JP4700922B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にトレンチ構造を有する半導体装置の製造方法に関する。

従来、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）等のデバイスには、そのウエハにエッチングによってトレンチを形成したものが広く用いられている。近年では、トレンチ形成後に素子分離を形成するもののほかにも、例えばパワーデバイス用の高耐圧ＭＯＳＦＥＴのように、形成されたトレンチ内にゲート構造を形成するもの等、トレンチを利用したデバイスも多様化してきている。特にトレンチゲート構造を有するようなデバイスでは、そのトレンチ形成精度がデバイス特性に大きく影響してくるため、このようなデバイスの製造においては、トレンチのエッチング処理がキープロセスになりつつある。

トレンチ形成の際、特に精度が要求されるのは、そのトレンチの深さである。これまでトレンチ深さは、月ごと等、定期的に製造ラインからウエハを１枚抜き取り、それを割断してその断面をＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）観察することによって測定する方法が一般的である。そして、その測定によってエッチングレートの変動が見つかった場合には、それまでのエッチング処理条件（レシピ）を変更し、以降一定期間は変更後のレシピで製造を行う、といった運用がなされている。

ところが、このような方法によるトレンチ深さの管理には、いくつかの問題点がある。第１に、ウエハを破壊検査しなければならないため、その分余計なコストがかかってしまうとともに、抜出し、ＳＥＭ観察、レシピ変更等に伴う製造効率の低下を招き、場合によっては製造ラインの停止等も必要になる場合がある。第２に、ウエハが一定期間は同一レシピでエッチング処理されるため、短期的なエッチングレート変動に対応できず、ロット間あるいはロット内のトレンチ深さにバラツキが生じてしまう場合がある。これらの問題は、いずれも、製品歩留まりの低下を招く大きな要因となる。

このような問題に対し、近年では、ウエハのトレンチ深さをエッチング処理中にその場測定（ｉｎ−ｓｉｔｕ測定）する方法が提案されている（例えば特許文献１，２参照）。これらの提案では、エッチングチャンバ上部に窓を設け、そこからエッチング処理中のウエハに対して光を照射し、窓を介してその反射光を検出し所定の算出処理を行って、トレンチ深さを求める試みがなされている。
特開平９−１２９６１９号公報（段落番号〔００２７〕〜〔００３１〕、図１） 特開２００２−５６３５号公報（段落番号〔００２６〕〜〔００３４〕、図３）

しかし、上記のように照射光のウエハからの反射光によってトレンチ深さを測定する場合、エッチングチャンバ上部に窓や光学機器を配置する必要があり、その結果、エッチングチャンバ上部のプラズマ状態が不均一になってウエハのエッチング処理に悪影響を及ぼすことがある。

また、トレンチ深さの測定に反射光を用いた場合、エッチングが進んでトレンチが深くなりアスペクト比が大きくなると、検出までに反射光が減衰してしまい、測定誤差が大きくなる。測定誤差を補正する計算式を導入する等の工夫もなされているが、それによって得られる値はあくまでも理論値であって、実際のトレンチ深さとの間にずれが生じてしまうのはやむを得ない。

現在、例えばパワーデバイス用のＭＯＳＦＥＴは、いっそうの高耐圧化が推し進められており、そのような高耐圧化に伴い、深さ１０μｍ以上、アスペクト比１０以上といったような更に深いトレンチの形成も必要になってきている。このように、パワーデバイス用をはじめとする各種半導体装置の製造においては、その深さに依らず設計寸法に近いトレンチを処理ウエハごと高精度に形成する方法が強く要望されている。

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、半導体装置の製造プロセスにおいて、ウエハのエッチング処理中のトレンチ深さをその深さに依らず精度良くｉｎ−ｓｉｔｕ測定し、処理ウエハごとにトレンチ深さを制御することによって所望の寸法のトレンチを形成することのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明では上記問題を解決するために、ウエハにトレンチを形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記トレンチを形成する際には、酸化膜でトレンチマスクを形成した前記ウエハの前記トレンチを形成するエッチング処理中のプラズマの発光スペクトル強度を測定し、測定した前記発光スペクトル強度と、あらかじめ全面に酸化膜を形成した全面酸化膜形成ウエハに同じエッチング処理を行って取得した全面酸化膜形成ウエハ発光スペクトル強度との差を、エッチング時間で積分し、積分した値を用いて前記トレンチの深さを求め、求められた前記トレンチの深さが目的の値になったときに前記ウエハのエッチング処理を停止する、ことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。

このような半導体装置の製造方法によれば、酸化膜でトレンチマスクが形成された、シリコン（Ｓｉ）等のウエハにエッチングでトレンチを形成する際に、エッチングに用いるエッチングガスのプラズマの発光スペクトル強度、例えばプラズマ中のフッ素（Ｆ）の発光スペクトル強度を測定し、測定した当該発光スペクトル強度と、あらかじめ全面に酸化膜を形成した全面酸化膜形成ウエハに同じエッチング処理を行って取得した全面酸化膜形成ウエハ発光スペクトル強度との差を、エッチング時間で積分し、積分した値を用いてトレンチの深さを求め、求められたトレンチの深さが目的の値になったときにウエハのエッチング処理を停止する。この場合、トレンチ形成段階でＦがＳｉエッチングに消費されると、その分Ｆの発光スペクトル強度はＦがＳｉエッチングに消費されなかった場合に比べて小さくなる。このような関係を利用して、エッチング処理中に測定される発光スペクトル強度からそのときのトレンチ深さを求め、それによってウエハに形成されるトレンチの深さを制御する。

本発明の半導体装置の製造方法は、ウエハにトレンチを形成する際に、エッチング処理中のプラズマの発光スペクトル強度をｉｎ−ｓｉｔｕ測定して、その強度に応じてトレンチ深さを制御するため、ウエハごとに所望の寸法のトレンチを形成することができる。これにより、ロット内やロット間のバラツキの発生を抑えることができ、高歩留まりで高品質の半導体装置が製造可能になる。

また、トレンチ形成時のエッチング量と対応関係のあるプラズマの発光スペクトル強度を用いてトレンチ深さの制御を行うので、光を用いた場合のような測定誤差が生じず、さらに、トレンチが深い場合やアスペクト比が大きい場合でも高精度にトレンチを形成することができる。

以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
図１はエッチング処理装置の要部断面模式図である。
図１に示すエッチング処理装置１は、誘導結合型プラズマ（Inductively Coupled Plasma，ＩＣＰ）方式の放電環境で反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching，ＲＩＥ）を行う装置である。そのエッチングチャンバ２の外部には、プラズマを生成するためのＲＦパワーが印加される誘導コイル３が設けられている。また、エッチングチャンバ２には、内部に被処理体であるＳｉウエハ１０が載置されるホルダ４が設けられており、このホルダ４にはバイアスＲＦパワーが印加されるようになっている。さらに、このエッチングチャンバ２には、その側壁部分に石英ガラス等を用いて窓５が形成されており、この窓５の外側に、発光スペクトル測定装置（図示せず。）の発光スペクトル検出部６が設けられている。

そのほか、ここでは図示しないが、エッチング処理装置１には、そのエッチングチャンバ２にエッチングガスを導入するためのガス導入管や、エッチングチャンバ２内のガスを排出するための真空ポンプ等に接続されたガス排出管、ホルダ４上のＳｉウエハ１０の温度を制御するための温度制御機構部等が備えられている。

このような構成のエッチング処理装置１を用いてＳｉウエハ１０をエッチング処理する場合には、まず、トレンチ形成用のエッチングマスクとしての酸化膜を必要に応じて形成したＳｉウエハ１０をホルダ４上に載置し、所定流量および所定チャンバ内圧力でエッチングガスをエッチングチャンバ２内に導入する。そして、誘導コイル３にＲＦパワーを印加することによって、導入されたエッチングガスをプラズマ化し、これとＳｉウエハ１０との反応によりエッチングを行う。

例えば、エッチングガスに臭化水素（ＨＢｒ）４０ｍＬ／ｍｉｎ（０℃，１０１．３ｋＰａ）（以下、この条件下でのこの流量単位を「ｓｃｃｍ」と記す。）、六フッ化硫黄（ＳＦ₆）４０ｓｃｃｍ、酸素（Ｏ₂）６０ｓｃｃｍを用い、チャンバ内圧力を３．３Ｐａ（２５ｍＴｏｒｒ）、プラズマ生成ＲＦパワーＷｓおよびバイアスＲＦパワーＷｂをそれぞれ４００Ｗおよび６０Ｗとしたレシピでエッチング処理を行う。

そして、エッチングチャンバ２の側壁に設けられた窓５を通して発光スペクトル検出部６により、エッチング処理中のプラズマの発光スペクトルを検出する。その際、ここでは、エッチング処理中に検出される発光スペクトルのうち、主要エッチャントであるＳＦ₆プラズマ中のＦの発光スペクトル（波長７０３ｎｍ）の強度（「Ｆ発光スペクトル強度」という。）をモニタリングする。

図２はエッチング処理中のＦ発光スペクトル強度の経時変化の一例である。
この図２において、横軸はエッチング時間（秒）、縦軸はＦ発光スペクトル強度（Ａ．Ｕ．）をそれぞれ表している。また、図２には、Ｓｉウエハ１０として、（ａ）ベアＳｉウエハ、（ｂ）酸化膜でトレンチマスクが形成されたパターン付Ｓｉウエハ（Ｓｉ露出率２５％）、（ｃ）全面に酸化膜を形成したＳｉウエハ（「全面酸化膜形成Ｓｉウエハ」という。）、の３種類のＳｉウエハを用いて、それぞれをエッチング処理したときのＦ発光スペクトル強度の経時変化を例示している。

図２より、ベアＳｉウエハ、パターン付Ｓｉウエハおよび全面酸化膜形成Ｓｉウエハの各Ｓｉウエハについてはいずれも、エッチング処理開始から約３秒の時点でプラズマが発生し、その後、２秒〜３秒ほどでプラズマが安定して、Ｆ発光スペクトル強度が安定しているのがわかる。

そして、この図２に示したように、ベアＳｉウエハ、パターン付Ｓｉウエハおよび全面酸化膜形成Ｓｉウエハでは、エッチング処理中、エッチング時間の経過に伴い、互いに異なる強度でＦの発光スペクトルが検出されている。これは、エッチング処理中はプラズマ中のＦがＳｉウエハのＳｉエッチングに消費されるため、同じレシピの場合には、ＳｉウエハのＳｉ露出率が高いほどＦの消費量が多く、その分検出されるＦの発光スペクトル強度が弱くなるためである。

図３はＳＦ₆流量とＦ発光スペクトル強度の関係である。
図３には、パターン付Ｓｉウエハおよび全面酸化膜形成Ｓｉウエハについて、ＳＦ₆流量を１０ｓｃｃｍ〜６０ｓｃｃｍの間で変化させてエッチング処理を行ったときの各ＳＦ₆流量条件下でのＦ発光スペクトル強度の測定結果を示している。この図３において、横軸はＳＦ₆流量（ｓｃｃｍ）、縦軸はＦ発光スペクトル強度（Ａ．Ｕ．）をそれぞれ表している。ただし、図３のＦ発光スペクトル強度は、各ＳＦ₆流量について、エッチング開始から１５０秒経過してプラズマが安定している時点での値である。

図３より、全面酸化膜形成Ｓｉウエハの場合、ＳＦ₆流量を増加させると、それに伴いＦ発光スペクトル強度も増加する。これは、ＳＦ₆流量を増加させても、全面に酸化膜が形成されているため、ＦがＳｉエッチングにほとんど消費されないためである。それに対し、酸化膜でＳｉ露出率２５％のパターンを形成したパターン付Ｓｉウエハの場合には、ＳＦ₆流量を３０ｓｃｃｍより増加させると、Ｆ発光スペクトル強度が飽和するようになる。このように、ＳＦ₆流量が一定値を超える範囲では、エッチング処理中のＳｉ露出の多い方がＳＦ₆流量増加に伴ってＦの消費量が多くなり、その結果、検出されるＦ発光スペクトル強度は弱くなる。

図４はＳＦ₆流量とＦ発光スペクトル強度差の関係である。また、図５はＳＦ₆流量とトレンチ深さの関係である。
図４には、図３で得られた全面酸化膜形成Ｓｉウエハおよびパターン付Ｓｉウエハについての各ＳＦ₆流量でのＦ発光スペクトル強度の差を示している。この図４において、横軸はＳＦ₆流量（ｓｃｃｍ）、縦軸は全面酸化膜形成Ｓｉウエハとパターン付Ｓｉウエハとの間のＦ発光スペクトル強度差（Ａ．Ｕ．）をそれぞれ表している。また、図５には、パターン付Ｓｉウエハについて、ＳＦ₆流量を変化させてエッチング処理時間を１５０秒に固定したときの各ＳＦ₆流量でのトレンチ深さを示している。この図５において、横軸はＳＦ₆流量（ｓｃｃｍ）、縦軸はパターン付Ｓｉウエハのトレンチ深さ（μｍ）をそれぞれ表している。

図４および図５より、全面酸化膜形成Ｓｉウエハとパターン付Ｓｉウエハの間のＦ発光スペクトル強度差、およびパターン付Ｓｉウエハのトレンチ深さは、同様のＳＦ₆流量依存性を有している。

すなわち、図４に示したように、ＳＦ₆流量が多くエッチングレートが速いレシピになるほど、トレンチエッチング中にＦがＳｉとの反応により多く消費され、パターン付Ｓｉウエハを処理したときのＦ発光スペクトル強度は弱くなり、全面酸化膜形成Ｓｉウエハを処理したときのＦ発光スペクトル強度との差が大きくなる。また、図５に示したように、ＳＦ₆流量が増加すると、それに伴って増加するＳｉエッチング量に応じた深さのトレンチが形成されるようになる。そして、この図４および図５より、全面酸化膜形成Ｓｉウエハとパターン付Ｓｉウエハとの間のＦ発光スペクトル強度差は、パターン付Ｓｉウエハのトレンチ深さに比例して大きくなるということができる。

このようなエッチング処理中のＦ発光スペクトル強度差とＳｉエッチング量の関係、換言すればエッチング処理中のＦの消費量とトレンチ深さの関係を利用することで、パターン付Ｓｉウエハに形成されるトレンチの深さをｉｎ−ｓｉｔｕ測定することが可能になる。すなわち、パターン付Ｓｉウエハのエッチング処理中のトレンチ深さ（Ｄｅｐｔｈ）は、次式（１）で求めることができる。

この式（１）により、トレンチ深さＤｅｐｔｈは、全面酸化膜形成Ｓｉウエハについて取得されるＦ発光スペクトル強度Ｉ₀（ｔ）とパターン付Ｓｉウエハについて取得されるＦ発光スペクトル強度Ｉ_P（ｔ）との差分をエッチング時間（０〜ｔ₁）で積分して（図２，図６参照）、さらにこれに適当な変換係数Ａを乗じて求めることができる。なお、図６はトレンチ深さの測定原理の概念図である。

ここで、エッチング処理中のトレンチ深さの測定方法について詳細に説明する。
図７はトレンチ深さの測定フローの一例である。
トレンチ形成部分以外を酸化膜でマスクしたパターン付Ｓｉウエハについてエッチング処理中のトレンチ深さを測定するため、まず、実際にこのパターン付Ｓｉウエハに対して行うエッチング処理と同じレシピで、全面酸化膜形成Ｓｉウエハを処理し、図６に示したように、そのＦ発光スペクトル強度Ｉ₀（ｔ）の経時変化を測定する（ステップＳ１）。なお、このような全面酸化膜形成ウエハの処理を行って取得される発光スペクトル強度を特に「全面酸化膜形成ウエハ発光スペクトル強度」と呼ぶ場合があるものとする。

また、同様に、実際にパターン付Ｓｉウエハに対して行うエッチング処理と同じレシピで、特定のパターンを有していてエッチングレートが既知のＳｉウエハ（「特定パターン付Ｓｉウエハ」という。）の処理を行い、そのＦ発光スペクトル強度の経時変化を測定する（ステップＳ２）。これにより、各エッチング時間における特定パターンのＦ発光スペクトル強度とトレンチ深さの関係を求め、パターン付ＳｉウエハについてＦ発光スペクトル強度を測定して式（１）からトレンチ深さＤｅｐｔｈを算出するための変換係数Ａを求める（ステップＳ３）。

例えば、Ｓｉ露出率２５％で酸化膜のトレンチマスクが形成されたトレンチ幅１μｍの特定パターン付Ｓｉウエハの場合、先に例示したレシピでのエッチングレートは２μｍ／ｍｉｎであることがわかっている。すなわち、トレンチ深さは、６０秒間のエッチング処理で２μｍとなる。そこで、この特定パターン付Ｓｉウエハのエッチング処理で得られるＦ発光スペクトル強度をＩ_P（ｔ）とし、各エッチング時間でのトレンチ深さ、およびステップＳ１で求めたＦ発光スペクトル強度Ｉ₀（ｔ）を用いて、式（１）から変換係数Ａを求める。ここでは、変換係数Ａ＝４．７６×１０^-5（μｍ）が得られた。なお、この特定パターン付Ｓｉウエハのように特定パターンでトレンチマスクが形成されてエッチングレートが既知のウエハを特に「参照ウエハ」と呼ぶ場合があるものとし、参照ウエハのエッチング処理を行って取得される発光スペクトル強度を特に「参照ウエハ発光スペクトル強度」と呼ぶ場合があるものとする。

このようにして変換係数Ａを求めた後、図６に示したようにＦ発光スペクトル強度を測定しながら、パターン付Ｓｉウエハのエッチング処理を行う（ステップＳ４）。その際取得されるＦ発光スペクトル強度を式（１）のＩ_P（ｔ）とし、既に全面酸化膜形成Ｓｉウエハについて取得されているＦ発光スペクトル強度を式（１）のＩ₀（ｔ）とし、また、ステップＳ３で得られた変換係数Ａを用いて、エッチング時間ｔ₁におけるトレンチ深さＤｅｐｔｈを求めていく（ステップＳ５）。

そして、このステップＳ５で求められたトレンチ深さＤｅｐｔｈが設計寸法等の目標の値になったか、すなわち、トレンチのエッチングが所定の深さまで進んだか否かが判定される（ステップＳ６）。求められたトレンチ深さＤｅｐｔｈが所定の値に満たないときには、ステップＳ４に戻り、そのままエッチング処理を続行する。また、求められたトレンチ深さＤｅｐｔｈが所定の値になったときには、その時点でエッチング処理を停止する（ステップＳ７）。

以後、一定期間が経過するまでは、ステップＳ４〜Ｓ７に従い、ステップＳ１で求めたＦ発光スペクトル強度Ｉ₀（ｔ）を用いて次の新しいパターン付Ｓｉウエハのエッチング処理を行い、パターン付Ｓｉウエハに所定深さのトレンチを次々形成していく（ステップＳ８，Ｓ９）。

そして、一定期間経過後は、ステップＳ１と同様にして、再び全面酸化膜形成ＳｉウエハについてＦ発光スペクトル強度Ｉ₀（ｔ）を測定する（ステップＳ１０）。これは、エッチングチャンバ２の状態によって、検出される発光スペクトル強度に変化が生じる場合があるため、式（１）で用いるＩ₀（ｔ）の経時的変化を補正する目的で行うものである。ただし、その場合でも、Ｉ_P（ｔ）を測定してトレンチ深さＤｅｐｔｈを求めるための変換係数Ａは変化しないものとして扱うことができるので、変換係数Ａについてはその再計算は不要である。

そして、ステップＳ１０で再び測定されたこのＩ₀（ｔ）を式（１）に用いるようにして、一定期間、ステップＳ４〜Ｓ９に従ってエッチング処理を行い、パターン付Ｓｉウエハに所定深さのトレンチを形成していく。

なお、ここでは一定期間経過ごとに全面酸化膜形成ＳｉウエハについてＦ発光スペクトル強度Ｉ₀（ｔ）を再測定するようにしたが、一定枚数のパターン付Ｓｉウエハを処理するごとに全面酸化膜形成ＳｉウエハについてＦ発光スペクトル強度Ｉ₀（ｔ）を再測定するようにしても構わない。

以上説明したように、エッチング処理中のＦ発光スペクトル強度からトレンチ深さをｉｎ−ｓｉｔｕ測定してその結果を処理にフィードバックし、トレンチが所定深さになった時点でエッチング処理を停止するようにすることで、所望の深さで精度良くトレンチを形成することができる。そして、この方法によれば、処理するＳｉウエハごとにトレンチ深さを管理することができ、ロット内およびロット間のバラツキの発生を抑えることができる。さらに、Ｓｉエッチング量と直接的に関連付けられるＦ発光スペクトル強度の測定値からトレンチ深さを求めるので、トレンチが深い場合やアスペクト比が大きい場合でも、測定精度が変動せず、高精度にトレンチを形成することができる。

なお、変換係数Ａは、処理するＳｉウエハのＳｉ露出率に依存するが、それに応じてあらかじめ算出しておけば、同じＳｉ露出率の他のパターンにも適用可能である。また、Ｓｉウエハに形成すべきトレンチの幅が複数存在する場合には、それぞれの幅によってトレンチ深さが異なってくるが、変換係数Ａは少なくともいずれか１つの場合について求めればよい。

また、上記のようなトレンチ深さの測定に係る処理機能はコンピュータを用いて実現可能であり、その場合、必要な処理機能を記述したプログラムが提供される。例えば、コンピュータは、それが通常有するＲＯＭやハードディスク等の記憶装置にプログラムを格納し、これを中央演算処理装置（ＣＰＵ）が実行することによって、所定の処理機能を実現する。また、プログラムは、フレキシブルディスクやＣＤ−ＲＯＭ等の各種記録媒体に記録し、あるいはＬＡＮやインターネット等の電気通信回線を通じて流通させることもできる。

また、以上の説明では、ＩＣＰ方式のエッチング処理装置１を用いる場合を例にして述べたが、本発明はこれに限定されるものではなく、他のプラズマ方式を採用するＲＩＥ装置を用いてエッチング処理を行う場合にも適用可能である。さらに、以上の説明ではＳｉウエハにトレンチを形成する場合について述べたが、本発明は、その他のウエハ、例えばＳｉＣウエハやＧａＡｓウエハ等のエッチングにも、発光スペクトル強度を測定する元素を適当に選択して、適用可能である。

エッチング処理装置の要部断面模式図である。 エッチング処理中のＦ発光スペクトル強度の経時変化の一例である。 ＳＦ₆流量とＦ発光スペクトル強度の関係である。 ＳＦ₆流量とＦ発光スペクトル強度差の関係である。 ＳＦ₆流量とトレンチ深さの関係である。 トレンチ深さの測定原理の概念図である。 トレンチ深さの測定フローの一例である。

符号の説明

１ エッチング処理装置
２ エッチングチャンバ
３ 誘導コイル
４ ホルダ
５ 窓
６ 発光スペクトル検出部
１０ Ｓｉウエハ

Claims (4)

1. ウエハにトレンチを形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、
   前記トレンチを形成する際には、
   酸化膜でトレンチマスクを形成した前記ウエハの前記トレンチを形成するエッチング処理中のプラズマの発光スペクトル強度を測定し、
   測定した前記発光スペクトル強度と、あらかじめ全面に酸化膜を形成した全面酸化膜形成ウエハに同じエッチング処理を行って取得した全面酸化膜形成ウエハ発光スペクトル強度との差を、エッチング時間で積分し、
   積分した値を用いて前記トレンチの深さを求め、
   求められた前記トレンチの深さが目的の値になったときに前記ウエハのエッチング処理を停止する、
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記発光スペクトル強度は、エッチング処理中のプラズマに含まれているフッ素の発光スペクトルの強度であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記積分した値を用いて前記トレンチの深さを求める際には、前記積分した値に変換係数を乗じて前記トレンチの深さを求めることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記変換係数は、
   酸化膜でトレンチマスクが形成されてエッチングレートが既知の参照ウエハに前記同じエッチング処理を行って参照ウエハ発光スペクトル強度を測定し、
   測定された前記参照ウエハ発光スペクトル強度と前記全面酸化膜形成ウエハ発光スペクトル強度との差をエッチング時間で積分し、
   積分した値と前記エッチングレートから求まるトレンチ深さとによって求めることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。

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