Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP4760357B2 - Electronic component package - Google Patents

Electronic component package Download PDF

Info

Publication number
JP4760357B2
JP4760357B2 JP2005364599A JP2005364599A JP4760357B2 JP 4760357 B2 JP4760357 B2 JP 4760357B2 JP 2005364599 A JP2005364599 A JP 2005364599A JP 2005364599 A JP2005364599 A JP 2005364599A JP 4760357 B2 JP4760357 B2 JP 4760357B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
component
electronic component
package
wiring
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2005364599A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2007173284A (en
Inventor
敦 鷹野
了一 高山
光弘 古川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2005364599A priority Critical patent/JP4760357B2/en
Publication of JP2007173284A publication Critical patent/JP2007173284A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4760357B2 publication Critical patent/JP4760357B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

本発明は、各種電子機器に使用される電子部品パッケージに関する。   The present invention relates to an electronic component package used in various electronic devices.

各種電子機器の小型化に伴い、電子部品においてワンパッケージ化が要望されている。このワンパッケージ化とは、コイル、コンデンサ、パワーアンプ、SAWデバイス等の各種電子部品を実装基板上に実装した後その状態で樹脂モールドしてワンパッケージモジュールとするものである。   With the miniaturization of various electronic devices, there is a demand for electronic components in one package. In this one-packaging, various electronic components such as a coil, a capacitor, a power amplifier, and a SAW device are mounted on a mounting substrate, and then are molded with a resin to form a one-package module.

図8は、従来のワンパッケージモジュールの斜視図である。実装基板1上にコンデンサ2、コイル3、パワーアンプ4、パッケージ化したSAWデバイス(以下SAWパッケージ5という)が実装されており、この実装基板1上をモールド樹脂6で覆ってワンパッケージモジュールとしている。   FIG. 8 is a perspective view of a conventional one package module. A capacitor 2, a coil 3, a power amplifier 4, and a packaged SAW device (hereinafter referred to as a SAW package 5) are mounted on a mounting substrate 1, and the mounting substrate 1 is covered with a mold resin 6 to form a one-package module. .

このように各種電子部品をワンパッケージにすることにより半導体と同様に扱うことができ、電子部品を使用するメーカーにとって利便性がよいという利点があるものである。   Thus, various electronic components can be handled in the same way as a semiconductor by making them into one package, and there is an advantage that it is convenient for manufacturers using the electronic components.

なお、本出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、特許文献1が知られている。
特開2004−304622号公報
Patent Document 1 is known as prior art document information related to the invention of the present application.
JP 2004-304622 A

しかしながら、上記ワンパッケージにする際のモールド時、モールド樹脂6の流入圧力により電子部品が破損しやすいという課題があった。   However, there has been a problem that the electronic component is easily damaged by the inflow pressure of the mold resin 6 when molding the one package.

すなわち、図9に示すように、上記従来のSAWパッケージ5の場合、部品基板7の下面に実装されたIDT電極8は、湿気によるIDT電極8の酸化を防止するため、前記部品基板7の下面に接着部9を介して部品カバー10を接着し、封止されている。この部品カバー10と前記IDT電極8との間には、このIDT電極8が振動するために必要な空間を確保するため、前記接着部9で囲ったキャビティ11が形成されている。   That is, as shown in FIG. 9, in the case of the conventional SAW package 5, the IDT electrode 8 mounted on the lower surface of the component substrate 7 prevents the IDT electrode 8 from being oxidized by moisture. The component cover 10 is bonded to the substrate 10 via the bonding portion 9 and sealed. A cavity 11 surrounded by the bonding portion 9 is formed between the component cover 10 and the IDT electrode 8 in order to secure a space necessary for the IDT electrode 8 to vibrate.

従って、従来のSAWパッケージ5では、前記モールド加工時のモールド樹脂6の流入圧力により、前記部品カバー10あるいは部品基板7が、前記キャビティ11の方へ割れるなどして損傷してしまうという課題があった。特に、電子部品の薄型化が要望される近年、この傾向は顕著なものとなっている。   Therefore, the conventional SAW package 5 has a problem in that the component cover 10 or the component substrate 7 is damaged by cracking toward the cavity 11 due to the inflow pressure of the mold resin 6 during the molding process. It was. In particular, in recent years when thinning of electronic parts is desired, this tendency has become remarkable.

そこで本発明は、電子部品パッケージの破損を低減することを目的とする。   Therefore, an object of the present invention is to reduce the breakage of an electronic component package.

この目的を達成するために、本発明は、部品基板と、この部品基板の下面に配置した複数の電子部品素子およびこれら複数の電子部品素子を接続する配線と、前記複数の電子部品素子の外周に配置した接着部と、この接着部を介し前記部品基板の下面側を覆う部品カバーとを備えている。そしてこの部品カバーと前記電子部品素子との間には前記接着部で囲まれたキャビティがあり、このキャビティは、前記複数の電子部品素子の間に設けた仕切り壁によって仕切られたものであり、これにより電子部品パッケージの破損を低減することができるという作用効果を有するものである。 In order to achieve this object, the present invention provides a component board, a plurality of electronic component elements arranged on the lower surface of the component board, wiring connecting the plurality of electronic component elements, and the outer periphery of the plurality of electronic component elements. And a component cover that covers the lower surface side of the component substrate via the adhesive portion. And there is a cavity surrounded by the adhesive portion between the component cover and the electronic component element, the cavity is partitioned by a partition wall provided between the plurality of electronic component elements, This has the effect of reducing the damage to the electronic component package.

また、本発明は、前記仕切り壁により仕切られた前記キャビティ間に連通路を設けたものであり、これにより、あるキャビティに樹脂の流入圧力が集中した場合でもこの連通路により他のキャビティに圧力が分散されるため、キャビティ内の高圧力化による電子部品の特性低下を低減することができるという作用効果を有するものである。 Further, in the present invention , a communication path is provided between the cavities partitioned by the partition wall, so that even when the inflow pressure of the resin is concentrated in a certain cavity, the pressure is applied to other cavities by this communication path. Is dispersed, so that the deterioration of the characteristics of the electronic component due to the high pressure in the cavity can be reduced.

また、本発明は、連通路は、配線の非形成部に設けたものである。 Further, in the present invention, the communication path is provided in a non-wiring portion of the wiring .

また、本発明は、部品基板と、この部品基板の下面に配置した複数の電子部品素子およびこれら複数の電子部品素子を接続する配線と、前記複数の電子部品素子の外周に配置した接着部と、この接着部を介し前記部品基板の下面を覆う部品カバーとを備えている。そしてこの部品カバーと前記電子部品素子との間には前記接着部で囲まれたキャビティがあり、このキャビティは前記複数の電子部品素子の間に設けた複数の支柱によって仕切られたものである。そして、これにより、電子部品パッケージの破損を低減することができるという作用効果を有するものである。 The present invention also provides a component board, a plurality of electronic component elements arranged on the lower surface of the component board, wiring connecting the plurality of electronic component elements, and an adhesive portion arranged on the outer periphery of the plurality of electronic component elements. And a component cover that covers the lower surface of the component substrate via the bonding portion. A cavity surrounded by the adhesive portion is provided between the component cover and the electronic component element, and the cavity is partitioned by a plurality of columns provided between the plurality of electronic component elements. And this has the effect that the damage of an electronic component package can be reduced.

本発明においては、前記キャビティは、複数の電子部品素子を仕切るように仕切り壁を設けているため、モールド時などにおいて外圧が印加された場合も、前記仕切り壁が前記部品基板や部品カバーの形状を支持し、さらにその外部応力を分散することができ、その結果として電子部品パッケージの破損を低減することができるという作用効果を有するものである。   In the present invention, since the cavity is provided with a partition wall so as to partition a plurality of electronic component elements, even when an external pressure is applied during molding or the like, the partition wall has a shape of the component substrate or the component cover. The external stress can be further dispersed, and as a result, the damage of the electronic component package can be reduced.

本実施の形態では、電子部品としてSAW(表面弾性波)デバイスを例に挙げ、このSAWパッケージ12について以下に説明する。   In the present embodiment, a SAW (surface acoustic wave) device is taken as an example of an electronic component, and the SAW package 12 will be described below.

図1に示すように、本実施の形態におけるSAWパッケージ12は、部品基板13と、この部品基板13の下面に配置されている複数の電子部品素子としてのIDT電極14と、この複数のIDT電極14の外周を囲い、かつIDT電極14間を接続する配線15と、この配線15の下面に設けた接着部16と、この接着部16を介し、前記部品基板13の下面側を覆う部品カバー17とを備えている。また、この部品カバー17と前記IDT電極14との間には前記接着部16で囲まれたキャビティ19があり、このキャビティ19は、前記複数のIDT電極14の間に設けた仕切り壁18によって仕切られている。   As shown in FIG. 1, the SAW package 12 in the present embodiment includes a component board 13, an IDT electrode 14 as a plurality of electronic component elements arranged on the lower surface of the component board 13, and the plurality of IDT electrodes. 14, a wiring 15 that surrounds the outer periphery of the IDT 14 and connects the IDT electrodes 14, an adhesive portion 16 provided on the lower surface of the wiring 15, and a component cover 17 that covers the lower surface side of the component substrate 13 through the adhesive portion 16. And. A cavity 19 surrounded by the adhesive portion 16 is provided between the component cover 17 and the IDT electrode 14, and the cavity 19 is partitioned by a partition wall 18 provided between the plurality of IDT electrodes 14. It has been.

なお、本実施の形態では、この仕切り壁18は前記接着部16と同一の構成をしており、前記接着部16のうち、前記複数のIDT電極14の間に設け、前記キャビティ19を仕切る部分を、仕切り壁18としている。また、前記接着部16および仕切り壁18は、部品基板13側に設けた第1の接着部(図4の16a)と、前記部品カバー17側に設けた第2の接着部(図5の16b)とが接合したものである。   In the present embodiment, the partition wall 18 has the same configuration as the bonding portion 16, and is a portion of the bonding portion 16 that is provided between the plurality of IDT electrodes 14 and partitions the cavity 19. Is the partition wall 18. Further, the adhesive portion 16 and the partition wall 18 include a first adhesive portion (16a in FIG. 4) provided on the component substrate 13 side and a second adhesive portion (16b in FIG. 5) provided on the component cover 17 side. ) And are joined.

本実施の形態では、前記部品基板13の材料としてLiTaO3、またIDT電極14の材料としてアルミニウム、前記部品カバー17の材料としてはシリコンを用いた。その他前記部品基板13の材料としてはLiNbO3、IDT電極14の材料としてはアルミニウム以外の金属も用いることができ、前記部品カバー17の材料としては、ガラス、エポキシ樹脂などを用いることも出来る。 In the present embodiment, LiTaO 3 is used as the material of the component substrate 13, aluminum is used as the material of the IDT electrode 14, and silicon is used as the material of the component cover 17. In addition, LiNbO 3 can be used as the material of the component substrate 13, metals other than aluminum can be used as the material of the IDT electrode 14, and glass, epoxy resin, or the like can be used as the material of the component cover 17.

以下に本実施の形態におけるSAWパッケージ12の製造方法を説明する。   A method for manufacturing the SAW package 12 in the present embodiment will be described below.

はじめに、図2に示すように、部品基板13の下面全体にアルミニウムを蒸着スパッタし、その後ドライエッチング加工で前記IDT電極14(IDT電極14a,14b,14c,14d,14e,14f,14g,14h,14i)と、配線15とを形成する。配線15上には電極の引き出し部として受信端子20と、アンテナ端子21と、送信端子22およびグランド端子23とを形成する。なお、IDT電極14の両端部には、短絡電極を平行に配置した反射器を配置するのが一般的であるが、簡略化して示した。   First, as shown in FIG. 2, aluminum is vapor-deposited on the entire lower surface of the component substrate 13, and then the IDT electrode 14 (IDT electrodes 14a, 14b, 14c, 14d, 14e, 14f, 14g, 14h, 14i) and the wiring 15 are formed. On the wiring 15, a receiving terminal 20, an antenna terminal 21, a transmitting terminal 22 and a ground terminal 23 are formed as electrode lead portions. In addition, although it is common to arrange | position the reflector which has arrange | positioned the short circuit electrode in parallel at the both ends of the IDT electrode 14, it has shown it simplified.

また、各IDT電極14a,14b,14c,14d,14e,14f,14g,14h,14iは、図3に示す回路図のように接続されている。この図3を用いて、本実施の形態におけるSAWデバイスの動作を説明する。   The IDT electrodes 14a, 14b, 14c, 14d, 14e, 14f, 14g, 14h, and 14i are connected as shown in the circuit diagram of FIG. The operation of the SAW device in this embodiment will be described with reference to FIG.

まずアンテナ端子21はアンテナ(図示せず)に接続され、このアンテナから受信された信号からIDT電極14g,14iを介して特定周波数の信号が取り出されて受信端子20に出力される。一方、送信信号は、送信端子22からIDT電極14a,14c,14eを経てアンテナ端子21を介してアンテナから送信される。   First, the antenna terminal 21 is connected to an antenna (not shown), and a signal having a specific frequency is extracted from the signal received from the antenna via the IDT electrodes 14g and 14i and output to the reception terminal 20. On the other hand, the transmission signal is transmitted from the antenna via the antenna terminal 21 via the IDT electrodes 14a, 14c, and 14e from the transmission terminal 22.

このSAWデバイスの部品基板13の断面図が図4(a)である。   FIG. 4A is a sectional view of the component substrate 13 of this SAW device.

ここで次に図4および図5を用いて、接着部16を介した前記部品基板13と部品カバー17の接合方法について説明する。   Next, a method for joining the component substrate 13 and the component cover 17 via the bonding portion 16 will be described with reference to FIGS. 4 and 5.

まず図4(b)のように前記部品基板13の下面全体にレジストを塗布し、図4(c)のように前記配線15が部分的に見えるようにパターニングする。これは、次の工程において、前記IDT電極14の間際までアルミニウムが蒸着されるのを防止し、このIDT電極14の振動空間を十分確保するためである。そしてこのパターニングしたレジストの上面に図4(d)のようにアルミニウムを蒸着し、前記配線15の下面に第1の接着部16aを設ける。   First, a resist is applied to the entire lower surface of the component substrate 13 as shown in FIG. 4B, and patterning is performed so that the wiring 15 can be partially seen as shown in FIG. This is to prevent aluminum from being deposited until just before the IDT electrode 14 in the next step, and to ensure a sufficient vibration space for the IDT electrode 14. Then, aluminum is vapor-deposited on the upper surface of the patterned resist as shown in FIG. 4D, and a first adhesive portion 16 a is provided on the lower surface of the wiring 15.

その後、図4(e)に示すように下から研磨し、前記第1の接着部16aの高さに揃える。この時、蒸着後の表面は凹凸が大きいことから、前記第1の接着部16aの下面も少し研磨し、表面(下面)を滑らかにしておくことが好ましい。これは、後述の、部品カバー(図5の17)との接着性を高めるためである。   Then, as shown in FIG.4 (e), it grind | polishes from the bottom and arrange | equalizes with the height of the said 1st adhesion part 16a. At this time, since the surface after vapor deposition has large irregularities, it is preferable that the lower surface of the first adhesive portion 16a is slightly polished to make the surface (lower surface) smooth. This is to improve adhesion with a component cover (17 in FIG. 5) described later.

次に前記部品基板13をアルカリ溶液などに浸漬し、レジストを溶解させると、図4(f)のように、前記第1の接着部16aが前記IDT電極14より少し高めになるように形成することができる。   Next, when the component substrate 13 is immersed in an alkaline solution or the like to dissolve the resist, the first adhesive portion 16a is formed to be slightly higher than the IDT electrode 14 as shown in FIG. be able to.

一方、部品カバー17は、まず、図5(a)のように、上面全体にレジストを塗布し、図5(b)のように前記IDT電極14の下方に対応する部分(図6の点線で囲った部分)にレジストが残るようにパターニングする。   On the other hand, as shown in FIG. 5A, the component cover 17 is first coated with a resist on the entire upper surface, and a portion corresponding to the lower side of the IDT electrode 14 (shown by a dotted line in FIG. 6). Patterning is performed so that the resist remains in the enclosed portion.

その後図5(c)のように前記部品カバー17の上面全体にアルミニウムを蒸着し、第2の接着部16bを形成する。   Thereafter, as shown in FIG. 5C, aluminum is vapor-deposited on the entire upper surface of the component cover 17 to form a second adhesive portion 16b.

次に、図5(d)のように前記部品カバー17の上面を研磨し、前記第2の接着部16bの高さに揃える。このとき、前記第1の接着部16aと同様に、前記第2の接着部16bの上面も少し研磨し、表面(上面)を滑らかにしておくことが好ましい。   Next, as shown in FIG. 5D, the upper surface of the component cover 17 is polished so as to be aligned with the height of the second adhesive portion 16b. At this time, similarly to the first adhesive portion 16a, it is preferable that the upper surface of the second adhesive portion 16b is slightly polished so that the surface (upper surface) is smooth.

その後前記部品カバー17をアルカリ溶液などに浸漬し、レジストを溶解させると、図5(e)のような部品カバー17が完成する。   Thereafter, the component cover 17 is immersed in an alkaline solution or the like to dissolve the resist, thereby completing the component cover 17 as shown in FIG.

そして、図5(f)のように前記部品基板13の下方に設けた第1の接着部16aと、前記部品カバー17の上面に設けた第2の接着部16bとが接合するように位置決めを行い、次にこの第1の接着部16aと第2の接着部16bのそれぞれの接合面をプラズマ処理して洗浄する。そしてその後、200℃に加熱しながら軽く押圧し、図5(g)のように前記第1の接着部16aと第2の接着部16bとを直接原子間結合させ、接着部16を形成する。なお本実施の形態では、前述のように、この接着部16であって、複数の前記IDT電極14を仕切る役割を果たす部分を、仕切り壁18としている。   Then, as shown in FIG. 5F, positioning is performed so that the first adhesive portion 16a provided below the component substrate 13 and the second adhesive portion 16b provided on the upper surface of the component cover 17 are joined. Next, the bonding surfaces of the first adhesive portion 16a and the second adhesive portion 16b are cleaned by plasma treatment. And after that, it lightly presses while heating to 200 ° C., and as shown in FIG. 5G, the first adhesive portion 16 a and the second adhesive portion 16 b are directly interatomic bonded to form the adhesive portion 16. In the present embodiment, as described above, a portion that serves as a partition for the plurality of IDT electrodes 14 in the bonding portion 16 is defined as the partition wall 18.

次に、図6および図7で示すように、部品カバー17の下面に接続電極24を形成する。まず、図7に示すように、前記部品カバー17に、前記接続電極24と図2の前記受信端子20、アンテナ端子21、送信端子22、グランド端子23とを接続する貫通孔25を、ドライエッチング加工により形成する。そしてその後、この貫通孔25の内側にTi,Ni,Auを順次蒸着し、さらにその蒸着膜の内部にはんだを印刷して充填し、接続電極24を形成すれば、SAWパッケージ12が完成する。   Next, as shown in FIGS. 6 and 7, the connection electrode 24 is formed on the lower surface of the component cover 17. First, as shown in FIG. 7, a through hole 25 that connects the connection electrode 24 to the reception terminal 20, antenna terminal 21, transmission terminal 22, and ground terminal 23 of FIG. Formed by processing. After that, Ti, Ni, and Au are sequentially deposited inside the through-hole 25, and solder is printed and filled in the deposited film to form the connection electrode 24, whereby the SAW package 12 is completed.

なお、以上のような構成で形成したSAWパッケージ12を、図1のようにモールド加工する場合は、前記接続電極24を介して実装基板26に実装し、金型に入れ、次にこの金型に加熱・加圧したモールド樹脂27を注入し、その後冷却して成形する。本実施の形態では、モールド樹脂にはフィラーを分散させたエポキシ樹脂を用い、モールド樹脂の注入条件は樹脂温度を175℃、注入圧力50〜100atmとした。また、このモールド樹脂27のフィラーには酸化シリコンを用い、その混合率は80wt%〜90wt%とした。 When the SAW package 12 formed as described above is molded as shown in FIG. 1, it is mounted on the mounting substrate 26 via the connection electrodes 24, placed in a mold, and then the mold. The mold resin 27 heated and pressurized is poured into the mold, and then cooled and molded. In the present embodiment, an epoxy resin in which a filler is dispersed is used as the mold resin, and the mold resin injection conditions are a resin temperature of 175 ° C. and an injection pressure of 50 to 100 atm. Further, silicon oxide was used for the filler of the mold resin 27, and the mixing ratio was 80 wt% to 90 wt%.

本実施の形態のSAWパッケージ12は、モールド加工時の外圧に対する強度が向上し、その損傷が低減されるという効果を有する。その理由を、図1を用いて以下に説明する。   The SAW package 12 of the present embodiment has an effect that the strength against the external pressure at the time of molding is improved and the damage is reduced. The reason will be described below with reference to FIG.

本実施の形態では、複数の前記IDT電極14の間には前記キャビティ19を細かく仕切る仕切り壁18がある。したがって、前記SAWパッケージ12のモールド加工時において、モールド樹脂27の流入圧力が非常に大きい場合でも、前記仕切り壁18が前記部品基板13や部品カバー17の形状を支持し、さらにその外部応力を分散することができ、この結果、電子部品パッケージの破損を低減することができるのである。なお、この仕切り壁18は、本実施の形態のように、接着部16をそのまま利用して設けてもよく、また別個に独立して形成してもよい。さらに、本実施の形態では、前記接着部16を配線15の下面に設けたが、前記部品基板13の下面に直接設けてもよい。   In the present embodiment, there is a partition wall 18 that finely partitions the cavity 19 between the plurality of IDT electrodes 14. Accordingly, when the SAW package 12 is molded, even when the inflow pressure of the mold resin 27 is very large, the partition wall 18 supports the shape of the component substrate 13 and the component cover 17 and further distributes the external stress. As a result, the breakage of the electronic component package can be reduced. In addition, this partition wall 18 may be provided using the adhesive part 16 as it is like this Embodiment, and may be formed separately and independently. Furthermore, in the present embodiment, the bonding portion 16 is provided on the lower surface of the wiring 15, but it may be provided directly on the lower surface of the component substrate 13.

また、本実施の形態では、上記仕切り壁18により仕切られた複数のキャビティ19を、完全に分割して設けるのではなく、図6に示す形状に連通路28を設け、この連通路28によって複数のキャビティ19を一部連結させるように設けた。これにより、あるキャビティ19に樹脂の流入圧力が集中した場合でも、この連通路28により他のキャビティ19に圧力を分散させることができる。例えば、SAWデバイスの場合、キャビティ19内の高圧力化により振動しにくくなり、その結果、損失が大きくなってしまう恐れがあるが、このように圧力を分散させることによりその損失低下を抑制することができるという作用効果を有する。   Further, in the present embodiment, the plurality of cavities 19 partitioned by the partition wall 18 are not completely divided and provided, but the communication path 28 is provided in the shape shown in FIG. The cavities 19 were partly connected. As a result, even when the inflow pressure of the resin is concentrated in a certain cavity 19, the pressure can be distributed to the other cavities 19 by the communication path 28. For example, in the case of a SAW device, it becomes difficult to vibrate due to the high pressure in the cavity 19 and as a result, there is a risk that the loss may increase. Has the effect of being able to

なお、前記連通路28は、部品基板13に設けることもできるし、仕切り壁18に設けることもできる。前記連通路28を部品基板13に設ける場合、本実施の形態のように、図2に示すごとく、前記部品基板13の下面に形成した配線の非形成部29を連通路28とすることも可能である。すなわち、上述のように、前記配線15は、部品基板13の下面にアルミニウムをスパッタリングした後、エッチング加工を施すことによって形成されているため、配線の非形成部29とは、アルミニウムをエッチングした部分を指す。したがって、この配線の非形成部29は、凹部となっているため、この部位を連通路28として利用することができる。これにより別途連通路28を設けるという手間を省くことができる。   The communication path 28 can be provided in the component substrate 13 or can be provided in the partition wall 18. When the communication path 28 is provided in the component board 13, as shown in FIG. 2, the wiring non-forming portion 29 formed on the lower surface of the component board 13 can be used as the communication path 28 as in the present embodiment. It is. That is, as described above, since the wiring 15 is formed by sputtering aluminum on the lower surface of the component substrate 13 and then performing etching, the wiring non-forming portion 29 is a portion where aluminum is etched. Point to. Therefore, since the non-forming portion 29 of the wiring is a concave portion, this portion can be used as the communication path 28. Thereby, the trouble of providing the separate communication path 28 can be saved.

また、仕切り壁18の代わりに複数の支柱を設けても同様の効果を得ることができるし、仕切り壁18と支柱を組み合わせて用いることも可能である。ここで支柱を用いる場合、支柱と支柱の間の空間、仕切り壁18と支柱の間の空間が上記連通路28になるが、別途、配線15の非形成部29に連通路28を設けることも可能である。   Further, the same effect can be obtained even if a plurality of support columns are provided instead of the partition wall 18, and the partition wall 18 and the support columns can be used in combination. Here, when using a support column, the space between the support column and the space between the partition wall 18 and the support column serves as the communication path 28. However, the communication path 28 may be separately provided in the non-forming portion 29 of the wiring 15. Is possible.

また、本実施の形態では、電子部品の低背化のため、前記部品カバー17は前記部品基板13より薄いものとする。したがって、前記部品カバー17は特に割れやすく、この部品カバー17の強度を向上させる必要があるため、上述のような構成および手段によりその強度を向上することは、電子部品パッケージの破損を低減するにあたり有効である。   In the present embodiment, the component cover 17 is thinner than the component substrate 13 in order to reduce the height of the electronic component. Accordingly, the component cover 17 is particularly easily broken, and it is necessary to improve the strength of the component cover 17. Therefore, improving the strength by the above-described configuration and means reduces damage to the electronic component package. It is valid.

なお、電子部品パッケージとしてSAWパッケージ12を例に説明したが、その他MEMS(micro electro mechanical systems)圧力センサのパッケージなど、部品基板と部品カバーとの間に空間を保持したい電子部品に応用が可能である。   The SAW package 12 has been described as an example of the electronic component package. However, the electronic component package can be applied to an electronic component that requires a space between the component substrate and the component cover, such as a package of a MEMS (micro electro mechanical systems) pressure sensor. is there.

本発明は、前記部品基板と部品カバーとの間に設けたキャビティを、前記複数の電子部品素子の間に設けた仕切り壁によって仕切るという特徴を有し、キャビティを内部に有する電子部品パッケージに有用である。   The present invention is characterized in that a cavity provided between the component substrate and the component cover is partitioned by a partition wall provided between the plurality of electronic component elements, and is useful for an electronic component package having a cavity therein. It is.

本実施の形態におけるモールド加工したSAWパッケージの断面図(図2のA−A断面)Sectional view of the molded SAW package in the present embodiment (cross section AA in FIG. 2) 本実施の形態における部品基板の上面図Top view of component board in the present embodiment 本実施の形態におけるSAWデバイスの電気回路図Electrical circuit diagram of SAW device in the present embodiment 本実施の形態における部品基板の製造工程図(図2のA−A断面)Manufacturing process diagram of component substrate in the present embodiment (cross section AA in FIG. 2) 本実施の形態における部品カバーの製造工程図(図2のA−A断面)Manufacturing process diagram of component cover in the present embodiment (cross section AA in FIG. 2) 本実施の形態における接続電極を形成した部品カバーの上面図Top view of component cover in which connection electrodes are formed in the present embodiment 本実施の形態におけるSAWパッケージの断面図(図2のB−B断面)Sectional view of SAW package in the present embodiment (cross section BB in FIG. 2) 従来のワンパッケージモジュールの斜視図Perspective view of a conventional one package module 従来のSAWパッケージの断面図Sectional view of a conventional SAW package

符号の説明Explanation of symbols

12 SAWパッケージ
13 部品基板
14 IDT電極(電子部品素子)
15 配線
16 接着部
16a 第1の接着部
16b 第2の接着部
17 部品カバー
18 仕切り壁
19 キャビティ
20 受信端子
21 アンテナ端子
22 送信端子
23 グランド端子
24 接続電極
25 貫通孔
26 実装基板
27 モールド樹脂
28 連通路
29 配線の非形成部
12 SAW package 13 Component substrate 14 IDT electrode (electronic component element)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 15 Wiring 16 Adhesive part 16a 1st adhesive part 16b 2nd adhesive part 17 Component cover 18 Partition wall 19 Cavity 20 Reception terminal 21 Antenna terminal 22 Transmission terminal 23 Ground terminal 24 Connection electrode 25 Through-hole 26 Mounting board 27 Mold resin 28 Communication path 29 Wiring non-formation part

Claims (4)

LiTaO3またはLiNbO3からなる部品基板と、この部品基板の下面に配置した複数のIDT電極およびこれら複数のIDT電極を接続する配線と、前記複数のIDT電極の外周に配置した壁体と、この壁体を介し前記部品基板の下面側を覆う部品カバーとを備え、SAWデバイスとして機能する電子部品パッケージにおいて、この電子部品パッケージは前記部品基板とほぼ同等の占有面積を有し、前記部品カバーと前記IDT電極との間には前記壁体で囲まれたキャビティを有し、このキャビティは、前記複数のIDT電極の間に設けた仕切り壁または支柱によって仕切られ、この仕切り壁または支柱により仕切られた前記キャビティ間に連通路を設け、前記仕切り壁または支柱は部品カバーと異なる材料から構成された電子部品パッケージ。 A component substrate made of LiTaO 3 or LiNbO 3 , a plurality of IDT electrodes arranged on the lower surface of the component substrate, wiring connecting the plurality of IDT electrodes, a wall disposed on the outer periphery of the plurality of IDT electrodes, And an electronic component package functioning as a SAW device. The electronic component package has an occupation area substantially equal to that of the component substrate. between the IDT electrode has a cavity surrounded by the wall, the cavity is partitioned by a partition wall or strut provided between the plurality of IDT electrodes is partitioned by the partition walls or struts In addition, a communication path is provided between the cavities, and the partition wall or the support column is an electronic component package made of a material different from that of the component cover. cage. 前記部品カバーは凹部を有さないことを特徴とした請求項1に記載の電子部品パッケージ。 The electronic component package according to claim 1, wherein the component cover does not have a recess . 前記壁体および前記仕切り壁または支柱は前記配線の形成部に設けられ、かつ前記配線の非形成部に設けられず、前記キャビティ間の連通路は前記壁体、仕切り壁、支柱の非形成部に設けられた請求項2に記載の電子部品パッケージ。The wall body and the partition wall or support are provided in the wiring forming portion and not provided in the wiring non-forming portion, and the communication path between the cavities is the wall, partition wall, and post non-forming portion. The electronic component package according to claim 2, wherein the electronic component package is provided on the electronic component package. LiTaOLiTaO 3Three またはLiNbOOr LiNbO 3Three からなる部品基板と、この部品基板の下面に配設された複数のIDT電極と、前記部品基板の下面に配設され、前記複数のIDT電極を接続すると共に前記IDT電極の外周を取り囲む配線と、この配線の形成部に設けられ、かつこの配線の非形成部に設けられない壁体と、この壁体を介して前記部品基板の下面側を覆う部品カバーとを備え、SAWデバイスとして機能する電子部品パッケージにおいて、この電子部品パッケージは前記部品基板とほぼ同等の占有面積を有し、前記部品カバーと前記IDT電極との間には前記壁体で囲まれたキャビティを有し、このキャビティ相互は前記壁体によって仕切られ、前記キャビティ間には前記壁体の非形成部に設けられた連通路を有する電子部品パッケージ。A component substrate comprising: a plurality of IDT electrodes disposed on the lower surface of the component substrate; a wiring disposed on the lower surface of the component substrate for connecting the plurality of IDT electrodes and surrounding the outer periphery of the IDT electrode; A wall body provided in the wiring forming portion and not provided in the wiring non-forming portion, and a component cover covering the lower surface side of the component substrate via the wall body, and functions as a SAW device. In the electronic component package, the electronic component package has substantially the same area as the component substrate, and has a cavity surrounded by the wall between the component cover and the IDT electrode. Is an electronic component package that is partitioned by the wall body and has a communication path provided in a non-forming portion of the wall body between the cavities.
JP2005364599A 2005-12-19 2005-12-19 Electronic component package Active JP4760357B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005364599A JP4760357B2 (en) 2005-12-19 2005-12-19 Electronic component package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005364599A JP4760357B2 (en) 2005-12-19 2005-12-19 Electronic component package

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007173284A JP2007173284A (en) 2007-07-05
JP4760357B2 true JP4760357B2 (en) 2011-08-31

Family

ID=38299486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005364599A Active JP4760357B2 (en) 2005-12-19 2005-12-19 Electronic component package

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4760357B2 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4922856B2 (en) * 2007-07-23 2012-04-25 セイコーインスツル株式会社 Hermetic package, angular velocity sensor, and method of manufacturing hermetic package
JP5214627B2 (en) * 2007-10-30 2013-06-19 京セラ株式会社 Elastic wave device
JP5176603B2 (en) * 2008-03-04 2013-04-03 パナソニック株式会社 Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof
CN105810590A (en) * 2016-03-18 2016-07-27 中国电子科技集团公司第二十六研究所 Acoustic surface wave filter wafer bonding and packaging technology
JP6646089B2 (en) * 2018-02-22 2020-02-14 京セラ株式会社 Elastic wave device and circuit board

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09512677A (en) * 1994-05-02 1997-12-16 シーメンス マツシタ コンポーネンツ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング ウント コンパニ コマンデイート ゲゼルシヤフト Electronic device encapsulation equipment
JP2000261284A (en) * 1999-03-05 2000-09-22 Kyocera Corp Surface acoustic wave device and its production
JP2003332879A (en) * 2002-05-17 2003-11-21 Miyota Kk Correlation circuit

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09512677A (en) * 1994-05-02 1997-12-16 シーメンス マツシタ コンポーネンツ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング ウント コンパニ コマンデイート ゲゼルシヤフト Electronic device encapsulation equipment
JP2000261284A (en) * 1999-03-05 2000-09-22 Kyocera Corp Surface acoustic wave device and its production
JP2003332879A (en) * 2002-05-17 2003-11-21 Miyota Kk Correlation circuit

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007173284A (en) 2007-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5849130B2 (en) Elastic wave device and elastic wave module
JP4245499B2 (en) Wafer level package and manufacturing method for micro device
JP6242597B2 (en) Elastic wave device and manufacturing method thereof
JP5117083B2 (en) Elastic wave device and manufacturing method thereof
JP3797992B2 (en) Semiconductor device
KR100902685B1 (en) Electronic component package
JP4377500B2 (en) Surface acoustic wave device and method of manufacturing surface acoustic wave device
US20110221303A1 (en) Electronic device
JP2008060382A (en) Electronic component and its manufacturing method
JP2007214941A (en) Piezoelectric vibration chip and piezoelectric device
JP4760357B2 (en) Electronic component package
JP4811232B2 (en) Electronic component package
JP2010050778A (en) Piezoelectric device
JP4984809B2 (en) Electronic component package
JP2009164884A (en) Acoustic wave device and its manufacturing method
CN113659954B (en) Bulk acoustic wave resonator, packaging method thereof and electronic equipment
JP2007189501A (en) Electronic component
CN110690869A (en) Chip packaging method and chip packaging structure
JP5716875B2 (en) Electronic components and electronic modules
JP4779579B2 (en) Electronic component package
JP2013251743A (en) Surface acoustic wave device and manufacturing method of the same
JP5111307B2 (en) Resonator, filter, duplexer, and method of manufacturing resonator
JPH10163798A (en) Surface acoustic wave element and electronic part using the same
KR20220005253A (en) Surface acoustic wave wafer level package and manufacturing method thereof
JP2008035026A (en) Piezoelectric device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20081022

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090130

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20091127

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101221

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110209

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132

Effective date: 20110301

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110415

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110510

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110523

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617

Year of fee payment: 3

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4760357

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250