10b, and further, the workpiece 10b is cut. A plurality of individualized workpieces 11 are formed.
図9(a)に示されるように、本実施例のローダ40は、供給部100と切削部201内の反転ユニット37の初期位置との間の範囲R6を移動可能に構成されている。また、本実施例の反転ユニット37は、切削部201内のステージ34と収納部300内の所定位置との間の範囲R7を移動可能に構成されている。 As shown in FIG. 9A, the loader 40 of this embodiment is configured to be movable in a range R <b> 6 between the supply unit 100 and the initial position of the reversing unit 37 in the cutting unit 201. Further, the reversing unit 37 of the present embodiment is configured to be movable in a range R7 between the stage 34 in the cutting unit 201 and a predetermined position in the storage unit 300.
このように、本実施例の切断装置3では、第一の切削部及び第二の切削部は一つのステージ34を共有している。また、ワーク10b及び複数の個片化ワーク11は反転ユニット37で搬送するように構成されている。このため、実施例1、2のように、2つの切削刃を対向配置させて構成される切削部を複数設ける必要はない。また、実施例1のようにオフローダ41を設ける必要はない。このため、本実施例によれば、実施例1、2よりも簡易な構成で小型の切断装置を実現することができる。 Thus, in the cutting device 3 of the present embodiment, the first cutting part and the second cutting part share one stage 34. The workpiece 10b and the plurality of individualized workpieces 11 are configured to be conveyed by the reversing unit 37. For this reason, it is not necessary to provide a plurality of cutting parts configured by arranging two cutting blades to face each other as in the first and second embodiments. Further, it is not necessary to provide the offloader 41 as in the first embodiment. For this reason, according to the present Example, a small cutting device can be realized with a simpler configuration than those of Examples 1 and 2.
上記各実施例によれば、高品質の半導体パッケージの製造方法を提供することができる。また、そのような高品質の半導体パッケージを製造するための切断装置を提供することができる。 According to each of the above embodiments, a method for manufacturing a high-quality semiconductor package can be provided. Moreover, the cutting device for manufacturing such a high quality semiconductor package can be provided.
以上、本発明の実施例について具体的に説明した。ただし、本発明は上記実施例として記載された事項に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。 The embodiment of the present invention has been specifically described above. However, the present invention is not limited to the matters described as the above-described embodiments, and can be appropriately changed without departing from the technical idea of the present invention.
1、2、3 切断装置
10a、10b ワーク
11 個片化ワーク(半導体パッケージ)
32、33、34 ステージ
35、36、37 反転ユニット
71、72、73、74 切削刃
100 供給部
200、201、202 切削部
300 収納部
1, 2, 3 Cutting device 10a, 10b Work piece 11 Piece work (semiconductor package)
32, 33, 34 Stages 35, 36, 37 Reversing units 71, 72, 73, 74 Cutting blade 100 Supply unit 200, 201, 202 Cutting unit 300 Storage unit
Claims (5)
前記ワークの第一の主面側から前記第二の樹脂と前記第一の樹脂の一部とを第一の切削刃を用いて切削する工程と、
前記ワークを反転させる工程と、
前記ワークの前記第一の主面とは反対側の第二の主面側から前記リードフレームと前記第一の樹脂の残りを第二の切削刃を用いて切削する工程と、を有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。 A manufacturing method of a semiconductor package formed by separating a workpiece in which a first resin and a second resin are sequentially laminated on a lead frame,
A step of cutting by using a first major surface said first and said second resin from the side of the part and the first cutting edge of the resin of the workpiece,
Reversing the workpiece;
To have a step of cutting with the said first main surface and opposite second from said main surface and said lead frame first residual Rio second cutting edge of the resin of the workpiece A method for manufacturing a semiconductor package.
前記第二の樹脂は、前記LEDから射出した光のレンズとして用いられる透明シリコーン樹脂であることを特徴とする請求項1記載の半導体パッケージの製造方法。 The first resin is used as a reflector of light emitted from the LED mounted on the lead frame, and is a silicone resin containing silica and titanium oxide,
2. The method of manufacturing a semiconductor package according to claim 1, wherein the second resin is a transparent silicone resin used as a lens of light emitted from the LED.
前記ワークの第一の主面側から前記第二の樹脂と前記第一の樹脂の一部とを切削する第一の切削刃と、
前記ワークを反転させる反転ユニットと、
前記ワークの前記第一の主面とは反対側の第二の主面側から前記リードフレームと前記第一の樹脂の残りを切削する第二の切削刃と、を有することを特徴とする切断装置。 A cutting device for separating a workpiece in which a first resin and a second resin are sequentially laminated on a lead frame,
A first cutting edge for cutting a part of the first resin and the second resin from the first main surface side of the workpiece,
A reversing unit for reversing the workpiece;
Wherein the said first major surface of the workpiece, characterized in that the second main surface side of the opposite having a second cutting edge for remaining Rio cutting of the lead frame and the first resin Cutting device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009133132A JP5173940B2 (en) | 2009-06-02 | 2009-06-02 | Semiconductor package manufacturing method and cutting apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009133132A JP5173940B2 (en) | 2009-06-02 | 2009-06-02 | Semiconductor package manufacturing method and cutting apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010283016A JP2010283016A (en) | 2010-12-16 |
JP5173940B2 true JP5173940B2 (en) | 2013-04-03 |
Family
ID=43539544
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009133132A Expired - Fee Related JP5173940B2 (en) | 2009-06-02 | 2009-06-02 | Semiconductor package manufacturing method and cutting apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5173940B2 (en) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5468886B2 (en) * | 2009-12-02 | 2014-04-09 | アピックヤマダ株式会社 | Cutting apparatus and cutting method |
JP2014216622A (en) * | 2013-04-30 | 2014-11-17 | 日亜化学工業株式会社 | Method for manufacturing light-emitting device |
KR102310646B1 (en) * | 2015-04-14 | 2021-10-08 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | Light emitting device package and apparatus for dicing a light emitting device package array |
JP6728998B2 (en) * | 2015-06-09 | 2020-07-22 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting device manufacturing method and light emitting device |
JP2018207005A (en) * | 2017-06-07 | 2018-12-27 | シチズン電子株式会社 | Light-emitting device, manufacturing method thereof and planar light unit |
JP7376775B2 (en) * | 2019-09-24 | 2023-11-09 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting device and its manufacturing method |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3291278B2 (en) * | 1999-10-19 | 2002-06-10 | サンユレック株式会社 | Optoelectronic component manufacturing method |
JP5192646B2 (en) * | 2006-01-16 | 2013-05-08 | Towa株式会社 | Optical element resin sealing method, resin sealing apparatus, and manufacturing method thereof |
JP2007311378A (en) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Renesas Technology Corp | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device |
-
2009
- 2009-06-02 JP JP2009133132A patent/JP5173940B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010283016A (en) | 2010-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102047035B1 (en) | Die bonding apparatus | |
JP5173940B2 (en) | Semiconductor package manufacturing method and cutting apparatus | |
CN107533965B (en) | Adsorption mechanism, adsorption method, manufacturing device and manufacturing method | |
JP2005332982A (en) | Method for manufacturing semiconductor apparatus | |
JP5897686B1 (en) | Workpiece suction plate, work cutting device, work cutting method, and work suction plate manufacturing method | |
KR20090025154A (en) | Expanding method and expanding apparatus | |
KR102654506B1 (en) | Wafer debonding method and wafer debonding apparatus | |
TWI726230B (en) | Holding member, method of manufacturing holding member, holding mechanism, and product manufacturing device | |
JP2019160948A (en) | Die bonding device and manufacturing method of semiconductor device | |
JP5129002B2 (en) | Processing equipment | |
JP6849468B2 (en) | Semiconductor manufacturing equipment and manufacturing method of semiconductor equipment | |
JP2008159724A (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
CN107068606A (en) | Processing unit (plant) | |
JP6579929B2 (en) | Processing equipment | |
TWI747296B (en) | Flange end face correction device, cutting device, flange end face correction method, and cut product manufacturing method | |
KR20060044663A (en) | Process and equipment for manufacturing extremely thin chip | |
WO2022113574A1 (en) | Cutting device and cut item production method | |
JP2017175055A (en) | Handling method for package wafer | |
KR101288544B1 (en) | System and method for singulation of ceramic package | |
TWI810693B (en) | Cutting device and manufacturing method for cut product | |
TWI858554B (en) | Cutting device and method for manufacturing cut product | |
JP7068409B2 (en) | Cutting equipment and manufacturing method of cut products | |
CN112530834B (en) | Chip mounting apparatus, peeling unit, collet, and method for manufacturing semiconductor device | |
JP5970381B2 (en) | Substrate cutting method and cutting apparatus | |
JP2008066731A (en) | Semiconductor package processing equipment and control method thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120508 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121031 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121106 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121207 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121225 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121227 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160111 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |