JP4765506B2 - Radiation detection panel manufacturing method, radiation detection panel - Google Patents
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Description
本発明は、基板にアノード電極およびカソード電極のセルを2次元配置で複数有する放射線検出パネルを製造するための方法およびその放射線検出パネルに係り、特に、セルの高密度配置に好適な放射線検出パネルの製造方法および放射線検出パネルに関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a radiation detection panel having a plurality of cells of an anode electrode and a cathode electrode in a two-dimensional arrangement on a substrate and the radiation detection panel, and more particularly to a radiation detection panel suitable for high-density arrangement of cells. The present invention relates to a manufacturing method and a radiation detection panel.
X線やガンマ線などの放射線の入射位置を検出するため、入射した放射線によりガス粒子を励起させこれにより生じる漏れ電流を検知するタイプの放射線検出装置がある。このような放射線検出装置では、基板にアノード電極およびカソード電極のセルを2次元配置で複数有する放射線検出パネルが放射線検出のデバイス本体として用いられる。その例として下記特許文献1に開示の放射線検出器がある。
In order to detect the incident position of radiation such as X-rays or gamma rays, there is a radiation detection device of a type that detects a leakage current generated by exciting gas particles with incident radiation. In such a radiation detection apparatus, a radiation detection panel having a plurality of cells of an anode electrode and a cathode electrode in a two-dimensional arrangement on a substrate is used as a device body for radiation detection. As an example, there is a radiation detector disclosed in
この文献にもあるように、アノード電極は微細な円形状のパターンがグリッド状に並んだものであり、それらの各行ごとに電気的導通を行う複数のアノード電極配線が配されている。カソード電極は、各アノード電極をこれからほぼ等距離で離間して取り囲む導体パターンであり、かつそれらの各列ごとにそれぞれ電気的につながったパターンである。このようなアノード電極とカソード電極の縦横の電気的な配列により、いずれかのセルのアノード電極とカソード電極との間に電流が流れるとこれを検知して放射線入射位置を特定することができる。 As described in this document, the anode electrode is a pattern in which fine circular patterns are arranged in a grid, and a plurality of anode electrode wirings for electrical conduction are arranged for each row. The cathode electrode is a conductor pattern that surrounds each anode electrode at an approximately equal distance from each other, and is a pattern that is electrically connected to each column. Due to such vertical and horizontal electrical arrangement of the anode electrode and the cathode electrode, when a current flows between the anode electrode and the cathode electrode of any cell, this can be detected and the radiation incident position can be specified.
放射線入射位置の高解像な検出のためには、アノード電極およびカソード電極のセルが基板上に高密度に配されている必要がある。また、検出感度の観点で言うと、より微小な電流検出のためにはアノード電極とカソード電極との間に印加する電圧を高くする必要がある。セルを高密度配置すると、アノード電極およびカソード電極の微細な形状が正常な動作の確保上問題となる。すなわち、アノード電極とこれを取り囲むカソード電極との距離が取り囲む方向によって異なると、より短距離の部位で放電が発生して正常な電流検出ができなくなる。放電をなくすには印加電圧を下げればよいが検出感度を劣化させてしまう。
本発明は、上記した事情を考慮してなされたもので、性能劣化を回避しつつアノード電極およびカソード電極のセルを高密度に配することが可能な放射線検出パネルの製造方法および放射線検出パネルを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and a radiation detection panel manufacturing method and a radiation detection panel capable of arranging cells of an anode electrode and a cathode electrode at high density while avoiding performance deterioration are provided. The purpose is to provide.
上記の課題を解決するため、本発明に係る放射線検出パネルの製造方法は、パターンとして円形でかつ第1の金属および第2の金属の2層構造を有するアノード電極パターンと、パターンとして前記アノード電極パターンから等距離で離間して該アノード電極パターンを取り囲みかつ前記第1の金属および前記第2の金属の2層構造を有するカソード電極パターンとを、前記第2の金属をそれぞれ外側の層として金属板上に形成する工程と、前記金属板の前記アノード電極パターンと前記カソード電極パターンとが形成された面上に絶縁板を介して金属箔を積層し一体化する工程と、前記絶縁板上の前記金属箔を、前記アノード電極パターンと位置対応する円形の除去部位ができるようにエッチング加工する工程と、前記除去部位を有する前記金属箔をマスクに前記絶縁板を加工し、前記アノード電極パターンの前記第2の金属の層に達するようにビアホールを形成する工程と、前記ビアホール内を満たすようにめっき層を形成する工程と、前記アノード電極パターンおよび前記カソード電極パターンを前記絶縁板の側に残すように、前記金属板をエッチング除去する工程とを具備することを特徴とする。 To solve the above problems, a manufacturing method of a radiation detection panel according to the present invention includes an anode electrode patterns have a circular a and the first metal and the two-layer structure of the second metal as a pattern, the anode as a pattern and a cathode electrode pattern from the electrode patterns spaced equidistant to have a two-layer structure surrounding and said first metal and said second metal the anode electrode pattern, a layer of outer the second metal respectively Forming on the metal plate, laminating a metal foil on the surface of the metal plate on which the anode electrode pattern and the cathode electrode pattern are formed, and integrating the metal foil, and the insulating plate the metal foil above, before the step of etching to allow circular removal site for the position corresponding to the Kia node electrode pattern, before having the removal site A metal foil processing the insulating plate as a mask, to form a plating layer so as to satisfy the process, the inside before millet via hole to form a via hole so that the reach to the second layer of metal of the anode electrode pattern step And removing the metal plate by etching so that the anode electrode pattern and the cathode electrode pattern are left on the insulating plate side .
この製造方法では、アノード電極は2層構造の金属のパターンで製造される。したがって、例えばフォトリソグラフィ技術を使えば微細かつ正確な形状に加工・形成することができる。また、このアノード電極のパターンはビアにより絶縁板の裏側に電気的導通がされる構造になるが、このビアを構成するためのビアホールは、絶縁板の当該裏側から形成したものであり、一般的に言って、アノード電極パターンの方で径が小さくなる。すなわち、アノード電極のパターンをより小さく形成しておくことができる。これに合わせてカソード電極のパターンも小さくできる。よって、性能劣化を回避しつつアノード電極およびカソード電極のセルを高密度に配することができる。 In this manufacturing method, the anode electrode is manufactured by a metal pattern having a two-layer structure. Therefore, for example, if a photolithography technique is used, it can be processed and formed into a fine and accurate shape. In addition, the anode electrode pattern has a structure in which electrical conduction is made to the back side of the insulating plate by a via, but the via hole for forming the via is formed from the back side of the insulating plate, In other words, the anode electrode pattern has a smaller diameter. That is, the anode electrode pattern can be formed smaller. In accordance with this, the pattern of the cathode electrode can be reduced. Therefore, the anode electrode and cathode electrode cells can be arranged at high density while avoiding performance degradation.
また、本発明に係る放射線検出パネルは、絶縁板と、前記絶縁板上で該絶縁板の厚み方向に沈み込んで位置する、パターンとして円形でかつ第1の金属および第2の金属の2層構造を有するアノード電極パターンと、前記絶縁板上で該絶縁板の厚み方向に沈み込んで位置する、パターンとして前記アノード電極パターンから等距離で離間して該アノード電極パターンを取り囲みかつ前記第1の金属および前記第2の金属の2層構造を有するカソード電極パターンと、前記絶縁板を貫通して前記アノード電極パターンに接するように設けられた、前記アノード電極パターンに近いほど径が小さくなる形状の導電性のビアと、前記絶縁板の前記アノード電極パターンおよび前記カソード電極パターンが設けられた側とは反対の側の面上に設けられて、前記ビアに電気的に導通するアノード配線パターンとを具備することを特徴とする。 The radiation detection panel according to the present invention includes an insulating plate, a circular pattern as a pattern, and a two-layered first metal and second metal , which are located on the insulating plate by sinking in the thickness direction of the insulating plate. an anode electrode patterns have a structure, the position sinks in the thickness direction of the insulating board in the insulating board, spaced equidistant from the anode electrode pattern as a pattern surrounding the anode electrode pattern and the first a cathode electrode patterns have a metal and the two-layer structure of the second metal, to pass through the insulation plate disposed to contact the anode electrode pattern, the diameter closer to the anode electrode pattern and conductive vias smaller shape, provided on the surface of the side opposite to the said anode electrode pattern and the cathode electrode pattern is provided side of the insulating plate , Characterized by comprising an anode wiring pattern electrically conducted to the via.
この放射線検出パネルは、アノード電極が2層構造の金属のパターンからなっている。したがって、例えばフォトリソグラフィ技術を使えば微細かつ正確な形状に加工・形成がされる。また、このアノード電極のパターンはビアにより絶縁板の裏側に電気的導通がされるが、このビアがアノード電極パターンに近いほど径が小さくなる。すなわち、アノード電極のパターンをより小さくできる構造である。これに合わせてカソード電極のパターンも小さくできる。よって、性能劣化を回避しつつアノード電極およびカソード電極のセルを高密度に配することができる。 In this radiation detection panel, the anode electrode is formed of a metal pattern having a two-layer structure. Therefore, for example, if a photolithography technique is used, it is processed and formed into a fine and accurate shape. The anode electrode pattern is electrically connected to the back side of the insulating plate by a via, but the diameter becomes smaller as the via is closer to the anode electrode pattern. That is, the anode electrode pattern can be made smaller. In accordance with this, the pattern of the cathode electrode can be reduced. Therefore, the anode electrode and cathode electrode cells can be arranged at high density while avoiding performance degradation.
本発明によれば、性能劣化を回避しつつアノード電極およびカソード電極のセルを高密度に配することが可能な放射線検出パネルの製造方法および放射線検出パネルを提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of a radiation detection panel and the radiation detection panel which can arrange | position the cell of an anode electrode and a cathode electrode at high density, avoiding performance degradation can be provided.
本発明に係る放射線検出パネルの製造方法の実施態様として、前記第1の金属がニッケルであり、前記第2の金属が銅である、とすることができる。例えばこれに加えて金属板が銅であるとすれば、金属板、第1の金属、第2の金属の積層状態で、アノード電極パターン形成のためには、まず上層の第2の金属をエッチング加工、次に第1の金属をエッチング加工する手順を採ることができる。また、最後に金属板をエッチング除去する場合も第1の金属であるニッケルの層が下地になり不都合がない。 As an embodiment of the method for manufacturing a radiation detection panel according to the present invention, the first metal may be nickel, and the second metal may be copper. For example, in addition to this, if the metal plate is copper, in order to form the anode electrode pattern in the laminated state of the metal plate, the first metal, and the second metal, the second metal of the upper layer is first etched. Processing, and then a procedure of etching the first metal can be taken. Further, when the metal plate is finally removed by etching, the nickel layer as the first metal is used as a base and there is no inconvenience.
また、実施態様として、ビアホールを形成する前記工程が、該ビアホールとして加工方向の深い側に向かって径が徐々に小さくなる形状に前記ビアホールを形成する、とすることができる。このように形成するため例えばレーザ加工を採用することができる。レーザ光を絶縁板に直交するように照射する加工では、通常、加工穴に当たる光束の積算エネルギがその穴の周辺部と中心とで異なり周辺部で比較して小さいので、加工方向の深い側に向かって径が徐々に小さくなる加工穴となる。加工方向の深い側に向かって径が徐々に小さくなるように意図的な配慮をしなくても、レーザ光を絶縁板に直交するように照射する加工では、通常は、加工方向の深い側に向かって径は徐々に小さくなる。 As an embodiment, the step of forming the via hole may form the via hole in a shape in which the diameter gradually decreases toward the deep side in the processing direction as the via hole. In order to form in this way, for example, laser processing can be employed. In processing that irradiates the laser beam perpendicular to the insulating plate, the accumulated energy of the light beam striking the processing hole is usually different at the periphery and the center of the hole and is small compared to the periphery. It becomes a processed hole with a gradually decreasing diameter. In processing that irradiates laser light perpendicularly to the insulating plate without intentional consideration so that the diameter gradually decreases toward the deeper side in the processing direction, it is usually on the deeper side in the processing direction. The diameter gradually decreases toward it.
また、実施態様として、めっき層を形成する前記工程が、無電解めっきによるめっき層形成工程と該無電解めっきのあとになされる電解めっきによるめっき層形成工程とを有する、とすることができる。無電解めっきでビアホールの内壁に導電層を形成することができ、そのあとこの導電層を電解めっきのシード層にして高速でめっき層を形成できる。 As an embodiment, the step of forming a plating layer may include a plating layer forming step by electroless plating and a plating layer forming step by electrolytic plating performed after the electroless plating. A conductive layer can be formed on the inner wall of the via hole by electroless plating, and then the plated layer can be formed at a high speed by using this conductive layer as a seed layer for electrolytic plating.
また、実施態様として、アノード電極パターンとカソード電極パターンとを金属板上に形成する前記工程が、前記金属板上に前記第1の金属の層、該第1の金属の層上に前記第2の金属の層がそれぞれ積層され一体化されたクラッド材を用い、前記第2の金属の層上にエッチングマスクを形成して第1のエッチャントで前記第2の金属をエッチングし、該第1のエッチャントによるエッチングのあと前記エッチングマスクにより前記第1のエッチャントと異なる第2のエッチャントで前記第1の金属をエッチングすることによりなされる、とすることができる。 In one embodiment, the step of forming the anode electrode pattern and the cathode electrode pattern on the metal plate includes the step of forming the first metal layer on the metal plate and the second metal layer on the first metal layer. of the layers laminated each metal using an integrated cladding material, wherein to form a et Tchingumasuku the second metal layer on the etching said second metal in the first etchant, the first made by etching the first metal and the first etchant by etching after the etching mask by the etchant at a different second etchant can be a.
これは一つの例である。ほかに、形成されたエッチングマスクで、第1のエッチャントで第2の金属をエッチングし、該エッチングのあとエッチングマスクを除去し第2の金属をマスクに第1のエッチャントと異なる第2のエッチャントで第1の金属をエッチングする、という方法も採り得る。 This is an example. In addition, with the formed etching mask, the second metal is etched with the first etchant. After the etching, the etching mask is removed, and the second metal is used as a mask with a second etchant different from the first etchant. A method of etching the first metal can also be adopted.
また、実施態様として、前記ビアホール内を満たすようにめっき層を形成の後、前記絶縁板の前記金属箔が位置する側の面上に第2の絶縁板を介して第2の金属箔を積層し一体化する工程と、前記第2の絶縁板上の前記第2の金属箔をパターニングする工程とをさらに具備する、としてもよい。絶縁板の金属箔が位置する側の面上に、絶縁板、第2の金属箔を積層し、多層配線板としてビルドアップ工程を行うものである。 Further, as an embodiment, after the plating layer is formed so as to fill the via hole, the second metal foil is laminated on the surface of the insulating plate on the side where the metal foil is located via the second insulating plate. And a step of patterning, and a step of patterning the second metal foil on the second insulating plate . An insulating plate and a second metal foil are laminated on the surface of the insulating plate where the metal foil is located, and a build-up process is performed as a multilayer wiring board.
また、放射線検出パネルの実施態様としても、前記第1の金属がニッケルであり、前記第2の金属が銅であり、前記第1の金属の層が前記第2の金属の層より外側に位置する層である、とすることができる。 Further, even if the embodiment of the radiation detection panel, a first metal is nickel, the second metal is Ri copper der, outside the layer of the first metal layer and the second metal Ru layer der located, can be.
また、実施態様として、前記絶縁板の前記アノード配線パターンが配された側の面上に設けられた第2の絶縁板と、前記第2の絶縁板の前記絶縁板が配された側とは反対の側の面上に設けられた配線層とをさらに具備する、としてもよい。多層配線板としてのビルドアップ部を有する態様である。 As an embodiment, the second insulating plate provided on the surface of the insulating plate on the side where the anode wiring pattern is disposed, and the side of the second insulating plate on which the insulating plate is disposed And a wiring layer provided on the surface on the opposite side. It is the aspect which has a buildup part as a multilayer wiring board.
以上を踏まえ、以下では本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る放射線検出パネルの構造を模式的に示す構成図であり、図1(a)は上面図、図1(b)は図1(a)中に示したA−Aa位置における矢視方向の模式的な断面図である。図1に示すように、この放射線検出パネルは、絶縁板10、表面導体パターン(カソード電極)11、表面導体パターン(アノード電極)12、裏面導体パターン(アノード配線パターン)13、ビア14を有する。
Based on the above, embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram schematically showing the structure of a radiation detection panel according to an embodiment of the present invention, in which FIG. 1 (a) is a top view and FIG. 1 (b) is shown in FIG. 1 (a). It is typical sectional drawing of the arrow direction in A-Aa position. As shown in FIG. 1, the radiation detection panel includes an
表面導体パターン(アノード電極)12は、絶縁板10の片面に表出してグリッド状に配されたそれぞれがほぼ円形の金属パターンである。そのそれぞれの直径は例えば60μmであり、縦横に例えば各400μmのピッチで配されている。全体で例えば10cm×10cmの領域に例えば約6万ある。また図1(b)に示すように表面導体パターン12は2層構造になっており、表面側が例えばニッケル層121(厚さ例えば3〜5μm)、下地側がたとえば銅層122(厚さ例えば5〜18μm)である。
The surface conductor pattern (anode electrode) 12 is a substantially circular metal pattern that is exposed on one side of the
表面導体パターン(カソード電極)11は、絶縁板10の片面に表出して、各表面導体パターン12からほぼ等間隔で離間して各表面導体パターン12を取り囲むパターンに形成された金属パターンである。その取り囲む直径は例えば250μmであり、図1(a)の図示で各列の縦方向に連続したパターンになっている。その各幅は例えば350μmである。また、アノード電極12と同じように2層構造になっており、表面側が例えばニッケル層111(厚さ例えば3〜5μm)、下地側が例えば銅層112(厚さ例えば5〜18μm)である。
The surface conductor pattern (cathode electrode) 11 is a metal pattern that is formed in a pattern that appears on one surface of the insulating
絶縁板10は、表面導体パターン(カソード電極)11および表面導体パターン(アノード電極)12を埋め込み有する板となっており(後述する製造工程による)、厚さは例えば0.07mm〜0.1mmである。またその材質は例えばポリイミドである。
The insulating
各表面導体パターン(アノード電極)12には、絶縁板10を貫通して形成された導電性のビア14が接しており、これにより絶縁板10の裏面側の導体パターン(アノード配線パターン)13に電気的接続している。ビア14は、形状として、表面導体パターン(アノード電極)12側の径がやや小さな円錐台形状(小さな側で直径例えば50μm、大きな側で直径例えば65μm)であり、表面導体パターン(アノード電極)12との接触面を含めて外側が無電解銅めっき層142(厚さ例えば0.4μmから1.0μm)でありその内側が電解銅めっき層141で充填された構造になっている。
Each surface conductor pattern (anode electrode) 12 is in contact with a conductive via 14 formed so as to penetrate through the insulating
各ビア14は、図1(a)の図示で横方向のものが同一の電気的ノードとなるように裏面導体パターン(アノード配線パターン)13で電気的導通されている。各裏面導体パターン(アノード配線パターン)13の幅は例えば各300μmであり、ビア14の無電解銅めっき層142に連続する無電解銅めっき層132(厚さ例えば0.4μmから1.0μm)と、同じく電解めっき層141に連続する電解めっき層131(厚さ例えば10μmから16μm)とを有する。電解めっき層131が表層側となり、その下側が無電解めっき層132である。さらに無電解めっき層132の下側には銅層133(厚さ例えば18μm)がある。
Each via 14 is electrically connected by a backside conductor pattern (anode wiring pattern) 13 so that those in the horizontal direction in FIG. 1A are the same electrical node. Each backside conductor pattern (anode wiring pattern) 13 has a width of, for example, 300 μm, and an electroless copper plating layer 132 (thickness, for example, 0.4 μm to 1.0 μm) continuous to the electroless
以上構成を説明した放射線検出パネルの構造的な特徴は、表面導体パターン(アノード電極)12に接するビア14が、表面導体パターン(アノード電極)12側で径がやや小さな円錐台形状になっていることである。これにより、各表面導体パターン(アノード電極)12の直径はより小さなサイズで形成することができる。また表面導体パターン(アノード電極)12の直径の小ささに応じて各表面導体パターン12を取り囲む表面導体パターン(カソード電極)11も小さくできる。よって、より高密度にアノード電極12とカソード電極11のセルを配置でき、高解像な放射線検出ができる。
The structural feature of the radiation detection panel described above is that the via 14 in contact with the surface conductor pattern (anode electrode) 12 has a truncated cone shape with a slightly smaller diameter on the surface conductor pattern (anode electrode) 12 side. That is. Thereby, the diameter of each surface conductor pattern (anode electrode) 12 can be formed with a smaller size. In addition, the surface conductor pattern (cathode electrode) 11 surrounding each
また、表面導体パターン(アノード電極)12は金属のパターンであり、例えばフォトリソグラフィ技術を使えば微細かつ正確な形状に加工・形成することができる。これは、方向によって表面導体パターン12と表面導体パターン11との離間距離が突起などで極端に出入りがないことを意味し、よって意図するより低い印加電圧で放電現象が発生してしまうことを防止できる。見方を変えると、より密度の低いセルの配置の場合では、従来品より高電圧を印加することができ、放射線検出の感度を高めることができる。
The surface conductor pattern (anode electrode) 12 is a metal pattern, and can be processed and formed into a fine and accurate shape by using, for example, a photolithography technique. This means that the distance between the
次に、図1に示した放射線検出パネルの製造方法について図2ないし図4を参照して説明する。図2は、図1に示した放射線検出パネルの製造過程を模式的な断面で示す工程図であり、図3は、図2の続図であって、図1に示した放射線検出パネルの製造過程を断面で模式的に示す工程図であり、図4は、図3の続図であって、図1に示した放射線検出パネルの製造過程を断面で模式的に示す工程図である。これらの図において図1中に示したものと同一または同一相当のものには同一符号を付してある。また、図1(a)中に示したA−Aa位置相当での図示となっているが、説明の都合上天地が逆になっている。 Next, a method for manufacturing the radiation detection panel shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 2 is a process diagram schematically showing a manufacturing process of the radiation detection panel shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a continuation diagram of FIG. 2, and is a manufacturing process of the radiation detection panel shown in FIG. FIG. 4 is a continuation diagram of FIG. 3, and is a process diagram schematically showing the manufacturing process of the radiation detection panel shown in FIG. 1 in cross section. In these drawings, the same or equivalent parts as those shown in FIG. In addition, although it is illustrated corresponding to the position A-Aa shown in FIG. 1A, the top and bottom are reversed for convenience of explanation.
まず、図2(a)に示すように、銅板20(金属板)上に、第1の金属(ニッケル層121)および第2の金属(銅層122)の2層構造を有しかつほぼ円形のアノード電極12のパターンと、第1の金属(ニッケル層111)および第2の金属(銅層112)の2層構造を有しかつアノード電極12のパターンからほぼ等距離で離間して該アノード電極12のパターンを取り囲むカソード電極11のパターンを形成する。銅板20は例えば厚さ100μmである。ニッケル層111および銅層112の厚さはすでに述べた通りである。
First, as shown in FIG. 2A, a copper plate 20 (metal plate) has a two-layer structure of a first metal (nickel layer 121) and a second metal (copper layer 122) and is substantially circular. The
パターン形成においてより具体的には、例えば、銅板20上にニッケル層、該ニッケル層上に銅層がそれぞれ積層され一体化されたクラッド材を素材に用いると能率がよい。このクラッド材のパターン形成されるべき面上に所定パターンのエッチングマスクを例えば周知のフォトリソグラフィ技術を用いて形成し、この形成されたマスクを用いて銅層、ニッケル層の順にエッチング加工を行う。エッチングのあとマスクを除去すれば図2(a)に示すような状態になる。
More specifically, in the pattern formation, for example, it is efficient to use a clad material in which a nickel layer is laminated on the
ここで、銅のエッチャントには例えば塩化鉄を成分とする水溶液、ニッケルのエッチャントには例えば硫酸、硝酸、過酸化水素水を成分とする水溶液を用いることができる。硫酸、硝酸、過酸化水素水を成分とする水溶液は銅を溶かさないので、ニッケルのエッチング加工の前にエッチングマスクを除去する手順とすることもできる。フォトリソグラフィを利用する金属パターンのエッチング加工は、微細かつ正確な加工が可能である。銅とニッケルの組み合わせは、このような別々のエッチングが可能であることを条件として、他の金属の組み合わせとすることもできる。 Here, for example, an aqueous solution containing iron chloride as a component can be used as the copper etchant, and an aqueous solution containing sulfuric acid, nitric acid, or hydrogen peroxide as the component can be used as the nickel etchant. Since the aqueous solution containing sulfuric acid, nitric acid, and hydrogen peroxide solution does not dissolve copper, the etching mask can be removed before the nickel etching process. The metal pattern etching process using photolithography can be performed finely and accurately. The combination of copper and nickel can also be a combination of other metals, provided that such separate etching is possible.
次に、図2(b)に示すように、パターン形成されたニッケル層112および同122の側から銅板20上に厚さ例えば0.1mmの絶縁板10およびこれを介して厚さ例えば18μmの銅箔133A(金属箔)を積層し一体化する。このためには例えば、絶縁板10とすべきポリイミドプリプレグを介して銅箔133Aを所定温度および圧力で銅板20に積層プレスする。この積層時の加熱でポリイミドプリプレグは流動性を得、図示するように、ニッケル層121と銅層122のアノード電極12と、ニッケル層111と銅層112のカソード電極11とが絶縁板10の側に沈み込んだ状態になる。
Next, as shown in FIG. 2B, the insulating
次に、図2(c)に示すように、アノード電極12の円形パターンに位置対応して、銅箔133Aに直径例えば65μmの円形のエッチング加工を行う(1次パターン化銅層133B)。このエッチング加工には周知のフォトリソグラフィ技術を利用できる。
Next, as shown in FIG. 2C, a circular etching process with a diameter of, for example, 65 μm is performed on the
次に、図3(a)に示すように、エッチングで得られた1次パターン化銅層133Bをマスクに絶縁板10を加工し銅層122に達する穴(ビアホール10a)を形成する。この加工には例えば炭酸ガスレーザ加工を用いることができる。絶縁板10に対してほぼ垂直にレーザ光を照射する加工では、一般的に、図示するように加工穴の奥にいくほどその直径が小さくなる穴に仕上がる。これは加工穴に当たる光束の積算エネルギがその穴の周辺でより小さくなるからである。このような形状の穴の仕上がりを本実施形態では利用する。形成されたビアホール10aの銅層122の側での直径は例えば50μmである。
Next, as shown in FIG. 3A, the insulating
次に、図3(b)に示すように、無電解めっきにより無電解銅めっき層132Bおよび同142を、1次パターン化銅層133B上およびビアホール10aの側壁および底面に厚さ例えば0.4μmから1.0μm程度で形成する。無電解めっきのあと、形成された無電解銅めっき層132Bおよび同142をシード層として電解めっきを行い、ビアホール10a内部および絶縁板10上の無電解銅めっき層132B上に厚さ例えば15μmから40μm程度で電解銅めっき層を成長させる。この電解めっきでは、例えば硫酸銅溶液をめっき液として用いるが、ビアホール10aのような細かい凹部にもめっきが成長しやすいように表面活性剤を添加させるのが好ましい。
Next, as shown in FIG. 3B, the electroless copper plating layers 132B and 142 are formed by electroless plating on the primary patterned
電解めっきのあと、例えば過酸化水素水と硫酸を主成分とするソフトエッチング剤により電解銅めっき層をエッチング処理し、絶縁板10上の無電解銅めっき層132B上で例えば10μmから16μm程度の電解銅めっき層が残るようにする。これにより図3(c)に示すような、電解銅めっき層141で内部が充填されたビア14および電解銅めっき層131Bが形成された状態になる。
After the electrolytic plating, the electrolytic copper plating layer is etched using, for example, a soft etching agent mainly composed of hydrogen peroxide and sulfuric acid, and electrolysis of, for example, about 10 μm to 16 μm is performed on the electroless
次に、図4(a)に示すように、銅板20をすべてエッチング除去する。このエッチングでは、ニッケル層111、同121が下地になるので銅層112、同122に影響はない。続いて、1次パターン化銅層133B、無電解銅めっき層132B、電解銅めっき層131Bを所定にパターニングし、図4(b)に示すように、これらを裏面導体パターンであるアノード配線パターン13(図1も参照)に加工する。このパターニングには周知のフォトリソグラフィ技術を利用することができる。なお、図4(a)の工程と図4(b)の工程とは逆の手順、または同時の手順とすることも可能である。
Next, as shown in FIG. 4A, all the
以上により図1に示した放射線検出パネルを得ることができる。以上説明のように、製造過程においては特に困難な処理を必要とせず、したがってコスト増もなく高解像、高性能の放射線検出パネルを得ることができる。 Thus, the radiation detection panel shown in FIG. 1 can be obtained. As described above, a particularly difficult process is not required in the manufacturing process, and thus a high-resolution and high-performance radiation detection panel can be obtained without an increase in cost.
次に、本発明の別の実施形態に係る放射線検出パネルについて図5を参照して説明する。図5は、本発明の別の実施形態に係る放射線検出パネルの構造を模式的に示す断面図である。同図において、すでに説明した図中に示した構成要素と同一のものには同一符号を付してある。その部分については説明を省略する。 Next, a radiation detection panel according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a radiation detection panel according to another embodiment of the present invention. In the figure, the same reference numerals are given to the same components as those shown in the already described drawings. A description of this part is omitted.
この実施形態の放射線検出パネルは、絶縁板10のアノード配線パターン13が配される側の上に積層された別の絶縁板30と、さらにこの上に積層された配線パターン31(配線層)とを有する。このような絶縁板30と配線パターン31とを付加した構造は、図4(b)に示したように製造された放射線検出パネルに対して、さらに図2(b)に示すような絶縁板および銅箔(金属箔)の積層プレス・一体化を行えば、その後わずかな加工を行うことで得ることができる。
The radiation detection panel of this embodiment includes another insulating
またこの場合、図示していないが、絶縁板30を貫通してアノード配線パターン13の面と配線パターン31の面とに挟設されるように縦方向の導電体を設けることも周知の方法でできる。このように絶縁板10のアノード配線パターン13が配される側は、ビルドアップ多層配線板の構造とすることができる。ビルドアップで形成された配線層を利用すればパネルからの信号の取り出しがより自由になる。
In this case, although not shown, it is also a well-known method to provide a vertical conductor so as to penetrate the insulating
10…絶縁板、10a…ビアホール、11…表面導体パターン(カソード電極)、12…表面導体パターン(アノード電極)、13…裏面導体パターン(アノード配線パターン)、14…ビア、20…銅板、30…絶縁層、31…配線パターン、111…ニッケル層、112…銅層、121…ニッケル層、122…銅層、131…電解銅めっき層、131B…全面の電解銅めっき層、132…無電解銅めっき層、132B…全面の無電解銅めっき層、133…銅層、133A…銅箔(金属箔)、133B…1次パターン化銅層、141…電解銅めっき層、142…無電解銅めっき層。
DESCRIPTION OF
Claims (9)
前記金属板の前記アノード電極パターンと前記カソード電極パターンとが形成された面上に絶縁板を介して金属箔を積層し一体化する工程と、
前記絶縁板上の前記金属箔を、前記アノード電極パターンと位置対応する円形の除去部位ができるようにエッチング加工する工程と、
前記除去部位を有する前記金属箔をマスクに前記絶縁板を加工し、前記アノード電極パターンの前記第2の金属の層に達するようにビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内を満たすようにめっき層を形成する工程と、
前記アノード電極パターンおよび前記カソード電極パターンを前記絶縁板の側に残すように、前記金属板をエッチング除去する工程と
を具備することを特徴とする放射線検出パネルの製造方法。 An anode electrode patterns have a circular a and the first metal and the two-layer structure of the second metal as a pattern, from the anode electrode pattern as a pattern spaced equidistantly surrounds the anode electrode pattern and the first and a cathode electrode patterns have a two-layer structure of metal and said second metal, forming on the metal plate and the second metal as the outer layer, respectively,
Laminating and integrating a metal foil via an insulating plate on the surface of the metal plate on which the anode electrode pattern and the cathode electrode pattern are formed;
A step of etching to allow circular removal site that the said metal foil on the insulating plate, to corresponding pre-positioned and Kia node electrode patterns,
Processing the insulating plate using the metal foil having the removal site as a mask, and forming a via hole so as to reach the second metal layer of the anode electrode pattern;
Forming a plating layer so as to fill the front millet via hole,
And a step of removing the metal plate by etching so that the anode electrode pattern and the cathode electrode pattern are left on the insulating plate side .
前記第2の絶縁板上の前記第2の金属箔をパターニングする工程と
をさらに具備することを特徴とする請求項1記載の放射線検出パネルの製造方法。 After forming a plating layer so as to fill the via hole, a step of laminating and integrating a second metal foil via a second insulating plate on the surface of the insulating plate on which the metal foil is located; ,
The method of manufacturing a radiation detection panel according to claim 1, further comprising: patterning the second metal foil on the second insulating plate .
前記絶縁板上で該絶縁板の厚み方向に沈み込んで位置する、パターンとして円形でかつ第1の金属および第2の金属の2層構造を有するアノード電極パターンと、
前記絶縁板上で該絶縁板の厚み方向に沈み込んで位置する、パターンとして前記アノード電極パターンから等距離で離間して該アノード電極パターンを取り囲みかつ前記第1の金属および前記第2の金属の2層構造を有するカソード電極パターンと、
前記絶縁板を貫通して前記アノード電極パターンに接するように設けられた、前記アノード電極パターンに近いほど径が小さくなる形状の導電性のビアと、
前記絶縁板の前記アノード電極パターンおよび前記カソード電極パターンが設けられた側とは反対の側の面上に設けられて、前記ビアに電気的に導通するアノード配線パターンと
を具備することを特徴とする放射線検出パネル。 An insulating plate;
Situated sinks in the thickness direction of the insulating plate on the insulating plate, and an anode electrode patterns have a two-layer structure of a circular a and the first metal and the second metal as a pattern,
The first metal and the second metal are disposed on the insulating plate so as to be located in the thickness direction of the insulating plate and surround the anode electrode pattern as a pattern at an equal distance from the anode electrode pattern . a cathode electrode patterns have a two-layer structure,
Wherein through the insulation plate disposed to contact the anode electrode pattern, and the conductive vias shape diameter closer to the anode electrode pattern is reduced,
Wherein the said anode electrode pattern and the cathode electrode pattern is provided side of the insulating plate provided on the surface of the opposite side, and characterized by including an anode wiring pattern electrically conductive to said via Radiation detection panel.
前記第2の絶縁板の前記絶縁板が配された側とは反対の側の面上に設けられた配線層と
をさらに具備することを特徴とする請求項7記載の放射線検出パネル。 A second insulating plate provided on the surface of the insulating plate on the side where the anode wiring pattern is disposed;
The radiation detection panel according to claim 7, further comprising: a wiring layer provided on a surface of the second insulating plate opposite to the side on which the insulating plate is disposed.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005270762A JP4765506B2 (en) | 2005-09-16 | 2005-09-16 | Radiation detection panel manufacturing method, radiation detection panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005270762A JP4765506B2 (en) | 2005-09-16 | 2005-09-16 | Radiation detection panel manufacturing method, radiation detection panel |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007078653A JP2007078653A (en) | 2007-03-29 |
JP4765506B2 true JP4765506B2 (en) | 2011-09-07 |
Family
ID=37939126
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005270762A Active JP4765506B2 (en) | 2005-09-16 | 2005-09-16 | Radiation detection panel manufacturing method, radiation detection panel |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4765506B2 (en) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5540471B2 (en) * | 2008-04-28 | 2014-07-02 | 大日本印刷株式会社 | Radiation detector using gas amplification |
JP5471051B2 (en) * | 2008-06-23 | 2014-04-16 | 大日本印刷株式会社 | Radiation detector using gas amplification and method for manufacturing radiation detector |
JP5360281B2 (en) * | 2012-09-28 | 2013-12-04 | 大日本印刷株式会社 | Manufacturing method of radiation detector using gas amplification |
CN107636491B (en) * | 2015-04-13 | 2019-11-19 | 大日本印刷株式会社 | The radiation detector and its manufacturing method and the radiation detecting method based on it for having used gas to amplify |
JP6977807B2 (en) * | 2015-10-29 | 2021-12-08 | 大日本印刷株式会社 | Radiation detection element |
JP6821935B2 (en) * | 2016-03-30 | 2021-01-27 | 大日本印刷株式会社 | Detection element and radiation detection device |
JP6645529B2 (en) * | 2018-02-28 | 2020-02-14 | 大日本印刷株式会社 | Detection element, method for manufacturing detection element, and detection apparatus |
JP6645528B2 (en) * | 2018-02-28 | 2020-02-14 | 大日本印刷株式会社 | Detection element, method for manufacturing detection element, and detection apparatus |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4925233B1 (en) * | 1968-08-26 | 1974-06-28 | ||
JPH1145680A (en) * | 1997-07-29 | 1999-02-16 | Toshiba Corp | Gas electron amplifying element and gas electron amplification detector |
SE515884C2 (en) * | 1999-12-29 | 2001-10-22 | Xcounter Ab | Method and apparatus for radiography and radiation detector |
JP4160237B2 (en) * | 2000-06-26 | 2008-10-01 | 株式会社東芝 | Beam monitor device |
JP3354551B2 (en) * | 2000-06-27 | 2002-12-09 | 科学技術振興事業団 | Particle beam image detector using gas amplification with pixel electrodes |
JP2002090465A (en) * | 2000-09-12 | 2002-03-27 | Toshiba Corp | Production method for radiation detector |
JP4237966B2 (en) * | 2002-03-08 | 2009-03-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | Detector |
JP2005055372A (en) * | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Japan Atom Energy Res Inst | Multidimensional position detection type radiation sensor element in micro via electrode structure |
JP4635191B2 (en) * | 2003-10-21 | 2011-02-16 | 国立大学法人静岡大学 | Super-resolution pixel electrode arrangement structure and signal processing method |
EP1707989A1 (en) * | 2004-01-09 | 2006-10-04 | Hiroyuki Takahashi | Particle detection device and particle detection method |
-
2005
- 2005-09-16 JP JP2005270762A patent/JP4765506B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007078653A (en) | 2007-03-29 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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