JP4733045B2 - タッチスクリーン機能を有する液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
最近、入力手段としてタッチスクリーンパネル(Touch Screen Panel:TSP)が多く利用されているが、これはユーザーの入力操作を座標値で読み、座標値に対応する情報を受け付ける装置である。
しかし、液晶パネルに前記のようにタッチパネルを接合した構造の液晶表示装置は、液晶パネル上に再現された画像の表示光がタッチパネルを透過する過程で発生する光の視差により表示の浮遊感が甚だしくなって良好な画像を提供することができなかった。
一方、本発明の一つの実施形態によるタッチスクリーン機能を有する液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成されるゲート線と、前記ゲート線を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート線と交差して画素領域を定義するデータ線と、前記データ線と平行に形成される信号線と、前記ゲート線及び前記データ線に電気的に接続された第1薄膜トランジスタと、前段ゲート線及び前記信号線に電気的に接続された第2薄膜トランジスタと、2段前のゲート線及び前記データ線に電気的に接続された第3薄膜トランジスタと、前記第1ないし第3薄膜トランジスタ、前記データ線、及び前記信号線を覆っており、前記第1ないし第3薄膜トランジスタそれぞれのドレイン電極を露出する第1ないし第3接触穴を有する保護膜と、前記第1ないし第3接触穴を介して前記第1ないし第3ドレイン電極に接続される画素電極と、を含んで構成される。
本発明の一つの実施形態によるタッチスクリーン機能を有する液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法は、絶縁基板上にゲート線及び第1ないし第3ゲート電極を含むゲート配線を形成する段階と、前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に第1ないし第3半導体パターンを形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート線と交差するデータ線、前記第1ないし第3半導体パターンに電気的に接続された第1ないし第3ソース電極と第1ないし第3ドレイン電極、及び前記第2ソース電極に連結された信号線を含むデータ配線を形成する段階と、前記半導体パターン及び前記データ配線を覆う保護膜を形成する段階と、前記保護膜に前記第1ないし第3ドレイン電極を露出する第1ないし第3接触穴を形成する段階と、前記第1ないし第3接触穴を介して前記第1ないし第3ドレイン電極に接続される画素電極を形成する段階と、を含んで構成される。
本発明の他の実施形態によるタッチスクリーン機能を有する液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成されるゲート線と、前記ゲート線を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート線と交差して画素領域を定義するデータ線と、前記データ線と平行に形成される信号線と、前記ゲート線及び前記データ線に電気的に接続された第1薄膜トランジスタと、前段ゲート線及び前記信号線に電気的に接続された第2薄膜トランジスタと、前記第1及び第2薄膜トランジスタ、前記データ線、及び前記信号線を覆っており、前記第1及び第2薄膜トランジスタそれぞれのドレイン電極を露出する第1及び第2接触穴を有する保護膜と、前記第1及び第2接触穴を介して前記第1及び第2ドレイン電極に接続される画素電極と、を含んで構成される。
図1は、液晶パネルがタッチされていない初期状態の液晶配向構造を示す図面であって、図2は、液晶パネルがタッチされた時のセルギャップ変化による液晶の配向構造を示す図面である。
液晶パネルがタッチされた場合、図2に示すように液晶セルギャップ及び液晶配向が変化することが分かる。
一般的に、液晶パネルの各画素が占めるキャパシタンスは液晶容量Clcと蓄積容量Cstとの合計になる。
ここで、蓄積容量Cstは常に一定であり、前記液晶容量Clcは次の数式1のように表示されることができる。
したがって、液晶は、垂直及び水平方向によって誘電率が相異なる誘電異方性を有するため、液晶パネルがタッチされた場合、前記誘電定数及びセルギャップの変化によって、液晶容量Clcの値は変わるようになる。
図3は本発明の第1実施形態によるタッチスクリーン機能を有する液晶表示装置を説明するための回路図である。
図3に示したように、本発明の第1実施形態による液晶表示装置は、走査信号を伝達する複数のゲート線Gn、Gn−1、Gn−2、・・・と前記ゲート線Gn、Gn−1、Gn−2、・・・に交差しており画像データを伝達する複数のデータ線Dataが形成されている。
前記ゲート線Gn、Gn−1、Gn−2、・・・とデータ線Dataとにより囲まれて形成されたマトリックス状の複数の画素領域には、それぞれ第1ないし第3スイッチング素子TFT1、TFT2、TFT3が形成されている。この時、前記第1ないし第3スイッチング素子は薄膜トランジスタであることが望ましい。
画素電極Pと共通電極Comとの間には液晶物質が満たされており、これを等価的に液晶容量Clcで示した。そして、前記液晶容量Clcに印加される電圧を維持するための蓄積容量Cstが形成され、前記液晶容量Clc及び蓄積容量Cstは液晶表示装置が駆動しなければならない負荷として作用する。
前記第2スイッチング素子TFT2のソース電極は前記画素電極Pに接続され、ドレイン電極は前記信号線10に接続され、ゲート電極は前段ゲート線Gn−1に接続されている。
信号線10はそれぞれ信号増幅部20に接続され、信号増幅部20はオンしている前記第2または第3スイッチング素子TFT2、TFT3の動作により信号線10に印加された信号を基準電圧REFと比較して増幅することによって、液晶パネルの該位置でセルギャップ変化があるか否かを検知することができるようになる。
液晶表示装置は、ゲート駆動信号であるゲートパルスにより前記複数のゲート線に順次的にゲートオン信号が印加されることによって、クロック信号に同期してデータ信号がすべてのデータ線に印加されて、画像を表示する。
まず、二番目前段ゲート線Gn−2にゲートオン信号が印加されると、前記第3スイッチング素子TFT3がオンされて二番目前段画素領域に印加されるデータ電圧Vdataが画素電圧に充電される。
(数2)
Q=セル容量×Vdata
すなわち、電荷量は一定であるので、液晶セルの容量(具体的に、液晶容量)の変化に応じて、印加されるデータ電圧Vdataが変わるようになる。
この時、前記信号増幅部20は信号線10に印加された信号を基準電圧REFと比較して増幅することによって、充電された電圧の変化を検知して液晶パネルの該位置でセルギャップ変化があるか否かを判断することができる。
もし、該画素領域でセルギャップ変化が起こったと仮定するならば、該画素のセルギャップ変化を読み出すための動作で、二番目前段ゲート線にオン信号が印加されて二番目前段画素領域に充電されるデータ電圧が該画素領域に一時的に充電されるが、これはフレーム時間に比べて非常に短い時間であるので肉眼で識別することはできない。
次に図4を参照して本発明の第2実施形態によるタッチスクリーン機能を有する液晶表示装置を説明する。
図4に示したように、本発明の第2実施形態による液晶表示装置は、走査信号を伝達する複数のゲート線Gn、Gn−1、・・・と、前記ゲート線Gn、Gn−1、・・・に交差しており画像データを伝達する複数のデータ線Dataとが形成されている。
前記ゲート線Gn、Gn−1、・・・とデータ線Dataとにより囲まれて形成されたマトリックス状の複数の画素領域には、それぞれ第1及び第2スイッチング素子TFT1、TFT2が形成されている。この時、前記第1及び第2スイッチング素子は薄膜トランジスタであることが望ましい。
画素電極Pと共通電極Comとの間には液晶物質が満たされており、これを等価的に液晶容量Clcで示した。そして、前記液晶容量Clcに印加される電圧を維持するための蓄積容量Cstが形成され、前記液晶容量Clc及び蓄積容量Cstは液晶表示装置が駆動しなければならない負荷として作用する。
信号線10はそれぞれ信号増幅部20に接続され、信号増幅部20は前記第2スイッチング素子TFT2のオン動作により信号線10に印加された信号を基準電圧REFと比較して増幅することによって、液晶パネルの該位置でセルギャップ変化があるか否かを検知することができるようになる。
まず、前段ゲート線Gn−1にゲートオン信号が印加されることによって前記第2スイッチング素子TFT2がオンすると、前のフレーム時間に充電された該画素電圧が信号線10に印加され、前記信号増幅部20に入力される。
ここで、前のフレーム時間に前記該画素領域に充電された電荷量Qは前記数式2のように表示される。
この時、前記信号増幅部20は信号線10に印加された信号を基準電圧REFと比較して増幅することによって、充電された電圧の変化を検知し、液晶パネルの該位置でセルギャップ変化があるか否かを判断することができる。
したがって、本発明の第2実施形態は本発明の第1実施形態と同じ効果を有する。
次に、図5及び図6を参照して本発明の第1実施形態による液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板の構造に対して詳細に説明する。
図5及び図6に示したように、絶縁基板10上にアルミニウムまたはアルミニウム合金、クロムまたはクロム合金、モリブデンまたはモリブデン合金、窒化クロムまたは窒化モリブデン等の導電物質からなる1000〜3500Å厚さのゲート配線20、21、22、23が形成されている。
ここで、ゲート線20は説明の便宜のために前段ゲート線20’及び二番目前段ゲート線20”を区分して表示した。
一つの画素領域で動作する3個の薄膜トランジスタを形成する第1ないし第3ゲート電極21、22、23は、ゲート線20、前段ゲート線20’及び二番目前段ゲート線20”からそれぞれ突出して形成されている。
絶縁基板10上には、窒化ケイ素または酸化ケイ素のような絶縁物質からなる3500〜4500Å厚さのゲート絶縁膜30がゲート配線20、21、22、23を覆っている。
このようなデータ配線60〜67及び半導体パターン41、42、43を窒化ケイ素または酸化ケイ素のような絶縁物質からなる保護膜70が覆っている。
保護膜70には、該画素領域で第1ないし第3ドレイン電極62、64、67を露出する第1ないし第3接触穴71、72、73が形成されている。そして、保護膜70上には、第1ないし第3接触穴71、72、73を介して第1ないし第3ドレイン電極62、64、67に接続される画素電極80が形成されている。ここで、画素電極80はITOまたはIZOのような透明導電物質で形成されている。
まず、図7及び図8に示したように、絶縁基板10上にゲート配線用金属層を蒸着した後、この金属層をフォトエッチング工程でパターニングしてゲート配線20、21、22、23を絶縁基板10上に形成する。この時、ゲート配線20、21、22、23はゲート線20及び第1ないし第3ゲート電極21、22、23を含む。
続いて、ゲート絶縁膜30上に非晶質ケイ素層及び導電性不純物がドープされた非晶質ケイ素層を順次形成した後、この両ケイ素層をフォトエッチング工程でパターニングして第1ないし第3半導体パターン41、42、43と抵抗性接触層パターン50とを形成する。
続いて、保護膜70をフォトエッチング工程でパターニングして該画素領域で第1ないし第3ドレイン電極62、64、67をそれぞれ露出する第1ないし第3接触穴71、72、73を形成する。
以下に、図15及び図16を参照して本発明の第2実施形態による液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板の構造について詳細に説明する。
これらの図によると、絶縁基板10上には、アルミニウムまたはアルミニウム合金、クロムまたはクロム合金、モリブデンまたはモリブデン合金、窒化クロムまたは窒化モリブデン等の導電物質からなる1000〜3500Å厚さのゲート配線20、21、22が形成されている。
この時、一つの画素領域に2個の薄膜トランジスタを形成するための第1及び第2ゲート電極21、22が、ゲート線及び前段ゲート線からそれぞれ突出するように形成されている。
絶縁基板10上には、窒化ケイ素または酸化ケイ素のような絶縁物質からなる3500〜4500Å厚さのゲート絶縁膜30がゲート配線20、21、22を覆っている。
ゲート絶縁膜30上には、第1及び第2ゲート電極21、22とそれぞれ重なっており、非晶質ケイ素などで構成された800〜1500Å厚さの第1及び第2半導体パターン41、42が形成されている。半導体パターン上には導電性不純物がドープされている非晶質ケイ素などで構成された500〜800Å厚さの抵抗性接触層51、52、53、54が形成されている。
データ配線60、61、62、65、66、67は縦方向にのびていてゲート線20と交差して画素領域を定義するデータ線60、前記データ線60と平行に形成された信号線65、前記データ線60から突出して形成された第1ソース電極61、第1ソース電極61に対向して形成された第1ドレイン電極62、前記信号線65から突出して形成された第2ソース電極66、及び第2ソース電極66に対向して形成された第2ドレイン電極67を含む。
このようなデータ配線60、61、62、65、66、67及び半導体パターン41、42を窒化ケイ素または酸化ケイ素のような絶縁物質からなる保護膜70が覆っている。
まず、図17及び図18に示したように、絶縁基板10上にゲート配線用金属層を蒸着した後、この金属層をフォトエッチング工程でパターニングしてゲート配線20、21、22を絶縁基板10上に形成する。この時、ゲート配線20、21、22はゲート線20と第1及び第2ゲート電極21、22とを含む。
続いて、ゲート絶縁膜30上に非晶質ケイ素層及び導電性不純物がドープされた非晶質ケイ素層を順次形成した後、この両ケイ素層をフォトエッチング工程でパターニングして第1及び第2半導体パターン41、42と抵抗性接触層パターン50とを形成する。
続いて、保護膜70をフォトエッチング工程でパターニングし、該画素領域内で第1及び第2ドレイン電極62、67をそれぞれ露出する第1及び第2接触穴71、72を形成する。
以上添付した図面を参照して本発明の実施形態を説明したが、本発明は前記実施形態に限定されなくて本発明の技術的要旨を外れない範囲内で当業者により多様に変形実施されることができる。
Claims (8)
- 走査信号を伝達する複数のゲート線と、
前記ゲート線に交差する複数のデータ線と、
前記データ線と平行に形成された複数の信号線と、
前記ゲート線と前記データ線とにより囲まれて形成されたマトリックス状の複数の画素領域それぞれに形成された3つのスイッチング素子と、
前記3つのスイッチング素子の動作に応じて前記信号線に印加された信号を受ける信号増幅部とを含むタッチスクリーン機能を有する液晶表示装置であって、
3つの前記スイッチング素子のうち、
第3スイッチング素子は2段前のゲート線にゲートオン信号が印加される時オンして2段前のデータ電圧を充電させ、
第2スイッチング素子は前段のゲート線にゲートオン信号が印加される時オンして前記充電された電圧を前記信号線に印加し、前記信号増幅部に入力され、
第1スイッチング素子は該ゲート線にゲートオン信号が印加される時オンしてデータ電圧を充電させることを特徴とするタッチスクリーン機能を有する液晶表示装置。 - 走査信号を伝達する複数のゲート線と、
前記ゲート線に交差する複数のデータ線と、
前記データ線と平行に形成された複数の信号線と、
前記ゲート線と前記データ線とにより囲まれて形成されたマトリックス状の複数の画素領域それぞれに形成された2つのスイッチング素子と、
前記2つのスイッチング素子の動作に応じて前記信号線に印加された信号を受ける信号増幅部とを含むタッチスクリーン機能を有する液晶表示装置であって、
第1スイッチング素子は該ゲート線にゲートオン信号が印加される時オンしてデータ電圧を充電させ、
第2スイッチング素子は前段のゲート線にゲートオン信号が印加される時オンして前のフレーム時間に充電されたデータ電圧を前記信号線に印加することを特徴とするタッチスクリーン機能を有する液晶表示装置。 - 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成されるゲート線と、
前記ゲート線を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート線と交差して画素領域を定義するデータ線と、
前記データ線と平行に形成される信号線と、
前記ゲート線及び前記データ線に電気的に接続された第1薄膜トランジスタと、
前段ゲート線及び前記信号線に電気的に接続された第2薄膜トランジスタと、
2段前のゲート線及び前記データ線に電気的に接続された第3薄膜トランジスタと、
前記第1ないし第3薄膜トランジスタ、前記データ線及び前記信号線を覆っており、前記第1ないし第3薄膜トランジスタそれぞれのドレイン電極を露出する第1ないし第3接触穴を有する保護膜と、
前記第1ないし第3接触穴を介して前記第1ないし第3ドレイン電極に接続された画素電極と、
を含むことを特徴とするタッチスクリーン機能を有する液晶表示装置。 - 前記第3薄膜トランジスタは前段画素領域に形成され、
前記第3ドレイン電極は該画素領域にまで延長され前記第3接触穴を介して該画素電極に接続されている請求項3に記載のタッチスクリーン機能を有する液晶表示装置。 - 絶縁基板上に第1ないし第3ゲート電極をそれぞれ含む複数のゲート線を備えるゲート配線を形成する段階と、
前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上に前記第1ないし第3ゲート電極のそれぞれに対応する位置に第1ないし第3半導体パターンを形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上に、前記第1ないし第3半導体パターンに電気的にそれぞれ接続され、互いに離間した第1ないし第3ソース電極及び第1ないし第3ドレイン電極と、前記ゲート線と交差し、前記第1及び第3ソース電極に接続されたデータ線と、前記第2ソース電極に接続された信号線と、を含むデータ配線を形成する段階と、
前記半導体パターン及び前記データ配線を覆う保護膜を形成する段階と、
前記保護膜に前記第1ないし第3ドレイン電極をそれぞれ露出する第1ないし第3接触穴を形成する段階と、
前記第1ないし第3接触穴を介して前記第1ないし第3ドレイン電極にそれぞれ接続された画素電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とするタッチスクリーン機能を有する液晶表示装置の製造方法。 - 前記第3ドレイン電極は前段画素領域から該画素領域にまで延長されるように形成され、該画素電極に前記第3接触穴を介して接続されるように形成される請求項5に記載のタッチスクリーン機能を有する液晶表示装置の製造方法。
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成されるゲート線と、
前記ゲート線を覆っているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート線と交差して画素領域を定義するデータ線と、
前記データ線と平行に形成された信号線と、
前記ゲート線及び前記データ線に電気的に接続された第1薄膜トランジスタと、
前段ゲート線及び前記信号線に電気的に接続された第2薄膜トランジスタと、
前記第1及び第2薄膜トランジスタ、前記データ線及び前記信号線を覆っており、前記第1及び第2薄膜トランジスタそれぞれのドレイン電極を露出する第1及び第2接触穴を有する保護膜と、
前記第1及び第2接触穴を介して前記第1及び第2ドレイン電極に接続された画素電極と、
を含むことを特徴とするタッチスクリーン機能を有する液晶表示装置。 - 絶縁基板上にゲート線と第1及び第2ゲート電極とを含むゲート配線を形成する段階と、
前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上に、前記第1及び第2ゲート電極のそれぞれに対応する位置に第1及び第2半導体パターンを形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上に、前記第1及び第2半導体パターンに電気的にそれぞれ接続され、互いに離間した第1及び第2ソース電極と第1及び第2ドレイン電極と、前記第2ソース電極に接続された信号線と、前記ゲート線と交差し、前記第1ソース電極に接続されたデータ線とを含むデータ配線を形成する段階と、
前記半導体パターン及び前記データ配線を覆う保護膜を形成する段階と、
前記保護膜に前記第1及び第2ドレイン電極をそれぞれ露出する第1及び第2接触穴を形成する段階と、
前記第1及び第2接触穴を介して前記第1及び第2ドレイン電極にそれぞれ接続された画素電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とするタッチスクリーン機能を有する液晶表示装置の製造方法。
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---|---|---|---|---|
US7663607B2 (en) | 2004-05-06 | 2010-02-16 | Apple Inc. | Multipoint touchscreen |
KR101133753B1 (ko) * | 2004-07-26 | 2012-04-09 | 삼성전자주식회사 | 감지 소자를 내장한 액정 표시 장치 |
KR101090253B1 (ko) * | 2004-10-06 | 2011-12-06 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
KR101209051B1 (ko) * | 2005-05-04 | 2012-12-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그를 포함하는 액정 표시 장치 |
US7839392B2 (en) * | 2005-08-05 | 2010-11-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Sensing circuit and display device having the same |
ITTO20050569A1 (it) * | 2005-08-09 | 2007-02-10 | St Microelectronics Srl | Dispositivo e metodo di determinazione della posizione di contatto e dispositivo elettronico sensibile al contatto |
JP5013697B2 (ja) | 2005-10-19 | 2012-08-29 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
KR101152136B1 (ko) | 2005-10-26 | 2012-06-15 | 삼성전자주식회사 | 접촉 감지 기능이 있는 표시 장치 |
KR20070076221A (ko) * | 2006-01-18 | 2007-07-24 | 삼성전자주식회사 | 전기 영동 표시 장치 |
US7573459B2 (en) * | 2006-01-27 | 2009-08-11 | Hannstar Display Corp. | Pixel structure for LCD with embedded touch screen |
KR20070088008A (ko) * | 2006-02-24 | 2007-08-29 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 및 전압 조정 방법 |
US8144115B2 (en) * | 2006-03-17 | 2012-03-27 | Konicek Jeffrey C | Flat panel display screen operable for touch position determination system and methods |
CN104965621B (zh) | 2006-06-09 | 2018-06-12 | 苹果公司 | 触摸屏液晶显示器及其操作方法 |
US8243027B2 (en) * | 2006-06-09 | 2012-08-14 | Apple Inc. | Touch screen liquid crystal display |
US20070283832A1 (en) * | 2006-06-09 | 2007-12-13 | Apple Computer, Inc. | Imprint circuit patterning |
WO2007146785A2 (en) * | 2006-06-09 | 2007-12-21 | Apple Inc. | Touch screen liquid crystal display |
KR101246830B1 (ko) * | 2006-06-09 | 2013-03-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 구동 방법 |
KR101251999B1 (ko) * | 2006-06-13 | 2013-04-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 구동 방법 |
US9280238B2 (en) * | 2006-08-30 | 2016-03-08 | Intel Corporation | Electrical touch screen sensor |
TWI354962B (en) | 2006-09-01 | 2011-12-21 | Au Optronics Corp | Liquid crystal display with a liquid crystal touch |
TWI331237B (en) * | 2006-09-04 | 2010-10-01 | Au Optronics Corp | Liquid crystal display panels and realted display devices |
CN100405146C (zh) * | 2006-09-14 | 2008-07-23 | 友达光电股份有限公司 | 触控式液晶显示器 |
KR101297387B1 (ko) * | 2006-11-09 | 2013-08-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 패널 일체형 액정 표시 장치 |
US7812827B2 (en) | 2007-01-03 | 2010-10-12 | Apple Inc. | Simultaneous sensing arrangement |
US8493330B2 (en) | 2007-01-03 | 2013-07-23 | Apple Inc. | Individual channel phase delay scheme |
US9710095B2 (en) | 2007-01-05 | 2017-07-18 | Apple Inc. | Touch screen stack-ups |
KR101337262B1 (ko) | 2007-02-12 | 2013-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그의 구동 방법 |
KR101359921B1 (ko) | 2007-03-02 | 2014-02-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US8493331B2 (en) | 2007-06-13 | 2013-07-23 | Apple Inc. | Touch detection using multiple simultaneous frequencies |
TWI352922B (en) * | 2007-08-22 | 2011-11-21 | Hannstar Display Corp | Display device and related positioning method |
TWI351633B (en) * | 2007-09-05 | 2011-11-01 | Au Optronics Corp | Pixel unit, method for sensing touch of an object, |
TWI361375B (en) * | 2007-10-05 | 2012-04-01 | Chimei Innolux Corp | Touch panel and control method thereof |
US20090109359A1 (en) * | 2007-10-30 | 2009-04-30 | Po-Sheng Shih | Display device and related positioning method |
US20090115735A1 (en) * | 2007-11-06 | 2009-05-07 | Himax Technologies Limited | Sensor with pressure-induced varied capacitance |
CN101430628B (zh) * | 2007-11-06 | 2013-02-06 | 奇美电子股份有限公司 | 触控式面板及其控制方法 |
US8451233B2 (en) * | 2008-02-13 | 2013-05-28 | Himax Technologies Limited | Sensor pixel and touch panel thereof |
KR100914165B1 (ko) * | 2008-02-26 | 2009-08-28 | 주식회사 티엘아이 | 고속동작을 유지하면서, 접촉위치 감지력을 향상시키는터치 스크린 액정 디스플레이 장치 및 그의 구동방법 |
TWI356334B (en) * | 2008-03-12 | 2012-01-11 | Chimei Innolux Corp | Systems for displaying images |
JP5206250B2 (ja) | 2008-05-02 | 2013-06-12 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置および電子機器 |
JP5233396B2 (ja) * | 2008-05-08 | 2013-07-10 | セイコーエプソン株式会社 | センシング回路、表示装置および電子機器 |
JP5079594B2 (ja) | 2008-05-16 | 2012-11-21 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | 電気光学装置、電子機器および接触検出方法 |
JP5407368B2 (ja) * | 2008-05-16 | 2014-02-05 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置、その駆動方法および電子機器 |
TWI417766B (zh) * | 2008-05-23 | 2013-12-01 | Innolux Corp | 觸控液晶顯示裝置及其驅動方法 |
US7955890B2 (en) * | 2008-06-24 | 2011-06-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming an amorphous silicon film in display devices |
US8508495B2 (en) | 2008-07-03 | 2013-08-13 | Apple Inc. | Display with dual-function capacitive elements |
JP4674291B2 (ja) * | 2008-07-04 | 2011-04-20 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | タッチセンス機能付きアクティブマトリクスディスプレイ装置 |
TWI375166B (en) * | 2008-07-15 | 2012-10-21 | Tpo Displays Corp | Systems for displaying images |
CN101666931B (zh) | 2008-09-05 | 2011-12-28 | 北京京东方光电科技有限公司 | 液晶显示器、薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板及其制造方法 |
US9606663B2 (en) | 2008-09-10 | 2017-03-28 | Apple Inc. | Multiple stimulation phase determination |
US9348451B2 (en) | 2008-09-10 | 2016-05-24 | Apple Inc. | Channel scan architecture for multiple stimulus multi-touch sensor panels |
US8592697B2 (en) | 2008-09-10 | 2013-11-26 | Apple Inc. | Single-chip multi-stimulus sensor controller |
KR101009672B1 (ko) * | 2008-09-12 | 2011-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 패널 내장형 액정 표시 장치 |
TW201013495A (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-01 | Hannstar Display Corp | In-cell capacitive type sensing input display device |
US8373667B2 (en) * | 2008-11-05 | 2013-02-12 | Massachusetts Institute Of Technology | Flat panel display with capacitance sensing touch screen |
US8144295B2 (en) * | 2008-11-18 | 2012-03-27 | Apple Inc. | Common bus design for a TFT-LCD display |
TWI403950B (zh) * | 2008-12-03 | 2013-08-01 | Chi Hsin Electronics Corp | 觸控式電子紙顯示裝置及其製造方法 |
US8749496B2 (en) * | 2008-12-05 | 2014-06-10 | Apple Inc. | Integrated touch panel for a TFT display |
JP5257104B2 (ja) * | 2009-01-30 | 2013-08-07 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置 |
US8217913B2 (en) | 2009-02-02 | 2012-07-10 | Apple Inc. | Integrated touch screen |
US7995041B2 (en) | 2009-02-02 | 2011-08-09 | Apple Inc. | Integrated touch screen |
CN101488065B (zh) * | 2009-03-09 | 2010-09-22 | 友达光电股份有限公司 | 触控检测方法 |
US20120013593A1 (en) * | 2009-03-17 | 2012-01-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
TWI396011B (zh) * | 2009-06-16 | 2013-05-11 | Au Optronics Corp | 觸控面板 |
CN101930136B (zh) * | 2009-06-19 | 2012-04-18 | 瀚宇彩晶股份有限公司 | 触控式液晶显示器及其运作方法 |
KR101496203B1 (ko) * | 2009-07-02 | 2015-02-26 | 주식회사 지2터치 | 터치 패널 |
KR101785992B1 (ko) * | 2009-07-24 | 2017-10-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
CN101968581B (zh) * | 2009-07-27 | 2013-06-26 | 晨星软件研发(深圳)有限公司 | 触控感测方法及其装置 |
KR101633661B1 (ko) * | 2009-07-28 | 2016-07-08 | 삼성전자주식회사 | 액정 패널의 터치 위치 검출 장치 및 방법 |
KR101077031B1 (ko) * | 2009-08-19 | 2011-10-26 | 주식회사 실리콘웍스 | 데이터 구동회로 및 이를 포함하는 터치스크린 액정표시장치 |
US8390582B2 (en) * | 2009-08-25 | 2013-03-05 | Apple Inc. | Integrated touch screen |
US9036650B2 (en) | 2009-09-11 | 2015-05-19 | Apple Inc. | Automatic low noise frequency selection |
KR101588347B1 (ko) * | 2009-09-28 | 2016-01-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시패널, 이를 포함하는 액정 표시장치 및 액정 표시장치의 구동 방법 |
CN102033347B (zh) * | 2009-09-30 | 2012-12-19 | 群康科技(深圳)有限公司 | 内嵌式触控液晶显示器 |
TWI408581B (zh) * | 2009-11-24 | 2013-09-11 | Innolux Corp | 觸控裝置及其驅動方法 |
EP2492780B1 (en) * | 2009-11-26 | 2014-07-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | A touch panel manufacturing method, and a method for manufacturing a display device provided with a touch panel |
KR101082162B1 (ko) * | 2009-12-03 | 2011-11-09 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 터치 스크린 패널 일체형 평판표시장치 |
TW201128473A (en) * | 2010-02-09 | 2011-08-16 | Novatek Microelectronics Corp | Touch detection method and touch detection device and touch display device |
CN102314248A (zh) * | 2010-06-29 | 2012-01-11 | 瀚宇彩晶股份有限公司 | 触控面板及其像素阵列 |
US8963852B2 (en) * | 2010-08-20 | 2015-02-24 | Innolux Corporation | Touch panel, driving method for the touch panel, program for getting touch information, and memory media |
US8711114B2 (en) * | 2010-09-13 | 2014-04-29 | Sony Corporation | Touch-sensitive device and communication device |
CN102446475B (zh) * | 2010-10-14 | 2016-08-31 | 上海天马微电子有限公司 | 平板显示装置的像素电极电压检测电路 |
KR101760792B1 (ko) | 2010-10-29 | 2017-07-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 센서 내장형 평판표시장치 |
US20120162121A1 (en) * | 2010-12-22 | 2012-06-28 | Shih Chang Chang | Slew rate and shunting control separation |
US8804056B2 (en) | 2010-12-22 | 2014-08-12 | Apple Inc. | Integrated touch screens |
KR101770969B1 (ko) * | 2011-01-21 | 2017-08-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 센싱 기판 및 이의 제조 방법 |
CN102262478B (zh) * | 2011-05-20 | 2013-08-07 | 深圳超多维光电子有限公司 | 触摸式液晶狭缝光栅、立体显示装置以及计算机系统 |
US9319036B2 (en) | 2011-05-20 | 2016-04-19 | Apple Inc. | Gate signal adjustment circuit |
US9395583B2 (en) | 2012-06-06 | 2016-07-19 | Apple Inc. | Column spacer design for a display incorporating a third metal layer |
US8618865B1 (en) | 2012-11-02 | 2013-12-31 | Palo Alto Research Center Incorporated | Capacitive imaging device with active pixels |
US9336723B2 (en) | 2013-02-13 | 2016-05-10 | Apple Inc. | In-cell touch for LED |
CN103246396B (zh) | 2013-04-18 | 2016-03-30 | 北京京东方光电科技有限公司 | 触控显示电路结构及其驱动方法、阵列基板和显示装置 |
KR102048942B1 (ko) | 2013-05-10 | 2019-11-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 구동 방법 |
CN103500040B (zh) * | 2013-10-14 | 2016-08-10 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 触摸感应电路及其方法、触摸屏及显示装置 |
CN103616971B (zh) * | 2013-11-22 | 2016-08-17 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 触摸感应电路及其方法、面板和触摸感应显示装置 |
KR101984443B1 (ko) | 2013-12-13 | 2019-05-30 | 애플 인크. | 자기-정전용량성 터치 센서를 위한 통합된 터치 및 디스플레이 아키텍처 |
CN103676388A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-03-26 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 阵列基板、显示面板及其显示方法、显示装置 |
US10268295B2 (en) | 2014-04-16 | 2019-04-23 | Apple Inc. | Structure for pixelated self-capacitance |
US10101373B2 (en) * | 2014-04-21 | 2018-10-16 | Palo Alto Research Center Incorporated | Capacitive imaging device with active pixels and method |
WO2015175013A1 (en) | 2014-05-16 | 2015-11-19 | Wrostix Technologies Llc | Structure for integrated touch screen |
US9367188B2 (en) | 2014-05-23 | 2016-06-14 | Apple Inc. | RC matching in a touch screen |
US10852876B2 (en) | 2014-05-28 | 2020-12-01 | Apple Inc. | Narrow border touch screen |
KR102447206B1 (ko) * | 2014-12-29 | 2022-09-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 |
US10444891B2 (en) * | 2014-12-29 | 2019-10-15 | Lg Display Co., Ltd. | Touch panel and display device including the same |
FR3035724A1 (fr) * | 2015-04-28 | 2016-11-04 | Commissariat Energie Atomique | Capteur comprenant des pixels a detection capacitive |
CN105867032A (zh) * | 2016-06-01 | 2016-08-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示器及其显示模组、tft阵列基板 |
EP3418694B1 (en) * | 2017-06-21 | 2020-01-01 | Optosys SA | Proximity sensor |
CN111316208A (zh) * | 2017-12-22 | 2020-06-19 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 手写装置及其触控显示板 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62218941A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-26 | Mitsubishi Electric Corp | 入力機能付液晶表示装置 |
JPH0634940A (ja) * | 1992-07-21 | 1994-02-10 | Rohm Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP2000172437A (ja) * | 1998-12-07 | 2000-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | タッチパネル一体型液晶表示装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5685792A (en) * | 1979-12-14 | 1981-07-13 | Citizen Watch Co Ltd | Liquid crystal display unit |
US5534892A (en) * | 1992-05-20 | 1996-07-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display-integrated type tablet device having and idle time in one display image frame to detect coordinates and having different electrode densities |
US5963277A (en) * | 1996-08-24 | 1999-10-05 | Lg Electronics Inc. | Position sensible liquid crystal display device |
KR100293435B1 (ko) * | 1997-10-31 | 2001-08-07 | 구본준, 론 위라하디락사 | 위치검출액정디스플레이장치(pslcd)및이의제조방법 |
US6204897B1 (en) * | 1998-08-18 | 2001-03-20 | International Business Machines Corporation | Integrated resistor for measuring touch position in a liquid crystal display device |
JP3987729B2 (ja) * | 2001-09-11 | 2007-10-10 | シャープ株式会社 | 入出力一体型表示装置 |
CN1199081C (zh) * | 2001-11-02 | 2005-04-27 | 奇美电子股份有限公司 | 触摸式液晶面板装置 |
WO2003073159A1 (en) * | 2002-02-20 | 2003-09-04 | Planar Systems, Inc. | Light sensitive display |
TW544944B (en) * | 2002-04-16 | 2003-08-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel element structure of sunlight-readable display |
KR20040001324A (ko) * | 2002-06-27 | 2004-01-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 위치감지 액정표시장치 |
TWI245252B (en) * | 2002-07-18 | 2005-12-11 | Gigno Technology Co Ltd | LCD and the touch-control method thereof |
-
2003
- 2003-11-04 KR KR1020030077574A patent/KR100970958B1/ko active IP Right Grant
-
2004
- 2004-02-02 CN CN2004800326852A patent/CN100406975C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-02 WO PCT/KR2004/000184 patent/WO2005043229A1/en active Application Filing
- 2004-02-02 JP JP2006537869A patent/JP4733045B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-11 US US10/865,996 patent/US7280167B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-11 TW TW093116889A patent/TWI341592B/zh not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-09-19 US US11/857,816 patent/US7499114B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62218941A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-26 | Mitsubishi Electric Corp | 入力機能付液晶表示装置 |
JPH0634940A (ja) * | 1992-07-21 | 1994-02-10 | Rohm Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP2000172437A (ja) * | 1998-12-07 | 2000-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | タッチパネル一体型液晶表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007510949A (ja) | 2007-04-26 |
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