JP2002090465A - Production method for radiation detector - Google Patents
Production method for radiation detectorInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は放射線検出器の製造
方法に関するもので、特にX線等の放射線の入射位置の
検出に用いられる放射線検出器の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a radiation detector, and more particularly to a method for manufacturing a radiation detector used for detecting an incident position of radiation such as X-rays.
【0002】[0002]
【従来の技術】結晶構造の解析等に結晶にX線等の放射
線を照射し、2次電子をガス雰囲気中で測定する放射線
検出器が知られており、放射線ガス増幅検出器とも称さ
れる。このような放射線検出器はガスが密封されたケー
ス内に微少な帯状(ストリップ)電極を有することか
ら、MSGC(Micro Strip Gas Chamber)とも称され
る。2. Description of the Related Art A radiation detector for irradiating a crystal with radiation such as X-rays for analyzing a crystal structure and measuring secondary electrons in a gas atmosphere is known, and is also called a radiation gas amplification detector. . Such a radiation detector is also referred to as MSGC (Micro Strip Gas Chamber) because it has a minute strip-shaped (strip) electrode in a gas-sealed case.
【0003】従来の放射線検出器の構造を図13を参照
して説明する。図13(a)は平面図、図13(b)お
よび図13(b)はそれぞれ図13(a)のP−P’断
面図およびQ−Q’断面図である。The structure of a conventional radiation detector will be described with reference to FIG. 13A is a plan view, and FIGS. 13B and 13B are a cross-sectional view taken along the line PP ′ and a line QQ ′ of FIG. 13A, respectively.
【0004】これらの図に示すように、従来の放射線増
幅器は例えば厚さ1mmのセラミック基材1上に例えば
幅160μmの複数本のバックストリップ2が200μ
mのピッチで配置され、その上に絶縁層3が形成され、
この絶縁層3の上にはバックストリップ2と直交するよ
うに、幅10μmのアノードストリップ4と幅100μ
mのカソードストリップ5がそれぞれ200μmのピッ
チで交互に配設されている。As shown in these figures, a conventional radiation amplifier has a plurality of backstrips 2 having a width of, for example, 160 .mu.m on a ceramic substrate 1 having a thickness of, for example, 1 mm.
m, and an insulating layer 3 is formed thereon.
An anode strip 4 having a width of 10 μm and a width of 100 μm are formed on the insulating layer 3 so as to be orthogonal to the backstrip 2.
m cathode strips 5 are alternately arranged at a pitch of 200 μm.
【0005】このような放射線検出器においては、アノ
ードストリップ4とカソードストリップ5間に高電圧を
印加しておき、放射線が入射したとき、いずれのアノー
ドストリップ4あるいはバックストリップ5に電流が流
れるかにより、放射線入射位置を検出するようにしてい
る。[0005] In such a radiation detector, a high voltage is applied between the anode strip 4 and the cathode strip 5, and depending on which anode strip 4 or backstrip 5 current flows when radiation is incident. , The radiation incident position is detected.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の放射線検出器においては、アノードストリッ
プの走る方向に重なるように放射線が入射した場合、1
次元の座標のみしか読みとることができないという問題
がある。However, in such a conventional radiation detector, when radiation is incident so as to overlap in the direction in which the anode strip runs, one radiation detector is required.
There is a problem that only dimensional coordinates can be read.
【0007】また、前述したように、アノードストリッ
プ4は非常に狭幅であるにも関わらず高電圧が印加され
るため、溶断することがあり、この溶断により、アノー
ドストリップのいずれかがオープンになり、あるいは溶
断時の配線片が隣接パターンとショートを引き起こすこ
とがあるという問題がある。Further, as described above, since the anode strip 4 is applied with a high voltage in spite of its very narrow width, the anode strip 4 may be blown, and this blowing may cause one of the anode strips to be opened. Or there is a problem that the wiring piece at the time of fusing may cause a short circuit with the adjacent pattern.
【0008】さらに、従来の放射線検出器は高価なセラ
ミック基板1を用いているため、製造工程が長くなり、
コストを上昇させていた。Further, since the conventional radiation detector uses the expensive ceramic substrate 1, the manufacturing process becomes longer,
Was raising costs.
【0009】本発明はこのような問題を解決するために
なされたもので、位置検出を正確に行うことができ、シ
ョートのおそれが少ない放射線検出器を安定かつ安価に
製造することのできる製造方法を提供することを目的と
する。The present invention has been made to solve such a problem, and a manufacturing method capable of accurately detecting a position and stably and inexpensively manufacturing a radiation detector which is less likely to cause a short circuit. The purpose is to provide.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の第1の観点によ
れば、内層となる第1の導電板の上に導電性のパンプを
形成する工程と、絶縁板および表層となる第2の導電板
を重ねてプレスを行う工程と、前記第1の導電板をパタ
ーニングして内層を形成する工程と、このパターニング
された第1の導電板を基材上に固着させる工程と、前記
第2の導電板をアノード予定箇所に対応させて選択的に
除去し、前記絶縁板に前記第1の導電板に達する開口を
形成する工程と、前記第2の導電板をパターニングして
カソードとなる表層を形成する工程と、前記開口内に金
属めっきによりアノードとなる導電ボストを形成する工
程と、を備えた放射線検出器の製造方法が提供される。According to a first aspect of the present invention, a step of forming a conductive pump on a first conductive plate serving as an inner layer, and a step of forming a conductive pump on the first conductive plate serving as an inner layer. Performing a press by stacking conductive plates, patterning the first conductive plate to form an inner layer, fixing the patterned first conductive plate on a base material, Selectively removing the conductive plate corresponding to the planned anode, and forming an opening in the insulating plate to reach the first conductive plate; and patterning the second conductive plate to form a surface layer serving as a cathode. And a step of forming a conductive bost serving as an anode in the opening by metal plating in the opening.
【0011】本発明の第2の観点によれば、内層となる
第1の導電板の上に導電性のパンプを表裏導通部予定箇
所およぴアノード予定箇所に形成する工程と、絶縁板お
よび表層となる第2の導電板を重ねてプレスを行う工程
と、前記第1の導電板をパターニングする工程と、この
パターニングされた第1の導電板を基材上に固着させる
工程と、前記第2の導電板を前記アノード部およびその
周囲部について選択的に除去し、露出したパンプをアノ
ード、パターニングされた第2の導電板をカソードとし
て得る工程とを備えた放射線検出器の製造方法が提供さ
れる。According to a second aspect of the present invention, a step of forming a conductive pump on the first conductive plate serving as an inner layer at the planned front and back conductive portion and the planned anode is provided. Pressing a second conductive plate to be a surface layer, pressing the first conductive plate, fixing the patterned first conductive plate on a base material, Selectively removing the second conductive plate from the anode portion and its surrounding portion to obtain an exposed pump as an anode and a patterned second conductive plate as a cathode. Is done.
【0012】本発明の第3の観点によれば、下層および
上層にそれぞれ第1および第2の導電層を有する絶縁板
の前記第1の導電層を内層パターンにパターニングする
工程と、前記絶縁板を基材上に固着させる工程と、前記
第2の導電層を表裏導通部およびアノード部に対応させ
て開口させ、さらに前記絶縁板を貫通して前記第1の導
電層に達する開口を形成する工程と、前記第2の導電層
をパターニングしてカソードとなる表層を形成する工程
と、前記開口に金属めっきによりポスト状導電体を形成
する工程と、を備えた放射線検出器の製造方法が提供さ
れる。According to a third aspect of the present invention, a step of patterning the first conductive layer of an insulating plate having first and second conductive layers in a lower layer and an upper layer, respectively, into an inner layer pattern; Fixing the second conductive layer on the base material, opening the second conductive layer corresponding to the front and back conductive portions and the anode portion, and further forming an opening that passes through the insulating plate and reaches the first conductive layer. A method for manufacturing a radiation detector, comprising: a step of forming a surface layer serving as a cathode by patterning the second conductive layer; and a step of forming a post-shaped conductor by metal plating in the opening. Is done.
【0013】下層および上層にそれぞれ第1および第2
の導電層を有する絶縁板の表裏導通部に対応させて貫通
孔を形成する工程と、前記貫通孔に金属めっき層を形成
してスルーホールを得る工程と、前記第1の導電層を内
層パターンにパターニングする工程と、前記絶縁板を基
材上に固着させる工程と、前記第2の導電層をアノード
部に対応させて開口させ、さらに前記絶縁板を貫通して
前記第1の導電層に達する開口を形成する工程と、前記
第2の導電層をパターニングしてカソードとなる表層を
形成する工程と、前記開口に金属めっきによりポスト状
導電体を形成する工程と、を備えた放射線検出器の製造
方法が提供される。The first and second layers are respectively provided in the lower layer and the upper layer.
Forming a through-hole corresponding to the front / back conductive portion of the insulating plate having the conductive layer, forming a metal plating layer in the through-hole to obtain a through-hole, and forming the first conductive layer into an inner layer pattern. Patterning, fixing the insulating plate on a base material, opening the second conductive layer corresponding to the anode portion, and further penetrating the insulating plate to the first conductive layer. A radiation detector comprising: a step of forming an opening that reaches; a step of patterning the second conductive layer to form a surface layer serving as a cathode; and a step of forming a post-shaped conductor by metal plating in the opening. Is provided.
【0014】[0014]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の好
ましい実施の形態を詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【0015】図1(a)は本発明にかかる方法の第1の
実施の形態を適用して製造された放射線検出器100の
構成を示す平面図、図1(b)はそのA−A断面図、図
1(c)はそのB−B断面図である。FIG. 1A is a plan view showing the configuration of a radiation detector 100 manufactured by applying the first embodiment of the method according to the present invention, and FIG. FIG. 1C is a sectional view taken along the line BB of FIG.
【0016】基材110の上に内層の銅箔パターン10
1’が形成され、その上に形成されたポリイミド樹脂層
103を貫通するようにアポスト126が設けられ、下
層パターン101’と接続される。一方、表面側におい
ては、このビアポスト126から一定距離離れるような
円形の開口部を有するように表層銅箔パターン104’
が設けられている。The copper foil pattern 10 of the inner layer is
1 'is formed, and an apost 126 is provided to penetrate the polyimide resin layer 103 formed thereon, and is connected to the lower layer pattern 101'. On the other hand, on the front side, the surface copper foil pattern 104 ′ has a circular opening separated from the via post 126 by a certain distance.
Is provided.
【0017】このような放射線検出器は、ビアポスト1
26がアノード、表層パターン104’がカソードとし
て機能するが、ビアポストは円柱状で方向性がないた
め、正確な位置検出を行うことができる。Such a radiation detector includes a via post 1
26 functions as an anode, and the surface layer pattern 104 'functions as a cathode. However, since the via posts are columnar and have no directionality, accurate position detection can be performed.
【0018】図2〜図4は図1に示す放射線検出器の製
造するための、本発明の第1の実施の形態にかかる製造
方法を示す工程別断面図である。FIGS. 2 to 4 are sectional views showing the steps of a method for manufacturing the radiation detector shown in FIG. 1 according to the first embodiment of the present invention.
【0019】まず、内層となる厚さ18μmの銅箔10
1上に銀ペーストを表裏導通箇所に対応させて選択的に
印刷する。これにより、銅箔101上には略円錐状の銀
バンプ102が残存する(図2(a))。First, an 18 μm-thick copper foil 10 serving as an inner layer
A silver paste is selectively printed on the top 1 in correspondence with the front and back conductive portions. As a result, a substantially conical silver bump 102 remains on the copper foil 101 (FIG. 2A).
【0020】次に、この銅箔101と銀バンプ102の
上に絶縁層であるポリイミド樹脂103を載せ、さらに
もう1枚の銅箔104(厚さ18μm)を載せてプレス
することにより、図2(b)に示す構成を得る。すなわ
ち、銀バンプ102は絶縁層103を貫通して上層の銅
箔104と接触している。この上層の銅箔104は表層
となり、銀バンプで表層と内層の接続が図られる。Next, a polyimide resin 103 serving as an insulating layer is placed on the copper foil 101 and the silver bumps 102, and another copper foil 104 (18 μm thick) is placed thereon and pressed. The configuration shown in FIG. That is, the silver bump 102 penetrates the insulating layer 103 and is in contact with the upper copper foil 104. The upper copper foil 104 becomes a surface layer, and the surface layer and the inner layer are connected by silver bumps.
【0021】次に、内層側となる銅箔101を露光、現
像の工程を経てパターニングして内層パターン101’
を形成する(図2(c)))。Next, the copper foil 101 on the inner layer side is patterned through exposure and development steps to form an inner layer pattern 101 '.
Is formed (FIG. 2C).
【0022】次に、ガラス繊維補強エポキシ板などの基
材110を準備し、その表面に先の工程で準備した積層
体をプリプレグ111を挟んで載置し、加熱した状態で
プレスを行う(図2(d))。これにより、プリプレグ
111は溶融して積層体と基材110とを固着する。Next, a base material 110 such as a glass fiber reinforced epoxy plate is prepared, and the laminate prepared in the previous step is placed on the surface of the base material with the prepreg 111 interposed therebetween, and pressed in a heated state (FIG. 2 (d)). As a result, the prepreg 111 is melted to fix the laminate and the base material 110 together.
【0023】次に、全体の表面上にレジスト120を塗
布し、これを露光、現像によりアノード形成予定領域が
開口されるようにパターニングして(図2(e))、外
層の銅箔104をエッチングして直径50μmの穴12
1を形成する(図3(a))。Next, a resist 120 is applied on the entire surface, and is patterned by exposure and development so that an area where an anode is to be formed is opened (FIG. 2E). Etch to make hole 12 with a diameter of 50 μm
1 (FIG. 3A).
【0024】次に炭酸ガスレーザ光122を全面に照射
することにより(図3(b))、銅箔がエッチングされ
た部分のみに対応するポリイミド樹脂103が除去さ
れ、内層101’に達する孔部123が形成される。Next, by irradiating the entire surface with a carbon dioxide laser beam 122 (FIG. 3B), the polyimide resin 103 corresponding to only the etched portion of the copper foil is removed, and the hole 123 reaching the inner layer 101 '. Is formed.
【0025】続いて一旦レジスト120を剥離し(図3
(c))、表層パターンを形成するための新たなレジス
ト124を塗布し(図3(d))、これをフォトリソグ
ラフィによりパターニングする。このパターニングされ
たレジスト124を用いて表層104をパターニングし
て表層パターン104’を得(図3(e))、さらにレ
ジスト124を剥離する(図4(a))。Subsequently, the resist 120 is once removed (FIG. 3
(C)) A new resist 124 for forming a surface layer pattern is applied (FIG. 3 (d)), and this is patterned by photolithography. The surface layer 104 is patterned using the patterned resist 124 to obtain a surface layer pattern 104 '(FIG. 3E), and the resist 124 is peeled off (FIG. 4A).
【0026】次に、既に形成した孔部123にビアポス
トを形成するために、この孔部123に対応する部分の
みが露出するようにめっきレジスト125を選択的に形
成し(図4(b)、電気銅めっきにより銅を孔部に充填
させ、ビアポスト126を得る(図4(c)。めっきレ
ジスト125を除去して図4(d)のような構成を得
る。Next, in order to form a via post in the already formed hole 123, a plating resist 125 is selectively formed so that only a portion corresponding to the hole 123 is exposed (FIG. 4B). The hole is filled with copper by electrolytic copper plating to obtain a via post 126 (FIG. 4C. The plating resist 125 is removed to obtain a configuration as shown in FIG. 4D.
【0027】全体が3cm×3cmの放射線増幅器の場
合、ビアポストは例えば400μmピッチで縦方向75
個、横方向75個の5625個設けられる。In the case of a radiation amplifier having a size of 3 cm × 3 cm as a whole, via posts are arranged at a pitch of 400 μm, for example, in a vertical direction of 75 μm.
And 5625 pieces, 75 pieces in the horizontal direction.
【0028】なお、この実施の形態では表層と内層の接
続に銀バンプを用いているため、高さのばらつきを抑え
ることができる。In this embodiment, since silver bumps are used to connect the surface layer and the inner layer, variations in height can be suppressed.
【0029】図5および図6は本発明の第2の実施の形
態にかかる製造方法を示す工程別断面図であって、表層
と内層の接続もビアポストで形成されるものを示す。FIGS. 5 and 6 are cross-sectional views showing a manufacturing method according to the second embodiment of the present invention, in which the connection between the surface layer and the inner layer is formed by via posts.
【0030】まず、表裏に銅箔を有するポリイミドなど
の樹脂板201を準備し、下層側をパターニングして内
層パターン202を得る(図5(a))。First, a resin plate 201 made of polyimide or the like having copper foil on the front and back is prepared, and the lower layer is patterned to obtain an inner layer pattern 202 (FIG. 5A).
【0031】次に、ガラス繊維補強エポキシ板などの基
材210を準備し、その表面に先の工程で内層パターン
の形成された両面銅張積層板201をプリプレグ211
を挟んで載置し、加熱した状態でプレスを行う(図5
(b))。これにより、プリプレグ211は溶融して両
面銅張積層板と基材210とを固着する。Next, a substrate 210 such as a glass fiber reinforced epoxy plate is prepared, and a double-sided copper-clad laminate 201 having an inner layer pattern formed on the surface thereof in the previous step is prepreg 211
And press it in a heated state (see FIG. 5).
(B)). As a result, the prepreg 211 melts and fixes the double-sided copper-clad laminate and the base 210.
【0032】次に、全体の表面上にレジスト220を塗
布し、これを露光、現像により、表裏導通部およびアノ
ード形成予定領域が開口されるようにパターニングし
(図5(c))、これを用いて外層の銅箔220をエッ
チングして直径50μmの穴221を形成する(図5
(d))。Next, a resist 220 is applied on the entire surface, and is patterned by exposure and development so that the front and back conductive portions and the region where the anode is to be formed are opened (FIG. 5C). The outer layer copper foil 220 is etched to form a hole 221 having a diameter of 50 μm using FIG.
(D)).
【0033】次に炭酸ガスレーザ光222を全面に照射
することにより、銅箔がエッチングされた部分のみに対
応するポリイミド樹脂201が除去され、内層202に
達する孔部223が形成される(図5(e))。Next, by irradiating the entire surface with a carbon dioxide gas laser beam 222, the polyimide resin 201 corresponding to only the etched portion of the copper foil is removed, and a hole 223 reaching the inner layer 202 is formed (FIG. 5 ( e)).
【0034】続いて一旦レジスト220を剥離し(図5
(f))、表層パターンを形成するための新たなレジス
ト224を塗布しこれをフォトリソグラフィによりパタ
ーニングする(図6(a))。このパターニングされた
レジスト224を用いて表層203をパターニングして
表層パターン203’を得(図6(b))、さらにレジ
スト224を剥離する(図6(c))。Subsequently, the resist 220 is once removed (FIG. 5)
(F)), a new resist 224 for forming a surface layer pattern is applied, and this is patterned by photolithography (FIG. 6A). Using the patterned resist 224, the surface layer 203 is patterned to obtain a surface layer pattern 203 '(FIG. 6B), and the resist 224 is peeled off (FIG. 6C).
【0035】次に、既に形成した孔部223にビアポス
トを形成するために、この孔部223に対応する部分の
みが露出するようにめっきレジスト225を選択的に形
成し(図6(d))、電気銅めっきにより銅を孔部22
3に充填させ、ビアポスト226を得る(図6
(e))。めっきレジスト225を除去して図6(f)
のような構成を得る。Next, in order to form a via post in the already formed hole 223, a plating resist 225 is selectively formed so that only a portion corresponding to the hole 223 is exposed (FIG. 6D). , Copper by electro copper plating
3 to obtain via posts 226 (FIG. 6).
(E)). After removing the plating resist 225, FIG.
Is obtained.
【0036】この実施の形態の場合、表裏導通配線およ
びアノードの形成を電気めっきによるビアポストで同時
に形成しているため、工程が短くなり、コストダウンを
図ることができる。In the case of this embodiment, the formation of the front and back conductive wires and the anode are simultaneously formed by the via posts formed by electroplating, so that the process is shortened and the cost can be reduced.
【0037】図7ないし図9は本発明にかかる方法の第
3の実施の形態を示す工程別断面図である。この実施の
形態においては表裏接続配線はスルーホールとして形成
される。FIGS. 7 to 9 are sectional views showing steps in a third embodiment of the method according to the present invention. In this embodiment, the front and back connection wiring is formed as a through hole.
【0038】まず表裏に銅箔302および303を有す
るポリイミドでなる両面銅張樹脂板301を準備し、表
裏導通部形成予定箇所にドリルで穴を開ける(図7
(a))。続いて化学めっきでスルーホール内に薄い銅
の膜を形成し、さらに通常の電気めっきを行い、スルー
ホール内および表層の銅箔303、内層の銅箔302上
に銅めっき層304を形成する。(図7(b))。First, a double-sided copper-clad resin plate 301 made of polyimide having copper foils 302 and 303 on the front and back sides is prepared, and holes are drilled at portions where conductive portions on the front and back sides are to be formed (FIG. 7).
(A)). Subsequently, a thin copper film is formed in the through hole by chemical plating, and normal electroplating is further performed to form a copper plating layer 304 in the through hole, on the surface copper foil 303, and on the inner copper foil 302. (FIG. 7 (b)).
【0039】この状態で内層となる下面側で銅箔302
および銅めっき層304をパターニングし、内層パター
ン305を形成する(図7(c))。In this state, the copper foil 302
Then, the copper plating layer 304 is patterned to form an inner layer pattern 305 (FIG. 7C).
【0040】次に、ガラス繊維補強エポキシ板などの基
材310を準備し、その表面に先の工程でスルーホール
めっきおよび内層パターン305の形成された樹脂板3
01をプリプレグ311を挟んで載置し、加熱した状態
でプレスを行う(図7(d))。これにより、プリプレ
グ311は溶融して両面銅張樹脂板301と基材210
とを固着する。Next, a substrate 310 such as a glass fiber reinforced epoxy plate is prepared, and the resin plate 3 having the through-hole plating and the inner layer pattern 305 formed on the surface thereof in the previous step.
01 is placed with the prepreg 311 interposed therebetween, and pressed in a heated state (FIG. 7D). As a result, the prepreg 311 melts, and the double-sided copper-clad resin plate 301 and the base 210 are melted.
Is fixed.
【0041】次に、全体の表面上にレジスト320を塗
布し、これを露光、現像により、アノード形成予定領域
が開口されるようにパターニングし(図7(e))、こ
れを用いて外層の銅箔302および銅めっき層304を
エッチングして直径50μmの穴321を形成する(図
7(f))。Next, a resist 320 is applied on the entire surface, and is patterned by exposure and development so that a region where an anode is to be formed is opened (FIG. 7 (e)). The copper foil 302 and the copper plating layer 304 are etched to form a hole 321 having a diameter of 50 μm (FIG. 7F).
【0042】次に炭酸ガスレーザ光322を全面に照射
することにより、銅箔がエッチングされた部分のみに対
応するポリイミド樹脂が除去され、内層パターン305
に達する孔部323が形成される(図8(a))。Next, by irradiating the entire surface with a carbon dioxide laser beam 322, the polyimide resin corresponding to only the etched portion of the copper foil is removed, and the inner layer pattern 305 is removed.
Is formed (FIG. 8A).
【0043】続いて一旦レジスト320を剥離し(図8
(b))、表層パターンを形成するための新たなレジス
ト324を塗布しこれをフォトリソグラフィによりパタ
ーニングする(図8(c))。このパターニングされた
レジスト324を用いて表層の銅箔303および銅めっ
き304をパターニングして表層パターン306を得
(図8(d))、さらにレジスト324を剥離する(図
8(e))。Subsequently, the resist 320 is once removed (FIG. 8)
(B)) A new resist 324 for forming a surface layer pattern is applied and is patterned by photolithography (FIG. 8C). Using the patterned resist 324, the surface copper foil 303 and copper plating 304 are patterned to obtain a surface layer pattern 306 (FIG. 8D), and the resist 324 is peeled off (FIG. 8E).
【0044】次に、既に形成した孔部323にビアポス
トを形成するために、この孔部323に対応する部分の
みが露出するようにめっきレジスト325を選択的に形
成し(図9(a)、電気銅めっきにより銅を孔部323
に充填させ、ビアポスト326を得る(図9(b)。め
っきレジスト325を除去して図9(c)のような構成
を得る。Next, in order to form a via post in the hole 323 already formed, a plating resist 325 is selectively formed so that only a portion corresponding to the hole 323 is exposed (FIG. 9A, Hole 323 with copper by electrolytic copper plating
To obtain via posts 326 (FIG. 9B. The plating resist 325 is removed to obtain a configuration as shown in FIG. 9C.
【0045】この実施の形態では、表裏導通を信頼性の
あるスルーホールで形成しているため、安定した動作が
期待できる。In this embodiment, since the front and back continuity is formed by a reliable through hole, stable operation can be expected.
【0046】図10は本発明の第4の実施の形態にかか
る方法を適用して製造された放射線検出器の構成を示す
もので、図1に対応させて構成を示している。すなわ
ち、図10(a)は平面図、図10(b)はそのC−
C’断面図、図10(c)はそのD−D’断面図であっ
て、図1に示した放射線検出器との相違は、図1の構成
ではビアポストで形成されたアノードが図10の構成で
は銀バンプとして形成されている点である。FIG. 10 shows a configuration of a radiation detector manufactured by applying the method according to the fourth embodiment of the present invention, and corresponds to FIG. That is, FIG. 10A is a plan view, and FIG.
10C is a sectional view taken along the line DD ′ of FIG. 10, and the difference from the radiation detector shown in FIG. 1 is that in the configuration of FIG. The point is that it is formed as a silver bump in the configuration.
【0047】図11および図12は図10の構成を得る
ための工程を示す工程別断面図である。FIGS. 11 and 12 are sectional views showing steps for obtaining the structure shown in FIG.
【0048】まず、内層となる厚さ18μmの銅箔40
1上に銀ペーストを表裏導通箇所およぴアノード形成箇
所に選択的に印刷する。これにより、銅箔401上には
略円錐状の銀バンプ402および405が残存する(図
11(a))。First, an 18 μm thick copper foil 40 serving as an inner layer
1. A silver paste is selectively printed on the front and back conductive portions and the anode forming portions on the surface 1. Thus, substantially conical silver bumps 402 and 405 remain on the copper foil 401 (FIG. 11A).
【0049】次に、この銅箔401と銀バンプ402の
上に絶縁層であるポリイミド樹脂403を載せ、さらに
もう1枚の銅箔404(厚さ18μm)を載せてプレス
することにより、図11(b)に示す構成を得る。すな
わち、銀バンプ402は絶縁層403を貫通して上層の
銅箔404と接触している。この上層の銅箔404は表
層となり、銀バンプで表層と内層の接続が図られる。こ
の実施の形態の場合、アノードとなる銀バンプも含まれ
ている。Next, a polyimide resin 403, which is an insulating layer, is placed on the copper foil 401 and the silver bump 402, and another copper foil 404 (18 μm in thickness) is further pressed. The configuration shown in FIG. That is, the silver bump 402 penetrates through the insulating layer 403 and is in contact with the upper copper foil 404. The upper copper foil 404 becomes a surface layer, and the surface layer and the inner layer are connected by silver bumps. In the case of this embodiment, a silver bump serving as an anode is also included.
【0050】次に、内層側となる最初の銅箔401を露
光、現像の工程を経てパターニングして内層パターン4
01’を形成する(図11(c)))。Next, the first copper foil 401 on the inner layer side is patterned through exposure and development steps to form an inner layer pattern 4.
01 ′ is formed (FIG. 11C).
【0051】次に、ガラス繊維補強エポキシ板などの基
材410を準備し、その表面に先の工程で準備した積層
体をプリプレグ411を挟んで載置し、加熱した状態で
プレスを行う(図11(d))。これにより、プリプレ
グ411は溶融して積層体と基材410とを固着する。Next, a substrate 410 such as a glass fiber reinforced epoxy plate is prepared, and the laminate prepared in the previous step is placed on the surface thereof with the prepreg 411 interposed therebetween, and is pressed while being heated (FIG. 11 (d)). As a result, the prepreg 411 melts and fixes the laminate and the base 410.
【0052】次に、全体の表面上にレジスト420を塗
布し、これを露光、現像によりアノード部とその周囲領
域が開口されるようにパターニングして(図12
(a))、この開口部内の外層の銅箔404をエッチン
グして、アノードとなる銀バンプ405の頂部およびそ
の周囲のポリイミド板404の表面を露出させる(図1
2(b))。Next, a resist 420 is applied on the entire surface, and is patterned by exposure and development so that the anode part and its surrounding area are opened (FIG. 12).
(A)), the outer copper foil 404 in the opening is etched to expose the top of the silver bump 405 serving as an anode and the surface of the polyimide plate 404 around the top (FIG. 1).
2 (b)).
【0053】最後にレジスト420を剥離して図12
(c)の状態を得る。Finally, the resist 420 is peeled off and FIG.
The state of (c) is obtained.
【0054】このようにして製造された放射線検出器
は、アノードも表裏導通部と同様に銀バンプで形成して
いるため、低コストで安定に製造することができる。In the radiation detector manufactured in this manner, the anode is formed of silver bumps as in the case of the front and back conductive portions, so that it can be manufactured stably at low cost.
【0055】[0055]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、放射線
検出器を製造する過程でアノードを円柱状のビアポスト
あるいは円錐状のバンプとして、表裏導通手段の製造工
程と同時あるいは直後に形成しているので、低コストで
安定に放射線検出器を製造することができる。As described above, according to the present invention, in the process of manufacturing the radiation detector, the anode is formed as a cylindrical via post or a conical bump at the same time as or immediately after the manufacturing process of the front / back conduction means. Therefore, a radiation detector can be stably manufactured at low cost.
【0056】特に、アノードと表裏導通手段をビアポス
トあるいはバンプで同時に形成する場合には工程を短縮
でき、低コスト化および高信頼化に寄与することができ
る。In particular, when the anode and the front / back conduction means are simultaneously formed by via posts or bumps, the steps can be shortened, which can contribute to cost reduction and high reliability.
【図1】本発明の第1の実施の形態により製造された放
射線検出器の平面図および断面図である。FIG. 1 is a plan view and a sectional view of a radiation detector manufactured according to a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第1の実施の形態にかかる放射線検出
器の製造方法を示す工程別断面図である。FIGS. 2A and 2B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the radiation detector according to the first embodiment of the present invention.
【図3】図2に続く工程別断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view for each step, following FIG. 2;
【図4】図3に続く工程別断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating another step following FIG. 3;
【図5】本発明の第2の実施の形態にかかる放射線検出
器の製造方法を示す工程別断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing the radiation detector according to the second exemplary embodiment of the present invention.
【図6】図5に続く工程別断面図であるFIG. 6 is a cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 5;
【図7】本発明の第3の実施の形態にかかる放射線検出
器の製造方法を示す工程別断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing the radiation detector according to the third exemplary embodiment of the present invention.
【図8】図7に続く工程別断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view by a step following FIG. 7;
【図9】図8に続く工程別断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating another step subsequent to FIG. 8;
【図10】本発明の第4の実施の形態により製造された
放射線検出器の平面図および断面図である。FIG. 10 is a plan view and a cross-sectional view of a radiation detector manufactured according to a fourth embodiment of the present invention.
【図11】本発明の第4の実施の形態にかかる放射線検
出器の製造方法を示す工程別断面図である。。FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing the radiation detector according to the fourth exemplary embodiment of the present invention. .
【図12】図11に続く工程別断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 11;
【図13】従来の放射線検出器の平面図および断面図で
ある。FIG. 13 is a plan view and a cross-sectional view of a conventional radiation detector.
100、200、300、400 放射線検出器 101、104、202、203、302、303、4
01、404 銅箔, 102、402、405 銀バンプ 103、201、301 絶縁板 110、210、310、410 基材 111,211,311、411 プリプレグ 120、124、125、220、224、225、3
20、325、420レジスト 121、221、321, 開口部 122、222、322 レーザ光 123、223、323 孔部 126、226、326 ビアポスト 304 めっき層 305 内層パターン100, 200, 300, 400 Radiation detector 101, 104, 202, 203, 302, 303, 4
01, 404 Copper foil, 102, 402, 405 Silver bump 103, 201, 301 Insulating plate 110, 210, 310, 410 Base material 111, 211, 311, 411 Prepreg 120, 124, 125, 220, 224, 225, 3
20, 325, 420 Resist 121, 221, 321, Opening 122, 222, 322 Laser Light 123, 223, 323 Hole 126, 226, 326 Via Post 304 Plating Layer 305 Inner Layer Pattern
Claims (5)
ンプを形成する工程と、 絶縁板および表層となる第2の導電板を重ねてプレスを
行う工程と、 前記第1の導電板をパターニングして内層を形成する工
程と、 このパターニングされた第1の導電板を基材上に固着さ
せる工程と、 前記第2の導電板をアノード予定箇所に対応させて選択
的に除去し、前記絶縁板に前記第1の導電板に達する開
口を形成する工程と、 前記第2の導電板をパターニングしてカソードとなる表
層を形成する工程と、 前記開口内に金属めっきによりアノードとなる導電ボス
トを形成する工程と、 を備えた放射線検出器の製造方法。A step of forming a conductive pump on a first conductive plate serving as an inner layer; a step of pressing an insulating plate and a second conductive plate serving as a surface layer on each other; Patterning a conductive plate to form an inner layer; fixing the patterned first conductive plate on a substrate; and selectively removing the second conductive plate corresponding to a predetermined anode position Forming an opening reaching the first conductive plate in the insulating plate; patterning the second conductive plate to form a surface layer serving as a cathode; and forming an anode by metal plating in the opening. Forming a conductive bost.
ンプを表裏導通部予定箇所およぴアノード予定箇所に形
成する工程と、 絶縁板および表層となる第2の導電板を重ねてプレスを
行う工程と、 前記第1の導電板をパターニングする工程と、 このパターニングされた第1の導電板を基材上に固着さ
せる工程と、 前記第2の導電板を前記アノード部およびその周囲部に
ついて選択的に除去し、露出したパンプをアノード、パ
ターニングされた第2の導電板をカソードとして得る工
程とを備えた放射線検出器の製造方法。2. A step of forming conductive pumps on a first conductive plate serving as an inner layer at a portion where a front and back conductive portion is to be formed and at a portion where an anode is to be formed. Stacking and pressing; patterning the first conductive plate; fixing the patterned first conductive plate on a base material; Selectively removing the surrounding portion to obtain an exposed pump as an anode and a patterned second conductive plate as a cathode.
の導電層を有する絶縁板の前記第1の導電層を内層パタ
ーンにパターニングする工程と、 前記絶縁板を基材上に固着させる工程と、 前記第2の導電層を表裏導通部およびアノード部に対応
させて開口させ、さらに前記絶縁板を貫通して前記第1
の導電層に達する開口を形成する工程と、 前記第2の導電層をパターニングしてカソードとなる表
層を形成する工程と、 前記開口に金属めっきによりポスト状導電体を形成する
工程と、 を備えた放射線検出器の製造方法。3. A first layer and a second layer, respectively, in a lower layer and an upper layer.
Patterning the first conductive layer of the insulating plate having the conductive layer into an inner layer pattern, fixing the insulating plate on a base material, and applying the second conductive layer to the front and back conductive portions and the anode portion. Corresponding to the first opening, and further penetrating the insulating plate.
Forming an opening reaching the conductive layer, forming a surface layer serving as a cathode by patterning the second conductive layer, and forming a post-shaped conductor by metal plating in the opening. Manufacturing method of radiation detector.
の導電層を有する絶縁板の表裏導通部に対応させて貫通
孔を形成する工程と、 前記貫通孔に金属めっき層を形成してスルーホールを得
る工程と、 前記第1の導電層を内層パターンにパターニングする工
程と、 前記絶縁板を基材上に固着させる工程と、 前記第2の導電層をアノード部に対応させて開口させ、
さらに前記絶縁板を貫通して前記第1の導電層に達する
開口を形成する工程と、 前記第2の導電層をパターニングしてカソードとなる表
層を形成する工程と、 前記開口に金属めっきによりポスト状導電体を形成する
工程と、 を備えた放射線検出器の製造方法。4. A method according to claim 1, wherein the first and second layers are provided in a lower layer and an upper layer, respectively.
Forming a through-hole corresponding to the front / back conduction portion of the insulating plate having the conductive layer of the above, forming a metal plating layer in the through-hole to obtain a through-hole, and forming the first conductive layer into an inner layer pattern. Patterning; fixing the insulating plate on a substrate; opening the second conductive layer in correspondence with the anode portion;
A step of forming an opening reaching the first conductive layer through the insulating plate; a step of patterning the second conductive layer to form a surface layer serving as a cathode; Forming a conductor in the form of a conductor.
は、プリプレグを挟んで加熱する工程であることを特徴
とする請求項1ないし4のいずれかに記載の放射線検出
器の製造方法。5. The radiation detector according to claim 1, wherein the step of fixing the first conductive plate on the substrate is a step of heating the prepreg with the prepreg sandwiched therebetween. Method.
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A521 | Written amendment |
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A02 | Decision of refusal |
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