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JP4796522B2 - 配線用導体およびその製造方法 - Google Patents

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本発明は、配線用導体及び端末接続部に係り、特に電子機器に使用され、屈曲性が必要とされるフレキシブルフラットケーブル(FFC)、フレキシブルプリント配線板(FPC)等の配線用導体およびその製造方法に関するものである。
従来、配線材、特に銅や銅合金の表面には、配線材の酸化を防ぐために、Sn,Ag,AuやNiめっきが施される。例えば、図2に示すように、コネクタ11とフレキシブルフラットケーブル(以下、FFCという)13の端末接続部においては、コネクタ(コネクタ部材)11のコネクタピン(金属端子)12や、FFC13の導体14の表面などにめっきが施されている。なかでも、Snはコストが安価であり、軟らかいため嵌合(接触)の圧力で容易に変形して接触面積が増え、接触抵抗が低く抑えられることから、配線材の表面にSnめっきを施したものが広く一般的に使用されている。
このSnめっき用合金として、従来は耐ウィスカ性が良好なSn−Pb合金が用いられてきたが、近年は環境面での対応の観点から、Pbフリー材(非鉛材)、ノンハロゲン材の使用が求められており、配線材に使用される各種材料に対してもPbフリー化、ノンハロゲン化が求められている。
特開昭61−23787号公報 特開2002−194464号公報
SnめっきのPbフリー化に伴って、特にSnまたはSn系合金めっきにおいては、端末接続部において、図3に示すように、Snの針状結晶であるウィスカ21がめっきから発生し、ウィスカ21により隣接配線(導体14)間の短絡が生じるおそれがあることが問題となっている。
ウィスカの発生原因の一つとして考えられているSnめっき中の応力を緩和させるため、電気めっきしたSnをリフロー処理することにより、ウィスカの発生を低減させることが可能であるとされている。
しかし、コネクタとの嵌合部(接続部)など新たな外部応力がかかる場合は、リフロー処理を施してもウィスカの発生を抑えることができない。また、BiやAgなどの合金の電解めっきあるいは無電解めっきにより、ウィスカを抑制することができるが、リフロー処理することにより、逆に純Snのときよりもウィスカが発生してしまうことが報告され、これら合金めっきにも問題がある。現在のところ、ウィスカ抑制の有効な対策として、1μm以下の薄いSnめっきを施す方法が提案されているが、特に高温・高湿放置時においては従来よりも接触抵抗が増大するという問題がある(例えば、JEITA鉛フリー化完遂緊急提言報告会資料(2005.2.17)、JEITA鉛フリーはんだ実用化検討2005年成果報告書(2005.6)、特開2005−206869号公報、特開2006−45665号公報を参照)。
以上の事情を考慮して創案された本発明の目的は、特にコネクタとの嵌合など大きな外部応力がかかる環境下においても、導体周囲のSnめっき膜表面やはんだからウィスカが発生するおそれが少なく、あるいはほとんどウィスカが発生せず、高温・高湿環境下においても接触抵抗が増大することのないPbフリーの配線用導体およびその製造方法を提供することにある。
上記の目的を達成するために、請求項1の発明は、少なくとも表面の一部にPbフリーのSn系材料部と心材となる金属材料からなる複合材であって、上記心材と上記Sn系材料部との間に所定厚さのSn−P中間層を設け、その後、リフローを行い、そのSn−P中間層をSn系材料部中に拡散させてSn−P中間層を消失させると共に、Sn系材料部の表面に、Sn酸化物とP酸化物からなる複合膜又はSn酸化物とリン酸塩化合物からなる複合膜を形成したことを特徴とする配線用導体である。
請求項2の発明は、上記Sn−P中間層の厚さが、上記Sn系材料部の厚さの1/200以上、1/10以下である請求項1に記載の配線用導体である。
請求項3の発明は、上記Sn−P中間層が、0.5wt%以上、15wt%以下のPと、残部がSn及び不可避不純物のSn−P合金からなる請求項1又は2に記載の配線用導体である。
請求項4の発明は、上記Sn系材料部が、Snと不可避不純物からなる純Sn系、Sn−Ag系、Sn−Ag−Cu系、Sn−Bi系、Sn−Bi−Ag系、又はSn−Cu系のPbフリーのはんだ材である請求項1から3いずれかに記載の配線用導体である。
請求項5の発明は、上記心材となる金属材料が、導電率10%IACS以上の導電材料、無酸素銅、タフピッチ銅、銀、ニッケル、銅系合金材料、ニッケル系合金材料、アルミ系合金材料、又は鉄系合金材料で構成され、形状が丸線、角線、板、条、又は箔である請求項1から4いずれかに記載の配線用導体である。
請求項6の発明は、少なくとも表面の一部にPbフリーのSn系材料部と心材となる金属材料からなる複合材の製造方法であって、上記心材にSn−P電解めっきを行い、心材の少なくとも表面の一部に所定厚さのSn−P中間層を設け、そのSn−P中間層上にSnめっきによりPbフリーのSn系材料部を設け、伸線・圧延を行った後、リフローを行い、上記Sn−P中間層をSn系材料部中に拡散させてSn−P中間層を消失させると共に、Sn系材料部の表面に、Sn酸化物とP酸化物からなる複合膜又はSn酸化物とリン酸塩化合物からなる複合膜を形成することを特徴とする配線用導体の製造方法である。
請求項7の発明は、0.5wt%以上、15wt%以下のPと、残部がSn及び不可避不純物のSn−P合金からなる上記Sn−P中間層を、上記Sn系材料部の厚さの1/200以上、1/10以下の厚さに形成する請求項6に記載の配線用導体の製造方法である。
請求項8の発明は、上記Snめっきを、電解めっき又は無電解めっきにより行う請求項6又は7に記載の配線用導体の製造方法である。
本発明により、電子機器の配線用導体において、表面にSnめっきを施された導体(配線材)表面の酸化を防ぐことができる。その結果、嵌合部のような外部応力がかかる場合においても、Snの針状結晶であるウィスカを抑制することが可能になり、隣接導体間の短絡といった不具合を解決することができる。また、高温・高湿環境下においても接触信頼性を損なうことがない。
以下、本発明の実施の形態を添付図面に基いて説明する。
本発明の好適一実施の形態に係る配線用導体は、図1(a)に示すように、導電材料(金属材料)からなる心材33の少なくとも表面(外周面)の一部に、Pを0.5〜15wt%含有し、残部がSn及び不可避不純物からなる所定厚さのSn−P層(Sn−P中間層)32を設け、そのSn−P層32上にSn系材料部31をめっきして設け、その後、熱処理(リフロー処理)して、図1(b)に示すように、Sn−P層32をSn系材料部31中に拡散させてSn−P層32を消失させたものである。このSn−P層32の厚さはSn系材料部31の厚さの1/200以上、1/10以下にし、リフロー処理時に、Sn−P層32を、溶融しているSn系材料部31に拡散させることに特徴がある。熱処理後の配線用導体は、Sn系材料部31の表面に、Sn酸化物とP酸化物からなる複合膜(又はSn酸化物とリン酸塩化合物からなる複合膜)35を、また、心材33とSn系材料部31との界面に、心材33の金属材料とSnの金属間化合物層34を有する。
Sn系材料部31を構成する材料としては、Snと不可避不純物からなる純Sn系、Sn−Ag系、Sn−Ag−Cu系、Sn−Bi系、Sn−Bi−Ag系、又はSn−Cu系のPbフリーのはんだ材が挙げられる。
心材33を構成する金属材料としては、導電率10%IACS以上の導電材料、無酸素銅、タフピッチ銅、銀、ニッケル、銅系合金材料、ニッケル系合金材料、アルミ系合金材料、又は鉄系合金材料が挙げられる。また、心材33の形状としては、丸線、角線、板、条、又は箔が挙げられ、特に限定するものではない。
Sn系材料部31は、心材33の外周面全面に設けてもよく、また、図2に示したコネクタピン12などと嵌合、接続される面のみに設けてもよい。
また、金属間化合物層34は、配線用導体の屈曲特性を阻害しない程度の極薄いものであれば、その厚さは特に限定するものではない。
次に、本実施の形態の配線用導体の製造方法を説明する。
本実施の形態では、先ず、心材33の少なくとも表面(外周面)の一部にSn−P層32を設ける。このSn−P層32は、後述するSn−P電解めっきにより形成する。そして、電解めっきにより形成した所定厚さのSn−P層32上に、電解めっき又は無電解めっきによりSn系材料部31を設ける。
その後、Sn−P層32及びSn系材料部31を設けた心材33に、伸線・圧延加工を施して所定のサイズ・形状に調整した後、熱処理(リフロー処理)を施す。このリフロー処理によって、Sn−P層32のP成分が、溶融しているSn系材料部31中に拡散し、Sn−P層32が消失する。この拡散したP成分はSn系材料部31の表面において優先的に酸化され、Sn系材料部31の表面にSn酸化物とP酸化物からなる複合膜(又はSn酸化物とリン酸塩化合物からなる複合膜)35が生成する。また、熱処理後の心材33とSn系材料部31との界面には、心材33の金属材料とSnの金属間化合物層34が極薄く生成する。これによって、本実施の形態に係る配線用導体が得られる。
リフローの焼鈍温度・時間は、Pが拡散するのに十分な温度・時間とされ、特に限定するものではない。
次に、本実施の形態の作用を説明する。
本発明者らは、P等の酸化抑制元素を適正量Sn中に添加することで、表面の酸化膜形成を抑え、ウィスカを抑制し、高温環境下での接触抵抗増大を抑制できることを見出し、既に出願を行った(特願2006−191579)。
PをSnに添加する方法として溶融めっき法が開示されている(特許第3005742号公報を参照)。他の方法として電気めっき(電解めっき)法が挙げられるが、この方法では、極低濃度にPを制御することは難しく、通常数%の制御しかできない。このため、P制御法として溶融めっき法は有効であるが、ラインスピードが遅く、コストが高いという問題がある。また、大気中で溶融めっきした場合、PがSnより優先酸化して表面に高濃度化するが、この高濃度P酸化層が後の伸線・圧延工程で削られてしまい、添加したPがなくなってしまう懸念もある。
そこで、本実施の形態においては、心材33とSn系材料部31との間に、電解めっきによるSn−P層32を中間層として設けている。このSn−P層32の厚さは、Sn系材料部31の厚さの1/200〜1/10であり、非常に薄いものである。また、Sn−P層32のP濃度は、0.5wt%以上、15wt%以下であり、濃度調整が可能な範囲である。
Sn−P電解めっきは、Snめっき浴に亜リン酸を適量入れることにより製造する。Sn−P電解めっきのめっき条件の一例を表1に示す。Sn−P層32の厚さの調整は、例えば、電流密度、Snめっき浴への浸漬時間の調整により行い、また、Sn−P層32のP濃度の調整は、例えば、亜リン酸の濃度の調整により行う。
Figure 0004796522
Sn−P層32の上にSnめっきを施した場合において、Sn−P層32の厚さが厚すぎると、後のリフロー処理などの熱処理で両めっきの界面にP層が残るおそれがある。
そこで、本実施の形態では、Sn−P層32の厚さを、Sn系材料部31の厚さの1/200以上、1/10以下に薄くしている。これによって、リフロー処理時に、Sn−P層32のP成分が溶融しているSn系材料部31へ拡散し、Sn−P層32が消失する。
Sn−P層32の厚さがSn系材料部31の厚さの1/10を超える場合には、伸線・圧延後のリフロー処理時においてSn−P層32を消失させることができず、P層が残ったり或いはSn−P金属間化合物を生成し、外観が悪くなったり、屈曲特性が損なわれたりする。したがって、Sn−P層32の厚さは、Sn系材料部31の厚さの1/10以下が望ましい。
また、Sn−P層32のP濃度については、0.5wt%以上、15wt%以下が望ましい。Sn−P層32のP濃度が増えるに従ってSn−P層32は硬く脆くなるので、伸線・圧延加工がしにくくなってしまうという問題があり、また、P濃度が0.5wt%未満のものは安定して電解めっきで得ることができない。したがって、P濃度は0.5wt%以上、15wt%以下が望ましい。
このように、非常に薄いSn−P層32を中間層として設け、リフロー処理を施して拡散、消失させることで、極低濃度にPをSnめっき(Sn系材料部31)に添加することができ、コストが安価で、信頼性が高く、屈曲特性にすぐれた配線用導体を製造することができる。この本実施の形態に係る配線用導体を、例えば、図2に示した端末接続部におけるFFC13の導体14に適用することで、導体14の表面にウィスカが発生するのを抑制することができ、隣接配線材間の短絡といった不具合を解決することができる。
一方、心材33に、Sn−P層32、Sn系材料部31を設けた構造の導体に伸線・圧延加工を施す際、Sn−P層32は、Sn系材料部31の内層側に位置しているので、伸線・圧延加工によって、Sn−P層32が削り取られるおそれはない。
また、伸線・圧延加工後にリフロー処理を施すが、Sn−P層32はSn系材料部31の内層側に位置しているものの、PはSnより酸化し易いという特徴があるため、Sn系材料部31の溶融時(リフロー処理時)に、P成分がSn系材料部31中に拡散すると共にPがSnより先に酸化され、表面から揮発するか、或いは表面にごく薄いP酸化膜を形成する。つまり、リフロー処理することで、PがSn系材料部31の表面に移動し、Sn系材料部31の表面にごく薄い酸化膜(複合膜35)が生成する。このPの拡散に伴って、Sn−P層32は消失してSn系材料部31と一体化する。Sn系材料部31の厚さは、Sn−P層32の厚さの10〜200倍であるため、この一体化されたSn系材料部31全体におけるP濃度は極めて低濃度となる。
さらに、リフロー処理後のSn系材料部31においては、その表面に複合膜35が形成されているため、複合膜35の内層側のSnが酸化されるのを防ぐことができ、ウィスカ発生が抑制される。この複合膜35により、高温・高湿環境下でもSnの酸化膜成長が抑制されるため、接触抵抗の増大を抑制することができる。
表2に、上述した実施形態による実施例と、その比較例を示す。
Figure 0004796522
先ず、表2に示したSn−P層厚さ・組成及び初期Sn厚さのフレキシブルフラットケーブル用導体を作製した後、それらに通電加熱によるリフロー処理を施した。リフロー処理前のSn−P層及び初期Sn厚さは伸線・圧延前の各層の厚さから、伸線・圧延後の各層厚さは比例計算で求めた。
次いで、各導体を接着剤を塗布したPETフィルムでラミネートしてFFCを作製した。その後、室温で、各FFCとめっき無しコネクタとを500時間嵌合することにより、ウィスカ特性(ウィスカ発生率、最大長さ)を評価した。また、各FFCとコネクタとを嵌合して初期接触抵抗を測定し、その後、高温高湿環境(85℃85%Rh)に500時間放置した後の接触抵抗を測定して増大分を求め、接触抵抗特性を評価した。
実施例1〜3は、Sn−P層の厚さやP濃度が本発明の範囲内であり、各導体の表面分析の結果、表面にSn酸化物およびP酸化物からなる複合膜あるいはSn酸化物およびリン酸塩化合物からなる複合膜が形成されていることを確認した。また、リフロー処理後の残存Sn厚さも十分であり、良好なめっき外観、ウィスカ特性、接触抵抗特性を有していた。
これに対して、比較例1は、中間層としてSn−P層を設けておらず、Pの酸化抑制効果が得られないため、ウィスカ特性、接触抵抗特性が劣る結果となった。
また、比較例2は、初期Sn厚さと比べてSn−P層が厚すぎであり(Sn−P層厚さ/初期Sn厚さ=1/2)、かつ、リフロー処理後のSn系材料部のP濃度も高すぎるため、めっき外観が悪く、初期接触抵抗値も悪い結果となった。
本発明の好適一実施の形態に係る配線用導体のめっき部の拡大模式図である。図1(a)は熱処理前、図1(b)は熱処理後の状態を示している。 コネクタとFFCの嵌合例を示す図である。 嵌合部の拡大とウィスカの発生・隣接配線間の短絡の様子を示す図である。
符号の説明
31 Sn系材料部
32 Sn−P中間層
33 心材
35 複合膜

Claims (8)

  1. 少なくとも表面の一部にPbフリーのSn系材料部と心材となる金属材料からなる複合材であって、上記心材と上記Sn系材料部との間に所定厚さのSn−P中間層を設け、その後、リフローを行い、そのSn−P中間層をSn系材料部中に拡散させてSn−P中間層を消失させると共に、Sn系材料部の表面に、Sn酸化物とP酸化物からなる複合膜又はSn酸化物とリン酸塩化合物からなる複合膜を形成したことを特徴とする配線用導体。
  2. 上記Sn−P中間層の厚さが、上記Sn系材料部の厚さの1/200以上、1/10以下である請求項1に記載の配線用導体。
  3. 上記Sn−P中間層が、0.5wt%以上、15wt%以下のPと、残部がSn及び不可避不純物のSn−P合金からなる請求項1又は2に記載の配線用導体。
  4. 上記Sn系材料部が、Snと不可避不純物からなる純Sn系、Sn−Ag系、Sn−Ag−Cu系、Sn−Bi系、Sn−Bi−Ag系、又はSn−Cu系のPbフリーのはんだ材である請求項1から3いずれかに記載の配線用導体。
  5. 上記心材となる金属材料が、導電率10%IACS以上の導電材料、無酸素銅、タフピッチ銅、銀、ニッケル、銅系合金材料、ニッケル系合金材料、アルミ系合金材料、又は鉄系合金材料で構成され、形状が丸線、角線、板、条、又は箔である請求項1から4いずれかに記載の配線用導体。
  6. 少なくとも表面の一部にPbフリーのSn系材料部と心材となる金属材料からなる複合材の製造方法であって、上記心材にSn−P電解めっきを行い、心材の少なくとも表面の一部に所定厚さのSn−P中間層を設け、そのSn−P中間層上にSnめっきによりPbフリーのSn系材料部を設け、伸線・圧延を行った後、リフローを行い、上記Sn−P中間層をSn系材料部中に拡散させてSn−P中間層を消失させると共に、Sn系材料部の表面に、Sn酸化物とP酸化物からなる複合膜又はSn酸化物とリン酸塩化合物からなる複合膜を形成することを特徴とする配線用導体の製造方法。
  7. 0.5wt%以上、15wt%以下のPと、残部がSn及び不可避不純物のSn−P合金からなる上記Sn−P中間層を、上記Sn系材料部の厚さの1/200以上、1/10以下の厚さに形成する請求項6に記載の配線用導体の製造方法。
  8. 上記Snめっきを、電解めっき又は無電解めっきにより行う請求項6又は7に記載の配線用導体の製造方法。
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